TW201709553A - 發光二極體晶片 - Google Patents

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賴騰憲
康凱舜
蘭彥廷
黃靖恩
陳正彬
簡瑋辰
鄭至欽
曾志宏
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Abstract

一種發光二極體晶片，包括半導體元件層、第一電極、電流阻擋層、電流分散層及第二電極。半導體元件層包括第一型摻雜半導體層、第二型摻雜半導體層及位於第一型與第二型摻雜半導體層之間的發光層。第一電極與第一型摻雜半導體層電性連接。電流阻擋層配置於第二型摻雜半導體層上。電流阻擋層夾於電流分散層與第二型摻雜半導體層之間。第二電極配置於電流分散層上並與第二型摻雜半導體層電性連接。電流阻擋層具有面向半導體元件層的第一表面、背向半導體元件層的第二表面以及第一斜面。第一斜面連接於第一表面與第二表面之間且相對於第一表面與第二表面傾斜。

Description

發光二極體晶片
本發明是有關於一種發光元件，且特別是有關於一種發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）晶片。
隨著半導體科技的進步，現今的發光二極體已具備了高亮度與高演色性等特性，加上發光二極體具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點，發光二極體已廣泛地應用在顯示器與照明等領域。一般而言，發光二極體晶片的發光效率與發光二極體晶片的內部量子效率（即光取出率）相關。當發光層所發出的光線有更多比率可以穿透出發光二極體晶片時，代表著發光二極體晶片的內部量子效率較佳。發光二極體晶片的電極通常是由金屬材質所製造，由於金屬材質的不透光性，發光二極體晶片上被電極覆蓋的區域所發出的光線無法有效的被利用。如此一來，會造成電能的浪費。因此，習知已發展出一種在電極與半導體元件層之間製作電流阻擋層的技術，然而，透過電流阻擋層來提升發光二極體晶片的發光效率仍然存在許多改善的空間。因此，如何進一步提升發光二極體晶片的性能，實為目前研發人員研發的重點之一。
本發明提供多種發光二極體晶片，其性能佳。
本發明提出一種發光二極體晶片，包括半導體元件層、第一電極、電流阻擋層、電流分散層及第二電極。半導體元件層包括第一型摻雜半導體層、第二型摻雜半導體層及位於第一型與第二型摻雜半導體層之間的發光層。第一電極與第一型摻雜半導體層電性連接。電流阻擋層配置於第二型摻雜半導體層上。電流阻擋層夾於電流分散層與第二型摻雜半導體層之間。第二電極配置於電流分散層上並與第二型摻雜半導體層電性連接。電流阻擋層具有面向半導體元件層的第一表面、背向半導體元件層的第二表面以及第一斜面。第一斜面連接於第一表面與第二表面之間且相對於第一表面與第二表面傾斜。
本發明提出另一種發光二極體晶片，包括半導體元件層、第一電極、電流阻擋層、電流分散層及第二電極。半導體元件層包括第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層。發光層位於第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。第一電極與第一型摻雜半導體層電性連接。電流阻擋層配置於第二型摻雜半導體層上。電流阻擋層包括至少一第一電流阻擋子層以及至少一第二電流阻擋子層。至少一第一電流阻擋子層與至少一第二電流阻擋子層相堆疊。電流阻擋層配置於電流分散層與第二型摻雜半導體層之間。第二電極與第二型摻雜半導體層電性連接。
基於上述，在本發明一實施例中，發光二極體晶片的電流阻擋層具有斜面。藉此，當電流分散層覆蓋電流阻擋層時，電流分散層在斜面附近的披覆性佳，進而能夠提升發光二極體晶片的性能。此外，在本發明另一實施例中，電流分散層包括反射層。藉此，電流分散層可將由發光層射向電極的光束反射至它處，進而使發光層發出的光束不易被遮光的電極阻擋而從它處出光，以提升發光二極體晶片的亮度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
第一實施例
圖1A至圖1C是依據本發明第一實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖，而圖2A至圖2E是依據本發明第一實施例的不同發光二極體晶片的上視示意圖。
請參照圖1A，本實施例的發光二極體晶片100a包括一半導體元件層110、一第一電極120、一電流阻擋層130、一電流分散層140以及一第二電極150。半導體元件層110包括一第一型摻雜半導體層112、一發光層114以及一第二型摻雜半導體層116，其中發光層114位於第一型摻雜半導體層112與第二型摻雜半導體層116之間。第一電極120與第一型摻雜半導體層112電性連接。電流阻擋層130配置於第二型摻雜半導體層116上，且電流阻擋層130包括一主體132以及一從主體132延伸的延伸部134。電流分散層140配置於第二型摻雜半導體層116上以覆蓋電流阻擋層130。第二電極150經由電流分散層140與第二型摻雜半導體層116電性連接，其中第二電極150包括一焊墊152以及一從焊墊152延伸的指部154，焊墊152位於主體132上方，而指部154位於延伸部134上方，且指部154的部份區域未與延伸部134重疊。
請參照圖1B，圖1B中的發光二極體晶片100b與前述實施例的發光二極體晶片100a主要的差異在於：焊墊152貫穿電流分散層140與主體132，且焊墊152與第二型摻雜半導體層116接觸，其中電流分散層140覆蓋被焊墊152貫穿的主體132的一側壁S。
請參照圖1C，圖1C中的發光二極體晶片100c與前述實施例的發光二極體晶片100b主要的差異在於：電流分散層140未覆蓋被焊墊152貫穿的主體132的一側壁S。換言之，貫穿電流分散層140與主體132的焊墊152會直接與主體132的側壁S接觸或連接。
由於指部154的部份區域未與電流阻擋層130的延伸部134重疊，因此施加於第二電極150的驅動電流可以輕易地經由這些未與延伸部134重疊的區域（即電流聚集區域）傳輸至半導體元件層110中。換言之，本實施例可透過延伸部134與指部154的圖案設計以及二者的重疊情況來控制發光二極體晶片100中電流聚集區域的位置，進而提升發光二極體晶片100的發光效率。
在本實施例中，發光層114配置於第一型摻雜半導體層112上以暴露出部份的第一型摻雜半導體層112，且第一電極120配置於發光層114所暴露出的部份第一型摻雜半導體層112上。換言之，本實施例的發光二極體晶片100為水平式（horizontal type）發光二極體晶片。舉例而言，半導體元件層110中的第一型摻雜半導體層112例如為N型摻雜半導體層，而第二型摻雜半導體層116例如為P型摻雜半導體層，且發光層114例如由多個交替堆疊的井層（well layers）以及阻障層（barrier layer）所構成的多重量子井層（Multiple Quantum Well，MQW）。此外，本實施例的半導體元件層110例如是透過磊晶製程製作於一基板SUB上，而此基板SUB可為藍寶石基板、矽基板、碳化矽基板等。
值得注意的是，前述的半導體元件層110可進一步包括一緩衝層160，此緩衝層160通常會在第一型摻雜半導體層112製作之前，先形成於基板SUB上。換言之，緩衝層160可選擇性地形成於基板SUB與半導體元件層110之間，以提供適當應力釋放並且改善後續形成的薄膜的磊晶品質。
在本實施例中，第一電極120例如是與第一型摻雜半導體層112具有良好歐姆接觸的金屬材質，電流阻擋層130的材質例如是介電層，電流分散層140的材質例如是透明導電材料，而第二電極150例如是與電流分散層140具有良好歐姆接觸的金屬材質。舉例而言，第一電極120的材質包括鉻（Cr）、金（Au）、鋁（Al）、鈦（Ti）等導電材料，電流阻擋層130的材質包括氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）等介電材料，電流分散層140的材質包括銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）等透明導電材料；而第二電極150的材質包括鉻（Cr）、金（Au）、鋁（Al）、鈦（Ti）等導電材料。
本實施例的電流阻擋層130可採用不同設計，以下將搭配圖2A至圖2E針對不同設計的電流阻擋層130進行描述。
如圖2A所示，本實施例的延伸部134可包括多個彼此分離的電流阻擋圖案134a，且電流阻擋圖案134a沿著指部154的延伸方向排列。舉例而言，電流阻擋圖案134a為塊狀圖案。從圖2A可知，彼此相互分離的電流阻擋圖案134a可以有效地阻擋來自於指部154的電流，而相鄰電流阻擋圖案134a之間的區域則可被視為電流聚集的區域。值得注意的是，前述任二相鄰的電流阻擋圖案134a之間的間距可以依據實際設計需求而做適度的更動，以調整電流聚集區域的大小。
如圖2B所示，本實施例的延伸部134可包括多個沿著指部154的延伸方向排列的電流阻擋圖案134a以及多個連接圖案134b，其中任二相鄰的電流阻擋圖案134a透過對應的連接圖案134b而彼此連接。連接圖案134b與指部154部份重疊，且在沿著指部154的延伸方向上各個連接圖案134b的寬度小於指部154的寬度。舉例而言，電流阻擋圖案134a為塊狀圖案，而連接圖案134b為條狀圖案。從圖2B可知，前述的電流阻擋圖案134a可以有效地阻擋來自於指部154的電流，由於連接圖案134b與指部154部份重疊，因此連接圖案134b仍能局部地阻擋來自於指部154電流，且連接圖案134b的周圍區域可被視為電流聚集的區域。
如圖2C所示，本實施例的延伸部134可包括多個沿著指部154的延伸方向排列的電流阻擋圖案134a以及多個連接圖案134b，其中任二相鄰的電流阻擋圖案134a透過對應的連接圖案134b而彼此連接。連接圖案134b未與指部154重疊，且在沿著指部154的延伸方向上各個連接圖案134b的寬度小於指部154的寬度。舉例而言，電流阻擋圖案134a為塊狀圖案，而連接圖案134b為條狀圖案。從圖2C可知，前述的電流阻擋圖案134a可以有效地阻擋來自於指部154的電流，而連接圖案134b對於來自於指部154電流的阻擋效果較不明顯，因此相鄰電流阻擋圖案134a之間的區域可被視為電流聚集的區域。
如圖2D所示，本實施例的延伸部134同樣可包括多個沿著指部154的延伸方向排列的電流阻擋圖案134a以及多個連接圖案134b，其中任二相鄰的電流阻擋圖案134a透過對應的連接圖案134b而彼此連接，然而，圖2C中的連接圖案134b未與指部154重疊。舉例而言，電流阻擋圖案134a為塊狀圖案，而連接圖案134b為弧狀圖案。從圖2C可知，前述的電流阻擋圖案134a可以有效地阻擋來自於指部154的電流，而連接圖案134b對於來自於指部154電流的阻擋效果較不明顯，因此相鄰電流阻擋圖案134a之間的區域可被視為電流聚集的區域。
如圖2E所示，本實施例的延伸部134可為波浪狀圖案，且此波浪狀圖案與指部154具有多個交點。值得注意的是，在波浪狀圖案與指部154的交叉處，來自於指部154的電流未被有效的阻擋，然，在指部154的其他位置上，連接圖案134b對於來自於指部154電流的阻擋效果較不明顯，因此，除了波浪狀圖案與指部154的交叉處之外，其餘位置皆可被視為電流聚集的區域。
第二實施例
圖3A至圖3C是依據本發明第二實施例的不同發光二極體晶片的上視示意圖。請參照圖1A至圖1C與圖3A，本實施例的發光二極體晶片200包括一半導體元件層110、一第一電極120、一電流阻擋層230、一電流分散層140以及一第二電極150。半導體元件層110包括一第一型摻雜半導體層112、一發光層114以及一第二型摻雜半導體層116，其中發光層114位於第一型摻雜半導體層112與第二型摻雜半導體層116之間。第一電極120與第一型摻雜半導體層112電性連接。電流阻擋層230包括一主體232以及一從主體232延伸的延伸部234。電流阻擋層230配置於第二型摻雜半導體層上116。電流分散層140配置於第二型摻雜半導體層116上以覆蓋電流阻擋層230。第二電極10經由電流分散層140與第二型摻雜半導體層116電性連接，其中第二電極150包括一焊墊152以及一從焊墊152延伸的指部154，焊墊152位於主體132上方，而指部154位於延伸部134上方，且延伸部234在沿著指部154的延伸方向上具有多種寬度。
由於延伸部234在沿著指部154的延伸方向上具有多種寬度，因此延伸部234可以被區分為寬度不同的多個部分。具體而言，延伸部234中寬度越大的部分對於來自於第二電極150的驅動電流的阻擋能力越高，而延伸部234中寬度越小的部分對於來自於第二電極150的驅動電流的阻擋能力越低。本實施例可透過具有多種寬度的延伸部234來控制發光二極體晶片200中電流聚集區域的位置，進而提升發光二極體晶片200的發光效率。
在本實施例中，發光層114配置於第一型摻雜半導體層112上以暴露出部份的第一型摻雜半導體層112，且第一電極120配置於發光層114所暴露出的部份第一型摻雜半導體層112上。換言之，本實施例的發光二極體晶片200為水平式（horizontal type）發光二極體晶片。舉例而言，半導體元件層110中的第一型摻雜半導體層112例如為N型摻雜半導體層，而第二型摻雜半導體層116例如為P型摻雜半導體層，且發光層114例如由多個交替堆疊的井層（well layers）以及阻障層（barrier layer）所構成的多重量子井層（Multiple Quantum Well，MQW）。此外，本實施例的半導體元件層110例如是透過磊晶製程製作於一基板SUB上，而此基板SUB可為藍寶石基板、矽基板、碳化矽基板等。
值得注意的是，前述的半導體元件層110可進一步包括一緩衝層160，此緩衝層160通常會在第一型摻雜半導體層112製作之前，先形成於基板SUB上。換言之，緩衝層160可選擇性地形成於基板SUB與半導體元件層110之間，以提供適當應力釋放並且改善後續形成的薄膜的磊晶品質。
在本實施例中，第一電極120例如是與第一型摻雜半導體層112具有良好歐姆接觸的金屬材質，電流阻擋層230的材質例如是介電層，電流分散層140的材質例如是透明導電材料，而第二電極150例如是與電流分散層140具有良好歐姆接觸的金屬材質。舉例而言，第一電極120的材質包括(Cr)、金（Au）、鋁（Al）、鈦（Ti）等導電材料，電流阻擋層230的材質包括氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）__等介電材料，電流分散層140的材質包括銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）等透明導電材料；而第二電極150的材質包括（Cr）、金（Au）、鋁（Al）、鈦（Ti）等導電材料。
本實施例的電流阻擋層230可採用不同設計，以下將搭配圖3A至圖3C針對不同設計的電流阻擋層230進行描述。
如圖3A與圖3B所示，本實施例的延伸部234的寬度可在沿著指部154的延伸方向上呈週期性變化。詳言之。延伸部234具有兩種或多種寬度，且延伸部234在任一處的寬度皆大於指部154的寬度（如圖3A所示），或者延伸部234在部分區域的寬度會等於指部154的寬度，而在其他區域的寬度會大於指部154的寬度（如圖3B所示）。舉例而言，本實施例的延伸部234包括多個沿著指部154的延伸方向排列的電流阻擋圖案234a及多個連接圖案234b，其中電流阻擋圖案234a透過連接圖案234b彼此連接。此外，連接圖案234b與指部154重疊，且在沿著指部154的延伸方向上各個連接圖案234b的寬度大於指部154的寬度（如圖3A所示），或者各個連接圖案234b的寬度會等於指部154的寬度（如圖3B所示）。如圖3C所示，在本實施例的電流阻擋層230中，延伸部234的寬度在沿著指部154的延伸方向上漸變，且在越靠近第一電極120處，延伸部234的寬度越大。
第三實施例
圖4A至圖4B是依據本發明第三實施例的不同發光二極體晶片的剖面示意圖，請先參考圖4A。在本實施例中，發光二極體晶片300a類似於圖1A實施例的發光二極體晶片100a。發光二極體晶片300a的構件以及相關敘述可參考圖1A實施例的發光二極體晶片100a，在此便不再贅述。發光二極體晶片300a與發光二極體晶片100a的差異在於，發光二極體晶片300a包括電流分散層140a以及電流分散層140b。電流分散層140a配置於第二型摻雜半導體層116上以覆蓋電流阻擋層130，而電流分散層140b配置於第一型摻雜半導體層112上。在本實施例中，發光二極體晶片300a更包括保護層170，配置於半導體元件層110上。電流分散層140a以及電流分散層140b配置於保護層170以及半導體元件層110之間。具體而言，保護層170設置於電流分散層140a以及電流分散層140b 上，且保護層170的材料係可以是可透光的膜層，例如是氧化矽。保護層170材料的折射率例如是介於1.4 到1.6之間。
在本實施例中，電流分散層140a以及電流分散層140b的材質包括透明導電材料。此外，電流分散層140a的折射率介於保護層170以及第二型摻雜半導體層116的折射率之間，且電流分散層140b的折射率介於保護層170以及第一型摻雜半導體層112的折射率之間。舉例而言，電流分散層140b（或電流分散層140a）的折射率例如是1.9，保護層170的折射率例如是介於1.4 到1.6之間，而第一型摻雜半導體層112（或第二型摻雜半導體層116）的折射率例如是2.3。具體而言，由於本實施利中，呈堆疊結構的第一型摻雜半導體層112、電流分散層140b以及保護層170其折射率呈現漸進地變化，因此電流分散層140b消弭了保護層170與第一型摻雜半導體層112之間的折射率落差。當光線依序通過第一型摻雜半導體層112、電流分散層140b以及保護層170時，由於此堆疊結構之間的折射率差異較小，因此發光層114所發出的光線具有較大的全反射角，使其較不容易發生全反射而提高折射的比例，進而增加發光二極體晶片300a的出光效率。在本實施例中，電流分散層140a以及電流分散層140b的材料為銦錫氧化物。然而在一些實施例中，電流分散層140a以及電流分散層140b的材料亦可以為銦錫氧化物（ITO）、鎳（Ni）、金（Au）、鉻（Cr）、鈦（Ti）、鋁（Al）或其組合，本發明並不以此為限。
在本實施例中，如同圖1A實施例的發光二極體晶片100a，發光二極體晶片300a可以透過延伸部134與指部154的圖案設計以及二者的重疊情況來控制發光二極體晶片300a中電流聚集區域的位置，進而提升發光二極體晶片300a的發光效率。
接著，請參考圖4B。在本實施例中，發光二極體晶片300b類似於圖4A實施例的發光二極體晶片300a。發光二極體晶片300b的構件以及相關敘述可參考圖4A實施例的發光二極體晶片300a，在此便不再贅述。發光二極體晶片300b與發光二極體晶片300a的差異在於，發光二極體晶片300b不包括電流阻擋層。除此之外，在本實施例中，電流分散層140a的折射率介於保護層170以及第二型摻雜半導體層116的折射率之間，且電流分散層140b的折射率介於保護層170以及第一型摻雜半導體層112的折射率之間。因此，如同圖4A實施例的發光二極體晶片300a，發光二極體晶片300b的發光層114所發出的光線較不容易發生全反射，使得發光二極體晶片300b的出光效率增加。
圖5A至圖5D是圖4B實施例的發光二極體晶片製作方法流程示意圖，請先參考圖5A。在本實施例中，圖4A實施例的發光二極體晶片300a的製作方法包括成長半導體元件層110於基板SUB上。半導體元件層110具有第一型摻雜半導體層112、發光層114以及第二型摻雜半導體層116。具體而言，第一型摻雜半導體層112形成於基板SUB上，發光層114形成於第一型摻雜半導體層112上，而第二型摻雜半導體層116形成於發光層114上。另外，在本實施例中，於第一型摻雜半導體層112製作之前，先形成緩衝層160於基板SUB上。
接著，請參考圖5A以及圖5B。在本實施例中，發光層114配置於第一型摻雜半導體層112上以暴露出部份第一型摻雜半導體層112。具體而言，第一型摻雜半導體層112、發光層114以及第二型摻雜半導體層116例如是透過磊晶而形成。另外，透過蝕刻，使部分第一型摻雜半導體層112、發光層114以及第二型摻雜半導體層116被移除，使部分第一型摻雜半導體層112暴露而出。在本實施例中，發光二極體晶片300a的製作方法包括形成電流分散層140a於第二型摻雜半導體層116上，以及電流分散層140b於發光層114所暴露出的部份第一型摻雜半導體層112上。具體而言，電流分散層140a以及電流分散層140b可進一步經蝕刻保留部分區域暴露第一型摻雜半導體層112以及第二型摻雜半導體層116，以提供後續設置電極的空間，同時，避免電流分散層140a與電流分散層140b彼此連接而造成短路。
請參考圖5C，在本實施例中，發光二極體晶片300a的製作方法包括形成第一電極120以及第二電極150，使第一電極120以及第二電極150分別電性連接於第一型摻雜半導體層112以及電流分散層140a。具體而言，第一電極120配置於發光層114所暴露出的部份第一型摻雜半導體層112上。
接著，請參考圖5D，在本實施例中，發光二極體晶片300a的製作方法包括形成保護層170於半導體元件層110的表面，並覆蓋部分電流分散層140a以及部分電流分散層140b。具體而言，電流分散層140a的折射率介於保護層170以及第二型摻雜半導體層116的折射率之間，且電流分散層140b的折射率介於保護層170以及第一型摻雜半導體層112的折射率之間。
第四實施例
圖6A至圖6B是依據本發明第四實施例的不同發光二極體晶片的上視示意圖，請參考圖6A以及圖6B。在本實施例中，圖6A的發光二極體晶片300c以及圖6B的發光二極體晶片300d  類似於圖3C實施例的發光二極體晶片200。發光二極體晶片300c的構件以及相關敘述以及發光二極體晶片300d的構件以及相關敘述可參考圖3C實施例的發光二極體晶片200，在此便不再贅述。在本實施例中，圖6A的發光二極體晶片300c以及圖6B的發光二極體晶片300d的差異之處在於，發光二極體晶片300c的電流分散層140b接觸第一電極120之側邊，而發光二極體晶片300d的電流分散層140b未接觸第一電極120之側邊。具體而言，電流分散層140b可透過改變製程中的光罩之技術手段，而被控制其是否接觸第一電極120之側邊，本發明並不以此為限。另外，本發明實施例的電流分散層140a以及電流分散層140b對電性的影響低。因此，電流分散層140a以及電流分散層140b可以在不影響發光二極體晶片電性表現的情況下，減少光線出光路徑上的折射率變化差異，而使得發光二極體晶片的出光效率增加。
第五實施例
圖7A是依據本發明第五實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖7B是圖7A的發光二極體晶片沿著線段A-A’的剖面示意圖。在本實施例中，發光二極體晶片400a類似於圖1A的發光二極體晶片100a。具體而言，發光二極體晶片400a包括半導體元件層110、電流分散層440、第一電極420、絕緣層480以及第二電極450。半導體元件層110包括第一型摻雜半導體層112、發光層114以及第二型摻雜半導體層116。發光層114位於第一型摻雜半導體層112與第二型摻雜半導體層116之間。在本實施例中，電流分散層440配置於第二型摻雜半導體層116上。第一電極420與第一型摻雜半導體層112電性連接，且絕緣層480配置於第一電極420與第一型摻雜半導體層112之間。另外，第二電極450經由電流分散層440與第二型摻雜半導體層116電性連接。具體而言，發光二極體晶片400a更包括電流阻擋層430，配置於電流分散層440與第二型摻雜半導體層116之間。電流阻擋層430可以例如是如圖1A實施例的發光二極體晶片100a的電流阻擋層130，亦可以是其他形式的電流阻擋層，本發明並不以此為限。另外，發光二極體晶片400a的構件、構件配置情形以及相關敘述可參考圖1A的發光二極體晶片100a，在此便不再贅述。
在本實施例中，第一電極420包括焊部422以及從焊部422延伸的支部424。具體而言，焊部422配置於絕緣層480的上方。絕緣層480用以阻擋電子自第一電極420的焊部422流通至第一型摻雜半導體層112，使電子自第一電極420的焊部422流經支部424，並使電子透過支部424流通至第一型摻雜半導體層112。在本實施例中，由於這些支部424由焊部422延伸至距離焊部422較遠的位置，因此由外界驅動發光二極體晶片400a所提供的電子會由焊部422流經支部424，並經由支部424分散到距離焊部422較遠的位置，使得電子得以流入距離焊部422較遠的位置所對應的第一型摻雜半導體層112部分。具體而言，外界驅動發光二極體晶片400a所提供的電子透過於第一型摻雜半導體層112上分佈的支部424而流入第一型摻雜半導體層112的對應位置。因此，第一型摻雜半導體層112接收到電子的區域至少包括支部424與第一型摻雜半導體層112相接觸的區域，使得第一電極420提供的電子與第二電極450提供的電洞的複合機率增加而產生更多光子，進而提升發光二極體晶片400a的發光效率。
在本實施例中，絕緣層480的材質例如是介電層，舉例而言，絕緣層480的材質包括氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）等介電材料。在一些實施例中，絕緣層480的材質亦可以是其他類型的介電材料，且絕緣層480的材質可以與電流阻擋層430的材質相同或者不相同，本發明並不以此為限。另外，在本實施例中，發光二極體晶片400a可以包括如圖4A以及圖4B實施例的發光二極體晶片300a的保護層170，本發明亦不以此為限。
第六實施例
圖7C至圖7F、圖7G至圖7J以及圖7K至圖7M是依據本發明第六實施例的不同發光二極體晶片製作方法流程示意圖，請先參考圖7C至圖7F，同時參考圖5A至圖5D。在本實施例中，發光二極體晶片400a結構相同於圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a。本實施例的發光二極體晶片400a製作方法類似於圖5A至圖5D實施例的發光二極體晶片300a製作方法。具體而言，請先參考圖7C，本實施例發光二極體晶片400a製作方法包括成長半導體元件層110於基板SUB上。半導體元件層110具有第一型摻雜半導體層112、發光層114以及第二型摻雜半導體層116。第一型摻雜半導體層112形成於基板SUB上，發光層114形成於第一型摻雜半導體層112上，而第二型摻雜半導體層116形成於發光層114上。另外，在本實施例中，於第一型摻雜半導體層112製作之前，先形成緩衝層160於基板SUB上。除此之外，發光層114配置於第一型摻雜半導體層112上以暴露出部份第一型摻雜半導體層112。接著，請參考圖7D，形成電流阻擋層430以及電流分散層440於第二型摻雜半導體層116上，且電流阻擋層430位於電流分散層440以及第二型摻雜半導體層116之間。
之後，請參考圖7E。在本實施例中，發光二極體晶片400a製作方法包括形成絕緣層480於發光層114所暴露出的部份第一型摻雜半導體層112上。接著，請參考圖7F，形成第一電極420以及第二電極450，使第一電極420以及第二電極450分別電性連接於第一型摻雜半導體層112以及電流分散層440，以形成發光二極體晶片400a。具體而言，發光二極體晶片400a的第一電極420包括焊部422以及從焊部422延伸的支部424，且焊部422配置於絕緣層480的上方。
圖7G至圖7J是本發明第六實施例的其他發光二極體晶片製作方法流程示意圖，請參考圖7G至圖7J，同時參考圖7C至圖7F。發光二極體晶片400b類似於圖7C至圖7F的發光二極體晶片400a，且本實施例的發光二極體晶片400b的製作方法類似於圖7C至圖7F實施例的發光二極體晶片400a的製作方法。在本實施例中，請先參考圖7G，本實施例發光二極體晶片400b製作方法包括成長半導體元件層110於基板SUB上。另外，請參考圖7H，形成電流分散層440於第二型摻雜半導體層116上。具體而言，發光二極體晶片400b的製作方法並沒有形成電流阻擋層於第二型摻雜半導體層116上。接著，請參考圖7I，形成絕緣層480於發光層114所暴露出的部份第一型摻雜半導體層112上。之後，請參考圖7J，形成第一電極420以及第二電極450，使第一電極420以及第二電極450分別電性連接於第一型摻雜半導體層112以及電流分散層440，以形成發光二極體晶片400b。
圖7K至圖7M是本發明第六實施例的其他發光二極體晶片製作方法流程示意圖，請參考圖7K至圖7M，同時參考圖7C至圖7F。發光二極體晶片400c類似於圖7C至圖7F的發光二極體晶片400a，且本實施例的發光二極體晶片400c的製作方法類似於圖7C至圖7F實施例的發光二極體晶片400a的製作方法。在本實施例中，請先參考圖7K，本實施例發光二極體晶片400c製作方法包括成長半導體元件層110於基板SUB上。另外，請參考圖7L，形成電流阻擋層430’於第二型摻雜半導體層116上，且同時形成絕緣層480’於發光層114所暴露出的部份第一型摻雜半導體層112上。具體而言，電流阻擋層430’與絕緣層480’的材料可以是相同或者是不相同。另外，形成電流分散層440於第二型摻雜半導體層116上，使得電流阻擋層430’位於電流分散層440與第二型摻雜半導體層116之間。接著，請參考圖7M，形成第一電極420以及第二電極450，使第一電極420以及第二電極450分別電性連接於第一型摻雜半導體層112以及電流分散層440，以形成發光二極體晶片400c。
第七實施例
圖8A是依據本發明第七實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖8B是圖8A的發光二極體晶片沿著線段B-B’的剖面示意圖，請參考圖8A以及圖8B。在本實施例中，發光二極體晶片400d類似於圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a。發光二極體晶片400d的構件以及相關敘述可參考圖7A以及圖7B的發光二極體晶片400a，在此便不再贅述。發光二極體晶片400d與發光二極體晶片400a的差異在於，發光二極體晶片400d的第一電極420a包括焊部422a以及從焊部422a延伸的支部424a。具體而言，焊部422a配置於絕緣層480m的上方，且焊部422a包覆絕緣層480m。在本實施例中，絕緣層480m配置於第一電極420a與第一型摻雜半導體層112之間，且第一電極420a包括從焊部422a延伸的支部424a。因此，在發光二極體晶片400d中，第一電極420a提供的電子與第二電極450提供的電洞的複合機率增加而產生更多光子，使得發光二極體晶片400d具有類似圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a提升發光效率之效果。
第八實施例
圖9A是依據本發明第八實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，圖9B是圖9A的發光二極體晶片沿著線段C-C’的剖面示意圖，請參考圖9A以及圖9B。在本實施例中，發光二極體晶片400e類似於圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a。發光二極體晶片400e的構件以及相關敘述可參考圖7A以及圖7B的發光二極體晶片400a，在此便不再贅述。發光二極體晶片400e與發光二極體晶片400a的差異在於，發光二極體晶片400e的絕緣層480b包括絕緣層480b1以及絕緣層480b2。在本實施例中，絕緣層480b1配置於第一電極420與第一型摻雜半導體層112之間，而絕緣層480b2配置於第二型摻雜半導體層116上。具體而言，絕緣層480b2包覆第二型摻雜半導體層116、發光層114以及第一型摻雜半導體層112暴露在外的部分。另外，在本實施例中，絕緣層480b1（絕緣層480b）、絕緣層480b2（絕緣層480b）以及電流阻擋層430可以是採用相同或是不相同的材料，本發明並不以此為限。在本實施例中，絕緣層480b1配置於第一電極420與第一型摻雜半導體層112之間，且第一電極420包括從焊部422延伸的支部424。因此，發光二極體晶片400e具有類似圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a提升發光效率之效果。
第九實施例
圖10A是依據本發明第九實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，圖10B是圖10A的發光二極體晶片沿著線段D-D’的剖面示意圖，請參考圖10A以及圖10B。在本實施例中，發光二極體晶片400f類似於圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a。發光二極體晶片400f的構件以及相關敘述可參考圖7A以及圖7B的發光二極體晶片400a，在此便不再贅述。發光二極體晶片400f與發光二極體晶片400a的差異在於，發光二極體晶片400f的絕緣層480c配置於第一型摻雜半導體層112上。第一型摻雜半導體層112上未配置絕緣層480c的部分形成區域R2。在本實施例中，發光二極體晶片400f的第一電極420b包括焊部422b以及從焊部422b延伸的支部424b，而支部424b配置於區域R2中。具體而言，在一些實施例中，配置於區域R2的支部424b與絕緣層480c具有適當的間隙。另外，絕緣層480c包覆第二型摻雜半導體層116、發光層114以及部分的第一型摻雜半導體層112。因此，發光二極體晶片400f不易發生短路，且得到較佳的保護。在本實施例中，絕緣層480c配置於第一電極420b與第一型摻雜半導體層112之間，且第一電極420b包括從焊部422b延伸的支部424b。因此，發光二極體晶片400f具有類似圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a提升發光效率之效果。
圖10C至圖10F是圖10A實施例的發光二極體晶片製作方法流程示意圖，請參考圖10C至圖10F。發光二極體晶片400f的製作方法類似於圖7C至圖7F的發光二極體晶片400a的製作方法。請先參考圖10C，本實施例發光二極體晶片400f製作方法包括成長半導體元件層110於基板SUB上。另外，請參考圖10D，形成電流阻擋層430以及電流分散層440於第二型摻雜半導體層116上，且電流阻擋層430位於電流分散層440以及第二型摻雜半導體層116之間。之後，請參考圖10E，形成絕緣層480c於第一型摻雜半導體層112上。第一型摻雜半導體層112上未配置絕緣層480c的部分形成區域R2。具體而言，絕緣層480c包覆第二型摻雜半導體層116、發光層114以及部分的第一型摻雜半導體層112。接著，請參考圖10F，形成第一電極420b以及第二電極450，使第一電極420b以及第二電極450分別電性連接於第一型摻雜半導體層112以及電流分散層440，以形成發光二極體晶片400f。具體而言，發光二極體晶片400f的第一電極420b包括焊部422b以及從焊部422b延伸的支部424b，而支部424b配置於區域R2中。
第十實施例
圖11A是依據本發明第十實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖11B是圖11A的發光二極體晶片沿著線段E-E’的剖面示意圖，請參考圖11A以及圖11B。在本實施例中，發光二極體晶片400g類似於圖10A以及圖10B實施例的發光二極體晶片400f。發光二極體晶片400g的構件以及相關敘述可參考圖10A以及圖10B的發光二極體晶片400f，在此便不再贅述。發光二極體晶片400g與發光二極體晶片400f的差異在於，發光二極體晶片400g的絕緣層480d配置於第一型摻雜半導體層112上，且第一型摻雜半導體層112上未配置絕緣層480d的部分形成多個彼此分離的區域R3。在本實施例中，發光二極體晶片400g的第一電極420b包括焊部422b以及從焊部422b延伸的支部424b，而部分支部424b配置於這些區域R3中，且這些區域R3沿著支部424b的延伸方向排列。具體而言，在一些實施例中，配置於這些區域R3的支部424b的一部分與絕緣層480d具有適當的間隙。另外，絕緣層480d包覆第二型摻雜半導體層116、發光層114以及部分的第一型摻雜半導體層112。因此，發光二極體晶片400g不易發生短路，且得到較佳的保護。在本實施例中，絕緣層480d配置於第一電極420b與第一型摻雜半導體層112之間，且第一電極420b包括從焊部422b延伸的支部424b。因此，發光二極體晶片400g具有類似圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a提升發光效率之效果。具體而言，由於在這些區域R3所在位置中，支部424b接觸第一型摻雜半導體層112，因此這些區域R3可被視為電流聚集的區域。
第十一實施例
圖12A是依據本發明第十一實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖12B是圖12A的發光二極體晶片沿著線段F-F’的剖面示意圖，請參考圖12A以及圖12B。在本實施例中，發光二極體晶片400h類似於圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a。發光二極體晶片400h的構件以及相關敘述可參考圖7A以及圖7B的發光二極體晶片400a，在此便不再贅述。發光二極體晶片400h與發光二極體晶片400a的差異在於，發光二極體晶片400h的電流分散層440a包括電流分散層440a1以及電流分散層440a2。電流分散層440a1配置於第二電極450以及第二型摻雜半導體層116之間，且電流分散層440a1覆蓋電流阻擋層430。在本實施例中，電流分散層440a2配置於第一型摻雜半導體層112上以覆蓋絕緣層480e。另外，第一電極420c包括焊部422c以及從焊部422c延伸的支部424c。焊部422c配置於絕緣層480e的上方。具體而言，絕緣層480e用以阻擋電子自第一電極420c的焊部422c流通至第一型摻雜半導體層112c。因此，電子自第一電極420c的焊部直接流至電流分散層440a2，或者電子自第一電極420c的焊部422c流至支部424c後再進入電流分散層440a2。接著，電子透過電流分散層440a2流通至第一型摻雜半導體層112。由於電流分散層440a2位於支部424c與第一型摻雜半導體層112之間，因此第一型摻雜半導體層112接收到電子的區域至少包括支部424c所對應的第一型摻雜半導體層112的區域。在本實施例中，第一電極420c提供的電子與第二電極450提供的電洞的複合機率增加而產生更多光子，使得發光二極體晶片400h具有類似圖7A以及圖7B實施例的發光二極體晶片400a提升發光效率之效果。
第十二實施例
圖13A是依據本發明第十二實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖13B是圖13A的發光二極體晶片沿著線段G-G’的剖面示意圖，請參考圖13A以及圖13B。在本實施例中，發光二極體晶片400i類似於圖12A以及圖12B實施例的發光二極體晶片400h。發光二極體晶片400i的構件以及相關敘述可參考圖12A以及圖12B的發光二極體晶片400h，在此便不再贅述。發光二極體晶片400i與發光二極體晶片400h的差異在於，發光二極體晶片400i的電流分散層440b包括電流分散層440b1以及電流分散層440b2。電流分散層440b1配置於第二電極450以及第二型摻雜半導體層116之間，且電流分散層440b1覆蓋電流阻擋層430。另外，電流分散層440b2配置於第一型摻雜半導體層112上以覆蓋絕緣層480e。在本實施例中，電流分散層440b2沿著支部424c的延伸方向配置於支部424c與第一型摻雜半導體層112之間，且電流分散層440b2於第一型摻雜半導體層112上的配置範圍對應於支部424c所在位置的附近區域。因此，第一型摻雜半導體層112接收到電子的區域至少包括支部424c所對應的第一型摻雜半導體層112的區域，使得發光二極體晶片400i具有類似圖12A以及圖12B實施例的發光二極體晶片400h提升發光效率之效果。
第十三實施例
圖14A是依據本發明第十三實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，圖14B是圖14A的發光二極體晶片沿著線段H-H’的剖面示意圖，請參考圖14A以及圖14B。在本實施例中，發光二極體晶片400j類似於圖12A以及圖12B實施例的發光二極體晶片400h。發光二極體晶片400j的構件以及相關敘述可參考圖12A以及圖12B的發光二極體晶片400h，在此便不再贅述。發光二極體晶片400j與發光二極體晶片400h的差異在於，發光二極體晶片400j的絕緣層480f包括絕緣層480f1以及絕緣層480f2，而電流分散層440a包括電流分散層440a1以及電流分散層440a2。配置於第一型摻雜半導體層112上以覆蓋絕緣層480f1的電流分散層440a2為第一電流分散層，而配置於第二型摻雜半導體層116上的電流分散層440a1為第二電流分散層。在本實施例中，絕緣層480f2配置於第一電流分散層與第二電流分散層之間，且絕緣層480f2電性絕緣第一電流分散層與第二電流分散層。具體而言，絕緣層480f2配置於電流分散層440a2與電流分散層440a1之間，且絕緣層480f2電性絕緣電流分散層440a2與電流分散層440a1。因此，發光二極體晶片400j不易發生短路，且得到較佳的保護。在本實施例中，電流分散層440a2位於支部424c與第一型摻雜半導體層112之間，且絕緣層480f1阻擋來自焊部422c的電子進入第一型摻雜半導體層112。因此，發光二極體晶片400j具有類似圖12A以及圖12B實施例的發光二極體晶片400h提升發光效率之效果。
第十四實施例
圖15A是依據本發明第十四實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖15B是圖15A的發光二極體晶片沿著線段I-I’的剖面示意圖，請參考圖15A以及圖15B。在本實施例中，發光二極體晶片400k類似於圖14A以及圖14B實施例的發光二極體晶片400j。發光二極體晶片400k的構件以及相關敘述可參考圖14A以及圖14B的發光二極體晶片400j，在此便不再贅述。發光二極體晶片400k與發光二極體晶片400j的差異在於，發光二極體晶片400k的絕緣層480f1配置於第一型摻雜半導體層112上，且第一型摻雜半導體層112上未配置絕緣層480f1的部分形成多個彼此分離的區域R3。在本實施例中，由於在這些區域R3所在位置中，來自支部424c的電子得以透過其所接觸的電流分散層440a2傳遞至第一型摻雜半導體層112，因此這些區域R3可被視為電流聚集的區域。另外，在一些實施例中，焊部422c下方的電流分散層440a2具有孔洞h。焊部422c填充孔洞h並且透過孔洞h與絕緣層480f1接觸。具體而言，發光二極體晶片400k具有類似圖14A以及圖14B實施例的發光二極體晶片400j提升發光效率之效果。
第十五實施例
圖16A是依據本發明第十五實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，圖16B是圖16A的發光二極體晶片沿著線段J-J’的剖面示意圖，請參考圖16A以及圖16B。在本實施例中，發光二極體晶片400l類似於圖10A以及圖10B實施例的發光二極體晶片400f。發光二極體晶片400l的構件以及相關敘述可參考圖10A以及圖10B的發光二極體晶片400f，在此便不再贅述。發光二極體晶片400l與發光二極體晶片400f的差異在於，發光二極體晶片400l的電流分散層440c包括電流分散層440c1以及電流分散層440c2，而第一電極420d包括焊部422d以及從焊部422d延伸的支部424d。電流分散層440c2配置於未配置絕緣層480g的區域R2中，且電流分散層440c2配置於支部424d與第一型摻雜半導體層112之間。在本實施例中，絕緣層480g包覆第二型摻雜半導體層116、發光層114以及部分的第一型摻雜半導體層112。因此，發光二極體晶片400l不易發生短路，且得到較佳的保護。此外，發光二極體晶片400l具有類似圖10A以及圖10B實施例的發光二極體晶片400f提升發光效率之效果。
第十六實施例
圖17A是依據本發明第十六實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖17B是圖17A的發光二極體晶片沿著線段K-K’的剖面示意圖，請參考圖17A以及圖17B。在本實施例中，發光二極體晶片400m類似於圖16A以及圖16B實施例的發光二極體晶片400l。發光二極體晶片400m的構件以及相關敘述可參考圖16A以及圖16B的發光二極體晶片400l，在此便不再贅述。發光二極體晶片400m與發光二極體晶片400l的差異在於，發光二極體晶片400m的電流分散層440d包括電流分散層440d1以及電流分散層440d2。電流分散層440d2配置於未配置絕緣層480g的區域R2中，且電流分散層440d2配置於支部424d與第一型摻雜半導體層112之間。在本實施例中，電流分散層440d2亦配置於焊部422d與絕緣層480h之間，且電流分散層440d2包覆絕緣層480h。具體而言，發光二極體晶片400m具有類似圖16A以及圖16B實施例的發光二極體晶片400l提升發光效率之效果。
第十七實施例
圖18A是依據本發明第十七實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖18B是圖18A的發光二極體晶片沿著線段L-L’的剖面示意圖，請參考圖18A以及圖18B。在本實施例中，發光二極體晶片400n類似於圖17A以及圖17B實施例的發光二極體晶片400m。發光二極體晶片400n的構件以及相關敘述可參考圖17A以及圖17B的發光二極體晶片400m，在此便不再贅述。發光二極體晶片400n與發光二極體晶片400m的差異在於，發光二極體晶片400n的電流分散層440e包括電流分散層440e1以及電流分散層440e2。另外，發光二極體晶片400n的絕緣層480i配置於第一型摻雜半導體層112上，且第一型摻雜半導體層112上未配置絕緣層480i的部分形成多個彼此分離的區域R3。在本實施例中，發光二極體晶片400n的第一電極420d包括焊部422d以及從焊部422d延伸的支部424d，而部分支部424d配置於這些區域R3中，且這些區域R3沿著支部424d的延伸方向排列。另外，在一些實施例中，配置於這些區域R3的支部424d的一部分與絕緣層480i具有適當的間隙。具體而言，由於在這些區域R3所在位置中，來自支部424d的電子得以透過其所接觸的電流分散層440e2傳遞至第一型摻雜半導體層112，因此這些區域R3可被視為電流聚集的區域。具體而言，發光二極體晶片400n具有類似圖15A以及圖15B實施例的發光二極體晶片400k提升發光效率之效果。
上述圖1A至圖3C的發光二極體晶片100a、發光二極體晶片100b、發光二極體晶片100c以及發光二極體晶片200其電流阻擋層以及第二電極的各種實施樣態可以至少應用至圖4A至圖18B的發光二極體晶片300a、發光二極體晶片300c、發光二極體晶片300d、發光二極體晶片400a、發光二極體晶片400c、發光二極體晶片400d、發光二極體晶片400e、發光二極體晶片400f、發光二極體晶片400g、發光二極體晶片400h、發光二極體晶片400i、發光二極體晶片400j、發光二極體晶片400k、發光二極體晶片400l、發光二極體晶片400m以及發光二極體晶片400n，本發明並不以此為限。
第十八實施例
圖19A至圖19C是依據本發明第十八實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。圖19A至圖19C的發光二極體晶片100aA、100bA、100cA分別與圖1A至圖1C的發光二極體晶片100a、100b、100c類似，因此相同或相對應的構件以相同或相對應的標號表示。發光二極體晶片100aA、100bA、100cA與發光二極體晶片100a、100b、100c的主要差異在於：發光二極體晶片100aA、100bA、100cA的電流阻擋層130A與發光二極體晶片100a、100b、100c的電流阻擋層130不同。以下主要就此差異處做說明。發光二極體晶片100aA、100bA、100cA與發光二極體晶片100a、100b、100c相同或相對應處，請依圖19A 至圖19C中的標號參照前述說明，於此便不再重述。
請參照圖19A至圖19C，本實施例的發光二極體晶片100aA、100bA、100cA各自包括一半導體元件層110、一第一電極120、一電流阻擋層130A、一電流分散層140以及一第二電極150。半導體元件層110包括一第一型摻雜半導體層112、一發光層114以及一第二型摻雜半導體層116，其中發光層114位於第一型摻雜半導體層112與第二型摻雜半導體層116之間。第一電極120與第一型摻雜半導體層112電性連接。電流阻擋層130A配置於第二型摻雜半導體層116上，且電流阻擋層130A包括一主體132以及一從主體132延伸的延伸部134。電流阻擋層130A夾於電流分散層140與第二型摻雜半導體層116之間。第二電極150配置於電流分散層140上且經由電流分散層140與第二型摻雜半導體層116電性連接，其中第二電極150包括一焊墊152以及一從焊墊152延伸的指部154，焊墊152位於主體132上方，而指部154位於延伸部134上方，且指部154的部份區域未與延伸部134重疊。
請參照圖19B，圖19B的發光二極體晶片100bA與圖19A的發光二極體晶片100aA類似，因此相同或相對應的構件以相同或相對應的標號表示。發光二極體晶片100bA與圖19A的發光二極體晶片100aA主要的差異在於，焊墊152貫穿電流分散層140與主體132，且焊墊152與第二型摻雜半導體層116接觸，其中電流分散層140覆蓋被焊墊152貫穿的主體132的一側壁S。
請參照圖19C，圖19C的發光二極體晶片100cA與圖19B的發光二極體晶片100bA類似，因此相同或相對應的構件以相同或相對應的標號表示。圖19C的發光二極體晶片100cA與圖19B的發光二極體晶片100bA主要的差異在於，電流分散層140未覆蓋被焊墊152貫穿的主體132的一側壁S。換言之，貫穿電流分散層140與主體132的焊墊152會直接與主體132的側壁S接觸或連接。發光二極體晶片100bA、100cA具有與發光二極體晶片100aA類似的功效與優點，於此便不再重述。
在圖19A至圖19C中，電流阻擋層130A具有面向半導體元件層110的第一表面130f以及背向半導體元件層110的第二表面130g，特別是，電流阻擋層130A更具有連接於第一表面130f與第二表面130g之間的第一斜面130h。第一斜面130h相對於第一表面130f與第二表面130g傾斜。更進一步地說，第一表面130f與第二型摻雜半導體層116接觸而不與電流分散層140接觸，第二表面130g及第一斜面130h與電流分散層140接觸而不與第二型摻雜半導體層116接觸，其中第一表面130f在第二型摻雜半導體層116上的正投影面積大於第二表面130g在第二型摻雜半導體層116上的正投影面積，而第一斜面130h連接於第一表面130f的面積邊緣與第二表面130g的面積邊緣之間。第一斜面130h與第一表面130f在電流阻擋層130A的材質內夾有一銳角θ1。在本實施例中，10o ≦θ1≦80o ；較佳地是，30o ≦θ1≦50o ，但本發明不以此為限。
圖20為本發明一實施例之第二型摻雜半導體層、電流阻擋層以及電流分散擋層的放大示意圖。圖21為比較例之第二型摻雜半導體層、電流阻擋層以及電流分散擋層的放大示意圖。請參照圖20與圖21，在圖21的比較例中，電流阻擋層130的側壁130d與底面130e夾有角度θ1’，而θ1’≧90o 。在θ1’≧90o 的情況下，當電流分散層140覆蓋電流阻擋層130時，電流分散層140在側壁130d附近容易產生披覆性不佳的問題，例如在側壁130d處斷開，造成電流分散層140無法連續覆蓋於電流阻擋層130進而影響發光二極體晶片的電性、光學特性及信賴性。相較之下，請參照圖20，在本實施例中，電流阻擋層130A具有第一斜面130h。更進一步地說，第一斜面130h與第一表面130f在電流分散層130A的材質內夾有一銳角θ1。在θ1小於90o 的情況下，當電流分散層140覆蓋電流阻擋層130A時，電流分散層140在第一斜面130h附近的披覆性佳，進而能夠提升發光二極體晶片100aA的電性、光學特性及信賴性。舉例而言，當電流分散層140在第一斜面130h附近的披覆性佳時，發光二極體晶片100aA的驅動電壓可降低、電流密度的均勻性、亮度可提升、熱集中在特定區域的問題可改善。此外，當電流分散層140的披覆性佳時，更有助於後續形成在電流分散層140上之膜層（例如：第二電極150）的製程穩定性（process window）。
圖22A為本發明一實施例之電流阻擋層的放大示意圖。請參照圖22A，在本實施例中，電流阻擋層130A可為多膜層的堆疊結構。詳言之，電流阻擋層130A包括相堆疊的至少一第一電流阻擋子層136與至少一第二電流阻擋子層137。舉例而言，多個第一電流阻擋子層136與多個第二電流阻擋子層137可以交替疊置。第一電流阻擋子層136與第二電流阻擋子層137不同因而兩層之間存在有一介面。在本實施例中，第一電流阻擋子層136的材質與第二電流阻擋子層137的材質可不同。更進一步地說，第一電流阻擋子層136的折射率與第二電流阻擋子層137的折射率可不同。在不同折射率的設置下，第一電流阻擋子層136與第二電流阻擋子層137可堆疊成分散式布拉格反射器（Distributed Bragg Reflector；DBR）。請參照圖19A及圖22A，所述分散式布拉格反射器可將由發光層114射向第二電極150的光束反射至它處，進而使發光層114發出的光束不易被遮光的第二電極150阻擋而從它處出光，以提升發光二極體晶片100aA的亮度。將圖22A的設計應用於圖19B與圖19C亦然，電流阻擋層130A可以提供布拉格反射器的作用以提升發光二極體晶片100bA、100cA的亮度。
當使用材質相異的第一、二電流阻擋子層136、137製作電流阻擋層130A時，舉例而言，可利用剝除（lift-off）方法形成具有第一斜面130h的電流阻擋層130A，但本發明不以此為限，在他實施例中，也可用其他方法製作電流阻擋層130A。在本實施例中，第一電流阻擋子層136與第二電流阻擋子層137之一可為二氧化鈦（TiO2 ），而第一電流阻擋子層136與第二電流阻擋子層137之另一可為二氧化矽（SiO2 ）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一電流阻擋子層136與第二電流阻擋子層137也可選用其他適當材質。此外，第一電流阻擋子層136的材質與第二電流阻擋子層137的材質也不一定要相異。以下以圖22B為例說明之。
圖22B為本發明另一實施例之電流阻擋層的放大示意圖。請參照圖22B，在本實施例中，電流阻擋層130A包括相堆疊的至少一第一電流阻擋子層138與至少一第二電流阻擋子層139。多個第一電流阻擋子層138與多個第二電流阻擋子層139可交替疊置。第一電流阻擋子層138與第二電流阻擋子層139之間存在有介面。詳言之，第一電流阻擋子層138的材質與第二電流阻擋子層139的材質可相同，不過第一電流阻擋子層138的密度（density）大於第二電流阻擋子層139的密度。在本實施例中，可藉由調控製程參數（例如：溫度、壓力、時間等）形成密度不同的第一、二電流阻擋子層138、139。當使用材質相同而密度相異的第一、二電流阻擋子層138、139製作電流阻擋層130A時，可利用蝕刻製程（etching process）圖案化出第一、二電流阻擋子層138、139。由於第一、二電流阻擋子層138、139的密度不同，因此同時蝕刻第一、二電流阻擋子層138、139時，密度較高之第一電流阻擋子層138所留下的面積會較大，而密度較低之第二電流阻擋子層139所留下的面積會較小，換言之，密度較高之第一電流阻擋子層138所留下的面積投影於第二型摻雜半導體層116之長度會較大，而密度較低之第二電流阻擋子層139所留下的面積投影於第二型摻雜半導體層116會之長度較小，進而使電流阻擋層130A形成具有第一斜面130h的結構。需說明的是，以上內容雖以包括多膜層的電流阻擋層130A為例說明電流阻擋層130A的結構，但本發明並不限制電流阻擋層130A一定要包括多膜層，在其他實施例中，電流阻擋層130A也可僅具單一膜層。換言之，無論是單一膜層或多膜層的電流阻擋層130A，凡具有第一斜面130h的電流阻擋層130A均在本發明所欲保護的範疇內。
第十九實施例
圖23A是依據本發明第十九實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖23B是圖23A的發光二極體晶片沿著線段A-A’的剖面示意圖。圖23A、圖23B的發光二極體晶片400aA與圖7A、圖7B的發光二極體晶片400a類似，因此相同或相對應的元件以相同或相對應的標號表示。發光二極體晶片400aA與發光二極體晶片400a的主要差異在於：發光二極體晶片400aA的電流阻擋層430A及絕緣層480A與發光二極體晶片400a的電流阻擋層430及絕緣層480不同。以下主要就此差異處做說明。發光二極體晶片400aA與發光二極體晶片400a相同或相對應處，請依圖23A、圖23B中的標號參照前述說明，於此便不再重述。
請參照圖23A及圖23B，在本實施例中，發光二極體晶片400aA類似於圖19A的發光二極體晶片100aA。具體而言，發光二極體晶片400aA包括半導體元件層110、電流分散層440、第一電極420、絕緣層480A以及第二電極450。半導體元件層110包括第一型摻雜半導體層112、發光層114以及第二型摻雜半導體層116。發光層114位於第一型摻雜半導體層112與第二型摻雜半導體層116之間。在本實施例中，電流分散層440配置於第二型摻雜半導體層116上。第一電極420與第一型摻雜半導體層112電性連接，且絕緣層480A配置於第一電極420與第一型摻雜半導體層112之間。另外，第二電極450配置於電流分散層440上且經由電流分散層440與第二型摻雜半導體層116電性連接。
發光二極體晶片400aA更包括電流阻擋層430A，配置於電流分散層440與第二型摻雜半導體層116之間。與發光二極體晶片400a不同之處是，電流阻擋層430A可以具有如圖19A之發光二極體晶片100aA的電流阻擋層130A的結構。換言之，電流阻擋層430A可具有面向半導體元件層110的第一表面430f以及背向半導體元件層110的第二表面430g以及連接於第一表面430f與第二表面430g之間的第一斜面430h。第一斜面430h相對於第一表面430f與第二表面430g傾斜。第一斜面430h與第一表面430f在電流阻擋層430A的材質內夾有一銳角θ1。此外，電流阻擋層430A的結構可以是如圖22A的多層膜結構、如圖22B的多層膜結構或單一膜層的結構。關於具有多層膜之電流阻擋層430A細部結構的說明，請參照前述對應圖22A、圖22B的說明。另外，發光二極體晶片400aA的構件、構件配置情形以及相關敘述可參考圖19A的發光二極體晶片100aA，於此便不再重述。
在本實施例中，第一電極420包括焊部422以及從焊部422延伸的支部424。具體而言，焊部422配置於絕緣層480A的上方。絕緣層480A用以阻擋電子自第一電極420的焊部422流通至第一型摻雜半導體層112，使電子自第一電極420的焊部422流經支部424，並使電子透過支部424流通至第一型摻雜半導體層112。在本實施例中，由於這些支部424由焊部422延伸至距離焊部422較遠的位置，因此由外界驅動發光二極體晶片400aA所提供的電子會由焊部422流經支部424，並經由支部424分散到距離焊部422較遠的位置，使得電子得以流入距離焊部422較遠的位置所對應的第一型摻雜半導體層112部分。具體而言，外界驅動發光二極體晶片400aA所提供的電子透過於第一型摻雜半導體層112上分佈的支部424而流入第一型摻雜半導體層112的對應位置。因此，第一型摻雜半導體層112接收到電子的區域至少包括支部424與第一型摻雜半導體層112相接觸的區域，使得第一電極420提供的電子與第二電極450提供的電洞的複合機率增加而產生更多光子，進而提升發光二極體晶片400aA的發光效率。
在本實施例中，絕緣層480A的材質例如是介電層，舉例而言，絕緣層480A的材質包括氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）等介電材料。在一些實施例中，絕緣層480A的材質亦可以是其他類型的介電材料，且絕緣層480A的材質可以與電流阻擋層430A的材質相同或者不相同，本發明並不以此為限。與圖7A、圖7B之絕緣層480不同的是，絕緣層480A具有面向半導體元件層110之第一型摻雜半導體層112的第三表面480j、背向半導體元件層110之第一型摻雜半導體層112的第四表面480k以及第二斜面480l。第二斜面480l連接於第三表面480j與第四表面480k之間。第二斜面480l相對於第三表面480j與第四表面480k傾斜。更進一步地說，第三表面480j與第一型摻雜半導體層112接觸而不與第一電極420接觸，第四表面480k與第一電極420接觸而不與第一型摻雜半導體層112接觸，其中第三表面480j在第一型摻雜半導體層112上的正投影面積大於第四表面480k在第一型摻雜半導體層112上的正投影面積，而第二斜面480l連接於第三表面480j的面積邊緣與第四表面480k的面積邊緣之間。第二斜面480l與第三表面480j在絕緣層480A的材質內夾有一銳角θ2。在本實施例中，10o ≦θ2≦80o ；較佳地是，30o ≦θ2≦50o ，但本發明不以此為限。類似地，由於絕緣層480A具有第二斜面480l，因此當第二電極420覆蓋絕緣層480A時，第二電極420可良好地披覆在絕緣層480A上，而有助於發光二極體晶片400aA的性能提升。
第二十實施例
圖24A是依據本發明第二十實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖24B是圖24A的發光二極體晶片沿著線段B-B’的剖面示意圖。請參考圖24A及圖24B，在本實施例中，發光二極體晶片400dA類似於圖23A及圖23B的發光二極體晶片400aA，因此相同或相對應的元件以相同或相對應的標號表示。發光二極體晶片400dA的構件以及相關敘述可參考圖23A以及圖23B的發光二極體晶片400aA，於此便不再重述。發光二極體晶片400dA與發光二極體晶片400aA的差異點實質上類似於發光二極體晶片400d與發光二極體晶片400a之間的差異。具體而言，發光二極體晶片400dA的第一電極420a包括焊部422a以及從焊部422a延伸的支部424a。具體而言，焊部422a配置於絕緣層480aA的上方，且焊部422a包覆絕緣層480aA。
絕緣層480aA具有面向半導體元件層110之第一型摻雜半導體層112的第三表面480j、背向半導體元件層110之第一型摻雜半導體層112的第四表面480k以及第二斜面480l。第二斜面480l連接於第三表面480j與第四表面480k之間。第二斜面480l相對於第三表面480j與第四表面480k傾斜。更進一步地說，第三表面480j與第一型摻雜半導體層112接觸而不與第一電極420接觸，第四表面480k與第一電極420接觸而不與第一型摻雜半導體層112接觸，其中第三表面480j在第一型摻雜半導體層112上的正投影面積大於第四表面480k在第一型摻雜半導體層112上的正投影面積，而第二斜面480l連接於第三表面480j的面積邊緣與第四表面480k的面積邊緣之間。
在本實施例中，絕緣層480aA配置於第一電極420a與第一型摻雜半導體層112之間，且第一電極420a包括從焊部422a延伸的支部424a。因此，在發光二極體晶片400dA中，第一電極420a提供的電子與第二電極450提供的電洞的複合機率增加而產生更多光子，以使發光二極體晶片400dA相較於圖23A及圖23B實施例的發光二極體晶片400aA的發光效率更進一步地提升。
第二十一實施例
圖25A是依據本發明第二十一實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖25B是圖25A的發光二極體晶片沿著線段D-D’的剖面示意圖。請參考圖25A以及圖25B，在本實施例中，發光二極體晶片400fA類似於圖23A及圖23B的發光二極體晶片400aA，因此相同或相對應的構件以相同或相對應的標號表示。發光二極體晶片400fA的構件以及相關敘述可參考圖23A及圖23B的發光二極體晶片400aA，於此便不再重述。發光二極體晶片400fA與發光二極體晶片400aA的差異點實質上類似於發光二極體晶片400f與發光二極體晶片400a之間的差異。具體而言，發光二極體晶片400fA的絕緣層480cA配置於第一型摻雜半導體層112上。第一型摻雜半導體層112上未配置絕緣層480cA的部分形成區域R2。在本實施例中，發光二極體晶片400fA的第一電極420b包括焊部422b以及從焊部422b延伸的支部424b，而支部424b配置於區域R2中。
絕緣層480cA具有面向半導體元件層110之第一型摻雜半導體層112的第三表面480j、背向半導體元件層110之第一型摻雜半導體層112的第四表面480k以及第二斜面480l。第二斜面480l連接於第三表面480j與第四表面480k之間。第二斜面480l相對於第三表面480j與第四表面480k傾斜。更進一步地說，第三表面480j與第一型摻雜半導體層112接觸而不與第一電極420接觸，第四表面480k與第一電極420接觸而不與第一型摻雜半導體層112接觸，其中第三表面480j在第一型摻雜半導體層112上的正投影面積大於第四表面480k在第一型摻雜半導體層112上的正投影面積，而第二斜面480l連接於第三表面480j的面積邊緣與第四表面480k的面積邊緣之間。
具體而言，在一些實施例中，配置於區域R2的支部424b與絕緣層480cA具有適當的間隙。另外，絕緣層480cA包覆第二型摻雜半導體層116、發光層114以及部分的第一型摻雜半導體層112。因此，發光二極體晶片400fA不易發生短路，且得到較佳的保護。在本實施例中，絕緣層480cA配置於第一電極420b與第一型摻雜半導體層112之間，且第一電極420b包括從焊部422b延伸的支部424b。因此，發光二極體晶片400fA具有類似圖23A及圖23B實施例的發光二極體晶片400aA提升發光效率之效果。
第二十二實施例
圖26A是依據本發明第二十二實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖26B是圖26A的發光二極體晶片沿著線段E-E’的剖面示意圖。請參考圖26A及圖26B，在本實施例中，發光二極體晶片400gA類似於圖25A以及圖25B實施例的發光二極體晶片400fA，因此相同或相對應的構件以相同或相對應的標號表示。發光二極體晶片400gA的構件以及相關敘述可參考圖25A以及圖25B的發光二極體晶片400fA，在此便不再重述。發光二極體晶片400gA與發光二極體晶片400fA的差異點實質上類似於發光二極體晶片400g與發光二極體晶片400f之間的差異。具體而言，發光二極體晶片400gA的絕緣層480dA配置於第一型摻雜半導體層112上，且第一型摻雜半導體層112上未配置絕緣層480dA的部分形成多個彼此分離的區域R3。在本實施例中，發光二極體晶片400gA的第一電極420b包括焊部422b以及從焊部422b延伸的支部424b，而部分支部424b配置於這些區域R3中，且這些區域R3沿著支部424b的延伸方向排列。具體而言，在一些實施例中，配置於這些區域R3的支部424b的一部分與絕緣層480dA具有適當的間隙。
絕緣層480dA具有面向半導體元件層110之第一型摻雜半導體層112的第三表面480j、背向半導體元件層110之第一型摻雜半導體層112的第四表面480k以及第二斜面480l。第二斜面480l連接於第三表面480j與第四表面480k之間。第二斜面480l相對於第三表面480j與第四表面480k傾斜。更進一步地說，第三表面480j與第一型摻雜半導體層112接觸而不與第一電極420接觸，第四表面480k與第一電極420接觸而不與第一型摻雜半導體層112接觸，其中第三表面480j在第一型摻雜半導體層112上的正投影面積大於第四表面480k在第一型摻雜半導體層112上的正投影面積，而第二斜面480l連接於第三表面480j的面積邊緣與第四表面480k的面積邊緣之間。
另外，絕緣層480dA包覆第二型摻雜半導體層116、發光層114以及部分的第一型摻雜半導體層112。因此，發光二極體晶片400gA不易發生短路，且得到較佳的保護。在本實施例中，絕緣層480dA配置於第一電極420b與第一型摻雜半導體層112之間，且第一電極420b包括從焊部422b延伸的支部424b。因此，發光二極體晶片400g具有類似圖23A以及圖23B實施例的發光二極體晶片400aA提升發光效率之效果。具體而言，由於在這些區域R3所在位置中，支部424b接觸第一型摻雜半導體層112，因此這些區域R3可被視為電流聚集的區域。
綜上所述，在本發明一實施例中，發光二極體晶片的電流阻擋層具有斜面。藉此，當電流分散層覆蓋電流阻擋層時，電流分散層在斜面附近的披覆性佳，進而能夠提升發光二極體晶片的電性、光學特性及信賴性。此外，在本發明另一實施例中，電流分散層包括電流分散層。藉此，電流分散層可將由發光層射向電極的光束反射至它處，進而使發光層發出的光束不易被遮光的電極阻擋而從它處出光，以提升發光二極體晶片的亮度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a、100b、100c、200、300a、300b、300c、300d、400a、400b、400c、400d、400e、400f、400g、400h、400i、400j、400k、400l、400m、400n、100aA、100bA、100cA、400aA、400dA、400fA、400gA‧‧‧發光二極體晶片
110‧‧‧半導體元件層
112‧‧‧第一型摻雜半導體層
114‧‧‧發光層
116‧‧‧第二型摻雜半導體層
120、420、420a、420b、420c、420d‧‧‧第一電極
130、130A、230、430、430’、430A‧‧‧電流阻擋層
130f、430f‧‧‧第一表面
130g、430g‧‧‧第二表面
130h、430h‧‧‧第一斜面
130d‧‧‧側壁
130e‧‧‧底面
132、232‧‧‧主體
134、234‧‧‧延伸部
134a、234a‧‧‧電流阻擋圖案
134b、234b‧‧‧連接圖案
136、138‧‧‧第一電流阻擋子層
137、139‧‧‧第二電流阻擋子層
140、140a、140b、440、440a、440a1、440a2、440b、440b1、440b2、440c、440c1、440c2、440d、440d1、440d2‧‧‧電流分散層
150、450‧‧‧第二電極
152‧‧‧焊墊
154‧‧‧指部
160‧‧‧緩衝層
170‧‧‧保護層
422、422a、422b、422c、422d‧‧‧焊部
424、424a、424b、424c、424d‧‧‧支部
480、480’、480A、480m、480aA、480b、480b1、480b2、480c、480cA、480d、480dA、480e、480f、480f1、480f2、480g、480h、480i‧‧‧絕緣層
480j‧‧‧第三表面
480k‧‧‧第四表面
480l‧‧‧第二斜面
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’、H-H’、I-I’、J-J’、K-K’、L-L’‧‧‧線段
h‧‧‧孔洞
R1‧‧‧外露區
R2、R3‧‧‧區域
S‧‧‧側壁
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
SUB‧‧‧基板
θ1、θ2‧‧‧銳角
θ1’‧‧‧角度
圖1A至圖1C是依據本發明第一實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。 圖2A至圖2E是依據本發明第一實施例的不同發光二極體晶片的上視示意圖。 圖3A至圖3C是依據本發明第二實施例的不同發光二極體晶片的上視示意圖。 圖4A至圖4B是依據本發明第三實施例的不同發光二極體晶片的剖面示意圖。 圖5A至圖5D是圖4A實施例的發光二極體晶片製作方法流程示意圖。 圖6A至圖6B是依據本發明第四實施例的不同發光二極體晶片的上視示意圖。 圖7A是依據本發明第五實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖7B是圖7A的發光二極體晶片沿著線段A-A’的剖面示意圖。 圖7C至圖7F、圖7G至圖7J以及圖7K至圖7M是依據本發明第六實施例的不同發光二極體晶片製作方法流程示意圖。 圖8A是依據本發明第七實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖8B是圖8A的發光二極體晶片沿著線段B-B’的剖面示意圖。 圖9A是依據本發明第八實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖9B是圖9A的發光二極體晶片沿著線段C-C’的剖面示意圖。 圖10A是依據本發明第九實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖10B是圖10A的發光二極體晶片沿著線段D-D’的剖面示意圖。 圖10C至圖10F是圖10A實施例的發光二極體晶片製作方法流程示意圖。 圖11A是依據本發明第十實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖11B是圖11A的發光二極體晶片沿著線段E-E’的剖面示意圖。 圖12A是依據本發明第十一實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖12B是圖12A的發光二極體晶片沿著線段F-F’的剖面示意圖。 圖13A是依據本發明第十二實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖13B是圖13A的發光二極體晶片沿著線段G-G’的剖面示意圖。 圖14A是依據本發明第十三實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖14B是圖14A的發光二極體晶片沿著線段H-H’的剖面示意圖。 圖15A是依據本發明第十四實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖15B是圖15A的發光二極體晶片沿著線段I-I’的剖面示意圖。 圖16A是依據本發明第十五實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖16B是圖16A的發光二極體晶片沿著線段J-J’的剖面示意圖。 圖17A是依據本發明第十六實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖17B是圖17A的發光二極體晶片沿著線段K-K’的剖面示意圖。 圖18A是依據本發明第十七實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖18B是圖18A的發光二極體晶片沿著線段L-L’的剖面示意圖。 圖19A至圖19C是依據本發明第十八實施例的多種發光二極體晶片的剖面示意圖。 圖20為本發明一實施例之第二型摻雜半導體層、電流阻擋層以及電流分散擋層的放大示意圖。 圖21為比較例之第二型摻雜半導體層、電流阻擋層以及電流分散擋層的放大示意圖。 圖22A為本發明一實施例之電流阻擋層的放大示意圖。 圖22B為本發明另一實施例之電流阻擋層的放大示意圖。 圖23A是依據本發明第十九實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖23B是圖23A的發光二極體晶片沿著線段A-A’的剖面示意圖。 圖24A是依據本發明第二十實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖24B是圖24A的發光二極體晶片沿著線段B-B’的剖面示意圖。 圖25A是依據本發明第二十一實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖25B是圖25A的發光二極體晶片沿著線段D-D’的剖面示意圖。 圖26A是依據本發明第二十二實施例的發光二極體晶片的上視示意圖。 圖26B是圖26A的發光二極體晶片沿著線段E-E’的剖面示意圖。
100aA‧‧‧發光二極體晶片
110‧‧‧半導體元件層
112‧‧‧第一型摻雜半導體層
114‧‧‧發光層
116‧‧‧第二型摻雜半導體層
120‧‧‧第一電極
130A‧‧‧電流阻擋層
130f‧‧‧第一表面
130g‧‧‧第二表面
130h‧‧‧第一斜面
132‧‧‧主體
134‧‧‧延伸部
140‧‧‧電流分散層
150‧‧‧第二電極
152‧‧‧焊墊
154‧‧‧指部
160‧‧‧緩衝層
SUB‧‧‧基板
θ 1‧‧‧銳角

Claims (26)

  1. 一種發光二極體晶片，包括： 一半導體元件層，包括一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層，其中該發光層位於該第一型摻雜半導體層與該第二型摻雜半導體層之間； 一第一電極，與該第一型摻雜半導體層電性連接； 一電流阻擋層，配置於該第二型摻雜半導體層上； 一電流分散層，該電流阻擋層夾於該電流分散層與該第二型摻雜半導體層之間，其中該電流阻擋層具有面向該半導體元件層的一第一表面、背向該半導體元件層的一第二表面以及一第一斜面，該第一斜面連接於該第一表面與該第二表面之間且相對於該第一表面與該第二表面傾斜；以及 一第二電極，配置於該電流分散層上並與該第二型摻雜半導體層電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶片，其中該第一斜面與該第一表面在該電流阻擋層的材質內夾有一銳角θ1。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體晶片，其中10o ≦θ1≦80o 。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體晶片，其中30o ≦θ1≦50o
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶片，其中該電流阻擋層包括： 至少一第一電流阻擋子層；以及 至少一第二電流阻擋子層，該至少一第一電流阻擋子層與該至少一第二電流阻擋子層交替堆疊。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體晶片，其中該至少一第一電流阻擋子層的材質與該至少一第二電流阻擋子層的材質不同。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體晶片，其中該至少一第一電流阻擋子層的折射率與該至少一第二電流阻擋子層的折射率相異。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體晶片，其中該至少一第一電流阻擋子層的材質與該至少一第二電流阻擋子層的材質相同，而該至少一第一電流阻擋子層的密度（density）大於該至少一第二電流阻擋子層的密度。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶片，其中該電流阻擋層包括一主體以及從該主體延伸的一延伸部，該第二電極經由該電流分散層與該第二型摻雜半導體層電性連接，該第二電極包括一焊墊以及從該焊墊延伸的一指部，該焊墊位於該主體上方，而該指部位於該延伸部上方，且該指部的部份區域未與該延伸部重疊。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶片，更包括： 一絕緣層，配置於該第一電極與該第一型摻雜半導體層之間。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體晶片，其中該絕緣層具有面向該半導體元件層的一第三表面、背向該半導體元件層的一第四表面以及一第二斜面，該第二斜面連接於該第三表面與該第四表面之間，而該第二斜面相對於該第三表面與該第四表面傾斜。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的發光二極體晶片，其中該第三表面與該第二斜面在該絕緣層的材質內夾有一銳角。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體晶片，其中該第一電極包括一焊部以及從該焊部延伸的支部，該焊部配置於該絕緣層的上方。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的發光二極體晶片，其中該第一型摻雜半導體層上未配置該絕緣層的部分形成一區域，該支部配置於該區域中。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的發光二極體晶片，其中該第一型摻雜半導體層上未配置該絕緣層的部分形成多個彼此分離的區域，部分該支部配置於該些區域中，且該些區域沿著該支部的延伸方向排列。
  16. 一種發光二極體晶片，包括： 一半導體元件層，包括一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層，其中該發光層位於該第一型摻雜半導體層與該第二型摻雜半導體層之間； 一第一電極，與該第一型摻雜半導體層電性連接； 一電流阻擋層，配置於該第二型摻雜半導體層上，其中該電流阻擋層包括： 至少一第一電流阻擋子層；以及 至少一第二電流阻擋子層，該至少一第一電流阻擋子層與該至少一第二電流阻擋子層交替堆疊； 一電流分散層，該電流阻擋層配置於該電流分散層與該第二型摻雜半導體層之間；以及 一第二電極，與該第二型摻雜半導體層電性連接。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體晶片，其中該至少一第一電流阻擋子層的材質與該至少一第二電流阻擋子層的材質不同。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的發光二極體晶片，其中該至少一第一電流阻擋子層的折射率與該至少一第二電流阻擋子層的折射率相異。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體晶片，其中該至少一第一電流阻擋子層的材質與該至少一第二電流阻擋子層的材質相同，而該至少一第一電流阻擋子層的密度大於該至少一第二電流阻擋子層的密度。
  20. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體晶片，其中該電流阻擋層包括一主體以及從該主體延伸的一延伸部，該第二電極經由該電流分散層與該第二型摻雜半導體層電性連接，該第二電極包括一焊墊以及從該焊墊延伸的一指部，該焊墊位於該主體上方，而該指部位於該延伸部上方，且該指部的部份區域未與該延伸部重疊。
  21. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體晶片，更包括： 一絕緣層，配置於該第一電極與該第一型摻雜半導體層之間。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的發光二極體晶片，其中該絕緣層具有面向該半導體元件層的一第三表面、背向該半導體元件層的一第四表面以及一第二斜面，該第二斜面連接於該第三表面與該第四表面之間，而該第二斜面相對於該第三表面與該第四表面傾斜。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的發光二極體晶片，其中該第三表面與該第二斜面在該絕緣層的材質內夾有一銳角。
  24. 如申請專利範圍第21項所述的發光二極體晶片，其中該第一電極包括一焊部以及從該焊部延伸的支部，該焊部配置於該絕緣層的上方。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的發光二極體晶片，其中該第一型摻雜半導體層上未配置該絕緣層的部分形成一區域，該支部配置於該區域中。
  26. 如申請專利範圍第24項所述的發光二極體晶片，其中該第一型摻雜半導體層上未配置該絕緣層的部分形成多個彼此分離的區域，部分該支部配置於該些區域中，且該些區域沿著該支部的延伸方向排列。
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