JP4497407B2 - 洗浄処理方法及びその装置 - Google Patents

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Description

この発明は洗浄処理方法及びその装置に関するものである。
一般に、例えば複数枚の例えば半導体ウエハ等の基板を保持して搬送する基板保持用チャックは、少なくとも基板を保持する複数の保持部材と、を具備しており、各保持部材には複数の保持溝が列設されている。
上記のように構成される基板保持用チャックを洗浄する場合、従来においては、洗浄液供給ノズルと、被洗浄体であるチャックとを相対的にチャックの長手方向に沿って移動して、洗浄液供給ノズルから洗浄液を基板保持用チャックの保持部材に向かって噴射する工程を、各保持部材毎繰り返し行っていた(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−12668号公報(特許請求の範囲、段落番号0049、図7)
しかしながら、従来のこの種の洗浄処理装置(方法)においては、洗浄液供給ノズルと、被洗浄体であるチャックとを相対的に移動させながら洗浄液をチャックに向かって噴射して洗浄するため、洗浄液等が外部に飛散し、周辺機器類等に付着して腐食させるという虞があり、洗浄液の外部への飛散を抑制するために、洗浄液の噴射圧を低くすることが実施されていた。そのため、洗浄処理の効率の低下をきたす慮がある。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、洗浄時の洗浄液等の外部への飛散を防止して外部周辺機器類等が腐食するのを抑制すると共に、洗浄処理の効率の向上を図れるようにした洗浄処理方法及びその装置を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するために、この発明の洗浄処理方法は、被洗浄体と、洗浄液を噴射する洗浄液供給手段とを相対的に被洗浄体に沿って水平方向に往復移動して、被洗浄体を洗浄する洗浄処理方法において、 上記洗浄液供給手段を洗浄液及び気体を噴射する2流体供給ノズルにて形成し、 上記2流体供給ノズルに対して少なくとも上記被洗浄体への洗浄時の移動方向側に、被洗浄体が挿通可能な陽圧室を形成し、 上記2流体供給ノズルから洗浄液を上記被洗浄体に向かって噴射する間、上記陽圧室内に気体を噴射して陽圧室内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制し、 往移動の際、上記2流体供給ノズルから気体と共に洗浄液を被洗浄体に向かって噴射する洗浄工程と、 復移動の際、上記2流体供給ノズルから気体のみを上記被洗浄体に向かって噴射する乾燥工程とを切換可能にした、ことを特徴とする(請求項1)。
請求項記載の発明は、請求項記載の洗浄処理方法において、 上記陽圧室は、往移動の際、上記2流体供給ノズルから洗浄液を上記被洗浄体に向かって噴射する間、上記陽圧室内に気体を噴射して陽圧室内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制し、 復移動の際、上記陽圧室内に供給される気体を被洗浄体に向かって噴射する乾燥工程を更に有する、ことを特徴とする(請求項)。
請求項記載の発明は、請求項1又は2記載の洗浄処理方法において、 上記被洗浄体が複数枚の基板を保持する複数の保持溝を列設する保持部材を具備する基板保持用チャックであり、上記保持部材の保持溝に向かって洗浄液及び又は気体を噴射する、ことを特徴とする。
また、この発明の洗浄処理装置は、請求項1記載の洗浄処理方法を具現化するもので、被洗浄体に向かって洗浄液及び気体を噴射する2流体供給ノズルと、 上記2流体供給ノズルと、上記被洗浄体とを相対的に被洗浄体に沿う方向に往復移動する移動手段と、 上記2流体供給ノズルに対して少なくとも上記被洗浄体への洗浄時の移動方向側に形成され、被洗浄体が挿通可能な陽圧室と、 上記陽圧室内に向かって気体を噴射する気体供給ノズルと、 上記2流体供給ノズルへの洗浄液と気体の供給を選択的に切り換える切換手段と、 上記切換手段の切換動作を制御する制御手段と、を具備し、 上記2流体供給ノズルから洗浄液を上記被洗浄体に向かって噴射する間、上記気体供給ノズルから上記陽圧室内に気体を噴射して陽圧室内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制するように形成し、 往移動の際、上記2流体供給ノズルから気体と共に洗浄液を噴射する洗浄工程と、 復移動の際、上記2流体供給ノズルから気体のみを噴射する乾燥工程と、を切換可能に形成してなる、ことを特徴とする(請求項)。
請求項記載の発明は、請求項記載の洗浄処理装置において、 上記陽圧室は、往移動の際、上記2流体供給ノズルから洗浄液を上記被洗浄体に向かって噴射する間、上記気体供給ノズルから上記陽圧室内に気体を噴射して陽圧室内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制し、 復移動の際、上記気体供給ノズルから陽圧室内に供給される気体を被洗浄体に向かって噴射し、被洗浄体を乾燥可能に形成してなる、ことを特徴とする。
請求項記載の発明は、請求項4又は5記載の洗浄処理装置において、 上記被洗浄体が複数枚の基板を保持する複数の保持溝を列設する保持部材を具備する基板保持用チャックであり、上記保持部材の保持溝に向かって洗浄液及び又は気体を噴射可能に形成してなる、ことを特徴とする。
この発明の洗浄処理方法及びその装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
(1)請求項1,記載の発明によれば、2流体供給ノズルから洗浄液を被洗浄体に向かって噴射する洗浄工程の間、少なくとも被洗浄体への洗浄時の移動方向側を陽圧状態にすることにより、洗浄液が周辺部に飛散するのを抑制することができると共に、周辺機器類等に付着して腐食させるのを防止することができる。また、洗浄液の噴射圧を高めることができるので、洗浄処理の効率の向上が図れる。
(2)請求項1,4記載の発明によれば、2流体供給ノズルから気体と共に洗浄液を被洗浄体に向かって噴射することにより、上記(1)に加えて更に、洗浄液と気体の噴射圧を高くすることができるので、洗浄の処理時間を短縮することができる。
(3)請求項1,4記載の発明によれば、往移動の際、2流体供給ノズルから気体と共に洗浄液を被洗浄体に向かって噴射する洗浄工程と、復移動の際、2流体供給ノズルから気体のみを被洗浄体に向かって噴射する乾燥工程とを切換可能にすることにより、上記(1),(2)に加えて更に、洗浄・乾燥処理を短時間に行うことができると共に、装置の小型化が図れる。
(4)請求項2,5記載の発明によれば、陽圧室は、復移動の際、陽圧室内に供給される気体を被洗浄体に向かって噴射する乾燥工程を更に有することにより、上記(1)〜(3)に加えて更に、洗浄・乾燥処理を短時間に行うことができると共に、装置の小型化が図れる。
(5)請求項3,6記載の発明によれば、被洗浄体が複数枚の基板を保持する複数の保持溝を列設する保持部材を具備する基板保持用チャックにおいても、保持部材の保持溝に向かって洗浄液及び又は気体を噴射することにより、上記(1)〜(4)に加えて更に、基板保持用チャックの保持部材の洗浄処理を短時間に効率よくかつ確実に洗浄することができる。
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、この発明に係る洗浄装置を具備する基板保持用チャック(以下にチャックという)の洗浄・乾燥装置を適用した半導体ウエハの洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。
上記洗浄処理システムは、被処理用の基板例えば半導体ウエハW(以下にウエハWという)を水平状態に収納する容器例えばキャリア1を搬入・搬出するための搬入・搬出部2と、ウエハWを薬液、洗浄液等によって液処理すると共に乾燥処理する処理部3と、搬入・搬出部2と処理部3との間に位置してウエハWの受渡し、位置調整、姿勢変換及び間隔調整等を行うウエハWの受渡し部例えばインターフェース部4とで主に構成されている。なお、洗浄処理システムは、クリーンルーム内に設置されており、クリーンルームの天井部から供給される清浄空気のダウンフローの雰囲気下におかれている。
上記搬入・搬出部2は、洗浄処理システムの一側端部にはキャリア搬入部5aとキャリア搬出部5bが併設されると共に、ウエハ搬出入部6が設けられている。この場合、キャリア搬入部5aとウエハ搬出入部6との間には図示しない搬送機構が配設されており、この搬送機構によってキャリア1がキャリア搬入部5aからウエハ搬出入部6へ搬送されるように構成されている。
また、上記処理部3には、インターフェース部4と反対側からインターフェース部4に向かって順に、ウエハWに付着するパーティクルや有機汚染物質を除去する第1薬液処理槽21aと洗浄液例えば純水をオーバーフローする第1水洗処理槽21bを具備する第1の処理部21と、ウエハWに付着する金属汚染物質を除去する第2薬液処理槽22aと洗浄液例えば純水をオーバーフローする第2水洗処理槽22bを具備する第2の処理部22と、この発明に係るチャックの洗浄処理装置40を具備する第3の処理部23と、ウエハWに付着する酸化膜を除去すると共に、乾燥処理をする洗浄・乾燥処理ユニット24aを具備する第4の処理部24とで構成されている。なお、第3の処理部23は、必ずしも第2の処理部22と第4の処理部24との間に配置する場合に限定されるものではなく、例えば第1の処理部21の外側に配置するか、あるいは、第4の処理部24とインターフェース部4の間に配置してもよい。
上記キャリア1は、一側に図示しない開口部を有し、内壁に複数例えば25枚のウエハWを、適宜間隔をおいて水平状態に保持する保持溝(図示せず)を有する容器本体(図示せず)と、この容器本体の開口部を開閉する蓋体(図示せず)とで構成されており、後述する蓋開閉装置7によって上記蓋体を開閉できるように構成されている。
上記ウエハ搬出入部6は、上記インターフェース部4に開口しており、その開口部には蓋開閉装置7が配設されている。この蓋開閉装置7によってキャリア1の図示しない蓋体が開放あるいは閉塞されるようになっている。したがって、ウエハ搬出入部6に搬送された未処理のウエハWを収納するキャリア1の蓋体を蓋開閉装置7によって取り外してキャリア1内のウエハWを搬出可能にし、全てのウエハWが搬出された後、再び蓋開閉装置7によって上記蓋体を閉塞することができる。また、上記キャリア待機部からウエハ搬出入部6に搬送された空のキャリア1の蓋体を蓋開閉装置7によって取り外して、キャリア1内へのウエハWの搬入を可能にし、全てのウエハWが搬入された後、再び蓋開閉装置7によって蓋体を閉塞することができる。
上記インターフェース部4には、複数枚例えば25枚のウエハWを水平状態に保持すると共に、ウエハ搬出入部6のキャリア1との間で、水平状態でウエハWを受け渡すウエハ搬送アーム9と、複数枚例えば50枚のウエハWを所定間隔をおいて垂直状態に保持する後述する間隔調整手段例えばピッチチェンジャ(図示せず)と、ウエハ搬送アーム9とピッチチェンジャとの間に位置して、複数枚例えば25枚のウエハWを水平状態から垂直状態へ、あるいは垂直状態から水平状態へ変換する姿勢変換装置10と、垂直状態に変換されたウエハWに設けられたノッチ(図示せず)を検出する位置検出手段例えばノッチアライナ(図示せず)が配設されている。また、インターフェース部4には、処理部3と連なる搬送路11が設けられており、この搬送路11には、ウエハWを保持して搬送路11上を搬送し、上記第1,第2及び第4の処理部21,22,24の第1薬液槽21a,第1水洗槽21b,第2薬液槽22a,第2水洗槽22b及び洗浄・乾燥処理ユニット24aのいずれかにウエハWを受け渡しするための、この発明における被洗浄体であるチャック30が移動自在に配設されている。
この場合、図2に示すように、上記チャック30は、ウエハWの下部を保持する下部保持部材31と、下部保持部材31の両側のウエハWの辺部を保持する一対の側部保持部材32,33を具備してなる。この場合、各保持部材31,32,33には複数例えば50個の保持溝31a,32a,33aが列設されている。また、各保持部材31,32,33の基部側には、例えば円板状の飛散防止板34が、長手方向と直交するように装着されており、チャック洗浄時にチャック駆動部側に洗浄液である純水DIWが飛散して付着するのを防止している。また、両側部保持部材32,33は、ウエハWを保持しない場合には、下部保持部材31と同一の水平面上に位置し、ウエハWを保持する場合には、上方側に円弧状の軌跡を描いて変位してウエハWの下部両側を保持し得るように構成されている。なお、各保持部材31,32,33は、耐食性及び耐薬品性に優れた部材例えばポリエーテルエーテルケトン(PEEK)やポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)等の樹脂にて形成されている。
次に、この発明に係るチャックの洗浄処理装置40について、添付図面を参照して詳細に説明する。
◎第1実施形態
図2は、この発明に係るチャックの洗浄処理装置40の第1実施形態を示す概略断面図、図3は、第1実施形態における洗浄状態を示す概略断面図、図4は、第1実施形態における洗浄・乾燥ノズルとチャックを示す概略斜視図である。
上記チャックの洗浄処理装置40は、図2,図3,図4、図5A,図5B,図6A〜図6Cに示すように、洗浄液例えば純水及び気体例えば窒素(N2)ガスを保持部材31,32,33(以下に下部保持部材31で代表する)の保持溝31aに向かって噴射する洗浄液供給手段例えば2流体供給ノズル50と、洗浄液である純水DIWを保持部材31の側面31bに向かって噴射する洗浄液供給ノズル60と、乾燥ガス例えばN2ガスを保持部材31の保持溝31a及び側面31bに向かって噴射する一次乾燥ガス供給ノズル70と、2流体供給ノズル50に対して少なくともチャック30の保持部材31への洗浄時の移動方向側に形成される、保持部材31が挿通可能な陽圧室400と、乾燥ガスであるN2ガスを陽圧室400内に噴射すると共に、保持部材31の保持溝31a,側面下部31c及び基端部すなわち飛散防止板34に向かって噴射する二次乾燥ガス供給ノズル80とを具備している。なお、気体をN2ガスに代えて清浄空気としてもよい。
この場合、2流体供給ノズル50は、図5Aに示すように、保持部材31の保持溝31aの上方に位置するノズル孔51と連通するN2ガス流通路52と純水流通路53とを合流する通路を有し、純水流通路53には第1の開閉弁V1を介して純水DIWの供給源90(以下に純水供給源90という)が接続されている。また、N2ガス流通路52には第2の開閉弁V2を介してN2ガス供給源91が接続されている。これら第1の開閉弁V1と第2の開閉弁V2とで切換手段が構成されており、これら第1及び第2の開閉弁V1,V2を後述する制御手段例えばCPU100からの制御信号に基づいて開閉制御することによって、2流体供給ノズル50から純水DIW及びN2ガス、又は、DIWのみあるいは、N2ガスのみが選択的に切り換わって保持部材31の保持溝31aに向かって噴射されるようになっている。なお、この場合、第1の開閉弁V1と第2の開閉弁V2に代えて純水DIWとN2ガスの流通とN2ガスのみの流通とを選択的に切り換える切換弁を用いてもよい。
このように構成される2流体供給ノズル50によれば、気体例えばN2ガスと共に洗浄液例えば純水DIWを保持部材31の保持溝31aに向かって噴射することができるので、純水DIWのみを供給する場合に比べて噴射圧を高くすることができ、保持溝31aに付着する薬液やパーティクル等の汚染物を確実に除去(洗浄)することができる。
なお、上記のように構成される2流体供給ノズル50に代えて、図7に示すように、2流体供給ノズル50の外側部に外気吸引通路54を設けると共に、この外気吸引通路54に連なって保持部材31の外側面31bに沿って気体を案内する気体案内通路55を設けることにより、2流体供給ノズル50から噴射される純水DIW及びN2ガスやN2ガスの噴射時に、外気吸引通路54から導入される外気(例えばダウンフローDFの清浄空気)によって保持部材31の保持溝31a及び側面31bに沿って純水DIWやN2ガスが流速を早めた状態で流れるので、洗浄及び乾燥を効率よく行うことができると共に、純水DIW及びN2ガスの有効利用が図れる。
また、上記2流体供給ノズル50を、図8に示すように、保持部材31の保持溝31aの溝方向に対して傾斜させて配置してもよい。これにより、純水DIWやN2ガスを保持溝31aの一端側から他端側に流すことができるので、更に保持溝31aに付着する汚染物の除去(洗浄)を確実にすることができると共に、保持溝31aに付着する液滴の除去(乾燥)を確実にすることができる。
上記洗浄液供給ノズル60は、図5Bに示すように、保持部材31を包囲する略アーチ状のノズル体61と、このノズル体61を構成する水平部62と両脚部63に設けられる純水連通路64と、各脚部63における純水連通路64に連通する2個のノズル孔65とを具備している。このように構成される洗浄液供給ノズル60は、第3の開閉弁V3を介して純水供給源90に接続されており、純水供給源90から供給される純水DIWをノズル孔65から保持部材31の両側面31bに向かって噴射するようになっている。
上記一次乾燥ガス供給ノズル70は、図6Bに示すように、洗浄液供給ノズル60と同様に、保持部材31を包囲する略アーチ状のノズル体71と、このノズル体71を構成する水平部72と両脚部73に設けられるN2ガス連通路74と、水平部72におけるN2ガス連通路74に連通する3個の保持溝噴射ノズル孔75と、両脚部73におけるN2ガス連通路74にそれぞれ連通する2個の側面噴射ノズル孔76と、水平部72におけるN2ガス連通路74の一側部に連通するN2ガス供給口77とを具備している。
このように構成される一次乾燥ガス供給ノズル70は、N2ガス供給口77に第4の開閉弁V4を介してN2ガス供給源91が接続されており、N2ガス供給源91から供給されるN2ガスを保持部材31の保持溝31a及び両側面31bに向かって噴射するようになっている。
また、上記二次乾燥ガス供給ノズル80は、図6Cに示すように、一次乾燥ガス供給ノズル70より若干大き目に形成され、保持部材31及び飛散防止板34を包囲する略アーチ状のノズル体81と、このノズル体81を構成する水平部82と両脚部83に設けられるN2ガス連通路84と、水平部82におけるN2ガス連通路84に連通する5個の保持溝噴射ノズル孔85と、両脚部83におけるN2ガス連通路84にそれぞれ連通する2個の側面下部噴射ノズル孔86と、水平部82におけるN2ガス連通路84の一側部に連通するN2ガス供給口87とを具備している。
このように構成される二次乾燥ガス供給ノズル80は、N2ガス供給口87とN2ガス供給源91とを接続する管路97には、切換手段である第5の開閉弁V5が介設されており、N2ガス供給源91から供給されるN2ガスを保持部材31の保持溝31a,両側面下部31c及び保持部材31の基端部の飛散防止板34に向かって噴射するようになっている。この場合、二次乾燥ガス供給ノズル80に設けられる保持溝噴射ノズル孔85と側面下部噴射ノズル孔86の数は、一次乾燥ガス供給ノズル70に設けられる保持溝噴射ノズル孔75と側面噴射ノズル孔76の数(5個)より多い7個であるので、一次乾燥ガス供給ノズル70から噴射されるN2ガスの噴射圧より弱い噴射圧でN2ガスを噴射して、一次乾燥ガス供給ノズル70によって一次乾燥された保持溝31a及び側面31bになるべく洗浄液(純水DIW)を再付着させないようにして仕上げ乾燥を行うことができる。
一方、上記陽圧室400は、図2及び図3に示すように、上記二次乾燥ガス供給ノズル80を包囲すると共に、チャック30の保持部材31が挿通可能な挿通口401が設けられている。開閉弁V5は、後述するように、CPU100と電気的に接続されており、CPU100からの制御信号に基づいて切換動作し、2流体供給ノズル50からN2ガスと共に純水DIWを保持部材31の保持溝31aに向かって噴射する間、開閉弁V5によって二次乾燥ガス供給ノズル80から陽圧室400内にN2ガスを噴射して陽圧室400内を陽圧状態にするように形成されている。
なお、ここでは、陽圧室400と二次乾燥ガス供給ノズル80のノズル体81とを別体に形成する場合について説明したが、図6Cに二点鎖線で示すように、陽圧室400とノズル体81とを一体に形成してもよい。
上記のように構成することにより、保持溝洗浄工程の間、開閉弁V5が開放し、二次乾燥ガス供給ノズル80から陽圧室400内にN2ガスが噴射されて陽圧室400内が陽圧状態、すなわち、陽圧室400を挿通する保持部材31と陽圧室400との隙間にいわゆるエアーカーテンが形成される。これにより、2流体供給ノズル50から噴射されるN2ガスと純水DIWの外部への飛散が抑制される。したがって、洗浄液等が外部に飛散して、外部の周辺機器類等に付着し、これら周辺機器類等が腐食するのを防止することができる。また、洗浄液等の外部への飛散が抑制できるので、N2ガスと純水DIWの噴射圧を高めることができ、また、乾燥時には、二次乾燥供給ノズル80からN2ガスを噴射するので、洗浄・乾燥の処理時間の短縮を図ることができる。
なお、上記説明では、二次乾燥ガス供給ノズル80の部位に陽圧室400を形成した場合について説明したが、陽圧室400は必ずしも二次乾燥ガス供給ノズル80の部位に形成する必要はなく、例えば一次乾燥ガス供給ノズル70の部位に形成してもよく、あるいは、これらノズル70,80とは別途に形成し、別途に設けられた気体供給ノズルから陽圧室400内に気体例えばN2ガスを噴射して、陽圧室400内を陽圧状態にしてもよい。
また、上記説明では、陽圧室400が、ノズルボックス200の保持部材31への移動方向側に設けられる場合について説明したが、ノズルボックス200の反対側にも同様に、陽圧室400と気体供給ノズルを設けるようにしてもよい。
上記第1ないし第5の開閉弁V1〜V5は、エアオペレーションバルブにて形成されており、それぞれ制御手段であるCPU100に電気的に接続されて、CPU100からの制御信号に基づいて開閉制御されるようになっている。なお、第1の開閉弁V1と第2の開閉弁V2とで切換手段が構成されている。
また、上記2流体供給ノズル50,洗浄液供給ノズル60,一次乾燥ガス供給ノズル70及び二次乾燥ガス供給ノズル80は、ノズルボックス200内に配置されている。
この場合、ノズルボックス200の下部には、下端が開口するカバー部が延在されており、このカバー部によって、洗浄・乾燥時の洗浄液等が側方周辺部に飛散するのを抑制している。このノズルボックス200は、移動手段例えばエアシリンダ300の可動部301に連結されて、上記保持部材31の長手方向に沿う水平方向に往復移動し得るように構成されている。この場合、エアシリンダ300による移動の往移動方向{保持部材31の先端側から基端側への移動方向}の先端側から基端側に向かって、二次乾燥ガス供給ノズル80,一次乾燥ガス供給ノズル70,2流体供給ノズル50及び洗浄液供給ノズル60の順に配置されている。このように、エアシリンダ300による移動の往移動方向{保持部材31の先端側から基端側への移動方向}の先端側から基端側に向かって、二次乾燥ガス供給ノズル80,一次乾燥ガス供給ノズル70,2流体供給ノズル50及び洗浄液供給ノズル60の順に配置することにより、装置の小型化及び信頼性の向上が図れ、また、エアシリンダ300によりノズルボックス200を往復移動させて保持部材31の洗浄及び乾燥処理を効率よく行うことができる。つまり、ノズルボックス200の往移動時に、2流体供給ノズル50からN2ガスと共に純水DIWを保持部材31の保持溝31aに向かって噴射して保持溝31aを洗浄した後、洗浄液供給ノズル60から純水DIWを保持部材31の両側面31bに向かって噴射して保持部材31の洗浄を行うことができる。また、ノズルボックス200の復移動時に、2流体供給ノズル50からN2ガスのみを保持部材31の保持溝31aに向かって噴射すると共に、一次乾燥ガス供給ノズル70からN2ガスを保持部材31の保持溝31a及び両側面31bに向かって噴射し、かつ、二次乾燥ガス供給ノズル80からN2ガスを保持部材31の保持溝31a,側面下部31c及び基端部の飛散防止板34に向かって噴射して保持部材31の乾燥を行うことができる。
なお、エアシリンダ300の両端部には、ポートAとポートBが設けられており、これらポートA,Bには、4ポート3位置切換弁92及び流量制御弁93を介して空気供給源94が接続されている。この場合、4ポート3位置切換弁92と流量制御弁93はCPU100に電気的に接続されており、CPU100からの制御信号に基づいて、往移動切換位置92A,復移動切換位置92B及び中立(停止)位置92Cに切換可能及び空気の供給量が制御可能に形成されている。
このように構成することにより、4ポート3位置切換弁92が往移動切換位置92Aに切り換わると、空気供給源94から供給される空気がエアシリンダ300のポートAに供給されると共に、エアシリンダ300内の空気がポートBを介して排気されて、ノズルボックス200が保持部材31の先端側から基端側に移動(往移動)する。また、4ポート3位置切換弁92が復移動切換位置92Bに切り換わると、空気供給源94から供給される空気がエアシリンダ300のポートBに供給されると共に、エアシリンダ300内の空気がポートAを介して排気されて、ノズルボックス200が保持部材31の基端側から先端側に移動(復移動)する。
次に、チャック30の洗浄・乾燥処理の動作態様について、図3,図5A,図5B,図6A〜図6Cを参照して説明する。
まず、ノズルボックス200を保持部材31の先端外方側の待機位置させた状態で、4ポート3位置切換弁92が往移動切換位置92Aに切り換わって、ノズルボックス200が保持部材31の先端側から基端側の方向(Y軸−方向)へ移動(往移動)する。この際、CPU100からの制御信号に基づいて第1及び第2の開閉弁V1,V2が開放されて、2流体供給ノズル50から気体すなわちN2ガスと共に純水DIWが保持部材31の保持溝31aに向かって噴射されて保持溝31aに付着する薬液やパーティクル等の汚染物が除去される(保持溝洗浄工程)。一方、洗浄液供給ノズル60から純水DIWが保持部材31の側面31bに噴射されて、保持溝31aから側面31bに流出した汚染物を除去(洗浄)する(側面洗浄工程)。この洗浄処理(保持溝洗浄工程及び側面洗浄工程)は、保持部材31の先端から基端までの例えば300mmの範囲に亘って例えば6sec(秒)行われる。この洗浄工程の間、陽圧室400内に二次乾燥ガス供給ノズル80からN2ガスを噴射して陽圧室400内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制する。これにより、N2ガスと純水の噴射圧を高めて洗浄処理時間の短縮を図ることができる。
上記のようにして、洗浄処理(保持溝洗浄工程及び側面洗浄工程)が終了した後、CPU100からの制御信号に基づいて4ポート3位置切換弁92が中立切換位置92Cに切り換わってノズルボックス200の移動が停止すると共に、第1及び第3の開閉弁V1,V3が閉じる一方、第4及び第5の開閉弁V4,V5が開放する。これにより、二次乾燥ガス供給ノズル80の保持溝噴射ノズル孔85及び側面下部噴射ノズル孔86から噴射されるN2ガスによって飛散防止板34に付着する液滴が除去(乾燥)される。
そして、停止してから所定時間例えば2sec(秒)後に、CPU100からの制御信号に基づいて4ポート3位置切換弁92が復移動切換位置92Bに切り換わって、ノズルボックス200が保持部材31の基端側から先端側の方向(Y軸+方向)へ移動(復移動)する。この際、2流体供給ノズル50からN2ガスのみを保持部材31の保持溝31aに向かって噴射して乾燥し(保持溝乾燥工程)、次に、一次乾燥ガス供給ノズル70からN2ガスを保持部材31の保持溝31a及び側面31bに向かって噴射して乾燥し(一次乾燥工程)、次いで、二次乾燥ガス供給ノズル80から一次乾燥ガス供給ノズル70より弱い噴射圧のN2ガスを保持部材31の保持溝31a、側面下部31c及び基端部に向かって噴射して乾燥(二次乾燥工程)を行うことにより、乾燥処理を短時間に効率よくかつ確実に洗浄及び乾燥することができ、装置全体のスループットの向上を図ることができる。したがって、従来のように洗浄液供給ノズルと乾燥ガス供給ノズルとを分離して洗浄及び乾燥処理を行うものに比べて短時間に洗浄及び乾燥処理を行うことができる。
◎第2実施形態
図9は、この発明に係るチャックの洗浄処理装置の第2実施形態を示す概略断面図、図10は、第2実施形態における保持溝洗浄状態を示す概略断面図である。
上記第1実施形態では、チャック30が、ウエハWの下部を保持する下部保持部材31と、下部保持部材31の両側のウエハWの辺部を保持する一対の側部保持部材32,33の3本の保持部材を具備する場合について説明したが、ウエハWの上部と下部を保持する一対の保持部材を具備するチャックにおいても、上記と同様にして洗浄・乾燥を行うことができる。
すなわち、チャック30Aが、図9及び図10に示すように、ウエハWの上部を保持する上部保持溝34a,35aと下部を保持する下部保持溝34b、35bとを有する一対の保持部材34,35を具備する場合においても、上記と同様にして洗浄・乾燥を行うことができる。
第2実施形態においては、2流体供給ノズル50Aは、保持部材34,35の上部保持溝34a,35aと下部保持溝34b、35bに向かってN2ガスと純水DIWを噴射するように2個設けられている。また、第2実施形態において、洗浄液供給ノズル60、一次乾燥ガス供給ノズル70及び二次乾燥ガス供給ノズル80は、第1実施形態と同様に純水DIW、N2ガスを噴射するように形成されている。
なお、第2実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
上記実施形態では、チャック30の保持部材31に対して2流体供給ノズル50,洗浄液供給ノズル60,一次及び二次乾燥ガス供給ノズル70,80並びに陽圧室400を配置するノズルボックス200を移動させて、洗浄・乾燥処理を行う場合について説明したが、ノズルボックス200を固定し、保持部材31を、この保持部材31の長手方向に沿う水平方向に往復移動させてもよく、あるいは、保持部材31とノズルボックス200の双方を相対的に保持部材31の長手方向に沿う水平方向に往復移動させてもよい。
また、上記実施形態では、この発明に係る洗浄処理装置(方法)を、半導体ウエハの保持用チャックの洗浄・乾燥装置(方法)に適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外の基板例えばLCD用ガラス基板の保持用チャックや、一般的な部品の洗浄処理にも適用できることは勿論である。また、この発明に係る洗浄処理装置は、上記実施形態で説明したような半導体ウエハの洗浄・乾燥処理システムに適用され、このシステムの一部として使用される場合に限定されず、単独の装置としても使用できる。
この発明に係る洗浄処理装置を具備する基板保持用チャックの洗浄・乾燥装置を適用した半導体ウエハの洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。 上記洗浄処理装置の第1実施形態を示す概略構成図である。 第1実施形態における洗浄状態を示す概略断面図である。 第1実施形態における洗浄・乾燥ノズルとチャックを示す概略斜視図である。 この発明における2流体供給ノズルの洗浄状態を示す断面図である。 この発明における洗浄液供給ノズルの洗浄状態を示す断面図である。 この発明における2流体供給ノズルの乾燥状態を示す断面図である。 この発明における一次乾燥ガス供給ノズルの乾燥状態を示す断面図である。 この発明における二次乾燥ガス供給ノズルの乾燥状態を示す断面図である。 上記2流体供給ノズルの別の形態を示す断面図である。 上記2流体供給ノズルの更に別の形態を示す断面図である。 この発明に係る洗浄処理装置の第2実施形態を示す概略構成図である。 第2実施形態における保持溝洗浄状態を示す概略断面図である。
符号の説明
30,30A 基板保持用チャック(被洗浄体)
31 下部保持部材
31a 保持溝
32,33 側部保持部材
32a,33a 保持溝
34,35 保持部材
34a,35a 上部保持溝
34b、35b 下部保持溝
50 2流体供給ノズル(洗浄液供給手段)
80 二次乾燥ガス供給ノズル
90 純水供給源
91 N2ガス供給源
97 管路
100 CPU(制御手段)
300 エアシリンダ(移動手段)
400 陽圧室
401 挿通口
V1 第1の開閉弁(切換手段)
V2 第2の開閉弁(切換手段)
V3 第3の開閉弁
V4 第4の開閉弁
V5 第5の開閉弁(切換手段)

Claims (6)

  1. 被洗浄体と、洗浄液を噴射する洗浄液供給手段とを相対的に被洗浄体に沿って水平方向に往復移動して、被洗浄体を洗浄する洗浄処理方法において、
    上記洗浄液供給手段を洗浄液及び気体を噴射する2流体供給ノズルにて形成し、
    上記2流体供給ノズルに対して少なくとも上記被洗浄体への洗浄時の移動方向側に、被洗浄体が挿通可能な陽圧室を形成し、
    上記2流体供給ノズルから洗浄液を上記被洗浄体に向かって噴射する間、上記陽圧室内に気体を噴射して陽圧室内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制し、
    往移動の際、上記2流体供給ノズルから気体と共に洗浄液を被洗浄体に向かって噴射する洗浄工程と、
    復移動の際、上記2流体供給ノズルから気体のみを上記被洗浄体に向かって噴射する乾燥工程とを切換可能にした、
    ことを特徴とする洗浄処理方法。
  2. 請求項記載の洗浄処理方法において、
    上記陽圧室は、往移動の際、上記2流体供給ノズルから洗浄液を上記被洗浄体に向かって噴射する間、上記陽圧室内に気体を噴射して陽圧室内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制し、
    復移動の際、上記陽圧室内に供給される気体を被洗浄体に向かって噴射する乾燥工程を更に有する、
    ことを特徴とする洗浄処理方法。
  3. 請求項1又は2記載の洗浄処理方法において、
    上記被洗浄体が複数枚の基板を保持する複数の保持溝を列設する保持部材を具備する基板保持用チャックであり、上記保持部材の保持溝に向かって洗浄液及び又は気体を噴射する、
    ことを特徴とする洗浄処理方法。
  4. 被洗浄体に向かって洗浄液及び気体を噴射する2流体供給ノズルと、
    上記2流体供給ノズルと、上記被洗浄体とを相対的に被洗浄体に沿う方向に往復移動する移動手段と、
    上記2流体供給ノズルに対して少なくとも上記被洗浄体への洗浄時の移動方向側に形成され、被洗浄体が挿通可能な陽圧室と、
    上記陽圧室内に向かって気体を噴射する気体供給ノズルと、
    上記2流体供給ノズルへの洗浄液と気体の供給を選択的に切り換える切換手段と、
    上記切換手段の切換動作を制御する制御手段と、を具備し、
    上記2流体供給ノズルから洗浄液を上記被洗浄体に向かって噴射する間、上記気体供給ノズルから上記陽圧室内に気体を噴射して陽圧室内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制するように形成し、
    往移動の際、上記2流体供給ノズルから気体と共に洗浄液を噴射する洗浄工程と、
    復移動の際、上記2流体供給ノズルから気体のみを噴射する乾燥工程と、を切換可能に形成してなる、
    ことを特徴とする洗浄処理装置。
  5. 請求項記載の洗浄処理装置において、
    上記陽圧室は、往移動の際、上記2流体供給ノズルから洗浄液を上記被洗浄体に向かって噴射する間、上記気体供給ノズルから上記陽圧室内に気体を噴射して陽圧室内を陽圧状態にして、洗浄液等の外部への飛散を抑制し、
    復移動の際、上記気体供給ノズルから陽圧室内に供給される気体を被洗浄体に向かって噴射し、被洗浄体を乾燥可能に形成してなる、
    ことを特徴とする洗浄処理装置。
  6. 請求項4又は5記載の洗浄処理装置において、
    上記被洗浄体が複数枚の基板を保持する複数の保持溝を列設する保持部材を具備する基板保持用チャックであり、上記保持部材の保持溝に向かって洗浄液及び又は気体を噴射可能に形成してなる、
    ことを特徴とする洗浄処理装置。
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