NL1039462C2 - Semiconductor tunnel-opstelling, waarbij in een sectie ervan de opname van een extreem ultra violet lithographie-systeem ten behoeve van met behulp van de euv-stralen het plaatsvinden van een belichtings-proces van opvolgende, daarin toegevoerde gedeeltes van een ononderbroken semiconductor substraat. - Google Patents

Description

Semiconductor tunnel—opstelling, waarbij in een sectie ervan de opname van een extreem ultra violet lithographie— systeem ten behoeve van met behulp van de EUV-stralen het plaatsvinden van een belichtings—proces van opvolgende, daarin 5 toegevoerde gedeeltes van een ononderbroken semiconductor substraat.

In de semiconductor tunnel—opstelling volgens de uitvinding onder toepassing van een ononderbroken semiconductor substraat 10 het in een daarin opgenomen typisch individuele inrichting de gebruikmaking van een reeds algemeen bekend EUV lithographie-systeem met een EUV stralen-opwekinrichting ten behoeve van tijdens de werking ervan het in de behandelings-kamer ervan ononderbroken onderhouden van een daartoe benodigd toereikend-15 hoge onderdruk van het in deze inrichting nog aanwezige gasvormig medium in combinatie met een tijdelyke stilstand van een zich daarin bevindend substraat-gedeelte.

In de bestaande EUV belichtingspatroon-opbrenginrichtingen onder de bewerkstelliging van een straalbundel met afmetingen 20 ervan als die van de mede daarmede bewerkstelligde semiconductor chip is voor de eronder gelegen wafer door verdraaiing van een erboven gelegen reflector-spiegel ervan daarbij typisch plaatselijk mede een mogelijke circa 40-tal opvolgende uiterst geringe verdraaiingen ervan.

25 Zulke heen- en teruggaande verdraaiingen zijnde benodigd ten behoeve van zulke opvolgende heengaande en vervolgens teruggaande verplaatsingen van deze straalbundel met typisch een tussengelegen verplaatsing in dwarsrichting ter grootte van tenminste de afmeting van zulk een chip.

30 Daarbij bevat zulk een bundel nanometer grote afmetingen van secties van zulk een belichtingspatroon.

In deze EUV belichtings-inrichting daarbij in plaats van zulke opvolgende individuele wafers de toepassing van een ononderbroken folie als een typisch definitieve onderlaag van 35 deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ervan en tenminste tijdelijk onder stilstand ervan bevindt ter plaatse van zulk een belichtings-inrichting.

In de bestaande semiconductor industrie vindt reeds door 1039462 2 een aantal semiconductor bedrijven en mede een Nederlands bedrijf de gebruikmaking van een belichtings-inrichting ten behoeve van het plaatsvinden van testen van een prototype van zulk een EUV belichtings-proces van de di-electrische 5 bovenlaag van een semiconductor wafer onder een zeer hoge onderdruk van de daarin nog aanwezige typisch lucht plaats.

Daarbij is zulk een prototype onder extreem hoge kosten vervaardigd.

Zulks onder de gebruikmaking van de inhoud van een groot 10 aantal geoctrooieerde inrichtingen en werkwijzen .met betrekking tot het plaatsvinden van een belichtings-proces met behulp van zulk een EUV belichtings-inrichting van opvolgende secties van zulk een wafer ter grootte van een semiconductor chip.

Zulk een belichtings-inrichting en de daarin toegepaste 15 semiconductor inrichtingen en werkwijzen onder toepassing van zulke te belichten secties van een wafer zijn in tenminste een 10-tal voorgaande jaren omschreven in zulke Octrooien en welke tevens in Nederland zijn bewerkstelligd.

Aldus mogen alle reeds geoctrooieerde inrichtingen en werk-20 wijzen van zulk een reeds bestaand EUV belichtings-inrichting onder toepassing van wafers worden toegepast voor de bewerkstelliging van zulk een nieuwe belichtings-inrichting.

Daardoor is zulk een verlichtings-inrichting in deze tunnel-opstelling met een groot aantal totaal afwijkende 25 opbouwen en werkwijzen te vervaardigen en zulks onder toepassing van mede deze bestaande inrichtingen en werkwijzen.

Tevens zijn geen probleem te verwachten in de vervaardiging van zulk een individuele belichtings-inrichting voor deze tunnel-opstelling met de vele voordelen ervan ten opzichte van 30 zulk een reeds bestaande belichtings-inrichting.

In deze nog verder door mede dit bedrijf te ontwikkelen belichtings-inrichting vindt daarbij nog steeds mede de noodzakelijke toepassing plaats van de combinatie van individuele semiconductor modules en - wafers.

35 Verder vindt met behulp van dit belichtings-proces opvolgend de belichting van slechts circa io millimeter brede belichtingspatroon-secties op deze di-electrische bovenlaag van zulk een wafer met een totale omvang ervan ter grootte 3 van een semiconductor chip plaats.

Het grote probleem bij de toepassing van zulk een belich-tings-proces voor opvolgende wafers onder zulk een zeer hoge onderdruk van het medium in deze inrichting is, dat aldus 5 tijdens het afvoeren van zulk een belichte wafer met behulp van een transfer-robot uit deze inrichting, deze inrichting geopend moet zijn onder het opheffen van zulk een hoge onderdruk .

Vervolgens moet met behulp van zulk een robot een nieuwe 10 wafer worden toegevoerd naar een uiterst nauwkeurige positie ervan in deze inrichting.

Daarna moet deze zeer grote belichtings-kamer van deze inrichting wederom worden afgesloten en moet vervolgens nagenoeg mede alle lucht opnieuw daaruit worden verwijderd.

15 Verder mede door de meerdere andere zeer ongunstige en tevens langdurige werkwijzen van zulk een inrichting is in dit prototype slechts de productie van circa een 6-tal belichte wafers per uur te bewerkstelligen.

Daarbij bevat een wafer met een diameter van 300 mm circa 20 600 geschikte belichtings-gedeeltes ervan ter grootte van een semiconductor chip, met aldus circa 3600 belichte chip-secties per uur, hetgeen reeds gebleken onvoldoende te zijn.

Zulk een gering aantal belichte chip-secties wordt verder veroorzaakt door de benodigde extreem gecompliceerde en 25 tijdrovende opvolgende verplaatsingen van deze straalbundel over zulk een wafer.

In de tunnel-opstelling de mogelijke geringe verplaatsings-snelheid van de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes van typisch slechts circa 1 mm per 30 seconde.

Bij een afmeting van zulk een chip van 10 mm aldus 10 seconden de tijd ten behoeve van de bewerkstelliging van zulk een typisch 20-tal opvolgende belichtingen ter grootte van deze chip-af meting , zijnde 20 chips per.seconde.

35 Aldus per uur de productie van 20x3600 = circa 72000 opvolgende belichtingen en toekomstig stellig op te voeren naar meer dan 100 000 belichtingen per uur.

Dientengevolgende is de productie—capaciteit van de belichte 4 chip-gedeeltes in deze inrichting van de tunnel-opstelling tenminste circa 20-voudig hoger.

Bij zulk een chip-breedte van 10 mm is deze typisch 2Q seconden beschikbaar ten behoeve van eveneens na zulk een 5 typisch 20-tal opvolgende belichtingen in één substraat- gedeelte in de lengterichting van deze tunnel typisch tijdelijk deze straalbundel onderbroken met behulp van de laatste zwenk-bare reflector-spiegel te leiden naar een volgende substraat-sectie in dwarsrichting ervan met vervolgens een herhaling van 10 zulk een verplaatsings-proces in de lengterichting.

Daartoe is een eenvoudige slot-opstelling noodzakelijk, welke echter reeds in deze bestaande EUV inrichting optimaal wordt toegepast.

Aldus is zulk een EUV straal-opwekinrichting tevens ideaal 15 geschikt voor opname ervan in deze tunnel-opstelling.

Zulk een slot-opstelling is reeds duidelijk aangegeven in de bestaande Figuren met betrekking tot deze inrichting.

De belichtings-inrichting in de tunnel-opstelling heeft tenminste mede een centraal rechthoekig belichtings-gedeelte 20 en waarbij tenminste de folie van zulke opvolgende substraat-gedeeltes zich in dwarsrichting ervan tot tenminste nagenoeg de beide dwarsuiteinden van het behandelings-gedeelte uitstrekt.

Daarbij typisch met behulp van de toegepast wordende opvolgende stromen transfer-medium in het ondertunnelblok het 25 tijdelijk onderhouden van een lineaire verplaatsing van mede deze folie en daarmede van deze opvolgende substraat-gedeeltes door deze tunnel-opstelling.

Verder wordt tenminste één opstaande zijwand van deze folie ter plaatse van tenminste deze belichtings-inrichting geleid 30 langs een daarmede corresponderend opstaand zijwand-gedeelte van de tunnel-doortocht.

Ook de op deze folie in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligd zijn van typisch mede een zachte di-electrische bovenlaag op een harde di-electrische laag.

35 Deze harde di-electrische laag strekt zich eveneens uit tot tenminste nabij de beide opstaande zijwanden van de tunnel-doortocht .

Aldus ter plaatse van zulk een belichtings-inrichting is 5 mede tijdens zulk een belichtings-proces deze centrale tunnel-doortocht continue in voldoende mate afgesloten van de buitenlucht en kan aldus in deze inrichting continue een extreem hoge onderdruk van de daarin nog aanwezige lucht worden onder-5 houden.

De reeds toegepast wordende belichtingsbron verschaft typisch tijdens de werking ervan continue zulk een begrensd buftdel belichtings-medium ter grootte van een chip.

Verder toont déze belichtings-inrichting een groot aantal 10 opvolgende reflectie-spiegels.

Een laatste reflectie-spiegel, welke typisch in hoogte-richting op een aanzienlijke afstand van deze te belichten wafer is gelegen en welke typisch verdraaibaar is, ontvangt de belichtings-bundel en belicht door opvolgende verdraaiingen 15 ervan opvolgende wafer-gedeeltes.

Bij deze tunnel-opstelling aldus de toepassing van een nagenoeg soortgelijke combinatie van een belichtings-inrichting en aantal reflectie-spiegels en de opvolgende belichtingen daarmede.

20 Daarbij ontvangt eveneens zulk een laatste ref lectie-spiegel eveneens continue zulk een belichtings-bundel en belicht daarmede opvolgende stripvormige substraat-gedeeltes zonder het aantasten van de op een voorgaand gedeelte bewerkstelligd belichtings-patroon.

25 Zulk een afgesloten belichtingskamer en waarin het aldus relatief langdurig onderbroken zijn van de verplaatsing erdoorheen van zulke opvolgende substraat-gedeeltes is mogelijk door het ontvangen van de daarmede bewerkstelligde vervorming van toet substraat-gedeelte achter deze belichtingskamer mede 30 met behulp van een stripvormige membraamsectie voor deze substraat-gedeeltes.

Zulks is eveneens reeds omschreven in de Nederlandse Octrooi-aanvrage no. 1037629 van de aanvrager met betrekking tot een stripvormige nokkenas-opstelling in een gedeelte van 35 eveneens een semiconductor tunnel-opstelling.

Aldus na zulk een typisch circa 21 seconden het in deze rechthoekige kamer ononderbroken plaatsvinden van belichting van de opvolgende secties van zulk een zich daarin bevindend 6 substraat-gedeelte in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan.

Na het vervolgens wederom opheffen van deze bewerkstelligde tijdelijke stilstand van zulk een rechthoekig substraat-5 gedeelte en vervolgens gelijktijdig afvoeren, ervan en toevoer van een volgende rechthoekige substraat-sectie onder gevuld houden van deze belichtings—kamer daarvan geschiedt vervólgens het wederom plaatsvinden van afsluiting van de in- en uitgang ervan.

10 Daarna vindt een herhaling van zulk een belichtings-proces voor dit nieuwe substraat-gedeelte in deze kamer plaats.

Zulke opvolgende belichtings—processen kunnen ononderbroken plaatsvinden en zulks typisch gedurende een zeer lange tijd, veelal een zeer groot aantal dagen.

15 Na afvoer uit deze stripvormige tunnel-sectie, bevattende zulk een belichtings-inrichting, van zulk een stripvormig belichtings—gedeelte, kan door een eventuele afsnijding ervan de bewerkstelliging van een rechthoekige plaat, bevattende „typisch circa 40x40 chip-secties, zijnde in totaal een 1600-tal 20 ervan.

Aldus een véle malen groter aantal belichte chip-secties voor deze plaat als voor zulk een wafer.

Daarbij tevens een mogelijk ideale tijdelijke opslag van zulke rechthoekige platen in een cassette, met in volgende semicon-25 ductor inrichtingen verdere benodigde opvolgende semiconductor behandelingen ervan.

Deze platen zijn dan opvolgend aansluitbaar op een volgende semiconductor inrichting ten behoeve van in de laatste inrichting door deling ervan de bewerkstelliging van een nieuwe 30 generatie van semiconductor chips,

Aldus tenminste de navolgende hoofd-voordelen van zulk een EUV-proces in zulk een EUV belichtings-inrichting, welke deel uitmaakt van een semiconductor tunnel-opstelling,ten opzichte van die in een individuele semiconductor inrichting en waarbij 35 de toepassing van individuele semiconductor wafers en welke deel uitmaakt van een uiterst omvangrijke semiconductor installatie, waarin nog wederom in een -groot aantal opvolgende individuele inrichtingen een zeer groot aantal opvolgende 7 semiconductor behandelingen moeten plaatsvinden in opvolgende semiconductor modules en zulks met een toe- en afvoer daarin en daaruit van zulk een wafer met behulp van eveneens transfer-robots: 5 1. Een aanzienlijk eenvoudiger EUV belichtings-inrichting met een circa 3-voudig lagere kostprijs ervan; 2. Geen noodzakelijke opname van zulk een inrichting in een gedeelte van zulk een uiterst kostbare semiconductor installatie met een circa 10-voudig hogere kostprgs ervan 10 als die van zulk een semiconductor tunnel-opstelling; 3. Een aanzienlijk minder groot personeels-bestand, met circa 10-voudig lagere kosten; 4. Een aanzienlijk hogere belichtings-snelheid, circa 3-voudig hoger; en 15 5. In deze inrichting wordt tijdens de werking ervan het continue onderhouden van een voldoend hoge onderdruk van typisch lucht in plaats van veelvuldig het opnieuw bewerkstelligen ervan.

Binnen het kader van de uitvinding is elke opbouw van deze 20 EUV belichtings-inrichting, welke reeds in 2005 door de Duitse firma Carl Zeiss SMI aan dit Nederlandse bedrijf is geleverd, mogelyk,

De tunnel-opstelling is verder zodanig uitgevoerd en bevat zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een belichtings-25 inrichting ervan de mogelijke toepassing van belichtings- inrichtingen of gedeeltes ervan, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en/of Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of 30 b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module of - installatie.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevat zodanige middelen, dat de daarin omschreven en aangegeven belichtings-inrichting tevens toepasbaar is in de semicon-35 ductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooiaanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevat deze zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een 8 belichtings-inrichting de toepasbaarheid van de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een tunnel-opstelling.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan 5 de hand van de in een aantal Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van de installatie-opbouw onder toepassing van zulk een EUV belichtings-systeem, welke echter binnen het kader van de uitvinding kunnen variëren.

Figuur 1 toont een semiconductor installatie onder toepas-10 sing van zulk een EUV belichtings-inrichting en waarin de opname van alle benodigde semiconductor inrichtingen ten behoeve van in de laatste inrichting ervan door deling van de daarin opvolgend ingebrachte rechthoekige semiconductor platen de bewerkstelliging van semiconductor chips.

15 Figuur 2 toont een gedeelte van de vanuit de folie-opslag-rol toegevoerde folie.

Figuur 3 toont achter de uitgang van de eerste daarin opgenomen semiconductor tunnel-opstelling het bewerkstelligd zijn van een di-electrische laag daarop.

20 Figuur 4 toont zeer sterk verkleind een reeds algemeen toegepast wordende extreem violet lithography-systeem ten behoeve met behulp van de daarin continue opgewekte EUV-stralen het plaatsvinden van een belichtings-proces van -een semiconductor wafer.

25 Figuur 4A toont daarbij sterk verkleind deze wafer na zulk een belichtings-proces en bevattende een groot aantal bruikbare belichtings—secties na verwijdering van de zeer vele niet bruikbaar gebleken belichtings-secties.

Figuur 5 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling en 30 waarbij in het boventunnelblok ervan het bevestigd zijn van het ondergedeelte van deze belichtings-inrichting, met het daarin tijdens de werking ervan onderhouden van een nagenoeg vacuum-conditie van het daarin aanwezige gasvormige medium.

De Figuren 5A tot en met 5^ tonen daarbij details van deze 35 tunnel-opstelling volgens de Figuur 5.

Figuur 6 toont in deze tunnel-opstelling met behulp van deze belichtings-inrichting het opvolgend in dwarsrichting belichten van opvolgende secties van zulk een zich eronder 9 bevindend substraat-gedeelte.

De Figuren 6^ tot en met óD tonen daarbij sterk vergroot de opvolgende phasen van dit belichtings-proces.

Figuur 7 toont een reeds belicht rechthoekig substraat-5 gedeelte, welke in een inrichting, die typisch is opgenomen in het gedeelte van deze tunnel-opstelling nabij de uitgang ervan wordt afgesneden vanaf een volgende rechthoekig substraat-gedeelte de bewerkstelliging van een individuele semiconductor plaat.

10 Figuur 8 toont een individuele wafer met een diameter van 300 mm, die reeds algemeen wordt toegepast en is belicht in een eveneens individuele belichtings-inrichting.

Figuur 9 toont zulk een belichte semiconductor plaat en waarbij deze met behulp van opvolgende stromen gasvormig 15 transfer-medium in het achtergedeelte van deze tunnel- opstelling en mede door een volgend zich verplaatsend substraat-gedeelte wordt verplaatst tot in een daarachter opgenomen ontvangst-cassette ten behoeve van een tijdelijke opslag erin.

20 Figuur 10 toont een toevoer-cassette en waaruit de afvoer van opvolgende semiconductor platen, die di-electrische aansluitingen bevatten.

Figuur 11 toont zeer sterk vergroot een semiconductor chip, welke zulke electrische aansluitingen bevat.

25 Figuur 12 toont achter de uitgang van de tweede tunnel- opstelling een verwijderbare cassette ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulk een rechthoekige semiconductor plaat en waarbij na het gevuld zijn van een sectie ervan daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen 30 ervan voor het vervolgens vullen van een volgende sectie ervan met zulk een plaat.

Figuur 13 toont het verwijderen van de cassette volgens de Figuur 12 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in de onderste positie ervan.

35 Figuur 1 toont voor de installatie 10 de rol-opstelling 12, bevattende de zeerlange typisch kunststoffen of papieren folie 14, zoals mede is aangegeven in de Figuur 2.

In het volgende gedeelte van deze installatie een eerste 10 semiconductor tunnel-opstelling 16 ten behoeve van het op het centrale semiconductor behandelings—gedeelte van deze folie 14 het bewerkstelligen van een ultra-vlakke di-electrische laag 18, hetgeen is aangegeven in de Figuur 3.

5 Achter deze eerste tunnel-opstelling 16 de daarop-volgende typisch gescheiden tweede semiconductor tunnel-opstelling 20.

Deze tunnel-opstelling bevat de op het boventunnelblok ervan gemonteerde stripvormige belichtings-inrichting 22.

Door deling van de opvolgende semiconductor substraat-10 gedeeltes 24 in het achtergedeelte 26 van deze tunnel-opstelling 20 de bewerkstelliging van de opvolgende individuele platen 28, Figuur 7, welke opvolgend worden toegevoerd naar de inrichting 30, bevattende mede een ontvangst-cassette 32. Figuur 12.

15 Vervolgens geschiedt de verwijdering van deze cassette 32 vanaf deze tunnel-opstelling 20 naar de inrichting 34, bevattende tevens de toevoer-cassette 36, en waarin het op deze plaat 28 aanbrengen van di-electrische aansluit-contacten 38 onder de bewerkstelliging van de platen 40, welke worden 20 opgenomen in een toevoer-cassette 36.

Vervolgens vindt in de inrichting 42 door deling van deze bewerkstelligde platen 40 het verkrijgen van de semiconductor chips 44.

Figuur 4 toont schematisch deze reeds bestaande belich-25 tings-inrichting 22 met daarin de toepassing van de straal-opwek-inrichting 46.

Daarbij via mede een aantal opvolgende spiegels 48, een reflector-spiegel 50 en de zwenkbare projectie-spiegel 52 het belichten van opvolgende secties van de wafer 54, welke 30 met behulp van een transfer-robot is toegevoerd naar de vervolgens tijdelijk afgesloten belichtings-ruimte 56.

Tijdens de werking van deze belichtings-inrichting wordt in deze ruimte continue een hoge onderdruk, nabij vacuum, onderhouden .

35 Deze wafer 54 maakt deel uit van een reeds bestaande en algemeen gebruikt wordende semiconductor installatie.

Figuur 4A toont daarbij voor zulk een wafer 54 een aantal opvolgend belichte stripvormige secties 58 met de grootte van 11 zulk een chip 44 in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan.

Figuur 5 toont een gedeelte van de tunnel-opstelling 16 en waarbij in het boventunnelblok 60 ervan het bevestigd zijn van het ondergedeelte van deze belichtings-inrichting 22, met 5 het daarin tijdens de werking ervan onderhouden van een nagenoeg vacuum-conditie van het daarin aanwezige gasvormige medium 62.

De Figuren 5A tot en met 5G tonen daarbij details van dit tunnel-opstellinggedeelte volgens de Figuur 5.

10 Figuur 5A toont daarbij sterk vergroot een bewerkstelligde tijdelijke stilstand van een zich daaronder bevindend semiconductor substraat-gedeelte 24 door het daarbij onderhouden van een aandruk-positie ervan op het ondertunnelblok 64 met behulp van een bewerkstelligde lagere druk van het gasvormige 15 medium 62 in mede de onder deze inrichting opgenomen druk-kamer 66.

Figuur SB toont na deze belichtings-inrichting in zowel de onderwand van het boventunnelblok 60 als in de bovenwand van het ondertunnelblok 64 de opname van een groot aantal opvol-20 gende stripvormige toevoergroeven 70 en afvoergroeven 72, welke zich uitstrekken in dwarsrichting ervan, ten behoeve van met behulp van gasvormig stuwmedium 62 tijdens het plaatsvinden van zulk een belichtings-proces het niet verplaatsen door de tunneldoorgang 74 van opvolgende substraat-gedeeltes 24.

25 Daarbij tenminste mede een zeer beperkte toe- en afvoer van dit gasvormige medium 62.

Figuur 5C toont een gedeelte van een inrichting, welke is opgenomen in de tunnel-opstelling 16 voor deze belichtings-inrichting 22, en waarbij daarin in het boventunnelblok 60 de 30 opname van een zich in dwarsrichting ervan uitstrekkende bovendrukkamer 78 en in het ondertunnelblok 64 de onderdruk-kamer 80.

Daarbij door een voldoend hoog drukverschil van het gasvormige medium 62 daarin het bewerkstelligen van een zodanig 35 aanzienlijk hogere druk van dit medium in deze bovendrukkamer78 ten opzichte van de druk van het medium in deze onderdruk-kamer 80, dat daardoor een zodanige grote neerwaartse druk-kracht op het zich ertussen bevindend substraat-gedeelte 12 wordt uitgeoefend, dat daardoor deze, drukt .op het oodertunnèl-blok-gedeelte 64 en typisch mede daardoor een tijdelijke stilstand van het ertussen bevindend substraat-gedeelte 24 wordt bewerkstelligd.

5 Daardoor het tevens bewerkstelligd zijn van een stilstand van het substraat-gedeelte 24 onder deze belichtings-ruimte 56,

Figuur 5D en sterk vergroot de Figuur 5E tonen in tunnel-opstelling 20 het tijdelijk bewerkstelligen van een verplaatsing van het belicht substraat-gedeelte 24 ondervandaan deze 10 belichtings-inrichting 22 na het daarmede hebben plaatsgevonden van de belichting van de vele te belichten secties van de zich eronder bevindende substraat-sectie 82 onder zulk een aangegeven tijdelijke stilstand ervan.

Figuur 5G toont daarbij voor de eveneens in de Figuur 5C 15 aangegeven inrichting door het in een voldoende mate hoog drukverschil van het gasvormige medium 62 in deze boven- en onder-kamer 78 en 80 het opheffen van de benedenwaartse druk-kracht op zulk een ertussen bevindende substraat-sectie 102 onder het bewerkstelligd zijn van deze tijdelijke substraat-20 verplaatsing ondervandaan deze belichtings-inrichting.

In verband met het niet mogen beschadigen van de belichte uiterst kwetsbare di-electrische bovenlaag moet tijdens het plaatsvinden van zulk een EUV belichtings-proces in de inrichting 22 en het verplaatsen van de belichte opvolgende sub-25 straat-gedeeltes vanuit dit belichtings-gedeelte een contact-vrije conditie van deze belichte bovenlaag gewaarborgd zijn.

Daartoe het onderhouden van een contact-vrije pm hoge boven-spleetsectie 74A tussen deze di electrische laag 18 van deze substraat-sectie 82 en het onderwand-gedeelte 68 van het 30 boventunnelblok 60 bn zulks ononderbroken ook mede.; tijclens zulk een in de Figuren 5B en 5F aangegeven stilstand en de verplaatsing van deze substraat-gedeeltes 24 voor, tijdens en na dit belichtings-proces.

Daarby mede het onderhouden van een gering hogere druk van 35 de opvolgende stromen gasvormig medium in deze opvolgende spleetsecties 74A tussen zulk een medium-afvoergroef 72 en de daarop—volgende medium—toevoergroef 70.

Daardoor wordt tevens een glij-conditie van zulk een 13 substraat-gedeelte 24 over het ondertunnelblok 64 onderhouden met behulp van de stromen gasvormig medium 62.

Daartoe bevatten mede deze folie 14, Figuur 1, een ultra vlakke onderwand ervan en het ondertunnelblok 64 een ultra 5 vlakke bovenwand.

Mede daardoor het tevens slechts benodigd zijn van een geringe stuwkracht-werking van deze opvolgende stromen gasvormig medium 62 ten behoeve van de verplaatsing van dit substraat-gedeelte 24 met behulp van de aangegeven geringe 10 overdruk van het gasvormige stuwmedium 62 in de bovenspleet-secties ten opzichte van de druk ervan in de eronder gelegen onderspleet-secties.

Tijdens het belichtings-proces van opvolgende te belichten chip—sectie van zulk een rechthoekige plaat van 30x30cm 15 zijn in dwarsrichting ervan tenminste een 30-tal opvolgende uiterst geringe zwenkingen van deze projectie-spiegel 52 per seconde te bewerkstelligen.

Zulks zijnde mogelijk door het reeds aangegeven zijn in recente semiconductor artikelen met betrekking tot zulk een EUV-20 belichtings-inrichting en waarbij de toepassing van wafers 54 met een diameter van 0 300 mm.

Daarbjj, dat toekomstig zelfs meer dan een 100-tal belichte wafers per uur mogelijk zullen zijn.

Verder is voor zulk een wafer een te belichten rechthoekig 25 oppervlak van tenminste 30x30 cm benodigd, met aldus per wafer een circa 900-tal belichtingen.

Aldus per uur .circa 90 000 belichte secties ter grootte van een semiconductor chip en aldus zijnde circa een 25-tal per seconde en is per wafer slechts circa 30 seconden benodigd 30 voor zulk een belichtings-proces ervan.

Daarbij door het opvolgend moeten toe- en afvoeren van opvolgende wafers naar en vanuit zulk een omvangrijke ruimte, bevattende de belichtings-inrichting en waarin tijdens het belichten het onderhouden van zulk een hoog vacuum, het telkens opnieuw 35 moeten bewerkstelligen van zulk een hoog vacuum-in deze ruimte en zulks onder een uitzonderlijk lange benodigde tijdsduur.

Aldus verklarend, dat tot nu toe het aangegeven zijn van slechts 6 belichte wafers per uur in zulk een reeds bestaande 14 belichtings-inrichting.

Daarbij is deze belichtings-periode van 6x30 seconden, zijnde totaal slechts 3 minuten per uur, te klein en werd recent nog zulk een EUV belichtings-inrichting ongeschikt geacht om 5 daarmede zulke circa 30 nanometer brede belichtings-sporen te bewerkstelligen.

Aldus is met de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van zulke individuele wafers zulk een uiterst belangrijke verkleining van de heden nog toegepast wordende 10 40 nanometer brede belichtings-sporen naar een 30 nanometer breedte ervan nog niet mogelijk.

Echter bg deze tunnel-opstelling 20 is zulk een belich-tings-proces in de belichtings-ruimte 56 ervan ideaal toepasbaar .

15 Daarbij geen probleem om zulk een benodigd hoog vacuum in deze belichtings-ruimte tijdens het belichtings-proces van een substraat-gedeelte 24 onder stilstand ervan te onderhouden.

Tevens kunnen zulke opvolgende circa 30-tal belichtingen in dwarsrichting van de tunnel-doorgang 74 plaatsvinden in 20 eveneens circa 1 seconde en vinden aldus alle benodigde belichtingen voor zulk een plaat-gedeelte 24/96 met een oppervlak van 30x30 cm in slechts circa 30 seconden plaats.

Daar zulk een belichtings-proces nagenoeg continue plaats vindt, aldus per uur de mogelijke belichting van tenminste een 25 100-tal van deze belichte plaat-gedeeltes.

Verder isvoor zulk een belichte wafer slechts circa een 400-tal geschikte belichtings-secties, terwijl elke belicht plaat-gedeelte circa 30x30*900 bruikbare belichte secties bevat-en aldus aanvullend nog circa een 2-tal hoger aantal 30 geschikte chip-secties voor zulk een plaat-gedeelte.

Aldus een circa 30-voudig hogere productie van belichte chip-gedeeltes in deze tunnel-opstelling 20.

De Figuren 6 en 6A tot en met 6D tonen in de tunnel-opstelling 22 het opvolgend in dwarsrichting ervan belichten 35 van opvolgende secties 88 van zulk een zich eronder bevindend rechthoekig substraat-gedeelte 24 met de grootte ervan van een individuele plaat 86.

Figuur 6 toont het nagenoeg geheel belicht zijn van dit 15 substraat-gedeelte 24.

Figuur 6A toont voor zulk een sectie 88 bij het starten van opvolgende belichtingen in dwarsrichting vanaf het in het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 90 van deze tunnel-5 opstelling 20 nabij gelegen opstaande zijwand-gedeelte 92: -ervan.

Figuur 6^ toont door typisch opvolgende uiterst geringe zwenkingen van de belichtings-inrichting 22, Figuur 4, daarbij het reeds plaats gehad hebben van zeer vele opvolgende belichtingen van zulke secties 88 van deze plaat 86 in dwarsrichting 10 van deze centrale tunnel-doorgang tot nabij de andere ópstaande zijwand 94 ervan en vervolgens na een volgende zijwaartse zwenking van deze projectie-spiegel 52, Figuur 4, het belichten van een volgend stripvormig gedeelte 96 van deze plaat 86.

Figuur 6C toont daarby na wederom een aantal opvolgende 15 zwenkingen van deze belichtings-inrichting het belichten van volgende secties 86 in dwarsrichting van deze plaat 86.

Figuur 6D toont nog door een laatste aantal opvolgende zwenkingen van deze spiegel het belichten van het laatste gedeelte van deze plaat 86 tot nabij het einde van de laatste 20 stripvormige sectie 98 ervan.

Tenminste één van de beide gedeeltes van de folie 14 in dwarsrichting ervan wordt geleid door het zich bevinden ervan tussen een daarmede corresponderend gedeelte van typisch het ondertunnelblok 64.

25 Na het compleet belicht zyn van dit rechthoekig substraat-gedeelte 24 als plaat 96 wordt deze spiegel 52 terug-gezwekt naar de begin-zwenkpositie ervan.

Deze Figuur toont tevens nog het plaatsvinden van zulk een belichtings-proces van dit substraat-gedeelte ha het al voor-30 gaand belicht zijn van een voorgaand substraat-gedeelte.

Daarbij het bewerkstelligd zijn van een voldoende tussenafstand tussen de opvolgende substraat—gedeeltes.

Figuur 7 toont een reeds belicht rechthoekig substraat-gedeelte 24 en waarbij door het in een niet aangegeven inrich-35 ting, welke is opgenomen in het eind gedeelte 100 van deze individuele tunnel-opstelling 20 nabij de uitgang ervan, plaats vinden van een afsnijding ervan vanaf zulk een volgend belicht substraat-gedeelte 24, de bewerkstelliging van een individuele 16 belichte plaat 98.

Verder in deze tunnel—opstelling 20 de reeds aangegeven 30-tal belichte secties van zulk een plaat in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan, zijnde in totaal 900 belichte 5 secties ervan.

Daarbij de toevoer ervan naar de ontvangst-cassette 32.

Toekomstig het mogelijk vergroten van zulk een plaat en dan typisch bevattende zelfs 40x40 belichte secties van zulk een plaat.

10 Figuur 8 toont zulk een individuele belichte wafer 54 met een diameter van 300 mm en welke reeds algemeen wordt toegepast en is belicht met behulp van zulk een individuele EUV belichtings-inrichting 22.

Daarbij het aangegeven zijn van de vele belichtings-gedeeltes 15 met de grootte ervan van een semiconductor chip 44, welk aantal echter zeer beperkt is door deze nagenoeg ronde vorm ervan.

Figuur 9 toont zulk een belichte en vervolgens afgevoerde plaat 98 en waarbij deze met behulp van opvolgende stromen gasvormig medium 62, Figuur 5, in het uitgangs-gedeelte 100 van 20 deze tunnel—opstelling 20 en mede door een volgende nog niet afgesneden substraat-gedeelte 82 wordt verplaatst tot in de daarachter opgenomen ontvangst-cassette 32 ten behoeve van een tijdelijke opslag ervan daarin.

Figuur 10 toont de toevoer—cassette 36 ten behoeve van het 25 opvolgend afvoeren daaruit van de belichte platen 98, waarbij de secties ervan tevens bevattende de electrische contacten 38.

Figuur 11 toont nog zeer sterk vergroot de chip 44, bevattende een eventueel benodigde sectie 102 rondom ervan, indien gewenst wordt, en tevens deze beide electrische contacten 38.

30 Zulk een chip is bewerkstelligd door opvolgende delingen van zulk een plaat 40, Figuur 1.

Figuur 12 toont achter de uitgang 100 van de tweede tunnel— opstelling 20 een verwijderbare ontvangst-cassette 32 ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulk een rechthoekige 35 plaat 96 en waarbij na het gevuld zijn van een sectie 104 ervan het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan voor het vervolgens vullen van een volgende sectie ervan met zulk een plaat.

17

Figuur 13 toont het verwijderen van deze cassette 32 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting 106 in de onderste positie ervan.

1039462

Claims (55)

1. Semiconductor tunnel-opstelling, zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals deze bevattende een stripvormige belichtingspatroon-opbrenginrichting onder toe- 5 passing daarin van een Extreem Ultra Violet Lithography-systeem met behulp van de daarin opgewekte EUV-stralen, het daarmede plaatsvinden van een belichtings-proces van opvolgende secties van een in een voorgaand gedeelte bewerkstelligde semiconductor belichtings-laag, welke zich uitstrekt in ten-10 minste dwarsrichting ervan.

2. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de door deze belich tings pa troon-opbrenginrich ting opgewekte stralen zich opvolgend in dwarsrichting ervan uitstrek- 15 ken tot tenminste nabij de beide dwars-uiteinden van het centrale tunneldoortocht-gedeelte van een zich eronder bevindend gedeelte van een ononderbroken semiconductor substraat met een zich eronder bevindend folie-gedeelte.

3. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voor- 20 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste tijdens zulk een belichtings-proces met behulp van zulk een belichtings-inrichting het onderhouden van een stilstand van het zich eronder bevindende semiconductor substraat-gedeelte. 25

4. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing daarin van tenminste één verplaatsings-inrichting ten behoeve van het in benedenwaartse richting verplaatst zijn van een substraat-30 gedeelte onder deze belichtings-inrichting tot tegen het eronder gelegen gedeelte van het ondertunnelblok van deze tunnel-opstelling onder een bewerkstelligde tijdelijke stistand ervan.

5. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 35 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een zeer lange folie, welke tijdens de werking ervan tijdelijk ononderbroken ernaartoe wordt toegevoerd vanaf een folie-opslagrol ten behoeve van het fungeren ervan als de 1039462 definitieve semiconductor onderlaag van de zich eveneens tijde— lijk erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat—gedeeltes .

6. Semiconductor tunnel—opstelling volgens de Conclusie 5, 5 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een uitwisselbare belichtings—inrichting zich mede opwaarts uitstrekt vanaf een bovenste montage-sectie van het boventunnelblok ervan.

7. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 6, 10 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het belichtings-compartiment van deze belichtings-inrichting een zeer hoge onderdruk nabij vacuum wordt onderhouden van het daarin aanwezige gasvormig medium.

8. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat daarbij met deze EUV belichtingsstraal-opwekinrichting tijdens de werking ervan het continue onderhouden van een belichtingsstraal met de afmetingen ervan ter grootte van een te belichten semiconductor chip.

9. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 8, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van opvolgende zwenkingen van deze belichtingsstraal de bewerkstelliging in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze tunnel-opstelling van een groot aantal naast elkaar gelegen belichte secties van het 25 zich eronder bevindend substraat-gedeelte met de grootte van een semiconductor chip.

10. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze stroken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan een breedte hebben van een aantal chips.

11. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat daarbij de breedte van zulk een strook in dwarsrichting ervan tenminste nagenoeg gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de centrale tunnel-doorgang.

12. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voor gaande Concusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een folie de toepassing van een zeer hoog-smeltende substantie als een definitieve ononbroken semiconductor onderlaag van de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit in tenminste één inrichting, welke typisch niet daarin is opge-5 nomen, door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

13, Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij een breedte van deze 10 folie, welke nagenoeg gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

14. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze

15. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voor gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste ter plaatse van zulk een belichtings-gedeelte ervan het onderhouden van een zodanig hoge aandrukkracht van de opvol- 25 gende folie-gedeeltes op een daarmede corresponderend gedeelte van de bovenwand van het ondertunnelblok, dat daarbij geen verplaatsing ervan geschiedt.

15 EUV belichtings-inrichting tenminste mede een constructieve opbouw ervan bevat, welke reeds algemeen wordt toegepast voor de bestaande EUV belichtings-inrichtingen ten behoeve van het daarmede in een belichtings-inrichting opvolgend belichten van secties van een bruikbaar gedeelte van een semiconductor chip.

16. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 30 uitgevoerd, dat daarbij zulk een belichtings-inrichting of een gedeelte ervan uitwisselbaar is.

17. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het kunnen veranderen 35 van het belichtingspatroon en daarmede het veranderen van de semiconductor configuratie van de in tenminste één inrichting achter de uitgang ervan door deling van deze opvolgende substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van een andere semiconductor chip-uitvoering.

18. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij ten 5 behoeve van het opbrengen van een belichtingspatroon ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan het bewerkstelligen van een micrometer hoge ets— gevoelige di-electrische bovenlaag, typisch GaAs, op de in een voorgaand gedeelte ervan opgebouwde relatief dikke di- 10 electrische laag onder een optimale vlakheid ervan.

19. Semiconductor tunnel-opstelling volgens dé Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbü na zulk een belich-tings-proces in een daarop-volgend stripvormig centraal semi- 15 conductor behandelings-gedeelte ervan het ononderbroken plaats vinden van een semiconductor ontwikkelings-proces van deze bovenlaag ten behoeve van het daarin opbouwen van een ets-patroon en in een volgend gedeelte het plaatsvinden van een typisch reactive ion etch (RIE) proces van deze laag en het 20 vervolgens vullen van de bewerkstelligde nanometer brede groeven met een metalen substantie.

20. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin 25 mede ten behoeve van zulk een belichtings-proces het tenminste mede onderhouden van het navolgende: a) een ultra vlakke bovenwand van het ondertunnelblok en de onderwand van het boventunnelblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte; 30 b) een ultra vlakke boven- en onderwand van deze folie, met een bepaalde hoogte ervan; en c) een ultra vlakke bovenwand van de opvolgende substraat-gedeeltes, typisch grotendeels een di-electrische laag.

21. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voor- 35 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door afsnijding van een aantal opvolgende substraat-gedeeltes in een inrichting, welke in het eind-gedeelte van deze opstelling is opgenomen in het boventunnelblok, vanaf de daarachter volgende substraat-gedeeltes, de bewerkstelliging van een individuele rechthoekige plaat, bevattende een groot aantal basis-chips in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan.

22. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking van tenminste één opslag-cassette ten behoeve van het tijdelijk opslaan van een groot aantal van zulke platen.

23. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 22, 10 met het kenmerk, dat daarbij zulk een cassette vervolgens in bij voorkeur een volgend gedeelte ervan fungeert als een toevoer-cassette ten behoeve van het in tenminste één inrichting achter de uitgang ervan opbrengen van een tweetal electrische aansluitingen op deze opvolgende basischips-gedeeltes van zulk 15 een plaat onder het vervolgens opslaan van zulke behandelde platen in een aantal volgende cassettes.

24. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat daarbij zulke opslag-cassettes tevens fungeren als toevoer-cassettes ten behoeve van het toevoeren 20 van zulke platen naar een aantal inrichtingen ten behoeve van door een aantal opvolgende delingen ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

25. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 25 uitgevoerd, dat daarbij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor inrichtingen van de vele semiconductor tunnel-opstellingen, welke reeds zijn vermeld in de vanaf 23 Juni 2009 door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een tunnel-opstelling.

26. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de mogelftke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor inrichtingen voor de combinatie van semiconductor behandelings-modules en - wafers, ook welke 35 reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing- module.

27. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat de daarin 5 aangegeven en omschreven inrichtingen tevens toepasbaar zijn in de tweetal gelijktijdig met deze aanvrage ingediende Octrooiaanvragen met betrekking tot een semiconductor installatie en - chip.

28, Werkwijze van een semiconductor tunnel-opstelling, met 10 het kenmerk, dat zoals daarbij daarin in tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van een belichtingspatroon-opbrenginrichting onder toepassing van een Extreem Ultra Violet Lithography systeem met behulp van de daarin opgewekte EUV-stralen, daarmede het plaatsvinden van 15 een belichtings-proces van opvolgende secties van een in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde te belichten semiconductor laag, welke zich uitstrekt in dwarsrichting ervan.

29. Werkwijze volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat daarbij de door deze belichtingspatroon-opbrenginrichting opge-20 wekte stralen zich opvolgend in dwarsrichting ervan uitstrekken tot tenminste nabij de beide dwars—uiteinden van het centrale tunneldoortocht-gedeelte van een zich eronder bevindend gedeelte van een ononderbroken semiconductor substraat met het zich eronder bevindend folie-gedeelte.

30. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste tijdens zulk een belichtings-proces met behulp van zulk een belichtings-inrichting het onderhouden van een stilstand van het zich eronder bevindend semiconductor substraat-gedeelte, 30

31, Werkwijze volgens de Conclusie 30, met het kenmerk, dat daarbij de toepassing daarin van tenminste één verplaatsings-inrichting ten behoeve van het in benedenwaartse richting verplaatst zijn van een substraat-gedeelte onder deze belichtings-inrichting tot tegen het eronder gelegen gedeelte van 35 het ondertunnelblok van deze tunnel-opstelling onder een bewerkstelligde stilstand ervan.

32. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een zeer lange folie, deze tijdens de werking van deze tunnel-opstelling tijdelijk ononderbroken vanaf een folie-opslagrol wordt toegevoerd naar deze tunnel-opstelling ten behoeve van het fungeren ervan als de definitieve semiconductor onderlaag van de zich even-5 eens tijdelijk erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeelte.

33. Werkwijze volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat daarbij zulk een uitwisselbare belichtings-inrichting zich mede opwaarts uitstrekt vanaf een montage-sectie van het boven- 10 tunnelblok.

34. Werkwijze volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat daarbij met deze EUV belichtingsstraal-opwekinrichting tijdens de werking ervan het continue onderhouden van een belichtings-straal met de afmetingen ervan ter grootte van een te belich- 15 ten semiconductor chip.

35. Werkwijze volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat daarbij in het belichtings-compartiment van deze belichtings-inrichting een hoge ^onderdruk nabij vacuum wordt onderhouden van het daarin aanwezige gasvormige medium.

36. Werkwijze volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van opvolgende zwenkingen van deze belich-tingsstraal de bewerkstelliging in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze tunnel-opstelling van een groot aantal naast elkaar gelegen belichte secties van het zich eronder 25 bevindend substraat-gedeelte met de grootte van een semiconductor chip.

37. Werkwijze volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat daarbij de belichting plaats vindt van stroken in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze tunnel-opstelling, welke 30 een breedte hebben van een aantal chips.

38. Werkwijze volgens de Conclusie 37, met het kenmerk, dat daarbij de breedte van zulk een belichte strook in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling tenminste nagenoeg ge lijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings- 35 gedeelte van de centrale tunnel-doorgang.

39. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een folie de toepassing van een zeer hoog-smeltende substantie als een definitieve ononderbroken semiconductor onderlaag van de opvolgende, zich door deze tunnel-opstelling verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltesf waaruit in een inrichting, welke al dan niet daarin is opgenomen, door deling ervan de be-5 werkstelliging van semiconductor chips.

40. Werkwijze volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat daarbij een breedte van deze folie, welke nagenoeg gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeel-te van deze tunnel-opstelling.

41. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze EUV belichtings-inrichting tenminste mede de vele werkwijzen bevat, welke reeds algemeen worden gebruikt voor de bestaande EUV belichtings-inrichtingen ten behoeve van het daarmede opvolgend belichten van secties van een 15 bruikbaar gedeelte van een semiconductor wafer.

42. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in. zulk een tunnel-opstelling tenminste ter plaatse van zulk een belichtings-gedeelte ervan het onderhouden van een mechanisch contakt van de opvolgende folie- 20 gedeeltes met een daarmede corresponderend gedeelte van de bovenwand van het ondertunnelblok.

43. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het kunnen veranderen van het belichtings-patroon en daarmede het veranderen van de semiconductor confi- 25 guratie van de in tenminste één inrichting achter de tunnel-uitgang door deling van deze opvolgende substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van een andere semiconductor chip-uitvoering.

44. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusiés, .met hét 30 kenmerk, dat daarbij ten behoeve van het opbrengen van een belichtings-patroon ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel het bewerkstelligen van een micrometer hoge ets-gevoelige di-electrische bovenlaag, typisch GaAs, op de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebouw-35 de relatief dikke di-electrische laag onder een optimale vlakheid ervan.

45. Werkwijze volgens de Conclusie 44, met het kenmerk, dat daarbij na zulk een belichtings-proces in een daarop-volgend stripvormig centraal semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor ontwikkelings-proces van deze bovenlaag ten behoeve van het daarin opbouwen van een ets-patroon en in een 5 volgend gedeelte het plaatsvinden van een typisch reactive ion etch (RIE) proces van deze laag.

46 Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de tunnel-opstelling mede ten behoeve van zulk een belichtings-proces het tenminste mede onderhouden 10 van het navolgende: a) een ultra vlakke bovenwand van het ondertunnelblok en de onderwand van het boventunnelblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte; b) een ultra vlakke boven- en onderwand van deze folie, met 15 een bepaalde hoogte ervan; en c) een ultra vlakke bovenwand van de opvolgende substraat-gedeeltes, typisch grotendeels een di-electrische laag

47. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij door afsnijding van een aantal opvolgende 20 substraat-gedeeltes in een inrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok van deze tunnel-opstelling in het eind-gedeelte van deze opstelling, vanaf de daarachter volgende substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van een individuele plaat, bevattende een groot aantal basis-chips in zowel de 25 lengte- als dwarsrichting ervan.

48. Werkwijze volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking van tenminste één opslag-cassette ten behoeve van het tijdelijk opslaan daarin van een groot aantal van zulke platen.

49. Werkwijze volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat daarbij zulk een cassette vervolgens in een volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling fungeert als een toevoer-cassette ten behoeve van het in tenminste één inrichting het opbrengen van een tweetal electrische aansluitingen op de opvolgende 35 basischips-gedeeltes van zulk een plaat onder het vervolgens opslaan van zulke behandelde platen in een aantal volgende cassettes.

50. Werkwijze volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat daarbij zulke opslag-cassettes fungeren als toevoer-cassettes ten behoeve van het toevoeren van zulke platen naar een aantal inrichtingen ten behoeve van door opvolgende delingen ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

51. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies 48, 49 of 50, met het kenmerk, dat deze inrichtingen zich daarbij mogelijk bevinden in een andere semiconductor behandelings-ruimte apart van deze ruimte, bevattende tenminste mede deze tunnel-opstellingen.

52. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen van de tunnel-opstelling, welke al zijn vermeld in de vanaf 23 Juni 2009 door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

53. Werkwijze volgens de Conclusie 52, met het kenmerk, dat daarbij de mogelijke werkwijzen van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor inrichtingen voor de combinatie van semiconductor behandelings-modules en - wafers, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding 20 in de tekst van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .

54. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 25 kenmerk, dat daarby deze omschreven werkwijzen van deze tunnel- opstelling tevens toepasbaar zijn in de tweetal gelijktijdig met deze aanvrage ingediende Octrooi-aanvragen met betrekking tot een semiconductor installatie en - chip.

55. Werkwijze volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat 30 daarbij de werkwijzen, welke zyn vermeld in deze tweetal gelijk- tijdig ingediende Octrooi-aanvragen, tevens toepasbaar zijn in deze tunnel-opstelling. 1039462