JP3714763B2 - 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 - Google Patents

基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3714763B2
JP3714763B2 JP8155797A JP8155797A JP3714763B2 JP 3714763 B2 JP3714763 B2 JP 3714763B2 JP 8155797 A JP8155797 A JP 8155797A JP 8155797 A JP8155797 A JP 8155797A JP 3714763 B2 JP3714763 B2 JP 3714763B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
substrate
groove
holding
holding member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP8155797A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10275846A (ja
Inventor
秀樹 林
敏朗 廣江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP8155797A priority Critical patent/JP3714763B2/ja
Publication of JPH10275846A publication Critical patent/JPH10275846A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3714763B2 publication Critical patent/JP3714763B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板などの各種被処理基板を保持するための基板保持部材、および上記各種被処理基板を処理するための基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、複数枚の半導体ウエハ(以下単に「ウエハ」という。 )を一括して処理するバッチ式のウエハ処理装置が用いられる場合がある。この種のウエハ処理装置は、複数枚のウエハを一括して薬液などに浸漬させ、これによりウエハ表面を洗浄したりウエハ表面に形成された薄膜を除去したりするために用いられ、たとえばこのような薬液処理を行うための複数の薬液処理部と、薬液処理後のウエハを水洗いし、さらに減圧乾燥させる減圧乾燥部とを備えている。
【0003】
各処理部間のウエハの搬送には、たとえば、ウエハ全域にわたって均一な処理を施すために、いわゆるカセットレス方式が採用される。すなわち、上記ウエハ処理装置は、複数の保持溝が設けられたウエハ保持チャックを有し、各チャンバ間を移動できるウエハ搬送ロボットを備えている。複数枚のウエハは、上記保持溝にはまり込んだ状態でウエハ保持チャックに挟まれるようにして整列保持される。
【0004】
減圧乾燥部は、純水によってウエハを水洗いするとともに、IPA(イソプロピルアルコール)ベーパを利用してウエハを乾燥させるものである。さらに詳述すると、ウエハ保持ロボットによって搬送されてきたウエハは、減圧乾燥部内の昇降可能なウエハガイドに渡され、当該ウエハガイドによって一括して鉛直に整列保持される。その後、ウエハガイドが下降させられ、純水が貯留されている貯留槽に収容され、この貯留槽にて水洗いされる。その後、IPAベーパが減圧乾燥部内に供給されるとともに、ウエハガイドが上昇させられてウエハが純水から引き上げられる。その結果、ウエハに付着している水滴がIPAベーパと置換され、水滴がウエハから除去されるとともにウエハ表面がIPAベーパによって覆われる。さらに、この状態においてチャンバ内が減圧される。その結果、ウエハ表面を覆っていたIPAベーパが蒸発する。これにより、ウエハが乾燥される。
【0005】
図16および図17は、ウエハガイドの構成例を示すもので、図16はウエハガイドの構成を示す側面図、図17はウエハガイドの構成を示す平面図である。ウエハガイド600は、所定方向xに沿って複数枚のウエハWを整列保持するような構成となっており、各々のウエハWは3つの保持溝602によって保持されるようになっている。
【0006】
すなわち、ウエハガイド600は、所定方向xに沿って長く延び、かつ並列に配置された3つのベース部601と、各ベース部601に取り付けられた複数の保持溝602とを有している。保持溝602は、ウエハWの幅にほぼ対応する長さだけずれて対向配置された一対の溝側部603、およびこれら一対の溝側部603によって挟まれた底の部分である溝底部604を有するものである。
【0007】
いずれかのベース部に取り付けられている保持溝は、他の2つのベース部に取り付けられ、かつ当該保持溝に対して方向xにほぼ直交する方向yに沿って配列されている他の2つの保持溝とともに、1つのグループを形成している。1つのグループ内の3つの保持溝は、ウエハWの端面形状に沿うように、外側2つが中央よりも上方に配置される位置関係となっており、この構成により、1枚のウエハWは、1つのグループ内の3つの保持溝によって保持される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ウエハWがウエハガイド600によって保持される場合、図17を矢視方向fから見た図18に示すように、ウエハWの端面が保持溝602の溝底部604に当接した状態で保持される。すなわち、ウエハWは溝底部604に線接触した状態で保持される。したがって、ウエハWを引き上げる際に、ウエハWから流下する水滴が当該溝底部604に残留し、液切れが悪いという不具合が生じていた。
【0009】
また、ウエハWがウエハガイド600によって保持されるときには、ウエハWの表面のうちいずれか一方が保持溝602の溝側部603に面接触するから、上記の場合と同様に、液切れが悪くなる。
そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、液切れ性能が向上された基板保持部材およびそれを用いた基板処理装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するための請求項1記載の発明は、奥行き方向に関して互いにずれた第1V溝および第2V溝を含むほぼV字状の保持溝を有し、上記第1V溝は、上方に向けて開くように対向する一対の第1傾斜面と、この一対の第1傾斜面の交差部付近において基板の厚み未満の幅に形成された水平な第1溝底部とを含み、上記第2V溝は、上方に向けて開くように対向する一対の第2傾斜面と、この第2傾斜面の交差部において上記第1溝底部から下降するように傾斜した第2溝底部とを含み、上記一対の第1傾斜面にそれぞれ基板の両面の周縁部が当接することで、基板を保持するようにした基板保持部材である。
【0011】
本発明によれば、基板を保持する一対の第1傾斜面がそれらの交差部に形成する第1溝底部の幅が基板の厚み未満であるから、基板は、その両面の周縁部において一対の1傾斜面に点接触する。したがって、濡れている基板を保持するときであっても、基板から流下する液体は保持溝から排出されやすくなる。そのため、液切れ性能を向上できる。よって、濡れている基板を保持したまま乾燥する装置に本発明を適用する場合において、基板を良好に乾燥できる。そのため、高品質な基板を提供できる。
【0012】
しかも、第1V溝に対して奥行き方向に関してずれて形成された第2V溝は、上記第1溝底部から下降するように傾斜した第2溝底部を交差部に形成する一対の第2傾斜面を有しているから、これにより、より一層良好な液切れ性能を実現できる。そのため、一層高品質な基板を提供できる。
【0013】
請求項記載の発明は、水平面に対して傾斜したテーパ面を、上記保持溝の両側に有することを特徴とする請求項に記載の基板保持部材である。
本発明によれば、保持溝の両側がテーパ面となっているから、上記請求項1に記載の発明に比べて、液切れ性能をさらに一層向上できる。そのため、さらに一層高品質な基板を提供できる。
請求項3記載の発明は、上記第1傾斜面は、三角形状に形成されており、上記第2傾斜面は、上記第1傾斜面の上端点と共通の上端点を有する三角形状に形成されていることを特徴とする請求項2記載の基板保持部材である。
請求項4記載の発明は、上記第1傾斜面および第2傾斜面は、各上端点を異なる位置に有するものであることを特徴とする請求項2記載の基板保持部材である。
【0014】
請求項記載の発明は、上記第1溝底部または第2溝底部に関連して、液体が流出可能な排出部をさらに有することを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の基板保持部材である。
本発明によれば、基板から流下した液体を排出部から流出させることができるから、液切れ性能をさらに一層向上できる。そのため、さらに一層高品質な基板を提供できる。
【0015】
請求項記載の発明は上記請求項1ないしのいずれかに記載の基板保持部材と、この基板保持部材に保持された基板を浸漬するための処理液が貯留される貯留槽と、上記貯留槽に貯留された処理液に対して、上記基板保持部材に保持された基板を浸漬または引き上げるために、上記基板保持部材と処理液とを相対的に移動させる移動手段とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【0016】
本発明によれば、貯留槽に貯留されている処理液に基板を浸漬させて処理する装置において、上記請求項1ないしのいずれかに記載の基板保持部材が備えられているから、基板を引き上げて処理液を除去することで基板を乾燥させる場合でも、当該除去された処理液が基板保持部材の溝底部に残留することがない。そのため、基板を良好に乾燥させることができるから、高品質な基板を提供できる。
【0017】
請求項記載の発明は、上記基板保持部材は、基板周縁部の少なくとも3箇所で基板を保持するものであることを特徴とする請求項記載の基板処理装置である。
本発明によれば、基板は少なくともその周縁部の3箇所において保持されるから、基板を安定して保持できる。したがって、基板が傾倒するなどの不具合の発生を防止できるから、たとえば上記基板保持部材が複数枚の基板を一括して整列保持するものである場合でも、基板同士が接触したりすることがない。そのため、基板を傷つけることがないから、高品質な基板を提供できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態の基板処理装置である減圧乾燥装置が適用されるウエットステーションの全体構成を示す斜視図である。このウエットステーション1は、カセットCに収納されている複数枚(たとえば26枚)のウエハWに対して薬液処理を施すためのものである。
【0019】
ウエットステーション1は、2カセット分の枚数(たとえば52枚)のウエハWの向きを整えるための整列部2と、向きが整えられた後のウエハWをカセットCから一括して取り出すための取出部3と、取出部3によってカセットから取り出されたウエハWに対して薬液処理を施すための複数の薬液処理部4、5、6、7、8および9と、薬液処理後の複数枚のウエハWを一括して水洗いし、かつ減圧乾燥させる減圧乾燥部10とを備えている。整列部2、取出部3、薬液処理部4〜9および減圧乾燥部10は、所定の処理部配列方向aに沿って直線状に配置されている。
【0020】
薬液処理部4〜9は、複数枚のウエハWを一括して所定の薬液に浸漬させることによってウエハWを処理するものである。すなわち、各薬液処理部4〜9の内部には、たとえばアンモニア、フッ酸、硫酸などの薬液を貯留できる貯留槽(図示せず)が配置されており、薬液が貯留されている貯留槽内にウエハWを浸漬させることによって、ウエハWの表面が洗浄されたりウエハWの表面に形成されている薄膜が除去されたりするようになっている。
【0021】
このウエットステーション1は、また、取出部3から減圧乾燥部10までの間において、複数枚のウエハWを一括して搬送するためのウエハ搬送ロボット11を備えている。ウエハ搬送ロボット11は、処理部配列方向aに沿って移動可能なもので、処理部配列方向aに関して開閉可能なウエハ保持チャック12を有している。ウエハ保持チャック12は、ウエハ搬送ロボット11に対して昇降自在に取り付けられている。この構成により、薬液処理部4〜9および減圧乾燥部10の内部にまで下降してウエハWの受け渡しを行うことができるようになっている。
【0022】
図2は、ウエハ保持チャック12の構成を示す正面図である。ウエハ保持チャック12は、処理部配列方向aに関して互いに対向するように配置された一対のチャック部13を有している。各チャック部13は、それぞれ、処理部配列方向aにほぼ直交するウエハ配列方向bに関して所定間隔離れて配置された一対のアーム部14(一方側のみ図示)と、ウエハ配列方向bに沿って延び、アーム部14の下端部においてアーム部同士をつなぐ上下一対の保持部15とを有している。各チャック部13の保持部15には、V字状の保持溝16が多数形成されている。
【0023】
ウエハWを保持する際には、互いに離れた状態のチャック部13が互いに近づけられる。その結果、各チャック部13の互いに対応する保持溝16にウエハWの周縁部が係合する。これにより、ウエハWは、ウエハ保持チャック12に鉛直に保持される。そのため、複数枚のウエハWは、ウエハ保持チャック12にウエハ配列方向bに沿って鉛直に整列保持される。
【0024】
図3は、減圧乾燥部10の内部構成を薬液処理部9が位置する側から見た断面図、図4は、減圧乾燥部10の内部構成をウエハ保持ロボット11が位置する側から見た断面図である。減圧乾燥部10は、純水を用いてウエハWに付着している薬液等を洗い流し、かつIPA(イソプロピルアルコール)ベーパを利用して洗浄後のウエハWを乾燥させるためのものである。減圧乾燥部10は、チャンバ20と、チャンバ20内において複数枚のウエハWを一括して保持するためのウエハガイド40と、ウエハガイド40を昇降させるためのリフタ60と、チャンバ20内の下部に配置され、純水が貯留される貯留槽80と、チャンバ20内の上部に配置され、ウエハWにパーティクルを含む空気が当たるのを防止するための遮蔽部100とを備えている。
【0025】
チャンバ20は、平面視においてほぼ矩形のもので、側壁21、22、23および24によって囲まれている。チャンバ20の上面には、オートカバー120が装着されている。オートカバー120は、ウエハ保持ロボット11が備えられている側と反対側の支点部121を支点にして、開閉機構122によって自動的に開閉することができる。これにより、オートカバー120の開き状態において、ウエハ保持チャック13がチャンバ20内に進入することができるようになっている。
【0026】
また、チャンバ20の上面には、オートカバー120の閉じ状態において、オートカバー120とチャンバ20との間をシールするためのリップシール123が設けられている。これにより、チャンバ20外からパーティクルを含む空気がチャンバ20内に進入するのが防止されるとともに、IPAベーパがチャンバ20外に漏れるのが防止される。
【0027】
遮蔽部100は、チャンバ20の側壁21〜24の近傍に当該各側壁21〜24に沿うように配置され、その上部にチャンバ20の内側に入り込む段差部101a、102a、103aおよび104aが形成された4つの側壁101、102、103、104を有しており、これら4つの側壁101〜104によって収容空間105を形成している。遮蔽部100の上面および下面は、いずれも開口している。また、各側壁101〜104のうちリフタ60が配置されている側の側壁102には、リフタ60を通過させるための上下方向に沿って長い切欠き106が形成されている。
【0028】
この構成により、ウエハガイド40が遮蔽部100の下面側の開口を介して収容空間105内にウエハWが収まるまで上昇することができるようになっている。
ウエハガイド40は、ウエハ配列方向bに沿って長く形成され、このウエハ配列方向bと直交する処理部配列方向aに関して互いに所定間隔だけ離れている4つのガイド部41、42、43および44と、これらガイド部41〜44の先端部を互いに連結するための連結部45とを備えている。ガイド部41には、当該ガイド部41を挟んで対向し、かつウエハ配列方向bに沿って長い2つの保持板46および47がそれぞれボルト52および53によって取り付けられている。ガイド部44には、当該ガイド部44を挟んで対向し、かつウエハ配列方向bに沿って長い2つの保持板48および49がボルト54および55によって取り付けられている。また、ガイド部42および43には、それぞれ、当該各ガイド部42および43の外側の面に、ウエハ配列方向bに沿って長い1つの保持板50および51がボルト56および57によって取り付けられている。
【0029】
各保持板46〜51の上辺には、それぞれ、ほぼV字状の複数の保持溝58が形成されている。いずれかの保持板に形成されている1つの保持溝は、他の保持板の平面視において処理部配列方向aに沿う直線上に位置する他の5つの保持溝とともに、1つのグループを形成している。この1つのグループに含まれる6つの保持溝58はウエハWの周縁部の形状に沿うように配置されている。1枚のウエハWは、1つのグループに含まれる保持溝58にその周縁部が係合した状態で鉛直に保持される。ウエハガイド40には、上述のような6つの保持溝58で構成されるグループがウエハ配列方向bに関して複数形成されており、これによりウエハガイド40では、複数枚のウエハWを一括してウエハ配列方向bに沿って整列保持することができる。
【0030】
このように、ウエハWは、6つの保持溝58によって保持されるから、保持状態が非常に安定する。したがって、ウエハWが倒れるなどの不具合の発生を防止できる。そのため、ウエハWを傷つけることを回避できるから、高品質なウエハWを提供できる。
リフタ60は、このようなウエハガイド40を予め定める下位置(実線で示す)と上位置(二点鎖線で示す)との間で昇降させる。下位置は、貯留槽80の内部であって、貯留槽80内に純水が貯留されている場合に、当該純水にウエハWが完全に浸漬されるような位置に設定されている。上位置は、ウエハガイド40に保持されているウエハWの下端部が遮蔽部100の収容空間105内に完全に収まるような位置に設定されている。ウエハガイド40が下位置まで下降されるのは、主として、ウエハWに純水洗浄処理を施す場合である。また、ウエハガイド40が上位置まで上昇されるのは、ウエハ保持チャック12からウエハWを受け取る場合、および純水洗浄処理が終了した後にウエハWを乾燥させる場合である。
【0031】
リフタ60は、ガイド部41〜44を側壁22側で連結し、支持する支持アーム61と、支持アーム61の上端に取り付けられた支持部62と、支持部62の下端に取り付けられ、下方に向けて延びた支持軸63と、この支持軸63を上下方向に移動させる昇降機構64とを備えている。
なお、参照符号78は、ウエハWを乾燥させる際に用いられるIPAベーパから昇降機構64などを保護したり、昇降機構64で発生するパーティクルがチャンバ20内に侵入するのを防止するためのベローズである。
【0032】
図5は、昇降機構64を説明するために、図3をg方向から見た側面図である。昇降機構64は、基台65と、基台65の上部に取り付けられ、上方に向けて延びたボールねじ機構66と、基台65に取り付けられ、内部にモータMが設けられたモータ収容部67とを備えている。ボールねじ機構66は、鉛直方向に沿って長く形成されたボールねじ軸68と、ボールねじ軸68に取り付けられ、リニアガイド69に沿って鉛直方向に移動自在な昇降テーブル70とを含む。ボールねじ軸68は、ボールねじ機構66の上端部66aおよび下端部66bに軸受71および72を介して回転自在に取り付けられている。昇降テーブル70は、連結部73を介して支持軸63に連結されている。ボールねじ軸68には、プーリ74が取り付けられいる。プーリ74には、モータMの回転軸75に取り付けられたプーリ76との間に、ベルト77が巻き掛けられている。
【0033】
この構成により、モータMの駆動力がベルト77を介してボールねじ軸66に伝達されるようになっている。その結果、昇降テーブル70が上下方向に沿って移動するから、結局、支持軸63が上下方向に移動する。これにより、リフタ60が昇降する。その結果、ウエハガイド40が昇降する。
図3および図4に戻って、貯留槽80は、平面視においてほぼ矩形のもので、側壁81、82、83および84、ならびに底壁85を有し、上面が開口している。貯留槽80の底壁85付近にはノズル86が配置されている。ノズル86には、図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路87が連結されている。純水供給路87の途中部には、純水供給弁88が介装されている。この構成により、純水供給弁88の開閉を制御することで、貯留槽80に純水を供給することができる。
【0034】
貯留槽80の側壁81〜84の上辺には、所定間隔で所定深さのV字状のノッチ90が複数個形成されている。この構成により、貯留槽80に貯留されている純水をノッチ90を介して貯留槽80の外部にオーバーフローさせることができる。これにより、元々ウエハWに付着していて純水洗浄処理中に純水中に溶けだした薬液やパーティクル等を貯留槽80外に排出することができる。
【0035】
チャンバ20の底壁25には、チャンバ20外にまで延びたドレン排出路26が連結されている。これにより、純水洗浄処理中に貯留槽80からオーバーフローされた薬液やパーティクル等の溶けだした純水をチャンバ20外に排出することができる。
また、貯留槽80の底壁85には、ドレン弁91が介装されたドレン排出路92が連結されている。この構成により、ドレン弁91の開閉を制御することで、貯留槽80に貯留されている純水を貯留槽80の外部に排出することができる。これにより、純水洗浄処理後において使用済の純水を排出することができるようになっている。
【0036】
収容空間105内の上部には、ウエハ配列方向bに沿って長く延びた2つのIPA管140が配置されている。IPA管140には、IPAベーパをチャンバ20内に供給するためのIPA吐出孔141が複数形成されている。IPA吐出孔141からは、純水洗浄処理後の乾燥処理時においてIPAベーパが吐出されるようになっている。一方、純水洗浄処理後においては、ウエハガイド40が上位置に向けて上昇させられる。この上昇途中において、チャンバ20内に供給されたIPAベーパとウエハWの表面に付着している水滴とが置換される。すなわち、ウエハW表面から水滴が除去されるとともに、ウエハW表面がIPAベーパによって覆われる。
【0037】
排出路26の途中部には、排気管30が連結されている。また、純水供給路87は、純水排出弁95が介装された純水排出路96を介して、排気管30に接続されている。排気管30には、減圧ポンプ31が接続されている。
減圧ポンプ31は、乾燥処理時に駆動されるようになっている。この場合、チャンバ20内の空気が排気管30を介して吸引され、チャンバ20内が減圧される。その結果、ウエハW表面を覆っているIPAベーパが蒸発する。これにより、ウエハWを乾燥させることができる。
【0038】
また、減圧ポンプ31が駆動されると同時に、純水排出弁95が開成される。その結果、ノズル86から閉成状態にある純水供給弁88に至る純水供給路87内の純水が純水排出路96を介して吸引される。これにより、純水供給路87が乾燥されるようになっている。
ところで、チャンバ20内の空気が吸引されるとき、もしもリップシール123のシール面が劣化していれば、チャンバ20外からパーティクルを含む空気がチャンバ20内に吸い込まれる。しかし、乾燥処理時にはウエハWは完全に収容空間105に収められており、また、チャンバ20外から吸い込まれてきた空気は遮蔽部100の側壁101〜104に沿って収容空間105内を通らずに排気管30に導かれるから、ウエハWにパーティクルを含む空気が当たることはない。
【0039】
図6は、保持溝58の参考例に係る構成を示すために、保持板46の上端付近を図4のe方向から見た正面図、図7は、保持溝58の構成を示す斜視図、図8は、図6のVIII-VIII 断面図である。以下では、保持板46に形成された保持溝58を例にとって、図6ないし図8を参照しつつ、保持溝58の構成について説明する。なお、以下の説明では、ウエハ配列方向bに直交する水平方向を奥行方向dと呼ぶことにする。
【0040】
保持板46の上端付近には、保持板46の背面部153から正面部152に向けて傾斜したテーパ面155が形成されている。保持溝58は、そのテーパ面155が形成されている箇所に、保持板46の長手方向であるウエハ配列方向bに沿って連続的に形成されている。すなわち、保持溝58のウエハ配列方向bに関する両側は、テーパ面となっている。
【0041】
保持溝58は、奥行方向dに沿って水平面に対して傾斜した溝底部150、および溝底部150から上方に向けて開くように対向する一対の傾斜面151を含むもので、正面側から見た場合に、各傾斜面151の傾斜辺151aおよび151bによってV溝が形成されている。
溝底部150は、一対の傾斜面151が交差して形成する谷線部であり、保持板46の正面部152上の端部Pと、背面部153上であって、端部Pよりも上方に設定された端部Qとの間を結ぶ直線となっている。すなわち、溝底部150は、保持板46の背面部153から正面部152に向けて下方に傾斜し、そのウエハ配列方向bに関する長さ幅(以下「溝底部150の幅」という。)は、ほぼ0である。
【0042】
傾斜面151は、溝底部150を底辺とする三角形状のものである。すなわち、一対の傾斜面151の正面側から見て左側の一方は、端部Pおよび端部Q、ならびに端部PおよびQよりも上方の背面部153上の上端R1を頂点としている。この場合、端部Qと上端R1とを結ぶ線分が傾斜辺151aに対応する。他方は、端部PおよびQ、ならびに上端R1と同じ高さで、かつ上端R1に対してウエハ配列方向bに関して所定間隔だけずれた上端R2を頂点としている。この場合、端部Qと上端R2とを結ぶ線分が傾斜辺151bに対応する。
【0043】
ウエハ保持チャック12からウエハWがウエハガイド40に渡されるとき、ウエハWは、保持溝58に係合するように渡される。一方、溝底部150の幅は上述のとおりほぼ0である。この場合、一対の傾斜面151の各傾斜辺151aおよび151bによって形成されるV溝の幅は、その下端部において0となる。すなわち、ウエハWの厚みmよりも小さい値となる。したがって、ウエハWは、当該ウエハWの両面の周縁部がそれぞれ一対の傾斜面151の各傾斜辺151aおよび151bに当接した状態となる。
【0044】
ウエハWの周縁部は円弧状になっているから、ウエハWは保持溝58に対して点接触する。そのため、水滴が付着している状態でウエハWが保持されていて、当該水滴がウエハWから流下した場合であっても、当該水滴は保持溝58に溜まらずに、保持板46の下方に排出される。より詳述すれば、純水洗浄処理が終了してウエハWが純水から引き上げられた後においては、ウエハWに多量の水滴が付着している。この付着している水滴は重力の作用によって流下する。この流下した水滴は、ウエハWと保持溝58とが点接触していることから、溝底部150に導かれる。その結果、当該水滴は下方に傾斜している溝底部150によって端部P側に導かれ、最終的に、保持板46の下方に排出される。
【0045】
以上のようにこの参考例によれば、保持溝58の溝底部150の幅をウエハWの厚みm未満とし、かつ溝底部150を水平面に対して傾斜させているから、溝底部150に流下してきた水滴が排出しやすくなっている。しかも、保持溝58の両側はテーパ面155となっているから、隣接する保持溝58の間に落下した水滴を排出しやすくなっている。したがって、ウエハWが保持溝に線接触および面接触する従来の装置に比べて、液切れ性能を格段に向上できる。そのため、たとえば乾燥処理時にウエハWに水滴が付着したままとなることがないから、ウォーターマークなどがウエハWに形成されることはない。よって、高品質なウエハを提供できる。
【0046】
図9は、本発明の第実施形態の基板保持部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す正面図、図10は、保持溝の構成を示す斜視図、および図11は、図9のXI-XI 断面図である。なお、図9ないし図11では、上記図6ないし図8と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
上記参考例では、保持溝58を単一のV溝によって構成しているのに対して、この第実施形態では、保持溝58を、奥行方向dに関して互いにずれた第1V溝200および第2V溝220によって構成している。
【0047】
さらに詳述すれば、第1V溝200は、奥行方向dに関する保持板46の中央付近の端部Sと保持板46の背面部153上の端部Tとの間に水平に形成された第1溝底部201、および第1溝底部201から上方に向けて開くように対向する一対の第1傾斜面202を含む。第1傾斜面202は、三角形状のもので、第1溝底部201の各端部SおよびT、ならびに各端部SおよびTよりも上方に設定された背面部153上の上端U1およびU2をそれぞれ頂点としている。また、第1溝底部201の幅はほぼ0にされている。第2V溝220は、第1溝底部201の端部Sから保持板46の正面部152上の端部Vまで下降する第2溝底部221、および第2溝底部221から上方に向けて開くように対向する一対の第2傾斜面222を含む。一対の第2傾斜面222は、三角形状のもので、第2溝底部220の各端部SおよびV、ならびに上端U1およびU2をそれぞれ頂点としている。
【0048】
ウエハ保持チャック12からウエハWがウエハガイド40に渡されるとき、ウエハWは、第1V溝200に係合するように渡される。一方、第1V溝200の第1溝底部201の幅は上述のとおりほぼ0である。すなわち、ウエハWの厚みmよりも小さい値である。したがって、ウエハWは、当該ウエハWの両面の周縁部がそれぞれ第1傾斜面202に点接触した状態となる。そのため、水滴が付着している状態でウエハWが保持され、当該水滴がウエハWから流下した場合であっても、当該水滴は保持溝58に溜まらずに、保持板46の下方に排出される。すなわち、流下した水滴は、ウエハWと保持溝58とが点接触していることから、第1溝底部201に導かれる。そして、第1溝底部201から溢れ出した水滴は、背面部153またはその反対側の下方に傾斜している第2溝底部221に導かれ、最終的に、保持板46の下方に排出される。
【0049】
以上のようにこの第実施形態では、ウエハWが保持される第1V溝200の第1溝底部201の幅をウエハWの厚みm未満としているから、液切れ性能を格段に向上できる。
しかも、ウエハWを辺ではなく面で保持しているから、上記参考例に比べて、ウエハWとV溝とが当接する部分の強度が大きく、またウエハWの保持安定性を向上できる。
【0050】
図12は、本発明の第実施形態の基板保持部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す正面図、図13は、保持溝の構成を示す斜視図、図14は、図12のXIV-XIV 断面図である。なお、図12ないし図14では、上記図6ないし図8と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
上記第実施形態では、第1傾斜面202および第2傾斜面222の上端点を共通としているのに対して、この第実施形態では、第1傾斜面202および第2傾斜面222の各上端点を異なる位置に設定している。すなわち、一対の第2傾斜面222の上端点は上記第1実施形態と同様に上端U1およびU2であるのに対して、一対の第1傾斜面202の上端点は端部U1およびU2よりも下方の背面部153上の上端X1およびX2とされている。また、これに関連して、第2傾斜面222は、第2溝底部221の両端部SおよびV、上端U1またはU2ならびに上端X1またはX2を頂点とする四角形状の面となる。
【0051】
このように、この第実施形態によっても、上記第実施形態と同様に、液切れ性能を向上することができ、またウエハWの保持安定性を向上できる。
図15は、本発明の第実施形態の基板保持部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す断面図である。なお、図15では、上記図14と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
【0052】
この第実施形態の特徴は、上記第または第実施形態における保持溝58の第1溝底部201に、背面部153に形成された横穴251と第1溝底部201とを連通し、かつ下方に向けて延びた複数の排水孔250が形成されている点である。この構成によれば、第1溝底部201に導かれてきた水滴を、第2溝底部221だけでなく、排水孔250および横穴251を介しても保持板46の下方に排出することができるから、上記第2および第3実施形態に比べて、液切れ性能を一層向上できる。
【0053】
なお、第1溝底部201ではなく、たとえば第2溝底部221に排水孔250を形成するようにしてもよく、また、排水孔250の代わりに溝を形成するようにしてもよい。
本発明の実施の形態の説明は以上のとおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば上記実施形態では、本発明をウエハガイド40に設けられた保持溝58に適用する場合について説明している。しかし、本発明は、たとえばウエハ保持チャック12のチャック部13に形成されている保持部15に対しても、本発明を適用することができる。要は、ウエハWを保持する構成として溝を有する部材であれば、本発明を適用することができる。
【0054】
また、上記実施形態では、純水洗浄処理後に、ウエハWを保持しているウエハガイド40をリフタ60によって上昇させ、これによりウエハWを純水から引き上げ、乾燥処理を行う構成について本発明を適用する場合を例にとっている。しかし、本発明は、たとえば純水洗浄処理後に、ウエハガイド40を上昇させないまま純水を貯留槽80から排出し、この状態において乾燥処理を行うようにした構成に対しても適用することができる。要は、貯留槽80に貯留されている純水とウエハWを保持するウエハガイド40とを相対的に移動させる構成に対して、本発明を適用することができる。
【0055】
さらに、上記実施形態では、本発明を、薬液処理後に純水を用いて洗浄し、その後乾燥させる装置に適用する場合について説明している。しかし、本発明は、たとえば薬液にウエハWを浸漬させてウエハWに対して薬液処理を施す装置に対しても適用することができる。
さらにまた、上記実施形態では、基板としてウエハWを適用する場合について説明している。しかし、基板としては、液晶表示装置用ガラス基板やPDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板など他の各種の被処理基板を適用することができる。たとえば、液晶表示装置用ガラス基板であれば、ウエハWと異なり、周縁部が直線状になっているから、線接触する状態で溝底部に接触する。しかし、従来の装置では、液晶表示装置用ガラス基板のような角型基板は面接触して保持されるから、従来の装置よりも液切れ性能を向上することができる。
【0056】
その他、特許請求の範囲に記載された範囲において種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態の基板処理装置である減圧乾燥装置を含むウエットステーションの全体構成を示す斜視図である。
【図2】 ウエハ保持チャックを示す正面図である。
【図3】 減圧乾燥部の内部構成を薬液処理部が位置する側から見た断面図である。
【図4】 減圧乾燥部の内部構成をウエハ保持ロボットが位置する側から見た断面図である。
【図5】 昇降機構を示す側面図である。
【図6】 ウエハガイドの保持板に形成された保持溝の参考例に係る構成を示すために、図4をd方向から見た正面図である。
【図7】 図6の保持溝の構成を示す斜視図である。
【図8】 図6のVIII-VIII 断面図である。
【図9】 本発明の第実施形態の基板保持部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す正面図である。
【図10】 図9の保持溝の構成を示す斜視図である。
【図11】 図9のXI-XI 断面図である。
【図12】 本発明の第実施形態の基板保持部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す正面図である。
【図13】 図12の保持溝の構成を示す斜視図である。
【図14】 図12のXIV-XIV 断面図である。
【図15】 本発明の第実施形態の基板保持部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す断面図である。
【図16】 従来のウエハガイドを側方から見た図である。
【図17】 従来のウエハガイドを上方から見た図である。
【図18】 図17を矢視方向fから見た図である。
【符号の説明】
10 減圧乾燥部
40 ウエハガイド
58 保持溝
60 リフタ
80 貯留槽
150 溝底部
151 傾斜面
155 テーパ面
200 第1V溝
201 第1溝底部
202 第1傾斜面
220 第2V溝
221 第2溝底部
222 第2傾斜面
250 排水孔

Claims (7)

  1. 奥行き方向に関して互いにずれた第1V溝および第2V溝を含むほぼV字状の保持溝を有し、
    上記第1V溝は、上方に向けて開くように対向する一対の第1傾斜面と、この一対の第1傾斜面の交差部付近において基板の厚み未満の幅に形成された水平な第1溝底部とを含み、
    上記第2V溝は、上方に向けて開くように対向する一対の第2傾斜面と、この第2傾斜面の交差部において上記第1溝底部から下降するように傾斜した第2溝底部とを含み、
    上記一対の第1傾斜面にそれぞれ基板の両面の周縁部が当接することで、基板を保持するようにした基板保持部材。
  2. 水平面に対して傾斜したテーパ面を、上記保持溝の両側に有することを特徴とする請求項に記載の基板保持部材。
  3. 上記第1傾斜面は、三角形状に形成されており、
    上記第2傾斜面は、上記第1傾斜面の上端点と共通の上端点を有する三角形状に形成されていることを特徴とする請求項2記載の基板保持部材。
  4. 上記第1傾斜面および第2傾斜面は、各上端点を異なる位置に有するものであることを特徴とする請求項2記載の基板保持部材。
  5. 上記第1溝底部または第2溝底部に関連して、液体が流出可能な排出部をさらに有することを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれかに記載の基板保持部材。
  6. 上記請求項1ないしのいずれかに記載の基板保持部材と、
    この基板保持部材に保持された基板を浸漬するための処理液が貯留される貯留槽と、
    上記貯留槽に貯留された処理液に対して、上記基板保持部材に保持された基板を浸漬または引き上げるために、上記基板保持部材と処理液とを相対的に移動させる移動手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
  7. 上記基板保持部材は、基板周縁部の少なくとも3箇所で基板を保持するものであることを特徴とする請求項記載の基板処理装置。
JP8155797A 1997-03-31 1997-03-31 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 Expired - Fee Related JP3714763B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8155797A JP3714763B2 (ja) 1997-03-31 1997-03-31 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8155797A JP3714763B2 (ja) 1997-03-31 1997-03-31 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10275846A JPH10275846A (ja) 1998-10-13
JP3714763B2 true JP3714763B2 (ja) 2005-11-09

Family

ID=13749601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8155797A Expired - Fee Related JP3714763B2 (ja) 1997-03-31 1997-03-31 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3714763B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014056865A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持部材及びそれを備えた基板処理装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009289777A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Sumco Corp シリコンウェーハ洗浄装置および方法
JP4974996B2 (ja) * 2008-10-15 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5734705B2 (ja) * 2011-03-02 2015-06-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN104253063B (zh) * 2013-06-28 2017-12-01 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种用于防止晶片偏移掉落的装置
CN104752285B (zh) * 2015-03-31 2017-08-25 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于芯片高温退火的插板式石英舟
EP3840021B1 (en) * 2019-12-18 2022-10-19 Siltronic AG Improved device for drying semiconductor substrates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014056865A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持部材及びそれを備えた基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10275846A (ja) 1998-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0854499B1 (en) Substrate transporting and processing system
JP4581031B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
KR101548754B1 (ko) 액처리 장치
JP3714763B2 (ja) 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置
US20230178387A1 (en) Apparatus and method of treating substrate
KR101768519B1 (ko) 기판 처리 설비
JP4155722B2 (ja) 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板搬送方法
TWI833090B (zh) 基板處理模組及基板處理裝置
KR100521401B1 (ko) 기판세정시스템
KR100760992B1 (ko) 기판의 위치 전환 장치
JPH10335284A (ja) 基板処理装置
KR101979602B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JPH10275851A (ja) 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置
JP7504421B2 (ja) 基板処理装置
JPH11253894A (ja) 基板処理装置
WO2023127050A1 (ja) 基板乾燥装置、基板処理装置および基板の製造方法
KR20040008331A (ko) 이송 로봇 및 이를 이용한 기판 정렬 시스템
JP2001298011A (ja) 基板洗浄装置
US20220013393A1 (en) Apparatus for transferring substrate, and apparatus and method for treating substrate
JPH0234823Y2 (ja)
JP3000179B2 (ja) 搬送駆動装置
JP3609936B2 (ja) 基板処理装置
JPH10275793A (ja) 基板処理装置
JPH07321079A (ja) 基板洗浄用キャリア及び基板洗浄方法
TW202329230A (zh) 基板處理模組、基板處理裝置及基板處理單元

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050426

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050816

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050823

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees