TWI460305B - 化學水浴法鍍膜設備 - Google Patents

化學水浴法鍍膜設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI460305B
TWI460305B TW099145761A TW99145761A TWI460305B TW I460305 B TWI460305 B TW I460305B TW 099145761 A TW099145761 A TW 099145761A TW 99145761 A TW99145761 A TW 99145761A TW I460305 B TWI460305 B TW I460305B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cover
water bath
coating
chemical water
cover plate
Prior art date
Application number
TW099145761A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201221690A (en
Inventor
Wei Tse Hsu
Chung Wen Lan
Yi Song Luo
Original Assignee
Ind Tech Res Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ind Tech Res Inst filed Critical Ind Tech Res Inst
Priority to TW099145761A priority Critical patent/TWI460305B/zh
Publication of TW201221690A publication Critical patent/TW201221690A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI460305B publication Critical patent/TWI460305B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C3/00—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material
    • B05C3/18—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material only one side of the work coming into contact with the liquid or other fluent material

Description

化學水浴法鍍膜設備
本發明係有關於一種鍍膜設備，且特別是有關於一種化學水浴法(chemical bath deposition,CBD)鍍膜設備。
近年來由於受到全球氣候變遷、環境污染問題以及資源日趨短缺的影響，在環保意識高漲與能源危機的警訊下刺激了太陽光電產業的蓬勃發展。於各種太陽能電池中，由於硒化銅銦鎵電池(Cu(In,Ga)Se2 ,CIGS)具備高轉換效率、穩定性佳、低材料成本、可製成薄膜等優點，因此受到極大的重視。
於硒化銅銦鎵電池(Cu(In,Ga)Se2 ,CIGS)中，緩衝層(buffer layer)扮演重要的角色，其除了提供n型材料外，亦可保護吸收層，因此，製作出品質優異的緩衝層將有助於提高CIGS電池的光電轉化效率(photoelectric conversion efficiency)。
緩衝層之製作方式包括濺鍍(sputter)、真空蒸鍍(vacuum evaporation)、化學水浴法(chemical bath deposition,CBD)、熱裂解(spray pyrolosis)等，其中化學水浴法(CBD)因製程簡單、設備價格低，因此為最常使用之方法。然而，化學水浴法(CBD)的製程會消耗大量的化學藥品，且會製造大量的廢液。
請參見第1圖，此圖顯示習知的化學水浴法(CBD)鍍膜設備10，其包括一坩堝11，一上蓋板12與複數個欲鍍膜之基板13，由於基板13垂直地設置於坩堝11中，因此，基板3上下位置的鍍膜會呈現不均勻，再者，此鍍膜設備10需要使用大量的鍍液，且於鍍膜結束後，需要清洗坩堝11。
因此，業界極需提出一種化學水浴法(CBD)之鍍膜設備，此設備可以減少化學藥品的使用量，且製程簡單。
本發明提供一種化學水浴法(chemical bath deposition)鍍膜設備，包括：一第一蓋板與一第二蓋板，其中該第一蓋板與該第二蓋板係對應設置，且該第一蓋板具有至少兩個孔洞(hole)；以及一間隙物(spacer)，設置於該第一蓋板與該第二蓋板之間，其中由該第一蓋板、該第二蓋板與該間隙物構成一鍍膜空間。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
請參見第2圖，本發明提供一種化學水浴法(chemical bath deposition)鍍膜設備20，主要由第一蓋板21、第二蓋板22與間隙物(spacers)23所組成，其中第一蓋板21與第二蓋板22係對應設置，且由第一蓋板21、第二蓋板22與間隙物23構成一鍍膜空間25。
此外，為了提高第一蓋板21與第二蓋板22之密封度，第一蓋板21或第二蓋板22之邊緣具有一凹槽(圖中未顯示)，凹槽有助於將間隙物23鑲嵌於第一蓋板21或第二蓋板22之邊緣，以使第一蓋板21、第二蓋板22與間隙物23所構成之鍍膜空間25可填充溶液(亦可稱為鍍液)，以避免溶液滲流(leaking)。而凹槽之形狀包括圓形、方形或不規則形狀，凹槽之形狀可依據實際應用之需求進行調整，並不限於上述提及之形狀。
第一蓋板21之作用在於避免溶液因揮發而減少，且第一蓋板21具有至少兩個孔洞(hole) 24，其中一個孔洞24a作為鍍液進料孔洞(inlet)，另一孔洞24b作為鍍液出料孔洞(outlet)。當鍍液從進料孔洞注入時，開啟出料孔洞以平衡壓力，以助於溶液從進料孔洞注入。孔洞24之直徑一般為約3-5 mm，此直徑不宜過大，以避免鍍液因蒸發而影響鍍膜品質。
第一蓋板21之材質需具有抗腐蝕、抗酸鹼的功能，例如鋁合金、玻璃、石英、氧化鋁或高分子材質，其中高分子材質例如聚氯乙烯(Poly Vinly Chloride,PVC)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene,PTFE)或聚丙烯(Poly propylene,PP)。於一較佳的實施例中，使用聚四氟乙烯(PTFE)作為第一蓋板21，因為聚四氟乙烯(PTFE)之表面能非常小，因此溶液中的粒子不利於形成於其上，因此鍍膜結束後，容易清洗聚四氟乙烯(PTFE)。
此外，第一蓋板21亦對第二蓋板22提供一壓力，此壓力可避免鍍液滲露(leaking)，以提高第一蓋板21與第二蓋板22之密合性(seal-tightness)。
第二蓋板22可以是欲鍍膜之基板，其材質包括一玻璃基板、不銹鋼基板或聚亞醯胺(polyimide,PI)基板。再者，亦可於第一蓋板21之內表面上設置另一欲鍍膜之基板，此時，若第二蓋板22亦放置一欲鍍膜之基板，則可同時鍍兩片基板。此處需注意的是，鍍膜基板可以是第二蓋板或另外設置於第一蓋板之上，本領域人士可依據實際應用之需求作調整，然而，鍍膜基板之放置位置並不以此為限，各種鍍膜基板之設計變化皆在本發明所保護之範圍內。
間隙物23之作用在於使第一蓋板21與第二蓋板22之間可以密合，間隙物23之材質需具有彈性、抗酸鹼與低表面能(low surface energy)的功能，其材質包括橡膠(rubber)、矽膠(silicone)或聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene,PTFE)。於一較佳實施例中，使用直徑為約60 mm~200 mm，厚度為約2 mm~15 mm的O型橡膠密封圈(簡稱O-ring)作為間隙物。
此處需注意的是，本發明鍍膜溶液之高度取決於間隙物23之高度，而間隙物23之高度為約2-10 mm，因此，可有效地減少溶液的使用量，以減少廢液的產生。
請參見第3圖，本發明之化學水浴法(chemical bath deposition)鍍膜設備20尚包括一加熱器26，設置於第二蓋板22之下。於另一實施例中，若第一蓋板21之內表面上設置另一欲鍍膜之基板，則加熱器可設置於第一蓋板之上。加熱器26之作用在於提供鍍膜時所需之溫度，加熱器26可以是一般習知之加熱器或者是可提供熱源之物質，例如可將熱傳導係數高的材質(如不銹鋼或銅塊)泡入熱水中，待溫度穩定後取出作為熱源。
此處需注意的是，由於第二蓋板22本身可以是欲鍍膜之基板，因此將加熱器26直接設置於第二蓋板22之下，鍍膜時係直接加熱基板，相較於習知技術(直接加熱溶液)，除了節省能源外也縮短鍍膜的時間。
此外，第一蓋板21內亦可包括一磁性物質，當第一蓋板21置於加熱器26之上時，第一蓋板21中的磁性物質會吸引加熱器26，因此可提供壓力，以增加第一蓋板21與第二蓋板22之間的密封性，更可有效避免溶液滲露的問題。
此外，本發明之化學水浴法(chemical bath deposition)鍍膜設備尚包括一搖晃設備27，請參見第3圖，搖晃設備27可直接設置於加熱器26之下，或者於另一實施例中，此加熱搖晃設備27可直接設置於第二蓋板22之下。於又一實施例中，亦可設置兼具搖晃功能與加熱功能之設備於第二蓋板22之下。搖晃設備27可以以順時針旋轉(forward spin)、逆時針旋轉(reverse spin)、震動(shaking)、自轉(rotation)或公轉(revolution)的方式轉動，用以提高鍍膜之均勻性。
本發明提供另一實施例，請參見第4圖，此實施例與第2圖之差別在於，第4圖中之第一蓋板21的外部邊緣(outer edge)具有一延伸部分(extension portion) 21a，其中延伸部分21a接觸間隙物23，延伸部分21a具有長度L與寬度D，延伸部分21a之長度L可視所需鍍液之高度而調整，而延伸部分21a之寬度D也可依照間隙物23之大小而調整，若使用較小的間隙物23時，可減少間隙物23與第一蓋板21或第二蓋板23之接觸面積，因此，可提高第一蓋板21與第二蓋板23之間的密封性。
鍍膜的過程中，首先將鍍液從孔洞24中注入，之後藉由控制鍍膜的時間與溫度，得到想要的膜厚，接著，於鍍膜結束後，可從孔洞24a中通入空氣、氬氣、氮氣或去離子水，以清洗第一蓋板21與第二蓋板23，清洗過程所產生的廢液則從另一孔洞24b中排出，此清洗過程簡單，能減少製程成本。
除上述鍍膜步驟外，於鍍膜之前尚可以特定化學物質清洗基板表面或改變基板表面之化學組成。例如，於製作CIGS太陽能電池之緩衝層(buffer layer)之前，可使用溴水(bromine water)蝕刻以改變基板表面型態(surface morphology)，或使用氰酸鉀(potassium cyanate,KCN)浸泡以改變基板表面化學組成，然而溴水和氰酸鉀皆為劇毒物質，透過本發明之鍍膜設備將毒化物質侷限於區域空間中，可大幅減少毒化物使用量。
此處需注意的是，於習知技術中，通常使用坩堝承載鍍液，因此，鍍膜除了形成於基板外，亦會形成於坩堝上，所以，每次鍍膜結束後，都要清洗坩堝。而本發明藉由第一蓋板、第二蓋板與間隙物之特殊設計，可以不需使用坩堝，鍍膜大多數會形成於欲鍍膜之基板上(如第二蓋板)，因此，可有效提高鍍液使用率，進而減少鍍液之使用量，且不需額外複雜清洗坩堝的製程。
綜上所述，本發明提供之化學水浴法(CBD)鍍膜設備具有下述優點：
(1)　利用第一蓋板、間隙物與第二蓋板之設計，可有效提高鍍液使用率，進而減少鍍液之使用量，並減少廢液之產生。
(2)　可直接加熱於欲鍍膜之基板，除了節省能源外也縮短鍍膜的時間。
(3)　由於不需使用坩堝，可簡化清洗的過程，節省製程時間及成本。
【實施例】
實施例1
鍍液之配方：0.00185 M的硫酸鎘(Cadmium sulfate,CdSO4 )、1.5 M的氨水(ammonia,NH4 OH)、0.075 M的硫脲(thiourea,(NH2 )2 CS)。
鍍膜之設備請參見第3圖，其中第二蓋板22之面積為50 cm2 ，間隙物23之直徑為約80 mm，間隙物23之厚度為約6 mm，溶液之高度為約3 mm。
鍍膜流程：
(1)　將第二蓋板(材質為玻璃基板)22置於加熱器26上；
(2)　將間隙物23與第一蓋板21(材質為聚四氟乙烯(PTFE)覆蓋於第二蓋板22之上；
(3)　將鍍液經由孔洞24注入鍍膜空間25中；
(4)　開始鍍膜，於70℃下進行鍍膜，鍍膜時間為約20分鐘，可得到硫化鎘(CdS)膜厚為約80 mm，鍍膜時間為約40分鐘，可得到硫化鎘(CdS)膜厚為約100 nm。
(5)鍍膜結束後，從進料孔洞24a中通入去離子水，從出料孔洞24b中排出廢液，以清洗鍍膜設備20。
實施例2
實施例2 與實施例1 之鍍膜設備大致上相同，差別在於實施例2 增加一搖晃設備27(詠欣(YSC. Company)orbital shaker ts-500)。
第5A、5B圖分別顯示實施例1(無搖晃設備)與實施例2(有搖晃設備)於70℃鍍膜30分鐘後之鍍膜表面圖，兩圖相比，第5B圖(實施例2)鍍膜表面比第5A圖(實施例1)鍍膜表面更為均勻(uniform)，另外於第5C、5D圖分別為第5A、5B圖之顯微鏡圖(放大倍率100倍)，由圖中可觀察到實施例1之鍍膜表面有些許的孔洞(hole)，而實施例2之鍍膜表面相當平滑(smooth)，由此可知，鍍膜設備另外搭配搖晃設備時，更可提高鍍膜之品質。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．化學水浴法(CBD)鍍膜設備
11．．．坩堝
12．．．上蓋板
13．．．基板
20．．．化學水浴法(CBD)鍍膜設備
21．．．第一蓋板
22．．．第二蓋板
23．．．間隙物
24．．．孔洞
24a．．．進料孔洞
24b．．．出料孔洞
25．．．鍍膜空間
26．．．加熱器
27．．．搖晃設備
第1圖為一剖面圖，用以說明習知的化學水浴法鍍膜設備。
第2~3圖為一系列剖面圖，用以說明本發明一實施例的化學水浴法鍍膜設備。
第4圖為一剖面圖，用以說明本發明另一實施例的化學水浴法鍍膜設備。
第5A-5B圖為鍍膜表面圖，用以說明依據本發明之鍍膜設備所製得之薄膜。
第5C-5D圖為顯微鏡圖，用以說明依據本發明之鍍膜設備所製得之薄膜。
20．．．化學水浴法(CBD)鍍膜設備
21．．．第一蓋板
22．．．第二蓋板
23．．．間隙物
24．．．孔洞
24a．．．進料孔洞
24b．．．出料孔洞
25．．．鍍膜空間

Claims (20)

  1. 一種化學水浴法/chemical bath deposition鍍膜設備，包括：一第一蓋板與一第二蓋板，其中該第一蓋板與該第二蓋板係對應設置，該第二蓋板為一欲鍍基板，且該第一蓋板具有至少兩個孔洞(hole)；一間隙物(spacer)，設置於該第一蓋板與該第二蓋板之間，其中由該第一蓋板、該第二蓋板與該間隙物構成一鍍膜空間，且該第二蓋板在鍍膜期間為水平地設置，並且在鍍膜製程完成之後，該第二蓋板可自該第一蓋板下方移開；以及一加熱器，其中該加熱器設置於該第二蓋板之下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，尚包括一搖晃設備，設置於該加熱器之下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，尚包括一搖晃設備，設置於該第二蓋板之下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第一蓋板或該第二蓋板之邊緣具有一凹槽(groove)，且該間隙物係設置於該凹槽中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第一蓋板之材質包括鋁合金、玻璃、石英、氧化鋁或高分子材質。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該高分子材質包括聚氯乙烯(Poly Vinly Chloride,PVC)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene,PTFE)或聚丙烯 (Poly propylene,PP)。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該凹槽之形狀包括圓形、方形或不規則形狀。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第一蓋板內尚包括一磁性物質。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該間隙物之材質包括橡膠(rubber)、矽膠(silicone)或聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene,PTFE)。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第二蓋板之材質包括玻璃基板、不銹鋼基板或聚亞醯胺(polyimide,PI)基板。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該至少兩個孔洞設置於該間隙物之間的該第一蓋板內，且包括一第一孔洞用以接收鍍膜用之一溶液，以及一第二孔洞用以排出該溶液。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，尚包括於該第一蓋板之內表面上設置另一欲鍍基板。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該間隙物環設於該第一蓋板周圍，並與該第二蓋板接觸，以使該第一蓋板、該間隙物及該第二蓋板形成該鍍膜空間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第一蓋板具有一重量，且藉由該第一蓋板的重量將該間隙物與該第二蓋板密封，以使該第一蓋板、該間隙物及該第二蓋板形成該鍍膜空間。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該間隙物為該鍍膜空間的一側壁或該側壁的一部分。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第一蓋板並未接觸該第二蓋板。
  17. 如申請專利範圍第1至16中任一項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第一蓋板之外部邊緣(outer edge)具有一延伸部分(extension portion)，其中該延伸部分接觸該間隙物。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該延伸部分及該間隙物為該鍍膜空間的該側壁。
  19. 如申請專利範圍第1至16中任一項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第一蓋板為該鍍膜空間的一頂壁，該間隙物為該鍍膜空間的該側壁，且該第二蓋板為該鍍膜空間的一底壁。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之化學水浴法鍍膜設備，其中該第一蓋板包括一平面蓋板。
TW099145761A 2010-11-30 2010-12-24 化學水浴法鍍膜設備 TWI460305B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099145761A TWI460305B (zh) 2010-11-30 2010-12-24 化學水浴法鍍膜設備

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW99141425 2010-11-30
TW099145761A TWI460305B (zh) 2010-11-30 2010-12-24 化學水浴法鍍膜設備

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201221690A TW201221690A (en) 2012-06-01
TWI460305B true TWI460305B (zh) 2014-11-11

Family

ID=46125781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099145761A TWI460305B (zh) 2010-11-30 2010-12-24 化學水浴法鍍膜設備

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8539907B2 (zh)
TW (1) TWI460305B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7829152B2 (en) * 2006-10-05 2010-11-09 Lam Research Corporation Electroless plating method and apparatus
DE102004032659B4 (de) * 2004-07-01 2008-10-30 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum chemischen oder elektrolytischen Behandeln von Behandlungsgut sowie die Verwendung der Vorrichtung
TW201251094A (en) * 2011-06-07 2012-12-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Electrode of dye-sensitized solar cells manufacturing equipment
US9752231B2 (en) * 2012-05-11 2017-09-05 Lam Research Corporation Apparatus for electroless metal deposition having filter system and associated oxygen source
TWI580061B (zh) * 2014-10-23 2017-04-21 亞智科技股份有限公司 化學濕製程方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5681391A (en) * 1996-02-29 1997-10-28 Xerox Corporation Immersion coating apparatus
US5725667A (en) * 1996-03-01 1998-03-10 Xerox Corporation Dip coating apparatus having a single coating vessel

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1427877A (en) * 1921-04-25 1922-09-05 Weeks Photoengraving Company I Process and apparatus for electrical etching
NL7316245A (nl) * 1973-10-04 1975-04-08 Galentan Ag Werkwijze voor het selectief aanbrengen van een llaag op de door een isolerend lichaam ge- e metaaldelen van electrische bouwelementen.
JPS5316327A (en) * 1976-07-30 1978-02-15 Asahi Glass Co Ltd Ultrasonic molten plating method
AU525294B2 (en) * 1979-07-09 1982-10-28 Mitsubishi Rayon Company Limited Dip coating
US4755273A (en) * 1986-01-02 1988-07-05 Bassett I Jay Cover for coating tanks
US4750977A (en) * 1986-12-17 1988-06-14 Bacharach, Inc. Electrochemical plating of platinum black utilizing ultrasonic agitation
US5052812A (en) * 1990-11-19 1991-10-01 New Brunswick Scientific Co., Inc. Bath shaker
GB2281309B (en) * 1993-08-27 1997-04-23 Boc Group Plc A method of galvanising
DK0792391T3 (da) * 1994-11-15 1999-04-12 Siemens Sa Apparat til elektrolytisk behandling af pladeformede materialeemner, især printplader
JP4421686B2 (ja) * 1996-06-24 2010-02-24 インテルウニフェルシテール ミクロエレクトロニカ セントルム フェライニジンク ゾンダ ウィンストベヤーク 平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングするための装置および方法
JPH1043652A (ja) * 1996-08-07 1998-02-17 Fuji Xerox Co Ltd 浸漬塗布方法および浸漬塗布装置
US5830805A (en) * 1996-11-18 1998-11-03 Cornell Research Foundation Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition
JP3043319B2 (ja) * 1998-09-25 2000-05-22 栄電子工業株式会社 連続メッキ装置
US6153064A (en) * 1998-11-25 2000-11-28 Oliver Sales Company Apparatus for in line plating
US6217735B1 (en) * 1999-05-19 2001-04-17 Reynolds Tech Babricators, Inc. Electroplating bath with megasonic transducer
DE19934300C2 (de) * 1999-07-21 2002-02-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
AU772539B2 (en) * 1999-07-29 2004-04-29 Kaneka Corporation Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus
TW510807B (en) * 1999-08-31 2002-11-21 Kobe Steel Ltd Pressure processing device
US6527920B1 (en) * 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
US6858121B2 (en) * 2000-08-10 2005-02-22 Nutool, Inc. Method and apparatus for filling low aspect ratio cavities with conductive material at high rate
US6528117B2 (en) * 2001-01-19 2003-03-04 Paul Lewis Method for coating a substance on one side of a substrate using a single miniscus
JP4010536B2 (ja) * 2001-03-02 2007-11-21 株式会社リコー 塗工方法、塗工装置及び該塗工方法によって作成された電子写真感光体、画像形成方法並びに画像形成装置
US6846519B2 (en) * 2002-08-08 2005-01-25 Blue29, Llc Method and apparatus for electroless deposition with temperature-controlled chuck
US7204918B2 (en) * 2003-03-10 2007-04-17 Modular Components National, Inc. High efficiency plating apparatus and method
EP1668174A2 (en) * 2003-10-02 2006-06-14 Ebara Corporation Plating method and apparatus
US6962626B1 (en) * 2004-05-28 2005-11-08 Xerox Corporation Venting assembly for dip coating apparatus and related processes
US7829152B2 (en) * 2006-10-05 2010-11-09 Lam Research Corporation Electroless plating method and apparatus
DE102005009024B4 (de) * 2005-02-28 2010-09-30 Advanced Micro Devices Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum Steuern einer vertikalen Substratposition in einem elektrochemischen Prozess zur Herstellung von mikrostrukturierten integrierten Schaltungen
KR101281165B1 (ko) * 2006-02-08 2013-07-02 삼성전자주식회사 대류 정렬을 이용한 나노입자의 배열방법 및 그에 적용되는대류 정렬 장치
WO2007121383A2 (en) 2006-04-13 2007-10-25 Solopower, Inc. Method and apparatus to form thin layers of materials on a base
US7541067B2 (en) 2006-04-13 2009-06-02 Solopower, Inc. Method and apparatus for continuous processing of buffer layers for group IBIIIAVIA solar cells
US20090283031A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 Michael Grasso Portable shake sprayer assembly
US20100068404A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-18 Guardian Industries Corp. Draw-off coating apparatus for making coating articles, and/or methods of making coated articles using the same
TWI476299B (zh) * 2010-06-23 2015-03-11 Ind Tech Res Inst 化學浴鍍膜設備及化合物薄膜的製造方法
TW201251094A (en) * 2011-06-07 2012-12-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Electrode of dye-sensitized solar cells manufacturing equipment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5681391A (en) * 1996-02-29 1997-10-28 Xerox Corporation Immersion coating apparatus
US5725667A (en) * 1996-03-01 1998-03-10 Xerox Corporation Dip coating apparatus having a single coating vessel

Also Published As

Publication number Publication date
TW201221690A (en) 2012-06-01
US20120132134A1 (en) 2012-05-31
US8539907B2 (en) 2013-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI460305B (zh) 化學水浴法鍍膜設備
JP5246839B2 (ja) 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、光電変換素子の製造方法及び光電変換素子
Li et al. Effects of substrate orientation and solution movement in chemical bath deposition on Zn (O, S) buffer layer and Cu (In, Ga) Se2 thin film solar cells
Echendu et al. The effect on CdS/CdTe solar cell conversion efficiency of the presence of fluorine in the usual CdCl2 treatment of CdTe
US20190189829A1 (en) Waste liquid recovery system, chemical bath deposition device and deposition method
JP4320529B2 (ja) 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法
CN106057930A (zh) 一种由氯化铜和氯化镓制备铜镓硒光电薄膜的方法
CN102130202A (zh) 非真空形成铜铟镓硫硒吸收层及硫化镉缓冲层的方法及系统
CN104241439A (zh) 一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法
CA2848103A1 (en) Forming an oxide layer on a flat conductive surface
CN110518081A (zh) 一种太阳能电池吸收层及其制备方法以及应用
CN103643225A (zh) 一种化学水浴法制备大尺寸硫化镉薄膜的方法
CN102110737B (zh) 一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层的制备方法
TW201411871A (zh) 可移除蓋系統及製造太陽能電池之方法
US9249507B2 (en) Chemical bath deposition (CBD) apparatus
CN106486557B (zh) 一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法
CN210575853U (zh) 一种高效晶硅异质结太阳能电池硅片清洗装置
KR20120121210A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
CN108054281A (zh) 一种利用低温溶液反应制备SnO2薄膜的方法及用其制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN102489468A (zh) 一种石墨材质基板表层氮化硅的清洗方法
Hwang et al. Current Status and Future Prospects of Kesterite Cu2ZnSn (S, Se) 4 (CZTSSe) Thin Film Solar Cells Prepared via Electrochemical Deposition
CN102723399B (zh) 一种Cu(InAl)Se2薄膜的化学制备工艺
Anuar et al. Effect of deposition period and bath temperature on the properties of electrodeposited Cu4SnS4 films
Cummings et al. Rocking disc electro-deposition of copper films on Mo/MoSe2 substrates
CN104846352B (zh) 一种紫外光化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的方法