NL1037062C2 - Semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling, waarin tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens het ononderbroken erdoorheen verplaatsen ervan. - Google Patents

Description

Semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling, waarin tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens het 5 ononderbroken erdoorheen verplaatsen ervan.

In deze Octrooi-aanvrage is een semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling aangegeven en omschreven, met tijdens de werking ervan het daarin 10 plaatsvinden van een ononderbroken lineaire verplaatsing erdoorheen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en plaatselijk in het boventunnelblok de opname van tenminste één stripvormige transducer-opstelling, welke zich bevindt in een van de buitenlucht afgesloten transducer-compartiment.

15 Daarbij in dit blok vóór typisch de eerste transducer- opstelling de opname van een stripvormige toevoersectie voor de combinatie van typisch zeer laag-kokend vloeibaar draagmedium en typisch nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan. 20 Verder in de bovenspleet-sectie onder deze transducer- opstelling met behulp van de mede erdoor ontwikkelde warmte het ononderbroken plaatsvinden van een geleidelijke verdamping van dit vloeibare draagmedium onder tenslotte tenminste nabij het achtergedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van verdamping 25 van tenminste nagenoeg al het opvolgend toegevoerde draagmedium onder een tenminste nagenoeg totale neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met een reeds hoge mate van vlakheid van de neergeslagen um 30 hoge laag ervan en zulks mede met behulp van het daarbij onderhouden van een trilconditie van de bewerkstelligde damp boven deze deeltjes en waarbij in een volgende stripvormige afvoersectie van dit blok het plaatsvinden van afvoer van de damp.

1037062 2

Daarbij verder tenminste mede het navolgende: 1. Via een inrichting boven het boventunnelblok het ononderbroken plaatsvinden van een optimaal gelijkmatige toevoer van een bepaald volume van de combinatie van het 5 vloeibare draagmedium en de deeltjes van een semiconductor substantie per tijdseenheid, bijgaande Octrooi-aanvrage No.

2. In een inrichting boven het boventunnelblok het vervolgens ononderbroken plaatsvinden van een optimale menging van deze combinatie, bijgaande Octrooi-aanvrage No.

10 3. Een gelijkmatige toevoer van deze combinatie via een groot aantal naast en boven elkaar gelegen medium-toevoerkanalen, welke tenminste mede zijn opgenomen in dit blok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang, met bij een breedte van 200 mm 15 van dit centrale gedeelte de toepassing van typisch circa 32 mini medium-toevoerblokjes in het ondergedeelte ervan, bijgaande Octrooi-aanvrage No.

4. De opname in de onderwand van deze toevoer blokjes van een (sub) pm wijde doorverbindingsgroef, welke met de ernaast 20 gelegen groeven in de onderwand van dit boventunnelblok in dwarsrichting van deze tunneldoorgang uitstrekken onder de vorming van één ononderbroken medium-toevoergroef.

5. Bij de fabricage van het ondertunnelblok het bewerkstelligen van een ultra vlakheid in zowel de lengte- 25 als dwarsrichting van de bovenwand ervan ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang .

6. Een optimaal vlakke conditie van de onder- en bovenwand in combinatie met een gelijkmatige dikte van de tijdens de 3 werking van deze tunnel-opstelling via de ingang ervan daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor band en/of folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, 5 7. Het typisch tenminste plaatselijk onderhouden van een aangedrukte positie van deze opvolgende band- en/of folie-gedeeles tijdens de verplaatsing ervan over de zich eronder bevindende opvolgende gedeeltes van het ondertunnelblok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 10 ervan.

8. Het continue onderhouden van een gelijkmatige, zeer lage snelheid van deze opvolgende, zich ononderbroken door de tunnel-opstelling verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, typisch slechts 2 mm/seconde.

15 9. Geen ontoelaatbare vervormingen van deze opvolgende substraat-gedeeltes tijdens het in een strip vormig gedeelte ervan ononderbroken plaatsvinden van een oven-behandeling van de daarop opgebrachte, slechts .um hoge laag van een semiconductor substantie met behulp van een in een stripvormige 20 sectie van het boventunnelblok opgenomen electrisch verwarmings-element in de onderwand ervan.

10. Het continue onderhouden van een bepaalde verhouding tussen dit vloeibare draagmedium en: a) deze deeltjes semiconductor substantie in vaste vorm ervan; 25 of b) deze deeltjes semiconductor substantie in vloeibare vorm ervan; of c) de combinatie van deze deeltjes semiconductor substantie in typisch vaste vorm ervan en een hoogkokende vloeibare 30 meng-vloeistof.

11. Met behulp van deze stripvormige transducer-opstelling het tenminste mede continue daarmede bewerkstelligen en onderhouden van het navolgende: a) een gelijkmatige verdeling van deze combinatie van vloeibaar 35 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in dwarsrichting van de tunneldoorgang; en b) een gelijkmatige verplaatsing van deze combinatie in de verplaatsingsrichting van de opvolgende substraat-gedeeltes.

4 12. Een ultra vlakke onderwand van deze transducer ..in zowel de lengte-als dwarsrichting ervan door tenminste mede het navolgende : a) de geringe warmte-ontwikkeling ervan; en 5 b) de geringe afmeting ervan in de lengerichting van de tunneldoorgang; en c) een gelijkmatige krachtwerking daarop van het gasvormige medium in het transducer-compartiment.

13. Door het continue onderhouden van de tril-conditie van 10 deze transducer geen moge lijk plakken van deeltjes van deze semiconductor substantie tegen de onderwand ervan.

14. Met behulp van het transducer-compartiment tevens fungerend als drukkamer en tenminste plaatse lijk in deze tunnel-opstelling deze transducer daar bij tevens als een 15 laag-frequent pulserende onderwand ervan, het tenminste plaatselijk bewerkstelligen en vervolgens tijdelijk onderhouden van een mechanisch contactloze aandruk-positie van de trillende onderwand ervan op de daarmede bewerkstelligde pm hoge laag van typisch deeltjes van een vaste substantie.

20 15. Met behulp van deze transducer het tevens daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor indring-proces van deeltjes van deze semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan in de semiconductor bovenlaag van deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende 25 semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van een optimale verankering van de opgebrachte laag van deze deeltjes in deze semiconductor bovenlaag.

16. In deze tunnel-opstelling de ideale opbouw van slechts één semiconductor laag van semiconductor substanties voor de 30 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ter plaatse van de uitgang ervan ten behoeve van in een daarachter opgenomen inrichting door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips met één enkele semiconductor bovenlaag ervan.

35 17. Tenminste mede door dit continue onderhouden van een ultra vlakke conditie van de opvolgende opgebrachte semiconductor lagen vaste bestanddelen de ideale mogelijkheid van opbouw van een aantal boven elkaar gelegen semiconductor 5 lagen met electrische doorverbindingen ertussen ten behoeve van de bewerkstelliging van semiconductor chips met meerdere boven elkaar gelegen semiconductor schakelingslagen.

Bij toepassing van een tweetal opvolgende stripvormige 5 transducer-opstellingen in het boventunnelblok vindt onder de eerste transducer-opstelling het continue daarmede opbouwen van een ,um hoge laag van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan of een nanometer hoge laag van een semiconductor substantie in vloeibare vorm ervan plaats, met daarbij reeds 10 een nagenoeg vlakke conditie van de bovenwand ervan, en vindt met behulp van de tweede transducer-opstelling een ononderbroken egalisatie-proces van deze opgebrachte laag plaats ten behoeve van het vervolgens bewerkstelligen van een optimale vlakheid van zulk een opgebrachte semiconductor laag. 15 Zulk een combinatie van een tweetal opvolgende transducer- opstellingen is daarbij uiterst eenvoudig, met tevens een zeer geringe totale omvang ervan, zoals een totale lengte van typisch slechts circa 70 mm en een tunnel-breedte van typisch minder dan 300 mm.

20 Verder elke mogelijke constructieve opbouw van zulk een transducer-opstelling, zoals deze reeds algemeen wordt toegepast in de bestaande semiconductor installaties.

Tevens met behulp van zulk een transducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor indring-25 proces van deeltjes van een semiconductor substantie in de reeds opgebrachte semiconductor bovenlaag of de bovenlaag van een al dan niet metalen folie als een semiconductor onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

Door het via dit grote aantal , typisch 32 stuks, naast 30 elkaar gelegen mini medium-toevoerblokken mèt typisch daarin slechts één medium-doorlaatkanaal met een diameter ervan, welke typisch kleiner is dan 0,1 mm, het zeer beperkt zijn van de ononderbroken toevoer per tijdseenheid van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor 35 substantie, totaal typisch minder dan 1 mm3/seconde. ten behoeve van het daarmede opbouwen van een nanometer hoge semiconductor grondlaag onder verankering ervan op de opvolgende folie-gedeeltes als tenminste tijdelijke 6 semiconductor onderlaag evan, of het daarmede opbouwen van een (sub) jum hoge laag semiconductor substantie op deze grondlaag en waar bij een zeer beperkte en toelaatbare verwarming van de bovenlaag ervan.

5 Zulk een verankering van de opgebrachte nanometer hoge laag van nanometer grote deeltjes in de semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met het vervolgens plaatsvinden van zulk een oven-behandeling van 10 deze laag onder omzetting in een vloeibare conditie ervan en het samensmelten van deze ingedrongen deeltjes met het zich erboven bevindende laag-gedeelte, resulteert in een aaneenhechten van deze opvolgende laag-gedeeltes met de eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. 15 De warmte-ontwikkeling van zulk een transducer bedraagt typisch circa 0,5 cal/cm3/sec.

Bij een transducer-oppervlak van bijvoorbeeld circa 30 cm3, aldus een warmte-ontwikkeling ervan van circa 15 cal/sec.

Ten behoeve van verdamping van het toegevoerde vloeibare 20 draagmedium is typisch circa 75 cal/cm3 benodigd.

Zoals de toevoer ervan slechts typisch circa 1 mm-Vsec. bedraagt vindt aldus reeds nabij het begin-gedeelte van deze transducer door mede de relatief hoge temperatuur ervan een omzetting van het vloeibare medium in damp plaats.

25 Zodoende de gebruikmaking van vloeibaar draagmedium met een daartoe aangepaste kook-temperatuur ervan ten behoeve van in het semiconductor hehandelings-gedeelte nog geen koken ervan.

Mede door het bovenstaande aldus het navolgende: 30 a) een geringe benodigde breedte van deze transducer; b) een optimale koeling van het begin-gedeelte ervan, indien daarmede het plaatsvinden van zulk een semiconductor indring-proces; c) de mogelijke toepassing van een relatief hoog-kokend 35 vloeibaar medium; en d) door het trillen ervan vindt altijd een ononderbroken neerslag van de relatief zware deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan op de 7 opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes plaats.

Bij de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van de combinatie van semiconductor wafers en 5 semiconductor modules vindt na het in een module opbouwen van zulk een semiconductor laag van deeltjes in vaste vorm ervan tenminste mede het benodigde navolgende plaats: a) een daarop-volgende oven-behandeling ervan in een aparte semiconductor inrichting, met vervolgens het typisch 10 plaatsvinden van een strip-proces voor de bovenwand ervan ten behoeve van het verkrijgen van een benodigd optimale vlakheid van deze opgebrachte semiconductor laag onder een daar bij benodigde af voer van de verwijderde deeltjes semiconductor substantie; en 15 b) na een daaropvolgend reinigings-proces van deze bovenwand, met vervolgens typisch een benodigd spoel- en droog-proces in typisch eveneens aparte inrichtingen,een eveneens robotische afvoer van zulk een wafer naar een wafer-opslaginrichting.

20 Daarbij een benodigd vloer-oppervlak voor zulk een combinatie van semiconductor behandelingen, welke tenminste circa 150-voudig groter is dan die van deze daarmede corresponderende sectie van de semiconductor tunnel-opstellingen en een benodigde circa 15-voudig langere 25 tijdsduur, met personeel ten behoeve van het tenminste mede controleren van de correcte robotische toe-en afvoer van deze wafers naar en vanaf de semiconductor modules en - inrichtingen en inspectie van deze opvolgende semiconductor behandelingen.

30 Door het lage trillings-niveau van de UHF ceramische transducer, typisch 132000 trillingen per seconde, verder de ideale mogelijkheid van het toepassen van zulk een stripvormige UHF transducer in een transducer-compartiment van het onder tunnelblok, met het tijdens de werking ervan 35 continue onderhouden van het meetrillen van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Daarbij in een gunstige tunnel-uitvoering bevindt zulk een 8 UHF transducer tenminste plaatselijk onder tenminste een gedeelte van een daarin in het boventunnelblok ervan opgenomen stripvormige typisch MHF transducer-opstelling.

Ook hierbij voor deze UHF transducer elke mogelijke omvang 5 in de lengte-, breedte- en hoogte-richting ervan en tevens elke mogelijke uitvoering.

Met behulp van zulk een combinatie van een boven- en onder-transducer-opstelling het verder optimalizering van de semiconductor behandeling van deze opvolgende, zich 10 ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

In nog een andere gunstige tunnel-uitvoering tenminste plaatselijk in het ondertunnelblok de opname van een nokkenas-opstelling, welke typisch eveneens is opgenomen in een van 15 de buitenlucht afgesloten compartiment, met tenminste plaatse lijk de positie ervan onder tenminste een gedeelte van zulk een in het boventunnelblok opgenomen stripvormige transducer-opstelling.

Da ar bij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het 20 ononderbroken roteren ervan onder een hoog aantal, typisch circa 3000, omwentelingen per minuut.

Op deze as ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van een aantal, typisch tenminste een 10-tal, pm hoge nokken, waarbij zulk een nok, 25 gezien in de verdraai-richting ervan, de mogelyke navolgende profileringen bevat: a) een zeer geringe lengte van het oplopende zywand-gedeelte met een daaropvolgend relatief aanzienlijke lengte van het aflopende gedeelte ervan; of 30 b) een relatief aanzienlijke lenge van het oplopende zijwand- gedeelte en een daaropvolgende zeer geringe lengte van het aflopende gedeelte ervan.

Verder, dat daarbij dit compartiment ter plaatse van de bovenwand van dit ondertunnelblok een in de hoogte-richting 35 verplaatsbaar stripvormig relatief dik drukwand-gedeelte met rondom een dunwandig membraam-gedeelte bevat ten behoeve van het daarmede met behulp van deze eronder roterende nokkenas-opstelling opvolgend op en neer verplaatsen van de 9 opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Daarbij is dit compartiment tenminste gedeeltelyk zodanig gevuld met een dunvloeibaar smeermiddel, dat zich daarbij een 5 (sub) pm hoge laag ervan bevindt tussen deze roterende nokkenas en trilplaat.

Aldus vindt tijdens zulk een nokkenas-rotatie het opvolgend op en neer verplaatsen van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende 10 semiconductor substraat-gedeeltes plaats.

Daardoor het bewerkstelligen en vervolgens continue onderhouden van de combinatie van het hoog-frequent op en neer verplaatsen van het semiconductor behandelings-medium en het trillen ervan.

15 Verder een optimalizering van zulk een semiconductor behandelings-proces met behulp van mede zulk een transducer-opstelling van de bovenwand van deze opvolgende, ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes, met daarbij in het bijzonder eveneens een mogelijk optimaal semiconductor 20 indring-proces van deeltjes van zulk een semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag ervan.

Daarbij in dit nokkenas-compartiment het onderhouden van het tenminste gedeeltelijk gevuld zijn ervan met vloeibaar geleidings-medium.

25 Verder typisch eveneens tenminste plaatselijk in het onderspleet-gedeelte onder zulk een transducer onderhouden van een pm hoge film zeerdunvloeibaar geleidings-medium.

Bij toepassing van eveneens zulk een stripvormige transducer-opstelling of roterende nokkenas-opstelling in 30 het ondertunnelblok nagenoeg onmiddellijk achter deze stripvormige medium-toevoersectie van de combinatie ervan met de boventransducer-opstelling vindt daarbij in een gunstige werkwijze van deze tunnel-opstelling een ononderbroken toevoer van de combinatie van gasvormig 35 draagmedium, vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie plaats.

Daarbij vindt door het bewerkstelligd trillen van de opvolgende substraat-gedeeltes met behulp van deze 10 onder-transducer of -nokkenas-opstelling reeds nagenoeg onmiddellijk na het toevoeren van deze combinatie een optimaal semiconductor indring-proces van deze deeltjes semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van 5 deze opvolgende substraat-gedeeltes plaats.

In deze tunnel-opstelling verder met behulp van tenminste mede zulk een stripvormige boventransducer-opstelling het mogelijk plaatsvinden van andere semiconductor behandelings-processen, ook, welke reeds algemeen worden toegepast in de 10 bestaande semiconductor installaties onder gebruikmaking van tenminste mede semiconductor wafers en zulks in een daartoe aangepaste behandelings-conditie ervan, zoals onder andere een reinigings-proces, ets-proces, strip-proces, spoel-proces, polijst-pr oces, ion-implantatie, bewerkstelligen van 15 nanometer grote groeven en - uitsparingen in de semiconductor bovenlaag en het vullen van deze groeven en uitsparingen met metaal-deeltjes.

Zulk een transducer-opstelling bevat een aantal, tenminste naast elkaar gelegen individuele typisch cilindrische 20 transducers, en met elke mogelijke omvang, ook in hoogte, ervan .

Daarbij onder andere de navolgende opstellingen ervan: 1. Een aantal, uitsluitend in dwarsrichting van de tunnel- opstelling naast elkaar gelegen transducers en waarbij een 25 dunwandig stripvormig gedeelte van de onderwand van het transducer-compartiment tenminste mede fungeert als een onder-electrodeplaat van deze transducers, met erboven een gemeenschappelijke stripvormige boven-electrodeplaat, welke via een electrische verbinding is aangesloten op een boven 30 het boventunnelblok opgenomen electronische generator en waarin het ononderbroken plaatsvinden van opwekking van electrische UHF of MHF trillingen en waarbij met behulp van zulk een transducer deze electrische trillingen worden omgezet in mechanische trillingen met typisch 0,1 - 1,5 pm •35 amplitude ervanj 2. Een tweetal, in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling versprongen naast elkaar gelegen rijen transducers, met typisch een diameter ervan, welke kleiner is dan 25 mm, en 11 welke rijen zich eveneens uitstrekken over tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling en waarbij eveneens een dunwandig gedeelte van de onderwand van dit compartiment tenminste mede fungeert als 5 een gemeenschappelijke onder-electrodeplaat van deze transducers, met erboven een gemeenschappelijke stripvormige boven-electrodeplaat, welke eveneens via zulk een electrische verbinding is aangesloten op zulk een electronische generator, en 10 3. Een drietal rijen, versprongen naast elkaar gelegen transducers, welke eveneens zijn opgenomen in zulk een uitwisselbaar transducer-compartiment, met typisch een diameter an maximaal 20 mm van zulk een cilindrische transducer, en welke rijen zich eveneens uitstrekken in 15 dwarsrichting van deze tunnel-opstelling ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

In deze transducer-opstellingen tijdens de montage van zulke individuele transducers op zulk een onder- of boven-20 plaat het bewerkstelligen van tenminste een jim grote spleet ertussen ten behoeve van het vermijden van een ontoelaatbare vervorming van zulk een opstelling door de uitzetting van deze transducers ten gevolge van de warmte-ontwikkeling daarin.

25 Verder in een gunstige alternatieve uitvoering van deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk de opstelling van een roterende nokkenas-opstelling in het boventunnelblok, welke zich in dwarsrichting uitstrekt over tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan en is opgenomen in 30 een afgesloten stripvormig nokkenas-compartiment.

Daarbij typisch aanvullend tenminste nabij de onderwand ervan de opname van een stripvormig electrisch verwarmingselement ten behoeve van het fungeren ervan als een stripvormige tril-opstelling voor de erondergelegen 35 stripvormige drukwand-sectie van het boventunnelblok in combinatie met een zodanige verwarming ervan, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van een tenminste nagenoeg gehele verdamping van zulk een laagkokend vloeibaar 12 draagraedium.

Zulke een combinatie van nokkenas-opstelling en electrische verwarming als alternatief van zulk een stripvormige transducer-opstelling in dit blok.

5 Verder in alternatieve mediumtoevoer-systemen het ononderbroken plaatsvinden van toevoer via zulk een stripvormige toevoer-inrichting van de navolgende combinaties: 1. laagkokend vloeibaar draagmedium, deeltjes gasvormig draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in 10 vaste en/of vloeibare vorm ervan; of 2. zeer-laagkokend vloeibaar draagmedium en hoger kokend vloeibaar draagmedium in combinatie met zulke deeltjes van een semiconductor substantie.

Verder tenminste plaatselijk uitsluitend de toepassing van 15 gasvormig draagmedium en zulke deeltjes van een semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan.

Aanvullende gunstige kenmerken van dit gedeelte van de semiconductor tunnel-opstelling onder tenminste mede de toepassing van zulk een stripvormige boven- en/of ondertril-20 element volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren.

Verder bij deze tunnel-opstelling het navolgende: 1. daarin de mogelijke toepassing van middelen en werkwijzen, welke zijn omschreven en aangegeven in de bijgaande, gelijktijdig 25 ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager; 2. de mogelijke toepassing van de middelen en werkwijzen, welke zyn omschreven in deze Nederlandse Octrooi-aanvrage van de aanvrager betreffende een semiconductor tunnel-opstelling, in de semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn omschreven en 30 aangegeven in deze bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvragen; en 3. de mogelijke toepassing van middelen, werkwijzen en semiconductor substanties, welke reeds algemeen worden gebruikt in de reeds bestaande semiconductor installaties, waarin de gebruikmaking van semiconductor inrichtingen en wafers.

35 De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van een aantal in de Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van deze semiconductor tunnel-opstelling.

13

Figuur 1 toont een gedeelte van een semiconductor tunnel-opstelling, waarbij in het boventunnelblok de opname van een stripvormige medium toevoergroef-opstelling voor de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar 5 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en een daarop volgende stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van tenminste mede het daarmede plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium en in een daaropvolgende stripvormige afvoersectie van dit blok onder de 10 bewerkstelliging van een (sub) ,um hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuur lA toont daarbij het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van deze medium-toevoergroef.

15 Figuur 1® toont het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer-opstelling.

Figuur lC toont het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van het midden-gedeelte van deze transducer-opstelling.

Figuur lD toont het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van 20 het achter-gedeelte van deze transducer-opstelling.

Figuur 1& toont het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van deze medium-afvoergroef,

Figuur 2 toont zeer sterk vergroot een ondergedeelte van het boventunnelblok, waarin de opname van een mini 25 cilindrisch medium-toevoerblok voor de mediumtoevoergroef-opstelling volgens de Figuur 1.

Figuur 3 toont de doorsnede over de lijn 3-3 van het medium-toevoerblok volgens de Figuur 2.

Figuur 4 toont een gedeelte van deze tunnel-opstelling, 30 waarbij in dit boventunnelblok de opname van een stripvormige mediumtoevoer-opstelling ten behoeve van een ononderbroken minimale toevoer per tijdseenheid van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en een daaropvolgende stripvormige transducer-35 opstelling ten behoeve van het in het begin-gedeelte ervan ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deze deeltjes in de semiconductor bovenlaag van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de opvolgende 14 semiconductor substraat-gedeeltes en in de volgende gedeeltes van de zich eronder bevindende bovenspleet-sectie het ononderbroken plaatsvinden van neerslag daarop van deze deeltjes onder de bewerkstelliging van een typisch nanometer 5 hoge laag ervan daarop.

Figuur 4 A toont daarbij zeer sterk vergroot het gedeelte van deze bovenspleet ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer en waarin het plaatsvinden van tenminste mede zulk een indring-proces van deze deeltjes.

10 Figuur 4B toont daarbij een volgend gedeelte van deze bovenspleet en waarin in hoofdzaak het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes.

Figuur 4O toont een volgend bovenspleet-gedeelte met daarin een verdere neerslag van deze deeltjes en met afvoer 15 van het verdampte draagmedium via een grotere hoogte ervan.

Figuur 4D toont een volgend gedeelte van deze bovenspleet en waarin het plaatsvinden van de laatste phase van zulk een neerslag van deze deeltjes.

Figuur 4E toont het bovenspleet-gedeelte onder het laatste 20 gedeelte van deze transducer en waarin het nagenoeg uitsluitend plaatsvinden van een optimale afvoer van het verdampte vloeibare draagmedium via een maximale doorgangs-hoogte ervan.

Figuur 5 toont sterk vergroot een ondergedeelte van het 25 boventunnelblok, waarin de opname van een mini cilindrisch medium-toe voer blok in het ondergedeelte ervan en waar bij in de onderwand van dit blok de opname van een zich in dwarsrichting van de tunnel-doorgang uitstrekkende nanometer brede en microhoge medium-toevoergroef ter plaatse van het 30 centrale gedeelte ervan.

Figuur 6 toont de doorsnede over de lijn 6-6 van het toevoer blokje volgens de Figuur 5.

Figuren 7, 7^> B en C tonen met behulp van de stripvormige transducer in het boventunnelblok het ononderbroken 35 plaatsvinden van de opvolgende phasen van een verankerings-proces van deeltjes van een vaste semiconductor substantie in combinatie met de vorming van een pm hoge laag ervan op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende 15 semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuren 8A> C en D tonen met behulp van de stripvormige transducer in het boventunnelblok het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende phasen van een 5 verankerings-proces van deeltjes van een vloeibare semiconductor hechtsubstantie in de bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder mede de vorming van een nanometer hoge laag ervan daarop.

10 Figuren 9A> C, D en E tonen zeer sterk vergroot het met behulp van de stripvormige transducer in het boventunnelblok ononderbroken plaatsvinden van opvolgende phasen van het opbouwen van een pm hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie in vaste- en/of vloeibare 15 vorm ervan op de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en zulks onder de combinatie van het daarbij continue onderhouden van de combinatie van een LF pulseer- en typisch een MHF tril-conditie ervan.

20 Figuur 10 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1, met daarbij in het boventunnelblok achter deze stripvormige transducer-opstelling en de daaropvolgende stripvormige afvoersectie voor het verdampte draagmedium de opname van een stripvormig verwarmings-25 element ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een oven-behandeling van de op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte deeltjes van een vaste semiconductor substantie, Figuur 10A, onder de 30 bewerkstelliging van een laag in vloeibare vorm ervan,

Figuur 10B, en in een daaropvolgende stripvormige afkoel-sectie, Figuur 10^, plaatsvinden van een afkoel-proces van deze vloeibare laag onder de vorming van een ym hoge laag van deze substantie in een vaste vorm ervan.

35 Figuur 11 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 en waarbij in het boventunnelblok achter deze stripvormige transducer-opstelling en de daaropvolgende stripvormige medium-afvoersectie de opname van een tweede 16 stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van de onder deze eerste transducer-opstelling opgebouwde jum hoge laag van deeltjes van een vaste 5 semiconductor substantie, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren llA en llB.

Figuur 12 toont nog wederom deze tweede transducer-opstelling en waarbij in de Figuren 12A, B, C, D, E f F en G het zeer sterk vergroot aangegeven zijn van de opvolgende 10 phasen van dit egaliseer-proces, met tenslotte onder het achtergedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van een ultra-vlakke conditie van de opgebrachte pm hoge laag deeltjes van een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-15 gedeeltes.

Figuur 13 toont het begin-gedeelte van de transducer-opstelling volgens de Figuur 12 ter plaatse van het membraam-gedeelte ervan en waar bij door het in het transducer-compartiment onderhouden van een geringe 20 overdruk van het daarin aanwezige medium ten opzichte van de druk van het medium in het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte het onderhouden van een aandruk-positie van deze transducer onder tril-conditie ervan op de opgebrachte laag semiconductor substantie ten behoeve van 25 dit optimale egalisatie-proces.

Figuur 14 toont deze tweede transducer-opstelling en waar bij door het in het transducer-compartiment onderhouden van een geringe overdruk van het daarin aanwezige typisch gasvormige medium ten opzichte van de druk van het medium in 30 de zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte het ononderbroken onderhouden van een aandruk-positie van de daarin opgenomen transducer onder tril-conditie ervan op de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte um hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm 35 ervan ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een optimaal egalisatie-proces en in de Figuren 14 A t/m G zeer sterk vergroot de opvolgende hoogtes van de opvolgende hoogtes van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes.

17

Figuur 15 toont het gedeelte van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 en waarbij in het boventunnelblok achter deze combinatie van een stripvormige medium-toevoersectie, - transducer-opstelling en - mediumafvoersectie de opname 5 van een volgende combinatie van stripvormige medium- toevoersectie, - transducer-opstelling en - medium-afvoersectie ten behoeve van het met behulp van deze tweede combinatie opbouwen van een v.ólgende jum hoge laag deeltjes van een vaste semiconductor substantie op de met behulp van 10 deze eerste combinatie bewerkstelligde μ® hoge laag van deze deeltjes, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 15A en 15^,.

Figuur 16 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling. waar bij in het boven tunnel blok-gedeelte ervan de opname van 15 een tweetal opvolgende combinaties van een stripvormige medium.toevoergroef voor deeltjes van een vaste semiconductor substantie, - transducer-opstelling en een - medium-afvoergroef ten behoeve van de opbouw van een pm hoge laag van tenminste mede deze deeltjes, met daarachter 20 in dit blok de opname van een stripvormige oven-sectie en een daaropvolgende — afvoersectie ten behoeve van het bewerkstelligen van een pm hoge vaste laag van deze semiconductor substantie en zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 16A* B en C_ 25 Figuur 17 toont wederom de combinatie van zulk een tweetal opvolgende transducer-opstellingen, met daarachter de opname van zulk een stripvormige verwarmings- en afkoel-inrichting ; zoals reeds is aangegeven in de Figuur 16, en waarbij met behulp van de eerste transducer de opbouw van zulk een 30 di-electrische laag onmiddellijk op de kunststof-f olie, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 17A, onder het daarbij mede met behulp van de opvolgende trillingen van. deze transducer plaatsvinden van inwerking van de deeltjes van zulk een substantie op de bovenlaag van deze folie, onder de 35 daarop-volgende warmte-behandelingsinrichting het omzetten van deze laag van vaste deeltjes in een vloeibare laag, zoals is aangegeven in de Figuur 17B, en vervolgens na afkoeling in de daarop-volgende inrichting het bewerkstelligen van een 18 vaste conditie van deze opgebrachte laag onder een reeds in voldoende mate verankering ervan op deze folie, zoals zeer sterk is aangegeven in de Figuur 17C.

Figuur 18 toont in de tunnel-opstelling 10 een 5 uitwisselbare stripvormige onder-transduceropstelling 110, welke is opgenomen in het ondertunnelblok 14, en waarbij gedurende het semiconductor behandelings-proces van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het typisch onderhouden van de daarin aangegeven combinatie van een laag-10 frequente pulseer-conditie ervan .met behulp van de in zulk een electrische trilling-opwekinrichting opgewekte electrische trillingen en een zeer laag-frequente pulseer-conditie ervan met behulp van het ononderbroken opvolgend toe-en afvoeren van gasvormig medium via een centraal medium toe- afvoer-15 kanaal naar en vanaf het ondertransducer-compartiment.

Figuur 19a toont de opstelling in deze tunnel-opstelling van de combinatie van een stripvormige boven-transducer-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok, en de stripvormige onder-transduceropstelling, welke daaronder is 20 opgenomen in het ondertunnelblok 14, ten behoeve van het daarmede onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch zeer hoog-frequent trillende boven-transducer en 25 een typisch hoog-frequent trillende onder-transducer.

Figuur 19^ toont daarbij nog een alternatieve uitvoering van deze transducer-opstellingen , met de onder-transducer voorwaarts versprongen onder deze boven-transducer.

Voor aanvullende informatie betreffende deze transducer -30 opstellingen zie de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 6 van de aanvrager betreffende zulke transducer-opstellingen.

Figuur 20 toont een uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, welke zich in dwarsrichting van de tunnel-opstelling uitstrekt over tenminste het centrale 35 semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok en waar bij deze in een compartiment ervan opgenomen transducer-opstelling bevattende een aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen typisch cilindrische transducers, 19

Figuren 2θΑ»Β en met een stripvormig dunwandig gedeelte van de onderwand van het uitwisselbare transducer blok tenminste mede fungerend als een onder-electrode ervan en erboven een gemeenschappelijke boven-electrodeplaat, 5 Figuur 17D, welke is aangesloten op een typische boven deze tunnel-opstelling opgestelde electronische generator ten behoeve van de opwekking daarin van de electrische trillingen voor deze transducers.

Figuur 2lA toont in een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 beneden de uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok, in het ondertunnelblok de opname van een eveneens uitwisselbare stripvormige onder-nokkenasopstelling ten behoeve van het met behulp van deze combinatie onderhouden van een semiconductor 15 behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met daarbij het continue onderhouden van een typisch tenminste UHF-tril-conditie van deze boven-transducer en een typisch Hf-trilconditie van deze onder-nokkenasopstelling.

20 Figuur 21® toont daarbij een voorwaarts versprongen positie van deze onder-nokkenasopstelling ten opzichte van deze boven-transduceropstelling.

Figuur 2lC toont voor deze nokkenas-opstelling opvolgende nokken, waarbij, gezien in de verdraai-richting ervan, een 25 aanzienlijke lengte en een daarop-volgende geringe lengte ervan ten behoeve van het met behulp van de stripvormige drukplaat van deze opstelling daarmede opvolgend onderhouden van een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing van deze opvolgende substraat-30 gedeeltes onder het daarmede ondersteunen van een bepaald semiconductor behandelings-proces met behulp van de eveneens daardoor bewerkstelligde trillende opvolgende substraat-gedeeltes, zoals onder andere een reinigings-, strip-, ets-of spoel-proces van de bovenlaag ervan.

35 Figuur 21^ toont voor deze nokkenas-opstelling een geringe lengte en een daarop-volgende aanzienlijke lengte van zulke opvolgende nokken ten behoeve van het met behulp van deze drukplaat opvolgend onderhouden van een snelle 20 opwaartse verplaatsing en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van deze substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarmede ondersteunen van een bepaald semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere het 5 ononderbroken opbrengen van deeltjes van een semiconductor substantie.

Figuur 1 toont een gedeelte van een semiconductor tunnel-opstelling 10, waarbij in het boventunnelblok 12 ervan de opname van een stripvormige mediumtoevoergroef-opstelling 16 10 voor de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes 20 van een semiconductor substantie en een daarop-volgende stripvormige transducer-opstelling 22 ten behoeve van het tenminste mede plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium en in een 15 daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie 24 van dit blok onder de bewerkstelliging van een (sub) micrometer hoge laag van deeltjes 20 van zulk een semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26.

20 Figuur 1A toont daarbij het bovenspleet-gedeelte 28 ter plaatse van deze medium-toevoergr oef 16.

Figuur lB toont het bovenspleet-gedeelte 28 ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer-opstelling 22, waar bij typisch het ononderbroken plaatsvinden van een 25 indring-proces van deze deeltjes 20 in de bovenlaag 30 van de opvolgende eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 26 en een begin van het verdampings-proces van dit draagmedium 18.

Figuur lC toont het midden-gedeelte van deze transducer-30 opstelling 22 en waar bij het mede reeds plaatsvinden van een neerslag van deze deeltjes.

Figuur lD toont het bovenspleet-gedeelte 28 ter plaatse van het achter-gedeelte van deze transducer 22 en waarbij het bewerkstelligd zijn van mede neerslag van tenminste nagenoeg 35 alle deeltjes 20 van deze semiconductor substantie onder de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag ervan.

Figuur lE toont het bovenspleet-gedeelte 28 ter plaatse van deze medium-afvoer groef 24.

21

Figuur 2 toont zeer sterk vergroot een onder-gedeelte van het boventunnelblok 12, waarin de opname van een mini cilindrisch medium-toevoerblok 30 voor de medium toevoergroef-opstelling 16 volgens de Figuur 1.

5 Figuur 3 toont de doorsnede over de lijn 3-3 van het toevoerblok 30 volgens de Figuur 2 en waarbij in het ondergedeelte 32 ervan de opname van een micrometer wijde medium-toevoergroef 34, met aansluiting ervan op de aangrenzende medium-toevoergroeven 34 in de onderwand 38 van het boven-10 tunnelblok 12 onder de vorming van één, zich ononderbroken in dwarsrichting van de tunnel-opstelling uitstrekkende toevoer-groef voor de combinatie van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes 20 van een semiconductor substantie ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze 15 tunnel-opstelling.

Figuur 4 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 en waarbij in het boventunnelblok 12 ervan de opname van een stripvormige medium-toevoerinrichting 16 ten behoeve van een ononderbroken minimale toevoer per tijdseenheid van de 20 combinatie van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes van een semiconductor substantie 20 en een daarop-volgende uitwisselbare stripvorraige transducer-opstelling 22 ten behoeve van het in het begin-gedeelte ervan ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deze deeltjes 20 in de semicon-25 ductor bovenlaag 40 van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de opvolgende substraat-gedeeltes 26 en in de volgende gedeeltes van de bovenspleet 28 het ononderbroken plaatsvinden van een verdere neerslag daarop van deze deeltjes onder de bewerkstelliging van een typisch 30 sub-micrometer hoge laag van deze deeltjes daarop.

Figuur 4^ toont daarbij zeer sterk vergroot het gedeelte van deze bovenspleet 28 ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer 22 en waarin het plaatsvinden van tenminste mede zulk een indring-proces van deze deeltjes.

35 Figuur 4B toont daarbij een volgend gedeelte van deze bovenspleet 28 en waarin in hoofdzaak het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes 20.

Figuur 4C toont een volgend bovenspleet-gedeelte, met 22 daarin een verdere neerslag van deze deeltjes 20 en met afvoer van het verdampte draagmedium via een grotere hoogte van de bovenspleet 28.

Figuur 4D toont een volgend bovenspleet-gedeelte, met 5 daarin het plaatsvinden van de laatste phase van zulk een neerslag van deze deeltjes 20.

Figuur 4E

toont het bovenspleet-gedeelte onder het laatste gedeelte van deze transducer 22 en waarin het nagenoeg uitsluitend plaatsvinden van een optimale afvoer van het 10 verdampte vloeibare draagmedium via een maximale doorgangs-hoogte van deze bovenspleet 28.

Figuur 5 toont zeer sterk vergroot een alternatieve uitvoering 30 van zulk een mini medium-toevoerblok volgens de Figuur 2.

15 Daarbij in de bovenwand van dit blok 30 de opname van een mini brede medium-toevoerkanaal 52'> welke is aangesloten op het centrale medium-toevoerkanaal 52 via de toevoergroef 50 ten behoeve van eveneens een ononderbroken toevoer erdoorheen van zulk een combinatie van draagmedium 18 en deeltjes van de 20 semiconductor substantie 20 naar de secundaire, micro-brede medium-toevoergroef 56' in de onderwand 38 van dit blok en welke parallel is gelegen met de hoofd-toevoergroef 56.

Daarbij tevens een grotere hoogte van het onderwand-gedeelte 38 voorbij deze hoofd-groef 56 dan van het secundaire 25 gedeelte 38' van dit blok 30 daarachter.

Figuur 6 toont daarbij een horizontaal onder-aanzicht van de onderwand van het boventunnelblok 12 ter plaatse van mede dit blok 30 over de lijn 6-6, met daarin de positie van deze naast elkaar gelegen toevoer-groeven 56 en 56'.

30 Figuren 7 en 7^, B en C en 7D t/m G en 7H t/m L tonen met behulp van de stripvormige transducer 22, welke is opgenomen in het boventunnelblok 12, het ononderbroken plaatsvinden van de opvolgende phasen van een verankerings-proces van de deeltjes 20 van een semiconductor substantie 60 35 in combinatie met de geleidelijke vorming van een micrometer hoge laag ervan op de bovenwand 56 van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende, typisch kunststof folie-gedeeltes 58.

23

Zulks is sterk vergroot aangegeven in de Figuren 7A, B en C.

Verder in de Figuur 70 ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer de bovenste tril-positie ervan en in de Figuur 7^ de onderste tril-positie, met nog een micrometer 5 hoge sectie van de bovenspleet 28 en het daarbij plaatsvinden van een optimaal indring/verankerings-proces van deze typisch vloeibare deeltjes 60 in de bovenwand 56 van deze zich eronderlangs verplaatsende kunststof-folie 58.

Figuren 7F en G tonen daar bij de opvolgende bovenste- en 10 onderste-trilpositie van deze transducer 22 ter plaatse van het achterste gedeelte ervan, met een aanzienlijke hoogte van de zich eronder bevindende secties van deze bovenspleet 28 en waarbij door verdamping van het vloeibare draagmedium 60 het bewerkstelligd zijn van een micrometer hoge laag van deze 15 deeltjes vloeibare substantie 60 , met het zich erbovenlangs verplaatsende dampvormige medium 44.

Verder tonen de Figuren 7^ t/m L zeer sterk vergroot zulke phasen van inwerking/neerslag van zulke deeltjes van de vloeibare hecht-substantie 60 op deze opvolgende folie-20 gedeeltes 58 met behulp van zulk een trillende boventrans ducer 22 en waar bij het aangegeven zijn van een snelle neerwaartse- en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van deze transducer 22 en zulks ten behoeve van het mede optimaal bewerkstelligen van zulk een inwerking 25 van deze deeltjes 60 in de bovenwand 56 van deze opvolgende folie-gedeeltes 58 onder het mede verkrijgen van een typisch micrometer hoge laag van deze deeltjes.

Figuur 8 toont in een stripvormig uitwisselbaar gedeelte van het boventunnelblok 12 van de tunnel-opstelling 10 de 30 opname van de combinatie van een stripvormige boven-transducer 22 en de ervóór opgenomen stripvormige alternatieve medium-toevoerinrichting 16 en een erachter opgenomen stripvormige medium-afvoerinrichting 24.

Daarbij is het mini stripvormige medium-toevoer blok 30 35 van deze medium-toevoer inr ichting 16 onmiddellijk gelegen vóór deze transducer 22 en waarbij eveneens een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte 28 boven de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 26 tot naar 24 de medium-afvoerinrichting 24.

Figuur 9 toont wederom zulk een combinatie van de stripvormige boven-transducer 22, welke is opgenomen in het boventunnelblok van de tunnel-opstelling 10, en de ervóór 5 gelegen stripvormige toevoer-inrichting 16 voor de combinatie van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes van een semiconductor substantie 20.

Daarbij via het toevoer-kanaal 130 het tevens ononderbroken opvolgend laag-frequent toe- en afvoeren van gasvormig 10 medium 68 naar en vanaf het boven-transducercompartiment ten behoeve van het onderhouden van de combinatie van een trillende- en pulserende conditie van deze transducer 22.

Zulk een geleidelijke opbouw van een micrometer hoge laag van deze deeltjes 20 is zeer sterk vergroot aangegeven in de 15 Figuren 9A t/in E, met ^et daarin aangegeven zijn van de onderste laag-frequente pulseer-positie van deze trillende transducer.

Deze geleidelyke laag-opbouw onder toepassing van typisch een vaste semiconductor substantie geschiedt daar bij zonder 20 het ter plaatse van tenminste het achter-gedeelte van deze transducer door het onderhouden van zulk een tril-conditie gehecht raken van zulke deeltjes tegen de onder-electrode ervan.

Figuur 10 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 25 volgens de Figuur 1, met daarbij in het boventunnelblok 12 achter deze stripvormige transducer-opstelling 22 en de daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie 24 voor het verdampte draagmedium 44 de opname van de stripvormige verwarmings-elementopstelling 62 ten behoeve van het daarmede 30 ononderbroken plaatsvinden van een oven-behandeling van op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte deeltjes 46 van een vaste semiconductor substantie, Figuur.10^, onder de bewerkstelliging van de laag 46' in een vloeibare vorm ervan, 35 Figuur 10B, en in een daarop-volgende stripvormige afkoel-sectie 64, Figuur 10^, het plaatsvinden van een afkoel-proces van deze vloeibare laag onder de vorming van een micrometer hoge laag van deze substantie in een vaste 25 vorm 66 ervan.

Deze opgebrachte laag 66 is daar bij tevens in voldoende mate verankerd op deze di-electrische onderlaag, zoals in deze Figuur eveneens is aangegeven.

5 Verder voor zulke deeltjes de mogelijke toepassing van elke andere semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.

Figuur 11 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 volgens de Figuur 1 en waarbij in het boventunnelblok 12 achter deze stripvormige transducer-opstelling 22 en de 10 daarop-volgende stripvormige medium-afvoer sectie 24 de opname van een tweede stripvormige transducer-opstelling 22' ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van de onder deze eerste transducer-opstelling 22 opgebouwde micrometer hoge laag 42 van deeltjes 15 van een vaste semiconductor substantie, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren llA en llB,

Figuur llC toont daarbij nog sterk vergroot het begin-gedeelte van deze tweede transducer 22', welke is opgenomen in het transducer-compartiment 90', met rondom ervan het 20 dunwandige metalen membraam-gedeelte 74' als deel van de onder-electrode ervan.

Tijdens de werking van deze tunnel-opstelling wordt in dit compartiment 90' een overdruk onderhouden van het daarin aanwezige gasvormige medium ten opzichte van de druk van het 25 medium in het bovenspleet-gedeelte 28 onder deze transducer, waardoor het tevens fungeren ervan als een stripvormige drukwand, met het daarbij onderhouden van een benedenwaartse verplaatsing ervan, doordat deze membraam-gedeeltes 74' daartoe een voldoend geringe dikte hebben.

30 Daarbij tijdens zulk een egalisatie-proce met deze transducer 22' het aldus tenminste plaatselijk, typisch het begin-gedeelte ervan, onderhouden van een aandruk-positie ervan op deze opgebrachte laag 42 onder de tril-conditie ervan en het ter plaatse verplaatsen van de opvolgende 35 substraat-gedeeltes 26 over het zich eronder bevindende gedeelte van het ondertunnelblok 14 onder een aandruk-conditie ervan daarop.

Figuur 12 toont nog wederom zulk een tweede transducer- 26 opstelling 22 en waarbij in de Figuren 12A t/m F het zeer sterk vergroot aangegeven zijn van de opvolgende phasen van een alternatief egalisatie-proces daarmede, met tenslotte onder het achter-gedeelte ervan, Figuur 12^, het 5 bewerkstelligd zijn van een ultra-vlakke conditie van de opgebrachte micrometer hoge laag 42 van deeltjes 46 van een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26.

Figuur 13 toont nog wederom het begin-gedeelte van de 10 transducer-opstelling 22' volgens de Figuur llC ter plaatse van het voorste membraam-gedeelte 74 ervan en waarbij eveneens door het in het transducer-compartiment 90 onderhouden van een geringe overdruk van het daarin aanwezige gasvormige medium 68 ten opzichte van de druk van het medium in het zich 15 eronder bevindende bovenspleet-gedeelté 28 het eveneens onderhouden van zulk een aandruk-positie van tenminste het begin-gedeelte van deze transducer 22 onder tril-conditie ervan op de reeds opgebrachte laag 42 van deeltjes 46 van een vaste semiconductor substantie ten behoeve van zulk een 20 optimaal egalisatie-proces, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 13A t^m

Figuur 14 toont wederom zulk een tweede transducer-opstelling 22 en waarbij door in het transducer-comartiment 90 het onderhouden van een geringe overdruk van het daarin 25 aanwezige, typisch gasvormige medium 98 ten opzichte van de druk van het medium in de zich eronder bevindende bovenspleet-sectie 28 het ononderbroken onderhouden van een aandruk-positie van deze daarin opgenomen transducer 22 onder tril-conditie ervan op de in het voorgaande tunnel-gedeelte 30 opgebouwde micrometer hoge laag 42 van deeltjes van een semiconductor substantie 46 in vaste vorm ervan ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een optimaal egalisatie-proces en in de Figuren 14A t/m 0 ^et zeer sterk vergroot aangegeven zijn van de opvolgende hoogtes van de opvolgende . 35 bovenspleet-gedeeltes 28 onder daarin de bewerkstelliging van een ultra-gelijkmatige hoogte van zulk een opgebrachte, typisch mogelijk zelfs nanometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie.

27

Figuur 14^ toont wederom zulk een tweede transducer-opstelling 22 in een aangepaste vorm ervan en waarbij de Figuren 14^* J en K zeer sterk vergroot de navolgende posities van deze bovenspleet-gedeeltes 28 tonen: 5 a) in de Figuur 14^ de positie ervan ter plaatse van het membraam-gedeelte 74 nabij het begin-geddelte van deze transducer, met een maximale hoogte ervan; b) in de figuur 14J de positie ervan ter plaatse van het centrale transducer-gedeelte; met een mini-hoogte ervan; en 10 c) in de Figuur 14^ de positie ter plaatse van het membraam-gedeelte 74 nabij het achterste gedeelte van deze transducer, met eveneens een maximale hoogte ervan

Figuur 15 toont een stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling 10 en waarbij in het boventunnelblok 12 achter een 15 voorgaand tunnel-gedeelte, waarin reeds met behulp van een transducer-opstelling het bewerkstelligd zijn van een laa? van deeltjes van een di-electrische substantiet wederom de opname Van de stripvormige medium-toevoersectie 16, de transducer-opstelling 22, welke is opgenomen in het transducer-20 compartiment 70, bevattende gasvormig medium 68, met daarbij de ononderbroken toevoer ervan via de toevoer-leiding 34 en afvoer ervan via de afvoer-leiding 36.

Verder in het ondertunnelblok 14 de opname van opvolgende combinaties van de stripvormige toevoergroef 132 voor typisch 25 vloeibaar transfeemedium 138, de stripvormige afvoergroef 134 en de tussen-gelegen doorlaat-groeven 136 ten behoeve van het ondersteunen van de lineaire verplaatsing van de opvolgende kunstof-foliegedeeltes 58 door het tussen-gelegen tunnel-doorgangsgedeelte 140.

30 Verder in dit boventunnelblok achter deze transducer- opstelling de opname van de medium-afvoersectie 24.

Zulk een opstelling ten behoeve van het daarin opbouwen van een volgende micrometer hoge laag 42 van de deeltjes 46 van een vaste semiconductor substantie op zulk een reeds 35 opgebrachte laag 42 van deze substantie als deel van een semiconductor onderlaag van de opvolgende substraat-gedeeltes 26 en zulks onder het daarbij reeds in een voldoende mate plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze 28 opgebrachte lagen, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 15^.

Daar bij achter dit eerste tunnel-gedeelte de opname van een volgend tunnel-gedeelte, waarin eveneens de opname van 5 tenminste mede zulk een transducer-opstelling 22 ten behoeve van het mede daarmede plaatsvinden van een optimaal egalisatie-proces van deze totaal-laag, zoals eveneens sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 15®.

Figuur 15^ toont verder sterk vergroot het begin-gedeelte 10 van deze tweede transducer 22 ter plaatse van het voorste membraam-gedeelte 74 en waar bij daaronder in het onder tunnel-blok 14 als alternatief geen opname in de bovenwand ervan van zulke opvolgende combinaties van toe- en afvoer-groeven van vloeibaar transfer-medium.

15 Verder daarbij in het transducer-compartiment 70 onderhouden van een geringe overdruk van het gasvormige medium ten behoeve van het daardoor onderhouden van een trillende aandruk-conditie van deze transducer op deze opgebrachte totaal-laag 42 van zulke deeltjes van een di-electrische 20 substantie ten behoeve van het tenminste bijdragen in zulk een optimaal egalisatie-proces .

Figuren 15® en E tonen het begin-gedeelte van de semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel 10, bevattende nabij de ingang ervan de opslagrol 130 voor een 25 zeer lange, dunwandige kunststof-folie 58 als typisch een definitieve semiconductor onderlaag van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes 26 en middelen ten behoeve van het tijdens de werking ervan het verplaatsen ervan met behulp van de in de 30 bovenwand van het ondertunnelblok 14 tenminste plaatse lijk opgenomen opvolgende stripvormige toevoer-groeven 132 voor typisch gasvormig medium, zoals N2> met doorvoer ervan via een groot aantal naast elkaar gelegen medium-doorlaat-groeven 136 naarde stripvormige afvoer-groeven 134.

35 Verder daarbij de toepassing van de folie-geleiderol 138 tussen deze opslagrol 130 en de ingang 140 van deze tunnel-, opstelling.

Als een alternatief, zoals is aangegeven in de Figuur I5P

29 het opbrengen van de opvolgende folie-gedeeltes op de ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/ transfer-band 102, met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang van deze tunnel-opstelling, en welke is aangegeven 5 en omschreven in meerdere van de gelijktijdig met deze

Octrooi-aanvrage ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager.

Figuur 16 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10. waarbij in het bóventuriheiblok 12 ervan de opname van een 10 tweetal opvolgende uitwisselbare stripvormige transducer-opstellingen.

Daarbij met behulp van deze eerste transducer 22 het opbouwen van een tenminste nanometer hoge laag van . deeltjes 106 van typisch een tijdelijke , ver wijder bare hecht-15 substantie op de kunststof-folie 104 en met behulp van de tweede transducer-opstelling 22 op deze bewerkstelligde laag 106 van deze vloeibare deeltjes het opbrengen van deeltjes 46 van een di-electrische substantie onder tevens het daarmede plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze 20 opgebouwde laag 42, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 16^.

Figuur löC toont daarbii het met behulp van de stripvormige verwarmings-inrichting 62 smelten van deze laag 46.

Figuur 16C toont verder door een daarop-volgende afkoeling 25 van deze vloeibare laag 46 met behulp van de stripvormige afkoel-inrichting 64 de bewerkstelliging van een ultra'-vlakke micrometer hoge laag 46 in vaste vorm ervan op de nog vloeibare tijdelijke hechtlaag 106.

Aan het einde van het totale semiconductot behandelings-30 proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes 16 vindt in een inrichting achter deze tunnel-opstelling het verwijderen van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes vanaf deze folie 104 plaats, met het vervolgens in een volgende inrichting verwijderen van de nog aanwezige vloeibare deeltjes 35 ervanaf, waarna door deling ervan in een volgende inrichting de bewerkstelliging van semiconductor chips met een di-electrische onderlaag ervan.

Als een mogelijk alternatief de toepassing van een zodanige 30 vloeibare hecht-substantie, dat daarbij het navolgende: a) Zulk een typisch tenminste nanometer hoge laag hecht-substantie is definitief verankerd op deze kunststof-folie; en 5 b) Zulk een opgebrachte di-electrische laag is daarbij definitief verankerd op deze hecht-substantie.

Verder als een moge lijk alternatief in plaats van zulk een di-electrische substantie de toepassing van een andere substantie, zoals een metalen substantie, ten behoeve van de 10 bewerkstelliging van een metalen onderlaag voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met een metalen onderlaag ervan.

Verder als een volgend mogelijk alternatief in plaats van 15 zulk een kunststof-folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende substraat-gedeeltes tijdens de verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling de toepassing van een metalen folie of een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transferband.

20 Figuur 17 toont wederom de combinatie van zulk een tweetal opvolgende transducer-opstellingen 22, met daarachter de opname van de stripvormige verwarmings- en afkoel-inrichtingen 62 en 64, zoals reeds is aangegeven in de Figuur 16, en waarbij met behulp van de eerste transducer 22 25 de opbouw van zulk een di-electr ische laag onmiddellijk op de kunststof-folie 104, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 17^, onder het daarbij mede met behulp van de opvolgende trillingen van deze transducer, waarbij typisch het onderhouden van de combinatie van een snelle neerwaartse 30 verplaatsing, met daarbij een relatief grote tril- amplitude, en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing, met een relatief kleine tril-amplitude van de opvolgende transducer-trillingen, zoals mede is aangegeven in deze Figuur, het optimaal plaatsvinden van inwerking van deze 35 deeltjes 46 van zulk een substantie op de bovenlaag van deze folie 104.

Daarbij onder de daarop-volgende warmte-behandelings-inrichting 62 het omzetten van deze laag van vaste deeltjes 31 in een vloeibare laag, zoals eveneens sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 17B) en vervolgens na afkoeling ervan in de daarop-volgende afkoel-inrichting 64 het bewerkstelligen van een vaste conditie van deze opgebrachte laag 46 onder een 5 reeds in een voldoende mate verankering ervan op deze folie 104, zoals zeer sterk is aangegeven in de Figuur 17^.

Aldus het aan de uitgangs-zijde van deze tunnel-opstelling verkrijgen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in een inrichting daarachter door deling ervan de 10 bewerkstelliging van semiconductor chips met deze kunststof-onderlaag ervan.

Figuur 18 toont in de tunnel-opstelling 10 de uitwisselbare stripvormige onder-transduceropstelling 110, welke is opgenomen in het ondertunnelblok 14 en waarbij de transducer 15 ervan zich bevindt onder het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunnel-door gang.

Daarbij gedurende het daarmede plaatsvinden van het tenminste bijdragen in een bepaald semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs 20 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26,het typisch continue onderhouden van de aangegeven combinatie van een zeer laag-frequente pulseer-conditie met behulp van het ononderbroken opvolgend toe- en afvoeren van gasvormig medium 114 via het centrale medium toe- en afvoerkanaal 112 25 naar en vanaf het onder-transducercompartiment 120 en de in zulk een electrische trilling-opwekinrichting opgewekte electrische trillingen.

Figuur 19^ toont de opstelling in de tunnel-opstelling 10 van de combinatie van een stripvormige boven- transducer-30 opstelling 22, welke is opgenomen in het boventunnelblok 12, en de stripvormige onder-transduceropstelling 110, welke daaronder is opgenomen in het ondertunnelblok 14, ten behoeve van het met deze combinatie onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, 35 ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat- gedeeltes 26 onder de combinatie van een typisch zeer hoogfrequent trillende boven-transducer en een typisch hoogfrequent trillende onder-transducer.

32

Figuur 19® toont daarbij nog een alternatieve uitvoering van deze transducer-opstellingen, met de onder-transducer 110 voorwaarts versprongen onder deze boven-transducer 22 ten behoeve van het daarmede typisch onderhouden van zulk een 5 semiconductor behandelings-proces onder een echter aangepaste conditie ervan.

Figuur 20 toont een uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 22, welke zich in dwarsrichting van de tunnel-opstelling 10 uitstrekt over tenminste het centrale 10 semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok 12 en waarbij deze, in het compartiment 70 opgenomen transducer-opstelling bevattende een aantal, in dwarsrichting naast elkaar gelegen typisch cilindrische transducers 140,

Figuren 20® en C, met een stripvormig dunwandig gedeelte van 15 de onderwand van het uitwisselbare transducerblok tenminste mede fungerend als de onder-electrode 144 ervan, en erboven een gemeenschappelijke boven-electrodeplaat 146, Figuur 20®, welke is aangeloten op een boven deze tunnel opgestelde electrische generator ten behoeve van de opwekking daarin van 20 de gewenst wordende electrische trilligen voor zulk een transducer.

Figuur 2lA toont in een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 beneden de uitwisselbare sripvormige transducer-opstelling 22, welke is opgenomen in het boventunnelblok 12, 25 in het ondertunnelblok 14 de opname van een eveneens uitwisselbare stripvormige onder-nokkenasopstelling 150 ten behoeve van het met behulp van deze combinatie onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-30 gedeeltes 26, met daarbij een typisch tenminste UHF tril- conditie van de boven-transducer 22 en een typisch HF tril-conditie van deze onder-nokkenasopstelling 150.

Figuur 21® toont verder nog een voorwaarts versprongen positie van deze nokkenas-opstelling 150 ten opzichte van 35 deze transducer-opstelling 22.

Figuur 2lC toont voor deze nokkenas-opstelling 150 de in radiale richting gescheiden opvolgende nokken 152, waarbij, gezien in deze richting, een aanzienlijke lengte en 33 een daarop-volgende geringe lengte ervan ten behoeve van het met behulp van de stripvormige drukplaat 154 daarmede opvolgend onderhouden van een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing van de 5 opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 26 onder het daarmede onderhouden van een bepaald semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere een reinigings-, ets-, strip- of spoel-proces van de bovenlaag ervan.

10 Figuur 2lD toont voor deze nokkenas-opstelling daarbij een geringe lengte en een daar op-volgende aanzienlijke lengte van zulke opvolgende nokken 152' ten behoeve van het met behulp van deze drukplaat 154 opvolgend onderhouden van een snelle opwaartse verplaatsing van deze erbovenlangs verplaatsende 15 substraat-gedeeltes en vervolgens een langzame neerwaartse verplaatsing ervan ten behoeve van het daarmede ondersteunen van een bepaald semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere het opbrengen van deeltjes van een semiconductor substantie op de bovenlaag ervan.

20 Binnen het kader van de uitvinding is voor deze tunnel- opstelling elk ander toepasbaar semiconductor behandelings-proces onder tenminste mede de toepassing van zulk een stripvormige transducer-opstelling mogelijk en zoals onder andere is aangegeven en omschreven in de begaande Nederlandse 25 Octrooi-aanvrage No. 11 van de aanvrager.

1037062

Claims (139)

1. Semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling , met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, 5 en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van tenminste één stripvormige medium-toevoerinrichting ten behoeve tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken aanvoer in tenminste een 10 stripvormig toevoer-gedeelte van het boventunnelblok, welke zich tenminste hoofdzakelijk uitstrekt in dwarsrichting ervan, van de combinatie van typisch laagkokend vloeibaardraagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan onder tenminste mede een capillaire 15 aanzuigconditie van de daaropvolgende pm hoge stripvormige bovenspleet-sectie boven de opvolgende, zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

2. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het 20 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de toepassing van tenminste mede een tijdens de werking ervan ononderbroken folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

3. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze folie daarbij tenminste bestaat uit een metalen substantie.

4. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze folie daarbij tenminste bestaat uit een 30 kunststoffen substantie.

5. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het plaatsvinden van toevoer van deze_combinatie van mediums onder de 35 combinatie van een tenminste nagenoeg gelijke hoogte van de onderdruk ervan als die van het medium in dit bovenspleet-gedeelte en het verplaatsen van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes eronderlangs. 1037062

6. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een voorgaande stripvormige sectie ter plaatse van tenminste dit centrale 5 semiconductor behandelings-gedeelte ervan onder dit boven-tunnelblok het ononderbroken bewerkstelligen van een μπι hoogte van het bovenspleet-gedeelte.

7. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 10 zodanige middelen, dat daarbij in deze stripvormige sectie in het onderspleet-gedeelte eronder het ononderbroken onderhouden van een zodanige aanzienlijke afzuiging van medium onder een zodanig hoge onderdruk van het daarin aanwezige medium, dat daarin het bewerkstelligen van een tenhoogste (sub) pm 15 hoogte van het daarop volgende onderspleet-gedeelte.

8. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in dit onder spleet-gedeelte het zodanig mede plaatsvinden van het ononderbroken afzuigen 20 van damp- en/of gasvormig medium daaruit onder een aanzienlijke onderdruk ervan, dat in het daaropvolgende onder spleet-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een mechanisch contact van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met het zich eronder bevindende gedeelte 25 van het ondertunnelblok.

9. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in dit onder spleet-gedeelte het zodanig plaatsvinden van het ononderbroken afzuigen van 30 tenminste mede vloeibaar medium daaruit, dat in het daarop volgende onder spleet-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een (sub) pm hoogte ervan.

10. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 35 bevattende zodanige middelen, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie onder een tenminste nagenoeg dezelfde druk ervan als die van het medium in de zich eronder bevindende stripvormige um hoge bovenspleet-sectie, typisch een onderdruk ervan.

11. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 5 bevattende zodanige middelen, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie onder een overdruk ervan ten opzichte van de druk van het medium in de zich eronder bevindende stripvormige 10 bovenspleet-sectie boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

12. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een daarop 15 volgend gedeelte van dit boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan ten behoeve van het tenminste mede fungeren ervan als warmtebron voor het daarmede verdampen van dit laagkokende vloeibare 20 draagmedium onder een trillende neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met in dit blok achter deze transducer-opstelling de opname van een stripvormige afvoersectie ten behoeve van de ononderbroken 25 afvoer van het verdampte medium.

13. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van een MHF transducer daarin.

14. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het 30 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van een UHF transducer daarin.

15. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze transducer-opstelling daarbij is opgenomen in een van de 35 buitenlucht afgesloten stripvormig transducercompartiment-gedeelte van het boventunnelblok en waarbij de onder-electrodeplaat ervan deel uitmaakt van de onderwand van dit blok, met rondom het transducer-gedeelte ervan een membraam- gedeelte van deze transducer-opstelling.

16. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk tijdens de 5 werking ervan het tevens fungeren van dit compartiment als drukkamer ten behoeve van het plaatsvinden van een laag-frequent pulseren van deze daarin opgenomen transducer.

17. Tunnel-opstelling volgens één der coorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 10 bevattende zodanige middele, dat daarbij tijdens de werking ervan met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van het opheffen van een in de ervoor gelegen bovenspleet-sectie naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsingssnelheid van deze 15 daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van vloeibare draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

18. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij mede met behulp van deze 20 transducer het ononderbroken plaatsvinden van het opheffen van het in deze naast elkaar gelegen gedeeltes van deze ervoor bevindende bovenspleetsectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van dit vloeibare draagmedium en deze deeltjes van een semiconductor substantie.

19. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daar bij in het centrale semiconductor be handel ings-gedeelte van het boventunnelblok de opname van een groot aantal in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen toevoerkanalen voor 30 deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, in tenminste het ondergedeelte van dit blok onder deze kanalen de opname van eveneens een groot aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen mini cilindrische medium-toevoerblokken; elk bevattende in het bovengedeelte 35 ervan een cilindrisch mediura-doorlaatkanaal met aansluiting van elk ervan op een daarmede corresponderend medium-toevoerkanaal en in het ondergedeelte van zulk een medium-toevoerblok de opname van een ultra nauw medium-toevoerkanaa1 met een typisch nanometer grote diameter ervan als benedenwaarts verlenge van zulk een medium-doorlaatkanaal.

20. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij 5 op het boventunnelblok de drukdichte bevestiging van een stripvormige medium-toevoerplaat, met in het centrale tussengedeelte ervan een smalle medium-toevoergroef, welke via tenminste één, in deze plaat opgenomen medium-toevoer leiding is aangesloten op tenminste één toevoer-10 inrichting voor deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie.

21. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in de onderwand van deze mini medium-toevoerblokken de 15 opname van een typisch nanometer brede medium-doorlaatgroef, welke zich uitstrekt in dwarsrichting van de tunneldoorgang.

22. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze groeven in-lijn naast elkaar zijn gelegen.

23. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 22, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in de onderwand van het boventunnelblok eveneens de opname van in-lijn gelegen ultra smalle medium-doorlaatgroeven tussen deze naast elkaar gelegen medium-toevoerblokken, welke 25 de daarin opgenomen groeven met elkaar doorverbinden.

24. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking ervan onder zulk een combinatie van in-lijn naast elkaar 30 gelegen mini medium-toevoerblokken het bewerkstelligd zijn en vervolgens onderhouden van een minder dan 10 pm, typisch slechts 2-5 pm hoogte van het zich eronder bevindende boven-spleetgedeelte boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. 35

25. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij de verplaatsingssnelheid van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes mede daartoe beperkt is tot tenhoogste 2 ram/seconde.

26. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij mede daartoe de breedte van het centrale semiconductor 5 behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang typisch slechts 200 mm bedraagt.

27. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze verder zpdanige middelen bevat, dat daarbij tijdens de werking ervan een ononderbroken toevoer van deze 10 combinatie van vloeibaar medium en deeltjes van een semiconductor substantie,minder dan 5 mm^/seconde en typisch slechts circa 2 mm-Vseconde,

28. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij 15 ten behoeve van het bewerkstelligen van een nanometer hoge laag vloeibare hechtsubstantie op de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes de toepassing van een hoog percentage van dit vloeibare draagmedium. typisch 80 %, in deze combinatie ervan met deze deeltjes substantie 20 in daarbij vloeibare vorm ervan.

29. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes van deze 25 semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

30. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij 30 met behulp van deze transducer het tevens ononderbroken plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op het centrale gedeelte van deze eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

31. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 30, met het 35 kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat zoals daar bij voor deze semiconductor substantie de toepassing van deeltjes van een hoogkokende vloeibare hechtsubstantie, na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium met behulp van deze transducer met afvoer van de gevormde damp via de daaropvolgende stripvormige medium-afvoersectie in het boventunnelblok in het daarop volgende semiconductor behandelings-gedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van 5 verankering van de öpgebrachte, typisch nanometer hoge laag vloeibare hechtsubstantie op de semiconductor bovenlaag van van de opvolgende, zich erondterlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

32. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 30, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat zoals daarbij voor deze semiconductor substantie de toepassing van deeltjes in vaste vorm ervan, na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium met behulp van deze transducer met afvoer van de gevormde damp via de 15 daaropvolgende stripvormige medium-afvoersectie in het boventunnelblok en in daaropvolgende stripvormige secties het plaatsvinden van een oven-behandeling en een volgend afkoel proces ervan onder het verkrijgen van een pm hoge laag van deze substantie in vaste vorm ervan, het daarbij tevens 20 bewerkstelligd zyn van verankering van deze laag op de zich eronder bevindende semiconductor bovenlaag van de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

33. Tunnel-opstelling volgens έή der voorgaande Conclusies, 25 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarin tenminste plaatselijk de toepassing van vloeibaar draagmedium en de combinatie van een vloeibare hechtsubstantie en nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan ten 30 behoeve met behulp van een.stripvormige transducer-opstelling in het boventunnelblok het tevens ononderbroken plaatsvinden van een verankerings-proces van deze combinatie in het bovenlaag-gedeelte van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-35 gedeeltes.

34. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij onder het begingedeelte van deze transducer door het trillen ervan het ononderbroken plaatsvinden van indringing van de combinatie van deeltjes semiconductor substantie en daaraan-grenzende deeltjes van deze hoogkokende vloeibare hechtsubstantie in het nanometer hoge gedeelte van de 5 semiconductor bovenlaag van deze semiconductor substraat-gedeeltes.

35. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tenminste 10 plaatselijk onder het begin-gedeelte van zulk een transducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van de combinatie van vloeibaar draagmedium en vaste deeltjes van een semiconductor substantie in een nm hoge bovenlaag van een in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte 15 laag deeltjes van typisch een andere semiconductor substantie met daarbij in een daarop-volgend gedeelte nog geen ovenbehandeling en een daarop-volgend afkoel-proces ervan

36. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk,dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 20 bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een semiconductor bovenlaag de toepassing van een hechtlaag in een vloeibare conditie ervan.

37. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 25 bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een semiconductor bovenlaag de toepassing van een hechtlaag in een vaste vorm ervan.

38. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 30 bevattende zodanige middelen, dat daarbij ter plaatse van het achter-gedeelte vafi zulk een transducer-opstelling het mede daarmede bewerkstelligd zijn van een mechanisch contactloze conditie van zulk een daarmede verkregen semiconductor laag, met tenminste het erboven gelegen boventunnelblok-gedeelte 35 zich uitstrekkend tot aan een volgend stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling .

39. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij boven het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok de opname van tenminste één meng-inrichting ten behoeve van 5 het daarin ononderbroken plaatsvinden van een optimale menging van de daarin typisch gescheiden ononderbroken toegevoerde combinatie van tenminste deze deeltjes van een semiconductor substantie en het vloeibare draagmedium.

40. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 39, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze meng-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van menging van de daarin gescheiden toegevoerde combinatie van deeltjes semiconductor substantie en een vloeibare substantie en dit vloeibare 15 draagmedium.

41. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze meng-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van menging van de daarin 20 gescheiden toevoer van de combinatie van vaste deeltjes van een semiconductor substantie en een vloeibare hecht-substantie en dit vloeibare draagmedium.

42. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 25 zodanige middelen bevat, dat daarbij met behulp van zulk een transducer in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte nabij het begin-gedeelte ervan door de trillingen ervan het tevens ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van zulk een daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van vloeibaar 30 draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie.

43. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden 35 van het navolgende: a) het opheffen van een in de bovenspleet-sectie vóór deze transducer in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsings-snelheid van deze daarin toegevoerde combinatie; en b) het opheffen van een in deze voorgaande bovenspleet-sectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van dit vloeibare draagmedium en tenminste deeltjes van een 5 semiconductor substantie.

44. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij vanuit zulk een meng-inrichting boven het boventunnelblok via een stripvormig 10 medium-toevoergedeelte van dit blok het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie onder een overdruk ervan en waardoor tenminste het bovenspleet-gedeelte naar de voorgaande, in dit blok 15 opgenomen boven-mediumafvoergroef eveneens tenminste gedeeltelijk gevuld raakt met deze combinatie.

45. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 44, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij tevens een gedeelte van deze combinatie terecht komt in deze 20 medium-afvoergroef als buffer ervoor.

46. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij door regeling van deze toevoer van deze combinatie tenminste nagenoeg geen ontoelaatbare uitstuwing van een gedeelte ervan 25 via deze medium-afvoergroef plaats vindt.

47. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door de zeer sterke afremkracht van zulk een transducer-opstelling op de 30 ononderbroken door het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte verplaatsende combinatie van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie in combinatie met een voldoende afmeting ervan in de lengterichting van de tunneldoorgang geen zodanig erdoorheen 35 verplaatsen ervan plaats vindt, dat daardoor via de daaropvolgende stripvormige afvoergroef in het boventunnelblok geen gedeelte van dit vloeibare draagmedium in nog vloeibare conditie ervan wordt afgevoerd.

48. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk in een aantal daarop volgende boven-behandelingsspleetsecties ervan 5 het ononderbroken plaatsvinden van tenminste één herhaling van de opbouw van zulk een semiconductor laag onder toepassing van dezelfde combinatie van mediums op zulk een reeds opgebouwde semiconductor laag met typisch het daar bij eveneens plaatsvinden van zulk een verankerings-proces van 10 deeltjes van de semiconductor substantie op deze reeds opgebrachte laag.

49. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk 15 in een aantal daarop volgende bovenspleet-secties ervan het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw op zulk een semiconductor laag van een volgende semiconductor laag onder toepassing van de combinatie van zulk een vloeibaar draagmedium met echter deeltjes van een andere semiconductor 20 substantie.

50. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het stripvormige gedeelte van het boventunnelblok ter plaatse van de daarin 25 opgenomen transducer-opstelling in het bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok tenminste mede daaronder de opname in de lengterichting van de tunneldoorgang van een aantal combinaties van een zich in dwarsrichting ervan uitstrekkende stripvormige toevoergroef met aansluiting erop van typisch 30 een aantal toevoerkanalen in dit blok voor typisch gasvormig of dunvloeibaar transfermedium en een daarop volgende afvoergroef met eveneens typisch een aantal afvoerkanalen voor dit transfermedium en een groot aantal naast elkaar gelegen medium-doorlaatgroeven ertussen.

51. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat deze bevattende verder zodanige middelen, dat daarbij via deze toevoer groeven het ononderbroken stuwen van dit transfermedium onderlangs de opvolgende, ononderbroken door deze tunneldoorgang verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder een voldoend hoge stuwkracht ervan daarop in de verplaatsingsrichtlng ervan met mede een voldoende grootte ervan ten opziche van de aanzienlijke 5 afremkracht van het door zulk een tranducer-opstelling onderhouden van het trillende semiconductor behandelings-medium, bevattende de combinatie van al dan niet verdampt vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor substantie in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte.

52. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de toepassing van een metalen folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag voor de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 15 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

53. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de toepassing van een kunststoffolie als semiconductor onderlaag voor deze 20 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

54. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een kunststof folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag 25 voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

55. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze folie daartoe versterkt is met typisch een tussenlaag metaal.

56. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking van deze transducer het tevens fungeren ervan als een stripvormige laag-frequent pulserende drukwand.

57. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij tijdens de werking ervan tenminste tijdelijk het onderhouden van de tril-conditie in>de onderste pulseer-positie ervan.

58. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de onderste tril-positie van deze transducer in het eronder bewerkstelligde 5 pm hoge bovenspleet-gedeelte het plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes van de semiconductor substantie op de bovenlaag van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

59. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 58, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in de bovenste pulseer-positie van deze trillende transducer ter plaatse van het achterste gedeelte ervan in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte een bewerkstelligde (sub) pm hoge laag van deze deeltjes en met erboven een relatief hoge 15 laag van nagenoeg uitsluitend het vloeibare draagmedium, omgezet in dampvormig medium.

60. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij ter plaatse van de 20 membraamsectie van deze transducer-opstelling ter plaatse van het eindgedeelte ervan een maximale hoogte van het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte ten behoeve van een optimale afvoer van de gevormde damp van het vloeibare draagmedium en het bewerkstelligd zijn van een typisch (sub) 25 aim hoge laag van deze deeltjes semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan.

61. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 60, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het bewerkstelligd zijn van een 30 laag van deze deeltjes in vaste vorm ervan als een typisch pm hoge hechtlaag ten behoeve van in een volgend gedeelte een daarop op te brengen aanzienlijk dikkere laag van deeltjes van dezelfde semiconductor substantie.

62. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 60, met het 35 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het bewekstelligd zijn van een laag deeltjes in vloeibare vorm ervan en fungerend als typisch nanometer hoge hechtlaag ten behoeve van in een \ ) volgend gedeelte ervan daarop op te brengen jim hoge laag van vaste deeltjes van een andere vaste semiconductor substantie.

63. Tunnel-.opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 5 bevattende zodanige middelen, dat daarbij de eerste op zulk een ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken semiconductor folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte semiconductor laag deeltjes van een semiconductor 10 substantie in vaste vorm ervan bevat.

64. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de eerste op zulk een ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken • 15 semiconductor folie als een definitieve semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte semiconductor laag deeltjes van een semiconductor hechtsubstantie in vloeibare vorm ervan bevat.

65. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, 20 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij ter plaatse van de uitgang ervan het bewerkstelligd zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in een erachter opgenomen inrichting door deling ervan het verkrijgen van 25 semiconductor chips.

66. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor uitvoeringen 30 en middelen van de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager gelijk met deze Octrooiaanvrage ingediende aanvullende Nederlandse Octrooiaanvragen .

67. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 66, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de semiconductor uitvoeringen en middelen ervan tevens mogelijk toepasbaar zijn in de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooiaanvragen ,

68. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van semiconductor uitvoeringen, - middelen en - substanties, welke reeds algemeen worden toegepast in de 10 bestaande semiconductor installaties, waarin in opvolgende semiconductor modules ervan het plaatsvinden van de vervaardiging van typisch nagenoeg cilindrische semiconductor substraten, waaruit door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

69. Werkwijze van een semiconductor substraat transfer/ behandelingstunnel-opstelling, met het kenmerk, dat zoals daar bij daarin ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van tenminste één stripvormige medium-toevoerinrichting, tijdens de werking 20 ervan het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer naar een stripvormig toevoer-gedeelte van het boventunnelblok, welke zich tenminste hoofdzakelijk uitstrekt in dwarsrichting ervan, van de combinatie van typisch laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in 25 vaste en/of vloeibare vorm ervan onder tenminste mede een capillaire aanzuigconditie van de pm hoge stripvormige bovenspleet-sectie boven de opvolgende, zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

70. Werkwijze volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van zulk een ononderbroken verplaatsing door deze tunnel-opstelling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes onder de toepassing van tenminste mede een ononderbroken folie als tenminste 35 tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

71. Werkwijze volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, dat daarbij het fungeren van een metalen folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

72. Werkwijze volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, dat daarbij het fungeren van een kunststoffen folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

73. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusie, met het 5 kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling de toepassing van een metalen draag/transfer band met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang ervan, daarmede tijdens de werking ervan het ononderbroken verplaatsen geschiedt van tenminste mede de daarop opgebrachte opvolgende folie- 10 gedeeltes.

74. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van mediums onder de combinatie van een tenminste nagenoeg gelijke hoogte van de druk ervan als die van 15 het medium in dit bovenspleet-gedeelte van de tunneldoorgang en het verplaatsen van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes eronder langs.

75. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een voorgaande stripvormige sectie ter 20 plaatse van tenminste dit centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan onder dit boventunnelblok het ononderbroken bewerkstelligen van een jim hoogte van het bovenspleet-gedeelte.

76. Werkwijze volgens de Conclusie 75, met het kenmerk, dat daarbij in deze stripvormige sectie in het onderspleet-gedeelte 25 eronder het ononderbroken onderhouden van een zodanige aanzienlijke afzuiging van medium onder een zodanig hoge onderdruk van het daarin aanwezige medium, dat daarin het bewerkstelligen van een tenhoogste (sub) ,um hoogte van het daaropvolgende onderspleet-gedeelte.

77. Werkwijze volgens de Conclusie 76, met het kenmerk, dat daarbij in dit onderspleet-gedeelte het zodanig mede plaatsvinden van het ononderbroken afzuigen van damp- en/of gasvormig medium daaruit onder een aanzienlijke onderdruk ervan, dat in het daaropvolgende onderspleet-gedeelte het 35 bewerkstelligd zijn van een mechanisch contact van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met het zich eronder bevindende gedeelte van het ondertunnelblok.

78. Werkwijze volgens de Conclusie 76, met het kenmerk, dat daarbij in dit onderspleet-gedeelte het zodanig plaatsvinden van het ononderbroken afzuigen van tenminste mede vloeibaar medium daaruit, dat in het daaropvolgende onderspleet-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een (sub) pm hoogte ervan.

79. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarby het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie onder een tenminste nagenoeg dezelfde druk ervan als die van 10 het medium in de zich eronder bevindende stripvormige pm hoge bovenspleet-sectie, typisch een onderdruk ervan.

80. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van laagkokend vloeibaar 15 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie onder een overdruk ervan ten opzichte van de druk van het medium in de zich eronder bevindende stripvormige bovenspleet-sectie boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

81. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een daaropvolgend gedeelte van dit boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, het tenminste mede 25 fungeren ervan als warmtebron voor het daarmede verdampen van dit laagkokende vloeibare draagmedium onder een trillende neerslag van tenminste mede deze deeltjes semiconductor substantie op deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met daarbij 30 een ononderbroken afvoer van het verdampte medium in een achter deze transducer-opstelling opgenomen stripvormige afvoersectie in dit blok.

82. Werkwijze volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat daarbij het continue onderhouden van een tril-condite van een 35 daarin opgenomen MHF transducer.

83. Werkwijze volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat daarbij het continue onderhouden van een trilconditie van een daarin opgenomen UHF transducer.

84. Werkwijze volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat daarbij deze transducer-ops tel ling is afgesloten van de buitenlucht door de opname ervan in een stripvormig transducercompartiment-gedeelte van het boventunnelblok en 5 waarbij de onder-electrodeplaat ervan deel uitmaakt van de onderwand van dit blok, met rondom het transducer-gedeelte ervan een membraam-gedeelte van deze transducer-opstelling.

85. Werkwijze volgens de Conclusie 84, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk tijdens de werking van de 10 tunnel-opstelling het tevens fungeren van dit compartiment als drukkamer ten behoeve van het tevens plaatsvinden van een laag-frquent pulseren van deze daarin opgenomen transducer.

86. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 15 het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de tunnel- opstelling met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van het opheffen van een in de ervóór gelegen bovenspleet-sectie naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsingssnelheid van deze 20 daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

87. Werkwijze volgens de Conclusie 86, met het kenmerk, dat daarbij mede met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van het opheffen van het in deze naast elkaar 25 gelegen gedeeltes van deze zich ervóór bevindende bovenspleet-sectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van deze daarin aanwezige combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

88. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie via een groot aantal, in het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen 35 tovoerkanalen voor deze combinatie.

89. Werkwijze volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat daarbij zulk een toevoer van deze combinatie geschiedt via in tenminste het ondergedeelte van dit blok onder deze kanalen opgenomen groot aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen mini cilindrische medium-toevoerblokken, elk bevattende in het bovengedeelte ervan een cilidrische medium-doorlaatkanaal met aansluiting van elk ervan op een daarmede corresponderend 5 medium-toevoerkanaal.

90. Werkwijze volgens de Conclusie 89, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie naar het eronder gelegen semiconductor bovenspleet- 10 gedeelte via een ultra-nauw medium-toevoerkanaal met een typisch nanometer grote diameter ervan als benedenwaarts verlengde van zulk een medium-doorlaatkanaal.

91. Werkwijze volgens de Conclusie 90, met het kenmerk, dat daar bij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze 15 combinatie via een op het boventunnelblok drukdicht bevestigde stripvormige mediuro-toevoerplaat, met in het centrale tussengedeelte een smalle medium-toevoergroef, welke via tenminste één daarin opgenomen medium-toevoerkanaal is aangesloten op tenminste één toevoer-inrichting,

92. Werkwijze volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat daar bij de toevoer van deze combinatie naar het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte mede plaatsvindt via een in de onderwand van deze mini medium-toevoerblokken opgenomen typisch nanometer brede medium-doorlaatgroef, welke zich 25 uitstrekt in dwarsrichting van de tunneldoorgang.

93. Werkwijze volgens de Conclusie 92, met het kenmerk, dat daar bij zulk een medium-toevoer plaatsvindt via in-lijn naast elkaar gelegen groeven ervan.

94. Werkwijze volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat 30 daarbij zulk een medium-toevoer mede plaatsvindt via in de de onderwand van het boventunnelblok opgenomen in-lijn gelegen ultra smalle medium-doorlaatgroeven tussen deze naast elkaar gelegen mini medium-toevoerblokken, welke de daarin opgenomen medium-toevoergroeven met elkaar 35 doorverbinden.

95. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de tunnel-opstelling met behulp van deze transducer-opstelling als drukwand van van het transducer-compartiment onder zulk een combinatie van in-lijn naast elkaar gelegen mini medium-toevoerblokken het bewerkstelligd zijn en vervolgens tenminste tijdelijk onderhouden van een minder dan 10 um, typisch slechts 2-5 pm 5 hoogte van het zich eronder bevindende bovenspleet-gedee,lte boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

96. Werkwijze volgens de Conclusie 95, met het kenmerk, dat daarbij door het tenminste plaatselijk tevens onderhouden van 10 een LF pulseer-conditie van zulk een transducer het daaropvolgend bewerkstelligen en tenminste tijdelijk onderhouden van een aanzienlijk grotere hoogte van dit bovenspleet-gedeelte.

97. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij mede door zulk een pm hoog bovenspleet- 15 gedeelte de verplaatsingssnelheid van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes beperkt is tot tenhoogste 2 mm/seconde.

98. Werkwijze volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe het beperkt zijn van het centrale 20 semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang tot typisch slechts 200 mm.

99. Werkwijze volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de tunnel-opstelling de ononderbroken toevoer van deze combinatie van vloeibaar 25 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie minder dan 5 ram^/geconde en typisch slechts circa 2 mm3/seconde bedraagt.

100. Werkwijze volgens de Conclusie 99, met het kenmerk, dat daarbij ten behoeve van het bewerkstelligen van een nanometer 30 hoge laag vloeibare hechtsubstantie op de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes de toepassing van een hoog percentage van dit vloeibare draagmedium, typisch circa 80 %, in deze combinatie ervan met deze deeltjes semiconductor substantie in daarbij 35 eveneens vloeibare vorm ervan.

101. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes van deze semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

102. Werkwijze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat 5 daar bij met behulp van deze transducer het tevens ononderbroken plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op het centrale gedeelte van deze eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

103. Werkwijze volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, dat 10 voor deze semiconductor substantie de toepassing van deeltjes van een hoogkokende vloeibare hechtsubstantie en waarbij na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium met behulp van deze transducer, met afvoer van de gevormde damp via de daarop volgende stripvormige medium-afvoer sectie 15 in het boventunnelblok, in het daarop volgende semiconductor behandelings-gedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van verankering van de opgebrachte, typisch nanometer hoge laag van deze hechtsubstantie in typisch nog vloeibare toestand ervan op de semiconductor bovenlaag van de opvolgende, zich 20 eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

104. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij verder in dit tunnel-gedeelte tenminste plaatselijk de toepassing van vloeibaar draagmedium en de combinatie van een vloeibare hechtsubstantie en typisch 25 nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan ten behoeve met behulp van zulk een stripvormige transducer-opstelling in het boventunnelblok het tevens ononderbroken plaatsvinden van een verankerings-proces van deze combinatie in het bovenlaag-gedeelte van de 30 opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

105. Werkwijze volgens de Conclusie 104, met het kenmerk, dat daarbij onder het begin-gedeelte van deze transducer door het trillen ervan het ononderbroken plaatsvinden van indringing 35 van de combinatie van deeltjes semiconductor substantie en daaraan-grenzende deeltjes van deze hoogkokende vloeibare hechtsubstantie in het nanometer hoge gedeelte van de semiconductor bovenlaag van deze semiconductor substraat- gedeeltes .

106. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat verder daarbij daarin tenminste plaatselijk onder het begin-gedeelte van deze transducer-opstelling het 5 ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van de combinatie van vloeibaar draagmedium en vaste deeltjes van een semiconductor substantie in een jim hoge bovenlaag van een in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte laag deeltjes van typisch een andere semiconductor substantie , met daarbij in 10 een daarop volgend gedeelte ervan nog geen plaatsvinden van een oven-behandeling en een daarop volgend afkoel-proces ervan.

107. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals voor deze semiconductor substantie de 15 toepassing van deeltjes in vaste vorm ervan, na het plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium met behulp van deze transducer, met afvoer van de gevormde damp via de daarop volgende stripvormige medium- afvoersectie in het boventunnelblok en in daarop volgende stripvormige 20 secties het ononderbroken plaatsvinden van een ovenbehandeling en een volgend afkoel-proces ervan onder het verkrijgen van een pm hoge laag van deze substantie in vaste vorm ervan, het daarbij tevens bewerkstelligd zijn van verankering van deze laag op de zich eronder bevindende 25 semiconductor bovenlaag van de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

108. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een opgebouwde semiconductor bovenlaag het toegepast zijn van een hechtlaag in een 30 vloeibare conditie ervan.

109. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een semiconductor bovenlaag de toepassing van een hechtlaag in vaste vorm ervan.

110. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 35 kenmerk, dat daarbij ter plaatse van het achter-gedeelte van zulk een transducer-opstelling het mede daarmede bewerkstelligd zijn van een mechanisch contactloze conditie van zulk een daarmede verkregen semiconductor laag, met tenminste het erboven gelegen boventunnelblok-gedeelte zich uitstrekkend tot aan een volgend stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling.

111. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 5 kenmerk, dat daarbij boven het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok de opname van tenminste één meng-inrichting, met het daarin ononderbroken plaatsvinden van een optimale menging van tenminste de daarin ononderbroken toegevoerde deeltjes van een semiconductor 10 substantie en het vloeibare draagmedium.

112. Werkwijze volgens de Conclusie 111, met het kenmerk, dat daarbij in deze meng-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van menging van een daarin toegevoerde combinatie van deeltjes van een semiconductor substantie en een vloeibare substantie 15 en dit laagkokende vloeibare draagmedium.

113. Werkwijze volgens de Conclusie 111, met het kenmerk, dat daarbij in deze meng-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van menging van de daarin gescheiden toegevoerde combinatie van vaste deeltjes van een semiconductor substantie en een 20 vloeibare hechtsubstantie en dit vloeibare draagmedium.

114. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van zulk een transducer in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte nabij het begin-gedeelte ervan door de daarmede opgewekte trillingen ervan het tevens 25 ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van zulk een daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie.

115. Werkwijze volgens de Conclusie 114, met het kenmerk, dat 30 daarbij daartoe met behulp van deze transducer het ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: a) het opheffen van een in de bovenspleet-sectie vóór deze transducer in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bewerkstelligd verschil in verplaatsings-snelheid van 35 deze daarin toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie; en b) het opheffen van een in deze voorgaande bovenspleet-sectie bewerkstelligd verschil tussen het percentage van dit vloeibare draagmedium en tenminste deze deeltjes van een semiconductor substantie.

116. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij vanuit zulk een meng-inrichting boven het 5 boventunnelblok via een stripvormig medium-toevoergedeelte van dit blok het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinate van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie onder een overdruk ervan en waardoor tenminste het bovenspleet-gedeelte naar de 10 voorgaande, in dit blok opgenomen stripvormige medium- af voer groef eveneens tenminste gedeeltelijk gevuld raakt met deze combinatie als buffer ervoor.

117. Werkwijze volgens de Conlusie 116, met het kenmerk, dat daarbij door regeling van deze toevoer van deze combinatie van 15 mediums tenminste nagenoeg geen ontoelaatbare uitstuwing van een gedeelte ervan via deze medium-afvoergroef plaatsvindt.

118. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij door de sterke afremkracht van zulk een transducer-opstelling op de ononderbroken door het eronder 20 gelegen bovenspleet-gedeelte verplaatsende combinatie van vloeibaar draagmedium en tenminste deeltjes van een semiconductor substantie in combinatie met een voldoende afmeting ervan in de lengterichting van de tunneldoorgang geen zodanig erdoorheen verplaatsen ervan plaatsvindt, dat 25 daardoor via de daarop volgende stripvormige afvoergroef in het boventunnelblok geen gedeelte van tenminste dit vloeibare draagmedium in nog vloeibare conditie ervan wordt afgevoerd.

119. Werkwijze volgens één der vóórgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk in een aantal 30 opvolgende boven-behandelingsgedeeltes van deze tunnel- opstelling het ononderbroken plaatsvinden van tenminste één herhaling van de opbouw van zulk een semiconductor laag onder toepassing van dezelfde combinatie van mediums op zulk een reeds opgebouwde semiconductor laag met typisch het daarbij 35 eveneens plaatsviden van zulk een verankerings-proces van deeltjes van de semiconductor substantie op deze reeds opgebrachte laag.

120. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk in een aantal opvolgende bovenspleet-secties het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw op zulk een reeds opgebouwde semiconductor laag van een volgende semiconductor laag onder toepassing van 5 de combinatie van zulk een vloeibaar draagmedium met echter deeltjes van een andere semiconductor substantie.

121. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tenminste plaatselijk in een stripvormig gedeelte van het boventunnelblok de opname van 10 een transducer-opstelling en in het bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok tenminste mede daaronder de opname in de lengterichting van de tunneldoorgang van een aantal combinaties van een zich in dwarsrichting ervan uitstrekkende stripvormige toevoergroef met aansluiting erop van typisch 15 een aantal toevoerkanalen in dit blok voor typisch gasvormig of dunvloeibaar transfermedium en een daarop volgende afvoergroef met eveneens typisch een aantal afvoerkanalen voor dit transfermedium en een groot aantal naast elkaar gelegen medium-doorlaatgroeven ertussen, tijdens de werking 20 van deze tunnel-opstelling het ononderbroken verplaatsen van dit transfermedium erdoorheen plaatsvindt,

122. Werkwijze volgens de Conclusie 121, met het kenmerk, dat daarbij via deze toevoer gr oeven het ononderbroken stuwen van dit transfermedium onderlangs de opvolgende, ononderbroken 25 door deze tunneldoorgang verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder een voldoend hoge stuwkracht ervan daarop in de verplaatsingsrichting ervan plaatsvindt, met mede een voldoende grootte ervan ten opzichte van de aanzienlijke af r emkracht van het door zulk een transducer-30 opstelling onderhouden van het trillende semiconductor behandelingsmedium, bevattende de combinatie van al dan niet verdampt vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte.

123. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling de toepassing van een metalen folie als tenminste tijdelijke onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, het daarmede onderhouden van een ononderbroken verplaatsing ervan door de tunneldoorgang.

124. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, het het kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling de 5 toepassing van een kunststoffen folie als .definitieve onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, het daarmede bijdragen in het onderhouden van een ononderbroken verplaatsing ervan door de tunneldoorgang.

125. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 10 kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling de toepassing van een kunststoffen folie als tenminste tijdelijke onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij deze versterkt is met typisch een tussenlaaf metaal, het daarmede tenminste ondersteunen van de ononderbroken 15 verplaatsing van deze substraat-gedeeltes door de tunneldoorgang.

126. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van deze transducer het tevens fungeren ervan als een stripvormige drukwand, met het 20 tenminste tijdelijk tevens onderhouden van een laag-frequent pulseer-conditie ervan.

127. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de onderste pulseer-positie van deze transducer in het eronder bewerkstelligde yum hoge bovenspleet-gedeelte het plaatsvinden van een indring-proces van deeltjes 30 van de semiconductor substantie in de bovenlaag van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

127. Werkwijze volgens de Conclusie 126, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van deze transducer tenminste tijdelijk het onderhouden van de tril-condite in de onderste pulseer- 25 positie ervan.

128. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat daarbij in de bovenste pulseer-positie van deze trillende 35 transducer ter plaatse van het achterste gedeelte ervan in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een (sub) ;um hoge laag van deze deeltjes en met erboven een relatief hoge laag van nagenoeg uitsluitend het vloeibare draagmedium, omgezet in dampvormig medium.

129. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij ter plaatse van het membraam-gedeelte van deze transducer-opstelling ter plaatse van het 5 eindgedeelte ervan een maximale hoogte van het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte, tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een optimale afvoer van de gevormde damp van het vloeibare draagmedium.

130. Werkwijze volgens de Conclusie 129, met het kenmerk, dat 10 daarbij het bewerkstelligd zijn van een typisch (sub) pm hoge laag van deze deeltjes semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan.

131. Werkwijze volgens de Conclusie 130, met het kenmerk, dat daar bij het bewerkstelligd zijn van een laag van deze deeltjes 15 in vaste vorm ervan als een typisch pm hoge eerste laag ten behoeve van in een volgend gedeelte een daarop op te brengen aanzienlijk dikkere laag van deeltjes van dezelfde semiconductor substantie.

132. Werkwijze volgens de Conclusie 130, met het kenmerk, dat 20 daarbij het bewerkstelligd zijn van een laag deeltjes in vloeibare vorm ervan en fungerend als een typisch nanometer hoge hechtlaag ten behoeve van in een volgend gedeelte ervan daarop op te brengen pm hoge laag van vaste deeltjes van een andere vaste semiconductor substantie.

133. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij op zulk een ononderbroken door deze tunnel-opstelling verplaatsende ononderbroken semiconductor folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken 30 plaatsvinden van het in een stripvormige medium-toevöersectie van het boventunnelblok daarop opbrengen van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan.

134. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 35 kenmerk, dat daarbij op zulk een ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken folie als een definitieve semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van opbrenging van deeltjes van een semiconductor hechtsubstantie in vloeibare vorm ervan.

135. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling ter plaatse van 5 de uitgang ervan het bewerkstelligd zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in een erachter opgenomen inrichting door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips.

136. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 10 kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de tunnel-opstelling het verplaatsen van de typisch ononderbroken kunststoffen folie erdoorheen geschiedt met behulp van een metalen semiconductor substraat-draag/transferband met een rol-opstelling ervoor nabij e in- en uitgang ervan. 15

137, Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij aanvullend voor deze tunnel-opstelling de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen van de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de door 20 de aanvrager gelijk met deze Octrooi-aanvrage ingediende aanvullende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

138. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze tevens mogelijk toepasbaar is in deze semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en 25. inrichtingen.

139. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor deze tunnel-opstelling de mogelijke toepassing van semiconductor werkwijzen, welke reeds algemeen worden toegepast in de bestaande semiconductor installaties, 30 waarin in opvolgende semiconductor modules ervan het plaatsvinden van de vervaardiging van typisch nagenoeg cilindrische semiconductor substraten, waaruit door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips. 1077062