CN114864439A - 巨量转移装置及巨量转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种巨量转移装置及巨量转移方法；该巨量转移装置包括具有相对的上表面和下表面的压合基板，设置在压合基板的下表面的厚度补偿层，基板和厚度补偿层包括第一压合区域和第二压合区域，第一压合区域用于压合多个第一微发光器件至阵列基板，第二压合区域用于压合多个第二微发光器件至阵列基板，厚度补偿层包括多个第一补偿图案，多个第一补偿图案设置于第一压合区域内，以压合多个第一微发光器件，至少一第一微发光器件的高度小于至少一第二微发光器件的高度。本发明实施例通过在压合基板下表面设置厚度补偿层，改善了巨量转移中微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极的导通效果，保证了点灯画面的正常显示。

Description

巨量转移装置及巨量转移方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种巨量转移装置及巨量转移方法。
背景技术
目前面板呈现多元化，其中Micro LED(Micro Light-Emitting Diode，微型发光二极管)显示面板的解析度和色彩度接近OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板，优于LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示面板)，且功耗较低，更轻薄。Micro LED显示面板采用多块小板拼接成需要的尺寸，灵活拆装，且维修容易。
现有Micro LED显示面板转移方案为：在基板表面整面贴附一层异向导电胶ACF材料(含有Au导电粒子)，然后将LED巨量转移至异向导电胶表面。最后通过一张石英玻璃压合，将Au粒子压破，使得LED电极与基板Cu Pad形成导通。
但红色LED芯片、绿色LED芯片、蓝色LED芯片的高度不一致，在石英玻璃压合时，因高度差，绿色LED芯片区域的Au粒子未被压破，导致绿色LED芯片电极与基板对应区域的Pad无法导通，最终产品显示的绿色画面异常。
因此，现有Micro LED显示面板存在，在巨量转移时微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极导通效果不良的技术问题，需要改进。
发明内容
本发明提供一种巨量转移装置及巨量转移方法，以缓解现有Micro LED显示面板存在，巨量转移时微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极导通效果不良的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种巨量转移装置，包括：
压合基板，具有相对的上表面和下表面；
设置在所述压合基板的所述下表面的厚度补偿层；所述压合基板和所述厚度补偿层包括用于压合多个第一微发光器件至阵列基板的第一压合区域和用于压合多个第二微发光器件至所述阵列基板的第二压合区域，至少一所述第一微发光器件的高度小于至少一所述第二微发光器件的高度；
其中，所述厚度补偿层包括多个第一补偿图案，多个所述第一补偿图案设置于所述第一压合区域内以压合多个所述第一微发光器件。
在本发明实施例提供的巨量转移装置中，所述压合基板和所述厚度补偿层还包括用于压合多个第三微发光器件至所述阵列基板的第三压合区域，所述厚度补偿层还包括位于所述第三压合区域内的多个第二补偿图案，至少一所述第二补偿图案的厚度小于至少一所述第一补偿图案的厚度，至少一所述第三微发光器件的高度位于至少一所述第一微发光器件的所述高度，和至少一所述第二微发光器件的所述高度之间。
在本发明实施例提供的巨量转移装置中，至少一所述第一补偿图案的所述厚度等于至少一所述第二微发光器件的所述高度与至少一所述第一微发光器件的所述高度的差；至少一所述第二补偿图案的所述厚度等于至少一所述第二微发光器件的所述高度与至少一所述第三微发光器件的所述高度的差。
在本发明实施例提供的巨量转移装置中，所述第一补偿图案的厚度范围为0.5微米至2微米。
在本发明实施例提供的巨量转移装置中，所述第二补偿图案的厚度范围为0.5微米至2微米。
在本发明实施例提供的巨量转移装置中，所述第一补偿图案与所述第二补偿图案的厚度差值为0.5微米至1微米。
在本发明实施例提供的巨量转移装置中，至少一所述第一补偿图案的用于压合对应的所述第一微发光器件的底面的面积大于或等于所述第一微发光器件的顶面的面积；至少一所述第二补偿图案的用于压合对应的所述第三微发光器件的底面的面积大于或等于所述第三微发光器件的顶面的面积。
在本发明实施例提供的巨量转移装置中，所述厚度补偿层的材料为绝缘的有机材料。
在本发明实施例提供的巨量转移装置中，所述第一补偿图案和所述第二补偿图案的形状为矩形、圆形、三角形中的一种。
进一步的，本发明实施例还提供一种巨量转移方法，适用于如实施例1至9任一项所述的巨量转移装置；所述巨量转移方法包括：
在所述阵列基板上制备导电胶，所述阵列基板包括多个电极组，至少一所述电极组包括正极和负极；
将多个第一微发光器件、多个第二微发光器件、多个第三微发光器件转移至所述阵列基板的多个所述电极组上，使得多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极与多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极相对应；
通过位于所述第一压合区域内的多个所述第一补偿图案、位于所述第二压合区域内的压合基板、位于所述第三压合区域内的多个所述第二补偿图案，压合多个所述第一微发光器件、多个所述第二微发光器件、多个所述第三微发光器件，使得多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极通过所述导电胶电性连接于所述阵列基板的多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极。
本发明的有益效果为：本发明提供一种巨量转移装置及巨量转移方法，该巨量转移装置包括具有相对的上表面和下表面的压合基板，设置在所述压合基板的所述下表面的厚度补偿层；所述压合基板和所述厚度补偿层包括用于压合多个第一微发光器件至阵列基板的第一压合区域和用于压合多个第二微发光器件至所述阵列基板的第二压合区域；其中，所述厚度补偿层包括多个第一补偿图案，多个所述第一补偿图案设置于所述第一压合区域内以压合多个所述第一微发光器件，至少一所述第一微发光器件的高度小于至少一所述第二微发光器件的高度。本发明实施例通过在压合基板下表面设置厚度补偿层，改善了在巨量转移时微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极的导通效果，保证了点灯画面的正常显示。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其他有益效果显而易见。
图1至图4为本发明实施例提供的巨量转移装置的转移方法的示意图；
图5为本发明实施例提供的压合构件的一种俯视示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
针对现有Micro LED显示面板存在的在巨量转移时微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极导通效果不良的技术问题，本发明实施例可以得以缓解。
具体的，本申请提供的巨量转移装置包括具有相对的上表面和下表面的压合基板以及设置在所述压合基板的所述下表面的厚度补偿层；所述压合基板和所述厚度补偿层包括用于压合多个第一微发光器件至阵列基板的第一压合区域和用于压合多个第二微发光器件至所述阵列基板的第二压合区域，至少一所述第一微发光器件的高度小于至少一所述第二微发光器件的高度；其中，所述厚度补偿层包括多个第一补偿图案，多个所述第一补偿图案设置于所述第一压合区域内以压合多个所述第一微发光器件。
在一种实施例中，如图4所示，图4为本发明实施例提供的巨量转移装置的一种截面结构示意图，该示意图以Micro LED巨量转移装置为例进行说明，其他的微发光器件等巨量转移装置所存在的技术问题与其类似，不再赘述。如图4所示，本发明实施例提供的巨量转移装置，包括压合构件10，所述压合构件10包括：
压合基板11，具有相对的上表面和下表面；
设置在所述压合基板11的所述下表面的厚度补偿层；所述压合基板11和所述厚度补偿层包括用于压合多个第一微发光器件14至阵列基板的第一压合区域A1和用于压合多个第二微发光器件15至所述阵列基板的第二压合区域A2，至少一所述第一微发光器件14的高度小于至少一所述第二微发光器件15的高度；
其中，所述厚度补偿层包括多个第一补偿图案12，多个所述第一补偿图案12设置于所述第一压合区域A1内以压合多个所述第一微发光器件14。
具体的，所述压合基板11可以为石英玻璃等，所述厚度补偿层制备在石英玻璃的表面区域。
如图4所示，本发明实施例提供的巨量转移装置还包括：
基台20，用于承载阵列基板；
涂布构件(图中未示出)，用于在所述阵列基板的绑定面上涂布导电胶层40；
转移构件(图中未示出)，用于将多个第一微发光器件14、多个第二微发光器件15、多个第三微发光器件16转移至所述阵列基板的多个电极组内，使多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极与多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极相对应；
在一种实施例中，如图4所示，所述压合基板11和所述厚度补偿层还包括用于压合多个第三微发光器件16至所述阵列基板的第三压合区域A3，所述厚度补偿层还包括位于所述第三压合区域A3内的多个第二补偿图案13，至少一所述第二补偿图案13的厚度小于至少一所述第一补偿图案12的厚度，至少一所述第三微发光器件16的高度位于至少一所述第一微发光器件14的所述高度，和至少一所述第二微发光器件15的所述高度之间。
具体的，请参阅图5，图5为本发明实施例提供的一种压合构件的俯视图。如图5所示，压合构件包括压合基板11和厚度补偿层，厚度补偿层经图案化处理形成多个第一补偿图案12和多个第二补偿图案13；压合基板和厚度补偿层包括第一压合区域、第二压合区域和第三压合区域，分别对应于阵列基板中第一微发光器件所在区域、第二微发光器件所在区域和第三微发光器件所在区域，其中，多个第一补偿图案位于第一压合区域内，多个第二补偿图案位于第三压合区域内。
需要说明的是，在本发明提供的实施例中，第一微发光器件是指绿色LED(G LED)芯片，第二微发光器件是指红色LED(R LED)芯片，第三微发光器件是指蓝色LED(BLED)芯片。
在一种实施例中，如图4所示，至少一所述第一补偿图案12的所述厚度等于至少一所述第二微发光器件15的所述高度与至少一所述第一微发光器件14的所述高度的差；至少一所述第二补偿图案13的所述厚度等于至少一所述第二微发光器件15的所述高度与至少一所述第三微发光器件16的所述高度的差。需要说明的是，在Micro LED面板中，红色LED芯片、绿色LED芯片和蓝色LED芯片的高度不一致(HR>HB>HG)，其中红色LED芯片高度比绿色LED芯片高度大1至2微米，在石英基板压合时，因存在高度差，绿色LED芯片区域的金属离子未被压破，导致绿色LED芯片电极与基板对应区域的电极无法导通，最终产品显示绿色画面异常(存在密集暗点)，因此，在本发明提供的实施例中，在石英玻璃基板，即压合基板的表面区域增加与相对应的绿色LED芯片和蓝色LED芯片高度相匹配的第一补偿图案和第二补偿图案，以消除压合时的高度差，使得绿色LED芯片电极和蓝色LED芯片电极能与基板对应区域的电极正常导通；具体的，第一补偿图案的厚度等于第一微发光器件(绿色LED芯片)的高度与第二微发光器件(红色LED芯片)的高度的差，第二补偿图案的厚度等于第三微发光器件(蓝色LED芯片)的高度与第二微发光器件(红色LED芯片)的高度的差。
即本实施例提供一种巨量转移装置，该巨量转移装置包括具有相对的上表面和下表面的基板，设置在所述基板的所述下表面的厚度补偿层；所述基板和所述厚度补偿层包括用于压合多个第一微发光器件至阵列基板的第一压合区域和用于压合多个第二微发光器件至所述阵列基板的第二压合区域，至少一所述第一微发光器件的高度小于至少一所述第二微发光器件的高度；其中，所述厚度补偿层包括多个第一补偿图案，多个所述第一补偿图案设置于所述第一压合区域内以压合多个所述第一微发光器件。本发明实施例通过在压合基板下表面设置厚度补偿层，消除了第一微发光器件、第二微发光器件和第三微发光器件的之间的高度差，改善了在巨量转移时微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极的导通效果，保证了点灯画面的正常显示。
在一种实施例中，如图4所示，所述第一补偿图案12的厚度范围为0.5微米至2微米。具体的，所述第一补偿图案12用于补偿所述第一微发光器件14比所述第二微发光器件15小的高度，因此，所述第一补偿图案12的厚度根据所述第一微发光器件14和所述第二微发光器件15的高度差来确定，适应性的，可根据实际生产需要进行调整，以消除微发光器件之间的高度差。
在一种实施例中，如图4所示，所述第二补偿图案13的厚度范围为0.5微米至2微米。具体的，所述第二补偿图案13用于补偿所述第三微发光器件16比所述第二微发光器件15小的高度，因此，所述第二补偿图案13的厚度根据所述第三微发光器件16和所述第二微发光器件15的高度差来确定，适应性的，可根据实际生产需要进行调整，以消除微发光器件之间的高度差。
在一种实施例中，如图4所示，所述第一补偿图案12与所述第二补偿图案13的厚度差值为0.5微米至1微米。具体的，在本发明实施例中，所述第一补偿图案12用于补偿所述第一微发光器件14的高度，所述第二补偿图案13用于补偿所述第三微发光器件16的高度，因为所述第三微发光器件16的高度比所述第一微发光器件14的高度大0.5微米至1微米，因此所述第二补偿图案13的厚度比所述第一补偿图案12的厚度小0.5微米至1微米，这样才能消除微发光器件之间的高度差。
在一种实施例中，如图4所示，至少一所述第一补偿图案12的用于压合对应的所述第一微发光器件14的底面的面积大于或等于所述第一微发光器件14的顶面的面积；至少一所述第二补偿图案13的用于压合对应的所述第三微发光器件16的底面的面积大于或等于所述第三微发光器件16的顶面的面积。具体的，所述第一补偿图案12用于压合对应的所述第一微发光器件14的底面的面积大于或等于所述第一微发光器件14的顶面的面积，所述第二补偿图案13用于压合对应的所述第三微发光器件16的底面的面积大于或等于所述第三微发光器件16的顶面的面积，这样有助于在压合的过程中所述第一微发光器件14和所述第三微发光器件16的顶面受力面积大且受力均匀，有助于微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极导通。
在一种实施例中，所述厚度补偿层的材料为绝缘的有机材料。具体的，所述厚度补偿层的材料可以为光阻等绝缘的有机材料。
在一种实施例中，所述第一补偿图案12和所述第二补偿图案13的形状为矩形、圆形、三角形中的一种。具体的，所述第一补偿图案12和所述第二补偿图案13的形状不限于上述列举的几种。
在本申请的其他实施例中，所述压合构件在所述第二压合区域内还包括第三补偿层，所述第三补偿层与所述第二微发光器件相对应。
相应的，本申请实施例还提供一种巨量转移方法，该方法适用于如上任一项实施例所述的巨量转移装置；所述巨量转移方法包括：
在所述阵列基板上制备导电胶，所述阵列基板包括多个电极组，至少一所述电极组包括正极和负极；
将多个第一微发光器件、多个第二微发光器件、多个第三微发光器件转移至所述阵列基板的多个所述电极组上，使多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极与多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极相对应；
通过位于所述第一压合区域内的多个所述第一补偿图案、位于所述第二压合区域内的压合基板、位于所述第三压合区域内的多个所述第二补偿图案，压合多个所述第一微发光器件、多个所述第二微发光器件、多个所述第三微发光器件，使得多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极通过所述导电胶电性连接于所述阵列基板的多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极。
现以Micro LED为例，结合图1至图4对本发明实施例提供的巨量转移方法进行说明。
如图1至图4所示，本发明提供的巨量转移方法包括以下步骤：
步骤1、将阵列基板移动至基台上。
如图1所示，将所述阵列基板移动至所述基台20上，所述基台20用于固定所述阵列基板，避免后续微发光器件在移动时因阵列基板的不稳定而造成对位偏差；需要说明的是，在玻璃基板30的表面形成有多个电极组，所述每一电极组包括正极和负极，用于与微发光器件的电极电性连接；其中，制作电极组的材料可以为金属铜(Cu)，所述电极可制作成金属铜垫(Cu Pad)。
步骤2、在所述阵列基板上制备导电胶。
如图2所示，利用涂布构件在所述阵列基板的表面涂布一层异向导电胶膜层(ACF)40，所述异向导电胶主要包括树脂黏着剂、导电粒子，其中，在本发明实施例中，所述导电粒子为金(Au)球粒子；所述异向导电胶膜层40的厚度大约为5微米至10微米。
步骤3、将微发光器件转移至对应的电极组上方。
如图3所示，利用转移构件将多个第一微发光器件14、多个第二微发光器件15、多个第三微发光器件16转移至所述阵列基板的多个所述电极组上，使得多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极与多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极相对应。
步骤4、使用压合构件压合微发光器件的表面。
如图4所示，具体的，该步骤要做到先对齐，再压合；具体步骤如下所示：
步骤41、将压合构件10第一压合区域A1内的多个所述第一补偿图案12与多个所述第一微发光器件14对齐，将压合构件10第二压合区域A2内的压合基板与所述第二微发光器件15对齐，将压合构件10第三压合区域A3内的多个所述第二补偿图案13与多个所述第三微发光器件16对齐。
步骤42、通过压合构件10压合多个所述第一微发光器件14、多个所述第二微发光器件15和多个所述第三微发光器件16，使得异向导电胶中的Au球粒子完全被压破，进而使得多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极与所述阵列基板的多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极相互导通。
至此，完成Micro LED的巨量转移(转移完成后要把压合构件去掉)。
根据上述描述可知，在本申请提供的巨量转移方法中，通过在压合基板下表面设置厚度补偿层，改善了巨量转移中微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极的导通效果。
根据上述实施例可知：
本发明提供一种巨量转移装置及转移方法，该巨量转移装置包括具有相对的上表面和下表面的压合基板，设置在所述压合基板的所述下表面的厚度补偿层；所述压合基板和所述厚度补偿层包括用于压合多个第一微发光器件至阵列基板的第一压合区域和用于压合多个第二微发光器件至所述阵列基板的第二压合区域，至少一所述第一微发光器件的高度小于至少一所述第二微发光器件的高度；其中，所述厚度补偿层包括多个第一补偿图案，多个所述第一补偿图案设置于所述第一压合区域内以压合多个所述第一微发光器件。本发明实施例通过在压合基板下表面设置厚度补偿层，改善了在巨量转移时微发光器件的电极与阵列基板上的对应电极的导通效果，保证了点灯画面的正常显示。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种巨量转移装置，其特征在于，包括：
压合基板，具有相对的上表面和下表面；
设置在所述压合基板的所述下表面的厚度补偿层；所述压合基板和所述厚度补偿层包括用于压合多个第一微发光器件至阵列基板的第一压合区域和用于压合多个第二微发光器件至所述阵列基板的第二压合区域，至少一所述第一微发光器件的高度小于至少一所述第二微发光器件的高度；
其中，所述厚度补偿层包括多个第一补偿图案，多个所述第一补偿图案设置于所述第一压合区域内以压合多个所述第一微发光器件。
2.如权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述压合基板和所述厚度补偿层还包括用于压合多个第三微发光器件至所述阵列基板的第三压合区域，所述厚度补偿层还包括位于所述第三压合区域内的多个第二补偿图案，至少一所述第二补偿图案的厚度小于至少一所述第一补偿图案的厚度，至少一所述第三微发光器件的高度位于至少一所述第一微发光器件的所述高度，和至少一所述第二微发光器件的所述高度之间。
3.如权利要求2所述的巨量转移装置，其特征在于，至少一所述第一补偿图案的所述厚度等于至少一所述第二微发光器件的所述高度与至少一所述第一微发光器件的所述高度的差；至少一所述第二补偿图案的所述厚度等于至少一所述第二微发光器件的所述高度与至少一所述第三微发光器件的所述高度的差。
4.如权利要求3所述的巨量转移装置，其特征在于，所述第一补偿图案的厚度范围为0.5微米至2微米。
5.如权利要求3所述的巨量转移装置，其特征在于，所述第二补偿图案的厚度范围为0.5微米至2微米。
6.如权利要求2所述的巨量转移装置，其特征在于，所述第一补偿图案与所述第二补偿图案的厚度差值为0.5微米至1微米。
7.如权利要求2所述的巨量转移装置，其特征在于，至少一所述第一补偿图案的用于压合对应的所述第一微发光器件的底面的面积大于或等于所述第一微发光器件的顶面的面积；至少一所述第二补偿图案的用于压合对应的所述第三微发光器件的底面的面积大于或等于所述第三微发光器件的顶面的面积。
8.如权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述厚度补偿层的材料为绝缘的有机材料。
9.如权利要求1至8任一项所述的巨量转移装置，其特征在于，所述第一补偿图案和所述第二补偿图案的形状为矩形、圆形、三角形中的一种。
10.一种巨量转移方法，其特征在于，适用于如权利要求1至9任一项所述的巨量转移装置；所述巨量转移方法包括：
在所述阵列基板上制备导电胶，所述阵列基板包括多个电极组，至少一所述电极组包括正极和负极；
将多个第一微发光器件、多个第二微发光器件、多个第三微发光器件转移至所述阵列基板的多个所述电极组上，使多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极与多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极相对应；
通过位于所述第一压合区域内的多个所述第一补偿图案、位于所述第二压合区域内的压合基板、位于所述第三压合区域内的多个所述第二补偿图案，压合多个所述第一微发光器件、多个所述第二微发光器件、多个所述第三微发光器件，使得多个所述第一微发光器件的电极、多个所述第二微发光器件的电极、多个所述第三微发光器件的电极通过所述导电胶电性连接于所述阵列基板的多个所述电极组的多个所述正极和多个所述负极。
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