JP2019029442A - インプリント装置および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板上に形成された基板側パターン領域の形状と型に形成された型側パターン領域の形状との重ね合わせに有利なインプリント装置を提供すること。
【解決手段】 パターンが形成されたパターン部を含む型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置において、基板上のインプリント材を型に接触させた状態で基板のショット領域に熱を加えることにより、基板及び型の形状を変化させる加熱機構を備え、パターン部及び基板の材料を適切に設定する。
【選択図】 図1
【解決手段】 パターンが形成されたパターン部を含む型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置において、基板上のインプリント材を型に接触させた状態で基板のショット領域に熱を加えることにより、基板及び型の形状を変化させる加熱機構を備え、パターン部及び基板の材料を適切に設定する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、インプリント装置および物品の製造方法に関する。
半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加え、基板上のインプリント材を型(モールド)で成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成するインプリント技術が注目を集めている。インプリント技術を活用することで、基板上にナノメートルオーダーのパターンを形成することができる。
インプリント技術の1つとして光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント方法では、まず、基板上にインプリント材を供給する。次に、基板上のインプリント材と型を接触させる。そして、インプリント材と型を接触させた状態で紫外線を照射し、インプリント材を硬化させた後に、硬化したインプリント材から型を引き離すことにより、基板上にインプリント材のパターンが形成される。
インプリント技術によってパターンが形成される基板は、一連のデバイス製造工程において、例えばスパッタリングなどの成膜工程での加熱処理を経ることで、基板が変形している場合がある。そのため、基板上のパターンが形成される領域である基板側のパターン領域の形状が変化する場合がある。
したがって、インプリント装置では、基板上のインプリント材と型を接触させる際に、基板上に予め形成されているパターン領域の形状と、型に形成されている型側のパターン領域の形状とを合わせる必要がある。
特許文献1は、基板側のパターン領域の形状と型側のパターン領域の形状とを合わせる技術として、基板を加熱することによって基板を熱変形させるインプリント装置を開示している。
特許文献1に開示されたインプリント装置では、基板はシリコンから形成され、型は、シリコンと比較して線膨張係数が十分に小さい石英から形成されている。
基板上のインプリント材と型を接触させることにより、基板に加えられた熱が型に伝導されるが、上述したように型の材料は熱膨張係数の小さい石英であるため、型側のパターン領域の形状はほとんど変化しない。
基板側のパターン領域の形状と型側のパターン領域の形状との差がそれほど大きくない場合には、特許文献1のインプリント装置のように、基板を加熱することにより基板側のパターン領域の形状と型側のパターン領域の形状を適切に合わせることが可能である。しかしながら、基板側のパターン領域の形状と型側のパターン領域の形状との差が大きい場合には、両者の形状を十分に合わせることができないおそれがある。
本発明は、基板上に形成された基板側パターン領域の形状と型に形成された型側パターン領域の形状との重ね合わせに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
本発明のインプリント装置は、パターンが形成されたパターン部を含む型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、基板上のインプリント材を前記型に接触させた状態で前記基板のショット領域に熱を加えることにより、前記基板及び前記型の形状を変化させる加熱機構を備え、前記パターン部の材料の線膨張係数は、前記基板の材料の線膨張係数よりも高いことを特徴とする。
本発明によれば、基板上に形成された基板側パターン領域の形状と型に形成された型側パターン領域の形状との重ね合わせに有利なインプリント装置が得られる。
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は本発明におけるインプリント装置1の構成を示した図である。図1を用いてインプリント装置1の構成について説明する。ここでは、基板11が配置される面をXY面、それに直交する方向をZ方向として、図1に示したように各軸を決める。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。図1のインプリント装置1は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置1について説明する。
インプリント装置1は、インプリント材を硬化させる光を照射する照射部2と、型8を保持する型保持機構3(型保持部)と、基板11を移動させる基板ステージ4(基板保持部)と、基板上にインプリント材を供給する供給部5(ディスペンサ)を備える。インプリント材が予め供給された状態で基板をインプリント装置1に搬入する場合には、インプリント装置1に供給部5を備えていなくてもよい。さらに、インプリント装置1は、基板11を変形させるために基板を加熱する加熱機構6と、インプリント装置1の各部の動作を制御する制御部7と、型8に形成されたマークと基板11に形成されたマークを検出するマーク検出部22を備える。
照射部2は、型8とインプリント材とが接触した状態で、型8の裏面側から型8に対して紫外線9を照射する。照射部2は、紫外線9を照射する光源(不図示)と、光源から照射された紫外線9を適切な光に調整するための光学部材(不図示)を含む。本発明のインプリント装置は、光硬化法を採用しているために紫外線9を照射する照射部2を設置している。一方で、熱硬化法を採用する場合には、インプリント材として熱硬化樹脂を使用し、照射部2に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置する。
型8(モールド)は、外周形状が矩形であり、基板11上のインプリント材に転写される回路パターンなどが形成されたパターン部8aを含む。さらに、型8の紫外線9が照射される面には、型8のパターン部8aを基板11に対して凸形に変形しやすくための凹部(キャビティ8b)を有する形状としてもよい。また、型保持機構3の内側の開口領域17に、この開口領域17の一部とキャビティ8bとで囲まれる空間12を密閉空間とする光透過部材13を設置し、不図示の圧力調整装置により空間12内の圧力を制御することにより、型8を凸形に変形させる。
インプリント材14には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材14は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上、100mPa・s以下である。
型保持機構3は、真空吸着力や静電力により型8を保持する型チャック15と、型チャック15を保持し、型8(型チャック15)を移動させる型駆動部16とを有する。型チャック15および型駆動部16は、照射部2の光源から照射された紫外線9が基板11に向けて照射されるように、中心部(内側)に開口領域17を有する。さらに、型保持機構3は、型8の側面に外力を与えることにより型8(パターン部8a)を変形させる型変形機構18を有する。この型変形機構18は、型8を変形させることで、基板11上に予め形成されている基板側パターン領域の形状に対してパターン部8a(型側パターン領域)の形状を合わせることができる。
型駆動部16は、型8を基板11上のインプリント材14に接触させたり(押印)、硬化したインプリント材14から型8を引き離したり(離型)するために、型8をZ軸方向に移動させる。この型駆動部16に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータやエアシリンダなどがある。型駆動部16は、型8を高精度に位置決めするために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、型駆動部16は、Z軸方向だけでなくX軸方向やY軸方向、またはθ(Z軸周りの回転)方向の位置調整機能や、型8の傾きを補正するためのチルト機能などを有してもよい。なお、インプリント装置1における押印および離型の各動作は、上述のように型8をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ4をZ軸方向に移動させることで実現してもよい。または、型保持機構3(型8)と基板ステージ4(基板11)のその双方を相対的に移動させたり、順次移動させたりして、押印および離型の各動作を実現してもよい。
基板ステージ4は、基板11を保持する基板保持部である。基板ステージ4は、型8と基板11上のインプリント材14とが接触する際、型8と基板11との位置合わせを実施する。この基板ステージ4は、真空吸着力や静電力により基板11を保持する基板チャック19と、基板チャック19を保持し、基板11(基板チャック19)をXY平面内で移動させるステージ駆動機構20とを有する。また、基板ステージ4は、型8をアライメントする際に利用する基準マーク21を有する。ステージ駆動機構20は、アクチュエータとして、例えばリニアモータを採用し得る。ステージ駆動機構20も、X軸およびY軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、基板11のθ方向の位置調整機能、または基板11の傾きを補正するためのチルト機能などを有してもよい。
供給部5(ディスペンサ)は、基板11上にインプリント材14を供給(塗布)する。供給部5の吐出口(吐出ノズル)から吐出されるインプリント材14の量は、基板11上に形成されるインプリント材14のパターンの厚さや、形成されるインプリント材14のパターンの密度などにより適宜決定される。
インプリント装置1は、充填モニタ27を備えていてもよい。充填モニタ27は、不図示ではあるが、光源、撮像素子および光学系を備え、型8と基板11上のインプリント材14とが接触する際に、パターン部8aにインプリント材14が接触する様子を撮像する。充填モニタ27で型8と基板11上のインプリント材14の接触状態を撮像素子により撮像することで、型8と基板11の間に挟まれた異物を検出することができる。さらに、撮像モニタ27によって接触状態を撮像することで、インプリント装置1は、インプリント材14の未充填箇所を特定したり、型8と基板11の相対的な傾きを検出したりすることができる。
制御部7は、インプリント装置1の各構成要素の動作(調整)を制御することができる。制御部7は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部7は、インプリント装置1と一体で(共通の筐体内に)構成してもよいし、インプリント装置1の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成してもよい。
インプリント装置1は、型8や基板11に形成されたマークを検出するマーク検出部22を備える。例えば、マーク検出部22は、基板11に形成されたアライメントマークと、型8に形成されたアライメントマークを検出することで、型8と基板11のX軸およびY軸の各方向への位置ずれや、型側パターン領域と基板側パターン領域の形状差を計測する。マーク検出部22は開口領域17に配置されてもよいし、リレー光学系を介して型8や基板11から離れた場所に配置されてもよい。
インプリント装置1は、基板ステージ4を載置するベース定盤24と、型保持機構3を固定するブリッジ定盤25と、ベース定盤24から延設され、ブリッジ定盤25を支持するための支柱26とを備える。さらに、インプリント装置1は、型8をインプリント装置1の外部から型保持機構3へ搬入したり、インプリント装置1の外部へ搬出したりする型搬送機構(不図示)を備えてもよい。また、インプリント装置1は、基板11をインプリント装置1の外部から基板ステージ4へ搬入したり、インプリント装置1の外部へ搬出したりする基板搬送機構(不図示)を備えてもよい。
加熱機構6は、基板ステージ4に保持された基板11に形成されている基板側パターン領域の形状を変形させるために、基板11を加熱する。加熱機構6は、例えば、図1に示すように、型8を透過して基板11に向けて光を照射することで基板11を加熱する加熱用光源を採用し得る。また、加熱機構6は、加熱用光源に加えて、加熱用光源から照射された光が基板側パターン領域を加熱するために適切な光に調整するための光変調器および光学系を含む。なお、加熱用光源からの光の光路には、照射部2から射出される紫外線9を反射し、加熱用光源からの光を透過させる光学素子28(例えばダイクロイックミラー)が配置されている。さらに加熱光の光路には、充填モニタ27の光源から射出される光を反射し、加熱用光源からの光を透過させる光学素子29が配置されている。
光変調器(照度分布形成手段)は、具体的には、DMD(Digital Micro−mirror Device)やLCD(Liquid Crystal Display)などが用いられる。ここでは、光変調器としてDMDを用いた場合について説明する。DMDは、個別に制御が可能な十数μm角のマイクロミラーが数十万個(例えば、1024×768個)配列され、照射された光を反射する反射型の光変調器である。各マイクロミラーは、デジタル信号によって機械的に制御され、例えば、ミラー配列面66に対して+12度(ON状態)、あるいは−12度(OFF状態)の角度で傾く。加熱機構6は、DMDを制御するための照射量制御装置を備える。照射量制御装置によってDMDを制御することによって、所望の補正量を得るために、基板側パターン領域に対して加熱用光源からの光の照度分布を形成することができる。
(インプリント処理について)
次に、インプリント装置1によるインプリント処理について図2を用いて説明する。図2は、インプリント装置1にて、複数の基板11に対して型8を用い、基板11上の複数の基板側パターン領域(ショット領域)にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理の動作シーケンスを示すフローチャートである。インプリント処理の動作は、制御部7によって実行される。
次に、インプリント装置1によるインプリント処理について図2を用いて説明する。図2は、インプリント装置1にて、複数の基板11に対して型8を用い、基板11上の複数の基板側パターン領域(ショット領域)にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理の動作シーケンスを示すフローチャートである。インプリント処理の動作は、制御部7によって実行される。
制御部7は、動作シーケンスを開始すると、型搬送機構により、型8を型チャック15に搭載させる(ステップS100)、基板搬送機構により、基板11を基板チャック19に搭載させる(ステップS101)。インプリント装置に搬入する型8と基板11の順番は特に限定されず、型8と基板11の搬送は順次行ってもよいし、同時に行ってもよい。
制御部7は、基板ステージ4により基板11の基板側パターン領域を供給部5の供給位置まで移動させた後に、供給工程として供給部5によりインプリント材14を基板11上に供給(塗布)させる(ステップS102)。その後、制御部7は、基板ステージ4により基板11を所定の位置まで移動させ、インプリント材14が供給された基板11を、型8の下の位置(押印位置)まで移動させて、型8に対して基板11の位置決めを行う(ステップS103)。
制御部7は、押印工程として型駆動部16を動作させ、型8と基板側パターン領域に供給されたインプリント材14とを接触させる(ステップS104)。型8とインプリント材14の接触(充填)の様子は、充填モニタ27により観察することができる。その後ステップS105では、型8とインプリント材14が接触している状態で、マーク検出部22が、型8に形成されたアライメントマークと基板11に形成されたアライメントマークからの光を検出する。マーク検出部22により検出されたアライメントマークの検出結果を基に、型8と基板11のX軸方向、Y軸方向、θ方向の位置ずれを計測する。更に、計測されたアライメントマークの位置ずれ量を基に、型側パターン領域の形状と基板側パターン領域8aの形状の差を計測することができる。さらに、この形状の差が低減するように、型8の型側パターン領域の形状の補正量と基板11の基板側パターン領域の形状の補正量をそれぞれ求める。
制御部7は、型補正工程として、ステップS105で求めた型8の型側パターン領域の形状の補正量に基づいて、型変形機構18により、型8を変形させる(ステップS106)。これにより、制御部7は、型8の型側パターン領域の形状を所望の形状に補正させることができる。さらに制御部7は、基板補正工程として、ステップS105で求めた基板11の基板側パターン領域の形状の補正量に基づいて、加熱機構6により基板11を加熱し、基板側パターン領域に温度分布を与えて、基板11を変形させる(ステップS107)。これにより、制御部7は、基板11の基板側パターン領域の形状を所望の形状に熱的に補正させることができる。
ここで、ステップS107における温度分布の形成方法について説明する。基板11を加熱するための加熱機構6には、インプリント材が硬化しない波長の光(例えば近赤外光など)を照射する加熱用光源が使用される。加熱用光源から照射された光は、DMDや型8を経て、基板11の基板側パターン領域を照射する。加熱用光源から照射された光を、DMDに構成された多数のミラーにより照射量を制御することで、基板11上の照射面内において照度分布を形成することができる。この照度分布により、基板11上に任意の温度分布を形成することが可能である。基板側パターン領域の形状の補正量は、ステップS105のアライメントマークの検出結果から求めることができる。制御部7は、アライメントマークの検出結果から求めた補正量に基づき、基板側パターン領域の形状を補正するために必要な温度分布、照度分布を求める。そして、照射量制御装置は、得られた温度分布や照度分布が基板上に形成されるように加熱機構6を制御する。基板11の基板側パターン領域は、半導体の製造プロセスの過程によって変形している。基板側パターン領域の変形は、倍率成分、平行四辺形成分、台形成分の変形に大きく分類され、これらの成分が組み合わせられていることが多い。それぞれの変形成分を補正するために、基板側パターン領域の内側に限らず、領域の外側に温度分布を形成してもよい。
次に、制御部7は、ステップS105で求めた基板側パターン領域と型側パターン領域の位置ずれを補正するために、ステージ駆動機構20を駆動させる。これにより、ステップS108では型8と基板11の相対的な位置合わせを行うことができる(ステップS108)。
ステップS108において、型8と基板11の位置合わせを行った状態で、マーク検出部22は、基板11上に形成されたアライメントマークと型8に形成されたアライメントマークを検出する(S109)。制御部7は、検出されたアライメントマークの結果に基づきX、Y、θ方向の型側パターン領域と基板側パターン領域の位置ずれや形状差を求めることができる。そして、計測された位置ずれや形状差に基づいて、型側パターン領域の形状と基板側パターン領域の形状が合うように、基板側パターン領域や型側パターン領域の形状の補正量をそれぞれ求めてもよい。
そして、求めた型側パターン領域と基板側パターン領域の位置ずれや形状差(補正残差)が許容値に入っているかを判定する(ステップ110)。ステップS110において制御部7は、求めた値が許容値に入っていない(NO)と判定した場合には、ステップS107に戻って基板の位置や形状を補正することができる。一方で、ステップS110において制御部7は、求めた値が許容値に入っている(YES)と判定した場合には、次のステップS111に移行する。さらに、制御部7はステップS110における判定を型と基板の相対的な位置ずれ量で行ってもよい。また、ステップS110で許容値に入っていない(NO)と判定した場合に、ステップS106に戻って型の位置や形状を補正してもよい。
制御部7は、型8と基板11の位置合わせを行った後に、照射部2から紫外線9を照射させて基板11上に供給されたインプリント材を硬化させる(ステップS111、硬化工程)。制御部7は、インプリント材を硬化させた後、型駆動部16を駆動させ、型と基板の間隔を広げることにより、基板上の硬化したインプリント材から型8を引き離す(ステップS112、離型工程)。
引き続き、制御部7は、同一の基板11上にてインプリント材14のパターンを形成すべき基板側パターン領域があるかどうかを判定する(ステップS113)。ここで、制御部7は、パターンを形成すべき基板側ショット領域がある(YES)と判定した場合には、ステップS102に戻って、次の基板側ショット領域上にインプリント材を供給する。一方、制御部7は、パターンを形成すべき基板側ショット領域がない(NO)と判定した場合には、次のステップS114に移行する。制御部7は、ステップS114において基板搬送機構により、基板チャック19上に保持されている基板11を回収させる。
次に、制御部7は、引き続き、同様のインプリント処理を実施すべき基板があるかどうかを判定する(ステップS115)。ここで、制御部7は、インプリント処理を実施すべき基板がある(YES)と判定した場合には、ステップS101に戻って、次の基板を基板搬送機構によりインプリント装置に搬入する。一方、制御部7は、インプリント処理を実施すべき基板がない(NO)と判定した場合には、次のステップS116に移行する。制御部7は、ステップS116において型搬送機構により、型チャック15に保持されている型8を回収させて、全ステップを終了する。
本発明のインプリント装置1は、加熱機構6を用いて基板側パターン領域を加熱させる場合について説明したが、照射部2を用いてもよい。この場合、照射部2は、照射部2の光源から照射される光のうち、インプリント材が硬化しない波長帯域の光を基板側パターン領域に照射する。そのため、照射部2には任意の波長帯域の光を通過させる光学フィルタが含まれており、硬化工程時にはインプリント材が硬化する波長帯域の光、基板加熱時にはインプリント材が硬化しない波長帯域の光を照射されるように切替えることができる。このように、照射部2は光学フィルタを備えることによって、基板11を照射する光の波長を使い分けることができる。
また、本発明のインプリント装置1では型8に形成されたパターン部8aが一つの場合について説明したが、複数のパターン部8aが型8に形成されていても構わない。複数のパターン部8aが形成された型8を用いて、複数の基板側パターン領域にインプリント材のパターンを形成する場合においても、上述した加熱機構6により複数の基板側パターン領域のそれぞれについて熱変形させることができる。複数のパターン部8aが形成された型を用いてパターンを形成することを、マルチエリアインプリントやマルチフィールドインプリントと呼ぶことがある。
従来のインプリント装置では、型8の材料として石英ガラスを用いて、基板11の材料として石英ガラスよりも線膨張係数の大きいシリコンを用いていた。基板側パターン領域の形状の補正量がそれほど大きくない場合には、シリコンから形成された基板11に熱を与えた上で、型変形機構18を用いて型8に含まれるパターン部8aの形状を変形させることで両者の形状を適切に合わせることが可能である。
しかしながら、基板側パターン領域の形状と型側パターン領域の形状が大きく異なる場合には、両者の形状を十分に合わせることができないことがある。本実施例においては、型8の材料として、基板11の材料の線膨張係数より大きい線膨張係数の材料を採用することで、基板11及び型8に熱を与えたときの両者の形状変化の差を大きくしている。
本発明における型8の材料としては、シリコーン等の樹脂材料や白板ガラスが用いられる。なお、基板11の材料として一般的なシリコンの線膨張係数は、2.4×10−6K−1であり、石英ガラスの線膨張係数は0.5×10−6K−1である。一方、白板ガラスの線膨張係数は、9.4×10−6K−1であり、シリコーンの線膨張係数は、370×10−6K−1であり、これらの材料の線膨張係数は、石英ガラスの線膨張係数よりも大きな数値を有する。
なお、基板11の材料は、加工の容易さ等の観点から一般的にシリコンが用いられており、基板11の材料を任意に選択することは困難である。そこで、本実施例では型8の材料として線膨張係数の大きい材料を選択することで、基板側パターン領域の形状と型側パターン領域の形状が大きく異なる場合であっても、両者の形状を適切に合わせることができるようにしている。
図3は、型変形機構10の構成を示した図である。型8の側面にアクチュエータ31を複数配置し、全てのアクチュエータを使用して、パターン部8aを一定の倍率で縮小させたところを基準状態とする。基準状態から各アクチュエータを押し引きすることで、パターン部8aの形状を任意の形状に補正することが可能となる。
次に、図4を用いて基板側パターン領域と型側パターン領域の形状合わせの例を示す。図4(a)は、形状合わせの過程における基板11上の基板側パターン領域11aの形状変化を示している。図4(b)は、形状合わせの過程における型側パターン領域8aの形状変化を示している。図4(a)に示したように、形状合わせを開始するときの基板側パターン領域11aの形状をA1とする。また、図4(b)に示したように、形状合わせを開始するときの型側パターン領域8aの形状をC1とする。
制御部7は、型変形機構18及び加熱機構6を制御することにより、基板側パターン領域11aと型側パターン領域8aの形状合わせを実行する。まず、図3で説明したように、型変形機構18により型8に対してX軸方向に力を加えて型側パターン領域8aの形状を台形形状に近づける。
ここで、型8に対してX軸方向に力を加えると、型8の材料のポワソン比に応じてY軸方向に型8が変形する。図4の例では、Y軸のマイナス方向からプラス方向に向かってX軸方向に加えられる力が増大しているため、型8のY軸方向における変形量もY軸のマイナス方向からプラス方向に向かって変化している。そのため、型8の形状は完全な台形形状とはならず、Y軸のプラス方向に湾曲した形状C2となる。
続いて、制御部7は、型変形機構18によって変形された型側パターン領域8aの形状C2と基板側パターン領域11aの形状A1を合わせるために、加熱機構6により基板11に熱を加える。ここでは、基板側パターン領域11aの熱分布が、X軸方向には均一であり、Y軸方向にはY軸のプラス方向に向かって熱量が増大するように基板11を加熱する。
基板11上のインプリント材14と型8が接触しているため、基板11に熱が加えられると型8にも熱が伝導し、基板側パターン領域11aと型側パターン領域8aの温度はほぼ同一の温度となる。型側パターン領域8aは温度の上昇とともに等方的に膨張し、形状C2から形状C3へと変形する。また、基板側パターン領域11aも温度の上昇とともに膨張し、形状A1から形状A2へと変形する。
制御部7は、基板11を加熱した後の型側パターン領域8aの形状C3と、基板11を加熱した後の基板側パターン領域11aの形状A2との差分ができる限り小さくなるように基板11に加える熱量を決定する。型側パターン領域8aの形状C3と基板側パターン領域11aの形状A2との差分を小さくすることで、型側パターン領域8aに形成されたパターンを基板11上に正確に転写することができる。
(変形例)
これまでは一体成型された型8を用いてインプリント処理を行うインプリント装置について説明したが、パターン部としてのチップ部202と支持部204を貼り合わせて型201を構成してもよい。型201の構成について図5を用いて説明する。図5(a)は、型201を構成するチップ部202と支持部204が分離されている状態を示している。図5においては、図1と同じように、基板11が配置される面をXY面、それに直交する方向をZ方向として、図5に示したように各軸を決める。
これまでは一体成型された型8を用いてインプリント処理を行うインプリント装置について説明したが、パターン部としてのチップ部202と支持部204を貼り合わせて型201を構成してもよい。型201の構成について図5を用いて説明する。図5(a)は、型201を構成するチップ部202と支持部204が分離されている状態を示している。図5においては、図1と同じように、基板11が配置される面をXY面、それに直交する方向をZ方向として、図5に示したように各軸を決める。
チップ部202には基板11側にパターン部203が形成されている。また、支持部204にはキャビティ205が設けられている。図5の型201はチップ部202と支持部204を貼り合せることによってキャビティ205が形成される。図5(b)はチップ部202と支持部204を貼り合せた後の型201の状態を示している。このキャビティ205は、円形の平面形状を有し、深さは、支持部204の大きさや材質により適宜設定される。また、キャビティ205の円形の平面形状は、パターン部203の領域よりも大きく、チップ部202の外形よりも小さい。
チップ部202の材料として、基板11の材料の線膨張係数より大きい線膨張係数の材料が用いられる。具体的なチップ部202の材料としては、シリコーン等の樹脂材料や白板ガラスが用いられる。支持部204に用いられる材料としては、金属系の材料、ガラス系の材料、樹脂材料等を用いることができる。なお、支持部204の材料としてチップ部202と同一の材料を用いることで、型201に熱が加えられたときにおける支持部204の変形量とチップ部202の変形量との差分を低減させることができる。結果として、型201に熱を加えたときの型201の強度を高めることができる。
基板11の材料の線膨張係数よりも高い線膨張係数を有する材料を用いてチップ部202を構成することで、基板側パターン領域の形状と型側パターン領域の形状が大きく異なる場合であっても、両者の形状を適切に合わせることが可能となる。
また、支持部204の体積がチップ部202の体積よりも大きくなるように型201を構成することが好ましい。チップ部202をできる限り小さくして生産性を上げることで、チップ部202の生産に必要なコストを低減させることができる。
(物品の製造方法)
つぎに、上述の加熱機構を備えたインプリント装置を用いた物品の製造方法について説明する。例えば、物品としての半導体デバイスは、基板に集積回路を作る前工程と、前工程で作られた基板上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、インプリント装置を使用して基板上のインプリント材にパターンを形成する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。本実施形態の半導体デバイスの製造方法によれば、従来よりも高品位の物品としての半導体デバイスを製造することができる。
つぎに、上述の加熱機構を備えたインプリント装置を用いた物品の製造方法について説明する。例えば、物品としての半導体デバイスは、基板に集積回路を作る前工程と、前工程で作られた基板上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、インプリント装置を使用して基板上のインプリント材にパターンを形成する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。本実施形態の半導体デバイスの製造方法によれば、従来よりも高品位の物品としての半導体デバイスを製造することができる。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図6(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
図6(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図6(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1と型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で型4zを透して硬化用のエネルギーとしての光を照射すると、インプリント材3zは硬化する。
図6(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。
図6(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図6(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
1 インプリント装置
6 加熱機構
8 型
8a パターン部
11 基板
6 加熱機構
8 型
8a パターン部
11 基板
Claims (9)
- パターンが形成されたパターン部を含む型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
基板上のインプリント材を前記型に接触させた状態で前記基板のショット領域に熱を加えることにより、前記基板及び前記型の形状を変化させる加熱機構を備え、
前記パターン部の材料の線膨張係数は、前記基板の材料の線膨張係数よりも高いことを特徴とするインプリント装置。 - 前記型は、前記パターン部と該パターン部を支持する支持部から構成されることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記パターン部の材料と、前記支持部の材料は同一であることを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
- 前記支持部の体積は前記パターン部の体積よりも大きいことを特徴とする請求項2または3に記載のインプリント装置。
- 前記パターン部の材料は樹脂材料であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記基板の材料はシリコンであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記型を保持する型保持部と、
前記型保持部によって保持された前記型の形状を変化させる型変形機構をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記型変形機構は、前記型保持部によって保持された前記型の支持部の側面に力を加えることによって前記型の形状を変化させることを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて前記基板にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された基板を加工する工程を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017145612A JP2019029442A (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | インプリント装置および物品の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021114505A (ja) * | 2020-01-16 | 2021-08-05 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
-
2017
- 2017-07-27 JP JP2017145612A patent/JP2019029442A/ja active Pending
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