TWI685945B - 微型半導體元件結構 - Google Patents

微型半導體元件結構 Download PDF

Info

Publication number
TWI685945B
TWI685945B TW107143455A TW107143455A TWI685945B TW I685945 B TWI685945 B TW I685945B TW 107143455 A TW107143455 A TW 107143455A TW 107143455 A TW107143455 A TW 107143455A TW I685945 B TWI685945 B TW I685945B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
micro
substrate
electrode
support layer
semiconductor device
Prior art date
Application number
TW107143455A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202023018A (zh
Inventor
吳志凌
劉應蒼
陳培欣
史詒君
陳奕靜
李玉柱
張桓僕
羅玉雲
蘇義閔
林子暘
賴育弘
Original Assignee
錼創顯示科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 錼創顯示科技股份有限公司 filed Critical 錼創顯示科技股份有限公司
Priority to TW107143455A priority Critical patent/TWI685945B/zh
Priority to US16/434,786 priority patent/US10879306B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI685945B publication Critical patent/TWI685945B/zh
Publication of TW202023018A publication Critical patent/TW202023018A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

本發明實施例揭露微型半導體元件結構。在一些實施例中，微型半導體元件結構可包括基板、設置於基板上方的複數個微型半導體元件以及設置於基板及微型半導體元件之間的複數個第一支撐層。微型半導體元件各自具有一第一電極及一第二電極，其設置於該些微型半導體元件之一下表面上，其中該下表面包含一區域，其中該區域在該第一電極與該第二電極之間。第一支撐層於該基板上的正投影至少與該區域於該基板上的正投影部分重疊。第一支撐層與區域直接接觸。

Description

微型半導體元件結構
本發明是關於半導體結構，特別是有關於微型半導體元件結構。
隨著光電科技的進步，許多光電元件的體積逐漸往小型化發展。近幾年來由於發光二極體(Light Emitting Diode，LED)製作尺寸上的突破，目前將發光二極體以陣列排列製作的微型發光二極體(Micro LED)顯示器在市場上逐漸受到重視。微型發光二極體顯示器屬於主動式微型半導體元件顯示器，其除了相較於有機發光二極體(Organic Micro semiconductor Diode，OLED)顯示器而言更為省電以外，也具備更佳優異的對比度表現，而可以在陽光下具有可視性。此外，由於微型發光二極體顯示器採用無機材料，因此其相較於有機發光二極體顯示器而言具備更佳優良的可靠性以及更長的使用壽命。
然而，微型發光二極體仍然具有一些缺點。例如在後續進行高溫製程(例如共晶接合)時，微型發光二極體的一對電極可能變成熔融態而互相接觸導致短路。此外，發 光二極體經常透過支撐層來固持而使微型發光二極體較容易自載體基板上拾取並轉移至接收基板上，且藉由支撐層來鞏固微型發光二極體，使微型發光二極體於轉移時不會受到其他外因而影響品質。然而，在微型發光二極體轉移至接收基板後，支撐層可能會殘留在微型發光二極體上而影響後續製程，使微型發光二極體之效能降低。
因此，雖然現有的微型發光二極體已大致符合需求，但仍然存在許多問題，因此如何改善現有的微型發光二極體已成為目前業界相當重視的課題之一。
本發明的一些實施例提供微型半導體元件結構，其中微型半導體元件結構可包括基板；設置於基板上方的複數個微型半導體元件，微型半導體元件各自具有一第一電極及一第二電極，其設置於該些微型半導體元件之一下表面上，其中該下表面包含一區域；以及設置於基板及微型半導體元件之間的複數個第一支撐層，其中第一支撐層於基板上的正投影至少與區域於基板上的正投影部分重疊，其中第一支撐層與區域直接接觸。
在一些實施例中，第一支撐層於基板上的正投影完全位於區域於基板上的正投影內。在一些實施例中，第一支撐層的正投影由區域的正投影內朝第一方向延伸至區域的正投影外。在一些實施例中，第一支撐層於基板上的正投影由區域的正投影內朝第一方向向外延伸至相鄰的微型半導體 元件之區域的正投影內。在一些實施例中，在區域的正投影內，相鄰的第一支撐層的正投影彼此不接觸，形成多條不連續的第一支撐層。在一些實施例中，在區域的正投影內，相鄰的第一支撐層的正投影彼此接觸，形成連續結構。
在一實施例中，微型半導體元件結構，更包括：設置於基板與第一支撐層之間的複數個第二支撐層。在一實施例中，第二支撐層於基板上的正投影位於區域的正投影內。在一實施例中，第二支撐層的正投影由區域的正投影內朝第二方向向外延伸，並橫跨相鄰的微型半導體元件的正投影，其中第二方向相異於第一方向。舉例來說，第二方向垂直於第一方向。在一實施例中，第二支撐層的正投影位於相鄰的微型半導體元件的正投影之間。在一實施例中，第一支撐層於基板上的正投影與電極於基板上的正投影不重疊。在一實施例中，第一支撐層與電極不接觸。在一實施例中，第一支撐層的寬度與第一區域的寬度之比值為小於或等於1且大於或等於0.1。在一實施例中，第二支撐層與電極不接觸。
在一實施例中，第一支撐層包括有機材料。在一實施例中，有機材料包括苯並環丁烯、酚醛樹脂、環氧樹脂、聚異戊二烯橡膠或其組合。在一實施例中，第二支撐層包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合。在一實施例中，第一支撐層或第二支撐層包括熱變質材料。在一實施例中，熱變質材料包括冷脆材料、熱熔性材料、熱揮發性材料或其組合。在一實施例中，第一支撐層的楊氏模量小於第二支撐層的楊氏模量。在一實施例中，任一個第一支撐層的厚度大 於電極的厚度。在一實施例中，任一個第一支撐層的厚度加上任一個第二支撐層的厚度大於電極的厚度。在一實施例中，任一個第一支撐層的寬度大於任一個第二支撐層的寬度。在一實施例中，第一支撐層或第二支撐層具有上寬下窄的形狀。
10‧‧‧基板
20‧‧‧微型半導體元件
21‧‧‧下表面
22‧‧‧第一半導體層
24‧‧‧第二半導體層
26‧‧‧發光層
28‧‧‧絕緣層
30a、30b、30c、30d、30e、30f、30g‧‧‧第一支撐層
40a‧‧‧第一電極
40b‧‧‧第二電極
50a、50b、50c‧‧‧第二支撐層
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100l、100m、100n‧‧‧微型半導體元件結構
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
A3‧‧‧第三區域
AA’、BB’、CC’‧‧‧剖線
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
W1、W2‧‧‧寬度
藉由以下的詳細描述配合所附圖式，可以更加理解本發明實施例的內容。需強調的是，根據產業上的標準慣例，許多部件(feature)並未按照比例繪製。事實上，為了能清楚地討論，各種部件的尺寸可能被任意地增加或減少。
第1A圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100a的俯視示意圖。
第1B圖是沿第1A圖的A-A’剖線所繪示之微型半導體元件結構100a的剖面示意圖。
第1C圖是沿第1A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100a的剖面示意圖。
第1D圖是第1A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖。
第1E圖為第1A至第1D圖之微型半導體元件20之一具體範例。
第2圖顯示本發明的另一實施例的微型半導體元件結構100b的剖面示意圖。
第3圖顯示本發明的另一實施例的微型半導體元件結構 100c的剖面示意圖。
第4圖顯示本發明的另一實施例的微型半導體元件結構100d之微型半導體元件20的仰視示意圖。
第5A圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100e的俯視示意圖。
第5B圖是沿第5A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100e的剖面示意圖。
第5C圖是第5A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖。
第6A圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100f的俯視示意圖。
第6B圖是第6A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖。
第7A圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100g的俯視示意圖。
第7B圖是沿第7A圖的A-A’剖線所繪示之微型半導體元件結構100g的剖面示意圖。
第7C圖是第7A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖。
第8A圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100h的俯視示意圖。
第8B圖是沿第8A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100h的剖面示意圖。
第8C圖是第8A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示 意圖。
第9圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100i的俯視示意圖。
第10A圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100j的俯視示意圖。
第10B圖是沿第10A圖的A-A’剖線所繪示之微型半導體元件結構100j的剖面示意圖。
第10C圖是第10A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖。
第11A圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100k的俯視示意圖。
第11B圖是沿第11A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100k的剖面示意圖。
第11C圖是第11A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖。
第12圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100l的俯視示意圖。
第13A圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100m的俯視示意圖。
第13B圖是沿第13A圖的A-A’剖線所繪示之微型半導體元件結構100m的剖面示意圖。
第13C圖是沿第13A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100m的剖面示意圖。
第13D圖是沿第13A圖的C-C’剖線所繪示之微型半導體元 件結構100m的剖面示意圖。
第14圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100n的俯視示意圖。
以下內容提供了很多不同的實施例或範例，用於實施本發明實施例的不同部件。組件和配置的具體範例描述如下，以簡化本發明實施例。當然，這些僅僅是範例，並非用以限定本發明實施例。舉例而言，敘述中若提及第一部件形成於第二部件上，可能包含第一和第二部件直接接觸的實施例，也可能包含額外的部件形成於第一和第二部件之間，使得第一和第二部件不直接接觸的實施例。另外，本發明實施例可能在許多範例中重複元件符號及/或字母。這些重複是為了簡化和清楚的目的，其本身並非代表所討論各種實施例及/或配置之間有特定的關係。
再者，此處可能使用空間上的相關用語，例如「在……之下」、「在……下方」、「下方的」、「在……上方」、「上方的」和其他類似的用語可用於此，以便描述如圖所示之一元件或部件與其他元件或部件之間的關係。此空間上的相關用語除了包含圖式繪示的方位外，也包含使用或操作中的裝置的不同方位。當裝置被轉至其他方位時(旋轉90度或其他方位)，則在此所使用的空間相對描述可同樣依旋轉後的方位來解讀。
請先參照第1A圖，以下本發明之實施例描述可用 於在基板10上的微型半導體元件20(例如微型發光二極體(Micro LED)和微晶片)的結構，上述基板10例如是承載基板(carrier substrate)，且後續可將微型半導體元件20轉移到接收基板(receiving substrate)。在此所用「微型」半導體元件20意指可具有1μm至100μm的尺寸。在一些實施例中，微型半導體元件20可具有20μm、10μm或5μm之最大寬度。在一些實施例中，微型半導體元件20可具有小於10μm或5μm之最大高度。然應理解本發明的實施例不必限於此，某些實施例的態樣當可應用到更大與也許更小的尺度。
此外，上述接收基板可例如為顯示基板、發光基板、具薄膜電晶體或積體電路(ICs)等功能元件的基板或其他類型的電路基板，但不以此為限。雖然本發明的一些實施例特定於描述包含p-n二極體的微型半導體元件20，但應理解本發明的實施例不限於此，某些實施例亦可應用到其他微型半導體元件20，其包括可控制執行預定電子功能的微型半導體元件20(例如二極體、電晶體、積體電路)或具光子功能的微型半導體元件20(例如發光二極體、雷射二極體、光電二極體)。本發明的其他實施例某些實施例亦可應用到包括電路的微晶片，例如以矽或絕緣體上的半導體(semiconductor-on-insulator，SOI)晶圓為材料且用於邏輯或記憶應用微晶片，或以砷化鎵(GaAs)晶圓為材料且用於RF通信應用的微晶片。
第1A圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100a的俯視示意圖。第1B圖是沿第1A圖的A-A’剖線所繪 示之微型半導體元件結構100a的剖面示意圖。第1C圖是沿第1A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100a的剖面示意圖。第1D圖是第1A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖(未繪示基板10)。
請先參照第1A至1C圖，本實施例的微型半導體元件結構100a包括基板10、複數個微型半導體元件20以及複數個第一支撐層30a。微型半導體元件20設置於基板10上方，且微型半導體元件20各自具有第一電極40a與第二電極40b，其設置於微型半導體元件20之下表面21上，其中第一電極40a與第二電極40b具有相反的電性。第一支撐層30a設置於基板10及微型半導體元件20之間，且設置於第一電極40a及第二電極40b之間。在一些實施例中，基板10包括承載基板。承載基板例如是塑膠基板、玻璃基板、藍寶石基板或其他無線路的基板。第一支撐層30a可包括有機材料(例如苯並環丁烯(benzocyclobutene)、酚醛樹脂(phenol formaldehyde resin)、環氧樹脂(epoxy)、聚異戊二烯橡膠(polyisoprene rubber)、無機材料(例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其組合)、或其他熱變質材料(例如冷脆材料、熱熔性材料、光阻材料、或其組合)或其組合。在一些實施例中，第一支撐層30a的楊氏模量小於基板10的楊氏模量，也小於微型半導體元件20，因此可以做為製程緩衝用。
請參照第1B圖及第1D圖，微型半導體元件20之下表面21上包含第一區域A1及第二區域A2，其中第一區域A1在第一電極40a及第二電極40b之間，且第一電極40a及第二電極 40b與下表面21接觸的區域係定義為第二區域A2，且第一區域A1及第二區域A2共同定義為第三區域A3。
在一些實施例中，可以先將第一支撐層30a形成及固定於微型半導體元件20之下表面21上，接著將第一支撐層30a連同微型半導體元件20放置於基板10上，以形成微型半導體元件結構100a。之後，可藉由將基板10固定於第一支撐層30a之下表面21上，使微型半導體元件20能穩固地連接於基板10上。
在另一些實施例中，可以先將第一支撐層30a形成及固定於基板10上，接著將微型半導體元件20的下表面21朝向基板10而放置於基板10及第一支撐層30a上，以形成微型半導體元件結構100a。之後，可藉由將第一支撐層30a固定於微型半導體元件20之下表面21上，使微型半導體元件20能穩固地連接於基板10上。
此外，藉由將微型半導體元件20放置於基板10上，能使微型半導體元件20之間保持一定之間距，其能避免後續進行轉移製程時，因為微型半導體元件20之間的間距不適當而造成損傷。另外，可藉由上述轉移製程來拾取基板10上的微型半導體元件20，並且將微型半導體元件20轉移至接收基板，以形成半導體裝置。舉例而言，微型半導體元件20可為微型發光半導體元件，基板10可為顯示基板，將微型半導體元件20轉移至基板10可以形成半導體裝置，此半導體裝置可為微型發光二極體顯示器(Micro LED display)。
在本實施例中，第一支撐層30a的厚度大於第一 電極40a的厚度、以及第一支撐層30a的厚度大於第二電極40b的厚度，且第一支撐層30a與第一區域A1直接接觸，如此可以架高微型半導體元件20，使第一電極40a及第二電極40b不接觸基板10，以避免基板10碰觸第一電極40a及第二電極40b造成損傷，且在轉移至接收基板時也能夠更容易拾取架高的微型半導體元件20。其中，第一支撐層30a與第一區域A1接觸面的面積與第一區域A1的比值介於0.1至0.8之間。小於0.1可能會使支撐力不夠，大於0.8可能增加轉移拾取時所需克服之拾取力。在轉移微型半導體元件20時，第一支撐層30a可隨著微型半導體元件20完全脫離或部分脫離基板10，或者第一支撐層30a可完全保留在基板10上。在一實施例中，第一支撐層30a隨著微型半導體元件20一併被拾取，且第一支撐層30a的厚度大於第一電極40a及第二電極40b的厚度，則此時第一支撐層30a可以當成是緩衝結構，使微型半導體元件20轉移至接收基板時，第一支撐層30a先接觸接收基板達到緩衝之作用，以避免第一電極40a及第二電極40b直接碰撞接收基板產生損傷。
在一些實施例中，第一支撐層30a於基板10上的正投影至少與第一區域A1於基板10上的正投影部分重疊，如此在轉移微型半導體元件20時，第一支撐層30a隨著微型半導體元件20完全脫離或部分脫離基板10之狀況下進行後續之高溫製程(例如共晶接合)，第一支撐層30a也能在第一電極40a及第二電極40b之間當作阻擋結構以避免變成熔融態之第一電極40a及第二電極40b彼此接觸造成短路。
在本實施例中，第一支撐層30a於基板10上的正投影與第一電極40a及第二電極40b於基板10上的正投影不重疊，也就是說，第一支撐層30a於基板10上的正投影完全位於第一區域A1於基板10上的正投影內。相較於支撐層超出微型半導體元件20的下表面21的情況，這樣的實施方式能避免支撐層佔據微型半導體元件20之側旁的空間，使微型半導體元件20能密集地排列在基板10上。
在一些實施例中，第一支撐層30a的寬度與第一區域A1的寬度之比值為小於1且大於或等於0.1。當第一支撐層30a的寬度與第一區域A1的寬度之比值小於1時，能使第一支撐層30a與第一電極40a及第二電極40b不接觸以避免第一支撐層30a擠壓第一電極40a及第二電極40b造成傷害。另一方面，當第一支撐層30a的寬度與第一區域A1的寬度之比值大於或等於0.1時，則能確保第一支撐層30a穩固地支撐住微型半導體元件20。
在一些實施例中，第一支撐層30a包括熱變質材料。熱變質材料包括冷脆材料、熱熔性材料、熱揮發性材料或其組合。當第一支撐層30a為冷脆材料時，在拾取微型半導體元件20並轉移至接收基板前，可以對第一支撐層30a進行冷卻製程，使第一支撐層30a脆化，以確保拾取微型半導體元件20時第一支撐層30a能斷裂，使拾取及轉移微型半導體元件20的過程更佳流暢且增加拾取及轉移的成功率，其中冷卻製程之溫度可視冷脆材料之冷脆溫度而定。冷卻製程之溫度例如為約-300℃至約0℃，或者例如為約-100℃至約-10℃。
當第一支撐層30a為熱熔性材料或熱揮性材料時，在將微型半導體元件20轉移至接收基板前，可以對第一支撐層30a進行加溫製程，使第一支撐層30a熔融化或揮發，以確保拾取微型半導體元件20時第一支撐層30a能斷裂，使拾取及轉移微型半導體元件20的過程更佳流暢且增加拾取及轉移的成功率，其中加溫製程之溫度可視熱熔性材料之熔點而定。加溫製程之溫度例如為約40℃至約300℃，或者例如為約50℃至約180℃。
第1E圖為第1A至第1D圖之微型半導體元件20之一具體範例。在此範例中，微型半導體元件20包括第一半導體層22、第二半導體層24、發光層26、絕緣層28、第一電極40a、及第二電極40b。第二半導體層24配置於第一半導體層22下方，發光層26配置於第一半導體層22與第二半導體層24之間。第一電極40a穿過發光層26及第二半導體層24至第一半導體層22，並與第一半導體層22電性連結。第二電極40b配置於第二半導體層24上，並與第二半導體層24電性連結。絕緣層28配置於第二半導體層24之下表面及第一半導體層22、發光層26和第二半導體層24的側壁上並裸露出第一電極40a及第二電極40b之下表面。根據本揭露實施例，絕緣層28可進一步覆蓋微型半導體元件20第一電極40a及第二電極40b之側壁。第1E圖僅為本發明之微型半導體元件20之一範例，並不旨在限制微型半導體元件20之種類，本發明之微型半導體元件20可為任何適合的微型半導體元件。此外，雖然第1E圖所示之微型半導體元件20為上寬下窄的倒梯形，但本發明不限於 此，微型半導體元件20也可為上窄下寬的正梯形、矩形或其他適合的形狀。第一電極40a及第二電極40b在此也僅繪示各一個，但也可以包括多個第一電極及第二電極，本發明不限於此。
第2圖顯示本發明的另一實施例的微型半導體元件結構100b的剖面示意圖。請同時參照第2圖及第1B圖，第2圖之實施例之微型半導體元件結構100b與第1B圖的微型半導體元件結構100a相似，兩者的差異在於：第2圖繪示的實施例中，第一支撐層30b從第一電極40a及第二電極40b之間朝第二方向D2延伸至第一電極40a及第二電極40b之下，使第一支撐層30b於基板10上的正投影由第一區域A1於基板10上的正投影內向外延伸至第二區域A2於基板10上的正投影內。相較於第1B圖所示之微型半導體元件結構100a，第2圖所示之微型半導體元件結構100b的第一支撐層30b之底部之寬度較大，因此第一支撐層30b與基板10接觸面積較大，能更穩固地支撐微型半導體元件20。在本實施例中，第一支撐層30b不接觸第一電極40a及第二電極40b，避免對第一電極40a及第二電極40b造成壓損。
第3圖顯示本發明的另一實施例的微型半導體元件結構100c的剖面示意圖。請同時參照第3圖及第1B圖，第3圖之實施例的微型半導體元件結構100c與第1B圖的微型半導體元件結構100a相似，兩者的差異在於：第3圖繪示的實施例中，第一支撐層30c具有上寬下窄的形狀。相較於第1B圖所示之微型半導體元件結構100a，第3圖所示之微型半導體元件結 構100c的第一支撐層30c之底部之寬度較小，造成第一支撐層30c與基板10接觸面積較小，所以當拾取並轉移微型半導體元件20時，第一支撐層30c與基板10之間所需克服之拾取力減低。此外，雖然第3圖所示之第一支撐層30c為上寬下窄的倒梯形，但本發明不限於此，第一支撐層30c也可為T字形或者其他適合的形狀。
第4圖顯示本發明的另一實施例的微型半導體元件結構100d之微型半導體元件20的仰視示意圖(未繪示基板10)。請同時參照第4圖及第1D圖，第4圖之實施例的微型半導體元件結構100d與第1D圖的微型半導體元件結構100a相似，兩者的差異在於：第一支撐層30d於基板10上的正投影由第一區域A1的正投影內朝第一方向D1向外延伸至第一區域A1的正投影外，其中第一方向D1相異於第二方向D2，第一方向D1可例如是垂直於第二方向D2。相較於第1D圖的微型半導體元件結構100a，第4圖的實施例的微型半導體元件結構100d之微型半導體元件20之下表面21與第一支撐層30d及基板10之間的接觸面積較大，第一支撐層30d能夠給予微型半導體元件20較大的支撐力，且能更穩固地支撐微型半導體元件20。
第5A圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100e的俯視示意圖；第5B圖是沿第5A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100e的剖面示意圖；以及，第5C圖顯示本發明第5A圖實施例的微型半導體元件結構100e之微型半導體元件20的仰視示意圖(未繪示基板10)。
第5A圖的微型半導體元件結構100e與第1A圖的微 型半導體元件結構100a相似，兩者的差異在於：在第5A圖之實施例中，第一支撐層30e於基板10上的正投影由第一區域A1的正投影內朝第一方向D1向外延伸至相鄰的微型半導體元件20之第一區域A1的正投影內；以及，在第一區域A1的正投影內，相鄰的第一支撐層30e的正投影彼此不接觸，形成多條不連續的第一支撐層30e，如第5C圖所示。
在本實施例中，如第5B圖所示，第一支撐層30e在第一方向D1上僅延伸於相鄰的微型半導體元件20下方之空間，但並未佔據相鄰的微型半導體元件20之側壁旁的空間，使微型半導體元件20能密集地排列在基板10上。在本實施例中，藉由兩個相鄰的第一支撐層30e來支撐一個微型半導體元件20，如此便能更牢固地支撐微型半導體元件20。此外，由於微型半導體元件20的力量平均分配在兩個相鄰的第一支撐層30e上，因此可以避免力量集中在單一個第一支撐層30e而造成第一支撐層30e崩壞，進而引響製程良率。
第6A圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100f的俯視示意圖，以及第6B圖顯示本發明第6A圖實施例的微型半導體元件結構100f之微型半導體元件20的仰視示意圖(未繪示基板10)。第6A圖的微型半導體元件結構100f與第5A圖的微型半導體元件結構100e相似，兩者的差異在於：在第6A圖之實施例中，在第一區域A1的正投影內，如第6B圖所示，相鄰的第一支撐層30f的正投影彼此接觸，形成連續結構。在本實施例中，由於連續結構(第一支撐層30f)是橫跨整個微型半導體元件20來支撐微型半導體元件20，因此微型 半導體元件20之下表面21與第一支撐層30f之間的接觸面積較大，且微型半導體元件20的負重係由複數個第一支撐層30f連接而成的連續結構共同支撐，因此，第一支撐層30f能更穩定地支撐微型半導體元件20。
第7A圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100g的俯視示意圖；第7B圖是沿第7A圖的A-A’剖線所繪示之微型半導體元件結構100g的剖面示意圖；以及，第7C圖是第7A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖(未繪示基板10)。
第7A圖的微型半導體元件結構100g與第1A圖的微型半導體元件結構100a相似，兩者的差異在於：第7A圖的微型半導體元件結構100g更包括複數個第二支撐層50a，如第7B圖所示，其設置於基板10與第一支撐層30a之間。此外，第一支撐層30a及第二支撐層50a於基板10上的正投影位於第一區域A1於基板10上的正投影內，如第7C圖所示。第二支撐層50a可以是或包括有機材料(例如苯並環丁烯(benzocyclobutene)、酚醛樹脂(phenol formaldehyde resin)、環氧樹脂(epoxy)、聚異戊二烯橡膠(polyisoprene rubber)、無機材料(例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其組合)、或其他熱變質材料(例如冷脆材料、熱熔性材料、光阻材料、或其組合)或其組合。
在一些實施例中，可以先將第一支撐層30a形成及固定於微型半導體元件20之下表面21上，然後將第二支撐層50a形成及固定於第一支撐層30a之下，接著將微型半導體 元件20、第一支撐層30a及第二支撐層50a一併放置於基板10上，以形成微型半導體元件結構100g。之後，可藉由將基板10固定於第二支撐層50a之下，使微型半導體元件20能穩固地連接於基板10上。
在另一些實施例中，可以先分別將第一支撐層30a形成及固定於微型半導體元件20之下表面21上，以及將第二支撐層50a形成及固定於基板10上，接著將微型半導體元件20的下表面21及第一支撐層30a朝向基板10而一併放置於基板10及第二支撐層50a上，以形成微型半導體元件結構100g。之後，可藉由將第二支撐層50a固定於第一支撐層30a之下，使微型半導體元件20能穩固地連接於基板10上。
在另一些實施例中，可以先將第二支撐層50a形成及固定於基板10上，然後將第一支撐層30a形成及固定於第二支撐層50a之上，接著將微型半導體元件20的下表面21朝向基板10而放置於基板10上，以形成微型半導體元件結構100g。之後，可藉由將第一支撐層30a固定於微型半導體元件20之下表面21上，使微型半導體元件20能穩固地連接於基板10上。
在本實施例中，第二支撐層50a於基板10上的正投影完全位於第三區域A3的正投影內，其能避免佔據微型半導體元件20之側面的空間，使微型半導體元件20能密集地排列在基板10上。更具體地說，本實施例之第二支撐層50a完全位於第一區域A1的正投影內，且第二支撐層50a與第一電極40a及第二電極40b不接觸，以避免擠壓第一電極40a及第二電 極40b造成傷害。
在本實施例中，第一支撐層30a的厚度加上第二支撐層50a的厚度大於第一電極40a及第二電極40b的厚度，如此第一支撐層30a與第二支撐層50a可以共同架高微型半導體元件20，使第一電極40a及第二電極40b不接觸基板10，如此可以避免基板10碰觸第一電極40a及第二電極40b造成損傷，且架高的微型半導體元件20也能夠在轉移至接收基板之過程中達到更好拾取的效果。
在一些實施例中，第一支撐層30a及第二支撐層50a兩者於基板10上的正投影皆與第一區域A1的正投影至少部分重疊，如此在轉移微型半導體元件20後保留第一支撐層30a及第二支撐層50a之狀況下進行後續之高溫製程(例如焊接)，第一支撐層30a及第二支撐層50a能在第一電極40a及第二電極40b之間共同作為阻擋結構，以避免變成熔融態之第一電極40a及第二電極40b彼此接觸造成短路。
在一些實施例中，在轉移過程中保留第一支撐層30a及第二支撐層50a，且第一支撐層30a的厚度加上第二支撐層50a的厚度大於第一電極40a及第二電極40b的厚度時，則第一支撐層30a與第二支撐層50a可以當成是緩衝結構，使微型半導體元件20轉移至接收基板時，第二支撐層50a先接觸接收基板而衝擊力由第一支撐層30a與第二支撐層50a共同吸收，避免第一電極40a及第二電極40b直接碰撞接收基板產生損傷。
在一些實施例中，第二支撐層50a於基板10上的 正投影位於第一支撐層30a於基板10上的正投影，因此第一支撐層30a與微型半導體元件20的接觸面積較大，使第一支撐層30a能較穩固地支撐住微型半導體元件20。另一方面，由於第二支撐層50a與基板10接觸面積較小，可減低拾取微型半導體元件20時第二支撐層50a與基板10之間所需克服之力量。在此，第一支撐層30a的寬度W1大於第二支撐層50a的寬度W2，如第7B圖所示。由於一支撐層30a的寬度W1較大，第一支撐層30a與微型半導體元件20的接觸面積較大，使第一支撐層30a能較穩固地支撐住微型半導體元件20。另一方面，由於第二支撐層50a的寬度W2較小，使第二支撐層50a與基板10接觸面積較小，以減低拾取微型半導體元件20時第二支撐層50a與基板10之間所需克服之力量。在一些實施例中，第二支撐層50a的寬度W2與第一支撐層30a的寬度W1的比值大於或等於0.5且小於或等於1，可兼具第一支撐層30a與微型半導體元件20固定力以及降低拾取半導體元件20時第二支撐層50a與基板10之間所需克服之力量。
在一些實施例中，第二支撐層50a包括熱變質材料。熱變質材料包括冷脆材料、熱熔性材料、熱揮發性材料或其組合。當第二支撐層50a為冷脆材料時，在拾取微型半導體元件20以轉移至接收基板前，可以對第二支撐層50a進行冷卻製程，使第二支撐層50a脆化，以確保拾取微型半導體元件20時第二支撐層50a會斷裂，使拾取及轉移微型半導體元件20的過程更佳流暢且增加拾取及轉移的成功率，其中冷卻製程之溫度可視冷脆材料之冷脆溫度而定。冷卻製程之溫度例如 為約-300℃至約0℃，或者例如為約-100℃至約-10℃。
當第二支撐層50a為熱熔性材料時，在拾取微型半導體元件20以轉移至接收基板前，可以對第二支撐層50a進行加溫製程，使第二支撐層50a熔融化，以確保拾取微型半導體元件20時第二支撐層50a會斷裂，使拾取及轉移微型半導體元件20的過程更佳流暢且增加拾取及轉移的成功率，其中加溫製程之溫度可視熱熔性材料之熔點而定。加溫製程之溫度例如為約40℃至約300℃，或者例如為約50℃至約180℃。
在本實施例中，由於第二支撐層50a的寬度小於第一支撐層30a的寬度，因此相較於選擇第一支撐層30a為熱變質材料，可選擇第二支撐層50a包括熱變質材料，在經過加溫或冷卻製程後，第二支撐層50a更容易斷裂。也就是說，可以將第二支撐層50a選定為熱變質材料(例如苯並環丁烯)，第一支撐層30a選定為不受溫度影響的非熱變質材料(例如氧化矽)，如此先經過加溫或冷卻製程後，就可以在轉移微型半導體元件20時，確保第二支撐層50a斷裂，避免第二支撐層50a干擾第一電極40a及第二電極40b之電性，並且保留在第一電極40a及第二電極40b之間的第一支撐層30a，以做為後續接合時的阻擋結構，但本發明不限於此。
在另一些實施例中，第一支撐層30a可選定為熱變質材料(例如苯並環丁烯)，而第二支撐層50a可選定為非熱變質材料(例如氧化矽)，如此先經過加溫或冷卻製程後，就可以在轉移微型半導體元件20時，確保第一支撐層30a斷裂達到一併移除至少部分第一支撐層30a及其下方之第二支撐層50a 之效果。在另一實施例中，第一支撐層30a及第二支撐層50a兩者皆為熱變質材料。
在本實施例中，第一支撐層30a的楊氏模量小於第二支撐層50a的楊氏模量，因此第一支撐層30a的剛性小於第二支撐層50a的剛性，而第一支撐層30a的韌性大於第二支撐層50a的韌性。當第一支撐層30a具有較大的韌性，可以有效地在微型半導體元件20及第二支撐層50a之間提供良好的緩衝能力，以防止第一支撐層30a在固定與支撐微型半導體元件20的情況下受外力影響而導致第一支撐層30a脆裂。當微型半導體元件20具有較大的剛性時，則可以有效地固定與支撐微型半導體元件20。在本實施例中，可透過由第一支撐層30a及第二支撐層50a形成的複合式結構，以提供良好的固定與支撐的效果，且避免發生脆裂，以利於微型半導體元件20於不同基板之間的轉移。
第8A圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100h的俯視示意圖；第8B圖是沿第8A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100h的剖面示意圖；以及，第8C圖是第8A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖(未繪示基板10)。
第8A圖的微型半導體元件結構100h與第7A圖的微型半導體元件結構100g類似，差異在於：第8A圖的實施例的第二支撐層50b具有上寬下窄的形狀，且第一支撐層30g的厚度小於第一電極40a及第二電極40b的厚度，如第8B圖所示；以及，第二支撐層50b在第一區域A1的正投影內，相鄰的第一 支撐層30g的正投影彼此不接觸，形成多條不連續的第一支撐層30e，如第8C圖所示。
雖然在本實施例之第一支撐層30g的厚度小於第一電極40a及第二電極40b的厚度，但由於第一支撐層30g的厚度加上第二支撐層50b的厚度仍大於第一電極40a及第二電極40b的厚度，因此第一支撐層30g與第二支撐層50b仍可以共同架高微型半導體元件20，使第一電極40a及第二電極40b不接觸基板10，以避免基板10碰觸第一電極40a及第二電極40b造成損傷，而架高的微型半導體元件20也能夠在轉移至接收基板之過程中達到更好拾取的效果。
在本實施例中，由於第二支撐層50b具有上寬下窄的形狀，使第二支撐層50b的頂表面相較於下表面具有較大的面積，其能較穩固地支撐住第一支撐層30g，且第二支撐層50b與基板10接觸面積相較於頂表面之面積小，其減低轉移微型半導體元件20時所需之拾取力。
第9圖顯示本發明的一實施例的微型半導體元件結構100i的俯視示意圖。
第9圖之實施例的微型半導體元件結構100i類似於將第7A圖的第二支撐層50a設置於第6A圖之實施例的第一支撐層30f及基板10之間。在本實施例中，複數個第一支撐層30f為連續結構，因此第一支撐層30f可有效固定與支撐微型半導體元件20，並於後續拾取時較易自第二支撐層50a分離，如此便能達到提升製程效率及良率之功效。
第10A圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體 元件結構100j的俯視示意圖；第10B圖是沿第10A圖的A-A’剖線所繪示之微型半導體元件結構100j的剖面示意圖；以及，第10C圖是第10A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖(未繪示基板10)。
第10A圖的微型半導體元件結構100j與第7A圖本實施例的微型半導體元件結構100g相似，兩者的差異在於：第10A圖之實施例的第二支撐層50c的正投影由第三區域A3的正投影內朝第二方向D2向外延伸，並橫跨相鄰的微型半導體元件20的正投影，形成在第二方向D2上之連續結構，如第10B圖及第10C圖所示。
在本實施例中，第二支撐層50c為橫跨相鄰的微型半導體元件20的連續結構，因此第二支撐層50c可有效固定與支撐微型半導體元件20，並於後續拾取時較易自第一支撐層30a脫離，如此便能達到提升製程效率及良率之功效。
在本實施例中，第二支撐層50c在第二方向D2上僅延伸於相鄰的微型半導體元件20下方之空間，但並未佔據相鄰的微型半導體元件20之側旁的空間，使微型半導體元件20能密集地排列在基板10上。
第11A圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100k的俯視示意圖；第11B圖是沿第11A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100k的剖面示意圖；以及，第11C圖是第11A圖中的任一個微型半導體元件20的仰視示意圖(未繪示基板10)。
第11A圖之實施例的微型半導體元件結構100k類 似於將第10A圖的第二支撐層50c設置於第5A圖之實施例的第一支撐層30e及基板10之間。
相較於第5A圖及第10A圖之實施例，第11A圖之實施例之第一支撐層30e的正投影及第二支撐層50c的正投影皆由第三區域A3的正投影內向外延伸至第三區域A3的正投影外，如第11B圖及第11C圖所示。更具體地說，第一支撐層30e為連接相鄰之微型半導體元件20之多條不連續結構，而第二支撐層50c為橫跨多個微型半導體元件20的連續結構，因此相較於第5A圖及第10A圖之實施例，第一支撐層30e與第二支撐層50c不同向的相錯配置，因此第一支撐層30e與第二支撐層50c更可穩固的支撐和固定將微型半導體元件20於基板10上，如此便能達到提升製程效率及良率之功效。
第12圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100l的俯視示意圖。
第12圖的微型半導體元件結構100l類似於將第10A圖的第二支撐層50c設置於第6A圖之實施例的第一支撐層30f及基板10之間。
在本實施例中，由於第一支撐層30f及第二支撐層50c皆為橫跨多個微型半導體元件20之連續結構且不同向的相錯配置，因此第一支撐層30f與第二支撐層50c更可穩固的支撐和固定將微型半導體元件20於基板10上，便能達到提升製程效率及良率之功效。
第13A圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100m的俯視示意圖；第13B圖是沿第13A圖的A-A’剖 線所繪示之微型半導體元件結構100m的剖面示意圖；第13C圖是沿第13A圖的B-B’剖線所繪示之微型半導體元件結構100m的剖面示意圖；以及，第13D圖是沿第13A圖的C-C’剖線所繪示之微型半導體元件結構100m的剖面示意圖。第13A圖的微型半導體元件結構100m與第8A圖本實施例的微型半導體元件結構100h相似，兩者的差異在於：第13A圖之實施例之第二支撐層50b並未設置於微型半導體元件20之正下方，而是設置於相鄰的微型半導體元件20之間，因此第二支撐層50b的正投影位於相鄰的微型半導體元件20的正投影之間。
第14圖顯示本發明的一些實施例的微型半導體元件結構100n的俯視示意圖。第14圖的微型半導體元件結構100n與第13A圖本實施例的微型半導體元件結構100m相似，兩者的差異在於：第14圖之實施例的第一支撐層50h為橫跨多個微型半導體元件20的連續結構，更可穩固的支撐和固定將微型半導體元件20於基板10上。
根據本發明的實施例描述的微型半導體元件20，其後續可以轉移並被整合及組裝到多種照明或顯示應用的異質整合裝置系統，例如微型發光二極體顯示器。取決於其應用，微型發光二極體顯示器可包含其他組件。此等其他組件包含(但不限於)：記憶體、觸控螢幕控制器及電池。在其他實施方案中，微型發光二極體顯示器可為電視機、平板電腦、電話、膝上型電腦、電腦監視器、獨立式終端機服務台、數位相機、手持遊戲控制台、媒體顯示器、電子書顯示器、車用顯示器或大面積電子看板顯示器。
此外，與一般的發光二極體技術相比，微型半導體元件20從毫米級降至微米級，因此將本發明之微型半導體元件20轉移並被整合及組裝後所得之微型發光二極體顯示器能達高解析度，並能夠降低顯示之電力消耗，更具節能、機構簡單、薄型等優勢。
綜上所述，本發明實施例之微型半導體元件結構具有設置於基板及微型半導體元件之間的第一支撐層，其可架高微型半導體元件以利拾取微型半導體元件。微型半導體元件結構可更包括設置於基板與第一支撐層之間的第二支撐層，以更穩固地支撐微型半導體元件。另外，第一支撐層及第二支撐層皆不佔據微型半導體元件之側壁旁的空間，使微型半導體元件能密集地排列在基板上。
此外，將微型半導體元件轉移至接收基板時，第一支撐層或第二支撐層能夠緩衝接收基板對電極產生的衝擊力，並且在進行後續的高溫製程時(例如焊接)，第一支撐層或第二支撐層也能在電極之間當作阻擋結構以避免變成熔融態之電極彼此接觸造成短路。
以上概述數個實施例之部件，以便在本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以更加理解本發明實施例的觀點。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者應理解，他們能輕易地以本發明實施例為基礎，設計或修改其他製程和結構，以達到與在此介紹的實施例相同之目的及/或優勢。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者也應理解，此類等效的結構並無悖離本發明的精神與範圍，且他們能在不違背本發 明之精神和範圍下，做各式各樣的改變、取代和替換。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
10‧‧‧基板
20‧‧‧微型半導體元件
21‧‧‧下表面
30a‧‧‧第一支撐層
40a、40b‧‧‧電極
50a‧‧‧第二支撐層
100g‧‧‧微型半導體元件結構
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
A3‧‧‧第三區域
D2‧‧‧第二方向
W1、W2‧‧‧寬度

Claims (19)

  1. 一種微型半導體元件結構，包括：一基板；複數個微型半導體元件，設置於該基板上方，該些微型半導體元件各自具有一第一電極及一第二電極，其設置於該微型半導體元件之一下表面上，其中該下表面包含一區域，其中該區域在該第一電極與該第二電極之間，其中該第一電極與該第二電極具有相反的電性；以及複數個第一支撐層，設置於該基板及該些微型半導體元件之間，其中該些第一支撐層於該基板上的正投影至少與該區域於該基板上的正投影部分重疊，其中該些第一支撐層與該區域直接接觸，其中每一該微型半導體元件的該第一電極與該第二電極和該基板具有一間距。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之微型半導體元件結構，其中該些第一支撐層於該基板上的正投影位於該區域於該基板上的正投影內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之微型半導體元件結構，其中該些第一支撐層的正投影由該區域的正投影內朝一第一方向延伸至該區域的正投影外。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之微型半導體元件結構，其中該些第一支撐層於該基板上的正投影由該區域的正投影內朝該第一方向向外延伸至相鄰的該些微型半導體元件之該區域的正投影內。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之微型半導體元件結構，其 中在該區域的正投影內，相鄰的該些第一支撐層的正投影彼此不接觸，形成多條不連續的該些第一支撐層。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之微型半導體元件結構，其中在該區域的正投影內，相鄰的該些第一支撐層的正投影彼此接觸，形成一連續結構。
  7. 如申請專利範圍第1~6項中任一項所述之微型半導體元件結構，更包括：複數個第二支撐層，設置於該基板與該些第一支撐層之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之微型半導體元件結構，其中該些第二支撐層於該基板上的正投影位於該區域的正投影內。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之微型半導體元件結構，其中該些第二支撐層的正投影由該區域的正投影內朝一第二方向向外延伸，並橫跨相鄰的該些微型半導體元件的正投影，其中該第二方向相異於該第一方向。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之微型半導體元件結構，其中該些第二支撐層的正投影位於相鄰的該些微型半導體元件的正投影之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之微型半導體元件結構，其中該些第一支撐層於該基板上的正投影與該第一電極及該第二電極於該基板上的正投影不重疊。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之微型半導體元件結構，其中該些第一支撐層的寬度與該區域的寬度之比值為小於1且 大於或等於0.1。
  13. 如申請專利範圍第7項所述之微型半導體元件結構，其中該些第二支撐層於該基板上的正投影與該第一電極及該第二電極於該基板上的正投影不重疊。
  14. 如申請專利範圍第7項所述之微型半導體元件結構，其中該些第一支撐層的楊氏模量小於該些第二支撐層的楊氏模量。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之微型半導體元件結構，其中任一個該些第一支撐層的厚度大於該第一電極及該第二電極的厚度。
  16. 如申請專利範圍第7項所述之微型半導體元件結構，其中任一個該些第一支撐層的厚度加上任一個該些第二支撐層的厚度大於該第一電極及該第二電極的厚度。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之微型半導體元件結構，其中該些第一支撐層及該區域直接接觸的面積與該區域的面積的比值係大於或等於0.1且小於或等於0.8。
  18. 如申請專利範圍第7項所述之微型半導體元件結構，其中任一個該些第二支撐層於該基板上的正投影位於任一個該些第一支撐層於該基板的正投影內。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之微型半導體元件結構，其中該第一支撐層不接觸該第一電極及該第二電極。
TW107143455A 2018-12-04 2018-12-04 微型半導體元件結構 TWI685945B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107143455A TWI685945B (zh) 2018-12-04 2018-12-04 微型半導體元件結構
US16/434,786 US10879306B2 (en) 2018-12-04 2019-06-07 Micro semiconductor structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107143455A TWI685945B (zh) 2018-12-04 2018-12-04 微型半導體元件結構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI685945B true TWI685945B (zh) 2020-02-21
TW202023018A TW202023018A (zh) 2020-06-16

Family

ID=70413366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107143455A TWI685945B (zh) 2018-12-04 2018-12-04 微型半導體元件結構

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10879306B2 (zh)
TW (1) TWI685945B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI720806B (zh) * 2020-02-03 2021-03-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示器
TWI742600B (zh) * 2020-04-08 2021-10-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光二極體晶片初始結構、影像顯示裝置與晶片分類系統
KR20220041484A (ko) * 2020-09-25 2022-04-01 삼성전자주식회사 마이크로 발광 소자, 이를 포함한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI635605B (zh) * 2017-11-02 2018-09-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
TW201839970A (zh) * 2017-04-18 2018-11-01 大陸商廈門三安光電有限公司 微型發光二極體器件及其製作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI661575B (zh) * 2018-07-20 2019-06-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件及顯示裝置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201839970A (zh) * 2017-04-18 2018-11-01 大陸商廈門三安光電有限公司 微型發光二極體器件及其製作方法
TWI635605B (zh) * 2017-11-02 2018-09-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US10879306B2 (en) 2020-12-29
US20200176508A1 (en) 2020-06-04
TW202023018A (zh) 2020-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11837593B2 (en) Light emitting structure
TWI685945B (zh) 微型半導體元件結構
TWI714319B (zh) 微型發光二極體裝置
TW202042409A (zh) 微型發光元件、結構及其顯示裝置
CN111276470B (zh) 微型半导体元件结构
US11843086B2 (en) Micro semiconductor display device
TWI708350B (zh) 微型發光元件模組
CN111276504A (zh) 微型半导体元件结构
CN110556470B (zh) 微型半导体芯片、微型半导体组件结构、以及转移装置
TWI698994B (zh) 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及轉移裝置
TWI779242B (zh) 微型發光二極體裝置
TWI690079B (zh) 微型半導體元件結構
CN110752228B (zh) 微型发光二极管装置
TWI708405B (zh) 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及顯示元件
US11417800B2 (en) Micro semiconductor device and micro semiconductor display
CN110600602B (zh) 微型半导体芯片、微型半导体元件结构、以及显示元件