KR101256972B1 - 기판들을 처리하기 위한 방법 및 장치와 상응하는 노즐유닛 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000007630 basic procedure Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
본 발명은 기판들을 처리하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 적어도 하나의 연장된 노즐 장치를 사용하고 또한 상기 노즐 장치에 인접하게 배치되는 울트라사운드 또는 메가사운드 장치를 사용하여 처리될 기판의 국부적인 표면 영역 상에 액체막을 생성하는 단계; 울트라사운드 트랜스듀서 장치의 적어도 일부분을 상기 액체막에 접촉시키는 단계; 및 울트라사운드 트랜스듀서 장치를 사용하여 생성된 액체막에 울트라사운드를 인가하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 기판들을 처리하기 위한 방법 및 장치와 이를 위한 노즐 유닛에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 울트라사운드 및 특히 메가사운드와 함께 액체를 사용하여 기판들 및 특별히 반도체 분야의 기판들을 표면 처리하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
울라트사운드를 사용하여 성분들을 세척하는 것이 많은 기술 분야들에서 공지되어 있다. 세척될 성분들은 액체 매질과 접촉하게 되는데, 일반적으로는 그 액체 매질에 디핑되고(dipped), 또한 불순물들을 떼어내기 위해서 특정 시간 기간 동안 울트라사운드에 노출된다. 울트라소닉 세척과정 역시 웨이퍼 및 마스크 제작 분야에서 공지되어 있는 기술이며, 이미 매우 많은 상이한 방식들로 사용되고 있다.
울트라사운드 시스템은 일반적으로 제너레이터 및 울트라소닉 트랜스듀서로 구성되는데, 상기 제너레이터는 교류 전압을 울트라소닉 트랜스듀서를 위한 적절한 동작 전압으로 변환한다. 다음으로, 울트라소닉 트랜스듀서는 전기 에너지를 기계 진동으로 변환하는데, 상기 기계 진동은 양압(positive pressure) 및 음압(negative pressure) 상태가 그와 접촉하고 있는 액체 매질에서 발생하도록 야기한다. 소위 케비테이션 버블들(cavitation bubbles)이 교류 양압 및 음압 상태에 의해서 생성되고, 그 결과 매우 높은 국부(local) 압력 및 온도들이 상기 케비테이션 버블들이 파열될 때 짧은 기간 동안에 생성된다. 케비테이션 버블들은 울트라소닉 세척 기술을 위한 토대를 형성한다. 400kHz 보다 큰 주파수는 울트라사운드로 지칭되고, 700kHz 이상의 주파수는 메가사운드로 지칭된다. 메가소닉 주파수들에 의해 커버되는 영역에서는, 케비테이션 에너지는 비교적 작기 때문에 마이크로구조들의 파괴가 방지된다. 그러나 동시에, 가장 작은 크기의 미립자들에 대한 세척 효율성은 메가소닉 주파수 영역에서 매우 높다. 그 결과, 웨이퍼들 및 마스크들을 제작할 때는 일반적으로 메가사운드가 사용된다.
예컨대 DE-A-197 58 267에 설명되어 있는 바와 같은 하나의 공지된 울트라소닉 세척 시스템에서는, 반도체 웨이퍼들이 액체로 채워진 처리 용기(treatment basin)에 한 묶음씩 넣어진다. 이에 의해서, 울트라소닉 사운드 웨이브들이 웨이퍼의 표면에 사실상 동시에 인가되고, 그 웨이퍼의 전체 표면이 사실상 균일하게 처리되어야 한다.
그러한 현재의 기술에 기초해서, 본 발명의 목적은 울트라사운드 및 특히 메가사운드 처리 과정을 최적화시키는데 있다.
이러한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판들을 처리하기 위한 방법을 제공하는데, 상기 방법에서는, 노즐 유닛에 의한 처리를 필요로 하는 기판의 국부적으로 경계가 정해진 표면 영역 상에 액체 막이 형성되고, 상기 노즐 유닛은 적어도 하나의 연장된 노즐 장치, 및 상기 노즐 장치에 인접하여 배치되는 울트라소닉 트랜스듀서 및 특히 메가소닉 트랜스듀서 장치를 포함하고, 울트라소닉 트랜스듀서 장치의 적어도 일부는 액체막과 접촉하게 되고, 그런 다음에 울트라사운드 및 특히 메가사운드가 그렇게 형성된 액체막 안으로 들어간다. 본 발명에 따른 방법은 울트라사운드를 이용하는데 적합하고, 메가소닉 주파수 범위의 사운드가 활용되는 것이 바람직하다. 이러한 방법은 처리를 필요로 하는 기판의 표면 영역들이 액체 및 울트라사운드를 사용하여 국부적으로 제한된 방식으로 처리될 수 있도록 함으로써, 상기 처리는 이러한 특정 표면 영역에 최적일 수 있다. 또한, 액체막을 국부적으로 적용함으로써 단지 작은 양의 액체를 통해서 처리가 실행될 수 있고, 액체 매질의 소모가 최소화될 수 있다. 기판의 표면이 액체막을 국부적으로 적용하기 바로 이전에 액체에 의해서 적어도 부분적으로 적시어질 수 있고, 또한 노즐 장치에 의한 국부적인 액체막의 형성에 부가하여 추가적인 액체가 기판상에 증착될 수 있다는 것을 알아야 한다. 게다가, 상기 액체막의 국부적인 형성 이후에는 상기 액체막이 확장할 수 있어서 기판의 보다 큰 부분 영역들 및 어쩌면 전체 표면을 커버할 수 있다는 것을 또한 알아야 한다. 액체막은 자신의 통상적인 의미의 액체로 형성될 수 있을 뿐만 아니라 초임계상태의(in supercritical state) 매질에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 액체막이 노즐 유닛의 실질적으로 밀폐된 베이스 구조와 처리될 기판의 표면 영역 사이에 형성됨으로써 적절히 정해진 균질의 액체막이 형성될 수 있게 하며, 따라서 이는 울트라사운드를 통한 정해진 처리를 제공하는데 도움을 준다.
바람직하게, 기판의 상이한 표면 영역들 상에 액체막이 증착될 수 있게 하고 또한, 이러한 영역들에 있는 액체막에 울트라사운드를 인가하기 위해서, 노즐 유닛과 기판 사이의 상대적인 움직임이 생성된다. 따라서, 기판 표면의 큰 영역 및 어쩌면 기판의 전체 표면 영역으로 하여금 처리될 수 있게 하는데, 여기서는 상이한 표면 영역들에 대해 액체 및 울트라사운드를 통한 처리를 최적화시키는 것이 가능하다. 이러한 타입의 최적화는, 예컨대, 노즐 유닛과 기판 사이의 상대적인 움직임을 변경함으로써 가능하고, 여기서 액체막 및 울트라사운드가 유효하게 되는 시간 기간은 바뀌게 되고, 그로 인해서 상대적인 움직임의 속도가 바람직하게도 기판에 대한 노즐 유닛의 위치에 따라 바뀐다.
처리의 최적화를 가능하게 하는 추가적인 것으로서, 그 처리 동안에 액체막에 울트라사운드를 인가하는 것을 변경하는 것이 가능하다. 그럼으로써, 예컨대, 울트라사운드의 인가는 기판에 대한 노즐 유닛의 위치에 따라 바뀔 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서는, 액체막에 인가되는 울트라사운드의 강도 및/또는 주파수가 표면 영역에서 울트라사운드의 효과를 상응하게 변경하도록 바뀔 수 있다. 여기서, 주파수의 변경이 의미하는 것은 트랜스듀서를 디튜닝하여(detune) 그 트랜스듀서의 유효성 프로파일을 바꾸기 위해서 상기 트랜스듀서의 공진 주파수에 대하여 비교적 작은 편차이다.
본 발명의 추가적인 실시예에서, 기판상으로의 울트라사운드의 입사 각도는 바람직하게는 기판의 표면에 대해 울트라소닉 트랜스듀서 장치를 각도를 이루도록 위치시킴으로써 바뀔 수 있다. 기판의 표면에 대한 울트라사운드의 입사 각도는 바람직하게는 105°와 75°사이에서 바뀐다. 울트라사운드의 강도 및/또는 주파수에 있어 변경과 또한 울트라사운드의 입사 각도에 있어 변경 양쪽 모두는 기판의 표면상에 직접 케비테이션을 계획적으로 생성하기 위해 활용될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 유효성 프로파일의 계획적인 디튜닝이, 예컨대, 민감한 표면 구조들을 보호하기 위해 기판의 표면으로부터 떨어진 거리에서 케비테이션을 생성할 목적으로 또한 이루어질 수 있다. 다음으로, 처리의 최적화가 구조를 파손함이 없이 실행될 수 있다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에서는, 상이한 양의 울트라소닉 사운드를 생성하고 그로 인해 국부적으로 경계가 정해진 액체막 내에서 더욱 국부적으로 최적화된 처리들을 생성하기 위해 개별적으로 및/또는 그룹으로 제어되는 다수의 울트라소닉 트랜스듀서들로부터 울트라소닉 트랜스듀서 장치가 형성된다. 이는 액체막이 예컨대 기판의 전체 폭에 걸쳐서 연장하는 것과 같이 기판의 더 큰 표면 영역에 걸쳐 연장할 때 적용된다. 다음으로, 울트라소닉 트랜스듀서들의 개별 방식 또는 그룹 방식 제어는 기판의 폭에 걸쳐 최적화된 처리를 가능하게 한다. 국부적으로 상이한 처리들을 제공하기 위해서 트랜스듀서들은 상이한 공진 주파수들을 갖고 또한, 행 또는 행렬 형태로 배치되어 제공되는 것이 바람직하다. 그럼으로써, 울트라소닉 트랜스듀서들은 자신들의 개별적인 최적화 및/또는 자신들의 매칭을 가능하게 하기 위해서 상이한 강도들 및/또는 주파수들로 바람직하게 제어된다.
바람직하게는, 액체막은 기판의 전체 폭에 걸쳐서 거의 직선을 따라 형성되고, 울트라사운드는 기판의 전체 폭에 걸쳐서 거의 직선을 따라 액체막에 인가된다. 이는 기판에서의 노즐 유닛의 단일 움직임을 통해 처리 과정의 매우 국부적인 최적화를 통해 기판의 전체 표면에 걸쳐 처리가 실행될 수 있게 하는 동시에 노즐 유닛 장치(들) 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치를 적절히 제어한다. 이로써, 울트라사운드의 인가는 처리 과정의 국부적인 최적화를 제공하기 위해서 기판의 폭에 걸쳐 상이한 방식으로 바람직하게 제어된다.
처리 과정의 더 나은 매칭 또는 최적화를 위해서, 액체막을 형성하는 액체의 혼합물이 조절된다. 국부적인 최적화를 위해서, 노즐 장치는 바람직하게 상이한 방식들로 제어되는 다수의 노즐들을 포함하고, 따라서 이는 처리 과정의 국부적인 변경이 노즐 장치를 따라 실행될 수 있게 한다. 그럼으로써, 상이한 액체들 및/또는 상이한 양들의 액체가 액체막을 형성할 목적으로 노즐 장치의 길이를 따라 기판에 바람직하게 국부적으로 인가된다. 상이한 액체들은 특히 상이한 농도의 구성물을 갖는 액체들을 포함하는 것을 또한 의미한다.
본 발명이 바람직한 예시적인 실시예에서, 액체막은 액체막이 트랜스듀서 장치 부근에 매우 균질하게 형성되도록 보장하기 위해서 트랜스듀서 장치의 양쪽에 배치되는 적어도 두 개의 노즐 장치들에 의해서 인가된다. 본 발명의 일 실시예에서는, 상이한 액체들이 트랜스듀서 장치의 양쪽에 배치되는 노즐에 공급된다.
바람직하게는, 처리 과정 동안에 처리도리 기판의 표면과 울트라소닉 트랜스듀서 장치 사이에는 0.2 내지 2.0㎜의 평균 이격거리 및 특히 0.7 내지 1.4㎜의 평균 이격거리가 유지된다. 그럼으로써, 예컨대, 상기 이격거리는 처리의 변경 및 특히 처리의 국부적인 변경을 생성하기 위해서 상기 처리 동안에 바뀔 수 있다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에서는, 액체막을 형성하는 액체가 현상액 또는 에칭제를 포함하고, 이 경우에는, 초음파가 표면상에 미립자들이 증착되는 것을 막기 위해서 처리될 기판의 표면과 처리 매질 사이에 양호한 접촉을 보장한다. 또한, 초음파는 액체의 국부적인 포화가 방지될 수 있도록 현상액이 잘 혼합되게 한다.
본 발명의 다른 실시예에서는, 액체막을 형성하는 액체는 바람직하게 헹굼제(rinsing agent) 및/또는 세척액을 포함하고, 그럼으로써 울트라사운드가 세척 과정의 효율성을 돕는다.
본 발명의 목적은 또한 기판들을 처리하기 위한 장치에 의해서 달성되는데, 상기 장치는 적어도 하나의 연장된 노즐 장치 및 상기 노즐 장치에 인접하여 배치되는 연장된 울트라소닉 트랜스듀서 장치 및 특히 메가소닉 트랜스듀서 장치를 구비하는 노즐 유닛을 포함하고, 상기 적어도 하나의 노즐 장치 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치는 실질적으로 동일한 방향을 향하고, 적어도 하나의 노즐 장치 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치가 기판의 표면으로부터 정해진 거리에서 상기 표면을 향하도록 하는 방식으로 기판의 표면에 인접하게 노즐 유닛을 위치시키기 위한 기판 및/또는 노즐 유닛을 위한 이동 장치가 제공된다. 이러한 장치는 처리될 기판의 표면 영역 상에 액체막이 국부적으로 형성될 수 있게 하며, 동시에 울트라사운드에 의한 액체막의 후속 처리를 가능하게 한다.
바람직하게, 상기 장치는 노즐 장치 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치가 기판으로부터 정해진 거리에서 상기 기판의 표면 위에서 이동됨으로써 기판의 상이한 표면 영역들이 연속해서 처리될 수 있게 하고 또한 특히 기판의 전체 표면이 연속해서 처리될 수 있게 하는 방식으로 이동 장치를 제어하기 위한 제어 장치를 포함하고, 상기 연속 처리는 기판의 표면 구조 및/또는 원하는 처리 결과를 고려하여 각각의 경우에 국부적으로 적응될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 적어도 하나의 추가적인 연장된 노즐 장치가 제공되고, 울트라소닉 트랜스듀서 장치가 적어도 두 연장된 노즐 장치들 사이에 배치된다. 두 연장된 노즐 장치들을 울트라소닉 트랜스듀서 장치의 마주하는 면들에 제공함으로써 울트라소닉 트랜스듀서 장치의 영역 내에 정해진 액체막을 형성하는데 있어 도움을 준다. 이러한 액체막의 잘 정해진 형성을 위해서, 적어도 두 개의 연장된 노즐 장치들이 울트라소닉 트랜스듀서 장치의 종방향 중앙면을 향해서 바람직하게 지향된다.
처리 결과의 국부적인 최적화를 위해서, 울트라소닉 트랜스듀서 장치는 행 또는 행렬 형태로 서로 바로 인접하게 배치되는 다수의 울트라소닉 트랜스듀서들로부터 바람직하게 형성된다. 게다가, 처리 과정들이 국부적인 상황들에 적절히 적응될 수 있도록 하기 위해서 다수의 울트라소닉 트랜스듀서들을 개별적으로 및/또는 그룹들로 제어하기 위한 제어 장치가 바람직하게 제공된다. 바람직하게는, 그로 인해서 울트라소닉 트랜스듀서들의 주파수 및/또는 구동 전력 또는 여기 전력(excitation power)은 변할 수 있다.
처리 과정의 파라미터들을 설정하기 위해서, 트랜스듀서 장치의 표면과 기판이 표면 사이의 각도를 조정하기 위한 장치가 바람직하게 제공된다. 기판 표면으로의 울트라소닉 사운드 웨이브들의 입사 각도는 그에 의해서 조정될 수 있다. 그 각도는 바람직하게는 0°와 10°사이에서 조정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 정해진 거리는 0.7㎜와 1.4㎜ 사이로 조정될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 처리될 기판의 표면상에 액체막을 형성할 목적으로 적어도 하나의 노즐 장치에 액체를 공급하기 위한 장치가 제공된다. 바람직하게는, 노즐 장치(들)의 상이한 입구 노즐들 및/또는 상이한 노즐 장치들에 상이한 액체들을 공급하기 위한 제어 장치가 제공되고, 이는 노즐 장치의 전체 길이에 걸쳐 처리의 국부적인 조정을 가능하게 한다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에서는, 적어도 하나의 노즐 장치 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치가 노즐 유닛들 내에 및/또는 그 위에 제공되며, 실질적으로 밀폐된 베이스 구조를 형성한다. 이는 서로 마주하는 두 밀폐된 구조들, 즉, 기판의 표면과 노즐 유닛의 밀폐된 베이스 구조 사이에 액체막을 형성하는데 도움을 준다. 이로써, 울트라사운드 장치의 영역에 있는 실질적으로 밀폐된 베이스 구조는 상기 베이스 구조의 나머지에 비해 돌출하고, 이는 처리되는 기판의 표면과 베이스 구조 사이에 형성되는 액체막과 울트라사운드 장치 간에 양호한 접촉을 생성한다.
본 발명의 목적은 또한 적어도 하나의 연장된 노즐 장치 및 상기 노즐 장치에 인접하여 배치되는 연장된 울트라소닉 트랜스듀서 장치 및 특히 메가소닉 트랜스듀서 장치를 구비하는 노즐 유닛의 경우에 달성되고, 상기 노즐 장치 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치는 실질적으로 동일한 방향을 향하고, 노즐 유닛의 실질적으로 밀폐된 베이스 구조를 형성한다. 이러한 타입의 노즐 유닛은 정해진 액체막이 간단한 방식으로 노즐의 밀폐된 베이스 구조와 기판의 표면 사이에 형성될 수 있게 하며, 또한 이러한 방식으로 형성되는 액체막에 울트라사운드를 선택적으로 및 정해진 대로 인가할 수 있게 한다.
바람직하게는, 적어도 하나의 추가적인 연장된 노즐 장치가 제공되는데, 울트라소닉 트랜스듀서 장치가 적어도 두 연장된 노즐 장치들 사이에 배치됨으로써 액체가 울트라소닉 트랜스듀서 장치의 양쪽으로부터 공급될 수 있고, 그로 인해 균질한 액체막의 형성에 도움을 준다. 이로 인해, 적어도 하나의 연장된 노즐 장치는 울트라소닉 트랜스듀서 장치의 영역에서 액체막의 선택적인 그리고 정해진 형성을 수행하는데 있어 도움을 주기 위해 울트라소닉 트랜스듀서 장치의 중앙면을 향한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 울트라소닉 트랜스듀서 장치가 다수의 울트라소닉 트랜스듀서들로부터 형성되고, 상기 트랜스듀서들은 바람직하게 행 또는 행렬 형태로 서로 직접 인접하게 배치된다. 이는 울트라소닉 트랜스듀서들이 개별적으로 제어될 수 있게 하며, 따라서 액체 및 울트라사운드를 통해 기판 표면을 처리하는 과정 동안에 처리의 파라미터들에 대한 국부적인 조정을 가능하게 한다.
본 발명은 도면들을 참조하여 이루어지는 예시적인 실시예에 기초하여 더 상세히 설명된다.
도 1은 처리될 기판에 대해 본 발명에 따른 노즐 유닛의 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 노즐 유닛의 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 노즐 유닛을 아래에서 본 도면.
도 4의 (a) 및 (b)는 기판에 대해 상이하게 배치되는 본 발명에 따른 노즐 유닛의 개략적인 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 2차원 행렬의 형태로 울트라소닉 트랜스듀서 장치를 나타내는 개략도.
도 6은 다른 실시예에 따른 본 발명의 노즐 유닛에 대한 개략적인 단면도.
도 1은 액체 및 울트라사운드를 통해 기판(2)을 처리하는데 사용될 수 있는 노즐 유닛(1)을 개략적으로 도시하고 있다. 본 출원에서는 주로 울트라사운드가 이용되지만, 이 용어는 메가사운드를 커버하도록 의도되며 또한 본 발명이 특히 메가사운드를 이용하여 기판의 표면을 처리하는 것을 의미한다는 점이 주시된다.
노즐 유닛(1)은 하부 표면(6)(이후로는 베이스로도 지칭됨)을 구비하는 실질적으로 평행육면체 본체(4)를 포함하는데, 여기서는 이후에 상세히 설명될 바와 같이 다수의 출구 노즐이 형성된다. 본체(4)의 상부면에는, 이후에 상세히 설명될 바와 같이 도시되지 않은 매질 공급원에 연결되는 매질 공급 유닛(8)이 제공된다. 노즐 유닛(1)은 직선 이동 장치와 같은 미도시된 이동 장치에 의해서 화살표(A) 방향으로 기판(2) 위에서 이동되도록 적응된다. 이후에 그 구성이 상세히 설명되어 질 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)가 베이스(6) 내에 또는 그 위에 제공된다.
노즐 유닛(1)의 구조가 이제 상기 노즐 유닛(1)의 개략적인 단면도를 도시하고 있는 도 2를 통해서 상세히 설명될 것이다. 매질 공급 유닛(8)이 도 2의 상부에 도시되어 있고, 상기 매질 공급 유닛(8)은 상이한 매질이 예컨대 인가되어 혼합될 매질 분배 챔버(12)를 포함한다. 평행육면체 본체(4) 위에 실질적으로 중심을 두고 배치되는 상기 매질 분배 챔버(12)는 본체(4) 내에서 경사진 방식으로 연장하는 각각의 상응하는 라인들(14)을 통해 본체(4)의 하부 표면(6)에 대해 거의 수직으로 연장하는 각각의 공급 라인들(16 및 18)에 연결된다. 공급 라인들(16 및 18)은 본체(4)의 마주하는 긴 면들에 평행하게 연장한다. 각각의 공급 라인들(16 및 18)의 하부 단부들은 본체(4)의 하부 표면(6)에서 오픈되는 다수의 출구 구멍들(20 및 22)에 연결된다. 각각의 출구 구멍들(20 및 22)은 도 2로부터 쉽게 알게 되는 바와 같이 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)의 마주하는 면들 상에 배치되는 노즐 장치들의 성분이다.
노즐 장치들(24, 26) 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)는 기판의 전체 표면이 그 기판 위에서의 단지 한 번의 통과 동안에 처리될 수 있도록 하기 위해서 처리될 기판의 폭에 적어도 상응하는 선형 치수를 갖는다.
도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 울트라소닉 트랜스듀서 장치는 각각의 출구 구멍들(20 및 22)의 출구 개구부들에 대해 돌출한다. 본체(4)의 하부면(6)과 울트라소닉 트랜스듀서 장치는 모두 노즐 유닛(1)의 밀폐된 베이스 구조를 형성한다.
도 2에서 또한 알 수 있는 바와 같이, 각각의 출구 구멍들(20 및 22)은 본체(4)의 종방향 중앙면 쪽으로 기울어지며, 공급 라인들(16 및 18)로부터 종방향 중앙면을 향해 연장한다. 그 결과, 각각의 출구 구멍들(20 및 22)로부터 나오는 액체들이 종방향 중앙면 쪽으로 향한다. 각각의 출구 구멍들(20 및 22)은 도면의 평면에서 하나가 다른 것 뒤에 배치되는 다수의 출구 구멍들(20 및 22)에 의해서 형성된 노즐 장치(24, 26)의 각 부분이다. 대안적으로, 출구 구멍들의 자리에 하나 이상의 슬릿-모양 노즐들을 제공하는 것도 가능하다. 냉각제를 통과시키기 위한 냉각제 채널이 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)의 뒤에 제공됨으로써 울트라소닉 트랜스듀서들을 냉각시킬 수 있다. 그러나 세척될 기판과 노즐 유닛 사이에 형성되는 액체막에 의해서도 냉각이 실행될 수 있다.
도 3은 노즐 유닛(1)을 아래에서 보았을 때를 개략적으로 나타내고 있는데, 노즐 장치들(24, 26) 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)가 도 3에 개략적으로 도시되어 있다. 도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)는 상세히 도시되지 않은 제어 장치에 의해서 개별적으로 및/또는 그룹들로 제어될 수 있는 총 9개의 직사각형 울트라사운드 방사 엘리먼트들로 구성된다. 그 결과, 이후에 더 상세히 설명될 바와 같이, 울트라사운드가 노즐 유닛(1)의 길이에 걸쳐 상이한 형태들을 취하는 것이 가능하다.
도 4의 (a) 및 (b)는 각각 기판(2)에 대한 노즐 유닛(1)의 상이한 배치를 나타내고 있다.
도 4의 (a)에 따르면, 노즐 유닛(1)은 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)의 하부 표면이 처리될 기판(2)의 상부면에 실질적으로 평행하게 정렬된다. 대조적으 로, 도 4의 (b)는 도시된 각도로 표시되어 있는 바와 같이 처리될 기판(2)의 표면에 대해 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)의 하부 표면의 기울어진 위치를 도시하고 있다. 이러한 각도는 바람직하게는 이후에 상세히 설명될 바와 같이 0°와 10°사이에서 조정될 수 있다.
도 5는 울트라소닉 트랜스듀서 장치에 대한 다른 타입의 배치를 나타내는데, 다수의 울트라소닉 트랜스듀서들이 x 및 y 방향으로 행렬 형태로 배치된다.
노즐 유닛(1)의 동작이 이후에 설명된다.
노즐 유닛은 처리될 기판의 표면 영역, 즉, 이 경우에는 현상 처리가 이루어지고 있는 반도체 웨이퍼의 표면 영역 위에서 먼저 이동된다. 노즐 유닛(1)의 하부 표면과 기판(2)의 상부 표면 사이에는 0.7㎜와 1.4㎜ 사이의 거리가 설정된다. 그 결과, 현상액이 매질 공급 유닛으로부터 매질 분배 챔버(12)로 인가되며, 이어서 라인들(14) 및 공급 라인들(16 및 18)을 통해서 노즐 장치들(24 및 26)의 각각의 출구 구멍들(20 및 22)에 제공된다. 그럼으로써, 그 현상은 공지된 방식으로 매질 공급 유닛(8)에 의해 설정되는 미리 결정된 농도를 가지는 현상액이다.
다음의 설명에서는, 트랜스듀서 장치(10)의 하부 표면이 기판(2)의 상부 표면에 평행하게 정렬된다는 것이 제일 먼저 가정된다. 이제는 노즐 유닛(1)의 종방향 중앙축 방향으로 지향되는 노즐 장치들(24, 26)로부터 나오는 액체에 의해서 기판의 표면과 노즐 유닛의 베이스 구조 사이에 액체막이 형성된다. 그 액체막은 노즐 유닛(1)의 베이스 구조와 기판(2)의 표면 사이에 있는 공간을 완벽하게 채운다. 노즐 유닛(1)의 나머지 하부 표면에 대해 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)가 돌출 한다는 사실로 인해서, 울트라사운드 장치(10)와 액체막 간의 풀 접촉(full contact)이 달성된다.
따라서, 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)는 기판(2)의 표면에 수직으로 지향되는 울트라사운드가 액체막에 인가되도록 제어되는 방식으로 여기된다. 위에서 설명된 캐비테이션 효과로 인해, 울트라소닉 사운드 웨이브들은 이제 기판(2)의 표면으로부터 미립자들을 제거함으로써 기판(2)의 표면의 균일한 현상을 보장한다. 특히, 분리된 레지스트(resist) 또는 코팅 미립자들이 울트라소닉 교반(ultrasonic agitation)에 의해 회전되고(whirled up), 그럼으로써 현상액과 용해되지 않은 레지스트 또는 코팅 층들의 양호하면서 균일한 접촉이 달성될 수 있다. 이는 기판 표면상에서 구조들의 크기 및 구조들의 밀도 분포에 상관없이 처리 결과의 균일성 개선을 유도한다. 또한, 현상제의 개선된 노출에 의해서 처리 시간이 단축될 수 있고, 이는 또한 매질의 소모를 감소시킬 수 있다.
이 지점에서 미리 결정된 처리 시간 이후에는, 노즐 유닛(1)이 이제 기판(2) 위에서 이동됨으로써, 현상액을 통한 울트라사운드-보조 처리가 기판(2)의 전체 표면에 걸쳐 연속해서 적용될 수 있다. 자연적으로, 현상액을 통해 울트라사운드-보조 처리가 기판의 선택된 표면 영역들에서만 실행되는 것이 또한 가능하다.
기판의 상이한 표면 영역들에서 처리 과정의 특정 및 상이한 제어를 생성하기 위해, 위에 설명된 기본 절차들이 이용될 수 있는 매우 가변적인 타입의 제어 방법들이 존재한다. 예컨대, 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)에서 상이한 울트라소닉 트랜스듀서들을 여러 방식들로 제어하는 것이 가능한데, 트랜스듀서는 예컨대 도 3 또는 도 5에서와 같이 배치될 수 있다. 그럼으로써, 인접한 울트라소닉 트랜스듀서들로부터 액체막에 공급되는 에너지의 양을 검출하기 위해 울트라소닉 트랜스듀서들 중 일부가 센서들로서 사용되는 것이 가능하다. 당연히, 울트라사운드 송신기 모드와 센서 모드 사이에 울트라소닉 트랜스듀서들을 교환함으로써 울트라소닉 트랜스듀서들 모두가 임의의 시간 기간 동안에 센서들 및 송신기들로서 기능할 수 있도록 하는 것이 또한 가능하다.
울트라소닉 트랜스듀서들을 제어하는 여러 상이한 방식들로 인해, 기판의 폭에 걸쳐 여러 상이한 처리 결과들이 획득될 수 있다. 상이한 여러 주파수들을 사용함으로써 제어를 실행하는 것뿐만 아니라 상이한 여기 또는 구동 전력들을 사용함으로써 제어를 실행하는 것이 가능하다. 따라서, 예컨대, 개별적인 울트라소닉 트랜스듀서들이 자신들의 최대 전력의 0% 내지 100%의 전력 레벨로 조정가능하고, 울트라소닉 주파수가 1㎒와 5㎒ 사이에서 바람직하게 조정될 수 있다.
표면 처리를 위한 다른 제어 파라미터들로서, 노즐 장치(들)(24 및/또는 26)의 길이에 걸쳐 상이한 액체들 및/또는 상이한 양들의 액체를 공급하는 것이 가능하다. 예컨대, 기판의 중앙 영역에서의 농도와 비교해서 다른 농도들을 갖는 기판의 경계 영역들에서 현상액이 사용될 수 있다. 기판 위를 통과할 때 인가되는 액체를 바꾸는 것도 가능하다(액체의 타입, 농도 또는 양). 그로 인해, 기판 표면의 처리에 대한 완전히 상이한 결과들이 기판의 길이에 걸쳐 국부적으로 달성될 수 있다. 또한, 사용되고 있는 매질의 완전한 변경이 있을 수 있는데, 예컨대 현상액을 헹굼제(rinsing agent)로 대체하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 다른 제어 파라미터들은 기판에서 울트라소닉 사운드 웨이브들의 입사 각도인데, 이는 도 4에 도시된 바와 같이 처리될 기판(2)의 표면에 대한 노즐 유닛의 기울어진 위치에 의해서 이루어진다. 특히, 울트라소닉 사운드 웨이브들을 통해 액체막에 에너지를 입력하는 것은 또한, 만약 예컨대 울트라소닉 트랜스듀서가 액체막에 접촉하는 경우에만 울트라소닉 사운드 웨이브들의 전송이 발생할 수 있기 때문에 울트라소닉 트랜스듀서들이 액체막에 완전히 디핑되지 않는다면, 조절가능하다.
다른 제어 방식은 노즐 유닛과 기판 사이의 상대적인 속도를 그 노즐 유닛이 그 기판 위를 통과하는 동안에 설정하는 것에 달려있고, 액체막의 유지 시간들(dwell times) 및 울트라소닉 사운드 웨이브들의 노출 시간은 국부적으로 조정될 수 있다.
이러한 여러 상이한 제어 방식들 모두는 적응적인 처리를 가능하게 하며, 특히 기판의 국부적인 표면의 상태에 따른 또는 상기 처리의 원하는 결과에 따른 기판의 표면 처리 최적화를 가능하게 한다.
도 6은 다른 실시예에 따른 본 발명의 노즐 유닛에 대한 개략적인 단면도를 나타낸다. 동일하거나 유사한 엘리먼트들이 설명되는 한은 앞서 설명된 실시예들과 동일한 도면부호들이 도 6에서도 사용된다.
도 6에 도시된 노즐 유닛(1)도 또한 하부 표면(6)을 구비한 본체(4)로 구성된다. 울트라소닉 트랜스듀서 장치(10)가 하부 표면(6)의 리세스에 배치된다. 또한, 노즐 유닛(1)은 예컨대 상이한 매질들이 인가되어 혼합되는 매질 분배 챔버 (12)를 구비하는 매질 공급 유닛(8)을 포함한다. 본체(4) 위에 실질적으로 중심을 두고 배치되는 매질 분배 챔버(12)는 본체(4)에서 기울어진 방식으로 연장하는 다수의 도관들(conduits)(30)을 통해 접속된다. 매질 분배 챔버로부터 떨어져 있는 단부들(ends) 각각은 본체(4)의 측면(31)에서 오픈하는 출구 노즐을 형성한다. 노즐들로부터 나오는 액체가 배플 판(baffle plate)(32)으로 향하고 그 아래로 흐르도록 하는 방식으로, 상기 배플 판(32)은 측면(31)에 실질적으로 평행하게 연장한다. 바람직하게 아래 방향으로 약간 연장하는 작은 모세관 갭이 측면(31)과 배플 판(32) 사이에 제공된다. 그럼으로써, 노즐들로부터 나오는 액체가 배플 판에 걸쳐 아래로 흐르며, 실질적으로 균일한 막벽(curtain)을 형성한다. 배플 판(32)과 함께 측면(31)의 출구 노즐들은 노즐 장치를 형성한다. 이로써, 본체(4)의 측면(31)과 배플 판 사이의 갭의 하부 단부가 노즐 장치의 유동체 배출 개구부로서 기능한다. 노즐 장치와 울트라소닉 트랜스듀서 장치는 따라서 실질적으로 동일한 방향으로 향하는데, 그 이유는 노즐 장치로부터 나오는 액체와 울트라소닉 트랜스듀서 장치로부터 방출되는 울트라소닉 사운드가 본체의 하부 표면(6)에 대해 실질적으로 수직으로 지향되기 때문이다.
배플 판을 포함하는 노즐 장치의 구조는 예컨대 본 출원인에 속하면서 먼저 공개되지 않은 DE-A-102 32 984에 공지되어 있고, 반복을 피하기 위해서 그에 대한 참조는 어느 정도만 이루어진다. DE-A-102 32 984의 요지는 참조로서 여기서 통합된다.
이러한 타입의 노즐 유닛은, 기판에 인가되는 액체막이 어떠한 실질적인 강 압(force)을 사용하지 않고도 그 기판에 적용될 수 있고 또한 이는 액체막이 처리될 기판에 균일하게 적용될 수 있게 한다는 장점을 갖는다.
또한, 상이한 액체들 및 특히 운반액(carrier liquid) 내에 상이한 농도의 현상제 또는 에칭제를 갖는 액체들이 다수의 라인들(30)에 의해서 배플 판의 길이에 걸쳐 인가될 수 있다. 비록 단지 하나의 배플 판만이 도 6에 도시되어 있지만, 제 2 배플 판이 예컨대 제 2 노즐 장치를 형성하기 위해서 측면(31)에 마주하여 위치한 측면에 제공될 수 있다. 추가 배플 판에는 라인들(30)에 상응하는 적절한 라인들을 통해서 유동체가 공급될 수 있다. 이는 적절한 제어 방식을 이용하여 상이한 방향들로 기판 위에서 노즐 유닛이 이동될 수 있게 하고, 그로 인해서 양쪽 이동 방향으로의 액체막이 형성될 수 있다. 또한, 노즐 장치들을 통해서 기판에는 상이한 액체들이 인가될 수 있다. 예컨대, 현상액은 노즐 유닛의 이동 방향의 앞에 위치되는 리딩(leading) 노즐 장치에 인가될 수 있고, 반면에 중화 용액(neutralizing solution)은 상기 이동 방향의 뒤에 위치되는 트레일링(trailing) 노즐 장치를 통해 인가될 수 있다.
도 6에 따른 노즐 유닛(1)은 앞서 도 1 내지 도 5에 대해 설명된 노즐 유닛과 동일한 방식에 따라 실질적으로 동작하는데, 도 6에 따른 노즐 유닛(1)의 경우에, 액체는 제 2 배플 판이 제공되지 않은 한은 단일 라인을 따라서만 인가된다.
위에서 설명된 본 발명의 여러 상이한 양상들은 자유롭게 교환될 수 있으며 서로 결합될 수 있다.
비록 본 발명은 특정 실시예에 기초하여 설명되었지만, 이러한 특별히 제공된 실시예로 제한되지는 않는다. 예컨대, 노즐 유닛 및 특히 노즐 장치들(24, 26) 및 울트라소닉 트랜스듀서 장치가 처리될 기판의 전체 폭에 걸쳐 연장하는 것은 필수적이지 않다. 또한, 노즐 장치들 중 하나가 처리될 기판상에 결정된 액체막을 형성하기에 충분한 경우에는 그 하나만을 갖는 것이 가능하다. 기판 위에 선형적으로 상기 노즐 장치를 통과시키는 대신에, 상기 노즐 장치는 예컨대 피봇 방식으로(pivotal) 이동할 수 있다. 당연히, 기판이 노즐 유닛을 지나도록 이동시키는 것도 가능하다. 또한, 노즐 유닛의 사용은 현상제를 동반하는 처리로 제한되지 않는다. 노즐 유닛은 또한 특별히 에칭 처리들 및 헹굼 및/또는 세척 처리를 위해서도 사용될 수 있다. 하나의 동일한 노즐 유닛을 사용하여 그러한 처리들이 연속해서 실행되는 것도 가능하다. 본 발명에 따른 방법은 반도체들 및 LCD 디스플레이들의 제작에 사용하기 위한 반도체 웨이퍼들 및 마스크들에 특히 적합하다.
Claims (52)
- 기판들을 처리하는 방법으로서,적어도 하나의 연장된 노즐 장치(arrangement) 및 상기 노즐 장치에 인접하여 배치되는 울트라소닉(ultrasonic) 또는 메가소닉(megasonic) 트랜스듀서 장치를 포함하는 노즐 유닛을 이용하여, 처리될 기판의 국부적인 표면 영역 상에 액체막(liquid film)을 형성하는 단계 ― 상기 울트라소닉 또는 메가소닉 트랜스듀서 장치는 상이한 공진 주파수들을 갖는 다수의 트랜스듀서들에 의해 형성됨 ―;상기 울트라소닉 또는 메가소닉 트랜스듀서 장치의 적어도 일부분을 상기 액체막과 접촉시키는 단계; 및상기 울트라소닉 또는 메가소닉 트랜스듀서 장치를 이용하여 울트라사운드 또는 메가사운드를 상기 형성된 액체막에 인가하는 단계를 포함하고,상기 트랜스듀서들은 상이한 강도들 및 상이한 주파수들 중 적어도 하나를 이용하여 다음의 모드들 즉, 개별 모드 및 그룹들 모드 중 적어도 하나의 모드로 여기되며(excited), 상기 액체막으로의 상기 울트라사운드 또는 메가사운드의 인가는 상기 처리 동안에 변하고 상기 기판에 대한 상기 노즐 유닛의 위치에 따라 변경되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 액체막은 상기 노즐 유닛의 실질적으로 밀폐된 베이스 구조 및 처리될 상기 기판의 표면 영역 사이에 형성되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 기판의 상이한 표면 영역들에 상기 액체막을 증착시키고 또한 상기 영역들에 상기 울트라사운드를 인가할 목적으로 상기 노즐 유닛과 상기 기판 간의 상대적인 이동을 생성하는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 3항에 있어서,상기 노즐 유닛과 상기 기판 간의 상대적인 이동의 속도는 변하는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 4항에 있어서,상기 상대적인 이동의 속도는 상기 기판에 대한 상기 노즐 유닛의 위치에 따라 변경되는,기판들을 처리하는 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 액체막에 인가되는 울트라사운드의 강도 및 주파수 중 적어도 하나는 상기 트랜스듀서 장치의 적어도 서브-영역에서 변경되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판 상에서 상기 울트라사운드의 입사 각도는 상기 기판의 표면에 대한 상기 트랜스듀서 장치의 기울어진 위치에 의해서 변하는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판의 표면에 대한 상기 울트라사운드의 입사 각도는 105°와 75°사이에서 변하는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 트랜스듀서들은 행을 따라서 또는 행렬 형태로 배치되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 액체막은 상기 기판의 전체 폭에 걸쳐 실질적으로 직선을 따라 형성되고, 상기 울트라사운드는 상기 기판의 전체 폭에 걸쳐 실질적으로 직선을 따라 상기 액체막에 인가되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 울트라사운드의 인가는 상기 기판의 폭에 걸쳐 상이한 방식으로 제어되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 액체막을 형성하는 액체의 구성물이 제어되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 노즐 장치는 상이한 방식들로 제어되는 다수의 노즐들을 포함하는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 액체막의 형성을 위해 국부적으로 상이한 액체들 및 국부적으로 상이한 양들의 액체 중 적어도 하나가 상기 액체막을 형성할 목적으로 상기 기판에 인가되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 액체막은 상기 트랜스듀서 장치의 마주하는 면들(opposite sides) 상에 배치되는 적어도 두 개의 노즐 장치들에 의해서 적용되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 17항에 있어서,상기 트랜스듀서 장치의 마주하는 면들 상에 배치되는 상기 노즐 장치들에 상이한 액체들이 공급되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,0.2㎜ 내지 2.0㎜의 평균 이격거리가 처리 프로세스 동안에 처리될 상기 기판의 표면 및 상기 트랜스듀서 장치 간에 유지되는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 19항에 있어서,상기 평균 이격거리는 상기 처리 동안에 변하는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 액체막을 형성하는 액체는 현상제(developer) 또는 에칭제(etching agent)를 포함하는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 액체막은 헹굼액(rinsing fluid) 및 세척액(cleaning fluid) 중 적어도 하나를 포함하는,기판들을 처리하는 방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 트랜스듀서들 중 적어도 하나는 적어도 상기 액체막에 상기 울트라사운드를 인가하는 프로세스 동안에 센서로서 기능하는 방식으로 제어되는,기판들을 처리하는 방법.
- 액체 및 울트라사운드 또는 메가사운드를 통해 기판(2)들을 처리하기 위한 장치로서,상기 기판(2) 상에 액체막을 생성하기 위한 적어도 하나의 연장된 노즐 장치(24,26) 및 상기 기판(2)에 배치되는 액체막에 울트라사운드 또는 메가사운드를 인가하기 위해 상기 노즐 장치(24,26)에 인접하게 배치되는 트랜스듀서 장치(10)를 포함하는 노즐 유닛(1) ― 상기 트랜스듀서 장치(10)는 다수의 울트라소닉 또는 메가소닉 트랜스듀서들(29)에 의해 형성되고, 상기 다수의 트랜스듀서들(29)은 상이한 공진 주파수들의 트랜스듀서들을 갖고, 상기 적어도 하나의 노즐 장치(24,26) 및 상기 트랜스듀서 장치(10)는 실질적으로 동일한 방향으로 지향함 ―;상기 적어도 하나의 노즐 장치(24,26) 및 상기 울트라소닉 또는 메가소닉 트랜스듀서 장치(10)가 상기 기판(2)의 표면으로부터 정해진 거리에서 상기 기판(2)의 표면을 향하도록 지향되고 상기 트랜스듀서 장치(10)가 상기 기판(2)의 표면 상에 형성되는 액체막에 접촉하는 방식으로, 상기 기판(2)의 표면에 인접하게 상기 기판(2) 및 상기 노즐 유닛(1) 중 적어도 하나를 위치시키기 위해 상기 기판(2) 및 상기 노즐 유닛(1) 중 적어도 하나를 위한 이동 장치; 및상기 다수의 트랜스듀서들(29)을 다음의 모드들 즉, 개별 모드 및 그룹들 모드 중 적어도 하나의 모드로 여기시키기 위한 제어 장치를 포함하고,상기 액체막으로의 상기 울트라사운드 또는 상기 메가사운드의 인가는 상기 처리 동안에 변하고 상기 기판에 대한 상기 노즐 유닛의 위치에 따라 변경되는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항에 있어서,상기 적어도 하나의 노즐 장치 및 상기 트랜스듀서 장치가 상기 기판의 표면으로부터 정해진 거리에서 상기 기판의 표면 위에서 이동되도록 하는 방식으로 상기 이동 장치를 제어하기 위한 제어 장치를 포함하는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,적어도 하나의 추가적인 연장된 노즐 장치를 포함하고,상기 트랜스듀서 장치(10)는 적어도 두 개의 연장된 노즐 장치들(24,26) 사이에 배치되는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 26항에 있어서,상기 연장된 노즐 장치들(24,26) 중 적어도 하나는 상기 트랜스듀서 장치(10)의 중앙면을 향해 지향되는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,다수의 트랜스듀서들(29)이 행 또는 행렬 형태로 서로 인접하게 배치되는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,상기 트랜스듀서들(29)에 인가되는 주파수 및 에너지 중 적어도 하나를 변경하기 위한 제어 장치를 포함하는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,상기 트랜스듀서 장치(10)의 표면과 상기 기판(2)의 표면 간의 각도를 설정하기 위한 장치를 포함하는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 30항에 있어서,상기 각도는 0°와 ±15°사이에서 조정될 수 있는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,정해진 평균 거리는 0.2㎜와 2㎜ 사이에서 조정될 수 있는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,상기 적어도 하나의 노즐 장치(24,26)에 액체를 공급하기 위한 장치를 포함하는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 33항에 있어서,상이한 노즐 장치들(24,26) 및 상기 노즐 장치의 상이한 출구(outlet) 노즐들 중 적어도 하나에 상이한 액체들을 공급하기 위한 제어 장치를 포함하는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,상기 적어도 하나의 노즐 장치(24,26) 및 상기 트랜스듀서 장치(10)가 공통 본체(4) 내에 또는 그 위에 배치되며, 실질적으로 밀폐된 베이스 구조를 형성하는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 35항에 있어서,상기 실질적으로 밀폐된 베이스 구조는 상기 트랜스듀서 장치(10)의 영역에서 상기 베이스 구조의 나머지 부분에 비해 돌출하는(protrude),기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,상기 적어도 하나의 노즐 장치(24,26) 및 상기 트랜스듀서 장치(10)가 서로에 대해 실질적으로 평행하게 연장되는,기판들을 처리하기 위한 장치.
- 제 24항 또는 제 25항에 있어서,울트라사운드 또는 메가사운드에 대한 센서로서, 또는 울트라사운드 또는 메가사운드에 대한 제너레이터들로서 기능하도록 상기 트랜스듀서들(29)을 제어하기 위한 제어 장치를 포함하는,기판들을 처리하기 위한 장치.
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004053337.7 | 2004-11-04 | ||
| DE102004053337A DE102004053337A1 (de) | 2004-11-04 | 2004-11-04 | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Düseneinheit hierfür |
| PCT/EP2005/011533 WO2006048185A1 (de) | 2004-11-04 | 2005-10-28 | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten und düseneinheit hierfür |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070073810A KR20070073810A (ko) | 2007-07-10 |
| KR101256972B1 true KR101256972B1 (ko) | 2013-04-19 |
Family
ID=35686552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020077009283A KR101256972B1 (ko) | 2004-11-04 | 2005-10-28 | 기판들을 처리하기 위한 방법 및 장치와 상응하는 노즐유닛 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090071503A1 (ko) |
| EP (1) | EP1815502B1 (ko) |
| JP (1) | JP4801086B2 (ko) |
| KR (1) | KR101256972B1 (ko) |
| CN (1) | CN100539004C (ko) |
| CA (1) | CA2583838A1 (ko) |
| DE (1) | DE102004053337A1 (ko) |
| HK (1) | HK1113707A1 (ko) |
| SG (1) | SG174037A1 (ko) |
| TW (1) | TW200631679A (ko) |
| WO (1) | WO2006048185A1 (ko) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100852396B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2008-08-14 | 한국기계연구원 | 초음파를 이용한 세정장치 |
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| WO2010066081A1 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
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-
2004
- 2004-11-04 DE DE102004053337A patent/DE102004053337A1/de not_active Ceased
-
2005
- 2005-10-28 CN CNB2005800376907A patent/CN100539004C/zh active Active
- 2005-10-28 EP EP05806379A patent/EP1815502B1/de active Active
- 2005-10-28 KR KR1020077009283A patent/KR101256972B1/ko active IP Right Grant
- 2005-10-28 JP JP2007539510A patent/JP4801086B2/ja active Active
- 2005-10-28 WO PCT/EP2005/011533 patent/WO2006048185A1/de active Application Filing
- 2005-10-28 CA CA002583838A patent/CA2583838A1/en not_active Abandoned
- 2005-10-28 SG SG2011055944A patent/SG174037A1/en unknown
- 2005-10-28 US US11/718,675 patent/US20090071503A1/en not_active Abandoned
- 2005-10-28 TW TW094137745A patent/TW200631679A/zh unknown
-
2008
- 2008-03-13 HK HK08102952.4A patent/HK1113707A1/xx not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102004053337A1 (de) | 2006-05-11 |
| EP1815502B1 (de) | 2011-11-16 |
| HK1113707A1 (en) | 2008-10-10 |
| TW200631679A (en) | 2006-09-16 |
| WO2006048185A1 (de) | 2006-05-11 |
| SG174037A1 (en) | 2011-09-29 |
| US20090071503A1 (en) | 2009-03-19 |
| CN101073140A (zh) | 2007-11-14 |
| JP4801086B2 (ja) | 2011-10-26 |
| CN100539004C (zh) | 2009-09-09 |
| KR20070073810A (ko) | 2007-07-10 |
| EP1815502A1 (de) | 2007-08-08 |
| JP2008519446A (ja) | 2008-06-05 |
| TWI357361B (ko) | 2012-02-01 |
| CA2583838A1 (en) | 2006-05-11 |
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| KR100870525B1 (ko) | 기판 세정 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160407 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170406 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180406 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190410 Year of fee payment: 7 |