JP5040746B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、例えばフリップチップやＢＧＡ（Ball Grid Array）を有する電子部品、及びその製造方法に関する。
図９は一般的な電子部品を示し、図９［１］は平面図、図９［２］は側面図である。以下、この図面に基づき説明する。
電子部品１００は、複数の電極パッド１０１を有するＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）チップ１０２と、複数の電極パッド１０３を有する樹脂基板１０４と、電極パッド１０１と電極パッド１０３とを対向させて接続する複数のはんだバンプ１０５と、を備えたものである。はんだバンプ１０５は、いわゆる「樽型」を呈している。ＬＳＩチップ１０２はシリコンからなり、樹脂基板１０４は合成樹脂からなる。
ここで、電子部品１００自体が発熱したり、電子部品１００が実装されている装置が発熱したりすると、ＬＳＩチップ１０２と樹脂基板１０４との線膨張係数の違いに起因して、はんだバンプ１０５に応力が発生する。このとき、はんだバンプ１０５の形状が樽型であるので、ＬＳＩチップ１０２とはんだバンプ１０５の接合部及び樹脂基板１０４とはんだバンプ１０５の接合部（以下単に「接合部」という。）に、大きな応力集中が発生する。
この応力集中を緩和する技術（以下「関連技術」という。）が、下記の特許文献に開示されている。
第一の関連技術は、はんだバンプの溶融時に樹脂基板に対してＬＳＩチップを引き上げることにより、はんだバンプをいわゆる「鼓型」にする技術である（特許文献１）。鼓型のはんだバンプは、樽型のはんだバンプに比べて、接触角が小さいため、接合部の応力集中が緩和される。
第二の関連技術は、ＬＳＩチップの電極パッドのピッチを樹脂基板の電極パッドのピッチよりも予め大きくしておくことにより、変形したはんだバンプを形成する技術である（特許文献２）。ＬＳＩチップの熱膨張係数は、樹脂基板の熱膨張係数よりも小さい。そのため、ＬＳＩチップの電極パッドのピッチを樹脂基板の電極パッドのピッチよりも予め大きくしておくと、はんだバンプ溶融後の接合部の応力集中が緩和される。
また、接合部の応力集中は、ＬＳＩチップ及び樹脂基板の中心から離れるにつれて大きくなる。そのため、第二の関連技術では、ＬＳＩチップ及び樹脂基板の中心から離れるにつれて、ＬＳＩチップの電極パッドと樹脂基板の電極パッドとのずれを大きくしている。
特開平１０−２２３６９３号公報（図２等） 特開平２００５−３４０６７４号公報（図４等）
しかしながら、上記関連技術では、次のような課題がある。
第一の関連技術では、はんだバンプの溶融時に樹脂基板に対してＬＳＩチップを引き上げる際に、精密な引き上げ装置が必要となる。また、鼓型のはんだバンプは、ＬＳＩチップ全体及び樹脂基板全体で、均一な形状となる。そのため、接合部の応力集中の分布に合わせて、はんだバンプの形状を変えることができない。
第二の関連技術では、ＬＳＩチップの電極パッドのピッチを、樹脂基板の電極パッドのピッチよりも、予め大きくする必要がある。ところが、一般のＬＳＩチップ及び樹脂基板では、両者の電極パッドのピッチが同じである。そのため、第二の関連技術は、一般のＬＳＩチップ及び樹脂基板に適用することができない。
そこで、本発明の目的は、はんだバンプの接合部の応力集中を緩和できる電子部品であって、精密な引き上げ装置がなくても製造でき、しかも一般の基板にも適用できる電子部品、及びその製造方法を提供することにある。
本発明に係る電子部品は、複数の第一の電極パッドを有する第一の基板と、複数の第二の電極パッドを有する第二の基板と、複数の第一の電極パッドと複数の第二の電極パッドとを対向させて接続する複数のはんだバンプと、を備えている。そして、複数の第一の電極パッドのピッチと複数の第二の電極パッドのピッチとは、同じである。はんだバンプを介して対向する第一の電極パッドと第二の電極パッドとは、互いに平行にずれている。
本発明に係る電子部品の製造方法は、複数の第一の電極パッドを有する第一の基板と、複数の第二の電極パッドを有する第二の基板と、複数の第一の電極パッドと複数の第二パッドとを対向させて接続する複数のはんだバンプと、を備えた電子部品を製造する方法である。そして、本発明に係る電子部品の製造方法は、第一の電極と第二の電極との間に挟まれたはんだを溶融したまま、第一の電極及び第二の電極の一方を他方に対して平行にずらす第一工程と、第一の電極及び第二の電極を互いに平行にずらしたままはんだを固化することにより、はんだバンプを形成する第二工程と、を含む。
本発明に係る電子部品によれば、第一の電極パッドと第二の電極パッドとが互いに平行にずれていることにより、これらの間のはんだバンプが引き伸ばされて鼓型に近い形状になるので、接合部の応力集中を緩和できる。これに加え、第一の基板及び第二の基板の両者の電極パッドのピッチは同じであるから、一般的な第一の基板及び第二の基板を用いることができる。しかも、本発明に係る電子部品を製造するのに、精密な引き上げ装置は不要であるので、製造装置の選択の幅を広げることができる。
図１は本発明の第一実施形態に係る電子部品を示し、図１［１］は平面図、図１［２］は側面図である。以下、この図面に基づき説明する。
本実施形態の電子部品１０は、複数の電極パッド１１を有するＬＳＩチップ１２と、複数の電極パッド１３を有する樹脂基板１４と、複数の電極パッド１１と複数の電極パッド１３とを対向させて接続する複数のはんだバンプ１５と、を備えている。電極パッド１１のピッチと電極パッド１３のピッチとは、同じである。はんだバンプ１５を介して対向する電極パッド１１と電極パッド１３とは、互いに平行にずれている。
なお、図面では、わかりやすくするために、はんだバンプ１５を他の部分よりも拡大して示している。また、図１［２］の側面図では、わかりやすくするために、中央の二つのはんだバンプ１５として、外周のものではなく、中心Ｏ近傍のものを示している。
電極パッド１１，１３は、例えば銅などの導電性に優れた金属からなり、その表面にはんだ濡れ性に優れた例えば金やはんだ合金の皮膜が形成されている。電極パッド１１，１３の平面形状は、円である。ＬＳＩチップ１２は、例えばシリコンからなる。樹脂基板１４は、例えば一般的な合成樹脂からなる。はんだバンプ１５は、例えば一般的な鉛フリーはんだからなる。ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４の平面形状は、四角形である。
電極パッド１１は特許請求の範囲における「第一の電極パッド」に相当し、電極パッド１３は同じく「第二の電極パッド」に相当する。電極パッド１１，１３の配置は、エリアアレイ型としたが、例えばペリフェラル型としてもよい。電極パッド１１，１３の個数は、３６個としたが、これに限らず複数ならば何個でもよい。電極パッド１１，１３の平面形状は、例えば四角形、多角形、楕円などであってもよい。
ＬＳＩチップ１２は特許請求の範囲における「第一の基板」及び「半導体チップ」に相当し、樹脂基板１４は同じく「第二の基板」に相当する。第一の基板は、ＬＳＩチップ１２に代えて、他の半導体チップや、多くの電子部品が実装された基板などを用いてもよい。第二の基板は、樹脂基板１４に代えて、セラミックス基板やガラス基板などを用いてもよく、また半導体チップを用いてもよい。ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４は、それぞれ一枚の合計二枚としたが、これに限らず合計三枚以上を積層してもよい。ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４の平面形状は、例えば多角形、円、楕円などであってもよい。
次に、電子部品１０の作用及び効果について説明する。
電極パッド１１と電極パッド１３とに挟まれたはんだバンプ１５は、電極パッド１１と電極パッド１３とが互いに平行にずれているので、引き伸ばされて鼓型に近い形状になっている。したがって、本実施形態の電子部品１０によれば、はんだバンプ１５の接触角を樽型のはんだバンプの接触角よりも小さくできるので、接合部の応力集中を緩和できる。また、ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４の両者の電極パッド１１，１３のピッチは同じであるから、一般的なＬＳＩチップ及び樹脂基板を用いることができる。更に、電子部品１０を製造するのに、精密な引き上げ装置は不要である。
電極パッド１１と電極パッド１２とのずれは、ＬＳＩチップ１２又は樹脂基板１４の中心Ｏから離れるにつれて大きくなっている。はんだバンプ１５の接合部の応力集中は、中心Ｏから離れるにつれて大きくなる。そこで、この応力集中の分布に対応して、電極パッド１１と電極パッド１３とのずれを変えている。これにより、はんだバンプ１５の接合部の応力集中を更に緩和できる。
中心Ｏから最も離れた位置にある電極パッド１１と電極パッド１３とのずれは、電極パッド１１又は電極パッド１２の一個分程度、換言するとはんだバンプ１５の直径程度である。このずれは、大きいほど応力を緩和できるが、あまりに大きいとはんだバンプ１５が製造中に引きちぎれるおそれがあるので、この程度以下とすることが好ましい。
半導体チップであるＬＳＩチップ１２の熱膨張係数は、樹脂基板１４の熱膨張係数よりもかなり小さい。そのため、本実施形態では、熱応力がかなり大きくなるので、本発明の効果が極めて大きい。
図２乃至図４は、第一実施形態に係る電子部品の製造方法を示す平面図及び側面図である。以下、図１乃至図４に基づき説明する。
まず、図２に示すように、樹脂基板１４の電極パッド１３上に、例えばスクリーン印刷技術を用いてクリーム状のはんだ１６を供給する。そして、はんだ１６の上に、電極パッド１１を位置合わせして、ＬＳＩチップ１２を搭載する。
続いて、図３に示すように、ＬＳＩチップ１２と樹脂基板１４とを加熱することにより、はんだ１６を溶融する。このとき、溶融しているはんだ１６の形状は樽型である。また、ＬＳＩチップ１２は、例えば真空吸着冶具１７を用いて固定する。
続いて、図４に示すように、はんだ１６を溶融したまま、真空吸着冶具１７を用いてＬＳＩチップ１２を樹脂基板１４に平行に回転させる。この回転の中心は、ＬＳＩチップ１２又は樹脂基板１４の中心Ｏに一致させる。この回転の角度θは、最外周のはんだバンプ１５において、電極パッド１１，１３のずれが例えばはんだバンプ１５の直径程度になるような値とする。例えば、中心Ｏから最外周のはんだバンプ１５までの距離をｒとし、はんだバンプ１５の直径をｄとすると、θ＝tan-1（ｄ／ｒ）となる。
最後に、図４に示すまま、すなわちＬＳＩチップ１２の回転位置を保持したまま、ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４を冷却することにより、はんだ１６を固化する。その結果、図１に示すように、はんだバンプ１５の形状は、ＬＳＩチップ１２の中心Ｏから離れるほど引き伸ばされた形状となる。
以上のように、本実施形態の製造方法は、複数の電極パッド１１を有するＬＳＩチップ１２と、複数の電極パッド１３を有する樹脂基板１４と、複数の電極パッド１１と複数の電極パッド１３とを対向させて接続する複数のはんだバンプ１５と、を備えた電子部品１０を製造する方法である。そして、本実施形態の製造方法は、電極パッド１１と電極パッド１３との間に挟まれたはんだ１６を溶融したまま、電極パッド１１及び電極パッド１３の一方を他方に対して平行にずらす第一工程（図４）と、電極パッド１１及び電極パッド１３を互いに平行にずらしたままはんだ１６を固化することにより、はんだバンプ１５を形成する第二工程（図４）とを含む。
本実施形態の製造方法によれば、はんだバンプ１５の接触角を樽型のはんだバンプの接触角よりも小さくできるので、接合部の応力集中を緩和できる。また、電子部品１０を製造するのに、精密な引き上げ装置は不要である。更に、電極パッド１１，１３のそれぞれのピッチを同じにすれば、一般的なＬＳＩチップ及び樹脂基板を用いることができる。ただし、本実施形態の製造方法では、ＬＳＩチップ及び樹脂基板の両者の電極パッドのピッチが同じものに限定せず、ＬＳＩチップ及び樹脂基板の両者の電極パッドのピッチが異なるものを用いてもよい。
第一工程では、ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４の一方を他方に対して回転させることにより、電極パッド１１及び電極パッド１３の一方を他方に対して平行にずらしている。このとき、回転の中心をＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４の中心Ｏに一致させている。また、このとき、中心Ｏから最も離れた位置にある電極パッド１１と電極パッド１２とのずれを、電極パッド１１，１３又ははんだバンプ１５の一個分以内としている。
また、第一工程に代えて、電極パッド１１及び電極パッド１３の一方を他方に対して予め平行にずらしておき、すなわち予め角度θだけ回転させておき、電極パッド１１と電極パッド１３との間に挟まれたはんだ１６を溶融する工程としてもよい。つまり、はんだ１６を溶融した後に角度θだけ回転させるのではなく、角度θだけ回転させた後にはんだ１６を溶融してもよい。
次に、本実施形態の電子部品１０及びその製造方法について、更に詳しく説明する。
本実施形態の電子部品１０は、ＬＳＩチップ１２と樹脂基板１４とをはんだバンプ１５を用いて接続する実装構造において、ＬＳＩチップ１２を回転させて実装することにより、はんだバンプ１５の形状がＬＳＩチップ１２の外周部に行くほど引き伸ばされている。すなわち、電子部品１０では、ＬＳＩチップ１２の中心Ｏを回転軸としてＬＳＩチップ１２をわずかに回転させることで、はんだバンプ１５の形状を外周部に行くほど伸ばされた形状にする。これにより、はんだバンプ１５の応力集中を緩和できる。また、ＬＳＩチップ１２は、ＬＳＩチップ１２の中心Ｏを回転軸として、ＬＳＩチップ１２の最外周のはんだバンプ１５がはんだバンプ１５の直径長さ分移動する程度に、回転させている。
電子部品１０によれば、はんだバンプ１５がＬＳＩチップ１２の外周部に行くほど伸びた形状をしていることにより、ＬＳＩチップ１２の中心Ｏから外周部に行くほどはんだバンプ１５の応力集中を緩和できるので、はんだバンプ１５の接続信頼性を向上できる。
図５は、本実施形態の電子部品におけるはんだバンプの熱応力シミュレーション結果を示す斜視図である。図６及び図７はその比較例であり、図６は樽型のはんだバンプの熱応力シミュレーション結果を示す斜視図であり、図７は鼓型のはんだバンプの熱応力シミュレーション結果を示す斜視図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
熱応力シミュレーションは、１２＋×１２の合計１４４個のはんだバンプに対して行った。本実施形態と比較例とは、はんだバンプの形状以外は同じ条件にした。図面では、中央にシミュレーションの対象となるはんだバンプの形状及び配列を示し、その周囲に四隅のはんだバンプの各応力値を付記した。図面中のスケール係数は、変形状態を実際の変形量よりも誇張して、わかりやすく表現するための倍率である。スケール係数の数値は、解析モデル最長寸法の１０％に最大変形量がなるように設定される。
四隅のはんだバンプは、ＬＳＩチップの中心から最も遠くなるので、最も応力が大きくなる。図示するように、最大の応力値は、本実施形態におけるはんだバンプで２３８４［ＭＰａ］、樽型のはんだバンプで３１８６［ＭＰａ］、鼓型のはんだバンプで１６５７［ＭＰａ］であった。この結果から、本実施形態によれば、鼓型のはんだバンプには及ばないが、一般的な樽型のはんだバンプに比べて応力を約２５％低減できる。
［第二実施形態］
図８は本発明の第二実施形態に係る電子部品を示し、図８［１］は平面図、図８［２］は側面図である。以下、この図面に基づき説明する。ただし、図１と同じ部分は同じ符号を付すことにより説明を省略する。
本実施形態の電子部品２０は、複数の電極パッド１１を有するＬＳＩチップ１２と、複数の電極パッド１３を有する樹脂基板１４と、複数の電極パッド１１と複数の電極パッド１３とを対向させて接続する複数のはんだバンプ２５とを備えている。電極パッド１１のピッチと電極パッド１３のピッチとは、同じである。はんだバンプ２５を介して対向する電極パッド１１と電極パッド１３とは、互いに平行にずれている。はんだバンプ２５は、例えば一般的な鉛フリーはんだからなる。
本実施形態の電子部品２０は、電極パッド１１と電極パッド１３とのずれが、ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４における位置に関係なく均一である。本実施形態によれば、はんだバンプ２５の構造が単純であるので、製造が容易である。なお、図面では、わかりやすくするために、はんだバンプ２５を他の部分よりも拡大して示している。
次に、第二実施形態に係る電子部品の製造方法を、図２、図３及び図８に基づき説明する。
まず、図２及び図３に示す第一実施形態と同じようにして、溶融した樽型のはんだを形成する。続いて、図８に示すように、はんだを溶融したまま、例えば真空吸着冶具を用いてＬＳＩチップ１２を樹脂基板１４に対して一方向（図８では左方向）かつ平行に移動する。この移動の距離Ｌすなわち電極パッド１１，１３のずれは、例えば電極パッド１１，１３の一個分程度又ははんだバンプ２５の直径程度になるような値とする。この距離Ｌは、大きいほど応力を緩和できるが、あまりに大きいとはんだバンプ２５が製造中に引きちぎれるおそれがあるので、この程度以下とすることが好ましい。
最後に、図８に示すまま、すなわちＬＳＩチップ１２の移動位置を保持したまま、ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４を冷却することにより、はんだを固化する。その結果、はんだバンプ２５は、ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４における位置に関係なく同じ形状となる。
以上のように、本実施形態の製造方法は、複数の電極パッド１１を有するＬＳＩチップ１２と、複数の電極パッド１３を有する樹脂基板１４と、複数の電極パッド１１と複数の電極パッド１３とを対向させて接続する複数のはんだバンプ２５と、を備えた電子部品２０を製造する方法である。そして、本実施形態の製造方法は、電極パッド１１と電極パッド１３との間に挟まれたはんだを溶融したまま、電極パッド１１及び電極パッド１３の一方を他方に対して平行にずらす第一工程（図８）と、電極パッド１１及び電極パッド１３を互いに平行にずらしたままはんだを固化することにより、はんだバンプ２５を形成する第二工程（図８）とを含む。
本実施形態の製造方法によれば、はんだバンプ２５の接触角を樽型のはんだバンプの接触角よりも小さくできるので、接合部の応力集中を緩和できる。また、電子部品２０を製造するのに、精密な引き上げ装置は不要である。更に、電極パッド１１，１３のそれぞれのピッチを同じにすれば、一般的なＬＳＩチップ及び樹脂基板を用いることができる。ただし、本実施形態の製造方法では、ＬＳＩチップ及び樹脂基板の両者の電極パッドのピッチが同じものに限定せず、ＬＳＩチップ及び樹脂基板の両者の電極パッドのピッチが異なるものを用いてもよい。
また、第一工程では、ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４の一方を他方に対して一方向に移動することにより、電極パッド１１及び電極パッド１３の一方を他方に対して平行にずらしている。本実施形態の製造方法によれば、電極パッド１１，１３をずらす工程が単純であるので、製造が容易である。例えば、樽型の形状のはんだを溶融したまま、ＬＳＩチップ１２及び樹脂基板１４を水平から傾けるだけでも、引き伸ばされた形状のはんだバンプ２５が得られる。
更に、第一工程に代えて、電極パッド１１及び電極パッド１３の一方を他方に対して予め平行にずらしておき、すなわち予め距離Ｌだけ移動しておき、電極パッド１１と電極パッド１３との間に挟まれたはんだを溶融する工程としてもよい。つまり、はんだを溶融した後に距離Ｌだけ移動するのではなく、距離Ｌだけ移動した後にはんだを溶融してもよい。
次に、本実施形態の電子部品２０及びその製造方法について更に詳しく説明する。
本実施形態の電子部品２０では、ＬＳＩチップ１２の移動について更に工夫している。つまり、ＬＳＩチップ１２を樹脂基板１４に対して、一方向かつ平行に移動させている。この移動する距離Ｌは、例えばはんだバンプ２５の直径分である。このようにＬＳＩチップ１２を移動することによって、はんだバンプ２５が引き伸ばされた形状になるので、応力集中を緩和することができる。この移動方向は、ＬＳＩチップ１２の各辺に平行な方向でも対角線方向でもよい。このように、本実施形態では、はんだバンプ２５が引き伸ばされた形状になっていることにより、はんだバンプ２５の応力集中を緩和できるので、はんだバンプ２５の接続信頼性を向上できる。その他の作用及び効果は、第一実施形態と同様である。
［その他］
以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
本発明の第一実施形態に係る電子部品を示し、図１［１］は平面図、図１［２］は側面図である。 第一実施形態に係る電子部品の製造方法を示す平面図及び側面図（その１）である。 第一実施形態に係る電子部品の製造方法を示す平面図及び側面図（その２）である。 第一実施形態に係る電子部品の製造方法を示す平面図及び側面図（その３）である。 第一本実施形態におけるはんだバンプの熱応力シミュレーション結果を示す斜視図である。 比較例におけるはんだバンプの熱応力シミュレーション結果を示す斜視図（その１）である。 比較例におけるはんだバンプの熱応力シミュレーション結果を示す斜視図（その２）である。 本発明の第二実施形態に係る電子部品を示し、図８［１］は平面図、図８［２］は側面図である。 一般的な電子部品を示し、図９［１］は平面図、図９［２］は側面図である。
符号の説明
１０，２０ 電子部品
１１ 電極パッド（第一の電極パッド）
１２ ＬＳＩチップ（第一の基板）
１３ 電極パッド（第二の電極パッド）
１４ 樹脂基板（第二の基板）
１５，２５ はんだバンプ
１６ はんだ
１７ 真空吸着冶具

Claims (7)

  1. 複数の第一の電極パッドを有する第一の基板と、複数の第二の電極パッドを有する第二の基板と、前記複数の第一の電極パッドと前記複数の第二の電極パッドとを対向させて接続する複数のはんだバンプと、を備えた電子部品において、
    前記複数の第一の電極パッドのピッチと前記複数の第二の電極パッドのピッチとは同じであり、
    前記はんだバンプを介して対向する前記第一の電極パッドと前記第二の電極パッドとは互いに平行にずれており、
    前記第一の電極パッドと前記第二の電極パッドとのずれは、前記第一の基板又は前記第二の基板の中心から離れるにつれて大きくなる、
    ことを特徴とする電子部品。
  2. 前記中心から最も離れた位置にある前記第一の電極パッドと前記第二の電極パッドとのずれは、当該第一の電極パッド、当該第二の電極パッド又は前記はんだバンプの一個分以内である、
    ことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
  3. 前記第一の基板が半導体チップであり、前記第二の基板が樹脂基板である、
    ことを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品。
  4. 複数の第一の電極パッドを有する第一の基板と、複数の第二の電極パッドを有する第二の基板と、複数の前記第一の電極パッドと複数の前記第二パッドとを対向させて接続する複数のはんだバンプと、を備えた電子部品を製造する方法であって、
    前記第一の電極と前記第二の電極との間に挟まれたはんだを溶融したまま、前記第一の基板及び前記第二の基板の一方を他方に対して回転させることにより、前記第一の電極及び前記第二の電極の一方を他方に対して平行にずらす第一工程と、
    前記第一の電極及び前記第二の電極を互いに平行にずらしたまま前記はんだを固化することにより、前記はんだバンプを形成する第二工程と、
    を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
  5. 前記回転の中心を第一の基板又は前記第二の基板の中心に一致させる、
    ことを特徴とする請求項４記載の電子部品の製造方法。
  6. 前記中心から最も離れた位置にある前記第一の電極パッドと前記第二の電極パッドとのずれを、当該第一の電極パッド、当該第二の電極パッド又は前記はんだバンプの一個分以内とする、
    ことを特徴とする請求項５記載の電子部品の製造方法。
  7. 前記第一の基板が半導体チップであり、前記第二の基板が樹脂基板である、
    ことを特徴とする請求項４、５又は６記載の電子部品の製造方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8381965B2 (en) 2010-07-22 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compress bonding
US8360303B2 (en) * 2010-07-22 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Forming low stress joints using thermal compress bonding
US8104666B1 (en) 2010-09-01 2012-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes
US8177862B2 (en) 2010-10-08 2012-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Thermal compressive bond head
US8729699B2 (en) 2011-10-18 2014-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Connector structures of integrated circuits
US9842817B2 (en) * 2012-02-27 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Solder bump stretching method and device for performing the same
JP7000693B2 (ja) 2017-03-30 2022-01-19 日本電気株式会社 半導体装置の接合構造および実装構造体並びに接合方法
JP7078821B2 (ja) * 2017-04-28 2022-06-01 東北マイクロテック株式会社 固体撮像装置
US11676932B2 (en) * 2019-12-31 2023-06-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor interconnect structures with narrowed portions, and associated systems and methods

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3611795A (en) * 1969-04-28 1971-10-12 Ibm Chip torque testing
US4032058A (en) * 1973-06-29 1977-06-28 Ibm Corporation Beam-lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam-leads with corresponding dielectric substrate leads
JPS57112039A (en) * 1980-12-29 1982-07-12 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US4581680A (en) * 1984-12-31 1986-04-08 Gte Communication Systems Corporation Chip carrier mounting arrangement
JPH0616521B2 (ja) * 1986-05-29 1994-03-02 日本電信電話株式会社 半導体装置
US5311405A (en) * 1993-08-02 1994-05-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for aligning and attaching a surface mount component
US5907187A (en) * 1994-07-18 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component and electronic component connecting structure
US6335222B1 (en) * 1997-09-18 2002-01-01 Tessera, Inc. Microelectronic packages with solder interconnections
US6222277B1 (en) * 1999-06-23 2001-04-24 Emc Corporation Non-collapsing interconnection for semiconductor devices
JP2001060759A (ja) * 1999-08-19 2001-03-06 Yaskawa Electric Corp 電子部品のボール端子接続構造
JP2001156432A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Opnext Japan Inc モジュール及び電子部品の実装方法
US6657124B2 (en) * 1999-12-03 2003-12-02 Tony H. Ho Advanced electronic package
KR100443504B1 (ko) * 2001-06-12 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 볼 그리드 어레이 패키지 구조 및 그 제조방법
US6974330B2 (en) * 2002-08-08 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Electronic devices incorporating electrical interconnections with improved reliability and methods of fabricating same

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