NL1037069C2 - Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-opsteling, waarin tenminste mede in het boven- en/of onder tunnelblok de opname van een zich in dwarsrichting ervan uitstrekkende stripvormige inrichting ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen van het stripvormige drukplaat-gedeelte ervan. - Google Patents

Description

Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-opstelling, waarin tenminste mede in het boven- en/of onder-tunnelblok de opname van een zich in dwarsrichting ervan uitstrekkende stripvormige inrichting ten behoeve van tijdens 5 de werking ervan het ononderbroken opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen van het stripvormige drukplaat-gedeelte ervan.

Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-10 opstelling, waarin tenminste mede in het boven- en/of onder-tunnelblok de opname van meerdere, zich in dwarsrichting ervan uitstrekkende inrichtingen, fungerend daarbij als een typisch hoofdzake lijk mechanisch tril-element, ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken opvolgend op- en 15 neerwaarts verplaatsen van het stripvormige drukplaat-gedeelte ervan.

Daarbij bevat deze tunnel-opstelling in een gunstige uitvoering ervan zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking ervan in opvolgende semiconductor behandelings-secties 20 het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en zulks typisch onder toepassing van een ononderbroken folie of band als een tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

25 Verdere zeer gunstige kenmerken van deze geheel nieuwe semiconductor inrichtingen volgen uit de beschrving van de hiena volgende Figuren en de opvolgende Conclusies betreffende deze inrichtingen.

30 Figuur 1 toont tenminste plaatselijk in het onder-gedeelte van het boventunnelblok van de tunnel-opstelling de opname van een uitwisselbaar metalen stripvormig bovenblok, met in het onder-gedeelte ervan een dunwandige, stripvormige vlakke en in een voldoende mate constructief sterke drukplaat -35 sectie, me.t rondom een dunwandige membraam-sectie, ten behoeve van het optimaal fungeren ervan als een in de hoogte-richting verplaatsbare bovenwand-sectie van de zich eronder bevindende centrale sectie van de tunnel-door gang, 1037069 2 waarbij het compartiment van dit blok fungeert als een drukkamer, met door het opvolgend ononderbroken typisch laag-frequent pulserend toe- en afvoeren van vloeibaar medium naar en vanuit dit compartiment het onderhouden van 5 een pulseer-conditie van deze wand-sectie.

Figuur 2 toont in een uitwisselbaar stripvormig onderblok van het ondertunnelblok de opname in het onder-compartiment ervan van een stripvormig drukwand-gedeelte en waarbij dit compartiment tevens fungeert als drukkamer, 10 waarin met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van vloeibaar medium naar en vanaf dit compartiment het onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor 15 substraat-gedeeltes.

Figuur 3 toont voor het uitwisselbare bovenblok volgens de Figuur 1 in de onderwand van het stripvormige, tenminste laag-frequent pulserende drukwand-gedeelte ervan de opname van een groot aantal mini hoge medium-doorlaatgroeven, 20 Figuren 3^ en 3^, ten behoeve van het stuwen erdoorheen van een semiconductor behandelings-medium vanuit een medium-toevoersysteem in de lengterichting achter deze drukplaat naar een medium-afvoersysteem aan de voorzijde ervan ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van 25 een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende.

eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuren 4A,B en C tonen in een stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling de opname van de in de Figuur 1 aangegeven bovenblok-opstelling in het boventunnelblok, met 30 daaronder de opname van de in de Figuur 2 aangegeven onder dr ukblok-opstelling in het onder tunnelblok , met daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het tenminste laag-frequent pulseren van het drukwand-gedeelte van dit bovenblok en typisch een afgesloten toevoer van het 35 vloeibare medium naar het onder-compartiment.

Daarbij de navolgende posities van deze combinatie van blokken: a) boven elkaar gelegen drukwand-gedeeltes, Figuur 4A; 3 b) het onderdrukwand-gedeelte voorwaarts versprongen ten opzichte van de positie van het bovendrukwand-gedeelte,

Figuur 4*3; of c) het onderdrukwand-gedeelte achterwaarts versprongen ten 5 fipzichte van de positie van het bovendrukwand-gedeelte,

Figuur 4^·.

Figuur 5 toont in de trilplaat van een bovennokkenas-opstelling de opname van een groot aantal naast elkaar gelegen mini hoge medium-doorlaatgroeven ten behoeve van het 10 stuwen van een semiconductor behandelings-medium vanuit een voorgaande medium-toevoersectie erdoorheen naar een medium-afvoersectie aan de andere zijde ervan.

Figuur 5A toont een gedeeltelijk zijaanzicht van deze nokkenas-opstelling; 15 Figuur 5B toont een sterk vergrootte doorsnede over de lijn 5B-5B van de nokkenas-opstelling volgens de Figuur 5A; en

Figuur 5C toont sterk vergroot de opname van deze multi medium-doorlaatgroeven in de onderwand van het stripvormige drukwand-gedeelte van deze nokkenas-opstelling.

20 Figuur 6 toont een nokkenas-opstelling, welke is opgenomen in een uitwisselbaar bovenblok.

Figuren 7A,B,C en D .tonen voor de nokkenas-opstelling volgens de Figuur 6 zeer sterk vergroot de profileringen van de nokken van deze nokkenas-opstelling, met in de 25 Figuren 7A en 7B nokken, waarbij, gezien in de verplaatsings-richting van deze nokkenas-opstelling, een lang opwaarts gedeelte en een kort neerwaarts gedeelte ervan, met in de Figuur 7A (je bovenste positie van het drukwand-gedeelte ervan en in de Figuur 7B de onderste positie van dit 30 drukwand-gedeelte, en in de Figuren ?C en 7° nokken, waarbij, gezien in de verplaatsings-richting van deze nokkenas-opstelling, een kort opwaarts gedeelte en een lang neerwaarts gedeelte, met in de Figuur 7C de bovenste positie van het drukwand-gedeelte van zulk een nok en in de 35 Figuur 7Ö de onderste positie ervan.

Figuur 8 toont een uitwisselbare nokkenas-opstelling in een bovenblok en waarbij in de bovenwand van het ondertunnelblok tenminste onder het stripvormige drukwand- 4 gedeelte ervan de opname van multi opvolgende medium toe- en af voergroeven voor typisch vloeibaar transfer-medium met tussengelegen medium-doorlaatgroeven, zoals in de Figuur 8A,waarin de doorsnede over de lijn 8A-8A is 5 aangegeven, ten behoeve van het daarmede ondersteunen van de verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes onderlangs deze nokkenas-opstelling.

Figuren 9A en ® tonen een roterende nokkenas-opstelling, welke is opgenomen in een uitwisselbaar bovenblok, ten 10 behoeve van het bewerkstelligen van een optimaal vlakke conditie van een in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte typisch di-electrische laag, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 9C en D en waarbij de Figuren 9E, F en G zulke onvlakke bovenwand-gedeeltes 15 tonen en in de Figuur 9H met behulp van de multi nokken ervan het verwijderen van zulk een onvlak bovenlaag-gedeelte, met in de Figuur . 9-*- het daarmede bewerkstelligd zijn van een optimale vlakheid van deze opgebrachte laag.

Figuur 10 toont een alternatieve uitvoering van zulk een 20 roterende nokkenas-opstelling, welke is opgenomen in een uitwisselbaar bovenblok als deel van het boventunnelblok, met daaronder in het ondertunnelblok de opname van een laag-frequent pulserend stripvormig drukwand-gedeelte als deel van een daarin opgenomen onderblok, ten behoeve van 25 het daarbij plaatsvinden van een strip-proces, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 10A.

Figuur 11Atoont de combinatie van een roterende nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar bovenblok, welke drukdicht is bevestigd op het boventunnelblok, met eronder 30 in een uitwisselbaar onderblok de opname van een stripvormige drukwand-sectie, welke drukdicht is opgenomen in het ondertunnelblok, ten behoeve van met deze combinatie het plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, typisch een reinigings-proces, van de 35 opvolgende, zich ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog-frequente tril-conditie van de bovenwand en tenminste een opwaartse druk-conditie van de opvolgende 5 eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuur 11® toont een alternatieve uitvoering van het bovenblok, waarin de opname van deze boven-nokkenasopstelling en waarbij met behulp van toegevoerd verwarmd vloeibaar 5 medium het onderhouden van een relatief hoge temperatuur van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan.

Figuur 11^ toont daarbij een voorwaarts versprongen positie van deze nokkenas-opstelling ten opzichte van de zich eronder bevindende stripvormige drukwand.

10 Figuren 12^ en sterk vergroot Figuur 12® tonen nog een andere alternatieve uitvoering van zulk een roterende nokkenas-opstelling in het uitwisselbare bovenblok, bevattende multi micrometer grote nokken, met daaronder in een uitwisselbaar onderblok een mini stripvormige drukwand 15 van een onder-drukkamer met een instelbare hoogte ervan en waarbij de Figuren 12C, 12® en 12E het sterk vergroot tonen van het plaatsvinden van een strip-proces van de opgebrachte belichtings-laag op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

20 Figuren 13^ en 13® tonen een nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar bovenblok, met eronder in het ondertunnelblok de opname van een in hoogterichting instelbaar stripvormig drukplaat-gedeelte ervan ten behoeve van met zulk een nokkenas-opstelling het typisch plaatsvinden van een 25 optimaal semiconductor indring-proces, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 13^ en 13D.

Figuur 14^ toont een nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar bovenblok, met ervóór de opname van een stripvormige toevoer-inrichting voor de combinatie van 30 laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en waarbij daarmede 'door een ononderbroken toe- en afvoer van warm vloeibaar medium naar en vanuit het nokkenas-compartiment het onderhouden van een zodanig hoge temperatuur van het stripvormige 35 drukplaat-gedeelte ervan, dat verdamping van dit laag-kokende vloeibare medium geschiedt, met afvoer van het verdampte medium in een daarορ-volgende stripvormige afvoer-sectie in het boventunnelblok onder neerslag van deze deeltjes op 6 de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 14B en 14C.

Figuren 14Ü en 14^ tonen als alternatief in het nokkenas-5 compartiment de bevestiging van een stripvormig electrisch verwarmings-element op het stripvormige drukwand-gedeelte ervan ten behoeve van het onderhouden van een zodanige temperatuur ervan, dat daarmede het plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium.

10 Daarby is in deze Figuur 14^ het in hoogterichting instelbare stripvormige onderdrukwand-gedeelte van het uitwisselbare onderblok aangegeven, welke in achterwaartse richting verschoven is ten opzichte van deze nokkenas-opstelling, 15 Figuur 14^ toont daarbij nog vergroot een doorsnede van deze roterende nokkenas, met in de Figuur 14^ het sterk vergroot tonen van het einde van de opwaartse verplaatsing van het bovendrukwand-gedeelte ervan en in de Figuur 14^ sterk vergroot het einde van de neerwaartse verplaatsing 20 van dit drukwand-gedeelte en waarby het aangegeven zijn van zulk een indring-proces van typisch een vloeibare hecht-substantie in de bovenlaag van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuren 15A en 15B tonen de uitwisselbare nokkenas-25 opstelling' in het boventunnelblok volgens de Figuur 14, met eronder in het uitwisselbare onderblok de opname van stripvormig drukwand-gedeelte ervan, welke, gezien in achterwaartse richting, een versprongen positie ervan heeft ten opzichte van die van deze bovennokkenas-opstelling 30 en waarbij in de Figuur 15A met behulp van een overdruk van typisch vloeibaar medium in het onder-compartiment het onderhouden van een opwaartse drukkracht op deze drukwand en daarmede op de zich erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van 35 ter plaatse van het begin-gedeelte van de stripvormige boven-drukwand het onderhouden van een micrometer hoogte van de bovenspleet en daarop-volgend een toenemende hoogte van deze spleet ten behoeve van de afvoer van het 7 toegevoerde medium en in de Figuur 15^ daartoe een instelbare hoogte van deze onderdrukwand.

Daarbij elke mogelijke vorm van de nokken van deze nokkenas-opstelling ten behoeve van het met behulp van deze 5 opstelling plaatsvinden van een bepaald semiconductor behandelings-proces.

Figuur 16^ toont een gedeelte van de tunnel-opstelling, waarbij in een stripvormig compartiment van het uitwisselbare bovenblok de opname van een nokkenas-opstelling, met aan 10 weerszijde ervan een electrisch verwarmings-element en bevattende verder zodanige middelen, dat'zoals dit compartiment gevuld is met vloeibaar medium, tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het onderhouden van een tril-conditie, typisch met de combinatie van een snelle 15 neerwaartse- en een langzame opwaartse verplaatsing van de opvolgende trillingen van het drukwand-gedeelte van deze opstelling ten behoeve van het bijvoor beeld plaatsvinden van een indring-proces onder tevens verwarming van het toegevoerde vloeibare medium in dit compartiment en zulks 20 mede van het zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor medium, bevattende laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.

Figuur 16^ toont onder de boven-nokkenasopstelling volgens de Figuur 16^ in het ondertunnelblok de opname van 25 een uitwisselbaar stripvormig onderblok, bevattende in het compartiment ervan de opname van een stripvormig drukwand-gedeelte en waarbij door het opvolgend toe- en afvoeren van vloeibaar medium naar en vanuit dit compartiment het onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van 30 deze drukwand en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuur 17 toont een alternatieve uitvoering van de nokkenas-opstelling volgens de Figuur 16^ en waarbij daarin de opname van een versprongen drukwand-gedeelte ervan en 35 daarin de opname van een stripvormig electrisch verwarmings-element .

Daarbij tonen de Figuren 17^ tot en met 17D sterk vergroot een optimaal indring-proces van deeltjes van het 8 opgebrachte semiconductor behandelings-medium in opvolgende phasen ervan, met typisch in de opvolgende bovenspleet-gedeeltes tenminste mede deeltjes van een indring-substantie.

5 Figuur 18 toont een alternatieve uitvoering van de combinatie van een boven-nokkenas-opstelling in het bovenblok en een boven-drukwandgedeelte ervan en waarbij onder deze opstelling in een uitwisselbaar onderblok de opname van een drukwand-gedeelte ervan, bevattende een stripvormig 10 dunwandig electrisch verwarmings-element ten behoeve van tenminste mede verdampen van het vloeibare draagmedium van de combinatie ervan met deeltjes van een semiconductor substantie en welke ononderbroken via een voorgaande toevoer-sectie in het boventunnelblok wordt aangevoerd, zoals 15 is aangegeven in de Figuur 17.

Figuren 19 en 20 tonen een boven-nokkenasopstelling, waar bij daarin de opname van een electrisch verwarmingselement in het stripvormige drukwand-gedeelte ervan en zoals daarbij in een voorgaand tunnel-gedeelte de toevoer van de 20 combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie, het daarmede bewerkstelligen van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 21^ t/m E, en 25 zoals reeds in een voorgaand tunnel-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een vlakke conditie van de opvolgende substraat-gedeeltes, in opvolgende secties onder dit drukwand-gedeelte het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende 30 substraat-gedeeltes door het verdampen van het vloeibare draagmedium, met onder de achterste sectie de bewerkstelliging, van een ultra vlakke opgebrachte micrometer hoge laag van deze deeltjes.

Figuur 22 toont in een stripvormig compartiment van het 35 ondertunnelblok de opname van de typisch uitwisselbare stripvormige drukwand-opstelling, met daarboven in een stripvormig compartiment van het boventunnelblok de opname van een uitwisselbaar bovenblok, bevattende een roterende 9 nokkenas-opstelling en waarbij in het stripvormige drukwand-gedeelte ervan de opname van een stripvormige transducer ten behoeve van het tijdens de werking van deze opstelling het onderhouden van de combinatie van een typisch laag- en 5 hoog-frequente trilconditie van dit drukwand-gedeelte onder een gelijktijdige verwarming ervan met behulp van deze transducer.

Figuren 23^ en 23® tonen in een uitwisselbaar onderblok de opname van een stripvormige nokkenas-opstelling, welke 10 is opgenomen in het nokkenas-compartiment van dit blok, ten behoeve van het tijdens de werking ervan 'onderhouden van een tenminste laag-frequente pulseer-conditie van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende 15 semiconductor substraat-gedeeltes, met daarbij typisch een vloeibaar medium als tijdelijke micrometer hoge laag tussen dit drukwand-gedeelte en de opvolgende substraat-gedeeltes en waarbij de Figuur 23^ sterk vergroot een gedeelte van deze zich verdraaiende nokkenas toont ter plaatse van dit 20 drukwand-gedeelte onder het aangegeven zijn van een nok, met gezien in de verdraai-richting ervan een aanzienlijke lengte ten behoeve van een langzame opwaartse verplaatsing van een substraat-gedeelte en daarachter een kort nok-gedeelte ten behoeve van een daarop-volgende snelle 25 neerwaartse verplaatsing ervan en zulks ten behoeve van tenminste mede het navolgende: a) een optimaal vul-proces van in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde semiconductor uitsparingen (crevices) in de bovenlaag van deze opvolgende substraat- 30 gedeelte; of b) de opbouw van een micrometer hoge film zeer hoog-kokend vloeibaar medium, typisch een hecht-substantie, op de eronderlangs verplaatsende semiconductor folie of band.

Figuren 24^ t/m D tonen voor de nokkenas-opstellingen 35 volgens de Figuren 23A en 23® verschillende nok-profielen.

Daarbij de toepassing van een aantal opvolgende nokken, welke zich uitstrekken in de lengterichting ervan ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings- 10 gedeelte ervan en met een bepaalde profilering in de hoogte-richting ervan ten behoeve van tijdens de rotatie van deze nokkenas-opstelling het daarmede plaatsvinden van het navolgende: 5 a) een snelle opwaartse verplaatsing van zich erboven bevindende stripvormige trilwand en daarmede van de opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes in combinatie met een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan, Figuur 24A; of 10 b) een langzame opwaartse verplaatsing van deze drukwand en daarmede van deze opvolgende substraat-gedeeltes en een snelle neerwaartse verplaatsing ervan, Figuur 24B; of c) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende neerwaartse verplaatsing van deze drukwand en daarmede van deze 15 opvolgende substraat-gedeeltes, Figuur 24C; of d) als onder Figuur 24^, waarbij daartussen geen op- of neerwaartse verplaatsing van deze substraat-gedeeltes.

Figuur 25 toont als alternatief voor de nokkenas-opstelling volgens de Figuur 23 een relatief breed trilwand-20 gedeelte boven de nokkenas-opstelling, met in het daarboven gelegen gedeelte van het boventunnelblok in de onderwand ervan de opname van opvolgende combinaties van een stripvormige toe- en afvoergroef ten behoeve van het stuwen van opvolgende stromen semiconductor medium, typisch een 25 reiniging- of spoel-medium, door de zich eronder bevindende stripvormige bovenspleet-gedeeltes boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes onder een tril-conditie ervan.

Figuur 26 toont voor de nokkenas-opstelling volgens de 30 Figuren 23 en 25 een gewijzigde uitvoering ervan, met in de Figuur 27 sterk vergroot het gedeelte ervan ter plaatse van het onderdrukwand-gedeelte en waarbij voor zulk een nokkenas-opstelling verder de navolgende posities ervan ten opzichte van dit drukwand-gedeelte: 35 a) achter het midden van deze wand ten behoeve van het daarbij onderhouden van een grotere amplitude ter plaatse van de achterzijde ervan dan die terplaatse van de voorzijde ervan: of 11 b1 vóór het middem van deze wand ten behoeve van het daarbij onderhouden van een minder grote tril-amplitude ter plaatse van de voorzijde ervan dan die ter plaatse van de achterzijde ervan.

5 Figuur 28 toont in een gedeelte van de tunnel-opstelling in een uitwisselbaar onderblok van het ondertunnelbkok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van een tweetal, opvolgende stripvormige nokkenas-opstellingen met daarboven een gemeenschappelijk 10 stripvormig trilwand-gedeelte ten behoeve van het tijdens de werking ervan in hoogterichting onderhouden van een hoogfrequente tril-conditie van de opvolgende erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes voor het tenminste daarmede bijdragen in een bepaald semiconductor 15 behandelings-proces in het erboven gelegen centrale stripvormige semiconductor behandelings-gedeelte van de bovenspleet en waarbij daartoe in een gunstige uitvoering van deze nokkenas-opstellingen de combinatie van een snelle opwaartse verplaatsing en een daarop-volgende langzame 20 neerwaartse verplaatsing van zulke, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

Figuur 29 toont een stripvormig drukwand-gedeelte van een uitwisselbaar bovenblok en een nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar onderblok en waarbij het onderhouden van 25 een micrometer hoge film vloeibaar medium boven het stripvormige trilwand-gedeelte van het onder blok en waar b ij in het compartiment van dit onderblok de opname van zulk een nokkenas-opstelling ten behoeve van het via een daarin opgenomen vloeibaar medium onderhouden van een tril-30 conditie van dit stripvormige wand-gedeelte en daarmede via typisch een micrometer hoge film vloeibaar medium in het zich erboven bevindende onderspleet-gedeelte onderhouden van een tril-conditie van de opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

35 Figuur 30A en sterk vergroot de Figuren 31a> B en C

.tonen de combinatie van een boven- en ondernokkenas-opstelling, Figuur 30a , welke met behulp van één roterende aandr rjf-inr ichting , Figuur 30B5 worden verdraaid ten 12 behoeve van typisch daarmede het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van een in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebouwde micrometer hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste 5 vorm ervan.

Daarbij het navolgende: a) in de Figuur 31A het plaatsvinden van een samendrukproces van deze opgebrachte combinatie van draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie; 10 b) in de Figuur 31® het plaatsvinden van een expansieproces voor deze opgebrachte combinatie ten behoeve van het verwijderen van deeltjes typisch laag-kokend vloeibaar draagmedium uit deze opgebrachte laag van deeltjes van een semiconductor substantie; en 15 c) in de Figuur 31^ het plaatsvinden van de combinatie van zulk een compressie- en een daarop-volgend expansieproces en zulks in opvolging.

Verder in de Figuren 3lD en 31®· sterk vergroot het aangegeven zijn van de combinatie van een snelle opvaartse- 20 en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van de opvolgende nok-gedeeltes van de ondernokkenas-opstelling en omgekeerd.

Daarbij zijn de beide nokkenas-ops te Hingen zodanig uitgevoerd en gekoppeld met elkaar, dat zulke aangegeven 25 opvolgende-nok-posities gehandhaafd blijven.

Figuur 32A toont in het uitwisselbare bovenblok de combinatie van het navolgende: a) een boven-nokkenasopstelling en een electrisch verwarmings-element; 30 b) een ervoor gelegen stripvormige toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie; en c) een daarachter gelegen stripvormig afvoer-gedeelte voor het verdampte vloeibare medium, 35 met daaronder in het uitwisselbare onderblok de opname van een eronder gelegen nokkenas-opstelling.

Figuur 32® toont een versprongen positie van de onder-nokkenasopstelling vóór deze boven-nokkenasopstelling.

13

Daarbij met behulp van deze opstellingen het typisch plaatsvinden van een egalisatie-proces van de op opvolgende ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte laag van deeltjes van een 5 semiconductor substantie in vaste vorm ervan of daarmede het ononderbroken plaatsvinden van een implantage-proces van nanometer grote vaste stof-deeltjes (ionen).

Figuur 33^ toont de combinatie van een nokkenas-opstelling, welke is opgenomen in een uitwisselbaar 10 onderblok, met een erboven gelegen boven-nokkenasopstelling, welke is opgenomen in een uitwisselbaar bovenblok, en waarbij in het drukwand-gedeelte ervan de opname van een stripvormig electrisch verwarmings-element ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een 15 semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals bijvoorbeeld een ets-proces, en waarbij typisch de toepassing van meerdere van zulke nokkenas-opstellingen opvolgend achter elkaar.

20 Figuur 33® toont daarbij als alternatief een in achterwaartse richting versprongen onder-nokkenasopstelling onder deze boven-nokkenasopstelling ten behoeve van het daarmede typisch met behulp van in een voorgaande toevoer-sectie toegevoerd typisch vloeibaar reinigingsmedium plaats-25 vinden van een reinigings-proces van de in een voorgaand tunnel-gedeelte verontreinigde bovenlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals na het daarin plaats gehad hebben van een ets-proces.

Figuur 34 toont de opname in een stripvormig compartiment 30 van een uitwisselbaar bovenblok van een stripvormige transducer-opstelling en waarbij de typisch stripvormige dunwandige onderwand van de in dit blok opgenomen tranducer-ruimte tevens fungeert als een metalen onder-electrode ervan en de boven-electrodeplaat van deze transducer, welke 35 zich binnen dit compartiment bevindt, gekoppeld is met een electrische toevoerleiding, welke electrisch geïsoleerd is gevoerd door het in hoogterichting buitenste gedeelte van dit blok.

14

Figuren 34A en 34® tonen in het bovenblok de opname van de combinatie van een nokkenas-opgtelling, met een electrische verwarming ten behoeve van het mede verwarmen en verdampen van de in een voorgaand tunnelblok-gedeelte toegevoerde 5 combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, en daarachter in dit blok een stripvormig afvoer-gedeelte voor het verdampte medium onder de bewerkstelliging van neergeslagen deeltjes van een vaste substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende 10 substraat-gedeeltes, Figuur 34A, en in een volgend gedeelte, Figuur 34B, van dit blok,een nokkenas-opstelling ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte deeltjes.

Als alternatief, in zulk een eerste gedeelte de opname van 15 een stripvormige transducer-opstelling, Figuur 35A, met daarachter zulk een nokkenas-opstelling, Figuur 35B.

Daarbij in de Figuren 34AènB en 35AenB het zeer sterk vergroot aangegeven zijn van zulk een egalisatie-pr oces.

Figuur 36 toont opvolgende gedeeltes van het boventunnel-20 blok, waarin de opname van een stripvormige toevoer- inrichting ten behoeve van de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste, typisch di-electrische substantie, met daarachte een stripvormige nokkenas-opstelling in combinatie met een 25 daarop-volgende stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarin tenminste mede verdampen van het vloeibare draagmedium, met in een volgende stripvormige afvoer-inrichting afvoer van het verdampte medium en zulks onder mede neerslag van deze deeltjes, zoals zeer sterk 30 vergroot is aangegeven in de Figuur 36A, en met daarachter een stripvormige oven-gedeelte ten behoeve van het smelten van de opgebrachte micrometer hoge laag van deze deeltjes, Figuur 36®, en daarachter een stripvormige afkoel-inrichting, Figuur 36^, en waarbij met behulp van deze 35 combinatie het tevens bewerkstelligd zijn van een optimaal egalisatie-proces van deze opgebrachte deeltjes.

Figuur 37 toont de combinatie van een uitwisselbare combinatie van een stripvormige transducer-opstelling en een 15 stripvormige medium toevoergroef en een medium-afvoergroef, met een daarop-volgende uitwisselbare nokkenas-opstelling, ten behoeve met behulp van de toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een hoog-kokende 5 vloeibare hecht-substantie na het onder deze transducer plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium bewerkstelligen van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de 10 Figuren 37^ en ®, en waarbij onder het drukwand-gedeelte van deze nokkenas-opstelling het plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte deeltjes onder de vorming van een (sub) micrometer hoge vloeibare hechtlaag, Figuren 37C en D.

15 Figuur 38 toont de opname van een tijdens de werking ervan roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het daarmede onderhouden van een tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, met daarboven in het boventunnelblok de opname van een 20 eveneens stripvormige transducer-opstelling, ten behoeve van met behulp van deze combinatie het ononderbroken plaatsvinden van een optimaal reinigings- en een daarop-volgend spoel-proces van het boven-oppervlak van deze zich ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder de combinatie 25 van een tril-conditie ervan met behulp van deze nokkenas-opstelling en daarmede van dit reinigings/spoel-medium en zulks mede met een hogere tril-frequentie van dit medium met behulp van deze transducer-opstelling, en in een volgend gedeelte van het boventunnelblok het met behulp van een 30 stripvormig electrisch verwarmings-element bewerkstelligen van een micrometer hoge vloeibare laag van een semiconductor substantie, in een daarop-volgend gedeelte het plaatsvinden van een afkoel-proces van deze laag onder de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van een vaste semiconductor 35 substantie, en waarbij in een daarop-volgend gedeelte van het boventunnelblok de opname van een roterende cilindrische slijpsteen ten behoeve van het bewerkstelligen van een ultra vlakke conditie van deze opgebrachte laag.

16

Figuren 39a en 39B tonen het ononderbroken aandrukken van een roterende boven-nokkenas op de combinatie van een ononderbroken, in dwarsrichting geprofileerde semiconductor substraat-draag/transferband, met daarop nabij de ingang van de 5 tunnel-opstelling opgebrachte opvolgende gedeeltes van een ononderbroken relatief zachte, al dan niet metalen folie, ten behoeve van het daarmede tenminste mede plaatsvinden van een verankerings-proces van de opvolgende, daardoor geprofileerde folie-gedeeltes op deze opvolgende band-gedeeltes tijdens de 10 verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling.

Daarbij het fungeren van deze opvolgende f olie-gedeeltes, welke zich ononderbroken onderlangs deze nokkenas-opstelling verplaatsen, tevens als een tijdelijk semiconductor drukplaat-gedeelte ervan.

15 Figuur 40 toont de opname in het ondertunnelblok van een uitwisselbare nokkenas-opstelling, met in het boventunnelblok de opname van een stripvormig uitwisselbaar bovenblok, bevattende een aantal opvolgende stripvormige toe- en afvoer-secties ten behoeve van het met behulp van het daarin 20 ononderbroken toegevoerde damp- en/of gasvormige medium ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder een bepaalde tril-conditie ervan ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden 25 van onder andere een reinigings-, strip-, ets- of spoel-proces.

Figuur 40A toont daarbij een tweetal van zulke opvolgende opstellingen volgens de Figuur 40.

Figuur 41 toont nabij de uitgang van de tunnel-opstelling 30 in het ondertunnelblok de opname van een stripvormige nokkenas-opstelling, met daarboven in het boventunnelblok de opname van een in achterwaartse richting versprongen stripvormig verwarmings-element ten behoeve van het daarmede verdampen van het in het voorgaande gedeelte toegevoerde 35 laag-kokende vloeibare draagmedium in combinatie met hoger kokend vloeibare reinigings-medium, met afvoer van het bewerkstelligde dampvormige medium in de daarop-volgende stripvormige af voer-sectie van dit boventunnelblok en met 17 behulp van dit reinigings-medium In combinatie met het trillende drukwand-gedeelte van deze nokkenas-opstelling het aldus plaatsvinden van een reinigings-proces van de bovenlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes.

5 Figuur 41A toont daarbij een toenemende hoogte van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes.

Figuren 41® en 4lC tonen verder sterk vergroot het tevens plaatsvinden van scheiding van de gereinigde semiconductor substraat-gedeeltes vanaf de ononderbroken metalen draag/ 10 transfer band.

Figuur 42 toont in een stripvormige behandelings-sectie ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan in het ondertunnelblok de opname van een stripvormige, tijdens de werking van de tunnel-opstelling 15 roterende nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar montage-blok, en in de erboven gelegen stripvormige sectie van het boventunnelblok de opname van een stripvormige tril/ verwarmings-inrichting, typisch een transducer-opstelling, en waarbij met behulp van de laag-frequent pulserende- of hoog-20 frequent trillende conditie van de drukplaat ervan en daarmede van de opvolgende, er ononderbroken bovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks in combinatie met een tenminste hoog-frequente tril-conditie van deze transducer-opstelling, ten behoeve van het met behulp van 25 deze combinatie continue plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, typisch een reinigings-proces, in deze ertussen gelegen semiconducor behandelings-spleetsectie onder de combinatie van deze eronderlangs verplaatsende pulserende/ trillende opvolgende substraat-gedeeltes en het trillen van 30 deze transducer, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 42a.

Daarbij voor deze transducer-opstelling de navolgende, in de Figuur 42® aangegeven tril-condities ervan: a) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende neerwaartse 35 verplaatsing; of b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing; of c) een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle 18 neerwaartse verplaatsing.

Verder voor deze nokkenas-opstelling, waarvan de nok-profielen sterk vergroot zijn aangegeven in de Figuur 42^, een typisch snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame 5 neerwaartse verplaatsing van het stripvormige drukplaat-gedeelte ervan en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, Figuur 42®.

Figuur 43 toont de Figuur 42, waarbij echter een sterk versprongen onder-nokkenasopstelling, met vóór deze nokkenas-10 opstelling een stripvormige toevoer-sectie voor vloeibaar medium en daarachter een stripvormige afvoer-sectie voor dit medium.

Daarbij in de Figuur 43^ de mogelijke tril-condities van deze boven-transducer en in de Figuren 43® en 43^ de mogelijke 15 navolgende nok-profielen.ten behoeve van het daarmede tevens onderhouden van één van de navolgende tril-condities van de stripvormige drukwand ervan en daarmede tevens van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes: a) in de Figuur 43®, gezien in de verdraai-richting ervan, 20 een geringe lengte van zulk een nok-gedeelte en een daaropvolgende aanzienlijke lengte van het volgende nok-gedeelte; en b) in de Figuur 43^ een aanzienlijke lengte van zulk een nok-gedeelte en een daarop-volgende geringe lengte van het volgende nok-gedeelte.

25 Figuur 44 toont wederom de combinatie van de boven- transduceropstelling en de eronder gelegen onder-nokkenas-opstelling volgens de Figuur 42, waarbij echter een in voorwaartse richting versprongen positie van deze nokkenasopstelling ten opzichte van de positie van deze transducer-30 opstelling.

Daarbij met behulp van deze transducer het reeds grotendeels verdampen van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs 35 verplaatsende substraat-gedeeltes, waardoor met behulp van deze nokkenas-opstelling het typisch ondersteunen van het navolgende: aj het egalisatie-proces van deze neergeslagen deeltjes; of 19 b) het semiconductor behandelings-proces van de op deze opvolgende substraat-gedeeltes opgebrachte bovenlaag van een semiconductor substantie, zoals onder andere een reinigingsproces .

5 Figuur 45 toont een tweetal opvolgende combinaties van een onder-nokkenasopstelling en een boven-transduceropstelling, zoals is aangegeven in de Figuur 42,ten behoeve van het daarbij in zulk een tweede combinatie het typisch plaatsvinden van een herhaling van het semiconductor behandelings-proces 10 met behulp van deze eerste combinatie, zoals een ets-proces ten behoeve van het daarbij met behulp van deze tweede combinatie vergroten van de bewerkstelligde diepte van de met behulp van deze eerste combinatie bewerkstelligde nanometer grote crevices/verbindings-groeven in de in een 15 voorgaand tunnel-gedeelte opgebouwde di-electrische bovenlaag.

Zulk een opvolgend plaats gehad hebben van het ets-proces is zeer sterk vergroot aangegeven in de Figuren 45^ en 45^.

Binnen het kader van de uitvinding zijn daarbij nog 20 meerdere van zulke combinaties mogelijk.

Figuur 46 toont de combinatie van een nokkenas-opstelling, welke tevens fungeert als een voldoende warmte-bron ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van tevens opwarming van het toegevoerde laag-kokende vloeibare 25 draagmedium, met daarop-volgend zulk een stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarmede totaal verdampen van dit vloeibare draagmedium, en waarbij achter deze transducer het stripvormige afvoer-gedeelte voor het verdampte medium, zulk een electrische verwarmings-30 inrichting en een daarop-volgende stripvormige afkoel-inrichting.

Daarbij zijn zeer sterk vergroot in de Figuren 46^> B en C het aangegeven zijn van de bovenspleet-secties achter dit afvoer-gedeelte, onder deze verwarmings-inrichting en onder 35 dit afkoel-gedeelte, met het tenslotte bewerkstelligd zijn van een micrometer hoge laag van een typisch de-electrische substantie .

Figuur 47 toont de combinatie van een uitwisselbare 20 stripvormige boven-transduceropstelling en eronder een uitwisselbare onder-nokkenasopstelling ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een vul-proces van de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde nanometer 5 wijde semiconductor uitsparingen (crevices) in de bovenwand van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 47A en 47**, en in het volgende gedeelte van het boventunnelblok de opname van de combinatie 10 van het stripvormige oven-behandelingsgedeelte en in het daarop-volgende gedeelte van het boventunnelblok de opname van een roterende slijp-inrichting ten behoeve van het ononderbroken verwijderen van de opgebrachte micrometer hoge belichtings-laag, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in 15 de Figuren 47^ t/m G#

In deze semiconductor tunnel-opstelling tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, -installatie, -tunnel-opstellingen en -inrichtingen, welke door de 20 aanvrager zijn aangegeven en omschreven in deze gelijktijdig hiermede ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

Verder in deze tunnel-opstelling de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules, ook 25 welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of -substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .

30 Verder zijn de in deze Octrooi-aanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar in deze semiconductor faciliteit, -installatie, -tunnel-opstelligen en -inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze gelijktijdig ingediende Octrooi-aanvragen.

.35

Figuur 1 toont tenminste plaatselijk in het onder-gedeelte van het boventunnelblok 12 van de tunnel-opstelling 10 de opname van een uitwisselbaar stripvormig bovenblok 18. met in het onder-gedeelte ervan een dunwandige stripvormige vlakke 21 en in voldoende mate constructief sterke drukwand-sectie .20 ervan, met rondom een dunwandige membraam-sectie ten behoeve van het fungeren ervan als een in de hoogterichting verplaatsbare bovenwand-sectie van de zich eronder bevindende tunnel-5 doorgang 16 en waarbij het compartiment 22 van dit blok fungeert als een drukkamer, met door het opvolgend ononderbroken typisch laag-frequent pulserend toe- en afvoeren van typisch vloeibaar medium naar en vanuit dit compartiment het onderhouden van een pulseer-conditie van deze wand-sectie.

10 Figuur 2 toont in een uitwisselbaar stripvormig onder blok 28 van het ondertunnelblok 14 de opname in het onder-compartiment ervan van een stripvormig drukwand-gedeelte 24 en waarbij dit compartiment 26 tevens fungeert als drukkamer, waarin met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van 15 vloeibaar medium naar en vanaf dit compartiment het onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van dit drukwand-gedeelte 20 en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

20 Figuur 3 toont voor het uitwisselbare bovenblok 18 volgens de Figuur 1 in de onderwand van het stripvormige, tenminste laag-frequent pulserende drukplaat-gedeelte 20 ervan de opname van een groot aantal mini-hoge mediura-doorlaatgroeven 32, Figuren 3^ en 3®, ten behoeve van het 25 stuwen erdoorheen van een semiconductor behandelings-medium vanuit een toevoersysteem voor dit medium in de lengterichting achter deze drukplaat naar een medium-afvoersysteem aan de voorzijde ervan ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van 30 de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

Figuren 4^*® en p tonen in een stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling 10 de opname van de in de Figuur 1 aangegeven bovenblok-opstelling 18 in het boventunnelblok 12, 35 met daaronder de opname van de in de Figuur 2 aangegeven onderdrukblok-opstelling 28 in het ondertunnelblok 14, met daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het tenminste laag-frequent pulseren van het drukwand-gedeelte 20 22 van dit bobenblok en typisch een afgesloten toevoer van het vloeibare medium naar het onder-compartiment 26.

Daarbij de navolgende posities van deze combinatie van blokken: 5 aj boven-elkaar gelegen drukwand-gedeeltes 20, Figuur 4^; b) het onderdrukwand-gedeelte 24 voorwaarts versprongen ten opzichte van de positie van het bovendrukwand-gedeelte 20, Figuur 4®; of c> het onderdrukwand-gedeelte 24 achterwaarts versprongen ten 10 opzichte van de positie van het bovendrukwand-gedeelte 20, Figuur 4^.

Figuur 5 toont in de trilplaat 38 van een bovennokkenas-opstelling 40 de opname van een groot aantal naast elkaar gelegen mini-hoge medium-doorlaatgroeven 42 ten behoeve van 15 het stuwen van een semiconductor behandelings-medium 44 vanuit het voorgaande medium-toevoergedeelte 34 erdoorheen naar een medium-af voer sectie 36 aan de andere zijde ervan.

Figuur 5A toont een gedeeltelijk zy-aanzicht van deze nokkenas-opstelling; 20 Figuur 5B toont een sterk vergrootte doorsnede over de lijn 5B-5B van de nokkenas-opstelling volgens de Figuur 5^; en

Figuur 5^ toont sterk vergroot de opname van deze multi medium-doorlaatgroeven 42 in de onderwand van het stripvormige drukwand-gedeelte 24 van deze nokkenas-opstelling.

25 Figuur 6 toont de nokkenas-opstelling 40, welke is opgenomen in het uitwisselbare bovenblok 18.

Figuren 7^ t® tonen voor de nokkenas-opstelling 40 volgens de Figuur 6 zeer sterk vergroot de profileringen van de nokken 46 van deze nokkenas-opstelling, met in de 30 Figuren 7^ en 7B de nokken 46, waarbij, gezien in de verplaatsings-richting van deze nokkenas-opstelling, een lang opwaarts gedeelte en een kort neerwaarts gedeelte ervan, met in de Figuur 7^ de bovenste positie van het drukwand-gedeelte 20 ervan en in de Figuur 7B de onderste positie van 35 dit drukwand-gedeelte 20, en in de Figuren 7^ en 7^ de nokken 46, waarbij, gezien in de ver plaatsings-r ichting van deze nokkenas-opstelling, een kort opwaarts gedeelte en een lang neerwaarts gedeelte, met in de Figuur 7^ de bovenste 23 positie van het drukwand-gedeelte van zulk een nok 46, en in de Figuur 7® de onderste positie ervan.

Figuur 8 toont de uitwisselbare nokkenas-opstelling 40 in het bovenblok 12 en waarbij in de bovenwand van het 5 ondertunnelblok 14 tenminste onder het stripvormige drukwand-gedeelte ervan de opname van multi opvolgende medium toe- en afvoergroeven 48 en 50 voor typisch vloeibaar transfer-medium, met de tussen-gelegen medium-doorlaatgroeven 52, zoals in de Figuur 8a is aangegeven, als doorsnede over de lijn 8a-8a, ten 10 behoeve van het daarmede ondersteunen van de verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes onderlangs deze nokkenas-opstelling.

Figuren 9A en 9® tonen de roterende nokkenas-opstelling 40, welke is opgenomen in het uitwisselbare bovenblok 18, ten 15 behoeve van het bewerkstelligen van een optimaal vlakke conditie van de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte, typisch di-electrische laag 54, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 9C en 9D, en waarbij de Figuren 9E, F en G zulke onvlakke bovenwand-gedeeltes tonen en in de 20 Figuur 9^ met behulp van de multi nokken 58 ervan het verwijderen van zulk een onvlak bovenlaag-gedeelte, met in de Figuur 9^ het daarmede bewerkstelligd zijn van een optimale vlakheid van deze opgebrachte laag 54.

Figuur 10 toont een alternatieve uitvoering van zulk een 25 roterende nokkenas-opstelling 40, welke is opgenomen in het uitwisselbare bovenblok 18 als deel van het boventunnelblok 12, met daaronder in het ondertunnelblok 14 de opname van het laag-frequent pulserende stripvormige drukwand-gedeelte 60 als deel van het daarin opgenomen onderblok 28, 30 ten behoeve van het daar bij plaatsvinden van een strip- proces, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 10A.

Figuur 11A toont de combinatie van de roterende nokkenas-opstelling 40 in het uitwisselbare bovenblok 18, welke drukdicht is bevestigd op het boventunnelblok 12, met 35 eronder in het uitwisselbare onderblok 28 de opname van de stripvormige drukwand-sectie 24, welke drukdicht is opgenomen in het ondertunnelblok 14, ten behoeve van met deze combinatie het plaatsvinden van een semiconductor 24 behandelings-proces, typisch een reinigings-proces, van de opvolgende, zich ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30 onder de combinatie van een typisch hoog-frequente tril-conditie van de bovenwand 38 5 en tenminste een opwaartse druk-conditie van de opvolgende eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30.

Figuur 11® toont een alternatieve uitvoering van het bovenblok 18, waarin de opname 'van deze boven-nokkenas-opstelling 40 en waarbij met behulp van toegevoerd verwarmd 10 vloeibaar medium het onderhouden van een relatief hoge temperatuur van het stripvomige drukwand-gedeelte 38 ervan.

Figuur 11® toont daarbij verder nog een voorwaarts versprongen positie van deze nokkenas-opstelling 40 ten opzichte van de zich eronder bevindende stripvormige 15 drukwand 24.

Figuur 12a en sterk vergroot Figuur 12® tonen nog een andere uitvoering van zulk een roterende nokkenas-opstelling 40 in het uitwisselbare bovenblok 18, bevattende multi micrometer grote nokken 58, met daaronder in het 20 uitwisselbare onderblok 28 de mini stripvormige drukwand 24 van de onder-drukkamer 26, met een instelbare hoogte ervan en waarbij de Figuren 12C,D en E het sterk vergroot tonen van het plaatsvinden van een strip-proces van de opgebrachte belichtings-laag op de opvolgende substraat-gedeeltes 30.

25 Figuren 13^ en 13® tonen de nokkenas-opstelling 40 in het uitwisselbare bovenblok 18, met eronder in het ondertunnel-blok 14 de opname van het in hoogte-richting instelbare stripvormige drukplaat-gedeelte 24 ervan ten behoeve van met zulk een nokkenas-opstelling het typisch plaatsvinden van een 30 optimaal semiconductor indring-proces, zoals sterkvergroot is aangegeven in de Figuren 13^ en 13®.

Figuur 14^ toont de nokkenas-opstelling 40 in het uitwisselbare bovenblok 18, met ervóór de opname van de stripvormige toevoer-inrichting 68 voor de combinatie van 35 laag-kokend vloeibaar draagmedium 70 en deeltjes van de semiconductor substantie 72 en waarbij daarmede door het ononderbroken toe- en afvoeren van warm vloeibaar medium naar en vanuit het nokkenas-compartiment 74 het onderhouden 25 van een zodanig hoge temperatuur, dat verdamping van dit vloeibare medium 70 geschiedt, met afvoer van het verdampte medium via het daarop-volgende stripvormige afvoer-gedeelte 50 in het boventunnelblok 12 onder neerslag van deze 5 deeltjes 72 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 14® en 14^.

Figuren 14® en 14® tonen als alternatief in het nokkenas-compartiment 60 de bevestiging van het stripvormige 10 electrische verwarmings-element 62 op het stripvormige drukwand-gedeelte 38 ervan ten behoeve van het onderhouden van een zodanig hoge temperatuur ervan, dat daarmede het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium 70.

15 Daarbij is in deze Figuur 14® het in hoogterichting instelbare stripvormige onderdrukwand-gedeelte 24 van het uitwisselbare onderblok 28 aangegeven, welke in achterwaartse richting verschoven is ten opzichte van deze nokkenas-opstelling 40.

20 Figuur 14? toont daarbij nog vergroot een doorsnede van deze roterende nokkenas 40, met in de Figuur 14^ het sterk vergroot tonen van het einde van de opwaartse verplaatsing van het bovendrukwand-gedeelte 38 ervan en in de Figuur 14® sterk vergroot aangegeven zijn van het einde van de 25 neerwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte 38 en waarbij het aangegeven zijn van zulk een indring-proces van typisch een vloeibare hecht-substantie 76 in de bovenlaag van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

30 Figuren 15^ en 15® tonen de uitwisselbare nokkenas- opstelling 40 in,het boventunnelblok 12 volgens de Figuur 14, met eronder in het uitwisselbare onderblok 28 de opname van het stripvormige drukwand-gedeelte 24 ervan, welke, gezien in achterwaartse richting, een versprongen positie ervan heeft 35 ten opzichte van die van deze bovennokkenas-opstelling 40, en waarbij in de Figuur 15^ met behulp van een overdruk van typisch vloeibaar medium in het onder-compartiment 26 het onderhouden van een opwaartse drukkracht op deze drukwand 24 26 en daarmede op de zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30 ten behoeve van ter plaatse van het begin-gedeelte van de stripvormige boven-drukwand 38 het onderhouden van een micrometer hoogte van de bovenspleet 76 en daarop-5 volgend een toenemende hoogte van deze spleet ten behoeve van de afvoer van het toegevoerde medium en in de Figuur 15^ daartoe een instelbare hoogte van deze onderdrukwand 24.

Daarbij elke mogelijke vorm van de nokken van deze nokkenas-opstelling 40 ten behoeve van het met behulp van deze 10 opstelling plaatsvinden van een bepaald semiconductor behandelings-proces.

Figuur 16a toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 10, waarbij in het stripvormige compartiment 22 van het uitwisselbare bovenblok 18 de opname van de nokkenas-opstelling 40, 15 met aan weerszijde ervan het electrische verwarmingselement 62, en bevattende verder zodanige middelen, dat zoals dit compartiment 22 gevuld is met vloeibaar medium 64, tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het onderhouden van een tril-conditie, typisch met de combinatie van een 20 snelle neerwaartse- en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van de opvolgende trillingen van het drukwand-gedeelte 38 van deze opstelling 40, ten behoeve van het bijvoor beeld plaatsvinden van een indring-proces onder tevens verwarming van het toegevoerde vloeibare medium in dit 25 compartiment 22 en zulks mede van het zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor medium, bevattende laag-kokend vloeibaar draagmedium 70 en deeltjes 72 van een semiconductor substantie.

Figuur 16B toont onder de boven-nokkenasopstelling 40 30 volgens de Figuur 16A in het ondertunnelblok 14 de opname van het uitwisselbare stripvormige onderblok 28, bevattende in het compartiment 26 ervan de opname van het stripvormige drukwand-gedeelte 24, en waarbij door het opvolgend toe- en afvoeren van vloeibaar medium 64 naar en vanuit dit 35 compartiment 26 het onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van deze drukwand 24 en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

27

Figuur 17 toont een alternatieve uitvoering van de nokkenas-opstelling 40 volgende de Figuur 16^ en waarbij daarin de opname van het versprongen drukwand-gedeelte 38 ervan, met daarin de opname van het stripvormige 5 electrische verwarmings-element 62.

Daarbij tonen de Figuren 17 ^ ® sterk vergroot een optimaal indring-proces van deeltjes van het opgebrachte semiconductor behandelings-medium, typisch een di-electrische substantie 80, in opvolgende phasen ervan, met typisch in de 10 opvolgende bovenspleet-gedeeltes 76 tenminste mede deeltjes van de indring-substantie 80.

Figuur 18 toont een alternatieve uitvoering van de combinatie van de boven-nokkenasopstelling 40 in het bovenblok 18 en het boven-drukwandgedeelte 20 ervan en waarbij 15 onder deze opstelling in het uitwisselbare onderblok 28 de opname van het drukwand-gedeelte 24 ervan, bevattende het stripvormige dunwandige electrische verwarmings-element 62 ten behoeve van het tenminste mede verdampen van het vloeibare draagmedium 70 van de combinatie ervan met de 20 deeltjes 72 van een semiconductor substantie, en welke ononderbroken via de voorgaande toevoer-inrichting 68, welke is opgenomen in het boventunnelblok 12, wordt aangevoerd, zoals is aangegeven in de Figuur 17.

Figuren 19 en 20 tonen de boven-nokkenasopstelling 40, 25 waar bij daarin de opname van het electrische verwarmingselement 62 in het stripvormige drukwand-gedeelte 38 ervan, en zoals daar bij in een voorgaand tunnel-gedeelte de toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 70 en deeltjes 72 van een vaste semiconductor substantie, het daarmede 30 bewerkstelligen van neerslag van deze deeltjes 72 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 21^ E, en zoals daarbij reeds in een voorgaand tunnel-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een 35 vlakke conditie van de opvolgende substraat-gedeeltes 30, in opvolgende secties onder dit drukwand-gedeelte 38 het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes 72 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 28 door het verdampen van het vloeibare draagmedium, met onder de achterste sectie, Figuur 21^, de bewerkstelliging van een ultra vlakke opgebrachte micrometer hoge laag van deze deeltjes 72.

5 Figuur 22 toont in het stripvormige compartiment 26 van het ondertunnelblok de opname van de uitwisselbare stripvormige drukwand-opstelling 28, met daarboven in het stripvormige compartiment 22 .van het boventunnelblok 12 de opname van het uitwisselbare bovenblok 18, bevattende de 10 roterende nokkenas-opstelling 40 en waarbij in het stripvormige drukwand-gedeelte 38 ervan de opname van een stripvormige transducer 82 ten behoeve van het tijdens de werking van deze opstelling het onderhouden van de combinatie van een typisch laag- en hoog-frequente tril-conditie van dit drukwand-15 gedeelte 38 onder een gelijktijdige verwarming ervan met behulp van deze transducer.

Figuren 23^ en 23^ tonen in het uitwisselbare onderblok 28 de opname van de stripvormige nokkenas-opstelling 84, welke is opgenomen in het nokkenas-compartiment 26 van dit blok, 20 ten behoeve van het tijdens de werking ervan onderhouden van een tenminste laag-frequente pulseer-conditie van het stripvormige drukwand-gedeelte 24 ervan en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30, met daarbij typische 25 een vloeibaar medium als tijdelijke micrometer hoge laag tussen dit drukwand-gedeelte en de opvolgende substraat-gedeeltes, en waarbij de Figuur 23^ sterk vergroot een gedeelte van deze zich verdraaiende nokkenas 84 toont ter plaatse van dit drukwand-gedeelte 24 onder het aangeven van een nok 46, met 30 gezien in de verdraai-richting ervan een aanzienlijke lengte ten behoeve van een langzame opwaartse verplaatsing van de opvolgende substraat-gedeeltes 30 en daarachter een kort nok-gedeelte ten behoeve van een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan en zulks ten behoeve van 35 tenminste mede het navolgende: a) een optimaal vul-proces van de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde semiconductor uitsparingen (crevices) 128 in de bovenlaag van deze opvolgende substraat- 29 gedeeltes; of b) de opbouw van een micrometer hoge film zeer hoog-kokend vloeibaar medium, typisch een hecht-substantie, op de eronderlangs verplaatsende semiconductor folie of band 56.

5 Figuren 24^ *· ® tonen voor de nokkenas-opstellingen 84

Volgens de Figuren 23^ en 23® verschillende nok-profielen.

Daarbij de toepassing van een aantal opvolgende nokken 58, welke zich uitstrekken in de lengterichting ervan ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 10 ervan en met een bepaalde profilering in de hoogte-richting ervan ten behoeve van tijdens de rotatie van deze nokkenas-opstelling 84 het daarmede ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: a) een snelle opwaartse verplaatsing van de zich erboven 15 bevindende stripvormige trilwand 34 en daarmede van de opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30 in combinatie met een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan, Figuur 24^; of b) een langzame opwaartse verplaatsing van deze drukwand 34 20 en daarmede van deze opvolgende substraat-gedeeltes 30 en een snelle neerwaartse verplaatsing ervan, Figuur 24®; of c) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende neerwaartse verplaatsing van deze drukwand 34 en daarmede van deze opvolgende substraat-gedeeltes 30, Figuur 24^; of 25 d) als onder de Figuur 24c, waarbij daartussen geen op- of neerwaartse verplaatsing van deze substraat-gedeeltes 30, Figuur 24®.

Figuur 25 toont als alternatief voor de nokkenas-opstelling 24 volgens de Figuur 23 een relatief breed 30 trilwand-gedeelte 24 van de nokkenas-opstelling 84, met in het daarboven gelegen gedeelte van het boventunnelblok 12 in de onderwand ervan de opname van opvolgende combinaties van een stripvormige toevoergroef 86 en een afvoergroef 88 ten behoeve van het stuwen van opvolgende stromen semiconductor 35 medium 104, typisch een reinigings- of spoel-medium, door de zich eronder bevindende stripvormige bovenspleet-gedeeltes 76 boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30 onder een typisch tril-conditie ervan.

30

Daarbij via de stripvormige medium-toevoerinrichting 92 de ononderbroken toevoer van typisch dun-vloeibaar medium 94 ten behoeve van het verplaatsen ervan door de micrometer hoge onderspleet 96 onder mede de opvolgende substraat-5 gedeeltes 30 boven de trilwand 24 van deze nokkenas-opstelling 84 naar de afvoergroef 98.

Figuur 26 toont voor de nokkenas-opstelling 84 volgens de Figuren 23 en 25 een gewijzigde uitvoering ervan, met in de Figuur 27 sterk vergroot het gedeelte ervan ter plaatse van 10 het onderdrukwand-gedeelte 24 en waarbij voor zulk een nokkenas-opstelling 84 verder de navolgende posities ervan ten opzichte van dit drukwand-gedeelte 24: aj achter het midden van deze wand 24 ten behoeve van het daarbij onderhouden van een grotere amplitude ter plaatse van 15 de achterzijde ervan dan die ter plaatse van de voorzijde ervan; of b) vóór het midden van deze wand 24 ten behoeve van het daarbij onderhouden van een minder grote tril-amplitude ter plaatse van de voorzijde ervan dan die ter plaatse van de achterzijde 20 ervan.

Figuur 28 toont in een gedeelte van de tunnel-opstelling 10 in het uitwisselbare onderblok 28 van het ondertunnelblok 14 ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van een tweetal opvolgende 25 stripvormige nokkenas-opstellingen 84, met daarboven een gemeenschappelijk stripvormig trilwand-gedeelte 24 ten behoeve van het tijdens de werking ervan in hoogterichting onderhouden van een hoog-frequente tril-conditie van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-30 gedeeltes 30, met het tenminste daarmede bijdragen in een bepaald semiconductor behandelings-proces in het erboven gelegen centrale stripvormige semiconductor behandelings-gedeelte van de bovenspleet 76 en waarbij daartoe in een gunstige uitvoering van deze nokkenas-opstellingen 84 de 35 combinatie van een snelle opwaartse verplaatsing en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van zulke erbovenlangs verplaatsende opvolgende substraat-gedeeltes.

Daarbij in de onderwand van het boventunnelblok 12 de 31 opname van opvolgende combinaties van de toevoergroef 86 en de afvoergroef 88 voor dit semiconductor behandelings-medium 90.

Figuur 29 toont het stripvormige drukwand-gedeelte 20 5 van het uitwisselbare bovenblok·18 en de nokkenas- opstelling 84 in het uitwisselbare onderblok 28 en waarbij het onderhouden van een micrometer hoge film vloeibaar medium boven het stripvormige trilwand-gedeelte 24 van het onderblok 28 en met behulp van het in het compartiment 26 van 10 dit onderblok aanwezige vloeibare medium 64 onderhouden van een tril-conditie van dit stripvormige wand-gedeelte 24 en daarmede via deze film vloeibaar medium 94 in het zich erboven bevindende onderspleet-gedeelte 100 onderhouden van een tril-conditie van de opvolgende, zich erbovenlangs 15 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

Figuur 30A en sterk vergroot de Figuren 31^> B en C tonen de combinatie van een boven- en ondernokkenas-opstelling 40 en 84, welke met behulp van één roterende aandrijf-inrichting, Figuur 30^, worden verdraaid ten behoeve van typisch daarmede 20 het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van een in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebouwde micrometer hoge laag van deeltjes van de semiconductor substantie 72 in een vaste vorm ervan, typisch een di-electrische substantie 80.

25 Daarbij het navolgende: a) in de Figuur 31^ het plaatsvinden van een samendrukproces van deze opgebrachte combinatie van draagmedium 70 en deeltjes van deze semiconductor substantie 72; b) in de Figuur 3lB het plaatsvinden van een expansie-proces 30 voor deze opgebrachte combinatie ten behoeve van het verwijderen van deeltjes van het typisch laag-kokende vloeibare draagmedium 70 uit deze opgebrachte laag van deeltjes van de deeltjes substantie 72; en c) in de Figuur 3lC het plaatsvinden van de combinatie van 35 zulk een compressie- en het daarop-volgende expansie-proces van deze opgebrachte laag en zulks in opvolging.

Verder in de Figuren 3lD en 3lE sterk vergroot het aangegeven zijn van de combinatie van een snelle opwaartse- 32 en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van de opvolgende nok-secties van de onder-nokkenas-opstelling 84 en omgekeerd.

Daarbij zijn de beide nokkenas-opstellingen 40 en 84 5 zodanig uitgevoerd en gekoppeld met elkaar, dat zulke aangegeven opvolgende nok-posities gehandhaafd blijven.

Figuur 32A toont in het uitwisselbare bovenblok 18 de combinatie van het navolgende: a) de boven-nokkenasopstelling 40 en het electrische 10 verwarmings-element 62; b) de ervoor-gelegen stripvormige toevoer-inrichting 68 voor de combinatie van vloeibaar draagmedium 70 en deeltjes van een semiconductor substantie 72; en c) het daarachter gelegen stripvormige afvoer-gedeelte 50 15 voor het verdampte vloeibare medium.

Verder daaronder in het uitwisselbare onderblok de opname van de eronder gelegen nokkenas-opstelling 84.

Figuur 32B toont daarbij een versprongen positie van de onder-nokkenasopstelling 84 vóór deze boven-nokkenas-20 opstelling.

Daarbij met behulp van deze opstellingen 40 en 84 het typisch plaatsvinden van een egalisatie-proces van de op de opvolgende ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30 opgebrachte laag van deeltjes 72 van een 25 semiconductor substantie 80 in vaste vorm ervan of daarmede het ononderbroken plaatsvinden van een implantage-proces van nanometer grote vaste stof-deeltjes (ionen!.

Figuur 33a toont de combinatie van de nokkenas-opstelling 84, welke is opgenomen in het uitwisselbare onderblok 20, 30 met de erboven gelegen boven-nokkenasopstelling 40, welke is opgenomen in het uitwisselbare bovenblok 18, en waarbij in het drukwand-gedeelte 18 ervan de opname van het stripvormige electrische verwarmings-element 62 ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor 35 behandelings-proces van de opvolgende, ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30, zoals bijvoorbeeld een ets-proces, en waarbij typisch de toepassing van meerdere van zulke nokkenas-opstellingen opvolgend 33 achter elkaar.

Figuur 33b toont daarbij als alternatief de in achterwaartse richting versprongen onder-nokkenas-opstelling 84 onder deze boven-nokkenasopstelling 40 ten 5 behoeve van het daarmede typisch met behulp van in een voorgaande toevoer-sectie 68 toegevoerd typisch vloeibaar reinigingsmedium 104 plaatsvinden van een reinigings-proces van de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde verontreinigde bovenlaag van de opvolgende semiconductor 10 substraat-gedeeltes 30, zoals onder andere na het daarin plaats gehad hebben van een ets-proces.

Figuur 34 toont de opname in het stripvormige compartiment 22 van het uitwisselbare bovenblok 18 van de stripvormige transducer-opstelling 82, zoals in een bepaalde 15 mogelijke uitvoering ervan, welke is aangegeven in de Figuren 34E en 34F, en verder gedetailleerd is aangegeven en omschreven in de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 6 van de aanvrager, en waarbij de typisch stripvormige dunwandige transducer-ruimte tevens fungeert als een metalen 20 onder-electrode ervan en de boven-electrodeplaat 106 van deze transducer, welke zich binnen dit compartiment bevindt, gekoppeld is met een electrische toevoer-leiding, welke electrisch geïsoleerd is gevoerd door het in hoogterichting buitenste gedeelte van dit blok.

25 Figuren 34^ en 34B tonen verder in het boventunnelblok 12 in het bovenblok 18 de opname van de combinatie van de nokkenas-opstelling 40, met de electrische verwarmings-inrlchting 62 ten behoeve van het mede verwarmen en verdampen van de in de voorgaande medium-toevoerinrichting 68 30 toegevoerde vloeibare draagmedium 70 van de combinatie ervan met deeltjes 72 van de semiconductor substantie 108, en daarachter in dit blok 12 de stripvormige afvoer-inrichting 50 voor het verdampte medium, onder de bewerkstelliging van neergeslagen deeltjes van deze vaste substantie op de 35 opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30, Figuur 34A, en in het volgende gedeelte van dit boventunnelblok , Figuur 34B, de tweede nokkenas-opstelling 40 ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een 34 egalisatie-proces van deze opgebrachte deeltjes.

Als alternatief in zulk een eerste gedeelte de opname van de stripvormige transducer-opstelling 82, Figuur 34C, met daarachter wederom zulk een nokkenas-opstelling, Figuur 34®.

5 Daarbij in de Figuren 35^ en 35® het zeer sterk vergroot aangegeven zijn van zulk een egalisatie-pr oces.

Figuur 36 toont opvolgende gedeeltes van het boventunnel-blok 12, waarin de opname van de stripvormige toevoer-inrichting 68 ten behoeve van daarmede de ononderbroken 10 toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 70 en deeltjes 108 van een vaste, typisch di-electrische substantie, met daarachter de stripvormige nokkenas-opstelling 40 in combinatie met de daarop-volgende stripvormige transducer-opstelling 82 ten behoeve van het daarin tenminste mede 15 verdampen van het vloeibare draagmedium 70, met in de volgende stripvormige afvoer-inrichting 50 afvoer van het verdampte medium en zulks onder mede neerslag van deze deeltjes 108, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 36a, en met daarachter het stripvormige oven-20 gedeelte 62 ten behoeve van het smelten van de opgebrachte micrometer hoge laag 110 van deze deeltjes, Figuur 36®, en daarachter de stripvormige afkoel-inrichting 64, Figuur 36^, onder de vorming van de vaste laag 112 van deze substantie, en waarbij met behulp van deze combinatie het tevens 25 bewerkstelligd zijn van een optimaal egalisatie-pr oces van deze opgebrachte deeltjes.

Figuur 37 toont de combinatie van de uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 82 en een stripvormige medium-toevoergroef 70 en de medium-afvoergroef 50, met de 30 daarop-volgende uitwisselbare nokkenas-opstelling 40, ten behoeve van het met behulp van de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 70 en deeltjes 74 van de hoog-kokende vloeibare hecht-substantie na het onder deze transducer plaatsvinden van verdamping van het laag-35 kokende vloeibare draagmedium 70 bewerkstelligen van neerslag van deze deeltjes 74 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 37A en 37B. en waarbij 35 onder het drukwand-gedeelte van deze nokkenas-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte deeltjes onder de vorming van een (sub) micrometer hoge vloeibare hechtlaag, Figuren 37^ en 37®.

5 Figuur 38 toont de opname in het ondertunnelblok 14 van de tijdens de werking ervan roterende nokkenas-opstelling 84 ten behoeve van het daarmede onderhouden van een tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30, met daarboven in het boventunnelblok 10 12 de opname van de eveneens stripvormige transducer- opstelling 82, ten behoeve van het met behulp van deze combinatie het ononderbroken plaatsvinden van een optimaal reinigings- en een daarop-volgend spoel-proces van het bovenoppervlak van deze zich ertussendoor verplaatsende substraat-15 gedeeltes 30 onder de combinatie van een tril-conditie ervan met behulp van mede deze nokkenas-opstelling 84 en daarmede van dit reinigings/spoel-medium en zulks mede met een hogere tril-frequentie van dit medium met behulp van deze transducer-opstelling 82, en in een volgend gedeelte van het boventunnel-20 blok het met behulp van het stripvormige electrische verwarmings-element 62 bewerkstelligen van een micrometer hoge vloeibare laag van een semiconductor substantie, in het daarop-volgende gedeelte 64 plaatsvinden van een afkoel-proces van deze laag onder de bewerkstelliging van de 25 micrometer hoge laag 112 van een vaste semiconductor substantie, en waarbij in het daarop-volgende gedeelte van het boventunnelblok 12 de opname van de roterende cilindrische slijpsteen 116 ten behoeve van het bewerkstelligen van een ultra vlakke conditie van deze opgebrachte laag 112.

30 Figuren 39^ en 39® tonen het ononderbroken aandrukken van de roterende boven-nokkenas 40 op de combinatie van de ononderbroken, typisch in dwarsrichting geprofileerde semiconductor substraat-draag/transferband 56, met daarop nabij de ingang van de tunnel-opstelling 10 opgebrachte 35 opvolgende gedeeltes‘van een ononderbroken relatief zachte, al dan niet metalen folie 56', ten behoeve van het daarmede tenminste mede plaatsvinden van een verankerings-proces onder aandrukking daarop met behulp van de veer-opstelling 118 van 36 de opvolgende, daardoor geprofileerde folie-gedeeltes 56' op deze opvolgende band-gedeeltes 56 tijdens de verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling.

Daarbij het fungeren van deze opvolgende f olie-gedeeltes, 5 welke zich ononderbroken onderlangs deze nokkenas-opstelling verplaatsen, tevens als een tijdelijke semiconductor drukplaat-gedeelte 38 ervan.

Figuur 40 toont de opname in het ondertunnelblok 14 van de uitwisselbare nokkenas-opstelling 84, met in het boventunnel-10 blok 12 de opname van het stripvormige uitwisselbare bovenblok 18, bevattende een aantal opvolgende stripvormige toe- en afvoer-secties 48 en 50 ten behoeve van het met behulp van het daarin ononderbroken toegevoerde damp- en/of gasvormige medium 120 ononderbroken plaatsvinden van een 15 semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes 30 onder een bepaalde tril-conditie ervan ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van onder-andere een reinigings-, strip-, ets- of spoel-proces.

20 Figuur 40^ toont daar bij een tweetal van zulke opvolgende opstellingen 84 volgens de Figuur 40.

Figuur 41 toont nabij de uitgang van de tunnel-opstelling 10 in het ondertunnelblok 14 de opname van de uitwisselbare stripvormige nokkenas-opstelling 84, met daarboven in het 25 boventunnelblok 12 de opname van het in achterwaartse richting versprongen uitwisselbare stripvormige verwarmingselement 62 ten behoeve van het daarmede verdampen van het in het voorgaande tunnel-gedeelte 68 toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium 70 in combinatie met hoger-kokend 30 vloeibaar reinigings-medium 104, met afvoer van het bewerk- stellige dampvormige medium in de daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie 50 van dit boventunnelblok 12 en met behulp van dit reinigings-medium 104 in combinatie met het trillende drukwand-gedeelte 24 van deze nokkenas-opstelling 84 het 35 aldus ononderbroken plaatsvinden van een reinigings-proces van de bovenlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes 30.

Figuur 41A toont daarbij een toenemende hoogte van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes 76.

37

Figuren 41^ en 41^ tonen verder sterk vergroot het tevens plaatsvinden van scheiding van de gereinigde semiconductor substraat-rgedeeltes 30 vanaf de ononderbroken metalen draag/ transfer-band 56, met deze opvolgende folie-gedeeltes als een 5 definitieve onderlaag ervan.

Figuur 42 toont in de stripvormige behandelings-sectie 122 ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan in het ondertunnelblok 14 de opname van de stripvormige, tijdens de werking van de tunnel-opstelling 10 10 roterende nokkenas-opstelling 84 in het uitwisselbare onderblok 28, en in de erboven gelegen uitwisselbare stripvormige sectie 18 van het boventunnelblok 12 de opname van een stripvormige tril/verwarmings-inrichting, typisch de transducer-opstelling 82, en waarbij met behulp van de laag-15 frequent pulserende- of hoog-frequent trillende conditie van de drukplaat 24 ervan en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30, en zulks in combinatie met een tenminste hoog-frequente tril-conditie van deze transducer-opstelling 82, het continue 20 plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, typisch een reinigings-proces, in deze ertussen gelegen semiconductor behandelings-spleetsctie 76 onder de combinatie van deze eronderlangs verplaatsende pulserende- of trillende opvolgende substraat-gedeeltes 30 en het trillen van deze 25 transducer 82, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 42A.

Daarbij voor deze transducer-opstelling de navolgende, in de Figuur 42A aangegeven tril-condities ervan: a) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende neerwaartse 30 verplaatsing; of b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing; of c) een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing.

35 Verder voor deze nokkenas-opstelling 84 de nok-profielen 124/126 , welke sterk vergroot zijn aangegeven in de Figuur 42^, een typisch snelle opwaartse- en een daaropvolgende langzame neerwaartse verplaatsing van het 38 stripvormige drukplaat-gedeelte 24 ervan en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30, of een langzame- en een daarop-volgende snelle verplaatsing ervan, zoals is aangegeven in de Figuren 42® en 42^.

5 Figuur 43 toont de Figuur 42, waarbij echter een sterk versprongen onder-nokkenas-opstelling in achterwaartse richting, met vóór deze nokkenas-opstelling een stripvormige toevoer-sectie 92 voor dun-vloeibaar medium 94 en daarachter een stripvormige afvoer-sectie 98 voor dit medium.

10 Daarbij in de Figuur 43A eveneens de mogelijke tril- condities van deze boven-transducer 82 en in de Figuren 43® en 43^ de mogelijke navolgende nok-profielen van deze onder -nokkenas 84 ten behoeve van het daarmede tevens onderhouden van één van de navolgende tril-condities van de stripvormige 15 drukwand 24 ervan en daarmede tevens van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30: a) in de Figuur 43®, gezien in de verdraai-richting ervan, een geringe lengte van zulk een nok-gedeelte 124 en een daarop-volgende aanzienlijke lengte 126 van het volgende nok- 20 gedeelte; en b) in de Figuur 43^ een aanzienlijke lengte van zulk een nok-gedeelte 126 en een daarop-volgende geringe lengte van het volgende nok-gedeelte 124.

Figuur 44 toont wederom de combinatie van de boven-25 transduceropstelling 82 en de eronder gelegen onder-nokkenas-opstelling 84 volgens de Figuur 42, waarbij echter een in voorwaartse richting versprongen positie van deze nokkenas-opstelling ten opzichte van de positie van deze transducer-o pstelling.

30 Daarbij met behulp van deze transducer 82 het reeds groten deels verdampen van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium 70 onder neerslag van de deeltjes 72 van een semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 30, waardoor met behulp van 35 deze nokkenas-opstelling 84 het typisch ondersteunen van het navolgende: a) het egalisatie-proces van deze neergeslagen deeltjes; of b) een semiconductor behandelings-proces van de op deze 39 opvolgende substraat-gedeeltes 30 opgebrachte bovenlaag 112 van een semiconductor substantie, zoals onder andere een reinigings-proces.

Figuur 45 toont een tweetal opvolgende combinaties van de 5 onder-nokkenasopstelling 84 en de boven-transduceropstelling 82, zoals is aangegeven in de Figuur 42, ten behoeve van het daarbij in zulk een tweede combinatie het typisch plaatsvinden ·.

van een herhaling van het semiconductor behandelings-proces met behulp van deze eerste combinatie, zoals een ets-proces 10 ten behoeve van het daarbij met behulp van deze tweede combinatie vergroten van de bewerkstelligde diepte van de met behulp van deze eerste combinatie bewerkstellige nanometer grote crevices/verbindings-groeven 128 in de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebouwde di-electrische bovenlaag 112.

15 Zulk een opvolgend plaats gehad hebben van zulk een ets- proces is zeer sterk vergroot aangegeven in de Figuren 45A en 45^.

Binnen het kader van de uitvinding zijn daarbij nog meerdere van zulke opvolgende combinaties mogelijk.

20 Figuur 46 toont de combinatie van de nokkenas-opstelling 40, welke tevens fungeert als een voldoende warmte-bron ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van tevens opwarming van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagraedium 70, met daarop-volgend zulk een stripvormige 25 transducer-opstelling 82 ten behoeve van het daarmede totaal verdampen van dit vloeibare draagmedium 70, en waarby achter deze transducer 82 het stripvormige afvoer-gedeelte 50 voor het verdampte medium, zulk een electrische verwarmings-inrichting 62 en de daarop-volgende stripvormige afkóel-30 inrichting 64.

Daarbij zijn zeer sterk vergroot in de Figuren 46A» B en C het aangegeven zijn van de bovens pleet-sec ties 76 achter dit afvoer-gedeelte , onder deze verwarmings-inrichting 62 en onder dit afkoel-gedeelte 64, met het tenslotte bewerkstel-35 ligd zijn van de micrometer hoge laag 54 van een typisch di-electrische substantie 80.

Figuur 47 toont de combinatie van een uitwisselbare stripvormige boven-transduceropstelling 82 en eronder een 40 uitwisselbare onder-nokkenasopstelling 84 ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een vul-proces van de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde nanometer wijde semiconductor uitsparingen (crevices') 128 in de bovenwand 5 van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 47A en 47®, en in de volgende gedeeltes van het boventunnelblok 12 de opname van de stripvormige oven-opstelling 62 en de daarop-volgende afkoel-10 inrichting 64 en in het daarop-volgende gedeelte van het boventunnelblok 12 de opname van de roterende slijp-inrichting 116 ten behoeve van het daarmede ononderbroken ver wijde ren van de opgebrachte micrometer hoge belichtings-laag 148, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 47^ t/m G.

15 Daarbij in het volgende gedeelte van het boventunnelblok 12 de opname van de stripvormige toevoer-inrichting voor typisch gas vormig spoel-medium 144 ten behoeve van het verwijderen van de afgeslepen nanometer grote deeltjes van deze opgebrachte belichtings-laag 148 vanaf de opvolgende substraat-gedeeltes 20 30 en in een volgend tunnel-gedeelte typisch plaatsvinden van vulling van deze crevices met een metalen substantie onder de vorming van nanometer wijde semiconductor verbindingen.

1037069

Claims (54)

1. Semiconductor substraat transfer/behandelings- tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige inrichting ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings- 5 gedeelte en zich tevens uitstrekt in dwarsrichting ervan, en waarbij tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van het opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen van het stripvormige drukplaat-gedeelte ervan ten behoeve van het 10 daarmede onderhouden van een tenminste laag-frequente pulseer-conditie ervan.

2. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in opvolgende 15 semiconductor behandelings-secties ervan het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en zulks typisch onder toepassing van een ononderbroken folie of band als een 20 tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

3. Semiconductor .tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk in het onder-gedeelte van het boventunnelblok ervan de 25 opname van een uitwisselbaar metalen stripvormig bovenblok, met in het onder-gedeelte ervan een dunwandige, stripvormige vlakke en in een voldoende mate constructief sterke drukplaat-sectie, met rondom ervan een dunwandige mémbraam-sectie, ten behoeve van het optimaal fungeren ervan als een in de hoogte-30 richting verplaatsbare bovenwand-sectie van de zich eronder bevindende centrale sectie van de tunnel-door gang.

4. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het compartiment van 35 dit blok fungeert als een drukkamer, met door het opvolgend ononderbroken, typisch laag-frequent pulserend toe- en afvoeren van vloeibaar medium naar en vanuit dit compartiment het onderhouden van tenminste mede een pulseer-conditie van deze wand-sectie. 1037069

5. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een uitwisselbaar stripvormig onder blok van het 5 ondertunnelblok de opname in het onder-compartiment ervan van een stripvormig drukwand-gedeelte en waarbij dit compartiment tevens fungeert als een drukkamer, waarin met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van typisch vloeibaar medium naar en vanaf dit compartiment het ononder-10 broken onderhouden van een tenminste mede laag-frequente pulseer-conditie van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

6. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 4, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor dit uitwisselbare bovenblok in de ohderwand van het stripvormige, tenminste laag-frequent pulserende drukwand-gedeelte ervan de opname van een groot aantal mini-hoge medium-doorlaatgroeven ten 20 behoeve van het stuwen erdoorheen van een semiconductor behandelings-medium vanuit een medium-toevoer systeem in de lengterichting achter deze drukplaat naar een medium-af voer systeem aan de voor zijde ervan ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor 25 behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

7. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 30 daarbij in dit bovenblok de opname van een tijdens de werking ervan roterender boven-nokkenasopstelling ten behoeve van het daarmede opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen van deze drukplaat-sectie.

8. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, 35 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van zodanige profileringen van de opvolgende nokken ervan, dat, gezien in de verdraai-richting van deze nokkenas-opstelling, het navolgende van deze nokken: a) een lang opwaarts gedeelte en een daarop-volgend kort neerwaarts gedeelte; of b) een kort opwaarts gedeelte en een daarop-volgend lang opwaarts gedeelte; of 5 c) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende opwaartse sectie.

9. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 10 daarbij de toepassing van een roterende nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar bovenblok, welke drukdicht is bevestigd op het boventunnelblok, met eronder in een uitwisselbaar onderblok als deel van het ondertunnelblok de opname van een stripvormige drukwand-sectie, ten .behoeve van met deze 15 combinatie het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, typisch een reinigingsproces, van de opvolgende, zich ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog-frequente tril-conditie van 20 de bovenwand en tenminste een opwaartse druk-conditie van de opvolgende eronder langs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .

10. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 25 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de opname van een nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar bovenblok, met ervóór de opname van een stripvormige toevoer-inrichting voor de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een 30 semiconductor substantie en waarbij daarmede door een ononderbroken toe-en afvoer van warm vloeibaar medium naar en vanuit het nokkenas-compartiment het onderhouden van een zodanig hoge temperatuur van het stripvormige drukplaat-gedeelte ervan, dat verdamping van dit laag-kokende 35 vloeibare medium geschiedt, met afvoer van het verdampte medium in een daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie in het boventunnelblok onder neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor . substraat-gedeeltes.

11·. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 5 daarbij in een stripvormig compartiment van het uitwisselbare bovenblok de opname van een nokkenas-opstelling en een electrisch verwarmings-element en zoals dit compartiment gevuld is met vloeibaar medium, tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het onderhouden van een hoge temperatuur 10 van deze opstelling ten behoeve van het plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces onder tevens verwarming van het toegevoerde vloeibare medium in dit compartiment en zulks mede van het zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor medium, bevattende laag-kokend vloeibaar 15 draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie ten behoeve van het onderhouden van een zodanig hoge temperatuur ervan, dat daarmede het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit laag-kokende vloeibare draagmedium.

12. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 11, 20 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in dit nokkenas-compartiment de bevestiging van een stripvormig electrisch verwarmings-element op het stripvormige drukwand-gedeelte ervan.

13. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 25 voorgaande Conclusies 11 of 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij in een voorgaand tunnel-gedeelte de toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie, het daarmede bewerkstel-30 ligen van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, typisch in een voorgaand tunnel-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een voldoend vlakke conditie van de opvolgende substraat-gedeeltes, in opvolgende secties onder dit 35 drukwand-gedeelte het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes door het verdampen van het vloeibare draagmedium, met onder het achterste gedeelte de bewerkstelliging van een ultra-vlakke opgebrachte micrometer hoge laag van deze deeltjes.

14. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 5 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daar bij in een uitwisselbaar onder blok de opname van een stripvormige nokkenas-opstelling, welke is opgenomen in het nokkenas-compartiment van dit blok, ten behoeve van het tijdens de werking ervan onderhouden van een tenminste laag-10 frequente pulseer-conditie van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met daarby typisch een vloeibaar medium als een tijdelyke micrometer hoge laag tussen dit drukwand-gedeelte en de 15 opvolgende substraat-gedeeltes en waarbij, gezien in de verdraai-richting ervan een aanzienlyke lengte van zulk een nok ten behoeve van een langzame opwaartse verplaatsing van een substraat-gedeelte en daarachter een kort nok-gedeelte ten behoeve van een daarop-volgende snelle neerwaartse 20 verplaatsing ervan en zulks ten behoeve van tenminste mede het navolgende: a) een optimaal vul-proces van in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde semiconductor uitsparingen (crevices) in de bovenlaag van deze opvolgende substraat- 25 gedeelte; of b) de opbouw van een micrometer hoge film zeer hoog-kokend vloeibaar medium, typisch een hecht-substantie, op de eronderlangs verplaatsende semiconductor folie of band of een opgebrachte semiconductor bovenlaag.

15. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een aantal opvolgende nokken, welke zich uitstrekken in de lengterichting ervan ter plaatse van het centrale 35 semiconductor behandelings-gedeelte ervan en met een bepaalde profilering in de hoogte-richting ervan ten behoeve van tijdens de rotatie van deze nokkenas-opstelling het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces onder het navolgende: a) een snelle opwaartse verplaatsing van de zich erboven bevindende stripvormige pulseer/tril-wand en daarmede van de opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende substraat- 5 gedeeltes in combinatie met een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan; of b) een langzame opwaartse verplaatsing van deze drukwand en daarmede van deze opvolgende substraat-gedeeltes en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan; of 10 c) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende neerwaartse verplaatsing van deze drukwand en daarmede van deze opvolgende substraat-gedeeltes; of d) daartussen geen op- of neerwaartse verplaatsing van deze substraat-gedeeltes.

16. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een relatief breed pulseer,/tril-wand gedeelte boven de nokkenas-opstelling, met in het daarboven gelegen gedeelte 20 van het boventunnelblok in de onderwand ervan de opname van opvolgende combinaties van een stripvormige toe-en afvoer-groef ten behoeve van het stuwen van opvolgende stromen van een vloeibare semiconductor medium, typisch een reiniging-of spoel-medium, door de zich eronder bevindende stripvormige 25 bovenspleet-gedeeltes boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes onder een pulseer- of tril-conditie ervan.

17. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 30 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing daarin van de combinatie van een stripvormig drukwand-gedeelte van een uitwisselbaar bovenblok en een nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar onderblok en waarbij het onderhouden van een micrometer hoge film vloeibaar 35 medium boven het stripvormige pulseer/trilwand-gedeelte van het onderblok en via dit daarin opgenomen vloeibare medium onderhouden van een pulseer- of tril-conditie van dit wand-gedeelte en daarmede onderhouden van een pulseer- of tril- conditie van de opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

18, Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 5 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het uitwisselbare bovenblok de combinatie van het navolgende: al een boven-nokkenasopstelling en een electrisch verwarmings-element; 10 b 1 een ervoor-gelegen stripvormige toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie; en c) een daarachter gelegen stripvormig afvoer-gedeelte voor het verdampte vloeibare medium, 15 en daaronder in een uitwisselbaar onderblok de opname van een eronder gelegen nokkenas-opstelling.

19. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 20 daarbij in een bovenblok de opname van de combinatie van een nokkenas-opstelling, met een electrische verwarming ten behoeve van het mede verwarmen en verdampen van de in een voorgaand boventunnelblok-gedeelte toegevoerde combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een 25 semiconductor substantie, en daarachter in dit blok een stripvormige afvoer-sectie voor het verdampte medium onder de bewerkstelliging van neergeslagen deeltjes van een vaste substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, en in een volgend bovenblok een 30 nokkenas-opstelling ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte deeltjes, met als alternatief, in zulk een eerste blok de opname van een stripvormige transducer-opstelling en daarachter zulk een nokkenas-opstelling.

20. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in opvolgende gedeeltes van het boventunnelblok de opname van een stripvormige toevoer-inrichting ten behoeve van de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste, typisch di-electrische substantie, met daarachter een stripvormige nokkenas-5 opstelling in combinatie met een daarop-volgende stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarin tenminste mede verdampen van het vloeibare draagmedium, met in een volgende stripvormige inrichting afvoer van het verdampte medium en zulks onder mede neerslag van deze deeltjes, en met 10 daarachter een stripvormig oven-gedeelte ten behoeve van het smelten van de opgebrachte micrometer hoge laag van deze deeltjes en daarachter een stripvormige afkoel-inrichting, en waarbij met behulp van deze combinatie het tevens bewerkstelligd zijn van een optimaal egalisatie-proces van 15 deze opgebrachte deeltjes.

21. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een uitwisselbare combinatie van een 20 stripvormige transducer-opstelling en een stripvormige medium-toevoergroef en een medium-afvoergroef , met een daaropvolgende uitwisselbare nokkenas-opstelling, ten behoeve met behulp van de toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een hoog-kokende vloeibare hecht-25 substantie na het onder deze transducer plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium bewerkstelligen van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, en waarbij onder het drukwand-gedeelte van deze nokkenas-30 opstelling het plaatsvinden van een egalisatie proces van deze opgebrachte deeltjes onder de vorming van een (sub) micrometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie.

22. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 35 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarby daarin de opname van een tijdens de werking ervan roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het daarmede onderhouden van een tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, met daarboven in het boventunnelblok de opname van een 5 eveneens stripvormige transducer-opstelling, ten behoeve van met behulp van deze combinatie het ononderbroken plaatsvinden van een optimaal reinigings- en een daarop-volgend spoel-proces van het boven-oppervlak van deze zich ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder de combinatie 10 van een tril-conditie ervan met behulp van deze nokkenas-opstelling en daarmede van dit reinigings/spoel-medium en zulks mede met een hogere tril-frequentie van dit medium met behulp van deze transducer-opstelling, en in een volgend gedeelte van het boventunnelblok het met behulp van een 15 stripvormig electrisch ver warmings-element bewerkstelligen van een micrometer hoge vloeibare laag van een semiconductor substantie, in een daarop-volgend gedeelte het plaatsvinden van een afkoel-proces van deze laag onder de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van een vaste semiconductor 20 substantie, en waarbij in een daarop-volgend gedeelte van het boventunnelblok de opname van een roterende cilindrische slijpsteen ten behoeve van het bewerkstelligen van een ultra vlakke conditie van deze opgebrachte laag.

23. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 25 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van het aandrukken een roterende boven-nokkenas op de combinatie van een ononderbroken, in dwarsrichting geprofileerde semiconductor 30 substraat-draag/transfer band, met daarop nabij de ingang van de tunnel-opstelling opgebrachte opvolgende gedeeltes van een ononderbroken relatief zachte, al dan niet metalen folie, ten behoeve van het daarmede tenminste mede plaatsvinden van een verankeriRgs-proces van de opvolgende, daardoor geprofileerde 35 folie-gedeeltes op deze opvolgende band-gedeeltes tijdens de verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling, met daarbij het fungeren van deze opvolgende folie-gedeeltes, welke zich ononderbroken onderlangs deze nokkenas-opstelling verplaatsen, tevens als een al dan niet tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

24. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 5 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de opname in het onder tunnel blok van een typisch uitwisselbare nokkenas-opstelling, met in het boventunnelblok de opname van een stripvormig uitwisselbaar bovenblok, bevattende een aantal opvolgende stripvormige toe- en afvoer-10 secties ten behoeve van het met behulp van het daarin ononderbroken toegevoerde damp- en/of gasvormige medium ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder een bepaalde tril-conditie 15 ervan ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van onder andere een reinigings-, strip-, ets- of spoel-proces .

25. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 20 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een stripvormige behandelings—sectie ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan in het ondertunnelblok de opname van een stripvormige, tijdens de werking van de tunnel-opstelling roterende nokkenas-25 opstelling in een uitwisselbaar montage-blok, en in de erboven gelegen stripvormige sectie van het boventunnelblok de opname van een 9tripvormige tril/verwarmings-inrichting, typisch een transducer-opstelling, ten behoeve van met behulp van de laag-frequent pulserende- of hoog-frequent trillende 30 conditie van de drukplaat van deze nokkenas-opstelling en daarmede van de opvolgende, er ononderbroken bovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks in combinatie met een tenminste hoog-frequente tril-conditie van deze transducer-opstelling, het continue plaatsvinden van een 35 semiconductor behandelings-proces, typisch een reinigingsproces, in deze ertussen gelegen semiconductor behandelings-spleetsectie onder de combinatie van deze eronderlangs verplaatsende pulserende of trillende opvolgende substraat- gedeeltes en het trillen van deze transducer, en waarbij voor deze transducer-opstelling de navolgende mogelijke tril-condities ervan; a) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende neerwaartse 5 verplaatsing; of b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing; of cl een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing, 10 en voor deze nokkenas-opstelling een typisch snelle opwaartse-en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van het stripvormige drukplaat-gedeelte ervan en daarméde van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

26. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 15 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een boven-transduceropstelling en een eronder gelegen onder-nokkenasopstelling, met een in voorwaartse richting versprongen positie van deze nokkenas-20 opstelling ten opzichte van de positie van deze transducer-opstelling ten behoeve van met behulp van deze transducer het reeds grotendeels verdampen van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, 25 eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en met behulp van deze nokkenas-opstelling het typisch ondersteunen van het navolgende: aj een egalisatie-proces van deze neergeslagen deeltjes; of bl een semiconductor behandelings-proces van de op deze 30 opvolgende substraat-gedeeltes opgebrachte bovenlaag van een semiconductor substantie, zoals onder andere een reinigingsproces .

27. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 35 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing daarin van de combinatie van een stripvormige nokkenas-opstelling in een uitwisselbaar gedeelte van het boventunnelblok, welke tevens fungeert als een voldoende warmte-bron ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van tevens opwarming van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium van de combinatie ervan met deeltjes van een semiconductor 5 substantie in een vaste of vloeibare vorm ervan, en een daarop-volgende stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarmede totaal verdampen van het toegevoerde vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes van een semiconductor substantie, en achter deze transducer-opstelling 10 een stripvormig afvoer-gedeelte voor het verdampte medium, daarop-volgend een electrische verwarmings-inrichting en een daarop-volgende stripvormige afkoel-inrichting,onder de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van een typisch vaste semiconductor substantie.

28. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, 20 -installatie en -tunnel-opstellingen en -inrichtingen, welke door de aanvrager zijn aangegeven en omschreven in de gelijktijdig hiermede ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

29. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 25 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin mogelijk toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en 30 Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of -substraat; of b) een al dan niet. individuele semiconductor processing-module .

30. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 35 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze semiconductor faciliteit, -installatie, -tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en otnschreven in deze gelijktijdig ingediende Octrooi-aanvr agen .

31. Werkwijze van een semiconductor substraat transfer-5 behandelings-tunnelopstelling, bevattende een stripvormige inrichting ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte en welke zich tevens uitstrekt in dwarsrichting ervan, en waarbij tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van het opvolgend op- en 10 neerwaarts verplaatsen van het stripvormige drukplaat- gedeelte ervan ten behoeve van het daarmede onderhouden van een tenminste laag-frequente pulseer-conditie ervan.

32. Werkwijze volgens de Conclusie 31, met het kenmerk, dat daarbij in opvolgende semiconductor behandelings-secties ervan 15 het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks typisch onder toepassing van een ononderbroken folie of band als een tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

33. Werkwijze volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat zoals daarbij tenminste plaatselyk in het onder-gedeelte van het boventunnelblok ervan de opname van een uitwisselbaar metalen stripvormig bovenblok, met in het onder-gedeelte ervan een dunwandige, stripvormige, vlakke en in een 25 voldoende mate constructief sterke drukplaat-sectie, met rondom ervan een dunwandige membraam-sectie, het optimaal fungeren ervan als een in de hoogte-richting verplaatsbare bovenwand-sectie van de zich eronder bevindende centrale sectie van de tunnel-door gang.

34. Werkwijze volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat daarbij het compartiment van dit blok fungeert als een drukkamer, met door het opvolgend ononderbroken, typisch laag-frequent pulserend toe- en afvoeren van vloeibaar medium naar en vanuit dit compartiment het onderhouden van 35 tenminste mede een pulseer-conditie van deze wand-sectie.

35. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormig onderblok van het ondertunnelblok de opname in het onder-compartiment ervan van een stripvormig drukwand-gedeelte en waarbij dit compartiment tevens fungeert als een drukkamer, waarin met behulp van het opvolgend toe- en afvoeren van typisch vloeibaar medium naar en vanaf dit compartiment,het ononder-5 broken onderhouden van een tenminste mede laag-frequente pulseer-conditie van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

36.Werkwijze volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat 10 zoals daarbij voor dit uitwisselbare bovenblok in de onder wand van het stripvormige, tenminste laag-frequent pulserende drukwand-gedeelte ervan de opname van een groot aantal mini-hoge medium-doorlaatgroeven, het stuwen erdoorheen van een behandelings-medium vanuit een medium-toevoersysteem in de 15 lengterichting achter deze drukplaat naar een medium-af voer systeem aan de voorzijde ervan ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

37. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in dit bovenblok de opname van een tijdens de werking ervan roterende boven-nokkenasopstelling, daarmede opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen van de drukplaat-sectie ervan.

38. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een roterende nokkenas-opstelling in een bovenblok, welke is bevestigd op het boventunnelblok, met eronder in een uitwisselbaar onderblok als deel van het ondertunnelblok de opname van een 30 stripvormige drukwand-sectie, met behulp van deze combinatie het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, typisch een reinigingsproces, van de opvolgende, zich ononderbroken ertussendoor verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog-frequente tril-conditie van de bovenwand en tenminste een opwaartse druk-conditie van de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .

39. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de opname van een nokkenas-opstelling in zul een bovenblok, met ervóór de opname van een stripvormige toevoer-inrichting voor de combinatie van 5 laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en waarbij daarmede door een ononderbroken toe-en afvoer van warm vloeibaar medium naar en vanuit het nokkenas-compartiment het onderhouden van een zodanig hoge temperatuur van het stripvormige drukplaat-10 gedeelte ervan, dat verdamping van dit laag-kokende vloeibare medium geschiedt, met afvoer van het verdampte medium in een daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie in het boventunnelblok onder neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor . 15 substraat-gedeeltes.

40. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een compartiment van het bovenblok de opname van een nokkenas-opstelling en een electrisch verwarmings-element en zoals dit compartiment 20 gevuld is met vloeibaar medium, tijdens de werking van deze tunnel — opstelling het onderhouden van een hoge temperatuur van deze opstelling ten behoeve van het plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces onder tevens verwarming van het toegevoerde vloeibare medium in dit compartiment en zulks 25 mede van het zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor medium, bevattende laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie ten behoeve van het onderhouden van een zodanig hoge temperatuur ervan, dat daarmede het ononderbroken plaatsvinden van 30 verdamping van dit laag-kokende vloeibare draagmedium.

41. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals·, daarbij in een voorgaand tunnel-gedeelte de toevoer van de combinatie van vloeibaar medium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie, het daarmede bewerkstel- 35 gen van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor, substraat-gedeeltes, typisch in een voorgaand tunnel-gedeelte het bewerkstelligd zijn van een voldoend vlakke conditie van de opvolgende substraat-gedeeltes, in opvolgende secties onder dit drukwand-gedeelte het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes door het verdampen van het vloeibare 5 draagmedium, met onder het achterste gedeelte de bewerkstelliging van een ultra-vlakke opgebrachte micrometer hoge laag van deze deeltjes.

42. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een uitwisselbaar onderblok de 10 opname van een stripvormige nokkenas-opstelling, welke is opgenomen in het compartiment van dit stripvormige blok, tijdens de werking ervan onderhouden van een tenminste laag-frequente pulseer-conditie van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan en daarmede van de opvolgende, ononderbroken 15 erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met daarbij typisch een vloeibaar medium als een tijdelijke micrometer hoge laag tussen dit drukwand-gedeelte en de opvolgende substraat-gedeeltes en waarbij, gezien in de verdraai-richting ervan een aanzienlijke lengte van zulk een 20 nok ten behoeve van een langzame opwaartse verplaatsing van een substraat-gadeelte en daarachter een kort nok-gedeelte ten behoeve van een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan en zulks ten behoeve van tenminste mede het navolgende: 25 a) een optimaal vul-proces van in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde semiconductor uitsparingen (crevices) in de bovenlaag van deze opvolgende substraat-gedeelte; of b) de opbouw van een micrometer hoge film zeer hoog-kokend 30 vloeibaar medium, typisch een hecht-substantie, op de eronderlangs verplaatsende semiconductor folie of band of een opgebrachte semiconductor bovenlaag.

43. Werkwijze volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een aantal opvolgende .nokken, 35 welke zich uitstrekken in de lengterichting ervan ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan en met een bepaalde profilering in de hoogte-richting ervan, daarbij tijdens de rotatie van deze nokkenas-opstelling het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces onder het navolgende: het navolgende: a) een snelle opwaartse verplaatsing van de zich erboven 5 bevindende stripvormige pulseer/tril-wand en daarmede van de opvolgende, zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes in combinatie met een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan; of b) een langzame opwaartse verplaatsing van deze drukwand en 10 daarmede van deze opvolgende substraat-gedeeltes en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan; of c) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende neerwaartse verplaatsing van deze drukwand en daarmede van deze opvolgende substraat-gedeeltes; of 15 dj daartussen geen op- of neerwaartse verplaatsing van deze substraat-gedeeltes.

44. Werkwijze volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een relatief breed pulseer,/ tril-wandgedeelte boven de nokkenas-opstelling, met in het 20 daarboven gelegen gedeelte van het boventunnelblok in de onderwand ervan de opname van opvolgende combinaties van een stripvormige toe- en afvoergroef, het stuwen erdoorheen van opvolgende stromen van een vloeibaar semiconductor medium, typisch een reinigings- of spoel-medium, door de zich eronder 25 bevindende stripvormige bovenspleet-gedeeltes boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes onder een pulseer- of tril-conditie ervan.

45. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van een semiconductor behanéelings-proces onder toepassing in het uitwisselbare bovenblok van het navolgende: aj een boven-nokkenasopstelling en een electrisch verwarmings-element; 35 bj een ervoor-gelegen stripvormige toevoer-inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie; en cj een daarachter gelegen stripvormig afvoer-gedeelte voor het verdampte vloeibare medium, en daaronder in een uitwisselbaar onderblok de opname van een eronder gelegen nokkenas-opstelling.

46. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 5 kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormig bovenblok de opname van de combinatie van een nokkenas-opstelling en een electrische verwarming ten behoeve van het mede verwarmen en verdampen van een voorgaand tunnel-gedeelte toegevoerde combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes 10 van een semiconductor substantie, en daarachter in dit tunnelblok een stripvormige afvoer-sectie voor het verdampte medium onder de bewerkstelliging van neergeslagen deeltjes van een vaste substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, en in een volgend 15 bovenblok met behulp van een tweede nokkenas-opstelling het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte deeltjes, met als alternatief, in zulk een eerste blok de opname van een stripvormige transducer-opstelling en daarachter zulk een nokkenas-opstelling.

47. WErkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in opvolgende gedeeltes van het boven-tunnelblok de opname van een toevoer-inrichting ten behoeve van de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste, typisch di-electrische 25 substantie, met daarachter een stripvormige nokkenas- opstelling in combinatie met een daarop-volgende stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarin tenminste mede verdampen van het vloeibare draagmedium, met in een volgende stripvormige inrichting afvoer van het verdampte 30 medium en zulks onder mede neerslag van deze deeltjes, en met daarachter een stripvormig oven-gedeelte ten behoeve van het smelten van de opgebrachte micrometer hoge laag van deze deeltjes en daarachter een stripvormige afkoel-inrichting, en waarbij met behulp van deze combinatie het tevens 35 bewerkstellig van een optimaal egalisatie-proces van deze opgebrachte deeltjes.

48. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in een bovenblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling en een stripvormige medium-toevoergroef en een medium-afvoer groef, met een daaropvolgende uitwisselbare nokkenas-opstelling, ten behoeve met behulp van de toevoer van de combinatie van vloeibaar draag-5 medium en deeltjes van een hoog-kokende vloeibare hecht-substantie na het onder deze transducer plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium bewerkstelligen van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, 10 en waarbij onder het drukwand-gedeelte van deze nokkenas-opstelling het plaatsvinden van een egalisatie proces van deze opgebrachte deeltjes onder de vorming van een (sub) micrometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie.

49. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 15 kenmerk, dat zoals in een uitwisselbaar bovenblok een roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het daarmede onderhouden van een tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, met daarboven in het boventunnelblok de opname van een 20 eveneens stripvormige transducer-opstelling, ten behoeve van met behulp van deze combinatie het ononderbroken plaatsvinden van een optimaal reinigings- en een daarop-volgend spoel-proces van het boven-oppervlak van deze zich ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder de combinatie 25 van een tril-conditie ervan met behulp van deze nokkenas-opstelling en daarmede van dit reinigings/spoel-medium en zulks mede met een hogere tril-frequentie van dit medium met behulp van deze transducer-opstelling, en in een volgend gedeelte van het boventunnelblok het met behulp van een 30 stripvormig electrisch ver warmings-element bewerkstelligen van een micrometer hoge vloeibare laag van een semiconductor substantie, in een daarop-volgend gedeelte het plaatsvinden van een afkoel-proces van deze laag onder de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van een vaste semiconductor 35 substantie, en in een daarop-volgend gedeelte van het boventunnelblok met behulp van een roterende cilindrische slijpsteen het bewerkstelligen van een ultra vlakke conditie van deze opgebrachte laag.

50. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van het aandrukken van een roterende boven-nokkenas op de combinatie van een 5 ononderbroken, in dwarsrichting geprofileerde semiconductor substraat-draag/transf erband, met daarop nabij de ingang van de tunnel-opstelling opgebrachte opvolgende gedeeltes van een ononderbroken relatief zachte, al dan niet metalen folie, ten behoeve van het daarmede tenminste mede plaatsvinden van een 10 verankerings-proces van de opvolgende, daardoor geprofileerde folie-gedeeltes op deze opvolgende band-gedeeltes tijdens de verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling, met daarbij het fungeren van deze opvolgende folie-gedeeltes, welke zich ononderbroken onderlangs deze aandrukas-opstelling 15 verplaatsen, tevens als een al dan niet tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

51. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de opname in het ondertunnelblok van een typisch uitwisselbare nokkenas-opstelling, met in het 20 boventunnelblok de opname van een stripvormig uitwisselbaar bovenblok, bevattende een aantal opvolgende stripvormige toe- en afvoer secties, met behulp van het daarin ononderbroken toegevoerde damp- en/of gasvormige medium ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de 25 opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder een bepaalde tril-conditie ervan, zoals onder andere een reinigings-, strip-, ets- of spoel-proces.

52. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormige behandelings- sectie van de semiconductor tunnel- opstelling ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan in het onder tunnelblok de opname van een stripvormige, tijdens de werking van de tunnel-opstelling roterende nokkenas-35 opstelling in een uitwisselbaar montage-blok, en in de erboven gelegen stripvormige sectie van het boventunnelblok de opname van een stripvormige tril/verwarmings-inrichting, typisch een transducer-opstelling, ten behoeve van met behulp van de laag-frequent pulserende- of hoog-frequent trillende conditie van de drukplaat van deze nokkenas-opstelling en daarmede van de opvolgende, er ononderbroken bovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks in combinatie met 5 een tenminste hoog-frequente tril-conditie van deze transducer-opstelling, het continue plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, typisch een reinigingsproces, in deze ertussen gelegen semiconductor behandelings-spleetsectie onder de combinatie van deze eronderlangs 10 verplaatsende pulserende of trillende opvolgende substraat-gedeeltes en het .trillen van deze transducer, en waarbij voor deze transducer-opstelling de navolgende mogelijke tril-condities ervan; a) een gelijke opwaartse- en een daarop-volgende neerwaartse 15 verplaatsing; of b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing; of cl een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing, 20 en voor deze nokkenas-opstelling een typisch snelle opwaartse-en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing van het stripvormige drukplaat-gedeelte ervan en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

53. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 25 kenmerk, dat zoals in deze semiconductor tunnel—opstelling daarbij de toepassing van een boven-transduceropstelling en een eronder gelegen onder-nokkenasopstelling, met een in voorwaartse richting versprongen positie van deze nokkenas-opstelling ten opzichte van de positie van deze transducer-30 opstelling ten behoeve van met behulp van deze transducer het reeds grotendeels verdampen van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en met behulp 35 van deze nokkenas-opstelling het typisch ondersteunen van het navolgende: a) een egalisatie-proces van deze neergeslagen deeltjes; of b1 een semiconductor behandelings-proces van de op deze opvolgende substraat-gedeeltes opgebrachte bovenlaag van een semiconductor substantie, zoals onder andere een reinigingsproces.

54. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 5 kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van de combinatie van een voldoende warmte-bron ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van tevens opwarming van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium van de combinatie ervan met deeltjes van een semiconductor 10 substantie in een vaste of vloeibare vorm ervan, en een daarop-volgende stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarmede totaal verdampen van het toegevoerde vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes van een semiconductor substantie, en achter deze transducer-opstelling 15 een stripvormig afvoer-gedeelte voor het verdampte medium, daarop-volgend een electrische verwarmings-inrichting en een daarop-volgende stripvormige afkoel-inrichting,onder de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van een typisch vaste semiconductor substantie. 1037069