TWI662521B - 顯示基板與顯示面板 - Google Patents
顯示基板與顯示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI662521B TWI662521B TW107110603A TW107110603A TWI662521B TW I662521 B TWI662521 B TW I662521B TW 107110603 A TW107110603 A TW 107110603A TW 107110603 A TW107110603 A TW 107110603A TW I662521 B TWI662521 B TW I662521B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- bonding
- auxiliary
- area
- blocks
- base plate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一種顯示基板,包括一底板與一第一接合墊。底板的一第一表面定義有一第一接合區。第一接合墊設置於該第一表面上。部分的第一接合墊係位於第一接合區中,第一接合墊用以於第一接合區電性連接一發光元件的一第一電極。第一接合墊包括一主接合部與一輔助接合部。主接合部於底板的正投影的至少部分係位於第一接合區中。輔助接合部電性連接主接合部。輔助接合部於底板的正投影的至少部分係位於第一接合區之外。主接合部與輔助接合部之間具有一間隙。
Description
本發明係關於一種顯示基板與顯示面板,特別是一種具有一定透明程度的顯示基板與顯示面板。
隨著顯示器的應用領域日趨廣泛,透明顯示器已經被開發出。透明顯示器(Transparent Display)是指顯示器本身具有一定程度的穿透性,能夠清楚地顯示面板後方的背景。透明顯示器可以應用於於建築物窗戶、汽車車窗、商店櫥窗甚或是抬頭顯示器等多種用途,因而備受市場關注。
但是,受限於目前的材料與製程,透明顯示器的透明度已達到了瓶頸無法更進一步地提高。為了搶佔先機,各家廠商正苦思如何在當前的製程條件下,於維持透明顯示器的顯示品質的前提下進一步提升透明顯示器的透明度。
本發明在於提供一種顯示基板與顯示面板,以在目前材料與製程條件下進一步提昇透明顯示器的透明程度。
本發明揭露了一種顯示基板,包括一底板與一第一接合墊。該底板的一第一表面定義有一第一接合區。該第一接合墊設置於該第一表面上。部分的該第一接合墊係位於該第一接合區中,該第一接合墊用以於該第一接合區電性連接一發光元件的一第一電極。該第一接合墊包括一主接合部與一輔助接合部。該主接合部於該底板的正投影的至少部分係位於該第一接合區中。該輔助接合部電性連接該主接合部。該輔助接合部於該底板的正投影的至少部分係位於該第一接合區之外。該主接合部與該輔助
接合部之間具有一間隙。
本發明揭露了一種顯示面板,包括一發光元件與一顯示基板。該發光元件包括一第一電極與一第二電極。該顯示基板包括一底板與一第一接合墊。該底板的一第一表面定義有一第一接合區。該第一接合墊,設置於該第一表面上,部分的該第一接合墊係位於該第一接合區中,該第一接合墊用以於該第一接合區電性連接該發光元件的該第一電極。該第一接合墊包括一主接合部與一輔助接合部。該主接合部於該底板的正投影的至少部分係位於該第一接合區中。該輔助接合部電性連接該主接合部。該輔助接合部於該底板的正投影的至少部分係位於該第一接合區之外。該主接合部與該輔助接合部之間具有一間隙。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理,並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
1‧‧‧顯示面板
10‧‧‧顯示基板
110‧‧‧底板
120、120’‧‧‧第一接合墊
1210‧‧‧主接合部
1220‧‧‧輔助接合部
1230‧‧‧連接部
130、130'‧‧‧第二接合墊
1310‧‧‧主接合部
1320‧‧‧輔助接合部
1330‧‧‧連接部
20‧‧‧發光元件
210‧‧‧本體
220‧‧‧第一電極
220’‧‧‧第一電極於底板的正投影
230‧‧‧第二電極
230’‧‧‧第二電極於底板的正投影
A‧‧‧對稱軸
e‧‧‧第一子電極
G‧‧‧間隙
Ga‧‧‧接墊間隙
Gb‧‧‧接墊間隙
Ge‧‧‧電極間隙
NF‧‧‧修復節點
O‧‧‧開口
Pa1、Pa2、Pa3‧‧‧主接合塊
Pb1、Pb2、Pb3、Pb2’、Pb3’‧‧‧輔助接合塊
S1‧‧‧第一表面
STP1、STP2‧‧‧接合柵條
W1、W2‧‧‧寬度
Z1‧‧‧第一接合區
Z2‧‧‧第二接合區
Z3‧‧‧容差區
Z4‧‧‧離散區
圖1A係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示面板的結構示意圖。
圖1B係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示基板的接合墊的俯視示意圖。
圖2A係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示基板與發光元件的第一電極與第二電極的理想相對位置的示意圖。
圖2B係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示基板與發光元件的第一電極與第二電極的一種非理想相對位置的示意圖。
圖2C係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示基板與發光元件的第一電極與第二電極的另一種非理想相對位置的示意圖。
圖3係為根據本發明第二實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖4係為根據本發明第三實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖5係為根據本發明第四實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖6係為根據本發明第五實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖7係為根據本發明第六實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖8A係為根據本發明第七實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖8B係為根據本發明第七實施例所繪示之顯示基板與發光元件的錯位示意圖。
圖9係為根據本發明第八實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖10係為根據本發明第九實施例所繪示之第一電極與第二電極的各子電極與第一接合墊與第二接合墊的相對示意圖。
圖11係為根據本發明第十實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖12係為根據本發明第十一實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
圖13係為根據本發明第十二實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點,其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點,但非以任何觀點限制本發明之範疇。
請參照圖1A與圖1B,圖1A係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示面板的結構示意圖,圖1B係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示基板的接合墊的俯視示意圖。如圖1A所示,顯示面板1包括一顯
示基板10與一發光元件20。發光元件20係設置於顯示基板10上。於實務上,發光元件20例如是藉由凸塊(bump)而固著於顯示基板10上,但不以此為限。
發光元件20包括本體210、一第一電極220與一第二電極230。本體210為磊晶結構,所述的磊晶結構中例如設置有不同摻雜類型的半導體材料層與至少一發光半導體材料層而發光。在此並不對本體210的結構進行限制。第一電極220與第二電極230具有不同的電性,例如用以分別連接所述的不同的半導體材料層於外部訊號。第一電極220與第二電極230例如係由高功函數金屬(例如:鉑、鎳、鈦、金、鉻、銀、上述之合金及上述材料之組合)、金屬氧化物(如氧化銦錫、氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅及氧化鋅)或是導電的非金屬材料如導電高分子、石墨、石墨烯及黑磷形成。以金屬材料為例,所謂的高功函數金屬例如為功函數不小於4.5電子伏特的金屬材料,較佳地,第一電極220與第二電極230是選自具有高透光率的導電材料,例如透光率在80%以上的導電材料。發光元件20例如為發光二極體(light emitting diode,LED)、迷你發光二極體(mini emitting diode,mini LED)或是微型發光二極體(micro light emitting diode,micro LED),但不以此為限。於實務上,所述的磊晶結構可包括II-VI族材料(例如:鋅化硒(ZnSe))或III-V氮族化物材料(例如:氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化鋁銦鎵(AlInGaN))。磊晶結構的厚度以不超過6微米(micrometer,μm)為佳,且磊晶結構的厚度通常大於1微米,太厚或太薄都將影響製程的良率。
顯示基板10包括一底板110與一第一接合墊120。底板110的一第一表面S1定義有一第一接合區Z1。底板110例如為玻璃基板、藍寶石基板或是其他具有高透光率的基板。底板110上可以設置線路或是電路以驅動發光元件。第一接合墊120設置於第一表面S1上。部分的第一接
合墊120係位於第一接合區Z1中。第一接合墊120用以於第一接合區Z1中電性連接發光元件20的第一電極220。從另一個角度來說,第一電極220於理想情況中會被設置於底板110上的預定位置,因此所謂的第一接合區Z1可以說是第一電極220於理想情況中在底板110上的正投影所涵蓋的範圍。相仿地,底板110的第一表面S1上更定義有一第二接合區Z2,且第二接合墊130用以於第二接合區Z2中電性連接發光元件20的第二電極230。第一接合墊120與第二接合墊130的例如係由高功函數金屬(例如:鉑、鎳、鈦、金、鉻、銀、上述之合金及上述材料之組合)、金屬氧化物(如氧化銦錫、氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅及氧化鋅)或是導電的非金屬材料如導電高分子、石墨、石墨烯及黑磷形成。較佳地,第一接合墊120與第二接合墊130是選自具有高透光率的導電材料,但不以此為限。
第一接合墊120包括一主接合部1210與一輔助接合部1220。主接合部1210與輔助接合部1220之間具有一間隙G且主接合部1210與輔助接合部1220為相同電性。主接合部1210於底板110的正投影的至少部分係位於第一接合區Z1中。輔助接合部1220電性連接主接合部1210。輔助接合部1220於底板110的正投影的至少部分係位於第一接合區Z1之外。換句話說,於理想情況中,發光元件20的第一電極220係電性連接於第一接合墊120的主接合部1210。
相仿地,第二接合墊130包括一主接合部1310與一輔助接合部1320。主接合部1210與輔助接合部1220之間具有一間隙G且主接合部1310與輔助接合部1320為相同電性。於理想情況中,發光元件20的第二電極230係電性連接於第二接合墊130的主接合部1310。在此實施例中,第一接合墊120與第二接合墊130係相對於第一接合區Z1與第二接合區Z2之間的一對稱軸A而對稱,但不以此為限。為求敘述簡明,後續係主要以第一接合墊120進行說明。
輔助接合部1220包括多個輔助接合塊Pb1。這些輔助接合
塊Pb1彼此直接地或間接地電性連接。更具體地來說,各輔助接合塊Pb1可以連接彼此的每一而構成直接的電性連接;或是,各輔助接合塊Pb1可以僅連接相鄰的其他輔助接合塊Pb1,並經由相鄰的輔助接合塊Pb1而與距離較遠的輔助接合塊Pb1構成間接的電性連接。這些輔助接合塊Pb1相鄰的其中之二之間具有一接墊間隙Gb。
發光元件20係如上述地被接合於第一接合墊120與第二接合墊130,而使得發光元件20可以經由第一接合墊120與第二接合墊130取得電源或是驅動訊號。如前述地,第一電極220理想上係電性連接於第一接合墊120的主接合部1210。但是以顯示基板10為基準來說,第一電極220可能會在實際接合的過程當中偏離理想的位置。舉發光元件20為微型發光二極體的例子來說,大量的發光元件20係經由巨量轉移(mass transfer)的製程而同時由磊晶基板被轉移至所述的顯示基板10。在巨量轉移的過程中,部分發光元件的相對位置即可能會發生改變。此時,輔助接合部1220可以提供製程誤差所需的容差空間。
請接著參照圖2A至圖2C以說明製程誤差對於發光元件與顯示基板接合的影響,圖2A係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示基板與發光元件的第一電極與第二電極的理想相對位置的示意圖,圖2B係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示基板與發光元件的第一電極與第二電極的一種非理想相對位置的示意圖,圖2C係為根據本發明第一實施例所繪示之顯示基板與發光元件的第一電極與第二電極的另一種非理想相對位置的示意圖。由於從俯視的角度來看,發光元件20與顯示基板10的多個元件係彼此重疊,因此在圖2A至圖2C及後續的圖式中係以第一電極與第二電極於底板110上的正投影來代表第一電極與第二電極的位置,並以中心線包圍的區域表示第一電極與第二電極於底板110上的正投影。
如圖2A所示,在理想情況中,第一電極220於底板110上的正投影220’係主要位於第一接合區Z1中。而如圖2B所示,在一種非理
想情況中,發光元件20係略往圖面的左邊偏移而使得第一電極220於底板110的正投影220’覆蓋了部分的輔助接合部1220。此時,第一電極220直接地或是間接地經由其他導體(如前述的凸塊)而分別電性連接主接合部1210與輔助接合部1220。再如圖2C所示,在一種非理想情況中,發光元件20係略往圖面的右邊偏移而使得第二電極230於底板110的正投影230’覆蓋了部分的輔助接合部1220。也就是說,此時,第二電極120直接地或是間接地經由其他導體(如前述的凸塊)而分別電性連接第二接合墊130的主接合部1310與輔助接合部1320。因此,輔助接合部1220與輔助接合部1320係提供了接合過程中所需的容錯空間。
以往的基板上的接合墊雖然會預留空間給製程誤差,但是以往的接合墊並未對應發光元件的電極而對應設計而通常為一整塊的電性導體,相當耗費底板110上的空間,同時也影響了顯示基板與顯示面板的透光率(或稱透明度或透光度)。在一種定義方式中,透光率在照明上是指光通過介質後扣除反射率、折射率、吸收率、色散後淨通過的總光量。
在本發明所提供的實施例中,除了必要的電性連接走線之外,相鄰的輔助接合塊Pb1之間尚具有接墊間隙Gb。而在此實施例中,各輔助接合塊Pb1與主接合部1210之間也具有間隙G。從另一個角度來說,這些接墊間隙Gb和間隙G使得第一接合墊120形同具有至少一鏤空區域。因此,當以顯示基板10一側作為出光側時,部份的發光元件20提供的光可以經由此至少一鏤空區域通過顯示基板10,而不會被顯示基板10阻擋,從而提升了顯示面板1(或者說顯示基板10)整體的透光率。
在一種實施方式中,主接合部1210於底板110的正投影面積大於位於各輔助接合塊Pb1其中之一於底板110的正投影面積,以確保發光元件20與顯示基板10接合的效果,並且提升顯示面板1或是顯示基板10的透明度。其中,各輔助接合塊Pb1其中之一於底板110的正投影面積與主接合部1210於底板110的正投影面積的比值介於0.2至0.8。在
一實施例中,輔助接合塊Pb1中的每一的寬度均不大於6微米(micrometer,μm),大於6微米會遮光影響透光率。在另一實施例中,第一電極220與第一接合墊120的接觸面積不大於第一電極220於底板110上的正投影面積。在一種實作方式中,第一電極220與第一接合墊120的接觸面積與第一電極220於底板110上的正投影面積的比值不大於0.8且不小於0.2,大於0.8會影響透光率,小於0.2會影響電性連接的均勻度。在又一實施例中,第一電極220與第一接合墊120的接觸面積不大於發光元件20於底板110上的正投影面積。在一種實作方式中,第一電極220與第一接合墊120的接觸面積與發光元件20於底板110上的正投影面積的比值不大於0.8。較佳地,當發光元件為一垂直發光元件時,第一電極與第一接合墊的接觸面積與發光元件於底板上的正投影面積的比值小於等於0.8;當發光元件為一覆晶發光元件時,第一電極與第一接合墊的接觸面積與發光元件於底板上的正投影面積的比值小於等於0.5。藉由上述實施例,使得接合墊與對應電極的接觸面積足夠大以維持接合的效果,且第一接合墊120與第二接合墊130所具有的間隙足夠大,讓發光元件20提供的光線可以通過間隙而確實提升透明度。
請再參照圖3,圖3係為根據本發明第二實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。與圖1所示的第一實施例不同的是,在圖3所示的第二實施例中,顯示基板1的第一接合墊120的輔助接合部1220係具有輔助接合塊Pb2與輔助接合塊Pb3。相較於第一實施例,第二實施例中的輔助接合塊Pb2的與輔助接合塊Pb3的總面積係小於輔助接合塊Pb1,而使得輔助接合塊Pb2與輔助接合塊Pb3之間具有更多的間隙,從而進一步地提升了顯示面板的透明度。或者從另一個角度來說,第一實施例中的輔助接合塊Pb1係於第二實施例中被更進一步地圖案化或者說被離散化成更零碎的區塊,從而提升了顯示面板1的透明度,又能預留空間給製程誤差。特別地,主接合部1210的面積大於每一輔助接合塊Pb2的面積和每一輔
助接合塊Pb3的面積,每一輔助接合塊Pb2的面積大於每一輔助接合塊Pb3的面積,亦即遠離第一接合區的每一離散元件面積愈小,從而更能提升透明度。
就圖3所示的結構更詳細地來說,底板110更定義有一容差區Z3與一離散區Z4。容差區Z3較離散區Z4靠近第一接合區Z1。輔助接合塊Pb2與輔助接合塊Pb3分別位於容差區Z3中或是位於離散區Z4中。容差區Z3中的任一輔助接合塊與第一接合區Z1之間的距離相較位於離散區Z4中的任一輔助接合塊與第一接合區Z1之間的距離為小。在圖3所示的第二實施例中,輔助接合塊Pb2係位於容差區Z3中,輔助接合塊Pb3係位於離散區Z4中,因此輔助接合塊Pb2中的每一與第一接合區Z1的距離係小於輔助接合塊Pb3中的每一與第一接合區Z1的距離。
須注意的是,容差區Z3與離散區Z4係為便於說明輔助接合塊Pb2及輔助接合塊Pb3相對於與主接合部1210的距離而被定義,並非用以限制本發明所提供的實施例。參照第一實施例中的第一電極220來說,在一種定義方式中,容差區Z3與離散區Z4係為第一電極220在非理想情況中於底板110上除了第一接合區Z1以外的較有可能的投影範圍,而第一電極220於底板110上的正投影落於容差區Z3中的機率係高於落於離散區Z4中的機率,且容差區Z3係位於第一接合區Z1與離散區Z4之間。或者,在另一種定義方式中,容差區Z3可以被定義為第一接合區Z1朝至少一方向以某個比例擴張所而於原第一接合區之外額外佔的範圍,離散區Z4可以被定義為第一接合區Z1朝至少一方向以某個比例擴張而於原第一接合區Z1與容差區Z3之外額外佔的範圍。在此實施例中,第一接合區Z1係沿y軸方向擴張成容差區Z3與離散區Z4,但於實務上,第一接合區Z1也可沿x軸方向或同時沿x軸方向與y軸方向擴張成容差區Z3與離散區Z4。上述僅為舉例示範,並不以此為限。特別說明的是,由於容差區Z3與離散區Z4係為便於說明輔助接合塊Pb2及輔助接合塊Pb3
相對於與主接合部1210的距離而被定義,因此容差區Z3與離散區Z4的面積比例不大於一預設門檻值,例如是不大於1。
在一實施例中,各輔助接合塊Pb2於底板110上的正投影的總面積大於各輔助接合塊Pb3於底板110上的正投影的總面積。在此實施例中,各輔助接合塊Pb2其中任一於底板110上的正投影的面積大於各輔助接合塊Pb3其中任一於底板110上的正投影的面積。由於各輔助接合塊Pb3用以電性連接至第一電極220的機率較小,此舉不但維持了接合製程的容錯空間,也相對地提升了顯示面板1或是顯示基板10的透明度。
請參照圖4,圖4係為根據本發明第三實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。相仿於圖3所示的結構,圖3中的各輔助接合塊Pb2可以被進一步地圖案化成圖4中的各輔助接合塊Pb2’,以進一步減少輔助接合部1220實際所佔的面積,增加了各輔助接合塊Pb2’之間的間隙,從而提升顯示面板1或是顯示基板10的透明度。
請參照圖5,圖5係為根據本發明第四實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。如前述地,離第一接合區Z1較遠的輔助接合塊用以電性連接第一電極220的機率較小,因此相較於第三實施例,在此實施例中的輔助接合塊Pb3的數量再被降低。此舉在機率上而言並不會對發光元件20與顯示基板10的接合關係有太大的影響,而顯示面板1或是顯示基板10的透明度則能被進一步提升。
請參照圖6,圖6係為根據本發明第五實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。此實施例的結構係相仿於圖3所示之結構。不同之處在於,在此實施例中的輔助接合塊Pb2'''係為一完整區塊,相鄰的輔助接合塊Pb3之間的間隔實質上相同,以便於製造且確保與發光元件接合的電性效果。
請參照圖7,圖7係為根據本發明第六實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。在此實施例中,主接合部1210具有主接合塊Pa1與
多個主接合塊Pa2。相仿於前述的概念,由於主接合部1210對應於主接合塊Pa2的部份用以電性連接發光元件20的電極的機率較低,因此這部份的主接合部1210於此實施例中被進一步圖形化成各主接合塊Pa2。各主接合塊Pa2之間具有接墊間隙Ga且主接合部1210各主接合塊Pa2之間亦具有接墊間隙Ga。在接合發光元件20於顯示基板10的過程中,凸塊會被使用以使發光元件20固著於顯示基板10,而使得凸塊同時也會構成光線傳輸的阻礙。因此,在減少主接合部1210的面積的時候也減少了光行進路徑上的阻礙。藉此,可以在維持發光元件20與顯示基板10正常接合的情況下進一步提升顯示基板10或是顯示面板1的透明度。
請參照圖8A與圖8B,圖8A係為根據本發明第七實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖,圖8B係為根據本發明第七實施例所繪示之顯示基板與發光元件的錯位示意圖。所述的錯位係指各電極與各接合墊並未理想地相接。在此實施例中,主接合部1210被圖案化成多個主接合塊Pa3,這些主接合塊Pa3彼此直接地或間接地電性連接。相鄰的主接合塊Pa3之間具有接墊間隙Ga。在此實施例中,各主接合塊Pa3的大小與各輔助接合塊Pb1的大小均相仿,以便於製作。
另一方面,在此實施例中,各主接合塊Pa3與各輔助接合塊Pb1係排列成陣列。在同一行中的各接合塊彼此電性連接,所述的陣列其中一列中的各接合塊彼此電性連接。其中,所述的列的方向係朝向於Y軸方向,所述的行的方向係朝向於X軸方向。參照如圖8B,藉由這樣的結構,當發光元件20太過偏離理想的接合位置而同時電性連接第一接合墊120與第二接合墊130時,修復節點NF上的走線可被斷開,而自所述的接合塊陣列中形成新的第一接合墊120’與新的第二接合墊130’。由於修復節點NF上的走線已被斷開,因此不會造成短路。於實務上,亦可在修復過程中將新的走線額外加入,以使第一接合墊120’的各個接合塊彼此直接地或間接地電性連接,並能接收到外部的訊號。
在一種實施方式中,各主接合塊Pa3其中之一於底板110的正投影面積大於等於位於各輔助接合塊Pb1其中之一於底板110的正投影面積,以確保發光元件20與顯示基板10接合的效果,並且提升顯示面板1或是顯示基板10的透明度。其中,各輔助接合塊Pb1其中之一於底板110的正投影面積與各主接合塊Pa3其中之一於底板110的正投影面積的比值介於0.5至1。在此實施例中,第一接合墊120被圖案化成多個主接合塊Pa3與多個輔助接合塊Pb1,因此而主接合塊Pa3中的每一的寬度與輔助接合塊Pb1中的每一的寬度均不大於6微米,更佳的,主接合塊Pa3中的每一的寬度與輔助接合塊Pb1中的每一的寬度進一步在3微米(micrometer,μm)以下,藉此使得第一接合墊120與第二接合墊130中的間隙足夠大,讓發光元件20提供的光線可以通過而確實提升透明度。
請再參照圖9,圖9係為根據本發明第八實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。在圖9的實施例中,第一接合墊120與第二接合墊130係成梳狀。更具體地來說,第一接合墊120具有至少一主接合部1210、至少二輔助接合部1220與一連接部1230。各輔助接合部1220分別位於主接合部1210的兩側,並且與主接合部1210相隔有一間隙G。連接部1230電性連接各輔助接合部1220的一端與主接合部的一端。於實務上,連接部1230可以是以與主接合部1210與輔助接合部1220相同的製程同時設置而成,或是連接部1230也可以是在設置主接合部1210與輔助接合部1220於底板110之後再行設置,在此並不加以限制。
請參照圖10,圖10係為根據本發明第九實施例所繪示之第一電極與第二電極的各子電極與第一接合墊與第二接合墊的相對示意圖。為了能清楚示意,在圖10中更以不同的網底分別標註電極與接合墊。在此實施例中,第一電極220包括多個第一子電極e。這些第一子電極e彼此直接地或間接地電性連接。這些第一子電極e其中之二之間具有一電極間隙Ge。換句話說,在此實施例中除了第一接合墊120與第二接合墊130
被圖案化之外,發光元件20的第一電極220與第二電極230也被圖案化。因此,當發光元件20提供的光朝底板110方向傳輸時,這些光遇到的阻礙會更被減少,顯示面板1與顯示基板10的透明度可以再被提升。
在一實施例中,電極間隙Ge的範圍於發光元件20一表面上的正投影面積與發光元件20的表面面積的比值不小於0.5,大於0.5會影響電性連接均勻度。在另一實施例中,每一第一子電極e於底板110上的正投影重疊於各主接合塊Pa3其中之一於底板110上的正投影的至少部分或是重疊於輔助接合塊Pb1其中之一於底板110上的正投影的至少部分。在更一實施例中,每一第一子電極e於底板110上的正投影與各主接合塊Pa3其中之一於底板110上的正投影的重疊部分與每一第一子電極e於底板110上的正投影的比例不小於0.5,小於0.5將會影響透光度並影響電性連接均勻度,或是每一第一子電極e於底板110上的正投影與各輔助接合塊Pb1其中之一於底板110上的正投影的的重疊部分與每一第一子電極e於底板110上的正投影的比例不小於0.5,小於0.5將會影響透光度並影響電性連接均勻度。
藉由上述實施例,使得接合墊與對應電極的接觸面積足夠大以維持接合的效果,且第一接合墊120所具有的間隙與第二接合墊130所具有的間隙足夠大,以及第一電極220所具有的間隙與第二電極230所具有的間隙足夠大,讓發光元件20提供的光線可以通過間隙而確實提升透明度。
請參照圖11,圖11係為根據本發明第十實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。在第十實施例中,第一接合墊120與第二接合墊130分別具有多個開口O,藉以提升顯示面板1或顯示基板10的透明度。從另一個角度來說,第一接合墊120與第二接合墊130係為網格(mesh)狀。在一實施例中,第一接合墊120可再被定義為由多個接合柵條STP1與多個接合柵條STP2交錯相接而成。其中,接合柵條STP1的寬度W1不大於
6微米,相鄰的接合柵條STP1之間的距離不小於1微米,接合柵條STP2的寬度W2不大於6微米,相鄰的接合柵條STP2之間的距離不小於1微米,而使得發光元件20所提供的光線可以藉由繞射而通過第一接合墊120與第二接合墊130,等效地增加了顯示面板1與顯示基板10的透明度。
請再參照圖12與圖13,圖12係為根據本發明第十一實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖,圖13係為根據本發明第十二實施例所繪示之顯示基板的俯視示意圖。雖上述係以各接合塊的俯視形狀為矩形且各接合塊排列成矩形陣列為例進行說明,但是如圖12與圖13所示,所述的第一接合墊與第二接合墊也可以是依據圓形、梯形、三角形或是其他的多邊形依據上述之原則以及區域之畫分被對應的圖案化或離散化而形成,而不僅限於矩形。此外,陣列中的各個接合塊也並非限制一定要是分別沿行或沿列對齊,而也可以彼此不對齊。所屬技術領域具有通常知識者經詳閱本說明書後當可依上述各實施例所提及的各項原則或性質而推得其他的實施態樣,凡是接合墊中具有間隙者皆屬本發明所涵蓋之範圍。
綜合以上所述,本發明提供了一種顯示基板與顯示面板。其中,以顯示基板來說,顯示基板上設置有第一接合墊以與發光元件的電極電性連接。第一接合墊包括主要接合部與輔助接合部,而主接合部與輔助接合部之間具有間隙。從另一個角度來說,主接合部與輔助接合部係被離散地設置,使得第一接合墊具有間隙而不會整片地蓋住底板,從而增加了顯示基板的透光面積。而在本發明的一或多個實施例中,在能夠妥善地與發光元件的電極相接的前提下,第一接合墊更具有不同的實施態樣。藉此,本發明得以在當前的製程下製造出所述的顯示基板與顯示面板,且在不影響顯影品質的前提下顯著地提升了顯示基板與顯示面板的透明度。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內,所為之更動與潤飾,均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範
圍。
Claims (21)
- 一種顯示基板,包括:一底板,該底板的一第一表面定義有一第一接合區;以及一第一接合墊,設置於該第一表面上,部分的該第一接合墊係位於該第一接合區中,該第一接合墊用以於該第一接合區電性連接一發光元件的一第一電極,該第一接合墊包括:一主接合部,該主接合部於該底板的正投影的至少部分係位於該第一接合區中;以及一輔助接合部,電性連接該主接合部,該輔助接合部於該底板的正投影的至少部分係位於該第一接合區之外,其中該主接合部與該輔助接合部之間具有一間隙且該主接合部與該輔助接合部具有相同電性。
- 如請求項1所述之顯示基板,其中,該輔助接合部包括多個輔助接合塊,該些輔助接合塊彼此電性連接,該些輔助接合塊其中之二之間具有一接墊間隙。
- 如請求項2所述之顯示基板,其中,該主接合部包括多個主接合塊,該些主接合塊彼此電性連接,該些主接合塊其中之二之間具有一接墊間隙。
- 如請求項3所述之顯示基板,其中,該些主接合塊其中之一於該底板的正投影面積大於等於該些輔助接合塊其中之一於該底板的正投影面積。
- 如請求項3所述之顯示基板,其中,每一該主接合塊的寬度與每一該輔助接合塊的寬度不大於6微米(micrometer,μm)。
- 如請求項3所述之顯示基板,其中,該底板更定義有一容差區與一離散區,該容差區較該離散區靠近該第一接合區,該些輔助接合塊分別位於該容差區中或是位於該離散區中,該容差區中的任一該輔助接合塊與該第一接合區之間的距離相較位於該離散區中的任一該輔助接合塊與該第一接合區之間的距離為小,該輔助接合部於該容差區的正投影總面積大於該輔助接合部於該離散區的正投影總面積。
- 如請求項6所述之顯示基板,其中,位於該容差區的該些輔助接合塊其中之一於該底板的正投影面積大於位於該離散區的該些輔助接合塊其中之一於該底板的正投影面積。
- 如請求項6所述之顯示基板,其中,位於該容差區的該些輔助接合塊的數量多於位於該離散區的該些輔助接合塊的數量。
- 如請求項1所述之顯示基板,其中該底板更定義有一第二接合區,該顯示基板更包括一第二接合墊,設置於該底板上,用以於該第二接合區電性連接該發光元件的一第二電極,該第一接合墊與該第二接合墊係相對於該第一接合區與該第二接合區之間的一對稱軸對稱。
- 一種顯示面板,包括:一發光元件,包括一第一電極與一第二電極;以及一顯示基板,包括:一底板,該底板的一第一表面定義有一第一接合區;以及一第一接合墊,設置於該第一表面上,部分的該第一接合墊係位於該第一接合區中,該第一接合墊用以於該第一接合區電性連接該發光元件的該第一電極,該第一接合墊包括:一主接合部,該主接合部於該底板的正投影的至少部分係位於該第一接合區中;以及一輔助接合部,電性連接該主接合部,該輔助接合部於該底板的正投影的至少部分係位於該第一接合區之外,其中該主接合部與該輔助接合部之間具有一間隙且該主接合部與該輔助接合部具有相同電性。
- 如請求項10所述之顯示面板,其中,該輔助接合部包括多個輔助接合塊,該些輔助接合塊彼此電性連接,該些輔助接合塊其中之二之間具有一接墊間隙。
- 如請求項11所述之顯示面板,其中,該主接合部包括多個主接合塊,該些主接合塊彼此電性連接,該些主接合塊其中之二之間具有一接墊間隙。
- 如請求項12所述之顯示面板,其中,該些主接合塊其中之一於該底板的正投影面積大於等於該些輔助接合塊其中之一於該底板的正投影面積。
- 如請求項12所述之顯示面板,其中該第一電極與該第一接合墊的接觸面積不大於該第一電極於該底板上的正投影面積。
- 如請求項14所述之顯示面板,其中該第一電極與該第一接合墊的接觸面積與該第一電極於該底板上的正投影面積的比值不大於0.8且不小於0.2。
- 如請求項12所述之顯示面板,其中該第一電極與該第一接合墊的接觸面積不大於該發光元件於該底板上的正投影面積。
- 如請求項12所述之顯示面板,其中該第一電極與該第一接合墊的接觸面積與該發光元件於該底板上的正投影面積的比值不大於0.8。
- 如請求項12所述之顯示面板,其中,該第一電極包括多個第一子電極,該些第一子電極彼此電性連接,該些第一子電極其中之二之間具有一電極間隙。
- 如請求項18所述之顯示面板,其中,該電極間隙的範圍於該發光元件的一表面上的正投影面積與該發光元件的該表面的面積的比值小於0.5。
- 如請求項19所述之顯示面板,其中,每一該第一子電極於該底板上的正投影重疊於該些主接合塊其中之一於該底板上的正投影的至少部分或是重疊於該些輔助接合塊其中之一於該底板上的正投影的至少部分。
- 如請求項18所述之顯示面板,其中,每一該第一子電極於該底板上的正投影與該些主接合塊其中之一於該底板上的正投影的重疊部分與每一該第一子電極於該底板上的正投影的比值不小於0.5,或是每一該第一子電極於該底板上的正投影與該些輔助接合塊其中之一於該底板上的正投影的的重疊部分與每一該第一子電極於該底板上的正投影的比值不小於0.5。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107110603A TWI662521B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 顯示基板與顯示面板 |
US16/024,494 US10847694B2 (en) | 2018-03-28 | 2018-06-29 | Display substrate and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107110603A TWI662521B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 顯示基板與顯示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI662521B true TWI662521B (zh) | 2019-06-11 |
TW201942889A TW201942889A (zh) | 2019-11-01 |
Family
ID=67764166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107110603A TWI662521B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 顯示基板與顯示面板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10847694B2 (zh) |
TW (1) | TWI662521B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10825743B2 (en) * | 2018-07-06 | 2020-11-03 | Innolux Corporation | Electronic device and method for repairing electronic device |
KR20200052044A (ko) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
TWI818199B (zh) * | 2020-10-06 | 2023-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
CN113937197A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-01-14 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示面板 |
CN116072014B (zh) * | 2023-01-16 | 2024-10-18 | 业成光电(深圳)有限公司 | 光源组件及其制作方法、透明显示屏 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102541334A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 上海天马微电子有限公司 | 触摸显示装置及其制造方法 |
TW201612704A (en) * | 2014-09-25 | 2016-04-01 | Wintek Corp | Touch panel and display panel with function of fingerprint identification |
US20170168337A1 (en) * | 2014-07-15 | 2017-06-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Display Device with Capacitive Coupling Type Touch Panel Input Device |
TW201725763A (zh) * | 2015-06-26 | 2017-07-16 | 億光電子工業股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI221336B (en) * | 2003-08-29 | 2004-09-21 | Advanced Semiconductor Eng | Integrated circuit with embedded passive component in flip-chip connection and method for manufacturing the same |
TWI257714B (en) * | 2004-10-20 | 2006-07-01 | Arima Optoelectronics Corp | Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode |
US9040316B1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-05-26 | Deca Technologies Inc. | Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping |
-
2018
- 2018-03-28 TW TW107110603A patent/TWI662521B/zh active
- 2018-06-29 US US16/024,494 patent/US10847694B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102541334A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 上海天马微电子有限公司 | 触摸显示装置及其制造方法 |
US20170168337A1 (en) * | 2014-07-15 | 2017-06-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Display Device with Capacitive Coupling Type Touch Panel Input Device |
TW201612704A (en) * | 2014-09-25 | 2016-04-01 | Wintek Corp | Touch panel and display panel with function of fingerprint identification |
TW201725763A (zh) * | 2015-06-26 | 2017-07-16 | 億光電子工業股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201942889A (zh) | 2019-11-01 |
US20190305199A1 (en) | 2019-10-03 |
US10847694B2 (en) | 2020-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI662521B (zh) | 顯示基板與顯示面板 | |
TWI668856B (zh) | 發光二極體面板 | |
TWI723207B (zh) | 微型發光二極體及其製造方法 | |
TWI621249B (zh) | 微型發光二極體及顯示面板 | |
TWI613806B (zh) | 微型發光二極體裝置及顯示面板 | |
TWI661575B (zh) | 微型發光元件及顯示裝置 | |
EP3413112A1 (en) | Optical lens and light emitting module having the same | |
US11367713B2 (en) | Micro light emitting device display apparatus | |
TWI725691B (zh) | 微型發光元件顯示裝置 | |
TW201826517A (zh) | 顯示面板 | |
TW201703283A (zh) | 發光二極體晶片 | |
TW202002275A (zh) | 顯示面板及其製作方法 | |
JP6720220B2 (ja) | 光学レンズ、照明モジュールおよびこれを備えたライトユニット | |
TW201826516A (zh) | 微型發光二極體晶片 | |
TW201709553A (zh) | 發光二極體晶片 | |
US20200259050A1 (en) | Micro light emitting device display apparatus | |
KR20160143430A (ko) | 발광 다이오드 | |
JP2023512830A (ja) | 発光素子を有するユニットピクセル、ピクセルモジュール及びディスプレイ装置 | |
WO2022085689A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2019184197A1 (zh) | 显示装置、发光二极管芯片及其制备方法 | |
TWI709222B (zh) | 微型發光元件顯示裝置 | |
KR20190033438A (ko) | 디스플레이 디바이스 | |
TW202218143A (zh) | 微型發光二極體顯示器 | |
TW202145599A (zh) | 微型發光二極體 | |
US20220352429A1 (en) | Display device |