JP6827785B2 - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents

インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上のインプリント材を型(モールド)で成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成するインプリント技術が注目を集めている。インプリント技術は、基板上にナノメートルオーダーのパターンを形成することができる。例えば、インプリント技術の1つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント方法では、まず、基板上にインプリント材を供給する。次に、基板上のインプリント材と型を接触させる。そして、インプリント材と型を接触させた状態で紫外線を照射し、インプリント材を硬化させた後に、硬化したインプリント材から型を引き離すことにより、基板上にインプリント材のパターンが形成される。
インプリント技術によってパターンが形成される基板は、一連のデバイス製造工程において、例えばスパッタリングなどの成膜工程での加熱処理を経ることで、基板が変形している場合がある。そのため、基板上のパターンが形成される領域であるところのパターン領域の形状(倍率を含む)が変化する場合がある。したがって、インプリント装置では、基板上のインプリント材と型を接触させる際に、基板上に予め形成されているパターン領域(基板側パターン領域)の形状と、型に形成されているパターン領域(型側パターン領域)の形状とを合わせる必要がある。特許文献1には、基板側パターン領域の形状と型側パターン領域の形状とを合わせる技術として、基板を加熱することによって、基板を熱変形させるインプリント装置を開示している。特許文献1のインプリント装置では、基板側パターン領域を加熱する機構として、基板を加熱するための光を照射する光源(照射光源)と、この光源からの光の照度分布を調整する光変調器とを備えている。光変調器には、DMD(デジタルミラーデバイス)などが用いられる。この光変調器を用いて、光源からの光の照度分布を調整して基板側パターン領域を照射し、その吸収熱により基板側パターン領域を変形させる。光源からの光の照度分布を調整することによって、基板側パターン領域の形状を型側パターン領域の形状に合わせることができる。
特開2013−102132号公報
ところで、基板に光を照射し、その吸収熱により基板を熱変形させるには、加熱用の光源は、高出力の半導体レーザなどが必要とされる。その一方で、光変調器であるDMDに高出力のレーザ光が照射されると、DMDのマイクロミラーの面の傾きの誤差やミラー面の反射率低下により、光変調器の機能が低下する恐れがある。光変調器の機能が低下することにより、基板側パターン領域における光の照射位置がずれたり、照度が指令どおりにならなかったりして、基板側パターン領域の形状と型側パターン領域の形状の重ね合わせ精度が低下してしまう。
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、基板上に形成された基板側パターン領域の形状と、型に形成された型側パターン領域の形状との重ね合わせに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
本発明のインプリント装置は、型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板のショット領域に光を照射することによって、前記基板の形状を変える加熱機構を備え、前記加熱機構は、それぞれに前記光を反射するミラーが複数配列された光変調器を複数有し、間隔を有するように配置された前記複数の光変調器からの光によって、前記ショット領域互いに異なる領域を照明することを特徴とする。
本発明によれば、基板に形成された基板側パターン領域の形状と、型に形成された型側パターン領域の形状との重ね合わせに有利なインプリント装置を提供することができる。
第1実施形態のインプリント装置を示した図である。 インプリント方法を示したフローチャートである。 基板上の照度分布、温度分布および変位量の関係を示した図ある。 第1実施形態の加熱機構を示した図である。 チルト量を求める方法を示した図である。 光変調器に含まれるマイクロミラーを傾ける方法を示した図である。 第2実施形態の加熱機構を示した図である。 第3実施形態の加熱機構を示した図である。 第4実施形態の加熱機構を示した図である。 物品の製造方法を説明するための図である。
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態におけるインプリント装置1の構成を示した図である。図1を用いてインプリント装置1の構成について説明する。ここでは、基板11が配置される面をXY面、それに直交する方向をZ方向として、図1に示したように各軸を決める。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。図1のインプリント装置1は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置1について説明する。
インプリント装置1は、インプリント材を硬化させる光を照射する照射部2と、型8を保持する型保持機構3(型保持部)と、基板11を移動させる基板ステージ4(基板保持部)と、基板上にインプリント材を供給する供給部5(ディスペンサ)を備える。インプリント材が予め供給された状態で基板をインプリント装置1に搬入する場合には、インプリント装置1に供給部5を備えていなくてもよい。さらに、インプリント装置1は、基板11を変形させるために基板を加熱する加熱機構6と、インプリント装置1の各部の動作を制御する制御部7と、型8に形成されたマークと基板11に形成されたマークを検出するマーク検出部22を備える。
照射部2は、型8とインプリント材とが接触した状態で、型8の裏面側から型8に対して紫外線9を照射する。照射部2は、紫外線9を照射する光源(不図示)と、光源から照射された紫外線9を適切な光に調整するための光学部材(不図示)を含む。第1実施形態のインプリント装置は、光硬化法を採用しているために紫外線9を照射する照射部2を設置している。一方で、熱硬化法を採用する場合には、インプリント材として熱硬化樹脂を使用し、照射部2に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置する。
型8(モールド)は、外周形状が角形(矩形)であり、基板11上のインプリント材に転写される回路パターンなどが形成されたパターン部8aを含む。また、型8の材質は、石英など紫外線9を透過させることが可能な材料である。さらに、型8の紫外線9が照射される面には、型8のパターン部8aを基板11に対して凸形に変形しやすくための凹部(キャビティ8b)を有する形状としてもよい。また、型保持機構3の内側の開口領域17に、この開口領域17の一部とキャビティ8bとで囲まれる空間12を密閉空間とする光透過部材13を設置し、不図示の圧力調整装置により空間12内の圧力を制御することにより、型8を凸形に変形させる。
インプリント材14には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材14は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上、100mPa・s以下である。
基板11は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
型保持機構3は、真空吸着力や静電力により型8を保持する型チャック15と、型チャック15を保持し、型8(型チャック15)を移動させる型駆動部16とを有する。型チャック15および型駆動部16は、照射部2の光源から照射された紫外線9が基板11に向けて照射されるように、中心部(内側)に開口領域17を有する。さらに、型保持機構3は、型8の側面に外力を与えることにより型8(パターン部8a)を変形させる型変形機構18を有する。この型変形機構18は、型8を変形させることで、基板11上に予め形成されている基板側パターン領域の形状に対してパターン部8a(型側パターン領域)の形状を合わせることができる。
型駆動部16は、型8を基板11上のインプリント材14に接触させたり(押印)、硬化したインプリント材14から型8を引き離したり(離型)するために、型8をZ軸方向に移動させる。この型駆動部16に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータやエアシリンダなどがある。型駆動部16は、型8を高精度に位置決めするために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、型駆動部16は、Z軸方向だけでなくX軸方向やY軸方向、またはθ(Z軸周りの回転)方向の位置調整機能や、型8の傾きを補正するためのチルト機能などを有してもよい。なお、インプリント装置1における押印および離型の各動作は、上述のように型8をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ4をZ軸方向に移動させることで実現してもよい。または、型保持機構3(型8)と基板ステージ4(基板11)のその双方を相対的に移動させたり、順次移動させたりして、押印および離型の各動作を実現してもよい。
基板ステージ4は、基板11を保持する基板保持部である。基板ステージ4は、型8と基板11上のインプリント材14とが接触する際、型8と基板11との位置合わせを実施する。この基板ステージ4は、真空吸着力や静電力により基板11を保持する基板チャック19と、基板チャック19を保持し、基板11(基板チャック19)をXY平面内で移動させるステージ駆動機構20とを有する。また、基板ステージ4は、型8をアライメントする際に利用する基準マーク21を有する。ステージ駆動機構20は、アクチュエータとして、例えばリニアモータを採用し得る。ステージ駆動機構20も、X軸およびY軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、基板11のθ方向の位置調整機能、または基板11の傾きを補正するためのチルト機能などを有してもよい。
供給部5(ディスペンサ)は、基板11上にインプリント材14を供給(塗布)する。供給部5の吐出口(吐出ノズル)から吐出されるインプリント材14の量は、基板11上に形成されるインプリント材14のパターンの厚さや、形成されるインプリント材14のパターンの密度などにより適宜決定される。
インプリント装置1は、充填モニタ27を備えていてもよい。充填モニタ27は、不図示ではあるが、光源、撮像素子および光学系を備え、型8と基板11上のインプリント材14とが接触する際に、パターン部8aにインプリント材14が接触する様子を撮像する。充填モニタ27で型8と基板11上のインプリント材14の接触状態を撮像素子により撮像することで、型8と基板11の間に挟まれた異物を検出することができる。さらに、充填モニタ27によって接触状態を撮像することで、インプリント装置1は、インプリント材14の未充填箇所を特定したり、型8と基板11の相対的な傾きを検出したりすることができる。
制御部7は、インプリント装置1の各構成要素の動作(調整)を制御することができる。制御部7は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部7は、インプリント装置1と一体で(共通の筐体内に)構成してもよいし、インプリント装置1の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成してもよい。
インプリント装置1は、型8や基板11に形成されたマークを検出するマーク検出部22を備える。例えば、マーク検出部22は、基板11に形成されたアライメントマークと、型8に形成されたアライメントマークを検出することで、型8と基板11のX軸およびY軸の各方向への位置ずれや、型側パターン領域と基板側パターン領域の形状差を計測する。マーク検出部22は開口領域17に配置されてもよいし、リレー光学系を介して型8や基板11から離れた場所に配置されてもよい。
インプリント装置1は、基板ステージ4を載置するベース定盤24と、型保持機構3を固定するブリッジ定盤25と、ベース定盤24から延設され、ブリッジ定盤25を支持するための支柱26とを備える。さらに、インプリント装置1は、型8をインプリント装置1の外部から型保持機構3へ搬入したり、インプリント装置1の外部へ搬出したりする型搬送機構(不図示)を備えてもよい。また、インプリント装置1は、基板11をインプリント装置1の外部から基板ステージ4へ搬入したり、インプリント装置1の外部へ搬出したりする基板搬送機構(不図示)を備えてもよい。
加熱機構6は、基板ステージ4に保持された基板11に形成されている基板側パターン領域の形状を変える(補正する)ために、基板11を加熱する。加熱機構6は、例えば、図1に示すように、型8を透過して基板11に向けて光を照射することで基板11を加熱する加熱用光源を採用し得る。また、加熱機構6は、加熱用光源に加えて、加熱用光源から照射された光が基板側パターン領域を加熱するために適切な光に調整するための光変調器および光学系を含む。なお、加熱用光源からの光の光路には、照射部2から射出される紫外線9を反射し、加熱用光源からの光を透過させる光学素子28(例えばダイクロイックミラー)が配置されている。さらに加熱光の光路には、充填モニタ27の光源から射出される光を反射し、加熱用光源からの光を透過させる光学素子29が配置されている。
光変調器(照度分布形成手段)は、具体的には、DMD(Digital Micro−mirror Device)やLCD(Liquid Crystal Display)などが用いられる。第1実施形態では、光変調器としてDMDを用いた場合について説明する。DMDは、個別に制御が可能な十数μm角のマイクロミラーが数十万個(例えば、1024×768個)配列され、照射された光を反射する反射型の光変調器である。各マイクロミラーは、デジタル信号によって機械的に制御され、例えば、ミラー配列面66に対して+12度(ON状態)、あるいは−12度(OFF状態)の角度で傾く。加熱機構6は、DMDを制御するための照射量制御装置を備える。照射量制御装置によってDMDを制御することによって、所望の補正量を得るために、基板側パターン領域に対して加熱用光源からの光の照度分布を形成することができる。
基板11(基板側パターン領域)を加熱機構6からの光の吸収熱により熱変形させるには、高出力の光源が必要とされ、例えば半導体レーザである。また、基板11は、吸着力によって基板チャック19に保持されている必要がある。この吸着力が増加すると、基板面に対して垂直方向に働く力が増加し、水平方向に働く基板11と基板チャック19の間の摩擦力も増加する。これにより、基板側パターン領域を所望の形状に変形させるためには、より大きな熱吸収量が必要となる。
一方で、DMDに高出力のレーザ光が照射されると、マイクロミラーが劣化しやすくなり、ミラー面の傾きのエラーやミラー面の反射率が低下する。マイクロミラーが劣化することにより、基板側パターン領域における照射位置がずれたり、所望の照度分布が得られなかったりして、基板側パターン領域の形状と型側パターン領域の形状の重ね合わせ精度が低下してしまう。
そこで、第1実施形態の加熱機構6は、複数の光変調器(DMD)を用いて、基板側パターン領域に対して所望の照度分布を形成する。第1実施形態の加熱機構6について、図4、図5を用いて説明する。図4に示した加熱機構6は、照射量制御装置61、複数の加熱用光源62(62A、62B)、複数のDMD63(63A、63B)、投影光学系64、照射光学系65(65A、65B)を備える。
加熱用光源62は、基板側パターン領域を変形させるために高出力の半導体レーザなどが用いられ、光ファイバで集光される。加熱用光源62から照射される光は、基板11に吸収され、かつ、基板11上のインプリント材が硬化しない波長帯域に波長が存在する光(例えば可視光や近赤外光など)である。
照射光学系65は、加熱用光源62から射出された光を集光させる集光光学系(不図示)、集光光学系からの光の強度を均一化してDMD63を照明するための均一照明光学系(不図示)が含まれる。均一照明光学系は、例えばマイクロレンズアレイ(MLA)などの光学素子を含み得る。
照射光学系65によって強度が均一化された光は、DMD63を照明する。光変調器としてのDMD63に含まれる各マイクロミラーは、図6(A)に示すようにミラー配列面66に対して12度(ON状態)、あるいは12度(OFF状態)の角度で傾く。ここで、ミラー配列面66を基準として、DMD63への入射角をα、DMD63からの射出角をβ、マイクロミラーの傾きをγとすると、射出角βはβ=2γ−αで表される。ここでは、配列面に対して時計回りを負、反時計回りを正とする。通常、ON状態のマイクロミラーで反射された光は、ミラー配列面66に対して垂直な方向(β=0度)に射出されるため、DMD63を照明する光の入射角αは、24度に設定される。DMD63に光が照射されると、反射光は、ON状態かOFF状態かによって反射する方向が異なり、DMD63より下流に配置した投影光学系64のNA内に入射するか否かで、照度分布を形成することができる。DMD63のON状態のマイクロミラーで反射された光は、投影光学系64により基板11に結像される。ここでは、DMD63と基板11は光学的に共役関係である。照射量制御装置61は、所望の照度分布が基板側パターン領域に形成されるようにDMD63を制御する。
ここで、例えば図3(A)に示すようにY方向に台形成分の形状差を含んだ基板側パターン領域31の形状を補正する場合について説明する。この場合、基板11を加熱するための光は、図3(A)に示すように、Y方向に照度分布32を形成し、X方向は照射量を一様とする。このような照度分布32を持った光を照射量制御装置61により生成し、基板11上に照射する。
このように、加熱用光源62から光を照射した場合、基板側パターン領域31に図3(A)に示す温度分布33が形成される。形成された温度分布33により、基板側パターン領域31は、図3(A)に示す変位量34のように熱変形する。その結果、基板側パターン領域31の形状は、図3(B)に示すように基板側パターン領域31を補正することが出来る。このように加熱機構6は、基板側パターン領域31を変形(補正)することにより、型8にパターンが形成された型側パターン領域30の形状に合わせることができる。このような熱変形の補正に加えて型8に力を加えて型側パターン領域を変形させてもよい。
なお、第1実施形態において基板側パターン領域は、台形成分の形状差を含んでいるものとして説明したが、これに限らず、他の成分の形状差を含んでいてもよく、また、複数の基板側パターン領域ごとに異なる成分の形状差が含まれていてもよい。例えば、倍率成分の形状差が含まれる基板側パターン領域を、加熱機構6により熱変形で補正する場合は、基板側パターン領域31に、均一な温度分布が形成されるようにDMDを照射量制御装置で制御すれば良い。
図4に示すように、第1実施形態は、加熱用光源62、DMD63、照射光学系65をそれぞれ2つずつ備えている。ここでは、加熱用光源62A、照射光学系65A、および、DMD63Aを含む加熱ユニットAと、加熱用光源62B、照射光学系65B、および、DMD63Bを含む加熱ユニットBによって基板側パターン領域を加熱する。加熱ユニットAおよび加熱ユニットBから射出された光は共通の投影光学系64を介して基板側パターン領域を加熱する。第1実施形態では複数の加熱用光源62があるものとして説明したが、これに限られず、単一の加熱用光源62から射出された光をビームスプリッタ(光学素子)で分離するようにしても良い。
次に、加熱ユニットAおよび加熱ユニットBを用いて、基板側パターン領域を分割して照明する方法について説明する。図4に示すように、加熱ユニットAおよび加熱ユニットBは、投影光学系64の光軸L64に対して回転対称に配置され、DMD63は投影光学系64の光軸L64に対してシフトして配置される。DMD63Aで反射(変調)した光とDMD63Bで反射(変調)した光は、共通の投影光学系64を介して基板側パターン領域を照明する。例えば、基板側パターン領域の大きさが26×33mmである場合、それぞれのDMD63は、基板11のパターン上で照明光が26×16.5mmになるように照射量制御装置61により制御される。投影光学系64の結像倍率が−3倍と仮定すると、DMD63上では8.67×5.5mmの領域は稼働領域となり、それ以外の領域は非稼働領域となる。
ここで、DMD63AとDMD63Bを隣接して配置しようとしても、それぞれのDMD63のマイクロミラーを保護しているパッケージなどによりマイクロミラーを隣接して配置することはできない。すなわち、DMD63AとDMD63Bにより所望の形状(例えば26×16.5mm)に制御された照明光同士に間隔が空いてしまうことになり、基板側パターン領域を十分に補正することができない。このため、第1実施形態では、DMD63AとDMD63Bで反射したそれぞれの光の光軸L63Aと光軸L63Bは、投影光学系64の光軸L64に対して、シフトしてチルトするように設定される。
例えば、DMD63のパッケージにより隔てられ、投影光学系64の光軸L64に直交する同一面内にDMD63AとDMD63Bを配置し、稼働領域の間隔が30mm、投影光学系64の結像倍率が−3倍であるとする。基板11上では加熱用光源からの照明光の間隔は10mmとなる。このように求めたシフト量からDMD63で反射した光の光軸L63Aと光軸L63Bのチルト量を求める方法について説明する。
まず、図5を用いて、基板11上の加熱用光源からの照明光の間隔(シフト量)に基づいて光軸のチルト量を求める方法について説明する。主点を通り、焦点距離fの光学系64’の中心を通る軸L64’に対して、θ’の角度で入射する軸外光線L63’を使い、像面上での像高yはy=f*tanθ’で表される。ここでyは、軸外光線L63’を光軸とした場合の像面上でのシフト量と考えることができる。つまり、基板側パターン領域において照明領域をyだけシフトさせたい場合、DMD63で反射した光の光軸の投影光学系の光軸に対する角度βをβ=tan−1(y/f)だけ傾けるようにすればよい。
次に、図6(B)、図6(C)を用いて、DMD63で反射した光の光軸L63を照明光学系の光軸に対して傾ける方法について説明する。図6(B)と図6(C)は、ON状態のマイクロミラーを示している。図6(B)に示すように、DMD63AおよびDMD63Bのミラー配列面66を、投影光学系64の光軸L64に直交する平面に対して、所定の角度傾けることで、DMD63で反射した光の光軸を傾けることができる。例えばミラー配列面66を角度Δγだけ傾ける場合、ΔγはΔγ=(β+α)/2−γと表される。すなわち、上記で求めたDMD63で反射した光の光軸の角度(射出角)βからミラー配列面66を傾ける角度Δγを求めることができる。
また、図6(C)を用いてDMD63で反射した光の光軸L63を投影光学系64の光軸L64に対して傾ける他の方法について説明する。図6(C)に示すように、ミラー配列面66は投影光学系64の光軸L64に直交したままで、照射光学系65から照射される光の光軸L65を傾けることによっても、DMD63で反射した光の光軸を投影光学系64の光軸L64に対して傾けることができる。例えば、照射光学系65からの光の入射角α(照射光学系65からの光の光軸L65の投影光学系64の光軸L64に対する角度)を角度Δα傾ける場合、角度ΔαはΔα=α+β−2γと表される。
以上のように、DMD63で反射した光の光軸L63を投影光学系64の光軸L64に対して偏心させ、加熱機構6の光学系を偏心光学系とすることで、DMD63AとDMD63Bで反射した光を用いて基板側パターン領域を分割して照明することができる。このように、複数の光変調器からの光は、基板側パターン領域において互いに異なる領域を照明することができる。
続いて、加熱機構6が基板側パターン領域を照明する照明光の調整方法について説明する。基板側パターン領域を照明する照明光は、基板側パターン領域の大きさに対応したDMD63AとDMD63Bのそれぞれの稼働領域のマイクロミラーを制御することで調整される。加熱機構6が基板側パターン領域を分割して照明している時に、基板側パターン領域での反射光を充填モニタ27の撮像素子で観察する。撮像素子による観察結果に基づいて、DMD63の位置や傾き、稼働領域の範囲を調整する。このようにDMD63の位置や傾きなど調整することによって、DMD63で反射した光の光軸L63の投影光学系64の光軸L64に対するシフトや傾きが調整される。DMD63には、位置や傾きを変える為にチルトステージやシフトステージ(不図示)が設けられている。シフトステージを用いてDMD63の位置を変える代わりに、DMD63の稼働領域をシフトさせることにより照明光をシフト(光軸L63をシフト)させてもよい。この場合、稼働領域よりも、DMD63のマイクロミラーが形成された領域の方が広い。
第1実施形態の加熱機構6は、加熱用光源62、DMD63、照射光学系65はそれぞれ2つずつ備えているものとして記述したが、これに限らず加熱ユニットが3つ以上であってもよい。
(インプリント処理について)
次に、インプリント装置1によるインプリント処理について図2を用いて説明する。図2は、インプリント装置1にて、複数の基板11に対して型8を用い、基板11上の複数の基板側パターン領域(ショット領域)にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理の動作シーケンスを示すフローチャートである。インプリント処理の動作は、制御部7によって実行される。
制御部7は、動作シーケンスを開始すると、型搬送機構により、型8を型チャック15に搭載させる(ステップS100)、基板搬送機構により、基板11を基板チャック19に搭載させる(ステップS101)。インプリント装置に搬入する型8と基板11の順番は特に限定されず、型8と基板11の搬送は順次行ってもよいし、同時に行ってもよい。
制御部7は、基板ステージ4により基板11の基板側パターン領域を供給部5の供給位置まで移動させた後に、供給工程として供給部5によりインプリント材14を基板11上に供給(塗布)させる(ステップS102)。その後、制御部7は、基板ステージ4により基板11を所定の位置まで移動させ、インプリント材14が供給された基板11を、型8の下の位置(押印位置)まで移動させて、型8に対して基板11の位置決めを行う(ステップS103)。
制御部7は、押印工程として型駆動部16を動作させ、型8と基板側パターン領域に供給されたインプリント材14とを接触させる(ステップS104)。型8とインプリント材14の接触(充填)の様子は、充填モニタ27により観察することができる。その後ステップS105では、型8とインプリント材14が接触している状態で、マーク検出部22が、型8に形成されたアライメントマークと基板11に形成されたアライメントマークからの光を検出する。マーク検出部22により検出されたアライメントマークの検出結果を基に、型8と基板11のX軸方向、Y軸方向、θ方向の位置ずれを計測する。更に、計測されたアライメントマークの位置ずれ量を基に、型側パターン領域の形状と基板側パターン領域の形状の差を計測することができる。さらに、この形状の差が低減するように、型8の型側パターン領域の形状の補正量と基板11の基板側パターン領域の形状の補正量をそれぞれ求める。
制御部7は、型補正工程として、ステップS105で求めた型8の型側パターン領域の形状の補正量に基づいて、型変形機構18により、型8を変形させる(ステップS106)。これにより、制御部7は、型8の型側パターン領域の形状を所望の形状に補正させることができる。さらに制御部7は、基板補正工程として、ステップS105で求めた基板11の基板側パターン領域の形状の補正量に基づいて、加熱機構6により基板11を加熱し、基板側パターン領域に温度分布を与えて、基板11を変形させる(ステップS107)。これにより、制御部7は、基板11の基板側パターン領域の形状を所望の形状に熱的に補正させることができる。
ここで、ステップS107における温度分布の形成方法について説明する。基板11を加熱するための加熱機構6には、インプリント材が硬化しない波長の光(例えば近赤外光など)を照射する加熱用光源が使用される。加熱用光源から照射された光は、DMDや型8を経て、基板11の基板側パターン領域を照射する。加熱用光源から照射された光を、DMDに構成された多数のミラーにより照射量を制御することで、基板11上の照射面内において照度分布を形成することができる。この照度分布により、基板11上に任意の温度分布を形成することが可能である。基板側パターン領域の形状の補正量は、ステップS105のアライメントマークの検出結果から求めることができる。制御部7は、アライメントマークの検出結果から求めた補正量に基づき、基板側パターン領域の形状を補正するために必要な温度分布、照度分布を求める。そして、照射量制御装置は、得られた温度分布や照度分布が基板上に形成されるように加熱機構6を制御する。基板11の基板側パターン領域は、半導体の製造プロセスの過程によって変形している。基板側パターン領域の変形は、倍率成分、平行四辺形成分、台形成分の変形に大きく分類され、これらの成分が組み合わさっていることが多い。それぞれの変形成分を補正するために、基板側パターン領域の内側に限らず、領域の外側に温度分布を形成してもよい。
次に、制御部7は、ステップS105で求めた基板側パターン領域と型側パターン領域の位置ずれを補正するために、ステージ駆動機構20を駆動させる。これにより、ステップS108では型8と基板11の相対的な位置合わせを行うことができる(ステップS108)。
ステップS108において、型8と基板11の位置合わせを行った状態で、マーク検出部22は、基板11上に形成されたアライメントマークと型8に形成されたアライメントマークを検出する(S109)。制御部7は、検出されたアライメントマークの結果に基づきX、Y、θ方向の型側パターン領域と基板側パターン領域の位置ずれや形状差を求めることができる。そして、計測された位置ずれや形状差に基づいて、型側パターン領域の形状と基板側パターン領域の形状が合うように、基板側パターン領域や型側パターン領域の形状の補正量をそれぞれ求めてもよい。
そして、求めた型側パターン領域と基板側パターン領域の位置ずれや形状差(補正残差)が許容値に入っているかを判定する(ステップ110)。ステップS110において制御部7は、求めた値が許容値に入っていない(NO)と判定した場合には、ステップS107に戻って基板の位置や形状を補正することができる。一方で、ステップS110において制御部7は、求めた値が許容値に入っている(YES)と判定した場合には、次のステップS111に移行する。さらに、制御部7はステップS110における判定を型と基板の相対的な位置ずれ量で行ってもよい。また、ステップS110で許容値に入っていない(NO)と判定した場合に、ステップS106に戻って型の位置や形状を補正してもよい。
制御部7は、型8と基板11の位置合わせを行った後に、照射部2から紫外線9を照射させて基板11上に供給されたインプリント材を硬化させる(ステップS111、硬化工程)。制御部7は、インプリント材を硬化させた後、型駆動部16を駆動させ、型と基板の間隔を広げることにより、基板上の硬化したインプリント材から型8を引き離す(ステップS112、離型工程)。
引き続き、制御部7は、同一の基板11上にてインプリント材14のパターンを形成すべき基板側パターン領域があるかどうかを判定する(ステップS113)。ここで、制御部7は、パターンを形成すべき基板側ショット領域がある(YES)と判定した場合には、ステップS102に戻って、次の基板側ショット領域上にインプリント材を供給する。一方、制御部7は、パターンを形成すべき基板側ショット領域がない(NO)と判定した場合には、次のステップS114に移行する。制御部7は、ステップS114において基板搬送機構により、基板チャック19上に保持されている基板11を回収させる。
次に、制御部7は、引き続き、同様のインプリント処理を実施すべき基板があるかどうかを判定する(ステップS115)。ここで、制御部7は、インプリント処理を実施すべき基板がある(YES)と判定した場合には、ステップS101に戻って、次の基板を基板搬送機構によりインプリント装置に搬入する。一方、制御部7は、インプリント処理を実施すべき基板がない(NO)と判定した場合には、次のステップS116に移行する。制御部7は、ステップS116において型搬送機構により、型チャック15に保持されている型8を回収させて、全ステップを終了する。
第1実施形態のインプリント装置1は、加熱機構6を用いて基板側パターン領域を加熱させる場合について説明したが、照射部2を用いてもよい。この場合、照射部2は、照射部2の光源から照射される光のうち、インプリント材が硬化しない波長帯域の光を基板側パターン領域に照射する。そのため、照射部2には任意の波長帯域の光を通過させる光学フィルタが含まれており、硬化工程時にはインプリント材が硬化する波長帯域の光、基板加熱時にはインプリント材が硬化しない波長帯域の光を照射されるように切替えることができる。このように、照射部2は光学フィルタを備えることによって、基板11を照射する光の波長を使い分けることができる。
また、第1実施形態のインプリント装置1では型8に形成されたパターン部8aが一つの場合について説明したが、複数のパターン部8aが型8に形成されていても構わない。複数のパターン部8aが形成された型8を用いて、複数の基板側パターン領域にインプリント材のパターンを形成する場合においても、上述した加熱機構6により複数の基板側パターン領域のそれぞれについて熱変形させることができる。複数のパターン部8aが形成された型を用いてパターンを形成することを、マルチエリアインプリントやマルチフィールドインプリントと呼ぶことがある。加熱機構6は、単一のDMDで複数の基板側パターン領域を照射すると、一つの基板側パターン領域に照射される光の照度が低下し、熱変形量が限られてしまう。そのため、第1実施形態で説明した加熱機構6のように分割して基板側パターン領域を照射することによりに、加熱用光源62を高出力化しなくても、基板側パターン領域に照射される光の照度を上げることができる。
第1実施形態のように、加熱機構6が搭載されたインプリント装置1は、複数のDMDを用いて、基板側パターン領域を分割して、任意の基板側パターン領域を照明することができる。
(第2実施形態)
次に第2実施形態の加熱機構6について、図7を用いて説明する。図7は、第2実施形態の加熱機構6の構成を示す図である。第2実施形態の加熱機構6が用いられるインプリント装置は基本的に第1実施形態のインプリント装置1やインプリント処理の動作と同じであるため、異なる構成について説明する。
第1実施形態では、投影光学系64の光軸L64に対して、DMD63(63A、63B)のそれぞれで反射した光の光軸L63Aおよび光軸L63Bがシフトして照明している。また、第1実施形態の加熱機構6は、投影光学系64の光軸L64に対して光軸L63Aと光軸L63Bがチルトするように照明することによって、2つの加熱ユニットA、Bからの光を隣接して基板側パターン領域を照明している。
第2実施形態の加熱機構6は、加熱用光源62Aおよび加熱用光源62Bから射出される光の波長と偏光方向の少なくとも一方を異ならせる場合に、DMD63Aで反射した光の光軸L63Aがシフトするように設定する。また、第2実施形態の加熱機構6は加熱ユニットAおよび加熱ユニットBからの光をビームスプリッタ67で使用して合成することを特徴とする。これにより、加熱機構6は加熱ユニットAおよび加熱ユニットBからの射出光を基板側パターン領域において隣接して照明することができる。
まず、投影光学系64の光軸L64に対してDMD63で反射した光の光軸L63Aと光軸L63Bがシフトし、2つの加熱用光源62Aおよび加熱用光源62Bから射出される光の波長が異なる場合について説明する。図7に示した加熱機構6は、第1実施形態の加熱機構と同様に、照射量制御装置61、加熱用光源62、DMD63、投影光学系64、照射光学系65を備えている。第2実施形態の加熱機構は、これに加えて、ビームスプリッタ67、ミラー68を備える。
加熱用光源62Aから射出された光は、照射光学系65Aへ入射する。照射光学系65Aから射出された光は、ミラー68Aにより反射され、DMD63Aを均一に照明する。ミラー68(68A、68B)は誘電体多層膜ミラーなどが使用され、加熱用光源62Aから射出される光の波長および照射光学系65からの光の入射角に対して高い反射率を有している。ミラー68Aで反射して均一に照明されたDMD63Aは、投影系光軸L64に対して所定量シフトして配置される。例えば、基板11上のパターン領域(例えば26×33mm)の半分(26×16.5mm)を加熱ユニットAにより照明し、投影光学系64の結像倍率が−3倍であると仮定する。この場合、DMD63Aの射出光軸L63Aは図7に示す−X方向に5.5mmシフトされる。DMD63AのON状態のマイクロミラーで反射された光は、ビームスプリッタ67へ入射する。ビームスプリッタ67は、波長の異なる2つ光の一方を透過し、もう一方を反射する機能を有する。本実施形態における図7においては、DMD63Aから射出された光は、ビームスプリッタ67を透過し、DMD63Bから射出された光は反射する。ビームスプリッタ67で透過、反射された光は、単一の投影光学系64へ入射し、基板11上のパターン領域を隣接して分割照明する。
(第3実施形態)
上述の実施形態の加熱機構6においては、光変調器としてDMD63を用いた場合について説明した。第3実施形態の加熱機構6は、光変調器(照度分布形成手段)として液晶素子69を用いる。図8は光変調器が透過型の液晶素子69である場合の加熱機構6の構成図を示している。加熱用光源62Aから射出された光は、照射光学系65Aへ入射する。照射光学系65Aから射出された光は、液晶素子69Aを均一照明する。液晶素子69Aは、照射量制御装置61により、所望の照度分布を基板11上のパターン領域に形成するために透過率が制御される。液晶素子69Aを透過した光は、ビームスプリッタ67を透過し、基板11上のパターン領域を隣接して分割照明する。
同様に、加熱用光源62Bから射出された光は、照射光学系65Bへ入射する。照射光学系65Bから射出された光は、液晶素子69Bを均一照明する。液晶素子69Bは、照射量制御装置61により、所望の照度分布を基板11上のパターン領域に形成するために透過率が制御される。液晶素子69Bを透過した光は、ビームスプリッタ67で反射し、基板11上のパターン領域を隣接して分割照明する。
なお、第3実施形態では、液晶素子69を透過した光の光軸L63(L63A、L63B)が投影光学系64の光軸に対してシフトし、2つの加熱用光源62A、62Bから射出される光の波長を異ならせる場合についてについて説明した。これに限らず、投影光学系64の光軸に対してチルトする場合には、第1実施形態に記載の方法により液晶素子69を透過した光の光軸L63をチルトさせることで、パターン領域上での照明光の位置を調整し、隣接して分割照明することができる。
また、2つの加熱用光源62A、Bから射出される光の偏光を異ならせる場合(例えば、加熱用光源62AからはS偏光、加熱用光源62BからはP偏光の光が発せられる場合)には、ビームスプリッタ67は偏光ビームスプリッタが使用される。第3実施形態の図8においては、ビームスプリッタ67は、S偏光の光を透過し、P偏光の光を反射するように設定される。なお、ビームスプリッタ67における透過率、反射率を向上させるため光路中に偏光板を配置してもよい。
以上のように、加熱機構6が搭載されたインプリント装置において、複数の光変調器を用い、基板11のパターン領域を分割照明することにより、加熱用光源の高出力化に有利なインプリント装置1を提供することができる。
(第4実施形態)
次に第4実施形態の加熱機構6について、図9を用いて説明する。図9は、第4実施形態の加熱機構6の構成を示す図である。第4実施形態の加熱機構6が用いられるインプリント装置は基本的に第1実施形態や第2実施形態のインプリント装置1やインプリント処理の動作と同じであるため、ここでは異なる構成について説明する。
第2実施形態では、2つの加熱ユニットの加熱用光源62A、62Bから射出される光の波長と偏光の少なくとも一方を異ならせる場合に、ビームスプリッタ67を使用して照明光を合成することを特徴とした。第4実施形態においては、2つの加熱ユニットの加熱用光源62A、62Bから射出される光の波長および偏光に因らず、ナイフエッジミラーを使用してパターン領域を隣接して分割照明することを特徴とする。これにより、加熱機構6は加熱ユニットAおよび加熱ユニットBからの射出光を基板側パターン領域において隣接して照明することができる。
図9に示す加熱機構6は、照射量制御装置61、加熱用光源62、DMD63、投影光学系64、照射光学系65、ミラー68に加え、結像光学系70、ナイフエッジミラー71を備える。
DMD63A、63Bは、それぞれマイクロミラーが二次元に配列されており、回折格子としての機能を有する。このため、DMD63から射出された光は回折し、広がりを持つ。ナイフエッジミラー71により、DMD63Aからの光を遮光せず、かつ、DMD63Bからの光を効率よく反射させるためには、ナイフエッジミラー71近傍で結像することが望ましい。このため、結像光学系70はDMD63とナイフエッジミラー71とを光学的に略共役関係にする機能を有する。これによりDMD63Aで変調された光は、結像光学系70Aによりナイフエッジミラー71の近傍で結像し、遮光されることなく投影光学系64へ入射する。一方、DMD63Bで変調された光は、結像光学系70Bによりナイフエッジミラー71近傍で結像し、反射され、投影光学系64へ入射する。これにより、加熱ユニットは基板11上のパターン領域を隣接して分割照明することができる。
以上のように加熱機構が搭載されたインプリント装置において、複数の光変調器を用いて、基板11上のパターン領域を隣接して分割照明することにより、加熱用光源の高出力化に有利なインプリント装置1を提供することができる。
上記、何れの実施形態の加熱機構6における加熱用光源62は、複数の加熱用光源62A及び62Bを備える場合について説明したが、加熱用光源62は一つでも良い。その場合、1つの加熱用光源62から射出された光は、複数の光変調器に照射されるように光学素子によって分岐(分離)される。加熱用光源62から射出された光を分岐させる光学素子としては、ビームスプリッタなどが用いられる。
また、上記何れの実施形態の加熱機構6における複数の光変調器(DMD63A、63B)は、基板11上のパターン領域を隣接して分割照明している。しかし、複数の光変調器のそれぞれが、基板11上のパターン領域を分割せずに照明し、複数の光変調器からの光を重ね合わせて照明してもよい。一つの光変調器のみを用いて照明する場合と比較して、複数の光変調器を用いる場合は、一つの光変調器に照射される光の照射量が減るので、光変調器の劣化を低減することができる。
さらに、上記何れの実施形態もインプリント装置1に備えられた加熱機構6について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、光変調器を用いて露光装置の有効光源分布を形成する光パターン形成装置にも有効である。ここで、露光装置とはレチクル(原版)に形成されたパターンを照明し、レチクルからの光が投影光学系を介して基板を露光する装置のことである。露光装置はレチクルを照明する際に光源からの光に分布を持たせて照明する方法が知られている。光源からの光を光パターン形成装置に含まれる光変調器(DMD)によって有効光源分布が形成される。そのため、上記の実施形態に記載した加熱機構6と同様に、光パターン形成装置においても、複数の光変調器を用いて有効光源分布を形成することができる。これにより、光パターン形成装置に含まれる光変調器の機能が低下を抑えることができる。
(物品の製造方法)
つぎに、上述の加熱機構を備えたインプリント装置を用いて物品の製造方法について説明する。例えば、物品として半導体デバイスは、基板に集積回路を作る前工程と、前工程で作られた基板上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、インプリント装置を使用して基板上のインプリント材にパターンを形成する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。本実施形態の半導体デバイスの製造方法によれば、従来よりも高品位の物品としての半導体デバイスを製造することができる。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図10(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
図10(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図10(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1と型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。
図10(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の部が硬化物の部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。
図10(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図10(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
1 インプリント装置
6 加熱機構
7 制御部
18 型変形機構
62 加熱用光源
63 DMD(光変調器)
64 投影光学系
65 照射光学系

Claims (19)

  1. 型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板のショット領域に光を照射することによって、前記基板の形状を変える加熱機構を備え、
    前記加熱機構は、それぞれに前記光を反射するミラーが複数配列された光変調器を複数有し、間隔を有するように配置された前記複数の光変調器からの光によって、前記ショット領域の互いに異なる領域を照明することを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記加熱機構からの光を前記基板に導く投影光学系を備え、
    前記複数の光変調器からの光のそれぞれは、前記投影光学系を介して前記基板のショット領域を照射することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記加熱機構は、前記投影光学系の光軸に対して、前記光変調器からの光が前記投影光学系に入射する光軸を偏心させて入射させることを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
  4. 前記加熱機構は、前記投影光学系の光軸に対して、前記光変調器からの光が前記投影光学系に入射する光軸を、傾けることを特徴とする請求項2または3に記載のインプリント装置。
  5. 前記加熱機構は前記基板のショット領域を複数の領域に分割して光を照射することを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載のインプリント装置。
  6. 前記光変調器に配列された複数のミラーはそれぞれが稼働し、
    前記光変調器からの光が前記投影光学系に入射する光軸は、前記光変調器に含まれる複数のミラーの稼働領域を変えることにより、前記投影光学系の光軸から偏心させることを特徴とする請求項4記載のインプリント装置。
  7. 前記複数の光変調器からの光を合成する合成手段を備え、
    該合成手段によって合成された前記複数の光変調器からの光が前記基板のショット領域を照明すること特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載のインプリント装置。
  8. 前記加熱機構は、前記複数の光変調器に異なる波長の光を照射する光源を含み、
    前記合成手段は、前記複数の光変調器からの波長が異なる光を合成するビームスプリッ
    タであることを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。
  9. 前記加熱機構は、前記複数の光変調器に異なる偏光方向の光を照射する光源を含み、
    前記合成手段は、前記複数の光変調器からの偏光方向が異なる光を合成するビームスプリッタであることを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。
  10. 前記投影光学系は、前記複数の光変調器のそれぞれと前記基板とは光学的に共役関係であることを特徴とする請求項1乃至9の何れか一項に記載のインプリント装置。
  11. 前記加熱機構は、
    前記複数の光変調器を照射する加熱用光源と、
    前記加熱用光源からの光を、前記複数の光変調器に照射されるように分岐させる光学素子と、
    前記分岐された光を前記複数の光変調器に照射する照射光学系と、を備えることを特徴とする請求項1乃至10の何れか一項に記載のインプリント装置。
  12. 前記加熱機構は、前記基板のショット領域を照射する複数の加熱用光源と、
    該複数の加熱用光源からの光のそれぞれを前記複数の光変調器に照射する複数の照射光学系と、を備えることを特徴とする請求項1乃至10の何れか一項に記載のインプリント装置。
  13. 型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板のショット領域に光を照射することによって、前記基板の形状を変える加熱機構を備え、
    前記加熱機構は、それぞれに前記光を反射するミラーが複数配列された光変調器を複数有し、間隔を有するように配置された前記複数の光変調器からの光によって、前記ショット領域を照明することを特徴とするインプリント装置。
  14. 前記加熱機構は、前記ショット領域を前記複数の光変調器からの光を重ね合わせて照明することを特徴とする請求項13に記載のインプリント装置。
  15. 型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板のショット領域に光を照射することによって、前記基板の形状を変える加熱機構を備え、
    前記加熱機構は、それぞれに前記光を反射するミラーが複数配列された光変調器を複数有し、互いに異なる照射光学系によって光が照射される複数の光変調器からの光によって、前記ショット領域を照明することを特徴とするインプリント装置。
  16. 型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記基板のショット領域を複数の領域に分割して光を照射することによって、前記基板の形状を変える加熱工程を有し、
    前記加熱工程は、それぞれに前記光を反射するミラーが複数配列された光変調器を複数有し、間隔を有するように配置された前記複数の光変調器からの光によって、前記複数の基板のショット領域を分割して照射することを特徴とするインプリント方法。
  17. 型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記基板のショット領域に光を照射することによって、前記基板の形状を変える加熱工程を有し、
    前記加熱工程は、それぞれに前記光を反射するミラーが複数配列された光変調器を複数有し、間隔を有するように配置された前記複数の光変調器からの光によって、前記ショット領域を照射することを特徴とするインプリント方法。
  18. 型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記基板のショット領域に光を照射することによって、前記基板の形状を変える加熱工程を有し、
    前記加熱工程は、それぞれに前記光を反射するミラーが複数配列された光変調器を複数有し、互いに異なる照射光学系によって光が照射される複数の光変調器からの光によって、前記ショット領域を照明することを特徴とするインプリント方法。
  19. 請求項1乃至15の何れか一項に記載のインプリント装置を用いて、前記基板にインプリント材のパターンを形成する工程と、
    前記パターンを形成する工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
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