WO2021051535A1 - 阵列基板及其制备方法 - Google Patents

阵列基板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021051535A1
WO2021051535A1 PCT/CN2019/117169 CN2019117169W WO2021051535A1 WO 2021051535 A1 WO2021051535 A1 WO 2021051535A1 CN 2019117169 W CN2019117169 W CN 2019117169W WO 2021051535 A1 WO2021051535 A1 WO 2021051535A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
array substrate
light emitting
emitting diode
micro light
Prior art date
Application number
PCT/CN2019/117169
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
樊勇
Original Assignee
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 filed Critical 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Priority to US16/617,324 priority Critical patent/US11309470B2/en
Publication of WO2021051535A1 publication Critical patent/WO2021051535A1/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种阵列基板及阵列基板的制备方法，阵列基板包括：基板，基板包括阵列排布的多个像素单元，每一像素单元包括第一电极及第二电极，第一电极及第二电极之间存在第一间隔；粘接胶，粘接胶设置在第一间隔处；微型发光二极管，微型发光二极管设置在第一电极、第二电极及粘接胶上，避免微型发光二极管易失效，提高产品良率。

Description

阵列基板及其制备方法 技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
 背景技术
近年来，微型发光二极管（Micro LED）显示器相比有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode, OLED）具有可靠性高，色域高，亮度高，透明度高，PPI高；且封装要求低，更容易实现柔性及无缝拼接显示，是未来极具有发展潜力的未来显示器。
相关技术中，Micro LED分为垂直结构和倒装结构，其中倒装结构Micro LED在转移和bonding完后无需上电极制程来实现和阵列基板的电性连接，在后段制程上更加简单。但由于倒装结构Micro LED的电极面积较小，bonding后与阵列基板的接着力较小，在高温高湿或冷热冲击等条件下会更加容易失效。而且随着Micro LED一次性转移面积的增加，bonding 过程中加热造成的热膨胀会越大，从而使bonding的精度受到限制。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
 技术问题
本申请实施例提供一种阵列基板及阵列基板的制备方法，可以使微型发光二极管与阵列基板的接触面积增大，提高产品良率。
 技术解决方案
第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
基板，所述基板包括阵列排布的多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；
粘接胶，所述粘接胶设置在所述第一间隔处；
微型发光二极管，所述微型发光二极管设置在所述第一电极、所述第二电极及所述粘接胶上。
在本申请所述的阵列基板中，所述微型发光二极管包括正电极、负电极及微型发光二极管本体，所述正电极设置在所述第一电极上、所述负电极设置在所述第二电极上。
在本申请所述的阵列基板中，在所述正电极及所述第一电极之间还设置有至少一第一焊接材料，在所述负电极及所述第二电极之间还设置有至少一第二焊接材料。
在本申请所述的阵列基板中，所述焊接材料的熔点温度大于所述粘接胶溶液的凝固点温度。
在本申请所述的阵列基板中，所述粘接胶的水平宽度等于第一间隔的水平宽度。
在本申请所述的阵列基板中，所述粘接胶的厚度为0.5微米~5微米。
在本申请所述的阵列基板中，所述粘接胶溶液的凝固点温度为100℃~250℃。
在本申请所述的阵列基板中，所述粘接胶溶液由环氧类，硅胶类，聚氨酯类，聚丙烯酸类化合物中的任一种组成。
在本申请所述的阵列基板中，所述阵列基板还包括数据线、传感线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管以及电容。
第二方面，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括：
提供一基板，所述基板包括阵列排布的多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；
在每个所述第一间隔处滴加粘接胶溶液；
将微型发光二极管转移至所述第一电极及所述第二电极上；
固化所述粘接胶溶液，以使所述微型发光二极管通过所述粘接胶连接基板。
在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述将微型发光二极管转移至所述第一电极及所述第二电极上的步骤，包括：
将所述微型发光二极管的正电极与所述第一电极电性连接，将所述微型发光二极管的负电极与所述第二电极电性连接。
第三方面，本申请实施例还提供一种阵列基板，包括：
基板，所述基板包括阵列排布的多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；
粘接胶，所述粘接胶设置在所述第一间隔处；
微型发光二极管，所述微型发光二极管设置在所述第一电极、所述第二电极及所述粘接胶上，其中所述微型发光二极管包括正电极、负电极及微型发光二极管本体，所述正电极设置在所述第一电极上、所述负电极设置在所述第二电极上，所述粘接胶的水平宽度等于第一间隔的水平宽度。
 有益效果
本申请实施例提供的阵列基板，包括：基板，所述基板包括多个间隔排布的电极组，所述多个电极组中每一电极组包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；粘接胶，所述粘接胶设置在所述第一间隔处；微型发光二极管，所述微型发光二极管设置在所述第一电极、所述第二电极及所述粘接胶上，可以使微型发光二极管与阵列基板的接触面积增大，避免微型发光二极管在高温高湿或冷热冲击等条件下会更加容易失效，提高产品良率。
 附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的第一种流程示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的第一中间产物图。
图3为本申请实施例提供的阵列基板的第二中间产物图。
图4为本申请实施例提供的阵列基板的第三中间产物图。
图5为本申请实施例提供的阵列基板的第四中间产物图。
图6为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
 本发明的实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的阵列基板100的制备方法的第一种流程示意图，包括：
步骤110、提供一基板10，所述基板10包括阵列排布的多个像素单元20，每一个所述像素单元20包括第一电极201及第二电极202，所述第一电极201及所述第二电极202之间存在第一间隔W1；
具体的，如图2所示，图2为本申请实施例提供的阵列基板100的第一中间产物图。该阵列基板100包括：基底10以及在基底10上依次形成的第一金属层12、第一绝缘层13、有源层14、栅绝缘层15、栅极16、第二绝缘层17、源漏极18、平坦层19及像素电极20。
其中，像素电极20包括第一电极201及第二电极202，第一电极201与第二电极202之间的间隔即为第一间隔W1。
具体的，请参阅图3，图3为本申请实施例提供的阵列基板100的第二中间产物图，图3为图2中阵列基板的俯视图100。以3T1C电路为例，阵列基板100包括数据线101、传感线102、第一薄膜晶体管（T1）103、第二薄膜晶体管（T2）104、第三薄膜晶体管（T3）105以及电容（Cs）106。像素电极20在3T1C电路的下方。
其中，所述基板10一般为聚二甲基硅氧烷（polydimethylsiloxane，PDMS）等聚合物材料组成的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）背板，热膨胀系数较高，呈惰性。第一电极201及第二电极202一般为TFT背板上的透明像素电极。
步骤120、在每个所述第一间隔W1处滴加粘接胶溶液30；
这里，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的阵列基板100的第三中间产物图，图4为图3的阵列基板100在AA方向上的剖面示意图。可以看出，这里是通过一设置有多个凸起的点胶头401的第一载板400向第一电极201与第二电极202之间的第一间隔W1处滴加粘接胶溶液30，所述粘接胶溶液30的凝固点温度为100℃~250℃，所述粘接胶溶液30由环氧类，硅胶类，聚氨酯类，聚丙烯酸类化合物中的任一种组成。
相邻点胶头401之间的间距等于相邻电极组20之间的间距与第一电极201以及第二电极202的宽度之和，以保证所述第一载板400上的每一点胶头401均能对准所述第一间隔W1处。
当然，这里也可以通过一个点胶头401分别多每一组电极组20中的第一间隔W1处滴加，这里形成的粘接胶30的方式不仅限于滴加，也可以为涂布或其他方式，这里不做限定。
步骤130、将微型发光二极管40转移至所述第一电极201及所述第二电极202上；
具体的，如图5所示，图5为本申请实施例提供的阵列基板100的第四中间产物图。
可以通过一承载有多个微型发光二极管40的第二载板500将微型发光二极管40转移至所述第一电极201及所述第二电极202上。可以看出，通过第二载板500运送的所述多个微型发光二极管50中每一微型发光二极管50均放置在其所对应的一组电极组20上。
这里，微型发光二极管40包括：正电极41、负电极42及微型发光二极管本体42，所述正电极41设置在所述第一电极201上、所述负电极42设置在所述第二电极202上。因此，将微型发光二极管40转移至所述第一电极201及所述第二电极202上的步骤，包括：
将所述微型发光二极管40的正电极41与所述第一电极201电性连接，将所述微型发光二极管40的负电极42与所述第二电极201电性连接。
具体的焊接方式是通过设置在所述正电极41与所述第一电极201之间的至少一第一焊接材料51焊接，负电极42与所述第二电极202之间的焊接方式是通过设置在所述负电极42与所述第二电极202之间的至少一第二焊接材料52焊接，第一焊接材料51及第二焊接材料52可以在形成所述第一电极201及第二电极202后分别设置在第一电极201及第二电极202上，其中，第一焊接材料51及第二焊接材料52为导电材料。
其中，所述焊接材料40的熔点温度大于所述粘接胶溶液30的凝固点温度。
步骤140、固化所述粘接胶溶液30，以使所述微型发光二极管40通过粘接胶连接基板10。
具体的，这里固化所述粘接胶溶液30具体的做法包括但不限于：对滴加的粘接胶溶液30进行高温固化处理，以使所述粘接胶溶液30形成固体形态的粘接胶。
形成的所述固体形态的粘接胶的厚度为0.5微米~5微米，且所述粘接胶的水平宽度W2等于所述第一间隔W1的水平宽度。
因此，如图6所示，图6为本申请实施例提供的阵列基板100的结构示意图，图5为图4的局部放大图，由如上所述的阵列基板的制备方法制备的阵列基板100，包括：
基板10，所述基板10包括阵列排布的多个像素单元20，每一个所述像素单元20包括第一电极201及第二电极202，所述第一电极201及所述第二电极202之间存在第一间隔W1；
粘接胶，所述粘接胶设置在所述第一间隔W1处；
微型发光二极管40，所述微型发光二极管40设置在所述第一电极201、所述第二电极202及所述粘接胶上。
本申请实施例还提供一种阵列基板，包括：
基板，所述基板包括阵列排布的多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；
粘接胶，所述粘接胶设置在所述第一间隔处；
微型发光二极管，所述微型发光二极管设置在所述第一电极、所述第二电极及所述粘接胶上，其中所述微型发光二极管包括正电极、负电极及微型发光二极管本体，所述正电极设置在所述第一电极上、所述负电极设置在所述第二电极上，所述粘接胶的水平宽度等于第一间隔的水平宽度。
本申请实施例提供的阵列基板，包括：基板，所述基板包括阵列排布的多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；粘接胶，所述粘接胶设置在所述第一间隔处；微型发光二极管，所述微型发光二极管设置在所述第一电极、所述第二电极及所述粘接胶上，可以使微型发光二极管与阵列基板的接触面积增大，避免微型发光二极管在高温高湿或冷热冲击等条件下会更加容易失效，提高产品良率，可以使微型发光二极管与阵列基板的接触面积增大，避免微型发光二极管在高温高湿或冷热冲击等条件下会更加容易失效，提高产品良率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及阵列基板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

  1. 一种阵列基板，其包括：
    基板，所述基板包括阵列排布的多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；
    粘接胶，所述粘接胶设置在所述第一间隔处；
    微型发光二极管，所述微型发光二极管设置在所述第一电极、所述第二电极及所述粘接胶上。
  2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述微型发光二极管包括正电极、负电极及微型发光二极管本体，所述正电极设置在所述第一电极上、所述负电极设置在所述第二电极上。
  3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中在所述正电极及所述第一电极之间还设置有至少一第一焊接材料，在所述负电极及所述第二电极之间还设置有至少一第二焊接材料。
  4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其中所述焊接材料的熔点温度大于所述粘接胶的凝固点温度。
  5. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述粘接胶的水平宽度等于第一间隔的水平宽度。
  6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其中所述粘接胶的厚度为0.5微米至5微米。
  7. 根据权利要求6所述的阵列基板，其中所述粘接胶溶液的凝固点温度为100℃~250℃。
  8. 根据权利要求7所述的阵列基板，其中所述粘接胶由环氧类，硅胶类，聚氨酯类，聚丙烯酸类化合物中的任一种组成。
  9. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述阵列基板还包括数据线、传感线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管以及电容。
  10. 一种阵列基板的制备方法，其包括：
    提供一基板，所述基板包括阵列排布的多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；
    在每个所述第一间隔处滴加粘接胶；
    将微型发光二极管转移至所述第一电极及所述第二电极上；
    固化所述粘接胶，以使所述微型发光二极管通过所述粘接胶连接基板。
  11. 根据权利要求10所述的阵列基板的制备方法，其中所述将微型发光二极管转移至所述第一电极及所述第二电极上的步骤，包括：
    将所述微型发光二极管的正电极与所述第一电极电性连接，将所述微型发光二极管的负电极与所述第二电极电性连接。
  12. 一种阵列基板，其包括：
    基板，所述基板包括阵列排布的多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极之间存在第一间隔；
    粘接胶，所述粘接胶设置在所述第一间隔处；
    微型发光二极管，所述微型发光二极管设置在所述第一电极、所述第二电极及所述粘接胶上，其中所述微型发光二极管包括正电极、负电极及微型发光二极管本体，所述正电极设置在所述第一电极上、所述负电极设置在所述第二电极上，所述粘接胶的水平宽度等于第一间隔的水平宽度。
PCT/CN2019/117169 2019-09-20 2019-11-11 阵列基板及其制备方法 WO2021051535A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/617,324 US11309470B2 (en) 2019-09-20 2019-11-11 Array substrate and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910892656.1A CN110707198A (zh) 2019-09-20 2019-09-20 阵列基板及其制备方法
CN201910892656.1 2019-09-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021051535A1 true WO2021051535A1 (zh) 2021-03-25

Family

ID=69195870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2019/117169 WO2021051535A1 (zh) 2019-09-20 2019-11-11 阵列基板及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11309470B2 (zh)
CN (1) CN110707198A (zh)
WO (1) WO2021051535A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113301718B (zh) * 2021-05-28 2022-11-04 淮南师范学院 一种微型电子元件检修方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104993041A (zh) * 2015-06-04 2015-10-21 陈建伟 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法
CN204760379U (zh) * 2015-06-04 2015-11-11 陈建伟 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构
CN105449080A (zh) * 2015-12-31 2016-03-30 广州市鸿利光电股份有限公司 用正装芯片成型csp led的方法和成型倒装芯片的方法及csp led
TW201919224A (zh) * 2017-11-02 2019-05-16 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN110098302A (zh) * 2019-05-06 2019-08-06 华南理工大学 一种用于微型led器件的柔性聚酰亚胺衬底及其制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6066643B2 (ja) * 2012-09-24 2017-01-25 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
CN103311261B (zh) * 2013-05-24 2016-02-17 安徽三安光电有限公司 集成led发光器件及其制作方法
CN103247743B (zh) * 2013-05-24 2016-04-20 安徽三安光电有限公司 贴面式发光器件及其制作方法
CN203644815U (zh) * 2013-12-18 2014-06-11 江阴长电先进封装有限公司 一种led封装结构
JP6295171B2 (ja) * 2014-09-16 2018-03-14 アルパッド株式会社 発光ユニット及び半導体発光装置
US20160163940A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Industrial Technology Research Institute Package structure for light emitting device
KR102465382B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
US10153257B2 (en) * 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
KR102473399B1 (ko) 2017-06-26 2022-12-02 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
EP3483943B1 (en) * 2017-09-12 2021-04-28 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
TWI648850B (zh) * 2017-10-16 2019-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件結構
CN109728022B (zh) * 2017-10-31 2023-06-20 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板及其制造方法
TWI650854B (zh) * 2017-10-31 2019-02-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板及其製造方法
TWI706554B (zh) * 2017-12-13 2020-10-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
US20190181122A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-13 Innolux Corporation Electronic device and method of manufacturing the same
JP2020004939A (ja) * 2018-06-25 2020-01-09 株式会社ブイ・テクノロジー 基板実装方法及び電子部品実装基板
CN111199908A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 微发光器件的转移方法及转移设备
US11164934B2 (en) * 2019-03-12 2021-11-02 X Display Company Technology Limited Tiled displays with black-matrix support screens
CN110047866B (zh) * 2019-04-30 2021-04-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及微型led的转移方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104993041A (zh) * 2015-06-04 2015-10-21 陈建伟 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法
CN204760379U (zh) * 2015-06-04 2015-11-11 陈建伟 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构
CN105449080A (zh) * 2015-12-31 2016-03-30 广州市鸿利光电股份有限公司 用正装芯片成型csp led的方法和成型倒装芯片的方法及csp led
TW201919224A (zh) * 2017-11-02 2019-05-16 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN110098302A (zh) * 2019-05-06 2019-08-06 华南理工大学 一种用于微型led器件的柔性聚酰亚胺衬底及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11309470B2 (en) 2022-04-19
CN110707198A (zh) 2020-01-17
US20210336106A1 (en) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11322670B2 (en) Pixel array substrate including flux structure layer for improving LED contact and method of manufacturing thereof
CN103545320B (zh) 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
US20220013398A1 (en) Micro-led transfer method and display panel
KR20190006430A (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이 및 그 제작 방법
CN109962082A (zh) 电子封装单元与其制造方法及电子装置
US9583450B2 (en) Method for transferring light-emitting elements onto a package substrate
US20200341320A1 (en) Chip on film package and display apparatus having the same
JP2011227205A (ja) 表示装置
US11476420B2 (en) Method of fabricating flexible OLED display panel and flexible OLED display panel
WO2019013469A1 (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이 및 그 제작 방법
TW201320253A (zh) 封裝結構及其製造方法
WO2020124782A1 (zh) 像素模块及显示设备
TW201944461A (zh) 微型發光二極體顯示面板及其製備方法
WO2021051535A1 (zh) 阵列基板及其制备方法
WO2016177267A1 (zh) 封装胶、封装方法、显示面板及显示装置
CN107346070B (zh) 显示基板
WO2023197356A1 (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN114864439A (zh) 巨量转移装置及巨量转移方法
CN112420969A (zh) 柔性oled显示面板的制作方法及显示装置
WO2020238100A1 (zh) 接收基板、显示面板及显示面板的制备方法
WO2021134489A1 (zh) 一种巨量转移装置及其制造方法、以及显示设备
WO2021243762A1 (zh) 微型发光二极管显示装置及其制造方法
TWI817633B (zh) 顯示面板
CN110148614A (zh) 一种衬底基板、阵列基板、显示面板及制备方法
US20240038744A1 (en) Substrate encapsulating method, display panel, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19945996

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19945996

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1