TWI817771B - 顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種顯示裝置,包括:電路基板、多個接墊組以及多個發光元件。多個接墊組設置於電路基板上,且各接墊組包括第一接墊、第二接墊及第三接墊,其中第一接墊、第二接墊及第三接墊彼此分離,且第三接墊環繞第一接墊。多個發光元件設置於電路基板之上,且各發光元件包括第一電極、第二電極以及位於第一電極與第二電極之間的發光疊層,其中第一電極電性連接第一接墊,且第二電極電性連接第二接墊及/或第三接墊。
Description
本發明是有關於一種顯示裝置。
微型發光二極體(Micro-LED)顯示裝置具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。由於微型發光二極體的尺寸極小,目前製作微型發光二極體顯示裝置的方法是採用巨量轉移(Mass Transfer)技術,亦即利用微機電陣列技術進行微型發光二極體晶粒取放,以將大量的微型發光二極體晶粒一次搬運到電路基板上。然而,微型發光二極體晶粒在巨量轉移的過程中常有傾倒的情況發生,導致顯示裝置的生產良率不佳,且重工不易。
本發明提供一種顯示裝置,具有提高的生產良率。
本發明的一個實施例提出一種顯示裝置,包括:電路基板;多個接墊組,設置於電路基板上,且各接墊組包括第一接墊、第二接墊及第三接墊,其中第一接墊、第二接墊及第三接墊彼此分離,且第三接墊環繞第一接墊;以及多個發光元件,設置於電路基板之上,且各發光元件包括第一電極、第二電極以及位於第一電極與第二電極之間的發光疊層,其中第一電極電性連接第一接墊,且第二電極電性連接第二接墊及/或第三接墊。
在本發明的一實施例中,上述的第一接墊與第二接墊具有不同電位。
在本發明的一實施例中,上述的第二接墊與第三接墊具有相同電位。
在本發明的一實施例中,上述的第三接墊具有圓環狀輪廓。
在本發明的一實施例中,上述的第三接墊的環寬度介於1μm至3μm。
在本發明的一實施例中,上述的第三接墊的部分位於第一接墊與第二接墊之間。
在本發明的一實施例中,上述的第一接墊的中心至第三接墊的任一部分的中心的間距皆相等。
在本發明的一實施例中,上述的間距近似於發光元件的高度。
在本發明的一實施例中,上述的多個發光元件中的第一發光元件的第二電極電性連接第二接墊,且多個發光元件中的第二發光元件的第二電極電性連接第三接墊。
在本發明的一實施例中,上述的第二發光元件的第二電極與第三接墊具有相互匹配的表面輪廓。
在本發明的一實施例中,上述的第二發光元件的第二電極的表面實體接觸第三接墊。
在本發明的一實施例中,上述的第一發光元件的第二電極與電路基板的間距大於第二發光元件的第二電極與電路基板的間距。
在本發明的一實施例中,上述的多個發光元件中的第一發光元件的第二電極電性連接第二接墊,且多個發光元件中的第三發光元件的第二電極電性連接第二接墊及第三接墊。
在本發明的一實施例中,上述的第一發光元件的第二電極與電路基板的間距大於第三發光元件的第二電極與電路基板的間距。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中,相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反地,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,「連接」可以指物理及/或電性連接。再者,「電性連接」或「耦接」可為二元件間存在其它元件。
應當理解,儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分,但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此,下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非內容清楚地指示,否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式,包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的,術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解,當在本說明書中使用時,術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在,但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外,諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係,如圖所示。應當理解,相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此,示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向,取決於附圖的特定取向。類似地,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此,示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此,可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此,本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀,而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如,示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外,所示的銳角可以是圓的。因此,圖中所示的區域本質上是示意性的,並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀,並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置10的上視示意圖。圖1B是圖1A的顯示裝置10的接墊組120的放大上視圖。圖1C是沿圖1A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔,圖1A示意性繪示顯示裝置10的基板110、發光元件130、子畫素PXs以及驅動元件DC,並省略其他構件。
請參照圖1A至圖1C,顯示裝置10包括:電路基板110;多個接墊組120,設置於電路基板110上,且各接墊組120包括第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123,其中第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123彼此分離,且第三接墊123環繞第一接墊121;以及多個發光元件130,設置於電路基板110上,各發光元件130包括第一電極131、第二電極132以及位於第一電極131與第二電極132之間的發光疊層133,其中第一電極131電性連接第一接墊121,且第二電極132電性連接第二接墊122或第三接墊123。
在本發明的一實施例的顯示裝置10中,藉由設置環繞第一接墊121的第三接墊123,能夠使傾倒的發光元件130正常運作,進而提高顯示裝置10的生產良率。以下,配合圖1A至圖1C,繼續說明顯示裝置10的各個元件的實施方式,但本發明不以此為限。
具體而言,顯示裝置10可包括多個子畫素PXs,且多個子畫素PXs可呈陣列排列,但本發明不以此為限。在一些實施例中,顯示裝置10還可以包括驅動元件DC,且驅動元件DC可以電性連接子畫素PXs,以傳遞訊號至發光元件130。舉例而言,發光元件130電性連接至第一接墊121及第二接墊122,而驅動元件DC可以分別電性連接第一接墊121及第二接墊122。在一些實施例中,多個子畫素PXs中的第一接墊121彼此分離,而獨立地接收由驅動元件DC提供的訊號。在一些實施例中,多個子畫素PXs中的第二接墊122可彼此電性相連或是在操作時被施加相同的共用電壓。在一些實施例中,驅動元件DC可為接合至電路基板110的晶片或直接形成於電路基板110中的電路元件(包含主動元件、被動元件或其組合)。
顯示裝置10的每個子畫素PXs例如包括電路基板110、第一接墊121、第二接墊122、第三接墊123以及發光元件130。第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123配置於電路基板110的表面上,且發光元件130的第一電極131電性連接至第一接墊121,發光元件130的第二電極132電性連接至第二接墊122及/或第三接墊123。
在一些實施例中,電路基板110可以包括底板112以及驅動電路層114。電路基板110的底板112可以是透明基板或非透明基板,其材質可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他適當材質,但本發明不以此為限。驅動電路層114可包括顯示裝置10需要的元件或線路,例如驅動元件、開關元件、儲存電容、電源線、驅動訊號線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線等等。
在一些實施例中,可以利用薄膜沉積製程、光罩製程以及蝕刻製程,在底板112上形成驅動電路層114,且驅動電路層114可以包括主動元件陣列,其中主動元件陣列包括排列成陣列的多個主動元件,例如薄膜電晶體。
在一些實施例中,驅動電路層114包括多個主動元件116以及佈線層118。在其他實施例中,驅動電路層114還可以視需要包括其他元件,例如被動元件。
主動元件116可由半導體層CH、閘極GE、源極SE與汲極DE所構成。半導體層CH重疊閘極GE的區域可視為主動元件116的通道區。閘極GE、源極SE以及汲極DE彼此電性分別,且源極SE及汲極DE可分別電性連接半導體層CH的兩端。閘極GE及源極SE可分別接收來自例如驅動元件DC的訊號。半導體層CH的材質可包括矽質半導體材料(例如多晶矽、非晶矽等)、氧化物半導體材料、有機半導體材料,但本發明不限於此。閘極GE、源極SE與汲極DE的材質可包括導電性良好的金屬,例如鋁、鉬、鈦、銅等金屬。
佈線層118可以位於多個主動元件116之上。在一些實施例中,佈線層118可以包括多個絕緣層IL以及多個導線層CL,其中多個導線層CL藉由多個絕緣層IL的分隔而形成多條導電線路,使得各個主動元件116能夠電性連接例如對應的發光元件130。如此一來,驅動元件DC能夠藉由控制發送至主動元件116的訊號來控制發光元件130的操作。
在一些實施例中,各個子畫素PXs可以包括一組接墊組120,但本發明不限於此。在某些實施例中,各個子畫素PXs可以包括兩組或更多組接墊組120。如圖1B所示,各接墊組120的第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123可以設置於佈線層118上,且分別電性連接佈線層118中對應的導線層CL或導電線路。在一些實施例中,第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123可以屬於相同膜層或位於相同平面上,且第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123的圖案彼此分離。在一些實施例中,第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123中具有相同電位者可以通過佈線層118中對應的導線層CL或導電線路彼此電性連接。在一些實施例中,第一接墊121與第二接墊122可以具有不同電位。在一些實施例中,第二接墊122與第三接墊123可以具有相同電位。在一些實施例中,第三接墊123可以通過佈線層118中對應的導線層CL或導電線路電性連接至第二接墊122。
在一些實施例中,第三接墊123包括多個部分,例如第三接墊123可以包括上部AT、下部AB、左部AL以及右部AR,且第一接墊121的中心CE至上部AT的中心的間距ST、第一接墊121的中心CE至下部AB的中心的間距SB、第一接墊121的中心CE至左部AL的中心的間距SL以及第一接墊121的中心CE至右部AR的中心的間距SR皆相等。
在一些實施例中,第三接墊123具有環繞第一接墊121的圓環狀輪廓,且前述的上部AT、下部AB、左部AL以及右部AR皆位於圓環狀輪廓內。在某些實施例中,第一接墊121可以重疊圓環狀輪廓的中心。在一些實施例中,第三接墊123的環寬度RW介於1μm至3μm。在一些實施例中,第三接墊123的部分(例如左部AL)位於第一接墊121與第二接墊122之間。
在一些實施例中,第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123可以具有單層結構或多層以上的導電層層疊的結構。舉例而言,第一接墊121、第二接墊122及第三接墊123可以分別具有鋁、鉬、鈦、銅等金屬與銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)或其他適合的導電氧化物層疊的結構,但本發明不以此為限。
在一些實施例中,第一接墊121通過佈線層118中對應的導線層CL或導電線路電性連接主動元件116的汲極DE,但本發明不限於此。在其他實施例中,第二接墊122或第三接墊123也可以電性連接主動元件116的汲極DE。
在一些實施例中,發光元件130的第一電極131及第二電極132分別電性連接發光疊層133中的不同層。舉例而言,發光疊層133可以包括兩層半導體層及夾於上述的兩層半導體層之間的發光層,且第一電極131可電性連接上述的兩層半導體層中的一層,而第二電極132可電性連接上述的兩層半導體層中的另一層。在一些實施例中,發光元件130的第一電極131及第二電極132分別位於發光疊層133的兩側,且第一電極131、第二電極132及發光疊層133在垂直方向上排列疊構。在一些實施例中,發光元件130為垂直式(Vertical)微型發光二極體。在一些實施例中,第一電極131及第二電極132的材質可包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其他合適的材料或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層或其他低阻值的材料。
在一些實施例中,多個發光元件130可以皆為藍色發光二極體,且顯示裝置10可以另包括設置於多個發光元件130上的色轉換層(圖未示),色轉換層可以包括螢光粉或類似性質的波長轉換材料,以讓藍色發光二極體所發出的藍色光線轉換成不同色彩的光線而實現全彩化的顯示效果。在其他的實施例中,多個發光元件130可以包括多個紅色發光二極體、多個綠色發光二極體及多個藍色發光二極體,從而實現全彩化的顯示效果。當多個發光元件130本身的發光色彩不同時,前述的色轉換層可選擇性的被省略或是保留於顯示裝置10中。在另外一些實施例中,多個發光元件130可以皆是白色發光二極體,而色轉換層可以是彩色濾光層以實現全彩化的顯示效果。
在一些實施例中,顯示裝置10的多個發光元件130包括發光元件130A以及發光元件130B,其中發光元件130A的第二電極132電性連接第二接墊122,且發光元件130B的第二電極132電性連接第三接墊123。
舉例而言,發光元件130A是於生長基板上製造後透過巨量轉移製程轉置於電路基板110上、且未傾倒的發光元件,且發光元件130A的第一電極131可被轉置於第一接墊121上。在一些實施例中,第一電極131可以透過金屬、導電膠或其他導電材料電性連接至第一接墊121。
在一些實施例中,顯示裝置10還包括具有多個開口OP的覆蓋層140,覆蓋層140覆蓋多組接墊組120的第三接墊123以及發光元件130A的第一電極131及發光疊層133,且覆蓋層140露出發光元件130A的第二電極132,覆蓋層140的多個開口OP露出多組接墊組120的第二接墊122。覆蓋層140的材質可以包括透明的絕緣材料,例如有機材料、壓克力(acrylic)材料、矽氧烷(siloxane)材料、聚醯亞胺(polyimide)材料、環氧樹脂(epoxy)材料等,但本發明不限於此。
在一些實施例中,顯示裝置10還可以包括導線層150,導線層150位於覆蓋層140上,且導線層150將開口OP露出的第二接墊122電性連接至覆蓋層140露出的、對應的第二電極132。
在一些實施例中,發光元件130B是在巨量轉移製程的過程中傾倒的發光元件,且發光元件130B的第二電極132落於第三接墊123上。在某些實施例中,發光元件130B的第二電極132與第三接墊123具有相互匹配的表面輪廓,如此一來,第二電極132的表面能夠實體接觸第三接墊123,或是透過其他導電材連接第三接墊123,使得第二電極132能夠電性連接第三接墊123,因此,傾倒的發光元件130B能夠正常運作,且不需對發光元件130B進行修補製程即可提高顯示裝置10的生產良率。在某些實施例中,發光元件130B的第二電極132的表面具有階梯狀輪廓,且第三接墊123的表面也具有與第二電極132的表面相互匹配的階梯狀輪廓,藉以提高第二電極132與第三接墊123之間的導通率。
在一些實施例中,為了使第二電極132的表面能夠實體接觸第三接墊123,第一接墊121的中心至第三接墊123的任一部分的中心的間距SA近似於發光元件130B的高度HD。在某些實施例中,第三接墊123的環寬度RW近似於發光元件130B的第二電極132的厚度TE。在一些實施例中,發光元件130A的第二電極132與電路基板110的間距S1大於發光元件130B的第二電極132與電路基板110的間距S2。
以下,使用圖2繼續說明本發明的其他實施例,並且,沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與相關內容,其中,採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明,可參考圖1A至圖1B的實施例,在以下的說明中不再重述。
圖2是依照本發明一實施例的顯示裝置20的局部剖面示意圖。顯示裝置20包括:電路基板110、多個接墊組120以及多個發光元件130,且各發光元件130包括第一電極131、第二電極132以及發光疊層133。
與如圖1A至圖1C所示的顯示裝置10相比,圖2所示的顯示裝置20的不同之處主要在於:顯示裝置20的多個發光元件130包括發光元件130A及發光元件130C,其中發光元件130A的第二電極132電性連接第二接墊122,且發光元件130C的第二電極132電性連接第二接墊122及第三接墊123。
舉例而言,顯示裝置20還可以包括位於發光元件130與第三接墊123之間的覆蓋層141,發光元件130A是在形成覆蓋層141的過程中未傾倒的發光元件,而發光元件130C是在形成覆蓋層141的過程中傾倒的發光元件。
在一些實施例中,覆蓋層141具有露出第二接墊122的開口O1,且顯示裝置20還可以包括位於覆蓋層141上的導線層151,導線層151能夠通過開口O1將發光元件130C的第二電極132以及第三接墊123電性連接至開口O1露出的第二接墊122,使得發光元件130C的第二電極132同時電性連接第二接墊122以及第三接墊123。在某些實施例中,導線層151的部分151a位於發光元件130A的第二電極132上。
在一些實施例中,顯示裝置20還可以包括覆蓋層142以及導線層152,其中覆蓋層142位於導線層151上,導線層152位於覆蓋層142及導線層151的部分151a上。覆蓋層142可以具有重疊開口O1的開口O2,且導線層152能夠通過開口O2將發光元件130A的第二電極132電性連接至第二接墊122上的導線層151。由於發光元件130C傾倒,發光元件130A的第二電極132與電路基板110的間距S1會大於發光元件130C的第二電極132與電路基板110的間距S3。另外,雙層的覆蓋層141、142及導線層151、152的疊構還能夠加強發光元件130A、130C的穩固性。
綜上所述,本發明的顯示裝置藉由設置環繞第一接墊的第三接墊,能夠使傾倒的發光元件正常運作,從而提高顯示裝置的生產良率。另外,本發明的顯示裝置還能夠藉由設置雙層的覆蓋層及導線層來加強發光元件的穩固性。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10,20:顯示裝置
110:基板
112:底板
114:驅動電路層
116:主動元件
118:佈線層
120:接墊組
121:第一接墊
122:第二接墊
123:第三接墊
130,130A,130B,130C:發光元件
131:第一電極
132:第二電極
133:發光疊層
140,141,142:覆蓋層
150,151,152:導線層
151a:部分
A-A’:剖面線
AB:下部
AL:左部
AR:右部
AT:上部
CE:中心
CH:半導體層
CL:導線層
DC:驅動元件
DE:汲極
GE:閘極
HD:高度
IL:絕緣層
O1,O2,OP:開口
PS:接墊組
PXs:子畫素
RW:環寬度
S1~S3,SA,SB,SL,SR,ST:間距
SE:源極
TE:厚度
圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置10的上視示意圖。
圖1B是圖1A的顯示裝置10的接墊組120的放大上視圖。
圖1C是沿圖1A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。
圖2是依照本發明一實施例的顯示裝置20的局部剖面示意圖。
10:顯示裝置
110:基板
112:底板
114:驅動電路層
116:主動元件
118:佈線層
120:接墊組
121:第一接墊
122:第二接墊
123:第三接墊
130,130A,130B:發光元件
131:第一電極
132:第二電極
133:發光疊層
140:覆蓋層
150:導線層
CH:半導體層
CL:導線層
DE:汲極
GE:閘極
HD:高度
IL:絕緣層
OP:開口
RW:環寬度
S1,S2,SA:間距
SE:源極
TE:厚度
Claims (14)
- 一種顯示裝置,包括: 電路基板; 多個接墊組,設置於所述電路基板上,且各所述接墊組包括第一接墊、第二接墊及第三接墊,其中所述第一接墊、所述第二接墊及所述第三接墊彼此分離,且所述第三接墊環繞所述第一接墊;以及 多個發光元件,設置於所述電路基板之上,且各所述發光元件包括第一電極、第二電極以及位於所述第一電極與所述第二電極之間的發光疊層,其中所述第一電極電性連接所述第一接墊,且所述第二電極電性連接所述第二接墊及/或所述第三接墊。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述第一接墊與所述第二接墊具有不同電位。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述第二接墊與所述第三接墊具有相同電位。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述第三接墊具有圓環狀輪廓。
- 如請求項4所述的顯示裝置,其中所述第三接墊的環寬度介於1μm至3μm。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述第三接墊的部分位於所述第一接墊與所述第二接墊之間。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述第一接墊的中心至所述第三接墊的任一部分的中心的間距皆相等。
- 如請求項7所述的顯示裝置,其中所述間距近似於所述發光元件的高度。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述多個發光元件中的第一發光元件的所述第二電極電性連接所述第二接墊,且所述多個發光元件中的第二發光元件的所述第二電極電性連接所述第三接墊。
- 如請求項9所述的顯示裝置,其中所述第二發光元件的所述第二電極與所述第三接墊具有相互匹配的表面輪廓。
- 如請求項10所述的顯示裝置,其中所述第二發光元件的所述第二電極的表面實體接觸所述第三接墊。
- 如請求項9所述的顯示裝置,其中所述第一發光元件的所述第二電極與所述電路基板的間距大於所述第二發光元件的所述第二電極與所述電路基板的間距。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中所述多個發光元件中的第一發光元件的所述第二電極電性連接所述第二接墊,且所述多個發光元件中的第三發光元件的所述第二電極電性連接所述第二接墊及所述第三接墊。
- 如請求項13所述的顯示裝置,其中所述第一發光元件的所述第二電極與所述電路基板的間距大於所述第三發光元件的所述第二電極與所述電路基板的間距。
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TW202221828A (zh) * | 2020-11-23 | 2022-06-01 | 美商伊樂視有限公司 | 基於流體組裝的微型發光二極體顯示器的巨量轉移方法 |
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- 2023-03-06 CN CN202310204547.2A patent/CN115985922A/zh active Pending
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