NL1037068C2

NL1037068C2 - Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling, waarbij tijdens de werking ervan in meerdere stripvormige bovenspleet-gedeeltes ervan boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van een warmte-behandeling onder trilconditie van de daarop in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte laag van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

Info

Publication number: NL1037068C2
Application number: NL1037068A
Authority: NL
Inventors: Edward Bok
Original assignee: Edward Bok
Priority date: 2009-06-23
Filing date: 2009-06-23
Publication date: 2010-12-27

Description

Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling, waarbij tijdens de werking ervan in meerdere stripvormige bovenspleet-gedeeltes ervan boven de opvolgende, ononderbroken eronderl3ngs verplaatsende 5 semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van een warmte-behandeling onder trilconditie van de daarop in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte laag van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

10

Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling, waarin tenminste plaatselijk ter plaatse van het centrale boven-behandelingsgedeelte ervan de opname van een stripvormige boven-spleetsectie, welke zich 15 uitstrekt in dwarsrichting ervan boven de opvolgende, zich tijdens de werking ervan ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij met behulp van een stripvormige opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok, het daarmede 20 ononderbroken plaatsvinden van een warmte-behandelings-proces onder trilconditie van de daarop in een voorgaande stripvormige sectie van deze tunnel-opstelling opgebrachte micrometer hoge laag van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie 25 in vloeibare- of vaste vorm ervan.

Daarbij door de warmte-ontwikkeling van deze opstelling het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van tenminste het hoofd-gedeelte van dit vloeibare draagmedium onder afvoer van de bewerkstelligde damp via een, gezien 30 in de verplaatsingsrichting van deze semiconductor substraat-gedeeltes, daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie van het boventunnelblok en tenminste terplaatse van het laatste gedeelte van deze opstelling het bewerkstelligd zijn van neerslag van het resterende gedeelte van het 35 toegevoérde medium op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder een contactloze conditie ervan met de onderwand van deze opstelling en het daarop-volgend onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok tot tenminste deze daarop-volgende 1037068 2 stripvormige medium-afvoersectie .

Het is van het grootste belang, dat zulk een vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie optimaal gelijkmatig over de gehele breedte van dit centrale 5 semiconductor behandelings-gedeelte wordt toegevoerd.

Daartoe is in het ondergedeelte van dit boventunnelblok vóór dit trilelement-gedeelte een mini stripvormig onder-mediumtoevoerblok opgenomen, welke een groot aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen medium-toevoerkanalen 10 bevat ten behoeve van het daarin gespreid toevoeren van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie naar tenminste een eronder gelegen boven-spleetgedeelte.

In het bovengedeelte van dit boventunnelblok daarbij de 15 opname van een stripvormig medium-toevoerblok, waarin de opname van een stripvormig medium-spreidblok ten behoeve van het daarin plaatsvinden van spreiding van het toegevoerde medium in dwarsrichting van het boventunnelblok.

In het daarboven opgenomen stripvormige medium-20 toevoerblok vindt daarbij de ononderbroken toevoer van deze combinatie van draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie plaats, met op dit blok de aansluiting van een medium-toevoerleiding, welke is aangesloten op een inrichting, waarin het mengen van het 25 vloeibaardraagmedium en de deeltjes van een semiconductor substantie plaats vindt.

Als gunstige uitvoeting van zulk een stripvormig trilelement-opstelling een transducer-opstelling, welke daarby is opgenomen in het boven- of ondertunnelblok.

30 Zulk een stripvormige transducer bestaat daarbij typisch uit een aantal, in tenminste de dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen dunne ultra-vlakke di-electrische schijven, met een optimaal gelijke hoogte ervan en zulks in een ronde of rechthoekige vorm en waarbij deze schijven met een 35 hecht-substantie verankerd zijn op een dun metalen drukwand-gedeelte van een boven- of ondertunnelblok.

Zoals deze transducer-opstelling daarbij typisch is opgenomen in een uitwisselbaar metalen stripvormig 3 transducer-blok, bevat deze typisch mede zulk een toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en een stripvormig afvoer-gedeelte ten behoeve van de 5 afvoer van het door deze transducer verdampte vloeibare medium en zijn deze di-electrische schijven verankèrd op het metalen drukwand-gedeelte van dit blok.

Daarbij bevat zulk een drukwand-gedeelte van deze transducer rondom ervan een eveneens dun membraam-gedeelte. 10 Op de bovenwand van deze schijven is daarbij een stripvormig dunwandig metalen electrode-plaat gehecht, met ter plaatse van typisch een uiteinde ervan de aansluiting erop van een electrisch toevoer-systeem vanaf een inrichting, waarin het ononderbroken plaatsvinden van 15 het opwekken en onderhouden van electrische trillingen onder zulk een tril-conditie ervan.

Daarbij elke mogelijke hoogte van deze trillingen, vanaf zeer laag, typische hoog-frequent (HF) tot zeer hoog, typisch megasonisch hoog-frequent (MHF).

20 Bij zulk een relatief laag-frequent trillen van deze transducer de daardoor mogelijke opname ervan in een stripvormige sectie van het ondertunnelblok en waarbij het ononderbroken plaatsvinden van het meetrillen van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende 25 semiconductor substraat-gedeeltes, met zelfs een relatief grote dikte ervan onder toepassing daarbij van een tenminste 0,1 mm dikke ononderbroken metalen band als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

Verder in een stripvormige sectie van deze tunnel-30 opstelling in het ondertunnelblok de opname van zulk een uitwisselbare stripvormige ondertransducer-opstelling en in het boventunnelblok de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok, waarin in een compartiment ervan de opstelling van een roterende nokkenas-opstelling ten 35 behoeve van het typisch hoog-frequent trillend op en neer verplaatsen van het zich eronder bevindende stripvormige drukwand-gedeelte ervan.

Daarbij het tijdelijk onderhouden van een overdruk van 4 het medium in het stripvormige transducer-compartiment ten opzichte van de druk van het medium in het erboven gelegen nokkenas-compartiment ten behoeve van het tijdelijk onderhouden van een opwaartse verplaatsings-5 conditie van deze stripvormige trillende transducer, daartoe tevens fungerend als laag-frequent pulserende drukwand, tot op een micrometer hoge afstand onder de daarmede eveneens trillende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met de erop neergeslagen deeltjes 10 van een semiconductor substantie ten behoeve van de bewerkstelliging van een optimale vlakheid van deze laag van deeltjes van de semiconductor substantie.

Op de bovenzijde van het transducer-compartiment, welke is opgenomen in het boventunnelblok ter plaatse van het 15 begin-gedeelte ervan de opname van een toevoer van gasvormig medium en ter plaatse van het eind-gedeelte ervan een afvoer ten behoeve van het mede bijdragen in het tijdens de werking van de daarin opgenomen transducer onderhouden van een toenemende hoogte van het bovenspleet-20 gedeelte onder deze transducer in de richting van de erachter opgenomen stripvormige afvoersectie voor het verdampte medium.

Bij de opname van zulk een strip vormige boven- of onder transducer, welke tevens fungeert als warmtebron in 25 zulk een uitwisselbaar transducer blok, is daarbij tenminste in hoogterichting opzij ervan de opname van een stripvormig warmte-isolerend blok ten behoeve van het beperken van warmte-verlies ervan.

Bij toepassing van zulk een transducer in het 30 boventunnelblok daarbij in de onderwand van dit warmte-isolerende blok de opname van multi mini naast elkaar gelegen doorlaat-groeven voor dit gasvormige medium.

Met behulp van deze, mede in dwarsrichting uitstrekkende groeven in combinatie met deze trillende 35 transducer het daarbij onderhoden van een micrometer hoog, met gasvormig medium gevuld gedeelte tussen dit blok en deze transducer onder het daarbij onderhouden van een mechanisch contactloze conditie van deze trillende 5 transducer in dit blok.

In deze tunnel-opstelling vindt verder tenminste plaatselijk na het opbrengen van zulk een micrometer hoge semiconductor laag van vaste deeltjes, typisch een 5 di-electrische laag, onder toepassing van zulk een trilelement-opstelling, tevens fungerend als warmtebron, in tenminste één volgend gedeelte ervan het herhalen van zulk een semiconductor laag-opbouw plaats.

In een gunstige werkwijze vindt daarbij na het 10 bewerkstelligd zijn van zulk een micrometer hoge laag van een typisch di-electrische substantie met behulp van mini stripvormig .electrisch verwarmings-element, welke is opgenomen in de onderwand van het boventunnelblok, het samensmelten ervan plaats, met in een volgende tunnel-15 sectie door afkoeling het bewerkstelligen van een micrometer hoge laag in een vaste toestand ervan.

Zulk een electrische verwarmings-inrichting is verder gedetailleerd in een aantal Figuren aangegeven.

Verder is zulk een verwarmings-proces van een 20 opgebrachte laag van deeltjes van een semiconductor substantie reeds omschreven in de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 4.

Als alternatief vindt na het bewerkstelligd zijn van een aantal van deze opgebouwde lagen zulk een oven-25 behandeling plaats.

Achter de in het boventunnelblok opgenomen stripvormige medium toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste toestand ervan is een met vloeibaar medium 30 gevuld uitwisselbaar stripvormig semiconductor blok opgenomen, waarbij in het compartiment ervan de opname van een stripvormige, zich verdraaiende nokkenas-opstelling, bevattende een stripvormige drukplaatsectie, met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element ten 35 behoeve van het daarmede verdampen van het toegevoerde vloeibare draagmedium.

Daarbij een zodanige profilering van de nokken ervan, dat daarmede een langzame opwaartse en een daarop 6 volgende snelle neerwaartse verplaatsing van de· drukplaat-sectie plaats vindt ten behoeve van een optimaal opbreng-proces voor deeltjrs van zulk een vaste semiconductor substantie.

5 Als alternatieve uitvoering van deze nokken of een tegengestelde verdraai-richting van deze nokkenas een zodanige profilering ervan, dat daarbij, gezien in de draai-richting ervan, welke daarbij tegengesteld is, het daarmede bewerkstelligen van een snelle opwaartse en een 10 daarop volgende langzame neerwaartse verplaatsing van deze drukwandsectie ten behoeve van het met deze nokkenas-opstelling plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere reinigen, etsen, strippen of spoelen.

15 Zulk een nokkenas-opstelling is eveneens aangegeven in deze Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 4.

Verder voor deze semiconductor tunnel-opstelling de mogelijke combinatie van een strip vormige hoog-frequent trillende onder-transducer, welke is opgenomen in het 20 ondertunnelblok, en een daarboven gelegen stripvormige zeer hoog-frequent trillende boven-trahsducer, welke is opgenomen in het boventunnelblok.

Daarbij elke gewenst wordende semiconductor uitvoering en werkwijze van deze combinatie van een onder- en boven-25 transducer.

Verder in opvolgende secties van het boventunnelblok de opname van een toevoer-inrichting voor de gescheiden toevoer van hoog-kokend vloeibaar draagmedium en de toevoer van de combinatie van laag-kokend vloeibaar 30 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan.

Daarbij met behulp van een eerste, daarin opgenomen transducer door verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium het bewerkstelligen van neerslag van de 35 combinatie van het hoog-kokende vloeibare draagmedium en deze deeltjes van een vaste substantie en met behulp van een tweede transducer, mede fungerend als een versterkte warmtebron, onder het begin-gedeelte ervan het plaatsvinden 7 van verdamping van dit hoger-kokende vloeibare draag-medium onder het plaatsvinden van uitdrijving van het verdampte medium uit deze opgebrachte semiconductor laag en vervolgens daarmede onder het eind-gedeelte ervan het 5 plaatsvinden van het smelten van deze resterende laag van deeltjes van deze semiconductor substantie onder de vorming van een vloeibare micrometer hoge laag ervan.

Verder typisch in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de opname daarin van zulk een 10 stripvormige medium toevoer-inrichting een stripvormig uitwisselbaar blok, waarin de opname van een compartiment, bevattende zulk een stripvormige transducer-opstelling en typisch een daarop volgende medium-afvoergroef , met aansluiting daarop van een afvoer-systeem voor het 15 daarmede verdampte medium ten behoeve van het onderhouden van een zeer hoog-frequente tril-conditie van het stripvormige onder wand-gedeelte van dit blok en waarbij onder dit blok in het ondertunnelblok eveneens de opname van een uitwisselbaar blok, bevattende eveneens een 20 stripvormig compartiment, waarin eveneens de opname van een nokkenas-opstelling met daarboven een stripvormige drukwand-gedeelte van dit blok ten behoeve van het met behulp van toegevoerd vloeibaar medium via een voorgaande stripvormige toevoer-inrichting in dit blok het 25 bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een micrometer hoge film ervan tussen dit drukwand-gedeelte en de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor 30 behandelings-proces mede onder tril-conditie van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

Daarbij hebben de nokken van deze nokkenas-opstelling, gezien in de verplaatsings-richting ervan, een korte oplopende hoogte en daarachter een relatief lange aflopende 35 hoogte ervan, ten behoeve van het met behulp van deze trillende boven-transducer, daarbij tevens fungerend als warmtebron, het bewerkstelligen van een micrometer hoge laag gesmolten di-electrische substantie.

8 Ια een daarop volgende stripvormige afkoelsectie van deze tunnel-opstelling het bewerkstelligen van een aanvulbare micrometer hoge vaste laag ervan, welke daarbij verankerd is op de reeds in voorgaande tunnel-secties 5 opgebouwde di-electrische laag.

Verder daarbij werkwijzen voor deze semiconductor opstelling, welke reeds zijn omschreven in deze aanvrage No. 4.

In deze semiconductor tunnel-opstelling verder 10 plaatselijk de opname van een aantal opvolgende semiconductor behandelings-secties voor de ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en tenminste plaatselijk in het boven- en ondertunnelblok de opname van een aantal opvolgende 15 trilelement-opstellingen, welke mede fungeren als warmtebron ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een ononderbroken semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronder- of erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

20 Verdere gunstige kenmerken van deze semiconductor tunnel-opstelling onder tenminste plaatselijk de toepassing van zulke stripvormige semiconductor trilelement-opstellingen, welke zijn opgenomen in het boven- en ondertunnelblok ervan en fungeren mede als trillende 25 warmtebron, volgen uit de aangegeven Figuren en de beschrijving ervan.

Zulke, in deze tunnel-opstelling opgenomen stripvormige trilelement-opstellingen en de andere semiconductor opstellingen alsmede de werkwijzen ervan zijn tevens 30 toepasbaar in de gelijktijdig net deze Octrooi-aanvrage ingadiende andere Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor substraat transfer/ behandelings-tunnelopstelling en zulks in een al dan niet aangepaste vorm ervan.

35 Tevens zijn de in deze andere Octrooi-aanvragen aangegeven en omschreven middelen en werkwijzen eveneens toepasbaar in deze semiconductor tunnel-opstelling en zulks eveneens in een al dan niet daartoe aangepaste vorm 9 ervan .

Figuur 1 toont in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de daarin opgenomen stripvormige 5 medium toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste toestand ervan een in een met vloeibaar medium gevuld compartiment van een uitwisselbaar stripvormig blok opgenomen zich verdraaiende nokkenas-opstelling, 10 bevattende een stripvormige drukwandsectie,met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element ten behoeve van het daarmede tenminste verdampen van het toegevoerde vloeibare draagmedium en waarby met behulp van deze verdraaiende nokkenas het tevens onderhouden 15 van een typisch laag-frequente pulseer-conditie van deze drukwandsectie onder het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

20 Figuren 2A en ® tonen daarbij sterk vergroot het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge di-electrische substantie op de reeds in een voorgaande tunnelsectie opgebouwde relatief hoge laag ervan.

25 Figuren 3 ^ e(1 B tonen daarbij sterk vergroot het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge laag di-electrische substantie op de reeds in een voorgaande tunnelsectie opgebouwde micrometer hoge laag Figuur 4 toont de in de Figuurl aangegeven nokkenas-30 opstelling in het midden-gedeelte van een stripvormig compartiment van een uitwisselbaar blok, welke drukdicht is bevestigd op het boventunnelblok en waarbij eronder in het ondertunnelblok een eveneens met vloeinaar medium gevuld stripvormig compartiment van zulk een uitwisselbaar 35 blok met als boven-gedeelte ervan een stripvormige, in hoogterichting verplaatsbaar drukwand-gedeelte van dit blok ten behoeve van het met behulp van het opvolgend toe-en afvoeren van het vloeibare medium naar en vanaf 10 dit compartiment het daar bij onderhouden van een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen ervan en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder typisch een mechanisch contact 5 ermede ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog-frequent trillend stripvormig onderwand-gedeelte van het boventunnelblok en het laag-frequent pulserend 10 stripvormig bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok.

Figuur 5 toont de nokkenas-opstelling volgens de Figuur 4, waarby echter de positie ervan, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende substraat-gedeeltes, in het achter-gedeelte van dit compartiment.

15 Figuren 6^ t/^ni tonen voor de nokkenas-opstellingen, welke zijn aangegeven in de Figuren 4 en 5, nokken met een zodanige profilering ervan, dat daarmede een langzame opwaartse en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing van de daarin mede aangegeven drukwand-20 sectie plaats vindt ten behoeve van een optimaal opbreng-proces voor deeltjes van een vaste semiconductor substantie.

Figuren 6^** t/m EU tonen als alternatieve uitvoering van deze nokken een zodanige profilering ervan, dat daarbij 25 het daarmede bewerkstelligen van een snelle opwaartse en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van deze drukwand-sectie ten behoeve van het met deze nokkenas-opstelling plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere 30 reinigen, etsen, strippen of spoelen.

Figuur 7 toont in een gedeelte van de semiconductor tunnel-opstelling een stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in een uitwisselbaar stripvormig boventunnelblok-gedeelte en zulks tezamen met ervóór een 35 stripvormige inrichting ten behoeve van de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en erachter een stripvormige afvoersectie ten behoeve van de afvoer 11 van het net behulp van deze tranducer verdampte vloeibare draagmedium.

Figuur 8 toont zeer sterk vergroot de doorsnede over de lijn 8-8 terplaatse van de onderwand van de warmte-5 isolerende laag in het boven-gedeelte van het transducer-compartiment tussen de daarin opgenomen toe- en afvoer-groef voor gasvormig medium ten behoeve van het vermijden van een mechanisch contact van deze transducer met deZe laag.

10 Figuur 9 toont de combinatie van een gedeeltelijk boven-aanzicht en van een doorsnede van een transducer-opstelling, waarin de opname van een aantal naast elkaar gelegen dunwandige cilindrische di-electrische schijven en waarbij het stripvormige onder-electrodegedeelte ervan 15 een deel is van het onderwand-gedeelte van een uitwisselbaar metalen transducerblok en de boven-electrodeplaat een electrische aansluiting ter plaatse van een uiteinde ervan bevat ten behoeve van de aansluiting van deze plaat op een electrische inrichting, 20 waarin de opwekking van een ononderbroken electrische spanning onder een tril-conditie ervan, met aldus tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het onderhouden van zulk een tril-conditie van deze transducer-opstelling.

Figuur 10 toont da ar bij vergroot de doorsnede over de 25 lijn 10-13 van de* transducer-opstelling volgens de Figuur 9.

Figuur 11 toont in een alternatieve uitvoering van deze transducer-opstelling een tweetal naast elkaar gelegen rijen van zulke cilindrische di-electrische 30 schijven.

Figuur 12 toont voor zulk een transducer-opstelling een aantal in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen rechthoekige dunne di-electrische schijven.

Figuur 13 toont daarbij een tweetal naast elkaar 35 gelegen rijen van zulke rechthoekige di-electrische schijven.

Figuur 14 toont de medium toevoer-inrichting, welke is aangegeven in de Figuur 1, met daarop op de 12 afvoerzyde ervan de aansluiting van een in het boventunnelblok opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het tenminste daarmede plaatsvinden van verdamping van dit typisch 5 laag-kokende vloeibare draag.medium en afvoer ervan via een daarop-volgende stripvormige afvoersectie van dit blok en waarbij gelijktijdig het tevens opbrengen van tenminste deze deeltjes van een semiconductor substantie op deze eronderlangs verplaatsende 10 semiconductor substraat-gedeeltes, in een volgende stripvormige sectie van de onderwand van het boventunnelblok de opname van een mini stripvormig electrisch verwarmings-element ten behoeve van het daarmede tenminste nagenoeg uitsluitend en ononderbroken 15 plaatsvinden van het smelten van de daarop neergeslagen deeltjes van een vaste semiconductor substantie en in een daarop-volgende afkoelsectie van dit blok de opname van een stripvormige afkoelsectie ten behoeve van de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van deze 20 semiconductor substantie.

Figuren 15^, B en C tonen alternatieve uitvoeringen van dit stripvormige electrische verwarmings-element, welke daarbij omgeven is door een di-electrische warmte-isolerende omhulling, bevattende een mini warmte-25 doorlaatgroef, welke zich in benedenwaartse richting uitstrekt naar de onderwand ervan.

Figuren 16^, B en C tonen het met behulp van dit verwarmings-element plaatsvinden van het samensmelten van de micrometer hoge laag van deeltjes van een vaste 30 semiconductor substantie op een micrometer hoge en in een voldoende mate tijdelijke vloeibare hechtsubstantie, welke reeds in een voorgaand bovenspleet-gedeelte is opgebracht op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende metalen band-gedeeltes als een tijdelijke 35 semiconductor onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij in een volgende stripvormige afkoel-inrichting, welke is opgenomen in 13 het boventunnelblok en aangegeven in de Figuur 14, door afkoeling ervan de bewerkstelliging van typisch een micrometer hoge di-electrische laag, welke verankerd is op deze tijdelyke hechtlaag.

5 Figuur 17 toont de opname van zulk een stripvormige transducer-opstelling in het transducer-compartiment van een uitwisselbaar transducerblok, welke is opgenomen in het boventunnelblok en waarbij deze transducer verder daarbij zodanig is uitgevoerd, dat het mede fungeren ervan 10 als een stripvormige, typisch laag-frequent pulserende drukwand en waarbij daartoe het opvolgende plaatsvinden van de toe- en afvoer van typisch gasvormig medium naar en vanaf dit compartiment.

Figuur 18 toont een stripvormige, typisch tenminste 15 laag-frequent pulserende transducer, waarbij de opname ervan in een stripvormig uitwisselbaar transducer-blok, welke is opgenomen in het ondertunnelblok ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van het meetrillen van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs 20 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met een relatief grote dikte ervan, zoals daarbij de toepassing van een tenminste 0,1 mm dikke ononderbroken metalen band als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

Figuur 19 toont de stripvormige transducer-opstelling 25 volgens de Figuur 18 en waarbij deze transducer tevens fungeert als stripvormige drukwand ten behoeve van het met behulp van het zeer laag-frequent pulserend toe- en afvoeren van het gasvormige medium naar en vanaf het transducer-compartiment in dit blok mede onderhouden 30 van een pulseer-conditie met zulk een uiterst lage pulseer-conditie ervan.

Daarbij elke mogelijke hoogte van deze trillingen, vanaf zeer laag, typisch laag-frequent (LF) tot zeer hoog, typisch ultrasonisch hoog-frequent (UHF).

35 Zulk een typisch hoog-frequent trillen van deze transducer daarmede eveneens trillende opvolgende substraat-gedeeltes met de erop neergeslagen deeltjes van een semiconductor substantie.

14

Daarbij elke gewenste wordende semiconductor uitvoering en werkwijze van deze combinatie van een onder- en boven-transducer.

Figuur 21 toont in een stripvormige sectie van de 5 semiconductor tunnel-opstelling in het ondertunnelblok de opname van zulk een uitwisselbare stripvormige ondertransducer-opstelling en in het boventunnelblok de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok, waarin in een compartiment ervan de opstelling van een roterende 10 nokkenas-opstelling ten behoeve van het typisch hoogfrequent trillend op en neer verplaatsen van het zich eronder bevindende drukwand-gedeelte ervan en waarbij met behulp van deze onder-transducer het mede onderhouden van een typisch laag-frequente pulseer-conditie van de 15 opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuur 22 toont de opname in het boventunnelblok van een toevoer-inrichting voor de gescheiden toevoer van hoog-kokend vloeibaar draagmedium en de toevoer van de 20 combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan en waarbij met behulp van een eerste, daarin opgenomen transducer door verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium het bewerkstelligen van 25 neerslag van de combinatie van hoog-kokende vloeibare draagmedium en deze deeltjes van een vaste substantie.

Figuur 23 toont de transducer-opstelling volgens de Figuur 22, met daarachter in het boventunnelblok de opname van een tweede transducer ten behoeve van het 30 daarmede verdampen van dit hoger-kokende vloeibare draagmedium onder het plaatsvinden van uitdrijving van het verdampte medium uit deze opgebrachte semiconductor laag en vervolgens door het mede fungeren ervan als oven-sectie daarmede onder het eind-gedeelte ervan het 35 plaatsvinden van het samensmelten van deze resterende laag van deeltjes van deze semiconductor substantie onder de vorming van een vloeibare micrometer hoge laag ervan.

15

Figuur 2k toont in deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk in het boventunnelblok de opname van een aantal opvolgende stripvormige semiconductoe behandelings-secties'-ervan, met daarin de opstelling van zulk een 5 stripvormige boven-transducer met ervóór zulk een stripvormige inrichting ten behoeve van de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.in vaste vorm, typisch een di-electrische substantie, en daarachter zulk 10 een stripvormige afvoer-sectie ten behoeve van de afvoer van het met behulp van deze transducer-opstelling door verdamping van dit vloeibare draagmedium bewerkstelligde dampvormige medium, met ertussen de opname van een stripvormige mediumslot-opstelling onder toepassing van 15 een tweetal opvolgende toevoergroeven voor het slotmedium ten behoeve van het gescheiden houden van deze opvolgende semiconductor behandelings-secties en waarbij pas na het bewerkstelligd zijn van deze opgebouwde semiconductor lagen het plaatsvinden van zulk een oven-behandeling 20 ervan ten behoeve van tenminste mede het samensmelten van deze opgebrachte deeltjes van een di-electrische substantie.

Figuur 25 toont in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de opname daarin van zulk een 25 stripvormige medium toevoer-inrichting een stripvormig uitwisselbaar blok, waarin de opname van een compartiment, bevattende zulk een stripvormige transducer-opstelling en typisch een daarop volgende medium-afvoergroef , met aansluiting daarop van een afvoer-systeem voor het 30 daarmede verdampte medium ten behoeve van het onderhouden van een zeer hoog-frequente tril-conditie van het stripvormige on.d.erwand-gedeelte van dit blok en waarbij onder dit blok in het ondertunnelblok eveneens de opname van een uitwisselbaar blok, bevattende eveneens een 35 stripvormig compartiment, waarin eveneens de opname van een nokkenas-opstelling met daarboven een stripvormige drukwand-gedeelte van dit blok ten behoeve van het met behulp van toegevoerd vloeibaar medium via een voorgaande 16 stripvormige toevoer-inrichting in dit blok het bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een micrometer hoge film ervan tussen dit drukwand-gedeelte en de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende 5 semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces mede onder tril-conditie van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

Daarbij hebben de nokken van deze nokkenas-opstelling, 10 gezien in de verplaatsings-richting ervan, een korte oplopende hoogte en daarachter een relatief lange aflopende hoogte ervan, ten behoeve van het met behulp van deze trillende boven-transducer, daarbij tevens fungerend als warmtebron, het bewerkstelligen van een micrometer hoge 15 laag gesmolten di-electrische substantie.

Figuur 26 toont een sterk vergroot gedeelte van de combinatie van e$n stripvormige drukplaat-aectie van de onder-nokkenas volgens de Figuur 25 en waarbij de nokken ervan, gezien in de verplaatsings-richting ervan een 20 korte oplopende hoogte en daarachter een relatief lange aflopende hoogte ervan bevatten ten behoeve van het mede met behulp van de trillende boven-transducer, daarbij tevens fungerend als warmtebron, het bewerkstelligen van een pm hoge laag gesmolten di-25 electrische substantie, zoals is aangegeven in de Figuur 27.

Figuur 28 toont na het in de Figuur 27 aangegeven zijn van zulk een laag gesmolten di-electrische substantie in een daarop volgende stripvormige afkoelsectie het 30 bewerkstelligen van een aanvulbare pm hoge laag ervan, welke verankerd is op de reeds opgebrachte di-electrische laag.

Figuur 29 toont een alternatieve uitvoering van de nok-profilering van de nokkenas-opstelling, welke is 35 aangegeven in de Figuur 25 en waarbij, gezien in de verdraai-richting ervan, een relatief lange toenemende hoogte en een daarop volgende korte afnemende hoogte ervan ten behoeve van tenminste mede daarmede plaatsvinden van 17 een semiconductor behandelings-proces wan de bovenlaag van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals is aangegeven in de Figuur 30 en waarbij onder andere het plaatsvinden van een 5 reinigings-proces van de in voorgaande tunnel-secties bewerkstelligde typisch nanometer grote uitsparingen (crevices) in de bovenwand van de opvolgende substraat-gedeeltes en zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 31 en 32.

10

Figuur 1 toont voor de semiconductor tunnel-opstelling 10 in een stripvormige sectie van het boventunnelblok 18 achter de daarin opgenomen stripvormige medium toevoer-inrichting 12 voor de combinatie van 15 vloeibaar draagmedium 14 en deeltjes van een semiconductor substantie 16 in vaste toestand ervan een in een met vloeibaar medium 32 gevuld compartiment 20 van het uitwisselbare stripvormige blok 22 opgenomen zich verdraaiende nokkenas-opstelling 24, bevattende een 20 stripvormige drukwandsectie 26, met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element 28 ten behoeve van het daarmede tenminste verdampen van het toegevoerde vloeibare draagmedium 14 en waarbij met behulp van deze verdraaiende nokkenas 24 het tevens onderhouden van een 25 typisch laag-frequente pulseer-conditie van deze drukwandsectie 26 onder het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

30 De medium toevoer-inrichting 12 is gedetailleerd aangegeven en omschreven in de gelijktijdig met deze Octrooi-aanvrage ingediende Octrooi-aanvrage Mo. 4.

Figuren 2-4 en 2& tonen daarbij sterk vergroot het door verdamping van het vloeibare draagmedium 14 ononderbroken 35 plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge di-electrische substantie 16 op de reeds in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebouwde relatief hoge laag 36 ervan.

Figuren 34 en 3B tonen daarbij sterk vergroot het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van een 18 micrometer hoge laag di-electr.ische substantie 16 op de reeds in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebouwde micrometer hoge laag 36.

Figuur 4 toont de in de Figuur 1 aangegeven nokkenas-5 opstelling 24 in het midden-gedeelte van een stripvormig compartiment 20 van een uitwisselbaar blok 22, welke drukdicht is bevestigd op het boventunnelblok 18 en waarbij eronder in het onder tunnel blok 38 een eveneens met vloeibaar medium 32 gevuld stripvormig onder-10 compartiment 40 van zulk een uitwisselbaar onderblok 42 met als boven-gedeelte ervan een stripvormige, in hoogterichting verplaatsbaar drukwand-gedeelte 44 van dit blok ten behoeve van het met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van het vloeibare medium 32. naaar en vanaf 15 dit compartiment 40 het daarbij onderhouden van een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen ervan en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30 onder typisch een mechanisch contact ermede ten behoeve van het daarmede 20 plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog-frequent trillend stripvormig onderwand-gedeelte 46 van het uitwisselbare bovenblok 22 en het laag-frequent pulserend stripvormig 25 bovenwand-gedeelte 44 van het ondertunnelblok 38.

Figuur 5 toont de nokkenas-opstelling 24 volgens de Figuur 4, waarbij echter de positie ervan, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende substraat-gedeeltes, in het achter-gedeelte van dit compartiment 30 ten behoeve van het bijdragen in het onderhouden van een contactloze conditie van de zich op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte laag van zulke deeltjes 16 van een di-electrische substantie met deze drukwandsectie 26.

35 Figuren 6^1 t/111 EI tonen voor de nokkenas- opstellingen 24, welke zijn aangegeven in de Figuren 4 en 5, nokken 50 met een zodanige profilering ervan, dat daarmede het nokgedeelte 52 bevattende een relatief grote 19 lengte ervan ten behoeve van het daarmede bewerkstelligen van een tijdelijke langzame opwaartse verplaatsing van de drukwand-sectie 26 plaats vindt, en met het korte nok-gedeelte 54 een daarop-volgende snelle neerwaartse 5 verplaatsing ervan geschiedt ten behoeve van het ononderbroken plaatsvinden van een optimaal opbreng-proces voor deze deeltjes 16 van de di-electrische substantie.

Figuren 6^^ t/m EÜ tonen als alternatieve uitvoering van deze nokken een zodanige profilering ervan, dat 10 daarbij het daarmede bewerkstelligen van een snelle opwaartse en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van deze drukwand-sectie 26 ten behoeve van het met deze nokkenas-opstelling plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces, zoals onder 15 andere reinigen, etsen, strippen of spoelen.

Figuur 7 toont in een gedeelte van de semiconductor tunnel-opstelling 10 een stripvormige transducer-opstelling 58, welke is opgenomen in een uitwisselbaar stripvormig boventunnelblok-gedeelte 22 en zulks tezamen 20 met ervóór een stripvormige inrichting 12' ten behoeve van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 14 en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm 16 of in vloeibare vorm 56 ervan en erachter een stripvormige afvoersectie 60 ten behoeve 25 van de afvoer van het met behulp van deze transducer verdampte vloeibare draagmedium 14.

Figuur 8 toont zeer sterk vergroot de doorsnede over de lijn 8-8 van de Figuur 7 terplaatse van de onderwand van de warmte-isolerende laag 62 in het boven-gedeelte 30 van het transducer-compartiment 20 tussen de daarin opgenomen toe- en afvoergroef 64 en 66 voor gasvormig medium 68 ten behoeve van het mede met behulp van stromen gasvormig medium door de multi naast elkaar gelegen groeven 70 tussen deze toe- en af voer groeven het vermijden 35 van een mechanisch contact van deze transducer 58 met deze laag 62.

Met behulp van deze, mede in dwarsrichting uitstrekkende groeven 70 in combinatie met deze trillende transducer 58 20 het daarbij mede onderhouden van een micrometer hoog, met gasvormig medium gevuld gedeelte tussen deze laag 62 en deze transducer 58 onder het daarby onderhouden van zulk een mechanisch contactloze conditie van deze trillende 5 transducer in dit transducer-blok 22'.

Daarbij de ononderbroken toevoer van het gasvormige medium 68 via de toevoer leiding 72 ter plaatse van het begin-gedeelte van dit compartiment 20 en ter plaatse van het eind-gedeelte ervan de afvoer van dit medium via de 10 af voer leiding 74 ten behoeve van het mede bijdragen in het tijdens de werking van deze tranducer 58 onderhouden van een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte 76 onder deze transducer in de richting van de erachter opgenomen stripvormige afvoersectie 66 voor het verdampte 15 medium.

Zulk een warm te-isolerend blok 62 fungeert daarbij tevens ten behoeve van het beperken van warmte-verlies van deze transducer 58.

Zulk een semiconductor boven-transducer 58 is daarbij 20 aangesloten op een electrische generator, welke is opgenomen in de semiconductor facility, gelijktijdig ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 7 van de aanvrager, en waarin het ononderbroken plaatsvinden van de opwekking en vervolgens het onderhouden van een 25 electriscne stroom met een mogelijke lage tot een zeer hoge tril-frequentie aan de uitgangszijde ervan.

Figuur 9 toont de opname in de semiconductor tunnel-opstelling 10 ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 124 met in dwarsrichting aan 30 weerszijde ervan de mediumslot-opstelling 126, van de stripvorraige transducer-opstelling 58, welke als onderdeel van een uitwisselbaar transducerblok 84 is opgenomen in het boventunnelblok 18.

Daarbij de combinatie van een gedeeltelijk boven-aanzicht 35 en doorsnede van het uitwisselbare transducer-huis 78, waarin de opname van een aantal naast elkaar gelegen dunwandige cilindrische di-electrische schijven 80 en waarbij het stripvormige onder-electrodegedeelte 82 ervan 21 een deel is van het onderwand-gedeelte van het uitwisselbare metalen transducerblok 84.

De boven-electrodeplaat 86 van dit blok bevat daarbij de electrische aansluiting 88 ter plaatse van een 5 uiteinde ervan ten behoeve van de aansluiting van deze plaat op een electrische generator, welke is aangegeven en omschreven in de bijgaande Nederlandse Octrooiaanvrage No. 7 van de aanvrager, en waarin de opwekking van een electrische spanning geschiedt onder een tril-10 conditie ervan, met aldus tijdens de werking van deze tunnel-opstelling 10 het continue onderhouden van zulk een tril-conditie van deze transducer-opstelling.

Figuur 10 toont daarbij vergroot de doorsnede over de lijn 10-10 van de transducer-opstelling 78 volgens de 15 riguur 9.

Figuur 11 toont in een alternatieve uitvoering 78' van deze transducer-opstelling een tweetal naast elkaar gelegen rijen van zulke mini cilindrische di-relectrische schijven 80' 20 Figuur 12 toont in een andere alternatieve uitvoering van deze transducer-opstelling een aantal in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen rechthoekige dunne di-electrische schijven 80 ' ' .

Figuur 13 toont daarbij in zulk een transducer-25 opstelling 78'’’ een tweetal naast elkaar gelegen rijen van zulke rechthoekige di-electrische schijven δΟ'''.

Binnen het kader van de uitvinding kan voor zulk een transducer-opstelling tevens slechts één langwerpige dunne di-electrische plaat worden toegepast.

30 Figuur 14 toont de medium toevoer-inrichting 12, welke is aangegeven in de Figuur 1, met daarop op de afvoerzijde ervan.de aansluiting van een in het boventunnelblok 18 opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 58 ten behoeve van het tenminste 35 daarmede plaatsvinden van verdamping van dit typisch laag-kokende vloeibare draagmedium 14 en afvoer ervan via een daarop-volgende stripvormige afvoersectie 60 van dit blok en waarbij gelijktijdig het tevens opbrengen van 22 25 tenminste deze deeltjes van een semiconductor substantie 16 op deze eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30, in een volgende stripvormige sectie van de onderwand 90 van het boventunnelblok 18 de opname van een mini stripvormig electrisch verwarmings-30 element 92 ten behoeve van het daarmede tenminste nagenoeg uitsluitend en ononderbroken plaatsvinden van het smelten van de op deze opvolgende substraat-gedeeltes 30 neergeslagen deeltjes van een vaste semiconductor substantie 16 en in een daarop-volgend gedeelte van dit 35 blok de opname van een stripvormige afkoelsectie 94 ten behoeve van de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag 96 van deze semiconductor substantie 16.

Daar bij is ook deze boven-transducer aangesloten op de 15 electrische generator, welke gedetailleerd is aangegeven en omschreven in de gel ijkt ijdig ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 7 van de aanvrager.

Figuren 15A, B en C tonen alternatieve uitvoeringen van dit in het boventunnelblok 18 op.genomen stripvormige 20 electrische verwarmings-element 92,'welke daarbij is omgeven door een di-electrische warmte-isolerende omhulling 96, bevattende een mini warmte-dóorlaatgroef 98, welke zich in benedenwaartse richting uitstrekt naar de onderwand ervan.

25 Figuren 16^» B en C tonen het met behulp van het verwarmings-element 92 plaatsvinden van het samensmelten van de micrometer hoge laag 100 van deeltjes van een vaste semiconductor substantie 16 naar een micrometer hoge vloeibare laag 102 op een micrometer hoge en in een 30 voldoende mate tijdelijke vloeibare hechtsubstantie 104, welke reeds in een voorgaand bovenspleet-gedeelte is opgebracht op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende metalen band-gedeeltes 106 als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende 35 semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij in een volgende stripvormige afkoel-inrichting 94, welke is opgenomen in het boventunnelblok 18 en aangegeven in de Figuur 14, door afkoeling ervan de bewerkstelliging van 23 typisch een micrometer hoge di-electrische vaste laag 108, welke verankerd is op deze tijdelijke hechtlaag 104.

Figuur 17 toont de opname van zulk een stripvormige 5 transducer-opstelling 58 in het transducer- compartiment 20 van het uitwisselbare transducerblok 136, welke is opgenomen in het boventunnel blok 18 en waar bij deze transducer verder zodanig is uitgevoerd, dat het mede fungeren ervan als een stripvormige, typisch laag-10 frequent pulserende drukwand 110 en waarby daartoe het opvolgend plaatsvinden van de toe- en afvoer via de leiding 112 van typisch gasvormig medium 68 naar en vanaf dit compartiment.

Figuur 18 toont een stripvormige, typisch tenminste 15 laag-frequent pulserende onder-transducer 114, waarbij de opname ervan in het transducer-compartiment 116 van het stripvormige uitwisselbare onder-transducerblok 118, welke is opgenomen in het ondertunnelblok 38, ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van 20 het meepulseren/trillen van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30 met een relatief grote dikte ervan, zoals daarbij de toepassing van een tenminste 0,1 mm dikke ononderbroken metalen band 106 als een tijdelijke 25 semiconductor onderlaag ervan, zoals is aangegeven in de andere Figuren van deze Octrooi-aanvrage.

Figuur 19 toont de stripvormige transducer-opstelling 114 volgens de Figuur 18 en waarbij deze transducer tevens fungeert als een stripvormige 30 drukwand ten behoeve van het met behulp van het zeer laag-frequent pulserend toe- en afvoeren van het gasvormige medium 68 via de leiding 120 naar en vanaf het transducer-compartiment 116 in transducer-blok 118' mede onderhouden van een pulseer-conditie van deze 35 transducer met een uiterst lage pulseer-conditie ervan.

Daarbij zulk een onder-transducer ten behoeve van het daarmede onderhouden van de combinatie van een typisch HF tril- en LF pulseer-conditie van de opvolgende, 24 ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Ook deze transducer-opstelling is daarbij aangesloten op een inrichting, waarin het ononderbroken plaatsvinden 5 van de opwekking van een electrische trilling met een zodanige frequentie ervan, dat deze toepasbaar is voor deze transducer.

Deze electrische trilling-opwekinrichting is gedetailleerd aangegeven en omschreven in de gelijktijdig 10 ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage No 7 van de aanvrager.

Figuur 20 toont voor deze semiconductor tunnel-opstelling 10 de combinatie van een stripvormige hoogfrequent trillende boven-transducer 58, welke is 15 opgenomen in het stripvormige boven-transducerblok 22 in het boventunnelblok 18 en een daaronder gelegen stripvormige typisch laag-frequent pulserende onder-transducer 114, welke is opgenomen in het onder-transducerblok 118 als een uitwisselbaar gedeelte van 20 het ondertunnelblok 38.

Daarbij elke gewenst wordende semiconductor uitvoering en werkwijzen van deze combinatie van een onder- en boven-transducer.

Ook deze uitwisselbare boven- en onder-transducers 25 22 en 114 zijn elk aangesloten op zulk een electrische tril-opwekinrichting, met daarbij elke mogelijke vorm en opbouw van zulk een opgewekte electrische trilling voor elk van deze beide transducers.

Zulks ten behoeve van het ononderbroken plaatsvinden 30 van elk mogelijk semiconductor behandelings- of opbouw-proces voor de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraatgedeeltes 30.

Figuur 21 toont in een stripvormige sectie van de semiconductor tunnel-opstelling 10 in het ondertunnelblok 35 38 de opname van zulk een in het uitwisselbare transducer- blok 118 opgenomen stripvormige ondertransducer-opstelling 114 en in het boventunnelblok 18 de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok 22, waarin in het 25 compartiment 20 ervan de opstelling van een roterende nokkenas-opstelling 24 ten behoeve van het typisch hoogfrequent trillend op en neer verplaatsen van het zich eronder bevindende drukwand-gedeelte 26 ervan en waarbij 5 aet behulp van deze laag-frequent pulserende onder-transducer 114 het mede onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

10 Daarbij verder de mogelijke navolgende condities voor deze ondertransducer-opstelling: a) een laag-frequente pulseer-conditie van deze transducer en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30, zoals 15 deze eveneens is aangesloten op zulk een electrische opwek-inrichting voor een laag-frequent pulserende electrische spanning; en b) het onderhouden van een ultra-laagfrequente pulseer-conditie ervan met behulp van de opvolgende toe- en afvoer 20 van het gasvormige medium 68 naar en vanaf het onder-compartiment 116 voor deze transducer.

Figuur 22 toont de opname in het boventunnelblok 18 van de toevoer-inrichting 12' voor de gescheiden toevoer van een laag percentage hoog-kokend vloeibaar draag-25 : medium 14' en de toevoer van de combinatie van een hoog percentage laag-kokend vloeibaar draagmedium 14 en deeltjes van een semiconductor substantie 16 in een vaste vorm ervan en waarbij met behulp van een eerste, daarin opgenomen boven-transducer 58 door verdamping van het 30 laag-kokende vloeibare draagmedium 14 het bewerkstelligen van neerslag van een micrometer hoge laag 120 van de combinatie van het hoog-kokende vloeibare draagmedium 14' en deze deeltjes van de vaste substantie 16 op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende 35 semiconductor substraat-gedeeltes 30.

Figuur 23 toont de transducer-opstelling 58 volgens de Figuur 22, met daarachter in het boventunnelblok 18 de opname van een tweede transducer 58' ten behoeve van het 26 daarmede verdampen van dit hoger-kokende vloeibare draagmedium 14' uit deze opgebrachte laag 120 onder het plaatsvinden van uitdrijving daaruit van het verdampte medium en vervolgens door het typisch mede fungeren ervan 5 als oven-sectie daarmede onder het eind-gedeelte 28 ervan het plaatsvinden van het samensmelten van de resterende micrometer hoge laag van deeltjes 16 van deze semiconductor substantie onder de vorming van een vloeibare micrometer hoge laag 122 ervan ten behoeve van 10 in een volgend tunnel-gedeelte door afkoeling ervan de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van deze di-electrische substantie in een vaste vorm ervan.

Als alternatief het daar bij met behulp van deze tweede transducer 58' het uitsluitend plaatsvinden van het 15 verdampen van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium 14' onder de vorming van deze micrometer hoge laag van deze deeltjes 16 en waarbij in een volgend tunnel-gedeelte het plaatsvinden van zulk een oven-behandeling van deze laag onder de vorming van zulk een micrometer hoge laag 120 20 van deze di-electrische substantie in een vloeibare vorm ervan.

Figuur 24 toont in deze tunnel-opstelling 10 tenminste plaatselijk in het boventunnelblok 18 de opname van een aantal opvolgende stripvormige semiconductor behandelings-25 secties 128 ervan, met daarin de opstelling van zulk een stripvormige boven-transducer 58 met ervóór zulk een stripvormige inrichting 12' ten behoeve van de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 14 en deeltjes van een semiconductor 30 substantie 16 in vaste vorm , typisch een di-electrische substantie, en daarachter zulk een stripvormige afvoer-sectie 60 ten behoeve van de afvoer van het met behulp van deze transducer-opstelling 58 door verdamping van dit vloeibare draagmedium 14 bewerkstelligde dampvormige 35 medium, met ertussen de opname van een stripvormige mediumslot-opstelling 130 onder toepassing van een tweetal opvolgende stripvormige toevoergroeven 132 voor het typisch gasvormig slotmedium 134 ten behoeve van het 27 gescheiden houden van deze opvolgende semiconductor behandelings-secties 128 en waarbij pas na het bewerkstelligd zijn van een aantal van deze opgebouwde boven elkaar gelegen semiconductor lagen 34 van deeltjes 5 van deze semiconductor substantie 16 het plaatsvinden van zulk een oven-behandeling ervan ten behoeve van tenminste mede het samensmelten van deze opgebrachte deeltjes 16 van de di-electrische substantie.

In een gunstige werkwijze vindt daarbij na het 10 bewerkstelligd zijn van zulk een micrometer hoge totaal-laag van zulk een typisch di-electrische substantie met behulp van zulk een mini stripvormig electrisch verwarmings-element, welke is opgenomen in de onderwand van het boventunnelblok 18, het samensmelten ervan plaats 15 en zulks tevens met het boven-gedeelte van een reeds opgebrachte laag van deze semiconductor substantie in een vaste vorm ervan of een semiconductor substantie in een vloeibare vorm ervan, zoals onder andere een hecht-substantie.

20 Daar bij in een volgende tunnel-sectie door afkoeling ervan het bewerkstelligen van een micrometer hoge laag in een vaste toestand ervan.

In een alternatieve uitvoering van zulk een transducer-opstelling fungeert het eindgedeelte ervan tevens als een 25 zodanige warmtebron, dat daarbij daarmede het reeds samensmelten van deze deeltjes di-electrische substantie en zulks mede met het boven-gedeelte van een reeds opgebrachte laag van al dan niet dezelfde semiconductor substantie plaats vindt.

30 In een andere alternatieve uitvoering van zulk een sectie van de tunnel-opstelling vindt reeds in een inrichting boven zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting het daartoe plaatsvinden van een in voldoende mate vóör-verwarming van zulk een combinatie van 35 vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan.

Verder zijn deze transducers eveneens aangesloten op zulk een electrische trilling-opwekinrichting, waarin 28 het ononderbroken plaatsvinden van de opwekking van de electrische trillingen met een zodanige frequentie ervan, dat deze voor zulk een transducer-opstelling toepasbaar is.

5 Figuur 25 toont in een stripvormige sectie van het boventunnelblok 18 achter de opname daarin van zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting 12 voor de combinatie van vloeibaar draagmedium 14 en deeltjes van een vaste semiconductor substantie 16 een stripvormig 10 uitwisselbaar blok 136, waarin de opname van een compartiment 138, bevattende zulk een stripvormige transducer-opstelling 58 en typisch de daarop-volgende medium-afvoersectie 60, met aansluiting daarop van een afvoer-systeem voor het met behulp van deze transducer 15 verdampte medium 68 ten behoeve van het onderhouden van een tenminste zeer hoog-frequente tril-conditie van het stripvormige onderwand-gedeelte van dit blok en waarbij onder dit blok 136 in het ondertunnelblok 38 eveneens de opname van een uitwisselbaar blok 140, bevattende 20 eveneens een stripvormig compartiment 142, waarin de opname van een nokkenas-opstelling 144 met daarboven het stripvormige drukwand-gedeelte 148 van dit blok 38 ten behoeve van het met behulp van toegevoerd vloeibaar medium 32 via de stripvormige toevoer-inrichting 146 in 25 dit ondertunnelblok 38 het bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een micrometer hoge film ervan tussen dit drukwand-gedeelte 148 en de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30 ten behoeve van het daarmede ononderbroken 30 plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces mede onder tril-conditie van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

Daarbij hebben de nokken 150 van deze nokkenas-opstelling 144, gezien in de verplaatsings-richting ervan, 35 het navolgende: a) een korte oplopende hoogte en daarachter een relatief lange aflopende hoogte ervan ten behoeve van het daarmede onderhouden van een snelle opwaartse verplaatsing en een 29 daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte 148 en daarmede eveneens van deze opvolgende erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30 ten behoeve van tenminste mede 5 een maximale neerslag van deze deeltjes 16 daarop onder de vorming daarop van een micrometer hoge laag ervan; b) een relatief lange oplopende hoogte en daarachter een korte aflopende hoogte ervan ten behoeve van het daarmede onderhouden van een langzame opwaartse verplaatsing en 10 een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte 148 en daarmede eveneens van deze erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30 ten behoeve van mede met behulp van toegevoerd vloeibaar semiconductor behandelings-medium 18 het 15 plaatsvinden van een optimale uitdrijving/verwijdering van deeltjes van een semiconductor substantie vanaf de bovenlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes en de daarin aangebrachte semiconductor uitsparingen(crevices) en een optimaal reinigings-, ets-, strip- en spoel-proces · 20 Deze transducer-opstelling 58 is daarbij eveneens aangesloten op zulk een inrichting, waarin het ononderbroken plaatsvinden van het opwekken van electrische trillingen met een daarvoor meest geeigende vorm en frequentie ervan, 25 Figuur 26 toont een sterk vergroot gedeelte van de combinatie van een stripvormige drukplaatsectie 148 van de onder- nokke nas 144 volgens de Figuur 25 en waar bij de nokken 150 ervan, gezien in de verplaatsings-richting ervan, een korte oplopende hoogte 152 en daarachter een relatief 30 lange aflopende hoogte 154 ervan bevatten ten behoeve van het mede met behulp van de trillende boven-transducer 136, daarby tevens fungerend als warmtebron, het bewerkstelligen van een micrometer hoge laag gesmolten di-electrische substantie op de reeds opgebrachte micrometer hoge laag 35 di-electrische substantie 158 in vaste vorm ervan, zoals is aangegeven in de Figuur 27.

Figuur 28 toont na het in de Figuur 27 aangegeven zijn van zulk een laag gesmolten di-electrische substantie in 30 een daarop-volgende stripvormige afkoelsectie het bewerkstelligen van een aanvulbare micrometer hoge laag 160 ervan, welke daarbij verankerd is op de reeds opgebrachte di-electrische laag 158.

5 Figuur 29 toont een alternatieve uitvoering van de nok-profilering van de nokkenas-opstelling 144, welke is aangegeven in de Figuur 25 en waarbij, gezien in de verdraai-richting ervan, een relatief lange toenemende hoogte 162 en een daarop volgende korte afnemende hoogte 10 164 van de nokken 160 ten behoeve van tenminste mede het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de bovenlaag 166 van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30, zoals is aangegeven in de Figuur 30 en 15 waarbij onder andere het plaatsvinden van een reinigingsproces van de in voorgaande tunnelsecties bewerkstelligde typisch nanometer grote uitsparingen 168 (crevices) in de bovenwand 170 van de opvolgende substraat-gedeeltes 30 en zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 31 20 en 32.

Aldus tenminste mede de unieke bewerkstelliging en het daarop-volgend onderhouden van een ultra vlakheid van de aan de uitgangszijde van deze tunnel-opstelling 10 verkregen opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 30, 25 waaruit in een daarop-volgende inrichting door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips.

Binnen het kader van de uitvinding is voor deze aangegeven en omschreven semiconductor tunnel-opstelling 12 elke andere uitvoering ervan toepasbaar.

1037068

Claims

1. Semiconductor tunnel-opstelling, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige 5 middelen, dat daarbij tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van verplaatsing erdoorheen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van in stripvormige secties ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan het 10 ononderbroken plaatsvinden van semiconductor behandelingen van de bovenlaag ervan.

2. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarin de opname van tenminste mede een 15 aantal stripvormige semiconductor behandelings- opstellingen, welke tenminste gedeeltelijk zijn opgenomen in het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van tenminste het boventunnelblok en zich uitstrekkend in dwarsrichting ervan, ten behoeve van het daarbij daarmede 20 ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelingsproces van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder een tenminste zeer laag-frequente pulseer-conditie ervan.

3. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

4. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het ondertunnelblok de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok,bevattende een stripvormig compartiment met ter plaatse van de 5 bovenzijde ervan een stripvormig drukwand-gedeelte ervan ten behoeve van het met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van typisch vloeibaar medium naar en vanaf dit compartiment via een op dit blok aangesloten leiding het ononderbroken onderhouden van typisch 10 een tenminste laag-frequent pulseer-conditie van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

5. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

6. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Concluste 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe in tenminste het onderspleet-gedeelte tussen dit 25 drukwand-gedeelte en deze opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes het continue onderhouden van een micrometer hoge film vloeibaar medium.

7· Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 30 5 of 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het typisch onderhouden van een overdruk van het medium in het stripvormige bovenspleet-gedeelte boven deze opvolgende, zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende 35 semiconductor substraat-gedeeltes ten opzichte van de druk van het pulserende medium in zulk een onder-compartiment tijdens tenminste het neerwaarts verplaatsen van dit drukwand-gedeelte.

8. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen,dat zoals zulk een stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte een 5 uitwisselbaar blok is in het boventunnelblok ervan, daarbij het daarmede ononderbroken onderhouden van het navolgende: a) tenminste een laag-frequent pulseer-conditie van het stripvormige op en neerwaarts verplaatsbare drukwand-gedeelte van dit blok; of 10 b) tenminste een 'laag-frequente tril-conditie van dit drukwand-gedeelte .

9. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 8 , met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het boventunnelblok de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok, bevattende een 15 stripvormig compartiment met ter plaatse van de onderzijde ervan een stripvormig drukwand-gedeelte ten behoeve van het met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van typisch vloeibaar medium naar en vanaf dit compartiment via een op dit blok aangesloten leiding het ononderbroken 20 onderhouden van een tenminste laag-frequente pulseer-conditie van dit drukwand-gedeelte ten behoeve van het daarmede bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van de bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs 25 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

10. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 9 onder b), met het kenmerk, dat daarbij in dit blok de opname van een tijdens de werking ervan roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het tenminste 30 daarmede onderhouden van zulk een tenmiste laag-frequente tril-conditie van het stripvormig drukwand-gedeelte ervan.

11. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 35 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin de opname van een stripvormige medium toevoer-inrichting ten behoeve van het daarin tijdens de werking ervan plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van tenminste een verdampbaar vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vloeibare en/of vaste vorm ervan en welke gedetailleerd is aangegeven en omschreven in de gelijktijdig met deze Octrooi-aanvrage 5 ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 4 van de aanvrager.

12. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusies 10 en 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, 10 dat zoals zulk een nokkenas-opstelling is opgenomen in het boventunnelblok met daarbij in de stripvormige drukwand ervan de opname van een electrisch geïsoleerde dunwandige metalen electrische verwarmings-inrichting, daarbij het mede in een zodanig voldoende mate 15 verwarming ervan, dat in het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes het plaatsvinden van verdamping van het via deze medium toevoer-inrichting toegevoerde, typisch 20 laag-kokende vloeibare draagmedium onder het daarby bewerkstelligen van neerslag van deeltjes van deze semiconductor substantie op deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

13. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met behulp van het verdraaien van deze nokkenas het tevens onderhouden van zulk een laag-frequente pulseer-conditie van deze drukwandsectie 30 ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een optimaal semiconductor neerslag-proces voor deze deeltjes van een semiconductor substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes .

14. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij onder deze nokkenas-opstelling in het ondertunnelblok de opname van zulk een eveneens met vloeibaar medium gevuld stripvormig onder-compartiment van een uitwisselbaar stripvormig onderblok met als boven-gedeelte ervan het stripvormig, in hoogterichting op en neer verplaatsbaar drukwand-5 gedeelte van dit blok ten behoeve van het met deze combinatie plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende ertussendoor verplaatsende opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch laag-frequent trillend 10 stripvormig onderwand-gedeelte van dit uitwisselbare bovenblok en het laag-frequent pulserende stripvormige drukwand-gedeelte van dit uitwisselbare onderblok.

15 Conclusie 19 of 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daar bij in een stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte ervan onder zulk een electrische trillende warmtebron door verdamping daarmede van het vloeibare draagmedium-gedeelte het ononderbroken plaatsvinden van 20 neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder de opbouw daarop van een micrometer hoge laag van deze 25 deeltjes en waarbij afvoer van het verdampte vloeibare draagmedium plaats vindt via een daarop-volgende stripvormige medium-afvoer sectie van het boventunnelblok.

15. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusies 13 en 14, met het kenmerk, dat deze verder 15 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij echter de positie van deze nokkenas-opstelling, gezien in de verplaatsings-richting van deze opvolgende substraat-gedeeltes, in het achter-gedeelte van dit compartiment ten behoeve van het bijdragen in het onderhouden van het navolgende: 20 a) het vermijden van neerslag van deze deeltjes van een di-electrische substantie tegen de onderzode van het drukwand-gedeelte van deze nokkenas-opstelling; en b) een contactloze conditie van de op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 25 opgebrachte laag van zulke deeltjes met dit drukwand-gedeelte.

15 Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe het ononderbroken onderhouden van een mechanisch contact van dit op- en neerwaarts verplaatsende drukwand-gedeelte met deze opvolgende, zich erbovenlangs 20 verplaatsende substraat-gedeeltes.

16. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 13 of de combinatie van 13 en 14, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat 30 daarbij, zoals in het boventunnelblok achter deze daarin opgenomen nokkenas-opstelling de opname van een stripvormige afvoersectie voor het verdampte medium, daarbij een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte onder tenminste het drukwand-gedeelte ervan in 35 de richting van deze medium-afvoersectie.

17. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de nokken van deze nokkenas-opstelling een zodanige profilering ervan hebben, dat daarmede het nokgedeelte, welke, gezien in de verplaatsingsrichting van de opvolgend eronderlangs verplaatsende semiconductor 5 substraat-gedeeltes, zich bevindt vóór het topgedeelte ervan, bevattende een relatief grote lengte ervan ten behoeve van het daarmede bewerkstelligen van een tijdelijk langzame opwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte, en met het korte nokgedeelte een 10 daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan, met het ononderbroken plaatsvinden van tenminste mede het navolgende: a) een optimaal opbreng-proces van deze deeltjes van de di-electrische substantie; en 15 b) het bijdragen in het vermijden van neerslag van zulke deeltjes tegen de onderwand van dit drukwand-gedeelte ervan.

18. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 20 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daar bij de nokken van deze nokkenas-opstelling een zodanige profilering ervan hebben, dat daarmede het nokgedeelte, welke, gezien in de verplaatsingsrichting van de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor 25 substraat-gedeeltes, zich bevindt vóór het topgedeelte ervan, bevattende een geringe lengte ervan ten behoeve van het daarmede bewerkstelligen van een tijdelijk snelle opwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte, en met het andere, relatief lange nokgedeelte een daarop-volgende 30 lanzame neerwaartse verplaatsing ervan, met het daarbij ononderbroken plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere reinigen, etsen, strippen of spoelen.

19. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 35 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en zodanige middelen bevat, dat daarbij op het boventunnel blok ervan de dr ukdichte bevestiging van een uitwisselbaar stripvormig bovenblok, met op het stripvormige, dunwanaige op en neerwaarts verplaatsbare drukwand-gedeelte ervan het aangebracht zijn van een eveneens stripvormige micrometer hoge laag van een di-electrische substantie, met daarop een micrometer 5 dikke metalen laag, welke typisch afkomstig is van een uiterst dunne folie, met een dikte van typisch minder dan 30 micrometer ervan, ten behoeve van het fungeren ervan als tenminste een electrisch verwarmings-element, met ter plaatse van de beide dwarsuiteinden ervan de 10 aansluiting ervan via een electrische leiding op een mini electrische stroom opwek-inrichting en het compartiment van dit blok via een centraal gelegen medium toe/afvoer leiding is aangesloten op een toevoer-inrichting voor een electrisch isolerend typisch 15 vloeibaar medium, met het tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het via deze leiding ononderbroken onderhouden van een laag-frequente opvolgende toe- en afvoer van dit medium naar en vanaf dit compartiment en waarbij met behulp van deze electrische stroom opwek-20 inrichting het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium-gedeelte van de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgenomen stripvormige toevoer-inrichting voor de combinatie ervan met deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste of 25 vloeibare vorm en het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-procés van de bovenlaag van de zich eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

20 Conclusie 35, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze folie daar bij fungeert als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de daarin daarop bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, met in een inrichting 25 achter de uitgangszijde ervan het plaatsvinden van scheiding ervan daarvanaf.

20. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 30 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij met behulp van zulk een ononderbroken laag-pulserend toe- en afvoeren.van dit vloeibare medium het plaatsvinden van de navolgende semiconductor behandelingen daarmede: a) bij de combinatie van een relatief langdurig, neerwaarts 35 verplaatsen van dit drukwand-gedeelte en een daaropvolgend relatief·kortstondig opwaarts verplaatsen ervan het daarmede onderhouden van een ononderbroken semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende, zien eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van onder andere een reinigings- , ets- , strip- of spoel-proces; of 5 b) bij de combinatie van een kortstondig neerwaarts verplaatsen van dit drukwand-gedeelte en een daaropvolgend relatief langdurig opwaarts verplaatsen ervan het daarmede bewerkstelligen van een neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie, onder de 10 opbouw van een micrometer hoge laag van deze deeltjes op de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes; of c) bij toepassing van een hoge verdampings-temperatuur voor dit vloeibare medium het daarbij onder het achter-gedeelte 15 van deze drukwand het ononderbroken plaatsvinden van het samensmelten van deze deeltjes van een vaste semiconductor substantie, typisch een di-electrische substantie.

21. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 20 uitgevoerd, dat zoals zulk een opstelling een metalen bovenwand ervan bevat ten behoeve van het fungeren ervan als een electrisch verwarmings-element en zulks mede door een voldoend lage electrische spanning en een relatief grote amplitude in op-en neerwaartse richting van de in 25 deze generator opgewekte trillingen, deze in daartoe een aangepaste uitvoering ervan slechts één electrische aansluiting op deze metalen bovenwand als boven-electrode bevat ten behoeve van via een electrische leiding de aansluiting ervan op zulk een generator en waarbij het op-30 en neerwaarts verplaatsbare stripvormige onderdrukwand-gedeelte van het uitwisselbare bovenblok eveneens via zulk een electrische leiding daarop is aangesloten ten behoeve van het fungeren van deze opstelling als typisch een tenminste hoog-frequent trillende warmtebron en zulks 35 onder het daarbij tevens gebruikmaken van een mede daartoe aangepaste semiconductor uitvoering van deze generator, met het trillend op—-en neerwaarts verplaatsen van het drukwand-gedeelte van dit bovenblok ten behoeve van het onderhouden van de combinatie van een zodanige trilling en verwarming ervan, dat daarmede het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken 5 eronderlangs·ver plaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

22. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij 10 met behulp van deze opstelling het plaatsvinden van de in Conclusie 20 onder a), b) of c) omschreven semiconductor behandelingen van de ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

23. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

24. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 23. met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 30 uitgevoerd, dat daarbij in een stripvormige sectie ervan mede met behulp van zulk een tril/verwarmings-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge laag van een typisch di-electrische substantie op de reeds in een voorgaand tunnel-gedeelte 35 opgebouwde micrometer hoge laag ervan.

25. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij op het boventunnelblok ervan de drukdichte bevestiging van een uitwisselbaar stripvormig bovenblok, waarin de opname van een stripvormige electrische tril-inrichting, bevattende een stripvormig op en neer 5 verplaatsbaar onder-drukwandgedeelte van dit blok, met daarop een micrometer hoge, typisch di-electrische laag als tussenlaag en daarop een eveneens micrometer dikke stripvormige metalen bovenlaag, met deze bovenlaag fungerend als een electrische boven-electrode, welke via 10 een electrische leiding is aangesloten op zulk een generator ten behoeve van het daarin opwekken van electrische trillingen, en dit onder-drukwandgedeelte fungerend als een onder-electrode, met eveneens via een electrische leiding aansluiting ervan op deze generator, 15 ten behoeve van het tijdens de werking van deze generator het onderhouden van een tril-conditie van dit drukwand-gedeelte.

25 Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een stripvormige semiconductor behandelings-opstelling mede bestaat uit een in de hoogterichting op en neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte van een uitwisselbaar gedeelte van het 30 ondertunnelblok ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van het onderhouden van het navolgende: a) een tenminste zeer laag-frequente pulseer-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs 35 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes; of b) een tenminste hoog-frequente tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

26. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 20 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze inrichting tevens fungeert als een aanzienlijke warmtebron door het mede toepassen van een zodanig hoge electrische spanning voor deze typisch tenminste zeer hoog-frequente trillingen, dat daarin een electrische 25 stroom wordt onderhouden vanaf deze boven-electrode via de tussenlaag naar deze onder-electrode onder het daarbij gepaard gaan van een aanzienlijke warmte-ontwikkeling.

27. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 30 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij vóór deze stripvormige transducer-opstelling de opname van een stripvormige inrichting ten behoeve van een ononderbroken toevoer van de combinatie van typisch een laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een 35 semiconductor substantie in een vaste- of vloeibare vorm ervan en met behulp van deze transducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit vloeibare draagmedium onder neerslag van deze deeltjes van typisch een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met erachter een stripvormige afvoersectie in dit boventunnelblok ten 5 behoeve van de ononderbroken afvoer van het verdampte draagmedium.

28. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tegen tenminste de 10 bovenwand van het compartiment, waarin de opname van zulk een stripvormige tril/verwarmings-inrichting de opname van een tenminste mede warmte-isolerende laag.

29. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 15 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij na deze in het boventunnelblok opgenomen tril/verwarmings-inrichting in een volgende stripvormige sectie van de onderwand van dit blok de opname van een mini stripvormig electrisch verwarmings-element ten behoeve van het daarmede tenminste 20 nagenoeg uitsluitend en ononderbroken plaatsvinden van het smelten van de op deze opvolgende substraat-gedeeltes neergeslagen deeltjes van een vaste semiconductor substantie en in een daarop-volgend gedeelte van dit blok de opname van een stripvormige afkoelsectie ten behoeve 25 van de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van deze semiconductor substantie.

30· Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat daarbij dit verwarmingselement verder zodanig is uitgevoerd, dat daarmede het 30 plaatsvinden van het samensmelten van de micrometer hoge laag van deeltjes van een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met een micrometer hoge en in een voldoende mate tijdelijke vloeibare hecht -35 substantie, welke reeds in een voorgaand bovenspleet-gedeelte is opgebracht op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende metalen band-gedeeltes als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij in een volgende stripvormige afkoel-inrichting, welke is opgenoraen in het boventunnelblok en aangegeven in de Conclusie 22» door afkoeling ervan de bewerkstelliging 5 van typisch een micrometer hoge di-electrische vaste laag, welke verankerd is op deze tijdelijke hechtlaag.

31. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk,' dat zoals deze stripvormige tril/verwarmings-inrichting is opgenomen in 10 het inrichtings-compartiment van een uitwisselbaar blok, welke drukdicht is bevestigd op het boventunnelblok, deze transducer verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij het mede fungeren ervan als een stripvormige, typisch zeer laag-frequent pulserende drukwand met 15 daartoe het opvolgend plaatsvinden van de toe- en afvoer van typisch gasvormig medium naar en vanaf dit compar timent.

32. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 20 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het transducer -compartiment van een uitwisselbaar stripvormig onder-transducerblok, welke is opgenomen in het ondertunnelblok, de opname van een onder-transducer ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van het meepulseren/ 25 trillen van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met een relatief aanzienlijke dikte ervan en waarbij deze transducer daartoe eveneens is aangesloten op zulk een electrische generator met het daarin opwekken en onderhouden van een 30 typisch laag-frequente tril-conditie van deze opgewekte trillingen.

33.· Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de bovenwand van deze onder-35 transducer deel uitmaakt van dit uitwisselbare tranducer-blok en de onderplaat ervan als electrische electrode is aangesloten op deze electrische generator.

34. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uïtge.voerd, dat daarbij daarin mogelijk de toepassing van een uiterst dunne, typisch metalen folie, welke tijdens de werking ervan ononderbroken wordt 5 aangevoerd vanuit een folie-opslagrol nabij de ingang ervan ten behoeve van het tijdens de verplaatsing ervan erdoorheen fungeren ervan als een semiconductor onderlaag van de opvolgende, daarin te bewerkstelligen semiconductor substraat-gedeeltes.

35 Conclusie 40, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en zodanige middelen bevat, dat daarbij door de ononderbroken toe- en afvoer van typisch gasvormig medium naar en vanaf dit onder-compartiment met behulp van deze laag-frequent trillende stripvormige opstelling het mede onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van deze opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

35. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze opvolgende folie-gedeeltes een definitieve onderlaag vormen van deze opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 15 en waarbij in het begin-gedeelte van deze tunnel-opstelling het typisch met behulp van een hechtsubstantie verankeren van de daarop opgebrachte micrometer hoge laag van een di-electrische substantie.

36. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

37. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van een 30 tenminste 0,1 mm dikke ononderbroken metalen band als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan en waarbij de toepassing voor deze band van een rol-opstelling nabij de in- en uitgangszijde ervan en waarbij in een inrichting onmiddellijk achter de uitgang ervan het plaatsvinden van 35 scheiding van de in deze tunnel-opstelling daarop bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ervariaf .

38. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van de combinatie van een stripvormige typisch zeer hoogfrequent trillende fcril/verdampings-inrichting, opgenomen 5 in een stripvormig boven-inrichtingsblok van het boventunnelblok en een daaronder-gelegen stripvormige typisch laag-frequent trillende onder-trilinrichting, welke is opgenomen in het onder-trillingsblok als een uitwisselbaar gedeelte van het ondertunnelblok, met 10 daarbij elke gewenst wordende semiconductor uitvoering van deze combinatie van een onder- en boven-inrichting

39. Semiconductor opstelling volgens de Conclusie 38» met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze boven- en onder-trilinrichtingen elk 15 afzonderlijk zijn aangesloten op zulk een electrische trilling-opwekinrichting, met daarbij elke mogelijke opbouw en vorm van zulk een opgewekte electrische trilling voor elk van deze beide inrichtingen.ten behoeve van het ononderbroken plaatsvinden van elk .mogelijk semiconductor 20 behandelings- of opbouw-proces voor de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

40. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 25 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in een stripvormige sectie van het ondertunnelblok de opname van zulk een in een uitwisselbaar inrichtings-blok opgenomen· stripvormige onderinrichting-opstelling en in het boventunnelblok de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok, waarin in 30 het compartiment ervan de opstelling van een roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het typisch hoogfrequent trillend op en neer verplaatsen van het zich eronder bevindende drukwand-gedeelte ervan.

41. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

42. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en zodanige middelen bevat, dat daarbij tijdens de werking ervan de navolgende condities voor deze ondertransducer-opstelling worden onderhouden: 10 a) een laag-frequente pulseer-conditie van deze transducer en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals deze eveneens is aangesloten op zulk een electrische trilling-opwekinrichting ten behoeve van de opwekking 15 daarin van een laag-frequent pulserende electrische spanning; en b) het onderhouden van een ultra-laagfrequente pulseer-conditie ervan met behulp van de opvolgende toe- en afvoer van het gasvormige medium naar en vanaf dit onder-20 compartiment voor deze transducer.

43. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het boventunnelblok de opname van een stripvormige toevoer-inrichting voor de 25 gescheiden toevoer van een laag percentage hoog-kokend vloeibaar draagmedium en de toevoer van de combinatie van een hoog percentage laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie ten behoeve van met behulp van een daarin opgenomen tril/verdampings-30 inrichting in het boventunnelblok door verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium het bewerkstelligen van neerslag van een micrometer hoge laag van de combinatie van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium en deze deeltjes van deze substantie op de opvolgende, 35 ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

44. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij de toepassing van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, door dit verdampen van §it 5 laag-kokende vloeibare draagmedium het ononderbroken plaatsvinden van de vorming van een micrometer hoge laag van deze combinatie van het hoog-kokende vloeibare medium en deze deeltjes van een semiconductor substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor 10 substraat-gedeeltes.

45. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 44, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij de toepassing van de combinatie van laag-kokend 15 vloeibaar draagmedium en deeltjes van een zeer hoog-kokende vloeibare substantie, door verdamping van dit laag-kokende vloeibare draagmedium het daarbij ononderbroken plaatsvinden van de vorming van een micrometer hoge laag van deze combinatie van het hoog-20 kokende vloeibare draagmedium en deze deeltjes van de zeer hoog-kokende vloeibare substantie, typisch een vloeibare hechtsubstantie, op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met het daarbij mogelijk fungeren van zulke 25 opvolgende metalen folie-gedeeltes als zulke semiconductor substraat-gedeeltes.

46. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat deze verder zodanig, is uitgevoerd, dat daarbij in dit boventunnelblok, 30 gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, daarachter de opname van een tweede tril/ verdampings-inrichting ten behoeve van het daarmede verdampen van dit hoger-kokende vloeibare draagmedium 35 uit deze opgebrachte laag onder het daarbij plaatsvinden van uitdrijving daaruit van het verdampte vloeibare medium.

47- Semiconductor tunnel-opstelling volgens de combinatie van de Conclusies 44 en 46» met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met behulp van deze tweede inrichting het uitsluitend plaatsvinden van het verdampen van dit hoog-kokende 5 vloeibare draagmedium onder de vorming van een micrometer hoge laag van deze deeltjes van zulk een vaste semiconductor substantie, typisch een di-electrische substantie, en waarbij in een volgend tunnel-gedeelte het plaatsvinden van een oven-behandeling van deze laag onder 10 de vorming van een micrometer hoge laag in een vloeibare vorm ervan.

48. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de combinatie van de Conclusies 45 en 46, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met 15 behulp van deze tweede inrichting het uitsluitend plaatsvinden van het verdampen van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium onder de vorming van een micrometer hoge laag van deze deeltjes van zulk een vloeibare hechtsubstantie en in een volgend tunnel-gedeelte het 20 plaatsvinden van een oven-behandeling van deze laag onder de vorming van een (sub) micrometer hoge laag van deze vloeibare hechtsubstantie.

49. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 25 uitgevoerd, dat daarbij in een daarop-volgende stripvormige oven-sectie ervan, met typisch het achter-gedeelte van deze tweede inrichting fungerend als zulk een warmtebron, het plaatsvinden van het samensmelten van de resterende micrometer hoge laag van deeltjes van deze vaste 30 semiconductor substantie onder de vorming van een vloeibare micrometer hoge laag ervan, met in een volgend tunnel-gedeelte door afkoeling ervan de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van deze substantie in een vaste vorm ervan.

50. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste plaatselijk in het boventunnelblok de opname van een aantal 48 · opvolgende stripvormige semiconductor behandelings-secties ervan, met daarin de opstelling van zulk een stripvormige boven-transducer: met ervóór.zulk een stripvormige inrichting ten behoeve van de ononderbroken 5 toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm, typisch een di-electrische substantie, en daarachter zulk een stripvormige afvoersectie ten behoeve van de afvoer van het met behulp van de tril/verdamp-inrichting 10 door verdamping van dit vloeibare draagmedium bewerkstelligde dampvormige medium, met ertussen de opname van een stripvormige mediumslot-opstelling onder toepassing van gasvormig slotmedium ten behoeve van het gescheiden houden van deze opvolgende semiconductor 15 behandelings-secties en daarmede tevens van deze opgebrachte semiconductor lagen.

51. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij pas na het bewerkstelligd zijn van 20 een aantal van deze opgebouwde, boven elkaar gelegen semiconductor lagen van deeltjes van deze semiconductor substantie het plaatsvinden van zulk een oven-behandeling ervan ten behoeve van tenminste mede het plaatsvinden van het samensmelten van deze opgebrachte deeltjes van deze 25 semiconductor substantie en in een volgende tunnel-sectie door afkoeling ervan het bewerkstelligen van een micrometer hoge laag in een vaste toestand ervan.

52. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 51» met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 30 uitgevoerd, dat daarbij het samensmelten van deze opgebrachte micrometer hoge lagen plaats vindt, en zulks tevens met het boven-gedeelte van een reeds opgebrachte laag van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan, zoals onder andere een semiconductor hecht-35 substantie.

53. Semiconductor tunnel-opstelling vólgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij het fungeren van deze laatste tril/verdamp-inrichting tevens als zodanige warmtebron, dat daarbij daarmede het reeds plaatsvinden van het samensmelten van deze deeltjes di-electrische substantie en zulks mede met het boven-gedeelte van een reeds 5 opgebrachte laag van al dan niet dezelfde semiconductor substantie plaats vindt.

54. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij reeds in de inrichting boven zulk 10 een stripvormige medium toevoer-inrichting het daartoe plaatsvinden van een in voldoende mate vöör-verwarming van zulk een combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.

55. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij elk van deze inrichtingen eveneens aangesloten is op zulk een electrische trilling-opwekinrichting, waarin het ononderbroken plaatsvinden van 20 (je opwekking van trillingen met een zodanige frequentie ervan, dat deze voor zulk een trilling-opwekinrichting toepasbaar is.

, 56. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 25 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de opname daarin van een stripvormige medium toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie een stripvormig 30 uitwisselbaar blok, waarin de opname van een compartiment, bevattende zulk een stripvormige verdamp/tril-inrichting en typisch zulk een daarop-volgende medium-afvoersectie, met aansluiting daarop van een afvoer-systeem voor het met behulp van deze inrichting verdampte medium ten 35 behoeve van het onderhouden van een tenminste zeer hoogfrequente tril-conditie van het stripvormige onderwand-gedeelte van dit blok en waarbij onder dit blok in het ondertunnelblok eveneens de opname van een uitwisselbaar blok, bevattende eveneens een stripvormig compartiment, waarin de opname van een nokkenas-opstelling met daarboven het stripvormige drukwand-gedeelte van dit blok ten behoeve van het met behulp van toegevoerd vloeibaar medium 5 via een stripvormige toevoer-inrichting in dit ondertunnelblok het bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een micrometer hoge film ervan tussen dit drukwand-gedeelte en de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-10 gedeeltes ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces mede onder tril-conditie van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

57. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de 15 Conclusie 56, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze tril/verdamp-inrichting mede is aangesloten op zulk een inrichting, waarin het ononderbroken plaatsvinden van het opwekken van electrische trillingen met een voor deze tril/verdamp-inrichting 20 meest geeigende vorm en frequentie ervan.

'58. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de nokken van deze nokkenas-opstelling, gezien in de 25 verplaatsingsrichting ervan, een korte oplopende hoogte en daarachter een relatief lange aflopende hoogte ervan hebben ten behoeve van het daarmede onderhouden van een snelle opwaartse verplaatsing en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van dit drukwand-30 gedeelte en daarmede eveneens van deze opvolgende erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van tenminste mede bijdragen in een maximale neerslag van vaste deeltjes daarop onder de vorming van een micrometer hoge laag ervan.

59. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 56. , met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze nokken, gezien in de verplaatsingsrichting ervan, een relatief lange oplopende hoogte en daarachter een korte aflopende hoogte ervan hebben ten behoeve van het daarmede onderhouden van een langzame opwaartse verplaatsing en een daarop-volgende snelle neerwaartse 5 verplaatsing van dit drukwand-gedeelte en daarmede eveneens van deze erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van mede met behulp van toegevoerd vloeibaar semiconductor behandelings-medium het plaatsvinden van een optimale uitdrijving/ 10 verwijdering van deeltjes van typisch een vaste semiconductor substantie vanaf de bovenlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes en de daarin aangebrachte semiconductor uitsparingen (crevices) qf een optimaal reinigings-, ets-, strip- en spoel-proces. 15

60· Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de nokken van deze onder-nokkenasopstelling, gezien in de verplaatsingsrichting ervan, zulk een korte oplopende hoogte en daarachter een 20 relatief lange aflopende hoogte ervan bevatten ten behoeve van het mede met behulp van de trillende boven-verwarm/trilinrichting, tevens fungerend als warmtebron, ononderbroken bewerkstelligen van een een micrometer hoge laag gesmolten di-electrische substantie op de reeds 25 opgebrachte micrometer hoge laag di-electrische substantie in een vaste vorm ervan en zulks onder een verankerings-conditie ervan met deze laag.

61. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 30 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een stripvormige electrische tril/verwarmings-inrichting een transducer-opstelling is ten behoeve van het daarmede onderhouden van een tenminste zeer hoog-frequente, typisch een UHF of MHF tril-conditie van het semiconductor 35 behandelings-medium in het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte.

62. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 61, met het kenmerk, dat daarbij de toepassing van tenminste één, relatief dunne stripvorraige rechthoekige schijf, welke gehecht is op het drukwand-gedeelte van het uitwisselbare transducer-blok en tegen de dunwandige metalen boven-electrode en deze tunnel-5 stelling verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daartoe de toepassing van zulk een electrische trilling-opwekinrichting, waarin daartoe het ononderbroken plaatsvinden van de combinatie van een aanzienlijk hoge electrische spanning en een tenminste zeer hoge tril-10 frequentie ervan

63. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de beide gedeeltes van deze tunnel aan 15 weerszijde van het centrale semiconductor bovensspleet-gedeelte, welke typisch als uitsparing is opgenomen binnen de beide dwarsuiteinden van het boventunnelblok, de opname van een mediumslot-opstelling ten behoeve van het met behulp van gasvormig slotmedium ononderbroken 20 plaatsvinden van de afgrendeling van het primaire cetrale bovenspleet-gedeelte, waarin het mede ononderbroken plaatsvinden van de opvolgende semiconductor behandelingen van deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor 25 substraat-gedeeltes, van het secundaire, zich eronder bevindende onderspleet-gedeelte en daarbij deze beide mediumslot-opstellingen zich typisch bevinden boven deze opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende typisch metalen folie- of band-gedeeltes als tenminste 30 tijdens de verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling een semiconductor onderlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes.

64. Semiconductor tunnel-opstelling, waarin de opname van meerdere electrische tril-inrichtingen in het boven- 35 en onder tunnel blok ervan en welke reeds zijn omschreven in meerdere voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste mede met behulp ervan de bewerkstelliging van een typisch ultra vlakheid van. de aan de uitgangszijde ervan verkregen opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in een daarop-volgende inrichting door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips.

65. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 64, met het kenmerk, dat daarbij deze tril-inrichtingen eveneens toepasbaar zijn in de andere tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de gelijktijdig met deze Octrooi-aanvrage ingediende andere 10 Octrooi-aanvragen.

66. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 65, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin de toepassing van de constructieve opbouwen, welke zijn aangegeven en omschrven 15 in deze andere Octrooi-aanvragen.

67. Werkwijze van een semiconductor tunnel-opstelling, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van verplaatsing erdoorheen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ten 20 behoeve van in stripvormige secties ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan het tenminste mede ononderbroken plaatsvinden van semiconductor behandelingen van de bovenlaag ervan.

68. Werkwijze volgens de Conclusie 67, met het kenmerk, 25 dat zoals in deze tunnel-opstelling de opname van ... tenminste mede een aantal stripvormige semiconductor behandelings-opstellingen, welke tenminste gedeeltelijk zijn opgenomen in het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van tenminste het boventunnelblok en zich 30 uitstrekkend in dwarsrichting ervan, het daarbij daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder een tenminste zeer laag-frequente 35 pulseer-conditie ervan.

69. Werkwyze volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat zoals deze tunnel-opstelling verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een stripvormige semiconductor behandelings-opstelling mede bestaat uit een in de hoogterichting op en neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte van een uitwisselbaar gedeelte van het ondertunnelblok, het daarmede ononderbroken plaatsvinden 5 van het onderhouden van het navolgende: a) een tenminste zeer laag-frequente pulseer-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes; of b) een tenminste hoog-frequente tril-conditie van de 10 opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

70. Werkwijze volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het onder tunnelblok de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok, bevattende een stripvormig 15 compartiment met ter plaatse van de bovenzijde ervan een stripvormig drukwand-gedeelte ervan, daarmede met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van typisch vloeibaar medium naar en vanaf dit compartiment via een op dit blok aangesloten leiding het ononderbroken onderhouden van 20 typisch een tenminste laag-frequent pulseer-conditie van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

71. Werkwijze volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, 2. dat daarbij daartoe het ononderbroken onderhouden van een mechanisch contact van dit op- en neerwaarts verplaatsende drukwand-gedeelte met deze opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

72. Werkwijze volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, 30 dat daarbij daartoe in tenminste het onderspleet-gedeelte tussen dit drukwand-gedeelte en deze opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes het continue onderhouden van een micrometer hoge film vloeibaar medium.

73. Werkwijze volgens de Conclusie 71 of 72, met het kenmerk, dat daarbij het typisch onderhouden van een overdruk van het medium in het stripvormige bovenspleet-gedeelte boven deze opvolgende, zich ononderbroken eronder langs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten opzichte van de druk van het pulserende medium in zulk een onder-compartiment tijdens tenminste het neerwaarts verplaatsen van dit drukwand-gedeelte.

74. Werkwyze volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat zoals zulk een stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte een uitwisselbaar blok is in het boventunnelblok ervan, daarbij het daarmede ononderbroken onderhouden van het navolgende: 10 a) tenminste een laag-frequent pulseer-conditie van het stripvormige op en neerwaarts verplaatsbare drukwand-gedeelte van dit blok; of b) tenminste een laag-frequente tril-conditie van dit drukwand-gedeelte.

75. Werkwyze volgens de Conclusie 74, met het kenmerk, dat zoals daar bij in het boventunnel blok de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok, bevattende een stripvormig compartiment met ter plaatse van de onderzijde ervan een stripvormig drukwand-gedeelte, met behulp van het 20 opvolgend toe- en afvoeren van typisch vloeibaar medium naar en vanaf dit compartiment via een op dit blok aangesloten leiding het ononderbroken onderhouden van een tenminste laag-frequente pulseer-conditie van dit drukwand-gedeelte ten behoeve van het daarmede 25 bewerkstelligen en vervolgens onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van de bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

76. Werkwijze volgens de Conclusie 75, met het kenmerk, 30 dat zoals daarbij in dit blok de opname van een tijdens de werking ervan verdraaiende nokkenas-opstelling, het tenminste daarmede onderhouden van zulk een tenminste laag-frequente tril-conditie van het stripvormig drukwand-gedeelte ervan.

77. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling de opname van een stripvormige medium toevoer-inrichting, tijdens de werking ervan het daarin plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van tenminste een verdampbaar vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vloeibare en/of vaste vorm ervan naar een stripvormige sectie van het 5 boventunnelblok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan en welke gedetailleerd is aangegeven en omschreven in de gelijktijdig met deze Octrooi-aanvrage ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 4 van de aanvrager.

78. Werkwijze volgens de Conclusies 76 en 77, met het kenmerk, dat zoals zulk een nokkenas-opstelling is opgenomen in het boventunnelblok met in het stripvormige drukwand-gedeelte ervan de opname van een electrisch geïsoleerde dunwandige metalen verwarmingsplaat, daarbij 15 het mede in een zodanig voldoende mate plaatsvinden van verwarming ervan, dat in het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van verdamping 20 van het via deze medium toevoer-inrichting toegevoerde, typisch laag-kokende vloeibare draagmedium onder het daarbij bewerkstelligen van neerslag van deeltjes van deze semiconductor substantie op deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor 25 substraat-gedeeltes.

79. Werkwijze volgens de Conclusie 78, met het kenmerk, dat zoals daarbij met behulp van het verdraaien van deze nokkenas het tevens onderhouden van tenminste een laag-frequente pulseer-conditie van deze drukwandsectie, 30 daarmede het ononderbroken plaatsvinden van een optimaal semiconductor neerslag-proces voor deze deeltjes van een semiconductor substantie op deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes . 35

80- Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij onder deze nokkenas-opstelling in het ondertunnelblok de opname van zulk een eveneens met vloeibaar medium gevuld stripvormig onder-compartiment van een uitwisselbaar stripvormig onderblok met als boven-gedeelte ervan het stripvormig, in hoogterichting op en neer verplaatsbaar drukwand-gedeelte van dit blok, met behulp van deze combinatie 5 het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende, ertussendoor verplaatsende opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch laag-frequent trillend stripvormig onderwand-gedeelte van dit uitwisselbare 10 bovenblok en het laag-frequent pulserende stripvormige drukwand-gedeelte van dit uitwisselbare onderblok.

81. Werkwyze volgens de Conclusie 79 of 80, met het kenmerk, dat zoals daarby de positie van deze nokkenas-opstelling, gezien in de verplaatsingsrichting van deze .15 opvolgende substraat-gedeeltes, in het achter-gedeelte van dit compartiment, het bijdragen in het onderhouden van het navolgende: a) het vermijden van neerslag van deze deeltjes van een di-electrisehe substantie tegen de onderzijde van het 20 drukwand-gedeelte van deze nokkenas-opstelling; en b) een contactloze conditie van de op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes opgebrachte laag van zulke deeltjes met dit drukwand-gedeelte.

82. Werkwyze volgens de Conclusie 79 of de combinatie van 79 en 80, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok achter deze daarin opgenomen nokkenas-opstelling de opname van een stripvormige afvoersectie voor het verdampte medium, met daarbij een toenemende 30 hoogte van het bovenspleet-gedeelte onder tenminste het drukwand-gedeelte ervan in de richting van deze medium-afvoersectie, het ononderbroken plaatsvinden van een optimale afvoer van het verdampte medium naar deze afvoersectie.

83. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de nokken van zulk een nokkenas-opstelling een zodanige profilering ervan hebben, dat daarmede het nokgedeelte, welke, gezien in de verplaatsingsrichting van de opvolgende eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, zich bevindt vóór het topgedeelte ervan, bevattende een relatief grote lengte ervan, het daarmede bewerkstelligen van een tijdelijk 5 langzame opwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte, en met het korte nokgedeelte een daaropvolgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan, met het ononderbroken plaatsvinden van tenminste mede het navolgende: 10 a) een optimaal opbreng-proces voor deze deeltjes van de typisch di-electrische vaste substantie; en b) het bijdragen in het vermijden van neerslag van zulke deeltjes tegen de onderwand van dit drukwand-gedeelte ervan.

84. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de nokken van deze nokkenas-opstelling een zodanige profilering ervan hebben, dat daarmede het nokgedeelte, welke, gezien in de verplaatsingsrichting van de opvolgende eronderlangs 20 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zich bevindt vóór het topgedeelte ervan, bevattende een geringe lengte ervan, het daarmede bewerkstelligen van een t ijdel ijk snelle opwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte, en met het andere, relatief lange 25 nokgedeelte een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan, met het daarbij ononderbroken plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere reinigen, etsen, strippen of spoelen van de in een voorgaand tunnel-gedeelte 30 opgebrachte semiconductor bovenlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes.

85. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals op het boventunnelblok ervan de drukdichte bevestiging van een uitwisselbaar stripvormig 35 bovenblok, met op het stripvormige, dunwandige op en neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte ervan het aangebracht zijn van een eveneens stripvormige micrometer hoge laag van een di-electrische substantie, met daarop een micrometer dikke metalen laag, welke typisch afkomstig is van een uiterst dunne folie, met een dikte van typisch minder dan 30 micrometer ervan, daarbij het tijdens de werking van deze tunnel-opstelling fungeren 5 ervan als tenminste een electrisch verwarmings-element.

86. Werkwijze volgens de Conclusie 85, met het kenmerk, dat zoals ter plaatse van de beide dwarsuiteinden van deze metalen electrode-plaat de aansluiting ervan via een electrische leiding op een mini electrische stroom 10 opwek-inrichting en het compartiment van dit blok via een centraal gelegen toe/afvoerleiding is aangesloten op een toevoer-inrichting voor een electrisch isolerend typisch vloeibaar medium, tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het via deze leiding ononderbroken onderhouden 15 van een laag-frequente opvolgende toe-en afvoer van dit medium naar en vanaf dit compartiment en zoals verder daarbij met behulp van deze electrische stroom opwek-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium-gedeelte van de in een 20 voorgaand tunnel-gedeelte opgenomen stripvormige toevoer-inrichting voor de combinatie ervan met deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste of vloeibare vorm ihet ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de bovenlaag van de zich 25 eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

87. Werkwijze volgens de Conclusie 86, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van zulk een ononderbroken laag-pulserend toe- en afvoeren van dit vloeibare medium het plaatsvinden van de navolgende semiconductor behandelingen 30 daarmede: a) bij de combinatie van een relatief langdurig neerwaarts verplaatsen van dit drukwand-gedeelte en een daaropvolgend relatief kortstondig opwaarts verplaatsen ervan het daarmede onderhouden van een ononderbroken 35 semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van onder andere een reinigings- , ets- , strip- of spoel- proces; of b) bij de combinatie van een kortstondig neerwaarts verplaatsen van dit drukwand-gedeelte en een daaropvolgend relatief langdurig opwaarts verplaatsen ervan het 5 daarmede bewerkstelligen van een neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie, onder de opbouw van een micrometer hoge laag van deze deeltjes op de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes; of 10 c) bij toepassing van een hoge verdampings-temperatuur voor dit vloeibare medium het daarbij onder het achter-gedeelte van deze drukwand het ononderbroken plaatsvinden van het samensmelten van deze deeltjes van een vaste semiconductor substantie, typisch een di-electrische substantie.

88. Werkwijze volgens de Conclusie 87, met het kenmerk, dat zoals zulk een opstelling een metale bovenwand ervan bevat, het tevens fungeren ervan als een electrisch verwarmings-element en zulks mede door een daartoe voldoend lage electrische spanning en een relatief grote 20 amplitude in op- en neerwaartse richting van de in deze generator opgewekte trillingen.

89. Werkwijze volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat zoals deze nokkenas-opstelling slechts één electrische aansluiting op deze metalen bovenwand als boven-electrode 25 bevat ten behoeve van via een electrische leiding de aansluiting ervan op zulk een generator en waarbij het open neerwaarts verplaatsbare stripvormige onderdrukwand-gedeelte van het uitwisselbare bovenblok eveneens via zulk een electrische leiding daarop is aangesloten, het 30 fungeren van deze opstelling als typisch een tenminste hoog-frequent trillende warmtebron en zoals daarby het tevens gebruikmaken van een mede daartoe aangepaste semiconductor uitvoering van deze generator, met het daardoor bewerkstelligd trillend op- en neerwaarts 35 verplaatsen van het drukwand-gedeelte van dit bovenblok, het ononderbroken onderhouden van de combinatie van een zodanige trilling en verwarming ervan, dat daarmede het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor 1037068 behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder deze condities.

90. Werkwijze volgens de Conclusie 89, met het kenmerk, 5 dat daarbij met behulp van deze nokkenas-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van één van de in de Conclusie 87 onder a), b) of c) omschreven semiconductor behandelingen van de ononderbroken eronderlangs verplaatsende opvolgende substraat-gedeeltes.

91. Werkwijze volgens de Conclusie 85 of 88, met het kenmerk, dat daarbij in een stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte ervan onder zulk een electrische trillende warmtebron door verdamping daarmede van het vloeibare draagmedium-gedeelte het ononderbroken 15 plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes onder de opbouw daarop van een micrometer hoge laag van deze 20 deeltjes en waarbij afvoer van het verdampte draagmedium geschiedt via de daarop-volgende stripvormige medium-afvoersectie van het boventunnelblok.

92. Werkwijze volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat daarbij in een stripvormig gedeelte van deze tunnel-25 opstelling mede met behulp van zulk een tril/verwarmings-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge laag van een typisch di-electrische substantie op de reeds in een voorgaand gedeelte ervan opgebouwde micrometer hoge laag ervan.

93. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij op het boventunnelblok de drukdichte bevestiging van een uitwisselbaar stripvormig bovenblok, waarin de opname van een stripvormige electrische tril-inrichting, bevattende een stripvormig 35 op en neer verplaatsbaar onder-drukwandgedeelte van dit blok, met daarop een micrometer hoge, typisch di-electrische laag als tussenlaag en daarop een eveneens micrometer dikke stripvormige metalen bovenlaag, met deze bovenlaag fungerend als een electrische boven-electrode, welke via een electrische leiding is aangesloten op zulk een electrische generator ten behoeve van het daarin opwekken van electrische trillingen, en dit onder-5 drukwandgedeelte fungerend als een onder-electrode, met eveneens via een electrische leiding aansluiting ervan op deze generator, het tijdens de werking ervan het onderhouden van een tril-conditie van dit drukwand-gedeelte .·

94. Werkwijze volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat daarbij het fungeren van deze tril-inrichting tevens als een aanzienlijke warmtebron door het mede toepassen van een zodanig hoge electrische spanning voor deze typisch tenminste zeer hoog-frequente trillingen, dat 15 daarin een electrische stroom wordt onderhouden vanaf deze boven-electrode via deze di-electrische tussenlaag naar deze onder-electrode onder het daarbij gepaard gaan van een aanzienlijke warmte-ontwikkeling.

95. Werkwijze volgens de Conclusie 94, met het kenmerk, 20 dat zoals daarbij vóór deze stripvormige transducer- opstelling de opname in deze tunnel-opstelling van een stripvormige inrichting ten behoeve van een ononderbroken toevoer van de combinatie van typisch een laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor 25 substantie in een vaste- of vloeibare vorm ervan, met behulp van deze tril/verwarmings-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit vloeibare draagmedium onder neerslag van deze deeltjes van typisch een vaste semiconductor substantie op de 30 opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met erachter een stripvormige afvoersectie in dit boventunnelblok ten behoeve van de ononderbroken afvoer van het verdampte draagmedium.

96. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tegen tenminste de bovenwand van het compartiment, waarin zulk een stripvormige tril/verwarmings-inrichting zich bevindt, de opname van een tenminste mede warmte-isolerende laag, het tenminste aanzienlijk beperken van het tenminste opwaarts ontsnappen van warmte uit deze tril/verwarmings-inrichting.

97. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij na deze in het boventunnelblok opgenomen combinatie van zulk een tril/ verwarmings-inrichting en de daarop-volgende afvoersectie voor het verdampte draagmedium in een volgende 10 stripvormige sectie van de onderwand van het boventunnelblok of het daarin opgenomen uitwisselbare bovenblok de opname van een mini stripvormig electrisch verwarmings-element, het daarmede tenminste nagenoeg uitsluitend en ononderbroken plaatsvinden van het smelten 15 van de op deze opvolgende substraat-gedeeltes neergeslagen deeltjes van een vaste semiconductor substantie en in een daarop-volgend gedeelte van dit boventunnelblok of dit bovenblok de opname van een stripvormige afkoelsectie ten behoeve van de bewerkstelliging van een micrometer hoge 20 laag van deze semiconductor substantie.

98. Werkwijze volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat zoals dit verwarmings-element zodanig is uitgevoerd, dat.daarmede het ononderbroken plaatsvinden van het samensmelten van de micrometer hoge laag van de 25 opgebrachte deeltjes van een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een micrometer hoge , en in een voldoende mate tijdelijke laag van een vloeibare hecht-substantie, welke reeds in een 30 voorgaand bovenspleet-gedeelte is opgebracht op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende metalen band-gedeeltes als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgendesubstraat-gedeeltes en waarbij in een volgende stripvormige afkoel-inrichting, welke is 35 opgenomen in het boventunnelblok, door afkoeling ervan de bewerkstelliging van typisch een micrometer hoge di-electrische vaste laag, welke in een voldoende mate verankerd is op deze tijdelijke hechtlaag.

99. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals zulk een stripvormige tril/ verwarmings-inrichting is opgenomen in een compartiment van een uitwisselbaar blok, welke drukdicht is 5 bevestigd op het boventunnelblok, daarbij het mede fungeren van deze inrichting als een stripvormige, typisch zeer laag-frequent pulserende drukwand, met daartoe het opvolgend plaatsvinden van de toe- en afvoer van typisch gasvormig medium naar en vanaf dit 10 compartiment.

100. Werkwyze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het compartiment van een uitwisselbaar stripvormig onderblok, welke is opgenomen in het ondertunnelblok, de opname van een tril-inrichting, 15 daarmede het ononderbroken plaatsvinden van het meepulseren/trillen van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met een relatief aanzienlijke dikte ervan en en waarbij deze tr il-inrichting daartoe eveneens is 20 aangesloten op zulk een electrische generator, met het daarin opwekken en onderhouden van een typisch laag-frequente tril-conditie van deze opgewekte trillingen en daartoe de bovenwand van deze tril-inrichting als een stripvormig op en neer verplaatsbaar drukwand-gedeelte 25 deel uitmaakt van dit uitwisselbare onderblok en de onderplaat van deze inrichting onder de di-electrische tussenlaag als electrische electrode is aangesloten op deze generator.

101. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 30 het kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling de toepassing van een uiterst dunne, typisch metalen folie, welke tijdens de werking ervan ononderbroken wordt aangevoerd vanaf een folie-opslagrol nabij de ingang ervan, tijdens de verplaatsing ervan erdoorheen het 35 fungeren ervan als een semiconductor onderlaag van de opvolgende, daarin ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

102. Werkwijze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat zoals deze opvolgende folie-gedeeltes een. definitieve onderlaag vormen van deze opvolgende, door deze tunnel-opstelling verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, daarbij in het begin-gedeelte ervan 5 het typisch met behulp van een hechtsubstantie het ononderbroken plaatsvinden van een verankerings-proces voor de daarop opgebrachte micrometer hoge laag van een di-electrische substantie.

103. Werkwyze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, 10 dat zoals deze folie daarbij fungeert als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de daarop bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes onder toepassing daarbij van een tijdelyke hecht-substantie, in een inrichting achter de uitgangszijde ervan het plaats-15 vinden van scheiding ervan daarvanaf.

104. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in deze tunnel-opstelling de toepassing van een tenminste 0,1 mm dikke ononderbroken metalen band als een tijdelijke semiconductor onderlaag 20 van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes onder de gebruikmaking voor deze band van een rol-opstelling nabij de in- en uitgangszijde ervan, daarbij in een inrichting onmiddellijk achter de uitgang ervan het plaatsvinden van scheiding van de daarin daarop 25 bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ervanaf.

105. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in deze tunnel-opstelling plaatselijk de toepassing van de combinatie van een 30 stripvormige typisch zeer hoog-frequent trillende tril/ verdampings-inrichting, welke is opgenomen in een uitwisselbaar stripvormig bovenblok van het boventunnelblok en een daaronder-gelegen stripvormige typisch laag-frequent trillende onder-trilinrichting, 35 welke is opgenomen in het onderblok als een uitwisselbaar gedeelte van het ondertunnelblok, met daarbij elke gewenst wordende semiconductor uitvoering van deze combinatie van zulk een onder- en boven-inrichting, daar bij het daarmede plaatsvinden van elke moge lijke semiconductor behandeling van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes . 5

106 Werkwijze volgens de Conclusie 105, met het kenmerk, dat zoals deze boven- en onder-trilinrichtingen elk af zonder lijk zijn aangesloten op zulk een electrise he trilling-opwekinr ichting, met daarin elke mogelijke opbouw en vorm van zulk een opgewekte electrische trilling 10 voor elk van deze beide inrichtingen, daarbij het ononderbroken plaatsvinden van zulk een semiconductor behandelings- of opbouw-proces voor de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder zulk een tril-conditie.

107. Werkwyze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in een stripvormige sectie van het ondertunnelblok de opname in zulk een uitwisselbaar onderblok, · met daarin opgenomen een een stripvormige onderinrichting-opstelling en daarboven in het boven-20 tunnelblok de opname van een uitwisselbaar bovenblok, waarin in het compartiment ervan de opstelling van een roterende nokkenas-opstelling, het daarbij daarmede typisch hoog-frequent trillend op en neer verplaatsen van het zich eronder bevindende drukwand-gedeelte ervan.

108. Werkwijze volgens de Conclusie 107, met het kenmerk, dat daarbij door de ononderbroken toe- en afvoer van typisch gasvormig medium naar en vanaf dit onder-compartiment, waarin de opname van zulk een stripvormige tril-inrichting, met behulp van deze laag-frequent 30 trillende onder-trilinrichting het mede onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van deze opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

109. Werkwijze volgens de Conclusie 108, met het kenmerk, 35 dat daarbij tijdens de werking ervan de navolgende condities voor deze ondertrilelement-opstelling worden onderhouden: a) een laag-frequente pulseer-conditie van deze tril- opstelling en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes,· zoals deze eveneens is aangesloten op zulk een electrische trilling-opwekinrichting ten behoeve van de 5 opwekking daarin van een laag-frequent pulserende/ trillende electrische spanning; en b) het onderhouden van een ultra-laagfrequente pulseer-conditie ervan met behulp van de opvolgende toe en afvoer van het gasvormige medium naar en vanaf dit onder-10 compartiment voor deze trilelement-opstelling.

110. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok de opname van een stripvormige toevoer-inrichting voor de gescheiden toevoer van een laag percentage hoog-kokend vloeibaar 15 draagmedium en de toevoer van de combinatie van een hoog percentage laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, daarbij met behulp van een in deze tunnel-opstelling opgenomen tril/verdampings-inrichting in het boventunnelblok door verdamping van het 20 laag-kokende vloeibare draagmedium het bewerkstelligen van neerslag van een micrometer hoge laag van de combinatie van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium en deze deeltjes van deze substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor 25 substraat-gedeeltes.

111. Werkwijze volgens de Conclusie 110, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, door dit verdampen van dit laag- 30 kokende vloeibare draagmedium het ononderbroken plaatsvinden van de vorming van een micrometer hoge laag van deze combinatie van het hoog-kokende vloeibare medium en deze deeltjes van een semiconductor substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor 35 substraat-gedeeltes.

112. Werkwijze volgens de Conclusie 111, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een zeer hoog-kokende vloeibare substantie, door verdamping van dit laag-kokende vloeibare draagmedium het ononderbroken plaatsvinden van de vorming van een micrometer hoge laag van deze combinatie van het hoog-kokende vloeibare 5 draagmedium en deze deeltjes van de zeer hoog-kokende vloeibare substantie, typisch een vloeibare hechtsubstantie, op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met het daar bij moge lijk fungeren van zulke opvolgende metalen 10 folie-gedeeltes als zulke semiconductor substraat-gedeeltes .

113. Werkwijze volgens de Conclusie 112, met het kenmerk, dat zoals in dit boventunnelblok, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende erdoorheen 15 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, daarachter de opname van een tweede tril/verdampings-inrichting, het daarmede plaatsvinden van verdamping van dit hoger-kokende vloeibare draagmedium uit deze opgebrachte laag onder het daarbij plaatsvinden van 20 uitdrijving daaruit van het verdampte vloeibare medium onder de vorming van een voldoend gelijkmatige micrometer hoge laag van deze vloeibare hechtsubstantie daarop.

114. Werkwijze volgens de Conclusies 112 en 113, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van deze tweede inrichting 2 5' het uitsluitend plaatsvinden van het verdampen van deze hoog-kokende vloeibare hechtsubstantie en in een volgend tunnel-gedeelte het plaatsvinden van een oven-behandeling van deze laag onder de vorming van een (sub) micrometer hoge laag van deze vloeibare hechtsubstantie.

115. Werkwijze volgens de Conclusie 111, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie, door verdamping van dit laag-kokend vloeibaar draagmedium het ononderbroken 35 plaatsvinden van de vorming van een micrometer hoge laag van deze combinatie van het hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deze deeltjes van een vaste substantie op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

116. Werkwijze volgens de Conclusie 115, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste 5 semiconductor substantie, door dit verdampen van dit laag-kokende vloeibare draagmedium het ononderbroken plaatsvinden van de vorming van een micrometer hoge laag van deze combinatie van het hoog-kokende vloeibare medium en deze deeltjes van deze vaste substantie op deze 10 opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

117. Werkwijze volgens de Conclusie 116, met het kenmerk, dat zoals in dit boventunnelblok de opname van een tweede tril/verdampings-inrichting, het daarmede ononderbroken 15 plaatsvinden van verdamping van dit hoger-kokende vloeibare draagmedium uit deze opgebrachte laag onder het daarbij plaatsvinden van uitdrijving daaruit van het verdampte vloeibare medium onder de vorming van een voldoend gelijkmatige micrometer hoge laag van deze vaste 20 semiconductor substantie daarop.

118. Werkwijze volgens de Conclusie 117, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een daarop-volgende stripvormige oven-sectie, met typisch het achter-gedeelte van deze tweede inrichting fungerend als zulk een warmtebron, het 25 plaatsvinden van het samensmelten van de resterende micrometer hoge laag van deeltjes van deze vaste semiconductor substantie onder de vorming van een micrometer hoge vloeibare laag ervan, in een volgend tunnel-gedeelte door afkoeling ervan de bewerkstelliging 30 van een micrometer hoge, voldoend gelijkmatige laag van deze substantie in een vaste vorm ervan.

119. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals tenminste plaatselijk in deze tunnel-opstelling de opname van een aantal opvolgende 35 semiconductor behandelings-secties, met daarin in het boventunnelblok ervan zulk een stripvormige tril/ verdampings-inrichting en ervóór zulk een stripvormige inrichting ten behoeve van de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm, typisch een di-electrische substantie, en daarachter zulk een stripvormige afvoersectie ten behoeve van de afvoer van 5 het met behulp van deze inrichting door verdamping van dit vloeibare draagmedium bewerkstelligde dampvormige medium, ertussen de opname van een stripvormige mediumslot-opstelling onder toepassing van gasvormig slotmedium, het daarbij gescheiden houden van deze 10 opvolgende semiconductor behandelings-secties en daarmede tevens van deze opgebrachte semiconductor lagen.

120. Werkwijze volgens de Conclusie 119, met het kenmerk, dat daarbij pas na het bewerkstelligd zijn van een aantal van deze opgebouwde, boven elkaar gelegen semiconductor 15 lagen van deeltjes van deze semiconductor substantie het plaatsvinden van zulk een oven-behandeling ervan ten behoeve van tenminste mede het plaatsvinden van het samensmelten van deze opgebrachte lagen van deeltjes van deze semiconductor substantie en in een volgende tunnel-20 sectie door afkoeling ervan het bewerkstelligen van een micrometer hoge totaal-laag in een vaste toestand ervan.

121. Werkwijze volgens de Conclusie 120, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van het samensmelten van deze opgebrachte micrometer hoge lagen 25 tevens plaats vindt met tenminste het boven-gedeelte van een reeds opgebrachte laag van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.

122. Werkwyze volgens de Conclusie 120, met het kenmerk, dat daarbij het tevens plaatsvinden van verankering van 30 deze opgebrachte totaal-laag van een typisch di- electrische substantie op de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde micrometer hoge laag van een semiconductor hechtsubstantie.

123. Werkwijze volgens de Conclusie 122, met het kenmerk, 35 dat daarbij zulk een verankering plaats vindt met de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte al dan niet tijdelijke hechtlaag op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende typisch metalen folie of band.

124. Werkwijze volgens de Conclusie 119, met het kenmerk, dat zoals het fungeren van deze laatste tril/verdamp-inrichting tevens als een warmtebron, daarbij daarmede het reeds plaatsvinden van het samensmelten van deze deeltjes 5 di-electrische substantie en zulks mede met het bovengedeelte van een reeds opgebrachte laag van al dan niet dezelfde semiconductor substantie plaats vindt.

125. Werkwijze volgens de Conclusie 119, met het kenmerk, dat zoals elk van deze tril/verdamp- inrichtingen eveneens 10 aangesloten is op zulk een electrische trilling- opwekinrichting, daarbij het ononderbroken plaatsvinden van de opwekking van electrische trillingen met een zodanige frequentie ervan, dat deze voor zulk een inrichting toepasbaar is.

126. Werkwijze volgens de Conclusie 125, met het kenmerk, dat daarbij reeds in de inrichting boven zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting het daartoe plaatsvinden van een in voldoende mate vóör-verwarming van zulk een combinatie van vloeibaar draagmedium en 20 deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.

127. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de opname daarin van een 25 stripvormige medium toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie een stripvormig uitwisselbaar bovenblok, waarin de opname van een compartiment, bevattende zulk een stripvormige verdamp/tril-inrichting 30 en typisch zulk een daarop-volgende medium-afvoersectie, met aansluiting daarop van een afvoer-systeem voor het met behulp van deze inrichting verdampte medium ten behoeve van het onderhouden van een tenminste zeer hoogfrequente tril-conditie van het stripvormige onderwand-35 gedeelte van dit bovenblok en waarbij onder dit blok in het ondertunnelblok eveneens de opname van een uitwisselbaar onderblok, bevattende eveneens een stripvormig compartiment, waarin de opname van een nokkenas-opstelling met daarboven het stripvormige drukwand-gedeelte van dit onderblok ten behoeve van het met behulp van toegevoerd vloeibaar medium via een stripvormige toevoer-inrichting in dit ondertunnelblok het bewerkstelligen en vervolgens 5 onderhouden van een micrometer hoge film ervan tussen dit drukwand-gedeelte en de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met behulp van deze verdamp/tril-inrichting en deze nokkenas-opstelling het ononderbroken plaatsvinden 10 van een semiconductor behandelings-proces onder tril- condite van deze boven-gelegen verdamp/tril-inrichting in combinatie met een tril-conditie van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

128. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, 15 dat zoals daarbij deze tril/verdamp-inrichting mede is aangesloten op zulk een electrische trilling opwek-inrichting, daarin het ononderbroken plaatsvinden van het opwekken van electrische trillingen met een voor deze tril/verdamp-inrichting meest geeigende vorm en frequentie 20 ervan.

129. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat zoals de nokken van deze nokkenas-opstelling, gezien in de verplaatsingsrichting ervan, een korte oplopende hoogte en daarachter een relatief lange aflopende hoogte 25 ervan hebben ten behoeve van het daarmede onderhouden van een snelle opwaartse verplaatsing en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte en daarmede eveneens van deze opvolgende erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-30 gedeeltes, het daarmede tenminste mede bijdragen in een maximale neerslag van vaste deeltjes van zulk een semiconductor substantie daarop onder de vorming van een micrometer hoge laag ervan.

130. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, 35 dat zoals deze nokken, gezien in de verplaatsingsrichting ervan, een relatief lange oplopende hoogte en daarachter een korte aflopende hoogte ervan hebben ten behoeve van het daarmede onderhouden van een langzame opwaartse verplaatsing en een daarop-volgende snelle neerwaartse, verplaatsing van dit drukwand-gedeelte en daarmede eveneens van deze opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, het daarmede mede met 5 behulp van toegevoerd vloeibaar semiconductor behandelings-medium het plaatsvinden van een optimale uitdrijving/ verwijdering van deeltjes van typisch een vaste semiconductor substantie vanaf de bovenlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes en de daarin in een 10 voorgaand tunnel-gedeelte aangebrachte uitsparingen (crevices) in de bovenwand ervan of een optimaal • reinigings-, ets-, strip- of spoel-proces ervan.

131. Werkwijze volgens de Conclusie 129, met het kenmerk, dat zoals de nokken van deze onder-nokkenasopstelling, 15 gezien in de verplaatsingsrichting ervan, zulk een korte oplopende hoogte en daarachter een relatief lange aflopende hoogte ervan bevatten, het mede met behulp van deze boven-ver damp/tr ilinrichting, daarbij tevens fungerend als een aanzienlijke warmtebron, het ononderbroken 20 bewerkstelligen van een micrometer hoge laag gesmolten di-electrische substantie op de reeds opgebrachte micrometer hoge laag van eveneens een di-electrische subtantie in een vaste vorm ervan en zulks onder een verankerings-conditie ervan met deze laag.

132. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals zulk een stripvormige electrische tril/verwarmings-inrichting een transducer-opstelling is, het daarmede onderhouden van een tenminte. hoog-frequente, typisch een UHF of MHF tril-conditie van 30 het semiconductor behandelings-medium in het zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte.

133. Werkwijze volgens de Conclusie 132, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van tenminste één, relatief dunne stripvormige rechthoekige di-electrische 35 schijf, welke gehecht is op het drukwand-gedeelte van een uitwisselbaar transducer-blok en tegen de dunwandige boven-electrode-plaat ervan en deze tunnel-opstelling verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daartoe de toepassing van zulk een electrische trilling-opwekinrichting, waarmede het toevoeren van de trillende electrische stroom onder de combinatie van een aanzienlijk hoge tril-spanning en een tenminste zeer hoge 5 tril-frequentie ervan.

134. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in de beide gedeeltes van deze tunnel-opstelling aan weerszijde van het centrale semiconductor bovenspleet-gedeelte, welke typisch als 10 uitsparing is opgenomen binnen de beide dwarsuiteinden van het boventunnelblok, de opname van een mediumslot-opstelling en waarbij deze beide slot-opstellingen zich typisch bevinden boven deze opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende typisch metalen 15 folie- of band-gedeeltes als een semiconductor onderlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes tijdens de verplaatsing ervan erdoorheen, daarmede met behulp van typisch gasvormig slotmedium het ononderbroken plaatsvinden van de afgrendeling van het primaire centrale 20 bovenspleet-gedeelte, waarin het mede ononderbroken plaatsvinden van de opvolgende semiconductor behandelingen van deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, van het secundaire, zich eronder bevindende onderspleet-gedeelte. 25

135. Werkwijze van de semiconductor tunnel-opstelling, waarin de opname van meerdere electrische tril-inrichtingen in tenminste het boventunnelblok ervan en welke reeds zijn omschreven in meerdere voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste mede 30 met behulp ervan de bewerkstelliging van een typisch ultra vlakheid van de aan de uitgangszijde ervan verkregen opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in een daarop-volgende inrichting door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips.

136. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok de opname van zulk een typisch uitwisselbare stripvormige tril/ verwarmings-inrichting en daarbij tegen de onderwand van de onder-electrode ervan het opgebracht zijn van een micrometer hoge typisch teflon laag, het daarmede tijdens de werking ervan tenminste bijdragen in het vermijden van aanhechting van deeltjes van een semiconductor substantie 5 en zulks in het bijzonder een vloeibare hechtsubstantie daartegen.

137. Werkwijze van de semiconductor tunnel-opstelling volgens meerdere van de voorgaand omschreven Conclusies, met het kenmerk, dat deze eveneens toepasbaar zijn in de 10 andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de gelijktijdig met deze Octrooi-aanvrage ingediende andere Octrooi-aanvragen.

138. Werkwijze volgens de Conclusie 137, met het kenmerk, dat daarbij aanvullend voor deze semiconductor tunnel- 15 opstelling de toepassing van meerdere van de werkwijzen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octrooi-aanvragen. 1037068