KR102231952B1 - 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102231952B1
KR102231952B1 KR1020170109095A KR20170109095A KR102231952B1 KR 102231952 B1 KR102231952 B1 KR 102231952B1 KR 1020170109095 A KR1020170109095 A KR 1020170109095A KR 20170109095 A KR20170109095 A KR 20170109095A KR 102231952 B1 KR102231952 B1 KR 102231952B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vibration
unit
processing unit
lithographic apparatus
substrate
Prior art date
Application number
KR1020170109095A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180027341A (ko
Inventor
데츠지 오카다
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20180027341A publication Critical patent/KR20180027341A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102231952B1 publication Critical patent/KR102231952B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Vibration Prevention Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

처리부의 진동을 제어하는 데 유리한 리소그래피 장치를 제공한다.
리소그래피 장치는, 기초부에 있어서의 복수의 부분에 의해 지지되고, 패턴을 기판에 형성하는 처리를 행하는 처리부와, 상기 처리부에 힘을 가하는 구동부와, 상기 기초부의 일부분의 진동을 검출하는 검출부와, 상기 구동부의 제어를 행하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 일부분으로부터 상기 복수의 부분을 통해 상기 처리부까지의 복수의 진동 각각의 전달 특성과 상기 검출부의 출력에 기초하여, 상기 제어를 행한다.

Description

리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법{LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치에서는, 패턴을 기판에 형성하는 처리를 행하는 처리부가 지지되어 있는 기초부(베이스 정반) 위에, 당해 처리부와 상이한 기구가 설치되는 경우가 있다. 이와 같은 구성의 리소그래피 장치에서는, 예를 들어 당해 기구에서 발생한 진동이 기초부를 통해 처리부에 전해지면, 처리부에 있어서 오버레이 정밀도나 전사 정밀도가 저하될 수 있다. 그 때문에, 리소그래피 장치에서는, 처리부에 힘을 가하는 액추에이터를 설치하여, 당해 기구로부터 기초부를 통해 처리부에 전해지는 진동이 저감되도록 액추에이터를 제어하는 것이 바람직하다.
특허문헌 1에는, 공통의 고정대(기초부)에 설치된 제1 리소그래피 장치(처리부) 및 제2 리소그래피 장치(기구)를 갖는 리소그래피 시스템이 개시되어 있다. 당해 리소그래피 시스템에서는, 제2 리소그래피 장치에 있어서의 이동체의 구동에 의해 발생하여, 고정대를 통해 제1 리소그래피 장치의 제진(除振) 대상물에 전해지는 진동을 저감하도록, 당해 이동체의 구동 지시 정보에 기초해서, 당해 제진 대상물에 가하는 힘이 제어된다.
일본 특허 공개 제2012-142542호 공보
처리부의 진동을 저감하는 방법으로서는, 기초부의 일부분의 진동을 검출하는 검출부를 설치하고, 검출부에서의 검출 결과에 기초하여, 기초부의 진동에 기인하는 처리부의 진동이 저감되도록 액추에이터를 제어하는 방법이 있다. 그러나, 기초부에 있어서의 복수의 부분에 의해 처리부가 지지되어 있을 경우, 검출부에 의해 검출된 기초부의 일부분의 진동은, 당해 복수의 부분을 개재함으로써 복수의 진동으로서 처리부에 전해진다. 그 때문에, 기초부의 일부분의 진동이 검출부에 의해 검출되고 나서 처리부에 전해질 때까지의 전달 특성(시간이나 크기)을 복수의 진동 각각에 대하여 고려하지 않으면, 처리부의 진동 제어가 불충분해질 수 있다.
그래서, 본 발명은 처리부의 진동을 제어하는 데 유리한 리소그래피 장치를 제공하는 것을 예시적 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일측면으로서의 리소그래피 장치는, 기초부에 있어서의 복수의 부분에 의해 지지되고, 패턴을 기판에 형성하는 처리를 행하는 처리부와, 상기 처리부에 힘을 가하는 구동부와, 상기 기초부의 일부분의 진동을 검출하는 검출부와, 상기 구동부의 제어를 행하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 일부분으로부터 상기 복수의 부분을 통해 상기 처리부까지의 복수의 진동 각각의 전달 특성과 상기 검출부의 출력에 기초하여, 상기 제어를 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 추가적인 목적 또는 기타의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 밝혀질 것이다.
본 발명에 따르면, 예를 들어 처리부의 진동을 제어하는 데 유리한 리소그래피 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2는 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태의 임프린트 장치를 도시하는 개략도이다.
도 3은 제2 전달 함수를 구할 때의 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 4는 물품의 제조 방법을 도시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재 내지 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 이하의 실시 형태에서는, 리소그래피 장치로서, 몰드를 사용하여 기판 위에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 사용하여 설명하지만, 그것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치나, 하전 입자선을 기판에 조사하여 당해 기판에 패턴을 형성하는 묘화 장치 등의 리소그래피 장치에 있어서도, 본 발명을 적용할 수 있다.
[임프린트 장치의 구성]
임프린트 장치는, 기판 위에 공급된 임프린트재와 형을 접촉시켜, 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 임프린트 장치는, 반도체 디바이스 등의 제조에 사용되고, 요철의 패턴이 형성된 몰드를 사용하여, 기판의 샷 영역 위에 공급된 임프린트재에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 예를 들어, 임프린트 장치는, 패턴이 형성된 몰드를 기판 위의 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 당해 임프린트재를 경화시킨다. 그리고, 임프린트 장치는, 몰드와 기판 사이의 간격을 넓혀, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 박리(이형)함으로써, 임프린트재에 패턴을 형성할 수 있다.
임프린트재를 경화하는 방법에는, 열을 사용하는 열 사이클법과 광을 사용하는 광경화법이 있고, 여기에서는, 광경화법을 채용한 예에 대하여 설명한다. 광경화법이란, 임프린트재로서 미경화된 자외선 경화 수지를 기판 위에 공급하고, 몰드와 임프린트재를 접촉시킨 상태에서 임프린트재에 광(자외선)을 조사함으로써 당해 임프린트재를 경화시키는 방법이다.
임프린트재에는, 경화용 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 부르는 경우도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10㎚ 이상 1㎜ 이하의 범위에서 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이다.
경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 혹은, 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이 중, 광에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시재를 적어도 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다.
임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 위에 막 형상으로 부여된다. 혹은, 액체 분사 헤드에 의해, 액적 형상, 혹은 복수의 액적이 연결되어 이루어진 섬 형상 또는 막 형상이 되어 기판 위에 부여되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에 있어서의 점도)는, 예를 들어 1m㎩·s 이상 100m㎩·s 이하이다.
도 1은 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는 기판(2)에 패턴을 형성하는 처리(임프린트 처리)를 행하는 처리부(10)와, 베이스 정반(5)(기초부)의 진동에 기인하는 처리부(10)의 진동을 저감하는 진동 저감부(20)를 포함한다. 이하에서는, 기판(2)에 조사되는 광의 광축에 평행한 방향을 Z 방향으로 하고, Z 방향에 수직인 평면 내에서 서로 직교하는 2개의 방향을 X 방향 및 Y 방향으로 한다.
여기서, 임프린트 장치(100)에 사용되는 몰드(1)는 외주 형상이 직사각형이며, 기판(2)에 대향하는 면에, 삼차원 형상의 요철 패턴이 형성된 패턴부(1a)를 포함한다. 몰드(1)의 재료로서는, 예를 들어 석영 등, 자외선을 투과시키는 것이 가능한 재료가 사용될 수 있다. 또한, 기판(2)으로서는, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그 표면에 기판과는 별도의 재료를 포함하는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판(2)으로서는, 구체적으로, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이다. 또한, 임프린트재의 부여 전에, 필요에 따라, 임프린트재와 기판의 밀착성을 향상시키기 위해 밀착층을 형성해도 된다.
먼저, 처리부(10)의 구성에 대하여 설명한다. 처리부(10)는 광조사부(11)와, 몰드 보유 지지부(12)와, 기판 스테이지(13)와, 공급부(14)와, 계측부(15)와, 제어부(16)를 포함하고, 제어부(16) 이외의 각 구성 요소는 하우징(17)의 내부에 설치될 수 있다. 제어부(16)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 포함하고, 처리부(10)에 있어서의 각 구성 요소를 제어한다.
광조사부(11)는 임프린트 처리 시에, 몰드(1)와 기판 위의 임프린트재(3)를 접촉시킨 상태에 있어서, 광(4)(자외선)을 몰드(1)를 통해 기판 위의 임프린트재(3)에 조사하여, 당해 임프린트재(3)를 경화시킨다. 광조사부(11)는, 예를 들어 임프린트재(3)를 경화시키는 광(4)을 사출하는 광원(111)과, 광원(111)으로부터 사출된 광(4)을 임프린트 처리에 있어서 최적인 광으로 조정하기 위한 광학 소자(112)를 포함할 수 있다.
몰드 보유 지지부(12)는 임프린트 처리 시, 몰드(1)와 기판 위의 임프린트재(3)를 접촉시키거나 박리시키거나 하도록 몰드(1)를 Z 방향으로 구동한다. 몰드 보유 지지부(12)는 진공 흡착력 등에 의해 몰드(1)를 흡착 보유 지지하는 몰드 척(121)과, 몰드(1)(몰드 척(121))를 Z 방향으로 구동하는 몰드 구동부(122)를 포함한다. 또한, 몰드 척(121) 및 몰드 구동부(122)는, 각각의 중심부(내측)에 개구 영역을 갖고 있으며, 광조사부(11)로부터의 광(4)이 몰드(1)를 개재하여 기판(2)에 조사되도록 구성되어 있다.
기판 스테이지(13)는, 임프린트 처리 시, 몰드(1)와 기판(2)의 위치 정렬이 행해지도록, 기판(2)을 X 방향 및 Y 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 기판 스테이지(13)는, 예를 들어 진구 흡착력 등에 의해 기판(2)을 흡착 보유 지지하는 기판 척(131)과, 기판(2)(기판 척(131))을 X 방향 및 Y 방향으로 구동하는 기판 구동부(132)를 포함한다.
공급부(14)는 기판 위에 임프린트재(3)(미경화 수지)를 공급(도포)한다. 상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)에서는, 광(자외선)의 조사에 의해 경화되는 성질을 갖는 자외선 경화 수지가 임프린트재(3)로서 사용된다. 계측부(15)는, 예를 들어 촬상 소자를 갖는 스코프를 포함하고, 몰드 위의 마크 및 기판 위의 마크를 검출하여, 몰드(1)와 기판(2)의 상대 위치를 계측한다.
또한, 처리부(10)와 베이스 정반(5)의 사이에는 복수의 지지 부재(18)가 설치되어 있고, 처리부(10)는 복수의 지지 부재(18)를 개재하여, 베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51)에 의해 지지되어 있다. 즉, 처리부(10)는 베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51)에 각각 지지된 복수의 지지 부재(18)를 개재하여 지지되어 있다. 복수의 지지 부재(18)는, 예를 들어 스프링 또는 댐퍼 특성을 갖고서 처리부(10)를 탄성적으로 지지하고, 베이스 정반(5)으로부터 처리부(10)에 전해지는 진동을 수동적으로 저감시키는 진동 저감 수단으로서 기능한다.
다음으로 진동 저감부(20)에 대하여 설명한다. 진동 저감부(20)는 베이스 정반(5)의 일부분의 진동을 검출하는 검출부(21)와, 처리부(10)를 구동하는(처리부(10)에 힘을 가함) 구동부(22)와, 검출부(21)에서의 검출 결과에 기초하여 구동부(22)의 피드 포워드 제어를 행하는 피드 포워드 제어부(23)를 포함한다. 이하에서는, 피드 포워드 제어부(23)를 FF 제어부(23)라 부른다.
검출부(21)는 진동을 검출해야 할 베이스 정반(5)의 일부분(검출 대상 개소)에 고정된 가속도 센서나 속도 센서, 변위 센서 등의 센서를 포함하고, 당해 센서로부터의 출력에 기초하여 검출 대상 개소의 진동을 검출하도록 구성된다. 또한, 검출부(21)는 베이스 정반(5)의 검출 대상 개소에 광을 조사하고, 반사된 광을 사용하여 검출 대상 개소의 변위(예를 들어 Z 방향)를 검출하는 레이저 간섭계를 포함하고, 레이저 간섭계로부터의 출력에 기초하여 검출 대상 개소의 진동을 검출하도록 구성되어도 된다.
구동부(22)는 처리부(10)(하우징(17))와 베이스 정반(5)의 사이에 배치된 복수의 액추에이터(24)를 포함한다. 복수의 액추에이터(24)는, 베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51)의 각각에 대하여(관하여) 적어도 하나씩 설치되도록, 즉, 복수의 지지 부재(18)의 각각의 근방에 적어도 하나씩 설치되도록 배치된다. 그리고, 복수의 액추에이터(24)는 FF 제어부(23)로부터의 지령값에 따라서 처리부(10)에 힘을 가해(처리부(10)에 작용을 부여해), 베이스 정반(5)으로부터 처리부(10)에 전해지는 진동을 능동적으로 저감시키는 진동 저감 수단으로서 기능한다.
FF 제어부(23)는, 검출부(21)의 검출 결과(출력 신호)에 기초하여, 베이스 정반(5)의 진동에 기인하는 처리부(10)의 진동이 저감되도록 구동부(22)의 각 액추에이터(24)를 피드 포워드 제어한다. FF 제어부(23)는 자기 기억 매체 등의 기억부를 갖는 컴퓨터 또는 시퀀서 등으로 구성되고, 프로그램 또는 시퀀스에 의해 구동부(22)를 제어한다. 또한, 본 실시 형태의 FF 제어부(23)는 후술하는 연산기가 갖는 전달 특성(전달 시간, 전달 함수)의 도출 및 관리도 행할 수 있다. FF 제어부(23)에서 행해지는 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
여기서, 임프린트 장치(100)의 처리부(10)에 있어서의 임프린트 처리에 대하여 설명한다. 당해 임프린트 처리는, 제어부(16)에 의해 제어된다. 제어부(16)는 기판(2)이 공급부(14) 아래에 배치되도록 기판 스테이지(13)를 제어하고, 기판 위의 복수의 샷 영역 중 임프린트 처리를 행하는 대상의 샷 영역(대상 샷 영역)에 임프린트재(3)를 공급하도록 공급부(14)를 제어한다. 그리고, 제어부(16)는 임프린트재(3)가 공급된 대상 샷 영역이 몰드(1)의 아래에 배치되도록 기판 스테이지(13)를 제어한다.
이어서, 제어부(16)는 몰드 보유 지지부(12)에 의해 몰드(1)와 기판 위의 임프린트재(3)를 접촉시켜, 몰드(1)와 기판 위의 임프린트재(3)가 접촉되어 있는 상태에 있어서, 계측부(15)의 계측 결과에 기초하여 몰드(1)와 기판(2)의 위치 정렬을 행한다. 그리고, 제어부(16)는 몰드(1)와 접촉되어 있는 상태의 기판 위의 임프린트재(3)에 광조사부(11)에 의해 광을 조사하여 당해 임프린트재(3)를 경화시킨 후, 경화된 임프린트재(3)로부터 몰드(1)를 박리시키도록 몰드 보유 지지부(12)를 제어한다. 이에 의해, 기판(1)의 대상 샷 영역 위의 임프린트재(3)에 요철 패턴을 형성할 수 있다.
<제1 실시 형태>
이어서, 본 발명에 관한 제1 실시 형태의 임프린트 장치(200a)에 대하여 설명한다. 제1 실시 형태의 임프린트 장치(200a)는 스루풋을 향상시키기 위해, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 복수의 처리부(10)가 공통의(동일한) 베이스 정반(5)에 의해 지지된 소위 클러스터형으로 구성된다. 도 2의 (a)는 제1 처리부(10a) 및 제2 처리부(10b)가 공통의 베이스 정반(5)에 의해 지지된 클러스터형 임프린트 장치(200a)의 구성예를 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(200a)에서는, 제1 처리부(10a) 및 제2 처리부(10b)의 각각에 진동 저감부(20)가 설치되고, 베이스 정반(5)으로부터 제1 처리부(10a) 및 제2 처리부(10b)의 각각에 전해지는 진동을 개별로 제어할 수 있게 구성되어 있다.
제1 처리부(10a)(하우징(17a))는 베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51a)에 의해 복수의 지지 부재(18a)를 개재하여 지지되어 있고, 당해 복수의 부분(51a)으로부터 제1 처리부(10a)에 전해지는 진동이 제1 진동 저감부(20a)에 의해 제어된다. 제1 진동 저감부(20a)는 검출부(21)와, 구동부(22a)(복수의 액추에이터(24a))와, FF 제어부(23a)를 포함한다. 또한, 제2 처리부(10b)(하우징(17b))는 베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51b)에 의해 복수의 지지 부재(18b)를 개재하여 지지되어 있고, 당해 복수의 부분(51b)으로부터 제2 처리부(10b)에 전해지는 진동이 제2 진동 저감부(20b)에 의해 제어된다. 제2 진동 저감부(20b)는 검출부(21)와, 구동부(22b)(복수의 액추에이터(24b))와, FF 제어부(23b)를 포함한다. 각 부에 있어서의 기능은, 상술한 바와 같다.
여기서, 제1 실시 형태에 있어서의 제1 진동 저감부(20a) 및 제2 진동 저감부(20b)는 공통의 검출부(21)를 포함하고, 당해 검출부(21)의 출력 신호가, 제1 진동 저감부(20a)의 FF 제어부(23a) 및 제2 진동 저감부(20b)의 FF 제어부(23b)에 있어서 공통으로 사용된다. 검출부(21)는 제1 처리부(10a)와 제2 처리부(10b)의 사이에 있어서의 베이스 정반(5)의 일부분(검출 대상 개소)의 진동을 검출하도록 배치된다. 이에 의해, 검출부(21)는 제2 처리부(10b)에서 발생하여 베이스 정반(5)을 통해 제1 처리부(10a)에 전해지는 진동, 및 제1 처리부(10a)에서 발생하여 베이스 정반(5)을 통해 제2 처리부(10b)에 전해지는 진동을 각각 검출할 수 있다. 제1 처리부(10a) 및 제2 처리부(10b)의 각각에서는, 예를 들어 임프린트 처리에 있어서 몰드 보유 지지부(12)나 기판 스테이지(13) 등의 이동체를 구동함으로써 진동이 발생할 수 있다. 즉, 제1 처리부(10a) 및 제2 처리부(10b)가 각각 진동원이 될 수 있다.
이와 같은 구성의 임프린트 장치(200a)에서는, 제1 처리부(10a) 및 제2 처리부(10b)의 한쪽에서 발생한 진동이 베이스 정반(5)을 통해 다른 쪽에 전해지면, 당해 다른 쪽에서의 오버레이 정밀도나 전사 정밀도가 저하될 수 있다. 그 때문에, 제1 진동 저감부(20a)에서는, FF 제어부(23a)가 검출부(21)의 검출 결과(출력)에 기초하여, 베이스 정반(5)의 진동에 기인하는 제1 처리부(10a)의 진동이 저감되도록 구동부(22a)(복수의 액추에이터(24a))를 제어한다. 마찬가지로, 제2 진동 저감부(20b)에서는, FF 제어부(23b)가 검출부(21)의 검출 결과에 기초하여, 베이스 정반(5)의 진동에 기인하는 제2 처리부(10b)의 진동이 저감되도록 구동부(22b)(복수의 액추에이터(24b))를 제어한다.
그러나, 본 실시 형태의 임프린트 장치(200a)에서는, 제1 처리부(10a)에 착안했을 경우, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제1 처리부(10a)는 베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51a)에 의해, 복수의 지지 부재(18a)를 개재하여 지지되어 있다. 당해 복수의 부분(51a)은, 검출부(21)에 의해 진동이 검출되는 베이스 정반(5)의 검출 대상 개소로부터의 거리가 서로 상이한 적어도 2개의 부분(부분(51a1), 부분(51a2))을 포함한다. 그리고, 이렇게 구성된 임프린트 장치(200a)에서는, 제2 처리부(10b)에서 발생하여 베이스 정반(5)에 전해진 진동은, 검출부(21)로 검출된 후, 베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51a)의 각각을 통해 제1 처리부(10a)에 전해진다. 즉, 제2 처리부(10b)에서 발생하여 검출부(21)로 검출된 진동은, 베이스 정반(5)의 복수의 부분(51a)의 각각을 통함으로써, 제1 처리부(10a)에 전해지는 타이밍이나 크기 등이 서로 상이한 복수의 진동으로서 제1 처리부(10a)에 전해진다. 따라서, 베이스 정반(5)의 검출 대상 개소의 진동이 검출부(21)로 검출되고 나서 제1 처리부(10a)에 전해질 때까지의 전달 특성(시간이나 크기)을 복수의 진동 각각에 대하여 고려하지 않으면, 제1 처리부(10a)의 진동 제어가 불충분해질 수 있다. 그래서, 제1 진동 저감부(20a)의 FF 제어부(23a)는, 복수의 진동 각각의 전달 특성과 검출부(21)의 출력(검출 결과)에 기초하여, 구동부(22a)를 제어한다. 또한, 제2 처리부(10b)에 착안한 경우에 있어서도 마찬가지이다.
[FF 제어부의 처리에 대해서]
이하에, 제1 진동 저감부(20a)의 FF 제어부(23a)의 구성 및 처리에 대하여 설명한다. FF 제어부(23a)는, 예를 들어 제1 연산기(25a)와, 복수의 제2 연산기(26a)와, 복수의 제3 연산기(27a)를 갖는다. 복수의 제2 연산기 및 복수의 제3 연산기는 각각, 구동부(22a)에 있어서의 복수의 액추에이터(24a)에 각각 대응하도록 설치될 수 있다. 도 2의 (a)에 도시하는 예에서는, 구동부(22a)에 있어서의 2개의 액추에이터(24a1, 24a2)에 각각 대응하도록, 2개의 제2 연산기(26a1, 26a2) 및 2개의 제3 연산기(27a1, 27a2)가 설치되어 있다.
여기서, 이하의 설명에서는, 베이스 정반(5)에 지지되며 또한 진동이 발생하는 기구(진동원)로서, 제1 처리부(10a)와 마찬가지의 구성을 갖는 제2 처리부(10b)를 예시하지만, 그것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 몰드(1)나 기판(2)을 반송하는 반송부(반송 아암) 등도, 당해 기구의 대상이 될 수 있다. 또한, 제1 처리부(10a)에서 발생하는 진동, 및 제2 처리부(10b)에서 발생하는 진동은 모두, 몰드 보유 지지부(12)나 기판 스테이지(13) 등의 이동체를 구동한 것에 기인하여 발생하는 진동이며, 서로 공통의 주파수 대역을 포함한다.
제1 연산기(25a)는 검출부(21)의 출력 신호(30) 중 제1 처리부(10a)에서 발생한 진동에 기인하는 신호 성분을 추정(산출)하고, 검출부(21)의 출력 신호(30)로부터 당해 신호 성분을 제거한 제1 신호(32)를 출력한다. 이러한 처리를 행하는 제1 연산기(25a)를 설치하는 것은, 제2 처리부(10b)에서 발생한 진동에 기인하는 베이스 정반(5)의 진동뿐만 아니라, 제1 처리부(10a)에서 발생한 진동에 기인하는 베이스 정반(5)의 진동도 검출부(21)에 의해 동시에 검출되기 때문이다.
제1 처리부(10a)에서 발생한 진동은, 제1 처리부(10a)를 중심으로 하여 동심원 형상으로 외측을 향하여 베이스 정반(5)을 전파하기 때문에, 검출부(21)에 의해 검출된 후에는 제1 처리부(10a)에 전해지지 않는다. 따라서, 검출부(21)의 출력 신호(30)를 가공하지 않고 그대로 사용하면, 제2 처리부(10b)에서 발생한 진동뿐만 아니라, 제1 처리부(10a)에서 과거에 발생한 진동에도 기초하여 구동부(22a)를 제어하게 되어, 제1 처리부(10a)의 진동 제어가 불충분해질 수 있다. 그 때문에, 제1 연산기(25a)는 검출부(21)로 검출된 베이스 정반(5)의 진동(검출부(21)의 출력 신호(30)) 중 제1 처리부(10a)에서 발생한 진동에 기인하는 진동 성분(신호 성분)을 구한다. 그리고, 검출부(21)로 검출된 베이스 정반(5)의 진동으로부터 당해 진동 성분을 제거한 결과에 기초하여 구동부(22a)를 제어한다.
예를 들어, 제1 연산기(25a)는 제1 처리부(10a)의 이동체를 구동하기 위한 구동 지령값(31)(예를 들어 전류값)을 제어부(16a)로부터 취득한다. 그리고, 검출부(21)의 출력 신호 중, 당해 이동체의 구동에 의해 제1 처리부(10a)에서 발생한 진동에 기인하는 신호 성분을, 제어부(16a)로부터 취득한 구동 지령값(31)에 기초하여 추정한다. 구체적으로는, 제1 연산기(25a)는 구동 지령값(31)에 기초하여 당해 신호 성분의 추정을 행하기 위한 제1 전달 함수의 정보를 갖고, 제어부(16a)로부터 취득한 구동 지령값(31)에 제1 전달 함수를 곱함으로써 당해 신호 성분을 추정한다. 또한, 제1 연산기(25a)는 추정한 신호 성분을 검출부(21)의 출력 신호로부터 제거(감산)한 신호를 제1 신호(32)로서 출력한다. 이에 의해, 제1 처리부(10a)에서 과거에 발생한 진동에 기초하여 구동부(22a)를 제어하는 것을 회피할 수 있다.
제1 전달 함수는, 제1 처리부(10a)의 이동체를 구동하기 위한 구동 지령값(31)을 입력으로 하고, 검출부(21)의 출력 신호 중 제1 처리부(10a)에서 발생한 진동에 기인하는 신호 성분을 출력으로 하는 전달 함수이며, 임프린트 처리를 행하기 전에 사전에 구해질 수 있다. 예를 들어, 제2 처리부(10b)에서 진동을 발생시키지 않은 상태(이동체를 구동하고 있지 않은 상태)에 있어서, 구동 지령값(31)에 따라서 제1 처리부(10a)의 이동체를 구동함으로써 제1 처리부(10a)에서 진동을 발생시켜, 베이스 정반(5)의 진동을 검출부(21)에 검출시킨다. 이때의 구동 지령값(31)과 검출부(21)의 출력 신호(30)에 기초하여 제1 전달 함수를 구할 수 있다.
여기서, 제1 연산기(25a)는 제1 처리부(10a)의 이동체에 구동 지령값(31)을 공급하고 나서, 제1 처리부(10a)에서 발생한 진동에 기인하는 베이스 정반(5)의 진동을 검출부(21)가 검출할 때까지의 시간을 고려하여, 구동 지령값(31)을 제어부(16a)로부터 취득하면 된다. 즉, 제1 연산기(25a)는 검출부(21)가 베이스 정반(5)의 진동을 검출했을 때보다 당해 시간만큼 이전에 이동체에 공급된 구동 지령값(31)을 제어부(16a)로부터 취득하면 된다. 당해 시간은, 제1 전달 함수를 구하기 위한 상기의 공정에 있어서 얻을 수 있다.
이어서, 복수의 제2 연산기(26a)는 각각, 제1 연산기(25a)로부터 출력된 제1 신호(32)에 기초하여, 검출부(21)로 검출된 베이스 정반(5)의 진동이 제1 처리부(10a)에 전해지는 것에 의해 발생할 수 있는 제1 처리부(10a)의 진동(크기)을 추정한다. 구체적으로는, 각 제2 연산기(26a)는 제1 신호(32)에 기초하여 제1 처리부(10a)의 진동을 추정하기 위한 제2 전달 함수의 정보를 전달 특성으로서 개별로 갖는다. 그리고, 제1 연산기(25a)로부터 출력된 제1 신호(32)에 제2 전달 함수를 곱함으로써 추정된 제1 처리부(10a)의 진동을 진동 정보(33)로서 개별로 출력한다.
예를 들어, 제2 연산기(26a1)는, 검출부(21)로 검출된 베이스 정반(5)의 진동이 지지 부재(18a1)(부분(51a1))를 통해 제1 처리부(10a)에 전해짐으로써 발생할 수 있는 제1 처리부(10a)의 진동을, 제1 신호(32)에 기초하여 추정하기 위한 제2 전달 함수를 갖는다. 그리고, 제2 연산기(26a1)는, 제1 신호(32)에 당해 제2 전달 함수를 곱함으로써 추정된 제1 처리부(10a)의 진동을 진동 정보(331)로서 출력한다. 마찬가지로, 제2 연산기(26a2)는, 검출부(21)로 검출된 베이스 정반(5)의 진동이 지지 부재(18a2)(부분(51a2))를 통해 제1 처리부(10a)에 전해짐으로써 발생할 수 있는 제1 처리부(10a)의 진동을, 제1 신호(32)에 기초하여 추정하기 위한 제2 전달 함수를 갖는다. 그리고, 제2 연산기(26a2)는, 제1 신호(32)에 당해 제2 전달 함수를 곱함으로써 추정된 제1 처리부(10a)의 진동을 진동 정보(332)로서 출력한다.
제2 전달 함수는, 제1 연산기(25a)로부터 출력된 제1 신호(32)를 입력으로 하고, 검출부(21)로 검출된 베이스 정반(5)의 진동에 기인하는 제1 처리부(10a)의 진동을 출력으로 하는 전달 함수이며, 임프린트 처리를 행하기 전에 사전에 구해질 수 있다. 제2 전달 함수를 구할 때에는, 지지 부재(18a)(부분(51a))를 통해 제1 처리부(10a)에 전해지는 진동을 검출하는 진동계(예를 들어 가속 센서(도시하지 않음))가 사용될 수 있다. 당해 진동계는, 복수의 지지 부재(18a)의 각각에 대하여 설치될 수 있다. 또한, 제2 전달 함수를 구하는 처리는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 검출부(21)와 각 지지 부재(18a)에 대하여 설치된 진동계에 접속된 FFT 애널라이저(28)에 의해 행해질 수 있다. 도 3에 도시하는 FFT 애널라이저(28)는 FF 제어부(23a)의 구성 요소로 하고 있지만, 그것에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 제1 처리부(10a)에서 진동을 발생시키고 있지 않은 상태(이동체를 구동하고 있지 않은 상태)에 있어서, 제2 처리부(10b)의 이동체를 구동함으로써 제2 처리부(10b)에서 진동을 발생시킨다. 그리고, 제2 처리부(10b)에서 발생한 진동에 기인하는 베이스 정반(5)의 진동을 검출부(21)에 검출시킴과 함께, 각 지지 부재(18a)에 설치된 진동계에, 각 지지 부재(18a)를 개재하여 제1 처리부(10a)에 전해지는 진동을 검출시킨다. 이때의 검출부(21)의 출력 신호와 각 지지 부재(18a)에 설치된 진동계의 출력 신호에 기초하여, 제2 전달 함수를, 복수의 지지 부재(18a)의 각각(베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51a)의 각각)에 대하여 개별로 구할 수 있다.
여기서, 제2 전달 함수를 구하기 위한 상기의 공정은, 복수회 행해져도 되고, 그것에 의해 얻어진 복수의 결과를 평균화함으로써 제2 전달 함수를 구해도 된다. 또한, 제2 전달 함수를 구하기 위한 상기의 공정에서는, 제2 처리부(10b)의 이동체를 구동할 때의 가속도를, 통상의 임프린트 처리에서 사용되는 가속도보다 크게 하면 된다. 이에 의해, 검출부(21) 및 각 지지 부재(18a)의 진동계의 S/N비를 크게 할 수 있어, 제2 전달 함수를 고정밀도로 구할 수 있다.
또한, 제2 전달 함수를 구하기 위한 상기의 공정에서는, 베이스 정반(5)의 진동이 검출부(21)로 검출되고 나서 복수의 지지 부재(18a)(복수의 부분(51a))를 통해 제1 처리부(10a)에 전해질 때까지의 복수의 전달 시간을 나타내는 시간 정보를 전달 특성으로서 얻을 수 있다. 도 2의 (a)에 도시하는 예에서는, 시간 정보는, 베이스 정반(5)의 진동이 검출부(21)로 검출되고 나서, 지지 부재(18a1)를 통해 제1 처리부(10a)에 전해질 때까지의 제1 전달 시간과, 지지 부재(18a2)를 통해 제1 처리부(10a)에 전해질 때까지의 제2 전달 시간을 포함할 수 있다. 이 시간 정보는, 복수의 제3 연산기(27a)에 의해 사용된다.
이어서, 복수의 제3 연산기(27a)는 각각, 각 제2 연산기(26a)로부터 출력된 진동 정보(33)에 기초하여, 각 액추에이터(24a)에 공급해야 할 지령값(34)(예를 들어 전류값)을 생성하고, 생성된 지령값(34)으로 각 액추에이터(24a)를 제어한다. 이때, 복수의 제3 연산기(27a)는 검출부(21)가 베이스 정반(5)의 진동을 검출하고 나서 시간 정보에 있어서의 각 전달 시간이 경과한 각 타이밍에 있어서 당해 진동에 기인하는 제1 처리부(10a)의 진동의 저감이 개시되도록, 각 액추에이터(24a)를 제어한다.
예를 들어, 제3 연산기(27a1)는, 제2 연산기(26a1)로부터 출력된 진동 정보(331)에, (K/s2+C/s)를 곱함으로써, 액추에이터(24a1)가 제1 처리부(10a)에 가해야 할 힘 정보를 구한다. K는 지지 부재의 스프링 상수, C는 지지 부재의 감쇠 정수, s는 라플라스 연산자이다. 그리고, 제3 연산기(27a1)는, 구한 힘 정보에 액추에이터(24a1)의 응답 특성의 역수를 곱하여 얻어진 값의 부호를 반전시킴으로써, 액추에이터(24a1)에 공급해야 할 지령값(341)을 생성하고, 당해 지령값(341)으로 액추에이터(24a1)를 제어한다. 이때, 제3 연산기(27a1)는, 시간 정보에 있어서의 복수의 전달 시간 중, 베이스 정반(5)의 진동이 검출부(21)로 검출되고 나서 지지 부재(18a1)를 통해 제1 처리부(10a)에 전해질 때까지의 제1 전달 시간에 기초하여, 액추에이터(24a1)를 제어한다. 즉, 제3 연산기(27a1)는, 검출부(21)가 베이스 정반(5)의 진동을 검출하고 나서 제1 전달 시간이 경과한 타이밍에 있어서 당해 진동에 기인하는 제1 처리부(10a)의 진동의 저감이 개시되도록, 지령값(341)으로 액추에이터(24a1)를 제어한다.
마찬가지로, 제3 연산기(27a2)는, 제2 연산기(26a2)로부터 출력된 진동 정보(332)에 기초하여, 액추에이터(24a2)가 제1 처리부(10a)에 가해야 할 힘 정보를 구한다. 그리고, 제3 연산기(27a2)는, 구한 힘 정보에 기초하여, 액추에이터(24a2)에 공급해야 할 지령값(342)을 생성하고, 당해 지령값(342)으로 액추에이터(24a2)를 제어한다. 이때, 제3 연산기(27a2)는, 시간 정보에 있어서의 복수의 전달 시간 중, 베이스 정반(5)의 진동이 검출부(21)로 검출되고 나서 지지 부재(18a2)를 통해 제1 처리부(10a)에 전해질 때까지의 제2 전달 시간에 기초하여, 액추에이터(24a2)를 제어한다. 즉, 제3 연산기(27a2)는, 검출부(21)가 베이스 정반(5)의 진동을 검출하고 나서 제2 전달 시간이 경과한 타이밍에 있어서 당해 진동에 기인하는 제1 처리부(10a)의 진동의 저감이 개시되도록, 지령값(342)으로 액추에이터(24a2)를 제어한다.
여기서, 각 액추에이터(24a)에는, 지령값(34)이 공급되고 나서 당해 지령값(34)에 따른 동작을 개시할 때까지 지연(응답 지연)이 발생할 수 있다. 그 때문에, 제3 연산기(27a1)는, 액추에이터(24a1)의 응답 지연을 나타내는 정보에 기초하여, 지령값(341)의 공급 타이밍을 조정하면 된다. 제3 연산기(27a2)에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 각 액추에이터(24a)의 응답 지연을 나타내는 정보는, 임프린트 처리를 행하기 전에 사전에 계측될 수 있다.
이렇게 FF 제어부(23a)를 구성함으로써, 검출부(21)로 검출되고 나서 베이스 정반(5)에 있어서의 복수의 부분(51a)을 통해 서로 상이한 타이밍 및 크기로 제1 처리부(10a)에 전해지는 복수의 진동을, 고정밀도로 저감시킬 수 있다. 여기서, 제2 진동 저감부(20b)의 FF 제어부(23b)에 있어서의 구성 및 처리는, 제1 진동 저감부(20a)의 FF 제어부(23a)와 마찬가지이기 때문에, FF 제어부(23b)의 상세한 설명에 대해서는 생략한다. 제2 진동 저감부(20b)의 FF 제어부(23b)는 제1 연산기(25b), 복수의 제2 연산기(26b) 및 복수의 제3 연산기(27b)를 갖는다. 이들 각각에 있어서 행해지는 처리는, 제1 진동 저감부(20a)의 FF 제어부(23a)에 있어서의 제1 연산기(25a), 복수의 제2 연산기(26a) 및 복수의 제3 연산기(27a)의 각각에 있어서 행해지는 처리와 마찬가지이다.
<제2 실시 형태>
본 발명에 관한 제2 실시 형태의 임프린트 장치(200b)에 대하여 설명한다. 제1 실시 형태에서는, 제1 진동 저감부(20a) 및 제2 진동 저감부(20b)에 대하여 공통의 검출부(21)를 설치하는 예에 대하여 설명하였다. 제2 실시 형태에서는, 제1 진동 저감부(20a) 및 제2 진동 저감부(20b)에 개별로 검출부(21)를 설치하는 예에 대하여 설명한다. 도 2의 (b)는 제2 실시 형태의 임프린트 장치(200b)를 도시하는 도면이다. 도 2의 (b)에 도시하는 임프린트 장치(200b)에서는, 제1 진동 저감부(20a)에 제1 검출부(21a)가 설치되어 있고, 제2 진동 저감부(20b)에 제2 검출부(21b)가 설치되어 있다. 그 이외의 구성은, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(200a)와 마찬가지이다.
FF 제어부(23a)는 베이스 정반(5)의 진동이 제1 검출부(21a)로 검출되고 나서 제1 처리부(10a)에 전해질 때까지의 시간(전달 시간) 내에, 제1 검출부(21a)로 검출된 당해 진동에 기초한 구동부(22a)의 제어를 개시 가능한 상태로 되어 있어야 한다. 즉, 제1 검출부(21a)가 베이스 정반(5)의 진동을 검출하고 나서 FF 제어부(23a)가 당해 진동에 기인하는 제1 처리부(10a)의 진동의 제어를 개시 가능하게 될 때까지의 시간(제1 처리부(10a)의 진동의 제어에 요하는 시간(연산 시간))보다, 전달 시간 쪽이 길어야 한다. 그 때문에, 제1 검출부(21a)는 연산 시간보다 전달 시간 쪽이 길어지는 베이스 정반(5)의 개소에 있어서 진동을 검출하도록 배치되면 된다. 즉, 제1 검출부(21a)에 의해 진동이 검출되는 베이스 정반(5)의 검출 대상 개소(일부분)가, 연산 시간보다 전달 시간 쪽이 길어지는 베이스 정반(5)의 개소(부분)이면 된다. 도 2의 (b)에 나타내는 예에서는, 제1 검출부(21a)는 제1 처리부(10a)보다 제2 처리부(10b) 쪽이 가까운 베이스 정반(5)의 개소에 있어서 진동을 검출하도록 배치되어 있다. 또한, 제2 검출부(21b)에 대해서도, 제1 검출부(21a)와 마찬가지이다.
<물품의 제조 방법의 실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 기판에 도포된 수지에 상기의 리소그래피 장치(임프린트 장치)를 사용하여 패턴을 형성하는 공정(기판에 임프린트 처리를 행하는 공정)과, 이러한 공정에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
리소그래피 장치로서는, 상술한 임프린트 장치에 더하여, 노광 장치나 묘화 장치도 포함할 수 있다. 이하에서는, 임프린트 장치를 사용하여 물품을 제조하는 예에 대하여 설명한다.
임프린트 장치를 사용하여 성형한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은, 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성의 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.
경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적 형상이 된 임프린트재(3z)가 기판 위에 부여된 모습을 도시하고 있다.
도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 임프린트용 형(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 위의 임프린트재(3z)를 향해 대향시킨다. 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 형(4z)을 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을, 형(4z)을 투과하여 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.
도 4의 (d)에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응한 형상으로 되어 있고, 즉, 임프린트재(3z)에 형(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.
도 4의 (e)에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내(耐) 에칭마스크로서 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 혹은 얇게 잔존된 부분이 제거되어, 홈(5z)이 된다. 도 4의 (f)에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.
<기타의 실시예>
본 발명은, 상술한 실시 형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서의 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현 가능하다. 또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실현 가능하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 물론이고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
1: 몰드
2: 기판
5: 베이스 정반
10: 처리부
20: 진동 저감부
21: 검출부
22: 구동부
23: 피드 포워드 제어부
24: 액추에이터

Claims (13)

  1. 리소그래피 장치이며,
    기초부에 있어서의 복수의 부분에 의해 지지되고, 패턴을 기판에 형성하는 처리를 행하는 처리부와,
    상기 처리부에 힘을 가하는 구동부와,
    상기 기초부의 검출 대상 개소에서의 진동을 검출하고, 검출한 진동에 따른 출력 신호를 발생하는 검출부와,
    상기 구동부의 제어를 행하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 검출부의 상기 출력 신호 중 상기 처리부에서 발생한 진동에 기인하는 신호 성분을 구하고, 상기 출력 신호로부터 상기 신호 성분을 제거함으로써 얻어지는 신호 및 상기 검출 대상 개소로부터 상기 복수의 부분을 통해 상기 처리부로 전달되는 진동의 전달 특성에 기초하여, 상기 제어를 행하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전달 특성은, 상기 검출 대상 개소로부터 상기 복수의 부분을 통해 상기 처리부로 전달되는 진동의 전달 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 출력 신호로부터 상기 신호 성분을 제거함으로써 얻어지는 신호 및 상기 전달 특성에 기초하여, 상기 처리부에 전해질 수 있는 진동을 추정하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 전달 특성으로서의 전달 함수의 정보에 기초하여, 상기 제어를 행하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구동부는, 상기 복수의 부분 각각에 관하여 하나 이상의 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검출 대상 개소는, 상기 제어에 필요한 시간보다, 상기 검출 대상 개소로부터 상기 처리부로의 진동의 전달 시간이 더 길어지는 상기 기초부의 부분인 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 검출 대상 개소는, 상기 기초부에 의해 지지된 진동원과 상기 처리부의 사이에서의 상기 기초부의 부분인 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 복수의 부분은, 상기 검출 대상 개소로부터의 거리가 서로 다른 적어도 2개의 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 복수의 부분에 각각 지지된 복수의 지지 부재를 개재하여 지지되어 있는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  10. 제1항에 기재된 리소그래피 장치를 이용하여 패턴을 기판에 형성하는 공정과,
    상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 진동원에서 발생하는 진동과 상기 처리부에서 발생하는 진동은, 공통 주파수 대역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 신호 성분은 상기 처리부에 설치된 이동체의 구동에 의해 발생한 진동에 기인하고,
    상기 제어부는 상기 이동체를 구동하기 위한 구동 지령값에 기초하여 상기 신호 성분을 구하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 이동체에 상기 구동 지령값을 공급하고부터, 이에 의해 상기 처리부에서 발생한 진동이 상기 검출부에서 검출될 때까지의 시간에 대한 정보를 갖고,
    상기 검출부에서 진동이 검출되었을 때보다 상기 시간만큼 이전에 상기 이동체에 공급된 상기 구동 지령값에 기초하여, 상기 신호 성분을 구하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
KR1020170109095A 2016-09-06 2017-08-29 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 KR102231952B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016174000A JP6864447B2 (ja) 2016-09-06 2016-09-06 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JPJP-P-2016-174000 2016-09-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180027341A KR20180027341A (ko) 2018-03-14
KR102231952B1 true KR102231952B1 (ko) 2021-03-25

Family

ID=61623921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170109095A KR102231952B1 (ko) 2016-09-06 2017-08-29 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6864447B2 (ko)
KR (1) KR102231952B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003021190A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Canon Inc 能動除振装置
JP2012142542A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Canon Inc リソグラフィーシステム、及びそれを用いた物品の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05263868A (ja) * 1992-03-18 1993-10-12 Tokkyo Kiki Kk 除振台の地動外乱制御方法
JPH0830335A (ja) * 1994-07-15 1996-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 周期的振動低減装置
JPH08226489A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Mazda Motor Corp 車両の振動低減装置
JP3696928B2 (ja) * 1995-05-30 2005-09-21 キヤノン株式会社 能動除振装置および半導体露光装置
JP3440967B2 (ja) * 1995-11-01 2003-08-25 株式会社ブリヂストン 荷電粒子線装置
JP3507234B2 (ja) * 1996-01-11 2004-03-15 キヤノン株式会社 能動除振装置および能動除振方法
JPH09250591A (ja) * 1996-03-14 1997-09-22 Canon Inc 能動除振装置
JPH10141428A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Canon Inc 能動除振装置
JPH1187235A (ja) * 1997-09-09 1999-03-30 Canon Inc 能動的除振装置
JP2002031187A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Ebara Corp 磁気浮上装置を用いた除振装置
JP2002048184A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 制振装置
JP2004100953A (ja) * 2002-08-23 2004-04-02 Nikon Corp 制振装置及び露光装置
JP4287213B2 (ja) * 2002-09-03 2009-07-01 エドワーズ株式会社 振動抑制機能を有する磁気軸受装置、振動推定機能を有する磁気軸受装置及び該磁気軸受装置を搭載したポンプ装置
JP5963600B2 (ja) * 2011-08-09 2016-08-03 キヤノン株式会社 除振装置
JP5913872B2 (ja) * 2011-09-05 2016-04-27 キヤノン株式会社 リソグラフィシステム及び物品の製造方法
JP6307101B2 (ja) * 2016-02-19 2018-04-04 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003021190A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Canon Inc 能動除振装置
JP2012142542A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Canon Inc リソグラフィーシステム、及びそれを用いた物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180027341A (ko) 2018-03-14
JP2018041809A (ja) 2018-03-15
JP6864447B2 (ja) 2021-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7210162B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6307101B2 (ja) リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US11194249B2 (en) Molding apparatus for molding composition on substrate with mold, and article manufacturing method
JP7134055B2 (ja) 成形装置、および物品の製造方法
JP2020096077A (ja) インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法
KR102472501B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR102231952B1 (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
US11442361B2 (en) Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article
JP7179655B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP7237646B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
KR102301911B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
US20220269186A1 (en) Measurement apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
KR102234141B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
US12076910B2 (en) Forming apparatus and article manufacturing method
US12078926B2 (en) Molding apparatus, molding method, and method for manufacturing a product
KR102330969B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP2019067917A (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP7278163B2 (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP2018085479A (ja) 型保持装置、インプリント装置、および物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right