JP2020174086A - 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置 - Google Patents

液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2020174086A
JP2020174086A JP2019074141A JP2019074141A JP2020174086A JP 2020174086 A JP2020174086 A JP 2020174086A JP 2019074141 A JP2019074141 A JP 2019074141A JP 2019074141 A JP2019074141 A JP 2019074141A JP 2020174086 A JP2020174086 A JP 2020174086A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
valve
chemical solution
control device
supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019074141A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020174086A5 (ja
JP7326003B2 (ja
Inventor
富士彦 豊増
Fujihiko Toyomasu
富士彦 豊増
國澤 淳次
Junji Kunisawa
淳次 國澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2019074141A priority Critical patent/JP7326003B2/ja
Priority to PCT/JP2020/013257 priority patent/WO2020209064A1/ja
Priority to KR1020217026608A priority patent/KR20210146286A/ko
Priority to US17/599,324 priority patent/US20220187856A1/en
Publication of JP2020174086A publication Critical patent/JP2020174086A/ja
Publication of JP2020174086A5 publication Critical patent/JP2020174086A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7326003B2 publication Critical patent/JP7326003B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0623Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the set value given to the control element
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • B08B9/032Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
    • B08B9/0321Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid
    • B08B9/0325Control mechanisms therefor
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00Control of flow ratio
    • G05D11/02Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/131Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components
    • G05D11/132Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components by controlling the flow of the individual components
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • G05D7/0641Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
    • G05D7/0652Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged in parallel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】液体ライン切り替え時のセンサエラーを抑制すること。【解決手段】 液体供給装置であって、 液体の流量を計測し、計測値に基づいて流量を制御する流量制御装置と、 前記流量制御装置に接続され、前記流量制御装置への第1液体の供給を制御する第1バルブと、 前記流量制御装置に接続され、前記流量制御装置への第2液体の供給を制御する第2バルブと、を備え、 前記第1バルブの開閉切り替え時と前記第2バルブの開閉を切り替える時との間に遅延時間が設けて、前記第1バルブ及び前記第2バルブを切り替える、 液体供給装置。【選択図】図2

Description

本発明は、液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置に関する。
半導体製造装置等の基板処理装置では、洗浄処理、めっき処理、エッチング処理、研磨処理、現像処理等の液処理が行われる。また、これらの液処理に関連する液体供給装置において、純水による配管洗浄(フラッシング)や、薬液等の希釈又は混合などの液処理が行われる。このような液処理には、液体を供給するラインをバルブにより切り替えて出力側に供給する処理、及び/又は、バルブの開閉により複数のラインからの液体を希釈、混合する処理が含まれる。例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)装置は、半導体チップが形成された半導体基板の表面を研磨するための研磨装置と、研磨装置で研磨された半導体基板に対して洗浄薬液を供給しながら洗浄するための洗浄ユニットとを有する。洗浄ユニットは、液体供給装置と、液体供給装置から洗浄薬液を供給される洗浄装置とを備え、液体供給装置において、薬液に対してDIW(De−Ionized Water)などの希釈水を混合することで洗浄薬液(希釈された薬液)を作成し、洗浄装置において洗浄薬液を用いて半導体基板の洗浄を行う(例えば、特許文献1参照)。
特開2018−181883号公報
上述のような液体供給装置の小型化を図ることが要望されるが、液体供給装置を小型化する場合、各構成要素(バルブ、圧力計、流量制御弁)間の距離が短くなる。各構成要素間の距離が短くなり、各構成要素間の配管又は流路内の体積が小さくなると、バルブの切り替えにより、圧力計、流量計等のセンサの検出値がオーバシュートして計測値上限エラー(圧力上限エラー、流量上限エラーなど)を生じる可能性があることを見出した。このような配管内の圧力上昇は、主に、各構成要素間の距離に起因するものと考えられ、液体供給装置の小型化を図る場合に問題となる可能性がある。
本発明の目的は、上述した課題の少なくとも一部を解決することである。
本発明の一側面によれば、 液体供給装置であって、 液体の流量を計測し、計測値に基づいて流量を制御する流量制御装置と、 前記流量制御装置に接続され、前記流量制御装置への第1液体の供給を制御する第1バルブと、 前記流量制御装置に接続され、前記流量制御装置への第2液体の供給を制御する第2バルブと、を備え、 前記第1バルブの開閉切り替え時と前記第2バルブの開閉を切り替える時との間に遅延時間が設けて、前記第1バルブ及び前記第2バルブを切り替える、 液体供給装置が提供される。
一実施形態に係る液体供給装置を示す概略正面図である。 一実施形態に係る液体供給装置の流体回路図である。 一実施形態に係る流量制御装置の構成を示す構成図である。 一実施形態に係る各バルブの切り替えタイミングを示すタイムチャートである。 一実施形態に係る液体切り替え処理のフローチャートである。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、以下、液体供給装置の一例として、洗浄装置の薬液供給装置を例に挙げて説明するが、これに限らず、本発明は、基板処理装置の液処理に使用可能な任意の液体供給装置を含む。また、以下の説明では、純水の一例としてDIW(De−Ionized Water)を挙げて説明するが、DIW以外の水を使用することもできる。
図1は、一実施形態に係る液体供給装置100を示す概略正面図である。図2は、一実施形態に係る液体供給装置100の流体回路図である。本実施形態では、液体供給装置100の一例として、洗浄ユニット10の薬液供給装置を例に挙げて説明する。以下、薬液供給装置100として参照する。洗浄ユニット10は、薬液供給装置100と、薬液供給装置100から洗浄薬液の供給を受ける洗浄装置200と、を備えている。洗浄ユニット10は、例えば、CMP等の研磨処理、めっき処理、エッチング処理、または現像処理の後洗浄工程に使用される洗浄ユニットであり、研磨装置、めっき装置、エッチング装置、または現像装置に、一体又は別体で設けられる。
薬液供給装置100は、酸性又はアルカリ性の薬液を洗浄装置200に供給可能に構成される。薬液は、常温であってもよく高温(例えば80度程度の温度)であってもよい。図1に示すように、薬液供給装置100は、ハウジング101と、流量制御装置(ここでは、後述の薬液CLC121)を含む薬液ユーティリティボックス500A〜500Cと、流量制御装置(ここでは、後述のDIWCLC111)を含むDIWユーティリティボックス500Dと、その他のバルブ、レギュレータ、圧力計等の機器が配置される機器エリア501と、を備えている。本実施形態では、流量制御装置として、後述するCLC(Closed Loop Controller)を例に挙げて説明するが、流量制御装置は、CLC以外の構成の流量制御装置であってもよい。薬液ユーティリティボックス500A〜500Cと、DIWユーティリティボックス500Dと、機器エリア501とは、ハウジング101内に収納される。薬液供給装置100は、DIW又は薬液を輸送するための配管(流路)、バルブ、圧力計等を有する。詳細は図2において説明する。この例では、5つのユーティリティボックスが薬液供給装置100に設けられているが、これは一例であり、洗浄装置の仕様に応じてユーティリティボックスの数、及び/又は、各ユーティリティボックスの種類(薬液ユーティリティボックス、DIWユーティリティボックス)は適宜変更される。
図2では、一例として、薬液ユーティリティボックスとして、薬液ユーティリティボックス500Aのみ示す。なお、薬液ユーティリティボックス500A〜500Cは、概ね同一の構成を有するので、以下では薬液ユーティリティボックス500Aについて説明し、他の薬液ユーティリティボックスの説明を省略する。複数種類及び/又は複数ラインの薬液を使用する場合には、複数の薬液ユーティリティボックスが使用される。薬液ユーティリティボックス500Aは、薬液供給源20からの薬液を後述するインライン混合器78に供給するように構成される(図2参照)。また、薬液ユーティリティボックス500Aは、薬液の流量をフィードバック制御により設定された流量に制御することができる。DIWユーティリティボックス500Dは、DIW供給源30からのDIWを後述するインライン混合器78に供給するように構成される(図2参照)。また、DIWユーティリティボックス50Dは、DIWの流量をフィードバック制御により設定された流量に制御することができる。
図2に示すように、薬液供給装置100は、DIWを供給するためのDIW供給源30
及び薬液を供給するための薬液供給源20と、それぞれ配管を介して流体連通するように構成されている。また、薬液供給装置100は、洗浄装置200と流体連通するように構成されている。具体的には、薬液供給装置100は、DIW及び希釈された薬液(洗浄薬液)を洗浄装置200に供給する。
洗浄装置200は、研磨装置で研磨された半導体基板、ガラス基板(FPD)等の洗浄対象物を、DIWを用いて洗浄するDIW洗浄部210と、例えば研磨装置で研磨された半導体基板、ガラス基板(FPD)等の洗浄対象物を希釈された薬液(洗浄薬液)を用いて洗浄する薬液洗浄部220とを有する。DIW洗浄部210は、例えば超音波水洗浄部やその他のDIW洗浄部等から構成される。薬液洗浄部220は、例えばロール型洗浄部等から構成される。このDIW洗浄部210と薬液洗浄部220は、同一の洗浄槽230内に共存する。なお、洗浄装置200は、成膜前の基板(パターンが露出している基板)であっても、成膜後の基板(めっき後の基板)であっても洗浄可能である。また、洗浄装置200は、半導体基板、ガラス基板(FPD)以外の任意の洗浄対象物としてもよい。
薬液供給装置100は、インライン混合器78と、薬液ユーティリティボックス500Aと、DIWユーティリティボックス500Dと、を備えている。インライン混合器78は、薬液とDIWとを混合して洗浄薬液を生成する。薬液ユーティリティボックス500Aは、薬液供給源20からインライン混合器78に供給される薬液の流量をフィードバック制御する。DIWユーティリティボックス500Dは、DIW供給源30からインライン混合器78に供給されるDIWの流量をフィードバック制御する。制御装置150は、薬液供給装置100及び洗浄装置200の各部を制御する。
制御装置150は、例えば、薬液供給装置100に対して設けられる制御装置であってもよいし、洗浄ユニット10に対して設けられる制御装置であってもよいし、洗浄ユニット10が設けられる基板処理装置(研磨装置等)に対して設けられる制御装置であってもよい。制御装置150は、マイクロコンピュータ、シーケンサー等のコンピュータまたは制御回路と、制御回路で実行されるプログラムを格納した記録媒体(揮発性メモリ、不揮発性(非一時的)メモリ等の1又は複数のメモリ)と、を備えている。プログラムには、例えば、薬液供給装置100及び洗浄装置200による薬液(希釈後の薬液)の供給、洗浄を実施するプログラムが含まれている。このプログラムに従って、薬液供給装置100及び洗浄装置200の各部が制御される。なお、上記プログラムは、制御装置150に着脱可能な記録媒体(CD、フラッシュメモリ等)に格納されてもよい。また、制御装置150が有線又は無線を介して読み込み可能な記録媒体に格納されてもよい。なお、制御装置150は、例えば、薬液供給装置100に対して設けられる制御装置、洗浄ユニット10に対して設けられる制御装置、洗浄ユニット10が設けられる基板処理装置(研磨装置等)に対して設けられる制御装置の1又は複数を含むことができる。
(DIWユーティリティボックス)
DIWユーティリティボックス500Dは、DIW供給バルブ112と、DIWCLC111(流量制御装置の一例)と、圧力計76と、DIW圧調節レギュレータ77と、を有する。DIW供給バルブ112は、制御装置150により開閉制御され、DIWCLC111からインライン混合器78へのDIWの供給のオンオフを切り替える。DIWCLC111は、閉ループ制御機能を有する流量制御弁であり、制御装置150により制御され、インライン混合器78に供給するDIWの流量を計測し、この計測値に基づいて流量を制御する。具体的には、DIWCLC111は、計測したDIWの流量に基づいて、DIW CLC111内に流れるDIWの流量が所望の流量になるように、DIW CLC111内部のコントロールバルブの開度を調節(フィードバック制御)する。DIWユーティリティボックス500Dは、DIW供給バルブ112を開けることにより、DIWをインライン混合器78に供給する。DIW圧調節レギュレータ77は、制御装置150によ
り開度が制御され、DIW供給配管81からDIWCLC111へのDIWの供給圧力を調節する。圧力計76は、DIW圧調節レギュレータ77とDIWCLC111との間に配置され、DIW CLC111に流入するDIWの圧力を測定し、制御装置150に測定値を出力する。
なお、図2において、符号110は、CLCボックス(DIW供給バルブ112、DIWCLC111)を、圧力計76及びDIW圧調節レギュレータ77とは別に個別のボックス(モジュール)で設けた場合におけるCLCボックスに含まれる範囲を示している。本実施形態では、別々に配置されていた構成であるCLCボックス110と、圧力計76、及びDIW圧調節レギュレータ77(例えば、特許文献1の図1、図2参照)を1つのモジュールであるDIWユーティリティボックス500Dに集積している。1つの薬液ユーティリティボックス500Dに集積する構成により、CLCボックスと各構成要素を接続する配管を単一のモジュール内に集約することができ、液体供給装置の小型化が図られている。ただし、本実施形態は、1つのモジュールに集約しない構成に適用してもよい。
薬液供給装置100は、一端がDIW供給源30に接続され、他端が洗浄装置200のDIW洗浄部210に接続された、DIW供給配管81を備えている。DIW供給配管81には、DIW供給バルブ86と、DIW圧調節レギュレータ87と、DIW圧力計88と、が設けられている。DIW供給バルブ86は、制御装置150により開閉制御されることで、DIW供給源30からDIW供給配管81へのDIWの供給を制御する。DIW圧調節レギュレータ87は、制御装置150により開度を制御され、DIW供給配管81からDIW洗浄部210へのDIWの供給圧力を調節する。DIW圧力計88は、DIW供給配管81の内部を通過するDIWの圧力を計測し、計測値を制御装置150に出力する。
DIW供給配管81上のDIW供給バルブ86とDIW圧調節レギュレータ87との間には、DIW分岐配管82の一端が接続される。DIW分岐配管82の他端は、DIW圧調節レギュレータ77と圧力計76を介して、DIWユーティリティボックス500DのDIWCLC111に接続される。DIW CLC111には、DIW配管83の一端が接続される。DIW配管83の他端は、合流部79において薬液配管93に接続され、インライン混合器78に流体連通する。合流部79は、図2において、DIWCLC111からのDIWと、薬液CLC121からの薬液とが合流する点である。DIW供給バルブ112はDIW配管83上に設けられ、インライン混合器78にDIWを供給する場合に、制御装置150により開閉制御される。
(薬液ユーティリティボックス)
薬液ユーティリティボックス500Aは、薬液供給バルブ122と、薬液CLC121(流量制御装置の一例)と、を有する。また、薬液ユーティリティボックス500Aは、薬液供給源20と薬液CLC121とを接続する薬液配管91上に設けられるマニュアル弁51と、薬液CLC121への薬液の供給のオンオフを切り替える薬液入口バルブ52と、薬液配管91内の流体圧力を計測する圧力計53と、を更に備えている。また、薬液ユーティリティボックス500Aは、DIW供給源30と薬液CLC121とを接続するDIW配管92上に設けられるDIW入口バルブ70を更に備えている。なお、図2において、符号120、50は、それぞれ、CLCボックス及び薬液ユーティリティボックスをそれぞれ個別に設けた場合の各ボックスが含む構成要素を示している。本実施形態では、CLCボックス120及び薬液ユーティリティボックス50の別々のボックス(モジュール)内に配置されていた構成(例えば、特許文献1の図1における符号120、50の構成)を1つのモジュールである薬液ユーティリティボックス500Aに集積している。1つの薬液ユーティリティボックス500Aに集積する構成により、各ボックス(モジュール)間の配管を単一のボックス内に集約することができ、液体供給装置の小型化が図ら
れている。後述する本実施形態のバルブ切り替え処理は、このような集積化された構成に特に効果的である。ただし、本実施形態は、CLCボックス120及び薬液ユーティリティボックス50の別々のモジュールで配置する構成を含むその他の構成に適用してもよい。なお、マニュアル弁51は、薬液ユーティリティボックス500Aの外部に配置してもよい。
薬液供給バルブ122は、制御装置150により開閉制御され、薬液CLC121からインライン混合器78への薬液の供給のオンオフを切り替える。薬液CLC121は、閉ループ制御機能を有する流量制御弁であり、制御装置150により制御され、薬液供給バルブ122を介してインライン混合器78に供給する薬液の流量を計測し、この計測値に基づいて流量を制御する。具体的には、薬液CLC121は、計測した薬液の流量に基づいて、薬液CLC121内に流れる薬液の流量が所望の流量になるように、薬液CLC121内部のコントロールバルブの開度を調節(フィードバック制御)する。
マニュアル弁51は、手動で開閉される弁であり、例えば、メンテナンス時に洗浄薬液供給装置100から薬液供給源20を切り離す際に使用される。薬液入口バルブ52は、制御装置150により開閉制御され、薬液供給源20から薬液CLC121への薬液の供給を制御する。圧力計53は、薬液CLC121のイン側(一次側)の圧力、つまり薬液供給源20からの薬液の供給圧力を測定するように構成され、薬液CLC121に流入する薬液の圧力を測定して制御装置150に測定値を出力する。圧力計53は、マニュアル弁51と薬液入口バルブ52の間に配置してもよい。なお、図2のように、圧力計53を薬液入口バルブ52と薬液CLC121の間に配置する構成によれば、薬液入口バルブ52を開、DIW入口バルブ70を閉の状態で、薬液供給源20からの薬液の供給圧力を計測可能であるとともに、薬液入口バルブ52を閉、DIW入口バルブ70を開の状態で、DIW供給源30からのDIWの供給圧力も計測可能である。薬液供給源20からの薬液の供給圧力を測定する圧力計と、DIW供給源30からのDIWの供給圧力を測定する圧力計とを、例えば、薬液配管91及びDIW配管92にそれぞれ個別に設けてもよい。それらの構成以外にも、薬液供給源20からの薬液及び/又はDIW供給源30からのDIWの供給圧力を測定する1又は複数の圧力計を設けることができる。
DIW入口バルブ70は、制御装置150により開閉制御され、DIW供給源30から薬液CLC121へのDIWの供給を制御する。配管92は、薬液CLC121の入口側で薬液配管91に接続されている。言い換えれば、薬液CLC121のイン側は、薬液配管91を介して薬液供給源20に接続され、DIW配管92を介してDIW供給源30に接続されている。後述するように、薬液入口バルブ52及びDIW入口バルブ70により、薬液CLC121のイン側に供給する液体を、薬液とDIWとの間で切り替えることができる。例えば、配管洗浄(フラッシング)を行う場合、薬液入口バルブ52が閉鎖状態とされ、DIW入口バルブ70が開放状態とされ、薬液CLC121にDIWが供給され、薬液供給流路上の配管が洗浄される。
薬液ユーティリティボックス500Aの薬液CLC121には、インライン混合器78に流体連通する薬液配管93が接続される。薬液供給バルブ122は、薬液配管93上に設けられ、インライン混合器78に薬液を供給する場合に、制御装置150により開閉制御される。また、インライン混合器78には、薬液洗浄部220に一端が接続された洗浄薬液配管96が接続される。インライン混合器78のアウト側(二次側)には、圧力計74が設けられる。DIWユーティリティボックス500DのDIWCLC111からのDIWと、薬液ユーティリティボックス500Aの薬液CLC121からの薬液は、DIW配管83と薬液配管93の合流部79において合流するので、DIWCLC111のアウト側(二次側)の圧力は、薬液CLC121のアウト側の圧力と同一になる。したがって、この圧力計74は、DIWCLC111及び薬液CLC121のアウト側の圧力を測定
することができる。言い換えれば、圧力計74は、DIWCLC111及び薬液CLC121から流出する液体の圧力を測定し、測定値を制御装置150に出力する。
DIWユーティリティボックス500DのDIW CLC111及び薬液ユーティリティボックス500Aの薬液CLC121は、制御装置150から所定の流量設定値を示す信号(流量設定値)を受信可能に構成される。この流量設定値に基づいて、DIWCLC111及び薬液CLC121の内部コントロールバルブの開度が制御される。
図3は、一実施形態に係る流量制御装置の構成を示す構成図である。ここでは、流量制御装置の一例としての薬液CLC121が図示されている。なお、DIWCLC111の構成も、薬液CLC121の構成と同様であるので、ここでは薬液CLC121を例に挙げて説明する。薬液CLC121は、流量計1212と、流量制御弁(内部コントロールバルブ)1211と、制御部1213と、を備えている。薬液CLC121の流量計1212は、例えば、差圧式流量計(オリフィス流量計)である。差圧式流量計は、流量計のイン側とアウト側の圧力差を検出し、この圧力差に基づいて流量を計測するタイプの流量計である。なお、流量計1212として、超音波流量計を採用してもよい。流量制御弁1211は、本実施形態ではモータバルブであり、弁本体1211aの開度が、モータを備える駆動源1211bの動力によって制御される。流量制御弁1211は、開度が調整可能なバルブであればよく、他の種類の可変流量弁(例えば、ソレノイド等で駆動される電磁弁)であってもよい。制御部1213は、マイクロコンピュータ等の制御回路と、制御回路で実行されるプログラムを格納したメモリとを備えている。制御回路及びメモリは、例えば、制御基板に実装されている。制御部1213は、制御装置150から流体の流量設定値iTを受け取るとともに、流量計1212から流体の流量検出値ioを受け取り、流量検出値ioが流量設定値iTに一致するように流量制御弁1211をフィードバック制御する。
なお、ここでは、流量計、流量制御弁、及び制御部を含む流量制御弁ユニット(CLC)を例示するが、これらの一部又は全部を別体で設けても良い。例えば、流量計1212と流量制御弁1211とを別体で設け、制御部1213に代えて(又は制御部1213を介して)、制御装置150が流量計1212からの検出値に基づいて流量制御弁1211を制御し、流量を制御するようにしてもよい。制御装置150は、適宜、他の駆動回路を介して流量制御弁1211を制御してもよい。
次に、図2に示した薬液供給装置100において洗浄薬液を薬液洗浄部220に供給する薬液供給プロセスについて説明する。洗浄薬液を薬液洗浄部220に供給するときは、まず、薬液ユーティリティボックス500Aにおいて、マニュアル弁51を開放した状態で薬液入口バルブ52を開き、薬液供給源20から薬液CLC121に薬液を供給する。薬液ユーティリティボックス500Aの薬液CLC121で薬液の流量が計測され、この計測値に基づいて流量が制御される。薬液供給源20から薬液CLC121を介して合流部79を介してインライン混合器78に所定流量の薬液が供給される。
DIW供給配管81上のDIW供給バルブ86を開くと、DIWがDIW供給源30からDIWユーティリティボックス500DのDIWCLC111へ供給される。DIW CLC111は、DIWの流量を計測し、この計測値に基づいて流量を制御する。DIW供給バルブ112を開けることで、DIWCLC111から合流部79を介してインライン混合器78にDIWが供給される。薬液とDIWは、インライン混合器78において混合される。これにより生成された洗浄薬液は、洗浄薬液配管96を介して薬液洗浄部220に供給される。
(タイムチャート)
図4は、一実施形態に係る各バルブの切り替えタイミングを示すタイムチャートである。薬液供給装置100において洗浄薬液を洗浄装置200の薬液洗浄部220に供給する薬液供給プロセスの後、薬液供給装置100及び/又は洗浄装置200の配管洗浄(フラッシング)を行う場合、薬液ユーティリティボックス500Aにおいて薬液入口バルブ52を開から閉に、DIW入口バルブ70を閉から開に切り替えて、薬液CLC121にDIWを供給する。ここで、本実施形態の薬液供給装置100では、上述したように、従来のCLCボックス120とユーティリティボックス50とを薬液ユーティリティボックス500Aとして集積し、小型化を図っているため、薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の距離が短く、この区間の配管内の体積が小さくなっている。このため、薬液入口バルブ52を閉鎖すると同時にDIW入口バルブ70を開放すると、薬液入口バルブ52の閉鎖による薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の配管の小さな体積に対して、DIW入口バルブ70からDIWが流れ込み、この区間の配管内の圧力が急激に上昇(スパイク)する。この結果、薬液CLC121の流量計1212の検出値がオーバシュートし、圧力上限エラーを生じるおそれがある。集積化されたモジュールにおける配管内の小さな体積に対しては、数ccの体積の液体の流入によって急激な圧力上昇が生じると考えられる。そこで、図4に示すように、薬液入口バルブ52を閉鎖するタイミングt1と、DIW入口バルブを開放するタイミングt2との間に所定の遅延時間Δts(=t2−t1)を設け、薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の配管内の圧力上昇を抑制し、薬液CLC121の流量計1212の圧力上限エラーを抑制する。なお、薬液入口バルブ52を閉鎖するタイミングt1と同時に又はそれに先立ち、薬液供給バルブ122を開放することが好ましい。DIWCLC111の流量制御弁1211は、開度を最小にした場合でも若干の流通面積を有するので、薬液入口バルブ52を閉鎖するタイミングt1と同時に又はそれに先立ち、薬液供給バルブ122を開放することにより、薬液入口バルブ52とDIWCLC111の間の配管の体積/圧力を流量制御弁1211及び薬液供給バルブ122を介して若干であっても下流側に逃がすことができる。これにより、薬液入口バルブ52とDIWCLC111の間の配管内の体積の圧力上昇を更に抑制することができる。
図4のタイムチャートによれば、配管洗浄開始時において、時刻t1で薬液入口バルブ52を開から閉に閉鎖し、その後、所定の遅延時間Δtsの後に、時刻t2でDIW入口バルブ70を閉から開に開放する。このように、薬液入口バルブ52の閉鎖タイミングt1と、DIW入口バルブ70の開放タイミングt2との間に所定の遅延時間Δtsを設けることにより、遅延時間Δtsの間に、薬液入口バルブ52による薬液入口バルブ52とDIWCLC111の間の配管内の体積の圧力上昇を配管面により吸収し、及び/又は、流量制御弁1211から下流側に逃がすことにより、当該区間の配管内の圧力が急上昇することを抑制することができる。また、遅延時間Δtsを設けることにより、薬液入口バルブ52が確実に閉じた後にDIW入口バルブ70を開放するので、薬液入口バルブ52及びDIW入口バルブ70が同時に流通面積を有する期間を確実に除去し、DIW入口バルブ70からのDIWが薬液入口バルブ52の上流側に逆流することを抑制できる利点もある。
なお、薬液入口バルブ52を閉鎖したときの薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の配管内の圧力上昇は、薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の配管の距離(体積)に加え、薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の配管の材質(PVC樹脂、フッ素樹脂等)、及び/又は、薬液入口バルブ52、DIW入口バルブ70の供給能力(供給圧力、供給流量)にも依存すると考えられる。従って、遅延時間tsは、薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の配管の距離(体積)、薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の配管の材質、及び/又は薬液入口バルブ52の供給能力(供給圧力、供給流量)を考慮して、予め実験及び/又は計算(シミュレーション等)により流量計1212の圧力上限エラーが生じない範囲を設定する。また、装置のスループットの観
点からは、遅延時間が短いほど好ましい。一例では、スループットの観点から、遅延時間は、5秒以内であることが好ましい。従って、遅延時間は、流量計1212の圧力上限エラーが生じない範囲でかつ、可能な限り短い期間を、予め実験により求める。本実施形態では、そのような遅延時間Δtsは、例えば、0.1秒に設定される。
また、配管洗浄終了時においても、DIW入口バルブ70を閉鎖し、薬液入口バルブ52を開放する際にも、DIW入口バルブ70と薬液CLC121との間の配管内の圧力が上昇し、流量計1212の圧力上限エラーが生じる可能性がある。そのため、図4に示すように、配管洗浄終了時においても、DIW入口バルブ70を時刻t3で閉鎖し、その後、所定の遅延時間Δte(=t4−t3)後に、時刻t4で薬液入口バルブ52を開放する。また、遅延時間Δteを設けることにより、DIW入口バルブ70が確実に閉じた後に薬液入口バルブ52を開放するので、薬液入口バルブ52及びDIW入口バルブ70が同時に流通面積を有する期間を確実に除去し、薬液入口バルブ52からの薬液がDIW入口バルブ70の上流側に逆流することを抑制できる利点もある。
配管洗浄終了時には、配管洗浄開始時と同様に、DIW入口バルブ70を閉鎖したときのDIW入口バルブ70と薬液CLC121との間の配管内の圧力上昇は、DIW入口バルブ70と薬液CLC121との間の配管の距離(体積)に加え、DIW入口バルブ70と薬液CLC121との間の配管の材質(PVC樹脂、フッ素樹脂等)、及び/又は、薬液入口バルブ52、DIW入口バルブ70の供給能力(供給圧力、供給流量)にも依存すると考えられる。従って、遅延時間tsは、薬液入口バルブ52と薬液CLC121との間の配管の距離(体積)、薬液入口バルブ52、DIW入口バルブ70と薬液CLC121との間の配管の材質、及び/又は薬液入口バルブ52、DIW入口バルブ70の供給能力(供給圧力、供給流量)を考慮して、予め実験及び/又は計算(シミュレーション等)により流量計1212の圧力上限エラーが生じない範囲を設定する。また、配管洗浄開始時と同様に、流量計1212の圧力上限エラーが生じない範囲でかつ、スループットを考慮して可能な限り短い期間を、予め実験及び/又は計算(シミュレーション等)により求める。この結果、配管洗浄終了時においても、DIW入口バルブ70(薬液入口バルブ52)と薬液CLC121との間の配管内の圧力が急上昇することを抑制し、流量計1212の圧力上限エラーを抑制することができる。遅延時間Δteは、例えば、遅延時間Δtsと同一とすることができる。本実施形態では、遅延時間Δts及びΔteは、例えば、0.1秒に設定することが可能である。
(フローチャート)
図5は、一実施形態に係る液体切り替え処理のフローチャートである。この処理は、制御装置150により、又は、制御装置150と他の制御装置とが協働して実行する。制御装置150は、例えば、薬液供給装置100に対して設けられる制御装置であってもよいし、洗浄ユニット10に対して設けられる制御装置であってもよいし、洗浄ユニット10が設けられる基板処理装置(研磨装置等)に対して設けられる制御装置であってもよい。また、制御装置150は、例えば、薬液供給装置100に対して設けられる制御装置、洗浄ユニット10に対して設けられる制御装置、洗浄ユニット10が設けられる基板処理装置(研磨装置等)に対して設けられる制御装置の1又は複数を含むことができる。
ステップS11では、配管洗浄(フラッシング)開始のタイミングか否かが判断される。例えば、制御装置150における所定のプログラムに基づく配管洗浄開始の信号、及び/又は、制御装置150の外部からの制御信号に基づいて、配管洗浄開始のタイミングか否かが判断される。配管洗浄開始のタイミングでない場合は、配管洗浄開始のタイミングとなるまでステップS11の処理が繰り返される。配管洗浄開始のタイミングであると判断されると、ステップS12に移行する。
ステップS12では、薬液入口バルブ52を開から閉に閉鎖する(図4の時刻t1)。ステップS13では、薬液入口バルブ52の閉鎖時点から遅延時間Δts経過後に、DIW入口バルブ70を開放する(図4の時刻t2)。これにより、DIW供給源20から薬液CLC121にDIWが供給され、配管洗浄が開始される。
ステップS14では、配管洗浄(フラッシング)終了のタイミングか否かが判断される。例えば、制御装置150における所定のプログラムに基づく配管洗浄終了の信号、及び/又は、制御装置150の外部(基板処理装置の制御部など)からの制御信号に基づいて、配管洗浄終了のタイミングか否かが判断される。洗浄終了のタイミングでない場合は、配管洗浄を継続し、配管洗浄終了のタイミングとなるまでステップS14の処理を繰り返す。配管洗浄終了のタイミングであると判断されると、ステップS15に移行する。
ステップS15では、DIW入口バルブ70を開から閉に閉鎖する(図4の時刻t3)。ステップS16では、DIW入口バルブ70の閉鎖時点から遅延時間Δte経過後に、薬液入口バルブ52を開放する(図4の時刻t4)。これにより、DIW供給源20から薬液CLC121へのDIWの供給が停止され、配管洗浄が終了される。
上記実施形態によれば、薬液入口バルブ52及びDIW入口バルブ70の開閉動作のタイミングに遅延時間を設けることにより、各バルブ52、70と薬液CLC121との間の配管内の圧力が急上昇することを抑制し、薬液CLC121の流量計1212の圧力上限エラーを抑制することができる。
(他の実施形態)
(1)上記では、薬液供給装置100の集積化の一例を挙げて説明したが、図2の薬液ユーティリティボックス500Aで示すような構成以外の集積化された構成、または、バルブの供給能力(供給圧力、供給流量)、配管の材質、及び/又は配管の体積に起因してセンサの計測エラーが生じ得るその他の液体供給装置の構成に対しても本発明を適用することが可能である。
(2)薬液ユーティリティボックス500A〜CおよびDIWユーティリティボックス500Dの集積化の構成は上記構成に限定されず、各ユーティリティボックスの一部の構成要素を集積せずに当該ボックス外に配置してもよいし、他の構成要素(バルブ、センサ、流量制御弁等)を追加及び集積してもよい。
(3)上記では、液体供給装置が洗浄装置に液体を供給する例を挙げて説明したが、例えば、図1の洗浄装置200を他の液処理装置(めっき装置、エッチング装置、研磨装置、現像装置等)に置き換えてもよい。例えば、めっき装置のめっき槽に対して、液体供給装置から1又は複数種類のめっき液を希釈及び/又は混合して供給することができる。また、エッチング装置のエッチングチャンバに対して、液体供給装置から1又は複数種類のエッチング液を希釈及び/又は混合して供給することができる。また、現像装置の現像チャンバに対して、液体供給装置から1又は複数種類の現像液を希釈及び/又は混合して供給することができる。
(4)上記では、薬液入口バルブ52及びDIW入口バルブ70の開閉動作のタイミングに遅延時間を、流量計1212が計測値上限エラーを生じない範囲に設定したが、図2において、圧力計53の圧力上限エラーも考慮して遅延時間を設定してもよい。また、本発明は、バルブの供給能力(供給圧力、供給流量)、配管の材質、及び/又は、機器間の配管の体積に起因してセンサの計測エラーが生じ得るその他の構成に適用することも可能である。例えば、各バルブの切り替えにより液体を希釈又は混合する構成に対しても適用可能である。例えば、図2において、圧力計74の圧力上限エラーが生じないように、DIW供給バルブ112及び薬液供給バルブ122の開閉動作のタイミングに遅延時間を設定してもよい。
上記実施形態の記述から少なくとも以下の形態が把握される。
第1形態によれば、 液体供給装置であって、 液体の流量を計測し、計測値に基づいて流量を制御する流量制御装置と、 前記流量制御装置に接続され、前記流量制御装置への第1液体の供給を制御する第1バルブと、 前記流量制御装置に接続され、前記流量制御装置への第2液体の供給を制御する第2バルブと、 前記第1バルブ及び前記第2バルブを制御する制御装置と、を備え、 前記制御装置は、前記第1バルブの開閉切り替え時と前記第2バルブの開閉を切り替える時との間に遅延時間が設けて、前記第1バルブ及び前記第2バルブを切り替える、 液体供給装置が提供される。第1及び第2バルブは、例えば開閉弁であり、開閉弁は、例えば電磁弁とすることができる。
この形態によれば、第1バルブの切り替え時と第2バルブの切り替え時との間に遅延時間を設けることにより、各バルブと流量制御装置との間の配管内の圧力上昇/流量上昇を抑制し、流量制御装置の流量計等のセンサの計測値上限エラー(圧力上限エラー/流量上限エラー)を抑制することができる。各バルブと流量制御装置との間の配管の距離が短い(体積が小さい)場合には、特に、第1及び第2バルブの切り替え時に、各バルブと流量制御装置との間の配管内の圧力/流量が上昇する可能性があるが、本形態によれば、各バルブの切り替え時の間に遅延時間を設けることにより、当該区間の配管内の圧力/流量上昇を効果的に抑制することができる。従って、各構成要素を集積化して液体供給装置の小型化を図る際に、各構成要素間の距離が短く(流路体積が小さく)なることに起因するセンサの計測エラー(例えば、計測値上限エラー)を抑制することができる。この結果、液体供給装置の各構成要素を集積化して、液体供給装置の小型化を図ることができる。
第2形態によれば、第1形態の液体供給装置において、前記流量制御装置への前記第1液体の供給と前記第2液体の供給とを切り替える際に、前記制御装置は、前記第1バルブの開から閉への切り替え時から第1遅延時間後に前記第2バルブの閉から開への切り替えを行う、及び/又は、前記第2バルブの開から閉への切り替え時から第2遅延時間後に前記第1バルブの閉から開への切り替えを行う。
この形態によれば、前記流量制御装置への前記第1液体の供給と前記第2液体の供給とを切り替える際に、各バルブと流量制御装置との間の配管内の圧力上昇/流量上昇を抑制し、流量制御装置の流量計等のセンサの計測値上限エラーを抑制することができる。
第3形態によれば、第1又は2形態の液体供給装置において、 前記流量制御装置は、流量計と、前記流量計による計測値に基づいて前記第1液体及び/又は前記第2液体の流量を制御するための流量制御バルブと、を有し、 前記遅延時間は、前記第1及び/又は第2バルブの切り替え時に前記流量計の計測値上限エラーを生じない時間に設定される。
この形態によれば、CLC等の流量制御装置の計測値上限エラーが発生しない範囲をあらかじめ実験、計算等により求め設定しておく(一例では、基板処理装置または液体供給装置の制御装置等のメモリ(記録媒体)、又は、基板処理装置または液体供給装置の制御装置等が読み出し可能なメモリー(記録媒体)に記憶/設定させる)ことにより、流量計の計測値上限エラーを抑制することができる。
第4形態によれば、第3形態の液体供給装置において、 前記流量計は、差圧式流量計又は超音波流量計である。
この形態によれば、差圧式流量計における圧力上限エラー、超音波流量計による流量上限エラーを抑制することができる。
第5形態によれば、第1乃至4形態の何れかに記載の液体供給装置において、 前記流量制御装置、前記第1バルブ及び前記第2バルブは、単一のモジュール内に配置されている。
この形態によれば、単一のモジュール内で集積化され、各バルブと流量制御装置との間の距離が短い構成においても、バルブ切り替えによる配管内の圧力の急激な上昇を抑制し、センサの計測エラーを抑制することができる。
第6形態によれば、第1乃至5形態の何れかの液体供給装置において、 前記第1バルブに接続された第1液体供給源からの前記第1液体の供給圧力、及び、前記第2バルブに接続された第2液体供給源からの前記第2液体の供給圧力の少なくとも一方を測定可能な1又は複数の圧力計を更に備える。
この形態によれば、第1及び/又は第2液体の供給圧力を計測する1又は複数の圧力計の計測エラー(例えば、計測値上限エラー)を抑制することができる。
第7形態によれば、第1乃至6形態の何れかの液体供給装置と、 前記液体供給装置に接続された洗浄装置と、を備える洗浄ユニットが提供される。
この形態によれば、洗浄装置の液体供給装置において、上述した作用効果を奏する。
第8形態によれば、第7形態の洗浄ユニットにおいて、 前記第1液体は、前記洗浄装置に使用される薬液であり、 前記第2液体は、前記液体供給装置の流路を洗浄するための第2薬液又は純水である、 洗浄ユニットが提供される。
この形態によれば、洗浄ユニットの配管洗浄の開始及び/又は終了時における配管内の圧力上昇を抑制し、センサの計測エラーが発生することを抑制することができる。
第9形態によれば、第7又は8形態の洗浄ユニットを備える基板処理装置が提供される。
この形態によれば、基板処理装置(めっき装置、エッチング装置、研磨装置、現像装置等)の洗浄ユニットにおいて、上述した作用効果を奏する。
第10形態によれば、第1乃至6形態の何れかの液体供給装置と、 前記液体供給装置に接続された液処理装置と、を備え、 前記第1液体は、前記液処理装置に使用される第3薬液であり、 前記第2液体は、前記液処理装置に使用される第4薬液又は純水である、 基板処理装置が提供される。
この形態によれば、液処理装置において、薬液を希釈及び/又は混合する際のバルブの切り替えにより配管内の圧力上昇を抑制し、センサの計測エラーが発生することを抑制することができる。
第11形態によれば、 流量制御装置への第1液体の供給を制御する第1バルブの開閉を切り替える工程と、 流量制御装置への第2液体の供給を制御する第2バルブの開閉を切り替える工程と、を含み、 前記第2バルブの開閉切り替えは、前記第1バルブの開閉の切り替え時から所定の遅延時間後に行われる、 液体供給方法が提供される。
この形態によれば、第1形態と同様の作用効果を奏する。
第12形態によれば、 流量制御装置への第1液体の供給を制御する第1バルブの開閉を切り替える工程と、 前記第1バルブの開閉の切り替え時から所定の遅延時間後に、前記流量制御装置への第2液体の供給を制御する第2バルブの開閉を切り替える工程と、 を含む処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
この形態によれば、第1形態と同様の作用効果を奏する。
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
10 洗浄ユニット
20 薬液供給源
30 DIW供給源
51 マニュアル弁
52 薬液入口バルブ
53 圧力計
70 DIW入口バルブ
74 圧力計
76 圧力計
77 DIW圧調節レギュレータ
78 インライン混合器
81 DIW供給配管
82 DIW分岐配管
83 DIW配管
86 DIW供給バルブ
87 DIW圧調節レギュレータ
88 DIW圧力計
91 薬液配管
93 薬液配管
96 洗浄薬液配管
111 DIWCLC
112 DIW供給バルブ
121 薬液CLC
122 薬液供給バルブ
100 薬液供給装置
101 ハウジング
110 CLCボックス
120 CLCボックス
150 制御装置
200 洗浄装置
210 DIW洗浄部
220 薬液洗浄部
230 洗浄槽
500A〜500C 薬液ユーティリティボックス
500D DIWユーティリティボックス
1211 流量制御弁(内部コントロールバルブ)
1211a 弁本体
1211b 駆動源
1212 流量計
1213 制御部

Claims (12)

  1. 液体供給装置であって、
    液体の流量を計測し、計測値に基づいて流量を制御する流量制御装置と、
    前記流量制御装置に接続され、前記流量制御装置への第1液体の供給を制御する第1バルブと、
    前記流量制御装置に接続され、前記流量制御装置への第2液体の供給を制御する第2バルブと、
    前記第1バルブ及び前記第2バルブを制御する制御装置と、
    を備え、
    前記制御装置は、前記第1バルブの開閉切り替え時と前記第2バルブの開閉を切り替える時との間に遅延時間を設けて、前記第1バルブ及び前記第2バルブを切り替える、
    液体供給装置。
  2. 請求項1に記載の液体供給装置において、
    前記流量制御装置への前記第1液体の供給と前記第2液体の供給とを切り替える際に、前記制御装置は、前記第1バルブの開から閉への切り替え時から第1遅延時間後に前記第2バルブの閉から開への切り替えを行う、及び/又は、前記第2バルブの開から閉への切り替え時から第2遅延時間後に前記第2バルブの閉から開への切り替えを行う、
    液体供給装置。
  3. 請求項1又は2に記載の液体供給装置において、
    前記流量制御装置は、流量計と、前記流量計による計測値に基づいて前記第1液体及び/又は前記第2液体の流量を制御するための流量制御弁と、を有し、
    前記遅延時間は、前記第1及び/又は第2バルブの切り替え時に前記流量計の計測値上限エラーを生じない時間に設定される、
    液体供給装置。
  4. 請求項3に記載の液体供給装置において、
    前記流量計は、差圧式流量計又は超音波流量計である、液体供給装置。
  5. 請求項1乃至4の何れかに記載の液体供給装置において、
    前記流量制御装置、前記第1バルブ及び前記第2バルブは、単一のモジュール内に配置されている、液体供給装置。
  6. 請求項1乃至5の何れかに記載の液体供給装置において、
    前記第1バルブに接続された第1液体供給源からの前記第1液体の供給圧力、及び、前記第2バルブに接続された第2液体供給源からの前記第2液体の供給圧力の少なくとも一方を測定可能な1又は複数の圧力計を更に備えた、液体供給装置。
  7. 請求項1乃至6の何れかに記載の液体供給装置と、
    前記液体供給装置に接続された洗浄装置と、
    を備える、洗浄ユニット。
  8. 請求項7に記載の洗浄ユニットにおいて、
    前記第1液体は、前記洗浄装置に使用される薬液であり、
    前記第2液体は、前記液体供給装置の流路を洗浄するための第2薬液又は純水である、
    洗浄ユニット。
  9. 請求項7又は8に記載の洗浄ユニットを備える、基板処理装置。
  10. 請求項1乃至6の何れかに記載の液体供給装置と、
    前記液体供給装置に接続された液処理装置と、
    を備え、
    前記第1液体は、前記液処理装置に使用される第3薬液であり、
    前記第2液体は、前記液処理装置に使用される第4薬液又は純水である、
    基板処理装置。
  11. 流量制御装置への第1液体の供給を制御する第1バルブの開閉を切り替える工程と、
    流量制御装置への第2液体の供給を制御する第2バルブの開閉を切り替える工程と、
    を含み、
    前記第2バルブの開閉切り替えは、前記第1バルブの開閉の切り替え時から所定の遅延時間後に行われる、
    液体供給方法。
  12. 流量制御装置への第1液体の供給を制御する第1バルブの開閉を切り替える工程と、
    前記第1バルブの開閉の切り替え時から所定の遅延時間後に、流量制御装置への第2液体の供給を制御する第2バルブの開閉を切り替える工程と、
    を含む処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
JP2019074141A 2019-04-09 2019-04-09 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置 Active JP7326003B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019074141A JP7326003B2 (ja) 2019-04-09 2019-04-09 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置
PCT/JP2020/013257 WO2020209064A1 (ja) 2019-04-09 2020-03-25 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置
KR1020217026608A KR20210146286A (ko) 2019-04-09 2020-03-25 액체 공급 장치, 세정 유닛, 기판 처리 장치
US17/599,324 US20220187856A1 (en) 2019-04-09 2020-03-25 Apparatus for supplying liquid, cleaning unit, and apparatus for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019074141A JP7326003B2 (ja) 2019-04-09 2019-04-09 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020174086A true JP2020174086A (ja) 2020-10-22
JP2020174086A5 JP2020174086A5 (ja) 2022-01-06
JP7326003B2 JP7326003B2 (ja) 2023-08-15

Family

ID=72751070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019074141A Active JP7326003B2 (ja) 2019-04-09 2019-04-09 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220187856A1 (ja)
JP (1) JP7326003B2 (ja)
KR (1) KR20210146286A (ja)
WO (1) WO2020209064A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022072072A (ja) * 2020-10-29 2022-05-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
AT526426B1 (de) * 2023-01-26 2024-03-15 Siconnex Customized Solutions Gmbh Behandlungsvorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001271188A (ja) * 2000-03-24 2001-10-02 Ses Co Ltd 基板処理装置
JP2004193329A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005302571A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Toyota Motor Corp 燃料電池の制御装置
JP2010147212A (ja) * 2008-12-18 2010-07-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012222237A (ja) * 2011-04-12 2012-11-12 Tokyo Electron Ltd 液処理方法及び液処理装置
JP2016009818A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社荏原製作所 洗浄ユニット
JP2016015469A (ja) * 2014-06-09 2016-01-28 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット
JP2017177303A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社荏原製作所 基板研磨装置、その洗浄方法および基板研磨装置への液体供給装置
JP2018098452A (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体
JP2018181883A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 株式会社荏原製作所 液体供給装置及び液体供給方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11627A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Urutora Clean Technol Kaihatsu Kenkyusho:Kk 洗浄液供給系及び供給方法
JP6059087B2 (ja) * 2013-05-31 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP6669560B2 (ja) * 2016-03-30 2020-03-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6925872B2 (ja) * 2017-05-31 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、処理液供給方法及び記憶媒体

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001271188A (ja) * 2000-03-24 2001-10-02 Ses Co Ltd 基板処理装置
JP2004193329A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005302571A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Toyota Motor Corp 燃料電池の制御装置
JP2010147212A (ja) * 2008-12-18 2010-07-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012222237A (ja) * 2011-04-12 2012-11-12 Tokyo Electron Ltd 液処理方法及び液処理装置
JP2016015469A (ja) * 2014-06-09 2016-01-28 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット
JP2016009818A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社荏原製作所 洗浄ユニット
JP2017177303A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社荏原製作所 基板研磨装置、その洗浄方法および基板研磨装置への液体供給装置
JP2018098452A (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体
JP2018181883A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 株式会社荏原製作所 液体供給装置及び液体供給方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210146286A (ko) 2021-12-03
US20220187856A1 (en) 2022-06-16
WO2020209064A1 (ja) 2020-10-15
JP7326003B2 (ja) 2023-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7344298B2 (en) Method and apparatus for blending process materials
KR101406411B1 (ko) 탈이온수의 탄화 시스템 및 방법
KR101751626B1 (ko) 유량 조정 기구, 희석 약액 공급 기구, 액처리 장치 및 그 운용 방법
US11826713B2 (en) Systems and methods for generating a conductive liquid comprising deionized water with ammonia gas dissolved therein
WO2020209064A1 (ja) 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置
KR102555758B1 (ko) 액체 공급장치 및 액체 공급 방법
JP6774327B2 (ja) 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体
JP2020174086A5 (ja)
JP7138602B2 (ja) 液体供給装置の液抜き方法、液体供給装置
KR20220077077A (ko) 세정 약액 공급 장치 및 세정 약액 공급 방법
JP6654720B2 (ja) 液体供給装置及び液体供給方法
US20230249145A1 (en) Chemical supply apparatus, cleaning system, and chemical supply method
JPH11138438A (ja) 研磨装置及び砥液供給システム
JP2023040637A (ja) 液体供給システム
JP2018078343A (ja) 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法
JPS60117733A (ja) ウエハ現像装置
JPS60117734A (ja) ウエハ現像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211126

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220908

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230406

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230720

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230802

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7326003

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150