NL1037064C2 - In een semiconductor tunnel-opstelling de opname in het boventunnelblok ervan van een stripvormige toevoer-sectie voor het daarin ononderbroken toevoeren van een semiconductor behandelings-medium, bevattende de combinatie van een laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan onder tenminste mede een micro-hoogte van het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte en in een volgende sectie ervan een stripvormige transducer-opstelling, tevens fungerend als warmtebron, met in een daarop-volgende stripvormige afvoersectie afvoeren van he - Google Patents

Description

In een semiconductor tunnel-opstelling de opname in het boventunnelblok ervan van een stripvormige toevoer-sectie voor het daarin ononderbroken toevoeren van een semiconductor behandelings-medium, bevattende de combinatie 5 van een laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan onder tenminste mede een micro-hoogte van het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte en in een volgende sectie ervan een stripvormige transducer-opstelling, tevens fungerend als 10 warmtebron, met in een daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie afvoeren van het verdampte vloeibare draagmedium.

In deze Octrooi-aanvrage is een gedeelte van een semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling 15 aangegeven en omschreven met tijdens de werking ervan het daarin plaatsvinden van een ononderbroken lineaire verplaatsing erdoorheen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en plaatselijk in het boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer ter plaatse van 20 tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, met in dit blok voor deze transducer een stripvormige toevoersectie, waarin het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van de combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of 25 vloeibare vorm en onder tenminste mede capillaire aanzuiging ervan door het bovenspleet-gedeelte onder deze toevoersectie.

Daarbij in de bovenspleetsectie onder deze transducer met behulp van de door deze transducer ontwikkelde warmte het ononderbroken plaatsvinden van een geleidelijke verdamping 30 van dit vloeibare draagmedium onder tenslotte tenminste nabij het achtergedeelte van deze transducer het bewerkstelligd zijn van verdamping van tenminste nagenoeg al het opvolgend toegevoerde vloeibare draagmedium onder een tenminste nagenoeg totale neerslag van deze deeltjes semiconductor 35 substantie op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met een optimale vlakheid van de bewerkstelligde typisch nanometer hoge laag ervan en zulks mede met behulp van het daarbij onderhouden van een *037064 2 typisch megasonische trilconditie van de bewerkstelligde damp boven deze deeltjes en waarbij in een daaropvolgende stripvormige afvoersectie van dit blok het plaatsvinden van afvoer van de ontwikkelde damp.

5 De semiconductor tunnel-opstelling volgens de uitvinding is tot op heden nog niet bekend en in een Octrooi-geschrift vastgelegd.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in de Figuren weergegeven gedeeltes van deze 10 semiconductor tunnel-opstelling.

Figuur 1 toont sterk vergroot een langsdoorsnede van een semiconductor tunnel-opstelling, met.daarin in stripvormige secties van het boventunnelblok in opvolgende gedeeltes de opname van een stripvormige medium-afvoersectie, in het 15 volgende stripvormige gedeelte van dit boventunnelblok de opname van een stripvormige toevoer-opstelling ten behoeve van een ononderbroken toevoer van semiconductor behandelingsmedium, bevattende de combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie 20 in vaste of vloeibare vorm ervan en zulks onder tenminste mede een capillaire aanzuiging ervan en in een volgend gedeelte van dit blok de opname van een stripvormige transducer-opstelling, tevens fungerend als warmtebron, met een daarop volgend stripvormig afvoer-gedeelte voor het 25 daarmede verdampte vloeibare medium.

Figuur 2 toont sterk vergroot het ondergedeelte van het in de Figuur 1 aangegeven stripvormige mediumtoevoerblok met een jim hoogte van het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte.

30 Figuur 3 toont zeer sterk vergroot het gedeelte van de in

Figuur 1 aangegeven transducer-opstelling ter plaatse van de membraamsectie van het begingedeelte ervan en waarbij eveneens een μιη hoogte van het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte.

35 Figuur 4 toont zeer sterk vergroot het gedeelte van deze transducer-opstelling nabij het einde ervan en met een aanzienlijk grotere hoogte van het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte.

3

Figuur 5 toont een dwarsdoorsnede over de lijn 5-5 van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 ter plaatse van de daarin opgenomen stripvormige medium-toevoersectie in het boventunnelblok.

5 Figuur 6 toont sterk vergroot een bovengedeelte van de mediumtoevoerblok-opstelling volgens de Figuur 5.

Figuur 7 toont sterk vergroot een ondergedeelte van de mediumtoevoerblok-opstelling volgens de Figuur 5.

Figuur S toont de verticale doorsnede over de 1 ijn 8—8 van 10 het tunnel-gedeelte volgens de Figuur 1 ter plaatse van de beide daarin opgenomen medium-afvoergroeven in het bovenen ondertunnelblok.

Figuur 9 toont de horizontale doorsnede over de lijn 9-9 van het boventunnelblok van het tunnel-gedeelte volgens de 15 Figuur 1 ter plaatse van een gedeelte van de daarin opgenomen mediumafvoergroef en een aantal daarop volgende medium-toevoerblokgedeeltes.

Figuur 10 toont sterk vergroot een stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 ter plaatse 20 van de daarin opgenomen transducer-opstelling in het boventunnelblok, met daarbij daaronder in het onder tunnelblok de opname van opvolgende combinaties van stripvormige toe-en afvoergroeven met tussengelegen doorlaatgroeven voor typisch gasvormig transfermedium.

25 Figuur 11 toont de langsdoorsnede over de lijn 11-11 van het tunnel-gedeelte volgens de Figuur 10 onmiddellijk onder de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor 9ubstraat-gedeeltes.

Figuur 11 toont sterk vergroot het achtergedeelte van deze 30 transducer-opstelling ter plaatse van de membraamsectie ervan en waarbij het bewerkstelligd zijn van een typisch sub-pm hoge verankerde laag van déze semiconductor substantie op de ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraatgedeeltes.

35

Figuur 1 toont sterk vergroot een gedeeltelijke langsdoorsnede van het semiconductor tunnel-gedeelte 10 en waarbij in het boventunnelblok 12 en het ondertunnelblok \U

4 ervan de opname van de medium-afvoergroeven 16 en 18 ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, met aansluiting op elk ervan van tenminste één afvoerleiding 20 ten behoeve van het ononderbroken afzuigen 5 van mediums uit het bovenspleet-gedeelte 22 en het onderspleet-gedeelte 24.

Daarbij tydens de werking van de tunnel-opstelling 10 in de onderafvoergroef 18 het onderhouden van een hogere afvoer—onderdruk van het medium dan die in de boven— 10 afvoergroef 16, waardoor ter plaatse het ononderbroken plaatsvinden van aanzuigen van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26 op het zich eronder bevindende bovenwand-gedeelte 28 van dit ondertunnelblok 14.

15 Achter deze mediumafvoergroef-opstelling 16/18 is in het boventunnelblok 12 eveneens ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang de stripvormige medium-toevoersectie 30 opgenomen, waarin het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van de combinatie 20 van vloeibaar draagmedium 32 en deeltjes semiconductor substantie 34 onder tenminste mede capillaire aanzuigconditie ervan.

Tevens vindt nagenoeg geen vulling van het μιη hoge bovenspleet-gedeelte 22 vóór deze mediumtoevoersectie met 25 deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie plaats en zulks mede door deze ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26.

In de daaropvolgende sectie 36 van dit blok 12 de opname 30 van het stripvormige transducer-compartiment 38 onder afsluiting ervan van de buitenlucht met behulp van de bovenkap 40 en met daarin de opname van de typisch MHF transducer 42.

Figuur 2 is daarbij zeer sterk vergroot een gedeelte van 35 de in de in Figuur 1 aangegeven stripvormige medium- toevoersectie 30 en waarbij via het in het medium-.toevoerblok 44 ervan opgenomen um nauwe kanaal 46 het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van mediums 32 5 en 34 naar het zich eronder bevindende um hoge bovenspleet-gedeelte 22 onder tenminste mede capillaire aanzuigconditie ervan, met het ononderbroken opbrengen ervan op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 5 26.

Zulk een capillaire aanzuigconditie voor deze combinatie van mediums is mede mogelijk door in deze voorgaande tunnel-sectie het ononderbroken plaatsvinden van afzuiging via de boven-mediumafvoergroef 16 van verwijderbaar, typisch gas-10 en-of dampvormig medium uit de zich eronder bevindende bovenspleet-sectie 22 boven deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende ultra vlakke semiconductor substraat-gedeeltes 26.

Figuur 3 toont zeer sterk vergroot een gedeelte van de in 15 de Figuur 1 aangegeven transducer-opstelling 36 ter plaatse van de membraamsectie 48 van het begingedeelte ervan, met een nog jum hoogte van het zich eronder bevindende boven-spleetgedeelte 22.

Figuur 4 toont sterk vergroot het gedeelte van deze 20 transducer-opstelling 36 nabij het einde ervan en waarbij door de warmte-ontwikkeling ervan het plaats gehad hebben van verdamping van dit laagkokende vloeibare draagmedium 32 onder de vorming van dampvormig medium 50 onder een geleidelijke neerslag van de deeltjes semiconductor 25 substantie 34 op de opvolgende, zich-ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26 mede met behulp van de trillende werking van deze transducer-opstelling, onder de vorming van een (sub) pm hoge laag 52 van deze deeltjes, Figuren 12 en 13.

30 Figuur 5 toont een dwarsdoorsnede van de tunnel-opstelling 10 volgens de Figuur 1 over de lijn 5-5 ervan ter plaatse van de medium-toevoersectie 30, welke is opgenomen in het centrale semiconductor behandelings-gedeeite 54 van het boventunnelblok 12.

35 Daarbij bevat deze sectie een aantal naast elkaar gelegen uiterst nauwe medium-toevoerkanalen 56, met in zowel het bovengedeelte 58, Figuur 6, als in het ondergedeelte 60, Figuur 7, de opname van de mini cilindrische boven- 6 mediumtoevoerblokken 62 en -onderblokken 44, elk bevattende een cilindrisch toevoerkanaal 64 ten behoeve van aansluiting ervan op zulk een toevoerkanaal 56 en de ultra nauwe cilindrische toevoerkanalen 66.

5 Ter plaatse van deze medium-toevoersectie is op het boventunnelblok 12 de stripvormige toevoerplaat 68 met behulp van de schroefbouten 70 en de ononderbroken 0-ring 72 drukdicht vastgezet, met in het centrale onderwand-gedeelte 74 ervan de opname van een smalle medium-toevoergroef 76, 10 waarop boven deze combinatie van medium-toevoerblokken 44 en 62 tenminste één medium-toevoerleiding 78 is aangesloten ten behoeve van toevoer van de combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie 34 in vaste of vloeibare vorm ervan vanuit de meng-inrichting 15 80 boven dit tunnelblok 12.

Tijdens de werking van deze tunnel-opstelling 10 vindt daarbij mede met behulp van de onderdruk van het typisch gasvormige medium 86 in het bovenspleet-gedeelte 88 vóór deze combinatie van de medium-toevoerblokken 44en 62 het 20 ononderbroken toevoeren van deze combinatie van vloeibaar draagmedium 32 en deeltjes semiconductor substantie 34 vanuit deze menginrichting 80 via deze medium-toevoergroef 76 en medium-toevoerblokken 44 naar het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte 90 plaats onder tenminste mede 25 capillaire aanzuigconditie ervan door dit urn boven-spleetgedeelte.

In een gunstige uitvoering van zulk een medium-toevoerblok 44 is in de onderwand ervan een ultra smalle medium-doorlaatgroef 92 opgenomen, welke zich vanuit het 30 toevoerkanaal 66 in dwarsrichting van de tunneldoorgang 94 uitstrekt, Figuur 9, met verplaatsing van het aangezogen medium vanuit dit kanaal mede erdoorheen ten behoeve van een bydrage in een tenminste nagenoeg geheel vullen van dit bovenspleet-gedeelte 88, Figuur 1.

35 In de Figuur 9 als gedeeltelijke doorsnede van het boventunnelblok 12 over de lijn 9-9 van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 zijn nog de aanzuiggroeven 96, welke zijn opgenomen in de onderwand 98 van dit blok tussen deze naast 7 elkaar gelegen medlum-afzuigkanalen 16 ten behoeve van een optimaal afzuigen van medium uit het eronder liggende gedeelte van de bovenspleet 22 aangegeven, zie tevens de Figuur 8.

5 In de Figuur 8 zijn deze groeven 96 in de onderwand 98 van het boventunnelblok 12 tussen de daarin opgenomen medium-afvoerkanalen 16 en de groeven 102 in de bovenwand 104 van het ondertunnelblok 14 tussen de daarin opgenomen medium-afvoerkanalen '18 aangegeven.

10 Door het onderhouden van een hogere onderdruk van het medium 106 in deze onder-mediumafvoerkanalen 18 ten opzichte van de onderdruk van het medium 108 in deze boven-mediumaf voerkanalen 16 wordt daarbij een aanliggende verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-15 gedeeltes 26 over deze bovenwand 104 van het ondertunnelblok 14 onderhouden, zoals is aangegeven in de tunnel-gedeeltes 110 en 112 van deze Figuur.

Figuur 10 toont sterk vergroot het stripvormige gedeelte 114 van de tunnel-opstelling 10 ter plaatse van de daarin 20 opgenomen transducer-opstelling 36 in het boventunnelblok 12, met daarbij in het bovenwand-gedeelte 116 van het ondertunnelblok 14, Figuur 11, tenminste mede daaronder de opname in de lengterichting van de tunneldoorgang 94 van een aantal combinaties 118 van een zich in dwarsrichting ervan 25 uitstrekkende stripvormige toevoergroef 120 met aansluiting erop van typisch een aantal toevoerkanalen 122 in dit blok voor typisch gasvormig of dunvloeibaar transfermedium 124 en een daarop volgende afvoergroef 126 met eveneens typisch een aantal afvoerkanalen 128 voor dit transfermedium 124 en 30 een groot aantal naast elkaar gelegen medium-doorlaatgroeven 130 ertussen.

Zulk een toevoergroeven 118 ten behoeve van het ononderbroken stuwen van dit transfermedium 124 onderlangs de opvolgende, ononderbroken door deze tunneldoorgang 94 35 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26 onder een voldoend hoge stuwkracht ervan daarop in de verplaatsings-richting ervan met mede een voldoede grootte ervan ten opzichte van de aanzienlijke afremkracht van het door deze 8 transducer-opstelling onderhouden van het trillende semiconductor behandelingsmedium 132, bevattende de combinatie van al dan niet verdampt vloeibaar draagmedium 50 en deeltjes semiconductor substantie 34 in het eronder 5 gelegen bovenspleet-gedeelte 134.

Aldus in deze tunnel-opstelling de mogelijke toepassing van een kunststoffolie 136 als semiconductor onderlaag voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

In Figuur 12 is nog zeer sterk vergroot de transducer-10 opstelling 36 ter plaatse van nabij het begingedeelte van de transducer 42 ervan aangegeven en waarbij het onderhouden van een onderste positie onder een typisch tevens laag-frequent pulseer-conditie ervan.

Daarbij in het eerste gedeelte van deze Figuur het 15 aangegeven zijn van de onderste tril-positie 140 van deze MHF trillende transducer, met in het bewerkstelligde pm hoge bovenspleet-gedeelte 134 het ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes van de semiconductor substantie 34 op de bovenwand 144 van de zich ononderbroken 20 eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26 en in het tweede gedeelte ervan het aangegeven zijn van de bovenste trilpositie 146 van deze trillende transducer-onderwand 142, waarbij in het bovenspleet-gedeelte 134 de opvolgend bewerkstelligde pm hoge laag 52 van deze deeltjes* 25 met erboven een jum hoge laag van de combinatie van dampvormig medium 50 en deze deeltjes 34, Figuur 13.

In de Figuur 13 is zeer sterk vergroot het eindgedeelte van de membraamsectie 48 van deze transducer-opstelling 36 aangegeven met daarbij een maximale hoogte van het bovenspleet-30 gedeelte 134 ten behoeve van een optimale afvoer van de gevormde damp 50 van het vloeibare draagmedium 32 en het bewerkstelligd zijn van een tenminste sub ^im hoge laag 52 van deze deeltjes semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan.

35 Daarbij het navolgende: a) deze laag deeltjes 52 in vaste vorm ervan als een ideale typisch sub pm hoge hechtlaag ten behoeve van in een volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling op te brengen daarop van 9 een volgende aanzienlijk dikkere laag van dezelfde deeltjes semiconductor substantie; of b) deze laag deeltjes 52 in vloeibare vorm ervan en daarbij fungerend als ideale typisch nanometerhoge hechtlaag ten 5 behoeve van een in een volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling daarop op te brengen jim hoge laag van deeltjes van een vaste semiconductor substantie 34.

Verder vindt met behulp van deze transducer 36 in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte 100 nabij het begin-10 gedeelte ervan door de trillingen ervan het tevens ononderbroken plaats van een egalisatie-proces van deze daarin toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium 32 en deeltjes semiconductor substantie 34 ten behoeve van het opheffen daarmede van de navolgende, uiterst ongunstige 15 aanvoercondities ervan: a) in de bovenspleetsectie i50 vóór deze transducer in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes ervan het bewerkstelligen van een verschil in verplaatsingssnelheid van deze daarin toegevoerde combinatie; en 20 b) in deze sectie 150 het bewerkstelligen van een verschil tussen het percentage van dit vloeibare draagmedium en van deze deeltjes semiconductor substantie.

Door deze transducer-trillingen aldus onder het achtergedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van een optimale 25 vlakheid van de opgebrachte laag van deze deeltjes substantie 34.

In een gunstige alternatieve uitvoering van deze tunnel-opstelling 10 vindt daarbij vanuit deze menginrichting 80 via het stripvormige medium-toevoergedeelte 30 een 30 ononderbroken toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium 32 en deeltjes semiconductor substantie 34 plaats onder een overdruk ervan en waardoor het boven-spleetgedeelte 152 opzij van de boven-mediufflafvoergroef 154 in het boventunnelblok 12 eveneens tenminste gedeeltelijk 35 gevuld raakt met deze combinatie en mogelijk zelfs in deze medium-afvoergroef.

Door regeling van deze toevoer van deze combinatie vindt echter daarbij tenminste nagenoeg geen ontoelaatbare 10 uitstuwing van een gedeelte ervan via deze medium-atvoergroef 16 plaats.

Verder vindt daarbij door de zeer sterke afremkracht van deze transducer-opstelling 36 op deze daarin toegevoerde 5 combinatie van mediums en een voldoende breedte ervan in de lengterichting van de tunneldoorgang 94 geen zodanig erdoorheen verplaatsen ervan plaats, dat daardoor via de daarop volgende stripvormige afvoergroef 16 in het boventunnelblok 12 een gedeelte van dit vloeibare draagmedium 10 32 in nog vloeibare conditie ervan wordt afgevoerd.

Voor deze deeltjes semiconductor substantie 34 verder de mogelijke toepassing van deeltjes van een hoogkokende vloeibare hechtsubstantie 156 en waarbij na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium 32 met behulp van 15 deze transducer 42 met afvoer van de gevormde damp via de daarop volgende stripvormige medium-afvoer sectie 154 in het boventunnelblok 12,in het daarop volgende semiconductor behandelings-gedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van verankering van de opgebrachte, typisch nanometer hoge laag 20 vloeibare hechtsubstantie 156 op de semiconductor bovenlaag 52 van de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34.

Verder als alternatief voor deze semiconductor substantie 156 de mogelijke toepassing van deeltjes in vaste vorm ervan 25 en waarbij na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium 32 met behulp van deze transducer 42 met afvoer van de gevormde damp via de daarop volgende stripvormige medium-afvoersectie 154 in het boventunnelblok en in daarop volgende stripvormige secties het plaatsvinden van een oven-30 behandeling en een volgend afkoel-proces ervan het verkrijgen van een um hoge laag van deze substantie in vaste vorm ervan, met het daarbij tevens bewerkstelligd zijn van verankering van deze laag op de zich eronder bevindende semiconductor bovenlaag 52 van de opvolgende, zich eronderlangs 35 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Verder in dit tunnel-gedeelte 10 tenminste plaatselijk de mogelijke toepassing van vloeibaar draagmedium 32 en de combinatie van een vloeibare hechtsubstantie 156 en 11 nanometer grote deeltjes 34 van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan ten behoeve met behulp van zulk een stripvormige transducer-opstelling 36 in het boventunnelblok het tevens ononderbroken plaatsvinden van een verankerings-5 proces van deze combinatie in het bovenlaag-gedeelte 52 van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26.

Verder, dat daarbij onder het begin-gedeelte van deze transducer 42 .door het trillen ervan het ononderbroken 10 plaatsvinden van indringing van de combinatie van deeltjes van een semiconductor substantie en daaraan-grenzende deeltjes van deze hoogkokende vloeibare hechtsubstantie 156 in het nanometer hoge gedeelte van de semiconductor bovenlaag 52 van deze semiconductor substraat-gedeeltes.

15 Verder, dat daarbij in deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk onder het begin-gedeelte van zulk een transducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van de combinatie van vloeibaar draagmedium 32 en vaste deeltjes 34 van een semiconductor substantie in een 20 pm hoge bovenlaag 52 van in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte laag deeltjes van typisch een andere semiconductor substantie met daarbij in een daarop-volgend gedeelte nog geen plaatsvinden van een oven-behandeling en een daarop-volgend afkoel-proces ervan.

25 Verder vindt met behulp van deze transducer-opstelling 32 het navolgende plaats: a) het opheffen van een in de bovenspleet-sectie 150 vóór deze transducer in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsings- 30 snelheid van deze in de tunnel-opstelling toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium 32 en deeltjes 34 van een semiconductor substantie; en b) het opheffen van een in deze voorgaande bovenspleet-sectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van 35 dit vloeibare draagmedium 32 en tenminste deze deeltjes 34 van een semiconductor substantie.

Verder, dat daarbij vanuit zulk een meng-inrichting 80 boven het boventunnelblok 12 via een stripvorraig medium- 12 toevoergedeelte van dit blok het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinatie van vloeibaar draagmedium 32 en tenminste deeltjes 34 van een semiconductor substantie 34 onder een overdruk ervan en 5 waardoor tenminste het bovenspleet-gedeelte 150 naar de voorgaande, in dit blok opgenomen boven-mediumtoevoer gr oef 16 eveneens tenminste gedeeltelijk gevuld raakt met deze combinatie, met mogelijk zelfs dat daarbij tevens een gedeelte van deze combinatie terechtkomt in deze medium-afvoergroef 10 als buffer ervoor.

Voor deze tunnel-opstelling verder de mogelijke toepassing van een metalen draag/transf er band met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang ervan ten behoeve van het daarmede verplaatsen van de daarop gebrachte ononderbroken kunststof 15 folie, zoals is 'aangegeven en omschreven in de bijgaande Nederlandse 0ctrooi-aanvragen.

Voor deze tunnei-opstelling de mogelijKe toepassing van meerdere van de semiconductor uitvoeringen en middelen van de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en 20 - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager gelijk met deze Octrooi-aanvrage ingediende aanvullende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

Verder, dat daarbij de in deze Nederlandse Octrooiaanvrage aangegeven en omschreven uitvoeringen en middelen 25 eveneens mogelijk toepasbaar zijn in de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

Verder, dat daarbij voor deze semiconductor tunnel-30 opstelling de mogelijke toepassing van semiconductor uitvoeringen, - middelen en - substanties, welke reeds algemeen worden toegepast in de bestaande semiconductor installaties, waarin in opvolgende individuele semiconductor modules ervan het plaatsvinden van de 35 vervaardiging van typisch nagenoeg cilindrische semiconductor substraten, waaruit door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

f037064

Claims (139)

1. Semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling , met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, 5 en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van tenminste één stripvormige medium-toevoerinrichting ten behoeve tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken aanvoer in tenminste een 10 stripvormig toevoer-gedeelte van het boventunnelblok, welke zich tenminste hoofdzakelijk uitstrekt in dwarsrichting ervan, van de combinatie van typisch laagkokend vloeibaardraagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan onder tenminste mede een capillaire 15 aanzuigconditie van de daaropvolgende jjw hoge stripvormige bovenspleet-sectie boven de opvolgende, zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

2. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het 20 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de toepassing van tenminste mede een tijdens de werking ervan ononderbroken folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

3. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze folie daarbij tenminste bestaat uit een metalen substantie.

4. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze folie daarbij tenminste bestaat uit een 30 kunststoffen substantie.

5. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van mediums onder de 35 combinatie van een tenminste nagenoeg gelijke hoogte van de onderdruk ervan als die van het medium in dit bovenspleet-gedeelte en het verplaatsen van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes eronderlangs. f037064

6. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een voorgaande stripvormige sectie ter plaatse van tenminste dit centrale 5 semiconductor behandelings-gedeelte ervan onder dit boven-tunnelblok het ononderbroken bewerkstelligen van een ^im hoogte van het bovenspleet-gedeelte.

7. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 10 zodanige middelen, dat daarbij in deze stripvormige sectie in het onderspleet-gedeelte eronder het ononderbroken onderhouden van een zodanige aanzienlijke afzuiging van medium onder een zodanig hoge onderdruk van het daarin aanwezige medium, dat daarin het bewerkstelligen van een tenhoogste (sub) pm 15 hoogte van het daarop volgende onderspleet-gedeelte.

8. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in dit onderspleet-gedeelte het zodanig mede plaatsvinden van het ononderbroken afzuigen 20 van damp- en/of gasvormig medium daaruit onder een aanzienlijke onderdruk ervan, dat in het daaropvolgende onderspleet-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een mechanisch contact van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met het zich eronder bevindende gedeelte 25 van het ondertunnelblok.

9. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in dit onderspleet-gedeelte het zodanig plaatsvinden van het ononderbroken afzuigen van 30 tenminste mede vloeibaar medium daaruit, dat in het daarop volgende onderspleet-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een (sub) pm hoogte ervan.

10. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 35 bevattende zodanige middelen, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie onder een tenminste nagenoeg dezelfde druk ervan als die van het medium in de zich eronder bevindende stripvormige um hoge bovenspleet-sectie, typisch een onderdruk ervan.

11. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 5 bevattende zodanige middelen, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie onder een overdruk ervan ten opzichte van de druk van het medium in de-zich eronder bevindende stripvormige 10 bovenspleet-sectie boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

12. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een daarop 15 volgend gedeelte van dit boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan ten behoeve van het tenminste mede fungeren ervan als warmtebron voor het daarmede verdampen van dit laagkokende vloeibare 20 draagmedium onder een trillende neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met in dit blok achter deze transducer-opstelling de opname van een stripvormige afvoersectie ten behoeve van de ononderbroken 25 afvoer van het verdampte medium.

13. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van een MHF transducer daarin.

IA. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het 30 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van een UHF transducer daarin.

15. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevöerd, dat deze transducer-opstelling daarbij is opgenomen in een van de 35 buitenlucht afgesloten stripvormig transducercompartiment-gedeelte van het boventunnelblok en waar bij de onder-electrodeplaat ervan deel uitmaakt van de onderwand van dit blok, met rondom het transducer-gedeelte ervan een membraam- gedeelte van deze transducer-opstelling.

16. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk tijdens de 5 werking ervan het tevens fungeren van dit compartiment als drukkamer ten behoeve van het plaatsvinden van een laag-frequent pulseren van deze daarin opgenomen transducer.

17. Tunnel-opstelling volgens één der coorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 10 bevattende zodanige middele, dat daarbij tijdens de werking ervan met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van het opheffen van een in de ervoor gelegen bovenspleet-sectie naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsingssnelheid van deze 15 daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van vloeibare draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

18. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij mede met behulp van deze 20 transducer het ononderbroken plaatsvinden van het opheffen van het in deze naast elkaar gelegen gedeeltes van deze ervoor bevindende bovenspleetsectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van dit vloeibare draagmedium en deze deeltjes van een semiconductor substantie.

19. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daar bij in het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok de opname van een groot aantal in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen toevoerkanalen voor 30 deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, in tenminste het ondergedeelte van dit blok onder deze kanalen de opname van eveneens een groot aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen mini cilindrische medium-toevoerblokken*, elk bevattende in het bovengedeelte 35 ervan een cilindrisch medium-doorlaatkanaal met aansluiting van elk ervan op een daarmede corresponderend medium-toevoerkanaal en in het ondergedeelte van zulk een medium-toevoerblok de opname van een ultra nauw medium-toevoerkanaal met een typisch nanometer grote diameter ervan als benedenwaarts verlenge van zulk een medium-doorlaatkanaal.

20. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij 5 op het boventunnelblok de drukdichte bevestiging van een stripvormige medium-toevoerplaat, met in het centrale tussengedeelte ervan een smalle medium-toevoergroef, welke via tenminste.één, in deze plaat opgenomen medium-toevoer leiding is aangesloten op tenminste één toevoer-10 inrichting voor deze combinatie van vloeibaar draa<gmedium en deeltjes semiconductor substantie.

21. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in de onderwand van deze mini medium-toevoerblokken de 15 opname van een typisch nanometer brede medium-doorlaatgroef, welke zich uitstrekt in dwarsrichting van de tunneldoorgang.

22. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze groeven in-lijn naast elkaar zijn gelegen.

23. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 22, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in de onderwand van het boventunnelblok eveneens de opname van in-lijn gelegen ultra smalle medium-doorlaatgroeven tussen deze naast elkaar gelegen medium-toevoerblokken, welke 25 de daarin opgenomen groeven met elkaar doorverbinden.

24. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking ervan onder zulk een combinatie van in-lijn naast elkaar 30 gelegen mini medium-toevoerblokken het bewerkstelligd zijn en vervolgens onderhouden van een minder dan 10 μπ», typisch slechts 2-5 pm hoogte van het zich eronder, bevindende boven-spleetgedeelte boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. 35

25. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij de verplaatsingssnelheid van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes mede daartoe beperkt is tot tenhoogste 2 mm/seconde.

26. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij mede daartoe de breedte van het centrale semiconductor 5 behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang typisch slechts 200 mm bedraagt.

27. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze verder zpdanige middelen bevat, dat daarbij tijdens de -werking ervan een ononderbroken toevoer van deze 10 combinatie van vloeibaar medium en deeltjes van een semiconductor substantie.minder dan 5 mm^/seconde en typisch slechts circa 2 nm^/seconde,

28. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij 15 ten behoeve van het bewerkstelligen van een nanometer hoge laag vloeibare hechtsubstantie op de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes de toepassing van een hoog percentage van dit vloeibare draagmedium, typisch 80 %, in deze combinatie ervan met deze deeltjes substantie 20 in daarbij vloeibare vorm ervan.

29. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes van deze 25 semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

30. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij 30 met behulp van deze transducer het tevens ononderbroken plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op het centrale gedeelte van deze eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

31. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 30, met het 35 kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat zoals daarbij voor deze semiconductor substantie de toepassing van deeltjes van een hoogkokende vloeibare hechtsubstantie, na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium met behulp van deze transducer met 'afvoer van de gevormde damp via de daaropvolgende stripvormige medium-afvoersectie in het boventunnelblok in het daarop volgende semiconductor behandelings-gedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van 5 verankering van de öpgebrachte, typisch nanometer hoge laag vloeibare hechtsubstantie op de semiconductor bovenlaag van van de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

32. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 30, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat zoals daarbij voor deze semiconductor substantie de toepassing van deeltjes in vaste vorm ervan, na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium met behulp van deze transducer met afvoer van de gevormde damp via de 15 daaropvolgende stripvormige medium-afvoersectie in het boventunnelblok en in daaropvolgende stripvormige secties het plaatsvinden van een oven-behandeling en een volgend afkoelproces ervan onder het verkrijgen van een pm hoge laag van deze substantie in vaste vorm ervan, het daarbij tevens 20 bewerkstelligd zijn van verankering van deze laag op de zich eronder bevindende semiconductor bovenlaag van de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .

33. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, 25 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarin tenminste plaatselijk de toepassing van vloeibaar draagmedium en de combinatie van een vloeibare hechtsubstantie en nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan ten 30 behoeve met behulp van een.stripvormige transducer-opstelling in het boventunnelblok het tevens ononderbroken plaatsvinden van een verankerings-proces van deze combinatie in het bovenlaag-gedeelte van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-35 gedeeltes.

34. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij onder het begingedeelte van deze transducer door het trillen ervan het ononderbroken plaatsvinden van indringing van de combinatie van deeltjes semiconductor substantie en daaraan-grenzende deeltjes van deze hoogkokende vloeibare hechtsubstantie in het nanometer hoge gedeelte van de 5 semiconductor bovenlaag van deze semiconductor substraat-gedeeltes.

35. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tenminste 10 plaatselijk onder het begin-gedeelte van zulk een transducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van de combinatie van vloeibaar draagmedium en vaste deeltjes van een semiconductor substantie in een pm hoge bovenlaag van een in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte 15 laag deeltjes van typisch een andere semiconductor substantie met daarbij in een daarop-volgend gedeelte nog geen ovenbehandeling en een daarop-volgend afkoel-proces ervan

36. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk,dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 20 bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een semiconductor bovenlaag de toepassing van een hechtlaag in een vloeibare conditie ervan.

37. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 25 bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een semiconductor bovenlaag de toepassing van een hechtlaag in een vaste vorm ervan.

38. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 30 bevattende zodanige middelen, dat daarbij ter plaatse van het achter-gedeelte van zulk een transducer-opstelling het mede daarmede bewerkstelligd zijn van een mechanisch contactloze conditie van zulk een daarmede verkregen. semiconductor laag, met tenminste het erboven gelegen boventunnelblok-gedeelte 35 zich uitstrekkend tot aan een volgend stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling .

39. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij boven het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok de opname van tenminste één meng-inrichting ten behoeve van 5 het daarin ononderbroken plaatsvinden van een optimale menging van de daarin typisch gescheiden ononderbroken toegevoerde combinatie van tenminste deze deeltjes van een semiconductor substantie en het vloeibare draagmedium,

40. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 39, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze meng-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van menging van de daarin gescheiden toegevoerde combinatie van deeltjes semiconductor substantie en een vloeibare substantie en dit vloeibare 15 draagmedium.

41. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze meng-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van menging van de daarin 20 gescheiden toevoer van de combinatie van vaste deeltjes van een semiconductor substantie en een vloeibare hecht-substantie en dit vloeibare draagmedium.

42. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 25 zodanige middelen bevat, dat daarbij met behulp van zulk een transducer in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte nabij het begin-gedeelte ervan door de trillingen ervan het tevens ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van zulk een daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van vloeibaar 30 draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie.

43. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden 35 van het navolgende: a) het opheffen van een in de bovenspleet-sectie vóór deze transducer in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsings-snelheid van deze daarin toegevoerde combinatie; en b) het opheffen van een in deze voorgaande bovenspleet-sectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van dit vloeibare draagmedium en tenminste deeltjes van een 5 semiconductor substantie.

44. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij vanuit zulk een meng-inrichting boven het boventunnelblok via een stripvormig 10 medium-toevoergedeelte van dit blok het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie onder een overdruk ervan en waardoor tenminste het bovenspleet-gedeelte naar de voorgaande, in dit blok 15 opgenomen boven-mediumafvoergroef eveneens tenminste gedeeltelijk gevuld raakt met deze combinatie.

45. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 44, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij tevens een gedeelte van deze combinatie terecht komt in deze 20 medium-afvoergroef als buffer ervoor.

46. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij door regeling van deze toevoer van deze combinatie tenminste nagenoeg geen ontoelaatbare uitstuwing van een gedeelte ervan 25 via deze medium-afvoergroef plaats vindt.

47. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door de zeer sterke afremkracht van zulk een transducer-opstelling op de 30 ononderbroken door het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte verplaatsende combinatie van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie in combinatie met een voldoende afmeting ervan in de lengterichting van de tunneldoorgang geen zodanig erdoorheen 35 verplaatsen ervan plaats vindt, dat daardoor via de daaropvolgende stripvormige afvoergroef in het boventunnelblok geen gedeelte van dit vloeibare draagmedium in nog vloeibare conditie ervan wordt afgevoerd.

48. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk in een aantal daarop volgende boven-behandelingsspleetsecties ervan 5 het ononderbroken plaatsvinden van tenminste één herhaling van de opbouw van zulk een semiconductor laag onder toepassing van dezelfde combinatie van mediums op zulk een reeds opgebouwde semiconductor laag met typisch het daarbij eveneens plaatsvinden van zulk een verankerings-proces van 10 deeltjes van de semiconductor substantie op deze reeds opgebrachte laag.

49. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk 15 in een aantal daarop volgende bovenspleet-secties ervan het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw op zulk een semiconductor laag van een volgende semiconductor laag onder toepassing van de combinatie van zulk een vloeibaar draagmedium met echter deeltjes van een andere semiconductor 20 substantie.

50. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het stripvormige gedeelte van het boventunnelblok ter plaatse van de daarin 25 opgenomen transducer-opstelling in het bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok tenminste mede daaronder de opname in de lengterichting van de tunneldoorgang van een aantal combinaties van een zich in dwarsrichting ervan uitstrekkende stripvormige toevoergroef met aansluiting erop van typisch 30 een aantal toevoerkanalen in dit blok voor typisch gasvormig of dunvloeibaar transfermedium en een daarop volgende afvoergroef met eveneens typisch een aantal afvoerkanalen voor dit transfermedium en een groot aantal' naast elkaar gelegen medium-doorlaatgroeven ertussen.

51. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat deze bevattende verder zodanige middelen, dat daarbij via deze toevoer gr oeven het ononderbroken stuwen van dit transfermedium onderlangs de opvolgende, ononderbroken door deze tunneldoorgang verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder een voldoend hoge stuwkracht ervan daarop in de verplaatsingsrichting ervan met mede een voldoende grootte ervan ten opziche van de aanzienlijke 5 afremkracht van het door zulk een tranducer-opstelling onderhouden van het trillende semiconductor behandelings-medium, bevattende de combinatie van al dan niet verdampt vloeibaardraagmedium en deeltjes semiconductor substantie in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte.

52. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de toepassing van een metalen folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag voor de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 15 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

53. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de toepassing van een kunststoffolie als semiconductor onderlaag voor deze 20 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

54. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een kunststof folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag 25 voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

55. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze folie daartoe versterkt is met typisch een tussenlaag metaal.

56. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking van deze transducer het tevens fungeren ervan als een stripvormige laag-frequent pulserende drukwand.

57. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij tijdens de werking ervan tenminste tijdelijk het onderhouden van de tril-conditie in>de onderste pulseer-positie ervan.

58. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de onderste tril-positie van deze transducer in het eronder bewerkstelligde 5 jim hoge bovenspleet-gedeelte het plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes van de semiconductor substantie op de bovenlaag van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

59. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 58, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in de bovenste pulseer-positie van deze trillende transducer ter plaatse van het achterste gedeelte ervan in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte een bewerkstelligde (sub) pm hoge laag van deze deeltjes en met erboven een relatief hoge 15 laag van nagenoeg uitsluitend het vloeibare draagmedium, omgezet in dampvormig medium.

60. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij ter plaatse van de 20 membraamsectie van deze transducer-opstelling ter plaatse van het eindgedeelte ervan een maximale hoogte van het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte ten behoeve van een optimale afvoer van de gevormde damp van het vloeibare draagmedium en het bewerkstelligd zijn van een typisch (sub) 25 jum hoge laag van deze deeltjes semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan.

61. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 60, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het bewerkstelligd zijn van een 30 laag van deze deeltjes in vaste vorm ervan als een typisch μια hoge hechtlaag ten behoeve van in een volgend gedeelte een daarop op te brengen aanzienlijk dikkere laag van deeltjes van dezelfde semiconductor substantie.

62. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 60, met het 35 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het bewekstelligd zijn van een laag deeltjes in vloeibare vorm ervan en fungerend als typisch nanometer hoge hechtlaag ten behoeve van in een volgend gedeelte ervan daarop op te brengen nm hoge laag van vaste deeltjes van een andere vaste semiconductor substantie.

63. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 5 bevattende zodanige middelen, dat daarbij de eerste op zulk een ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken semiconductor folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte semiconductor laag deeltjes van een semiconductor 10 substantie in vaste vorm ervan bevat.

64. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de eerste op zulk een ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken 15 semiconductor folie als een definitieve semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte semiconductor laag deeltjes van een semiconductor hechtsubstantie in vloeibare vorm ervan bevat.

65. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, 20 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij ter plaatse van de uitgang ervan het bewerkstelligd zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in een erachter opgenomen inrichting door deling ervan het verkrijgen van 25 semiconductor chips.

66. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor uitvoeringen 30 en middelen van de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager gelijk met deze Octrooiaanvrage ingediende aanvullende Nederlandse Octrooiaanvragen .

67. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 66, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de semiconductor uitvoeringen en middelen ervan tevens mogelijk toepasbaar zijn in de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooiaanvragen .

68. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelyke toepassing van semiconductor uitvoeringen, - middelen en - substanties, welke reeds algemeen worden toegepast in de 10 bestaande semiconductor installaties, waarin in opvolgende semiconductor modules ervan het plaatsvinden van de vervaardiging van typisch nagenoeg cilindrische semiconductor substraten, waaruit door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

69. Werkwijze van een semiconductor substraat transfer/ behandelingstunnel-opstelling, met het kenmerk, dat zoals daarbij daarin ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van tenminste één stripvormige medium-toevoerinrichting, tijdens de werking 20 ervan het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer naar een stripvormig toevoer-gedeelte van het boventunnelblok, welke zich tenminste hoofdzakelijk uitstrekt in dwarsrichting ervan, van de combinatie van typisch laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in 25 vaste en/of vloeibare vorm ervan onder tenminste mede een capillaire aanzuigconditie van de pm hoge stripvormige bovenspleet-sectie boven de opvolgende, zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

70. Werkwijze volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van zulk een ononderbroken verplaatsing door deze tunnel-opstelling van deze opvolgende semiconductor substraat<-gedeeltes onder de toepassing van tenminste mede een ononderbroken folie als tenminste 35 tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

71. Werkwijze volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, dat daar bij het fungeren van een metalen folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

72. Werkwyze volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, dat daarbij het fungeren van een kunststoffen folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

73. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusie, met het 5 kenmerk, dat zoals daarby in deze tunnel-opstelling de toepassing van een metalen draag/transferband met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang ervan, daarmede tijdens de werking ervan het ononderbroken verplaatsen geschiedt van tenminste mede de daarop opgebrachte opvolgende folie- 10 gedeeltes.

74. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van mediums onder de combinatie van een tenminste nagenoeg gelyke hoogte van de druk ervan als die van 15 het medium in dit bovenspleet-gedeelte van de tunneldoorgang en het verplaatsen van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes eronder langs.

75. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een voorgaande stripvormige sectie ter 20 plaatse van tenminste dit centrale semiconductor behandelings- gedeelte ervan onder dit boventunnelblok het ononderbroken \ bewerkstelligen van een μιη hoogte van het bovenspleet-gedeelte.

76. Werkwijze volgens de Conclusie 75, met het kenmerk, dat daarbij in deze stripvormige sectie in het onderspleet-gedeelte 25 eronder het ononderbroken onderhouden van een zodanige aanzienlijke afzuiging van medium onder een zodanig hoge onderdruk van het daarin aanwezige medium, dat daarin het bewerkstelligen van een tenhoogste (sub) ,um hoogte van het daaropvolgende onderspleet-gedeelte.

77. Werkwijze volgens de Conclusie 76, met het kenmerk, dat daarbij in dit onderspleet-gedeelte het zodanig mede plaatsvinden van het ononderbroken afzuigen van damp- en/of gasvormig medium daaruit onder een aanzienlijke onderdruk ervan, dat in het daaropvolgende onderspleet-gedeelte het 35 bewerkstelligd zijn van een mechanisch contact van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met het zich eronder bevindende gedeelte van het ondertunnelblok.

78. Werkwyze volgens de Conclusie 76, met het kenmerk, dat daarbij in dit onderspleet-gedeelte het zodanig plaatsvinden van het ononderbroken afzuigen van tenminste mede vloeibaar medium daaruit, dat in het daaropvolgende onderspleet-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een- (sub) μπ> hoogte ervan.

79. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie onder een tenminste nagenoeg dezelfde druk ervan als die van 10 het medium in de zich eronder bevindende stripvormige jim hoge bovenspleet-sectie, typisch een onderdruk ervan.

80. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar 15 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie onder een overdruk ervan ten opzichte van de druk van het medium in de zich eronder bevindende stripvormige bovenspleet-sectie boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

81. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een daaropvolgend gedeelte van dit boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, het tenminste mede 25 fungeren ervan als warmtebron voor het daarmede verdampen van dit laagkokende vloeibare draagmedium onder een trillende neerslag van tenminste mede deze deeltjes semiconductor substantie op deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met daarbij 30 een ononderbroken afvoer van het verdampte medium in een achter deze transducer-opstelling opgenomen stripvormige afvoersectie in dit blok.

82. Werkwijze volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat daarbij het continue onderhouden van een tril-condite van een 35 daarin opgenomen MHF transducer.

83. Werkwijze volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat daarbij het continue onderhouden van een trilconditie van een daarin opgenomen UHF transducer.

84. Werkwijze volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat daarbij deze transducer-opstelling is afgesloten van de buitenlucht door de opname ervan in een stripvormig transducercompartiment-gedeelte van het boventunnelblok en 5 waarbij de onder-electrodeplaat ervan deel uitmaakt van de onderwand van dit blok, met rondom het transducer-gedeelte ervan een membraam-gedeelte van deze transducer-opstelling.

85. Werkwijze volgens de Conclusie 84, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk tijdens de werking van de 10 tunnel-opstelling het tevens fungeren van dit compartiment als drukkamer ten behoeve van het tevens plaatsvinden van een laag-frquent pulseren van deze daarin opgenoraen transducer.

86. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 15 het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de tunnel- opstelling met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van het opheffen van een in de ervóór gelegen bovenspleet-sectie naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsingssnelheid van deze 20 daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

87. Werkwijze volgens de Conclusie 86, met het kenmerk, dat daarbij mede met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van het opheffen van het in deze naast elkaar 25 gelegen gedeeltes van deze zich ervóór bevindende bovenspleet-sectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van deze daarin aanwezige combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

88. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie via een groot aantal, in het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen 35 tovoerkanalen voor deze combinatie..

89. Werkwijze volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat daarbij zulk een toevoer van deze combinatie geschiedt via in tenminste het ondergedeelte van dit blok onder deze kanalen opgenomen groot aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen mini cilindrische medium-toevoerblokken, elk bevattende in het bovengedeelte ervan een cilidrische medium-doorlaatkanaal met aansluiting van elk ervan op een daarmede corresponderend 5 medium-toevoerkanaal.

90. Werkwijze volgens de Conclusie 89, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie naar het eronder gelegen semiconductor bovenspleet- 10 gedeelte via een ultra-nauw medium-toevoerkanaal met een typisch nanometer grote diameter ervan als benedenwaarts verlengde van zulk een nedium-doorlaatkanaal.

91. Werkwijze volgens de Conclusie 90, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze 15 combinatie via een op het boventunnelblok drukdicht bevestigde stripvormige medium-toevoerplaat, met in het centrale tussengedeelte een smalle medium-toevoergroef, welke via tenminste één daarin opgenomen medium-toevoerkanaal is aangesloten op tenminste één toevoer-inrichting.

92. Werkwijze volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat daarbij de toevoer van deze combinatie naar het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte mede plaatsvindt via een in de onderwand van de^e mini medium-toevoerblokken opgenomen typisch nanometer brede medium-doorlaatgroef, welke zich 25 uitstrekt in dwarsrichting van de tunneldoorgang.

93. Werkwijze volgens de Conclusie 92, met het kenmerk, dat daarbij zulk een medium-toevoer plaatsvindt via in-lijn naast elkaar gelegen groeven ervan.

94. Werkwijze volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat 30 daarbij zulk een medium-toevoer mede plaatsvindt via in de de onderwand van het boventunnelblok opgenomen in-lijn gelegen ultra smalle medium-doorlaatgroeven tussen deze naast elkaar gelegen mini medium-toevoerblokken, welke de daarin opgenomen medium-toevoergroeven met elkaar 35 doorverbinden.

95. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de tunnel-opstelling met behulp van deze transducer-opstelling als drukwand van van het transducer-compartiment onder zulk een combinatie van in-lijn naast elkaar gelegen mini medium-toevoerblokken het bewerkstelligd zijn en vervolgens tenminste tijdelijk onderhouden van een minder dan 10 urn, typisch slechts 2-5 pm 5 hoogte van het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

96. Werkwijze volgens de Conclusie 95, met het kenmerk, dat daarby door het tenminste plaatselijk tevens onderhouden van 10 een LF pulseer-conditie van zulk een transducer het daaropvolgend bewerkstelligen en tenminste tijdelijk onderhouden van een aanzienlijk grotere hoogte van dit bovenspleet-gedeelte.

97. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij mede door zulk een jim hoog bovenspleet- 15 gedeelte de verplaatsingssnelheid van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes beperkt is tot tenhoogste 2 mm/seconde.

98. Werkwijze volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe het beperkt zijn van het centrale 20 semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang tot typisch slechts 200 mm.

99. Werkwijze volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de tunnel-opstelling de ononderbroken toevoer van deze combinatie van vloeibaar 25 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie , minder dan 5 mm-^/seconde en typisch slechts circa 2 mm3/seconde bedraagt.

100. Werkwijze volgens de Conclusie 99, met het kenmerk, dat daarbij ten behoeve van het bewerkstelligen van een nanometer 30 hoge laag vloeibare hechtsubstantie op de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes de toepassing van een hoog percentage van dit vloeibare draagmedium, typisch circa 80 %, in deze combinatie ervan met deze deeltjes semiconductor substantie in daarbij 35 eveneens vloeibare vorm ervan.

101. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes van deze semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

102. Werkwijze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat 5 daarbij met behulp van deze transducer het tevens ononderbroken plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op het centrale gedeelte van deze eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

103. Werkwijze · volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, dat 10 voor deze semiconductor substantie de toepassing van deeltjes van een hoogkokende vloeibare hechtsubstantie en waarbij na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium met behulp van deze transducer, met afvoer van de gevormde damp via de daarop volgende stripvormige medium-afvoersectie 15 in het boventunnelblok, in het daarop volgende semiconductor behandelings-gedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van verankering van.de opgebrachte, typisch nanometer hoge laag van deze hechtsubstantie in typisch nog vloeibare toestand ervan op de semiconductor bovenlaag van de opvolgende, zich 20 eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

104. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij verder in dit tunnel-gedeelte tenminste plaatselijk de toepassing van vloeibaar draagmedium en de combinatie van een vloeibare hechtsubstantie en typisch 25 nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan ten behoeve met behulp van zulk een stripvormige transducer-opstelling in het boventunnelblok het tevens ononderbroken plaatsvinden van een verankerings-proces van deze combinatie in het bovenlaag-gedeelte van de 30 opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

105. Werkwijze volgens de Conclusie 104, met het kenmerk, dat daarbij onder het begin-gedeelte van deze transducer door het trillen ervan het ononderbroken plaatsvinden van indringing 35 van de combinatie van deeltjes semiconductor substantie en daaraan-grenzende deeltjes van deze hoogkokende vloeibare hechtsubstantie in het nanometer hoge gedeelte van de semiconductor bovenlaag van deze semiconductor substraat- gedeeltes .

106. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat verder daarbij daarin tenminste plaatselijk onder het begin-gedeelte van deze transducer-ópstelling het 5 ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van de combinatie van vloeibaar draagmedium en vaste deeltjes van een semiconductor substantie in een pm hoge bovenlaag van een in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte laag deeltjes van typisch een andere semiconductor substantie , met daarbij in 10 een daarop volgend gedeelte ervan nog geen plaatsvinden van een oven-behandeling en een daarop volgend afkoel-proces ervan.

107. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals voor deze semiconductor substantie de 15 toepassing van deeltjes in vaste vorm ervan, na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium met behulp van deze transducer, met afvoer van de gevormde damp via de daarop volgende stripvormige medium- afvoersectie in het boventunnelblok en in daarop volgende stripvormige 20 secties het ononderbroken plaatsvinden van een ovenbehandeling en een volgend afkoel-proces ervan onder het verkrijgen van een pm hoge laag van deze substantie in vaste vorm ervan, het daarbij tevens bewerkstelligd zijn van verankering van deze laag op de zich eronder bevindende 25 semiconductor bovenlaag van de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

108. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een opgebouwde semiconductor bovenlaag het toegepast zijn van een hechtlaag in een 30 vloeibare conditie ervan.

109. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een semiconductor bovenlaag de toepassing van een hechtlaag in vaste vorm ervan.

110. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 35 kenmerk, dat daarbij ter plaatse van het achter-gedeelte van zulk een transducer-ópstelling het mede daarmede bewerkstelligd zijn van een mechanisch contactloze conditie van zulk een daarmede verkregen semiconductor laag, met tenminste het erboven gelegen boventunnelblok-gedeelte zich uitstrekkend tot aan een volgend stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling.

111. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 5 kenmerk, dat daarbij boven het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok de opname van tenminste één meng-inrichting, met het daarin ononderbroken plaatsvinden van een optimale menging van tenminste de daarin ononderbroken toegevoerde deeltjes van een semiconductor 10 substantie en het vloeibare draagmedium.

112. Werkwijze volgens de Conclusie 111, met het kenmerk, dat daarbij in deze meng-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van menging van een daarin toegevoerde combinatie van deeltjes van een semiconductor substantie en een vloeibare substantie 15 en dit laagkokende vloeibare draagmedium.

113. Werkwijze volgens de Conclusie 111, met het kenmerk, dat daarbij in deze meng-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van menging van de daarin gescheiden toegevoerde combinatie van vaste deeltjes van een semiconductor substantie en een 20 vloeibare hechtsubstantie en dit vloeibare draagmedium.

114. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van zulk een transducer in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte nabij het begin-gedeelte ervan door de daarmede opgewekte trillingen ervan het tevens 25 ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van zulk een daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie.

115. Werkwyze volgens de Conclusie 114, met het kenmerk, dat 30 daarbij daartoe met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: a) het opheffen van een in de bovenspleet-sectie vóór deze transducer in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsings-snelheid van 35 deze daarin toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie; en b) het opheffen van een in deze voorgaande bovenspleet-sectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van dit vloeibare draagmedium en tenminste deze deeltjes van een semiconductor substantie.

116. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij vanuit zulk een meng-inrichting boven het 5 boventunnelblok via een stripvormig medium-toevoergedeelte van dit blok het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinate van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie onder een overdruk gryan en \ΐ23Γ doOT tenSSlHSt 6 jjOYSHSplsCt gsdsêltv I» 3 3 Γ* d Θ 10 voorgaande, in dit blok opgenomen stripvormige medium- afvoergroef eveneens tenminste gedeeltelijk gevuld raakt met deze combinatie als buffer ervoor.

117. Werkwijze volgens de Conlusie 116, met het kenmerk, dat daarbij door regeling van deze toevoer van deze combinatie van 15 mediums tenminste nagenoeg geen ontoelaatbare uitstuwing van een gedeelte ervan via deze medium-afvoergroef plaatsvindt.

118. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij door de sterke afremkracht van zulk een transducer-opstelling op de ononderbroken door het eronder 20 gelegen bovenspleet-gedeelte verplaatsende combinatie van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie in combinatie met een voldoende afmeting ervan in de lengterichting van de tunneldoorgang geen zodanig erdoorheen verplaatsen ervan plaatsvindt, dat 25 daardoor via de daarop volgende stripvormige afvoergroef in het boventunnelblok geen gedeelte van tenminste dit vloeibare draagmedium in nog vloeibare conditie ervan wordt afgevoerd.

119. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk in een aantal 30 opvolgende boven-behandelingsgedeeltes van deze tunnel- opstelling het ononderbroken plaatsvinden van tenminste één herhaling van de opbouw van zulk een semiconductor laag onder toepassing van dezelfde combinatie van mediums op zulk een reeds opgebouwde semiconductor laag met typisch het daarbij 35 eveneens plaatsviden van zulk een verankerings-proces van deeltjes van de semiconductor substantie op deze reeds opgebrachte laag.

120. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarby tenminste plaatselijk in een aantal opvolgende bovenspleet-secties het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw op zulk een reeds opgebouwde semiconductor laag van een volgende semiconductor laag onder toepassing van 5 de combinatie van zulk een vloeibaar draagmedium met echter deeltjes van een andere semiconductor substantie.

121. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tenminste plaatselijk in een stripvormig gedeelte van het boventunnelblok de opname van 10 een transducer-opstelling en in het bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok tenminste mede daaronder de opname in de lengterichting van de tunneldoorgang van een aantal combinaties van een zich in dwarsrichting ervan uitstrekkende stripvormige toevoergroef met aansluiting erop van typisch 15 een aantal toevoerkanalen in dit blok voor typisch gasvormig of dunvloeibaar transfermedium en een daarop volgende afvoergroef met eveneens typisch een aantal afvoerkanalen voor dit transfermedium en een groot aantal naast elkaar gelegen medium-doorlaatgroeven ertussen, tijdens de werking 20 van deze tunnel-opstelling het ononderbroken verplaatsen van dit transfermedium erdoorheen plaatsvindt.

122. Werkwijze volgens de Conclusie 121, met het kenmerk, dat daarbij via deze toevoer groeven het ononderbroken stuwen van dit transfermedium onderlangs de opvolgende, ononderbroken 25 door deze tunneldoorgang verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder een voldoend hoge stuwkracht ervan daarop in de verplaatsingsrichting ervan plaatsvindt, met mede een voldoende grootte ervan ten opzichte van de aanzienlijke afremkracht van het door zulk een transducer-30 opstelling onderhouden van het trillende semiconductor behandelingsmedium, bevattende de combinatie van al dan niet verdampt vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte.

123. Werkwyze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling de toepassing van een metalen folie als tenminste tijdelijke onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, het daarmede onderhouden van een ononderbroken verplaatsing ervan door de tunneldoorgang.

124. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, het het kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling de 5 toepassing van een kunststoffen folie als definitieve onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, het daarmede bijdragen in het onderhouden van een ononderbroken verplaatsing ervan door de tunneldoorgang.

125. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 10 kenmerk, dat zoals daarby in deze tunnel-opstelling de toepassing van een kunststoffen folie als tenminste tijdelijke onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij deze versterkt is met typisch een tussenlaaf metaal, het daarmede tenminste ondersteunen van de ononderbroken 15 verplaatsing van deze substraat-gedeeltes door de tunneldoorgang .

126. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarby tijdens de werking van deze transducer het tevens fungeren ervan als een stripvormige drukwand, met het 20 tenminste tijdelijk tevens onderhouden van een laag-frequent pulseer-conditie ervan.

127. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de onderste pulseer-positie van deze transducer in het eronder bewerkstelligde yum hoge bovenspleet-gedeelte het plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes 30 van de semiconductor substantie in de bovenlaag van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

127. Werkwijze volgens de Conclusie 126, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van deze transducer tenminste tijdelijk het onderhouden van de tril-condite in de onderste pulseer- 25 positie ervan.

128. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat daar bij in de bovenste pulseer-positie van deze trillende 35 transducer ter plaatse van het achterste gedeelte ervan in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een (sub) Aim hoge laag van deze deeltjes en met erboven een relatief hoge laag van nagenoeg uitsluitend het vloeibare draagmedium, omgezet in dampvormig medium.

129. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij ter plaatse van het membraam-gedeelte van deze transducer-opstelling'ter plaatse van het 5 eindgedeelte ervan een maximale hoogte van het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte, tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een optimale afvoer van de gevormde damp van het vloeibare draagmedium.

130. Werkwijze volgens de Conclusie 129, met het kenmerk, dat 10 daarbij het bewerkstelligd zijn van een typisch (sub) pm hoge laag van deze deeltjes semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan.

131. Werkwijze volgens de Conclusie 130, met het kenmerk, dat daarbij het bewerkstelligd zijn van een laag van deze deeltjes 15 in vaste vorm ervan als een typisch pm hoge eerste laag ten behoeve van in een volgend gedeelte een daarop op te brengen aanzienlijk dikkere laag van deeltjes van dezelfde semiconductor substantie.

132. Werkwijze volgens de Conclusie 130, met het kenmerk, dat 20 daarbij het bewerkstelligd zijn van een laag deeltjes in vloeibare vorm ervan en fungerend als een typisch nanometer hoge hechtlaag ten behoeve van in een volgend gedeelte ervan daarop op te brengen pm hoge laag van vaste deeltjes van een andere vaste semiconductor substantie.

133. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij op zulk een ononderbroken door deze tunnel-opstelling verplaatsende ononderbroken semiconductor folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken 30 plaatsvinden van het in een stripvormige medium-toevoersectie van het boventunnelblok daarop opbrengen van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan.

134. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 35 kenmerk, dat daarbij op zulk een ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken folie als een definitieve semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van opbrenging van deeltjes van een semiconductor hechtsubstantie in vloeibare vorm ervan.

135. Werkwqze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling ter plaatse van 5 de uitgang ervan het bewerkstelligd zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in een erachter opgenomen inrichting door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips.

136. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 10 kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de tunnel-opstelling het verplaatsen van de typisch ononderbroken kunststoffen folie erdoorheen geschiedt met behulp van een metalen semiconductor substraat-draag/transfer band met een rol-opstelling ervoor nabij de in- en uitgang ervan. 15

137, Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij aanvullend voor deze tunnel-opstelling de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen van de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de door 20 de aanvrager gelijk met deze Octrooi-aanvrage ingediende aanvullende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

138. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze tevens mogelijk toepasbaar is in deze semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en 25. inrichtingen.

139. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor deze tunnel-opstelling de mogelijke toepassing van semiconductor werkwijzen, welke reeds algemeen worden toegepast in de bestaandè semiconductor installaties, 30 waarin in opvolgende semiconductor modules ervan het plaatsvinden van de vervaardiging van typisch nagenoeg cilindrische semiconductor substraten, waaruit door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips. 1037064