JPH10335284A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Publication number
JPH10335284A
JPH10335284A JP14048597A JP14048597A JPH10335284A JP H10335284 A JPH10335284 A JP H10335284A JP 14048597 A JP14048597 A JP 14048597A JP 14048597 A JP14048597 A JP 14048597A JP H10335284 A JPH10335284 A JP H10335284A
Authority
JP
Japan
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processing
substrate
substrates
wafer
tank
Prior art date
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Pending
Application number
JP14048597A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Araki
浩之 荒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP14048597A priority Critical patent/JPH10335284A/ja
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】複数枚の基板の表面を一括して均一に処理する
ことができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】各1枚のウエハWを収容することができる
袋状の複数の処理室R1〜R50が配列されることによ
り、複数枚のウエハWを一括して処理するための基板処
理槽55が構成されている。各処理室Ri(i=1,
2,・・・・・・,50)の上部には開口60が形成されてお
り、その下部には、処理液供給通路62に共通に連通す
る連通口が形成されている。処理液供給部63から処理
液供給通路62に処理液を供給することによって、各処
理室Ri内ではアップフローが形成され、ウエハWの洗
浄処理などが行われる。ウエハWと基板処理槽55の内
壁面(処理室Riの内壁面)との幾何学的関係は、全て
のウエハWに関して実質的に等価である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマディス
プレイパネル)用ガラス基板などの各種の被処理基板に
対して処理を施すための基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程は、半導体ウエハ
(以下、単に「ウエハ」という。)の表面に薄膜を形成
する工程や、その薄膜をエッチングして所定の薄膜パタ
ーンを作成する工程などを含む。ウエハの表面に微細な
薄膜パターンを形成するためには、ウエハ自体の表面お
よびウエハの表面に形成された薄膜の表面(以下、これ
らを「ウエハの表面」と総称する。)を清浄に保つこと
が重要である。また、或る工程における処理の影響がそ
の次の工程における処理に影響を及ぼす場合があるか
ら、このような場合には、これらの工程の間に、ウエハ
の表面を洗浄するための洗浄工程を挟む必要がある。
【0003】ウエハを洗浄するための装置には、多数枚
(たとえば50枚)のウエハに対して一括して洗浄処理
を施すためのバッチ式洗浄装置と、ウエハを1枚ずつ洗
浄していく枚葉式スピン洗浄装置とがある。バッチ式洗
浄装置は、多数枚のウエハを一括して処理液中に浸漬さ
せることができる処理槽と、この処理槽に対して多数枚
のウエハを一括して出し入れするための搬送機構と、処
理槽に対して処理液を供給する処理液供給機構とを備え
ている。処理槽の中には、多数枚のウエハをそれぞれ鉛
直方向に沿わせて立て、かつ、水平方向に沿って一列に
配列させて保持するためのウエハ保持機構が備えられて
いる。処理液供給機構は、処理槽の下部から処理液を連
続的に供給する。これにより、処理槽の内部では、上方
に向かう液流(アップフロー)が形成される。ウエハの
付近を通過した処理液は、処理液槽からオーバーフロー
するようになっていて、ウエハの表面に常に新鮮な処理
液が供給される構成となっている。
【0004】枚葉式スピン洗浄装置は、1枚のウエハを
水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピ
ンチャックによって回転されているウエハの表面および
裏面に処理液を供給するノズルと、スピンチャックに対
してウエハの搬入/搬出を行う搬送ロボットとを有して
いる。スピンチャックによって回転されているウエハの
表面にノズルから処理液を供給することによって、ウエ
ハの表面の全域が処理液による洗浄作用を受ける。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記バッチ
式洗浄装置においては、多数枚のウエハを1つの処理液
槽に浸漬して一括処理を施す構成であるため、たとえ
ば、処理槽の中央付近において処理を受けるウエハと、
処理槽の壁面付近において処理を受けるウエハとが、必
ずしも等しく処理されるとは限らない。これは、ウエハ
の表面付近における処理液の流れが、処理槽内の位置に
応じて異なるからである。したがって、バッチ式洗浄装
置による洗浄処理を経た複数枚のウエハの表面状態が、
必要な均一性を有することができない場合があった。
【0006】また、バッチ式洗浄装置においては、多数
枚のウエハが処理液槽内で近接して保持されているた
め、処理液槽内における処理液の流れにより、ウエハが
揺らぎ、隣接するウエハ同士が接触して、ウエハの表面
を傷つけてしまう場合があった。さらには、バッチ式洗
浄装置では、多数枚のウエハを収容することができる処
理槽に処理液を満たす必要があるから、大量の処理液が
必要であり、処理液の使用量が多いという問題もあっ
た。
【0007】一方、枚葉式スピン洗浄装置においては、
複数枚のウエハに対する処理の均一性、ウエハの表面を
傷つける可能性、および処理液消費量のいずれの点にお
いても、バッチ式洗浄装置のような欠点はない。しか
し、枚葉式スピン洗浄装置は、1枚ずつウエハを処理す
るため、処理タクトが遅く、バッチ式洗浄装置に比較し
て生産効率が著しく劣るという克服しがたい問題があ
る。しかも、ウエハは、その中心を通る回転軸線まわり
に回転されながら、処理液による処理を受けるから、ウ
エハの中心部と周縁部とでは処理条件が等しくならな
い。そのため、ウエハの表面内での処理の均一性が必ず
しも良くないという欠点がある。
【0008】そこで、本発明の第1の目的は、上述の技
術的課題を解決し、複数枚の基板の表面を一括して均一
に処理することができる基板処理装置を提供することで
ある。また、この発明の第2の目的は、基板の表面を傷
つけることなく複数枚の基板を一括して処理することが
できる基板処理装置を提供することである。
【0009】さらに、この発明の第3の目的は、処理液
の消費量を低減しつつ複数枚の基板を一括して処理する
ことができる基板処理装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、複数枚の
基板に対して一括して処理を施すための処理部と、この
処理部に設けられ、複数枚の基板を一括して収容するた
めの処理槽と、各基板の処理面と上記処理槽の内壁面と
の幾何学的関係が全ての基板について実質的に等価であ
る状態で、上記処理槽内において複数枚の基板を保持す
る基板保持手段と、上記処理槽に収容された基板に対し
て処理液を供給する処理液供給手段とを含むことを特徴
とする基板処理装置である。
【0011】上記の構成によれば、各基板の処理面と処
理槽の内壁面との幾何学的関係が全ての基板に対して実
質的に等価であるので、各基板の処理面に対する処理条
件を全ての基板に対して均一化できる。したがって、一
括して処理される複数の基板を均一に処理できる。しか
も、複数の基板に対する処理を一括して行えるというバ
ッチ処理の利点が損なわれることがないので、生産性が
よい。
【0012】請求項2記載の発明は、上記処理槽は、仕
切手段によって互いに隔離され、それぞれ2枚以下の基
板を収容することができる複数の処理室を有しているこ
とを特徴とする請求項1記載の基板処理装置である。こ
の構成によれば、処理槽が2枚以下の基板を収容できる
複数の処理室に区画されている。複数の処理室はほぼ同
一の内部形状を有していることが好ましく、これによ
り、処理槽に1枚ずつの基板を入れることにより、全て
の基板に対して処理室の内壁面と基板との幾何学的関係
を等価にできる。また、たとえば、処理室が面対称な形
状を有していれば、2枚の基板を1つの処理室に入れた
場合に、この処理室の内壁面と各基板との位置関係を容
易に同等にすることができる。したがって、結果とし
て、全ての基板に対して、処理室の内壁面と基板との位
置関係を実質的に等価にできる。
【0013】このように、仕切り手段によって区画され
た処理室内に1枚または2枚の基板を収容して処理する
構成であれば、基板同士の接触を少なくできるから、処
理液による処理中における基板の損傷を低減できる。ま
た、各処理室の大きさを、1枚または2枚の基板を収容
するのに必要十分な大きさとしておけば、処理液の使用
量を節減することができる。
【0014】請求項3記載の発明は、上記仕切手段は、
上記複数の処理室内の処理液を相互に分離するための隔
離壁であることを特徴とする請求項2記載の基板処理装
置である。この構成によれば、各処理室内の処理液が分
離されるので、或る処理室内での処理の影響が他の処理
室内における基板の処理に及ぶおそれがない。これによ
り、各処理室における基板の処理を良好に行える。
【0015】請求項4記載の発明は、上記仕切手段は、
隣接する一対の処理室の上端縁間に、この一対の処理室
のうちの一方からあふれ出た処理液が他方の処理室に入
り込むことを防止するための間隔を確保して、上記一対
の処理室を隔離するものであることを特徴とする請求項
2または3記載の基板処理装置である。この構成によれ
ば、或る処理液からオーバーフローした処理液が他の処
理室に入るおそれがない。そのため、各処理室内におけ
る処理液の流れが乱されることがなく、これにより、複
数の基板に対する処理を良好に行うことができる。
【0016】請求項5記載の発明は、上記複数の処理室
は、それぞれ1枚の基板を収容することができるもので
あることを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記
載の基板処理装置である。この構成によれば、各処理室
には1枚の基板が収容されるので、基板同士が接触する
おそれがなく、複数の基板に対する処理も均一に行え
る。さらに、処理室の容積を、基板を収容するのに必要
十分な大きさとしておけば、処理液の使用量を大幅に節
減できる。
【0017】なお、この場合に、少なくとも基板の処理
面に対向する処理室の内壁面は、基板の有効領域との接
触を回避できる形状であることが好ましい。より具体的
には、処理室の内壁面は、基板の有効領域との接触を回
避するように湾曲した形状であってもよい。請求項6記
載の発明は、上記基板保持手段は、上記処理室の内面の
一部であることを特徴とする請求項5記載の基板処理装
置である。
【0018】この構成によれば、基板を処理室の内面の
一部で支持できるので、構成を簡単にすることができ
る。具体的には、たとえば、処理室の内面を基板の縁部
を保持できる形状に成形しておけばよい。請求項7記載
の発明は、上記複数の処理室は、それぞれ2枚の基板
を、相対向する内壁面に上記2枚の基板の処理面がそれ
ぞれ対向する状態で収容することができるものであるこ
とを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載の基
板処理装置である。
【0019】この構成によれば、2枚の基板の処理面が
処理室の相対向する内壁面にそれそれ対向しているの
で、この2枚の基板の処理面と処理室の内壁面との幾何
学的関係を容易に等価にすることができる。しかも、2
枚の基板は非処理面同士が対向することになるから、こ
れらの非処理面の間に保持アームを入れることにより、
2枚の基板を1つの保持アームで保持できる。よって、
基板を搬送するための構成を簡単にできる。
【0020】なお、この場合、少なくとも基板の処理面
が対向する内壁面は、同じ形状であることが好ましい。
請求項8記載の発明は、上記処理室は、上方に開口する
開口と、下部に形成された連通口とを有するものであ
り、上記処理液供給手段は、上記連通口を介して処理液
を各処理室に供給するものであることを特徴とする請求
項2ないし7のいずれかに記載の基板処理装置である。
【0021】この構成によれば、個々の処理室に対し
て、下部の連通口から処理液が供給され、処理室の上部
の開口部から処理液をオーバーフローさせることができ
る。これにより、基板に対する処理(とくに洗浄処理)
を迅速に、かつ、効率的に行える。請求項9記載の発明
は、上記複数の処理室に対して、複数枚の基板を一括し
て収容/取出しを行うための基板搬送手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項2ないし8のいずれかに記載の
基板処理装置である。
【0022】この構成により、複数の基板を一括して収
容/取出しできるので、基板の出し入れに要する時間が
短く、生産効率を高めることができる。請求項10記載
の発明は、上記基板搬送手段は、複数枚の基板を互いに
平行な状態で保持するアームを備えていることを特徴と
する請求項9記載の基板処理装置である。
【0023】この構成により、複数枚の基板が互いに平
行な状態で保持されるので、複数の処理室に対する基板
の出し入れを行いやすい。請求項11記載の発明は、上
記基板搬送手段は、基板の非処理面を保持するアームを
備えていることを特徴とする請求項9または10記載の
基板処理装置である。
【0024】この構成によれば、基板の非処理面をアー
ムで保持するようにしているので、基板の処理面に影響
を与えることなく基板を保持できる。請求項12記載の
発明は、上記アームは、2枚の基板を保持できるもので
あることを特徴とする請求項10または11記載の基板
処理装置である。この構成によれば、1本のアームで2
枚の基板を保持することができるから、基板搬送手段の
構成を簡単にすることができる。
【0025】請求項13記載の発明は、上記基板保持手
段は、上記処理槽の内壁面に各基板の処理面が対向する
状態で複数枚の基板を保持するものであることを特徴と
する請求項1ないし12のいずれかに記載の基板処理装
置である。この構成によれば、複数枚の基板が処理槽の
内壁面に対向する状態で、基板を処理槽内で支持できる
から、比較的容易に、複数枚の基板のそれぞれと処理槽
の内壁面との幾何学的関係を実質的に等価にすることが
できる。
【0026】請求項14記載の発明は、上記基板保持手
段は、基板の処理面が上記処理液供給手段によって供給
される処理液の上記処理槽内での流れ方向に平行になる
ように、基板を保持するものであることを特徴とする請
求項1ないし13のいずれかに記載の基板処理装置であ
る。この構成によれば、処理面が処理液の流れと平行に
なるように基板が保持されるので、処理液による処理面
に対する処理を均一に行える。また、基板が処理液から
の力を受けにくいので、基板の揺らぎを抑えることがで
き、基板同士の接触や基板と処理槽の内壁面との接触を
抑制できる。
【0027】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施形態を、
添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この発明
の一実施形態に係る基板処理装置の正面から見た内部構
成を簡略化して示す断面図である。この基板処理装置
は、ほぼ円形の基板であるウエハWの表面を洗浄するた
めの装置であり、多数枚(たとえば、50枚)のウエハ
Wを一括して処理することができるものである。なお、
「ウエハWの表面」とは、半導体装置が形成される側の
面、すなわち処理面を意味するものとし、ウエハW自体
の表面およびウエハWに形成された薄膜の表面のいずれ
をも包含する意義を有するものとする。
【0028】この基板処理装置は、複数枚(たとえば2
5枚)のウエハWを収容することができるカセットCが
載置される搬入搬出部2と、カセットCからのウエハW
の一括取り出しおよびカセットCへのウエハWの一括装
填を行うことができる基板移載部3と、ウエハWのハー
フピッチ変換を行う基板挿入部4と、ウエハWの表面処
理を行う処理部5と、処理部5において処理された後の
ウエハWを乾燥させる基板乾燥部6とを有している。
【0029】搬入搬出部2と基板移載部3との間には、
これらの間でカセットCを搬送するためのカセット移載
ロボット7が設けられている。また、基板移載部3と基
板挿入部4との間には、これらの間でウエハWを搬送す
るための基板搬送ロボット9が設けられている。さら
に、基板挿入部4と基板乾燥部6との間には、これらの
間の範囲でウエハWを一括して搬送するための基板搬送
ロボット10が設けられている。
【0030】搬入搬出部2は、少なくとも2つのカセッ
トCを位置決めして載置することができるように構成さ
れている。また、基板移載部3は、それぞれ1つのカセ
ットCを保持して鉛直軸線まわりに回動させることがで
きる一対の回転テーブル20を備えている(図1の紙面
に垂直な方向に沿って配列されているが、図1では1つ
のみを示す。)。回転テーブル20の下方には、昇降機
構26によって昇降されるウエハ保持部25が備えられ
ており、このウエハ保持部25は、回転テーブル20上
に配置されたカセットCの下部に形成された開口を通っ
てカセットCの内部に入り込み、ウエハWを保持してカ
セットCの上方に持ち上げることができるように構成さ
れている。したがって、カセット移載ロボット7によっ
てカセットCが搬入搬出部2から基板移載部3の回転テ
ーブル20に移載され、この回転テーブル20によって
カセットCが所定方向に向けられた後に、昇降機構26
によってウエハ保持部25が上昇させられることによっ
て、カセットC内の全ウエハWを一括して取り出すこと
ができる。
【0031】基板搬送ロボット9は、一対の回転テーブ
ル20に対応して一対設けられている(図1の紙面に垂
直な方向に沿って配列されているが、図1では1つのみ
を示す。)。この基板搬送ロボット9は、装置の前後方
向であるy方向に沿って平行に延びる一対の保持ヘッド
33を有している。この一対の保持ヘッド33には、互
いに対向する表面に、ウエハWを保持するための複数本
の保持溝が形成されている。また、保持ヘッド33は、
y方向に沿う所定の軸線周りに、互いに反対方向に回動
駆動されるようになっており、これにより、ウエハWを
保持する保持状態と、ウエハWを保持しない解放状態と
の間で開閉自在となっている。
【0032】ウエハ保持部25によって、カセットCの
上方に持ち上げられた複数枚(たとえば、50枚)のウ
エハWは、基板搬送ロボット9の保持ヘッド33により
保持される。これらのウエハWは、その後、基板搬送ロ
ボット9が、装置の左右方向であるx方向に沿って右方
向へ直線移動することにより、基板挿入部4の上方にま
で搬送される。
【0033】基板挿入部4は、複数枚のウエハWを、そ
れぞれが鉛直方向に沿った状態でy方向に整列させて保
持する一対の保持部40(図1の紙面に垂直な方向に沿
って配列されているが、図1では1つのみを示す。)
と、この一対の保持部40をy方向に沿って移動させる
ことにより、互いに近接/離反させる駆動機構41とを
有している。一対の保持部40は、それぞれ、たとえ
ば、25枚のウエハWを保持することができるものであ
り、y方向に沿って配列されている。この一対の保持部
40を接近させることにより、25枚ずつのウエハWの
群を近接させ、50枚のウエハWが一定のピッチPでy
方向に沿って配列された状態とすることができる。この
操作をハーフピッチ変換という。
【0034】こうしてハーフピッチ変換が行われたたと
えば50枚のウエハWは、その後、基板搬送ロボット1
0によって、処理部5および基板乾燥部6に順に搬入さ
れ、処理面を洗浄し、さらに、乾燥するための処理が施
される。処理部5は、オーバーフロー型の基板処理槽5
5を有しており、この基板処理槽55内において、複数
枚(たとえば、50枚)のウエハWに対する処理を一括
して行うことができるように構成されている。
【0035】基板乾燥部6は、複数枚(たとえば、50
枚)のウエハWを一括して保持する保持機構と、この保
持機構を回転させる回転駆動機構とを有しており、ウエ
ハWの表裏面の水分を振り切ることにより、複数枚のウ
エハWを一括して乾燥させる構成となっている。図2
は、基板搬送ロボット10の構成を説明するための斜視
図である。基板搬送ロボット10は、装置のx方向に水
平移動することができ、かつ、z方向に昇降移動するこ
とができる支柱45と、支柱45に固定された本体46
と、本体46からy方向に沿って水平に延びた搬送アー
ム47とを有している。
【0036】搬送アーム47の下面には、それぞれ下方
に延びる複数本(たとえば、50本)の基板吸着アーム
48がウエハ配列方向(y方向)にピッチPで配列して
設けられている。各吸着アーム48は、基板挿入部4に
おいてピッチPで配列されて保持されているウエハWの
間に入り込むことができる厚さ(ピッチPからウエハW
の厚さを引いた値よりも小さい)の板状部材であり、そ
の下端部付近の一方表面には、吸着孔49が開口してい
る。
【0037】図3に断面図を示すように、吸着孔49
は、上方に延びる吸着経路50を介して搬送アーム47
内に水平に延びる吸着経路51に一括して連通されてい
る。基板吸着アーム48の上記一方表面には、吸着孔4
9に連通する田字状の吸着溝52(図2参照)が形成さ
れている。この基板搬送ロボット10は、図3に示すよ
うに、吸着経路51を負圧にすることによって、各吸着
孔49を負圧にし、各吸着溝52によりウエハWの裏面
BFを吸着保持する。つまり、基板挿入部4において
は、各ウエハWの裏面BFが吸着アーム48の吸着孔4
9側の表面に対向するように、ウエハWが整列されて保
持される。
【0038】図4は、処理部5に備えられた基板処理槽
55の構成を説明するための斜視図であり、図5はその
一部の簡略化した平面図である。この基板処理槽55
は、それぞれが1枚のウエハWを収容して内部に保持す
ることができる複数(たとえば、50個)の処理室R
1,R2,・・・・・・,R50を備えている。各処理室Ri
(i=1,2,3,・・・・・・,50)は、全てほぼ同一形
状に構成されており、1枚のウエハWを鉛直面に沿わせ
て保持することができる扁平な袋形状を有している。そ
して、その上部には、平面視において、扁平な楕円形状
の開口60が形成されている。すなわち、開口60は、
大略的に、長軸がウエハWの直径よりも若干長く、短軸
がウエハWの厚みと基板搬送ロボット10の吸着アーム
48の厚みの2倍との和よりも若干長い、楕円形を有し
ている。
【0039】図6は、処理室Riの縦断面図である。ウ
エハWを処理室Riに収容したときのウエハWの中心の
高さをHCとすると、開口60から高さHCまでの間の
領域においては、処理室Riの水平断面は、開口60と
ほぼ同じ大きさおよび形状を有している。高さHCより
も下方の領域においては、処理室Riの内壁面は、y方
向に見た正面視においては、ウエハWの周縁部の形状に
従う半円弧形状となっており、x方向に見た側面視にお
いては、下方に向かうに従って、対向する内壁面が互い
に近接するU字形状となっている。つまり、処理室Ri
の内壁面は、ウエハWの表面において半導体装置が形成
されるいわゆる有効領域との接触を回避できるように、
凹湾曲形状となっている。
【0040】このような構成の処理室RiにウエハWを
収容した場合には、ウエハWはその周縁部は処理室Ri
の内壁面と接触するが、有効領域においては、処理室R
iと接触するおそれがない。すなわち、処理室Riの内
壁面においてウエハWの周縁部と接触する部分は、ウエ
ハWの有効領域が処理室Riの内壁面に接触することを
回避しつつウエハWの周縁部を保持する基板保持手段と
しての機能を有している。
【0041】処理室Riの下部には、処理液が供給され
る処理液供給口(連通口)I1,I2,・・・・・・,I50
がそれぞれ形成されている。これらの処理液供給口Ii
は、処理室Riの下方において処理室Riの配列方向
(y方向)に沿って設けられたフレーム部61内に形成
された処理液供給通路62に、共通に連通している。こ
の処理液供給通路62には、処理液供給部63(図4参
照)から処理液が供給されるようになっている。処理液
供給部63は、たとえば、処理液を貯留した処理液タン
クと、この処理液タンク内の処理液を圧送するためのポ
ンプと、処理液の供給/停止を切り換えるためのバルブ
とを有している。
【0042】処理液供給部63は、2種類以上の処理液
を選択的に供給することができるものであってもよい。
すなわち、処理液供給部63は、たとえば、第1の種類
の薬液、第2の種類の薬液および純水をそれぞれ貯留す
るタンクと、各タンクからの処理液を選択的に処理液供
給部63に送り込むために切り換えられる切り換えバル
ブとを有するものであってもよい。
【0043】図5の平面図に表されているように、複数
の処理室Riは、ピッチPでy方向に沿って配列されて
おり、処理室Riの上端縁から所定の高さH(図4参
照)までの領域における処理室Riの隔離壁64は、隣
接する処理室Riの隔離壁64同士に所定の間隔D(た
とえば5mm)を確保するように離間している。所定の
高さHよりも下方の領域においては、複数の処理室Ri
は、相互に一体的に成形されている。ただし、複数の処
理室Riは必ずしも一体的に結合されている必要はな
い。たとえば、個々の処理室Riおよびフレーム部61
を別部材とし、フレーム部61に所定の間隔で複数の処
理室Riを取り付けることにより基板処理槽55が構成
されてもよい。
【0044】上記の構成により、処理液供給部63か
ら、処理液供給通路62に処理液を送り込むと、この処
理液は、各処理室Riの処理液供給口Iiを通り、処理
室Riの内部空間に導かれる。これにより、処理室Ri
の内部に処理液が満たされ、さらに処理液の供給を継続
することにより、処理液は、各処理室Riからオーバー
フローするとともに、各処理室Riの内部において上方
に向かう処理液の流れ(アップフロー)を形成する。こ
のときの処理液の流れ方向は、処理室Ri内に保持され
るべきウエハWの平面と平行である。
【0045】そこで、処理液が各処理室Riに満たされ
た後に、基板搬送ロボット10によって、基板処理槽5
5の処理室Riに複数のウエハWを一括して搬入すれ
ば、この複数のウエハWに対して、一括して処理を施す
ことができる。ただし、処理液が各処理室Riに導入さ
れるよりも前に、ウエハWを基板搬送ロボット10によ
って基板処理槽55の各処理室Riに搬入しておき、そ
の後、基板処理槽55への処理液の供給を開始するよう
にしてもかまわない。
【0046】処理室Riの内部にそれぞれ収容された複
数のウエハWは、どの処理室Riにおいても、処理室R
iの内壁面とウエハWの表面(処理面)との位置関係が
実質的に等しくなっている。つまり、各ウエハWの処理
面と処理室Riの内壁面との幾何学的関係が、全ての基
板について実質的に等価になっている。そのため、複数
の処理室Riに収容されたウエハWには、均一な処理を
施すことができる。
【0047】しかも、複数枚のウエハを大きな槽に貯留
された処理液に一括して浸漬するのではなく、1枚ずつ
のウエハWを小さな処理室Riにそれぞれ貯留された処
理液に浸漬するようにしており、各処理室Riは1枚の
ウエハWを収容するのに必要十分な大きさを有している
ので、処理液の使用量が少なくできるという利点があ
る。
【0048】さらに、個々のウエハWは、処理室Riに
収容されて分離されており、相互に接触することがない
ので、ウエハW同士が傷つけ合うおそれがない。また、
ウエハWを1枚ずつ処理するのではなく、複数のウエハ
Wに対する処理を並行して行うことができるので、生産
性が良いというバッチ式処理の利点が損なわれることも
ない。
【0049】図7は、この発明の第2の実施形態に係る
基板処理装置において、上記の基板処理槽55に代えて
用いるべき基板処理槽55Aの構成を説明するための斜
視である。この基板処理槽55Aは、上方が開放した処
理液槽65と、この処理液槽65の内部空間を区画する
複数の仕切板66(隔離壁)とを有している。これによ
り、ほぼ同一内部形状の複数の処理室Riが、処理液槽
65の内部に形成されている。
【0050】処理液槽65は、平面視において長方形の
ものであって、仕切板66は、長手方向に直交するよう
にその内部に配置されて、処理液槽65の内部空間を等
分している。処理液槽65の底部は、一対の傾斜した底
面板65a,65bと、この一対の底面板65a,65
bの間に設けられた処理液流通部65cとで構成されて
いる。処理室Riの下部は、処理液流通部65cと連通
しており、この連通部が、処理液を処理室Ri内に導入
する連通口をなしている。
【0051】処理液流通部65c内には、一対の処理液
供給ノズル68が配置されている。処理液供給ノズル6
8は、管状部材の側面に、その長手方向に沿って配列し
て形成された複数の処理液吐出口69を有している。こ
の処理液吐出口69から吐出された処理液が、処理液流
通部65cから各処理室Riに導入されるようになって
いる。
【0052】各処理室Riに対応する処理液槽65の内
壁面には、ウエハWを保持するための保持部材70(基
板保持手段)が4個設けられている。各保持部材70
は、たとえば、ウエハWの周縁部を挟持するV字状溝を
有しており、4個の保持部材70のうち、2つは底面板
65a,65bにそれぞれ設けられて、ウエハWの下方
部分を保持する。また、他の2つの保持部材70は、処
理液槽65の長手方向に沿う一対の側面板65d,65
eに固定されており、ウエハWの下半分の領域のうち上
方寄りの位置においてウエハWの周縁部を保持する。な
お、V字状溝を有する保持部材70の代わりに、一対の
ナイフエッジによって、ウエハWの周縁部を保持する構
成を採用することもできる。
【0053】このような構成によっても、個々のウエハ
Wに注目すると、ウエハWの表面(処理面)と、基板処
理槽55Aの内壁面(処理液槽65の内壁面または仕切
板66の表面)との位置関係は、いずれのウエハWに関
しても実質的に同等である。そのため、一括処理される
複数枚のウエハWに対して、均一な処理を施すことがで
きる。
【0054】なお、仕切板66は、隣接する一対の処理
室Riを完全に隔離するものである必要はなく、処理液
の流れが乱されない限りにおいて、たとえば、処理液槽
65の内壁面との間にわずかなすきまを有するものであ
ってもよい。また、各処理室Riからオーバーフローす
る処理液が隣接する処理室Riに入り込まないようにす
る必要がある場合には、たとえば、仕切板66の上端縁
が処理液槽65の上端縁よりも高くなるようにしておけ
ばよい。
【0055】また、仕切板66として、厚さの厚いもの
を用い、その上端面に溝を形成し、仕切板66の両側の
処理室Riからオーバーフローする処理液を、その溝を
通して処理液槽65外に導くようにしてもよい。このよ
うにすれば、隣接する処理室Riのうちの一方からあふ
れ出た処理液が他方の処理室Riに流入することがない
から、各処理室Riの内部における処理液の流れが乱れ
ることがない。これにより、ウエハWの処理をさらに良
好におこなうことができる。
【0056】図8は、この発明の第3の実施形態に係る
基板処理装置において、図1の基板処理槽55に代えて
用いられるべき基板処理槽55Bの構成を示す斜視図で
ある。この図8において、上述の図7に示された各部と
同等の部分には同一の参照符号を付して示す。この基板
処理槽55Bは、それぞれ2枚のウエハWを収容して保
持することができる処理室r1,r2,・・・・・・,r25
を複数個(たとえば、25個)一列に配列して構成され
ている。具体的には、処理液槽65の内部空間が、仕切
板66によって等分に区画されることにより、ほぼ同一
内部形状の複数の処理室rj(j=1,2,・・・・・・,2
5)が形成されている。
【0057】各処理室rjには、一方のウエハWを鉛直
方向に沿って立てた状態で保持するための4個の保持部
材71(基板保持手段)と、他方のウエハWを同じく鉛
直方向に沿って立てた状態で保持するための4個の保持
部材72(基板保持手段)とが設けられている。これら
の保持部材71,72の構成および配置は、図7に示さ
れた保持部材70の場合と同様である。この構成によ
り、一対のウエハWは、相対向する一対の内壁面(処理
液槽65の内壁面または仕切板66の表面)にそれぞれ
対面し、これらの内壁面と平行な状態で処理室ri内に
保持されることになる。また、各ウエハWの処理面と、
下方から上方に向かう処理液の流れ方向とは平行にな
る。
【0058】図9は、この実施形態の基板処理装置にお
いて、上記基板搬送ロボット10に代えて用いられるべ
き基板搬送ロボット10Aの構成を示す斜視図である。
この図9において、上記の図3に示された各部に対応す
る部分には同一の参照符号を付して示す。この基板搬送
ロボット10Aは、板状の吸着アーム48Aの両面に吸
着孔49a,49bがそれぞれ形成されており、さら
に、各吸着孔49a,49bに関連して、図2に示され
た吸着溝52と同様な田字形の吸着溝が形成されている
点が、上記の基板搬送ロボット10との主要な相違点で
ある。また、吸着アーム48Aの厚みは、ウエハのピッ
チPよりもウエハWの厚みの分だけ薄く形成されてい
る。
【0059】この構成により、基板搬送ロボット10A
は、一対のウエハWの各裏面BFを吸着して保持する。
すなわち、基板挿入部4において、ウエハWは、表面M
F同士または裏面BF同士が対向するように配列され、
このように配列されたウエハWを、基板搬送ロボット1
0Aが一括して保持する。図10は、基板搬送ロボット
10AによってウエハWを処理室rjに装填したときの
様子を簡略化して示す平面図である。この図から、一対
のウエハWが吸着アーム48Aの両面で保持されている
様子が理解される。また、一対のウエハWの表面MFと
処理室rjの内壁との幾何学的関係が、いずれのウエハ
Wにおいても実質的に等価であることが理解される。つ
まり、処理室rjは、一対のウエハWの間を通り、これ
らのウエハWに平行な平面について面対称である。換言
すれば、一対のウエハWは、処理室rj内において対称
面に対して対称に保持されている。そのため、各ウエハ
Wの表面MFと処理室rjとの内壁面との幾何学的関係
は、全てのウエハWに対して同等になる。
【0060】したがって、吸着アーム48Aを上昇させ
て退避させた後に、ウエハWの処理を開始すれば、処理
室rjに収容された一対のウエハWに対して均一な処理
を施すことができる。しかも、複数の処理室rjに収容
された複数枚のウエハWは、いずれも、表面MFとそれ
に対向する内壁との位置関係が実質的に等価になってい
る。そのため、基板搬送ロボット10Aによって一括し
て基板処理槽55Bに収容された複数枚のウエハWに対
して、均一な処理を施すことができる。
【0061】しかも、この実施形態の構成においては、
一対のウエハWを一本の吸着アーム48Aで吸着して保
持することができるので、基板搬送ロボット10Aの構
成を簡単にできるという利点がある。図11は、この発
明の第4の実施形態に係る基板処理装置において、図2
に示された基板搬送ロボット10に代えて用いられるべ
き基板搬送ロボット10Bの構成を説明するための斜視
図である。この図11において上述の図2に示された各
部に相当する部分には同一の参照符号を付して示す。な
お、この実施形態においては、図8に示された基板処理
槽55Bが用いられる。
【0062】この基板搬送ロボット10Bは、それぞれ
1枚のウエハWを吸着して保持することができる吸着ア
ーム48Bを備えている点で、図2の基板搬送ロボット
10と共通しているが、吸着孔49が形成された吸着面
が、1本おきに正反対の方向に向けられている点が異な
る。すなわち、隣接する吸着アーム48Bは、吸着面同
士または非吸着面(吸着孔49が形成されていない面)
同士が互いに対向するようになっている。
【0063】図12は、処理室rjに一対のウエハWを
搬入した状態を簡略化して示す平面図である。なお、こ
の図12において、上述の図10に示された各部と同等
の部分には同一の参照符号を付して示す。この図12か
ら理解されるように、処理室rjには、一対のウエハW
が表面MF同士を対向させた状態で収容される。したが
って、各ウエハWは他方のウエハWの表面MFは他方の
ウエハWの表面MFに対向しており、処理室rjの内部
の処理液の流れに対する条件は等しくなる。また、この
実施形態においても、各ウエハWと処理室riの内壁面
との幾何学的関係は、いずれのウエハWに対しても等価
である。よって、吸着アーム48を処理室rjから退避
させて処理を行えば、一対のウエハWに対して、均一な
処理を施すことができ、結局、基板処理槽55Bに一括
して搬入される複数枚のウエハWに対して実質的に均一
な処理を施すことができる。
【0064】この発明のいくつかの実施形態について説
明したが、この発明は上記の実施形態以外にも種々の形
態で実施することができる。たとえば、上記の実施形態
においては、複数枚のウエハWは、いずれもウエハWの
表面と直交する方向に沿って配列されているが、ウエハ
Wの表面と平行な方向に少なくとも2枚のウエハWが配
列されてもよい。すなわち、2枚以上のウエハWを、処
理液槽内において、各ウエハWの表面が処理液槽のxz
表面に沿う壁面に対向する状態で、x方向またはz方向
に配列してもよい。同様に、2枚以上のウエハWを、各
ウエハの表面が処理液槽のzy平面に沿う内壁面に対向
する状態で、y方向またはz方向に配列してもよい。つ
まり、ウエハWの表面(処理面)と処理液槽の内壁面と
の幾何学的関係が全てのウエハWに関して実質的に等価
である限りにおいて、複数枚のウエハWをどのように配
置してもかまわない。
【0065】また、上記の実施形態においては、ウエハ
を洗浄するための装置を例にとったが、ウエハに対して
エッチング処理を施す装置など洗浄以外の処理を行うバ
ッチ式処理装置に対しても、この発明を適用することが
できる。さらに、上記の実施形態においては、ウエハに
対して処理を施す装置について説明したが、この発明
は、液晶表示装置用ガラス基板やPDP用ガラス基板な
どの他の種類の基板に対して処理を施すバッチ式処理装
置に対しても適用することができる。
【0066】その他、特許請求の範囲に記載された技術
的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の正
面から見た内部構成を簡略化して示す断面図である。
【図2】基板搬送ロボットの構成を説明するための斜視
図である。
【図3】基板搬送ロボットの搬送アームの構成を示す断
面図である。
【図4】処理部に備えられた基板処理槽の構成を説明す
るための斜視図である。
【図5】基板処理槽の一部の簡略化した平面図である。
【図6】処理室の縦断面図である。
【図7】この発明の第2の実施形態に係る基板処理装置
において用いられる基板処理槽の構成を説明するための
斜視である。
【図8】この発明の第3の実施形態に係る基板処理装置
において用いられる基板処理槽の構成を示す斜視図であ
る。
【図9】上記第3の実施形態の基板処理装置において用
いられる基板搬送ロボットの構成を示す斜視図である。
【図10】上記第3の実施形態における基板搬送ロボッ
トによってウエハを処理室に装填したときの様子を簡略
化して示す平面図である。
【図11】この発明の第4の実施形態に係る基板処理装
置において用いられる基板搬送ロボットの構成を説明す
るための斜視図である。
【図12】処理室に一対のウエハを搬入した状態を簡略
化して示す平面図である。
【符号の説明】
5 処理部 10 基板搬送ロボット 48 吸着アーム 55 基板処理槽 R1,R2,・・・・・・,R50 処理室 60 開口 62 処理液供給通路 63 処理液供給部 64 隔離壁 I1,I2,・・・・・・,I50 処理液供給口(連通
口) 55A 基板処理槽 65 処理液槽 66 仕切板(隔離壁) 68 処理液供給ノズル 70 保持部材(基板保持手段) 55B 基板処理槽 71 保持部材(基板保持手段) 72 保持部材(基板保持手段) 10A 基板搬送ロボット 48A 吸着アーム 10B 基板搬送ロボット 48B 吸着アーム

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数枚の基板に対して一括して処理を施す
    ための処理部と、 この処理部に設けられ、複数枚の基板を一括して収容す
    るための処理槽と、 各基板の処理面と上記処理槽の内壁面との幾何学的関係
    が全ての基板について実質的に等価である状態で、上記
    処理槽内において複数枚の基板を保持する基板保持手段
    と、 上記処理槽に収容された基板に対して処理液を供給する
    処理液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装
    置。
  2. 【請求項2】上記処理槽は、仕切手段によって互いに隔
    離され、それぞれ2枚以下の基板を収容することができ
    る複数の処理室を有していることを特徴とする請求項1
    記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】上記仕切手段は、上記複数の処理室内の処
    理液を相互に分離するための隔離壁であることを特徴と
    する請求項2記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】上記仕切手段は、隣接する一対の処理室の
    上端縁間に、この一対の処理室のうちの一方からあふれ
    出た処理液が他方の処理室に入り込むことを防止するた
    めの間隔を確保して、上記一対の処理室を隔離するもの
    であることを特徴とする請求項2または3記載の基板処
    理装置。
  5. 【請求項5】上記複数の処理室は、それぞれ1枚の基板
    を収容することができるものであることを特徴とする請
    求項2ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 【請求項6】上記基板保持手段は、上記処理室の内面の
    一部であることを特徴とする請求項5記載の基板処理装
    置。
  7. 【請求項7】上記複数の処理室は、それぞれ2枚の基板
    を、相対向する内壁面に上記2枚の基板の処理面がそれ
    ぞれ対向する状態で収容することができるものであるこ
    とを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載の基
    板処理装置。
  8. 【請求項8】上記処理室は、上方に開口する開口と、下
    部に形成された連通口とを有するものであり、 上記処理液供給手段は、上記連通口を介して処理液を各
    処理室に供給するものであることを特徴とする請求項2
    ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
  9. 【請求項9】上記複数の処理室に対して、複数枚の基板
    を一括して収容/取出しを行うための基板搬送手段をさ
    らに含むことを特徴とする請求項2ないし8のいずれか
    に記載の基板処理装置。
  10. 【請求項10】上記基板搬送手段は、複数枚の基板を互
    いに平行な状態で保持するアームを備えていることを特
    徴とする請求項9記載の基板処理装置。
  11. 【請求項11】上記基板搬送手段は、基板の非処理面を
    保持するアームを備えていることを特徴とする請求項9
    または10記載の基板処理装置。
  12. 【請求項12】上記アームは、2枚の基板を保持できる
    ものであることを特徴とする請求項10または11記載
    の基板処理装置。
  13. 【請求項13】上記基板保持手段は、上記処理槽の内壁
    面に各基板の処理面が対向する状態で複数枚の基板を保
    持するものであることを特徴とする請求項1ないし12
    のいずれかに記載の基板処理装置。
  14. 【請求項14】上記基板保持手段は、基板の処理面が上
    記処理液供給手段によって供給される処理液の上記処理
    槽内での流れ方向に平行になるように、基板を保持する
    ものであることを特徴とする請求項1ないし13のいず
    れかに記載の基板処理装置。
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