JP2014022403A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】オゾン水を用いて、基板からレジストを良好に除去することができる枚葉型の基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハWを保持するスピンチャックと、ウエハWの表面と対向する対向面15を有する遮断板6と、対向面15に開口する液吐出口18を有する液ノズル17と、対向面15に開口するガス吐出口22を有するガスノズル21とを備えている。遮断板6の対向面15が、スピンチャック3保持されたウエハWの表面と1mm以上5mm以下の間隔Sを空けて対向配置される。液吐出口18からオゾン水が吐出される。80リットル/分以上120リットル/分以下の流量の不活性ガスがガス吐出口22から吐出される。ガス吐出口22から吐出される不活性ガスが、ウエハWの表面上を流れるオゾン水に吹き付けられる。
【選択図】図6
【解決手段】基板処理装置は、ウエハWを保持するスピンチャックと、ウエハWの表面と対向する対向面15を有する遮断板6と、対向面15に開口する液吐出口18を有する液ノズル17と、対向面15に開口するガス吐出口22を有するガスノズル21とを備えている。遮断板6の対向面15が、スピンチャック3保持されたウエハWの表面と1mm以上5mm以下の間隔Sを空けて対向配置される。液吐出口18からオゾン水が吐出される。80リットル/分以上120リットル/分以下の流量の不活性ガスがガス吐出口22から吐出される。ガス吐出口22から吐出される不活性ガスが、ウエハWの表面上を流れるオゾン水に吹き付けられる。
【選択図】図6
Description
この発明は、半導体ウエハ等の基板からレジストを除去するための基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)の主面にリン、砒素、硼素などの不純物(イオン)を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不要な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入の不要な部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、その不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。
このようなレジスト除去処理の代表的なものでは、ウエハの表面に酸素プラズマが照射されて、ウエハの表面上のレジストがアッシングされる。そして、ウエハの表面に硫酸過酸化水素水混合液などの薬液が供給されて、アッシングされたレジストが除去されることにより、ウエハの表面からのレジストの除去が達成される。しかしながら、レジストのアッシングのための酸素プラズマの照射は、ウエハの表面のレジストで覆われていない部分(たとえば、レジストから露呈した酸化膜)にダメージを与えてしまう。
アッシングすることなく、レジストを除去する手法として、オゾンガスを水に溶解して得られる高濃度のオゾン水にウエハを含浸させて、オゾン水の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法がある(たとえば特許文献1参照)。
オゾンガスは時間の経過とともに無害な酸素(気体)に自己分解し、残留性がないから、オゾン水は、環境への負荷が少ない。環境への負荷低減が求められる中、高濃度(溶存オゾン濃度の高い)のオゾン水を用いたレジスト除去プロセスが注目されつつある。
ところで、処理液を用いてウエハを処理するための基板処理装置には、複数枚の基板(ウエハ)に対して一括して処理を行うバッチ式のものと、基板を一枚ずつ処理する枚葉型のものとがある。枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持されている基板の主面(表面)に向けて処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。
ところで、処理液を用いてウエハを処理するための基板処理装置には、複数枚の基板(ウエハ)に対して一括して処理を行うバッチ式のものと、基板を一枚ずつ処理する枚葉型のものとがある。枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持されている基板の主面(表面)に向けて処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。
本願発明者らは、枚葉型の基板処理装置で、処理液として高濃度のオゾン水を採用することにより、基板にレジスト除去処理を施すことを検討している。この場合、具体的には、スピンチャックにより保持されている基板の主面に向けて、処理液ノズルから、高濃度のオゾン水を吐出する。
ところが、大気圧下では水に対するオゾンの溶解度は低い。高圧下にある配管内やオゾン水ノズル内では、大量のオゾンが水に溶け込んでいるが、オゾン水ノズルの吐出口から吐出されると、オゾン水が分解し、そのオゾン濃度が低下するおそれがある。したがって、低濃度化したオゾン水が基板の主面に供給されるおそれがある。この場合、基板の主面からレジストを良好に除去することができない。
ところが、大気圧下では水に対するオゾンの溶解度は低い。高圧下にある配管内やオゾン水ノズル内では、大量のオゾンが水に溶け込んでいるが、オゾン水ノズルの吐出口から吐出されると、オゾン水が分解し、そのオゾン濃度が低下するおそれがある。したがって、低濃度化したオゾン水が基板の主面に供給されるおそれがある。この場合、基板の主面からレジストを良好に除去することができない。
そこで、この発明の目的は、オゾン水を用いて、基板からレジストを良好に除去することができる枚葉型の基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)の主面からレジストを除去するために用いられる基板処理装置(1;100)であって、基板を保持する基板保持手段(3)と、前記基板保持手段に保持された基板の主面と1mm以上5mm以下の間隔(S)を空けて対向する対向面(15;102)を有する対向部材(6;101)と、前記対向面に開口する吐出口(18)を有するノズル(17)と、前記ノズルにオゾン水を供給するオゾン水供給手段(11,12)と、前記吐出口から吐出されたオゾン水に、前記対向面と前記基板の主面との間において、80リットル/分以上120リットル/分以下の流量の不活性ガスを吹き付けるガス吹付け手段(21,23,24)とを含む、基板処理装置である。
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、対向部材の対向面が、基板の主面と1mm以上5mm以下の間隔を空けて対向配置された状態で、吐出口から吐出されたオゾン水に、80リットル/分以上120リットル/分以下の流量の不活性ガスが吹き付けられる。基板の主面と対向面との間の狭空間内で、大流量の不活性ガスがオゾン水に吹き付けられるから、オゾン水が加圧状態に保たれ、そのため、オゾン水の分解を抑制できる。これにより、オゾン水のオゾン濃度を高く維持することができるから、オゾン水の有する酸化力を高く保つことができる。ゆえに、高いレジスト除去性能をオゾン水に発揮させることができる。
この構成によれば、対向部材の対向面が、基板の主面と1mm以上5mm以下の間隔を空けて対向配置された状態で、吐出口から吐出されたオゾン水に、80リットル/分以上120リットル/分以下の流量の不活性ガスが吹き付けられる。基板の主面と対向面との間の狭空間内で、大流量の不活性ガスがオゾン水に吹き付けられるから、オゾン水が加圧状態に保たれ、そのため、オゾン水の分解を抑制できる。これにより、オゾン水のオゾン濃度を高く維持することができるから、オゾン水の有する酸化力を高く保つことができる。ゆえに、高いレジスト除去性能をオゾン水に発揮させることができる。
対向面と基板の主面との間隔が1mm未満であれば、基板の主面でオゾン水が周縁部に向けてスムーズに拡がらず、その結果、ウエハWの表面に処理むらが生じるおそれがある。
また、対向面と基板の主面との間隔が5mmを超えると、対向面と基板の主面との間を狭空間に保てないから、オゾン水を高圧状態に保てない。そのため、基板の主面上のオゾン水の溶存オゾン濃度が低下し、これに伴い、オゾン水が有する酸化力が低下する。
また、対向面と基板の主面との間隔が5mmを超えると、対向面と基板の主面との間を狭空間に保てないから、オゾン水を高圧状態に保てない。そのため、基板の主面上のオゾン水の溶存オゾン濃度が低下し、これに伴い、オゾン水が有する酸化力が低下する。
不活性ガスの流量が80リットル/分未満である場合には、オゾン水を高圧状態に保つことができない。そのため、基板の主面上のオゾン水の溶存オゾン濃度が低下し、これに伴い、オゾン水の酸化力が低下する。
また、不活性ガスの流量が120リットル/分を超える場合には、不活性ガスの吐出流量が大き過ぎるから、不活性ガスによって基板の主面におけるオゾン水の流れが阻害される。その結果、基板の表面に処理むらが生じるおそれがある。
また、不活性ガスの流量が120リットル/分を超える場合には、不活性ガスの吐出流量が大き過ぎるから、不活性ガスによって基板の主面におけるオゾン水の流れが阻害される。その結果、基板の表面に処理むらが生じるおそれがある。
不活性ガスの吐出流量は、100リットル/分以上120リットル/分以下であることがさらに望ましい。これにより、基板の主面に存在するオゾン水の溶存オゾン濃度をより一層高く保つことができ、レジストをより効果的に除去することができる。
なお、ガス吹付け手段は、基板の主面に着液し、当該主面上に存在するオゾン水に、不活性ガスを吹き付けるものであってもよい。
なお、ガス吹付け手段は、基板の主面に着液し、当該主面上に存在するオゾン水に、不活性ガスを吹き付けるものであってもよい。
請求項2記載の発明は、前記基板保持手段に保持されている基板を回転させるための基板回転手段(7)と、前記対向部材を基板の回転軸線(C)と共通の回転軸線まわりに回転させるための対向部材回転手段(27)と、前記基板回転手段および前記対向部材回転手段を制御して、前記基板保持手段により保持された基板および前記対向部材を、1000rpm以下のオゾン水処理回転速度で同方向に回転させる回転制御手段(30)をさらに含む、請求項1記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板および対向部材が(0rpmを超え)1000rpm以下の回転速度で同方向に回転させられることにより、基板の主面と対向面との間が陽圧に保たれる。すなわち、陽圧状態下で、オゾン水への不活性ガスの吹付けが行われる。ゆえに、ノズルから吐出された後のオゾン水を、より容易に加圧状態に保つことができる。
基板および対向部材の回転速度が1000rpmを超えると、基板の主面と対向面との間が十分な陽圧状態に保たれない。そのため、ノズルから吐出された後のオゾン水を加圧状態に保つのが困難になる。
基板および対向部材の回転速度が1000rpmを超えると、基板の主面と対向面との間が十分な陽圧状態に保たれない。そのため、ノズルから吐出された後のオゾン水を加圧状態に保つのが困難になる。
より好ましくは、前記のオゾン水処理回転速度は、500rpm以下である。この場合、基板の主面と対向面との間が、より一層高い陽圧状態に保たれる。これにより、ノズルから吐出された後のオゾン水を、加圧状態に、より一層容易に保つことができる。
請求項3記載の発明は、前記対向面は、前記主面との間隔(S)が、前記吐出口から離れるに従って小さくなるテーパ面(104)を有する、請求項1または2記載の基板処理装置である。
請求項3記載の発明は、前記対向面は、前記主面との間隔(S)が、前記吐出口から離れるに従って小さくなるテーパ面(104)を有する、請求項1または2記載の基板処理装置である。
この構成によれば、対向面がテーパ面を有しているので、対向面と基板の主面との間の空間に吐出された不活性ガスが、テーパ面に案内されて基板の主面全域に導かれ、基板の主面全域に均一に吹き付けられる。また、テーパ面と基板の主面との間隔が吐出口から離れるに従って小さくなっており、対向面と基板の主面との間の空間からの排気が抑制されるから、当該空間全域を高圧状態に保つことができる。これにより、基板の主面の全域で、基板の主面を流れるオゾン水を、均一の高圧状態に維持することができる。
前記の目的を達成するための請求項4記載の発明は、基板(W)の主面からレジストを除去するために用いられる基板処理方法であって、対向部材(6;101)の対向面(15;102)を、基板保持手段(3)に保持されている基板の主面と1mm以上5mm以下の間隔(S)を空けて対向配置する対向部材配置工程と、前記対向部材配置工程と並行して、前記対向面に開口するノズル(17)の吐出口(18)からオゾン水を吐出するオゾン水吐出工程と、前記吐出口から吐出されたオゾン水に、前記対向面と前記基板の主面との間において、80リットル/分以上120リットル/分以下の流量の不活性ガスを吹き付けるガス吹付け工程とを含む、基板処理方法である。
この発明の方法によれば、請求項1に関連して述べた作用効果と同等の作用効果を奏することができる。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を模式的に示す図である。基板処理装置1は、たとえば基板の一例としての円形のウエハWの表面(主面)に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉型の装置である。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を模式的に示す図である。基板処理装置1は、たとえば基板の一例としての円形のウエハWの表面(主面)に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉型の装置である。
基板処理装置1は、隔壁(図示しない)により区画された処理室2内に、ウエハWをほぼ水平姿勢に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線(鉛直軸線)CまわりにウエハWを回転させるスピンチャック(基板保持手段)3と、スピンチャック3を収容するカップ5とを備えている。スピンチャック3の上方には、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板(対向部材)6が配設されている。
スピンチャック3として、たとえば挟持式のものが採用されている。具体的には、スピンチャック3は、水平な円板状のスピンベース9と、スピンベース9を回転駆動させるためのスピンモータ(基板回転手段)7と、スピンベース9の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられた複数個の挟持部材10とを備えている。これにより、スピンチャック3は、複数個の挟持部材10によってウエハWを挟持した状態で、スピンモータ7の回転駆動力によってスピンベース9を回転させることにより、ほぼ水平姿勢を保ったウエハWを、スピンベース9とともに回転軸線Cまわりに回転させることができる。
なお、スピンチャック3としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハWの裏面を真空吸着することにより、ウエハWを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック3に保持されたウエハWを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
遮断板6は、ウエハWとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状をなしている。そして、遮断板6は、スピンチャック3の上方に、ほぼ水平な姿勢で、その中心がウエハWの回転軸線C上に位置するように配置されている。遮断板6の下面には、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面と対向する円形の対向面15が形成されている。対向面15は、ウエハWの表面の全域と対向している。
遮断板6は、ウエハWとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状をなしている。そして、遮断板6は、スピンチャック3の上方に、ほぼ水平な姿勢で、その中心がウエハWの回転軸線C上に位置するように配置されている。遮断板6の下面には、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面と対向する円形の対向面15が形成されている。対向面15は、ウエハWの表面の全域と対向している。
遮断板6の表面には、遮断板6の中心を通る鉛直軸線(ウエハWの回転軸線C上の鉛直軸線)を中心軸線とする回転軸16が固定されている。回転軸16は中空に形成されている。回転軸16の内部には、管状の液ノズル17および管状のガスノズル21がそれぞれ鉛直方向に延びた状態で挿通されている。液ノズル17には、オゾン水供給管(オゾン水供給手段)11およびリンス液供給管19が接続されている。
オゾン水供給管11には、オゾン水供給源から高濃度(高い溶存オゾン濃度。たとえば200ppm)のオゾン水が供給されるようになっている。オゾン水供給管11には、オゾン水供給管11を開閉するためのオゾン水バルブ(オゾン水供給手段)12が介装されている。
リンス液供給管19には、リンス液供給源からリンス液が供給されるようになっている。リンス液は、DIW、炭酸水、電解イオン水、還元水(水素水)、磁気水などを含む。リンス液供給管19には、リンス液供給管19を開閉するためのリンス液バルブ20が介装されている。
リンス液供給管19には、リンス液供給源からリンス液が供給されるようになっている。リンス液は、DIW、炭酸水、電解イオン水、還元水(水素水)、磁気水などを含む。リンス液供給管19には、リンス液供給管19を開閉するためのリンス液バルブ20が介装されている。
ガスノズル21には不活性ガス供給管(ガス吹付け手段)23が接続されている。不活性ガス供給管23には、不活性ガス供給管23の開閉のための不活性ガスバルブ(ガス吹付け手段)24、および不活性ガス供給管23の開度を調節して、ガス吐出口22(後述する)からのガス吐出流量を調節するための流量調節バルブ31が介装されている。
回転軸16は、カップ5の上方でほぼ水平に延びるアーム25に取り付けられ、そのアーム25から垂下した状態に設けられている。アーム25には、アーム25を昇降させるためのアーム昇降機構26が結合されている。アーム25の昇降により、遮断板6は、スピンチャック3の上方に大きく離間したスピンチャック3の上方に大きく離間した退避位置と、スピンチャック3に保持されたウエハWの表面に微小な間隔を隔てて近接する近接位置との間で昇降される。また、遮断板6には、遮断板6を回転させるための遮断板回転機構27が結合されている。
回転軸16は、カップ5の上方でほぼ水平に延びるアーム25に取り付けられ、そのアーム25から垂下した状態に設けられている。アーム25には、アーム25を昇降させるためのアーム昇降機構26が結合されている。アーム25の昇降により、遮断板6は、スピンチャック3の上方に大きく離間したスピンチャック3の上方に大きく離間した退避位置と、スピンチャック3に保持されたウエハWの表面に微小な間隔を隔てて近接する近接位置との間で昇降される。また、遮断板6には、遮断板6を回転させるための遮断板回転機構27が結合されている。
また、基板処理装置1は、マイクロコンピュータで構成される制御装置(回転制御手段)30を備えている。制御装置30は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ7、アーム昇降機構26および遮断板回転機構27の駆動を制御する。また、制御装置30は、予め定められたプログラムに従って、バルブ12,20,24の開閉を制御するとともに、流量調節バルブ31の開度を制御する。
図2は、遮断板6および回転軸16の構成を示す断面図である。図3は、遮断板6の底面図である。
回転軸16の中空部分(回転軸16の内壁によって区画される部分)は、円筒状の管挿通路(開口部)32を形成している。管挿通路32の下端は、遮断板6の対向面15において円形に開口している。管挿通路32内には、液ノズル(ノズル)17およびガスノズル21がそれぞれ鉛直方向に、かつ互いに左右方向に微小間隔(たとえば2mm)を空けて挿通されている。液ノズル17およびガスノズル21は、管挿通路32内を回転軸16とほぼ同軸に延び、回転軸16とは別の静止部材に固定された円筒状のブロック体35に支持されている。液ノズル17およびガスノズル21は、ブロック体35の内部を上下に貫通し、それらの下端部がブロック体35の下面から下方に突出している。ブロック体35の全周に関して、ブロック体35の外周面と管挿通路32の内壁との間には隙間が形成されており、換言すると、ブロック体35の外周面と管挿通路32の内壁との間には、ブロック体35の外周全周を取り囲む円筒空間29が形成されている。ブロック体35が、回転軸16とは別の静止部材に固定されているので、遮断板6および回転軸16の回転状態であっても、液ノズル17およびガスノズル(ガス吹付け手段)21は静止状態にある。
回転軸16の中空部分(回転軸16の内壁によって区画される部分)は、円筒状の管挿通路(開口部)32を形成している。管挿通路32の下端は、遮断板6の対向面15において円形に開口している。管挿通路32内には、液ノズル(ノズル)17およびガスノズル21がそれぞれ鉛直方向に、かつ互いに左右方向に微小間隔(たとえば2mm)を空けて挿通されている。液ノズル17およびガスノズル21は、管挿通路32内を回転軸16とほぼ同軸に延び、回転軸16とは別の静止部材に固定された円筒状のブロック体35に支持されている。液ノズル17およびガスノズル21は、ブロック体35の内部を上下に貫通し、それらの下端部がブロック体35の下面から下方に突出している。ブロック体35の全周に関して、ブロック体35の外周面と管挿通路32の内壁との間には隙間が形成されており、換言すると、ブロック体35の外周面と管挿通路32の内壁との間には、ブロック体35の外周全周を取り囲む円筒空間29が形成されている。ブロック体35が、回転軸16とは別の静止部材に固定されているので、遮断板6および回転軸16の回転状態であっても、液ノズル17およびガスノズル(ガス吹付け手段)21は静止状態にある。
液ノズル17の下端は、下方に向けて開口する液吐出口(吐出口)18を有している。液吐出口18は、遮断板6の中心を通る鉛直軸線(ウエハWの回転軸線と一致する鉛直軸線)上にほぼ一致するように配置されている。換言すると、液吐出口18は、スピンチャック3に保持されるウエハWの回転中心に対向配置されている。
ガスノズル21の下端は、下方に向けて開口するガス吐出口22を有している。ガス吐出口22は、遮断板6の中心を通る鉛直軸線(ウエハWの回転軸線Cと一致する鉛直軸線)上にほぼ一致するように配置されている。換言すると、ガス吐出口22は、スピンチャック3に保持されるウエハWの回転中心に対向配置されている。また、ガス吐出口22は、液吐出口18と上下高さを揃えて設けられているが、液吐出口18よりも上方に配置されていてもよい。
ガスノズル21の下端は、下方に向けて開口するガス吐出口22を有している。ガス吐出口22は、遮断板6の中心を通る鉛直軸線(ウエハWの回転軸線Cと一致する鉛直軸線)上にほぼ一致するように配置されている。換言すると、ガス吐出口22は、スピンチャック3に保持されるウエハWの回転中心に対向配置されている。また、ガス吐出口22は、液吐出口18と上下高さを揃えて設けられているが、液吐出口18よりも上方に配置されていてもよい。
図1に示すように、リンス液バルブ20が閉じられた状態でオゾン水バルブ12を開くことにより、液ノズル17に高濃度のオゾン水が供給され、その高濃度のオゾン水が、液吐出口18から下方に向けて吐出される。また、オゾン水バルブ12が閉じられた状態でリンス液バルブ20を開くことにより、液ノズル17にリンス液が供給され、液吐出口18から下方に向けてリンス液が吐出される。
また、不活性ガスバルブ24を開くことにより、ガスノズル21に、窒素ガスやエア等の不活性ガスが供給され、ガス吐出口22から下方に向けて不活性ガスが吐出される。
図4は、基板処理装置1によるレジスト除去処理の処理例を示す工程図である。図5は、この処理例を説明するためのタイミングチャートである。図6は、次に述べるレジスト除去工程を説明するための断面図である。以下、図1、図4〜図6を参照して、基板処理装置1による処理例について説明する。
図4は、基板処理装置1によるレジスト除去処理の処理例を示す工程図である。図5は、この処理例を説明するためのタイミングチャートである。図6は、次に述べるレジスト除去工程を説明するための断面図である。以下、図1、図4〜図6を参照して、基板処理装置1による処理例について説明する。
レジスト除去処理に際しては、搬送ロボット(図示しない)が制御されて、処理室2内にイオン注入処理後のウエハWが搬入される(ステップS1:ウエハ搬入)。ウエハWは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。ウエハWは、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック3に受け渡される。このとき、ウエハWの搬入の妨げにならないように、遮断板6は、スピンチャック3の上方に大きく離間した位置に退避されている。
ウエハWがスピンチャック3に保持された後、制御装置30はアーム昇降機構26を制御して、遮断板6を近接位置まで下降させる。この近接位置は、遮断板6の対向面15と、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面との間隔Sが、1mm以上5mm以下の所定の間隔(たとえば1mm)になるような高さ位置である。その結果、遮断板6の対向面15とウエハWの表面との間に狭空間が形成される。この空間は、ウエハWの側方と遮断された密閉の空間である。また、この状態で、液吐出口18およびガス吐出口22は、ウエハWの表面の回転中心に対向している。
また、制御装置30はスピンモータ7および遮断板回転機構27を制御して、ウエハWおよび遮断板6を液処理回転速度(オゾン水処理回転速度。1000rpm以下の所定の回転速度。より好ましくは500rpm以下の所定の回転速度。たとえば300rpm)で同方向に回転させる。
遮断板6の下降が完了した後、制御装置30は、リンス液バルブ20が閉じられた状態でオゾン水バルブ12を開く。これにより、液吐出口18から下方に向けて、たとえば2リットル/分の流量の高濃度のオゾン水が吐出される。液吐出口18から吐出される高濃度オゾン水は、回転中のウエハWの表面の中心部に供給される。また、制御装置30が不活性ガスバルブ24を開く。このとき、流量調節バルブ31の開度は、ガス吐出口22からの不活性ガスの供給流量が予め定める大流量(たとえば80リットル/分以上120リットル/分以下の所定の流量。より好ましくは80リットル/分以上100リットル/分以下の所定の流量。たとえば100リットル/分)になるように設定されている。そのため、ガス吐出口22から前述のような大流量の不活性ガスが下方に向けて吐出される。また、制御装置30は、遮断板6を、ウエハWの回転に同期してウエハWの回転方向と同方向に回転させる。
遮断板6の下降が完了した後、制御装置30は、リンス液バルブ20が閉じられた状態でオゾン水バルブ12を開く。これにより、液吐出口18から下方に向けて、たとえば2リットル/分の流量の高濃度のオゾン水が吐出される。液吐出口18から吐出される高濃度オゾン水は、回転中のウエハWの表面の中心部に供給される。また、制御装置30が不活性ガスバルブ24を開く。このとき、流量調節バルブ31の開度は、ガス吐出口22からの不活性ガスの供給流量が予め定める大流量(たとえば80リットル/分以上120リットル/分以下の所定の流量。より好ましくは80リットル/分以上100リットル/分以下の所定の流量。たとえば100リットル/分)になるように設定されている。そのため、ガス吐出口22から前述のような大流量の不活性ガスが下方に向けて吐出される。また、制御装置30は、遮断板6を、ウエハWの回転に同期してウエハWの回転方向と同方向に回転させる。
図6に示すように、ウエハWの表面中央部に着液した高濃度のオゾン水に、ガス吐出口22から吐出される大流量の不活性ガスが、上方から吹き付けられる。
このとき、狭空間において、ウエハW上のオゾン水に大流量の不活性ガスが吹き付けられるから、オゾン水が加圧状態に保たれ、そのため、ウエハW上に存在するオゾン水中のオゾン濃度を高く維持することができ、これにより、オゾン水の有する酸化力が高く保たれる。
このとき、狭空間において、ウエハW上のオゾン水に大流量の不活性ガスが吹き付けられるから、オゾン水が加圧状態に保たれ、そのため、ウエハW上に存在するオゾン水中のオゾン濃度を高く維持することができ、これにより、オゾン水の有する酸化力が高く保たれる。
そして、ウエハWの表面中央部に着液したオゾン水は、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハW上を外方に広がっていく。これにより、ウエハWの表面の全域に、高濃度のオゾン水がむらなく供給される。オゾン水に含まれるオゾンの強酸化力がレジストに作用し、ウエハWの表面からレジストが除去される。
また、ウエハWと遮断板6とがともに300rpmの回転速度で回転される。そのため、ウエハWの表面と対向面15との間が陽圧状態に保たれる。これにより、陽圧状態下で、オゾン水に対して不活性ガスを吹き付けることができ、ゆえに、ウエハWの表面に存在するオゾン水を、より容易に加圧状態に保つことができる。
また、ウエハWと遮断板6とがともに300rpmの回転速度で回転される。そのため、ウエハWの表面と対向面15との間が陽圧状態に保たれる。これにより、陽圧状態下で、オゾン水に対して不活性ガスを吹き付けることができ、ゆえに、ウエハWの表面に存在するオゾン水を、より容易に加圧状態に保つことができる。
レジスト除去処理が予め定める時間にわたって行われると、制御装置30は、オゾン水バルブ12を制御してオゾン水の吐出を停止させるとともに、不活性ガスバルブ24を制御して不活性ガスの吐出を停止させる。
次いで、ステップS3のリンス処理工程が施される。制御装置30はリンス液バルブ20を開いて、液吐出口18からたとえば2〜3リットル/分の流量のリンス液を吐出する。液吐出口18から吐出されるリンス液は、回転中のウエハWの表面の中心部に供給される。
次いで、ステップS3のリンス処理工程が施される。制御装置30はリンス液バルブ20を開いて、液吐出口18からたとえば2〜3リットル/分の流量のリンス液を吐出する。液吐出口18から吐出されるリンス液は、回転中のウエハWの表面の中心部に供給される。
ウエハWの表面に供給されたリンス液は、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハWの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハWの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハWの表面に付着しているオゾン水がリンス液により洗い流される(リンス処理)。
また、このとき、対向面15に付着しているオゾン水が、リンス液によって洗い流される。
また、このとき、対向面15に付着しているオゾン水が、リンス液によって洗い流される。
リンス処理が予め定める時間にわたって行われると、制御装置30は、リンス液バルブ20を制御してリンス液の吐出を停止させる。
リンス液の吐出開始から予め定めるリンス処理期間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置30は、スピンモータ7および遮断板回転機構27を制御して、ウエハWおよび遮断板6の回転速度を、それぞれ所定の高回転速度(たとえば2500rpm程度)まで加速させる。これにより、ウエハWの表面上のリンス液が振り切られて除去される(ステップS4:乾燥工程)。
リンス液の吐出開始から予め定めるリンス処理期間(たとえば30秒間)が経過すると、制御装置30は、スピンモータ7および遮断板回転機構27を制御して、ウエハWおよび遮断板6の回転速度を、それぞれ所定の高回転速度(たとえば2500rpm程度)まで加速させる。これにより、ウエハWの表面上のリンス液が振り切られて除去される(ステップS4:乾燥工程)。
また、制御装置30は、不活性ガスバルブ24を開く。このとき、流量調節バルブ31の開度は、ガス吐出口22からの不活性ガスの供給流量が予め定める小流量(たとえば2〜3リットル/分)になるように設定されている。そのため、ガス吐出口22から前述のような小流量の不活性ガスを吐出する。
さらにまた、制御装置30は、遮断板6を、ウエハWと同方向にかつ同速度で回転させる。そのため、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面付近の雰囲気がその周囲から遮断され、ウエハWの表面と遮断板6との間に安定気流が形成される。
さらにまた、制御装置30は、遮断板6を、ウエハWと同方向にかつ同速度で回転させる。そのため、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面付近の雰囲気がその周囲から遮断され、ウエハWの表面と遮断板6との間に安定気流が形成される。
そして、ウエハWの高回転速度での回転が所定時間にわたって続けられると、制御装置30はスピンモータ7を制御してウエハWの回転を停止するとともに、不活性ガスバルブを制御して不活性ガスの吐
出を停止する。また、制御装置30は、アーム昇降機構26を駆動して、遮断板6を退避位置まで上昇させる。これにより、1枚のウエハWに対するレジスト除去処理が終了し、搬送ロボット(図示しない)によって、処理済みのウエハWが処理室2から搬出される(ステップS5)。
出を停止する。また、制御装置30は、アーム昇降機構26を駆動して、遮断板6を退避位置まで上昇させる。これにより、1枚のウエハWに対するレジスト除去処理が終了し、搬送ロボット(図示しない)によって、処理済みのウエハWが処理室2から搬出される(ステップS5)。
次いで、レジスト剥離試験について説明する。
基板処理装置1を用いて、ウエハWの表面から、未アッシングのレジストを除去(剥離)するレジスト剥離試験を行った。レジスト剥離試験では図4に示す処理例が実行された。レジスト剥離試験の対象になるウエハWには、その表面全域がレジストに覆われている。レジスト剥離試験後に、ウエハWの表面全体におけるレジストが除去(剥離)された領域(剥離領域)の割合を目視により求めた。レジスト除去工程では、溶存オゾン濃度200ppmのオゾン水を液ノズル17に供給するとともに、液ノズル17からのオゾン水の吐出流量を、2リットル/分とした。また、レジスト除去工程の実行時間を、20秒間とした。レジスト剥離試験の結果を、図7および図8にそれぞれ示す。
基板処理装置1を用いて、ウエハWの表面から、未アッシングのレジストを除去(剥離)するレジスト剥離試験を行った。レジスト剥離試験では図4に示す処理例が実行された。レジスト剥離試験の対象になるウエハWには、その表面全域がレジストに覆われている。レジスト剥離試験後に、ウエハWの表面全体におけるレジストが除去(剥離)された領域(剥離領域)の割合を目視により求めた。レジスト除去工程では、溶存オゾン濃度200ppmのオゾン水を液ノズル17に供給するとともに、液ノズル17からのオゾン水の吐出流量を、2リットル/分とした。また、レジスト除去工程の実行時間を、20秒間とした。レジスト剥離試験の結果を、図7および図8にそれぞれ示す。
この剥離試験における剥離領域の割合の合否の閾値はたとえば60%である。つまり、剥離領域の割合が60%以上であれば基準を満たしており、剥離領域の割合が60%未満であれば基準を満たしていない。
図7は、対向面15とウエハW表面との間隔Sと、ウエハWの表面全体における剥離領域の割合との関係を示すグラフである。図7には、不活性ガスの吐出流量が100リットル/分であるときの試験結果を示す。
図7は、対向面15とウエハW表面との間隔Sと、ウエハWの表面全体における剥離領域の割合との関係を示すグラフである。図7には、不活性ガスの吐出流量が100リットル/分であるときの試験結果を示す。
図7から、対向面15とウエハW表面との間隔Sが1mm以上5mm以下で行われるレジスト除去処理で、剥離領域の割合が高いことがわかる。
対向面15とウエハW表面との間隔Sが0.3mmの場合、剥離領域の割合が低いことがわかる。このことは、対向面15とウエハW表面との間隔Sが小さ過ぎるために、ウエハWの表面でオゾン水が周縁部に向けてスムーズに拡がらず、その結果、ウエハWの表面に処理むらが生じているたことが原因であると考えられる。
対向面15とウエハW表面との間隔Sが0.3mmの場合、剥離領域の割合が低いことがわかる。このことは、対向面15とウエハW表面との間隔Sが小さ過ぎるために、ウエハWの表面でオゾン水が周縁部に向けてスムーズに拡がらず、その結果、ウエハWの表面に処理むらが生じているたことが原因であると考えられる。
図8は、不活性ガスの吐出流量と、ウエハWの表面全体における剥離領域の割合との関係を示すグラフである。図8には、対向面15とウエハW表面との間隔Sが1mmであるときの試験結果を示す。
図8から、不活性ガスの吐出流量が、80リットル/分以上100リットル/分以下で
行われるレジスト除去処理で、剥離領域の割合が高いことがわかる。
図8から、不活性ガスの吐出流量が、80リットル/分以上100リットル/分以下で
行われるレジスト除去処理で、剥離領域の割合が高いことがわかる。
不活性ガスの吐出流量が20リットル/分である場合には、剥離領域の割合が低いことがわかる。このことは、不活性ガスの吐出流量が十分に大きくないから、液ノズル17から吐出されたオゾン水を高圧状態に保つことができず、オゾン水の溶存オゾン濃度が低下した結果、当該オゾン水が有する酸化力(レジスト除去能力)が低下することが原因であると考えられる。
一方、不活性ガスの吐出流量が150リットル/分以上である場合にも、剥離領域の割合が低いことがわかる。このことは、不活性ガスの吐出流量が大き過ぎるから、不活性ガスによってウエハWの表面におけるオゾン水の流れが阻害され、その結果、ウエハWの表面に処理むらが生じていることが原因であると考えられる。
また、図8では、不活性ガスの吐出流量が100リットル/分であるときの剥離領域の割合が90%であり、不活性ガスの吐出流量が150リットル/分であるときの剥離領域の割合が20%である。そのため、不活性ガスの吐出流量が100〜150リットル/分の範囲内で、不活性ガスの吐出流量と剥離領域の割合とが比例していると仮定すると、剥離領域の割合が閾値である60%であるのは、不活性ガスの吐出流量が128.6リットル/分であると算出することができる。
また、図8では、不活性ガスの吐出流量が100リットル/分であるときの剥離領域の割合が90%であり、不活性ガスの吐出流量が150リットル/分であるときの剥離領域の割合が20%である。そのため、不活性ガスの吐出流量が100〜150リットル/分の範囲内で、不活性ガスの吐出流量と剥離領域の割合とが比例していると仮定すると、剥離領域の割合が閾値である60%であるのは、不活性ガスの吐出流量が128.6リットル/分であると算出することができる。
したがって、不活性ガスの吐出流量が、80リットル/分以上120リットル/分以下の範囲にある場合には、剥離領域の割合が60%よりも多いと推察することができる。
ところで、対向面15とウエハW表面との間を陽圧に保つことができれば、オゾン水の高圧状態の維持に寄与することができる。遮断板6およびウエハWの静止状態では、ガス吐出口22からの不活性ガスの吐出により、対向面15とウエハWの表面との間の空間が陽圧に保たれる。そして、遮断板6およびウエハWが回転開始されると、それらの回転速度の上昇に伴って、対向面15とウエハWの表面との間の空間が減圧される。
ところで、対向面15とウエハW表面との間を陽圧に保つことができれば、オゾン水の高圧状態の維持に寄与することができる。遮断板6およびウエハWの静止状態では、ガス吐出口22からの不活性ガスの吐出により、対向面15とウエハWの表面との間の空間が陽圧に保たれる。そして、遮断板6およびウエハWが回転開始されると、それらの回転速度の上昇に伴って、対向面15とウエハWの表面との間の空間が減圧される。
図9は、遮断板6およびウエハWの回転速度と、対向面15との間の空間の圧力状態との関係を示すグラフである。図9には、対向面15とウエハW表面との間隔Sが1mmである場合を示す。
図9から、遮断板6およびウエハWの回転速度が1000rpm以下である場合には、対向面15とウエハW表面との間の空間は陽圧であり、遮断板6およびウエハWの回転速度が1500rpm以上である場合には、対向面15とウエハW表面との間の空間は負圧であることがわかる。
図9から、遮断板6およびウエハWの回転速度が1000rpm以下である場合には、対向面15とウエハW表面との間の空間は陽圧であり、遮断板6およびウエハWの回転速度が1500rpm以上である場合には、対向面15とウエハW表面との間の空間は負圧であることがわかる。
また、図9から、遮断板6およびウエハWの回転速度(オゾン水処理回転速度)が500rpm以下である場合には、ウエハWの表面と対向面15との間が、より一層高い陽圧状態に保たれることがわかる。
以上によりこの実施形態によれば、ウエハWの表面と対向面15との間の狭空間内で、大流量の不活性ガスがオゾン水に吹き付けられるから、オゾン水が加圧状態に保たれ、そのため、オゾン水のオゾン濃度を高く維持することができるから、オゾン水の有する酸化力を高く保持することができる。ゆえに、高いレジスト除去性能をオゾン水に発揮させることができる。
以上によりこの実施形態によれば、ウエハWの表面と対向面15との間の狭空間内で、大流量の不活性ガスがオゾン水に吹き付けられるから、オゾン水が加圧状態に保たれ、そのため、オゾン水のオゾン濃度を高く維持することができるから、オゾン水の有する酸化力を高く保持することができる。ゆえに、高いレジスト除去性能をオゾン水に発揮させることができる。
また、レジスト除去工程(図4に示すステップS2)では、ウエハWおよび遮断板6が液処理回転速度(たとえば300rpm)で回転される。そのため、ウエハWの表面と対向面15との間を陽圧状態に保ちつつ、オゾン水に対して不活性ガスを吹き付けることができる。ゆえに、ウエハWの表面に存在するオゾン水を、より容易に加圧状態に保つことができる。
図10は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置100の構成を模式的に示す図である。図10において、前述の図1〜図9の実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図9の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
図10に示す基板処理装置100が、図1〜図9の実施形態に係る基板処理装置1と相違する点は、遮断板6に代えて、遮断板(対向部材)101を設けた点である。遮断板101は、ウエハWとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状をなしている。そして、遮断板101は、スピンチャック3の上方に、ほぼ水平な姿勢で、その中心がウエハWの回転軸線C上に位置するように配置されている。遮断板101の下面には、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面と対向する円形の対向面102が形成されている。対向面102は、回転軸線Cの周囲に設けられた水平平坦状の水平面部103と、水平面部103の周囲を取り囲み、水平面部103の外周に連続し、回転軸線Cから径方向に向けて離れるのに従って下がる円錐面部(テーパ面)104と、円錐面部104の外周縁から下方に向けて垂下し、回転軸線Cを中心とする円筒面部105とを備えている。円筒面部105は、スピンチャック3に保持されているウエハWの周端面と微小間隔を隔てて対向している。
図10に示す基板処理装置100が、図1〜図9の実施形態に係る基板処理装置1と相違する点は、遮断板6に代えて、遮断板(対向部材)101を設けた点である。遮断板101は、ウエハWとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状をなしている。そして、遮断板101は、スピンチャック3の上方に、ほぼ水平な姿勢で、その中心がウエハWの回転軸線C上に位置するように配置されている。遮断板101の下面には、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面と対向する円形の対向面102が形成されている。対向面102は、回転軸線Cの周囲に設けられた水平平坦状の水平面部103と、水平面部103の周囲を取り囲み、水平面部103の外周に連続し、回転軸線Cから径方向に向けて離れるのに従って下がる円錐面部(テーパ面)104と、円錐面部104の外周縁から下方に向けて垂下し、回転軸線Cを中心とする円筒面部105とを備えている。円筒面部105は、スピンチャック3に保持されているウエハWの周端面と微小間隔を隔てて対向している。
遮断板101の表面には、遮断板101の中心を通る鉛直軸線(ウエハWの回転軸線C上の鉛直軸線)を中心軸線とする回転軸16が固定されている。回転軸16内には、それぞれ管状の液ノズル17およびガスノズル21が、左右方向に微小間隔(たとえば2mm)を空けて、それぞれ鉛直方向に延びた状態で挿通されている。対向面102の水平面部103に、液吐出口18およびガス吐出口22が開口している。
また、遮断板101(回転軸16)には、遮断板回転機構27(図1参照)と同等の遮断板回転機構(図示しない)が結合されている。
この基板処理装置100では、図4に示す処理例と同等の処理例が実行される。
レジスト除去工程(図4に示すステップS2)では、ウエハWの表面中央部に着液した高濃度のオゾン水に、ガス吐出口22から吐出される大流量(たとえば80〜120リットル/分。たとえば100リットル/分)の不活性ガスが、上方から吹き付けられる。
この基板処理装置100では、図4に示す処理例と同等の処理例が実行される。
レジスト除去工程(図4に示すステップS2)では、ウエハWの表面中央部に着液した高濃度のオゾン水に、ガス吐出口22から吐出される大流量(たとえば80〜120リットル/分。たとえば100リットル/分)の不活性ガスが、上方から吹き付けられる。
また、円筒面部105が、スピンチャック3に保持されているウエハWの周端面と微小間隔を隔てて対向しているので、対向面102とウエハWの表面との間の空間からの排気が抑制され、当該空間がほぼ密閉空間に保たれる。
対向面102が円錐面部104を含んでいるので、ガス吐出口22から吐出された不活性ガスが円錐面部104に案内されて、ウエハWの表面全域に導かれ、ウエハWの表面全域に不活性ガスが均一に吹き付けられる。また、対向面102とウエハWの表面との間の空間がほぼ密閉空間であるので、当該空間全域が高圧状態に保たれる。これにより、ウエハWの表面の全域で、ウエハWの表面を流れるオゾン水を均一の高圧状態に維持することができる。
対向面102が円錐面部104を含んでいるので、ガス吐出口22から吐出された不活性ガスが円錐面部104に案内されて、ウエハWの表面全域に導かれ、ウエハWの表面全域に不活性ガスが均一に吹き付けられる。また、対向面102とウエハWの表面との間の空間がほぼ密閉空間であるので、当該空間全域が高圧状態に保たれる。これにより、ウエハWの表面の全域で、ウエハWの表面を流れるオゾン水を均一の高圧状態に維持することができる。
以上、本発明の2つの実施形態について説明したが、本発明は他の形態でも実施するこができる。
たとえば、オゾン水を吐出するためのオゾン水ノズルと、リンス液を吐出するためのリンス液ノズルとを互いに別個に設けてもよい。
また、前述の各実施形態で実行される処理例において、リンス工程(図4に示すステップS3)時における遮断板6,101の高さ位置(リンス処理位置)を、レジスト除去工程(図4に示すステップS2)時における遮断板6,101の高さ位置(オゾン水供給位置)よりも高く設けてもよい。リンス処理位置は、遮断板6,101の対向面15,102(水平面部103)と、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面との間隔がたとえば60mm程度になるような高さ位置であってもよい。
たとえば、オゾン水を吐出するためのオゾン水ノズルと、リンス液を吐出するためのリンス液ノズルとを互いに別個に設けてもよい。
また、前述の各実施形態で実行される処理例において、リンス工程(図4に示すステップS3)時における遮断板6,101の高さ位置(リンス処理位置)を、レジスト除去工程(図4に示すステップS2)時における遮断板6,101の高さ位置(オゾン水供給位置)よりも高く設けてもよい。リンス処理位置は、遮断板6,101の対向面15,102(水平面部103)と、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面との間隔がたとえば60mm程度になるような高さ位置であってもよい。
また、乾燥工程(図4に示すステップS4)時の遮断板6,101の高さ位置(乾燥位置)を、レジスト除去工程(図4に示すステップS2)時における遮断板6,101の高さ位置(オゾン水供給位置)によらずに独自の高さ位置に設定することができる。乾燥位置は、遮断板6,101の対向面15,102と、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面との間隔がたとえば0.5〜2.5mm程度になるような高さ位置である。
また、リンス工程(図4に示すステップS3)時における遮断板6,101の回転速度(オゾン水処理回転速度)を、レジスト除去工程(図4に示すステップS2)時におけるウエハWおよび遮断板6,101の回転速度によらずに独自の回転速度に設定することができる。
さらに、リンス工程(図4に示すステップS3)を省略することもできる。すなわち、レジスト除去工程(図4に示すステップS2)後、直ちに、乾燥工程(図4に示すステップS4)が実行されてもよい。
さらに、リンス工程(図4に示すステップS3)を省略することもできる。すなわち、レジスト除去工程(図4に示すステップS2)後、直ちに、乾燥工程(図4に示すステップS4)が実行されてもよい。
不活性ガスの一例として窒素ガスを挙げたが、清浄空気やその他の不活性ガスを不活性ガスとして用いることができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
1 基板処理装置
3 スピンチャック(基板保持手段)
6 遮断板(対向部材)
7 スピンモータ(基板回転手段)
11 オゾン水供給管(オゾン水供給手段)
12 オゾン水バルブ(オゾン水供給手段)
15 対向面
17 液ノズル(ノズル)
18 液吐出口(吐出口)
21 ガスノズル(ガス吹付け手段)
23 不活性ガス供給管(ガス吹付け手段)
24 不活性ガスバルブ(ガス吹付け手段)
27 遮断板回転機構
30 制御装置(回転制御手段)
100 基板処理装置
101 遮断板(対向部材)
102 対向面
104 円錐面部(テーパ面)
C 回転軸線
S 間隔
W ウエハ(基板)
3 スピンチャック(基板保持手段)
6 遮断板(対向部材)
7 スピンモータ(基板回転手段)
11 オゾン水供給管(オゾン水供給手段)
12 オゾン水バルブ(オゾン水供給手段)
15 対向面
17 液ノズル(ノズル)
18 液吐出口(吐出口)
21 ガスノズル(ガス吹付け手段)
23 不活性ガス供給管(ガス吹付け手段)
24 不活性ガスバルブ(ガス吹付け手段)
27 遮断板回転機構
30 制御装置(回転制御手段)
100 基板処理装置
101 遮断板(対向部材)
102 対向面
104 円錐面部(テーパ面)
C 回転軸線
S 間隔
W ウエハ(基板)
Claims (4)
- 基板の主面からレジストを除去するために用いられる基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の主面と1mm以上5mm以下の間隔を空けて対向する対向面を有する対向部材と、
前記対向面に開口する吐出口を有するノズルと、
前記ノズルにオゾン水を供給するオゾン水供給手段と、
前記吐出口から吐出されたオゾン水に、前記対向面と前記基板の主面との間において、80リットル/分以上120リットル/分以下の流量の不活性ガスを吹き付けるガス吹付け手段とを含む、基板処理装置。 - 前記基板保持手段に保持されている基板を回転させるための基板回転手段と、
前記対向部材を基板の回転軸線と共通の回転軸線まわりに回転させるための対向部材回転手段と、
前記基板回転手段および前記対向部材回転手段を制御して、前記基板保持手段により保持された基板および前記対向部材を、1000rpm以下のオゾン水処理回転速度で同方向に回転させる回転制御手段とをさらに含む、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記対向面は、前記主面との間隔が、前記吐出口から離れるに従って小さくなるテーパ面を有する、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 基板の主面からレジストを除去するために用いられる基板処理方法であって、
対向部材の対向面を、基板保持手段に保持されている基板の主面と1mm以上5mm以下の間隔を空けて対向配置する対向部材配置工程と、
前記対向部材配置工程と並行して、前記対向面に開口するノズルの吐出口からオゾン水を吐出するオゾン水吐出工程と、
前記吐出口から吐出されたオゾン水に、前記対向面と前記基板の主面との間において、80リットル/分以上120リットル/分以下の流量の不活性ガスを吹き付けるガス吹付け工程とを含む、基板処理方法。
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JP2012156709A JP2014022403A (ja) | 2012-07-12 | 2012-07-12 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012156709A Pending JP2014022403A (ja) | 2012-07-12 | 2012-07-12 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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JP (1) | JP2014022403A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017175041A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2012
- 2012-07-12 JP JP2012156709A patent/JP2014022403A/ja active Pending
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