NL1037067C2 - Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel ten behoeve van het daarin tenminste mede plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat gedeeltes. - Google Patents

Description

Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel ten behoeve van het daarin tenminste mede plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor 5 substraat-gedeeltes.

Semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve het daarin tijdens de werking ervan tenminste mede ononderbroken plaatsvinden van opvolgende 10 semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan tenminste mede meerdere combinaties van het navolgende: 15 a) een stripvormige medium toevoer-inrichting in het boventunnelblok ervan; b) gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende substraat-gedeeltes een daarop-volgende stripvormige semiconductor behandelings-inrichting, welke 20 zich uitstrekt in dwarsrichting van dit centrale behandelings-gedeelte; en c) een daarop-volgende stripvormige medium afvoer:-inrichting in dit blok.

Daarbij het ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: 25 a) toevoer van semiconductor behandelings-medium naar zulk een medium toevoer-inrichting; b) een daarop volgend semiconductor behandelings-proces in een stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte ermede; en 30 c) afvoer van het afgewerkte medium via deze medium afvoer-inrichting.

Verder tenminste plaatselijk in deze tunnel-ops tel ling via zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok, het plaatsvinden van 35 een ononderbroken toevoer van de combinatie van verdampbaar vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vloeibare of vaste vorm ervan.

Tevens tenminste plaatselijk het in zulk een semiconductor behandelings-gedeelte het ononderbroken 1037067 2 plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van een mede daartoe bewerkstelligd ononderbroken erdoorheen verplaatsen van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes eronderlangs.

5 Daartoe vindt in een daarop volgende stripvormige verwarmings-inrichting, welke is opgenomen in dit boventunnelblok , verdamping van dit draagmedium plaats onder neerslag van deze deeltjes semiconductor substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-10 gedeeltes.

Daarbij tevens een toenemende hoogte onder deze verwarmings-inrichting tot typisch deze medium afvoer-sectie ten behoeve van een optimale afvoer van het bewerkstelligde dampvormige medium.

15 Verder ter plaatse een gewenst wordende uiterst geringe hoogte van de stripvormige bovenspleet-sectie boven deze eronderlangs verplastsende opvolgende substraat-gedeeltes ten behoeve van in het bijzonder bijdragen in de bewerkstelliging van een in voldoende mate gelykmatige 20 nanometer hoogte van de opgebrachte laag van een semiconductor substantie.

Daarbij is het noodzakelijk, dat zulk een toevoer van deze combinatie in voldoende mate gelykmatig geschiedt over de gehele breedte van deze medium toevoer-inrichting, 25 gezien in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling.

Deze inrichting bestaat dan ook tenminste mede uit een stripvormige, in dwarsrichting uitstrekkende metalen typisch cilindrische toevoersectie, welke zich op een voldoend grote afstand bevindt boven dit boventunnelblok, 30 met eronder een daarmede gekoppelde metalen stripvormige medium toevoersectie, welke zich benedenwaarts uitstrekt tot zulk een bovenspleet-sectie.

Verder bestaat deze medium toevoersectie uit een tweetal met elkaar gekoppelde metalen, tegen elkaar 35 gelegen gedeeltes ervan en waarbij in één van deze plaat-gedeeltes de opname van een groot aantal, gezien in de dwarsrichting ervan, naast elkaar gelegen medium toevoer-groeven met daarbij moge lijk relatief grote afmetingen 3 ervan, welke typisch via een gemeenschappelyk toevoer-gedeelte verbonden zijn met deze erboven gelegen cilindrische toevoersectie en zich benedenwaarts uitstrekt tot de bovenzijde van deze stripvormige medium-toevoer-5 sectie in dit boventunnelblok.

Zulke relatief grote groef-afmetingen zijn mede mogelyk door de daaronder aanwezige, relatief hoge te vullen bovenspleet-sectie boven deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor 10 substraat-gedeeltes, met een hoogte ervan, welke typisch meer dan 0,1 mm bedraagt.

Aldus vindt bij grotere afmetingen van deze groeven zulk een aanzuigen door deze, zich eronder bevindende bovenspleet-sectie tenminste mede onder capillaire 15 aanzuigkracht plaats.

Tevens daarbij een mogelijke gelijkmatige spreiding van dit toegevoerde medium over deze spleetsectie in dwars-richting ervan tussen deze naast elkaar gelegen groeven met een mogelyke tussenafstand van typisch meer dan 2 mm. 20 Bij zulk een 0,1 mm hoogte van deze bovenspleet-sectie met slechts een op te brengen laaghoogte van byvoorbeeld 20 pm voor de deeltjes semiconductor substantie daarby de mogelijke gunstige meng-verhouding van 4 : 1 voor deze combinatie van voelbaar draagmedium en deze deeltjes.

25 Bij een 10 pm benodigde hoogte van deze opgebrachte deeltjes zelfs de mogelijke meng-verhouding van 9 : 1 voor deze combinatie.

In een gunstige uitvoering van deze toevoer-inrichting is deze met behulp van tenminste mede een schroefbout-30 verbinding uitwisselbaar en drukdicht vastgezet op dit boventunnelblok.

Op het bovengedeelte van deze typisch cilindrische medium-toevoersectie is daarbij tenminste één centrale en mogelijk meerdere toevoer-inrichtingen voor de combinatie 35 van zulk een vloeibaar draagmedium en deeltjes van een metalen of vloeibare substantie aangesloten en waarbij reeds een bepaalde meng-verhouding ervan.

Verder ia in deze cilindrische toevoersectie een 4 tenminste tijdens de werking van deze tunnel-op stel ling verdraaiende nokkenas-opstelling opgenomen, welke zich aan één zijde tot buiten deze centrale semiconductor behandelings-sectie uitstrekt en gekoppeld is aan een 5 inrichting ten behoeve van het tenminste met een laag aantal omwentelingen per minuut verdraaien ervan.

Door deze verdraaiende nokkenas vindt daarbij een optimaal gelijkmatige menging van deze combinatie mede in dwarsrichting van deze cilindrische toevoersectie plaats, 10 waardoor een reeds in een voldoend gelijkmatige toevoer ervan naar deze naast elkaar gelegen medium toevoer-groeven is gewaarborgd.

Zulk een ononderbroken, in voldoende mate gelijkmatige medium-toevoer naar de zich eronder bevindende stripvormige 15 bovenspleet-sectie wordt daarbij tenminste mede bewerkstelligd door het navolgende: 1. de ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, met de geringe verplaatsings-snelheid ervan·van typisch 2 mm per 20 seconde; 2. de hoog-capillaire aanzuigkracht door de μη hoge bovenspleet-sectie; 3. de gelijkmatige toevoer van uitsluitend de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes semiconductor 25 substantie in vloeibare of vaste vorm ervan; 4. de verticale benedenwaartse verplaatsing van deze combinatie via het grote aantal naast elkaar gelegen urn brede groeven; en 5. een overdruk van deze combinatie van mediums in dit 30 cilindrische toevoer-gedeelte ten opzichte van de druk van het medium in deze bovenspleet-sectie.

In dit boventunnel blok bevindt zich daarbij onder dit medium-toevoerblok een um hoog stripvormig medium toevoer-compartiment , waarin deze groeven uitmonden.

35 Zulk een medium toevoer-inrichting is daarbij tevens in het bijzonder geschikt voor de toevoer van de combinatie van laag kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare hechtsubstantie of deeltjes van een vloeibare 5 semiconductor behandelings-substantie, zoals reinigings-, ets-, strip-, of spoel-medium ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandeling in de eronder gelegen stripvormige bovenspleet-sectie.

5 In een andere gunstige uitvoering van deze toevoer- inrichting voor de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan is daarbij zulk een stripvormig medium-tovoerblok in een onder-gedeelte van het 10 boventunnelblok of het boven-gedeelte van het onder-tunnelblok opgenomen.

Door de toepassing van slechts jim grote afmetingen van de meerdere naast elkaar gelegen medium-toevoergroeven in dit blok zijn de afmetingen in hoogterichting ervan eveneens 15 zeer beperkt, typisch minder dan 50 mm.

Zoals deze groeven eveneens zijn opgenomen in de opstaande zijwand van één van deze beide toevoer-blokgedeeltes, zijn de opstaande zijwanden van dit blok optimaal evenwijdig met elkaar, met slechts een urn grote afwijking ervan.

20 Tevens heeft de daarmede corresponderende uitsparing in zulk een tunnelblok zodanige afmetingen, dat daarbij dit medium-toevoerblok daarin onder een perspassing typisch tenminste langdurig is verankerd.

Daarbij tevens plaatselijk de ideale toepassing van zulk 25 een mini medium-toevoerblok in het ondertunnelblok. met daarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van uitsluitend vloeibaar medium in een dunvloeibare toestand ervan ten behoeve van het daarmede in een daarop volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling onderhouden van een 30 optimaal gelijkmatige jum hoogte van de opgebrachte laag tussen het ondertunnelblok-gedeelte en de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met de ononderbroken band of folie als typisch een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

35 Verder tenminste plaatselijk in deze tunnel-opstelling na zulk een medium toevoer-inrichting in het boventunnelblok met behulp van tenminste mede een overdruk van het toegevoerde medium ten opzichte van de druk van het 6 medium onder deze opvolgende band-gedeeltes het onderhouden van een mechanisch contact van deze opvolgende band-gedeeltes met de bovenwand van het ondertunnelblok ten behoeve van in de zich erboven bevindende stripvormige 5 semiconductor behandelings-sectie het tenminste bijdragen in een optimaal gelijkmatige opbouw van de daarin neergeslagen deeltjes van een semiconductor substantie.

Binnen het kader van de uitvinding zijn daarbij andere constructieve opbouwen van deze medium toevoer-inrichting 10 mogelijk.

Laag-kokend vloeibaar draagmedium is beter geschikt dan gasvormig draagmedium door tenminste mede het navolgende: 1. in deze meng-inrichting een aanzienlijk betere menging met de deeltjes semiconductor substantie in 15 vloeibare of vaste vorm ervan; 2. een aanzienlijk gelijkmatiger toevoer naar zulk een groot aantal naast elkaar gelegen medium-toevoergroeven; en 3. de ideale gebruikmaking van een stripvormige inrichting in het boventunnelblok, fungerend als tril- 20 element en verwarmings-inrichting, typisch een transducer-opstelling, ten behoeve het daarmede door verdamping van dit draagmedium een bewerkstelligde circa 500-voudige vol urne-vergroting ervan en gelijktijdig het plaatsvinden van neerslag van deze vrijgekomen deeltjes substantie op de 25 opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder mede deze tril-conditie ervan.

Verdere gunstige kenmerken van deze combinatie van een stripvormige toevoer-inrichting voor vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie onder 30 toepassing daar bij van tenminste mede de daarop volgende semiconductor behandelings-inrichtingen, waarin het tevens ononderbroken plaatsvinden van verdamping van zulk een vloeibaar draagmedium, volgen mede uit de beschrijving van de semiconductor inrichtingen, welke zijn aangegeven in de 35 bygaande Figuren 1 tot en met 25.

Tevens is tenminste mede zulk een medium toevoer-inrichting toepasbaar in de gelijktijdig met deze Octrooiaanvrage door de aanvrager ingediende andere Nederlandse 7

Octrooi-aanvragen.

Deze Octrooi-aanvragen zijn mede zo groot en bevattende zowel vele semiconductor inrichtingen als - werkwijzen, 'dat deze toekomstig tevens dienen ten behoeve van het daaruit 5 bewerkstelligen van PCT-aanvragen voor indiening ervan in een groot aantal andere landen.

Figuur 1 toont voor gedeeltes van de semiconductor tunnel-opstelling volgens de uitvinding een stripvormige medium toevoer-inrichting, welke is opgenomen op en in het 10 boventunnelblok van een semiconductor substraat transfer/ behandelings-tunnelopstelling en zich uitstrekt in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan , met daarin de opname van een stripvormig onder-mediumtoevoerblok, bevattende een groot aantal naast elkaar gelegen medium-toevoergroe-15 ven ten behoeve van het daarin tijdens de werking van deze tunnel-opstelling onderhouden van een ononderbroken toevoer erdoorheen van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste of vloeibare vorm ervan naar de zich eronder bevindende 20 bovenspleetsectie boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en een daarop bevestigd stripvormig boven-mediumtoevoerblok, bevattende een medium toevoer-compartiment, waarop de aansluiting van tenminste één 25 medium toevoerleiding en waarin de opname van een zich verdraaiende nokkenas-opstelling.

Figuur 1A toont daarbij in een alternatieve uitvoering van deze inrichting de toepassing van slechts één toevoerleiding, met de daarop aangesloten meng-inrichting voor 30 de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan.

Figuur 2 toont een dwarsdoorsnede van de medium toevoer-inrichting volgens de Figuur 1 ter plaatse van deze medium 35 toevoergroeven.

Figuur 3 toont een alternatieve uitvoering van de medium toevoer-inr ichting volgens de Figuur 1 en waarbij het onder-mediumtoevoerblok, waarin zich de medium 8 toevoergroeven bevinden, geheel is opgenomen in het boventunnelblok.

Figuur 4 toont daarbij wederom een dwarsdoorsnede van de medium toevoer-inrichting volgens de Figuur 3 ter 5 plaatse van deze medium toevoergroeven.

Figuur 5 toont een alternatieve uitvoering van de medium toe voer-inrichting volgens de Figuur 4 en waar bij in het boven-mediumtoevoer blok geen daarin opgenomen, zich verdraaiende nokkenas-opstelling is opgenomen.

10 Figuur 6 toont daarbij wederom een dwarsdoorsnede van de medium toevoer-inrichting volgens de Figuur 5 ter plaatse van de daarin opgenomen medium-toevoergroeven.

Figuur 7 toont de opname van een stripvormige medium toevoer-lnrichting in het ondertunnelblok en waarbij de 15 constructieve opbouw ervan zoals is aangegeven in de Figuur 5.

Figuur 8 toont daarbij wederom een dwarsdoorsnede van de medium toevoer-inrichting volgens de Figuur 7 ter plaatse van de daarin opgenomen medium-toevoergroeven.

20 Figuur 9 toont de medium toevoer-inrichting volgens de

Figuren 1 en 2, met daarop op de afvoerzijde ervan de aansluiting van een in het boventunnelblok opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het tenminste daarmede plaatsvinden van 25 verdamping van dit typisch laag-kokende vloeibare draag-medium en afvoer ervan via een daarop volgende stripvormige afvoersectie van dit blok en waarbij gelijktijdig het tevens opbrengen van tenminste deze deeltjes van een semiconductor substantie op deze eronderlangs 30 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, in een volgende stripvormige sectie van de onderwand van het boventunnelblok de opname van een mini stripvormig electrisch verwarmings-element ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van het smelten van de daarop 35 neergeslagen deeltjes van een vaste semiconductor substantie en in een daarop volgende afkoelsectie van dit blok de opname van een stripvormige afkoelsectie ten behoeve van de bewerkstelliging van een jam hoge laag 9 van deze semiconductor substantie.

Figuur 10 toont de medium toevoer-inrichting volgens de Figuren 1/1^ en 2 en waarbij in een daarop volgende stripvormige sectie van het boventunnelblok de opname 5 van een stripvormige transducer-opstelling met daarboven een laag-frequent pulseer-inrichting ten behoeve van het mede onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie ervan voor het in de daaronder gelegen stripvormige semiconductor behandelings-sectie ononderbroken plaats-10 vinden van een semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere een reinigings-, ets-, strip- of een sploel-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuren 11^· B en C tonen het daarbij bewerkstelligen 15 van een optimale conditie van zulk een semiconductor behandelings-proces ter plaatse van, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, het voorste gedeelte ervan.

20 Figuur 12 toont in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de daarin opgenomen stripvormige medium toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste toestand ervan een in een met vloeibaar medium 25 gevuld uitwisselbaar stripvormig compartiment opgenomen zich verdraaiende nokkenas-opstelling, bevattende een stripvormige drukplaatsectie met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element ten behoeve van het daarmede verdampen van het toegevoerde vloeibare 30 draagmedium en vervolgens daarmede plaatsvinden van een oven-behandeling van de opgebrachte laag di-electrische substantie en waarbij met behulp van deze nokkenas-opstelling het tevens onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van deze drukplaatsectie onder het 35 daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuren 13 A en B tonen daarbij sterk vergroot de opbouw 10 van een pm hoge laag van een di-electrische substantie op de reeds in een voorgaande tunnelsectie opgebouwde relatief hoge laag ervan.

Figuren 14A en ® tonen daarbij sterk vergroot het 5 ononderbroken plaatsvinden van opbouw van een pm hoge laag di-electrische substantie op de reeds in een voorgaande tunnelsecte opgebouwde urn hoge laag di-electrische substantie.

Figuur 15 toont de in de Figuur 12 aangegeven nokkenas-10 opstelling in het middengedeelte van een stripvormig compartiment van het boventunnelblok en waarbij eronder in het ondertunnelblok een eveneens met vloeibaar medium gevuld stripvormig compartiment, met als bovengedeelte ervan een stripvormige, in hoogterichting verplaatsbare 15 drukwand ten behoeve van het met behulp van opvolgend toe- en afvoeren van het vloeibare medium naar en vanaf dit compartiment het daarbij onderhouden van een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen ervan en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor 20 substraat-gedeeltes onder typisch een mechanisch contact ermede ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog-frequent trillend stripvormig onderwand-gedeelte van 25 het boventunnelblok en het laag-frequent pulserend stripvormig bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok.

Figuur 16 toont de nokkenas-opstelling volgens de Figuur 15, waarbij echter de positie ervan, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende substraat-30 gedeeltes, in het achter-gedeelte van dit compartiment.

Figuren 17A^ *i/m El tonen voor de nokkenas-opstellingen, welke zijn aangegeven in de Figuren 15 en 16, nokken met een zodanige profilering ervan, dat daarmede een langzame opwaartse en een daarop volgende snelle neerwaartse 35 verplaatsing van de daarin mede aangegeven drukplaat- sectie plaats vindt ten behoeve van een optimaal opbreng-proces voor deeltjes van een vaste semiconductor substantie.

11

Figuren 17^11 t/m ΕΠ tonen als alternatieve uitvoering van deze nokken een zodanige profilering ervan, dat daarbij het daarmede bewerkstelligen van een snelle opwaartse en een daarop volgende langzame neerwaartse verplaatsing van 5 deze drukplaat-sectie ten behoeve van het met deze nokkenas-opstelling plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere reinigen, etsen, strippen of spoelen.

Figuur 18 toont in een stripvormige sectie van het 10 boventunnelblok achter de opname daarin van deze stripvormige medium toevoer-inrichting wederom een stripvormig compartiment, waarin de opname van zulk een stripvormige transducer-opstelling met een daarop volgende medium-afvoergroef met aansluiting daarop van 15 tenminste één afvoerleiding voor het daarmede verdampte medium ten behoeve van het onderhouden van een typisch MHF tril-conditie van het stripvormige onderwand-gedeelte van dit blok en waarbij onder dit bovencompartiment in het ondertunnelblok eveneens de opname 20 van een stripvormig compartiment, waarin het zich eveneens bevinden van zulk een nokkenas-opstelling en daarboven zulk een stripvormige drukplaat-sectie ten behoeve van met behulp van toegevoerd vloeibaar medium via een stripvormige toevoer-inrichting in dit blok het 25 bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een pm hoge film ervan tussen deze drukplaat-sectie en de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes voor het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces 30 onder deze condities van deze substraat-gedeeltes.

Figuur 19 toont een sterk vergroot gedeelte van de combinatie van een stripvormige drukplaat-sectie van de onder-nokkenas volgens de Figuur 18 en waarbij de nokken ervan, gezien in de verplaatsings-richting ervan een 35 korte oplopende hoogte en daarachter een relatief lange aflopende hoogte ervan bevatten ten behoeve van het mede met behulp van de trillende boven-transducer, daarby tevens fungerend als warmtebron, het 12 bewerkstelligen van een pm hoge laag gesmolten di-electrische substantie, zoals is aangegeven in de Figuur 20.

Figuur 21 toont na het in de Figuur 20 aangegeven zijn 5 van zulk een laag gesmolten di-electrische substantie in een daarop volgende stripvormige afkoelsectie het bewerkstelligen van een aanvulbare ;im hoge laag ervan, welke verankerd is op de reeds opgebrachte di-electrische laag.

10 Figuur 22 toont een alternatieve uitvoering van de nok-profilering van de nokkenas-opstelling, welke is aangegeven in de Figuur 19 en waarbij, gezien in de verdraai-richting ervan, een relatief lange toenemende hoogte en een daarop volgende korte afnemende hoogte ervan 15 ten behoeve van tenminste mede daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de bovenlaag van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals is aangegeven in de Figuur 23 en waarbij onder andere het plaatsvinden van een 20 reinigings-proces van de in voorgaande tunnel-secties bewerkstelligde typisch nanometer grote uitsparingen (crevices) in de bovenwand van de opvolgende substraat-gedeeltes en zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 24 en 25.

25

Figuur 1 toont de stripvormige medium toevoer-inrichting 10 van de semiconductor substraat transfer/ behandelings-tunnel 12 en waarbij op het cilindrische medium toevoer-compartiment 14 ervan de aansluiting van 30 tenminste één medium toevoer-leiding 16 ten behoeve van het tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ononderbroken erdoorheen toevoeren van typisch laag-kokend vloeibaar draagmedium 18 en een medium toevoer-leiding 20 voor de toevoer van de combinatie van typisch 35 zulk een laag-kokend vloeibaar medium 18 en deeltjes 22 van een semiconductor substantie in vloeibare of vaste vorm ervan, welke daartoe ononderbroken wordt aangevoerd vanaf de meng-inrichting 24.

13

In de Figuur lA is daarbij als alternatief op het medium toevoerblok 26' slechts één medium toevoer-leiding 20 met daarop deze al dan niet daartoe aangepaste meng-inrichting 24 aangesloten.

5 Binnen het kader van de uitvinding is het mogelijk, dat daarbij in zulk een meng-inrichting zulke deeltjes van een semiconductor substantie in vloeibare of vaste vorm ervan zijn opgenomen in een in vergelyking aanzienlijk hoger percentage van dit vloeibare draag-10 medium.

Dit medium toevoer-compartiment 14 bevindt zich in het uitwisselbare boven-mediumtoevoerblok 26, welke met behulp van de schroefbouten 36 en afdichtringen 38 drukdicht is vastgezet op het eveneens stripvormige 15 onder-mediumtoevoerblok 28.

Dit onderblok bestaat daarbij mede uit de tegen elkaar gelegen bloksecties 30 en 32 en waar bij in deze blok-sectie 30 de opname van een groot aantal in dwarsrichting van deze medium toevoer-inrichting 10 naast elkaar 20 gelegen ,um wijde en diepe groeven 34, zoals is aangegeven in de Figuur 2.

Dit medium-toevoerblok 28 is eveneens met behulp van de schroefbouten 36 en 0-ringen 38 drukdicht bevestigd op het boventunnelblok 40.

25 Daar bij zijn met behulp van de schroefbouten 42 deze ultra-vlake bloksecties 30 en 32 eveneens in voldoende mate drukdicht tegen elkaar bevestigd.

De smalle onder-uiteinden 44 en 46 van deze bloksecties 30 en 32 strekken zich daarbij in benedenwaartse richting 30 uit tot de stripvormige onderwand-gedeeltes 48 en 50 van dit boventunnelblok 40.

Tussen dit boventunnelblok 40 en het ondertunnelblok 52 bevindt zich het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 54, waardoorheen het plaatsvinden van een 35 ononderbroken lineaire verplaatsing onder typisch slechts 2 mm per seconde van de opvolgendesemiconductor substraat-gedeeltes 56 en met de ononderbroken folie of band 58 als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan tijdens 14 de ononderbroken verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling.

Daarbij het onderhouden van een /im hoogte van de boven-spleetsectie 60 en een aanzienlijk grotere hoogte van de 5 bovenspleetsectie 62, waardoor een aanzienlijke afvoer van het door deze toevoergroeven 34 toegevoerde medium in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende semiconductor substraatgedeeltes 56 en een te verwaarlozen afvoer in tegengestelde richting via de stripvormige bovenspleet-10 sectie 60 naar de op dit blok aangesloten afvoerleiding 64.

Ten behoeve van het onderhouden van een continue afvoer van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie via deze spleetsectie 62 tevens tenminste mede het navolgende: 15 1. een hogere.druk van deze combinatie van mediums 18 en 22 in de toevoerleidingen 16 en 20 dan de druk ervan in deze bovenpleetsectie 62; 2. het ononderbroken onderhouden van een capillaire aanzuigkracht in deze spleetsectie voor deze combinatie 20 van mediums 18 en 22;.en 3. het ononderbroken verplaatsen van de opvolgende semiconductor substraatgedeeltes 56 eronderlangs.

In het cilindrische medium toevoer-compartiment 14 is de cilindrische nokkenas 72 opgenomen, welke door de 25 inrichting 74 onder een laag toerental per minuut wordt verdraaid.

Daarbij de toepassing van de typisch teflon lagers 76 en 78 voor deze nokkenas en waarbij met behulp van de instelbare aandruk-inrichting 80 een in voldoende mate 30 afgesloten conditie voor dit compartiment wordt onderhouden en zulks mede door een geringe overdruk van de atmospherische buitenlucht ten opzichte van de bewerk-stellige druk van het toegevoerde medium in dit toevoer-compar timent .

35 Op de bovenzyde van dit compartiment is de stripvormige medium-toevoergroef 82 aangesloten, met daarop de aansluiting van de medium-toevoerkanalen 84 en 86 voor deze toevoerleidingen 16 en 20.

15

Door het verdraaien van deze nokkenas 72 vindt mede door de daarop aangebrachte nokken 88 een optimale menging plaats van deze toegevoerde combinatie van dit vloeibare draagmedium 18 en deze deeltjes semiconductor 5 substantie 22 over de gehele lengte van dit toevoer- compartiment 14, waardoor een gelijkmatige toevoer ervan naar deze eronder, naast elkaar gelegen, medium toevoer-groeven 34 is gewaarborgd.

Verder, zoals is aangegeven in de Figuur 2, zijn in 10 het boventunnel blok 40 aan weerszijde van zulk een centraal stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte 56 de mediumslot-opstellingen 90 opgenomen ten behoeve van het beletten van de daarin terecht gekomen combinatie van het vloeibare draagmedium 18 en deeltjes semiconductor 15 substantie 22 te ontsnappen in dwarsrichting vanuit het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 54 via de beide stripvormige spleetsecties 92 tussen de opvolgende band- of folie-gedeeltes 58 en het zich erboven bevindende gedeelte van de onderwand 94 van het 20 boventunnelblok 40.

Daarbij daartoe de toepassing van gasvormig slot-medium 96, met toevoer ervan via de beide toevoer-leidingen 98 naar de stripvormige toevoergroeven 100 ervoor in dwarsrichting opzij van de stripvormige medium-25 toevoersectie 102 en de daarop volgende trillende verdampings-inrichting 66, Figuur 9, en afvoer ervan via de stripvormige afvoergroeven 104 naar de beide afvoer-leidingen 106 ervoor.

Voor de in de Figuren 3 tot en-met 8 aangegeven 30 alternatieve toevoer-inrichtingen voor zulk een combinatie van een vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vloeibare of vaste vorm ervan is zulk een medium toevoer-inrichting 10 in een daartoe aangepaste constructieve opbouw ervan toepasbaar. 35 Figuur 3 toont een alternatieve uitvoering 10'van de medium toevoer-inrichting 10 volgens de Figuur 1 en waarbij het onder-mediumtoevoerblok 28.' waarin zich de medium-toevoergroeven 34 ' bevinden, geheel is opgenomen 16 in het boventunnelblok 40'.

Figuur 4 toont daarbij wederom een dwarsdoorsnede over de lijn 4-4 van de medium toevoer-inrichting volgens de Figuur 3 ter plaatse van deze medium-toevoergroeven 34'# 5 Daarbij uitsluitend de toepassing van een tweetal medium -toevoerleidingen 20'op de bovenzijde van het medium-toevoerblok 26'.

Figuur 5 toont een alternatieve uitvoering 10'' van de medium toevoer-inrichting volgens de Figuur 4 en 10 waarbij in het boven-mediumtoe voer blok 28''geen daarin opgenomen j_zich verdraaiende nokkenas-opstelling . is opgenomen.

Figuur 6 toont daarbij wederom een dwarsdoorsnede over de lijn 6-6 van de medium toevoer-inrichting volgens de 15 Figuur 5 ter plaatse van de daarin opgenomen medium-toevoergroeven 34''.

Figuur 7 toont de opname van een stripvOpmige medium toevoer-inrichting 10''' in het ondertunnelblok 52''' en waarbij de constructieve opbouw ervan^oals is aangegeven 20 in de Figuur 5.

Figuur 8 toont daarbij wederom een dwarsdoorsnede over de lijn 8-8 van de medium toevoer-inr ichting 10''' volgens de Figuur 7 ter plaatse van de daarin opgenomen medium-toevoergroeven 34'''.

25 Figuur 9 toont de medium toevoer-inrichting 10 volgens de Figuren 1 en 2, met daarop op de afvoerzijde ervan de aansluiting van een in het boventunnelblok 40 opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 66 ten behoeve van het tenminste daarmede plaatsvinden van 30 verdamping van dit typisch laag-kokende vloeibare draagmedium en afvoer ervan via een daarop volgende stripvormige afvoersectie 64 van dit blok en waarbij gelijktijdig het tevens plaatsvinden van het opbrengen van tenminste deze deeltjes 22 van een semiconductor 35 substantie op deze eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 56, in een volgende stripvormige sectie van de onderwand van het boventunnelblok 40 de opname van een mini stripvormig 17 electrisch verwarmings-element 68 ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van het smelten van de daarop neergeslagen deeltjes 22 van een vaste semiconductor substantie en èen daarop volgende medium-afkoelsectie 70 5 van dit blok ten behoeve van de bewerkstelliging van een jim hoge laag van deze semiconductor substantie 22.

Daarby reeds een toenemende hoogte van de bovenspleet-sectie 108 onder deze transducer 66 in de richting van deze medium-afvoersectie 64.

10 Figuur 10 toont de medium toevoer-inrichting 10 volgens de Figuren 1/lA en 2 en waarbij in een daarop volgende stripvormige sectie 110 van het boventunnel-blok 40 de opname van een stripvormige transducer-opstelling 66 met daarboven een laag-frequent pulseer-15 inrichting 112 ten behoeve van het mede onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie ervan voor het in de daaronder gelegen stripvormige semiconductor behandelings-sectie 114 ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere 20 een reinigings-, ets-, strip- of een spoel-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 56.

Figuren llA, B en C tonen het daarbij bewerkstelligen van een optimale conditie van zulk een semiconductor 25 behandelings-proces ter plaatse van, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 56, het voorste gedeelte ervan.

Daarbij het plaatsvinden van het navolgende: 30 Figuur llA toont het bewerkstelligd zijn van de hoogste pulseer-posite van deze trillende transducer 66, met daarbij een maximale hoogte van de bovenspleet-sectie 116;

Figuur llB toont de midden-positie van het benedenwaarts verplaatsen ervan; en 35 Figuur llC toont het bewerkstelligd zijn van de onderste postie ervan, met een bewerkstelligde jum hoogte van de bovenspleet-sectie 116.

Figuur 12 toont in een stripvormige sectie 118 van het 18 boventunnelblok 40 achter de daarin opgenomen stripvormige medium toevoer-inrichting 10 voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste toestand ervan een in een met 5 vloeibaar medium 120 gevuld uitwisselbaar stripvormig compartiment 122 opgenomen zich verdraaiende nokkenas-opstelling 124, bevattende een stripvormige drukplaat-sectie 126 met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element 128 ten behoeve van het daarmede 10 verdampen van het toegevoerde vloeibare draagmedium en vervolgens daarmede plaatsvinden van een ovenbehandeling van de opgebrachte laag di-electrische substantie en waarbij met behulp van deze nokkenas-opstelling 124 het tevens onderhouden van een hoog-15 frequente pulseer-conditie van deze drukplaatsectie 126 onder het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

20 Figuren 13A en B tonen daarbij sterk vergroot de opbouw van een hoge laag 130 van een di-electrische substantie 132 op de reeds in een voorgaande tunnelsectie opgebouwde relatief hoge laag 134 ervan.

Figuren 14A en B tonen daarbij sterk vergroot het 25 ononderbroken plaatsvinden van opbouw van een pm hoge laag 130 van een di-electrische substantie 132 op de reeds in een voorgaande tunnelsectie opgebouwde /am hoge laag 134 di-electrische substantie 132.

Figuur 15 toont de in de Figuur 12 aangegeven, zich 30 verdraaiende nokkenas-opstelling 124 in het middengedeelte van een met vloeibaar medium 142 gevuld stripvormig boven-compartiment 136 van het boven-tunnelblok 40 en waarbij eronder in het ondertunnelblok 52 een eveneens met vloeibaar medium 142 gevuld stripvormig 35 onder-compartiment 138, met als bovengedeelte ervan een stripvormige, in hoogterichting verplaatsbare onder-drukwand 140 ervan ten behoeve van het met behulp van opvolgend toe- en afvoeren van dit vloeibare medium 142 19 naar en vanaf dit compartiment 138 het daarbij onderhouden van een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen ervan en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 56 onder typisch een 5 mechanisch contact met deze onder-drukwand 140 ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog-frequent trillend stripvormig drukwand-gedeelte 144 10 van het boventunnelblok en het laag-frquent pulserend stripvormig bovenwand-gedeelte 140 van het ondertunnel-blok 52.

Figuur 16 toont de nokkenas-opstelling volgens de Figuur 15, waarbij echter de positie ervan, gezien in de 15 verplaatsingsrichting van deze opvolgende substraat- gedeeltes 56, in het achter-gedeelte 146 van dit bovencompartiment 178.

Figuren 17^ t/m El tonen voor deze nokkenas-opstellingen 124, welke zijn aangegeven in de Figuur 15, 20 nokken 148 met, gezien in de verdraai-richting van deze nokkenas, een Zodanige profilering ervan, dat daarmede met het nok-gedeelte 150 met een grote lengte ervan een een langzame opwaartse en met het korte nok-gedeelte 152 een daarop volgende snelle neerwaartse verplaatsing van 25 de daarin mede aangegeven drukplaat—sectie 144 plaats vindt ten behoeve van een optimaal opbreng-proces voor deeltjes van een vaste semiconductor di-electrische substantie 132 of een andere vaste substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor 30 substraat-gedeeltes 56.

Figuren 17^11 t/m Eli tonen als alternatieve uitvoering van deze nokken of een tegengestelde verdraai-richting van deze nokkenas 124 een zodanige profilering ervan, dat daarbij, gezien in de draai-richting ervan, welke daarbij 35 tegengesteld is aan die, welke is aangegeven in de

Figuur 15, het daarmede bewerkstelligen van een snelle opwaartse en een daarop volgende langzame neerwaartse verplaatsing van de stripvormige drukwand-sectie 144 ten 20 behoeve van het met deze nokkenas-opstelling 124 plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere reinigen, etsen, strippen of spoelen.

5 Figuur 18 toont in een stripvormige sectie 154 van het boventunnelblok 40 achter de opname daarin van deze stripvormige medium toevoer-inrichting 10 de uitwisselbare stripvormige inrichting 156, bevattende het compartiment 154, waarin de opname van de transducer-10 opstelling 66 met een daarop volgende stripvormige medium-afvoergroef 104, met aansluiting daarop van tenminste één afvoer leiding 106 voor het daarmede verdampte medium ten behoeve van het onderhouden van een typisch MHF tril-conditie van het stripvormig dunwandig onderwand-, 15 gedeelte 160 van deze transducer en waarbij daaronder in het ondertunnelblok 52 eveneens de opname van een uitwisselbare stripvormige inrichting 162 in het stripvormige compartiment 164, waarin het zich eveneens bevinden van zulk een nokkenas-opstelling 124 met 20 daarboven de stripvormige drukwand-sectie 166 ten behoeve van met behulp van via de stripvormige toevoer-Inrichting 168 in dit blok toegevoerd vloeibaar transfer-medium 170 het bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een pm hoge film ervan tussen deze drukwand-25 sectie 166 en de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 56 voor het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces onder deze condities van deze opvolgende substraat-gedeeltes.

30 Daarbij als alternatief in plaats van zulk een um hoge film vloeibaar transfer-medium 170 het daarbij onderhouden van een mechanisch contact van deze opvolgende substraat-gedeeltes 56 met het zich eronder bevindende stripvormige bovenwand-gedeelte van deze drukwand-sectie 166.

35 Figuur 19 toont een sterk vergroot gedeelte van de combinatie van een stripvormige drukplaat-sectie 166 van de onder-nokkenasopstelling volgens de Figuur 18 en waarbij de nokken 148 ervan, gezien in de verplaatsings- 21 richting ervan het gedeelte 152 met een korte oplopende hoogte en daarachter het relatief lange gedeelte 150 ervan bevatten ten behoeve van het mede met behulp van de trillende boven-transducer 66, daarbij tevens fungerend 5 als warmtebron, het het bewerkstelligen van een jim hoge laag gesmolten di-electrische substantie 174, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 20.

Figuur 21 toont na het in de Figuur 20 aangegeven zijn van zulk een laag 174 van een gesmolten di-electrische 10 substantie in een daarop volgende stripvormige afkoel-sectie het bewerkstelligd zijn van een aanvulbare jim hoge laag van de semiconductor substantie 176 in vaste vorm ervan, welke verankerd is op de reeds opgebrachte di-electrische laag 174.

15 Figuur 22 toont een alternatieve uitvoering van de profilering van nokken 148 van de nokkenas-opstelling 124, welke is aangegeven in de Figuur 19 en waarbij, gezien in de daarbij tegengestelde verdraai-richting ervan, een relatief lange toenemende hoogte 150 en een daarop 20 volgende korte afnemende hoogte 152 ervan ten behoeve van in het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte 60 tenminste mede daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de di-electrische bovenlaag 176 van de opvolgende, 25 ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 76, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 23 en waarbij onder andere het plaatsvinden van een met behulp van mede de combinatie van deze boven-transducer 66 door verdamping van het 30 laagkokende vloeibare medium 182 en deeltjes vloeibaar reinigingsmedium 184 optimaal reinigings-proces van de in voorgaande tunnel-secties bewerkstelligde typisch nanometer grote uitsparingen (crevices) 178 in de bovenwand 180 van de opvolgende semiconductor substraat-35 gedeeltes en zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 24 en 25.

Figuur 2 4 toont daarbij de onderste pulseer-positie van deze di-electr ische bovenlaag 176 tijdens het typisch 22 laag-frequent pulseren van de stripvorraige drukwand-sectie 126 boven deze nokkenas-opstelling 124, Figuur 22, onder het bewerkstelligd zijn van de maximale hoogte van bovenspleet-gedeelte 60 en waarbij mede tijdens de 5 voorgaande zeer kortstondige benedenwaartse verplaatsing ervan het plaats gehad hebben van een snelle uitstuwing van de combinatie van het daarin toegevoerde laagkokende vloeibare draagmedium 182 en nanometer grote deeltjes van een vloeibare reinigings-substantie 184.

10 Zulks in combinatie met daarmede verwijderde nanometer grote deeltjes van typisch tenminste mede de nog daarin i aanwezige deeltjes ets-raedium, zoals deze in tenminste één voorgaande str.ipvormige tunnelsectie was toegepast ten behoeve van de bewerkstelliging van deze ' 15 uitsparingen/groeven 136.

Figuur 25 toont daarbij de bovenste pulseer- positie van deze nokkenas-opstelling 124 en deze di-electrische bovenlaag 176, met typisch de bewerkstelligde micrometer hoogte van de bovenspleet-sectie 60.

20 Daarbij tijdens zulk een opwaartse verplaatsing van mede deze di-electrische laag 176 het plaatsvinden van een optimaal reinigings-proces van zulk een uitsparing/ groef 178, met instuwing daarin van deze combinatie van draagmedium 182 en deeltjes reinigings-substantie 184.

25 Zulks mede door het daarbij typisch ultra hoogfrequent (UHF) trillen van het stripvormige onderwand-gedeelte 186 van de transducer 66 en waarbij het onder andere plaatsvinden van losweken van deze te verwijderen deeltjes vanaf de zijwand-secties van deze semiconductor 30 uitsparingen.

Verder aanvullend en binnen het kader van de uitvinding de mogelijke toepassing van in meerdere van de Conclusies omschreven semiconductor inrichtingen en - werkwijzen.

In deze semiconductor tunnel-opstelling verder met 35 behulp van deze stripvormige transducer-opstelling 66 aanvullend het tevens plaatsvinden van een aantal semiconductor behandelingen van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor 23 substraat-gedeeltes 56, welke zijn aangegeven en omschreven in de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvragen no's 5 en 6.

Verder, dat zoals in deze tunnel-opstelling 12 met 5 behulp van deze stripvormige medium toevoer-inrichting 10 tijdens de werking ervan de ononderbroken bewerkstelliging van de combinatie van verdampbaar vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes 22 van een semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm, het daarin mede plaatsvinden van een 10 groot aantal van de in de bijgaande Nederlandse Octrooiaanvrage no. 6 aangegeven en omschreven semiconductor behandelings-processen van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 56.

15 Verder ter ondersteuning van de reeds voorgaand onder 1 t/m 5 mede omschreven optimale toevoer- en vlakheid-conditie van de mede met behulp van de toegepaste ononderbroken toevoer van vloeibaar draagmedium 18 en deeltjes van een semiconductor substantie 22 in vaste -20 of vloeibare vorm ervan aanvullend het navolgende: 6. in combinatie met deze stripvormige trillende warmtebron 66 in het ondergedeelte van het boventunnelblok 40 enerzijds het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit vloeibare draagmedium en anderzijds 25 het ultra-gelijkmatige neerslaan van de deeltjes semiconductor substantie in vooral vaste vorm ervan op de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 54; en 7. het in een daarop volgende stripvormige tunnel-: 30 sectie plaatsvinden van het smelten van deze deeltjes 22 in vaste vorm ervan met behulp van het mini stripvormige electrische metalen verwarmings-element 68, welke eveneens is opgenomen in de onderwand van het boventunnelblok 40 en zulks daarbij zonder het plaatsvinden 35 van een ontoelaatbare vervorming van de opgebrachte semiconductor laag 134 van een di-electrische substantie.

Aldus de unieke bewerstelliging en daaropvolgend onderhouden van een ultra vlakheid van de aan de 24 uitgangszijde van deze tunnel-opstelling 12 verkregen opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 56, waaruit in een daarop volgende inrichting door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips.

5 Binnen het kader van de uitvinding is voor de aangegeven en omschreven semiconductor tuunel-opstelling 12 en zulks in het bijzonder de daarin opgenomen stripvormige medium toevoer-inrichting 10 elke andere uitvoering ervan toepasbaar.

1037067

Claims (108)

1. Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling ten behoeve van het daarin tenminste 5 mede plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin meerdere stripvormige medium toevoer-inrichtingen in 10 tenminste mede het boventunnelblok ervan zijn opgenomen.

2. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatse lijk daarin via zulk een strip vormige 15 medium toe voer-inrichting tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van tenminste één verdampbare vloeibare substantie als draagmedium voor deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan, zoals 20 onder andere een di-electrische -, metalen -, kunststof -, of papieren substantie.

3. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, en bevattende zodanige middelen, dat daarbij 25 zulk een toevoer van de combinatie van verdampbaar vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan ononderbroken plaatsvindt vanuit een meng-inrichting naar zulk een medium toevoer-inrichting.

4. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is . uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van een gescheiden combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een 35 semiconductor substantie in vaste - of vloeibare vorm ervan vanuit zulk een meng-inrichting en uitsluitend vloeibaar of gasvormig draagmedium via een medium-toevoerkanaal en waarbij menging ervan plaatsvindt in een volgende meng-inrichting. 1037067

5. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze medium toevoer-inrichting een medium toevoer-compartiment bevat, welke zich op 5 enige afstand boven het boventunnelblok ervan bevindt en waarbij typisch op de bovenzijde ervan de aansluiting van dit medium toevoer-gedeelte en tegen de onderzijde ervan een stripvormig medium afvoer-gedeelte, welke is bevestigd op dit boventunnelblok en bevattende een groot 10 aantal, in typisch verticale richting uitstrekkende en in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen relatief nauwe medium toevoer-kanalen, welke uitmonden in een eronder gelegen micrometer hoge bovenspleet-sectie boven deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor 15 substraat-gedeeltes.

6. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij tenminste plaatselijk in deze medium toevoer-inrichting het onderhouden van een 20 overdruk van tenminste mede deze toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie ten opzichte van de druk van het medium in deze zich eronder bevindende bovenspleet-sectie .

7. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting zich in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling uitstrekt over tenminste het centrale 30 semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

8. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij, gezien in de verplaatsingsrichting van deze 35 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen, vóór zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting, welke tenminste mede is opgenomen in het boventunnelblok, de opname van een stripvormige semiconductor behandelings-inrichting ten behoeve van het daarin tenminste plaatsvinden van verdamping van tenminste het laagst-kokende gedeelte van dit vloeibare draag-medium onder een daarbij bewerkstelligde neerslag op de 5 opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes van tenminste mede deeltjes van een semiconductor substantie, met ervóór de opname in dit blok van een stripvormige medium afvoer-inrichting ten behoeve van de af voer. .van het i ver dampte medium .

9. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 8, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij onder toepassing van deze verdampings-inrichting het daarmede tevens opbrengen van deeltjes van een 15 semiconductor substantie in vaste vorm ervan op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

10. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 8, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 20 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van deze verdampings-inrichting ten behoeve van daarmede in de zich eronder bevindende bovenspleet-sectie tevens plaatsvinden van neerslag van deeltjes van een semiconductor substantie in vloeibare 25 vorm ervan op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

11. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 9 en 10, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij een toenemende hoogte 30 van het zich tussen deze verdampings-inrichting en deze opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes bevindende bovenspleet-gedeelte tot typisch nabij deze medium-afvoersectie ten behoeve van een optimale afvoer van het bewerkstelligde dampvormige 35 medium.

12. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij een geringe hoogte van het bovenspleet-gedeelte onder de medium toevoer-groeven van deze medium toevoer-inrichting ten behoeve van het in het bijzonder bijdragen in de bewerkstelliging van een in voldoende mate gelijkmatige 5 micrometer hoogte van de opgebrachte laag van deze deeltjes van een semiconductor substantie.

13 Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij 10 deze medium toevoer-inrichting zodanig is opgebouwd, dat mede daartoe de toevoer van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in voldoende mate gelijkmatig geschiedt over de gehele breedte,,gezien in dwatsrichting ervan.

14. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 13, met het kenmerk, dat deze medium toevoer-inrichting daartoe tenminste mede bestaat uit een stripvormige, in dwarsrichting uitstrekkende metalen typisch cilindrische medium-toevoersectie, welke zich 20 op een voldoend grote afstand bevindt boven dit boventunnelblok, met eronder een daarmede gekoppelde metalen stripvormige medium-toevoersectie, welke zich benedenwaarts uitstrekt tot zulk een bovenspleet-gedeelte .

15. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat daarbij deze medium-toevoer sectie bestaat uit een tweetal met elkaar gekoppelde metalen, tegen elkaar gelegen ultra vlakke gedeeltes ervan en in één van deze plaat-gedeeltes de 30 opname van een groot aantal, gezien in de dwarsrichting ervan, naast elkaar gelegen medium-toevoergroeven met daarbij relatief grote afmetingen ervan en welke typisch via een gemeenschappelijk toevoer-gedeelte verbonden zijn met deze erboven gelegen cilindrische medium-toevoersectie 35 en zich benedenwaarts uitstrekt tot de bovenzijde van deze stripvormige medium-toevoersectie in dit boventunnelblok.

16. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van relatief grote groef-afmetingen door de minder hoge te ivullen bovenspleet-sectie boven deze 5 opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met een hoogte van typisch minder dan 0,1 mm, en vindt aldus bij grotere afmetingen van deze groeven mede'het aanzuigen van deze toegevoerde combinatie van mediums door deze, zich 10 eronder bevindende bovenspleet-sectie onder capillaire aanzuigkracht plaats.

17. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat mede daartoe een geringe afstand 15 tussen deze naast elkaar gelegen groeven, typisch minder dan 5 mm.

18. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, 20 dat daarbij bij een 0,1 mm hoogte van deze bovenspleet-sectie in combinatie met slechts een op te brengen laaghoogte van 20 micrometer voor de deeltjes semiconductor substantie de gunstige meng-verhouding van 4 : 1 voor deze combinatie van vloeibaar draagmedium en 25 deze deeltjes en bij een 10 micrometer benodigde hoogte van deze opgebrachte deeltjes zelfs de mogelijke meng-verhouding van 9 : 1 voor deze combinatie.

19. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij mede 30 deze medium toevoer-inrichting verder zodanig is uitgevoerd, dat deze uitwisselbaar en drukdicht is vastgezet op het boventunnelblok.

20. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 35 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daar b ij in deze cilindrische toe voer sec tie een tenminste tijdens de werking van deze tunnel-opstelling verdraaiende nokkenas-opstelling is opgenomen, welke zich aan één zyde tot buiten deze centrale semiconductor behandelings-sectie uitstrekt en gekoppeld is aan een inrichting ten behoeve van het tenminste met een laag aantal omwentelingen per minuut verdraaien ervan en 5 tussen het cilindrische nokkenas-compartiment en de bovenzyde van dit medium toevoer-compartiment de opname van een aantal medium doorlaat-kanalen mede ten behoeve van het bijdragen in de ononderbroken gelijkmatige toevoer van het medium naar dit medium toevoer-compartiment.

21. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 20, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door deze zich verdraaiende nokkenas-opstelling een optimaal gelijkmatige menging van deze combinatie van 15 vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie mede in dwarsrichting van deze cilindrische toevoersectie plaatsvindt,waardoor een reeds in een voldoend gelijkmatige toevoer ervan naar deze naast elkaar gelegen medium toevoer-groeven is gewaarborgd. en waarbij 20 deze nokkenas-opstelling in de boven- het . boventünnèlblok gelegen medium toevoer-inrichting -ter plaatse van het centrale gedeelte van deze tunnel-opstelling bevattende rijen in zowel de dwars- als radiale richting ervan naast elkaar gelegen groepen van micrometer hoge mini nokken 2 5 ten behoeve van het daarmede bijdragen in deze optimaal gelykmatige toevoer van dit medium naar deze medium doorlaatgroeven.

22. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 30 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een ononderbroken, in voldoende mate gelijkmatige medium-toevoer naar de zich eronder bevindende stripvormige bovenspleet-sectie en de vlakheid van de opgebrachte di-electrische lagen mede worden verkregen door; 35 1. de ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, met de geringe verplaatsings-snelheid ervan van typisch slechts 2 mm per seconde; 2. deze hoog-capillaire aanzuigkracht door de micrometer hoge bovenspleet-sectie onder deze medium toevoer-inrichting; 3. de gelijkmatige toevoer van uitsluitend de 5 combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan; 4. de verticale benedenwaartse verplaatsing van deze combinatie via het grote aantal naast elkaar gelegen 10 micro-brede groeven; 5. de overdruk van deze combinatie van mediums in dit cilindrische toevoer-gedeelte ten opzichte van typisch de onderdruk van het medium in deze bovenspleet-sectie; 6. in combinatie met deze stripvormige trillende warmtebron in het ondergedeelte van het boventunnelblok enerzijds het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit vloeibare draagmedium en anderzyds het ultra-gelijkmatige neerslaan van de deeltjes semiconductor 20 substantie in vooral vaste vorm ervan op dé eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes; en 7. het in een daarop-volgende stripvormige tunnel-sectie plaatsvinden van het smelten van deze deeltjes in vaste vorm ervan met behulp van een mini stripvormige 25 electrische metalen verwarmings-element, welke eveneens is opgenomen in de onderwand van het boventunnelblok en zulks daarbij zonder het plaatsvinden van een ontoelaatbare vervorming van de opgebrachte semiconductor laag van typisch een di-electrische substantie.

23. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij via deze medium toevoer-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van de toevoer van de 35 combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare hechtsubstantie ten behoeve van de bewerkstelliging van een tenminste nanometer hoge laag in een vloeibare hecht-conditie ervan.

24. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij via deze medium toevoer-inrichting het 5 ononderbroken plaatsvinden van de toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare semiconductor substantie, zoals onder andere reinigings-, ets-, strip-, of spoel-medium,ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een semiconductor 10 behandeling in de eronder gelegen stripvormige bovenspleet-sectie.

25. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een stripvormig 15 medium-toevoerblok, bevattende zulke naast elkaar gelegen medium-toevoergroeven, geheel is opgenomen in een ondergedeelte van het boventunnelblok.

26. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 20 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste plaatselijk eveneens een stripvormige medium toevoer-inrichting is opgenomen in het ondertunnelblok ervan.

27. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 25 is uitgevoerd, dat daarbij zulk een stripvormig medium-toevoerblok, bevattende zulke naast elkaar gelegen medium-toevoergroeven, is opgenomen in het bovengedeelte van het ondertunnelblok.

28. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 30 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij door het beperkt houden van de afmetingen van deze medium-toevoergroeven in zulk een stripvormig medium-toevoerblok, de afmeting in hoogterichting van zulk een boven- of ondertunnelblok 35 in hoogterichting ervan eveneens zeer beperkt is en daarbij typisch minder dan 50 mm.

29. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze groeven eveneens zijn opgenomen in de opstaande zijwand van één van deze beide mediumtoevoer-blokgedeeltes, de opstaande zijwanden dit blok-gedeelte optimaal evenwijdig zijn met elkaar, met 5 slechts een micrometer grote afwijking ervan en zulks eveneens voor het andere blok-gedeelte·en heeft de uitsparing in zulk een tunnelblok voor zulk een medium-toevoerblok zodanige afmetingen, dat daarbij dit blok onder een perspassing tenminste langdurig daarin is 10 verankerd.

30. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij plaatselijk de toepassing van zulk een 15 mini medium-toevoerblok in het ondertunnelblok, met daarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van uitsluitend vloeibaar medium in een dun-vloeibare toestand ervan ten behoeve van het daarmede in een daarop volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling 20 onderhouden van een optimaal gelijkmatige micrometer hoogte van de opgebrachte laag tussen het ondertunnelblok-gedeelte en de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, het daarbij het fungeren van een ononderbroken metalen band of folie als 25 een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

31. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige ;middelen. dat daarbij tenminste plaatselijk daarin na zulk een 30 medium toevoer-inrichting in het boventunnelblok met behulp van tenminste mede een overdruk van het toegevoerde medium ten opzichte van de druk, typisch een onderdruk, van het medium onder deze opvolgende band-gedeeltes het onderhouden van een mechanisch 35 contact van deze opvolgende band-gedeeltes met de bovenwand van het ondertunnelblok ten behoeve van in de zich erboven bevindende stripvormige semiconductor behandelings-sectie het tenminste bijdragen in een optimaal gelijkmatige laag-opbouw van de daarin neergeslagen deeltjes van een semiconductor substantie.

32. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 5 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een stripvormige inrichting in het boventunnelblok, fungerend als zowel tril-element en verwarraings-inrichting, typisch een transducer-opstelling, ten behoeve van het daarmede 10 door verdamping van dit draagmedlum een bewerkstelligde circa 500-voudige vol urne-vergroting ervan en gel ijkt ijdig het plaatsvinden van neerslag van deze vrijgekomen deeltjes semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor 15 substraat-gedeeltes onder mede deze tril-conditie ervan.

33. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tussen het boventunnelblok en het ondertunnelblok het 20 centrale semiconductor hehanelings-gedeelte ervan is opgenomen, waardoorheen het plaatsvinden van een ononderbroken lineaire verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes onder typisch slechts 2 mm per seconde en met een ononderbroken folie of band 25 als tenminste tijdelyke semiconductor onderlaag ervan tijdens de verplaatsing ervan erdoorheen.

34. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarby 30 het onderhouden van een micrometer hoogte van de bovenspleetsectie achter deze medium toevoer-inrichting en een aanzienlijk grotere hoogte van de bovenspleetsectie vóór deze inrichting, waardoor een aanzienlyke afvoer van het door de medium-toevoergroeven toegevoerde medium in 35 de verplaatsingsrichting van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en een te verwaarlozen afvoer in tegengestelde richting via de erachter gelegen bovenspleetsectie naar een in dit boventunnelblok opgenomen stripvormige medium-afvoersectie.

35. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, 5 dat daar bij in het boven tunnel blok aan weerszijde van zulk een centraal stripvormige semiconductor behandelingssectie mediumslot-opstellingen zijn opgenomen ten behoeve van het beletten van de daarin terecht gekomen combinatie van het vloeibare draagmedium en deeltjes van een 10 semiconductor substantie te ontsnappen in dwarsrichting vanuit het centrale semiconductor behandelings-gedeelte via de beide stripvormige spleetsecties tussen de opvolgende band- of folie-gedeeltes en het zich erboven bevindende gedeelte van de onderwand van het 15 boventunnelblok.

36. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij op de afvoerzijde van deze medium toevoer- 20 inrichting de aansluiting van een in het boventunnelblok opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het tenminste daarmede plaatsvinden van verdamping van dit typisch laag-kokende vloeibare draagmedium en afvoer ervan via een 25 daarop volgende stripvormige afvoersectie in dit blok.

37. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij een toenemende hoogte van de bovenspleetsectie onder tenminste deze transducer in de 30 richting van deze medium-afvoersectie.

38. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 37, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgende stripvormige sectie van de onderwand 35 van het boventunnelblok de opname van een mini stripvormig electrisch verwarmings-element ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van het smelten van de daarop neergeslagen deeltjes van een vaste semiconductor substantie en in een daarop-volgende afkoelsectie van dit blok het plaatsvinden van afkoeling ervan ten behoeve van de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van deze semiconductor substantie.

39. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een daarop-volgende stripvormige sectie van het boventunnelblok de opname van een stripvormige 10 transducer-opstelling met daarboven de opname een laag-frequent pulserende inrichting ten behoeve van het mede onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie ervan voor het in de daaronder gelegen stripvormige semiconductor behandelings-sectie ononderbroken 15 plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere een reinigings-, ets-, strip- of een sploel-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .

40. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende middelen ten behoeve van het daarbij bewerkstelligen van een optimale conditie van zulk een semiconductor behandelings-proces ter plaatse 25 van, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, het voorste gedeelte ervan, met het daarbij ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: 1. inde hoogste pulseer-positie van deze trillende 30 transducer het bewerkstelligd zijn van een maximale hoogte van de daaronder gelegen bovenspleet-secie; 2. in de middelste pulseer-positie van deze trillende een midden-posite ervan; en 3. in de onderste pulseer-positie van deze trillende 35 transducer het bewerkstelligd zijn van een micrometer hoogte van de zich daaronder bevindende bovenspleet-sectie en waarbij het daarin plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces van de bovenlaag van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .

41. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 5 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de daarin opgenomen stripvormige medium toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie 10 in vaste toestand ervan een in een met vloeibaar medium gevuld uitwisselbaar stripvormig compartiment opgenomen zich ononderbroken verdraaiende nokkenas-opstelling, bevattende een stripvormige drukplaatsectie met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element 15 ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van verdamping van het toegevoerde vloeibare draagmedium en vervolgens daarmede plaatsvinden van een oven-behandeling van de opgebrachte laag van een di-electrische substantie.

42. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

20 Conclusie 41, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van met behulp van deze nokkenas-opstelling als laag-frequent pulseer-inrichting het tevens onderhouden van een laag-frequent pulseer-conditie van deze drukplaatsectie onder het 25 daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

43. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat deze verder middelen 30 bevat ten behoeve van het daarbij plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge laag van een di-electrische substantie op de reeds in voorgaande tunnelsecties opgebouwde relatief hoge laag ervan.

44. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

35 Conclusie 42, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van het daarbij ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge laag van een di-electrische substantie op de reeds in een voorgaande tunnelsectie opgebouwde micrometer hoge laag van een di-electrische substantie.

45. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 5 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een ononderbroken verdraaiende nokkenas-opstelling in het midden-gedeelte van een met vloeibaar medium gevuld stripvormig boven-compar timent .fvan het boventunnelblok en waarbij 10 eronder in het ondertunnelblok een eveneens met vloeibaar medium gevuld stripvormig compartiment, met als bovengedeelte ervan een stripvormige, in hoogterichting verplaatsbare drukwand ten behoeve van het met behulp van het opvolgend toe-en afvoeren van dit vloeibare 15 medium naar en vanaf dit compartiment het daarbij onderhouden van een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen ervan en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

46. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van het daarbij onderhouden van zulk een opvolgend op en neer verplaatsen van de onderdrukwand en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs 25 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes geschiedt onder typisch een mechanisch contact met deze onderdrukwand ten behoeve van het daarmede onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch 30 hoog- of laag-frequent trillend stripvormig drukwand-gedeelte van het boventunnelblok en een laag-frequent pulserend stripvormig bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok.

47. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de 35 Conclusie 45, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en zodanige middelen bevat, dat daarbij de toepassing van een bepaalde profilering van de daarin opgenomen nokken van deze nokkenas-opstelling ten behoeve van een langzame - en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing van de daarin opgenomen drukwandsectie plaats vindt ten behoeve van de bewerkstelliging van een optimaal opbreng-proces voor de 5 deeltjes van een vaste semiconductor substantie.

48. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een bepaalde profilering van deze 10 nokken van deze nokkenas-opstelling ten behoeve van het daarmede bewerkstelligen van een snelle opwaartse en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van deze drukwand-sectie voor het met deze nokkenas-opstelling plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-15 proces, zoals onder andere reinigen, etsen, strippen of spoelen.

49. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, 20 dat daar bij in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de opname daarin van de stripvormige medium toevoer-inrichting een stripvormig compartiment, waarin de opname van zulk een stripvormige transducer-opstelling met een daarop-volgende medium-25 afvoergroef met aansluiting daarop van tenminste één afvoerleiding voor het daarmede verdampte vloeibare medium ten behoeve van het mede onderhouden van een MHF tril-conditie van het stripvormige onderwand-gedeelte van dit blok en als onder-gedeelte van deze 30 transducer-opstelling en waarbij onder dit bovencompartiment in het ondertunnelblok eveneens de opname van een stripvormig compartiment, waarin het zich bevinden van zulk een nokkenas-opstelling met daarboven eveneens zulk een stripvormige drukplaat-sectie ten 35 behoeve van met behulp van toegevoerd vloeibaar medium via een stripvormige toevoer-inrichting in dit blok het bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een micrometer hoge film ervan tussen deze drukplaat-sectie en de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces onder deze condities van deze 5 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

50. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij plaatsel'ijk geen benodigde toepassing van een film 10 vloeibaar medium in het'' ónderspleet—gedeelte ervan, het dientengevolge mogelijk onderhouden van een mechanisch contact van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met het zich eronder bevindende stripvorraige bovenwand-gedeelte van deze drukplaat-sectie.

51. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de nokken ervan, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes een 20 lange toenemende hoogte en een daarop-volgende korte aflopende hoogte ervan bevatten ten behoeve van het mede met behulp van de trillende boven-transducer, daarbij tevens fungerend als warmtebron, het bewerkstelligen van een micrometer hoge laag van een di-electrische 25 substantie.

52. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van na het opgebracht zijn van zulk een micrometer hoge laag gesmolten di-electrische substantie, 30 in een daarop-volgende stripvormige afkoelsectie het bewerkstelligd zijn van een aanvulbare micrometer hoge semiconductor substantie in vaste vorm ervan en welke daarbij verankerd is op de reeds opgebrachte di-electrische laag.

53. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij, gezien in de daar bij tegengestelde verdraai- richting ervan, een relatief lange toenemende hoogte en een daarop-volgende korte afnemende hoogte ervan ten behoeve van in het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte tenminste mede daarmede ononderbroken plaatsvinden van 5 een semiconductor behandelings-proces van de di-electrische bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij onder andere het plaatsvinden van een met behulp van mede de combinatie 10 ervan met deze boven-transducer door verdamping van het laagkokende vloeibare draagmedium en deeltjes vloeibaar reinigingsmedium optimaal reinigings-proces van de in voorgaande tunnel-secties bewerkstelligde typisch nanometer grote uitsparingen (crevices) in de bovenwand 15 van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

54. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conlusie 51, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van daarbij in de onderste pulseer-positie van deze di-electrische bovenlaag tijdens het 20 typisch laag-frequent pulseren van de stripvormige drukwand-sectie boven deze nokkenas-opstelling het tijdelijk bewerkstelligd zijn van de maximale hoogte van het bovenspleet-gedeelte en waarbij mede tijdens de voorgaande zeer kortstondige benedenwaartse verplaatsing 25 ervan het plaats gehad hebben van een snelle uitstuwing van de combinatie van het in déze uitsparingen toegevoerde laagkokende vloeibare draagmedium en nanometer grote deeltjes van een vloeibare reinigings-substantie en zulks in combinatie met daarmede verwijderde nanometer 30 grote deeltjes van typisch tenminste mede de nog daarin aanwezige deeltjes ets-medium, zoals deze in tenminste één voorgaande stripvormige tunnelsectie was toegepast ten behoeve van de bewerkstelliging van deze uitsparingen.

55. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de 35 Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze in een alternatieve uitvoering ervan middelen bevat ten behoeve van het onder andere bewerkstelligen in de bovenste pulseer conditie van deze verdraaiende nokkenas-opstelling en deze di-electrische bovenlaag van typisch een micrometer hoogte van de zich erboven bevindende bovenspleet-sectie en waarbij tijdens zulk een opwaartse verplaatsing van mede deze di-electrische laag het 5 plaatsvinden van een optimaal reinigings-proces van mede zulk een semiconductor uitsparing/crevice, met instuwing daarin van deze combinatie van draagmedium en deeltjes van een reinigings-substantie en zulks ondersteund door het daarbij typisch ultra-hoogfrequent 10 trillen van het onderwand-gedeelte van deze transducer in het boventunnelblok en waarbij het onder andere plaatsvinden van het losweken van deze te verwijderen deeltjes vanaf de zywand-secties van deze uitsparingen.

56. Werkwijze van de semiconductor tunnel-opstelling 15 volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarin meerdere stripvormige medium toevoer-inrichtingen in tenminste mede het boventunnelblok ervan zijn opgenomen, daarbij tenminste plaatselijk daarin via zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting tijdens 20 de ononderbroken werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van tenminste één verdampbare vloeibare substantie als tijdelijk draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

57. Werkwijze volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, 25 dat daarbij de toepassing van deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan, zoals onder andere een di-electrische -, metalen -, kunststof -, of papieren substantie.

58. Werkwijze volgens de Conclusie 55, met het kenmerk, 30 dat daarbij de toepassing van deeltjes van een semiconductor substantie in vloeibare vorm ervan, zoals onder andere een vloeibare hechtsubstantie.

59. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een toevoer van de 35 combinatie van verdampbaar vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan ononderbroken plaats vindt vanuit een meng-inrichting naar zulk een medium toevoer- inrichting .

60. Werkwijze volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van een gescheiden combinatie van vloeibaar draagmediura en 5 deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan vanuit zulk een meng-inrichting en uitsluitend vloeibaar of gasvormig draagmedium via een medium-toevoerkanaal en waarbij menging ervan plaats vindt in een daarop volgende meng-inrichting.

61. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarby de toevoer van het vloeibare draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie geschiedt naar een medium toevoer-compartiment van deze medium toevoer-inrichting, welke zich op enige 15 afstand boven het boventunnelblok van deze semiconductor tunnel-opstelling bevindt en waarbij typisch op de bovenzijde ervan de aansluiting van dit medium toevoer-gedeelte en tegen de onderzyde ervan een stripvormig medium afvoer-gedeelte, welke is bevestigd op dit 20 boventunnelblok en bevattende een groot aantal, in typisch verticale richting uitstrekkende en in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen relatief nauwe medium toevoer-kanalen, welke uitmonden in een eronder gelegen micrometer hoge bovenspleet-sectie boven de 25 opvolgende, ononderbroken in de tunnel-doortocht eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .

62. Werkwijze volgens de Conclusie 61, met het kenmerk, dat daar bij tenminste plaatselijk in deze medium toevoer- 30 inrichting het ononderbroken onderhouden van een overdruk van tenminste mede deze toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie ten opzichte van de druk van het medium in deze zich eronder bevindende bovenspleet-35 sectie boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

63. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie plaats vindt via een stripvormige medium toevoer-inrichting, welke zich in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling 5 uitstrekt over tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

64. Werkwyze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van deze combinatie van 10 vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen, vóór zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting, welke tenminste gedeeltelijk is opgenomen in 15 het boventunnelblok, de opname·van een stripvormige semiconductor behandelings-inrichting, daarin het tenminste mede plaatsvinden van verdamping van tenminste het laagst-kokende gedeelte van dit vloeibare draagmedium onder een daarbij bewerkstelligde neerslag op de 20 opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes van tenminste mede deeltjes van een semiconductor substantie en afvoer van het verdampte medium via een in dit blok ervóór opgenomen stripvormige medium afvoer-inrichting.

65. Werkwijze volgens de Conclusie 64, met het kenmerk, dat daarbij onder toepassing van deze verdampings-inrichting het daarmede tevens bewerkstelligen van het opbrengen van deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan op deze opvolgende, eronderlangs 30 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

66. Werkwyze volgens de Conclusie 64, met het kenmerk, dat daarbij onder toepassing van deze verdampings-inrichting daarmede in de zich eronder bevindende bovenspleet-sectie het tevens ononderbroken plaatsvinden 35 van neerslag van deeltjes van een semiconductor substantie in vloeibare vorm ervan op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .

67. Werkwijze volgens de Conclusies 65 en 66, met het kenmerk, dat zoals daarbij een toenemende hoogte van het zich tussen deze verdampings-inrichting en deze opvolgende, zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende 5 semiconductor substraat-gedeeltes bevindende bovenspleet-gedeelte tot typisch nabij deze medium-af voersectie, een optimale afvoer van het bewerkstelligde dampvormige medium is gewaarborgd.

68. Werkwijze volgens de Conclusie 67, met het kenmerk, 10 dat daarbij door de toe pas sing/ bewerkstelliging van een geringe hoogte van het bovenspleet-gedeelte onder de medium toevoer-groeven/kanalen van deze medium toevoer-inrichting het in het bijzonder bijdragen in de bewerkstelliging van een in voldoende mate gelijkmatige 15 micrometer hoogte van de opgebrachte laag van deze deeltjes van een semiconductor substantie.

69. Werkwijze volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat daarbij via deze medium toevoer-inrichting in een gunstige opbouw ervan de toevoer van deze combinatie van 20 vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in voldoende mate gelijkmatig geschiedt over de gehele breedte, gezien in dwarsrichting ervan.

70. Werkwijze volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, dat deze medium toevoer-inrichting daartoe tenminste mede 25 bestaat uit een stripvormige, in dwarsrichting uitstrekkende metalen cilindrische medium-toevoersectie, welke zich op een voldoend grote afstand bevindt boven dit boventunnelblok, met eronder een daarmede gekoppelde metalen stripvormige medium-toevoersectie, welke zich 30 benedenwaarts uitstrekt tot zulk een bovenspleet-gedeelte.

71. Werkwijze volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe deze medium-toevoersectie bestaat uit een tweetal met elkaar gekoppelde metalen, tegen 35 elkaar gelegen ultra-vlakke gedeeltes ervan en in één van deze plaat-gedeeltes de opname van een groot aantal, gezien in de dwarsrichting ervan, naast elkaar gelegen medium-toevoer groeven met daar bij relatief grote afmetingen ervan en welke typisch via een gemeenschappelijk toevoer-gedeelte verbonden zijn met deze erboven gelegen cilindrische medium-toevoersectie en zich benedenwaarts uitstrekt tot de bovenzijde van deze 5 stripvormige medium-toevoersectie in dit boventunnelblok.

72. Werkwijze volgens één de voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij bij een 0,1 mm hoogte van deze bovenspleet-sectie in combinatie met slechts een op te brengen laaghoogte van 20 micrometer voor de deeltjes 10 semiconductor substantie de gunstige meng-verhouding van 4 : 1 voor deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deze deeltjes en bij een 10 micrometer benodigde hoogte van deze opgebrachte deeltjes zelfs de mogelijke meng-verhouding van 9 : 1 voor deze combinatie.

73. Werkwijze volgens de Conclusie 71, met het kenmerk, dat daarbij onder toepassing van relatief grote groef-afmetingen en een minder hoge te vullen bovenspleet-sectie boven deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met een 20 hoogte van typisch minder dan 0,1 mm, aldus mede door de grotere afmetingen van deze groeven mede het aanzuigen van deze toegevoerde combinatie van mediums door deze, zich eronder bevindende bovenspleet-sectie onder capillaire aanzuigkracht plaats vindt. 25 74, Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies,met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze cilindrische medium-toevoersectie een tenminste tijdens de werking van deze tunnel-opstelling verdraaiende nokkenas-opstelling is opgenomen, welke zich aan één zijde ervan tot buiten deze 30 centrale semiconductor behandelings-sectie uitstrekt en gekoppeld is aan een inrichting ten behoeve van het daarmede met een laag aantal omwentelingen per minuut verdraaien ervan :en zoals daarbij tussen het cilindrische nokkenas-compartiment en de bovenzijde van dit medium 35 toevoer-compartiment de opname van een aantal medium doorlaat-kanalen mede het bijdragen in een ononderbroken gelijkmatige toevoer van het medium naar dit medium toevoer-compartiment.

75. Werkwijze volgens de Conclusie 74, met het kenmerk, dat daarbij door deze zich verdraaiende nokkenas-opstelling het ononderbroken laatsvinden van een optimaal gelijkmatige menging van deze combinatie van vloeibaar 5 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie mede in dwarsrichting van deze cilindrische toevoersectie, waardoor een reeds voldoend gelijkmatige toevoer ervan naar. deze naast elkaar gelegen medium toevoer-kanalen is gewaarborgd en zoals mede deze nokkenas-opstelling in de 10 boven het boventunnelblok gelegen medium toevoer- inrichting ter plaatse van het centrale gedeelte van deze tunnel-opstelling bevattende rijen van in zowel de dwars-als radiale richting ervan naast elkaar gelegen groepen micrometer hoge mini nokken, het daarmede bijdragen in 15 deze optimaal gelijkmatige toevoer van deze combinatie van mediums naar deze medium-doorlaatkanalen.

76. Werkwijze volgens de Conclusie 75, met het kenmerk, • dat daarbij zulk een ononderbroken, in voldoende mate gelijkmatige medium-tovoer naar de zich eronder bevindende 20 stripvormige bovenspleet-sectie en de vlakheid van de opgebrachte di-electrische lagen mede worden verkregen door tenminste mede het navolgende: 1. de ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, met de 25 geringe verplaatsings-snelheid ervan van typisch slechts 2 mm per seconde; 2. deze hoog-capillaire aanzuigkracht door de micrometer hoge bovenspleet-sectie onder deze medium toevoer-inrichting; 3. de gelykmatige toevoer van uitsluitend de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste of vloeibare vorm ervan; 4. de verticale benedenwaartse verplaatsing van deze 35 combinatie via het grote aantal naast elkaar gelegen micro-brede groeven; 5. de overdruk van deze combinatie van mediums in dit cilindrische toevoer-gedeelte ten opzichte van typisch de onderdruk van het medium in deze bovenspleet-sectie; 6. in combinatie met deze stripvormige trillende warmtebron in het ondergedeelte van het boventunnelblok 5 enerzijds het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit vloeibare draagmedium en anderzijds het ultra-gelijkmatige neerslaan van de deeltjes semiconductor substantie in vooral vaste vorm ervan op dé eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes; en 10 7. het in een daarop-volgende stripvormige tunnel- sectie plaatsvinden van het smelten van deze deeltjes in vaste vorm ervan met behulp van een mini stripvormige electrische metalen verwarmings-element, welke eveneens is opgenomen in de onderwand van het boventunnelblok en 15 zulks daarbij zonder het plaatsvinden van een ontoelaatbare vervorming van de opgebrachte semiconductor laag van typisch een di-electrische substantie.

77. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij via deze medium toevoer-inrichting 20 het ononderbroken plaatsvinden van de toevoer van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare hecht-substantie ten behoeve van de bewerkstelliging van een tenminste nanometer hoge laag in een vloeibare hecht-conditie ervan.

78. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij via deze medium toevoer-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van de toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare semiconductor substantie, zoals onder andere 30 reinigings-, ets., strip- of spoel-medium, ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandeling in de eronder gelegen stripvormige bovenspleet-sectie.

79. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 35 het kenmerk, dat daarbij zulk een ononderbroken medium-toevoer mede plaats vindt via een stripvormig medium-toevoerblok, bevattende zulke naast elkaar gelegen medium-toe voer groeven, welke daarbij geheel is opgenomen in een ondergedeelte van het boventunnelblok.

80. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk eveneens het plaatsvinden van toevoer van medium via een stripvormige 5 medium toevoer-inrichting, welke geheel is opgenomen in het ondertunnelblok van deze tunnel-opstelling.

81. Werkwijze volgens de Conclusie 80, met het kenmerk, dat daarby de toevoer van medium plaats vindt via een stripvormig medium-toevoerblok, bevattende zulke naast 10 elkaar gelegen medium—toevoerkanalen, welke is opgenomen in het bovengedeelte van dit ondertunnelblok.

82. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met !ihet kenmerk, dat zoals daarbij plaatselijk de toepassing van zulk een mini medium-toevoerblok in het 15 ondertunnelblok, daarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van uitsluitend vloeibaar medium in een dun-vloeibare toestand ervan ten behoeve van het daarmede in een daarop-volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling onderhouden van een optimaal gelijkmatige 20 micrometer hoogte van de opgebrachte laag tussen het ondertunnelblok-gedeelte en de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarby fungeren van een ononderbroken metalen band of folie als een tijdelijke semiconductor 25 onderlaag ervan.

83. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarby tenminste plaatselijk in deze tunnel-opstelling na zulk een medium toevoer-inrichting in het boventunnelblok met behulp van tenminste mede een 30 overdruk van het toegevoerde medium ten opzichte van de druk, typisch een onderdruk, van het medium onder deze opvolgende band-gedeeltes het onderhouden van een mechanisch contact van deze opvolgende band-gedeeltes met de bovenwand van het ondertunnelblok ten behoeve van in 35 de zich erboven bevindende stripvormige semiconductor behandelings-sectie het tenminste bijdragen in een optimaal gelijkmatige laag-opbouw van de daarin neergeslage deeltjes van een semiconductor substantie.

84. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een stripvormige inrichting in het boventunnelblok, fungerend als zowel tril-element en verwarmings-inrichting, typisch 5 een transducer-opstelling, het daarmede door verdamping van dit draagmedium een bewerkstelligde circa . 500-voudige vol urne-vergroting ervan en gelijktijdig het ononderbroken plaatsvinden van neerslag van deze vrijgekomen deeltjes van een semiconductor substantie op 10 de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder mede deze tril-conditie ervan.

85. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tussen het boventunnelblok 15 en het ondertunnelblok de opname van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, het plaatsvinden van een ononderbroken lineaure verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen onder typisch slechts 2 mm per seconde en met 20 een ononderbroken folie of band als tenminste tijdelyke semiconductor onderlaag ervan tijdens de ononderbroken verplaatsing ervan erdoorheen.

86. Werkwijze volgens de Conclusir 85, met het kenmerk, dat daarbij het onderhouden van een micrometer hoogte van 25 de bovenspleet-sectie achter deze medium toevoer-inrichting en een aanzienlyk grotere hoogte van de bovenspleet-sectie vóór deze inrichting, waardoor het plaatsvinden van een aanzienlijke afvoer van het door de medium-toevoerkanalen toegevoerde medium in de 30 verplaatsings-richting van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en een te verwaarlozen afvoer ervan in tegengestelde richting via de erachter gelegen bovenspleet-sectie naar een in dit boventunnelblok opgenomen stripvormige medium-afvoersectie.

87. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het boventunnelblok aan weerszijde van zulk een centraal stripvormige semiconductor behandelings-sectie mediumslot-opstellingen zijn opgenomen, daarmede het belet worden van de daarin terecht gekomen combinatie van het vloeibare draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie te ontsnappen in dwarsrichting vanuit het centrale 5 semiconductor behandelings-gedeelte via de beide stripvormige spleetsecties tussen de opvolgende band- of folie-gedeeltes en het zich erboven bevindende gedeelte van het boventunnelblok.

88. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 10 het kenmerk, dat zoals daarbij op de afvoerzijde van deze medium toevoer-inrichting de aansluiting van een in het boventunnelblok opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, het daarmede plaatsvinden van verdamping van dit typisch laag-kokende vloeibare 15 draagmedium onder afvoer ervan via een daarop-volgende stripvormige afvoersectie in dit blok .en het plaatsvinden van neerslag van deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeelte, met 20 daarbij een toenemende hoogte van de bovenspleet-sectie onder tenminste deze transducer in de richting van deze medium-afvoersectie.

89. Werkwijze volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een volgende stripvormige sectie van 25 de onderwand van het boventunnelblok de opname van een mini stripvormig electrisch verwarmings-element, het daarmede plaatsvinden van het smelten van de daarop neergeslagen deeltjes van een vaste semiconductor substantie en in een daarop-volgende afkoelsectie van 30 blok het plaatsvinden van afkoeling ervan ten behoeve van de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van deze semiconductor substantie.

90. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een daarop-volgende 35 stripvormige sectie van het boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling met daarboven de opname van een laag-frequent pulserende inrichting het daarmede onderhouden van een laag-frequente pulseer- conditie ervan ten behoeve van het in de daaronder gelegen stripvormige semiconductor behandelings-sectie ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere een reinigings-, 5 ets-, strip- of een spoel-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

91. Werkwijze volgens de Conclusie 90, met het kenmerk, dat daarbij de bewerkstelliging van een optimale conditie 10 van zulk een semiconductor behandelings-proces ter plaatse van, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, het voorste gedeelte ervan, met het daarbij ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: 1. in de hoogste pulseer-positie van deze trillende transducer het bewerkstelligd zijn van een maximale hoogte van de daaronder gelegen bovenspleet-sectie; 2. in de middelste pulseer-positie van deze trillende transducer een midden-positie ervan; en 20 3. in de onderste pulseer-positie van deze trillende transducer het bewerkstelligd zijn van een micrometer hoogte van de zich daaronder bevindende bovenspleet-sectie en waarbij het daarin plaats vinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces van de 25 bovenlaag van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substaat-gedeeltes.

92. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de daarin opgenomen 30 stripvormige medium toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste toestand ervan een in een met vloeibaar medium gevuld uitwisselbaar stripvormig compartiment opgenomen, zich ononderbroken verdraaiende 35 nokkenas-opstelling, bevattende een stripvormige drukplaat-sectie met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element, het daarmede plaatsvinden van verdamping van het toegevoerde vloeibare draagmedium en vervolgens daarmede plaatsvinden van een ovenbehandeling van de opgebrachte laag van een di-electrische substantie.

93. Werkwyze volgens de Conclusie 92, met het kenmerk, 5 dat daarbij met behulp van deze nokkenas-opstelling als laag-frquent pulseer-inrichting het tevens onderhouden van een laag-frequent pulseer-conditie van deze drukplaat-sectie onder het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, 10 eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

94. Werkwijze volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge laag van een di-electrische 15 substantie op de reeds in voorgaande tunnelsecties opgebouwde relatief hoge laag ervan.

95. Werkwijze volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat daarby het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge laag van een di-electrische 20 op de reeds in een voorgaande tunnelsectie opgebouwde micrometer hoge laag van een di-electrische substantie.

96. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een ononderbroken verdraaiende nokkenas-opstelling in het 25 midden-gedeelte van een met vloeibaar medium gevuld stripvormig boven-compartiment van het boventunnelblok met eronder in het ondertunnelblok een eveneens met vloeibaar medium gevuld stripvormig compartiment, met als bovengedeelte ervan een stripvormige, in 30 hoogterichting verplaatsbare drukwand, met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van dit vloeibare medium naar en vanaf dit compartiment het daarbij onderhouden van een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen ervan en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs 35 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

97. Werkwyze volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, dat daarbij het onderhouden van zulk een opvolgend op en neer verplaatsen van de onderdrukwand en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes geschiedt onder typisch een mechanisch contact met deze onderdrukwand ten behoeve van het daarmede onderhouden van een semiconductor 5 behandelings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog-of laag-frequent trillend stripvormig drukwand-gedeelte van het boventunnelblok en een laag-frequent pulserend stripvormig bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok.

98. Werkwijze volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een bepaalde profilering van de daarin opgenomen nokken van deze nokkenas-opstelling, het daarbij onderhouden van een langzame - en een daaropvolgende snelle neerwaartse 15 verplaatsing van de daarin opgenomen drukwandsectie ten behoeve van de bewerkstelliging van een optimaal opbreng-proces voor de deeltjes van een vaste semiconductor substantie.

99. Werkwijze volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, 20 dat daarbij onder toepassing van een bepaalde profilering van deze nokken van deze nokkenas-opstelling het daarmede bewerkstelligen van een snelle opwaartse - en een daaropvolgende langzame neerwaartse verplaatsing van deze drukwand-sectie ten behoeve van het mede met 25 deze nokkenas-opstelling plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere reinigen, etsen, strippen of spoelen.

100. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormige sectie 30 van het boventunnelblok achter de opname daarin van de stripvormige medium toevoer-inrichting een stripvormig compartiment, waarin de opname van zulk een stripvormige transducer-opstelling met een daarop-volgende medium-afvoergroef, bevattende tenminste één afvoer leiding voor 35 het daarmede verdampte vloeibare draagmediumen ,met het daarmede onderhouden van een tril-conditie van het stripvormige onderwand-gedeelte van dit blok, en zoals daarbij onder dit boven-compartiment in het ondertunnelblok eveneens de opname van een stripvormig compartiment, waarin het zich bevinden van zulk een nokkenas-opstelling, met daarboven eveneens een stripvormige drukplaat-sectie en met behulp van 5 toegevoerd vloeibaar medium via een stripvormige toevoer-inrichting in dit blok het bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een micrometer hoge film ervan tussen deze drukplaat-sectie en de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-10 gedeeltes onder het daarmede mede onderhouden van een typisch laag-frequent tril-conditie ervan, het aldus daarbij ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces onder deze condities van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 15 101 .Werkwijze volgens de Conclusie 100, met het kenmerk, dat zoals daarbij plaatselijk geen benodigde toepassing van een film vloeibaar medium in dit onderspleet-gedeelte, het aldus ter plaatse onderhouden van een mechanisch contact van de opvolgende semiconductor 20 substraat-gedeeltes met het zich eronder bevindende stripvormige bovenwand-gedeelte van deze drukplaat3ectie.

102. Werkwijze volgens de Conclusie 99, met het kenmerk, dat zoals daarbij de nokken ervan, gezien in de verplaatsings-richting van deze opvolgende semiconductor 25 substraat-gedeeltes, een relatief lange toenemende hoogte en een daarop-volgende korte aflopende hoogte ervan bevatten, het mede met behulp van deze trillende boven-transducer, daarbij tevens fungerend als warmtebron, het bewerkstelligen van een micrometer hoge laag van een 30 di-electrische substantie.

103. Werkwijze volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, dat daarby na het opgebracht zijn van zulk een micrometer hoge laag gesmolten di-electrische substantie, in een daarop-volgende stripvormige afkoelsectie het 35 bewerkstelligen van een aanvulbare micrometer hoge laag van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan en welke daarbij verankerd is op deze reeds opgebrachte di-electriche laag.

104. Werkwijze volgens de Conclusie 102, .net het kenmerk, dat zoals daarbij, gezien in een daarbij tegengestelde verdraai-richting ervan, een relatief lange toenemende hoogte en een daarop-volgende korte afnemende hoogte 5 ervan, in het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte tenminste mede daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de di-electrische bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-10 gedeeltes en waarbij onder andere met behulp van mede de combinatie ervan met deze boven-transducer door verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium en het daardoor achterblijven van deeltjes vloeibaar reinigingsmedium het ononderbroken plaatsvinden van een 15 optimaal reinigings-proces van de in voorgaande tunnel-. secties bewerkstelligde typisch nanometer grote uitsparingen (crevices) in de bovenwand van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

105. Werkwyze volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, 20 dat zoals daarbij in de onderste pulseer-positie van deze di-electrische bovenlaag tijdens het typisch laag-frequent pulseren van de stripvormige drukwand-sectie boven deze nokkenas-opstelling het t ijdel yk bewerkstelligd zijn van de maximale hoogte van het bovenspleet-gedeelte, daarbij 25 mede tijdens de voorgaande zeer kortstondige benedenwaartse verplaatsing ervan het plaats gehad hebben van een snelle uitstuwing van de combinatie van het in deze uitsparingen toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium en nanometer grote deeltjes van een vloeibare reinigings-30 substantie en zulks in combinatie met daarmede verwijderde nanometer grote deeltjes van typisch tenminste mede de nog in deze uitsparingen aanwezige deeltjes van een ets-medium, zoals deze in tenminste één voorgaande stripvormige tunnelsectie was toegepast ten behoeve van 35 de bewerkstelliging ervan.

106. Werkwyze volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, dat daarbij het onder andere bewerkstelligen in de bovenste pulseer-conditie van deze verdraaiende nokkenas- opstelling en deze di-electrische bovenlaag van typisch een micrometer hoogte van de zich erboven bevindende bovenspleet- sec tie en waar bij tijdens zulk een opwaartse verplaatsing van mede deze di-electrische laag het 5 ononderbroken plaatsvinden van een optimaal reinigingsproces van mede zulk een semiconductor uitsparing/ crevice, met instuwing daarin van deze combinatie van draagmediura en deeltjes van een reinigings-substantie en zulks ondersteund door het daar bij typisch ultra-10 hoogfrequent trillen van het onderwand-gedeelte van deze transducer in het boventunnelblok, met daarbij het onder andere plaatsvinden van het losweken van deze te verwijderen deeltjes van de zijwand-gedeeltes van deze uitsparingen.

107. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor deze semiconductor tunnel-opstelling aanvullend de toepassing van meerdere werkwijzen, welke zijn omschreven in de gelijktijdig met deze Octrooi-aanvrage ingediende andere Octrooi-aanvragen 20 betreffende deze tunnel-opstelling.

108. Werkwijze volgens de Conclusie 107, met het kenmerk, dat daarbij voor deze semiconductor tunnel-opstelling aanvullend de gebruikmaking van tot op heden toegepaste semiconductor werkwijzen en combinaties ervan van de 25 semiconductor behandelings-machines en -equipment ten behoeve van de vervaardiging van semiconductor chips, welke door deling van de individuele semiconductor wafers, daaruit worden verkregen. 1037067