TWI635605B - 微型發光二極體顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種微型發光二極體顯示面板包括基板、多個微型發光二極體以及多個強化結構。所述多個微型發光二極體設置於基板的一側，其中各個微型發光二極體包括磊晶層與電性連接磊晶層的電極層，且各個電極層位於基板與對應的磊晶層之間。各個微型發光二極體透過對應的電極層電性連接基板。各個電極層包括第一電極與第二電極。所述多個強化結構分別設置於所述多個微型發光二極體與基板之間，且各個強化結構位於對應的第一電極與第二電極之間。各個強化結構的楊氏係數小於對應的電極層的楊氏係數。
Description
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種微型發光二極體顯示面板。
微型發光二極體顯示器具有低功耗、高亮度、高色彩飽和度、反應速度快以及省電等優點，不僅如此，微型發光二極體顯示器更具有材料穩定性佳與無影像殘留(image sticking)等優勢。因此，微型發光二極體顯示器的顯示技術的發展備受關注。
就製程上而言，在將微型發光二極體自成長基板轉移至驅動電路基板的過程中，需對微型發光二極體進行加熱加壓，以使微型發光二極體電性接合於驅動電路基板。然而，在此轉移過程中，容易造成微型發光二極體損傷，甚至是碎裂，以致於後續製作得到的微型發光二極體顯示器的可靠度不佳。
本發明提供一種微型發光二極體顯示面板，其具有良好的可靠度。
本發明一實施例的微型發光二極體顯示面板包括基板、多個微型發光二極體以及多個強化結構。所述多個微型發光二極體設置於基板的一側，其中各個微型發光二極體包括磊晶層與電性連接磊晶層的電極層，且各個電極層位於基板與對應的磊晶層之間。各個微型發光二極體透過對應的電極層電性連接基板，其中各個電極層的厚度與對應的磊晶層的厚度的比值介於0.3至0.5之間，且各個電極層包括分隔設置的第一電極與第二電極。所述多個強化結構分別設置於所述多個微型發光二極體與基板之間，且各個強化結構位於對應的第一電極與第二電極之間，其中各個強化結構的楊氏係數小於對應的電極層的楊氏係數。
在本發明的一實施例中，上述的各個磊晶層包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層，各個第一型半導體層與對應的第二型半導體層分別位於對應的發光層的相對兩側，其中各個第一電極電性接觸對應的第一型半導體層，且各個第二電極透過貫穿對應的第一型半導體層與發光層的導電通孔電性接觸對應的第二型半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的各個導電通孔的深度與對應的磊晶層的厚度的比值介於0.15至0.35之間。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光二極體的邊長介於3至100微米之間，且各個第一電極與對應的第二電極之間的間隙介於1至30微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的各個第一電極與對應的第二電極之間的間隙與對應的微型發光二極體的邊長的比值介於0.1至0.25之間。
在本發明的一實施例中，上述的各個第一電極具有第一內側面，且各個第二電極具有第二內側面，各個第一內側面面向於對應的第二內側面，且各個強化結構接觸對應的第一內側面與第二內側面。
在本發明的一實施例中，上述的基板包括多個支撐結構、多個第一接墊與多個第二接墊，各個第一電極電性接觸對應的第一接墊，各個第二電極電性接觸對應的第二接墊，且各個支撐結構與對應的強化結構相抵接。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光二極體的第一電極具有面對基板的第一接合面，各個強化結構具有面對基板的頂面，各個第一接合面與對應的頂面之間的段差小於等於對應的第一電極的厚度的50%。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光二極體的第二電極具有面對基板的第二接合面，各個強化結構的頂面凸出於對應的第一接合面與第二接合面。
在本發明的一實施例中，上述的基板包括多個第一接墊與多個第二接墊，各個第一電極電性接觸對應的第一接墊，各個第二電極電性接觸對應的第二接墊，且各個強化結構插入對應的第一接墊與第二接墊之間。
在本發明的一實施例中，上述的至少其中一個強化結構具有第一高度，且至少另一個強化結構的具有第二高度，第一高度大於第二高度。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光二極體的電極層透過接合層電性連接基板。至少其中一個接合層具有第一厚度，且至少另一個接合層具有第二厚度，第一厚度大於第二厚度。
基於上述，本發明的微型發光二極體顯示面板中的多個微型發光二極體上分別設有強化結構，在將所述多個微型發光二極體轉移至基板並進行加熱加壓的過程中，強化結構可起緩衝的效用，故能防止所述多個微型發光二極體於受壓時產生破損或碎裂，藉以提高微型發光二極體顯示面板的可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是本發明第一實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，微型發光二極體顯示面板100包括基板110、多個微型發光二極體120以及多個強化結構130，其中基板110可為設有驅動電路(未繪示)的驅動電路基板，基板110的表面111設有與驅動電路(未繪示)電性連接的多個接墊對112，且每一個接墊對112包括第一接墊113與第二接墊114。
所述多個微型發光二極體120設置於基板110的一側，即所述多個微型發光二極體120設置於表面111上。各個微型發光二極體120包括磊晶層121與電性連接磊晶層121的電極層122，且各個電極層122位於基板110與對應的磊晶層121之間。各個微型發光二極體120透過對應的電極層122電性連接基板110，其中各個電極層122的厚度d1與對應的磊晶層121的厚度d2的比值介於0.3至0.5之間。倘若各個電極層122的厚度d1過厚，則各個磊晶層121與基板110之間的間隙隨之加大，且各個微型發光二極體120的結構強度也隨之減弱。另一方面，倘若各個電極層122的厚度d1過薄，則會造成導電效果不佳或電流分布不均勻。
各個電極層122包括分隔設置的第一電極123與第二電極124，其中第一電極123對應於第一接墊113設置，且第二電極124對應於第二接墊114設置。在將微型發光二極體120轉移至基板110，並使微型發光二極體120電性接合於基板110的過程中，需先於接墊對112上設置焊料，或者是於電極層122上設置焊料，其中焊料的材質可以是銦、錫、金、其他導電金屬或導電合金。接著，使第一電極123對準第一接墊113，並使第二電極124對準第二接墊114。接著，使第一電極123透過焊料接觸第一接墊113，並使第二電極124透過焊料接觸第二接墊114。最後，進行加壓加熱的步驟，回焊後的焊料可形成接合層125而使微型發光二極體120電性接合於基板110，進一步而言，各個第一電極123透過對應的接合層125電性接觸對應的第一接墊113，且各個第二電極124透過對應的接合層125電性接觸對應的第二接墊114。
另一方面，各個磊晶層121包括第一型半導體層126、發光層127以及第二型半導體層128，其中各個第一型半導體層126與對應的第二型半導體層128分別位於對應的發光層127的相對兩側，且各個發光層127連接對應的第一型半導體層126與第二型半導體層128。進一步而言，各個第一電極123電性接觸對應的第一型半導體層126，且各個第二電極124透過貫穿對應的第一型半導體層126與發光層127的導電通孔129電性接觸對應的第二型半導體層128。
在本實施例中，各個導電通孔129的深度d3與對應的磊晶層121的厚度d2的比值介於0.15至0.35之間，其中各個導電通孔129的深度d3係由對應的第一型半導體層126設有第二電極124的表面起算到各個導電通孔129穿入對應的第二型半導體層128的末緣。倘若各個導電通孔129的深度d3過淺，則不僅會導致電流分布不均勻，也不易使電流自第二電極124流入第二型半導體層128。另一方面，倘若各個導電通孔129的深度d3過深，則磊晶層121容易於受壓時碎裂。
在本實施例中，各個微型發光二極體120的邊長L介於3至100微米之間，且各個微型發光二極體的第一電極123與第二電極124之間的間隙G介於1至30微米之間。進一步而言，各個微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124之間的間隙G與對應的微型發光二極體120的邊長L的比值介於0.1至0.25之間。倘若間隙G過小，則各個微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124可能因接合層125的搭接而造成短路。倘若間隙G過大，則各個微型發光二極體120的第一電極123的面積與第二電極124的面積隨之縮減，使得各個微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124不易對準對應的接墊對112，導致各個微型發光二極體120的第一電極123及第二電極124與對應的接墊對112的接合良率下滑。
請繼續參考圖1，所述多個強化結構130分別設置於所述多個微型發光二極體120與基板110之間，進一步而言，各個微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124之間設有一個強化結構130，且各個強化結構130與對應的第一電極123及第二電極124皆設置於對應的第一型半導體層126的同一表面上。強化結構130的材質可以是有機材料(例如光阻、樹脂或高分子材料)、無機材料(例如氧化矽或)氧化氮)或有機無機混合材料，且各個強化結構130的楊氏係數(Young’s modulus)小於對應的電極層122的楊氏係數。換句話說，在一定應力作用下，強化結構130所產生的彈性變形量較電極層122所產生的彈性變形量為大。因此，在將微型發光二極體120轉移至基板110並進行加熱加壓的過程中，強化結構130可起緩衝的效用，藉以防止磊晶層121於受壓時產生破損或碎裂。在本實施例中，強化結構130的材質為有機材料，例如是苯並環丁烯(benzocyclobutene，BCB)或聚醯亞胺(polyimide，PI)等，且強化結構130的楊氏係數介於2.5GPa至5GPa，較佳地，強化結構130的楊氏係數介於2.9GPa至3.6GPa。
在本實施例中，各個第一電極123具有第一內側面123a，其中各個第二電極124具有第二內側面124a，各個第一內側面123a面向於對應的第二內側面124a，且各個強化結構130接觸對應的第一內側面123a與第二內側面124a。另一方面，各個微型發光二極體120的第一電極123具有面對基板110的第一接合面123b，各個微型發光二極體120的第二電極124具有面對基板110的第二接合面124b，且各個第一電極123的第一接合面123b及各個第二電極124的第二接合面124b分別接觸對應的接合層125。
各個強化結構130具有面對基板110的頂面131，各個第一電極123的第一接合面123b與對應的強化結構130的頂面131之間的段差小於等於對應的第一電極123的厚度(即電極層122的厚度d1)的50%。在本實施例中，各個強化結構130的頂面131凸出於對應的第一接合面123b與第二接合面124b(即頂面131與第一型半導體層126之間的距離大於第一接合面123b或第二接合面124b與第一型半導體層126之間的距離)，其中各個強化結構130插入對應的第一接墊113與第二接墊114之間，且各個強化結構130的頂面131與基板110的表面111相接觸，以起緩衝與支撐的效用。另一方面，各個強化結構130也可起對位的效用，也就是說，在將各個微型發光二極體120轉移至基板110的過程中，使各個微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124能分別確實地對準對應的第一接墊113與第二接墊114，以提高接合良率。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅。
圖2是本發明第二實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖2，本實施例的微型發光二極體顯示面板100A與第一實施例的微型發光二極體顯示面板100的差異在於：本實施例的基板110a更包括多個支撐結構115a，且成對設置的第一接墊113與第二接墊114之間設有至少一個支撐結構115a。所述多個支撐結構115a較佳是由絕緣材質所構成，但不限於此。舉例來說，所述多個支撐結構115a的數量實質上等於所述多個強化結構130a的數量，其中各個強化結構130a的頂面131a與對應的第一接合面123b及第二接合面124b齊平(即頂面131a與第一型半導體層126之間的距離等於第一接合面123b或第二接合面124b與第一型半導體層126之間的距離)，且各個支撐結構115a凸出於對應的第一接墊113與第二接墊114中接合層125所在的表面。在將各個微型發光二極體120轉移至基板110a並進行加熱加壓的過程中，各個支撐結構115a會與對應的強化結構130a的頂面131a相抵接，以起緩衝與支撐的效用。另一方面，支撐結構115a的截面形狀可為梯形，但本發明不限於此。
圖3是本發明第三實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖3，本實施例的微型發光二極體顯示面板100B與第一實施例的微型發光二極體顯示面板100的差異在於：本實施例的基板110b更包括多個支撐結構115b，且成對設置的第一接墊113與第二接墊114之間設有一個支撐結構115b。舉例來說，所述多個支撐結構115b可以是一體成型於表面111上，即所述多個支撐結構115b與基板110b為相同材質所構成，惟本發明不限於此。所述多個支撐結構115b的數量實質上等於所述多個強化結構130b的數量，其中各個強化結構130b的頂面131b內凹於對應的第一接合面123b及第二接合面124b(即頂面131b與第一型半導體層126之間的距離小於第一接合面123b或第二接合面124b與第一型半導體層126之間的距離)，且各個支撐結構115b凸出於對應的第一接墊113與第二接墊114上的接合層125。在將各個微型發光二極體120轉移至基板110並進行加熱加壓的過程中，各個支撐結構115b會插入對應的第一電極123與第二電極124之間並與對應的強化結構130b的頂面131b相抵接，以起緩衝、支撐以及對位的效用。另一方面，支撐結構115b的截面形狀可為矩形，但本發明不限於此。
圖4是本發明第四實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖4，本實施例的微型發光二極體顯示面板100C與第一實施例的微型發光二極體顯示面板100的差異在於：本實施例的基板110c更包括多個支撐結構115c，且成對設置的第一接墊113與第二接墊114之間設有一個支撐結構115c。舉例來說，所述多個支撐結構115c可以是一體成型於表面111上，即所述多個支撐結構115c與基板110c為相同材質所構成，惟本發明不限於此。所述多個支撐結構115c的數量實質上等於所述多個強化結構130c的數量，其中各個強化結構130c的頂面131c凸出於對應的第一接合面123b及第二接合面124b(即頂面131c與第一型半導體層126之間的距離大於第一接合面123b或第二接合面124b與第一型半導體層126之間的距離)，且各個支撐結構115c內凹於對應的第一接墊113與第二接墊114中接合層125所在的表面。在將各個微型發光二極體120轉移至基板110並進行加熱加壓的過程中，各個強化結構130c會插入對應的第一接墊113與第二接墊114之間並以其頂面131c與對應的支撐結構115c相抵接，以起緩衝、支撐以及對位的效用。另一方面，支撐結構115c的截面形狀可為矩形，但本發明不限於此。
圖5是本發明第五實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。本實施例的微型發光二極體顯示面板100D與第一實施例的微型發光二極體顯示面板100的差異在於：在本實施例中，多個微型發光二極體120分別與具有不同高度的多個強化結構130d相配合，進一步而言，所述多個微型發光二極體120可包括紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體，其中將所述多個微型發光二極體120轉移至基板110d的先後順序可為紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體，但本發明不限於前述轉移順序。
在本實施例中，最先轉移至基板110d的紅光微型發光二極體與高度為h1的強化結構130d相配合，後續轉移至基板110d的綠光微型發光二極體與高度為h2的強化結構130d相配合，最後轉移至基板110d的藍光微型發光二極體與高度為h3的強化結構130d相配合，其中高度h3大於高度h2，且高度h2大於高度h1。也就是說，較先轉移至基板110d的微型發光二極體120所配合的強化結構130d的高度較矮，後續轉移至基板110d的微型發光二極體120所配合的強化結構130d的高度較高。因此，較先轉移至基板110d的微型發光二極體120並不會在後續轉移其他微型發光二極體120至基板110d的過程中受壓而損壞，有助於提高良率。
另一方面，因各個強化結構130d的頂面131d與基板110的表面111相接觸而起緩衝與支撐的效用，在強化結構130d具有不同高度的情況下，所述多個微型發光二極體120的第一電極123的第一接合面123b(與第二電極124的第二接合面124b)相距基板110的表面111的距離也有所不同。進一步而言，與高度為h1的強化結構130d相配合的微型發光二極體120的第一電極123的第一接合面123b(與第二電極124的第二接合面124b)相距基板110的表面111的距離小於與高度為h2的強化結構130d相配合的微型發光二極體120的第一電極123的第一接合面123b(與第二電極124的第二接合面124b)相距基板110的表面111的距離，且與高度為h2的強化結構130d相配合的微型發光二極體120的第一電極123的第一接合面123b(與第二電極124的第二接合面124b)相距基板110的表面111的距離小於與高度為h3的強化結構130d相配合的微型發光二極體120的第一電極123的第一接合面123b(與第二電極124的第二接合面124b)相距基板110的表面111的距離。
承接上述，在接墊對112的厚度皆相等的情況下，用以電性連接基板110d及與高度為h1的強化結構130d相配合的微型發光二極體120的接合層125的厚度為d4，用以電性連接基板110d及與高度為h2的強化結構130d相配合的微型發光二極體120的接合層125的厚度為d5，且用以電性連接基板110d及與高度為h3的強化結構130d相配合的微型發光二極體120的接合層125的厚度為d6，厚度d6大於厚度d5，且厚度d5大於厚度d4。也就是說，若微型發光二極體120與高度較高的強化結構130d相配合，則對應於微型發光二極體120設置的接合層125的厚度較厚。
在其他實施例中，為使多個微型發光二極體背對基板的表面互為齊平，可減薄與高度較高的強化結構相配合的微型發光二極體的厚度，或增加與高度較矮的強化結構相配合的微型發光二極體的厚度。也就是說，所述多個微型發光二極體厚度至少其一的厚度可不同於所述多個微型發光二極體厚度至少另一的厚度。另一方面，也可對與所述多個微型發光二極體相配合的強化結構的高度進行調整，舉例來說，厚度較薄的微型發光二極體可與高度較高的強化結構相配合，且厚度較厚的微型發光二極體可與高度較矮的強化結構相配合，以改善平整度與顯示品質。
綜上所述，本發明的微型發光二極體顯示面板中的多個微型發光二極體上分別設有強化結構，在將所述多個微型發光二極體轉移至基板並進行加熱加壓的過程中，強化結構可起緩衝的效用。進一步而言，各個強化結構的楊氏係數小於對應的電極層的楊氏係數，換句話說，在一定應力作用下，強化結構所產生的彈性變形量較電極層所產生的彈性變形量為大，故能防止所述多個微型發光二極體於受壓時產生破損或碎裂，藉以提高微型發光二極體顯示面板的可靠度。另一方面，在將所述多個微型發光二極體轉移至基板並進行加熱加壓的過程中，各個強化結構可接觸基板或與基板上對應的支撐結構相接觸，以起緩衝與支撐的效用。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100A~100D‧‧‧微型發光二極體顯示面板
110、110a~110d‧‧‧基板
111‧‧‧表面
112‧‧‧接墊對
113‧‧‧第一接墊
114‧‧‧第二接墊
115a~115c‧‧‧支撐結構
120‧‧‧微型發光二極體
121‧‧‧磊晶層
122‧‧‧電極層
123‧‧‧第一電極
123a‧‧‧第一內側面
123b‧‧‧第一接合面
124‧‧‧第二電極
124a‧‧‧第二內側面
124b‧‧‧第二接合面
125‧‧‧接合層
126‧‧‧第一型半導體層
127‧‧‧發光層
128‧‧‧第二型半導體層
129‧‧‧導電通孔
130、130a~130d‧‧‧強化結構
131、131a~131d‧‧‧頂面
d1、d2、d4~d6‧‧‧厚度
d3‧‧‧深度
h1~h3‧‧‧高度
G‧‧‧間隙
L‧‧‧邊長
110、110a~110d‧‧‧基板
111‧‧‧表面
112‧‧‧接墊對
113‧‧‧第一接墊
114‧‧‧第二接墊
115a~115c‧‧‧支撐結構
120‧‧‧微型發光二極體
121‧‧‧磊晶層
122‧‧‧電極層
123‧‧‧第一電極
123a‧‧‧第一內側面
123b‧‧‧第一接合面
124‧‧‧第二電極
124a‧‧‧第二內側面
124b‧‧‧第二接合面
125‧‧‧接合層
126‧‧‧第一型半導體層
127‧‧‧發光層
128‧‧‧第二型半導體層
129‧‧‧導電通孔
130、130a~130d‧‧‧強化結構
131、131a~131d‧‧‧頂面
d1、d2、d4~d6‧‧‧厚度
d3‧‧‧深度
h1~h3‧‧‧高度
G‧‧‧間隙
L‧‧‧邊長
圖1是本發明第一實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖2是本發明第二實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖3是本發明第三實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖4是本發明第四實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖5是本發明第五實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。
Claims (12)
- 一種微型發光二極體顯示面板，包括： 一基板； 多個微型發光二極體，設置於該基板的一側，其中各該微型發光二極體包括一磊晶層與電性連接該磊晶層的一電極層，且各該電極層位於該基板與對應的該磊晶層之間，各該微型發光二極體透過對應的該電極層電性連接該基板，其中各該電極層的厚度與對應的該磊晶層的厚度的比值介於0.3至0.5之間，且各該電極層包括分隔設置的一第一電極與一第二電極；以及 多個強化結構，分別設置於該些微型發光二極體與基板之間，且各該強化結構位於對應的該第一電極與該第二電極之間，其中各該強化結構的楊氏係數小於對應的該電極層的楊氏係數。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該磊晶層包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，各該第一型半導體層與對應的該第二型半導體層分別位於對應的該發光層的相對兩側，其中各該第一電極電性接觸對應的該第一型半導體層，且各該第二電極透過貫穿對應的該第一型半導體層與該發光層的一導電通孔電性接觸對應的該第二型半導體層。
- 如申請專利範圍第2項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該導電通孔的深度與對應的該磊晶層的厚度的比值介於0.15至0.35之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該微型發光二極體的邊長介於3至100微米之間，且各該第一電極與對應的該第二電極之間的間隙介於1至30微米之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該第一電極與對應的該第二電極之間的間隙與對應的該微型發光二極體的邊長的比值介於0.1至0.25之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該第一電極具有一第一內側面，且各該第二電極具有一第二內側面，各該第一內側面面向於對應的該第二內側面，且各該強化結構接觸對應的該第一內側面與該第二內側面。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該基板包括多個支撐結構、多個第一接墊與多個第二接墊，各該第一電極電性接觸對應的該第一接墊，各該第二電極電性接觸對應的該第二接墊，且各該支撐結構與對應的該強化結構相抵接。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該微型發光二極體的該第一電極具有面對該基板的一第一接合面，各該強化結構具有面對該基板的一頂面，各該第一接合面與對應的該頂面之間的段差小於等於對應的該第一電極的厚度的50%。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該微型發光二極體的該第二電極具有面對該基板的一第二接合面，各該強化結構的該頂面凸出於對應的該第一接合面與該第二接合面。
- 如申請專利範圍第9項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該基板包括多個第一接墊與多個第二接墊，各該第一電極電性接觸對應的該第一接墊，各該第二電極電性接觸對應的該第二接墊，且各該強化結構插入對應的該第一接墊與該第二接墊之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該些強化結構的至少其一具有一第一高度，且該些強化結構的至少另一具有一第二高度，該第一高度大於該第二高度。
- 如申請專利範圍第11項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該微型發光二極體的該電極層透過一接合層電性連接該基板，該些接合層的至少其一具有一第一厚度，且該些接合層的至少另一具有一第二厚度，該第一厚度大於該第二厚度。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI685945B (zh) * | 2018-12-04 | 2020-02-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型半導體元件結構 |
| TWI690079B (zh) * | 2018-12-04 | 2020-04-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型半導體元件結構 |
| CN111276470A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型半导体元件结构 |
| CN111276504A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型半导体元件结构 |
| US11417800B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-08-16 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro semiconductor device and micro semiconductor display |
| US11664483B2 (en) | 2020-04-16 | 2023-05-30 | Lextar Electronics Corporation | Light emitting device, package device and method of light emitting device manufacturing |
| TWI818199B (zh) * | 2020-10-06 | 2023-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11764199B2 (en) | 2018-11-15 | 2023-09-19 | Vuereal Inc. | Self-aligned vertical solid state devices fabrication and integration methods |
| CN111192820A (zh) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 维耶尔公司 | 自对准竖直固态装置制造和集成方法 |
| TWI750488B (zh) | 2019-07-17 | 2021-12-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 半導體結構與微型半導體顯示裝置 |
| CN112420890B (zh) * | 2019-08-21 | 2022-04-05 | 财团法人工业技术研究院 | 发光元件及显示装置 |
| CN110707198A (zh) * | 2019-09-20 | 2020-01-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111599834B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法 |
| TW202231146A (zh) * | 2021-01-25 | 2022-08-01 | 優顯科技股份有限公司 | 電子裝置及其製造方法 |
| TWI765617B (zh) * | 2021-03-23 | 2022-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| CN113140661B (zh) * | 2021-04-30 | 2023-01-06 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| TWI837993B (zh) * | 2022-12-07 | 2024-04-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200532940A (en) * | 2004-03-19 | 2005-10-01 | Opto Tech Corp | Light emitting diode (LED) |
| TW200640032A (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Substrate-free flip chip light emitting diode and manufacturing method thereof |
| TW200810148A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-16 | Everlight Electronics Co Ltd | Side-emitting diode package |
| TW200822387A (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-16 | Tera Xtal Technology Corp | Light emitting diode structure and manufacturing method of the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5832956B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2015-12-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| CN103247743B (zh) * | 2013-05-24 | 2016-04-20 | 安徽三安光电有限公司 | 贴面式发光器件及其制作方法 |
| CN103311261B (zh) * | 2013-05-24 | 2016-02-17 | 安徽三安光电有限公司 | 集成led发光器件及其制作方法 |
| TWI656300B (zh) * | 2014-03-06 | 2019-04-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
| JP6295171B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-03-14 | アルパッド株式会社 | 発光ユニット及び半導体発光装置 |
| TWI650854B (zh) * | 2017-10-31 | 2019-02-11 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示面板及其製造方法 |
-
2017
- 2017-11-02 TW TW106137872A patent/TWI635605B/zh active
-
2018
- 2018-10-09 US US16/154,740 patent/US10522520B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200532940A (en) * | 2004-03-19 | 2005-10-01 | Opto Tech Corp | Light emitting diode (LED) |
| TW200640032A (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Substrate-free flip chip light emitting diode and manufacturing method thereof |
| TW200810148A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-16 | Everlight Electronics Co Ltd | Side-emitting diode package |
| TW200822387A (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-16 | Tera Xtal Technology Corp | Light emitting diode structure and manufacturing method of the same |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI685945B (zh) * | 2018-12-04 | 2020-02-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型半導體元件結構 |
| TWI690079B (zh) * | 2018-12-04 | 2020-04-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型半導體元件結構 |
| CN111276470A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型半导体元件结构 |
| CN111276504A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型半导体元件结构 |
| CN111276470B (zh) * | 2018-12-04 | 2021-11-02 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型半导体元件结构 |
| US11417800B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-08-16 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro semiconductor device and micro semiconductor display |
| US11664483B2 (en) | 2020-04-16 | 2023-05-30 | Lextar Electronics Corporation | Light emitting device, package device and method of light emitting device manufacturing |
| TWI818199B (zh) * | 2020-10-06 | 2023-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
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