KR20190004658A - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190004658A
KR20190004658A KR1020180076354A KR20180076354A KR20190004658A KR 20190004658 A KR20190004658 A KR 20190004658A KR 1020180076354 A KR1020180076354 A KR 1020180076354A KR 20180076354 A KR20180076354 A KR 20180076354A KR 20190004658 A KR20190004658 A KR 20190004658A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
substrate
mold
imprint
deviation
Prior art date
Application number
KR1020180076354A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102301911B1 (ko
Inventor
아츠시 기무라
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20190004658A publication Critical patent/KR20190004658A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102301911B1 publication Critical patent/KR102301911B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092—Signal processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 제공하고, 임프린트 장치는 몰드와 기판을 상대적으로 구동하도록 구성된 구동부, 몰드와 기판 사이의 상대 위치를 계측하도록 구성된 계측 디바이스, 및 몰드와 기판 사이의 위치 정합에서, 계측 디바이스에 의해 계측된 상대 위치와 목표 상대 위치 사이의 편차에 따른 제1 신호에, 구동부의 구동력을 순간적으로 증가시키는 제2 신호를 그 사이에 시간 간격을 두고 합성하여 획득된 신호에 기초하여, 상기 구동부를 제어하도록 구성된 제어부를 포함한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
오목부와 볼록부로 이루어진 패턴이 그 위에 형성된 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치가, 반도체 디바이스 등을 위한 양산용 리소그래피 장치의 일 유형으로서 주목을 받고 있다. 몰드 패턴을 기판 상의 임프린트재에 정밀하게 전사하기 위해서, 임프린트 장치 내에 몰드 및 기판의 위치 정합을 고정밀도로 수행할 수 있는 것이 요구된다. 일본 특허 공개 번호 제2008-522412호에서는, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 접촉시킨 상태에서, 몰드와 기판 사이의 위치 정합을 제어하는 방법이 제안된다.
임프린트재의 점성으로 인해, 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하게 된 상태에서 몰드와 기판 사이의 상대 위치를 변경하는 것은 어려우며, 처리량의 관점에서 단점이 있을 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 처리량의 관점에서 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치가 제공되고, 임프린트 장치는 몰드와 기판을 상대적으로 구동하도록 구성된 구동부, 몰드와 기판 사이의 상대 위치를 계측하도록 구성된 계측 디바이스, 및 몰드와 기판 사이의 위치 정합에서, 계측 디바이스에 의해 계측된 상대 위치와 목표 상대 위치 사이의 편차에 따른 제1 신호에, 구동부의 구동력을 순간적으로 증가시키는 제2 신호를 그 사이에 시간 간격을 두고 합성하여 획득된 신호에 기초하여, 상기 구동부를 제어하도록 구성된 제어부를 포함한다.
본 발명의 추가 특징부는 첨부 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2는 임프린트 처리를 설명하는 흐름도이다.
도 3은 위치 정합 처리를 위한 제어 시스템을 도시하는 블록도이다.
도 4는 시간에 대한 편차 및 제2 신호를 도시하는 도면이다.
도 5는 물품의 제조 방법을 도시하는 도면이다.
본 발명의 예시적인 실시예는 첨부 도면을 참조하여 이하 상세히 설명될 것이다. 동일한 참조번호는 도면에 걸쳐 동일한 부재를 지시하며, 이의 반복적인 설명은 제공되지 않는 점에 유의한다. 기판의 면과 평행한 방향(기판의 면을 따른 방향)은 X 방향 및 Y 방향으로 하고, 기판의 면에 수직인 방향(기판에 입사하는 광의 광축의 방향)은 Z 방향으로 한다.
<제1 실시예>
본 발명에 따른 제1 실시예의 임프린트 장치(100)에 대해서 설명한다. 임프린트 장치는 기판 상에 공급된 임프린트재와 몰드를 접촉시켜 임프린트재에 경화용 에너지를 제공하는 것에 의해, 오목부와 볼록부로 이루어진 몰드 패턴이 이에 전사되어 있는 경화재의 패턴을 형성하는 장치이다. 예를 들어, 본 실시예의 임프린트 장치(100)는 기판 상에 임프린트재(3)를 공급하고, 오목부와 볼록부로 이루어진 패턴이 형성된 몰드(1)를 기판 상의 임프린트재(3)에 접촉시킨 상태에서 임프린트재(3)를 경화시킨다. 그리고, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 간격을 넓혀 몰드(1)를 경화된 임프린트재(3)로부터 분리(이형)함으로써, 임프린트재(3)의 패턴을 기판 상에 형성한다. 이러한 방식으로 임프린트 장치(100)에 의해 수행되는 일련의 처리는 이후 "임프린트 처리"로 지칭하는 경우가 있다.
임프린트재에 대해, 경화용 에너지가 제공되는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(또한 미경화 상태의 수지로 지칭됨)이 사용된다. 전자파, 열 등이 경화용 에너지로서 사용된다. 전자파는 예를 들어 그 파장이 10nm 이상 1mm 이하의 범위로부터 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이다.
경화성 조성물은 가열에 의해 또는 광의 조사에 의해 경화되는 조성물이다. 이들 중, 광에 의해 경화하는 광경화성 조성물은 중합성 화합물과 광중합 개시제를 적어도 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은 증감제, 수소 공여체, 내부 몰드 이형제, 계면 활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등의 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나이다.
임프린트재는 스핀 코터 또는 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막으로서 도포된다. 대안적으로, 액체 분사 헤드에 의해, 액적 형상, 또는 복수의 액적이 연결되어 달성되는 섬 형태 또는 막 형상으로 기판 상에 도포될 수 있다. 임프린트재의 점성(25℃에서의 점성)은 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.
[임프린트 장치의 구성]
도 1은 본 실시예의 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는 임프린트 헤드(11), 기판 스테이지(12)(스테이지), 계측 디바이스(13), 경화 디바이스(14), 토출부(15)(공급 디바이스), 및 제어부(16)를 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(11), 계측 디바이스(13), 경화 디바이스(14) 및 토출부(15)는 각각 구조체(5)에 의해 지지되고, 기판 스테이지(12)는 판(6) 위를 이동 가능하게 구성된다. 구조체(5)는 공기 스프링 등을 사용한 제진 기구(7)를 개재해서 바닥 위에 설치될 수 있다. 또한, 제어부(16)는 예를 들어 CPU, 메모리(저장부) 등을 갖고, 임프린트 처리를 제어한다(임프린트 장치(100)의 각 유닛을 제어함).
몰드(1)는 통상 석영 등 자외선을 통과시킬 수 있는 재료로 제작되며, 기판 상의 임프린트재(3)에 전사하기 위한 오목부와 볼록부로 이루어진 패턴이 기판 측의 면의 일부의 영역(패턴 영역(1a)) 상에 형성된다. 또한, 기판(2)으로서, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 기판과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 그 표면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판(2)으로서, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체, 웨이퍼, 석영 유리 등이 사용될 수 있다. 또한, 임프린트재의 도포 전에, 필요에 따라, 임프린트재와 기판 사이의 부착성을 향상시키기 위해서 부착층이 제공될 수 있다.
임프린트 헤드(11)는 예를 들어 진공 척 등에 의해 몰드(1)를 유지하는 몰드 홀더(11a), 및 몰드(1)와 기판(2) 사이의 간격을 변경하도록 몰드(1)(몰드 홀더(11a))를 Z 방향으로 구동하는 몰드 구동부(11b)를 포함할 수 있다. 본 실시예의 임프린트 헤드(11)는 Z 방향으로 몰드(1)를 구동하도록 구성되지만, 예를 들어 X 및 Y 방향 그리고 θ 방향(Z축 둘레의 회전 방향)으로 몰드(1)를 구동하는 기능이 있을 수 있다.
기판 스테이지(12)는 예를 들어 진공 흡착 등에 의해 기판(2)을 유지하는 기판 홀더(12a), 및 X 및 Y 방향으로 기판(2)(기판 홀더(12a))을 구동하도록 판(6) 위를 이동 가능하게 구성된 기판 구동부(12b)를 포함할 수 있다. 본 실시예의 기판 스테이지(12)는 X 및 Y 방향으로 기판(2)을 구동하도록 구성되지만, 예를 들어 Z 방향 및 θ 방향 등으로 기판(2)을 구동하는 기능이 또한 있을 수 있다. 또한, 기판 스테이지(12)의 위치(X 및 Y 방향)은 위치 계측 디바이스(17)에 의해 계측될 수 있다. 위치 계측 디바이스(17)로서, 예를 들어 인코더, 레이저 간섭계 등이 사용될 수 있다. 도 1에 도시된 예에서, 판(6)에 제공된 스케일(17a), 및 기판 스테이지(12)에 설치되며 스케일(17a)를 판독하는 주 본체(17b)로 이루어지는 인코더가 위치 계측 디바이스(17)로서 사용된다. 본 실시예의 위치 계측 디바이스(17)는 기판 스테이지(12)(기판(2))의 위치를 계측하도록 구성되지만, 임프린트 헤드(11)와 기판 스테이지(12) 사이의 상대 위치를 계측 가능하도록 구성될 수 있다.
본 실시예에서, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 간격(Z 방향)을 변경하기 위한 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대적인 구동은 임프린트 헤드(11)에 의해 수행되지만, 이에 한정되지 않고, 이는 기판 스테이지(12)에 의해 수행될 수 있고, 양쪽 모두에 의해 수행될 수 있다. 또한, X 및 Y 방향에서 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치의 변경이 기판 스테이지(12)에 의해 행해지지만, 이에 한정되지 않고, 이는 임프린트 헤드(11)에 의해 수행될 수 있고, 양쪽 모두에 의해 수행될 수 있다. 즉, 몰드(1)와 기판(2)을 상대적으로 구동하는 구동부로서, 임프린트 헤드(11)(몰드 구동부(11b)) 및 기판 스테이지(12)(기판 홀더(12b)) 중 하나 이상이 사용될 수 있다.
계측 디바이스(13)는 예를 들어 촬상 센서를 포함하는 스코프(scope)를 갖고, 몰드(1)(패턴 영역(1a))에 제공된 마크와 기판(2)(샷 영역)에 제공된 마크 사이의 위치 관계를 해당 스코프로 검출함으로써, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치를 계측한다. 또한, 경화 디바이스(14)는 몰드(1)와 기판 상의 임프린트재(3)가 접촉하는 상태에서, 임프린트재(3)에 몰드(1)를 개재해서 광(예를 들어, 자외선)을 조사하고, 이에 의해 임프린트재(3)를 경화시킨다. 토출부(15)는 예를 들어 잉크젯 방법에 의해 기판 상에 임프린트재(3)(미경화 수지)를 토출(공급)한다.
[임프린트 처리]
이어서, 본 실시예의 임프린트 장치(100)에 의해 수행되는 임프린트 처리가 도 2를 참조하여 설명될 것이다. 도 2는 임프린트 처리의 흐름도를 도시하며, 해당 흐름도의 각각의 단계는 제어부(16)에 의해 제어될 수 있다.
단계(S11)에서, 제어부(16)는 기판(2) 상의 복수의 샷 영역 중, 임프린트 처리를 수행하는 목표 샷 영역(이하, 목표 샷 영역)이 토출부(15) 아래에 배치되도록 기판 스테이지(12)를 제어한다. 그리고, 토출부(15)는 목표 샷 영역 상에 임프린트재(3)를 토출하도록 제어된다. 단계(S12)에서, 제어부(16)는 몰드(1)의 패턴 영역(1a) 아래에 목표 샷 영역이 배치되도록 기판 스테이지(12)를 제어한다. 단계(S13)에서, 제어부(16)는 몰드(1)와 기판(2) 사이의 간격이 좁아지도록 임프린트 헤드(11)를 제어하고, 몰드(1)와 목표 샷 영역 상의 임프린트재(3)를 접촉시킨다.
단계(S14)에서, 제어부(16)는 몰드(1)와 목표 샷 영역 상의 임프린트재(3)를 접촉시킨 상태에서, 계측 디바이스(13)에서의 계측 결과에 기초하여, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 위치 정합을 수행한다(위치 정합 처리). 예를 들어, 제어부(16)는 패턴 영역(1a)에 설치된 마크와 목표 샷 영역에 설치된 마크와의 위치 관계를 계측 디바이스(13)가 검출하게 하여, 패턴 영역(1a)과 목표 샷 영역 사이의 상대 위치를 계측한다. 또한, 제어부(16)는 계측 디바이스(13)에 의해 계측된 상대 위치와 목표 상대 위치 사이의 편차가 허용 범위에 들어가도록, 몰드(1)와 기판(2)의 상대 위치의 피드백 제어를 수행한다. 위치 정합 처리의 상세가 후술될 것이다.
단계(S15)에서, 제어부(16)는 몰드(1)와 목표 샷 영역 상의 임프린트재(3)가 접촉한 상태에서, 임프린트재(3)에 광(자외선)을 조사하도록 경화 디바이스(14)를 제어하고, 이에 의해 목표 샷 영역 상의 임프린트재(3)를 경화시킨다. 단계(S16)에서, 제어부(16)는 몰드(1)와 기판(2) 사이의 간격이 확대되도록 임프린트 헤드(11)를 제어하고, 경화된 임프린트재(3)로부터 몰드(1)를 분리(이형)한다. 단계(S17)에서, 제어부(16)는 임프린트 처리가 수행될 샷 영역(다음 샷 영역)이 기판 상에 있는지 여부를 판정한다. 다음 샷 영역이 있는 경우, 단계(S11)로 진행하고, 다음 샷 영역이 없는 경우, 처리는 종료한다.
[위치 정합 처리]
이어서, 단계(S14)의 위치 정합 처리의 상세가 설명될 것이다. 도 3은 본 실시예에서의 위치 정합 처리의 제어 시스템을 도시하는 블록선도이다. 도 3의 블록선도에서 감산기(16a), 보상기(16b), 가산기(16c) 및 생성기(16d)는 각각 제어부(16)의 구성 요소로서 기능할 수 있다. 또한, 구동부(20)는 예를 들어 몰드(1)와 기판(2)을 상대적으로 구동하는 구동력(추력)을 생성하는 액추에이터와, 액추에이터에 전류(또는 전압)을 공급하는 공급기(전류 구동부)를 포함할 수 있다. 구동부(20)는 상술한 바와 같이, 몰드 구동부(11b) 및 기판 홀더(12b) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
몰드(1)와 기판(2)의 위치 정합 처리를 위한 제어 시스템에서, 먼저, 계측 디바이스(13)에 의해 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치가 계측되고, 그 계측 결과(상대 위치를 나타내는 정보)가 감산기(16a)에 공급된다. 감산기(16a)는 계측 디바이스(13)에 의해 계측된 상대 위치와 목표 상대 위치(예를 들어 제로) 사이의 편차(30)를 산출하고, 산출한 편차(30)를 출력한다. 보상기(16b)는, 예를 들어 PID 보상기이며, 감산기(16a)에 의해 산출된 편차(30)가 감소하도록(예를 들어, 허용 범위에 들어가도록) 구동부(20)를 제어하기 위한 제1 신호(31)(제1 커맨드 값)를 생성하고, 생성한 제1 신호(31)를 구동부(20)에 공급한다. 구동부(20)는 보상기(16b)에 의해 생성된 제1 신호(31)에 따라, 공급기에 의해 액추에이터에 전류를 공급하고, 액추에이터에 구동력을 생성시킨다. 이에 의해, 몰드(1)와 기판(2)의 상대 위치가 목표 상대 위치에 근접하도록, 몰드(1)와 기판(2)을 상대적으로 구동할 수 있다.
이러한 위치 정합 처리는, 상술한 바와 같이, 몰드(1)와 기판 상의 임프린트재(3)를 접촉시킨 상태에서 수행된다. 그러나, 이 상태에서, 임프린트재(3)의 점성으로 인해, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치(X 및 Y 방향)의 변경을 방해하는 저항력이 작용하고, 상대 위치를 변경하기 어렵다. 그 결과, 위치 정합 처리에 대해 상당 시간이 요구되고, 처리량의 관점에서 불리할 수 있다. 따라서, 본 실시예의 임프린트 장치(100)는 위치 정합 처리에 있어서, 구동부(20)의 구동력을 순간적으로 증가시키는 제2 신호(32)(제2 커맨드 값)를 그 사이에 시간 간격을 두고서 제1 신호(31)에 추가하고, 결과를 구동부(20)에 공급한다. 예를 들어, 도 3의 블록선도에 도시된 바와 같이, 제2 신호(32)를 생성하는 생성기(16d)가 제어부(16)에 설치된다. 생성기(16d)는 그 사이에 시간 간격을 두고서 제2 신호(32)를 이산적으로 생성 및 출력한다. 생성기(16d)로부터 출력된 제2 신호(32)는, 보상기(16b)에 의해 출력된 제1 신호(31)에 대해 가산기(16c)에 의해 가산되고(합성되고), 합성 신호가 구동부(20)에 공급된다. 결과적으로, 구동부(20)의 구동력이 순간적으로 또한 이산적으로 증가하기 때문에, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치는 해머링-유사(hammering-like) 방식으로 변하고, 이에 의해 위치 정합 처리를 효과적(효율적)으로 수행할 수 있다.
생성기(16d)는 예를 들어 구동부(20)의 구동력을 순간적으로 0.1N 이상(보다 바람직하게는 0.5N 이상) 증가시키는 진폭을 갖는 펄스 신호(임펄스 신호)를 제2 신호(32)로서 생성할 수 있다. 제2 신호(32)의 진폭의 최대값은 구동부(20)에 의해 생성될 수 있는 최대 구동력에 의해 제한되지만, 바람직하게는 제2 신호(32)는 구동부(20)에 의해 순간적으로 생성되는 구동력이 1N 이하이도록 생성된다. 또한, 생성기(16d)는 제어부(16)(CPU)의 제어 클럭 주기 이하 또는 피드백 제어 시스템의 샘플링 주기 이하인 펄스폭을 갖도록, 제2 신호(32)를 생성할 수 있다. 보다 바람직하게는, 생성기(16d)는 제어부(16)(CPU)의 제어 클럭 주기의 1/2 이하 또는 피드백 제어 시스템의 샘플링 주기의 1/2 이하인 펄스폭을 갖도록, 제2 신호(32)를 생성할 수 있다. 또한, 생성기(16d)는 제2 신호(32)가 이산적으로 출력되는 시간 간격을 제2 신호(32)의 펄스폭 이상으로 설정할 수 있다. 보다 바람직하게는, 생성기(16d)는 제2 신호(32)를 이산적으로 출력하는 시간 간격을, 제어부(16)(CPU)의 제어 클럭의 주기 이상 또는 피드백 제어 시스템의 샘플링 주기 이상이 되도록 설정할 수 있다. 여기서, 제2 신호(32)의 펄스폭은 진폭이 최대값의 50% 이상이 되는 시간(소위 반치폭)으로서 정의되고, 제2 신호(32)는 삼각형 또는 사다리꼴형 신호를 포함할 수 있다.
[제2 신호의 생성 방법]
이어서, 생성기(16d)에 의한 제2 신호의 생성 방법이 구체적으로 설명된다. 도 4a는 감산기(16a)에 의해 산출된 편차(30)의 시간 변화를 도시하는 도면이고, 도 4b는 생성기(16d)에 의해 출력되는 제2 신호(32)를 도시하는 도면이다. 이하에서, 감산기(16a)에 의해 산출된 편차(30)는 간단히 "편차(30)"로 지칭될 수 있고, 생성기(16d)가 제2 신호(32)를 출력하는 시간 간격(구동부(20)에 제2 신호(32)를 공급하는 시간 간격)은 간단히 "시간 간격"으로 지칭될 수 있다.
생성기(16d)는 도 3의 블록선도에 도시된 바와 같이, 감산기(16a)에 의해 산출된 편차에 기초하여, 제2 신호(32)의 진폭 및 제2 신호(32)를 출력하는 시간 간격을 설정(결정)하도록 구성될 수 있다. 즉, 생성기(16d)는 감산기(16a)에 의해 산출된 편차(30)에 기초하여, 제2 신호(32)의 진폭과 시간 간격 중 하나 이상을 변경할 수 있다.
예를 들어, 생성기(16d)는 제1 임계값(E1)에 대한 편차(30)의 대소 관계를 판정하고, 판정 결과에 따라, 제2 신호(32)의 진폭 및 시간 간격을 변경한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 편차(30)가 제1 임계값(E1) 이상인 경우, 생성기(16d)는 제2 신호(32)의 진폭을 제1 진폭(A1)에 설정하고, 시간 간격을 제1 간격(T1)에 설정한다. 그리고, 편차(30)가 제1 임계값(E1) 미만이 된 경우, 생성기(16d)는 제2 신호(32)의 진폭을 제1 진폭(A1)보다 작은 제2 진폭(A2)에 설정하고, 시간 간격을 제1 간격(T1)보다 넓은 제2 간격(T2)에 설정한다. 제1 진폭(A1), 제2 진폭(A2), 제1 간격(T1) 및 제2 간격(T2)은 제2 신호의 진폭 및 시간 간격을 각각 변화시켰을 때 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치의 변화량에 대해서 실험 및 시뮬레이션 수행 결과에 기초하여 미리 구해질 수 있다. 또한, 편차(30)가 제1 임계값(E1)보다 작은 제2 임계값(E2) 미만인 경우, 생성기(16d)는 제2 신호(32)의 출력을 정지한다. 구체적으로, 편차(30)가 제2 임계값(E2) 미만인 경우 구동부(20)(가산기(16c))에의 제2 신호(32)의 공급이 정지되고, 이후 보상기(16b)에 의해 생성된 제1 신호(31) 만이 구동부(20)(가산기(16c))에 공급된다.
여기서, 도 4에 도시된 예에서, 제1 임계값(E1)에 대한 편차의 대소 관계의 판정 결과에 따라, 제2 신호(32)의 진폭 및 시간 간격이 모두 변경되었으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 제2 신호(32)의 진폭과 시간 간격 중 하나만을 변경하는 구성을 취할 수 있다. 또한, 도 4에 도시된 예에서, 생성기(16d)는 제1 임계값(E1)에 대한 편차의 대소 관계에 따라서 제2 신호(32)의 진폭 및 시간 간격을 변경했지만, 제1 임계값(E1)을 설정하지 않고, 제2 신호(32)의 진폭과 시간 간격 중 하나 이상을 변경하는 구성을 취할 수 있다. 예를 들어, 생성기(16d)는 제1 임계값(E1) 설정없이, 감산기(16a)에 의해 산출된 편차(30)가 작아짐에 따라 제2 신호(32)의 진폭을 작게 하거나 시간 간격을 넓게 하고, 편차(30)가 제2 임계값(E2) 미만인 경우 제2 신호(32)의 출력을 정지하도록 구성을 취할 수 있다. 이 경우, 생성기(16d)는 편차(30)와 제2 신호(32)의 진폭 및 시간 간격 사이의 관계를 나타내는 정보를 사용할 수 있다. 이 정보는 제2 신호의 진폭 및 시간 간격을 각각 변화시켰을 때의 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치의 변화량에 대한 실험 및 시뮬레이션의 결과에 기초하여 미리 획득될 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 실시예의 임프린트 장치(100)는, 위치 정합 처리에서, 구동부의 구동력을 순간적으로 증가시키는 제2 신호(제2 커맨드 값)을 그 사이에 시간 간격을 두고서 제1 신호에 추가하여 결과를 구동부에 공급한다. 이에 의해, 구동부의 구동력이 순간적으로 그리고 이산적으로 증가되고, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치가 효과적으로 변경될 수 있다.
<제2 실시예>
제1 실시예에서, 감산기(16a)에 의해 산출된 편차(30)에 기초하여, 제2 신호(32)의 진폭과 시간 간격 중 하나 이상이 변경되는 제어가 설명되었다. 제2 실시예에서, 위치 정합 처리 중 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 속도(X 및 Y 방향)에 기초하여, 제2 신호(32)의 진폭과 시간 간격 중 하나 이상을 변경하는 제어가 설명된다. 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 속도는, 단위 시간당 상대 위치의 변화량으로서 정의할 수 있고, 이후, 간단히 "상대 속도"로 지칭된다. 또한, 본 실시예에서 임프린트 장치(100)의 디바이스 구성은 제1 실시예와 동일하다. 또한, 본 실시예에서, "상대 속도에 기초하는 제2 신호(32)의 공급 제어"는 제1 실시예에서 설명된 "감산기(16a)에 의해 산출된 편차(30)에 기초하는 제2 신호의 공급 제어"와 함께 수행될 수 있다.
상대 속도가 목표 속도(규정 속도)에 도달하지 않은 경우, 적절한 시간이 위치 정합 처리를 위해 요구되며, 처리량의 관점에서 불리할 수 있다. 이 이유로, 본 실시예의 생성기(16d)(제어부(16))는 상대 속도에 따라, 제2 신호(32)의 진폭과 시간 간격 중 하나 이상을 변경할 수 있다. 예를 들어, 생성기(16d)는 상대 속도가 목표 속도보다 작은지 여부(대소 관계)를 판정하고, 상대 속도가 목표 속도보다 작다고 판정된 경우, 상대 속도와 목표 속도 사이의 차이에 따라, 제2 신호의 진폭을 크게 하고 시간 간격을 좁힐 수 있다. 이때, 생성기(16d)는 상대 속도와 목표 속도 사이의 차이와, 제2 신호의 진폭 및 시간 간격의 변경량 사이의 관계를 나타내는 정보를 사용할 수 있다. 이 정보는 제2 신호의 진폭 및 시간 간격을 각각 변경시켰을 때의 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치의 변화량에 대해서 실험 및 시뮬레이션의 결과에 기초하여 미리 획득될 수 있다.
여기서, 생성기(16d)(제어부(16))는 상대 속도를, 예를 들어 위치 계측 디바이스(17)에서의 계측 결과에 기초하여 획득할 수 있다. 생성기(16d)는 상대 속도를 감산기(16a)에 의해 산출된 편차(30)의 변화량으로부터 추정할 수 있다. 또한, 상대 속도는 몰드(1)와 기판 상의 임프린트재(3) 사이의 압박력에 따라서 변경될 수 있다. 따라서, 생성기(16d)는 몰드(1)와 임프린트재(3) 사이의 압박력을 검출하는 검출부를 임프린트 헤드(11) 또는 기판 스테이지(12)에 제공하고, 검출부에서의 검출 결과에 기초하여 상대 속도를 추정할 수 있다. 또한, 상대 속도는 임프린트 처리를 수행하는 목표 샷 영역의 기판 상의 위치에 따라서 변할 수 있다. 예를 들어, 기판의 에지 부근에서 표면 처리 상태와 오목부와 볼록부의 상태는 중심 부근과 비교해서 상이한 경우가 있고, 그러한 경우, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치를 방해하는 저항력 또한 기판의 에지 부근과 중심 부근 사이에서 상이하다. 따라서, 생성기(16d)는 기판 내의 목표 샷 영역의 위치에 기초하여 상대 속도를 추정할 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 실시예의 임프린트 장치는 상대 속도에 따라, 제2 신호(32)의 진폭과 시간 간격 중 하나 이상을 변경할 수 있다. 결과적으로, 몰드(1)와 기판(2) 사이의 상대 위치를 효과적으로 변경할 수 있다.
<물품의 제조 방법 실시예>
본 발명의 실시예에 따른 물품의 제조 방법은 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스 또는 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시예의 물품 제조 방법은 기판에 공급(도포)된 임프린트재에 패턴을 형성하도록 상술된 임프린트 장치(임프린트 방법)을 사용하는 단계, 및 그 단계에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함한다. 또한, 대응하는 제조 방법은 다른 주지의 단계(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 및 패키징 등)를 포함한다. 본 실시예의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 제조 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
임프린트 장치를 사용하여 성형된 경화재의 패턴은 여러 물품 중 적어도 일부에 대해 영구적으로 사용되고 또는 여러 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 또는, 몰드 등이다. 전기 회로 소자는 휘발성 또는 불휘발성 반도체 메모리, 예를 들어, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM등, 반도체 소자, 예를 들어, LSI, CCD, 촬상 센서, FPGA 등일 수 있다. 몰드는 예를 들어, 임프린트용 몰드일 수 있다.
경화재의 패턴은 상기 물품의 구성 부재의 적어도 일부로서 변경되지 않고 사용되고, 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 레지스트 마스크는 기판 가공 단계에서 에칭, 이온 주입 등이 수행된 이후 제거된다.
이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 5의 참조번호 51에서 도시된 바와 같이, 절연 부재 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼인 기판(1z)이 준비되고, 이어서, 잉크젯 방법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)가 도포된다. 여기에서, 복수의 액적 형상의 임프린트재(3z)가 기판 상에 도포된 상황이 도시된다.
도 5의 참조번호 52에 도시된 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)는 오목부와 볼록부로 이루어진 패턴이 형성된 측이 기판 상의 임프린트재(3z)를 향하도록 배향된다. 도 5의 참조번호 53에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 도포된 기판(1z)과 몰드(4z)가 접촉되고, 압력이 인가된다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충진된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광이 몰드(4z)를 통해 조사하는 경우, 임프린트재(3z)가 경화된다.
도 5의 참조번호54에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후 몰드(4z)와 기판(1z)이 분리되면, 임프린트재(3z)의 경화재의 패턴이 기판(1z) 상에 형성된다. 이 경화재의 패턴은 몰드의 오목부가 경화재의 볼록부에 대응하고 몰드의 볼록부가 경화재의 오목부에 대응하는 형상을 갖고, 즉 몰드(4z)의 오목부와 볼록부로 이루어진 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다.
도 5의 참조번호 55에 도시된 바와 같이, 경화재의 패턴이 내에칭 마스크로서 에칭되는 경우, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화재가 존재하지 않거나 얇게 남아있는 부분이 제거되고, 홈(5z)이 달성된다. 도 5의 참조번호 56에 도시된 바와 같이, 경화재의 패턴이 제거되는 경우, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 달성할 수 있다. 여기에서는 경화재의 패턴이 제거되었으나, 예를 들어, 패턴은 가공 이후 제거되지 않고서 반도체 소자 등에 포함되는 층들 사이의 절연용 막으로서, 즉 물품의 구성 부재로서 사용될 수 있다.
<다른 실시예>
본 발명의 실시예(들)는, 상술된 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할 수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 상술된 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 상술된 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 상술된 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다.
저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)™), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드, 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.　
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시예를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (19)

  1. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드와 상기 기판을 상대적으로 구동하도록 구성된 구동부,
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 상대 위치를 계측하도록 구성된 계측 디바이스, 및
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 위치 정합에 있어서, 상기 계측 디바이스에 의해 계측된 상기 상대 위치와 목표 상대 위치 사이의 편차에 따른 제1 신호에, 상기 구동부의 구동력을 순간적으로 증가시키는 제2 신호를 그 사이에 시간 간격을 두고 합성하여 획득된 신호에 기초하여, 상기 구동부를 제어하도록 구성된 제어부를 포함하는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 편차에 기초하여 상기 제1 신호를 생성하는 보상기, 상기 제2 신호를 생성하는 생성기, 및 상기 제1 신호에 상기 제2 신호를 합성하여 획득된 상기 신호를 상기 구동부에 공급하는 가산기를 포함하는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 구동부의 구동력을 순간적으로 0.1N 이상만큼 증가시키도록 상기 제2 신호의 각각을 생성하는, 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 임펄스 신호를 제2 신호의 각각으로서 생성하는, 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 편차에 따라, 상기 제2 신호의 진폭과 상기 시간 간격 중 하나 이상을 변경하는, 임프린트 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 임계값에 대한 상기 편차의 대소 관계에 따라, 상기 제2 신호의 진폭과 상기 시간 간격 중 하나 이상을 변경하는, 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 편차가 제2 임계값보다 작은 경우, 상기 제2 신호의 생성을 정지하는, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 몰드와 상기 기판 사이의 상대 속도에 따라, 상기 제2 신호의 진폭과 상기 시간 간격 중 하나 이상을 변경하는, 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 위치 정합은, 상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 수행되는, 임프린트 장치.
  10. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 상대 위치를 계측하는 단계, 및
    계측된 상기 상대 위치에 기초하여, 상기 몰드와 상기 기판 사이에 위치 정합을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 위치 정합은, 계측된 상기 상대 위치와 목표 상대 위치 사이의 편차에 따른 제1 신호에, 상기 몰드와 상기 기판을 상대적으로 구동하는 구동력을 순간적으로 증가시키는 제2 신호를 그 사이에 시간 간격을 두고 합성하여 획득된 신호에 기초하여 제어되는, 임프린트 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 위치 정합에서, 상기 몰드 및 상기 기판은 상기 제1 신호에 상기 제2 신호를 합성하여 획득된 상기 신호에 기초하여 상대적으로 구동되는, 임프린트 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 신호의 각각은 구동력을 순간적으로 0.1N 이상만큼 증가시키도록 생성되는, 임프린트 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    임펄스 신호가 상기 제2 신호의 각각으로서 생성되는, 임프린트 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 위치 정합에 있어서, 상기 제2 신호에 대한 진폭과 시간 간격 중 하나 이상이 상기 편차에 따라 변경되는, 임프린트 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 위치 정합에 있어서, 상기 제2 신호에 대한 진폭과 시간 간격 중 하나 이상이 임계값에 대한 상기 편차의 대소 관계에 따라 변경되는, 임프린트 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 위치 정합에 있어서, 상기 제2 신호의 생성은, 상기 편차가 제2 임계값 미만인 경우 정지되는, 임프린트 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 위치 정합에 있어서, 상기 제2 신호에 대한 진폭과 시간 간격 중 하나 이상은 상기 몰드와 상기 기판 사이의 상대 속도에 따라 변경되는, 임프린트 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 위치 정합은 상기 몰드와 상기 기판 상의 상기 임프린트재가 서로 접촉한 상태에서 수행되는, 임프린트 방법.
  19. 물품 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 패턴이 위에 형성된 상기 기판을 처리하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 몰드를 사용하여 상기 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하고,
    상기 몰드와 상기 기판을 상대적으로 구동하도록 구성된 구동부,
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 상대 위치를 계측하도록 구성된 계측 디바이스, 및
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 위치 정합에 있어서, 상기 계측 디바이스에 의해 계측된 상기 상대 위치와 목표 상대 위치 사이의 편차에 따른 제1 신호에, 상기 구동부의 구동력을 순간적으로 증가시키는 제2 신호를 그 사이에 시간 간격을 두고 합성하여 획득된 신호에 기초하여 상기 구동부를 제어하도록 구성된 제어부를 포함하는, 물품 제조 방법.
KR1020180076354A 2017-07-04 2018-07-02 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 KR102301911B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-131489 2017-07-04
JP2017131489A JP6882103B2 (ja) 2017-07-04 2017-07-04 インプリント装置、および物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190004658A true KR20190004658A (ko) 2019-01-14
KR102301911B1 KR102301911B1 (ko) 2021-09-15

Family

ID=64903173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180076354A KR102301911B1 (ko) 2017-07-04 2018-07-02 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11099491B2 (ko)
JP (1) JP6882103B2 (ko)
KR (1) KR102301911B1 (ko)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080076794A (ko) * 2007-02-15 2008-08-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20080091020A (ko) * 2007-04-05 2008-10-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20090109116A (ko) * 2007-02-06 2009-10-19 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법 및 임프린트 장치
JP2011124346A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
KR20130130629A (ko) * 2012-05-22 2013-12-02 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품을 제조하는 방법
US20150290871A1 (en) * 2014-04-15 2015-10-15 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
KR20160007378A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR20160099485A (ko) * 2015-02-12 2016-08-22 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR20160113689A (ko) * 2014-02-04 2016-09-30 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
JP2017063111A (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62235788A (ja) 1986-04-07 1987-10-15 Hitachi Ltd 電歪素子の駆動方法
US7630067B2 (en) 2004-11-30 2009-12-08 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices
US7292326B2 (en) 2004-11-30 2007-11-06 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
US7446854B2 (en) * 2006-02-07 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5279397B2 (ja) * 2008-08-06 2013-09-04 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、およびデバイス製造方法
JP5024464B2 (ja) * 2011-01-31 2012-09-12 株式会社日立製作所 パターン形成方法およびモールド
JP2013021155A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Canon Inc インプリント装置、およびそれを用いた物品の製造方法
JP5687640B2 (ja) * 2012-02-15 2015-03-18 株式会社東芝 インプリント装置およびインプリント方法
JP6590598B2 (ja) * 2015-08-31 2019-10-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090109116A (ko) * 2007-02-06 2009-10-19 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법 및 임프린트 장치
KR20080076794A (ko) * 2007-02-15 2008-08-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20080091020A (ko) * 2007-04-05 2008-10-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2011124346A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
KR20130130629A (ko) * 2012-05-22 2013-12-02 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품을 제조하는 방법
KR20160113689A (ko) * 2014-02-04 2016-09-30 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
US20150290871A1 (en) * 2014-04-15 2015-10-15 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
KR20150118916A (ko) * 2014-04-15 2015-10-23 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR20160007378A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR20160099485A (ko) * 2015-02-12 2016-08-22 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
JP2017063111A (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190011844A1 (en) 2019-01-10
US11099491B2 (en) 2021-08-24
JP6882103B2 (ja) 2021-06-02
KR102301911B1 (ko) 2021-09-15
JP2019016656A (ja) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102023236B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
US10216103B2 (en) Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article
KR20170121707A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품의 제조 방법
KR102295262B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR102536574B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
KR102611179B1 (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법
KR20190003391A (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR102327826B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품의 제조 방법
US10372035B2 (en) Imprint apparatus, and method of manufacturing article
KR20180107725A (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
KR102472501B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
US20230049521A1 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
KR102468188B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법
US11442361B2 (en) Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article
US20220242013A1 (en) Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article
KR102301911B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
JP7495815B2 (ja) インプリント装置および物品製造方法
KR20210146816A (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
US20220269186A1 (en) Measurement apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
KR102330969B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR102231952B1 (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
KR20220160487A (ko) 몰드, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법
KR20210070198A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
KR20210092680A (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR20240100261A (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant