AT526426B1

AT526426B1 - Behandlungsvorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten

Info

Publication number: AT526426B1
Application number: ATA50043/2023A
Authority: AT
Inventors: Mittermayr Moritz; Hammerl Bernhard; Unterberger Christoph; Schorn Stefan
Original assignee: Siconnex Customized Solutions Gmbh
Priority date: 2023-01-26
Filing date: 2023-01-26
Publication date: 2024-03-15
Also published as: AT526426A4

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Behandlungsvorrichtung (1) sowie ein Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten (2) mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit. Die Behandlungsvorrichtung (1) weist eine Behandlungskammer (3) sowie eine Versorgungseinrichtung (7) zum Versorgen der Behandlungskammer (3) mit der wässrigen Behandlungsflüssigkeit auf. Die Versorgungseinrichtung (7) umfasst eine Chemikalienversorgungseinheit (8) mit mindestens zwei Chemikalienbehältnissen (9, 10 ,11), und eine Wasserversorgungseinheit (19). Zumindest zwei Wasserleitungen (20, 21, 22) der Wasserversorgungseinheit (19) und mindestens zwei Chemikalientransportleitungen (13, 14, 15) der Chemikalienversorgungseinheit (8) sind direkt oder indirekt mit einer einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) verbunden. Die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) ist mit in der Behandlungskammer (3) angeordneten Verteilungsmitteln (5) leitungsverbunden.

Description

Beschreibung

[0001] Die Erfindung betrifft eine Behandlungsvorrichtung sowie ein Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten, insbesondere von Halbleiter-Wafern mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit.

[0002] Bekanntermaßen werden in der modernen Halbleiterindustrie Halbleiter-Bauteile für gewöhnlich in großer Stückzahl auf Halbleiter-Substraten, sogenannten Wafern, produziert. Zur Herstellung derartiger Halbleiter-Elemente wird hierbei eine Wafer-Oberfläche in einer Vielzahl an Arbeitsschritten strukturiert bearbeitet. Sehr häufig eingesetzte halbleitertechnische Prozessschritte sind zum Beispiel Aufbringen von (Negativ- oder Positiv-)Photoresists bzw. -lacken und deren strukturierte Belichtung (Lithographie bzw. Fotolithographie), Abscheide- oder Ätzprozesse, Dotieren, aber auch mechanische Bearbeitungsschritte, wie etwa Polieren etc.. Ganz grundsätzlich sind solche halbleitertechnische Prozessschritte zur Herstellung von Halbleiterbauteilen nicht auf Halbleiter-Wafer beschränkt, sondern können auch anders ausgestaltete Halbleiter-Elemente bzw. -Objekte entsprechend bearbeitet werden.

[0003] Naturgemäß gehen zumindest einige dieser halbleitertechnische Prozessschritte mit der Bildung von unerwünschten Verunreinigungen bzw. Rückständen an der Oberfläche eines Halbleitersubstrats bzw. Halbleiterobjekts einher, wie etwa ein mechanisches Polieren oder ein Ätzschritt. Auch bleiben beispielsweise vernetzte Photolacke nach einem Atz- oder additiven Abscheidungsschritt an der Oberfläche eines Halbleiterobjekts zurück. Für die Durchführung nachfolgender Arbeitsschritte an den Halbleiterobjekten ist, auch aufgrund der sehr hohen Anforderungen an die Genauigkeit in sehr kleinen Dimensionen, eine Entfernung solcher Rückstände unabdingbar.

[0004] Solche durch die Bearbeitung verursachten Verunreinigungen bzw. Rückstände können unterschiedlichster Natur sein bzw. können solche Rückstände unterschiedlichste Substanzen umfassen. Vielfach werden solche Rückstände als „polymere“ Rückstände oder einfach „Polymere“ bezeichnet, da selbige oftmals polymeren bzw. zumindest oligomeren Charakter haben.

[0005] In den meisten Fällen ist zur Entfernung solcher Rückstände, eben „polymerer“ Rückstände, eine Spülung der Halbleitersubstrate bzw. -objekte unter Einsatz zusätzlicher Reinigungschemikalien erforderlich, da solche Rückstände aus halbleitertechnischen Arbeitsschritten typischerweise in reinem Wasser schwer bis gar nicht löslich sind. Oftmals ist hierbei auch der Einsatz mehrerer Chemikalien zweckmäßig, welche entweder sequentiell, insbesondere aber auch gleichzeitig zur Spülung von Halbleiterobjekten zur Entfernung störender Rückstände eingesetzt werden können. Die spezifischen Anforderungen bzw. die spezifische Natur der zu entfernenden Rückstände erfordert zudem oftmals den Einsatz sehr aggressiver Chemikalien, wie etwa starker Säuren oder starker Oxidationsmittel.

[0006] Heutzutage ist es zur Behandlung von Halbleiterobjekten zwischen halbleitertechnischen Bearbeitungsschritten überwiegend gängige Praxis, fertig abgemischte Behandlungschemikalienlösungen in Behältnissen bereitzustellen und diese je nach Bedarf zur Spülung von Halbleiterobjekten zu verwenden. Diese Vorgangsweise kann jedoch in mancher Hinsicht problembehaftet sein.

[0007] Beispielsweise ist die Verwendung vorpräparierter, chemikalien-haltiger Spüllösungen sowohl zeitlich bzw. hinsichtlich Zeitdauer von Spülschritten als auch hinsichtlich der verwendbaren Chemikalien und Chemikalienkonzentrationen einschränkend. Insbesondere bei Verwendung mehrerer Chemikalien gleichzeitig besteht zudem die Problematik, dass diese Chemikalien bzw. Behandlungschemikalien bereits in den vorpräparierten Sprüh- bzw. Spüllösungen chemisch sehr reaktiv sind. Dies führt dazu, dass die wirksame Konzentration solcher Reinigungschemikalien auf kurzer Zeitskala rasch abnimmt, sodass solche Chemikalienmischungen nur für sehr kurze Zeitdauern stabil gelagert werden können. Dies wiederum kann dazu führen, dass ein hohes Maß an nicht mehr verwendbarem, unerwünschtem Chemikalienabfall anfällt, welcher kostenintensiv entsorgt werden muss.

[0008] Eine gattungsgemäße Behandlungsvorrichtung und ein Verfahren zur Behandlung bzw. zur Reinigung von Halbleiter-Objekten ist zum Beispiel in US 11,358,253 B2 offenbart. So offenbart US 11,358,253 B2 eine Reinigungsvorrichtung zur Reinigung von Objekten sowie eine Vorrichtung zur Versorgung dieser Reinigungsvorrichtung mit chemischen Flüssigkeiten. Spezifisch lehrt US 11,358,253 B2 die Vorbereitung konzentrierter Chemikalienlösungen, welche vor deren Einbringen in die Reinigungsvorrichtung mit entionisiertem Wasser zu Spüllösungen verdünnt werden. Genauer lehrt US 11,358,253 B2 jeweils eine konzentrierte Chemikalienlösung aus einem Behältnis in zwei Ströme zu splitten, beide Ströme mit entionisiertem Wasser zu verdünnen, und die verdünnten Spüllösungen über unterschiedliche Verteiler bzw. Sprühdüsen in die Reinigungsvorrichtung einzubringen. Eine sehr ähnliche Vorrichtung bzw. ein sehr ähnliches Verfahren ist zum Beispiel auch in KR20040036288A beschrieben.

[0009] In US 2004/0112410 A1 sind ein Substratbehandlungsapparat sowie eine Substratbehandlungsmethode gemäß der sogenannten UÜberlaufspülart offenbart, bei welcher die Substrate in einer Behandlungskammer in Behandlungsflüssigkeit getaucht werden. Die Behandlungskammer von US 2004/0112410 A1 wird via eine Flüssigkeitsversorgungsleitung mit Behandlungsflüssigkeit beaufschlagt, wobei US 2004/0112410 A1 insbesondere eine Variation der Durchflussrate durch die Versorgungsleitung im Zuge einer zyklischen Behandlung mit unterschiedlichen Behandlungsflüssigkeiten lehrt. Hierdurch kann eine bereichsweise Stagnation der Behandlungsflüssigkeit in der Behandlungskammer und damit Partikelablagerungen hintangehalten werden. Zu Beginn einer zyklischen Behandlung kann gemäß US 2004/0112410 A1 auch eine Chemikalienlösung in die Behandlungskammer eingebracht werden. Hierzu sind Chemikalienvorratsbehältnisse via Schaltventile mit der Flüssigkeitsversorgungsleitung leitungsverbunden. US 2004/ 0112410 A1 lehrt in dem Zusammenhang, dass zu Beginn eines Behandlungszyklus eines dieser Ventile zur Einleitung einer vorgegebenen Chemikalienlösung geöffnet werden kann.

[0010] Aufgabe der vorliegenden Erfindung war es, die noch vorhandenen Nachteile des Standes der Technik zu überwinden und eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, mittels derer eine hocheffiziente Behandlung bzw. Reinigung von Halbleiterobjekten mit verbesserter Flexibilität und Nachhaltigkeit jedoch ohne hohe Komplexität und Aufwand durchgeführt werden kann.

[0011] Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung und ein Verfahren gemäß den Ansprüchen gelöst.

[0012] Die gegenständliche Behandlungsvorrichtung ist ausgebildet zur Behandlung bzw. Reinigung von Halbleiterobjekten mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit.

[0013] Die Vorrichtung umfasst hierbei eine Behandlungskammer mit im Inneren der Behandlungskammer angeordneten Halterungsmitteln zur Halterung der Halbleiterobjekte und mit in der Behandlungskammer angeordneten Verteilungsmitteln zum Verteilen der wässrigen Behandlungsflüssigkeit auf die in der Behandlungskammer gehalterten Halbleiterobjekte.

[0014] Des Weiteren umfasst die Behandlungsvorrichtung eine Versorgungseinrichtung zur Beschickung der Verteilungsmittel in der Behandlungskammer mit der wässrigen Behandlungsflüssigkeit.

[0015] Diese Versorgungseinrichtung umfasst wiederum eine Chemikalienversorgungseinheit mit mindestens zwei Chemikalienbehältnissen, ausgebildet zur Bevorratung von mindestens zwei unterschiedlichen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien. Hierbei ist jedem der Chemikalienbehältnisse bzw. den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen stromabwärts jeweils eine Chemikalientransportleitung, sowie jeweils eine Chemikalienfördervorrichtung zum Entnehmen der Behandlungschemikalien oder der wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien zugeordnet.

[0016] Außerdem umfasst die Versorgungseinrichtung eine Wasserversorgungseinheit zur Bereitstellung von Wasser, insbesondere von entionisiertem Wasser, wobei die Wasserversorgungseinheit zumindest eine Wasserleitung zur Führung des Wassers aufweist.

[0017] Diese zumindest eine Wasserleitung der Wasserversorgungseinheit sowie die Chemikalientransportleitungen bzw. die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen der Chemikalienversorgungseinheit sind direkt oder indirekt und/oder über wenigstens ein öffenbares und verschließbares Absperrmittel mit einer einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung verbunden, wodurch eine Mischeinheit gebildet ist. Die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung ist zum Einleiten der wässrigen Behandlungsflüssigkeit in die Behandlungskammer mit den in der Behandlungskammer angeordneten Verteilungsmitteln leitungsverbunden.

[0018] Unter dem Begriff „leitungsverbunden“ wird hier und im Folgenden jedwede direkte oder indirekte Leitungsverbindung von Elementen, etwa durch direktes ineinander münden oder indirekt über separate Verbindungsleitungen, verstanden.

[0019] Durch diese Ausgestaltungsmerkmale kann eine Behandlungsvorrichtung mit verbesserter Effizienz, Nachhaltigkeit und Flexibilität, insbesondere betreffend die einsetzbaren Chemikalien betrieben werden. Die Zusammensetzung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit bzw. deren Gehalt an Behandlungs- bzw. Reinigungschemikalien kann flexibel an die jeweiligen Erfordernisse an einen Behandlungs- bzw. Spülvorgang angepasst werden. Vorteilhafterweise kann eine jeweilige Chemikalienzusammensetzung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit für einen Behandlungs- bzw. Spülvorgang frei gewählt werden, gleichzeitig können die Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien aber trotzdem langzeitstabil gelagert bzw. bevorratet werden. Des Weiteren kann auch ein Risiko für eine Kontamination für eine bestimmte, wässrige Behandlungsflüssigkeit wirksam unterbunden werden, da eine wässrige Behandlungsflüssigkeit mit bestimmter, chemischer Zusammensetzung nur einmalig verwendet wird.

[0020] Darüber hinaus können Behandlungsvorgänge auch mit verbesserter Zeiteffizienz erfolgen, da mehrere Chemikalien bzw. Behandlungschemikalien gleichzeitig für einen bestimmten Behandlungsvorgang eingesetzt werden können und mehrere, sequentielle Behandlungs- bzw. Spülvorgänge vermieden werden können. Hierdurch kann eine Gesamtdauer für eine Behandlung bzw. Reinigung einer Charge an Halbleiterobjekten, wie etwa Wafern vorteilhafterweise kurzgehalten werden. Andererseits kann eine Prozessdauer für einen Spül- bzw. Behandlungsvorgang frei gewählt werden, da beliebige der in den Chemikalienbehältnissen bevorrateten Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Chemikalien entnehmbar und zur Bildung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit einsetzbar sind.

[0021] Zudem kann aber auch sichergestellt werden, dass die in der wässrigen Behandlungsflüssigkeit enthaltenen Behandlungschemikalien vor dem Einbringen bzw. Verteilen in die Behandlungskammer gut und homogen durchmischt sind, sodass alle in der Behandlungskammer gehalterten Halbleiterobjekte chemisch in gleicher Art und Weise behandelt bzw. gereinigt werden. Ungleichmäßigkeiten in der Behandlung einzelner Halbleiterobjekte können somit hintangehalten werden, sodass einerseits ein Risiko von Ausschuss einzelner Halbleiterobjekte aufgrund zu geringer Behandlungsintensität, aber andererseits auch eine erhöhte Zeitdauer eines Behandlungsvorgangs zwecks Sicherstellung ausreichender Behandlungs- bzw. Reinigungsintensität für alle Halbleiterobjekte in der Behandlungskammer hintangehalten werden können.

[0022] Die Behandlungskammer kann grundsätzlich beliebig ausgestaltet sein, sofern die jeweilige Ausgestaltung eine Halterung und Behandlung der Halbleiterobjekte erlaubt. Wenn die Halbleiterobjekte zum Beispiel als Wafer ausgebildet sind, kann die Behandlungskammer wie an sich üblich als um eine Rotationsachse drehbarer Rotor ausgebildet sein, um eine möglichst gleichmäßige Verteilung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit auf die Halbleiterobjekte bzw. Wafer zu erzielen. Die Halterungsmittel können wie ebenfalls bekannt zum Beispiel durch Halteleisten mit Nuten zur Halterung der Halbleiterobjekte bzw. Wafer gebildet sein. Die Verteilungsmittel können beispielsweise durch eine Vielzahl an leitungstechnisch verbundenen Sprühdüsen bzw. Sprinklern gebildet sein, welche mit einer jeweiligen, wässrigen Behandlungsflüssigkeit via die einzelne, gemeinsame Behandlungsflüssigkeitszuleitung beaufschlagt werden können. Hierbei kann durchaus vorgesehen sein, dass mehrere solche leitungstechnisch verbundene Sprühdüsen als Verteilungsmittel in der Behandlungskammer angeordnet sind, zum Beispiel in Form von Sprüh-

düsenreihen. Diese Verteilungsmittel können sodann jeweils via separate Zuleitungen mit der einzelnen, gemeinsamen Behandlungsflüssigkeitszuleitung leitungsverbunden sein, um jedes der Verteilungsmittel mit Behandlungsflüssigkeit beaufschlagen zu können.

[0023] Des Weiteren kann die Behandlungskammer weitere, zusätzliche Verteilungsmittel aufweisen, welche mit einer separaten Wasserzuleitung zum Einleiten des mittels der Wasserversorgungseinheit bereitgestellten Wassers, insbesondere entionisierten Wassers verbunden sein können. Dies ermöglicht ein Spülen der Halbleiterobjekte mit reinem, insbesondere entionisiertem Wasser zwischen oder nach einem oder mehreren Behandlungen mit einer oder mehreren wässrigen Behandlungsflüssigkeit(en). Außerdem kann die Behandlungskammer wie üblich einen Abfluss oder mehrere Abflüsse zum Ableiten von Flüssigkeiten nach dem Einwirken auf die Halbleiterobjekte aus der Behandlungskammer umfassen.

[0024] Die mindestens zwei Chemikalienbehältnisse können mit Versorgungsleitungen zur Einleitung der jeweiligen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien ausgestaltet sein, welche Versorgungsleitungen mit externen Bereitstellungsvorrichtungen für die Chemikalien bzw. Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien verbunden sein können.

[0025] Ebenso kann die Wasserversorgungseinheit mit einer externen Wasserversorgungseinrichtung für hochreines Wasser, insbesondere entionisiertes Wasser verbunden sein. Zur Förderung des Wassers in der oder den Wasserleitung(en) kann die Wasserversorgungseinheit eine Wasserpumpe aufweisen. Alternativ kann aber auch die externe Wasserversorgungseinrichtung das Wasser unter Vordruck bereitgestellt halten, beispielsweise mittels einer externen Wasserpumpe, sodass eine Wasserpumpe für die Wasserversorgungseinheit der Behandlungsvorrichtung gegebenenfalls erübrigt werden kann.

[0026] Die jeweils einem Chemikalienbehältnis zugeordneten Chemikalienfördervorrichtungen können primär durch Chemikalienpumpen gebildet sein. Jedoch ist ganz grundsätzlich auch eine andersartige Ausgestaltung der Chemikalienfördervorrichtungen denkbar, etwa als Venturi-Düsen. Auch eine Druckbeaufschlagung der Chemikalienbehältnisse beispielsweise mit einem Gas ist zum Transport der Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien grundsätzlich möglich, sodass die Chemikalienfördervorrichtungen auch durch entsprechende Druckbeaufschlagungsmittel gebildet sein können. Letztlich muss durch die Chemikalienfördervorrichtungen ein Transport bzw. eine Förderung der Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien durch die Chemikalientransportleitungen bewerkstelligt werden können.

[0027] Des Weiteren können in den mindestens zwei Chemikalientransportleitung sowie der zumindest einen Wasserleitung Durchflussregulierungsmittel und Durchflussüberwachungsmittel bzw. Durchflusssensoren angeordnet sein. Beispielsweise können die mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen der Chemikalienversorgungseinheit als durchflussregelbare, etwa drehzahlregelbare, Chemikalienpumpen ausgebildet sein. Alternativ können sowohl in den mindestens zwei Chemikalientransportleitungen und/oder der zumindest einen Wasserleitung auch dezidierte Durchflussregulierungsmittel, wie etwa Durchflussregelventile angeordnet sein. Jeweilige Mischungsverhältnisse bzw. Chemikalienkonzentrationen einer in die Behandlungskammer eingebrachten, wässrigen Behandlungsflüssigkeit können vor dem Einbringen individuell eingestellt werden. Die jeweiligen Medienflüsse, also Flussraten der Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien und des Wassers, aber auch die Durchflussrate der wässrigen Behandlungsflüssigkeit durch die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung sind so frei wählbare Parameter und können je nach Gegebenheit bzw. je nach Reinigungserfordernis gewählt werden.

[0028] Alle vorhandenen, elektronisch ansteuerbaren Steuerungs- und Prozessüberwachungsmittel, beispielsweise Pumpen, Ventile und Sensoren der Behandlungsvorrichtung, können natürlich signaltechnisch mit einer elektronischen Steuerungsvorrichtung verbunden sein, sodass eine automatische Steuerung der Behandlungsvorrichtung ermöglicht ist.

[0029] Bei der Behandlungsvorrichtung ist vorgesehen, dass die Wasserversorgungseinheit zumindest zwei zu der Mischeinheit verbundene Wasserleitungen aufweist, wobei stromaufwärts der Verbindung mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung in der Mischeinheit jede der Wasserleitungen mit zumindest einer Chemikalientransportleitung verbunden ist.

[0030] Im Betrieb der Behandlungsvorrichtung ermöglichen diese Merkmale eine Herstellung von separaten, verdünnten Lösungen der Behandlungschemikalien vor dem Zusammenführen dieser wässrigen Lösungen zur Bildung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit. Hierdurch können kinetisch schnelle Reaktion der Behandlungschemikalien untereinander vor dem Einleiten in die Behandlungskammer vorteilhafterweise zumindest hintangehalten werden.

[0031] Bei einer Ausgestaltung der Behandlungsvorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Chemikalienversorgungseinheit mindestens drei Chemikalienbehältnisse umfasst.

[0032] Hierdurch kann im Speziellen die Anzahl an für eine Behandlung der Halbleiterobjekte bereitgestellten Chemikalien bzw. Behandlungschemikalien, und damit die Flexibilität im Betrieb der Behandlungsvorrichtung weiter gesteigert werden.

[0033] Zum Beispiel kann es für die spezifische Behandlung von Halbleiter-Objekten zwischen Arbeitsschritten zweckmäßig sein, wenn ein erstes Chemikalienbehältnis zur Bevorratung von konzentrierter Schwefelsäure ausgebildet ist, ein zweites Chemikalienbehältnis zur Bevorratung einer wässrigen Lösung von Wasserstoffperoxid ausgebildet ist, und ein drittes Chemikalienbehältnis zur Bevorratung von verdünnter Flusssäure ausgebildet ist.

[0034] Die Bevorratung dieser Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien ist deswegen sinnvoll, da mit diesen Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien und deren Kombinationen miteinander eine Vielzahl an Behandlungs- bzw. Spülvorgängen nach Arbeitsschritten, wie etwa Atzschritten, abgedeckt werden können. Zum Beispiel hat sich für viele Behandlungsschritte bzw. Spülvorgänge der Einsatz einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit umfassend eine Kombination aus Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als effizient erwiesen.

[0035] Vorzugsweise kann auch eine Ausgestaltungsform der Behandlungsvorrichtung vorgesehen sein, bei welcher in der Mischeinheit jede zu der Mischeinheit verbundene Wasserleitung bzw. die zumindest zwei zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitungen jeweils in ein öffenbares und verschließbares Absperrmittel mündet bzw. münden, welche Absperrmittel stromabwärts miteinander leitungsverbunden sind sodass durch die Absperrmittel ein Absperrmittelblock gebildet ist, wobei die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung mit diesem Absperrmittelblock leitungsverbunden ist.

[0036] Von Vorteil ist hierbei einerseits, dass eine Zuleitung einer jeweils verdünnten, wässrigen Lösung in die Mischeinheit rasch und präzise bewerkstelligt werden kann. Des Weiteren können jeweils in die Mischeinheit bzw. deren Absperrmittelblock eingeleitete, verdünnte Lösungen konvektiv verwirbelt und damit vorgemischt bzw. homogenisiert werden. Dadurch kann wiederum dafür Sorge getragen werden, dass alle Halbleiterobjekte in der Behandlungskammer mit einer wässrigen Behandlungslösung mit homogen eingemischten Behandlungschemikalien gleichmäBig behandelt werden. Die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen der Chemikalienversorgungseinheit können zum Beispiel ebenfalls in jeweils eines der Absperrmittel münden.

[0037] In diesem Zusammenhang kann es aber auch von Vorteil sein, wenn eine Anzahl an zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitungen der Anzahl der zu der Mischeinheit verbundenen Chemikalientransportleitungen entspricht, wobei in der Mischeinheit jeweils nur eine Chemikalientransportleitung in genau eine der zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitungen mündet.

[0038] In anderen Worten ausgedrückt kann vorgesehen sein, dass stromaufwärts der Verbindung mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung jeweils eine der Chemikalientransportleitungen in genau eine der Wasserleitungen mündet, derart, dass nicht mehrere Chemikalientransportleitungen in dieselbe Wasserleitung münden. Durch diese Merkmale kann vor allem eine weiter verbesserte, präzise gesteuerte Herstellung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit für die

Behandlung der Halbleiterobjekte in der Behandlungskammer bereitgestellt werden. Eine jeweilige Chemikalientransportleitung kann hierbei jeweils stromaufwärts des oben erwähnten Absperrmittelblocks in genau eine der Wasserleitungen münden.

[0039] Bei einer Weiterbildung der Behandlungsvorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Versorgungseinrichtung weiters eine Dosiereinheit zur dosierten Einleitung von Kohlendioxid-Gas in zumindest eine zu der Mischeinheit führende Wasserleitung umfasst.

[0040] Dies bringt im Betrieb der Behandlungsvorrichtung den Vorteil, dass vor allem durch die entstehende Kohlensäure das Wasser und die wässrige Behandlungsflüssigkeit weniger korrosiv gemacht werden können und somit für die Wafer zumindest ein gewisser Korrosionsschutz bereitgestellt werden kann. Zudem kann hierdurch eine möglichst lange Betriebsfähigkeit ohne Notwendigkeit einer Wartung der Behandlungsvorrichtung gewährleistet werden bzw. können Wartungsintervalle vergrößert werden.

[0041] Außerdem kann eine Weiterbildung der Behandlungsvorrichtung vorteilhaft sein, bei welcher die Wasserversorgungseinheit weiters eine Heizeinrichtung zum Erwärmen des Wassers, insbesondere des entionisierten Wassers umfasst.

[0042] Hierdurch kann der wässrigen Behandlungsflüssigkeit, aber auch zum Beispiel einem separat in die Behandlungskammer eingeleitetem Spül-Wasser, insbesondere entionisiertem SpülWasser eine jeweils gewünschte Arbeitstemperatur verliehen werden. Vorteilhaft ist hierbei zum Beispiel, dass Reinigungsvorgänge durch eine erhöhte Temperatur beschleunigt werden können, wodurch kürzere Behandlungs- bzw. Spülvorgänge und damit geringere Behandlungsdauern ermöglicht sind. Eine Heizeinrichtung kann zum Beispiel in einer zu einer Hauptwasserleitung parallel verlaufenden Bypass-Leitung der Wasserversorgungseinheit angeordnet sein, wobei in der Hauptwasserleitung ein 3-Wege-Umschaltmittel bzw. -ventil, oder ein 3-Wege-Regelmittel bzw. -ventil angeordnet sein können, wodurch ein gezieltes Umleiten des zugeführten Wassers, insbesondere entionisierten Wassers über die Heizeinrichtung zum Erwärmen des Wassers ermöglicht wird. Alternativ können selbstverständlich auch Kombinationen von jeweils zwei 2- WegeUmschalt-, insbesondere Regelmitteln anstatt von 3-Wege-Varianten eingesetzt werden. Im Falle einer Anordnung von Regelmitteln bzw. -ventilen kann im Betrieb der Behandlungsvorrichtung auch nur eine Teilmenge des der Wasserversorgungseinheit zugeführten Wassers über die in der Bypass-Leitung angeordnete Heizeinrichtung erwärmt werden.

[0043] Bei einer weiteren, bevorzugten Ausbildung der Behandlungsvorrichtung kann vorgesehen sein, dass den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen jeweils eine 3- Wege-Umschaltvorrichtung und jeweils eine in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis zurückführende bzw. rückmündende Bypass-Leitung zugeordnet sind.

[0044] Diese Ausgestaltungsmerkmale der Behandlungsvorrichtung ermöglichen primär eine sehr schnelle bzw. schnell ansteuerbare Zuführung der Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien in die Mischeinheit. Hierdurch kann im Betrieb der Behandlungsvorrichtung in weiterer Folge eine sehr schnelle Bereitstellung einer Behandlungschemikalie zur Herstellung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit erzielt werden, und kann daher auch sehr schnell von einer Zusammensetzung einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit auf eine Behandlungsflüssigkeit mit anderer Zusammensetzung bzw. anderen Behandlungschemikalien gewechselt werden. Dies da die einzelnen Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien bereits im Fluss befindlich sind und nicht erst in Fluss gesetzt werden müssen. Eine 3-Wege-Umschaltvorrichtung kann zum Beispiel durch ein 3-Wege-Umschaltmittel bzw. -ventil oder eine Kombination aus zwei 2-Wege-Umschaltmitteln bzw. -ventilen, jeweils ein 2-Wege-Umschaltmittel in der Chemikalientransportleitung und ein 2-Wege-Umschaltmittel in der in ein Chemikalienbehältnis rückmündende Bypass-Leitung, realisiert sein. Insbesondere können die 3-Wege-Umschaltvorrichtungen durch 3-Wege-Regelventile oder Kombinationen aus jeweils zwei 2-Wege-Regelventile gebildet sein, um eine Steuerung des jeweils der Mischeinheit via die Chemikalientransportleitungen zugeführten Flusses bzw. der zugeführten Menge zu ermöglichen.

[0045] Die Aufgabe der Erfindung wird aber auch durch ein Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit gelöst.

[0046] Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:

[0047] Ein Bevorraten von mindestens zwei unterschiedlichen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien in mindestens zwei hierzu ausgestalteten Chemikalienbehältnissen einer Chemikalienversorgungseinheit.

[0048] Weiters ein Bereitstellen von Wasser, insbesondere von entionisiertem Wasser mittels einer Wasserversorgungseinheit. Hierbei ist zumindest eine Wasserleitung der Wasserversorgungseinheit zu einer Mischeinheit der Versorgungseinrichtung verbunden und wird das Wasser der Mischeinheit bzw. in die Mischeinheit mittels dieser zumindest einen zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitung zugeführt.

[0049] Ein weiterer, insbesondere gleichzeitig mit dem Zuführen von Wasser zu der Mischeinheit durchgeführter Verfahrensschritt ist eine Entnahme der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien aus den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen und Zuführung der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien in die Mischeinheit mittels mindestens zwei Chemikalientransportleitungen und mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen, welche mindestens zwei Chemikalientransportleitungen den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen stromabwärts jeweils zugeordnet sind, und welche mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen jeweils zugeordnet sind.

[0050] Weiters, bzw. durch das Zuführen des Wassers und der mindestens zwei unterschiedlichen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien, eine Bildung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit durch Vereinigen der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien und des Wassers in der Mischeinheit, dadurch, dass in der Mischeinheit die zumindest eine Wasserleitung der Wasserversorgungseinheit und die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen der Chemikalienversorgungseinheit direkt oder indirekt und/oder über wenigstens ein öffenbares und verschließbares Absperrmittel mit einer einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung verbunden sind.

[0051] Außerdem erfolgt ein Zuführen der wässrigen Behandlungsflüssigkeit in eine Behandlungskammer durch Zuleitung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit zu in der Behandlungskammer angeordneten Verteilungsmitteln mittels der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung, wobei die wässrige Behandlungsflüssigkeit mittels der in der Behandlungskammer angeordneten Verteilungsmittel auf die im Inneren der Behandlungskammer mittels Halterungsmitteln gehaltenen Halbleiterobjekte verteilt wird.

[0052] Durch diese Verfahrensmaßnahmen kann ein Verfahren mit verbesserter BehandlungsEffizienz, -Nachhaltigkeit und -Flexibilität zur Behandlung von Halbleiterobjekten bereitgestellt werden. Im Speziellen können die Halbleiterobjekte mit mehreren Behandlungschemikalien gleichzeitig behandelt werden. Somit kann die Zusammensetzung einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit jeweils flexibel und gezielt an die jeweiligen Erfordernisse an einen Behandlungs- bzw. Spülvorgang angepasst werden. Trotz gleichzeitiger Benutzung mehrerer Behandlungschemikalien können diese oder deren wässrige Lösungen langzeitstabil gelagert bzw. bevorratet werden. Des Weiteren kann auch ein Risiko für eine Kontamination für eine bestimmte, wässrige Behandlungsflüssigkeit wirksam unterbunden werden, da eine wässrige Behandlungsflüssigkeit mit bestimmter, chemischer Zusammensetzung nur einmalig verwendet wird.

[0053] Des Weiteren ist durch die angegebenen Maßnahmen auch ein Verfahren mit verbesserter Zeiteffizienz bereitgestellt, da mehrere Behandlungschemikalien gleichzeitig für einen bestimmten Behandlungsvorgang eingesetzt werden können und mehrere, sequentielle Behandlungs- bzw. Spülvorgänge vermieden werden können. Darüber hinaus kann aber auch sichergestellt werden, dass die in der wässrigen Behandlungsflüssigkeit enthaltenen Behandlungschemikalien vor dem Einbringen bzw. Verteilen in die Behandlungskammer gut und homogen durch-

mischt sind, sodass alle in der Behandlungskammer gehalterten Halbleiterobjekte chemisch in gleicher Art und Weise behandelt bzw. gereinigt werden können.

[0054] Insbesondere kann das angegebene Verfahren zum Betrieb einer Behandlungsvorrichtung wie oben und auch nachstehend anhand der Figur 1 beschrieben vorgesehen sein.

[0055] Die Behandlungskammer kann wie an sich üblich zum Beispiel als Rotor ausgebildet sein und im Zuge eines Behandlungsvorgangs um eine Rotationsachse rotiert werden. Die Verteilungsmittel können beispielsweise durch eine Vielzahl an leitungstechnisch verbundenen Sprühdüsen bzw. Sprinklern gebildet sein, welche im Zuge eines Behandlungsvorgangs mit einer jeweiligen, wässrigen Behandlungsflüssigkeit via die einzelne, gemeinsame Behandlungsflüssigkeitszuleitung beaufschlagt werden. Hierbei kann durchaus vorgesehen sein, dass mehrere solche leitungstechnisch verbundene Sprühdüsen als Verteilungsmittel in der Behandlungskammer angeordnet sind, zum Beispiel in Form von Sprühdüsenreihen. Diese Verteilungsmittel können sodann jeweils via separate Zuleitungen mit der einzelnen, gemeinsamen Behandlungsflüssigkeitszuleitung leitungsverbunden sein, und so jedes derartige Verteilungsmittel in der Behandlungskammer mit Behandlungsflüssigkeit beaufschlagt werden.

[0056] Darüber hinaus kann aber auch vorgesehen sein, dass die Behandlungskammer zusätzliche Verteilungsmittel aufweist, welche mit einer separaten Wasserzuleitung zum Einleiten des mittels der Wasserversorgungseinheit bereitgestellten Wassers, insbesondere entionisierten Wassers verbunden sein können. Hierdurch können nach einem Behandlungsvorgang mit wässriger Behandlungsflüssigkeit die Halbleiterobjekte mit reinem, insbesondere entionisiertem Wasser gespült werden. Eine jeweilige Behandlungsflüssigkeit kann nach einem Behandlungsvorgang über einen Abfluss der Behandlungskammer abgeleitet werden.

[0057] Die mindestens zwei Chemikalienbehältnisse können via Versorgungsleitungen mit den jeweiligen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien aus externen Bereitstellungsvorrichtungen versorgt werden.

[0058] Ebenso kann die Wasserversorgungseinheit mittels einer externen Wasserversorgungseinrichtung mit hochreinem Wasser, insbesondere entionisiertem Wasser versorgt werden. Das Wasser in der oder den Wasserleitung(en) kann mittels einer Wasserpumpe der Wasserversorgungseinheit gefördert werden. Alternativ kann aber auch die externe Wasserversorgungseinrichtung das Wasser unter Vordruck bereitgestellt halten, beispielsweise mittels einer externen Wasserpumpe, sodass eine Förderung mittels einer Wasserpumpe der Wasserversorgungseinheit gegebenenfalls erübrigt werden kann.

[0059] Die jeweils einem Chemikalienbehältnis zugeordneten Chemikalienfördervorrichtungen können durch Chemikalienpumpen gebildet sein. Jedoch ist ganz grundsätzlich auch eine andersartige Ausgestaltung der Chemikalienfördervorrichtungen denkbar, etwa als Venturi-Düsen. Es ist aber auch möglich, eine Förderung der Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien mittels Druckbeaufschlagung der Chemikalienbehältnisse, beispielsweise mit einem Gas, zu bewerkstelligen.

[0060] Des Weiteren kann die Förderung in den mindestens zwei Chemikalientransportleitung sowie der zumindest einen Wasserleitung, welche in die Mischeinheit münden, mittels Durchflussregulierungsmittel und Durchflussüberwachungsmittel durchgeführt werden. Zur DurchflussSteuerung können beispielsweise die mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen der Chemikalienversorgungseinheit als durchflussregelbare, etwa drehzahlregelbare, Chemikalienpumpen ausgebildet sein. Alternativ können sowohl in den mindestens zwei Chemikalientransportleitungen und/oder der zumindest einen Wasserleitung auch dezidierte Durchflussregulierungsmittel, wie etwa Durchflussregelventile angeordnet sein. Jeweilige Mischungsverhältnisse bzw. Chemikalienkonzentrationen einer in die Behandlungskammer eingebrachten, wässrigen Behandlungsflüssigkeit können vor dem Einbringen individuell eingestellt werden. Die jeweiligen Medienflüsse, also Flüsse der Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien und des Wassers, aber auch die Durchflussrate der wässrigen Behandlungsflüssigkeit durch die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung sind frei wählbare Parameter und

können je nach Gegebenheit bzw. je nach Reinigungserfordernis gewählt werden. Einzelne Durchflussraten können auch mittels Durchflusssensoren überwacht werden.

[0061] Alle vorhandenen Steuerungsmittel, beispielsweise Pumpen, Ventile und Sensoren der Behandlungsvorrichtung können natürlich mit einer elektronischen Steuerungsvorrichtung verbunden sein, sodass das Verfahren automatisiert gesteuert ausgeführt wird.

[0062] Bei einer Weiterbildung des Verfahrens kann vorgesehen sein, dass der Mischeinheit Wasser mittels zumindest zwei zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitungen der Wasserversorgungseinheit zugeführt wird, wobei stromaufwärts der Verbindung mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung in der Mischeinheit in jede der Wasserleitungen zumindest eine Behandlungschemikalie oder wässrige Lösung von einer Behandlungschemikalie eingeleitet wird.

[0063] Diese Maßnahmen ermöglichen eine Herstellung von separaten, verdünnten Lösungen der Behandlungschemikalien vor dem Zusammenführen dieser wässrigen Lösungen zur Bildung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit. Hierdurch können kinetisch schnelle Reaktion der Behandlungschemikalien untereinander vor dem Einleiten in die Behandlungskammer vorteilhafterweise zumindest hintangehalten werden.

[0064] Ferner kann eine Ausführung des Verfahrens vorgesehen sein, bei welcher mindestens drei unterschiedliche Behandlungschemikalien oder wässrige Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien in mindestens drei hierzu ausgestalteten Chemikalienbehältnissen der Chemikalienversorgungseinheit bevorratet werden.

[0065] Hierdurch kann im Speziellen die Anzahl an für eine Behandlung der Halbleiterobjekte bereitgestellten Chemikalien bzw. Behandlungschemikalien, und damit die Flexibilität des Verfahrens weiter gesteigert werden.

[0066] Hierbei kann es insbesondere zweckmäßig sein, dass in einem ersten Chemikalienbehältnis konzentrierte Schwefelsäure bevorratet wird, in einem zweiten Chemikalienbehältnis eine wässrige Lösung von Wasserstoffperoxid bevorratet wird und in einem dritten Chemikalienbehältnis verdünnte Flusssäure bevorratet wird.

[0067] Die Bevorratung dieser Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien und deren Verwendung zur Behandlung ist deswegen sinnvoll, da mit diesen Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien bzw. deren Kombinationen miteinander eine Vielzahl an Behandlungs- bzw. Spülvorgängen nach Arbeitsschritten, wie etwa Atzschritten, abgedeckt werden können. Zum Beispiel hat sich zur Entfernung von vielen polymeren Verunreinigungen der Einsatz einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit umfassend eine Kombination aus Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als wirksam erwiesen.

[0068] Vorzugsweise kann eine Ausführung des Verfahrens vorgesehen sein, bei welcher der Mischeinheit Wasser mittels der mindestens zwei zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitungen über bzw. via den mindestens zwei Wasserleitungen jeweils zugeordnete, geöffnete Absperrmittel zugeführt wird, wobei die Absperrmittel stromabwärts miteinander leitungsverbunden sind, sodass durch die Absperrmittel ein Absperrmittelblock gebildet wird, und wobei die in der Mischeinheit gebildete Behandlungsflüssigkeit aus dem Absperrmittelblock in die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung abgegeben wird.

[0069] Von Vorteil ist hierbei zum einen, dass eine Zuleitung einer jeweils verdünnten, wässrigen Lösung in die Mischeinheit rasch und präzise bewerkstelligt werden kann. Außerdem können jeweils in die Mischeinheit bzw. deren Absperrmittelblock eingeleitete, verdünnte Lösungen vor dem Einleiten der wässrigen Behandlungsflüssigkeit konvektiv verwirbelt und damit vorgemischt bzw. homogenisiert werden. Dadurch kann wiederum dafür gesorgt werden, dass alle Halbleiterobjekte in der Behandlungskammer mit einer wässrigen Behandlungslösung mit homogen eingemischten Behandlungschemikalien gleichmäßig behandelt werden. Die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien können zum Beispiel ebenfalls in jeweils eines der Absperrmittel eingeleitet werden.

[0070] In diesem Zusammenhang kann bei dem Verfahren aber auch vorgesehen sein, dass in der Mischeinheit aus jeweils nur einer der mindestens zwei Chemikalientransportleitungen jeweils nur eine der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien stromaufwärts des Absperrmittelblocks in jeweils genau eine der mindestens zwei zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitungen eingeleitet wird.

[0071] In anderen Worten ausgedrückt kann vorgesehen sein, dass stromaufwärts der Verbindung mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung bzw. in der Mischeinheit jeweils eine der Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien in genau eine der Wasserleitungen eingeleitet wird, derart, dass nicht mehrere Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien in eine Wasserleitung eingeleitet werden. Durch diese Verfahrensmaßnahmen kann vor allem eine weiter verbesserte, präzise gesteuerte Herstellung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit für die Behandlung der Halbleiterobjekte in der Behandlungskammer vorgenommen werden.

[0072] Bei einer weiteren Weiterbildung des Verfahrens kann vorgesehen sein, dass in das Wasser in zumindest einer zu der Mischeinheit führenden Wasserleitung mittels einer Dosiereinheit Kohlendioxid-Gas dosiert eingeleitet wird.

[0073] Diese Verfahrensmaßnahme ist deswegen vorteilhaft, weil vor allem durch die entstehende Kohlensäure das Wasser bzw. die wässrige Behandlungsflüssigkeit weniger korrosiv gemacht werden können und somit für die Wafer zumindest ein gewisser Korrosionsschutz bereitgestellt werden kann.

[0074] Vorzugsweise kann auch eine Verfahrensführung vorgesehen sein, bei welcher wenigstens eine Teilmenge des der Mischeinheit zugeführten Wassers vor der Zuführung in die Mischeinheit mittels einer Heizeinrichtung erwärmt wird.

[0075] Mittels dieser Maßnahme kann der wässrigen Behandlungsflüssigkeit, aber auch zum Beispiel einem separat in die Behandlungskammer eingeleitetem Spül-Wasser, insbesondere entionisiertem Spül-Wasser eine jeweils gewünschte Arbeitstemperatur verliehen werden. Reinigungsvorgänge können durch eine erhöhte Temperatur vorteilhafterweise beschleunigt werden, wodurch kürzere Behandlungs- bzw. Spülvorgänge und damit geringere Behandlungsdauern ermöglicht werden können. Zum Erwärmen kann das Wasser in der Wasserversorgungseinheit zum Beispiel via eine zu einer Hauptwasserleitung parallel verlaufenden Bypass-Leitung der Wasserversorgungseinheit in die Heizeinrichtung eingeleitet werden, und hiernach wieder zurück in die Hauptwasserleitung geführt werden. In der Hauptwasserleitung kann hierzu ein 3-WegeUmschaltmittel bzw. -ventil, oder ein 3-Wege-Regelmittel bzw. -ventil angeordnet sein, wodurch ein gezieltes Umleiten des zugeführten Wassers, insbesondere entionisierten Wassers über die Heizeinrichtung zum Erwärmen des Wassers durchgeführt werden kann. Alternativ können selbstverständlich auch Kombinationen von jeweils 2-Wege-Umschalt- oder Regelmitteln anstatt von 3-Wege-Varainaten eingesetzt werden. Im Falle eines Einsatzes von Regelmitteln bzw. ventilen kann auch nur eine Teilmenge des der Wasserversorgungseinheit zugeführten Wassers über die in der Bypass-Leitung angeordnete Heizeinrichtung erwärmt werden.

[0076] Außerdem kann eine Weiterbildung des Verfahrens vorteilhaft sein, bei welcher die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien vor deren Verwendung zur Behandlung der Halbleiterobjekte in der Behandlungskammer mittels der Chemikalienfördervorrichtungen über den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen jeweils zugeordnete 3-Wege-Umschaltvorrichtungen und jeweils in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis zurückführende bzw. rückführende Bypass-Leitungen im Kreis in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis gepumpt werden, und die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien zur Verwendung zur Behandlung der Halbleiterobjekte in der Behandlungskammer der Mischeinheit mittels der mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen durch Umschalten der 3-Wege-Umschaltvorrichtungen über die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen zugeführt werden.

[0077] Durch diese Verfahrensmaßnahmen kann die Zuführung der Behandlungschemikalien 0-

der wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien in die Mischeinheit sehr rasch gesteuert werden. Hierdurch kann in weiterer Folge eine Behandlungschemikalie zur Herstellung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit sehr schnell bereitgestellt werden, und kann daher auch sehr schnell von einer Zusammensetzung einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit auf eine Behandlungsflüssigkeit mit anderer Zusammensetzung bzw. anderen Behandlungschemikalien gewechselt werden. Dies da die einzelnen Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien auch vor deren Zuleitung in die Mischeinheit bereits im Kreis gefördert werden und eine Förderung nicht erst in Gang gesetzt werden muss. Eine 3-Wege-Umschaltvorrichtung kann zum Beispiel durch ein 3-Wege-Umschaltmittel bzw. -ventil oder eine Kombination aus zwei 2-Wege- Umschaltmitteln bzw. -ventilen, jeweils ein 2-Wege-Umschaltmittel in der Chemikalientransportleitung und ein 2-Wege-Umschaltmittel in der in ein Chemikalienbehältnis rückmündende Bypass-Leitung, realisiert sein. Im Besonderen können die 3-Wege-Umschaltvorrichtungen durch 3-Wege-Regelventile oder Kombinationen aus jeweils zwei 2-Wege-Regelventile gebildet sein, um eine Steuerung des jeweils der Mischeinheit via die Chemikalientransportleitungen zugeführten Flusses bzw. der zugeführten Menge zu ermöglichen.

[0078] Zum besseren Verständnis der Erfindung wird diese anhand der nachfolgenden Figur näher erläutert.

[0079] Es zeigt in stark vereinfachter, schematischer Darstellung:

[0080] Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel für eine Behandlungsvorrichtung zur Behandlung bzw. Reinigung von Halbleiterobjekten.

[0081] Einführend sei festgehalten, dass in den folgend beschriebenen Ausführungsformen gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen bzw. gleichen Bauteilbezeichnungen versehen werden, wobei die in der gesamten Beschreibung enthaltenen Offenbarungen sinngemäß auf gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen bzw. gleichen Bauteilbezeichnungen übertragen werden können. Auch sind die in der Beschreibung gewählten Positionsangaben, wie z.B. oben, unten, stromauf- oder stromabwärts usw. auf die unmittelbar beschriebene sowie dargestellte Figur bezogen und sind diese Lageangaben bei einer Lageänderung sinngemäß auf die neue Lage zu übertragen.

[0082] In der Fig. 1 ist ein Ausgestaltungsbeispiel einer Behandlungsvorrichtung 1 zur Behandlung von Halbleiterobjekten 2 mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit grob schematisch dargestellt und auch ein Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten 2 mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit ersichtlich. Die Behandlungsvorrichtung 1 ist ausgebildet zur Behandlung der Halbleiterobjekte 2. Im Besonderen kann die Behandlungsvorrichtung 1 zur Reinigung der Halbleiterobjekte 2 von Verunreinigungen bzw. Rückständen, verursacht durch vorangegangene Bearbeitungsschritte, mit der wässrigen Behandlungsflüssigkeit vorgesehen sein. Die Behandlungsvorrichtung 1 kann somit auch als Reinigungsvorrichtung bzw. als Vorrichtung zur Reinigung der Halbleiterobjekte mit der wässrigen Behandlungsflüssigkeit bezeichnet werden.

[0083] Wie aus der Fig. 1 ersichtlich weist die Behandlungsvorrichtung 1 eine Behandlungskammer 3 auf. Im Inneren der Behandlungskammer 3 sind Halterungsmittel 4 zur Halterung der Halbleiterobjekte 2 angeordnet. Des Weiteren sind in der Behandlungskammer 3 Verteilungsmittel 5 zum Verteilen der wässrigen Behandlungsflüssigkeit auf die in der Behandlungskammer 3 gehalterten Halbleiterobjekte 2 angeordnet.

[0084] Wie an sich bekannt kann die Behandlungskammer 3 wie in Fig. 1 veranschaulicht als um eine Rotationsachse drehbarer Rotor ausgebildet sein. Ein solcher Rotor kann hierzu rotierbar gelagert und mit einem entsprechenden, in Fig. 1 nicht gezeigten Rotationsantrieb verbunden sein. Die in Fig. 1 schematisch dargestellten Verteilungsmittel 5 können zum Beispiel durch eine Vielzahl an leitungstechnisch verbundenen Sprühdüsen bzw. Sprinklern gebildet sein, wobei in Fig. 1 lediglich 1 solches Verteilungsmittel 5 gezeigt ist. Weiters kann die Behandlungskammer 3 wie an sich üblich einen Abfluss 6 oder mehrere Abflüsse 6 zum Ableiten von Flüssigkeiten aufweisen. Die Halbleiterobjekte 2 können, wie ebenfalls in der Fig. 1 grob veranschaulicht, durch Halbleiter-Wafer gebildet sein.

[0085] Die Behandlungsvorrichtung 1 weist gemäß dem Ausführungsbeispiel in Fig. 1 außerdem eine Versorgungseinrichtung 7 zur Beschickung der Verteilungsmittel 5 in der Behandlungskammer 3 mit der wässrigen Behandlungsflüssigkeit auf.

[0086] Diese Versorgungseinrichtung 7 umfasst zum einen eine Chemikalienversorgungseinheit 8 mit mindestens zwei Chemikalienbehältnissen 9, 10, 11. Bei dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Chemikalienversorgungseinheit 8 drei Chemikalienbehältnisse 9, 10, 11 aufweisen, es können jedoch selbstverständlich auch weniger oder mehr Chemikalienbehältnisse 9, 10, 11 als im dargestellten Ausführungsbeispiel vorgesehen sein. Jedenfalls sind die Chemikalienbehältnisse 9, 10, 11 jeweils zur Bevorratung von mindestens zwei unterschiedlichen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien ausgebildet. Bei dem in der Fig. 1 dargestellten Ausgestaltungsbeispiel kann zum Beispiel vorgesehen sein, dass ein erstes Chemikalienbehältnis 9 zur Bevorratung von konzentrierter Schwefelsäure (H2SO«), etwa circa 95-prozentiger Schwefelsäure ausgebildet ist. Ein zweites Chemikalienbehältnis 10 kann beispielsweise zur Bevorratung einer wässrigen Lösung von Wasserstoffperoxid (H2O»), etwa einer circa 30-prozentigen Lösung von Wasserstoffperoxid ausgebildet sein. Ein drittes Chemikalienbehältnis 11 kann bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 schließlich zur Bevorratung von verdünnter Flusssäure (HF), zum Beispiel ca. 1-prozentiger Flusssäure ausgebildet sein.

[0087] Die mindestens zwei bzw. alle vorhandenen Chemikalienbehältnisse 9, 10, 11 können, wie aus Fig. 1 ersichtlich, mit Versorgungsleitungen 12 zur Einleitung der jeweiligen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien ausgestaltet sein. Die Versorgungsleitungen 12 können zu diesem Zweck mit in der Fig. 1 nicht näher dargestellten, externen Bereitstellungsvorrichtungen für die Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien verbunden sein. Wie weiters in der Fig. 1 dargestellt, ist jedem der Chemikalienbehältnisse 9, 10 ‚11, bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel also den drei Chemikalienbehältnissen 9, 10 ‚11, stromabwärts jeweils eine Chemikalientransportleitung 13, 14, 15, sowie jeweils eine Chemikalienfördervorrichtung 16, 17, 18 zum Entnehmen der Behandlungschemikalien oder der wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien zugeordnet. Die jeweils einem Chemikalienbehältnis 9, 10, 11 zugeordneten Chemikalienfördervorrichtungen 16, 17, 18 können durch Chemikalienpumpen gebildet sein, wie dies auch in Fig. 1 schematisch veranschaulicht ist. Jedoch ist ganz grundsätzlich auch eine andersartige Ausgestaltung der Chemikalienfördervorrichtungen 16, 17, 18 möglich, beispielsweise als Venturi-Düsen oder jedwede, zum Transport bzw. zur Förderung der Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien durch die Chemikalientransportleitungen geeignete Fördervorrichtungen. So ist zum Beispiel auch eine Druckbeaufschlagung der Chemikalienbehältnisse 9 ‚10 ‚11, beispielsweise mit einem Gas durchaus denkbar, sodass die Chemikalienfördervorrichtungen 16, 17, 18 auch durch entsprechende Druckbeaufschlagungsmittel gebildet sein können.

[0088] Die Versorgungseinrichtung 7 der Behandlungsvorrichtung 1 umfasst des Weiteren eine Wasserversorgungseinheit 19 zur Bereitstellung von Wasser, im Speziellen von entionisiertem Wasser. Diese Wasserversorgungseinheit 19 weist zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 zur Führung des Wassers auf. Wie die Chemikalienbehältnisse 9, 10, 11 kann auch die Wasserversorgungseinheit 19 mit einer externen Wasserversorgungseinrichtung für hochreines Wasser, insbesondere entionisiertes Wasser verbunden sein, zum Beispiel wie in der Fig. 1 dargestellt über eine Wasserversorgungsleitung 23. Zur Förderung des Wassers in der oder den Wasserleitung(en) 20, 21, 22 kann die Wasserversorgungseinheit 19 grundsätzlich zum Beispiel eine Wasserpumpe aufweisen. Alternativ kann aber auch die externe Wasserversorgungseinrichtung das Wasser via eine bzw. die Wasserversorgungsleitung 23 unter Vordruck bereitgestellt halten, beispielsweise mittels einer externen Wasserpumpe, sodass eine Wasserpumpe für die Wasserversorgungseinheit 19 gegebenenfalls erübrigt werden kann, wie dies auch in Fig. 1 angedeutet ist.

[0089] Wie in der Fig. 1 weiters schematisch dargestellt ist, sind die Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 der Chemikalienversorgungseinheit 8 direkt oder indirekt mit einer einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 verbunden. Diese einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 ist wiederum mit den in der Behandlungskammer 3 angeordneten Verteilungsmitteln 5 lei-

tungsverbunden. Selbstverständlich können in der Behandlungskammer 3 mehrere solche Verteilungsmittel 5 angeordnet sein, welche zwecks Beaufschlagung mit wässriger Behandlungsflüssigkeit jeweils via separate Zuleitungen mit der einzelnen, gemeinsamen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 leitungsverbunden sein können.

[0090] Grundsätzlich kann hierbei zum Beispiel durchaus vorgesehen sein, dass die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 bzw. alle bzw. jede der Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 und die zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 direkt mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 verbunden sind. Bei einer einfachen Ausgestaltungsform der Versorgungseinrichtung 7 kann zum Beispiel vorgesehen sein, dass die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 zunächst in die zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 münden, welche zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 wiederum stromabwärts direkt in die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 münden kann. In einem solchen Falle können die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 also indirekt mit der Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 verbunden sein. Jedoch sind auch andere Ausgestaltungsformen von direkten oder indirekten Verbindungen der Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 und der Wasserleitung(en) 20, 21, 22 mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 selbstverständlich denkbar.

[0091] Es kann auch vorgesehen sein, dass die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 bzw. alle bzw. jede der Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 der Chemikalienversorgungseinheit 8 und die zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 der Wasserversorgungseinheit 19 über wenigstens ein öffenbares und verschließbares Absperrmittel 25, 26, 27 mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 verbunden sind, wie dies bei dem in Fig. 1 veranschaulichten Ausführungsbeispiel der Fall ist. Jedenfalls ist dadurch, dass die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 der Chemikalienversorgungseinheit 8 und die zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 der Wasserversorgungseinheit 19 mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 verbunden sind, eine Mischeinheit 28 gebildet.

[0092] Des Weiteren kann bei der Versorgungseinrichtung 7 vorgesehen sein, dass die Wasserversorgungseinheit 19 zumindest zwei zu der Mischeinheit 28 verbundene Wasserleitungen 20, 21, 22 aufweist, wobei stromaufwärts der Verbindung mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 jede der Wasserleitungen 20, 21, 22 mit zumindest einer Chemikalientransportleitung 13, 14, 15 verbunden ist.

[0093] Bei dem in der Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel kann wie dargestellt vorzugsweise und konkret vorgesehen sein, dass in der Mischeinheit 28 jede zu der Mischeinheit 28 verbundene Wasserleitung 20, 21, 22 bzw. die zumindest zwei Wasserleitungen 20, 21, 22 jeweils in ein öÖffenbares und verschließbares Absperrmittel 25, 26, 27 mündet, welche Absperrmittel 25, 26, 27 stromabwärts miteinander leitungsverbunden sind, sodass durch die Absperrmittel 25, 26, 27 ein Absperrmittelblock 29 gebildet ist, wobei die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 mit diesem Absperrmittelblock 29 leitungsverbunden ist.

[0094] Darüber hinaus kann wie in der Fig. 1 dargestellt eine Anzahl an zu der Mischeinheit 28 verbundenen Wasserleitungen 20, 21, 22 der Anzahl der zu der Mischeinheit 28 verbundenen Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 entsprechen. Dabei kann bei der Versorgungseinrichtung 7 vorgesehen sein, dass in der Mischeinheit 28 jeweils nur eine Chemikalientransportleitung 13, 14, 15 in genau eine der zu der Mischeinheit 28 verbundenen Wasserleitungen 20, 21, 22 mündet.

[0095] Bei dem in der Fig. 1 dargestellten, bevorzugten Ausführungsbeispiel für eine Behandlungsvorrichtung 1 kann in der Mischeinheit 28 jeweils eine der in dem Fall drei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 in genau eine der drei zu der Mischeinheit 28 verbundenen Wasserleitungen 20, 21, 22 münden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel können die drei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 jeweils stromaufwärts des ebenfalls dargestellten Absperrmittelblocks 29 in eine jeweilige Wasserleitung 20, 21, 22 münden.

[0096] Wie in der Fig. 1 weiters veranschaulicht, kann den mindestens zwei Chemikalienbehält-

nissen 9, 10, 11, bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel den drei Chemikalienbehältnissen 9, 10, 11, jeweils eine 3-Wege-Umschaltvorrichtung 30 und jeweils eine in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis 9, 10, 11 zurückführende bzw. zurückmündende Bypass-Leitung 31 zugeordnet sein. Die 3-Wege-Umschaltvorrichtungen können beispielsweise wie in der Fig. 1 dargestellt durch 3-Wege-Umschaltmittel bzw. -ventile gebildet sein. Alternativ können die 3-WegeUmschaltvorrichtungen 30 selbstverständlich auch als Kombination aus zwei 2- Wege-Umschaltmitteln bzw. -ventilen, jeweils ein 2-Wege-Umschaltmittel in der Chemikalientransportleitung und ein 2-Wege-Umschaltmittel in der in ein Chemikalienbehältnis rückmündende Bypass-Leitung 31, ausgestaltet sein.

[0097] Ganz generell können zur verbesserten Steuerung von Flussraten der flüssigen Medien bzw. Fluids in der Versorgungseinrichtung den mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 sowie der zumindest einen Wasserleitung 20, 21, 22 Durchflussregulierungsmittel zugeordnet bzw. darin angeordnet sein. Beispielsweise können die in der Fig. 1 dargestellten Chemikalienfördervorrichtungen 16, 17, 18 als durchflussregelbare, etwa drehzahlregelbare, Chemikalienpumpen ausgebildet sein. Alternativ und/oder zusätzlich können zu diesem Zweck aber auch die ebenfalls in der Fig. 1 gezeigten 3-Wege-Umschaltvorrichtungen 30 als Steuerungsbzw. 3-Wege-Regelventile ausgebildet sein, um die in die jeweilige Chemikalientransportleitung 13, 14, 15 pro Zeiteinheit eingeleitete Menge an Behandlungschemikalie oder wässriger Lösung einer Behandlungschemikalie steuern zu können. Auch können zu diesem Zweck andere, an sich bekannte Durchflussregulierungsmittel 32 bzw. Durchflussregler, etwa Durchflussregulierventile, eingesetzt werden. Bei dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel für eine Behandlungsvorrichtung 1 sind beispielsweise derartige Durchflussregulierungsmittel 32 in einer Hauptwasserleitung 33 der Wasserversorgungseinheit 19 gezeigt.

[0098] Darüber hinaus können zur Überwachung und Steuerung von Durchflussraten in den Fluid-Leitungen 13, 14, 15, 20, 21, 22, 23, 24, 33 Durchflusssensoren 34 angeordnet sein, wie dies ebenfalls in der Fig. 1 veranschaulicht ist. Zwecks weiterführender Prozessüberwachung im Betrieb der Behandlungsvorrichtung 1 können diversen Fluid-Leitungen 13, 14, 15, 20, 21, 22, 23, 24, 33 aber auch zusätzlich Drucksensoren 35 und Temperatursensoren 36 zugeordnet sein.

[0099] Alle als Möglichkeiten erwähnten Flussregulierungsmittel 16, 17, 18, 30, 32 sowie alle erwähnten Uberwachungsmittel 34, 35, 36 können natürlich elektronisch ansteuerbar sein, und können signaltechnisch mit einer in der Fig. 1 nicht näher dargestellten Steuerungsvorrichtung verbunden sein, um eine teilweise oder vollständig automatisierte, elektronische Steuerung der Komponenten der Behandlungsvorrichtung 1 zu erlauben. Selbiges gilt auch für nachstehend noch beschriebene Flussregulierungsmittel und Sensoren.

[00100] Wie in der Fig. 1 weiters veranschaulicht ist, kann die Versorgungseinrichtung 7 der Behandlungsvorrichtung 1 außerdem eine separate Wasserzuleitung 37 zum Einleiten von purem Wasser, insbesondere reinem, entionisiertem Wasser in die Behandlungskammer 3 umfassen. Zur Spülung der Halbleiterobjekte 2 in der Behandlungskammer 3 mit reinem bzw. purem Wasser kann die Behandlungskammer 3 zusätzliche, separate Verteilungsmittel 38 aufweisen, welche zum Beispiel mit der separaten Wasserzuleitung 37 verbunden sein können, wie dies in der Fig. 1 dargestellt ist. Alternativ wäre es natürlich auch möglich, dass die in Fig. 1 dargestellte, separate Wasserleitung 37 mit denselben Verteilungsmitteln 5 verbunden ist, welche auch mit der Behandlungsflüssigkeitszuleitung verbunden sind.

[00101] Wie anhand der Fig. 1 ersichtlich, können alle in die Mischeinheit 28 mündenden Wasserleitungen 20, 21 ‚22 aus der oben erwähnten Hauptwasserleitung 33 abzweigen. Auch die in der Fig. 1 zusätzlich dargestellte Wasserzuleitung 37 kann aus dieser Hauptwasserleitung 33 abzweigen.

[00102] Die in der Fig. 1 dargestellten Fluid-Leitungen 13, 14, 15, 20, 21, 22, 23, 24, 33 können grundsätzlich durch steife Rohre oder flexible Schläuche gebildet sein, wobei der Wahl des Materials für eine Fluidleitung 13, 14, 15, 20, 21, 22, 23, 24, 33 angesichts der jeweils in der Leitung enthaltenen Behandlungschemikalien natürlich auf eine entsprechende, chemische Resistenz gegenüber diesen Chemikalien zu achten ist. Alle obenstehend beschriebenen bzw. in der Be-

handlungsvorrichtung 1 vorhanden Leitungs-Abzweigungen und Leitungs-Einmündungen können auf jedwede bekannte Weise ausgeführt sein, wie etwa durch entsprechende Verbindungstücke, beispielsweise klassische T-Stück-Verbindungen.

[00103] Wie anhand des in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiels ersichtlich ist, kann die Versorgungseinrichtung 7 weiters eine Dosiereinheit 39 zur dosierten Einleitung von Kohlendioxid-Gas (CO>») in die zumindest eine zu der Mischeinheit 28 führende Wasserleitung 20, 21, 22, 33 umfassen. Hierbei kann die Dosiereinheit 39 via eine Kohlendioxidgas-Versorgungsleitung 40 über ein Gasabsperrventil 41 mit einer externen Kohlendioxid-Versorgungseinrichtung verbunden sein. Eine Kohlendioxidgas-Zuleitung 42 kann wiederum via ein Gasabsperrventil 41 in die zumindest eine zu der Mischeinheit 28 führende Wasserleitung 20, 21, 22, 33, gemäß dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel zum Beispiel in die Hauptwasserleitung 33 münden. Zum gezielten Zudosieren des Kohlendioxid-Gases kann die Dosiereinheit 39 des Weiteren ein Gasdruck-Regulierventil 43 sowie zum Einstellen einer bestimmten, gewünschten KohlendioxidFlussrate ein Gasfluss-Regulierungsmittel 44 umfassen. Zusätzlich kann auch ein Gas-Drucksensor 45 zur Überwachung des Kohlendioxid-Druckes in der Dosiereinheit 39 vorgesehen sein. Zwecks Steuerung der Kohlendioxidrate, kann in der zumindest einen zu der Mischeinheit 28 führenden Wasserleitung 20, 21, 22, 33, in welche die Kohlendioxidgas-Zuleitung 42 mündet, ein Leitfähigkeitssensor 46 angeordnet sein. Auf Basis der Messdaten dieses Leitfähigkeitssensors 46 kann die Kohlendioxidgas-Flussrate mittels des Gasfluss-Regulierungsmittels 44 gesteuert werden.

[00104] Die die Wasserversorgungseinheit 19 der Versorgungseinrichtung 7 kann weiters eine Heizeinrichtung 47 zum Erwärmen des Wassers, insbesondere des entionisierten Wassers umfassen wie dies aus der Fig. 1 zu erkennen ist. Wie aus der Fig. 1 ersichtlich kann eine solche Heizeinrichtung 47 zum Beispiel in einer zu der Hauptwasserleitung 33 parallel verlaufenden Wasser-Bypassleitung 48 der Wasserversorgungseinheit angeordnet sein. Weiters kann in der Hauptwasserleitung ein 3-Wege-Umschaltmittel 49 bzw. -ventil, insbesondere ein 3-Wege-Regelmittel bzw. -ventil angeordnet sein. Alternativ wäre natürlich wiederum auch eine Kombination von zwei Umschaltmitteln, je eines in der Hauptwasserleitung 33 und eines in der Wasser-Bypassleitung 48 denkbar. Die Heizeinrichtung 47 kann wie bekannt zum Beispiel elektrisch heizbare Heizpatronen zur Erwärmung des Wassers, insbesondere des entionisierten Wassers aufweisen.

[00105] Im Folgenden wird noch ein Ausführungsbeispiel des Verfahrens beschrieben. Die obenstehend beschriebene Behandlungsvorrichtung 1 kann hierbei zur Ausführung des Verfahrens vorgesehen sein. Umgekehrt kann das Verfahren zum Betreiben der Behandlungsvorrichtung 1 vorgesehen sein. Entsprechend sind die Mittel, Elemente und Vorrichtungen zur Ausführung des Verfahrens bereits obenstehend anhand der Beschreibung der Behandlungsvorrichtung 1 beschrieben, und wird für die nachfolgende Beschreibung des Verfahrens an dieser Stelle auf die obenstehende Beschreibung der Behandlungsvorrichtung 1 hingewiesen bzw. Bezug genommen.

[00106] Das Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten 2 mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit umfasst die folgenden Verfahrensschritte:

[00107] Bevorratung von mindestens zwei unterschiedlichen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien in mindestens zwei hierzu ausgestalteten Chemikalienbehältnissen 9, 10, 11 einer Chemikalienversorgungseinheit 8, wie dies auch in Fig. 1 veranschaulicht ist.

[00108] Des Weiteren umfasst das Verfahren eine Bereitstellung von Wasser, insbesondere von entionisiertem Wasser mittels einer Wasserversorgungseinheit 19, wobei zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 der Wasserversorgungseinheit 19 zu einer Mischeinheit 28 der Versorgungseinrichtung 7 verbunden ist, und Zuführung des Wassers zu der bzw. in die Mischeinheit 28 mittels dieser zumindest einen zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitung 20, 21, 22.

[00109] Außerdem umfasst das Verfahren ein Entnehmen der mindestens zwei bzw. von min-

destens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien aus den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen 9, 10, 11 und Zuführung der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien in die Mischeinheit 28 mittels mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 und mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen 16, 17, 18, welche mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen 13, 14, 15 stromabwärts jeweils zugeordnet sind, und welche mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen 13, 14, 15 jeweils zugeordnet sind.

[00110] Des Weiteren umfasst das Verfahren ein Bilden der wässrigen Behandlungsflüssigkeit durch Vereinigen der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien und des Wassers in der Mischeinheit 28. Bei einer einfachen Verfahrensführung kann die Bildung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit so erfolgen, dass in der Mischeinheit 28 die zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 der Wasserversorgungseinheit 19 und die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 der Chemikalienversorgungseinheit 8 direkt oder indirekt mit einer einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 verbunden sind, zum Beispiel die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien einfach in das in der zumindest einen Wasserleitung 20, 21, 22 geführte Wasser eingeleitet werden und anschließend ein Einleiten der so verdünnten Behandlungschemikalien in die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 erfolgt. Es ist aber auch alternativ oder zusätzlich möglich, dass, wie aus der Fig. 1 ersichtlich, die Bildung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit in der Mischeinheit 28 dadurch vorgenommen wird, dass die zumindest eine Wasserleitung 20, 21, 22 der Wasserversorgungseinheit 19 und die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 der Chemikalienversorgungseinheit 8 über wenigstens ein öffenbares und verschließbares Absperrmittel 25 mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 verbunden sind.

[00111] Wie weiters in der Fig. 1 veranschaulicht, erfolgt bei dem Verfahren weiters eine Zuführung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit in eine Behandlungskammer 3 durch Zuleitung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit zu in der Behandlungskammer 3 angeordneten Verteilungsmitteln 5 mittels der einzelnen bzw. via die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24. Hierbei wird die wässrige Behandlungsflüssigkeit mittels der in der Behandlungskammer 3 angeordneten Verteilungsmittel 5 auf die im Inneren der Behandlungskammer 3 mittels Halterungsmitteln 4 gehaltenen Halbleiterobjekte 2 verteilt. Hierbei können natürlich auch mehrere Verteilungsmittel 5 vorgesehen sein, wobei die wässrige Behandlungsflüssigkeit jedem dieser mehreren Verteilungsmitteln 5 aus der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 jeweils via separate Zuleitungen, über welche die Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 mit den Verteilungsmitteln 5 indirekt leitungsverbunden sein kann, zugeleitet werden kann.

[00112] Das Verfahren kann insbesondere zur Reinigung der Halbleiterobjekte 2 von Verunreinigungen bzw. Rückständen, verursacht durch vorangegangene Bearbeitungsschritte, mit der wässrigen Behandlungsflüssigkeit vorgesehen sein und kann auch als Behandlungs- oder Reinigungsverfahren bezeichnet werden.

[00113] Die bei dem Verfahren gegebenen bzw. vorherrschenden Medienflüsse bzw. deren Flussrichtungen, also etwa die Flussrichtungen der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien und des Wassers, sind in der Fig. 1 schematisch durch die dargestellten Pfeile gezeigt.

[00114] Die Behandlungskammer 3 kann wie obenstehend bereits ausgeführt als Rotor ausgeführt sein, und kann in einem solchen Fall im Zuge der Behandlung der Halbleiterobjekte 2 mit der in der Mischeinheit 28 gebildeten, wässrigen Behandlungsflüssigkeit um eine Rotationsachse rotiert werden. Die wässrige Behandlungsflüssigkeit kann nach dem Behandeln der Halbleiterobjekte 2 via einen Abfluss 6 oder mehrere Abflüsse 6 aus der Behandlungskammer 3 abgeleitet werden.

[00115] Die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien können den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen 9, 10, 11 zur Bevorra-

tung jeweils über eine Versorgungsleitung 12 zugeführt werden. Auch das Wasser, insbesondere das entionisierte Wasser kann der Wasserversorgungseinheit 19, wie aus Fig. 1 ersichtlich, via eine Wasserversorgungsleitung 23 aus einer externen Wasserquelle bereitgestellt werden.

[00116] Bei einer Verfahrensführung kann vorgesehen sein, dass der Mischeinheit 28 Wasser mittels zumindest zwei zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitungen 20, 21, 22 der Wasserversorgungseinheit 19 zugeführt wird. Hierbei kann weiters stromaufwärts der Verbindung mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 in jede der Wasserleitungen 20, 21, 22 zumindest eine Behandlungschemikalie oder wässrige Lösung von einer Behandlungschemikalie eingeleitet werden, wie dies auch bei dem in der Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel der Fall ist.

[00117] Gemäß dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel können mindestens drei unterschiedliche Behandlungschemikalien oder wässrige Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien in mindestens drei hierzu ausgestalteten Chemikalienbehältnissen 9, 10, 11 der Chemikalienversorgungseinheit 8 bevorratet werden.

[00118] Beispielsweise kann bei einer zweckmäßigen Verfahrensvariante vorgesehen sein, dass in einem ersten Chemikalienbehältnis 9 konzentrierte Schwefelsäure bevorratet wird, in einem zweiten Chemikalienbehältnis 10 eine wässrige Lösung von Wasserstoffperoxid bevorratet wird und in einem dritten Chemikalienbehältnis 11 verdünnte Flusssäure bevorratet wird. Zweckmäßigerweise können diese Behandlungschemikalien bzw. insbesondere Kombinationen von mindestens zwei dieser Behandlungschemikalien bzw. wässrigen Lösungen dieser Behandlungschemikalien zur Bildung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit und letztlich Behandlung bzw. Reinigung der Halbleiterobjekte 2 in der Behandlungskammer 3 eingesetzt werden.

[00119] Bei einer bevorzugten Verfahrensführung kann der Mischeinheit 28 Wasser mittels der mindestens zwei zu der Mischeinheit 28 verbundenen Wasserleitungen 20, 21, 22 über den mindestens zwei Wasserleitungen 20, 21, 22 jeweils zugeordnete, geöffnete Absperrmittel 25, 26, 27 zugeführt werden. Hierbei können die Absperrmittel 25, 26, 27 stromabwärts miteinander leitungsverbunden sein sodass durch die Absperrmittel 25, 26, 27 ein Absperrmittelblock 29 gebildet wird, wie dies auch in der Fig. 1 veranschaulicht ist. Die in der Mischeinheit 28 gebildete Behandlungsflüssigkeit kann dann aus diesem Absperrmittelblock 29 in die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung 24 abgegeben werden.

[00120] In diesem Zusammenhang kann bei dem Verfahren wie in Fig. 1 gezeigt vorgesehen, dass in der Mischeinheit 28 aus jeweils nur einer der mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 jeweils nur eine der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien stromaufwärts des Absperrmittelblocks 29 in jeweils genau eine der mindestens zwei zu der Mischeinheit 28 verbundenen Wasserleitungen 20, 21, 22 eingeleitet wird.

[00121] Bei einer weiteren bevorzugten Verfahrensführung kann auch vorgesehen sein, dass die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien vor deren Verwendung zur Behandlung der Halbleiterobjekte 2 in der Behandlungskammer 3 mittels der Chemikalienfördervorrichtungen 16, 17, 18 über jeweils den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen (9, 10, 11) zugeordnete 3-Wege-Umschaltvorrichtungen 30 und jeweils in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis 9, 10, 11 zurückführende bzw. rückmündende Bypass-Leitungen 31 im Kreis in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis 9, 10, 11 gepumpt werden, wie dies auch in Fig. 1 veranschaulicht ist. Erst wenn ein Behandlungsvorgang zur Behandlung bzw. Reinigung der Halbleiterobjekte 2 in der Behandlungskammer 3 gestartet werden soll, können dann die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien für die Verwendung zur Behandlung der Halbleiterobjekte 2 in der Behandlungskammer 3 der Mischeinheit 28 mittels den mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen 16, 17, 18 durch Umschalten der 3-Wege-Umschaltvorrichtungen 31 über die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen 13, 14, 15 zugeführt werden.

[00122] Wie in der Fig. 1 weiters veranschaulicht ist, kann zur Spülung der Halbleiterobjekte 2 in

der Behandlungskammer 3 mit reinem bzw. purem Wasser, beispielsweise nach Behandlungsvorgängen mit der wässrigen Behandlungsflüssigkeit, der Behandlungskammer 3 pures Wasser via eine separate Wasserzuleitung 37 der Versorgungseinrichtung 7 zugeführt bzw. in die Behandlungskammer 3 eingeleitet werden. Das Wasser, insbesondere entionisierte Wasser, kann hierbei via mit der separaten Wasserzuleitung 37 verbundenen, zusätzlichen bzw. separaten Verteilungsmittel 38 in die Behandlungskammer eingeleitet werden. Alternativ wäre selbstverständlich auch ein Einleiten von Reinwasser via dieselben Verteilungsmittel 5, über welche die wässrige Behandlungsflüssigkeit in die Behandlungskammer 3 eingebracht wird, möglich.

[00123] Weiters kann es bei dem Verfahren zweckmäßig sein, in das Wasser in zumindest einer zu der Mischeinheit führenden Wasserleitung 20, 21, 22, 33 mittels einer Dosiereinheit 39 Kohlendioxid-Gas dosiert einzuleiten. Der Dosiereinheit 39 kann hierzu wie in Fig. 1 veranschaulicht Kohlendioxid-Gas aus einer externen Kohlendioxid-Versorgungseinrichtung via eine Kohlendioxidgas-Versorgungsleitung 40 zugeführt werden. Das so zugeführte Gas kann dann via eine Kohlendioxidgas- Zuleitung 42 in die zumindest eine zu der Mischeinheit 28 führende Wasserleitung 20, 21, 22, 33, im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 in die Hauptwasserleitung 33, eingeleitet werden. Die Dosierung des Kohlendioxid-Gases kann hierbei mittels des in Fig. 1 gezeigten Gasfluss-Regulierungsmittel 44 bewerkstelligt werden. Hierbei kann wie ebenfalls in der Fig. 1 veranschaulicht, in der zumindest einen zu der Mischeinheit 28 führenden Wasserleitung 20, 21, 22, 33, in welche das Kohlendioxid-Gas eingeleitet wird, eine Leitfähigkeit des Wassers mittels eines Leitfähigkeitssensors 46 ermittelt werden und auf Basis der ermittelten Leitfähigkeitsmessdaten die Kohlendioxidgas-Flussrate mittels des Gasfluss-Regulierungsmittels 44 gesteuert werden.

[00124] Bei einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens kann außerdem vorgesehen sein, dass wenigstens eine Teilmenge des der Mischeinheit 28 zugeführten Wassers vor der Zuführung in die Mischeinheit 28 mittels einer Heizeinrichtung 47 erwärmt wird. Hierzu kann wie aus der Fig. 1 ersichtlich mittels des bereits obenstehend beschriebenen 3-Wege-Umschaltmittels 49 das gesamte Wasser oder eben nur eine Teilmenge des Wassers über die parallel zur Hauptwasserleitung 33 verlaufende Wasser-Bypassleitung 48 der Heizeinrichtung zugeführt und hierin bzw. hiermit erwärmt werden, bevor das Wasser der Mischeinheit 28 zugeführt wird.

[00125] Zur Steuerung und Überwachung der beschriebenen Verfahrensschritte können diverse Messparameter, beispielsweise Flussraten, Temperaturen oder Drücke, mittels Sensoren ermittelt werden. Beispiele für den Einsatz zweckmäßiger Sensoren wurden bereits obenstehend anhand der Beschreibung der Behandlungsvorrichtung 1 angegeben und wird hier auf diese obenstehende Beschreibung verwiesen. Selbstverständlich kann jedweder verfahrenstechnische Aspekt, welcher ansteuerbare Vorrichtungen, Mittel und Sensoren involviert, in an sich bekannter Art und Weise mittels einer in der Fig. 1 nicht dargestellten, elektronischen Steuerungsvorrichtung automatisiert gesteuert ausgeführt werden.

[00126] Die Ausführungsbeispiele zeigen mögliche Ausführungsvarianten, wobei an dieser Stelle bemerkt sei, dass die Erfindung nicht auf die speziell dargestellten Ausführungsvarianten derselben eingeschränkt ist, sondern vielmehr auch diverse Kombinationen der einzelnen Ausführungsvarianten untereinander möglich sind und diese Variationsmöglichkeit aufgrund der Lehre zum technischen Handeln durch gegenständliche Erfindung im Können des auf diesem technischen Gebiet tätigen Fachmannes liegt.

[00127] Der Schutzbereich ist durch die Ansprüche bestimmt. Die Beschreibung und die Zeichnungen sind jedoch zur Auslegung der Ansprüche heranzuziehen. Einzelmerkmale oder Merkmalskombinationen aus den gezeigten und beschriebenen unterschiedlichen Ausführungsbeispielen können für sich eigenständige erfinderische Lösungen darstellen. Die den eigenständigen erfinderischen Lösungen zugrundeliegende Aufgabe kann der Beschreibung entnommen werden.

[00128] Sämtliche Angaben zu Wertebereichen in gegenständlicher Beschreibung sind so zu verstehen, dass diese beliebige und alle Teilbereiche daraus mitumfassen, z.B. ist die Angabe 1 bis 10 so zu verstehen, dass sämtliche Teilbereiche, ausgehend von der unteren Grenze 1 und

der oberen Grenze 10 mit umfasst sind, d.h. sämtliche Teilbereiche beginnen mit einer unteren Grenze von 1 oder größer und enden bei einer oberen Grenze von 10 oder weniger, z.B. 1 bis 1,7, oder 3,2 bis 8,1, oder 5,5 bis 10.

[00129] Der Ordnung halber sei abschließend darauf hingewiesen, dass zum besseren Verständnis des Aufbaus Elemente teilweise unmaßstäblich und/oder vergrößert und/oder verkleinert dargestellt wurden.

BEZUGSZEICHENLISTE

1 Behandlungsvorrichtung 29 Absperrmittelblock 2 Halbleiterobjekt 30 3-Wege-Umschaltvorrichtung 3 Behandlungskammer 31 Bypass-Leitung 4 Halterungsmittel 32 Durchflussregulierungsmittel 5 Verteilungsmittel 33 Hauptwasserleitung 6 Abfluss 34 Durchflusssensor 7 Versorgungseinrichtung 35 Drucksensor 8 Chemikalienversorgungsein- 36 Temperatursensor heit 37 Wasserzuleitung 9 Chemikalienbehältnis 38 Verteilungsmittel 10 Chemikalienbehältnis 39 Dosiereinheit 11 Chemikalienbehältnis 40 Kohlendioxidgas-Versorgungs12 Versorgungsleitung leitung 13 Chemikalientransportleitung 41 Gasabsperrventil 14 Chemikalientransportleitung 42 Kohlendioxidgas-Zuleitung 15 Chemikalientransportleitung 43 Gasdruck-Regulierventil 16 Chemikalienfördervorrichtung 44 Gasfluss-Regulierungsmittel 17 Chemikalienfördervorrichtung 45 Gas-Drucksensor 18 Chemikalienfördervorrichtung 46 Leitfähigkeitssensor 19 Wasserversorgungseinheit 47 Heizeinrichtung 20 Wasserleitung 48 Wasser-Bypassleitung 21 Wasserleitung 49 3-Wege-Umschaltmittel

22 Wasserleitung

23 Wasserversorgungsleitung

24 Behandlungsflüssigkeitszuleitung 25 Absperrmittel

26 Absperrmittel

27 Absperrmittel

28 Mischeinheit

Claims

Patentansprüche

1. Behandlungsvorrichtung (1), ausgebildet zur Behandlung von Halbleiterobjekten (2) mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit, aufweisend

eine Behandlungskammer (3) mit im Inneren der Behandlungskammer (3) angeordneten Halterungsmitteln (4) zur Halterung der Halbleiterobjekte (2) und mit in der Behandlungskammer (3) angeordneten Verteilungsmitteln (5) zum Verteilen der wässrigen Behandlungsflüssigkeit auf die in der Behandlungskammer (3) gehalterten Halbleiterobjekte (2)

eine Versorgungseinrichtung (7) zur Beschickung der Verteilungsmittel (5) in der Behandlungskammer (3) mit der wässrigen Behandlungsflüssigkeit, wobei die Versorgungseinrichtung (7) umfasst,

eine Chemikalienversorgungseinheit (8) mit mindestens zwei Chemikalienbehältnissen (9, 10 ‚11), ausgebildet zur Bevorratung von mindestens zwei unterschiedlichen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien,

wobei jedem der Chemikalienbehältnisse (9, 10 ‚11) stromabwärts jeweils eine Chemikalientransportleitung (13, 14, 15), sowie jeweils eine Chemikalienfördervorrichtung (16, 17, 18) zum Entnehmen der Behandlungschemikalien oder der wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien zugeordnet ist,

und eine Wasserversorgungseinheit (19) zur Bereitstellung von Wasser, insbesondere von entionisiertem Wasser,

dadurch gekennzeichnet, dass

die Wasserversorgungseinheit (19) zumindest zwei Wasserleitungen (20, 21, 22) zur Führung des Wassers aufweist, wobei die zumindest zwei Wasserleitungen (20, 21, 22) der Wasserversorgungseinheit (19) und die Chemikalientransportleitungen (13, 14, 15) der Chemikalienversorgungseinheit (8) direkt oder indirekt und/oder über wenigstens ein öffenbares und verschließbares Absperrmittel (25, 26, 27) mit einer einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) verbunden sind und hierdurch eine Mischeinheit (28) gebildet ist, wobei die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) mit den in der Behandlungskammer (3) angeordneten Verteilungsmitteln (5) leitungsverbunden ist,

wobei stromaufwärts der Verbindung mit der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) jede der Wasserleitungen (20, 21, 22) mit zumindest einer Chemikalientransportleitung (13, 14, 15) verbunden ist.

2. Behandlungsvorrichtung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Chemikalienversorgungseinheit (8) mindesten drei Chemikalienbehältnisse (9, 10, 11) umfasst.

3. Behandlungsvorrichtung (1) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein erstes Chemikalienbehältnis (9) zur Bevorratung von konzentrierter Schwefelsäure ausgebildet ist, ein zweites Chemikalienbehältnis (10) zur Bevorratung einer wässrigen Lösung von Wasserstoffperoxid ausgebildet ist, und ein drittes Chemikalienbehältnis (11) zur Bevorratung von verdünnter Flusssäure ausgebildet ist.

4. Behandlungsvorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass in der Mischeinheit (28) jede zu der Mischeinheit (28) verbundene Wasserleitung (20, 21, 22) jeweils in ein öffenbares und verschließbares Absperrmittel (25, 26, 27) mündet, welche Absperrmittel (25, 26, 27) stromabwärts miteinander leitungsverbunden sind, sodass durch die Absperrmittel (25, 26, 27) ein Absperrmittelblock (29) gebildet ist, wobei die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) mit diesem Absperrmittelblock (29) leitungsverbunden ist.

5. Behandlungsvorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anzahl an zu der Mischeinheit (28) verbundenen Wasserleitungen (20, 21, 22) der Anzahl der zu der Mischeinheit (28) verbundenen Chemikalientransportleitungen (13, 14, 15) entspricht, wobei in der Mischeinheit (28) jeweils nur eine Chemikalientransportleitung (13,

10.

Ästerreichisches AT 526 426 B1 2024-03-15

14, 15) in genau eine der zu der Mischeinheit (28) verbundenen Wasserleitungen (20, 21, 22) mündet.

Behandlungsvorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Versorgungseinrichtung (7) weiters eine Dosiereinheit (39) zur dosierten Einleitung von Kohlendioxid-Gas in zumindest eine zu der Mischeinheit (28) führende Wasserleitung (20, 21, 22, 33) umfasst.

Behandlungsvorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Wasserversorgungseinheit (19) weiters eine Heizeinrichtung (47) zum Erwärmen des Wassers, insbesondere des entionisierten Wassers umfasst.

Behandlungsvorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen (9, 10, 11) jeweils eine 3Wege-Umschaltvorrichtung (30) und jeweils eine in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis (9, 10, 11) zurückführende Bypass-Leitung (31) zugeordnet sind.

Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten (2) mit einer wässrigen Behandlungsflüssigkeit, umfassend

Bevorraten von mindestens zwei unterschiedlichen Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien in mindestens zwei hierzu ausgestalteten Chemikalienbehältnissen (9, 10, 11) einer Chemikalienversorgungseinheit

(8),

Bereitstellen von Wasser, insbesondere von entionisiertem Wasser mittels einer Wasserversorgungseinheit (19),

wobei zumindest eine Wasserleitung (20, 21, 22) der Wasserversorgungseinheit (19) zu einer Mischeinheit (28) der Versorgungseinrichtung (7) verbunden ist und das Wasser der Mischeinheit (28) mittels dieser zumindest einen zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitung (20, 21, 22) zugeführt wird,

Entnahme der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien aus den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen (9, 10, 11) und Zuführung der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien in die Mischeinheit (28) mittels mindestens zwei Chemikalientransportleitungen (13, 14, 15) und mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen (16, 17, 18), welche mindestens zwei Chemikalientransportleitungen (13, 14, 15) den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen (13, 14, 15) stromabwärts jeweils zugeordnet sind, und welche mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen (13, 14, 15) jeweils zugeordnet sind,

Bildung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit durch Vereinigen der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien und des Wassers in der Mischeinheit (28), dadurch, dass in der Mischeinheit (28) die zumindest eine Wasserleitung (20, 21, 22) der Wasserversorgungseinheit (19) und die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen (13, 14, 15) der Chemikalienversorgungseinheit (8) direkt 0der indirekt und/oder über wenigstens ein öffenbares und verschließbares Absperrmittel (25) mit einer einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) verbunden sind,

und Zuführen der wässrigen Behandlungsflüssigkeit in eine Behandlungskammer (3) durch Zuleitung der wässrigen Behandlungsflüssigkeit zu in der Behandlungskammer (3) angeordneten Verteilungsmitteln (5) mittels der einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24), wobei die wässrige Behandlungsflüssigkeit mittels der in der Behandlungskammer (3) angeordneten Verteilungsmittel (5) auf die im Inneren der Behandlungskammer (3) mittels Halterungsmitteln (4) gehaltenen Halbleiterobjekte (2) verteilt wird.

Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Mischeinheit (28) Wasser mittels zumindest zwei zu der Mischeinheit verbundenen Wasserleitungen (20, 21, 22) der Wasserversorgungseinheit (19) zugeführt wird, wobei stromaufwärts der Verbindung mit der

einzelnen Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) in jede der Wasserleitungen (20, 21, 22) zumindest eine Behandlungschemikalie oder wässrige Lösung von einer Behandlungschemikalie eingeleitet wird.

11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens drei unterschiedliche Behandlungschemikalien oder wässrige Lösungen von unterschiedlichen Behandlungschemikalien in mindestens drei hierzu ausgestalteten Chemikalienbehältnissen (9, 10, 11) der Chemikalienversorgungseinheit (8) bevorratet werden.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Chemikalienbehältnis (9) konzentrierte Schwefelsäure bevorratet wird, in einem zweiten Chemikalienbehältnis (10) eine wässrige Lösung von Wasserstoffperoxid bevorratet wird und in einem dritten Chemikalienbehältnis (11) verdünnte Flusssäure bevorratet wird.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12 dadurch gekennzeichnet, dass der Mischeinheit (28) Wasser mittels der mindestens zwei zu der Mischeinheit (28) verbundenen Wasserleitungen (20, 21, 22) über den mindestens zwei Wasserleitungen (20, 21, 22) jeweils zugeordnete, geöffnete Absperrmittel (25, 26, 27) zugeführt wird, wobei die Absperrmittel (25, 26, 27) stromabwärts miteinander leitungsverbunden sind sodass durch die Absperrmittel (25, 26, 27) ein Absperrmittelblock (29) gebildet wird, und wobei die in der Mischeinheit (28) gebildete Behandlungsflüssigkeit aus dem Absperrmittelblock (29) in die einzelne Behandlungsflüssigkeitszuleitung (24) abgegeben wird.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass in der Mischeinheit (28) aus jeweils nur einer der mindestens zwei Chemikalientransportleitungen (13, 14, 15) jeweils nur eine der mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien stromaufwärts des Absperrmittelblocks (29) in jeweils genau eine der mindestens zwei zu der Mischeinheit (28) verbundenen Wasserleitungen (20, 21, 22) eingeleitet wird.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass in das Wasser in zumindest einer zu der Mischeinheit führenden Wasserleitung (20, 21, 22, 33) mittels einer Dosiereinheit (39) Kohlendioxid-Gas dosiert eingeleitet wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Teilmenge des der Mischeinheit (28) zugeführten Wassers vor der Zuführung in die Mischeinheit (28) mittels einer Heizeinrichtung (47) erwärmt wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien vor deren Verwendung zur Behandlung der Halbleiterobjekte (2) in der Behandlungskammer (3) mittels der Chemikalienfördervorrichtungen (16, 17, 18) über jeweils den mindestens zwei Chemikalienbehältnissen (9, 10, 11) zugeordnete 3-Wege-Umschaltvorrichtungen (30) und jeweils in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis (9, 10, 11) zurückführende BypassLeitungen (31) im Kreis in das jeweils zugehörige Chemikalienbehältnis (9, 10, 11) gepumpt werden, und die mindestens zwei Behandlungschemikalien oder wässrigen Lösungen von Behandlungschemikalien für die Verwendung zur Behandlung der Halbleiterobjekte (2) in der Behandlungskammer (3) der Mischeinheit (28) mittels den mindestens zwei Chemikalienfördervorrichtungen (16, 17, 18) durch Umschalten der 3-Wege-Umschaltvorrichtungen (31) über die mindestens zwei Chemikalientransportleitungen (13, 14, 15) zugeführt werden.

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