TWI580061B - 化學濕製程方法 - Google Patents

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Description

化學濕製程方法
本發明有關一種製程方法，特別是指一種化學濕製程方法。
在許多太陽能電池中，以硒化銅銦鎵(Copper Indium Gallium Diselenide，簡稱CIGS)為材料的太陽能電池，由於具有較高光電轉換效率和低成本等優勢而廣被看好。
CIGS太陽能電池與非晶型矽太陽能電池的差別在於光電層與導電玻璃間具有一緩衝層(buffer layer)，以具有緩衝作用，並幫助電子能夠有效的傳導。其中，CIGS太陽能電池包括背面電極、主吸收層、緩衝層、透明導電層以及正面電極。主吸收層也稱為CIGS吸收層，是整體CIGS太陽能電池中最為關鍵的單元，對轉換效率有決定性的影響。緩衝層通常為硫化鎘(CdS)，用以形成PN接面(P-N junction diode)。
現有製造設備皆利用加熱器直接加熱化學藥液，再將加熱後的化學藥液噴灑在基板上，以在基板上形成所需的緩衝層。
惟由於化學藥液在經過直接加熱後，會使化學藥液的酸鹼值產生變化，導致無法回收再利用，如此一來，不但會污染 環境，更無法降低生產成本。
因此，如何設計出一種可改善上述缺失的本發明方法，乃為本案發明人所亟欲解決的一大課題。
本發明的目的在於提供一種化學濕製程方法，能改以間接方式對化學藥液加熱，因此能大幅降低化學藥液在被加熱後的酸鹼值變化，使化學藥液能被回收再利用，減少對環境的污染並降低成本。
為了達成上述目的，本發明提供一種化學濕製程方法，包括：提供一化學藥液；提供一基板，該基板具有一反應面以及相對於該反應面的一受熱面，其中將該反應面接觸該化學藥液；以及加熱該受熱面，藉由熱傳導使該反應面溫度升高並與該化學藥液進行化學濕製程反應。
相較於先前技術，本發明具有以下功效：能大幅降低化學藥液在被加熱後的酸鹼值變化，因此能夠將化學藥液回收再利用，達到減少對環境的污染並降低成本的效果。
100‧‧‧製程設備
1‧‧‧反應槽
11‧‧‧開口
2‧‧‧基板
21‧‧‧反應面
22‧‧‧受熱面
23‧‧‧緩衝層
3‧‧‧卷對卷輸送裝置
31‧‧‧捲出單元
32‧‧‧捲入單元
4‧‧‧加熱單元
5‧‧‧清洗裝置
51‧‧‧水刀
6‧‧‧烘乾裝置
61‧‧‧風刀
700‧‧‧製程反應室
7‧‧‧反應槽
C‧‧‧化學藥液
D‧‧‧輸送方向
T1‧‧‧第一溫度
T2‧‧‧第二溫度
T3‧‧‧第三溫度
T4‧‧‧第四溫度
T5‧‧‧第五溫度
T6‧‧‧第六溫度
圖1 為本發明的流程圖。
圖2 為本發明製程設備的示意圖。
圖3 為本發明製程反應室的示意圖。
圖4 為本發明中的加熱單元所依據的溫度曲線圖。
圖5 為本發明所製出的基板依據圖3的局部放大圖。
有關本發明的詳細說明和技術內容，配合圖式說明如下，然而所附圖式僅提供參考與說明用，非用以限制本發明。
如圖1所示，本發明提供一種化學濕製程方法，本發明方法包括：一提供化學藥液步驟S101、一提供基板步驟S103以及一加熱步驟S105，較佳還包括有一清潔沖洗步驟S107和一烘乾步驟S109。
如圖2所示為使用本發明方法的製程設備100的示意圖。製程設備100包括：一反應槽1、一卷對卷輸送裝置3以及複數加熱單元4，較佳還包括有一清洗裝置5和一烘乾裝置6。 製程設備100為一卷對卷(roll-to-roll)式的設備，因此適用於可撓性金屬基板，例如銅或銅的合金所製成的可撓性金屬基板，但本發明對此並未限制。至於卷對卷輸送裝置3則包含一捲出單元31和一捲入單元32。
如圖1和圖2所示，反應槽1開設有一開口11，且反應槽1是用以容置一化學藥液C。捲出單元31和捲入單元32則分別對應設置於反應槽1的二相對端。捲出單元31用以捲出基板2，捲入單元32則用以捲入基板2。
以下則搭配製程設備100詳細說明本發明方法中的各步驟。
提供化學藥液步驟S101：化學藥液C為用以供基板2接觸。於本實施例中，是將化學藥液C容置於反應槽1內。
提供基板步驟S103：基板2具有一反應面21以及相對於反應面21的一受熱面22。在此步驟中則將基板2的反應面21接觸於化學藥液C，如圖2所示，是讓基板2位於捲出單元31與捲入單元32間的其中一段，能經由開口11進入反應槽1內並與化學藥液C接觸。
利用捲出單元31的捲出動作以及捲入單元32的捲入動作，將能帶動基板2朝一輸送方向D移動(如圖2所示)。其中，從捲出單元31朝捲入單元32移動的方向即為用以輸送基板2的輸送方向D。
加熱步驟S105：用以對基板2的受熱面22加熱，以藉由熱傳導使反應面21的溫度升高，並使反應面21與化學藥液C進行化學反應，而且是化學濕製程反應，從而在基板2的反應面21形成一層膜或在反應面21去除特定物質，本發明對此並未限定。這裡所指的化學濕製程包含蝕刻、顯影、脫膜或鍍膜等製程。其中的鍍膜製程，在本發明較佳為化學水浴沉積(Chemical Bath Deposition，簡稱CBD)製程。至於化學濕製程反應則包含一成核反應，成核反應可為同質成核(homogeneous nucleation)反應或異質成核(heterogeneous nucleation)反應。
異質成核為於化學水浴沉積法過程中，離子發生於基板上的成核機制，而且是以完全不同的兩種材料進行反應，例如：第一種材料為基板，第二種材料則為欲沈積於第一種材料上的材料。此外，異質成核在化學反應中可分為三種路徑：(1)離子- 離子機制(ion-by ion)、(2)團簇-團簇機制(cluster-by cluster)以及(3)混合型的沉積反應機制。
同質成核則為於化學水浴沉積法過程中，離子發生於溶液中的成核機制。同質成核主要是在溶液中形成膠體(colloids)粒子(例如：硫化鎘(CdS)，或稱為MS，M：metal)，而且此時在溶液中將產生沉澱物質(precipitation)。
如圖2所示，加熱步驟S105在加熱時可經由開口11對基板2的受熱面22加熱。因此，加熱步驟S105所指的加熱並非直接加熱化學藥液C，而是經由基板2間接對化學藥液C加熱，以大幅降低化學藥液C在被加熱後的酸鹼值變化。
清潔沖洗步驟S107：用以清洗已反應完成的基板2。於本實施例中，則以清洗裝置5(如圖2所示)清洗基板2為例進行說明。其中，清洗裝置5可包含複數水刀51，這些水刀51則分布於基板2的反應面21下方和受熱面22上方。
烘乾步驟S109：用以將清洗後殘留在基板2上的水分去除。於本實施例中，則以烘乾裝置6(如圖2所示)烘乾基板2為例進行說明。其中，烘乾裝置6可包含複數風刀61，這些風刀61則分布於基板2的反應面21下方和受熱面22上方。
如圖2所示，加熱步驟S105所指的加熱，為以相異的複數加熱溫度對基板2的受熱面22加熱。於本實施例中，可運用複數加熱單元4對基板2的受熱面22加熱，各加熱單元4分別提供不同的各加熱溫度(例如：運用六個加熱單元4對受熱面 22分別提供不同的六個加熱溫度)，且各加熱單元4沿輸送方向D排列。於另一實施中，也可運用至少一加熱單元4對基板2的受熱面22加熱(圖中未示)，這加熱單元4則依據一溫度曲線(見圖4)進行加熱，且溫度曲線中包含各加熱溫度。
其中，本發明所使用的加熱單元4為以熱輻射方式進行加熱，以能均勻加熱基板2的受熱面22。於本實施例中，加熱單元4則以紅外線加熱器為例進行說明。
如圖4所示的溫度曲線圖，縱軸為溫度(度數)，横軸則為流程完成度(百分比)。溫度曲線圖中包含一第一溫度T1、一第二溫度T2、一第三溫度T3、一第四溫度T4、一第五溫度T5以及一第六溫度T6。加熱時，依據本發明流程的完成度(從1%到100%)，依序進行第一溫度T1、第二溫度T2、第三溫度T3、第四溫度T4以及第六溫度T6的加熱，並在第四溫度T4加熱到一預定完成度時，讓第五溫度T5開始與第四溫度T4一起加熱，且第四溫度T4和第五溫度T5皆在同一完成度結束加熱。
各加熱溫度中，第一溫度T1用以移除反應面21上的氧化物，並鈍化反應面21；第二溫度T2用以將化學藥液C中的金屬離子與基板2的受熱面22結合；第三溫度T3用以形成PN接面(P-N junction diode)；第四溫度T4用以產生異質成核反應；第五溫度T5用以產生同質成核反應；至於第六溫度T6則用以在基板2的反應面21形成一緩衝層23(見圖5)。
以硒化銅銦鎵(Copper Indium Gallium Diselenide，簡稱 CIGS)為材料的太陽能電池為例，緩衝層23的作用包含有：(1)保護作用：由於CIGS吸收層製備完成後，會經過濺鍍等的一連串製程，然而濺鍍製程為高能量轟擊靶材，此過程將會對CIGS吸收層的表面造成嚴重的損害，進而直接影響到太陽能光電轉換效率，故緩衝層為對CIGS吸收層有保護的作用；(2)避免金屬與半導體間產生並聯迴路(Rsh)；以及(3)形成PN接面：假設緩衝層材料為硫化鎘(CdS)，則鎘(Cd)離子將擴散到CIGS薄膜中，並在CIGS薄膜近表面處佔據了銅(Cu)空缺的位子，形成鎘(Cd(Se,OH))，從而藉此形成CIGS薄膜內部的PN接面。
至於，利用化學水浴沉積(CBD)法製備出的緩衝層有：(1)硫化鎘(CdS)以及(2)非鎘緩衝層(Cd-free buffer)：硫化鋅(ZnS)、氫氧化銦(In(OH)3)、硫化銦(In2S3)、硒化鋅(ZnSe)、氧化鋅(ZnO)和二氧化錫(SnO2)…等。
如圖3所示為在一板對板製程系統(圖中未示)中的其中一個使用本發明方法的製程反應室700的示意圖。板對板製程系統包含沿一輸送方向(圖中未示)依序排列的複數製程反應室(chamber)，本發明的製程反應室700僅為複數製程反應室當中的其中一個。
本發明製程反應室700包括：一反應槽7以及複數加熱單元4。製程反應室700為一板對板(sheet-to-sheet)式的反應室，因此適用於單片式的基板2，例如玻璃或塑膠材質的硬式基板，但本發明對此並未限制。
基板2和化學藥液C皆置入於反應槽7內，並使基板2的反應面21接觸化學藥液C。加熱單元4則設置於反應槽7內的一適當高度位置，於本實施例中，加熱單元4位於基板2的上方，使加熱單元4能依據圖4所示的溫度曲線對基板2的受熱面22加熱。至於在製程反應室700中的加熱單元4數量，則視基板2的面積大小而定，於本實施例中則以兩個加熱單元4為例進行說明。其中，製程反應室700的加熱單元4與製程設備100的加熱單元4相同。
加熱後，藉由熱傳導以讓受熱面22的熱傳導到反應面21，使反應面21溫度升高並與化學藥液C進行化學濕製程反應。其中，製程反應室700所進行的化學濕製程反應與製程設備100所進行的化學濕製程反應相同。
製程反應室700還可包含一板對板輸送裝置(圖中未示)，以利用板對板輸送裝置運送基板2。於本實施例中，板對板輸送裝置可為機械手臂或取放器，但本發明並不以此為限。
此外，在製程設備100以及製程反應室700中，基板2皆以單槽方式進行化學濕製程反應。其中，這裡所稱的單槽，意思是單一基板2在單一反應槽1內與化學藥液C進行化學濕製程反應。
綜上所述，本發明相較於先前技術具有以下功效：藉由對化學藥液C的加熱改經由基板2間接進行，因此能大幅降低化學藥液C在被加熱後的酸鹼值變化，使化學藥液C能被回收 再利用，減少對環境的污染並降低成本。
此外，本發明還具有其它功效：藉由基板2的反應面21設計為朝下與化學藥液C反應，因此化學藥液C可完全控制在反應槽1內不會溢出，從而減少化學藥液C會污染到基板2中不屬於反應面21的部分。藉由基板2的受熱面22設計為朝上，因此剛好適合以熱輻射方式對受熱面22加熱。藉由加熱單元4採用熱輻射方式進行加熱，以能均勻加熱基板2的受熱面22，達到均溫效果。
以上所述者，僅為本發明的較佳可行實施例而已，非因此即侷限本發明的專利範圍，舉凡運用本發明說明書及圖式內容所為的等效結構變化，均理同包含於本發明的權利範圍內，合予陳明。
(本案代表圖為流程圖，故無元件符號)

Claims (17)

  1. 一種化學濕製程方法，用於具有開口的反應槽內且包括：提供一化學藥液；提供一基板，該基板具有一反應面以及相對於該反應面的一受熱面，其中將該反應面接觸該化學藥液；以及加熱該受熱面，以複數加熱溫度對該基板的該受熱面加熱，藉由熱傳導使該反應面溫度升高並與該化學藥液進行化學濕製程反應，其中，在所述反應槽內，該化學藥液係隔著該基板被間接加熱而降低被加熱後的酸鹼值變化。
  2. 如請求項1所述的化學濕製程方法，其中該加熱步驟為以熱輻射方式對該基板的該受熱面加熱。
  3. 如請求項1所述的化學濕製程方法，其中該加熱步驟中的該複數加熱溫度係彼此相異，且該複數加熱溫度係依序對該基板的該受熱面加熱。
  4. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中該加熱步驟運用複數加熱單元對該基板的該受熱面加熱，各該加熱單元提供相異的加熱溫度，且各該加熱單元沿一輸送方向排列。
  5. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中該加熱步驟運用至少一加熱單元對該基板的該受熱面加熱，至少一該加熱單元依據一溫度曲線加熱，且該溫度曲線中包含各該加熱溫度。
  6. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中各該加熱溫度包含一第一溫度，該第一溫度用以移除該反應面的氧化物，並鈍化該反應面。
  7. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中各該加熱溫度包含一第二溫度，該第二溫度用以將該化學藥液中的金屬離子與該基板的該受熱面結合。
  8. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中各該加熱溫度包含一第三溫度，該第三溫度用以形成PN接面。
  9. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中各該加熱溫度包含一第四溫度，該第四溫度用以產生異質成核反應。
  10. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中各該加熱溫度包含一第五溫度，該第五溫度用以產生同質成核反應。
  11. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中各該加熱溫度包含一第六溫度，該第六溫度用以在該基板的該反應面形成一緩衝層。
  12. 如請求項11所述的化學濕製程方法，其中該緩衝層可為硫化鎘(CdS)、硫化鋅(ZnS)、氫氧化銦(In(OH)3)、硫化銦(In2S3)、硒化鋅(ZnSe)、氧化鋅(ZnO)或二氧化錫(SnO2)。
  13. 如請求項3所述的化學濕製程方法，其中該化學濕製程反應包含一成核反應，該成核反應可為同質成核反應或異質成核反應。
  14. 如請求項1所述的化學濕製程方法，進一步包括一清潔沖洗步驟，該清潔沖洗步驟用以清洗已反應完成的該基板。
  15. 如請求項1所述的化學濕製程方法，進一步包括一烘乾步驟，該烘乾步驟用以去除該基板所殘留的水分。
  16. 如請求項1所述的化學濕製程方法，其中該基板由一卷對卷輸送裝置或一板對板輸送裝置進行輸送。
  17. 如請求項1所述的化學濕製程方法，其中該基板可為單槽方式進行該化學濕製程反應。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW574405B (en) * 2001-01-30 2004-02-01 Hannstar Display Corp Susceptor device in a masked sputtering chamber
US20040058463A1 (en) * 2002-06-24 2004-03-25 Cermet, Inc. Method of forming a p-type group II-VI semiconductor crystal layer on a substrate
TW201221690A (en) * 2010-11-30 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Apparatus for chemical bath deposition

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203108758U (zh) * 2013-01-15 2013-08-07 生阳新材料科技（宁波）有限公司 薄膜制备装置
CN103137791B (zh) * 2013-03-13 2016-03-02 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法
TWI560899B (en) * 2014-09-03 2016-12-01 Manz Taiwan Ltd Roll-to-roll manufacturing equipment and system thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW574405B (en) * 2001-01-30 2004-02-01 Hannstar Display Corp Susceptor device in a masked sputtering chamber
US20040058463A1 (en) * 2002-06-24 2004-03-25 Cermet, Inc. Method of forming a p-type group II-VI semiconductor crystal layer on a substrate
TW201221690A (en) * 2010-11-30 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Apparatus for chemical bath deposition

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