JP6864447B2 - リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
リソグラフィ装置では、パターンを基板に形成する処理を行う処理部が支持されている基部(ベース定盤)上に、当該処理部と異なる機構が設けられることがある。このような構成のリソグラフィ装置では、例えば、当該機構で発生した振動が基部を介して処理部に伝わると、処理部においてオーバーレイ精度や転写精度が低下しうる。そのため、リソグラフィ装置では、処理部に力を加えるアクチュエータを設け、当該機構から基部を介して処理部に伝わる振動が低減されるようにアクチュエータを制御することが好ましい。
特許文献1には、共通の固定台(基部)に設置された第1リソグラフィ装置(処理部)および第2リソグラフィ装置(機構)を有するリソグラフィシステムが開示されている。当該リソグラフィシステムでは、第2リソグラフィ装置における移動体の駆動により発生し、固定台を介して第1リソグラフィ装置の除振対象物に伝わる振動を低減するように、当該移動体の駆動指示情報に基づいて、当該除振対象物に加える力が制御される。
特開2012−142542号公報
処理部の振動を低減する方法としては、基部の一部分の振動を検出する検出部を設け、検出部での検出結果に基づいて、基部の振動に起因する処理部の振動が低減されるようにアクチュエータを制御する方法がある。しかしながら、基部における複数の部分によって処理部が支持されている場合、検出部によって検出された基部の一部分の振動は、当該複数の部分を介することによって複数の振動として処理部に伝わる。そのため、基部の一部分の振動が検出部により検出されてから処理部に伝わるまでの伝達特性(時間や大きさ)を複数の振動それぞれについて考慮しないと、処理部の振動制御が不十分になりうる。
そこで、本発明は、処理部の振動を制御するのに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基部における複数の部分によって支持され、パターンを基板に形成する処理を行う処理部と、前記処理部に力を加える駆動部と、前記基部の検出対象箇所での振動を検出し、検出した振動に応じた出力信号を発生する検出部と、前記駆動部の制御を行う制御部と、を含み、前記制御部は、前記検出部の前記出力信号のうち前記処理部で発生した振動に起因する信号成分を求め、前記出力信号から前記信号成分を除去することで得られる信号と、前記検出対象箇所から前記複数の部分を介して前記処理部に伝達する振動の伝達特性と基づいて、前記制御を行うことを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、処理部の振動を制御するのに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
インプリント装置の構成を示す概略図である。 第1実施形態および第2実施形態のインプリント装置を示す概略図である。 第2伝達関数を求める際のインプリント装置の構成を示す概略図である。 物品の製造方法を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、リソグラフィ装置として、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置を用いて説明するが、それに限られるものではない。例えば、マスクのパターンを基板に転写する露光装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。
[インプリント装置の構成]
インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。インプリント装置は、半導体デバイスなどの製造に使用され、凹凸のパターンが形成されたモールドを用いて、基板のショット領域上に供給されたインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置は、パターンが形成されたモールドを基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化する。そして、インプリント装置は、モールドと基板との間隔を広げて、硬化したインプリント材からモールドを剥離(離型)することによって、インプリント材にパターンを形成することができる。
インプリント材を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、ここでは、光硬化法を採用した例について説明する。光硬化法とは、インプリント材として未硬化の紫外線硬化樹脂を基板上に供給し、モールドとインプリント材とを接触させた状態でインプリント材に光(紫外線)を照射することにより当該インプリント材を硬化させる方法である。
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。
図1は、インプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、基板2にパターンを形成する処理(インプリント処理)を行う処理部10と、ベース定盤5(基部)の振動に起因する処理部10の振動を低減する振動低減部20とを含む。以下では、基板2に照射される光の光軸に平行な方向をZ方向とし、Z方向に垂直な平面内において互いに直交する2つの方向をX方向およびY方向とする。
ここで、インプリント装置100に用いられるモールド1は、外周形状が矩形であり、基板2に対向する面に、三次元状の凹凸パターンが形成されたパターン部1aを含む。モールド1の材料としては、例えば石英など、紫外線を透過させることが可能な材料が用いられうる。また、基板2としては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板2としては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるために密着層を設けてもよい。
まず、処理部10の構成について説明する。処理部10は、光照射部11と、モールド保持部12と、基板ステージ13と、供給部14と、計測部15と、制御部16とを含み、制御部16以外の各構成要素は筐体17の内部に設けられうる。制御部16は、例えばCPUやメモリなどを含み、処理部10における各構成要素を制御する。
光照射部11は、インプリント処理の際に、モールド1と基板上のインプリント材3とを接触させた状態において、光4(紫外線)をモールド1を介して基板上のインプリント材3に照射し、当該インプリント材3を硬化させる。光照射部11は、例えば、インプリント材3を硬化させる光4を射出する光源111と、光源111から射出された光4をインプリント処理において最適な光に調整するための光学素子112とを含みうる。
モールド保持部12は、インプリント処理の際、モールド1と基板上のインプリント材3とを接触させたり剥離させたりするようにモールド1をZ方向に駆動する。モールド保持部12は、真空吸着力などによりモールド1を吸着保持するモールドチャック121と、モールド1(モールドチャック121)をZ方向に駆動するモールド駆動部122とを含む。また、モールドチャック121およびモールド駆動部122は、それぞれの中心部(内側)に開口領域を有しており、光照射部11からの光4がモールド1を介して基板2に照射されるように構成されている。
基板ステージ13は、インプリント処理の際、モールド1と基板2との位置合わせが行われるように、基板2をX方向およびY方向に移動可能に構成される。基板ステージ13は、例えば、真球吸着力などにより基板2を吸着保持する基板チャック131と、基板2(基板チャック131)をX方向およびY方向に駆動する基板駆動部132とを含む。
供給部14は、基板上にインプリント材3(未硬化樹脂)を供給(塗布)する。上述したように、本実施形態のインプリント装置100では、光(紫外線)の照射によって硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂がインプリント材3として用いられる。計測部15は、例えば撮像素子を有するスコープを含み、モールド上のマークおよび基板上のマークを検出し、モールド1と基板2との相対位置を計測する。
また、処理部10とベース定盤5との間には複数の支持部材18が設けられており、処理部10は、複数の支持部材18を介して、ベース定盤5における複数の部分51によって支持されている。即ち、処理部10は、ベース定盤5における複数の部分51にそれぞれ支持された複数の支持部材18を介して支持されている。複数の支持部材18は、例えばバネまたはダンパ特性を有して処理部10を弾性的に支持し、ベース定盤5から処理部10に伝わる振動を受動的に低減させる振動低減手段として機能する。
次に振動低減部20について説明する。振動低減部20は、ベース定盤5の一部分の振動を検出する検出部21と、処理部10を駆動する(処理部10に力を加える)駆動部22と、検出部21での検出結果に基づいて駆動部22のフィードフォワード制御を行うフィードフォワード制御部23とを含む。以下では、フィードフォワード制御部23を、FF制御部23と呼ぶ。
検出部21は、振動を検出すべきベース定盤5の一部分(検出対象箇所)に固定された加速度センサや速度センサ、変位センサなどのセンサを含み、当該センサからの出力に基づいて検出対象箇所の振動を検出するように構成される。また、検出部21は、ベース定盤5の検出対象箇所に光を照射し、反射された光を用いて検出対象箇所の変位(例えばZ方向)を検出するレーザ干渉計を含み、レーザ干渉計からの出力に基づいて検出対象箇所の振動を検出するように構成されてもよい。
駆動部22は、処理部10(筐体17)とベース定盤5との間に配置された複数のアクチュエータ24を含む。複数のアクチュエータ24は、ベース定盤5における複数の部分51の各々に対して(関して)少なくとも1つずつ設けられるように、即ち、複数の支持部材18の各々の近傍に少なくとも1つずつ設けられるように配置される。そして、複数のアクチュエータ24は、FF制御部23からの指令値に従って処理部10に力を加え(処理部10に作用を与え)、ベース定盤5から処理部10に伝わる振動を能動的に低減させる振動低減手段として機能する。
FF制御部23は、検出部21の検出結果(出力信号)に基づいて、ベース定盤5の振動に起因する処理部10の振動が低減されるように駆動部22の各アクチュエータ24をフィードフォワード制御する。FF制御部23は、磁気記憶媒体等の記憶部を有するコンピュータ、またはシーケンサ等で構成され、プログラムまたはシーケンスにより駆動部22を制御する。また、本実施形態のFF制御部23は、後述する演算器が有する伝達特性(伝達時間、伝達関数)の導出および管理も行いうる。FF制御部23で行われる処理の詳細については後述する。
ここで、インプリント装置100の処理部10におけるインプリント処理について説明する。当該インプリント処理は、制御部16によって制御される。制御部16は、基板2が供給部14の下に配置されるように基板ステージ13を制御し、基板上の複数のショット領域のうちインプリント処理を行う対象のショット領域(対象ショット領域)にインプリント材3を供給するように供給部14を制御する。そして、制御部16は、インプリント材3が供給された対象ショット領域がモールド1の下に配置されるように基板ステージ13を制御する。
次に、制御部16は、モールド保持部12によってモールド1と基板上のインプリント材3とを接触させ、モールド1と基板上のインプリント材3とが接触している状態において、計測部15の計測結果に基づいてモールド1と基板2との位置合わせを行う。そして、制御部16は、モールド1と接触している状態の基板上のインプリント材3に光照射部11によって光を照射して当該インプリント材3を硬化した後、硬化したインプリント材3からモールド1を剥離させるようにモールド保持部12を制御する。これにより、基板1の対象ショット領域上のインプリント材3に凹凸パターンを形成することができる。
<第1実施形態>
次に、本発明に係る第1実施形態のインプリント装置200aについて説明する。第1実施形態のインプリント装置200aは、スループットを向上させるため、図2(a)に示すように、複数の処理部10が共通(同一)のベース定盤5によって支持された所謂クラスタ型に構成される。図2(a)は、第1処理部10aおよび第2処理部10bが共通のベース定盤5によって支持されたクラスタ型のインプリント装置200aの構成例を示す図である。インプリント装置200aでは、第1処理部10aおよび第2処理部10bのそれぞれに振動低減部20が設けられ、ベース定盤5から第1処理部10aおよび第2処理部10bの各々に伝わる振動を個別に制御することができるように構成されている。
第1処理部10a(筐体17a)は、ベース定盤5における複数の部分51aにより複数の支持部材18aを介して支持されており、当該複数の部分51aから第1処理部10aに伝わる振動が第1振動低減部20aによって制御される。第1振動低減部20aは、検出部21と、駆動部22a(複数のアクチュエータ24a)と、FF制御部23aとを含む。また、第2処理部10b(筐体17b)は、ベース定盤5における複数の部分51bにより複数の支持部材18bを介して支持されており、当該複数の部分51bから第2処理部10bに伝わる振動が第2振動低減部20bによって制御される。第2振動低減部20bは、検出部21と、駆動部22b(複数のアクチュエータ24b)と、FF制御部23bとを含む。各部における機能は、上述した通りである。
ここで、第1実施形態における第1振動低減部20aおよび第2振動低減部20bは共通の検出部21を含み、当該検出部21の出力信号が、第1振動低減部20aのFF制御部23aおよび第2振動低減部20bのFF制御部23bにおいて共通に用いられる。検出部21は、第1処理部10aと第2処理部10bとの間におけるベース定盤5の一部分(検出対象箇所)の振動を検出するように配置される。これにより、検出部21は、第2処理部10bで発生しベース定盤5を介して第1処理部10aに伝わる振動、および第1処理部10aで発生しベース定盤5を介して第2処理部10bに伝わる振動をそれぞれ検出することができる。第1処理部10aおよび第2処理部10bの各々では、例えば、インプリント処理においてモールド保持部12や基板ステージ13などの移動体を駆動することにより振動が発生しうる。即ち、第1処理部10aおよび第2処理部10bがそれぞれ振動源となりうる。
このような構成のインプリント装置200aでは、第1処理部10aおよび第2処理部10bの一方で発生した振動がベース定盤5を介して他方に伝わると、当該他方でのオーバーレイ精度や転写精度が低下しうる。そのため、第1振動低減部20aでは、FF制御部23aが、検出部21の検出結果(出力)に基づいて、ベース定盤5の振動に起因する第1処理部10aの振動が低減されるように駆動部22a(複数のアクチュエータ24a)を制御する。同様に、第2振動低減部20bでは、FF制御部23bが、検出部21の検出結果に基づいて、ベース定盤5の振動に起因する第2処理部10bの振動が低減されるように駆動部22b(複数のアクチュエータ24b)を制御する。
しかしながら、本実施形態のインプリント装置200aでは、第1処理部10aに着目した場合、図2(a)に示すように、第1処理部10aは、ベース定盤5における複数の部分51aにより、複数の支持部材18aを介して支持されている。当該複数の部分51aは、検出部21によって振動が検出されるベース定盤5の検出対象箇所からの距離が互いに異なる少なくとも2つの部分(部分51a、部分51a)を含む。そして、このように構成されたインプリント装置200aでは、第2処理部10bで発生してベース定盤5に伝わった振動は、検出部21で検出された後、ベース定盤5における複数の部分51aの各々を介して第1処理部10aに伝わる。即ち、第2処理部10bで発生して検出部21で検出された振動は、ベース定盤5の複数の部分51aの各々を介することにより、第1処理部10aに伝わるタイミングや大きさ等が互いに異なる複数の振動として第1処理部10aに伝わる。したがって、ベース定盤5の検出対象箇所の振動が検出部21で検出されてから第1処理部10aに伝わるまでの伝達特性(時間や大きさ)を複数の振動それぞれについて考慮しないと、第1処理部10aの振動制御が不十分になりうる。そこで、第1振動低減部20aのFF制御部23aは、複数の振動それぞれの伝達特性と検出部21の出力(検出結果)とに基づいて、駆動部22aを制御する。なお、第2処理部10bに着目した場合においても同様である。
[FF制御部の処理について]
以下に、第1振動低減部20aのFF制御部23aの構成および処理について説明する。FF制御部23aは、例えば、第1演算器25aと、複数の第2演算器26aと、複数の第3演算器27aとを有する。複数の第2演算器および複数の第3演算器はそれぞれ、駆動部22aにおける複数のアクチュエータ24aにそれぞれ対応するように設けられうる。図2(a)に示す例では、駆動部22aにおける2つのアクチュエータ24a、24aにそれぞれ対応するように、2つの第2演算器26a、26a、および2つの第3演算器27a、27aが設けられている。
ここで、以下の説明では、ベース定盤5に支持され且つ振動が発生する機構(振動源)として、第1処理部10aと同様の構成を有する第2処理部10bを例示するが、それに限られるものではない。例えば、モールド1や基板2を搬送する搬送部(搬送アーム)なども、当該機構の対象になりうる。また、第1処理部10aで発生する振動、および第2処理部10bで発生する振動は共に、モールド保持部12や基板ステージ13などの移動体を駆動したことに起因して発生する振動であり、互いに共通の周波数帯域を含む。
第1演算器25aは、検出部21の出力信号30のうち第1処理部10aで発生した振動に起因する信号成分を推定(算出)し、検出部21の出力信号30から当該信号成分を除去した第1信号32を出力する。このような処理を行う第1演算器25aを設けるのは、第2処理部10bで発生した振動に起因するベース定盤5の振動だけでなく、第1処理部10aで発生した振動に起因するベース定盤5の振動も検出部21によって同時に検出されるからである。
第1処理部10aで発生した振動は、第1処理部10aを中心として同心円状に外側に向かってベース定盤5を伝播するため、検出部21によって検出された後では第1処理部10aに伝わらない。したがって、検出部21の出力信号30を加工せずにそのまま用いると、第2処理部10bで発生した振動だけでなく、第1処理部10aで過去に発生した振動にも基づいて駆動部22aを制御することとなり、第1処理部10aの振動制御が不十分になりうる。そのため、第1演算器25aは、検出部21で検出されたベース定盤5の振動(検出部21の出力信号30)のうち第1処理部10aで発生した振動に起因する振動成分(信号成分)を求める。そして、検出部21で検出されたベース定盤5の振動から当該振動成分を除去した結果に基づいて駆動部22aを制御する。
例えば、第1演算器25aは、第1処理部10aの移動体を駆動するための駆動指令値31(例えば電流値)を制御部16aから取得する。そして、検出部21の出力信号のうち、当該移動体の駆動により第1処理部10aで発生した振動に起因する信号成分を、制御部16aから取得した駆動指令値31に基づいて推定する。具体的には、第1演算器25aは、駆動指令値31に基づいて当該信号成分の推定を行うための第1伝達関数の情報を有し、制御部16aから取得した駆動指令値31に第1伝達関数を乗ずることにより当該信号成分を推定する。また、第1演算器25aは、推定した信号成分を検出部21の出力信号から除去(減算)した信号を第1信号32として出力する。これにより、第1処理部10aで過去に発生した振動に基づいて駆動部22aを制御することを回避することができる。
第1伝達関数は、第1処理部10aの移動体を駆動するための駆動指令値31を入力とし、検出部21の出力信号のうち第1処理部10aで発生した振動に起因する信号成分を出力とする伝達関数であり、インプリント処理を行う前に事前に求められうる。例えば、第2処理部10bで振動を発生させていない状態(移動体を駆動していない状態)において、駆動指令値31に従って第1処理部10aの移動体を駆動することにより第1処理部10aで振動を発生させ、ベース定盤5の振動を検出部21に検出させる。このときの駆動指令値31と検出部21の出力信号30とに基づいて第1伝達関数を求めることができる。
ここで、第1演算器25aは、第1処理部10aの移動体に駆動指令値31を供給してから、第1処理部10aで発生した振動に起因するベース定盤5の振動を検出部21が検出するまでの時間を考慮して、駆動指令値31を制御部16aから取得するとよい。即ち、第1演算器25aは、検出部21がベース定盤5の振動を検出したときより当該時間だけ前に移動体に供給された駆動指令値31を制御部16aから取得するとよい。当該時間は、第1伝達関数を求めるための上記の工程において得ることができる。
次に、複数の第2演算器26aはそれぞれ、第1演算器25aから出力された第1信号32に基づいて、検出部21で検出されたベース定盤5の振動が第1処理部10aに伝わることによって生じうる第1処理部10aの振動(大きさ)を推定する。具体的には、各第2演算器26aは、第1信号32に基づいて第1処理部10aの振動を推定するための第2伝達関数の情報を伝達特性として個別に有する。そして、第1演算器25aから出力された第1信号32に第2伝達関数を乗ずることにより推定された第1処理部10aの振動を振動情報33として個別に出力する。
例えば、第2演算器26aは、検出部21で検出されたベース定盤5の振動が支持部材18a(部分51a)を介して第1処理部10aに伝わることで生じうる第1処理部10aの振動を、第1信号32に基づいて推定するための第2伝達関数を有する。そして、第2演算器26aは、第1信号32に当該第2伝達関数を乗ずることにより推定された第1処理部10aの振動を振動情報33として出力する。同様に、第2演算器26aは、検出部21で検出されたベース定盤5の振動が支持部材18a(部分51a)を介して第1処理部10aに伝わることで生じうる第1処理部10aの振動を、第1信号32に基づいて推定するための第2伝達関数を有する。そして、第2演算器26aは、第1信号32に当該第2伝達関数を乗ずることにより推定された第1処理部10aの振動を振動情報33として出力する。
第2伝達関数は、第1演算器25aから出力された第1信号32を入力とし、検出部21で検出されたベース定盤5の振動に起因する第1処理部10aの振動を出力とする伝達関数であり、インプリント処理を行う前に事前に求められうる。第2伝達関数を求める際には、支持部材18a(部分51a)を介して第1処理部10aに伝わる振動を検出する振動計(例えば加速センサ(不図示))が用いられうる。当該振動計は、複数の支持部材18aの各々に対して設けられうる。また、第2伝達関数を求める処理は、図3に示すように、検出部21と各支持部材18aに対して設けられた振動計とに接続されたFFTアナライザ28によって行われうる。図3に示すFFTアナライザ28は、FF制御部23aの構成要素としているが、それに限られるものではない。
例えば、第1処理部10aで振動を発生させていない状態(移動体を駆動していない状態)において、第2処理部10bの移動体を駆動することにより第2処理部10bで振動を発生させる。そして、第2処理部10bで発生した振動に起因するベース定盤5の振動を検出部21に検出させるとともに、各支持部材18aに設けられた振動計に、各支持部材18aを介して第1処理部10aに伝わる振動を検出させる。このときの検出部21の出力信号と各支持部材18aに設けられた振動計の出力信号とに基づいて、第2伝達関数を、複数の支持部材18aの各々(ベース定盤5における複数の部分51aの各々)について個別に求めることができる。
ここで、第2伝達関数を求めるための上記の工程は、複数回行われてもよく、それにより得られた複数の結果を平均化することにより第2伝達関数を求めてもよい。また、第2伝達関数を求めるための上記の工程では、第2処理部10bの移動体を駆動する際の加速度を、通常のインプリント処理で用いられる加速度より大きくするとよい。これにより、検出部21および各支持部材18aの振動計のS/N比を大きくすることができ、第2伝達関数を精度よく求めることができる。
さらに、第2伝達関数を求めるための上記の工程では、ベース定盤5の振動が検出部21で検出されてから複数の支持部材18a(複数の部分51a)を介して第1処理部10aに伝わるまでの複数の伝達時間を示す時間情報を伝達特性として得ることができる。図2(a)に示す例では、時間情報は、ベース定盤5の振動が検出部21で検出されてから、支持部材18aを介して第1処理部10aに伝わるまでの第1伝達時間と、支持部材18aを介して第1処理部10aに伝わるまでの第2伝達時間とを含みうる。この時間情報は、複数の第3演算器27aによって用いられる。
次に、複数の第3演算器27aはそれぞれ、各第2演算器26aから出力された振動情報33に基づいて、各アクチュエータ24aに供給すべき指令値34(例えば電流値)を生成し、生成した指令値34で各アクチュエータ24aを制御する。このとき、複数の第3演算器27aは、検出部21がベース定盤5の振動を検出してから時間情報における各伝達時間が経過した各タイミングにおいて当該振動に起因する第1処理部10aの振動の低減が開始するように、各アクチュエータ24aを制御する。
例えば、第3演算器27aは、第2演算器26aから出力された振動情報33に、(K/s+C/s)を乗ずることにより、アクチュエータ24aが第1処理部10aに加えるべき力情報を求める。Kは支持部材のバネ定数、Cは支持部材の減衰定数、sはラプラス演算子である。そして、第3演算器27aは、求めた力情報にアクチュエータ24aの応答特性の逆数を乗じて得られた値の符号を反転させることにより、アクチュエータ24aに供給すべき指令値34を生成し、当該指令値34でアクチュエータ24aを制御する。このとき、第3演算器27aは、時間情報における複数の伝達時間のうち、ベース定盤5の振動が検出部21で検出されてから支持部材18aを介して第1処理部10aに伝わるまでの第1伝達時間に基づいて、アクチュエータ24aを制御する。即ち、第3演算器27aは、検出部21がベース定盤5の振動を検出してから第1伝達時間が経過したタイミングにおいて当該振動に起因する第1処理部10aの振動の低減が開始するように、指令値34でアクチュエータ24aを制御する。
同様に、第3演算器27aは、第2演算器26aから出力された振動情報332に基づいて、アクチュエータ24aが第1処理部10aに加えるべき力情報を求める。そして、第3演算器27aは、求めた力情報に基づいて、アクチュエータ24aに供給すべき指令値342を生成し、当該指令値34でアクチュエータ24aを制御する。このとき、第3演算器27aは、時間情報における複数の伝達時間のうち、ベース定盤5の振動が検出部21で検出されてから支持部材18aを介して第1処理部10aに伝わるまでの第2伝達時間に基づいて、アクチュエータ24aを制御する。即ち、第3演算器27aは、検出部21がベース定盤5の振動を検出してから第2伝達時間が経過したタイミングにおいて当該振動に起因する第1処理部10aの振動の低減が開始するように、指令値34でアクチュエータ24aを制御する。
ここで、各アクチュエータ24aには、指令値34が供給されてから当該指令値34に応じた動作を開始するまでに遅れ(応答遅れ)が生じうる。そのため、第3演算器27aは、アクチュエータ24aの応答遅れを示す情報に基づいて、指令値34の供給タイミングを調整するとよい。第3演算器27aについても同様である。なお、各アクチュエータ24aの応答遅れを示す情報は、インプリント処理を行う前に事前に計測されうる。
このようにFF制御部23aを構成することにより、検出部21で検出されてからベース定盤5における複数の部分51aを介して互いに異なるタイミングおよび大きさで第1処理部10aに伝わる複数の振動を、精度よく低減することができる。ここで、第2振動低減部20bのFF制御部23bにおける構成および処理は、第1振動低減部20aのFF制御部23aと同様であるため、FF制御部23bの詳細な説明については省略する。第2振動低減部20bのFF制御部23bは、第1演算器25b、複数の第2演算器26b、および複数の第3演算器27bを有する。これらの各々において行われる処理は、第1振動低減部20aのFF制御部23aにおける第1演算器25a、複数の第2演算器26a、および複数の第3演算器27aの各々において行われる処理と同様である。
<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態のインプリント装置200bについて説明する。第1実施形態では、第1振動低減部20aおよび第2振動低減部20bに対して共通の検出部21を設ける例について説明した。第2実施形態では、第1振動低減部20aおよび第2振動低減部20bで個別に検出部21を設ける例について説明する。図2(b)は、第2実施形態のインプリント装置200bを示す図である。図2(b)に示すインプリント装置200bでは、第1振動低減部20aに第1検出部21aが設けられており、第2振動低減部20bに第2検出部21bが設けられている。それ以外の構成は、第1実施形態のインプリント装置200aと同様である。
FF制御部23aは、ベース定盤5の振動が第1検出部21aで検出されてから第1処理部10aに伝わるまでの時間(伝達時間)内に、第1検出部21aで検出された当該振動に基づいた駆動部22aの制御を開始可能な状態になっているべきである。即ち、第1検出部21aがベース定盤5の振動を検出してからFF制御部23aが当該振動に起因する第1処理部10aの振動の制御を開始可能となるまでの時間(第1処理部10aの振動の制御に要する時間(演算時間))より、伝達時間の方が長くべきである。そのため、第1検出部21aは、演算時間より伝達時間の方が長くなるベース定盤5の箇所において振動を検出するように配置されるとよい。即ち、第1検出部21aによって振動が検出されるベース定盤5の検出対象箇所(一部分)が、演算時間より伝達時間の方が長くなるベース定盤5の箇所(部分)であるとよい。図2(b)に示す例では、第1検出部21aは、第1処理部10aより第2処理部10bの方が近いベース定盤5の箇所において振動を検出するように配置されている。なお、第2検出部21bについても、第1検出部21aと同様である。
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のリソグラフィ装置(インプリント装置)を用いてパターンを形成する工程(基板にインプリント処理を行う工程)と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
リソグラフィ装置としては、上述したインプリント装置に加えて、露光装置や描画装置も含みうる。以下では、インプリント装置を用いて物品を製造する例について説明する。
インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図4(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
図4(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図4(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。
図4(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。
図4(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図4(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
1:モールド、2:基板、5:ベース定盤、10:処理部、20:振動低減部、21:検出部、22:駆動部、23:フィードフォワード制御部、24:アクチュエータ

Claims (12)

  1. リソグラフィ装置であって、
    基部における複数の部分によって支持され、パターンを基板に形成する処理を行う処理部と、
    前記処理部に力を加える駆動部と、
    前記基部の検出対象箇所での振動を検出し、検出した振動に応じた出力信号を発生する検出部と、
    前記駆動部の制御を行う制御部と、
    を含み、
    前記制御部は、前記検出部の前記出力信号のうち前記処理部で発生した振動に起因する信号成分を求め、前記出力信号から前記信号成分を除去することで得られる信号と、前記検出対象箇所から前記複数の部分を介して前記処理部に伝達する振動の伝達特性とに基づいて、前記制御を行うことを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記伝達特性は、前記検出対象箇所から前記複数の部分を介して前記処理部に伝達する振動の伝達時間を含むことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記制御部は、前記出力信号から前記信号成分を除去することで得られる信号と前記伝達特性とに基づいて、前記処理部に伝わりうる振動を推定することを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記制御部は、前記伝達特性としての伝達関数の情報に基づいて、前記制御を行うことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記駆動部は、前記複数の部分それぞれに関して少なくとも1つのアクチュエータを含むことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記検出対象箇所は、前記制御に要する時間より、前記検出対象箇所から前記処理部への振動の伝達時間の方が長くなる前記基部の部分であることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記検出対象箇所は、前記基部によって支持された振動源と前記処理部との間における前記基部の部分であることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記複数の部分は、前記検出対象箇所からの距離が互いに異なる少なくとも2つの部分を含むことを特徴とする請求項1乃至のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記処理部は、前記複数の部分にそれぞれ支持された複数の支持部材を介して支持されていることを特徴とする請求項1乃至のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記信号成分は、前記処理部に設けられた移動体の駆動により発生した振動に起因し、
    前記制御部は、前記移動体を駆動するための駆動指令値に基づいて、前記信号成分を求めることを特徴とする請求項1乃至のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記制御部は、
    前記移動体に前記駆動指令値を供給してから、それにより前記処理部で発生した振動が前記検出部で検出されるまでの時間に関する情報を有し、
    前記検出部で振動が検出されたときより当該時間だけ前に前記移動体に供給された前記駆動指令値に基づいて、前記信号成分を求めることを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。
  12. 請求項1乃至11のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05263868A (ja) * 1992-03-18 1993-10-12 Tokkyo Kiki Kk 除振台の地動外乱制御方法
JPH0830335A (ja) * 1994-07-15 1996-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 周期的振動低減装置
JPH08226489A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Mazda Motor Corp 車両の振動低減装置
JP3696928B2 (ja) * 1995-05-30 2005-09-21 キヤノン株式会社 能動除振装置および半導体露光装置
JP3440967B2 (ja) * 1995-11-01 2003-08-25 株式会社ブリヂストン 荷電粒子線装置
JP3507234B2 (ja) * 1996-01-11 2004-03-15 キヤノン株式会社 能動除振装置および能動除振方法
JPH09250591A (ja) * 1996-03-14 1997-09-22 Canon Inc 能動除振装置
JPH10141428A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Canon Inc 能動除振装置
JPH1187235A (ja) * 1997-09-09 1999-03-30 Canon Inc 能動的除振装置
JP2002031187A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Ebara Corp 磁気浮上装置を用いた除振装置
JP2002048184A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 制振装置
JP2003021190A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Canon Inc 能動除振装置
JP2004100953A (ja) * 2002-08-23 2004-04-02 Nikon Corp 制振装置及び露光装置
JP4287213B2 (ja) * 2002-09-03 2009-07-01 エドワーズ株式会社 振動抑制機能を有する磁気軸受装置、振動推定機能を有する磁気軸受装置及び該磁気軸受装置を搭載したポンプ装置
JP5773761B2 (ja) * 2010-12-17 2015-09-02 キヤノン株式会社 リソグラフィーシステム、及びそれを用いた物品の製造方法
JP5963600B2 (ja) * 2011-08-09 2016-08-03 キヤノン株式会社 除振装置
JP5913872B2 (ja) * 2011-09-05 2016-04-27 キヤノン株式会社 リソグラフィシステム及び物品の製造方法
JP6307101B2 (ja) * 2016-02-19 2018-04-04 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法

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