NL1037062C2

NL1037062C2 - SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNEL TREATMENT SET-UP, IN WHICH THE FUNCTIONING OF IT IS UNINTERRUPTED, SEQUENCE OF THE FOLLOWING SEMICONDUCTOR TREATMENTS OF FOLLOWING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE DISTRIBUTED ON THE SAME TIME.

Info

Publication number: NL1037062C2
Application number: NL1037062A
Authority: NL
Inventors: Edward Bok
Original assignee: Edward Bok
Priority date: 2009-06-23
Filing date: 2009-06-23
Publication date: 2010-12-27

Description

Semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling, waarin tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens het 5 ononderbroken erdoorheen verplaatsen ervan.Semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement, in which during its operation the uninterrupted occurrence of successive semiconductor treatments of successive semiconductor substrate portions during its uninterrupted movement therethrough.

In deze Octrooi-aanvrage is een semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling aangegeven en omschreven, met tijdens de werking ervan het daarin 10 plaatsvinden van een ononderbroken lineaire verplaatsing erdoorheen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en plaatselijk in het boventunnelblok de opname van tenminste één stripvormige transducer-opstelling, welke zich bevindt in een van de buitenlucht afgesloten transducer-compartiment.In this patent application a semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement is indicated and described, with an uninterrupted linear displacement of successive semiconductor substrate portions taking place therein during the operation thereof and the incorporation of at least one strip-shaped block locally in the upper tunnel block transducer arrangement, which is located in a transducer compartment sealed from the outside air.

15 Daarbij in dit blok vóór typisch de eerste transducer- opstelling de opname van een stripvormige toevoersectie voor de combinatie van typisch zeer laag-kokend vloeibaar draagmedium en typisch nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan. 20 Verder in de bovenspleet-sectie onder deze transducer- opstelling met behulp van de mede erdoor ontwikkelde warmte het ononderbroken plaatsvinden van een geleidelijke verdamping van dit vloeibare draagmedium onder tenslotte tenminste nabij het achtergedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van verdamping 25 van tenminste nagenoeg al het opvolgend toegevoerde draagmedium onder een tenminste nagenoeg totale neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met een reeds hoge mate van vlakheid van de neergeslagen um 30 hoge laag ervan en zulks mede met behulp van het daarbij onderhouden van een trilconditie van de bewerkstelligde damp boven deze deeltjes en waarbij in een volgende stripvormige afvoersectie van dit blok het plaatsvinden van afvoer van de damp.In addition, in this block before typically the first transducer arrangement, the inclusion of a strip-shaped supply section for the combination of typically very low-boiling liquid carrier medium and typically nanometer-sized particles of a semiconductor substance in its solid and / or liquid form. Further, in the upper crevice section below this transducer arrangement, with the help of the co-developed heat, the uninterrupted occurrence of a gradual evaporation of this liquid carrier medium, and finally at least near the rear thereof, the evaporation of at least substantially all of the subsequent supplied carrier medium with an at least substantially total precipitation of these particles of semiconductor substance on these successive semiconductor substrate portions moving therebetween with an already high degree of flatness of the deposited um high layer thereof, and this also with the aid of maintaining a vibration condition of the vapor produced above these particles and wherein in a subsequent strip-shaped discharge section of this block the discharge of the vapor takes place.

1037062 21037062 2

Daarbij verder tenminste mede het navolgende: 1. Via een inrichting boven het boventunnelblok het ononderbroken plaatsvinden van een optimaal gelijkmatige toevoer van een bepaald volume van de combinatie van het 5 vloeibare draagmedium en de deeltjes van een semiconductor substantie per tijdseenheid, bijgaande Octrooi-aanvrage No.In addition, at least also the following: 1. Via a device above the upper tunnel block the continuous occurrence of an optimally uniform supply of a certain volume of the combination of the liquid carrier medium and the particles of a semiconductor substance per unit of time, attached Patent Application No. .

2. In een inrichting boven het boventunnelblok het vervolgens ononderbroken plaatsvinden van een optimale menging van deze combinatie, bijgaande Octrooi-aanvrage No.2. In an apparatus above the upper tunnel block, the subsequent continuous uninterrupted occurrence of an optimum mixing of this combination, appended Patent Application No. 1.

10 3. Een gelijkmatige toevoer van deze combinatie via een groot aantal naast en boven elkaar gelegen medium-toevoerkanalen, welke tenminste mede zijn opgenomen in dit blok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang, met bij een breedte van 200 mm 15 van dit centrale gedeelte de toepassing van typisch circa 32 mini medium-toevoerblokjes in het ondergedeelte ervan, bijgaande Octrooi-aanvrage No.3. A uniform supply of this combination via a large number of adjacent medium supply channels, which are at least also included in this block at the location of the central semiconductor treatment part of the tunnel passage, with a width of 200 mm 15 of this central portion the use of typically about 32 mini medium supply blocks in the lower portion thereof, appended Patent Application no.

4. De opname in de onderwand van deze toevoer blokjes van een (sub) pm wijde doorverbindingsgroef, welke met de ernaast 20 gelegen groeven in de onderwand van dit boventunnelblok in dwarsrichting van deze tunneldoorgang uitstrekken onder de vorming van één ononderbroken medium-toevoergroef.4. The accommodation in the bottom wall of these supply blocks of a (sub) pm wide interconnection groove, which extend with the adjacent grooves in the bottom wall of this upper tunnel block in the transverse direction of this tunnel passage, forming one continuous medium supply groove.

5. Bij de fabricage van het ondertunnelblok het bewerkstelligen van een ultra vlakheid in zowel de lengte- 25 als dwarsrichting van de bovenwand ervan ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorgang .5. In the manufacture of the sub-tunnel block, achieving an ultra-flatness in both the longitudinal and transverse direction of its upper wall at the location of at least the central semiconductor treatment portion of the tunnel passage.

6. Een optimaal vlakke conditie van de onder- en bovenwand in combinatie met een gelijkmatige dikte van de tijdens de 3 werking van deze tunnel-opstelling via de ingang ervan daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor band en/of folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, 5 7. Het typisch tenminste plaatselijk onderhouden van een aangedrukte positie van deze opvolgende band- en/of folie-gedeeles tijdens de verplaatsing ervan over de zich eronder bevindende opvolgende gedeeltes van het ondertunnelblok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 10 ervan.6. An optimally flat condition of the lower and upper wall in combination with a uniform thickness of the semiconductor tape and / or foil continuously supplied during the operation of this tunnel arrangement via its entrance therein as at least temporary semiconductor bottom layer of the subsequent , moving semiconductor substrate portions therethrough, 7. Typically maintaining a pressed position of these successive tape and / or film portions at least locally during their movement over the subsequent successive portions of the sub-tunnel block at the central location semiconductor treatment section 10 thereof.

8. Het continue onderhouden van een gelijkmatige, zeer lage snelheid van deze opvolgende, zich ononderbroken door de tunnel-opstelling verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, typisch slechts 2 mm/seconde.8. Continuously maintaining a uniform, very low speed of these successive semiconductor substrate portions moving continuously through the tunnel arrangement, typically only 2 mm / second.

15 9. Geen ontoelaatbare vervormingen van deze opvolgende substraat-gedeeltes tijdens het in een strip vormig gedeelte ervan ononderbroken plaatsvinden van een oven-behandeling van de daarop opgebrachte, slechts .um hoge laag van een semiconductor substantie met behulp van een in een stripvormige 20 sectie van het boventunnelblok opgenomen electrisch verwarmings-element in de onderwand ervan.9. No inadmissible deformations of these successive substrate portions during the continuous strip-forming portion of a furnace treatment of the superimposed layer of a semiconductor substance applied thereto by means of a strip-shaped section electric heating element included in the lower wall of the upper tunnel block.

10. Het continue onderhouden van een bepaalde verhouding tussen dit vloeibare draagmedium en: a) deze deeltjes semiconductor substantie in vaste vorm ervan; 25 of b) deze deeltjes semiconductor substantie in vloeibare vorm ervan; of c) de combinatie van deze deeltjes semiconductor substantie in typisch vaste vorm ervan en een hoogkokende vloeibare 30 meng-vloeistof.10. Continuously maintaining a certain ratio between this liquid carrier medium and: a) these particulate semiconductor substance in its solid form; Or b) these particulate semiconductor substance in its liquid form; or c) the combination of these semiconductor substance particles in their typical solid form and a high-boiling liquid mixing liquid.

11. Met behulp van deze stripvormige transducer-opstelling het tenminste mede continue daarmede bewerkstelligen en onderhouden van het navolgende: a) een gelijkmatige verdeling van deze combinatie van vloeibaar 35 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in dwarsrichting van de tunneldoorgang; en b) een gelijkmatige verplaatsing van deze combinatie in de verplaatsingsrichting van de opvolgende substraat-gedeeltes.11. With the aid of this strip-shaped transducer arrangement, at least partly continuously therewith effecting and maintaining the following: a) a uniform distribution of this combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in the transverse direction of the tunnel passage; and b) an even movement of this combination in the direction of movement of the subsequent substrate sections.

4 12. Een ultra vlakke onderwand van deze transducer ..in zowel de lengte-als dwarsrichting ervan door tenminste mede het navolgende : a) de geringe warmte-ontwikkeling ervan; en 5 b) de geringe afmeting ervan in de lengerichting van de tunneldoorgang; en c) een gelijkmatige krachtwerking daarop van het gasvormige medium in het transducer-compartiment.12. An ultra-flat bottom wall of this transducer in both its longitudinal and transverse directions due to at least the following: a) its low heat development; and b) its small size in the lenght direction of the tunnel passage; and c) a uniform force action thereon of the gaseous medium in the transducer compartment.

13. Door het continue onderhouden van de tril-conditie van 10 deze transducer geen moge lijk plakken van deeltjes van deze semiconductor substantie tegen de onderwand ervan.13. Due to the continuous maintenance of the vibration condition of this transducer, no possible sticking of particles of this semiconductor substance against the bottom wall thereof.

14. Met behulp van het transducer-compartiment tevens fungerend als drukkamer en tenminste plaatse lijk in deze tunnel-opstelling deze transducer daar bij tevens als een 15 laag-frequent pulserende onderwand ervan, het tenminste plaatselijk bewerkstelligen en vervolgens tijdelijk onderhouden van een mechanisch contactloze aandruk-positie van de trillende onderwand ervan op de daarmede bewerkstelligde pm hoge laag van typisch deeltjes van een vaste substantie.14. With the aid of the transducer compartment also serving as a pressure chamber and at least locally in this tunnel arrangement, this transducer also serves as a low-frequency pulsing bottom wall thereof, effecting at least locally and subsequently temporarily maintaining a mechanically contactless pressure position of its vibrating bottom wall on the thus-obtained high layer of typical particles of a solid substance.

20 15. Met behulp van deze transducer het tevens daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor indring-proces van deeltjes van deze semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan in de semiconductor bovenlaag van deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende 25 semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van een optimale verankering van de opgebrachte laag van deze deeltjes in deze semiconductor bovenlaag.15. With the help of this transducer the continuous occurrence of a semiconductor penetration process of particles of this semiconductor substance in solid and / or liquid form thereof in the semiconductor upper layer of these successive, semiconductor substrate portions moving along it of an optimum anchoring of the applied layer of these particles in this semiconductor top layer.

16. In deze tunnel-opstelling de ideale opbouw van slechts één semiconductor laag van semiconductor substanties voor de 30 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ter plaatse van de uitgang ervan ten behoeve van in een daarachter opgenomen inrichting door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips met één enkele semiconductor bovenlaag ervan.16. In this tunnel arrangement, the ideal construction of only one semiconductor layer of semiconductor substances for the subsequent 30 semiconductor substrate portions at the location of its exit for the purpose of incorporating a device incorporated behind it to divide the semiconductor chips into one single semiconductor top layer thereof.

35 17. Tenminste mede door dit continue onderhouden van een ultra vlakke conditie van de opvolgende opgebrachte semiconductor lagen vaste bestanddelen de ideale mogelijkheid van opbouw van een aantal boven elkaar gelegen semiconductor 5 lagen met electrische doorverbindingen ertussen ten behoeve van de bewerkstelliging van semiconductor chips met meerdere boven elkaar gelegen semiconductor schakelingslagen.17. At least partly due to this continuous maintenance of an ultra-flat condition of the successively applied semiconductor layers of solid components, the ideal possibility of building up a number of superimposed semiconductor layers with electrical interconnections between them for the purpose of realizing semiconductor chips with several superimposed semiconductor circuit layers.

Bij toepassing van een tweetal opvolgende stripvormige 5 transducer-opstellingen in het boventunnelblok vindt onder de eerste transducer-opstelling het continue daarmede opbouwen van een ,um hoge laag van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan of een nanometer hoge laag van een semiconductor substantie in vloeibare vorm ervan plaats, met daarbij reeds 10 een nagenoeg vlakke conditie van de bovenwand ervan, en vindt met behulp van de tweede transducer-opstelling een ononderbroken egalisatie-proces van deze opgebrachte laag plaats ten behoeve van het vervolgens bewerkstelligen van een optimale vlakheid van zulk een opgebrachte semiconductor laag. 15 Zulk een combinatie van een tweetal opvolgende transducer- opstellingen is daarbij uiterst eenvoudig, met tevens een zeer geringe totale omvang ervan, zoals een totale lengte van typisch slechts circa 70 mm en een tunnel-breedte van typisch minder dan 300 mm.When two consecutive strip-shaped transducer arrangements are used in the upper tunnel block, the first transducer arrangement finds the continuous build-up therewith of a um-high layer of a semiconductor substance in its solid form or a nanometer-high layer of a semiconductor substance in liquid form takes place, with a substantially flat condition of the upper wall thereof already taking place, and with the aid of the second transducer arrangement a continuous equalization process of this applied layer takes place for the purpose of subsequently achieving an optimum flatness of such a layer. applied semiconductor layer. Such a combination of two successive transducer arrangements is thereby extremely simple, with a very small overall size, such as a total length of typically only about 70 mm and a tunnel width of typically less than 300 mm.

20 Verder elke mogelijke constructieve opbouw van zulk een transducer-opstelling, zoals deze reeds algemeen wordt toegepast in de bestaande semiconductor installaties.Furthermore, any possible constructional structure of such a transducer arrangement, as it is already widely used in the existing semiconductor installations.

Tevens met behulp van zulk een transducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor indring-25 proces van deeltjes van een semiconductor substantie in de reeds opgebrachte semiconductor bovenlaag of de bovenlaag van een al dan niet metalen folie als een semiconductor onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.Also with the aid of such a transducer arrangement the continuous occurrence of a semiconductor penetration process of particles of a semiconductor substance in the already applied semiconductor top layer or the top layer of a metal or non-metallic film as a semiconductor bottom layer of the subsequent semiconductor substrate sections.

Door het via dit grote aantal , typisch 32 stuks, naast 30 elkaar gelegen mini medium-toevoerblokken mèt typisch daarin slechts één medium-doorlaatkanaal met een diameter ervan, welke typisch kleiner is dan 0,1 mm, het zeer beperkt zijn van de ononderbroken toevoer per tijdseenheid van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor 35 substantie, totaal typisch minder dan 1 mm3/seconde. ten behoeve van het daarmede opbouwen van een nanometer hoge semiconductor grondlaag onder verankering ervan op de opvolgende folie-gedeeltes als tenminste tijdelijke 6 semiconductor onderlaag evan, of het daarmede opbouwen van een (sub) jum hoge laag semiconductor substantie op deze grondlaag en waar bij een zeer beperkte en toelaatbare verwarming van de bovenlaag ervan.Due to the fact that through this large number of, typically 32, adjacent mini-medium supply blocks, only one medium-passage channel with a diameter thereof, which is typically smaller than 0.1 mm, with only a diameter of 0.1 mm, is very limited with regard to the continuous supply per unit time of this combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance, typically less than 1 mm 3 / second in total. for the purpose of constructing a nanometer-high semiconductor base layer with anchoring thereof on the subsequent film portions as at least temporary 6 semiconductor base layer, or thereby constructing a (sub) large layer of semiconductor substance on this base layer and where at a very limited and permissible heating of its top layer.

5 Zulk een verankering van de opgebrachte nanometer hoge laag van nanometer grote deeltjes in de semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met het vervolgens plaatsvinden van zulk een oven-behandeling van 10 deze laag onder omzetting in een vloeibare conditie ervan en het samensmelten van deze ingedrongen deeltjes met het zich erboven bevindende laag-gedeelte, resulteert in een aaneenhechten van deze opvolgende laag-gedeeltes met de eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. 15 De warmte-ontwikkeling van zulk een transducer bedraagt typisch circa 0,5 cal/cm3/sec.Such an anchoring of the applied nanometer high layer of nanometer large particles into the semiconductor upper layer of the subsequent semiconductor substrate portions continuously moving underneath it, with subsequent subsequent furnace treatment of this layer under conversion to a liquid condition. thereof and fusing these penetrated particles with the layer portion above them results in an adherence of these successive layer portions with the semiconductor substrate portions moving therebetween. The heat development of such a transducer is typically about 0.5 cal / cm 3 / sec.

Bij een transducer-oppervlak van bijvoorbeeld circa 30 cm3, aldus een warmte-ontwikkeling ervan van circa 15 cal/sec.With a transducer surface of, for example, approximately 30 cm 3, thus a heat development thereof of approximately 15 cal / sec.

Ten behoeve van verdamping van het toegevoerde vloeibare 20 draagmedium is typisch circa 75 cal/cm3 benodigd.For the purpose of evaporating the supplied liquid carrier medium, approximately 75 cal / cm 3 is typically required.

Zoals de toevoer ervan slechts typisch circa 1 mm-Vsec. bedraagt vindt aldus reeds nabij het begin-gedeelte van deze transducer door mede de relatief hoge temperatuur ervan een omzetting van het vloeibare medium in damp plaats.Such as its supply, typically only about 1 mm Vsec. Thus, due to the relatively high temperature thereof, a conversion of the liquid medium to vapor already takes place near the starting part of this transducer.

25 Zodoende de gebruikmaking van vloeibaar draagmedium met een daartoe aangepaste kook-temperatuur ervan ten behoeve van in het semiconductor hehandelings-gedeelte nog geen koken ervan.Thus, the use of liquid carrier medium with an appropriate boiling temperature thereof for the purpose of not boiling in the semiconductor handling section.

Mede door het bovenstaande aldus het navolgende: 30 a) een geringe benodigde breedte van deze transducer; b) een optimale koeling van het begin-gedeelte ervan, indien daarmede het plaatsvinden van zulk een semiconductor indring-proces; c) de mogelijke toepassing van een relatief hoog-kokend 35 vloeibaar medium; en d) door het trillen ervan vindt altijd een ononderbroken neerslag van de relatief zware deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan op de 7 opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes plaats.Partly due to the above thus the following: a) a small required width of this transducer; b) optimum cooling of the initial portion thereof, if such a semiconductor penetration process takes place; c) the possible use of a relatively high-boiling liquid medium; and d) due to its vibration, an uninterrupted precipitation of the relatively heavy particles of a semiconductor substance in its solid form always takes place on the 7 consecutive, continuously moving substrate sections underneath it.

Bij de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van de combinatie van semiconductor wafers en 5 semiconductor modules vindt na het in een module opbouwen van zulk een semiconductor laag van deeltjes in vaste vorm ervan tenminste mede het benodigde navolgende plaats: a) een daarop-volgende oven-behandeling ervan in een aparte semiconductor inrichting, met vervolgens het typisch 10 plaatsvinden van een strip-proces voor de bovenwand ervan ten behoeve van het verkrijgen van een benodigd optimale vlakheid van deze opgebrachte semiconductor laag onder een daar bij benodigde af voer van de verwijderde deeltjes semiconductor substantie; en 15 b) na een daaropvolgend reinigings-proces van deze bovenwand, met vervolgens typisch een benodigd spoel- en droog-proces in typisch eveneens aparte inrichtingen,een eveneens robotische afvoer van zulk een wafer naar een wafer-opslaginrichting.In the existing semiconductor installations using the combination of semiconductor wafers and semiconductor modules, after such a semiconductor layer of solid-state particles are built up in a module, at least the necessary following also takes place: a) a subsequent oven- treatment thereof in a separate semiconductor device, subsequently followed by a stripping process for its upper wall for the purpose of obtaining the required optimum flatness of this applied semiconductor layer under a discharge of the removed semiconductor particles as required substance; and b) after a subsequent cleaning process of this top wall, with subsequently typically a required rinsing and drying process in typically also separate devices, a likewise robotic removal of such a wafer to a wafer storage device.

20 Daarbij een benodigd vloer-oppervlak voor zulk een combinatie van semiconductor behandelingen, welke tenminste circa 150-voudig groter is dan die van deze daarmede corresponderende sectie van de semiconductor tunnel-opstellingen en een benodigde circa 15-voudig langere 25 tijdsduur, met personeel ten behoeve van het tenminste mede controleren van de correcte robotische toe-en afvoer van deze wafers naar en vanaf de semiconductor modules en - inrichtingen en inspectie van deze opvolgende semiconductor behandelingen.A required floor area for such a combination of semiconductor treatments, which is at least approximately 150-fold larger than that of this corresponding section of the semiconductor tunnel arrangements and a required approximately 15-fold longer duration, with personnel. for at least co-checking the correct robotic supply and removal of these wafers to and from the semiconductor modules and devices and inspection of these subsequent semiconductor treatments.

30 Door het lage trillings-niveau van de UHF ceramische transducer, typisch 132000 trillingen per seconde, verder de ideale mogelijkheid van het toepassen van zulk een stripvormige UHF transducer in een transducer-compartiment van het onder tunnelblok, met het tijdens de werking ervan 35 continue onderhouden van het meetrillen van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.Furthermore, due to the low vibration level of the UHF ceramic transducer, typically 132,000 vibrations per second, the ideal possibility of using such a strip-shaped UHF transducer in a transducer compartment of the bottom tunnel block, with continuous operation during its operation. maintaining the vibration of the successive, continuously moving semiconductor substrate sections alongside it.

Daarbij in een gunstige tunnel-uitvoering bevindt zulk een 8 UHF transducer tenminste plaatselijk onder tenminste een gedeelte van een daarin in het boventunnelblok ervan opgenomen stripvormige typisch MHF transducer-opstelling.In an advantageous tunnel design, such an 8 UHF transducer is located at least locally under at least a portion of a strip-shaped typical MHF transducer arrangement included therein in the upper tunnel block thereof.

Ook hierbij voor deze UHF transducer elke mogelijke omvang 5 in de lengte-, breedte- en hoogte-richting ervan en tevens elke mogelijke uitvoering.Also here for this UHF transducer every possible size in its length, width and height direction and also every possible version.

Met behulp van zulk een combinatie van een boven- en onder-transducer-opstelling het verder optimalizering van de semiconductor behandeling van deze opvolgende, zich 10 ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.With the help of such a combination of an upper and lower transducer arrangement, further optimization of the semiconductor treatment of these successive, continuously moving semiconductor substrate portions.

In nog een andere gunstige tunnel-uitvoering tenminste plaatselijk in het ondertunnelblok de opname van een nokkenas-opstelling, welke typisch eveneens is opgenomen in een van 15 de buitenlucht afgesloten compartiment, met tenminste plaatse lijk de positie ervan onder tenminste een gedeelte van zulk een in het boventunnelblok opgenomen stripvormige transducer-opstelling.In yet another favorable tunnel design, at least locally in the sub-tunnel block, the accommodation of a camshaft arrangement, which is also typically accommodated in a compartment sealed from the outside air, with its position at least locally under at least a portion of such a strip-shaped transducer arrangement included in the upper tunnel block.

Da ar bij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het 20 ononderbroken roteren ervan onder een hoog aantal, typisch circa 3000, omwentelingen per minuut.That is, during the operation of this tunnel arrangement, continuous rotation thereof under a high number, typically about 3000 revolutions per minute.

Op deze as ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van een aantal, typisch tenminste een 10-tal, pm hoge nokken, waarbij zulk een nok, 25 gezien in de verdraai-richting ervan, de mogelyke navolgende profileringen bevat: a) een zeer geringe lengte van het oplopende zywand-gedeelte met een daaropvolgend relatief aanzienlijke lengte van het aflopende gedeelte ervan; of 30 b) een relatief aanzienlijke lenge van het oplopende zijwand- gedeelte en een daaropvolgende zeer geringe lengte van het aflopende gedeelte ervan.On this axis at the location of the central semiconductor treatment part thereof the accommodation of a number of, typically at least about 10, pm high cams, such a cam, viewed in its direction of rotation, containing the possible following profiles: a) a very small length of the ascending zywand portion with a subsequent relatively substantial length of the descending portion thereof; or b) a relatively considerable length of the ascending sidewall portion and a subsequent very small length of the descending portion thereof.

Verder, dat daarbij dit compartiment ter plaatse van de bovenwand van dit ondertunnelblok een in de hoogte-richting 35 verplaatsbaar stripvormig relatief dik drukwand-gedeelte met rondom een dunwandig membraam-gedeelte bevat ten behoeve van het daarmede met behulp van deze eronder roterende nokkenas-opstelling opvolgend op en neer verplaatsen van de 9 opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.Furthermore, at the location of the upper wall of this sub-tunnel block, this compartment also comprises a strip-shaped relatively thick pressure wall portion displaceable in the height direction with a thin-walled membrane portion around it for the benefit of the camshaft arrangement rotating below it successively moving up and down the 9 consecutive, continuous moving semiconductor substrate sections.

Daarbij is dit compartiment tenminste gedeeltelyk zodanig gevuld met een dunvloeibaar smeermiddel, dat zich daarbij een 5 (sub) pm hoge laag ervan bevindt tussen deze roterende nokkenas en trilplaat.This compartment is herein at least partially filled with a thin-fluid lubricant such that a layer of 5 (sub) pm is located between this rotating camshaft and vibrating plate.

Aldus vindt tijdens zulk een nokkenas-rotatie het opvolgend op en neer verplaatsen van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende 10 semiconductor substraat-gedeeltes plaats.Thus, during such a camshaft rotation, the subsequent up and down movement of this pressure wall part and thereby of the subsequent semiconductor substrate parts moving along it takes place.

Daardoor het bewerkstelligen en vervolgens continue onderhouden van de combinatie van het hoog-frequent op en neer verplaatsen van het semiconductor behandelings-medium en het trillen ervan.Thereby effecting and subsequently continuously maintaining the combination of the high-frequency up and down movement of the semiconductor treatment medium and the vibration thereof.

15 Verder een optimalizering van zulk een semiconductor behandelings-proces met behulp van mede zulk een transducer-opstelling van de bovenwand van deze opvolgende, ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes, met daarbij in het bijzonder eveneens een mogelijk optimaal semiconductor 20 indring-proces van deeltjes van zulk een semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag ervan.Furthermore, an optimization of such a semiconductor treatment process with the aid of such a transducer arrangement of the upper wall of these successive, intermediate-moving substrate sections, with in particular also a possible optimum semiconductor penetration process of particles of such a semiconductor substance in its semiconductor upper layer.

Daarbij in dit nokkenas-compartiment het onderhouden van het tenminste gedeeltelijk gevuld zijn ervan met vloeibaar geleidings-medium.Thereby maintaining in this camshaft compartment that it is at least partially filled with liquid conducting medium.

25 Verder typisch eveneens tenminste plaatselijk in het onderspleet-gedeelte onder zulk een transducer onderhouden van een pm hoge film zeerdunvloeibaar geleidings-medium.Furthermore, typically also at least locally in the under-crease portion below such a transducer maintained a µm high film highly fluid conductive medium.

Bij toepassing van eveneens zulk een stripvormige transducer-opstelling of roterende nokkenas-opstelling in 30 het ondertunnelblok nagenoeg onmiddellijk achter deze stripvormige medium-toevoersectie van de combinatie ervan met de boventransducer-opstelling vindt daarbij in een gunstige werkwijze van deze tunnel-opstelling een ononderbroken toevoer van de combinatie van gasvormig 35 draagmedium, vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie plaats.When such a strip-shaped transducer arrangement or rotating camshaft arrangement is also used in the sub-tunnel block almost immediately behind this strip-shaped medium supply section of its combination with the upper transducer arrangement, an advantageous method of this tunnel arrangement finds an uninterrupted supply. of the combination of gaseous carrier medium, liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance.

Daarbij vindt door het bewerkstelligd trillen van de opvolgende substraat-gedeeltes met behulp van deze 10 onder-transducer of -nokkenas-opstelling reeds nagenoeg onmiddellijk na het toevoeren van deze combinatie een optimaal semiconductor indring-proces van deze deeltjes semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van 5 deze opvolgende substraat-gedeeltes plaats.Thereby, by effecting the subsequent substrate sections vibrating with the aid of this lower transducer or camshaft arrangement, an optimum semiconductor penetration process of these semiconductor particle particles already finds itself almost immediately after the addition of this combination in the semiconductor upper layer of 5 these successive substrate portions.

In deze tunnel-opstelling verder met behulp van tenminste mede zulk een stripvormige boventransducer-opstelling het mogelijk plaatsvinden van andere semiconductor behandelings-processen, ook, welke reeds algemeen worden toegepast in de 10 bestaande semiconductor installaties onder gebruikmaking van tenminste mede semiconductor wafers en zulks in een daartoe aangepaste behandelings-conditie ervan, zoals onder andere een reinigings-proces, ets-proces, strip-proces, spoel-proces, polijst-pr oces, ion-implantatie, bewerkstelligen van 15 nanometer grote groeven en - uitsparingen in de semiconductor bovenlaag en het vullen van deze groeven en uitsparingen met metaal-deeltjes.In this tunnel arrangement, further, with the help of at least such a strip-shaped upper transducer arrangement, other semiconductor treatment processes may also take place, also which are already generally applied in the existing semiconductor installations using at least co-semiconductor wafers and such in a treatment condition thereof adapted for this purpose, such as, among other things, a cleaning process, etching process, stripping process, rinsing process, polishing process, ion implantation, effecting grooves of 15 nanometers and recesses in the semiconductor top layer and filling these grooves and recesses with metal particles.

Zulk een transducer-opstelling bevat een aantal, tenminste naast elkaar gelegen individuele typisch cilindrische 20 transducers, en met elke mogelijke omvang, ook in hoogte, ervan .Such a transducer arrangement contains a number of individual, typically cylindrical transducers, at least adjacent to each other, and with any possible size, also in height, thereof.

Daarbij onder andere de navolgende opstellingen ervan: 1. Een aantal, uitsluitend in dwarsrichting van de tunnel- opstelling naast elkaar gelegen transducers en waarbij een 25 dunwandig stripvormig gedeelte van de onderwand van het transducer-compartiment tenminste mede fungeert als een onder-electrodeplaat van deze transducers, met erboven een gemeenschappelijke stripvormige boven-electrodeplaat, welke via een electrische verbinding is aangesloten op een boven 30 het boventunnelblok opgenomen electronische generator en waarin het ononderbroken plaatsvinden van opwekking van electrische UHF of MHF trillingen en waarbij met behulp van zulk een transducer deze electrische trillingen worden omgezet in mechanische trillingen met typisch 0,1 - 1,5 pm •35 amplitude ervanj 2. Een tweetal, in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling versprongen naast elkaar gelegen rijen transducers, met typisch een diameter ervan, welke kleiner is dan 25 mm, en 11 welke rijen zich eveneens uitstrekken over tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling en waarbij eveneens een dunwandig gedeelte van de onderwand van dit compartiment tenminste mede fungeert als 5 een gemeenschappelijke onder-electrodeplaat van deze transducers, met erboven een gemeenschappelijke stripvormige boven-electrodeplaat, welke eveneens via zulk een electrische verbinding is aangesloten op zulk een electronische generator, en 10 3. Een drietal rijen, versprongen naast elkaar gelegen transducers, welke eveneens zijn opgenomen in zulk een uitwisselbaar transducer-compartiment, met typisch een diameter an maximaal 20 mm van zulk een cilindrische transducer, en welke rijen zich eveneens uitstrekken in 15 dwarsrichting van deze tunnel-opstelling ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.Hereby, among others, the following arrangements thereof: 1. A number of transducers, situated next to each other exclusively in the transverse direction of the tunnel arrangement, and wherein a thin-walled strip-shaped part of the bottom wall of the transducer compartment at least co-acts as a lower electrode plate of these transducers, with above it a common strip-shaped upper electrode plate, which is connected via an electrical connection to an electronic generator included above the upper tunnel block and in which the uninterrupted generation of electrical UHF or MHF vibrations takes place and wherein with the aid of such a transducer vibrations are converted into mechanical vibrations with a typical 0.1 - 1.5 µm amplitude thereof. 2. Two rows of transducers staggered in the transverse direction of this tunnel arrangement, typically having a diameter thereof, which is smaller than 25. mm, and 11 which rows also extend over at least the central semiconductor treatment part of this tunnel arrangement and in which also a thin-walled part of the bottom wall of this compartment at least partly functions as a common lower electrode plate of these transducers, with above it a common strip-shaped upper electrode plate, which is also via such an electrical connection is connected to such an electronic generator, and 3. Three rows of staggered adjacent transducers, which are also included in such an interchangeable transducer compartment, typically having a diameter of up to 20 mm from such a cylindrical transducer, and which rows also extend transversely of this tunnel arrangement at the location of at least the central semiconductor treatment portion thereof.

In deze transducer-opstellingen tijdens de montage van zulke individuele transducers op zulk een onder- of boven-20 plaat het bewerkstelligen van tenminste een jim grote spleet ertussen ten behoeve van het vermijden van een ontoelaatbare vervorming van zulk een opstelling door de uitzetting van deze transducers ten gevolge van de warmte-ontwikkeling daarin.In these transducer arrangements during the mounting of such individual transducers on such a lower or upper plate, creating at least a jim large gap between them for the purpose of avoiding inadmissible distortion of such an arrangement due to the expansion of these transducers due to the heat development therein.

25 Verder in een gunstige alternatieve uitvoering van deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk de opstelling van een roterende nokkenas-opstelling in het boventunnelblok, welke zich in dwarsrichting uitstrekt over tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan en is opgenomen in 30 een afgesloten stripvormig nokkenas-compartiment.Furthermore, in a favorable alternative embodiment of this tunnel arrangement, at least locally, the arrangement of a rotating camshaft arrangement in the upper tunnel block, which extends transversely over at least its central semiconductor treatment portion and is included in a sealed strip-shaped camshaft. compartment.

Daarbij typisch aanvullend tenminste nabij de onderwand ervan de opname van een stripvormig electrisch verwarmingselement ten behoeve van het fungeren ervan als een stripvormige tril-opstelling voor de erondergelegen 35 stripvormige drukwand-sectie van het boventunnelblok in combinatie met een zodanige verwarming ervan, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van een tenminste nagenoeg gehele verdamping van zulk een laagkokend vloeibaar 12 draagraedium.In addition, typically at least near its lower wall, the inclusion of a strip-shaped electric heating element for its purpose as a strip-shaped vibrating arrangement for the underlying strip-shaped pressure wall section of the upper tunnel block in combination with such heating thereof, a substantially complete evaporation of such a low-boiling liquid 12 carrier medium takes place.

Zulke een combinatie van nokkenas-opstelling en electrische verwarming als alternatief van zulk een stripvormige transducer-opstelling in dit blok.Such a combination of camshaft arrangement and electric heating as an alternative to such a strip-shaped transducer arrangement in this block.

5 Verder in alternatieve mediumtoevoer-systemen het ononderbroken plaatsvinden van toevoer via zulk een stripvormige toevoer-inrichting van de navolgende combinaties: 1. laagkokend vloeibaar draagmedium, deeltjes gasvormig draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in 10 vaste en/of vloeibare vorm ervan; of 2. zeer-laagkokend vloeibaar draagmedium en hoger kokend vloeibaar draagmedium in combinatie met zulke deeltjes van een semiconductor substantie.Further in alternative medium supply systems the uninterrupted occurrence of supply via such a strip-shaped supply device of the following combinations: 1. low-boiling liquid carrier medium, particles of gaseous carrier medium and particles of a semiconductor substance in solid and / or liquid form thereof; or 2. very low boiling liquid carrier medium and higher boiling liquid carrier medium in combination with such particles of a semiconductor substance.

Verder tenminste plaatselijk uitsluitend de toepassing van 15 gasvormig draagmedium en zulke deeltjes van een semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan.Furthermore, at least locally only the use of gaseous carrier medium and such particles of a semiconductor substance in its solid and / or liquid form.

Aanvullende gunstige kenmerken van dit gedeelte van de semiconductor tunnel-opstelling onder tenminste mede de toepassing van zulk een stripvormige boven- en/of ondertril-20 element volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren.Additional favorable features of this part of the semiconductor tunnel arrangement including at least the use of such a strip-shaped upper and / or lower vibrating element follow from the description of the Figures indicated below.

Verder bij deze tunnel-opstelling het navolgende: 1. daarin de mogelijke toepassing van middelen en werkwijzen, welke zijn omschreven en aangegeven in de bijgaande, gelijktijdig 25 ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager; 2. de mogelijke toepassing van de middelen en werkwijzen, welke zyn omschreven in deze Nederlandse Octrooi-aanvrage van de aanvrager betreffende een semiconductor tunnel-opstelling, in de semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn omschreven en 30 aangegeven in deze bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvragen; en 3. de mogelijke toepassing van middelen, werkwijzen en semiconductor substanties, welke reeds algemeen worden gebruikt in de reeds bestaande semiconductor installaties, waarin de gebruikmaking van semiconductor inrichtingen en wafers.Furthermore with this tunnel setup the following: 1. therein the possible application of means and methods, which are described and indicated in the accompanying Dutch Patent Applications of the applicant filed simultaneously; 2. the possible application of the means and methods described in this Dutch Patent Application of the applicant concerning a semiconductor tunnel arrangement, in the semiconductor tunnel arrangements, which are described and indicated in these accompanying Dutch Patent Applications ; and 3. the possible use of means, methods, and semiconductor substances, which are already commonly used in the already existing semiconductor installations, in which the use of semiconductor devices and wafers.

35 De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van een aantal in de Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van deze semiconductor tunnel-opstelling.The invention will be explained in more detail below with reference to a number of exemplary embodiments of this semiconductor tunnel arrangement shown in the Figures.

1313

Figuur 1 toont een gedeelte van een semiconductor tunnel-opstelling, waarbij in het boventunnelblok de opname van een stripvormige medium toevoergroef-opstelling voor de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar 5 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en een daarop volgende stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van tenminste mede het daarmede plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium en in een daaropvolgende stripvormige afvoersectie van dit blok onder de 10 bewerkstelliging van een (sub) ,um hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.Figure 1 shows a part of a semiconductor tunnel arrangement, wherein in the upper tunnel block the accommodation of a strip-shaped medium feed slot arrangement for the continuous supply of the combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance and a subsequent strip-shaped transducer arrangement for the purpose of at least co-occurrence of evaporation of the liquid carrier medium and in a subsequent strip-shaped discharge section of this block under the effect of a (sub) .mu.m high layer of particles of a semiconductor substance on the subsequent, continuously moving semiconductor underneath it substrate portions.

Figuur lA toont daarbij het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van deze medium-toevoergroef.Figure 1A shows the upper slit portion at the location of this medium supply groove.

15 Figuur 1® toont het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer-opstelling.Figure 1® shows the upper slit portion at the start portion of this transducer arrangement.

Figuur lC toont het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van het midden-gedeelte van deze transducer-opstelling.Figure 1C shows the upper slit portion at the center portion of this transducer arrangement.

Figuur lD toont het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van 20 het achter-gedeelte van deze transducer-opstelling.Figure 1D shows the upper slit portion at the rear portion of this transducer arrangement.

Figuur 1& toont het bovenspleet-gedeelte ter plaatse van deze medium-afvoergroef,Figure 1 & shows the upper slit portion at the location of this medium discharge groove,

Figuur 2 toont zeer sterk vergroot een ondergedeelte van het boventunnelblok, waarin de opname van een mini 25 cilindrisch medium-toevoerblok voor de mediumtoevoergroef-opstelling volgens de Figuur 1.Figure 2 shows, greatly enlarged, a lower part of the upper tunnel block, in which the accommodation of a mini cylindrical medium supply block for the medium supply groove arrangement according to Figure 1 is shown.

Figuur 3 toont de doorsnede over de lijn 3-3 van het medium-toevoerblok volgens de Figuur 2.Figure 3 shows the section along the line 3-3 of the medium supply block according to Figure 2.

Figuur 4 toont een gedeelte van deze tunnel-opstelling, 30 waarbij in dit boventunnelblok de opname van een stripvormige mediumtoevoer-opstelling ten behoeve van een ononderbroken minimale toevoer per tijdseenheid van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en een daaropvolgende stripvormige transducer-35 opstelling ten behoeve van het in het begin-gedeelte ervan ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deze deeltjes in de semiconductor bovenlaag van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de opvolgende 14 semiconductor substraat-gedeeltes en in de volgende gedeeltes van de zich eronder bevindende bovenspleet-sectie het ononderbroken plaatsvinden van neerslag daarop van deze deeltjes onder de bewerkstelliging van een typisch nanometer 5 hoge laag ervan daarop.Figure 4 shows a part of this tunnel arrangement, wherein in this upper tunnel block the inclusion of a strip-shaped medium supply arrangement for an uninterrupted minimum supply per unit time of the combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance and a subsequent strip-shaped transducer -35 arrangement for the uninterrupted occurrence of an intrusion process of these particles in the semiconductor upper layer of the central semiconductor treatment portion of the subsequent 14 semiconductor substrate portions and in the following portions of the underlying upper slit section the continuous occurrence of precipitation thereon of these particles while effecting a typical nanometer high layer thereon.

Figuur 4 A toont daarbij zeer sterk vergroot het gedeelte van deze bovenspleet ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer en waarin het plaatsvinden van tenminste mede zulk een indring-proces van deze deeltjes.Figure 4A shows the portion of this upper gap at the location of the initial portion of this transducer and in which the occurrence of at least partly such a penetration process of these particles takes place.

10 Figuur 4B toont daarbij een volgend gedeelte van deze bovenspleet en waarin in hoofdzaak het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes.Figure 4B shows a subsequent part of this upper gap and in which the precipitation of these particles essentially takes place.

Figuur 4O toont een volgend bovenspleet-gedeelte met daarin een verdere neerslag van deze deeltjes en met afvoer 15 van het verdampte draagmedium via een grotere hoogte ervan.Figure 40 shows a subsequent upper slit portion with a further deposit of these particles and with discharge of the evaporated carrier medium through a greater height thereof.

Figuur 4D toont een volgend gedeelte van deze bovenspleet en waarin het plaatsvinden van de laatste phase van zulk een neerslag van deze deeltjes.Figure 4D shows a next part of this upper gap and in which the last phase of such a precipitation of these particles takes place.

Figuur 4E toont het bovenspleet-gedeelte onder het laatste 20 gedeelte van deze transducer en waarin het nagenoeg uitsluitend plaatsvinden van een optimale afvoer van het verdampte vloeibare draagmedium via een maximale doorgangs-hoogte ervan.Figure 4E shows the upper slit portion below the last portion of this transducer and in which an optimum discharge of the evaporated liquid carrier medium takes place almost exclusively via a maximum passage height thereof.

Figuur 5 toont sterk vergroot een ondergedeelte van het 25 boventunnelblok, waarin de opname van een mini cilindrisch medium-toe voer blok in het ondergedeelte ervan en waar bij in de onderwand van dit blok de opname van een zich in dwarsrichting van de tunnel-doorgang uitstrekkende nanometer brede en microhoge medium-toevoergroef ter plaatse van het 30 centrale gedeelte ervan.Figure 5 shows greatly enlarged a lower part of the upper tunnel block, in which the inclusion of a mini cylindrical medium supply block in its lower part and where in the lower wall of this block the recording of a transverse direction of the tunnel passage nanometer wide and micro-high medium feed groove at the center portion thereof.

Figuur 6 toont de doorsnede over de lijn 6-6 van het toevoer blokje volgens de Figuur 5.Figure 6 shows the section along the line 6-6 of the supply block according to Figure 5.

Figuren 7, 7^> B en C tonen met behulp van de stripvormige transducer in het boventunnelblok het ononderbroken 35 plaatsvinden van de opvolgende phasen van een verankerings-proces van deeltjes van een vaste semiconductor substantie in combinatie met de vorming van een pm hoge laag ervan op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende 15 semiconductor substraat-gedeeltes.Figures 7, 7> B and C show, with the aid of the strip-shaped transducer in the upper tunnel block, the continuous occurrence of the subsequent phases of an anchoring process of particles of a solid semiconductor substance in combination with the formation of a µm high layer thereof on the succeeding, continuously moving semiconductor substrate sections beneath it.

Figuren 8A> C en D tonen met behulp van de stripvormige transducer in het boventunnelblok het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende phasen van een 5 verankerings-proces van deeltjes van een vloeibare semiconductor hechtsubstantie in de bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder mede de vorming van een nanometer hoge laag ervan daarop.Figures 8A> C and D show with the aid of the strip-shaped transducer in the upper tunnel block the uninterrupted occurrence of successive phases of an anchoring process of particles of a liquid semiconductor bonding substance in the upper layer of the successive, continuously moving semiconductor substrate portions underneath it partly the formation of a nanometer-high layer thereon.

10 Figuren 9A> C, D en E tonen zeer sterk vergroot het met behulp van de stripvormige transducer in het boventunnelblok ononderbroken plaatsvinden van opvolgende phasen van het opbouwen van een pm hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie in vaste- en/of vloeibare 15 vorm ervan op de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en zulks onder de combinatie van het daarbij continue onderhouden van de combinatie van een LF pulseer- en typisch een MHF tril-conditie ervan.Figures 9A> C, D and E show a very strong increase in the successive occurrence of successive phases of building up a pm high layer of particles of a semiconductor substance in solid and / or liquid with the aid of the strip-shaped transducer in the upper tunnel block. form it on the subsequent semiconductor substrate portions moving therebetween, and this under the combination of continuously maintaining the combination of an LF pulsing and typically an MHF vibrating condition thereof.

20 Figuur 10 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1, met daarbij in het boventunnelblok achter deze stripvormige transducer-opstelling en de daaropvolgende stripvormige afvoersectie voor het verdampte draagmedium de opname van een stripvormig verwarmings-25 element ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een oven-behandeling van de op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte deeltjes van een vaste semiconductor substantie, Figuur 10A, onder de 30 bewerkstelliging van een laag in vloeibare vorm ervan,Figure 10 shows a part of the tunnel arrangement according to Figure 1, with in the upper tunnel block behind this strip-shaped transducer arrangement and the subsequent strip-shaped discharge section for the evaporated carrier medium the inclusion of a strip-shaped heating element for the purpose thereof continuous treatment of a furnace treatment of the particles of a solid semiconductor substance applied to the subsequent, continuously moving semiconductor substrate sections, Figure 10A, bringing about a layer in its liquid form,

Figuur 10B, en in een daaropvolgende stripvormige afkoel-sectie, Figuur 10^, plaatsvinden van een afkoel-proces van deze vloeibare laag onder de vorming van een ym hoge laag van deze substantie in een vaste vorm ervan.Figure 10B, and in a subsequent strip-shaped cooling section, Figure 10 ^, a cooling process of this liquid layer takes place to form a ym high layer of this substance in a solid form thereof.

35 Figuur 11 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 en waarbij in het boventunnelblok achter deze stripvormige transducer-opstelling en de daaropvolgende stripvormige medium-afvoersectie de opname van een tweede 16 stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van de onder deze eerste transducer-opstelling opgebouwde jum hoge laag van deeltjes van een vaste 5 semiconductor substantie, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren llA en llB.Figure 11 shows a part of the tunnel arrangement according to Figure 1 and wherein in the upper tunnel block behind this strip-shaped transducer arrangement and the subsequent strip-shaped medium discharge section the recording of a second 16 strip-shaped transducer arrangement takes place for the uninterrupted purpose thereof of a smoothing process of the high layer of particles of a solid semiconductor substance built up under this first transducer arrangement, as is greatly increased in Figures 11A and 11B.

Figuur 12 toont nog wederom deze tweede transducer-opstelling en waarbij in de Figuren 12A, B, C, D, E f F en G het zeer sterk vergroot aangegeven zijn van de opvolgende 10 phasen van dit egaliseer-proces, met tenslotte onder het achtergedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van een ultra-vlakke conditie van de opgebrachte pm hoge laag deeltjes van een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-15 gedeeltes.Figure 12 again shows this second transducer arrangement, and in Figures 12A, B, C, D, Ef F and G the very strongly enlarged representation of the subsequent 10 phases of this equalizing process, with finally below the rear the ultra-flat condition of the applied µm high layer particles of a solid semiconductor substance on the subsequent semiconductor substrate portions moving therebetween.

Figuur 13 toont het begin-gedeelte van de transducer-opstelling volgens de Figuur 12 ter plaatse van het membraam-gedeelte ervan en waar bij door het in het transducer-compartiment onderhouden van een geringe 20 overdruk van het daarin aanwezige medium ten opzichte van de druk van het medium in het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte het onderhouden van een aandruk-positie van deze transducer onder tril-conditie ervan op de opgebrachte laag semiconductor substantie ten behoeve van 25 dit optimale egalisatie-proces.Figure 13 shows the starting part of the transducer arrangement according to Figure 12 at the location of the membrane part thereof and where, by maintaining a low excess pressure of the medium present therein in the transducer compartment relative to the pressure maintaining the pressure position of this transducer under vibrating condition on the applied layer of semiconductor substance for the purpose of this optimum equalization process of the medium in the upper slit portion below.

Figuur 14 toont deze tweede transducer-opstelling en waar bij door het in het transducer-compartiment onderhouden van een geringe overdruk van het daarin aanwezige typisch gasvormige medium ten opzichte van de druk van het medium in 30 de zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte het ononderbroken onderhouden van een aandruk-positie van de daarin opgenomen transducer onder tril-conditie ervan op de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte um hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm 35 ervan ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een optimaal egalisatie-proces en in de Figuren 14 A t/m G zeer sterk vergroot de opvolgende hoogtes van de opvolgende hoogtes van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes.Figure 14 shows this second transducer arrangement and where, by maintaining a low excess pressure of the typical gaseous medium contained therein in the transducer compartment, with respect to the pressure of the medium in the upper slit portion below it, the continuous maintenance is maintained of a pressure position of the transducer accommodated therein under the vibrating condition thereof on the um high layer of particles of a semiconductor substance in solid form 35 disposed therein for the purpose of an optimum equalization process taking place therein and in Figures 14 A to G greatly increases the successive heights of the successive heights of the subsequent upper slit portions.

1717

Figuur 15 toont het gedeelte van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 en waarbij in het boventunnelblok achter deze combinatie van een stripvormige medium-toevoersectie, - transducer-opstelling en - mediumafvoersectie de opname 5 van een volgende combinatie van stripvormige medium- toevoersectie, - transducer-opstelling en - medium-afvoersectie ten behoeve van het met behulp van deze tweede combinatie opbouwen van een v.ólgende jum hoge laag deeltjes van een vaste semiconductor substantie op de met behulp van 10 deze eerste combinatie bewerkstelligde μ® hoge laag van deze deeltjes, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 15A en 15^,.Figure 15 shows the part of the tunnel arrangement according to Figure 1 and wherein in the upper tunnel block behind this combination of a strip-shaped medium supply section, - transducer arrangement and - medium discharge section, the accommodation of a following combination of strip-shaped medium supply section, transducer arrangement and medium drain section for the purpose of building up a subsequent high layer of particles of a solid semiconductor substance on the μ® high layer of these particles achieved with the aid of this second combination as shown to be greatly enlarged in Figures 15A and 15A.

Figuur 16 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling. waar bij in het boven tunnel blok-gedeelte ervan de opname van 15 een tweetal opvolgende combinaties van een stripvormige medium.toevoergroef voor deeltjes van een vaste semiconductor substantie, - transducer-opstelling en een - medium-afvoergroef ten behoeve van de opbouw van een pm hoge laag van tenminste mede deze deeltjes, met daarachter 20 in dit blok de opname van een stripvormige oven-sectie en een daaropvolgende — afvoersectie ten behoeve van het bewerkstelligen van een pm hoge vaste laag van deze semiconductor substantie en zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 16A* B en C_ 25 Figuur 17 toont wederom de combinatie van zulk een tweetal opvolgende transducer-opstellingen, met daarachter de opname van zulk een stripvormige verwarmings- en afkoel-inrichting ; zoals reeds is aangegeven in de Figuur 16, en waarbij met behulp van de eerste transducer de opbouw van zulk een 30 di-electrische laag onmiddellijk op de kunststof-f olie, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 17A, onder het daarbij mede met behulp van de opvolgende trillingen van. deze transducer plaatsvinden van inwerking van de deeltjes van zulk een substantie op de bovenlaag van deze folie, onder de 35 daarop-volgende warmte-behandelingsinrichting het omzetten van deze laag van vaste deeltjes in een vloeibare laag, zoals is aangegeven in de Figuur 17B, en vervolgens na afkoeling in de daarop-volgende inrichting het bewerkstelligen van een 18 vaste conditie van deze opgebrachte laag onder een reeds in voldoende mate verankering ervan op deze folie, zoals zeer sterk is aangegeven in de Figuur 17C.Figure 16 shows a portion of the tunnel arrangement. wherein in the upper tunnel block part thereof the accommodation of two successive combinations of a strip-shaped medium feed groove for particles of a solid semiconductor substance, transducer arrangement and a medium drain groove for the construction of a µm high layer of at least these particles, with the inclusion in this block of a strip-shaped furnace section and a subsequent discharge section for the purpose of effecting a µm high solid layer of this semiconductor substance and, as greatly increased, is indicated in FIGS. 16A * B and C. FIG. 17 again shows the combination of such two successive transducer arrangements, with the inclusion of such a strip-shaped heating and cooling device behind it; as already indicated in Figure 16, and wherein with the aid of the first transducer the build-up of such a dielectric layer is immediately applied to the plastic film, as is greatly shown in Figure 17A, including using the subsequent vibrations of. this transducer taking effect of the particles of such a substance on the top layer of this film, under the subsequent heat treatment device converting this layer of solid particles into a liquid layer, as indicated in Figure 17B, and then, after cooling in the subsequent device, to establish a solid condition of this applied layer under an already sufficient anchoring thereof on this film, as is very strongly indicated in Figure 17C.

Figuur 18 toont in de tunnel-opstelling 10 een 5 uitwisselbare stripvormige onder-transduceropstelling 110, welke is opgenomen in het ondertunnelblok 14, en waarbij gedurende het semiconductor behandelings-proces van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het typisch onderhouden van de daarin aangegeven combinatie van een laag-10 frequente pulseer-conditie ervan .met behulp van de in zulk een electrische trilling-opwekinrichting opgewekte electrische trillingen en een zeer laag-frequente pulseer-conditie ervan met behulp van het ononderbroken opvolgend toe-en afvoeren van gasvormig medium via een centraal medium toe- afvoer-15 kanaal naar en vanaf het ondertransducer-compartiment.Fig. 18 shows in the tunnel arrangement 10 an interchangeable strip-shaped under-transducer arrangement 110, which is included in the sub-tunnel block 14, and wherein during the semiconductor treatment process of the subsequent semiconductor substrate portions, typically maintaining the combination indicated therein a low-frequency pulsing condition thereof with the aid of the electric vibrations generated in such an electric vibration generating device and a very low-frequency pulsing condition thereof with the continuous successive supply and removal of gaseous medium via a central medium supply-15 channel to and from the sub-transducer compartment.

Figuur 19a toont de opstelling in deze tunnel-opstelling van de combinatie van een stripvormige boven-transducer-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok, en de stripvormige onder-transduceropstelling, welke daaronder is 20 opgenomen in het ondertunnelblok 14, ten behoeve van het daarmede onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch zeer hoog-frequent trillende boven-transducer en 25 een typisch hoog-frequent trillende onder-transducer.Figure 19a shows the arrangement in this tunnel arrangement of the combination of a strip-shaped upper transducer arrangement, which is included in the upper tunnel block, and the strip-shaped lower transducer arrangement, which is included below in the sub-tunnel block 14, for the purpose of thereby maintaining a semiconductor treatment process of the subsequent, continuous, substrate-moving substrate portions under the combination of a typical very high-frequency vibrating upper transducer and a typical high-frequency vibrating lower transducer.

Figuur 19^ toont daarbij nog een alternatieve uitvoering van deze transducer-opstellingen , met de onder-transducer voorwaarts versprongen onder deze boven-transducer.Figure 19 shows a further alternative embodiment of these transducer arrangements, with the lower transducer staggered forward below this upper transducer.

Voor aanvullende informatie betreffende deze transducer -30 opstellingen zie de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 6 van de aanvrager betreffende zulke transducer-opstellingen.For additional information regarding this transducer -30 set-up see the accompanying Dutch Patent Application no. 6 of the applicant concerning such transducer arrangements.

Figuur 20 toont een uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, welke zich in dwarsrichting van de tunnel-opstelling uitstrekt over tenminste het centrale 35 semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok en waar bij deze in een compartiment ervan opgenomen transducer-opstelling bevattende een aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen typisch cilindrische transducers, 19Figure 20 shows an interchangeable strip-shaped transducer arrangement that extends transversely of the tunnel arrangement over at least the central semiconductor treatment portion of the upper tunnel block and with this transducer arrangement included in a compartment thereof including a plurality of transverse directions adjacent typical cylindrical transducers, 19

Figuren 2θΑ»Β en met een stripvormig dunwandig gedeelte van de onderwand van het uitwisselbare transducer blok tenminste mede fungerend als een onder-electrode ervan en erboven een gemeenschappelijke boven-electrodeplaat, 5 Figuur 17D, welke is aangesloten op een typische boven deze tunnel-opstelling opgestelde electronische generator ten behoeve van de opwekking daarin van de electrische trillingen voor deze transducers.Figs. 2 and with a strip-shaped thin-walled portion of the bottom wall of the exchangeable transducer block at least in part acting as a bottom electrode thereof and above it a common top electrode plate, Figure 17D, which is connected to a typical above this tunnel arrangement electronic generator arranged for the generation therein of the electrical vibrations for these transducers.

Figuur 2lA toont in een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 beneden de uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok, in het ondertunnelblok de opname van een eveneens uitwisselbare stripvormige onder-nokkenasopstelling ten behoeve van het met behulp van deze combinatie onderhouden van een semiconductor 15 behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met daarbij het continue onderhouden van een typisch tenminste UHF-tril-conditie van deze boven-transducer en een typisch Hf-trilconditie van deze onder-nokkenasopstelling.Fig. 21A shows in a part of the tunnel arrangement 10 below the interchangeable strip-shaped transducer arrangement, which is included in the upper tunnel block, in the sub-tunnel block the accommodation of an also interchangeable strip-shaped lower camshaft arrangement for servicing with the aid of this combination of a semiconductor treatment process of the successive, continuously moving semiconductor substrate portions therebetween, thereby continuously maintaining a typical at least UHF vibration condition of this upper transducer and a typical Hf vibration condition of this lower camshaft arrangement.

20 Figuur 21® toont daarbij een voorwaarts versprongen positie van deze onder-nokkenasopstelling ten opzichte van deze boven-transduceropstelling.Figure 21® thereby shows a forwardly offset position of this lower camshaft arrangement relative to this upper transducer arrangement.

Figuur 2lC toont voor deze nokkenas-opstelling opvolgende nokken, waarbij, gezien in de verdraai-richting ervan, een 25 aanzienlijke lengte en een daarop-volgende geringe lengte ervan ten behoeve van het met behulp van de stripvormige drukplaat van deze opstelling daarmede opvolgend onderhouden van een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing van deze opvolgende substraat-30 gedeeltes onder het daarmede ondersteunen van een bepaald semiconductor behandelings-proces met behulp van de eveneens daardoor bewerkstelligde trillende opvolgende substraat-gedeeltes, zoals onder andere een reinigings-, strip-, ets-of spoel-proces van de bovenlaag ervan.Figure 2C shows successive cams for this camshaft arrangement, wherein, viewed in the direction of rotation thereof, a considerable length and a subsequent short length thereof for the purpose of subsequent maintenance of the strip-shaped printing plate of this arrangement. a slow upward and a subsequent rapid downward displacement of these successive substrate portions while thereby supporting a particular semiconductor treatment process with the aid of the vibrating successive substrate portions, such as, among other things, a cleaning, stripping, etching or rinsing process of its top layer.

35 Figuur 21^ toont voor deze nokkenas-opstelling een geringe lengte en een daarop-volgende aanzienlijke lengte van zulke opvolgende nokken ten behoeve van het met behulp van deze drukplaat opvolgend onderhouden van een snelle 20 opwaartse verplaatsing en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van deze substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarmede ondersteunen van een bepaald semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere het 5 ononderbroken opbrengen van deeltjes van een semiconductor substantie.Figure 21 shows a small length and a subsequent considerable length of such successive cams for this camshaft arrangement for the purpose of subsequently maintaining a rapid upward displacement and a subsequent slow downward displacement of this pressure plate. these substrate portions for thereby supporting a particular semiconductor treatment process, such as inter alia the continuous application of particles of a semiconductor substance.

Figuur 1 toont een gedeelte van een semiconductor tunnel-opstelling 10, waarbij in het boventunnelblok 12 ervan de opname van een stripvormige mediumtoevoergroef-opstelling 16 10 voor de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes 20 van een semiconductor substantie en een daarop-volgende stripvormige transducer-opstelling 22 ten behoeve van het tenminste mede plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium en in een 15 daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie 24 van dit blok onder de bewerkstelliging van een (sub) micrometer hoge laag van deeltjes 20 van zulk een semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26.Figure 1 shows a portion of a semiconductor tunnel arrangement 10, in which the upper tunnel block 12 thereof accommodates a strip-shaped medium supply groove arrangement 16 for the continuous supply of the combination of liquid carrier medium 18 and particles 20 of a semiconductor substance and a substance thereon - following strip-shaped transducer arrangement 22 for at least co-occurrence of evaporation of the liquid carrier medium and in a subsequent strip-shaped discharge section 24 of this block, with the effect of a (sub) micrometer-high layer of particles 20 of such a semiconductor substance on the successive, continuously moving semiconductor substrate portions 26 therebetween.

20 Figuur 1A toont daarbij het bovenspleet-gedeelte 28 ter plaatse van deze medium-toevoergr oef 16.Figure 1A shows the upper slit portion 28 at the location of this medium supply 16.

Figuur lB toont het bovenspleet-gedeelte 28 ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer-opstelling 22, waar bij typisch het ononderbroken plaatsvinden van een 25 indring-proces van deze deeltjes 20 in de bovenlaag 30 van de opvolgende eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 26 en een begin van het verdampings-proces van dit draagmedium 18.Figure 1B shows the upper slit portion 28 at the start portion of this transducer arrangement 22, where typically the uninterrupted occurrence of a penetration process of these particles 20 into the top layer 30 of the subsequent substrate portions moving along it 26 and a start of the evaporation process of this carrier medium 18.

Figuur lC toont het midden-gedeelte van deze transducer-30 opstelling 22 en waar bij het mede reeds plaatsvinden van een neerslag van deze deeltjes.Figure 1C shows the middle part of this transducer arrangement 22 and in which co-precipitation of these particles has already taken place.

Figuur lD toont het bovenspleet-gedeelte 28 ter plaatse van het achter-gedeelte van deze transducer 22 en waarbij het bewerkstelligd zijn van mede neerslag van tenminste nagenoeg 35 alle deeltjes 20 van deze semiconductor substantie onder de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag ervan.Figure 1D shows the upper slit portion 28 at the rear portion of this transducer 22 and wherein co-precipitation of at least substantially all of the particles 20 of this semiconductor substance has been accomplished while creating a micrometer-high layer thereof.

Figuur lE toont het bovenspleet-gedeelte 28 ter plaatse van deze medium-afvoer groef 24.Figure 1E shows the upper slit portion 28 at the location of this fluid discharge groove 24.

2121

Figuur 2 toont zeer sterk vergroot een onder-gedeelte van het boventunnelblok 12, waarin de opname van een mini cilindrisch medium-toevoerblok 30 voor de medium toevoergroef-opstelling 16 volgens de Figuur 1.Figure 2 shows a very large enlarged view of a lower part of the upper tunnel block 12, in which the accommodation of a mini cylindrical medium supply block 30 for the medium supply groove arrangement 16 according to Figure 1 is shown.

5 Figuur 3 toont de doorsnede over de lijn 3-3 van het toevoerblok 30 volgens de Figuur 2 en waarbij in het ondergedeelte 32 ervan de opname van een micrometer wijde medium-toevoergroef 34, met aansluiting ervan op de aangrenzende medium-toevoergroeven 34 in de onderwand 38 van het boven-10 tunnelblok 12 onder de vorming van één, zich ononderbroken in dwarsrichting van de tunnel-opstelling uitstrekkende toevoer-groef voor de combinatie van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes 20 van een semiconductor substantie ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze 15 tunnel-opstelling.Figure 3 shows the cross-section over the line 3-3 of the supply block 30 according to Figure 2, and in which in its lower part 32 the accommodation of a micrometer-wide medium supply groove 34, with its connection to the adjacent medium supply grooves 34 in the bottom wall 38 of the upper tunnel block 12 forming a continuous groove extending continuously in the transverse direction of the tunnel arrangement for the combination of liquid carrier medium 18 and particles 20 of a semiconductor substance at the location of the central semiconductor treatment part of this tunnel arrangement.

Figuur 4 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 en waarbij in het boventunnelblok 12 ervan de opname van een stripvormige medium-toevoerinrichting 16 ten behoeve van een ononderbroken minimale toevoer per tijdseenheid van de 20 combinatie van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes van een semiconductor substantie 20 en een daarop-volgende uitwisselbare stripvorraige transducer-opstelling 22 ten behoeve van het in het begin-gedeelte ervan ononderbroken plaatsvinden van een indring-proces van deze deeltjes 20 in de semicon-25 ductor bovenlaag 40 van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de opvolgende substraat-gedeeltes 26 en in de volgende gedeeltes van de bovenspleet 28 het ononderbroken plaatsvinden van een verdere neerslag daarop van deze deeltjes onder de bewerkstelliging van een typisch 30 sub-micrometer hoge laag van deze deeltjes daarop.Figure 4 shows a part of the tunnel arrangement 10 and in which the upper tunnel block 12 thereof accommodates a strip-shaped medium supply device 16 for an uninterrupted minimum supply per unit time of the combination of liquid carrier medium 18 and particles of a semiconductor substance 20 and a subsequent interchangeable strip-shaped transducer arrangement 22 for the uninterrupted occurrence of an intrusion process of these particles 20 into the semiconductor upper layer 40 of the central semiconductor treatment portion of the successive substrate portions 26 and in the subsequent portions of the upper slit 28 the continuous occurrence of a further deposition thereon of these particles while effecting a typical sub-micrometer high layer of these particles thereon.

Figuur 4^ toont daarbij zeer sterk vergroot het gedeelte van deze bovenspleet 28 ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer 22 en waarin het plaatsvinden van tenminste mede zulk een indring-proces van deze deeltjes.Figure 4 ^ shows very greatly enlarged the part of this upper gap 28 at the location of the starting part of this transducer 22 and in which the occurrence of at least partly such a penetration process of these particles takes place.

35 Figuur 4B toont daarbij een volgend gedeelte van deze bovenspleet 28 en waarin in hoofdzaak het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes 20.Figure 4B shows a subsequent part of this upper gap 28 and in which the deposition of these particles 20 essentially takes place.

Figuur 4C toont een volgend bovenspleet-gedeelte, met 22 daarin een verdere neerslag van deze deeltjes 20 en met afvoer van het verdampte draagmedium via een grotere hoogte van de bovenspleet 28.Figure 4C shows a subsequent upper slit portion, with 22 therein a further precipitation of these particles 20 and with the evaporated carrier medium discharged via a greater height of the upper slit 28.

Figuur 4D toont een volgend bovenspleet-gedeelte, met 5 daarin het plaatsvinden van de laatste phase van zulk een neerslag van deze deeltjes 20.Figure 4D shows a following upper slit portion, with the last phase of such a precipitation of these particles taking place therein.

Figuur 4E4E

toont het bovenspleet-gedeelte onder het laatste gedeelte van deze transducer 22 en waarin het nagenoeg uitsluitend plaatsvinden van een optimale afvoer van het 10 verdampte vloeibare draagmedium via een maximale doorgangs-hoogte van deze bovenspleet 28.shows the upper slit portion below the last portion of this transducer 22 and in which an optimum discharge of the evaporated liquid carrier medium takes place almost exclusively via a maximum passage height of this upper slit 28.

Figuur 5 toont zeer sterk vergroot een alternatieve uitvoering 30 van zulk een mini medium-toevoerblok volgens de Figuur 2.Figure 5 shows, greatly enlarged, an alternative embodiment of such a mini medium supply block according to Figure 2.

15 Daarbij in de bovenwand van dit blok 30 de opname van een mini brede medium-toevoerkanaal 52'> welke is aangesloten op het centrale medium-toevoerkanaal 52 via de toevoergroef 50 ten behoeve van eveneens een ononderbroken toevoer erdoorheen van zulk een combinatie van draagmedium 18 en deeltjes van de 20 semiconductor substantie 20 naar de secundaire, micro-brede medium-toevoergroef 56' in de onderwand 38 van dit blok en welke parallel is gelegen met de hoofd-toevoergroef 56.In addition, the top wall of this block 30 accommodates a mini-wide medium supply channel 52 'which is connected to the central medium supply channel 52 via the supply groove 50 for the purpose of also providing a continuous supply therethrough of such a combination of support medium 18 and particles from the semiconductor substance 20 to the secondary, micro-wide medium feed groove 56 'in the bottom wall 38 of this block and which is parallel to the main feed groove 56.

Daarbij tevens een grotere hoogte van het onderwand-gedeelte 38 voorbij deze hoofd-groef 56 dan van het secundaire 25 gedeelte 38' van dit blok 30 daarachter.In addition, a greater height of the bottom wall portion 38 beyond this main groove 56 than of the secondary portion 38 'of this block 30 behind it.

Figuur 6 toont daarbij een horizontaal onder-aanzicht van de onderwand van het boventunnelblok 12 ter plaatse van mede dit blok 30 over de lijn 6-6, met daarin de positie van deze naast elkaar gelegen toevoer-groeven 56 en 56'.Figure 6 shows a horizontal bottom view of the bottom wall of the upper tunnel block 12 at the location of this block 30 along the line 6-6, with the position of these adjacent feed grooves 56 and 56 'therein.

30 Figuren 7 en 7^, B en C en 7D t/m G en 7H t/m L tonen met behulp van de stripvormige transducer 22, welke is opgenomen in het boventunnelblok 12, het ononderbroken plaatsvinden van de opvolgende phasen van een verankerings-proces van de deeltjes 20 van een semiconductor substantie 60 35 in combinatie met de geleidelijke vorming van een micrometer hoge laag ervan op de bovenwand 56 van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende, typisch kunststof folie-gedeeltes 58.Figures 7 and 7, B and C and 7D to G and 7H to L show, with the aid of the strip-shaped transducer 22, which is included in the upper tunnel block 12, the uninterrupted occurrence of the subsequent phases of an anchoring device. process of the particles 20 of a semiconductor substance 60 in combination with the gradual formation of a micrometer-high layer thereof on the top wall 56 of the subsequent, continuous plastic film sections 58 moving continuously underneath it.

2323

Zulks is sterk vergroot aangegeven in de Figuren 7A, B en C.This is indicated greatly enlarged in Figures 7A, B and C.

Verder in de Figuur 70 ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer de bovenste tril-positie ervan en in de Figuur 7^ de onderste tril-positie, met nog een micrometer 5 hoge sectie van de bovenspleet 28 en het daarbij plaatsvinden van een optimaal indring/verankerings-proces van deze typisch vloeibare deeltjes 60 in de bovenwand 56 van deze zich eronderlangs verplaatsende kunststof-folie 58.Further, in Figure 70, at the start portion of this transducer, the upper vibrating position thereof and in Fig. 7 the lower vibrating position, with a further micrometer 5 section of the upper slit 28 and the occurrence of a optimum penetration / anchoring process of these typically liquid particles 60 into the top wall 56 of this plastic film 58 moving alongside it.

Figuren 7F en G tonen daar bij de opvolgende bovenste- en 10 onderste-trilpositie van deze transducer 22 ter plaatse van het achterste gedeelte ervan, met een aanzienlijke hoogte van de zich eronder bevindende secties van deze bovenspleet 28 en waarbij door verdamping van het vloeibare draagmedium 60 het bewerkstelligd zijn van een micrometer hoge laag van deze 15 deeltjes vloeibare substantie 60 , met het zich erbovenlangs verplaatsende dampvormige medium 44.Figures 7F and G show there at the subsequent upper and lower vibrating positions of this transducer 22 at the rear portion thereof, with a considerable height of the sections of this upper slit 28 located below and with evaporation of the liquid carrier medium 60 the establishment of a micrometer-high layer of these particles of liquid substance 60, with the vapor-like medium 44 moving along it.

Verder tonen de Figuren 7^ t/m L zeer sterk vergroot zulke phasen van inwerking/neerslag van zulke deeltjes van de vloeibare hecht-substantie 60 op deze opvolgende folie-20 gedeeltes 58 met behulp van zulk een trillende boventrans ducer 22 en waar bij het aangegeven zijn van een snelle neerwaartse- en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van deze transducer 22 en zulks ten behoeve van het mede optimaal bewerkstelligen van zulk een inwerking 25 van deze deeltjes 60 in de bovenwand 56 van deze opvolgende folie-gedeeltes 58 onder het mede verkrijgen van een typisch micrometer hoge laag van deze deeltjes.Furthermore, Figs. 7 ^ to L show very greatly enlarged such phases of action / precipitation of such particles of the liquid adhesive substance 60 on these successive film portions 58 using such a vibrating upper transducer 22 and where at the indicate a rapid downward and a subsequent slow upward movement of this transducer 22, and this for the purpose of optimally effecting such an effect of these particles 60 in the upper wall 56 of these successive foil sections 58 below the co-obtaining a typical micrometer high layer of these particles.

Figuur 8 toont in een stripvormig uitwisselbaar gedeelte van het boventunnelblok 12 van de tunnel-opstelling 10 de 30 opname van de combinatie van een stripvormige boven-transducer 22 en de ervóór opgenomen stripvormige alternatieve medium-toevoerinrichting 16 en een erachter opgenomen stripvormige medium-afvoerinrichting 24.Figure 8 shows, in a strip-shaped exchangeable part of the upper tunnel block 12 of the tunnel arrangement 10, the incorporation of the combination of a strip-shaped upper transducer 22 and the strip-shaped alternative medium-feed device 16 and a strip-shaped medium-drain device 24 incorporated thereafter. .

Daarbij is het mini stripvormige medium-toevoer blok 30 35 van deze medium-toevoer inr ichting 16 onmiddellijk gelegen vóór deze transducer 22 en waarbij eveneens een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte 28 boven de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 26 tot naar 24 de medium-afvoerinrichting 24.In addition, the mini-strip-shaped medium supply block 30 of this medium supply device 16 is immediately ahead of this transducer 22 and also an increasing height of the upper slit portion 28 above the subsequent substrate portions 26 to 24 moving along it the medium discharge device 24.

Figuur 9 toont wederom zulk een combinatie van de stripvormige boven-transducer 22, welke is opgenomen in het boventunnelblok van de tunnel-opstelling 10, en de ervóór 5 gelegen stripvormige toevoer-inrichting 16 voor de combinatie van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes van een semiconductor substantie 20.Figure 9 again shows such a combination of the strip-shaped upper transducer 22, which is included in the upper tunnel block of the tunnel arrangement 10, and the strip-shaped feeding device 16 located therefor for the combination of liquid carrier medium 18 and particles of a semiconductor substance 20.

Daarbij via het toevoer-kanaal 130 het tevens ononderbroken opvolgend laag-frequent toe- en afvoeren van gasvormig 10 medium 68 naar en vanaf het boven-transducercompartiment ten behoeve van het onderhouden van de combinatie van een trillende- en pulserende conditie van deze transducer 22.Thereby, via the supply channel 130, also the continuous, continuous low-frequency supply and removal of gaseous medium 68 to and from the upper transducer compartment for maintaining the combination of a vibrating and pulsating condition of this transducer 22.

Zulk een geleidelijke opbouw van een micrometer hoge laag van deze deeltjes 20 is zeer sterk vergroot aangegeven in de 15 Figuren 9A t/in E, met ^et daarin aangegeven zijn van de onderste laag-frequente pulseer-positie van deze trillende transducer.Such a gradual build-up of a micrometer-high layer of these particles 20 is shown very strongly in Figures 9A to E, with the lower-frequency pulsing position of this vibrating transducer being indicated therein.

Deze geleidelyke laag-opbouw onder toepassing van typisch een vaste semiconductor substantie geschiedt daar bij zonder 20 het ter plaatse van tenminste het achter-gedeelte van deze transducer door het onderhouden van zulk een tril-conditie gehecht raken van zulke deeltjes tegen de onder-electrode ervan.This conductive layer structure using typically a solid semiconductor substance, in particular, occurs at the location of at least the rear portion of this transducer by maintaining such a vibration condition that such particles become adhered to its lower electrode. .

Figuur 10 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 25 volgens de Figuur 1, met daarbij in het boventunnelblok 12 achter deze stripvormige transducer-opstelling 22 en de daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie 24 voor het verdampte draagmedium 44 de opname van de stripvormige verwarmings-elementopstelling 62 ten behoeve van het daarmede 30 ononderbroken plaatsvinden van een oven-behandeling van op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte deeltjes 46 van een vaste semiconductor substantie, Figuur.10^, onder de bewerkstelliging van de laag 46' in een vloeibare vorm ervan, 35 Figuur 10B, en in een daarop-volgende stripvormige afkoel-sectie 64, Figuur 10^, het plaatsvinden van een afkoel-proces van deze vloeibare laag onder de vorming van een micrometer hoge laag van deze substantie in een vaste 25 vorm 66 ervan.Figure 10 shows a portion of the tunnel arrangement 10 according to Figure 1, with the upper tunnel block 12 behind this strip-shaped transducer arrangement 22 and the subsequent strip-shaped discharge section 24 for the evaporated carrier medium 44 recording the strip-shaped carrier heating element arrangement 62 for the uninterrupted occurrence of an oven treatment of particles 46 of a solid semiconductor substance applied to the successive, continuously moving semiconductor substrate sections along it, FIG. 10 ^, under the effect of the layer 46 in a liquid form thereof, Fig. 10B, and in a subsequent strip-shaped cooling section 64, Fig. 10, the occurrence of a cooling process of this liquid layer to form a micrometer-high layer of this substance in a fixed form 66 thereof.

Deze opgebrachte laag 66 is daar bij tevens in voldoende mate verankerd op deze di-electrische onderlaag, zoals in deze Figuur eveneens is aangegeven.This applied layer 66 is also sufficiently anchored on this dielectric bottom layer, as is also indicated in this Figure.

5 Verder voor zulke deeltjes de mogelijke toepassing van elke andere semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.Further, for such particles, the possible use of any other semiconductor substance in its solid form.

Figuur 11 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 volgens de Figuur 1 en waarbij in het boventunnelblok 12 achter deze stripvormige transducer-opstelling 22 en de 10 daarop-volgende stripvormige medium-afvoer sectie 24 de opname van een tweede stripvormige transducer-opstelling 22' ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van de onder deze eerste transducer-opstelling 22 opgebouwde micrometer hoge laag 42 van deeltjes 15 van een vaste semiconductor substantie, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren llA en llB,Figure 11 shows a portion of the tunnel arrangement 10 according to Figure 1 and wherein in the upper tunnel block 12 behind this strip-shaped transducer arrangement 22 and the subsequent strip-shaped medium discharge section 24 the accommodation of a second strip-shaped transducer arrangement 22 for the uninterrupted occurrence of a smoothing process of the micron high layer 42 of particles 15 of a solid semiconductor substance built up under this first transducer arrangement 22, as is shown to a great extent in FIGS. 11A and 11B,

Figuur llC toont daarbij nog sterk vergroot het begin-gedeelte van deze tweede transducer 22', welke is opgenomen in het transducer-compartiment 90', met rondom ervan het 20 dunwandige metalen membraam-gedeelte 74' als deel van de onder-electrode ervan.Figure 11C shows the start portion of this second transducer 22 ', which is received in the transducer compartment 90', with the thin-walled metal membrane portion 74 'around it as part of its lower electrode.

Tijdens de werking van deze tunnel-opstelling wordt in dit compartiment 90' een overdruk onderhouden van het daarin aanwezige gasvormige medium ten opzichte van de druk van het 25 medium in het bovenspleet-gedeelte 28 onder deze transducer, waardoor het tevens fungeren ervan als een stripvormige drukwand, met het daarbij onderhouden van een benedenwaartse verplaatsing ervan, doordat deze membraam-gedeeltes 74' daartoe een voldoend geringe dikte hebben.During the operation of this tunnel arrangement, an overpressure of the gaseous medium contained therein is maintained in this compartment 90 'with respect to the pressure of the medium in the upper slit portion 28 below this transducer, whereby it also functions as a strip-shaped pressure wall, while maintaining a downward movement thereof, because these membrane portions 74 'have a sufficiently small thickness for this purpose.

30 Daarbij tijdens zulk een egalisatie-proce met deze transducer 22' het aldus tenminste plaatselijk, typisch het begin-gedeelte ervan, onderhouden van een aandruk-positie ervan op deze opgebrachte laag 42 onder de tril-conditie ervan en het ter plaatse verplaatsen van de opvolgende 35 substraat-gedeeltes 26 over het zich eronder bevindende gedeelte van het ondertunnelblok 14 onder een aandruk-conditie ervan daarop.In addition, during such an equalization process with this transducer 22 ', thus maintaining at least locally, typically the initial portion thereof, a pressure position thereof on this applied layer 42 under its vibration condition and moving the successive substrate portions 26 over the underlying portion of the sub-tunnel block 14 under a pressure condition thereof.

Figuur 12 toont nog wederom zulk een tweede transducer- 26 opstelling 22 en waarbij in de Figuren 12A t/m F het zeer sterk vergroot aangegeven zijn van de opvolgende phasen van een alternatief egalisatie-proces daarmede, met tenslotte onder het achter-gedeelte ervan, Figuur 12^, het 5 bewerkstelligd zijn van een ultra-vlakke conditie van de opgebrachte micrometer hoge laag 42 van deeltjes 46 van een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26.Figure 12 shows yet again such a second transducer arrangement 22 and in which Figures 12A to F show the very strongly enlarged view of the successive phases of an alternative equalization process with it, and finally below its rear part, 12, the ultra-flat condition of the applied micron high layer 42 of particles 46 of a solid semiconductor substance on the subsequent semiconductor substrate portions 26 moving below it.

Figuur 13 toont nog wederom het begin-gedeelte van de 10 transducer-opstelling 22' volgens de Figuur llC ter plaatse van het voorste membraam-gedeelte 74 ervan en waarbij eveneens door het in het transducer-compartiment 90 onderhouden van een geringe overdruk van het daarin aanwezige gasvormige medium 68 ten opzichte van de druk van het medium in het zich 15 eronder bevindende bovenspleet-gedeelté 28 het eveneens onderhouden van zulk een aandruk-positie van tenminste het begin-gedeelte van deze transducer 22 onder tril-conditie ervan op de reeds opgebrachte laag 42 van deeltjes 46 van een vaste semiconductor substantie ten behoeve van zulk een 20 optimaal egalisatie-proces, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 13A t^mFig. 13 again shows the starting portion of the transducer arrangement 22 'according to Fig. 11C at the front membrane portion 74 thereof and also maintaining a slight overpressure of the transducer compartment 90 therein gaseous medium 68 present with respect to the pressure of the medium in the upper slit portion 28 below it, also maintaining such a pressure position of at least the starting portion of this transducer 22 under its vibrating condition on the already applied layer 42 of particles 46 of a solid semiconductor substance for the purpose of such an optimum equalization process, as is greatly increased in Figs. 13A to ^ m

Figuur 14 toont wederom zulk een tweede transducer-opstelling 22 en waarbij door in het transducer-comartiment 90 het onderhouden van een geringe overdruk van het daarin 25 aanwezige, typisch gasvormige medium 98 ten opzichte van de druk van het medium in de zich eronder bevindende bovenspleet-sectie 28 het ononderbroken onderhouden van een aandruk-positie van deze daarin opgenomen transducer 22 onder tril-conditie ervan op de in het voorgaande tunnel-gedeelte 30 opgebouwde micrometer hoge laag 42 van deeltjes van een semiconductor substantie 46 in vaste vorm ervan ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een optimaal egalisatie-proces en in de Figuren 14A t/m 0 ^et zeer sterk vergroot aangegeven zijn van de opvolgende hoogtes van de opvolgende . 35 bovenspleet-gedeeltes 28 onder daarin de bewerkstelliging van een ultra-gelijkmatige hoogte van zulk een opgebrachte, typisch mogelijk zelfs nanometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie.Fig. 14 again shows such a second transducer arrangement 22 and wherein maintaining a slight excess pressure of the typical gaseous medium 98 present therein in the transducer compartment 90 relative to the pressure of the medium in the upper slit below it section 28 the continuous maintenance of a pressure position of this transducer 22 contained therein under the vibrating condition thereof on the micrometer high layer 42 of particles of a semiconductor substance 46 in solid form built up in the preceding tunnel part 30 for the purpose of the occurrence of an optimum equalization process therein and the successive heights of the successive ones are shown in Figures 14A to 0 very strongly. 35 upper slit portions 28 including an ultra-uniform height of such an applied, typically possibly even nanometer-high layer of a liquid adhesive substance.

2727

Figuur 14^ toont wederom zulk een tweede transducer-opstelling 22 in een aangepaste vorm ervan en waarbij de Figuren 14^* J en K zeer sterk vergroot de navolgende posities van deze bovenspleet-gedeeltes 28 tonen: 5 a) in de Figuur 14^ de positie ervan ter plaatse van het membraam-gedeelte 74 nabij het begin-geddelte van deze transducer, met een maximale hoogte ervan; b) in de figuur 14J de positie ervan ter plaatse van het centrale transducer-gedeelte; met een mini-hoogte ervan; en 10 c) in de Figuur 14^ de positie ter plaatse van het membraam-gedeelte 74 nabij het achterste gedeelte van deze transducer, met eveneens een maximale hoogte ervanFigure 14 ^ again shows such a second transducer arrangement 22 in a modified form thereof and with Figures 14 ^ * J and K greatly enlarged showing the following positions of these upper slit portions 28: a) in Figure 14 ^ its position at the membrane portion 74 near the initial portion of this transducer, with a maximum height thereof; b) in Figure 14J, its position at the location of the central transducer portion; with a mini height; and c) in Figure 14 ^ the position at the location of the membrane portion 74 near the rear portion of this transducer, with a maximum height thereof as well

Figuur 15 toont een stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling 10 en waarbij in het boventunnelblok 12 achter een 15 voorgaand tunnel-gedeelte, waarin reeds met behulp van een transducer-opstelling het bewerkstelligd zijn van een laa? van deeltjes van een di-electrische substantiet wederom de opname Van de stripvormige medium-toevoersectie 16, de transducer-opstelling 22, welke is opgenomen in het transducer-20 compartiment 70, bevattende gasvormig medium 68, met daarbij de ononderbroken toevoer ervan via de toevoer-leiding 34 en afvoer ervan via de afvoer-leiding 36.Figure 15 shows a strip-shaped part of the tunnel arrangement 10 and wherein in the upper tunnel block 12 behind a preceding tunnel portion, in which the use of a transducer arrangement has already been achieved. of particles of a dielectric substance, again the uptake of the strip-shaped medium supply section 16, the transducer arrangement 22, which is accommodated in the transducer compartment 70, containing gaseous medium 68, with its uninterrupted supply via the supply line 34 and discharge thereof via the discharge line 36.

Verder in het ondertunnelblok 14 de opname van opvolgende combinaties van de stripvormige toevoergroef 132 voor typisch 25 vloeibaar transfeemedium 138, de stripvormige afvoergroef 134 en de tussen-gelegen doorlaat-groeven 136 ten behoeve van het ondersteunen van de lineaire verplaatsing van de opvolgende kunstof-foliegedeeltes 58 door het tussen-gelegen tunnel-doorgangsgedeelte 140.Further, in the sub-tunnel block 14, the recording of successive combinations of the strip-shaped feed groove 132 for typically liquid transfer medium 138, the strip-shaped drain groove 134, and the intermediate passage grooves 136 for supporting the linear displacement of the subsequent plastic film portions 58 through the intermediate tunnel passage portion 140.

30 Verder in dit boventunnelblok achter deze transducer- opstelling de opname van de medium-afvoersectie 24.Further, in this upper tunnel block behind this transducer arrangement, the inclusion of the medium drain section 24.

Zulk een opstelling ten behoeve van het daarin opbouwen van een volgende micrometer hoge laag 42 van de deeltjes 46 van een vaste semiconductor substantie op zulk een reeds 35 opgebrachte laag 42 van deze substantie als deel van een semiconductor onderlaag van de opvolgende substraat-gedeeltes 26 en zulks onder het daarbij reeds in een voldoende mate plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze 28 opgebrachte lagen, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 15^.Such an arrangement for constructing therein a subsequent micrometer-high layer 42 of the particles 46 of a solid semiconductor substance on such a layer 42 of this substance already applied as part of a semiconductor lower layer of the subsequent substrate portions 26 and this while the leveling process of these 28 applied layers already takes place to a sufficient extent, as is shown very strongly in FIG.

Daar bij achter dit eerste tunnel-gedeelte de opname van een volgend tunnel-gedeelte, waarin eveneens de opname van 5 tenminste mede zulk een transducer-opstelling 22 ten behoeve van het mede daarmede plaatsvinden van een optimaal egalisatie-proces van deze totaal-laag, zoals eveneens sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 15®.In addition, behind this first tunnel section, the recording of a subsequent tunnel section, in which also the reception of at least partly such a transducer arrangement 22 for the co-therewith of an optimum equalization process of this total layer takes place, as is also shown greatly enlarged in Figure 15®.

Figuur 15^ toont verder sterk vergroot het begin-gedeelte 10 van deze tweede transducer 22 ter plaatse van het voorste membraam-gedeelte 74 en waar bij daaronder in het onder tunnel-blok 14 als alternatief geen opname in de bovenwand ervan van zulke opvolgende combinaties van toe- en afvoer-groeven van vloeibaar transfer-medium.Figure 15 ^ further shows greatly enlarged the start portion 10 of this second transducer 22 at the front membrane portion 74 and where below in the bottom tunnel block 14, as an alternative, no uptake in the upper wall thereof of such successive combinations of supply and discharge grooves of liquid transfer medium.

15 Verder daarbij in het transducer-compartiment 70 onderhouden van een geringe overdruk van het gasvormige medium ten behoeve van het daardoor onderhouden van een trillende aandruk-conditie van deze transducer op deze opgebrachte totaal-laag 42 van zulke deeltjes van een di-electrische 20 substantie ten behoeve van het tenminste bijdragen in zulk een optimaal egalisatie-proces .Furthermore, maintaining a low overpressure of the gaseous medium in transducer compartment 70 for the purpose of maintaining a vibrating pressure condition of this transducer on this applied total layer 42 of such particles of a dielectric substance for the purpose of at least contributing to such an optimal equalization process.

Figuren 15® en E tonen het begin-gedeelte van de semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel 10, bevattende nabij de ingang ervan de opslagrol 130 voor een 25 zeer lange, dunwandige kunststof-folie 58 als typisch een definitieve semiconductor onderlaag van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes 26 en middelen ten behoeve van het tijdens de werking ervan het verplaatsen ervan met behulp van de in de 30 bovenwand van het ondertunnelblok 14 tenminste plaatse lijk opgenomen opvolgende stripvormige toevoer-groeven 132 voor typisch gasvormig medium, zoals N2> met doorvoer ervan via een groot aantal naast elkaar gelegen medium-doorlaat-groeven 136 naarde stripvormige afvoer-groeven 134.Figures 15® and E show the initial portion of the semiconductor substrate transfer / treatment tunnel 10, including near its entrance the storage roller 130 for a very long, thin-walled plastic film 58 as typically a final semiconductor substrate of the subsequent, continuously moving substrate portions 26 therethrough and means for moving it during its operation by means of the successive strip-shaped supply grooves 132 for typical gaseous medium, such as N2, which are received at least locally in the upper wall of the sub-tunnel block 14 with passage thereof via a large number of adjacent medium-passage grooves 136 to the strip-shaped discharge grooves 134.

35 Verder daarbij de toepassing van de folie-geleiderol 138 tussen deze opslagrol 130 en de ingang 140 van deze tunnel-, opstelling.Furthermore, the use of the film guide roller 138 between this storage roller 130 and the entrance 140 of this tunnel arrangement.

Als een alternatief, zoals is aangegeven in de Figuur I5PAs an alternative, as indicated in Figure 15P

29 het opbrengen van de opvolgende folie-gedeeltes op de ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/ transfer-band 102, met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang van deze tunnel-opstelling, en welke is aangegeven 5 en omschreven in meerdere van de gelijktijdig met deze29, applying the subsequent film portions to the continuous metal semiconductor substrate carrier / transfer belt 102, with a roll arrangement near the entrance and exit of this tunnel arrangement, and which is indicated and described in several of the simultaneously with this

Octrooi-aanvrage ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager.Patent application Dutch patent applications filed by the applicant.

Figuur 16 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10. waarbij in het bóventuriheiblok 12 ervan de opname van een 10 tweetal opvolgende uitwisselbare stripvormige transducer-opstellingen.Fig. 16 shows a portion of the tunnel arrangement 10. wherein in its bóventuri pile block 12 the incorporation of two consecutive interchangeable strip-shaped transducer arrangements.

Daarbij met behulp van deze eerste transducer 22 het opbouwen van een tenminste nanometer hoge laag van . deeltjes 106 van typisch een tijdelijke , ver wijder bare hecht-15 substantie op de kunststof-folie 104 en met behulp van de tweede transducer-opstelling 22 op deze bewerkstelligde laag 106 van deze vloeibare deeltjes het opbrengen van deeltjes 46 van een di-electrische substantie onder tevens het daarmede plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze 20 opgebouwde laag 42, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 16^.Thereby, using this first transducer 22, building up an at least nanometer high layer of. particles 106 of typically a temporary, removable adhesive substance on the plastic film 104 and with the help of the second transducer arrangement 22 on this effected layer 106 of these liquid particles the application of particles 46 of a dielectric substance also including thereby a leveling process of this layer 42 built up, as shown to be greatly enlarged in Figure 16.

Figuur löC toont daarbii het met behulp van de stripvormige verwarmings-inrichting 62 smelten van deze laag 46.Figure 10C shows the melting of this layer 46 with the aid of the strip-shaped heating device 62.

Figuur 16C toont verder door een daarop-volgende afkoeling 25 van deze vloeibare laag 46 met behulp van de stripvormige afkoel-inrichting 64 de bewerkstelliging van een ultra'-vlakke micrometer hoge laag 46 in vaste vorm ervan op de nog vloeibare tijdelijke hechtlaag 106.Figure 16C further illustrates by subsequent cooling 25 of this liquid layer 46 using the strip-shaped cooling device 64 the realization of an ultra-flat micrometer high layer 46 in its solid form on the still liquid temporary adhesive layer 106.

Aan het einde van het totale semiconductot behandelings-30 proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes 16 vindt in een inrichting achter deze tunnel-opstelling het verwijderen van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes vanaf deze folie 104 plaats, met het vervolgens in een volgende inrichting verwijderen van de nog aanwezige vloeibare deeltjes 35 ervanaf, waarna door deling ervan in een volgende inrichting de bewerkstelliging van semiconductor chips met een di-electrische onderlaag ervan.At the end of the total semiconductor treatment process of these successive substrate sections 16, the subsequent semiconductor substrate sections are removed from this foil 104 in a device behind this tunnel arrangement, with subsequent removal in a subsequent device of the still present liquid particles 35, after which by dividing them into a subsequent device the realization of semiconductor chips with a dielectric bottom layer thereof.

Als een mogelijk alternatief de toepassing van een zodanige 30 vloeibare hecht-substantie, dat daarbij het navolgende: a) Zulk een typisch tenminste nanometer hoge laag hecht-substantie is definitief verankerd op deze kunststof-folie; en 5 b) Zulk een opgebrachte di-electrische laag is daarbij definitief verankerd op deze hecht-substantie.As a possible alternative the use of a liquid adhesive substance such that the following: a) Such a typically at least nanometer high layer of adhesive substance is permanently anchored on this plastic film; and b) Such a applied dielectric layer is thereby permanently anchored on this adhesive substance.

Verder als een moge lijk alternatief in plaats van zulk een di-electrische substantie de toepassing van een andere substantie, zoals een metalen substantie, ten behoeve van de 10 bewerkstelliging van een metalen onderlaag voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met een metalen onderlaag ervan.Furthermore, as a possible alternative instead of such a dielectric substance, the use of another substance, such as a metal substance, for the purpose of effecting a metal substrate for these successive semiconductor substrate portions, from which by dividing it the obtaining semiconductor chips with a metal base layer thereof.

Verder als een volgend mogelijk alternatief in plaats van 15 zulk een kunststof-folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende substraat-gedeeltes tijdens de verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling de toepassing van een metalen folie of een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transferband.Furthermore, as a next possible alternative instead of such a plastic film as a temporary semiconductor substrate of the subsequent substrate portions during its movement through this tunnel arrangement, the use of a metal foil or a continuous metal semiconductor substrate carrier / transfer belt .

20 Figuur 17 toont wederom de combinatie van zulk een tweetal opvolgende transducer-opstellingen 22, met daarachter de opname van de stripvormige verwarmings- en afkoel-inrichtingen 62 en 64, zoals reeds is aangegeven in de Figuur 16, en waarbij met behulp van de eerste transducer 22 25 de opbouw van zulk een di-electr ische laag onmiddellijk op de kunststof-folie 104, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 17^, onder het daarbij mede met behulp van de opvolgende trillingen van deze transducer, waarbij typisch het onderhouden van de combinatie van een snelle neerwaartse 30 verplaatsing, met daarbij een relatief grote tril- amplitude, en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing, met een relatief kleine tril-amplitude van de opvolgende transducer-trillingen, zoals mede is aangegeven in deze Figuur, het optimaal plaatsvinden van inwerking van deze 35 deeltjes 46 van zulk een substantie op de bovenlaag van deze folie 104.Figure 17 again shows the combination of such two successive transducer arrangements 22, followed by the accommodation of the strip-shaped heating and cooling devices 62 and 64, as already indicated in Figure 16, and with the aid of the first transducer 22 the construction of such a dielectric layer immediately on the plastic film 104, as is shown to a very large extent in Fig. 17, thereby also with the aid of the subsequent vibrations of this transducer, typically the maintaining the combination of a fast downward movement, with a relatively large vibration amplitude, and a subsequent slow upward movement, with a relatively small vibration amplitude of the subsequent transducer vibrations, as is also indicated in this Figure the optimum occurrence of the action of these particles 46 of such a substance on the upper layer of this foil 104.

Daarbij onder de daarop-volgende warmte-behandelings-inrichting 62 het omzetten van deze laag van vaste deeltjes 31 in een vloeibare laag, zoals eveneens sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 17B) en vervolgens na afkoeling ervan in de daarop-volgende afkoel-inrichting 64 het bewerkstelligen van een vaste conditie van deze opgebrachte laag 46 onder een 5 reeds in een voldoende mate verankering ervan op deze folie 104, zoals zeer sterk is aangegeven in de Figuur 17^.Thereby converting this layer of solid particles 31 into a liquid layer under the subsequent heat treatment device 62, as is also strongly shown in Fig. 17B, and then after cooling it into the subsequent cooling device 64, bringing about a fixed condition of this applied layer 46 under anchoring thereof to this film 104 to a sufficient extent, as is very strongly indicated in Figure 17.

Aldus het aan de uitgangs-zijde van deze tunnel-opstelling verkrijgen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in een inrichting daarachter door deling ervan de 10 bewerkstelliging van semiconductor chips met deze kunststof-onderlaag ervan.Thus, obtaining successive semiconductor substrate portions on the output side of this tunnel arrangement, from which in a device thereafter by dividing them the realization of semiconductor chips with this plastic substrate thereof.

Figuur 18 toont in de tunnel-opstelling 10 de uitwisselbare stripvormige onder-transduceropstelling 110, welke is opgenomen in het ondertunnelblok 14 en waarbij de transducer 15 ervan zich bevindt onder het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunnel-door gang.Figure 18 shows in the tunnel arrangement 10 the interchangeable strip-shaped under-transducer arrangement 110, which is included in the sub-tunnel block 14 and with its transducer 15 located below the central semiconductor treatment section of the tunnel-passage.

Daarbij gedurende het daarmede plaatsvinden van het tenminste bijdragen in een bepaald semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs 20 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 26,het typisch continue onderhouden van de aangegeven combinatie van een zeer laag-frequente pulseer-conditie met behulp van het ononderbroken opvolgend toe- en afvoeren van gasvormig medium 114 via het centrale medium toe- en afvoerkanaal 112 25 naar en vanaf het onder-transducercompartiment 120 en de in zulk een electrische trilling-opwekinrichting opgewekte electrische trillingen.Thereby during the occurrence of the at least contribution in a given semiconductor treatment process of the subsequent semiconductor substrate portions 26 continuously moving above it, the typical continuous maintenance of the indicated combination of a very low-frequency pulsing condition by means of continuous uninterrupted supply and discharge of gaseous medium 114 via the central medium supply and discharge channel 112 to and from the lower transducer compartment 120 and the electrical vibrations generated in such an electrical vibration generating device.

Figuur 19^ toont de opstelling in de tunnel-opstelling 10 van de combinatie van een stripvormige boven- transducer-30 opstelling 22, welke is opgenomen in het boventunnelblok 12, en de stripvormige onder-transduceropstelling 110, welke daaronder is opgenomen in het ondertunnelblok 14, ten behoeve van het met deze combinatie onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, 35 ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat- gedeeltes 26 onder de combinatie van een typisch zeer hoogfrequent trillende boven-transducer en een typisch hoogfrequent trillende onder-transducer.Figure 19 shows the arrangement in the tunnel arrangement 10 of the combination of a strip-shaped upper transducer arrangement 22, which is included in the upper tunnel block 12, and the strip-shaped lower transducer arrangement 110, which is included below in the sub-tunnel block 14 for the purpose of maintaining a semiconductor treatment process with this combination of the successive, continuously moving substrate portions 26 under the combination of a typically very high frequency vibrating upper transducer and a typical high frequency vibrating lower transducer.

3232

Figuur 19® toont daarbij nog een alternatieve uitvoering van deze transducer-opstellingen, met de onder-transducer 110 voorwaarts versprongen onder deze boven-transducer 22 ten behoeve van het daarmede typisch onderhouden van zulk een 5 semiconductor behandelings-proces onder een echter aangepaste conditie ervan.Figure 19® also shows an alternative embodiment of these transducer arrangements, with the lower transducer 110 offset forward under this upper transducer 22 for the purpose of typically maintaining such a semiconductor treatment process under a, however, modified condition thereof. .

Figuur 20 toont een uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 22, welke zich in dwarsrichting van de tunnel-opstelling 10 uitstrekt over tenminste het centrale 10 semiconductor behandelings-gedeelte van het boventunnelblok 12 en waarbij deze, in het compartiment 70 opgenomen transducer-opstelling bevattende een aantal, in dwarsrichting naast elkaar gelegen typisch cilindrische transducers 140,Figure 20 shows an interchangeable strip-shaped transducer arrangement 22 which extends transversely of the tunnel arrangement 10 over at least the central semiconductor treatment portion of the upper tunnel block 12 and wherein said transducer arrangement included in the compartment 70 includes a plurality of , typically cylindrical transducers 140 located adjacent to each other,

Figuren 20® en C, met een stripvormig dunwandig gedeelte van 15 de onderwand van het uitwisselbare transducerblok tenminste mede fungerend als de onder-electrode 144 ervan, en erboven een gemeenschappelijke boven-electrodeplaat 146, Figuur 20®, welke is aangeloten op een boven deze tunnel opgestelde electrische generator ten behoeve van de opwekking daarin van 20 de gewenst wordende electrische trilligen voor zulk een transducer.Figs. 20® and C, with a strip-shaped thin-walled portion of the bottom wall of the exchangeable transducer block, at least in part acting as its lower electrode 144, and above it a common upper electrode plate 146, Fig. 20®, which is connected to an above this tunnel generator electric generator for the generation therein of the desired electric vibrations for such a transducer.

Figuur 2lA toont in een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 beneden de uitwisselbare sripvormige transducer-opstelling 22, welke is opgenomen in het boventunnelblok 12, 25 in het ondertunnelblok 14 de opname van een eveneens uitwisselbare stripvormige onder-nokkenasopstelling 150 ten behoeve van het met behulp van deze combinatie onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-30 gedeeltes 26, met daarbij een typisch tenminste UHF tril- conditie van de boven-transducer 22 en een typisch HF tril-conditie van deze onder-nokkenasopstelling 150.Fig. 21A shows in a portion of the tunnel arrangement 10 below the interchangeable sripe-shaped transducer arrangement 22, which is included in the upper tunnel block 12, 25 in the lower tunnel block 14, the accommodation of an also interchangeable strip-shaped lower camshaft arrangement 150 for the purpose of maintaining a semiconductor treatment process of the subsequent, continuously moving substrate-portion portions 26 using this combination, with a typical at least UHF vibration condition of the upper transducer 22 and a typical HF vibration condition of this lower camshaft arrangement 150.

Figuur 21® toont verder nog een voorwaarts versprongen positie van deze nokkenas-opstelling 150 ten opzichte van 35 deze transducer-opstelling 22.Figure 21® further shows a forwardly offset position of this camshaft arrangement 150 relative to this transducer arrangement 22.

Figuur 2lC toont voor deze nokkenas-opstelling 150 de in radiale richting gescheiden opvolgende nokken 152, waarbij, gezien in deze richting, een aanzienlijke lengte en 33 een daarop-volgende geringe lengte ervan ten behoeve van het met behulp van de stripvormige drukplaat 154 daarmede opvolgend onderhouden van een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing van de 5 opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 26 onder het daarmede onderhouden van een bepaald semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere een reinigings-, ets-, strip- of spoel-proces van de bovenlaag ervan.Figure 2C shows, for this camshaft arrangement 150, the successive cams 152 separated in radial direction, wherein, viewed in this direction, a considerable length and a subsequent small length thereof for the purpose of succeeding with the aid of the strip-shaped pressure plate 154 maintaining a slow upward and a subsequent rapid downward displacement of the 5 successive continuous substrate portions 26 passing therewith while maintaining a particular semiconductor treatment process, such as a cleaning, etching, stripping, etc. or rinsing process of its top layer.

10 Figuur 2lD toont voor deze nokkenas-opstelling daarbij een geringe lengte en een daar op-volgende aanzienlijke lengte van zulke opvolgende nokken 152' ten behoeve van het met behulp van deze drukplaat 154 opvolgend onderhouden van een snelle opwaartse verplaatsing van deze erbovenlangs verplaatsende 15 substraat-gedeeltes en vervolgens een langzame neerwaartse verplaatsing ervan ten behoeve van het daarmede ondersteunen van een bepaald semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere het opbrengen van deeltjes van een semiconductor substantie op de bovenlaag ervan.Figure 2D shows a small length and a subsequent considerable length of such successive cams 152 'for this camshaft arrangement for the purpose of subsequently maintaining a rapid upward movement of this substrate moving along it with the aid of this pressure plate 154 portions and then a slow downward movement thereof for the purpose of supporting a particular semiconductor treatment process, such as, inter alia, the application of particles of a semiconductor substance to its upper layer.

20 Binnen het kader van de uitvinding is voor deze tunnel- opstelling elk ander toepasbaar semiconductor behandelings-proces onder tenminste mede de toepassing van zulk een stripvormige transducer-opstelling mogelijk en zoals onder andere is aangegeven en omschreven in de begaande Nederlandse 25 Octrooi-aanvrage No. 11 van de aanvrager.Within the scope of the invention, any other applicable semiconductor treatment process is possible for this tunnel arrangement, at least in part including the use of such a strip-shaped transducer arrangement, and as is indicated and described, inter alia, in the aforementioned Dutch Patent Application No. . 11 from the applicant.

10370621037062

Claims

1. Semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement, characterized in that it is designed such that it comprises means such that at the location of the central semiconductor treatment part thereof the accommodation of at least one strip-shaped medium supply device is provided for this purpose. during its operation, a continuous supply takes place in at least one strip-shaped supply part of the upper tunnel block, which extends at least mainly in its transverse direction, of the combination of typical low-boiling liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in its solid or liquid form including at least a capillary suction condition of the subsequent µm high strip-shaped upper slit section above the successive, continuously moving underneath successive semiconductor substrate portions.

2. Tunnel arrangement as claimed in claim 1, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that, for these successive semiconductor substrate portions, the use of at least a film uninterrupted during its operation as at least temporary semiconductor substrate.

Tunnel arrangement according to Claim 2, characterized in that said foil thereby consists at least of a metal substance.

4. Tunnel arrangement according to Claim 2, characterized in that said foil thereby consists at least of a plastic substance.

5. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that the supply of this combination of mediums takes place thereby under the combination of an at least substantially equal height of the negative pressure thereof. as that of the medium in this upper slit portion and moving the subsequent semiconductor substrate portions therebetween. 1037062

6. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprising means such that, in a preceding strip-shaped section at the location of at least this central semiconductor treatment part thereof, below this upper tunnel block the uninterrupted realization of a μπι height of the upper slit portion.

7. Tunnel arrangement as claimed in claim 6, characterized in that it is further embodied such and comprises means such that, in this strip-shaped section in the sub-gap section below, the continuous maintenance of such a considerable suction of medium under a such that the underpressure of the medium contained therein is such that the attainment of a maximum (sub) height of the subsequent under-split portion is achieved therein.

8. Tunnel arrangement as claimed in claim 7, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that the uninterrupted extraction of vapor and / or gaseous medium takes place in this sub-gap section. from this, under a considerable underpressure, that in the subsequent sub-gap section, mechanical contact of these successive semiconductor substrate sections with the sub-section of the sub-tunnel block below is effected.

9. Tunnel arrangement as claimed in claim 7, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that the continuous extraction of at least partly liquid medium therefrom takes place in this sub-gap section such that the subsequent slit portion being the effect of a (sub) pm height thereof.

10. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that the uninterrupted supply of this combination of low-boiling liquid carrier medium and particle semiconductor substance is carried out under at least substantially the same its pressure as that of the medium in the strip-shaped um high slit section below, typically an underpressure thereof.

11. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that the uninterrupted supply of this combination of low-boiling liquid carrier medium and particle semiconductor substance is under an overpressure thereof. relative to the pressure of the medium in the underlying strip-shaped upper slit section above the successive, continuously moving semiconductor substrate sections beneath it.

12. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that in a subsequent part of this upper tunnel block the accommodation of a strip-shaped transducer arrangement at the location of at least the central semiconductor treatment part thereof for the purpose of at least co-functioning as heat source for the evaporation of this low-boiling liquid carrier medium under a vibrating deposit of these particles of semiconductor substance on these successive semiconductor substrate parts moving underneath, with this block behind this transducer arrangement the inclusion of a strip-shaped discharge section for the continuous discharge of the evaporated medium.

Tunnel arrangement according to Claim 12, characterized in that it is further designed such that the use of an MHF transducer therein.

Tunnel arrangement according to Claim 12, characterized in that it is further designed such that the use of a UHF transducer is used therein.

15. Tunnel arrangement according to Claim 12, characterized in that it is further designed such that this transducer arrangement is thereby accommodated in a strip-shaped transducer compartment part of the upper tunnel block closed off from the outside air and wherein the lower electrode plate thereof forms part of the bottom wall of this block, with a membrane portion of this transducer arrangement around its transducer portion.

16. Tunnel arrangement as claimed in claim 15, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that, at least locally during its operation, the compartment also functions as a pressure chamber for the purpose of a layer -pulse pulsing of this transducer incorporated therein.

17. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising such means that during the operation thereof with the aid of this transducer the uninterrupted occurrence of the lifting of one located in front of it upper slit section adjacent parts thereof causes difference in displacement speed of this combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance continuously supplied therein.

18. Tunnel arrangement as claimed in claim 17, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that, partly with the aid of this transducer, the uninterrupted occurrence of the elimination of the parts of these adjacent to each other in front of the upper slit section caused a difference between the percentage of this liquid carrier medium and these particles of a semiconductor substance.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that, in the central semiconductor treatment section of the upper tunnel block, the inclusion of a large number of transverse channels adjacent to each other in the transverse direction thereof for this combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance, in at least the lower part of this block below these channels the accommodation of also a large number of transversely adjacent mini-cylindrical medium supply blocks; each comprising in its upper part 35 a cylindrical mediura passage channel with connection of each thereof to a corresponding medium supply channel and in the lower part of such a medium supply block the accommodation of an ultra narrow medium supply channel with a typical nanometer large diameter thereof as downward extension of such a medium pass channel.

20. Tunnel arrangement as claimed in claim 19, characterized in that it is furthermore designed such that on the upper tunnel block there is the pressure-tight attachment of a strip-shaped medium supply plate, with a narrow medium supply groove in its central intermediate part, which is connected via at least one medium supply line included in this plate to at least one supply device for this combination of liquid carrier medium and particle semiconductor substance.

Tunnel arrangement according to Claim 19, characterized in that it is further designed such that, in the bottom wall of these mini medium supply blocks, the accommodation of a typical nanometer-wide medium passage groove, which extends in the transverse direction of the tunnel passage.

Tunnel arrangement according to Claim 21, characterized in that it is further designed such that these grooves are located in line with each other.

Tunnel arrangement according to Claim 22, characterized in that it is furthermore designed in such a way that the lower wall of the upper tunnel block also accommodates ultra-narrow medium-pass grooves between these adjacent medium supply blocks which interconnect the grooves received therein.

24. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that, during operation thereof, it is effected under such a combination of inline juxtaposed mini-medium supply blocks. and then maintain a less than 10 µm, typically only 2-5 µm height, of the upper slit below it above the subsequent, continuous, semiconductor substrate sections moving underneath it. 35

Tunnel arrangement according to Claim 24, characterized in that it further comprises means such that the displacement speed of these successive semiconductor substrate sections is thereby also limited to a maximum of 2 ram / second.

Tunnel arrangement according to Claim 25, characterized in that it is further designed in such a way that, partly for this purpose, the width of the central semiconductor 5 treatment part of the tunnel passage is typically only 200 mm.

27. Tunnel arrangement as claimed in claim 26, characterized in that it further comprises means such that, during its operation, an uninterrupted supply of this combination of liquid medium and particles of a semiconductor substance, less than 5 mm. second and typically only about 2 mm Vseconds,

28. Tunnel arrangement as claimed in claim 27, characterized in that it further comprises means such that, for the purpose of effecting a nanometer-high layer of liquid adhesive substance on the subsequent semiconductor substrate portions moving through it, the use of a high percentage of this liquid carrier medium. typically 80%, in this combination thereof with these particles of substance in its liquid form.

29. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it further comprises means such that, with the aid of this transducer, the continuous occurrence of a penetration process of particles of this semiconductor substance into the semiconductor upper layer of this subsequent, continuously moving semiconductor substrate portions beneath it.

30. Tunnel arrangement as claimed in claim 29, characterized in that it further comprises means such that, with the aid of this transducer, the deposition of these particles of semiconductor substance on the central part of this semiconductor substrate moving underneath it also takes place without interruption sections.

Tunnel arrangement according to Claim 30, characterized in that it further comprises means such that, as with this semiconductor substance, the use of particles of a high-boiling liquid adhesive substance, after evaporation of the liquid carrier medium with by means of this transducer with discharge of the vapor formed via the subsequent strip-shaped medium discharge section in the upper tunnel block in the subsequent semiconductor treatment part thereof, the anchoring of the applied, typically nanometer-high layer of liquid adhesive substance on the semiconductor upper layer of of the subsequent semiconductor substrate portions moving therethrough.

Tunnel arrangement according to Claim 30, characterized in that it further comprises means such that, as with this semiconductor substance, the use of solid particles thereof after evaporation of the liquid carrier medium by means of this transducer with discharge of the vapor formed via the subsequent strip-shaped medium discharge section in the upper tunnel block and in subsequent strip-shaped sections the taking of an oven treatment and a subsequent cooling process thereof to obtain a pm high layer of this substance in solid shape, it is thereby also accomplished by anchoring this layer to the semiconductor top layer located below it of the subsequent semiconductor substrate portions moving along it.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that at least locally the use of liquid carrier medium and the combination of a liquid adhesive substance and nanometer-sized particles of a semiconductor substance in its solid form for the aid of a strip-shaped transducer arrangement in the upper tunnel block and also an uninterrupted occurrence of an anchoring process of this combination in the upper layer portion of the successive continuously moving semiconductor substrate portions along it.

Tunnel arrangement according to Claim 33, characterized in that it further comprises means such that, uninterruptedly, penetration of the combination of particles of semiconductor substance and adjacent particles under the initial portion of this transducer of this high boiling liquid adhesive substance in the nanometer high portion of the semiconductor upper layer of these semiconductor substrate portions.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that, at least locally below the starting part of such a transducer arrangement, the uninterrupted occurrence of an intrusion occurs. process of the combination of liquid carrier medium and solid particles of a semiconductor substance in a nm high top layer of a layer of particles of typically another semiconductor substance applied in a preceding part thereof, with no furnace treatment in a subsequent part and a subsequent treatment thereof -following cooling process thereof

36. Tunnel arrangement according to any one of the preceding claims, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that the use of an adhesive layer in a liquid condition thereof is used for such a semiconductor top layer.

37. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such and comprising means such that the use of an adhesive layer in a solid form thereof is provided for such a semiconductor top layer.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that, at the location of the rear part vafi, such a transducer arrangement is thereby also achieved a mechanical non-contact condition of such a semiconductor layer obtained therewith, with at least the upper tunnel block block portion 35 extending up to a subsequent strip-shaped semiconductor treatment portion of this tunnel arrangement.

39. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprises means such that above the central semiconductor treatment part of the upper tunnel block the accommodation of at least one mixing device for the continuous uninterrupted occurrence therein of the typically separately continuously supplied combination of at least these particles of a semiconductor substance and the liquid carrier medium.

Tunnel arrangement according to Claim 39, characterized in that it is further designed and comprises means such that, in this mixing device, uninterrupted mixing of the combination of particulate semiconductor substance and substance supplied separately therein liquid substance and this liquid carrier medium.

41. Tunnel arrangement as claimed in claim 39, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that in this mixing device the uninterrupted mixing of the separate feed of the combination of solid particles of a semiconductor substance and a liquid adhesive substance and this liquid carrier medium.

42. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that, with the aid of such a transducer in the upper slit portion below it, near its initial portion by the its vibrations and also the continuous occurrence of a smoothing process of such a combination of liquid carrier medium and at least particles of a semiconductor substance that are continuously supplied therein.

Tunnel arrangement according to Claim 42, characterized in that it is further designed and comprising means such that the uninterrupted occurrence of the following: a) the elimination of one in the upper crevice section in front of this transducer in transversely adjacent parts thereof cause difference in displacement speed of this combination supplied therein; and b) eliminating a difference effected in this preceding upper slit section between the percentage of said liquid carrier medium and at least particles of a semiconductor substance.

44. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied and comprises such means that the occurrence of such a device takes place above the upper tunnel block via a strip-shaped medium supply part of this block. an uninterrupted supply of this combination of liquid carrier medium and at least particles of a semiconductor substance under an overpressure thereof and whereby at least the upper slit portion to the preceding upper medium drain groove also included in this block 15 also becomes at least partially filled with this combination.

45. Tunnel arrangement according to Claim 44, characterized in that it further comprises means such that a part of this combination also ends up in this medium discharge groove as a buffer for it.

Tunnel arrangement according to Claim 45, characterized in that it further comprises means such that, by controlling this supply of this combination, at least virtually no unacceptable propulsion of a part thereof takes place via this medium discharge groove.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that, due to the very strong braking force of such a transducer arrangement, it is continuously interrupted by the upper slit portion below displacing combination of liquid carrier medium and at least particles of a semiconductor substance in combination with a sufficient dimension thereof in the longitudinal direction of the tunnel passage no displacement thereof takes place such that no part of this liquid carrier medium is thereby passed through the subsequent strip-shaped drain groove in the upper tunnel block is discharged in a still liquid condition.

Tunnel arrangement according to Claim 47, characterized in that it is further designed and comprises means such that at least locally in a number of subsequent upper treatment gap sections thereof the uninterrupted occurrence of at least one repetition of the structure of such a semiconductor layer using the same combination of media on such an already constructed semiconductor layer with typically also such an anchoring process of 10 particles of the semiconductor substance on this already applied layer.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that at least locally in a number of subsequent upper slit sections thereof the uninterrupted occurrence of the construction on such a semiconductor layer of a subsequent semiconductor layer using the combination of such a liquid carrier medium with, however, particles of a different semiconductor substance.

50. Tunnel arrangement according to any one of the preceding claims, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that in the strip-shaped portion of the upper tunnel block at the location of the transducer arrangement contained therein in the upper wall portion of the sub-tunnel block at least partly including the longitudinal direction of the tunnel passage of a number of combinations of a strip-shaped feed groove extending in transverse direction with connection thereto of typically a number of feed channels in this block for typical gaseous or thin-liquid transfer medium and a subsequent drain groove with typically also a number of discharge channels for this transfer medium and a large number of adjacent medium-pass grooves therebetween.

Tunnel arrangement according to Claim 50, characterized in that it further comprises means such that, via this feed, grooves continuously interrupting this transfer medium along the successive semiconductor substrate sections continuously moving through this tunnel passage under a sufficiently high its thrust thereon in its direction of displacement, including a sufficient magnitude with respect to the considerable braking force of maintaining the vibrating semiconductor treatment medium by such a tranducer arrangement, comprising the combination of liquid carrier medium, whether or not evaporated, and semiconductor particles substance in the upper slit below.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied and comprises such means that therein the use of a metal foil as at least temporary semiconductor substrate for the subsequent, continuously moving semiconductor substrate through it sections.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises such means that therein the use of a plastic film as a semiconductor substrate for these subsequent semiconductor substrate sections.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that the use of a plastic film as at least temporary semiconductor substrate 25 for these successive semiconductor substrate sections is thereby involved.

Tunnel arrangement according to Claim 54, characterized in that it is further designed in such a way that this film is thereby reinforced with typically an intermediate layer of metal.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that, during the operation of this transducer, it also functions as a strip-shaped low-frequency pulsed pressure wall.

Tunnel arrangement according to Claim 56, characterized in that it further comprises means such that, during its operation, at least temporarily maintaining the vibration condition in its lower pulsing position.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that, in the lower vibrating position of this transducer, the 5 µm high slit portion effected below occurs a penetration process of particles of the semiconductor substance onto the top layer of the continuous semiconductor substrate portions moving along it.

Tunnel arrangement according to Claim 58, characterized in that it further comprises means such that, in the upper pulsing position of this vibrating transducer, an effect was achieved at the rear portion thereof in the upper slit portion below (sub) pm high layer of these particles and with above them a relatively high layer of almost exclusively the liquid carrier medium, converted into vaporous medium.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that at the location of the membrane section of this transducer arrangement at the end portion thereof a maximum height of the upper slit portion located below for optimum discharge of the vapor formed from the liquid carrier medium and effecting a typical (sub) aim high layer of these particulate semiconductor substance in solid or liquid form thereof.

61. Tunnel arrangement as claimed in claim 60, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that a layer of these particles in their solid form is achieved as a typical pm high adhesive layer for the purpose of in a subsequent section a substantially thicker layer of particles of the same semiconductor substance to be applied thereto.

Tunnel arrangement according to Claim 60, characterized in that it is further designed and comprising means such that the layer of particles in liquid form thereof is protected and acts as a typical nanometer-high adhesive layer for the purpose of a subsequent portion thereof to be applied therein a high layer of solid particles from another solid semiconductor substance.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that the first continuous semiconductor film moving on such a continuous through it as a temporary semiconductor substrate of said successive semiconductor semiconductor layer applied to substrate portions contains particles of a semiconductor substance in its solid form.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprising means such that the first continuous semiconductor film moving through such a continuous through it as a final semiconductor substrate of said successive semiconductor semiconductor layer applied to substrate portions contains particles of a semiconductor adhesive substance in its liquid form.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that, at the location of its exit, successive semiconductor substrate sections from which are incorporated in one behind it are realized. device by dividing it by obtaining 25 semiconductor chips.

Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that therein the possible application of several of the semiconductor designs and means of the semiconductor installations, - tunnel arrangements and - establishments which are indicated and described in the supplementary Dutch Patent Applications submitted by the applicant at the same time as this Patent Application.

Tunnel arrangement according to Claim 66, characterized in that it is further designed and comprising means such that the semiconductor designs and means thereof can also possibly be used in the semiconductor installations, - tunnel arrangements and devices, which are indicated and described in these Dutch Patent Applications submitted simultaneously by the applicant,

68. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that therein therein the possible application of semiconductor designs, means and substances, which are already generally used in the 10 existing semiconductor installations, in which subsequent semiconductor modules thereof are used for the production of typically substantially cylindrical semiconductor substrates, from which the production of semiconductor chips is achieved through their division.

69. Method of a semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement, characterized in that, as therein, at the location of the central semiconductor treatment portion thereof, the accommodation of at least one strip-shaped medium feed device, the operation of an uninterrupted supply to a strip-shaped supply portion of the upper tunnel block, which extends at least substantially transversely thereof, of the combination of typically low-boiling liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in solid and / or liquid form thereof under at least a capillary suction condition of the µm high strip-shaped upper slit section above the successive, continuously moving, successive semiconductor substrate sections underneath it.

70. A method according to claim 69, characterized in that the continuous displacement through this tunnel arrangement of these successive semiconductor substrate sections takes place with the use of at least one continuous film as at least 35 temporary semiconductor substrate.

A method according to Claim 70, characterized in that the metal foil acts as an at least temporary semiconductor substrate.

A method according to Claim 70, characterized in that the plastic film acts as at least a temporary semiconductor substrate.

73. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that, as in this tunnel arrangement, the use of a metal carrier / transfer belt with a roller arrangement near its entrance and exit, and thus during its operation, uninterrupted movement takes place of at least partly the subsequent foil sections applied thereto.

74. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the uninterrupted supply of this combination of mediums takes place under the combination of an at least substantially equal height of its pressure as that of the medium in this upper slit portion of the tunnel passage and moving the subsequent semiconductor substrate portions below it.

75. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that in a preceding strip-shaped section at the location of at least this central semiconductor treatment part thereof below this upper tunnel block, the continuous realization of a jim height of the upper slit part.

A method according to Claim 75, characterized in that, in this strip-shaped section in the sub-gap section 25 below, the continuous maintenance of such a considerable suction of medium under such a high underpressure of the medium present therein that it is effected therein of a maximum (sub), um height of the subsequent under-split part.

A method according to Claim 76, characterized in that, in this sub-gap section, co-extraction of vapor and / or gaseous medium therefrom takes place in such a way that under a considerable negative pressure thereof, that in the subsequent sub-gap section 35 have achieved mechanical contact of these successive semiconductor substrate portions with the portion of the sub-tunnel block below.

78. A method as claimed in Claim 76, characterized in that the uninterrupted suction of at least partly liquid medium takes place in this under-cracked part in such a way that in the subsequent under-cracked part the (sub) pm height is achieved of it.

79. A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that the continuous supply of this combination of low-boiling liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance under at least substantially the same pressure as that of the medium in the subjacent strip-shaped pm high upper slit section, typically an underpressure thereof.

80. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the uninterrupted supply of this combination of low-boiling liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance under an overpressure thereof with respect to the pressure of the medium below upper strip slit section above the successive, continuously moving semiconductor substrate sections beneath it.

81. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in this case in a subsequent part of this upper tunnel block, the incorporation of a strip-shaped transducer arrangement at the location of at least its central semiconductor treatment part thereof, its at least co-functioning as heat source for thereby evaporating this low-boiling liquid carrier medium under a vibrating deposit of at least these particulate semiconductor substance on these successive, continuously moving semiconductor substrate sections along it, with thereby a continuous discharge of the evaporated medium in a behind this transducer arrangement included strip-shaped drain section in this block.

82. A method according to Claim 81, characterized in that the continuous maintenance of a vibrating condition of an MHF transducer incorporated therein.

A method according to Claim 81, characterized in that the continuous maintenance of a vibrating condition of a UHF transducer incorporated therein.

A method according to Claim 81, characterized in that the transducer arrangement is thereby sealed off from the outside air by its inclusion in a strip-shaped transducer compartment portion of the upper tunnel block and the lower electrode plate thereof being part of the bottom wall of this block, with a membrane portion of this transducer arrangement around its transducer portion.

85. A method according to Claim 84, characterized in that at least locally during the operation of the tunnel arrangement, this compartment also functions as a pressure chamber for the purpose of also taking place a low-frequency pulsing of this transducer incorporated therein. .

86. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during the operation of the tunnel arrangement with the aid of this transducer the uninterrupted occurrence of the lifting of a portion thereof located next to each other in the preceding upper slit section difference in speed of movement of this combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance continuously supplied therein.

87. A method according to Claim 86, characterized in that, also with the aid of this transducer, the uninterrupted occurrence of the elimination of the difference of the percentage of this upper gap section effected in these adjacent portions of this superimposed upper slit section combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance present therein.

88. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the uninterrupted occurrence of the supply of this combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance via a large number of transverse tunnel block treatment portion of the upper tunnel block in the central semiconductor 35 adjacent channels for this combination.

A method according to Claim 88, characterized in that such a supply of this combination is effected via a large number of mini-cylindrical medium supply blocks located adjacent to each other in at least the lower part of this block under these channels, each containing in the upper portion thereof has a cylindrical medium passage channel with connection of each thereof to a corresponding medium supply channel.

A method according to Claim 89, characterized in that the uninterrupted occurrence of this combination of liquid carrier medium and particles from a semiconductor substance to the underlying semiconductor upper slit portion via an ultra-narrow medium supply channel with a typical nanometer large diameter as downwardly extended from such a medium pass channel.

91. A method according to Claim 90, characterized in that there in the uninterrupted supply of this combination via a strip-shaped media supply plate pressure-tightly mounted on the upper tunnel block, with a narrow medium supply groove in the central intermediate part, which via at least one medium supply channel included therein is connected to at least one supply device,

92. A method as claimed in Claim 91, characterized in that therein when supplying this combination to the upper slit below it takes place via a typical nanometer-wide medium passage groove which is accommodated in the bottom wall of these mini medium supply blocks and which 25 extends transversely of the tunnel passage.

A method according to Claim 92, characterized in that, in the case of such a medium supply, there takes place via in-line adjacent grooves thereof.

A method according to Claim 93, characterized in that such a medium supply is also effected via ultra-narrow medium-pass grooves located in the bottom wall of the upper tunnel block between these adjacent mini-medium supply blocks, which interconnect the medium feed grooves included therein.

A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that during the operation of the tunnel arrangement with the aid of this transducer arrangement as pressure wall of the transducer compartment under such a combination of in-line adjacent miniature media supply blocks have been accomplished and then at least temporarily maintained at a less than 10 µm, typically only 2-5 µm, height of the upper slit below, above the subsequent, continuous semiconductor substrate portions moving therebetween.

96. A method according to Claim 95, characterized in that thereby by at least locally also maintaining an LF pulsing condition of such a transducer, the subsequent effecting and at least temporarily maintaining a considerably higher height of this upper slit portion.

97. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the displacement speed of these successive semiconductor substrate parts is limited to a maximum of 2 mm / second, partly due to such a pm high top gap portion.

98. A method according to Claim 97, characterized in that, among other things, the central semiconductor treatment part of the tunnel passage is limited thereto to typically only 200 mm.

99. A method according to Claim 97, characterized in that during the operation of the tunnel arrangement the uninterrupted supply of this combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance is less than 5 rams and typically only about 2 mm3 / second.

100. A method according to Claim 99, characterized in that the use of a high percentage of said liquid carrier medium, typically approximately 80 for the purpose of effecting a nanometer-high layer of liquid adhesive substance on the subsequent semiconductor substrate portions moving therethrough. %, in this combination thereof with these particles of semiconductor substance, also in its liquid form.

A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, with the aid of this transducer, the continuous occurrence of a penetration process of particles of this semiconductor substance into the semiconductor upper layer of these successive, continuously moving semiconductor substrate sections along it.

102. A method according to Claim 101, characterized in that, with the aid of this transducer, there is also uninterrupted deposition of these particles of semiconductor substance on the central part of these semiconductor substrate sections moving along it.

103. A method according to Claim 102, characterized in that for this semiconductor substance the use of particles of a high-boiling liquid adhesive substance and wherein after evaporation of the liquid carrier medium with the aid of this transducer, with the vapor formed being discharged via the subsequent strip-shaped medium discharge section 15 in the upper tunnel block, in its subsequent semiconductor treatment section, the anchoring of the applied, typically nanometer-high layer of this adhesive substance in its typically still liquid state to the semiconductor upper layer of the successive semiconductor substrate portions moving beneath it.

104. A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that furthermore in this tunnel section at least locally the use of liquid carrier medium and the combination of a liquid adhesive substance and typically 25 nanometer large particles of a semiconductor substance in its solid form are present. for this purpose, with the aid of such a strip-shaped transducer arrangement in the upper tunnel block, an anchoring process of this combination also takes place uninterruptedly in the upper layer portion of the subsequent, continuously moving semiconductor substrate portions alongside it.

Method according to Claim 104, characterized in that, under the initial part of this transducer, the vibration thereof causes the continuous occurrence of penetration of the combination of particles of semiconductor substance and adjacent particles of said high-boiling liquid adhesive substance into the nanometer-high portion of the semiconductor upper layer of these semiconductor substrate portions.

106. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that further therein at least locally below the starting part of this transducer arrangement the uninterrupted occurrence of a penetration process of the combination of liquid carrier medium and solid particles of a semiconductor substance in a superimposed top layer of a layer of particles of typically another semiconductor substance applied in a preceding portion thereof, with no subsequent furnace treatment and subsequent cooling process occurring in a subsequent portion thereof.

107. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as for this semiconductor substance, the use of solid particles thereof, after evaporation of the liquid carrier medium with the aid of this transducer, with discharge of the formed vapor via the subsequent strip-shaped medium discharge section in the upper tunnel block and in subsequent strip-shaped sections, the uninterrupted occurrence of an oven treatment and a subsequent cooling process thereof, thereby obtaining a µm high layer of this substance in its solid form, thereby also effected from anchoring this layer on the semiconductor top layer located below it of the successive semiconductor substrate sections moving below it.

108. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, for such a constructed semiconductor top layer, the use of an adhesive layer in a liquid condition thereof is used.

A method according to any one of the preceding claims, characterized in that for such a semiconductor top layer there is the use of an adhesive layer in its solid form.

110. A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that at the rear part of such a transducer arrangement it is thereby also achieved a mechanically contactless condition of such a semiconductor layer obtained therewith, with at least the the upper tunnel block portion located above it extends to a subsequent strip-shaped semiconductor treatment portion of this tunnel arrangement.

111. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that above the central semiconductor treatment part of the upper tunnel block the incorporation of at least one mixing device, with an optimum mixing of at least the continuously uninterrupted feed therein taking place therein. particles of a semiconductor substance and the liquid carrier medium.

112. A method according to Claim 111, characterized in that the continuous mixing of a combination of particles of a semiconductor substance and a liquid substance and said low-boiling liquid carrier medium takes place in this mixing device.

113. A method according to Claim 111, characterized in that the continuous mixing of the separately supplied combination of solid particles of a semiconductor substance and a liquid adhesive substance and this liquid carrier medium takes place in this mixing device.

114. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that thereby with the aid of such a transducer in the upper slit portion located near the start portion thereof due to its vibrations generated therewith the equalization process also takes place uninterruptedly of such a continuous supply of liquid carrier medium and at least particles of a semiconductor substance.

115. A method according to Claim 114, characterized in that, for this purpose, with the aid of this transducer the uninterrupted occurrence of the following: a) the elimination of parts thereof situated in the upper slit section in front of this transducer in the transverse direction and adjacent to one another difference in the speed of movement of this combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance supplied therein; and b) eliminating a difference effected in this preceding upper slit section between the percentage of said liquid carrier medium and at least these particles of a semiconductor substance.

116. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the continuous supply of this combination of liquid carrier medium and at least particles of particles from such a mixing device above the upper tunnel block via a strip-shaped medium supply section of this block takes place. a semiconductor substance under an overpressure thereof and whereby at least the upper slit portion to the preceding strip-shaped medium discharge groove included in this block also becomes at least partially filled with this combination as a buffer for it.

117. A method according to Claim 116, characterized in that, by controlling this supply of this combination of mediums, at least virtually no unacceptable propulsion of a part thereof takes place via this medium discharge groove.

118. A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that, due to the strong deceleration force of such a transducer arrangement, the combination of liquid carrier medium and at least particles of a semiconductor substance in combination is moved continuously through the upper slit portion below it. with a sufficient dimension thereof in the longitudinal direction of the tunnel passage no displacement thereof takes place such that no part of at least this liquid carrier medium is discharged in its still liquid condition via the subsequent strip-shaped discharge groove in the upper tunnel block.

119. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the continuous occurrence of at least one repetition of the construction of such a semiconductor layer using at least locally in a number of 30 successive upper treatment sections of this tunnel arrangement of mediums on such a semiconductor layer that has already been built up, with such an anchoring process of particles of the semiconductor substance on this layer that has already been applied.

120. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that at least locally in a number of successive upper slit sections the uninterrupted occurrence of the build-up on such a semiconductor layer already built up of a following semiconductor layer is applied using the combination of such a layer. a liquid carrier medium with, however, particles from another semiconductor substance.

121. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as at least locally in a strip-shaped part of the upper tunnel block, the accommodation of a transducer arrangement and in the upper wall part of the sub-tunnel block at least partly below it, the recording in the longitudinal direction of the tunnel passage of a number of combinations of a strip-shaped feed groove extending transversely thereto with connection thereto of typically a number of feed channels in this block for typically gaseous or thin-liquid transfer medium and a subsequent drain groove with also typically a number of drain channels for this transfer medium and a a large number of adjacent medium-pass grooves between them, during the operation of this tunnel arrangement the continuous transfer of this transfer medium through it takes place,

122. A method according to Claim 121, characterized in that the continuous driving of this transfer medium underneath the subsequent semiconductor substrate parts moving through this tunnel passage under this supply under a sufficiently high thrust thereto in the direction of movement thereof via this feed. takes place with a sufficient magnitude relative to the considerable braking force of maintaining the vibrating semiconductor treatment medium by such a transducer arrangement, comprising the combination of evaporated or non-evaporated liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in the semiconductor substance. upper slit below.

123. A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that, as in this tunnel arrangement, the use of a metal foil as at least temporary substrate of the subsequent semiconductor substrate portions, thereby maintaining uninterrupted movement thereof through the tunnel passage .

124. A method according to any one of the preceding claims, characterized in that, as in this tunnel arrangement, the use of a plastic film as the final lower layer of the subsequent semiconductor substrate sections contributes therewith to maintaining uninterrupted displacement. through the tunnel passage.

125. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in this tunnel arrangement, the use of a plastic film as at least a temporary bottom layer of the subsequent semiconductor substrate sections and wherein it is reinforced with typically an interlaced metal, thereby supporting at least the uninterrupted movement of these substrate sections through the tunnel passage.

126. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, during the operation of this transducer, it also functions as a strip-shaped pressure wall, with at least temporarily also maintaining a low-frequency pulsing condition thereof.

127. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that in the lower pulsing position of this transducer in the yum high upper gap portion effected below, the penetration process of particles of the semiconductor substance into the upper layer takes place. of the continuous semiconductor substrate portions moving underneath.

127. A method according to Claim 126, characterized in that, during the operation of this transducer, at least temporarily maintaining the vibration condition in its lower pulsing position.

128. A method according to Claim 127, characterized in that in the upper pulsing position of this vibrating transducer at the rear portion thereof in the upper slit portion below it, a (sub); layer of these particles and with above it a relatively high layer of almost exclusively the liquid carrier medium, converted into vaporous medium.

129. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that, as at the location of the membrane portion of this transducer arrangement at the location of the end portion thereof, a maximum height of the upper slit portion below it, during operation its continuous uninterrupted occurrence of the vapor formed from the liquid carrier medium.

130. A method according to Claim 129, characterized in that a typical (sub) pm high layer of these particles of semiconductor substance in solid or liquid form thereof is achieved thereby.

131. A method according to Claim 130, characterized in that when a layer of these particles is obtained in its solid form as a typically pm high first layer for the purpose of a substantially thicker layer to be applied thereto in a subsequent section layer of particles of the same semiconductor substance.

132. A method according to Claim 130, characterized in that a layer of particles in liquid form thereof is thereby established and acts as a typical nanometer-high adhesive layer for the purpose of applying a pm high layer to be applied thereto in a subsequent part thereof. solid particles from another solid semiconductor substance.

133. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that in such a continuous semiconductor film moving through this tunnel arrangement as a temporary semiconductor substrate of these successive semiconductor substrate parts, the uninterrupted occurrence of the in a strip-shaped medium applying the upper tunnel block supply section thereto of the combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in its solid form.

134. A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that on such an uninterrupted continuous film moving through it as a final semiconductor substrate of said successive semiconductor substrate portions the continuous occurrence of application of particles of a semiconductor adhesive substance in liquid form of it.

135. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that in this tunnel arrangement at the location of its exit, successive semiconductor substrate portions are obtained, from which in a device arranged behind it the semiconductor can be obtained by dividing it potato chips.

136. A method according to any one of the preceding claims, characterized in that during the operation of the tunnel arrangement, the movement of the typically continuous plastic film is effected by means of a metal semiconductor substrate carrier / transfer belt with a roll arrangement. before its entrance and exit. 15

137. A method according to any one of the preceding claims, characterized in that, in addition to this tunnel arrangement, the possible application of several of the methods of the semiconductor installations, tunnel arrangements and devices, indicated and described in the The applicant submits additional Dutch Patent applications submitted simultaneously with this Patent Application.

A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that it is also possibly applicable in these semiconductor installations, tunnel arrangements and devices.

139. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that for this tunnel arrangement the possible application of semiconductor methods, which are already generally applied in the existing semiconductor installations, wherein in subsequent semiconductor modules thereof the production takes place of typically substantially cylindrical semiconductor substrates, from which, by dividing them, the establishment of semiconductor chips. 1077062