JP5687640B2 - インプリント装置およびインプリント方法 - Google Patents

インプリント装置およびインプリント方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5687640B2
JP5687640B2 JP2012030801A JP2012030801A JP5687640B2 JP 5687640 B2 JP5687640 B2 JP 5687640B2 JP 2012030801 A JP2012030801 A JP 2012030801A JP 2012030801 A JP2012030801 A JP 2012030801A JP 5687640 B2 JP5687640 B2 JP 5687640B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
template
substrate
positional deviation
irradiation
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012030801A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013168504A (ja
Inventor
信二 三上
信二 三上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2012030801A priority Critical patent/JP5687640B2/ja
Priority to US13/607,379 priority patent/US20130207288A1/en
Publication of JP2013168504A publication Critical patent/JP2013168504A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5687640B2 publication Critical patent/JP5687640B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

本発明の実施形態は、インプリント装置およびインプリント方法に関する。
半導体デバイス製造におけるリソグラフィ工程で用いられる技術の1つにナノインプリントリソグラフィ(NIL)がある。NILは、電子ビーム(Electron Beam:EB)描画等によって形成したテンプレートを、ウエハなどの被処理基板に押し当てることにより、被処理基板上にテンプレートパターンに応じたパターンを転写する技術である。
NILを行う際には、ウエハ上に光硬化剤を滴下しておき、テンプレートを被処理基板側に近づけることにより、テンプレートを光硬化剤に接触させる。そして、光硬化剤を毛細管現象によりテンプレートパターン内に充填させ、この状態で光硬化剤にUV光を照射する。これにより、光硬化剤を硬化させ、その後、テンプレートを被処理基板から離型する。
このようなNILでは、光硬化剤にUV光を照射する際に、テンプレートと被処理基板との間に位置ずれを生じる場合がある。このため、NILでは、テンプレートと被処理基板との間の重ね合わせ精度を向上させることが望まれる。
特開2010−67969号公報 特許4533358号公報
本発明が解決しようとする課題は、テンプレートと被処理基板との間の重ね合わせを精度良く行なうことができるインプリント装置およびインプリント方法を提供することである。
実施形態によれば、インプリント装置が提供される。前記インプリント装置は、基板保持部と、テンプレート保持部と、照射部と、位置ずれ量検出部と、制御部と、を備えている。前記基板保持部は、被処理基板を保持するとともに、前記被処理基板を面内方向に移動させる。前記テンプレート保持部は、テンプレートパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、前記テンプレートを面内方向に移動させ、且つ前記被処理基板上に転写材として滴下されたレジストに前記テンプレートパターンを所定時間押し当てる。前記照射部は、前記テンプレートパターンに前記レジストが充填された後、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させる。前記位置ずれ量検出部は、前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれ量を検出する。前記制御部は、前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれを解消するよう、前記位置ずれ量に基づいて、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御する。また、前記制御部は、第1のショットに対して前記硬化光が間欠的に照射されるよう前記照射部を制御する。さらに、前記制御部は、前記硬化光の照射が停止している間に検出された前記第1のショットでの位置ずれ量に基づいて、前記第1のショットに対する前記位置ずれ量の検出が停止している間に前記第1のショットに対して前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御する。

図1は、実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。 図2は、実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。 図3は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。 図4は、テンプレートとウエハとの間の位置ずれ測定を説明するための図である。 図5は、インプリント装置によるインプリントシーケンスを示す図である。 図6は、露光、アライメント信号検出、位置ずれ補正の処理タイミング例を示す図である。 図7は、インプリントシーケンスと位置ずれ量との間の関係を説明するための図である。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るインプリント装置およびインプリント方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
図1は、実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置101は、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)などのインプリントを行なう装置である。インプリント装置101は、ウエハWなどの被転写基板(被処理基板)に、モールド基板であるテンプレート(原版)Tのテンプレートパターン(回路パターンなど)を転写する。本実施形態のインプリント装置101は、テンプレートTとウエハWとの間のアライメントに用いるアライメント信号が、硬化光(レジスト露光光)の照射に起因する外乱ノイズの影響を受けないよう、各インプリントショットに対し、硬化光の照射とアライメント信号の検出とを交互に行なう。換言すると、アライメント信号の検出を行う際には、硬化光の照射を停止し、これにより、アライメント信号が、硬化光の照射に起因する外乱ノイズの影響を受けないようにする。
インプリント装置101は、原版ステージ2、基板チャック4、試料ステージ5、基準マーク6、液滴下装置8、ステージベース9、UV光源10、CCD(Charge Coupled Device)カメラ11、を備えている。また、本実施形態のインプリント装置101は、制御装置20を備えている。
試料ステージ5は、ウエハWを載置するとともに、載置したウエハWと平行な平面内(水平面内)を移動する。試料ステージ5は、ウエハWに転写材としてのレジストを滴下する際にはウエハWを液滴下装置8の下方側に移動させ、ウエハWへの押印処理を行う際には、ウエハWをテンプレートTの下方側に移動させる。
また、試料ステージ5上には、基板チャック4が設けられている。基板チャック4は、ウエハWを試料ステージ5上の所定位置に固定する。また、試料ステージ5上には、基準マーク6が設けられている。基準マーク6は、試料ステージ5の位置を検出するためのマークであり、ウエハWを試料ステージ5上にロードする際の位置合わせに用いられる。
ステージベース9の底面側(ウエハW側)には、原版ステージ2が設けられている。原版ステージ2は、テンプレートTの裏面側(テンプレートパターンの形成されていない側の面)からテンプレートTを真空吸着などによって所定位置に固定する。
ステージベース9は、原版ステージ2によってテンプレートTを支持するとともに、テンプレートTのテンプレートパターンをウエハW上のレジストに押し当てる。ステージベース9は、上下方向(鉛直方向)に移動することにより、テンプレートTのレジストへの押し当てと、テンプレートTのレジストからの引き離し(離型)と、を行う。インプリントに用いるレジストは、例えば、光硬化性などの樹脂(光硬化剤)(薬液)である。
また、ステージベース9上には、CCDカメラ11が設けられている。CCDカメラ11は、テンプレートTに設けられたアライメントマーク(後述のアライメントマークMt)と、ウエハW上に設けられたアライメントマーク(後述のアライメントマークMw)と、の間の位置関係を検出するカメラである。CCDカメラ11は、ステージベース9の上方に設けられており、アライメントマークMtとアライメントマークMwを略透明のテンプレートTおよびレジストを介して撮像する。CCDカメラ11は、撮像した画像を制御装置20に送る。
液滴下装置8は、インクジェット方式によってウエハW上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置8が備えるインクジェットヘッド(図示せず)は、レジストの液滴を噴出する複数の微細孔を有している。
UV光源10は、硬化光としてのUV光を照射する光源であり、ステージベース9の上方に設けられている。UV光源10は、テンプレートTがレジストに押し当てられた状態で、テンプレートT上からUV光を照射する。なお、レジストに照射する硬化光はUV光に限らず何れの光であってもよい。
制御装置20は、インプリント装置101の各構成要素に接続され、各構成要素を制御する。図1では、制御装置20が、試料ステージ5、液滴下装置8、ステージベース9、UV光源10、CCDカメラ11に接続されているところを図示しており、他の構成要素との接続は図示省略している。制御装置20は、レジストを硬化させる際に、UV光源10、試料ステージ5、ステージベース9を制御する。
ウエハWへのインプリントを行う際には、試料ステージ5に載せられたウエハWが液滴下装置8の直下まで移動させられる。そして、ウエハWの所定ショット位置にレジストが滴下される。
その後、試料ステージ5上のウエハWがテンプレートTの直下に移動させられる。そして、テンプレートTがウエハW上のレジストに押し当てられる。このとき、制御装置20は、レジストがテンプレートパターンに充填されるまでの間、ステージベース9に、テンプレートTとレジストを接触させる。
制御装置20は、テンプレートTとレジストとを所定時間だけ接触させた後、さらに、この状態でUV光源10をレジストに照射させてレジストを硬化させる。これにより、テンプレートパターンに対応する転写パターンがウエハW上のレジストにパターニングされる。この後、次のショットへのインプリント処理が繰り返される。これにより、ウエハW上の全てのショットへのインプリント処理が行われる。
本実施形態では、テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる際に、硬化光の照射を間欠的に行うとともに、硬化光の照射を停止している間にアライメント信号の検出を行なう。換言すると、アライメント信号の検出を間欠的に行うとともに、アライメント信号の検出を停止している間に硬化光の照射を行なう。これにより、硬化光の照射およびアライメント信号の検出を交互に行なう。
つぎに、制御装置20の構成について説明する。図2は、実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。制御装置20は、画像入力部21、アライメント信号検出部22、タイミング制御部23、光源制御部24、位置ずれ量検出部25、ステージベース制御部26、試料ステージ制御部27を備えている。
画像入力部21は、CCDカメラ11から送られてくるアライメントマークMt,Mwの画像をアライメント信号検出部22に送る。アライメント信号検出部22は、アライメントマークMt,Mwの画像をアライメント信号に変換する。本実施形態のアライメント信号検出部22は、タイミング制御部23からの指示に基づいた間欠的なタイミングでアライメントマークMt,Mwの画像をアライメント信号に変換する。具体的には、アライメント信号検出部22は、画像入力部21から送られてくる画像のうち、タイミング制御部23からアライメント信号検出の指示があったタイミングで撮像された画像をアライメント信号に変換する。アライメント信号検出部22は、アライメント信号を位置ずれ量検出部25に送る。
位置ずれ量検出部25は、アライメント信号に基づいて、アライメントマークMt,Mwの位置関係(位置ずれ量)を検出する。アライメントマークMt,Mwの位置関係は、テンプレートTとウエハWの位置関係である。本実施形態の位置ずれ量検出部25は、タイミング制御部23からの指示に基づいてアライメント信号検出部22で検出されたアライメント信号に基づいて、アライメントマークMt,Mwの位置ずれ量を検出する。位置ずれ量検出部25は、検出した位置ずれ量に基づいて、ステージベース制御部26、試料ステージ制御部27に、位置ずれ補正量を送る。
位置ずれ量検出部25は、例えば、ショット全体の位置を平行移動させる位置ずれ補正量やショット全体の位置を回転移動させる位置ずれ補正量などを試料ステージ制御部27に送る。また、位置ずれ量検出部25は、例えば、ショット全体の倍率を変える位置ずれ補正量などをステージベース制御部26に送る。
タイミング制御部23は、アライメント信号検出部22にアライメント信号の検出指示および検出停止指示の何れか一方を送る。また、タイミング制御部23は、光源制御部24に硬化光L1の照射指示および照射停止指示の何れか一方を送る。
タイミング制御部23は、光源制御部24に硬化光L1の照射指示を送っている間は、アライメント信号検出部22にアライメント信号の検出停止指示を送る。一方、タイミング制御部23は、アライメント信号検出部22にアライメント信号の検出指示を送っている間は、光源制御部24に硬化光L1の照射停止指示を送る。これにより、インプリント装置101では、テンプレートパターンに充填されたレジストを硬化させる際に、硬化光L1の照射と、アライメント信号(位置ずれ量)の検出と、の何れか一方が行なわれる。
光源制御部24は、UV光源10を制御する。光源制御部24は、タイミング制御部23から硬化光L1の照射指示が送られてくると、UV光源10に硬化光L1を照射させる。一方、光源制御部24は、タイミング制御部23から硬化光L1の照射停止指示が送られてくると、UV光源10に硬化光L1の照射を停止させる。
ステージベース制御部26は、位置ずれ量検出部25から送られてくる位置ずれ補正量に基づいて、ステージベース9の位置を制御する。ステージベース制御部26は、例えば、ショット全体の倍率が所望の倍率となるよう(倍率の位置ずれが解消されるよう)、ステージベース9の位置を補正する。
試料ステージ制御部27は、位置ずれ量検出部25から送られてくる位置ずれ補正量に基づいて、試料ステージ5の位置を制御する。試料ステージ制御部27は、例えば、ショット全体の位置が所望の位置となるよう(平行移動や回転移動の位置ずれやが解消されるよう)、試料ステージ5の位置を補正する。
なお、タイミング制御部23は、アライメント信号検出部22の代わりに、CCDカメラ11、画像入力部21、位置ずれ量検出部25の何れかに、所定のタイミングで処理の指示や停止の指示を送信してもよい。また、タイミング制御部23は、ステージベース制御部26および試料ステージ制御部27に、所定のタイミングで処理の指示や停止の指示を送信してもよい。
硬化光L1の照射が停止しているタイミングでCCDカメラ11、画像入力部21、アライメント信号検出部22、位置ずれ量検出部25、ステージベース制御部26、試料ステージ制御部27に処理の指示が送信されることにより、硬化光L1の照射が停止している間に検出された位置ずれ量に基づいて、位置ずれ補正が行なわれることとなる。
例えば、タイミング制御部23が、位置ずれ量検出部25に検出の指示と停止の指示を送る場合、硬化光L1の照射が停止している間に、位置ずれ量検出部25に検出指示が送られる。
ここで、インプリント工程の処理手順について説明する。図3は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。図4では、インプリント工程におけるウエハWやテンプレートTなどの断面図を示している。
図3の(a)に示すように、ウエハWの上面にはレジスト12Xが滴下される。これにより、ウエハWに滴下されたレジスト12Xの各液滴はウエハW面内に広がる。そして、図3の(b)に示すように、テンプレートTがレジスト12X側に移動させられ、図3の(c)に示すように、テンプレートTがレジスト12Xに押し当てられる。このように、石英基板等を掘り込んで作ったテンプレートTをレジスト12Xに接触させると、毛細管現象によりテンプレートTのテンプレートパターン内にレジスト12Xが流入する。
予め設定しておいた時間だけ、レジスト12XをテンプレートTに充填させた後、硬化光が照射される。これにより、レジスト12Xが硬化する。そして、図3の(d)に示すように、硬化したレジストパターン12YからテンプレートTを離型することにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターンがウエハW上に形成される。
図4は、テンプレートとウエハとの間の位置ずれ測定を説明するための図である。図4では、テンプレートTとウエハWの断面図を示している。テンプレートTのテンプレートパターンP内にレジスト12Xを充填させた後、レジスト12Xへの硬化光L1の照射が行なわれる。このとき、レジスト12Xへの硬化光L1の照射は、間欠的に行なわれる。そして、硬化光L1の照射を停止している間に、テンプレートTとウエハWの位置ずれ検出が行なわれる。具体的には、アライメント光L2がアライメントマークMt,Mwに照射され、アライメントマークMt,Mwからの反射光L3がCCDカメラ11によって検出される。CCDカメラ11によって検出された反射光L3は、アライメントマークMt,Mwの画像として制御装置20に送られる。この後、アライメントマークMt,Mwの画像に基づいて、テンプレートTとウエハWの位置ずれ補正が行われる。
つぎに、インプリント装置101によるインプリントシーケンスについて説明する。図5は、インプリント装置によるインプリントシーケンスを示す図である。ステージベース9がテンプレートTの降下処理(ウエハW側への移動)を開始すると(S1)、アライメント信号検出部22がアライメント信号の検出を開始する(S2)。さらに、アライメント信号の検出が開始されると、位置ずれ量検出部25は、位置ずれ量の検出処理、位置ずれ補正量の算出処理を開始する。そして、ステージベース制御部26は、位置ずれ補正量に基づいたステージベース9の位置補正を開始する。また、試料ステージ制御部27は、位置ずれ補正量に基づいた試料ステージ5の位置補正を開始する。これにより、テンプレートTとウエハWとの間の位置ずれ補正が開始される(S3)。
テンプレートTがレジスト12Xに押し当てられた後、レジスト12Xの充填が行なわれる(S4)。このとき、アライメント信号検出部22は、アライメント信号の検出を継続し、位置ずれ量検出部25は、位置ずれ量の検出処理、位置ずれ補正量の算出処理を継続している。また、ステージベース制御部26は、ステージベース9の位置補正を継続し、試料ステージ制御部27は、試料ステージ5の位置補正を継続している。
レジスト12Xの充填が完了すると、各ショットに対し、レジスト12Xの間欠的な露光(硬化光L1の照射)が開始される(S5)。また、各ショットに対し、アライメント信号の間欠的な検出(S6)、テンプレートTとウエハWとの間の間欠的な位置ずれ補正が開始される(S7)。あるショットに対して、レジスト12Xの間欠的な露光が終了してレジスト12Xが硬化すると、前記あるショットに対するアライメント信号の間欠的な検出、テンプレートTとウエハWとの間の間欠的な位置ずれ補正も終了する。その後、ステージベース9がテンプレートTの上昇処理(レジストパターン12Yからの離型)が行なわれる(S8)。
ここで、間欠的な露光処理、アライメント信号の間欠的な検出処理、間欠的な位置ずれ補正処理の処理タイミング(オン/オフ)について説明する。図6は、露光、アライメント信号検出、位置ずれ補正の処理タイミング例を示す図である。なお、図6では、1ショット内における各処理のオン/オフのタイミングを示している。図6のうち、塗りつぶされているタイミングが処理オンのタイミングである。
図6に示す露光は、図5に示した露光(S5)に対応している。同様に、図6に示すアライメント信号検出は、図5に示したアライメント信号検出(S6)に対応し、図6に示す位置ずれ補正は、図5に示した位置ずれ補正(S7)に対応している。
図6の(a)〜(c)に示すように、露光(硬化光L1の照射)は、所定のタイミングでオンとオフが繰り返される。そして、露光がオフ(硬化光L1の照射停止)の間にアライメント信号検出が行なわれる。このように、露光は、所定の周期でオンとオフが繰り返されるので、アライメント信号検出も所定の間隔でオンとオフが繰り返される。そして、アライメント信号検出がオフの間にテンプレートTとウエハWとの間の位置ずれ補正が行われる。具体的には、アライメント信号検出がオンの間は、露光および位置ずれ補正がオフになり、アライメント信号検出がオフの間に、露光および/または位置ずれ補正がオンになる。
図6の(a)では、露光がオンの間に位置ずれ補正がオンになり、露光がオフの間は位置ずれ補正がオフになっている。これにより、アライメント信号検出のオンと、露光および位置ずれ補正のオンと、が繰り返されている。
また、図6の(b)では、露光がオンの間に位置ずれ補正がオフになり、露光がオフの間に位置ずれ補正がオンになっている。これにより、アライメント信号検出のオンと、露光のオンと、位置ずれ補正のオンと、が順番に繰り返されている。
また、図6の(c)では、1ショット内での露光が進むにつれて、露光のオン時間を長くする場合の、露光、アライメント信号検出、位置ずれ補正の処理タイミングを示している。露光が進むにつれてレジスト12Xは硬化が進むので、テンプレートTとウエハWとの間の位置ずれは発生しにくくなる。このため、露光が進むにつれて、アライメント信号検出や位置ずれ補正の回数を減らしてもよい。露光が進むにつれて、露光のオン時間を長くすることにより、アライメント信号検出の回数を減らすことができるので、露光処理全体に要する時間を短縮することが可能となる。
このように、インプリント装置101は、露光と露光の停止を1〜複数回に渡って繰り返す。そして、インプリント装置101は、露光が停止している間に、アライメント信号検出を行なっている。なお、アライメント信号検出および位置ずれ補正は、各ショットの露光停止の間に少なくとも1回行なえばよい。
図7は、インプリントシーケンスと位置ずれ量との間の関係を説明するための図である。図7の(a)は、露光とアライメント信号検出を交互に行なった場合の位置ずれ量の変化を示している。また、図7の(b)は、露光とアライメント信号検出を同時に行なった場合の位置ずれ量の変化を示している。
図7の(a)に示すように、露光とアライメント信号検出を交互に行なうことにより、間欠的な露光(S5)と、間欠的なアライメント信号検出(S6)と、を行なっている。このため、アライメント信号検出の際には露光が停止する。これにより、硬化光L1の照射中に原版ステージ2や試料ステージ5の振動を抑制することが可能となり、間欠的な露光期間T1中の位置ずれを抑えることが可能となる。したがって、正確なアライメント信号の検出を行うことが可能となり、その結果、正確な位置ずれ補正を行うことが可能となる。
一方、図7の(b)に示すように、露光とアライメント信号検出を同時に行なう場合、レジスト12Xの充填(S4)が完了すると、連続的な露光(S15)、連続的なアライメント信号検出(S16)、連続的な位置ずれ補正(S17)が行なわれる。このため、アライメント信号検出の際にも露光が行われる。これにより、硬化光L1の照射中に原版ステージ2や試料ステージ5の振動が発生する。したがって、露光とアライメント信号検出を同時に行なうと、露光とアライメント信号検出を交互に行なう場合よりも、露光期間T2中に大きな位置ずれが発生する。
露光とアライメント信号検出を交互に行なうインプリントは、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。半導体装置(半導体集積回路)を製造する際には、ウエハWへの成膜処理、露光とアライメント信号検出を交互に行なうインプリント処理、インプリント処理によって形成されたレジストパターン12Y上からのエッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
このように実施形態によれば、アライメント信号検出の際に露光を停止しているので、正確にアライメント信号を検出することが可能となる。したがって、テンプレートTとウエハWとの間の位置ずれ補正を正確に行うことが可能となり、この結果、テンプレートTとウエハWとの間の重ね合わせを精度良く行なうことが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
5…試料ステージ、9…ステージベース、10…UV光源、11…CCDカメラ、12X…レジスト、12Y…レジストパターン、20…制御装置、22…アライメント信号検出部、23…タイミング制御部、24…光源制御部、25…位置ずれ量検出部、26…ステージベース制御部、27…試料ステージ制御部、101…インプリント装置、L1…硬化光、L2…アライメント光、L3…反射光、Mt,Mw…アライメントマーク、T…テンプレート、W…ウエハ。

Claims (6)

  1. 被処理基板を保持するとともに、前記被処理基板を面内方向に移動させる基板保持部と、
    テンプレートパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、前記テンプレートを面内方向に移動させ、且つ前記被処理基板上に転写材として滴下されたレジストに前記テンプレートパターンを所定時間押し当てるテンプレート保持部と、
    前記テンプレートパターンに前記レジストが充填された後、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させる照射部と、
    前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出部と、
    前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれを解消するよう、前記位置ずれ量に基づいて、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    各ショットに対して前記硬化光が間欠的に照射されるよう前記照射部を制御するとともに、前記硬化光の照射が停止している間に検出された位置ずれ量に基づいて、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御し、
    かつ前記硬化光の照射と、前記位置ずれ量の検出と、が交互に行なわれるよう、前記照射部および前記位置ずれ量検出部を制御し、
    かつ前記硬化光が照射されている間に前記位置ずれが解消されるよう、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御し、
    かつ前記各ショットにおける前記硬化光の間欠的な照射が進むにつれて、前記硬化光の間欠的な照射時間が長くなるよう、前記照射部を制御することを特徴とするインプリント装置。
  2. 被処理基板を保持するとともに、前記被処理基板を面内方向に移動させる基板保持部と、
    テンプレートパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、前記テンプレートを面内方向に移動させ、且つ前記被処理基板上に転写材として滴下されたレジストに前記テンプレートパターンを所定時間押し当てるテンプレート保持部と、
    前記テンプレートパターンに前記レジストが充填された後、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させる照射部と、
    前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出部と、
    前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれを解消するよう、前記位置ずれ量に基づいて、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、第1のショットに対して前記硬化光が間欠的に照射されるよう前記照射部を制御するとともに、前記硬化光の照射が停止している間に検出された前記第1のショットでの位置ずれ量に基づいて、前記第1のショットに対する前記位置ずれ量の検出が停止している間に前記第1のショットに対して前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御することを特徴とするインプリント装置。
  3. 前記制御部は、前記硬化光の照射と、前記位置ずれ量の検出と、が交互に行なわれるよう、前記照射部および前記位置ずれ量検出部を制御することを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
  4. 前記制御部は、前記硬化光が照射されている間に前記位置ずれが解消されるよう、前記基板保持部およびテンプレート保持部の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項2または3に記載のインプリント装置。
  5. 前記制御部は、前記第1のショットにおける前記硬化光の間欠的な照射が進むにつれて、前記硬化光の間欠的な照射時間が長くなるよう、前記照射部を制御することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載のインプリント装置。
  6. 被処理基板上に転写材として滴下されたレジストに、テンプレートに形成されたテンプレートパターンを所定時間押し当てる押し当てステップと、
    前記テンプレートパターンに前記レジストが充填された後、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させながら前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれ量を検出する硬化ステップと、
    前記被処理基板と前記テンプレートとの間の位置ずれを解消するよう、前記位置ずれ量に基づいて、前記被処理基板および前記テンプレートの少なくとも一方を面内方向に移動させる位置補正ステップと、
    を含み、
    前記硬化光は、第1のショットに対して間欠的に照射され、
    かつ前記硬化光の照射が停止している間に検出された前記第1のショットでの位置ずれ量に基づいて、前記第1のショットに対する前記位置ずれ量の検出が停止している間に前記第1のショットに対して前記被処理基板および前記テンプレートの少なくとも一方が面内方向に移動させられることを特徴とするインプリント方法。
JP2012030801A 2012-02-15 2012-02-15 インプリント装置およびインプリント方法 Expired - Fee Related JP5687640B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012030801A JP5687640B2 (ja) 2012-02-15 2012-02-15 インプリント装置およびインプリント方法
US13/607,379 US20130207288A1 (en) 2012-02-15 2012-09-07 Imprinting apparatus and imprinting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012030801A JP5687640B2 (ja) 2012-02-15 2012-02-15 インプリント装置およびインプリント方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013168504A JP2013168504A (ja) 2013-08-29
JP5687640B2 true JP5687640B2 (ja) 2015-03-18

Family

ID=48944954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012030801A Expired - Fee Related JP5687640B2 (ja) 2012-02-15 2012-02-15 インプリント装置およびインプリント方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20130207288A1 (ja)
JP (1) JP5687640B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10093044B2 (en) 2015-08-20 2018-10-09 Toshiba Memory Corporation Imprinting apparatus and imprinting method

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5413816B2 (ja) * 2008-06-18 2014-02-12 株式会社ニコン テンプレートの検査方法及び検査装置、ナノインプリント装置、ナノインプリントシステム、並びにデバイス製造方法
JP6021365B2 (ja) * 2012-03-12 2016-11-09 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP6632270B2 (ja) * 2014-09-08 2020-01-22 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6604793B2 (ja) * 2015-09-17 2019-11-13 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
JP6882103B2 (ja) * 2017-07-04 2021-06-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6869838B2 (ja) * 2017-07-14 2021-05-12 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
JP7039222B2 (ja) 2017-09-11 2022-03-22 キオクシア株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
JP7194010B2 (ja) 2018-12-20 2022-12-21 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
JP7327973B2 (ja) 2019-03-29 2023-08-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US11107678B2 (en) * 2019-11-26 2021-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Wafer process, apparatus and method of manufacturing an article
JP7403325B2 (ja) * 2020-01-20 2023-12-22 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP7495815B2 (ja) 2020-06-01 2024-06-05 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004505273A (ja) * 2000-08-01 2004-02-19 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィのための透明テンプレートと基板の間のギャップおよび配向を高精度でセンシングするための方法
JP4185941B2 (ja) * 2006-04-04 2008-11-26 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP2009088264A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Toshiba Corp 微細加工装置およびデバイス製造方法
JP2010080630A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Canon Inc 押印装置および物品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10093044B2 (en) 2015-08-20 2018-10-09 Toshiba Memory Corporation Imprinting apparatus and imprinting method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013168504A (ja) 2013-08-29
US20130207288A1 (en) 2013-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5687640B2 (ja) インプリント装置およびインプリント方法
JP5813603B2 (ja) インプリント装置およびインプリント方法
KR101358642B1 (ko) 임프린트 장치 및 제품 제조 방법
JP4185941B2 (ja) ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP6120678B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置及びデバイス製造方法
KR102032095B1 (ko) 미경화 재료를 경화시키는 방법 및 물품 제조 방법
TWI610341B (zh) 壓印設備、壓印系統及製造物品的方法
JP2011146689A (ja) インプリント装置及びパターン転写方法
US9387607B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method for producing device
CN109062004B (zh) 压印装置、压印方法和制造物品的方法
JP2012142604A5 (ja)
JP5072247B2 (ja) リソグラフィ装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
WO2015111504A1 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP2011222705A (ja) インプリント装置およびインプリント基板の製造方法
JP2015012163A (ja) インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法
JP2016157784A (ja) パターン形成方法およびパターン形成装置
JP6234207B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
JP2016134441A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6139434B2 (ja) インプリント方法
KR102059758B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR102410234B1 (ko) 정보 처리 장치, 컴퓨터 프로그램, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법
KR102286380B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
JP2007250767A (ja) 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2019140289A (ja) インプリント装置、および、物品製造方法
JP2011129720A (ja) インプリント装置、モールド及び物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140624

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140820

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150122

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees