NL1039188C2 - Een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen, waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol en in de daaropvolgende inrichtingen daarop de bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige semiconductor substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit van semiconductor chips. - Google Patents

Description

Een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen, waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol en in de daaropvolgende inrichtingen daarop de bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige 5 semiconductor substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit van semiconductor chips.

Een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtin-10 gen en waarbij de toepassing van een opslagrol als eerste inrichting ten behoeve van het daarin tijdelijk opslaan van een zeer lange folie voor het tijdens de werking ervan het typisch ononderbroken verplaatsen ervan door een secundaire semiconductor tunnel-opstelling als tweede inrichting, met in het 15 uitgangs-gedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van een di-electrische laag op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende folie-gedeeltes onder het verkregen zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, in de daarachter gelegen tweede semicon-20 ductor tunnel-opstelling als derde inrichting aan de uitgangs-zijde ervan het verkregen zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan nabij het einde van deze tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige semiconductor platen, bevattende een zeer groot 25 aantal basis-chips, met typisch een tijdelijke opslag ervan in cassettes, vervolgens in de daaropvolgende vierde inrichting, met aan weerszijde ervan tenminste één toe- en af voercassette, op deze platen het aanbrengen van electrische aansluit-contacten op zulke basis-chips, en in typische tenminste één 30 daaropvolgende opstelling als vijfde inrichting, bevattende typisch eveneens een aantal toevoer-casettes, door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

Deze mogelijke alternatieve combinaties van semiconductor opstellingen zijn aangegeven in de daarmede corresponderende 35 Figuren, doch kunnen binnen het kader van de uitvinding variëren of gedeeltelijk zijn samengevoegd, zoals mogelijk de onder 12 en 16 vermelde individuele combinaties van semiconductor opstellingen.

1039188 2

Binnen het kader van de uitvinding kan deze folie bestaan uit elk soort van substantie, zoals onder andere papier, een voldoend harde kunststof of een combinatie van substanties.

Verder de mogelijkheid om de verplaatsing van zulk een 5 folie door deze beide tunnel-opstellingen typisch te doen plaatsvinden met behulp van opvolgende stromen transfer-medium langs de onderzode van deze folie of een ononderbroken metale transfer-band onder de toepassing van een rol-opstel-ling aan het begin- en achtergedeelte van zulk een tunnel-10 opstelling.

Verder als alternatief kan op deze vanaf een folie-opslag-rol toegevoerde folie zulk een uiterst dunne di-electrische laag op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan reeds zijn aangebracht onder toepassing van zulk een 15 eerste tunnel-opstelling, met opslag ervan in een volgende folie-opslagrol.

Zulke middelen van verplaatsing van de opvolgende substraat-gedeeltes zijn reeds aangegeven in de vele tunnel-opstellingen, waarvoor door de aanvrager inmiddels Neder-20 landse Octrooien zijn verkregen.

Daarbij zijn eveneens elke breedte en lengte van zulk een bewerkstellige semiconductor plaat mogelijk, typisch minder dan 150 mm, om in zulk een installatie ook de goedkoopste semiconductor chips met behulp van zulk een typisch papieren 25 of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaardigen.

Verder, zoals daarbij tevens de mogelijke toepassing van cassettes voor het daarin tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde rechthoekige platen, daartoe eveneens een opslag-breedte en -lengte met zulk een grootte ervan, dat daarbij de 30 mogelijke verplaatsing van deze uiterst dunne platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuwkracht van de volgende plaat ten behoeve van opslag ervan in zulk een cassette.

Door de enorme productie van zulke platen in zulk een 35 installatie zijn typisch meerdere inrichtingen benodigd ten behoeve van het al dan niet gelijktijdig aanbrengen van elec-trische aansluitingen, met daarbij toevoer van opvolgende platen ernaartoe vanuit deze aanvoer-cassettes en afvoer 3 ervan naar volgende, daarachter gelegen ontvangst-cassettes.

De inrichtingen zijn verder zodanig uitgevoerd en bevatten zodanige middelen, dat daarbij de mogelijke toepassing van inrichtingen of gedeeltes ervan, welke reeds zijn omschreven 5 en aangegeven in tenminste mede Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en/of Conclusies.van het riovolgende: a) een individuele-semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing- mofule of - installatie.

10 Verder zijn deze inrichtingen zodanig uitgevoerd en bevatten zodanige middelen, dat deze tevens toepasbaar zijn in de semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende semiconductor tunnel-15 opstellingen en de gelijktijdig hiermede ingediende Octrooiaanvrage ,

Verder zijn deze inrichtingen zodanig uitgevoerd en bevatten deze zodanige middelen, dat daarbij de toepasbaarheid van de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-20 aanvragen betreffende zulk een tunnel-opstelling.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in een aantal Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van deze installatie-opbouw, welke echter binnen het kader van de uitvinding kan variëren.

25 Figuur 1 toont een semiconductor installatie, waarin de opname van alle benodigde semiconductor inrichtingen ten behoeve van in de laatste inrichting ervan door deling van de daarin opvolgend ingebrachte rechthoekige semiconductor platen de bewerkstelliging van semiconductor chips.

30 Figuur 2 toont een gedeelte van de vanuit de folie-opslag-rol toegevoerde folie.

Figuur 3 toont achter de uitgang van de eerste daarin opgenomen semiconductor tunnel-opstelling het bewerkstelligd zijn van een di-electrische laag daarop.

35 Figuren 4A> 4B en 4C tonen de drietal opvolgende phasen van het met behulp van een inrichting bewerkstelligen van nanometer grote indrukkingen in de bovenwand van een -zich eronder bevindend semiconductor substraat-gedeelte.

4

Figuur 5 toont een in een iprichting opgenomen rechthoekige semiconductor plaat, welke door afsnijding van opvolgende substraat-gedeeltes, welke zich door een tunnel-opstelling verplaatsen, met het daarbij aangeven van een groot aantal 5 daarin opgenomen basis-chips.

Figuur 6 toont een gedeelte van de plaat volgens de Figuur 5 en waarbij in tenminste één inrichting, met aan één zijde ervan een cassette, op zulk een basis-chip het opgebracht zijn van een tweetal electrische aansluit-contacten, onder het 10 bewerkstelligd zijn van een semiconductor chip.

Figuur 7 toont een gedeelte van zulk een plaat met aan het begin-gedeelte ervan eveneens de opname van een cassette en waarbij op zulke daarin opgenomen basis-chips het opgebracht zijn van electrische aansluit-contacten.

15 Figuur 8 toont na deling in een inrichting van zulk een plaat volgens de Figuur 7 het bewerkstelligd zijn van één van de vele semiconductor chips.

Figuur 9 toont een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen ten behoeve van het in de laatste inrich-20 ting door deling van een rechthoekige semiconductor plaat de bewerkstelliging van semiconductor chips.

Figuur 10 toont achter de uitgang van de tweede tunnel-opstelling een verwijderbare cassette ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van een semiconductor plaat en waarbij 25 na het gevuld zijn van een sectie ervan daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan voor het vervolgens vullen van een volgende sectie ervan met zulk een plaat.

Figuur 11 toont de doorsnede over de lijn 11-11 van de 30 cassette volgens de Figuur 10 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie ervan.

Figuur 12 toont een alternatieve uitvoering van de cassette volgens de Figuur 10 en waarbij daarin op elkaar liggende opvolgend toegevoerde platen.

35 Figuur 13 toont het verwijderen van de cassette volgens de Figuur 10 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in de onderste positie ervan.

Figuur 14 toont voor zulk een semiconductor inrichting de 5 opname van een verwijderbare zend-cassette ten behoeve van het daaruit opvolgend toevoeren van een semiconductor plaat voor het daarin plaatsvinden van een semiconductor behandeling ervan en daarachter een ontvangst-cassette ten behoeve van 5 het tijdelijk opvolgend ontvangen van zulke behandelde platen.

Figuur 1 toont voor de installatie 10 de rol-opstelling 12, bevattende de zeer lange typisch kuniststoffen of papieren folie 14, zoals mede is aangegeven in de Figuur 2.

In het volgend gedeelte van deze installatie een eerste 10 semiconductor tunnel-opstelling 16 ten behoeve van het op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze folie 14 het bewerkstelligen van een ultra-vlakke di-electrische laag 18, hetgeen is aangegeven in de Figuur 3.

Achter deze eerste tunnel-opstelling 16 de daaropvolgende 15 typisch gescheiden tweede semiconductor tunnel-opstelling 20.

Deze tunnel-opstelling bevat de op het boventunnelblok ervan gemonteerde stripvormige inrichting 22 en waarbij in het ondergedeelte ervan de opname van de stripvormige plaat 24, met in de onderwand 26 ervan de nanometer-grote nokken 28 ten 20 behoeve van het daarmede bewerkstelligen van nanometer-diepe uitsparingen 30 in de bovenwand 32 van deze di-electrische laag 18 ter plaatse van dit centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze ultra-vlakke di-electrische laag 18.

De inrichting en werkwijzen van deze inrichting 22 zijn 25 omschreven in voorgaande Octrooi-aanvragen van de aanvrager.

Daarbij in de bovenste positie van deze plaat 24, welke is aangegeven in de Figuur 4A, bevindt deze zich op enige afstand vanaf deze bovenwand 32.

In de Figuur 4B drukt deze plaat 24 op deze relatief zachte 30 di-electrische laag 18 onder de bewerkstelliging van deze nokken 28 en de daarmede corresponderende uitsparingen 30.

In de Figuur 4C bevindt deze plaat 24 zich wederom in zijn bovenste positie onder het bewerkstelligd zijn van deze uitsparingen 30.

35 Deze uitsparingen vormen daarbij de in deze di-electrische laag bewerkstelligde, in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze tunnel-opstelling 20 naast elkaar gelegen basischips .

6

Door deling van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in het achtergedeelte 34 van deze tunnel- opstelling 20 de bewerkstelliging van de opvolgende individuele platen, Figuur 5, welke opvolgend worden toegevoerd naar de 5 inrichting 38, bevattende mede ontvangst-cassette 40,

Figuur 10.

Vervolgens geschiedt de verwijdering van deze cassette 40 vanaf deze tunnel-opstelling 20 naar de inrichting 44, bevattende tevens de toevoer-cassette 42, en waarin het op deze 10 plaat 36 aanbrengen van de di-electrische aansluit-contacten 46 onder de bewerkstelliging van de platen 48, welke waren opgenomen in zulk een toevoer-cassette 42, geschiedt.

Daarbij vindt op deze platen 36 het aanbrengen van de electrische aansluit-contacten 46 plaats onder de bewerkstel-15 liging van de platen 48, welke worden opgeslagen in zulk een ontvangst-cassette 40.

Vervolgens vindt in de inrichting 52 door deling van deze bewerkstelligde platen het verkrijgen plaats van de semiconductor chips 50.

20 Figuur 7 toont een gedeelte van zulk een plaat 36 en waarbij in de inrichting 44, zie tevens de Figuur 1, op zulke basischips het aangebracht zijn van de electrische aansluit-contacten 46 onder de bewerkstelliging van de platen 48.

Figuur 8 toont na deling in de inrichting 52 van zulk een 25 plaat 48 volgens de Figuur 7 het in tenminste één ervan het opvolgend bewerkstelligen van de vele semiconductor chips 50.

Figuur 9 toont een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen ten behoeve van het in de laatste inrichting 52 door deling van deze rechthoekige plaat 48 de bewerk-30 stelliging van zulke chips 50.

Figuur 10 toont achter de uitgang van deze tunnel-opstelling 20 zulk een verwijderbare cassette 42 ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulke semiconductor platen 36 en waarbij met behulp van de inrichting 54 na het gevuld zijn van 35 sectie 56 ervan daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan voor het vullen van de volgende sectie 56 ervan met zulk een plaat 36.

Figuur 11 toont de doorsnede over de lijn 11-11 van de 7 cassette 42 volgens de Figuur 10 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie 56 ervan.

Figuur 12 toont een alternatieve uitvoering 58 van de cassette volgens de Figuur 10 en waarbij daarin op elkaar 5 liggende opvolgend toegevoerde platen 36.

Figuur 13 toont het verwijderen van de cassette 42 volgens de Figuur 10 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrich-ting 54 in de onderste positie ervan.

Figuur 14 toont voor zulk een semiconductor inrichting 44 10 de opname van zulk een verwijderbare zend-cassette 42 ten behoeve van het daaruit opvolgend toevoeren van een semiconductor plaat 36 en daarachter een ontvangst-cassette 40 ten behoeve van het tijdelijk opvolgend ontvangen van zulke behandelde semiconductor platen 36.

1039188

Claims (15)

1. Semiconductor installatie, met het kenmerk, dat deze bevattende een individuele folie-opslagrol in het begin- 5 gedeelte ervan en een aantal daaropvolgende individuele semiconductor behandelings-opstellingen onder andere onmid-deelijk achter deze f olie-opslagrol een eerste semiconductor tunnel-opstelling ervan en waarbij daarachter een aantal aanvullende semiconductor behandelings-inrichtingen, inclu-10 ding typisch een tweede tunnel-opstelling ten behoeve van tenminste de bewerkstelliging van individuele rechthoekige semiconductor platen voor in tenminste één volgende individuele semiconductor inrichting, welke al dan niet mede is opgenomen in deze installatie, door deling ervan de bewerkstelli-15 ging van semiconductor chips.

2. Installatie volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking van mede deze tweede tunnel-opstelling het daarin in het achter-gedeelte ervan 20 plaatsvinden van een opvolgende afsnijding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconductor plaat vanaf de volgende, zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.

3. Installatie volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, 25 dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes ten behoeve van het daarin tijdelijk opslaan van zulke opvolgend toegevoerde platen.

4. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met 30 het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door een aantal opvolgende delingen van zulk een plaat de bewerkstelliging van zulk een semiconductor chip.

5. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met 35 het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor uitvoeringen en middelen van de semiconductor installaties, - tunnel- 1 0 3 9 1 8 8 opstellingen, - inrichtingen en - chips, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde Nederlandse Octrooien.

6. Installatie volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, 5 dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarin de mogelijke toepassing van semiconductor inrichtingen, welke zyn opgenomen in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de 10 tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing- module .

7. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 6, met 15 het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven middelen tevens moge lijk toepasbaar zijn in de gelijktijdig ingediende andere Octrooi-aanvrage en in de toekomstig nog door de aanvrager in te dienen aanvullende Octrooi-aanvragen met betrekking op 20 semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen, - inrichtingen en - chips.

8. Werkwijze van de semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze bevattende een typisch individuele folie-opslagrol in het 25 begingedeelte ervan en een aantal daaropvolgende individuele semiconductor behandelings-opstellingen, waaronder onder andere onmiddellijk achter deze f olie-opslagrol een individuele semiconductor tunnel-opstelling ervan en waarbij daarachter een aantal aanvullende individuele semiconductor behandelings- 30 inrichtingen, daarmede tenminste de bewerkstelliging van individuele rechthoekige semiconductor platen ten behoeve van in tenminste één volgende individuele inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze installatie, door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

9. Werkwijze volgens de Conclusie 8, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het daarin in het achtergedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende afsnijding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconductor plaat vanaf de volgende, zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.

10. Werkwijze volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van uitwisselbare individuele 5 cassettes, het daarin tijdelijk opslaan van zulke opvolgend toegevoerde platen plaats vindt.

11. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij door een aantal opvolgende delingen van zulk een verder semiconductor behandelde plaat de bewerkstel- 10 liging van zulk een semiconductor chip.

12. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij eveneens de mogelijkheid bestaat van elke breedte en lengte van zulk een bewerkstelligde plaat, typisch minder dan 100 mm, daarbij ook de goedkoopste chips 15 met een papieren of kunststoffen onderlaag ervan kunnen worden bewerkstelligd.

13. Werkwijze volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat zoals daartoe de toepassing van cassettes voor het tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde platen en daartoe eveneens 20 een opslag-breedte en -lengte met zulk een minimale grootte ervan, daarbij de mogelijke verplaatsing van deze dunne platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuwkracht van een volgende gescheiden plaat.

14. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 25 kenmerk, dat zoals daarbij in verband met de enorme productie van zulke platen in zulk een tunnel-opstelling per tijdseenheid, met behulp van meerdere in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes van een semiconductor inrichting het aanbrengen van de benodigde electrische aansluitingen op zulke 30 platen plaats moet vinden, de toevoer van zulke geproduceerde platen ernaartoe geschiedt vanuit zulke cassettes.

15. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen van de omvangrijke semiconductor installaties, 35. tunnel-opstellingen en - inrichtingen ten behoeve van de vervaardiging van semiconductor chips, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde en ingediende andere Nederlandse Octrooi-aanvragen. 1039188