TWI411522B - 基材對準技術 - Google Patents

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TWI411522B
TWI411522B TW098137220A TW98137220A TWI411522B TW I411522 B TWI411522 B TW I411522B TW 098137220 A TW098137220 A TW 098137220A TW 98137220 A TW98137220 A TW 98137220A TW I411522 B TWI411522 B TW I411522B
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Byung-Jin Choi
Pawan Kumar Nimmakayala
Mahadevan Ganapathisubramanian
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Molecular Imprints Inc
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    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

基材對準技術 交互參照相關申請案
本申請案依據美國專利法(35 U.S.C.)第119(e)條第(1)項主張享有2008年10月10日提出申請的美國臨時申請案第61/104,300號案之利益，該申請案在此併入本案以為參考資料。
本發明係有關於基材對準技術。
 發明背景
奈米製造包括製造具有100奈米或更小等級之形貌體的極小結構。奈米製造已具有相當大影響的一個應用是在積體電路的加工中。半導體加工業在增加一基材上的每單位面積形成電路的同時，持續力求更高的製造產量，因此，奈米製造變得日益重要。奈米製造在允許持續減小所形成結構的最小形貌體尺寸的同時，提供更好的製程控制。其中已應用奈米製造的其他發展領域包括生物技術、光學技術、機械系統等等。
目前使用中的一種示範性的奈米製造技術通常被稱為壓印微影術。示範性的壓印微影術製程於許多公開案中被詳細描述，諸如美國專利公開案第2004/0065976號案、美國專利公開案第2004/0065252號案及美國專利第6,936,194號案，它們都在此併入本文以為參考資料。
前述每一美國專利公開案及專利中所揭露的一壓印微 影技術包括在一可成型液體(可聚合)中形成一凸紋圖案及將一對應於凸紋圖案的圖案轉移到一下方基材中。該基材可連接至一移動平台以獲得一協助圖案化製程的需求定位。該圖案化製程使用一與基材空間上相間隔的一模板以及施加於該模板與該基材之間的一可成型液體。該可成型液體被固化而形成具有一圖案的一剛性層，該圖案與接觸可成型液體的模板表面的形狀一致。固化後，模板與剛性層分離使得該模板與該基材分隔開。然後該基材及該經固化層接受額外的製程，以將對應於該固化層中之圖案的一凸紋圖案影像轉移到該基材上。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種方法，包含：測定一基材之一內邊緣上的一第一點之位置，該基材之該內邊緣圍繞一軸被定位；測定該基材的一內徑；測定該軸的一直徑；測定該軸之直徑與該基材之內徑之間的一半徑差；從該內邊緣第一點以該半徑差偏移該基材；在該基材上壓印一圖案層，其中該圖案層之形貌體被與該軸共心壓印。。
依據本發明之另一實施例，係特地提出一種方法，包含：測定一基材之一內邊緣上的一第一點之位置，該基材之該內邊緣圍繞一軸定位，該軸包括至少兩個穩定器，它們相對該基材提供至少三個接觸點；測定該基材的一內徑；從該內邊緣之第一點偏移該基材，使得該第一點與該軸相鄰；在該基材上壓印一圖案層，其中該圖案層之形貌 體相對於該軸被共心壓印。
依據本發明之又一實施例，係特地提出一種方法，包含：測定一基材之一內邊緣上一第一點之位置，該基材之該內邊緣圍繞一軸定位，該軸包括至少兩個穩定器，它們相對於該基材提供至少三個接觸點；以位於該基材上方的一雷射發射器及一光電檢測器測定該基材之一內徑，其中該光電檢測器被定位成接收一角度的繞射光，且當一雷射被發射至該基材上時提供一信號，且該基材之內徑由該信號的一改變被測定；從該內邊緣之第一點偏移該基材，使得該第一點與該軸相鄰；在該基材上壓印一圖案層，其中該圖案層之形貌體相對於該軸被共心壓印，且非與該基材之一中心被共心壓印。
圖式簡單說明
為了可以更詳細地理解本發明，參照所附圖式提供本發明之實施例的描述。然而，但應注意的是，所附圖式僅說明本發明之典型實施例，因此並不應視為限制範圍。
第1圖繪示依據本發明之一實施例，一微影系統的一簡化側視圖。
第2圖繪示第1圖中所示的其上有圖案化層之基材的簡化側視圖。
第3圖繪示在一基材上的一示範性圖案層之俯視圖。
第4圖繪示在一基材上的一示範性圖案層之俯視圖。
第5圖繪示一用於測定一基材之內徑的示範性系統的方塊圖。
第6圖繪示在一基材上圍繞一軸佈置的一示範性圖案層之俯視圖。
第7圖繪示一種用於在一基材上提供成相對於一軸成一同心佈置的圖案形貌體之示範性方法的流程圖。
第8-13圖繪示用於第1圖所示系統中的示範性穩定器。
 較佳實施例之詳細說明
參考各圖式，特別是第1圖，其中所繪示的是用以在基材12上形成一凸紋圖案的一微影系統10。基材12可連接到基材卡盤14。如所說明，基材卡盤14是一真空卡盤。然而，基材卡盤14可包括但不限制於真空、接腳型、溝槽型、電磁等等的任何卡盤。示範性的卡盤描述於美國專利第6,873,087號案中，併入本說明書中為參考資料。
基材12及基材卡盤14可以進一步由平台16支撐。平台16可以提供沿x軸、y軸及z軸之移動。平台16、基材12及基材卡盤14也可以定位於一基座上(未示於圖中)。
與基材12空間上相間隔的是一模板18。模板18大體包括向基材12伸展的一平台20，平台20上具有一圖案化表面22。另外，平台20可稱為模具20。模板18及/或模具20可以由包括但不限制於熔融矽石、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化藍寶石等等這樣的材料形成。如所說明，圖案化表面22包含由多個空間上相間隔的凹部24及/或凸起26界定的形貌體，雖然本發明的實施例並不局限於這些組態。圖案化表面22可以 界定形成要在基材12上形成之一圖案之基礎的任何原始圖案。
模板18可以連接到卡盤28。卡盤28可以被組配成、但不限制於真空、接腳型、溝槽型、電磁等等其他相似的卡盤類型。示範性的卡盤於美國專利第6,873,087號案中被進一步描述，該案在此被併入本案以為參考資料。另外，卡盤28可以連接到壓印頭30，藉此卡盤28及/或壓印頭30可被裝配成協助模板18之移動。
系統10可以進一步包含一流體分配系統32。流體分配系統32可以用來將可聚合材料34沉積在基材12上。可聚合材料34可以使用，諸如滴式分配、旋轉塗佈、浸漬式塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積等等的技術定位於基材12上。在一依設計考慮而定的需求體積被界定於模具22與基材12之間之前及/或之後，可聚合材料34可以配置在基材12上。可聚合材料34可以包含如在美國專利第7,157,036號案及美國專利公開案第2005/0187339號案中所描述的一單體混合物，此二公開案在此併入此案以為參考資料。
參考第1圖及第2圖，系統10可以進一步包含沿路徑42連接到直接能量40的一能源38。壓印頭30及平台16可被裝配成使模板18及基材12與路徑42重疊。系統10可以由一處理器54調整，該處理器54與平台16、壓印頭30、流體分配系統32及/或能源38通訊，且可依儲存於記憶體56中的一電腦可讀程式操作。
壓印頭30、平台16中之一者抑或兩者改變平台20與基材12之間的距離，以在其間界定由可聚合材料34填充的一需求體積。例如，壓印頭30可以施加一力到模板18，使得該模具20與可聚合材料34接觸。在該需求體積由可聚合材料34填充後，能源38產生能量40，例如紫外線輻射，使可聚合材料34固化及/或交聯以符合基材12之一表面44的形狀且圖案化表面22，在基材12上界定一圖案層46。圖案層46可以包含一殘餘層48，及顯示為凸起50及凹部52的多個形貌體，其中凸起50具有厚度t1 且殘餘層具有一厚度t2 。
上述系統及製程可以進一步被應用於美國專利第6,932,934號案、美國專利公開案第2004/0124566號案、美國專利公開案第2004/0188381號案及美國專利公開案第2004/0211754號案中所提及的壓印微影製程及系統中，該等案件均併入本案以為參考資料。
如第3圖所示，基材12之圖案化以形成圖案層46可包括與一旋轉軸60共心的基材12。軸60可被設計成與一硬碟驅動的一心軸相似。示範性心軸進一步被描述於美國專利第6,081,990號案中，該案之全部內容在此併入此文以為參考資料。在一個實施例中，心軸可由與本文所描述的軸60相似的尺寸及形貌體被形成。
基材12之內邊緣62可實質上是以軸60為中心，使得圖案層46之形貌體可被同心壓印(例如共心)。然而，軸60及/或基材12可具有製造變化。此等變化可提供定心時的誤差。例如，如第4圖所示，軸60可具有一減小的尺寸及/或 基材12之內徑可具有一增加的尺寸，導致一非對準及基材12的一實質上非圓形的旋轉。另外，基材12之內徑及/或軸60可能是非圓形的，導致非對準及非圓形旋轉。
為了減少非對準，基材12可以軸60之直徑DS 與基材12之內徑DI 之間的半徑差△R偏移基材12之內邊緣62的一點P。
點P可使用一習知θ方向上的對準標記及/或格柵被測定。對準標記及/或格柵之使用被詳細描述於美國專利案序列號第12/175,258號案、美國專利第6,916,584號案、美國專利第7,027,156號案，及美國專利第7,136,150號案，全部該等申請案被併入此文以為參考資料。可供選擇地，點P可由一顯微鏡確定。
雷射偏差
如第5圖所示，一雷射發射器70及一光電檢測器72可被用以測定基材12之內徑DI 。基材12之內徑DI 可在佈置於系統10內之前及/或在佈置於系統10內之後被測定。例如，雷射發射器70及光電檢測器72可被置於系統10內的模板18與基材12的路徑之上。光電檢測器72可被定位，使得其接收以一角反射及/或繞射的光74，且當雷射射在基材12上時提供一信號。該信號可被用以測定基材12之內徑DI。例如，該信號的一下降或上升可指示雷射射在基材12之內徑DI 內。
使用一習知直徑DS 的軸60，軸60之直徑DS 與基材12之內徑DI 之半徑差△R可被測定。使用該半徑差△R，基材12可 被定位及/或重新定位使得圖案形貌體50可與軸60被同心壓印。例如，基材12可以一其中基材12將被定位於一磁碟驅動內的方法被圖案化。基材12之內邊緣62的點P可鄰近軸60，而基材12之內邊緣62的一部份可被定位成距軸60一等於△R的距離，如第6圖所示。考慮此一定位，基材12可由模板18圖案化，以提供同心壓印的圖案層46。應注意如此定位使得同心壓印的圖案層46可不在基材12上定心。
第7圖繪示一用於在基材12上提供相對於軸60成一同心配置的圖案形貌體50的示範性方法80的流程圖。在步驟82，軸60之直徑DS 可被量測及/或提供。在步驟84，基材12之內徑DI 可被測定。例如，基材12之內徑DI 由光電檢測器72及雷射發射器70測定。在步驟86，半徑差△R可被測定。在步驟88，基材12可由系統10中的模板18壓印，使得該壓印圖案占基材12與軸60相鄰之內邊緣62的至少一個點P，同時內邊緣62的至少一部份被定位成距軸60一距離△R。
機械偏差
參考第8-11圖，穩定器74可在系統10內被佈置於基材12周圍。穩定器74可加強定位，此補償基材12在一硬碟驅動的心軸上的定位。穩定器74可視為軸60的一類型及/或依設計考慮而定與軸60一起使用。
穩定器74可被佈置成相鄰基材12的外邊緣76及/或基材12的內邊緣62。一個或一個以上的穩定器74可以是可移動的。可移動穩定器74可以是能夠調整的，提供基材對系統10的裝載，及/或從系統10的卸載。
大體上，穩定器74可提供基材12上的至少三個點接觸。例如，如第8圖所示，兩個穩定器74可被佈置成鄰近基材12的外邊緣76，一個穩定器74在基材12的內邊緣62上。在另一實施例中，如第9圖所示，三個穩定器74可被佈置在基材12的內邊緣62上。以同樣的方式，如第10圖所示，三個穩定器74可被佈置在基材12的外邊緣76上。
在另一範例中，如第11圖所示，一個穩定器74可被佈置成與基材12的外邊緣相鄰，兩個穩定器74在基材12的內邊緣62上。可供選擇地，如第12圖所示，一單一穩定器74可能在基材12的內邊緣62上提供兩個或兩個以上接觸點，一附加之穩定器74鄰接於基材12之外邊緣76。
穩定器74可以是基材卡盤14及/或平台16的一部份或可附接至其上(如第1圖所示)。大體上，穩定器74之位置可依據基材上點P之測定被預定。例如，在第8圖中，穩定器74a與74b可與穩定器74c等距設置。
在一示範性實施例中，至少一個穩定器74可被形成具有可與一心軸及/或軸60相當的尺寸。例如，軸穩定器74可被形成具有比基材12之內徑DI 稍小的一直徑DM (例如，DI 是~20mm時，為~19.9mm)。
穩定器74可被形成具有可與第13圖所示的多個心軸及/或軸60相當的尺寸。例如，穩定器74可被形成一階狀圖案，每一階90提供一不同的直徑D1-4 。使用該階狀圖案，基材12之內邊緣62實質上可與具有一稍小於DI 之直徑DM 的階90配合。
10‧‧‧微影系統
12‧‧‧基材
14‧‧‧基材卡盤
16‧‧‧平台
18‧‧‧模板
20‧‧‧平台/模具
22‧‧‧圖案化表面
24、52‧‧‧凹部
26、50‧‧‧凸起
28‧‧‧卡盤
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體分配系統
34‧‧‧可聚合材料
38‧‧‧能源
40‧‧‧直接能量
42‧‧‧路徑
44‧‧‧表面
46‧‧‧圖案層
48‧‧‧殘餘層
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體
60‧‧‧旋轉軸
62‧‧‧內邊緣
70‧‧‧雷射發射器
72‧‧‧光電檢測器
74‧‧‧光
74a~74c‧‧‧穩定器
76‧‧‧外邊緣
80‧‧‧方法
82~88‧‧‧步驟
90‧‧‧階
D1 ~D4 、DM 、DS ‧‧‧直徑
DI ‧‧‧內徑
△R‧‧‧半徑差
P‧‧‧點
t1 、t2 ‧‧‧厚度
第1圖繪示依據本發明之一實施例，一微影系統的一簡化側視圖。
第2圖繪示第1圖中所示的其上有圖案化層之基材的簡化側視圖。
第3圖繪示在一基材上的一示範性圖案層之俯視圖。
第4圖繪示在一基材上的一示範性圖案層之俯視圖。
第5圖繪示一用於測定一基材之內徑的示範性系統的方塊圖。
第6圖繪示在一基材上圍繞一軸佈置的一示範性圖案層之俯視圖。
第7圖繪示一種用於在一基材上提供成相對於一軸成一同心佈置的圖案形貌體之示範性方法的流程圖。
第8-13圖繪示用於第1圖所示系統中的示範性穩定器。
10‧‧‧微影系統
12‧‧‧基材
14‧‧‧基材卡盤
16‧‧‧平台
18‧‧‧模板
20‧‧‧平台/模具
22‧‧‧圖案化表面
24‧‧‧凹部
26‧‧‧凸起
28‧‧‧卡盤
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體分配系統
34‧‧‧可聚合材料
38‧‧‧能源
40‧‧‧直接能量
42‧‧‧路徑
44‧‧‧表面
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體

Claims (17)

  1. 一種用於圖案化具有內邊緣和內徑之基材之方法，該內徑係可圍繞具有一外徑和一旋轉軸心之一軸定位，該方法包含下列步驟：提供具有一圖案化表面之一模板，該圖案化表面具有共心排列的形貌體，該模板係添附於該基材；測定該基材之該內邊緣上的一第一點相對於該模板之位置；根據該軸之直徑與該基材之該內徑之間的差異測定一半徑差；偏移該基材，使得該基材的該第一點係相對於該模板以該半徑差移轉；以及在具有該模板之該基材上壓印一圖案層，其中該圖案層之形貌體係被壓印，使得當該軸的該外徑係與該基材之該第一點接觸時，該等形貌體係與該軸的該旋轉軸心共心。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一點是使用對準標記測定。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基材之該內徑是藉由位於該基材之上的一雷射發射器及一光電檢測器測定，其中該光電檢測器被定位以接收以一角度繞射的光，且當一雷射入射在該基材上時提供一信號。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該基材之該內徑是藉由該信號的一改變測定。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該圖案層之形貌體並未圍繞該基材的一中心共心壓印。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該軸包括一或多個穩定器。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該等一或多個穩定器是可移動的。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該等穩定器是被安置成相鄰該基材之該內邊緣。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該等穩定器提供該基材上的至少三個接觸點。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該等三個接觸點中的至少兩個是在該基材之該內邊緣上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該等三個接觸點是在該基材之該內邊緣上。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該等三個接觸點中的至少一個是在該基材的一外邊緣上。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該等穩定器是與一基材卡盤為一體，該基材卡盤在壓印期間固持該基材。
  14. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該等穩定器可附接至一基材卡盤，該基材卡盤在壓印期間固持該基材。
  15. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該等穩定器之定位是基於每一穩定器與該第一點之間的相對距離測 定。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中穩定器係彼此等距設置。
  17. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該等穩定器係形成為具有多重直徑的一階狀圖案。
TW098137220A 2008-11-04 2009-11-03 基材對準技術 TWI411522B (zh)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9466324B2 (en) 2013-10-31 2016-10-11 Seagate Technology Llc Bit patterned media template including alignment mark and method of using same
JP6923344B2 (ja) 2017-04-13 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁処理装置および周縁処理方法
JP7021877B2 (ja) * 2017-08-08 2022-02-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、位置合わせ装置および位置合わせ方法
CN115493523B (zh) * 2022-11-21 2023-04-25 三代光学科技（天津）有限公司 一种晶圆表面三维形貌高速测量方法及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003104898A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-18 Obducat Ab Method for transferring a pattern
US6757116B1 (en) * 2001-08-16 2004-06-29 Seagate Technology Llc Disk biasing for manufacture of servo patterned media
US20050146078A1 (en) * 2000-07-18 2005-07-07 Stephen Chou Apparatus for double-sided imprint lithography
US20050173072A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Alignment device for fabricating optical disk
US20080029931A1 (en) * 2006-07-07 2008-02-07 Tada Yasuhiko Imprint device and imprint method

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8300417A (nl) * 1983-02-04 1984-09-03 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een kunststofinformatiedrager met een gelaagde structuur.
JPH0626823B2 (ja) * 1987-10-15 1994-04-13 パイオニア株式会社 光ディスク製造装置
US5527497A (en) * 1992-11-26 1996-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Process and apparatus for manufacturing substrate sheet for optical recording mediums, and process for preparing stamper
JP3805020B2 (ja) * 1996-05-31 2006-08-02 富士通株式会社 磁気ディスク装置へのディスク媒体の組み込み方法
JPH10106049A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Sony Corp 光学記録媒体の製造方法
US6030556A (en) * 1997-07-08 2000-02-29 Imation Corp. Optical disc stampers and methods/systems for manufacturing the same
US6081334A (en) 1998-04-17 2000-06-27 Applied Materials, Inc Endpoint detection for semiconductor processes
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
AU2001273491A1 (en) 2000-07-16 2002-02-05 Board Of Regents, The University Of Texas System High-resolution overlay alignment methods and systems for imprint lithography
KR20030040378A (ko) 2000-08-01 2003-05-22 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법
US20050064344A1 (en) 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
JP2003168253A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Hitachi Ltd サーボパターン書き込み方法及び装置
US6940667B2 (en) * 2002-06-28 2005-09-06 Seagate Technology Llc Redundant servo pattern stamper
US7218465B1 (en) * 2002-06-28 2007-05-15 Seagate Technology Llc Magnetic media patterning via contact printing utilizing stamper having magnetic pattern formed in non-magnetic substrate
US7027156B2 (en) 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US6916584B2 (en) 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US7070405B2 (en) 2002-08-01 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Alignment systems for imprint lithography
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
TW200500811A (en) 2002-12-13 2005-01-01 Molecular Imprints Inc Magnification correction employing out-of-plane distortion of a substrate
US7311516B2 (en) * 2003-03-03 2007-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Die for molding disk substrate and method of manufacturing disk substrate
US20050094298A1 (en) * 2003-09-22 2005-05-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Imprint stamper, method for manufacturing the same, recording medium, method for manufacturing the same, information recording/reproducing method, and information recording/reproducing apparatus
US7136150B2 (en) 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
US20060115999A1 (en) 2004-12-01 2006-06-01 Molecular Imprints, Inc. Methods of exposure for the purpose of thermal management for imprint lithography processes
US20050270516A1 (en) 2004-06-03 2005-12-08 Molecular Imprints, Inc. System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing
KR101175108B1 (ko) 2004-06-03 2012-08-21 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 마이크로리소그래피를 위한 정렬 및 오버레이의 개선을 위한 시스템 및 방법
US7630067B2 (en) 2004-11-30 2009-12-08 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices
US20070231421A1 (en) 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Enhanced Multi Channel Alignment
US7292326B2 (en) 2004-11-30 2007-11-06 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
US7106531B2 (en) * 2005-01-13 2006-09-12 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Method of forming a servo pattern on a rigid magnetic recording disk
JP4290177B2 (ja) * 2005-06-08 2009-07-01 キヤノン株式会社 モールド、アライメント方法、パターン形成装置、パターン転写装置、及びチップの製造方法
CN101535021A (zh) 2005-12-08 2009-09-16 分子制模股份有限公司 用于衬底双面图案形成的方法和系统
JP4735280B2 (ja) 2006-01-18 2011-07-27 株式会社日立製作所 パターン形成方法
US7802978B2 (en) 2006-04-03 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Imprinting of partial fields at the edge of the wafer
JP5306989B2 (ja) 2006-04-03 2013-10-02 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法
US8012395B2 (en) 2006-04-18 2011-09-06 Molecular Imprints, Inc. Template having alignment marks formed of contrast material
US7547398B2 (en) 2006-04-18 2009-06-16 Molecular Imprints, Inc. Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features
DE502007005337D1 (de) 2007-03-21 2010-11-25 Thallner Erich Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung einer nanostrukturierten Scheibe
US7837907B2 (en) 2007-07-20 2010-11-23 Molecular Imprints, Inc. Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process
US20090147237A1 (en) 2007-12-05 2009-06-11 Molecular Imprints, Inc. Spatial Phase Feature Location
JP2010102821A (ja) * 2008-09-26 2010-05-06 Fujifilm Corp インプリント用モールド構造体、並びに磁気記録媒体及びその製造方法
US20100092599A1 (en) 2008-10-10 2010-04-15 Molecular Imprints, Inc. Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography
JP2011048864A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Fujifilm Corp 電子ビーム描画方法およびモールド
US20110272096A1 (en) * 2010-05-10 2011-11-10 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern shape inspection instrument and pattern shape inspection method, instrument for inspecting stamper for patterned media and method of inspecting stamper for patterned media, and patterned media disk manufacturing line

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050146078A1 (en) * 2000-07-18 2005-07-07 Stephen Chou Apparatus for double-sided imprint lithography
US6757116B1 (en) * 2001-08-16 2004-06-29 Seagate Technology Llc Disk biasing for manufacture of servo patterned media
WO2003104898A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-18 Obducat Ab Method for transferring a pattern
US20050173072A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Alignment device for fabricating optical disk
US20080029931A1 (en) * 2006-07-07 2008-02-07 Tada Yasuhiko Imprint device and imprint method

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Publication number Publication date
US20100109202A1 (en) 2010-05-06
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