TWI818199B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光裝置，其包括線路基板以及發光元件。線路基板包括第一電極及第二電極。發光元件配置於線路基板的第一表面上。發光元件包括第一導電端子及第二導電端子。第一導電端子及第二導電端子嵌於第一電極及第二電極之間。於第一方向上，第一電極的內緣與第二電極的內緣之間具有第一距離，第一導電端子的外緣與第二導電端子的外緣之間具有第二距離，且第一距離大於或等於第二距離。

Description

發光裝置及其製造方法
本發明是有關於一種電子裝置及其製造方法，且特別是有關於一種發光裝置及其製造方法。
在發光裝置的製造過程中，可能會有不可避免缺陷產生。因此，如何針對一種缺陷進行較為簡單的修復，而使修復後的發光裝置仍具有相當的品質，實已成目前亟欲解決的課題。
本發明提供一種發光裝置及其製造方法，其可以使發光裝置具有較佳的品質。
本發明的發光裝置包括線路基板以及發光元件。線路基板包括第一電極及第二電極。發光元件配置於線路基板的第一表面上。發光元件包括第一導電端子及第二導電端子。第一導電端子及第二導電端子嵌於第一電極及第二電極之間。於第一方向上，第一電極的內緣與第二電極的內緣之間具有第一距離，第一 導電端子的外緣與第二導電端子的外緣之間具有第二距離，且第一距離大於或等於第二距離。
本發明的發光裝置的製造方法包括以下步驟：提供線路基板，其具有多個電極對，且各個電極對包括第一電極及第二電極；提供發光元件，其包括第一導電端子及第二導電端子；以及將發光元件配置於線路基板上，以使第一導電端子及第二導電端子嵌於第一電極及第二電極之間，其中於第一方向上，第一電極的內緣與第二電極的內緣之間具有第一距離，第一導電端子的外緣與第二導電端子的外緣之間具有第二距離，且第一距離大於或等於第二距離。
基於上述，藉由線路基板的第一電極及第二電極與發光元件的第一導電端子及第二導電端子之間對應的配置方式，可以使發光裝置在其製造過程的修復較為容易，且可以降低製造過程中元件可能的損傷或損壞。如此一來，可以使發光裝置具有較佳的品質。
100、200、300:發光裝置
140:線路基板
140a:第一表面
141:元件層
142:主動元件
143:電子元件
144:絕緣層
110:第一電極
110d:內緣
111、111a、119:第一上電極
112:第一導電連接層
113:第一下電極
314:第一電極延伸區
120:第二電極
120d:內緣
121、129:第二上電極
122:第二導電連接層
123:第二下電極
324:第二電極延伸區
150、151、153、158:發光元件
151a、153a:第一導電端子
151b、153b:第二導電端子
151c、153c:發光晶粒
151c1:第一導電層
151c2:第一半導體層
151c3:發光層
151c4:第二半導體層
151c5:第二導電層
151c6:圖案化絕緣層
150c7:發光面
151e:外緣
151f:外緣
95:載板
D1:第一方向
D2:第二方向
EP:電極對
G1:第一間距
G2:第二間距
H1:第一高度
H2:第二高度
H3:第三高度
H4:第四高度
L1:第一距離
L2:第二距離
LR:雷射
R1、R2:區域
圖1A是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的部分製造方法的上視示意圖。
圖1B至圖1F是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的部分製造方法的部分剖視示意圖。
圖1G是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的部分上視示意圖。
圖1H及圖1I是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的部分剖視示意圖。
圖2是依照本發明的第二實施例的一種發光裝置的部分剖視示意圖。
圖3是依照本發明的第三實施例的一種發光裝置的部分上視示意圖。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。
在附圖中，為了清楚起見，放大了各元件等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在“另一元件上”、或“連接到另一元件”、“重疊於另一元件”時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電連接。
應當理解，儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式，包括“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，術語“及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決 於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其它元件“上方”。因此，示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“基本上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，“基本上”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精 確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
另外，為求清楚表示，於圖式中可能省略繪示了部分的膜層或構件。
請參照圖1A，提供發光元件150。
在本實施例中，多個發光元件150可以被配置或形成於載板95上。在本實施例中，載板95例如為晶圓，但本發明不限於此。在本實施例中，多個發光元件150可以是以陣列式的形式被配置或形成於載板95上，但本發明不限於此。在一實施例中，多個發光元件150與載板95之間可以具有暫時性的連接結構(如：繫鏈(tether)，但不限)或暫時性的連接膜層(如：離型層(release layer)，但不限)，但本發明不限於此。
在一實施例中，在將配置或形成於載板95上的發光元件150進行轉移之前，可以先對配置或形成於載板95上的發光元件150進行檢測。舉例而言，可以藉由自動光學檢測(Automated Optical Inspection，AOI)，以確認配置或形成於載板95上的多個發光元件150是否具有破損、刮傷、缺角、短路、外觀瑕疵等可能的不良狀態。但本發明對於前述檢測的方式並不加以限制。
在本實施例中，配置或形成於載板95上的多個發光元件150可以包括良好的發光元件151(可以被稱為：已知良好晶粒(Known Good Die；KGD))。在本實施例中，配置或形成於載板95上的多個發光元件150可以更包括不良的發光元件158(其或許可被稱為：電子元件)。也就是說，本發明並未限制配置或形成 於載板95上的多個發光元件150都必須具有良好的狀態。
另外，為求清楚，於圖1A中並未一一地標示所有的發光元件150(可能包含良好的發光元件151及不良的發光元件158)。
請參照圖1B，提供線路基板140。線路基板140的第一表面140a上可以具有多個電極對EP。各個電極對EP包括對應的第一電極110及對應的第二電極120。第一電極110可以包括第一上電極119。第二電極120可以包括第二上電極129。
請繼續參照圖1B，將發光元件150配置於線路基板140的第一表面140a上。各個發光元件150可以包括對應的發光晶粒、對應的第一導電端子及/或對應的第二導電端子。舉例而言，發光元件151可以包括對應的發光晶粒151c、對應的第一導電端子151a以及對應的第二導電端子151b。發光元件150(如：發光元件151)的第一導電端子(如：第一導電端子151a)及第二導電端子(如：第二導電端子151b)嵌於線路基板140的其中一個電極對EP的第一上電極119及第二上電極129之間。
在本實施例中，第一導電端子(如：第一導電端子151a)可以不接觸第一上電極119的頂端(即，第一上電極119最遠離第一表面140a之處)，且第二導電端子(如：第二導電端子151b)可以不接觸第二上電極129的頂端(即，第二上電極129最遠離第一表面140a之處)。
於圖1B的步驟中，第一導電端子(如：第一導電端子151a)可以不接觸整個第一上電極119，但本發明不限於此。在一 可能的實施例中，第一導電端子(如：第一導電端子151a)可以未與第一上電極119電性連接。
於圖1B的步驟中，第二導電端子(如：第二導電端子151b)可以不接觸整個第二上電極129，但本發明不限於此。在一可能的實施例中，第二導電端子(如：第二導電端子151b)可以未與第二上電極129電性連接。
在本實施例中，可以將位於載板95上的多個發光元件150配置於線路基板140上。也就是說，於圖1B的步驟中，配置於線路基板140上的發光元件150可以包括良好的發光元件151；或是，可以更包括不良的發光元件158(其或許可被稱為：電子元件)。
請參照圖1B至圖1C，對至少部分的第一上電極加熱，加熱後的第一上電極可以電性連接於對應的第一導電端子；且對至少部分的第二上電極加熱，加熱後的第二上電極電性連接於對應的第二導電端子。
為清楚表示或說明，於圖1B、圖1C及後續類似的圖式中，未被加熱且/或未被連接於對應的導電端子的第一上電極及第二上電極可以分別以符號119及129標示。於圖1C及後續類似的圖式中，已被加熱或加熱中而連接至對應的導電端子的第一上電極及第二上電極可以分別以符號111及121標示。
在本實施例中，如圖1B至圖1C所示，可以對良好的發光元件151所對應的第一上電極111及/或第二上電極121進行加 熱。
在本實施例中，可以藉由加熱以使第一上電極111的至少一部分熔融。如此一來，可以使第一上電極111直接接觸且/或連接於對應的第一導電端子151a。
在本實施例中，第一上電極111的熔點小於第一導電端子151a的熔點。在一實施例中，在對第一上電極111加熱而熔融時，第一導電端子151a可以仍為固態。在一實施例中，在對第一上電極111加熱而熔融時，第一電極110的其餘部分(即，第一電極110中不屬於第一上電極111的部分)可以仍為固態。
在一實施例中，第一上電極111的熔點可以小於500℃。在一實施例中，第一上電極111的熔點可以更小於250℃。在一實施例中，第一上電極111的材質可以包括鉍(Bismuth；Bi)、錫(Tin；Sn)、鉛(Lead；Pb)、銦(Indium；In)、鎘(Cadmium；Cd)、鎵(Gallium；Ga)、其他具有相對低熔點的適宜金屬、上述之組合或合金；且第一導電端子151a的材質可以包括金、銅、其他具有相對高熔點的適宜金屬、上述之組合或合金。在一可能的實施例中，第一上電極111及第一導電端子151a相接觸的部分或材質可以形成對應的共金化合物(intermetallic compound；IMC)，而其仍可以被視為第一上電極111及第一導電端子151a相接觸。
在本實施例中，可以藉由加熱以使第二上電極121的至少一部分熔融。如此一來，可以使第二上電極121直接接觸且/或連接於對應的第二導電端子151b。
在本實施例中，第二上電極121的熔點小於第二導電端子151b的熔點。在一實施例中，在對第二上電極121加熱而熔融時，第二導電端子151b可以仍為固態。在一實施例中，在對第二上電極121加熱而熔融時，第二電極120的其餘部分(即，第二電極120中不屬於第二上電極121的部分)可以仍為固態。
在一實施例中，第二上電極121的材質可以相同或相似於第一上電極111；且第二導電端子151b的材質可以相同或相似於第一導電端子151a。也就是說，第二上電極121的熔點可以小於500℃；或是，更小於250℃。在一可能的實施例中，第二上電極121及第二導電端子151b相接觸的部分或材質可以形成對應的共金化合物。
在本實施例中，可以藉由雷射加熱的方式對第一上電極111及/或第二上電極121加熱。在一實施例中，藉由雷射LR照射以對第一上電極111及/或第二上電極121進行加熱的方式，可能可以在加熱的過程中降低對其他元件(如：發光元件150或線路基板140中其他的元件)的損傷或損壞。在一實施例中，適於進行加熱的雷射LR可以包括紅外光雷射。
在本實施例中，於垂直於第一表面140a的一第二方向D2上，部分的第一上電極111及/或部分的第二上電極121不重疊於發光晶粒(如：發光晶粒151c)。因此，若欲藉由雷射LR對第一上電極111及/或第二上電極121進行加熱，可以將雷射LR的光照射方向調整為基本上垂直且面向第一表面140a的方向。然 後，對第一上電極111及/或第二上電極121未重疊於發光晶粒(如：發光晶粒151c)的區域進行照射。如此一來，可以在藉由雷射對第一上電極111及/或第二上電極121進行加熱的過程中降低對其他元件(如：發光元件150或線路基板140中其他的元件)的損傷或損壞。另外，藉由前述的雷射光照射方式，也可以提升於一單位面積內所配置的發光元件150個數。
在本實施例中，可以藉由類似於前述的方式，以使第一上電極111及第二上電極121分別電性連接於發光元件150的第一導電端子151a及第二導電端子151b。
在本實施例中，第一導電端子151a可以不接觸第一上電極111的頂端(即，第一上電極111最遠離第一表面140a之處)，且第二導電端子151b可以不接觸第二上電極121的頂端(即，第二上電極121最遠離第一表面140a之處)。
相較於對第一上電極119及/或第二上電極129進行加熱前，加熱後的第一上電極111及/或第二上電極121的厚度可能較薄。舉例而言，對第一上電極119加熱之前，第一上電極119的頂端與第一表面140a之間具有第一高度H1；對第一上電極111加熱之後，第一上電極111的頂端與第一表面140a之間具有第二高度H2；且第一高度H1可以大於第二高度H2。舉例而言，對第二上電極129加熱之前，第二上電極129的頂端與第一表面140a之間具有第三高度H3；對第二上電極121加熱之後，第二上電極121的頂端與第一表面140a之間具有第四高度H4；且第三高度 H3可以大於第四高度H4。
在圖1C中，可以藉由對應的驅動電流或電壓而使至少部分的良好的發光元件151發光。也就是說，在一實施例中，圖1C中的結構已可能被稱為發光裝置。
在本實施例中，於將發光元件150配置於線路基板140上時，線路基板140的第一表面140a上可以不具有絕緣的黏著材料(因無，故無繪示或標示)。前述的絕緣黏著材料可以包括膠帶(tape)或黏著膠體(glue)，但本發明不限於此。前述的黏著膠體包括聚丙烯酸樹脂或其衍申物、環氧樹脂或其衍申物、聚氨酯樹脂其衍申物、酚類樹脂其衍申物、酸烯酯樹脂其衍申物、矽烷樹脂或其衍申物、其他類似的絕緣樹脂或上述之組合，但本發明不限於此。
請參照圖1C至圖1D，在本實施例中，可以移除配置於線路基板140上的不良的發光元件158(其或許可被稱為：電子元件)。舉例而言，可以藉由提取載板95，以使不良的發光元件158自線路基板140上被移除，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一上電極119及/或第二上電極129未與發光元件158相接觸或牢固地連接。如此一來，可以容易地將不良的發光元件158自線路基板140上被移除。
在本實施例中，藉由前述配置/移除發光元件158的方式，基本上可以降低對第一電極110及/或第二電極120的損傷或損壞。在一實施例中，於配置/移除發光元件158的過程中，甚至 可以不會觸碰到第一電極110及/或第二電極120。
請參照圖1D至圖1E，在本實施例中，於移除配置於線路基板140上的不良的發光元件158之後，可以將發光元件153配置於線路基板140上。發光元件153可以相同或相似於發光元件151。也就是說，發光元件150可以包括發光晶粒153c、第一導電端子153a以及第二導電端子153b。發光元件153的第一導電端子153a及第二導電端子153b嵌於線路基板140的其中一個電極對EP的第一上電極119及第二上電極129之間。
在一實施例中，可以藉由相同或相似於發光元件151的配置方法，以將發光元件153配置於線路基板140的第一表面140a上，但本發明不限於此。在一實施例中，發光元件153可以藉由取放機構(pick and place mechanism)而被配置於線路基板140上。
請參照圖1E至圖1F，使發光元件153的第一導電端子153a及第二導電端子153b分別電性連接於對應的第一上電極111及第二上電極121。舉例而言，可以藉由相同或相似於前述的加熱方式，以使第一上電極111及/或第二上電極121的至少一部分熔融，可以使第一上電極111及/或第二上電極121直接接觸且/或連接於對應的第一導電端子153a及/或第二導電端子153b。
經過上述製程後即可大致上完成本實施例之一種發光裝置100的製作。
圖1F可以是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的 部分剖視示意圖。圖1G是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的部分上視示意圖。圖1H及圖1I是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的部分剖視示意圖。舉例而言，圖1G可以是對應於圖1F中區域R1的上視示意圖，圖1H可以是對應於圖1F中區域R1的放大圖，且圖1I可以是對應於圖1H中區域R2的放大圖。
請參照圖1G至圖1I，以發光元件151對應的區域R1為例，發光裝置100包括線路基板140以及發光元件151。線路基板140包括第一電極110及第二電極120。發光元件151包括第一導電端子151a及第二導電端子151b。第一導電端子151a及第二導電端子151b嵌於第一電極110及第二電極120之間。於第一方向D1上，第一電極110的內緣110d與第二電極120的內緣120d之間具有第一距離L1，第一導電端子151a的外緣151e與第二導電端子151b的外緣151f之間具有第二距離L2，且第一距離大L1於或等於第二距離L2。
在一實施例中，第一方向D1可以是於具有第一導電端子151a及第二導電端子151b嵌於第一上電極111及第二上電極121之間的剖面(如：圖1H所繪示的剖面)上，於前述第一上電極111及第二上電極121所屬的電極對EP中，第一上電極111與第二上電極121之間具有最短距離的方向。
在一實施例中，第一方向D1可以是於具有第一導電端子151a及第二導電端子151b嵌於第一上電極111及第二上電極121之間的剖面(如：圖1H所繪示的剖面)上，於前述第一導電端子 151a及第二導電端子151b所屬的發光元件151中，第一導電端子151a的邊緣以及第二導電端子151b的邊緣之間具有最長距離的方向。
在本實施例中，第一距離L1與第二距離L2的比值可以介於1.0~1.1(即，L1/L2=1.0~1.1)。
在本實施例中，線路基板140可以更包括元件層141。元件層141中可以包含主動元件142或其他可能的電子元件143。電子元件143可以包括其他的主動元件、被動元件或導線。第一電極110及第二電極120的至少其中之一可以電性連接於主動元件142。元件層141可以依據設計上的需求而包括對應的導電層、介電層及/或半導體層。
在本實施例中，線路基板140可以更包括絕緣層144。絕緣層144可以覆蓋於元件層141上。絕緣層144可以是單一的膜層或多個膜層的堆疊。在一實施例中，至少部分的絕緣層144可能被稱為平坦層。在一實施例中，至少部分的絕緣層144可能被稱為緩衝層。在一實施例中，至少部分的絕緣層144可能被稱為保護層。在一實施例中，至少部分的絕緣層144可能被稱為阻焊層。在一實施例中，線路基板140的第一表面140a可以是指最外層的絕緣層144的外表面(或；更包含自其延伸之虛擬面)。
在本實施例中，線路基板140的最外層絕緣層144可以不為黏著材料(因無，故無繪示或標示)。也就是說，線路基板140的第一表面140a上可以不具有黏著材料。
在本實施例中，第一電極110及第二電極120的其中之一可以被稱為陽極，第一電極110及第二電極120的其中另一可以被稱為陰極。在一實施例的應用上，陽極及陰極可以彼此電性分離。
在本實施例中，第一電極110可以包括第一上電極111、第一導電連接層112以及第一下電極113。第一導電連接層112可以夾於第一上電極111與第一下電極113之間。第一下電極113可以貫穿絕緣層144以電性連接於元件層141中的元件(如：主動元件142)。
在本實施例中，第一上電極111與元件層141之間的至少其中之一的膜層的導熱係數可以小於第一上電極111的導熱係數。舉例而言，第一下電極113及/或絕緣層141的導熱係數可以小於第一上電極111的導熱係數。如此一來，在製造發光裝置100的過程中(如：進行對第一上電極111加熱的步驟)，可以降低對其他元件(如：元件層141中的主動元件142)的熱損傷或熱損害。
在一實施例中，第一下電極113的材質可以包括金屬氧化物，但本發明不限於此。舉例而言，第一下電極113的材質可以包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、其他適宜的氧化物或是上述至少二者之堆疊，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一導電連接層112的熔點大於第一上電極111的熔點。在一實施例中，第一導電連接層112的材質可以包括金屬。舉例而言，第一導電連接層112的材質可以鉭 (Tantalum；Ta)、鈦(Titanium；Ti)、其他具有相對高熔點的適宜金屬、上述之組合或合金。在一可能的實施例中，熔融的金屬在另一金屬表面上冷卻後的接合力可以大於熔融的金屬在另一金屬氧化物表面上冷卻後的接合力。
在一實施例中，在製造發光裝置100的過程中(如：進行對第一上電極111加熱的步驟)，藉由前述的第一導電連接層112可以提升第一上電極111與其他導電元件(如：第一下電極113)之間的電連接品質，且藉由前述的第一下電極113可以降低對其他元件(如：元件層中的主動元件)的熱損傷或熱損害。如此一來，可以提升發光裝置100的品質或良率。
在本實施例中，第一導電端子151a的外緣151e與第一電極110的內緣110d之間具有第一間距G1。也就是說，第一電極110的內緣110d並未限定(但仍有可能)為對應的第一上電極111的內緣。部分的第一上電極111a可以填入第一間距G1內，但本發明不限於此。在一實施例中，第一電極110的第一導電連接層112及/或第一下電極113可以不直接接觸第一導電端子151a。在一實施例中，部分的第一上電極111可以位於第一導電連接層112與第一導電端子151a之間。
在本實施例中，於垂直於第一表面140a的第二方向上D2，第一下電極113於第一表面140a上的投影面積可以大於第一上電極111於第一表面140a上的投影面積。
在本實施例中，第二電極120可以包括第二上電極121、 第二導電連接層122以及第二下電極123。第二導電連接層122可以夾於第二上電極121與第二下電極123之間。在一實施例中，第二上電極121可以藉由第二導電連接層122及第二下電極123電性連接至共電源，但本發明不限於此。
在本實施例中，第二上電極121、第二導電連接層122及/或第二下電極123可以分別與第一上電極111、第一導電連接層112及/或第一下電極113具有相同或相似類似的材質及/或功能，故於此不加以重覆描述。
在本實施例中，第二導電端子151b的外緣151f與第二電極120的內緣120d之間具有第二間距G2。也就是說，第二電極120的內緣120d並未限定(但仍有可能)為對應的第二上電極121的內緣。部分的第二上電極121可以填入第二間距G2內，但本發明不限於此。在一實施例中，第二電極120的第二導電連接層122及/或第二下電極123可以不直接接觸第二導電端子151b。在一實施例中，部分的第二上電極121可以位於第二導電連接層122與第二導電端子151b之間。
在本實施例中，於垂直於第一表面140a的第二方向D2上，第二下電極123於第一表面140a上的投影面積可以大於第二上電極121於第一表面140a上的投影面積。
在本實施例中，發光元件151可以更包括發光晶粒151c。發光晶粒151c可以第一導電層151c1、第一半導體層151c2、發光層151c3、第二半導體層151c4、第二導電層151c5以及圖案化 絕緣層151c6。圖案化絕緣層151c6可以覆蓋第一導電層151c1、第一半導體層151c2、發光層151c3、第二半導體層151c4及/或第二導電層151c5。圖案化絕緣層151c6可以具有暴露第一導電層151c1的開口，以使第一導電端子151a可以藉由第一導電層151c1電性連接於第一半導體層151c2。圖案化絕緣層151c6可以具有暴露第二導電層151c5的開口，以使第二導電端子151b可以藉由第二導電層151c5電性連接於第二半導體層151c4。發光晶粒151c的一發光面151c7可以面離線路基板140。
圖2是依照本發明的第二實施例的一種發光裝置的部分剖視示意圖。本實施例的發光裝置200的製造方法與發光裝置100的製造方法相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或形成方式，並省略描述。
請參照圖2，在本實施例中，發光裝置200包括線路基板140以及發光元件151。於第一方向D1上，第一電極110的內緣110d與第二電極120的內緣120d之間具有第一距離L1，第一導電端子151a的外緣151e與第二導電端子151b的外緣151f之間具有第二距離L2，且第一距離L1基本上等於第二距離L2。
在本實施例中，第一電極110的第一上電極111、第一導電連接層112及/或第一下電極113可以直接接觸第一導電端子151a。
在本實施例中，第二電極120的第二上電極121、第二導電連接層122及/或第二下電極123可以直接接觸第二導電端子 151b。
圖3是依照本發明的第三實施例的一種發光裝置的部分剖視示意圖。本實施例的發光裝置300的製造方法與發光裝置100的製造方法相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或形成方式，並省略描述。
在本實施例中，第一電極110的第一下電極113可以更包括第一電極延伸區314。於製造發光裝置300的過程中(如：將發光元件150配置於線路基板140上的步驟)，第一電極延伸區314可能可以降低發光元件(如：發光元件151或其他類似的發光元件)的偏移。
在本實施例中，第二電極的第二下電極123可以更包括第二電極延伸區324。於製造發光裝置300的過程中(如：將發光元件150配置於線路基板140上的步驟)，第二電極延伸區324可能可以降低發光元件(如：發光元件151或其他類似的發光元件)的偏移。
綜上所述，本發明藉由線路基板的第一電極及第二電極與發光元件的第一導電端子及第二導電端子之間對應的配置方式，可以使發光裝置在其製造過程的修復較為容易，且可以降低製造過程中元件可能的損傷或損壞。如此一來，可以使發光裝置具有較佳的品質。
100:發光裝置
140:線路基板
140a:第一表面
141:元件層
142:主動元件
143:電子元件
144:絕緣層
110:第一電極
111:第一上電極
112:第一導電連接層
113:第一下電極
120:第二電極
121:第二上電極
122:第二導電連接層
123:第二下電極
151:發光元件
151c:發光晶粒
151c1:第一導電層
151c2:第一半導體層
151c3:發光層
151c4:第二半導體層
151c5:第二導電層
151c6:圖案化絕緣層
150c7:發光面
151a:第一導電端子
151b:第二導電端子
D1:第一方向
D2:第二方向
EP:電極對
G1:第一間距
G2:第二間距
R2:區域

Claims (18)

  1. 一種發光裝置，包括：線路基板，包括第一電極及第二電極；以及發光元件，配置於所述線路基板的第一表面上，且所述發光元件包括第一導電端子及第二導電端子，所述第一導電端子及所述第二導電端子嵌於所述第一電極及所述第二電極之間，其中於第一方向上，所述第一電極的內緣與所述第二電極的內緣之間具有第一距離，所述第一導電端子的外緣與所述第二導電端子的外緣之間具有第二距離，且所述第一距離大於或等於所述第二距離，其中所述第一電極包括第一上電極，所述第二電極包括第二上電極，所述第一上電極的熔點及所述第二上電極的熔點小於所述第一導電端子的熔點及所述第二導電端子的熔點。
  2. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述第一距離與所述第二距離的比值介於1.0~1.1。
  3. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述所述第一上電極的熔點或所述第二上電極的熔點小於500℃。
  4. 如請求項1所述的發光裝置，其中：所述第一導電端子的外緣與所述第一電極的內緣之間具有第一間距，且所述第一上電極填入所述第一間距；或所述第二導電端子的外緣與所述第二電極的內緣之間具有第二間距，且所述第二上電極填入所述第二間距。
  5. 如請求項1所述的發光裝置，其中： 所述第一導電端子的外緣接觸所述第一上電極；或所述第二導電端子的外緣接觸所述第二上電極。
  6. 如請求項1所述的發光裝置，其中：所述第一電極更包括第一下電極，其中所述第一上電極位於所述第一下電極上且電性連接所述第一下電極，且所述第一下電極於所述第一表面上的投影面積大於所述第一上電極於所述第一表面上的投影面積；或所述第二電極更包括第二下電極，其中所述第二上電極位於所述第二下電極上且電性連接所述第二下電極，且所述第二下電極於所述第二表面上的投影面積大於所述第二上電極於所述第二表面上的投影面積。
  7. 如請求項1所述的發光裝置，其中於垂直於所述第一表面的第二方向上，部分的所述第一上電極或部分的所述第二上電極不重疊於所述發光晶粒。
  8. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述線路基板的所述第一表面上不具有黏著材料。
  9. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述發光元件更包括電性連接於所述第一導電端子及所述第二導電端子的發光晶粒，且所述發光晶粒的發光面面離所述線路基板。
  10. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述線路基板更包含：元件層，具有主動元件，且所述第一電極及所述第二電極的至少其中之一電性連接於所述主動元件。
  11. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述發光元件更包括電性連接於所述第一導電端子及所述第二導電端子的發光晶粒，且於所述第一方向上，所述第一導電端子及所述第二導電端子皆與所述發光晶粒重疊，且所述第一電極及所述第二電極皆與所述發光元件部分重疊。
  12. 一種發光裝置的製造方法，包括：提供線路基板，其具有多個電極對，且各個所述電極對包括第一電極及第二電極；提供發光元件，其包括第一導電端子及第二導電端子；以及將所述發光元件配置於所述線路基板上，以使所述第一導電端子及所述第二導電端子嵌於所述第一電極及所述第二電極之間，其中於第一方向上，所述第一電極的內緣與所述第二電極的內緣之間具有第一距離，所述第一導電端子的外緣與所述第二導電端子的外緣之間具有第二距離，且所述第一距離大於或等於所述第二距離，其中所述第一電極包括第一上電極，所述第二電極包括第二上電極，所述第一上電極的熔點及所述第二上電極的熔點小於所述第一導電端子的熔點及所述第二導電端子的熔點。
  13. 如請求項12所述的發光裝置的製造方法，更包括：對所述第一上電極加熱，以使所述第一上電極電性連接於所述第一導電端子；以及對所述第二上電極加熱，以使所述第二上電極電性連接於所 述第二導電端子。
  14. 如請求項13所述的發光裝置的製造方法，其中：在對所述第一上電極加熱的步驟中，至少使部分的所述第一上電極熔融，以使所述第一上電極接觸所述第一導電端子；且在對所述第二上電極加熱的步驟中，至少使部分的所述第二上電極熔融，以使所述第二上電極接觸所述第二導電端子。
  15. 如請求項13所述的發光裝置的製造方法，其中對所述第一上電極加熱的步驟或對所述第二上電極加熱的步驟包括藉由雷射加熱。
  16. 如請求項12所述的發光裝置的製造方法，更包括：提供電子元件，其包括第三導電端子及第四導電端子；將所述電子元件配置於所述線路基板上，以使所述第三導電端子及所述第四導電端子嵌於所述第一電極及所述第二電極之間，其中於所述第一方向上，所述第三導電端子的外緣與所述第四導電端子的外緣之間具有第三距離，且所述第一距離大於或等於所述第三距離；移除配置於所述線路基板上的所述電子元件；以及於移除配置於所述線路基板上的所述電子元件之後，將所述發光元件配置於所述線路基板上。
  17. 如請求項12所述的發光裝置的製造方法，其中所述線路基板更包含：元件層，具有主動元件，且所述第一電極及所述第二電極的至少其中之一電性連接於所述主動元件。
  18. 如請求項12所述的發光裝置的製造方法，其中所述發光元件更包括電性連接於所述第一導電端子及所述第二導電端子的發光晶粒，且將所述發光元件配置於所述線路基板上之後，於所述第一方向上，所述第一導電端子及所述第二導電端子皆與所述發光晶粒重疊，且所述第一電極及所述第二電極皆與所述發光元件部分重疊。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200709403A (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Advanced Semiconductor Eng Image sensor module and method for manufacturing the same
US20100148341A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20130075767A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US20180130779A1 (en) * 2016-04-15 2018-05-10 Glo Ab Method of forming an array of a multi-device unit cell
TWI635605B (zh) * 2017-11-02 2018-09-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
TWI635630B (zh) * 2017-06-30 2018-09-11 錼創科技股份有限公司 微型發光二極體及顯示面板
TW201908444A (zh) * 2017-07-14 2019-03-01 日商日立化成股份有限公司 導電性接著劑組成物及使用其的連接結構體、製造連接結構體的方法
TWM583131U (zh) * 2019-03-04 2019-09-01 葳天科技股份有限公司 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4834412B2 (ja) 2006-02-03 2011-12-14 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびこれを用いた電子内視鏡
KR20180041772A (ko) * 2015-09-02 2018-04-24 아큘러스 브이알, 엘엘씨 반도체 디바이스의 어셈블리
TW201921739A (zh) * 2016-06-23 2019-06-01 億光電子工業股份有限公司 發光二極體
KR102042179B1 (ko) * 2016-09-15 2019-11-07 일룩스 아이엔씨. 흡착 및 제거 시스템 및 발광 디스플레이를 복원하는 방법
TWI662521B (zh) * 2018-03-28 2019-06-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示基板與顯示面板
TWI691104B (zh) * 2018-07-18 2020-04-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
CN109003966B (zh) 2018-07-23 2020-10-23 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法
CN109920814B (zh) 2019-03-12 2022-10-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
CN110197814A (zh) 2019-05-28 2019-09-03 青岛海信电器股份有限公司 一种Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置
CN110491795B (zh) * 2019-08-14 2021-11-16 錼创显示科技股份有限公司 粘取元件、微型发光二极管光学检修设备及光学检修方法
KR20210044430A (ko) * 2019-10-15 2021-04-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법, 중계 기판 및 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200709403A (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Advanced Semiconductor Eng Image sensor module and method for manufacturing the same
US20100148341A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20130075767A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US20180130779A1 (en) * 2016-04-15 2018-05-10 Glo Ab Method of forming an array of a multi-device unit cell
TWI635630B (zh) * 2017-06-30 2018-09-11 錼創科技股份有限公司 微型發光二極體及顯示面板
TW201908444A (zh) * 2017-07-14 2019-03-01 日商日立化成股份有限公司 導電性接著劑組成物及使用其的連接結構體、製造連接結構體的方法
TWI635605B (zh) * 2017-11-02 2018-09-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
TWM583131U (zh) * 2019-03-04 2019-09-01 葳天科技股份有限公司 一種積體電路結合發光二極體之封裝結構

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