JP2001023907A

JP2001023907A - 成膜装置

Info

Publication number: JP2001023907A
Application number: JP19306099A
Authority: JP
Inventors: Hiroomi Miyahara; 弘臣宮原; Yoshimichi Yonekura; 義道米倉
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1999-07-07
Filing date: 1999-07-07
Publication date: 2001-01-26

Abstract

(57)【要約】【課題】歩留まりの低下を抑制すること。【解決手段】この成膜装置１００は、透明導電膜を形
成する常圧熱ＣＶＤ装置であって、異なる原料ガスを導
入する第１から第３の成膜室１〜３を連設した構成であ
る。第１から第３の成膜室１〜３の隔壁５１、５２に
は、ガラス基板１０１を搬送する通し穴（搬送口）４２
が設けてある。ベルトコンベア４にはヒーター４４を備
えたトレイ４３が設けてある。ガラス基板１０１は、ト
レイ４３上に載置されて成膜室１〜３間を搬送される。
この成膜装置１００では、通し穴４２を通じてガラス基
板１０１を成膜室１から成膜室２に搬送するから、成膜
中のガラス基板１０１を外部の空気中に曝すことがな
い。このため、空気中のパーティクルに起因する欠陥を
減少できるから、それだけ歩留まりが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、原料ガスを加熱
した基板上で化学反応させて当該基板表面に薄膜を形成
するもので、かかる薄膜形成において歩留まりの低下を
抑制し、製造効率を向上できる成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＬＳＩ用薄膜の大部分はＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition ）法により形成されてい
る。ＣＶＤ法は、原料ガスをチャンバー内に送り込み、
触媒反応を利用してガラス基板上に薄膜を堆積させる方
法である。このＣＶＤ法は、熱エネルギーを利用する熱
ＣＶＤ、プラズムエネルギーを利用するプラズムＣＶ
Ｄ、光エネルギーを利用する光ＣＶＤに大別することが
できる。また、前記熱ＣＶＤは、減圧状態で成長を行う
減圧ＣＶＤと、大気圧で成長を行う常圧ＣＶＤに分ける
ことができる。減圧ＣＶＤは、膜圧分布の均一性やステ
ップカバレッジが良いなどの利点を有する。

【０００３】さらに、ＣＶＤ装置には、基板ウェハを一
枚ずつ処理する枚葉式と、複数枚のウェハを一度に処理
するバッチ式とがある。ＣＶＤ装置は、低温、低圧で薄
膜を形成でき、気体の成分を変えることで異なる物質の
薄膜を形成できる点に特徴があるが、一度に異なる成分
の多層膜を形成したり、大量生産するのが難しいという
欠点があり、現在ではこれら欠点を解消するための工夫
がいろいろと試みられている。

【０００４】図６は、従来の成膜装置による成膜工程を
示す説明図である。基板上に異なる物質の多層膜を蒸着
するには、当該膜の数に応じた複数の成膜装置５００を
用いる必要がある。これら各成膜装置５００は、減圧状
態となるチャンバー５０１と、ガラス基板１０１を載せ
るトレイ５０２と、トレイ５０２に内蔵したヒーター５
０３と、原料ガスを送り出すガスノズル５０４と、排気
ポンプ５０５とから構成されている。また、第１の成膜
装置５００ａから第３の成膜装置５００ｃの間には、当
該成膜装置間でガラス基板１０１を搬送するアームロボ
ットやコンベア（図示省略）が設置され、連続的な成膜
を可能にしている。

【０００５】つぎに、具体的な動作を説明する。まず、
第１の成膜装置５００ａにおいてそのチャンバー５０１
内を減圧した状態でガスノズル５０４から原料ガスを導
入し、ヒーター５０３によりガラス基板１０１を加熱す
ると、基板表面で化学反応が起り、当該ガラス基板１０
１上にＳｉＯ₂膜が堆積する。つぎに、一旦、チャンバ
ー５０１内を減圧してから当該ガラス基板１０１を第２
の成膜装置５００ｂまで搬送する。

【０００６】続いて、第２の成膜装置５００ｂのチャン
バー５０１内を減圧すると共に原料ガスを導入し、ガラ
ス基板１０１を加熱すると、前記ＳｉＯ₂膜上に酸化錫
（ＳｎＯ₂）膜が堆積する。同様に、第３の成膜装置５
００ｃにおいても、チャンバー５０１内を減圧すると共
に原料ガスを導入し、ガラス基板１０１を加熱すると、
その表面で化学反応が起こり酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜が堆
積する。このようにすれば、ガラス基板１０１上に、Ｓ
ｉＯ₂層、ＳｎＯ₂層およびＺｎＯ層からなる多層膜を
形成することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の成膜装置５００では、ガラス基板１０１が各成膜装
置５００ａ〜５００ｃの間を移動することになるため、
空気中のパーティクルがガラス基板１０１の表面に付着
して膜に欠陥を生じさせ、歩留まりが低下するという問
題点があった。また、上記従来の成膜装置５００では、
それぞれの成膜装置５００ａ〜５００ｃにてガス圧力の
操作条件が異なると共に真空引きと大気開放の動作を頻
繁に行う必要があるため、製造効率が低下するという問
題点があった。

【０００８】また、現在、常圧ＣＶＤ装置により多層膜
を連続的に堆積するものはみられないため上記従来例に
て減圧ＣＶＤ装置を例示したが、ＰＳＧ（Phosphor Sil
icate Glass ）などの常圧ＣＶＤを適用すべき膜を歩留
まりの良い状態で効率的に生産できる成膜装置があれ
ば、大変有用である。

【０００９】この発明は、上記に鑑みてなされたもので
あって、歩留まりの低下を抑制し、製造効率を向上でき
る成膜装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、請求項１にかかる成膜装置は、ＣＶＤ法の実施に
用いる複数の成膜室を連設し、これら成膜室の境界とな
る隔壁に基板を搬送するための搬送口を設けると共に当
該搬送口を通じて前記基板の搬送を行う基板搬送機構を
設けたものである。

【００１１】複数の成膜室を連設して当該成膜室の隔壁
に搬送口を設け、前記搬送口を通じ、基板を外部に取り
出すことなく隣接する成膜室に搬送する。この搬送に
は、基板搬送機構を用いる。各成膜室では、それぞれ異
なる物質を堆積するようにしても、同じ物質を堆積する
ようにしてもよい。かかる構成によれば、成膜中の基板
を外部の空気に曝すことがないので、パーティクルに起
因する欠陥を減少させることができる。このため、歩留
まりを向上させることができる。

【００１２】なお、この発明の成膜装置は常圧ＣＶＤ法
に適するが、各成膜室の減圧が可能であれば減圧ＣＶＤ
法にも適用可能である。たとえば、搬送口を機械的なシ
ャッターで閉じるようにすれば各成膜室を減圧すること
ができる。また、基板搬送機構には、たとえばベルトコ
ンベアや搬送ロボットなどを用いることができる。

【００１３】また、請求項２にかかる成膜装置は、上記
成膜装置において、さらに、前記搬送口に成膜室内の原
料ガスが漏洩しないように遮断する気体流のシャッター
を設けたものである。

【００１４】異なる物質を基板上に堆積する場合、原料
ガスが隣接する成膜室に漏洩しないように遮断しておく
必要がある。その一方、成膜室間の移動はスムーズに行
えるようにするのが好ましい。そこで、この発明では、
気体流によりシャッターを構成することで搬送口から原
料ガスが漏洩するのを防止すると共に、機械的な開閉動
作を必要とせずそのまま基板を搬送できるようにした。
なお、前記気体としては、たとえば不活性ガスを用いる
のが好ましい。

【００１５】また、請求項３にかかる成膜装置は、上記
成膜装置において、さらに、前記成膜室の前段または後
段に、成膜以外の前処理を行う前処理装置または後処理
を行う後処理装置を連設し、前記成膜室と前処理装置ま
たは後処理装置との境界となる隔壁に基板を搬送する搬
送口を設け、当該搬送口を通じて基板を搬送するように
したものである。

【００１６】また、上記構成は成膜室のみならず、他の
装置との間にも適用することができる。具体的には、成
膜以外の前処理装置や後処理装置と連設して、基板が外
部の空気に曝されるのを防止する。前処理装置は、たと
えば洗浄装置や乾燥装置であり、後処理装置は、たとえ
ばスクライビング装置である。このようにすれば、空気
中のパーティクルに起因する欠陥をさらに減少させるこ
とができるので、歩留まりを大幅に向上させることがで
きる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる成膜装置
の実施の形態につき図面を参照しつつ詳細に説明する。
なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるもの
ではない。

【００１８】実施の形態１．図１は、この発明の実施の
形態１にかかる成膜装置を示す構成図である。この成膜
装置１００は、ガラス基板１０１上に成分の異なる３層
の薄膜を連続的に堆積するものであり、異なる原料ガス
を導入する第１から第３の成膜室１〜３を連設した構成
である。この成膜装置１００は、透明導電膜を形成する
常圧熱ＣＶＤ装置であり、第１の成膜室１ではＳｉＯ₂
膜を堆積し、第２の成膜室２ではＳｎＯ₂膜を堆積し、
第３の成膜室３ではＺｎＯ膜を堆積する。

【００１９】前記各成膜室１〜３には、ガラス基板１０
１に原料ガスを供給するガスノズル１１、２１、３１が
設けられている。また、この成膜装置１００には、各成
膜室１〜３を貫通してベルトコンベア４が設けられてい
る。図２は、成膜室１〜３の隔壁付近を示す斜視説明図
である。同図に示すように、成膜室１〜３間の隔壁５１
には当該ベルトコンベア４のベルト４１が通過する矩形
状の通し穴（搬送口）４２が設けられている。また、ベ
ルト４１は梯子形状になっているが、後述する不活性ガ
スによるシャッターの機能を阻害しない構造であれば、
これに限定されない。たとえば目の大きいネット形状や
格子形状であっても良い。

【００２０】また、ガラス基板１０１は、ベルト４１に
設けたトレイ４３上により支持される。また、トレイ４
３には、ガラス基板１０１を加熱するヒーター４４が内
蔵されている。なお、ベルトコンベア４はサーボモータ
により駆動され、成膜装置１００の制御部により制御さ
れる（図示省略）。また、ガラス基板１０１の加熱に
は、ヒーター４４（抵抗）の他に赤外線ランプや高周波
コイルなどを用いることができる。

【００２１】各成膜室１〜３の隔壁５１、５２の上方に
は、不活性ガスを噴き出す噴出ノズル１２、２２、３２
が設けられている。ノズル先端の噴出口は、流速を増す
ために内部で絞られ、その断面形状は矩形状になってい
る。この噴出ノズル１２、２２、３２から不活性ガスＧ
を噴き出すことにより前記隔壁５１、５２の通し穴（搬
送口）４２を遮断し、隣接する成膜室１〜３内の原料ガ
スが漏洩するのを防止する。また、ガラス基板１０１の
搬送時に機械的開閉をすることなく、そのまま搬送する
ことができるため、成膜作業をスムーズに行える。

【００２２】また、隔壁５１、５２の下方には、排気ノ
ズル１３、２３、３３が設けられている。原料ガスの供
給と共に未反応ガスや二次生成物の排気を行うため、通
常の常圧ＣＶＤ装置には排気ノズル１３、２３、３３が
設けられているが、この排気ノズル１３、２３、３３を
噴出ノズル１２、２２、３２の下方に設置することによ
り、不活性ガスの室内拡散を抑制しシャッター効果を高
めることができる。なお、同図では噴出ノズル１２、２
２、３２と排気ノズル１３、２３、３３を縦方向に配置
したが、これらを横方向に配置することもできる（図示
省略）。

【００２３】つぎに、この成膜装置１００の動作につい
て説明する。第１の成膜室１には、主な原料ガスとし
て、不活性ガスで希釈したシランガス（ＳｉＨ₄）と酸
素ガス（Ｏ₂）とが供給される。ガラス基板１０１は、
ベルトコンベア４により搬送され、ガスノズル１１の下
方を通過する。このとき、熱ＣＶＤ反応が起こり当該ガ
ラス基板１０１上にＳｉＯ₂膜が堆積する。ここで、第
１の成膜室１と第２の成膜室２の境界および外部との境
界では、噴出ノズル１２から噴き出す不活性ガスＧのシ
ャッターによる遮断が行われている。このため、第１の
成膜室１から原料ガスが漏洩するのを抑止できると共
に、ガラス基板１０１が外部の空気に曝されるのを防止
することができる。

【００２４】第２の成膜室２には、主な原料ガスとし
て、不活性ガスで希釈した四塩化錫（ＳｎＣｌ₄）と水
蒸気（Ｈ₂Ｏ）が供給される。ガラス基板１０１は、不
活性ガスＧで形成した気体のシャッターを通過して、第
１の成膜室１から第２の成膜室２まで搬送される。ガラ
ス基板１０１がガスノズル２１の下方を通過するとき、
熱ＣＶＤ反応が起きて当該ガラス基板１０１上のＳｉＯ
₂膜上にＳｎＯ₂膜が堆積する。また、上記と同様に、
第１の成膜室１と第２の成膜室２の境界、第２の成膜室
２と第３の成膜室３の境界、および外部との境界では、
噴出ノズル１２、２２、３２から噴き出す不活性ガスＧ
のシャッターによる遮断が行われている。このため、第
２の成膜室２から原料ガスが漏洩するのを抑止できると
共に、ガラス基板１０１が外部の空気に曝されるのを防
止することができる。

【００２５】第３の成膜室３には、主な原料ガスとし
て、不活性ガスで希釈したジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ₂Ｈ
₅）₂）と水蒸気（Ｈ₂Ｏ）とが供給される。ガラス基
板１０１は、不活性ガスＧで形成した気体のシャッター
を通過して、第２の成膜室２から第３の成膜室３まで搬
送される。ガラス基板１０１がガスノズル３１の下方を
通過するとき、熱ＣＶＤ反応が起きて当該ガラス基板１
０１上のＳｎＯ₂膜上にＺｎＯ膜が堆積する。また、上
記と同様に、第２の成膜室２と第３の成膜室３の境界お
よび外部との境界は、噴出ノズル２２、３２から噴き出
す不活性ガスＧのシャッターによる遮断が行われてい
る。このため、第３の成膜室３から原料ガスが漏洩する
のを抑止できると共に、ガラス基板１０１が外部の空気
に曝されるのを防止することができる。以上の工程を経
ることで、前記ガラス基板１０１上にＳｉＯ₂膜、Ｓｎ
Ｏ₂膜、ＺｎＯ膜からなる多層の透明導電膜が形成され
る。

【００２６】以上、この成膜装置１００によれば、通し
穴（搬送口）４２を通じてガラス基板１０１を直接隣り
の成膜室１から成膜室２及び成膜室２から成膜室３に搬
送するようにしたから、成膜中のガラス基板１０１を外
部の空気中に曝すことがない。このため、ゴミやチリそ
の他のパーティクルなどに起因する欠陥を減少できるか
ら、それだけ歩留まりが向上する。また、不活性ガスＧ
によるシャッターを設けたので、ガラス基板１０１をそ
のまま搬送することができる。このため、成膜作業がス
ムーズになって製造効率が向上する。

【００２７】実施の形態２．図３は、この発明の実施の
形態２にかかる成膜装置を示す構成図である。ウェハを
洗浄した後、外部を通って成膜装置に搬入すると、空気
中のパーティクルなどによる汚染が問題になる。そこ
で、この実施の形態２にかかる成膜装置２００では、実
施の形態１の成膜装置１００にガラス基板洗浄装置６お
よび乾燥装置７を直結して外部の空気に曝さないように
した。なお、ここでは実施の形態１と同一の構成要素に
ついては同一の符号を付するものとし、その説明を省略
する。

【００２８】ガラス基板洗浄装置６は、ガラス基板１０
１を洗浄するブラシ６１を備えている。ガラス基板１０
１を洗浄するのは、基板表面に微粒子や有機物などがあ
ると酸化膜の品質が劣化するからである。半導体プロセ
スにおける汚染の大半は微粒子汚染といわれており、こ
の微粒子汚染に起因して絶縁膜耐圧不良などの欠陥が現
れることが多い。このブラシ・スクラブ洗浄は、純水を
用いつつガラス基板に対してブラシを直接接触させ、微
粒子を除去する洗浄法であって、微粒子を有効に排除す
るのに有効である。ただし、このような物理洗浄は、基
板表面にダメージを与えるおそれがあるため、ブラシ接
触圧には注意を要する。また、非接触の高圧ジェット洗
浄や超音波洗浄を用いるようにしても良い（図示省
略）。

【００２９】さらに、図示しないが、通常のウエット洗
浄、たとえばイオン水洗浄やオゾン水洗浄などを用いる
こともできる。イオン水洗浄は、純水に僅かな電解質を
加え、電気分解によるｐＨと酸化還元電位をコントロー
ルしたイオン水を用いて洗浄を行う技術である。また、
オゾン水洗浄は、オゾンガスを溶解した純水を用い、オ
ゾンの酸化作用によりガラス基板用の有機物を分解する
技術である。さらに、ウエット洗浄装置に代えてドライ
洗浄装置を追加することもできる。

【００３０】前記乾燥装置７は、洗浄によってガラス基
板１０１上に付着した水分を蒸発させるものである。乾
燥装置７は、ヒーター７１およびファン７２から構成さ
れている。また、ガラス基板洗浄装置６および乾燥装置
７には、第１の成膜装置１から第３の成膜装置３に渡っ
て設けたベルトコンベア４が通っている。

【００３１】つぎに、この成膜装置２００の動作を説明
する。ガラス基板１０１は、ベルトコンベア４によって
ガラス基板洗浄装置６内に搬入され、ブラシ６１によっ
て表面洗浄される。これにより、基板表面の微粒子や有
機物が除去される。その後、ガラス基板１０１は、通し
穴（搬送口）４２を通って乾燥装置７まで搬送される。
ガラス基板１０１に付着した水分は、乾燥装置７におい
て蒸発する。洗浄・乾燥が済んだガラス基板１０１は、
第１の成膜装置１、第２の成膜装置２、および第３の成
膜装置３の順に搬送され、当該過程で基板表面にＳｉＯ
₂膜、ＳｎＯ₂膜およびＺｎＯ膜が堆積する。これによ
り、ガラス基板１０１上に多層の透明導電膜を成膜する
ことができる。なお、第１の成膜装置１と乾燥装置７と
の境界は、不活性ガスＧのシャッターで隔絶してある。

【００３２】以上、この成膜装置２００によれば、ガラ
ス基板１０１を洗浄するガラス基板洗浄装置６および乾
燥装置７を連設したので、当該ガラス基板１０１を外部
の空気に曝すことなく、洗浄から成膜工程までを連続的
に行うことが可能になる。このため、微粒子やパーティ
クルなどによるガラス基板１０１の汚染がさらに防止さ
れるから、それだけ歩留まりが向上し、欠陥の少ない透
明導電膜を成膜することができる。さらに、ガラス基板
１０１の搬送工程を簡略化することができるから、製造
効率を向上できる。

【００３３】実施の形態３．図４は、この発明の実施の
形態３にかかる成膜装置を示す構成図である。この実施
の形態３にかかる成膜装置３００は、実施の形態１にか
かる成膜装置の最終段にレーザースクライビング装置８
を直結した構成である。なお、ここでは実施の形態１と
同一の構成要素については同一の符号を付するものと
し、その説明を省略する。

【００３４】レーザースクライビング装置８は、第１か
ら第３の成膜室１〜３にてＳｉＯ₂膜、ＳｎＯ₂膜およ
びＺｎＯ膜を順次堆積して透明導電膜を形成した後、レ
ーザー照射部８１からレーザービームＢを照射して当該
透明導電膜を分割し、太陽電池の電極としての加工処理
を施すものである。このように、ガラス基板１０１を外
部に出すことなくスクライビング工程に移行するように
すれば、空気中のパーティクルなどによる汚染を防止す
ることができる。このため、歩留まりが良くなり、欠陥
を少なくすることができる。また、ガラス基板１０１の
搬送工程を簡略化することができるから、製造効率を向
上することができる。

【００３５】実施の形態４．図５は、この発明の実施の
形態４にかかる成膜装置を示す構成図である。この実施
の形態４にかかる成膜装置４００は、実施の形態１の成
膜装置１００における第２の成膜室２を３段階に分けた
点に特徴がある。その他の構成は実施の形態１と同様で
あるから説明を省略する。

【００３６】太陽電池に用いる３層の透明導電膜は、中
間のＳｎＯ₂膜が最も厚い構造になる。このため、この
成膜装置４００では、第２の成膜室２を３段階にして膜
圧を稼ぐようにしている。各成膜室２ａ〜２ｃは、他の
成膜室１、３と同様の構造であり、それぞれがガスノズ
ル２１ａ〜２１ｃ、噴出ノズル２２ａ〜２２ｃおよび排
気ノズル２３ａ〜２３ｃなどを有する。同様に、ベルト
コンベア４も三つの成膜室２ａ〜２ｃの隔壁５３に設け
た通し穴（搬送口）４２を貫通しており、それぞれの境
界には不活性ガスＧによるシャッターが形成されてい
る。

【００３７】なお、前記ＳｎＯ₂膜だけではなく、Ｚｎ
Ｏ膜を堆積する第３の成膜室３を多段階に分けるように
しても良い。かかる構成によれば、上記実施の形態１〜
３と同様の効果が得られると共に特定の膜を厚くするこ
とができる。また、ガス圧力などの条件が同一の場合に
は、三つの成膜室２ａ〜２ｃをシャッターで遮断する必
要がないので、隔壁５３の噴出ノズル２２ａ〜２２ｃお
よび排気ノズル２３ａ〜２３ｃは不要である。

【００３８】実施の形態５．なお、変形例として上記不
活性ガスＧによるシャッターの代わりに板状部材からな
るシャッターを用いるようにしても良い（図示省略）。
この場合、シャッターは各成膜室１〜３内部または外部
に設けたアクチュエータにより駆動するようにし、隔壁
５１、５２との接触面にはシールを施すようにする。か
かる構成によれば、常圧ＣＶＤ法のみならず減圧ＣＶＤ
法にも適用することができる。なお、減圧ＣＶＤ装置と
して用いる場合、真空引きと開放の作業が必要になる
が、各成膜室１〜３間を移動する際に外部の空気中に曝
されることがないため、空気中のパーティクルなどに起
因する欠陥が減少して、歩留まりが向上する。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の成膜装
置（請求項１）によれば、連設した複数の成膜室の境界
となる隔壁に基板を搬送するための搬送口を設け、この
搬送口を通じて基板の搬送を行うようにしたので、成膜
中の基板を外部の空気に曝すことがない。このため、パ
ーティクルに起因する欠陥が減少するから、歩留まりを
向上させることができる。

【００４０】つぎに、この発明の成膜装置（請求項２）
によれば、搬送口に成膜室内の原料ガスが漏洩しないよ
うに遮断する気体流のシャッターを設けたので、原料ガ
スを漏洩することなく、基板をスムーズに搬送できる。
このため、成膜作業をスムーズに行えるから、製造効率
が向上する。

【００４１】つぎに、この発明の成膜装置（請求項３）
によれば、成膜以外の前処理装置や後処理装置と連設し
て、基板が外部の空気に曝されるのを防止するようにし
たので、パーティクルに起因する欠陥をさらに減少させ
ることができる。このため、歩留まりを大幅に向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１にかかる成膜装置を示
す構成図である。

【図２】図１に示した成膜室の隔壁付近を示す斜視説明
図である。

【図３】この発明の実施の形態２にかかる成膜装置を示
す構成図である。

【図４】この発明の実施の形態３にかかる成膜装置を示
す構成図である。

【図５】この発明の実施の形態４にかかる成膜装置を示
す構成図である。

【図６】従来の成膜装置による成膜工程を示す説明図で
ある。

【符号の説明】

１００〜４００成膜装置１０１ガラス基板１第１の成膜室２第２の成膜室３第３の成膜室１１、２１、３１ガスノズル１２、２２、３２噴出ノズル１３、２３、３３排気ノズル４ベルトコンベア４１ベルト４２搬送口４３トレイ４４ヒーター５１、５２隔壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 ＡＦターム(参考） 4K030 AA06 AA11 AA14 BA44 BA45 BA47 BB12 CA06 DA01 DA08 FA10 GA12 GA14 JA09 KA08 KA10 5F031 CA02 GA51 MA28 NA09 5F045 AA03 AB31 AB32 AC01 AC03 AC09 AC11 AE29 AF07 BB08 BB15 DA52 DP03 DP23 DQ15 EB08 EB11 EE14 EF02 EF20 EK03 EK08 EK11 EN05 HA01 HA18 HA24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＣＶＤ法の実施に用いる複数の成膜室を
連設し、これら成膜室の境界となる隔壁に基板を搬送す
るための搬送口を設けると共に当該搬送口を通じて前記
基板の搬送を行う基板搬送機構を設けたことを特徴とす
る成膜装置。
【請求項２】さらに、前記搬送口に成膜室内の原料ガ
スが漏洩しないように遮断する気体流のシャッターを設
けたことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】さらに、前記成膜室の前段または後段
に、成膜以外の前処理を行う前処理装置または後処理を
行う後処理装置を連設し、前記成膜室と前処理装置また
は後処理装置との境界となる隔壁に基板を搬送する搬送
口を設け、当該搬送口を通じて前記基板を搬送するよう
にしたことを特徴とする請求項１または２に記載の成膜
装置。