TWI720806B - 發光二極體顯示器 - Google Patents
發光二極體顯示器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI720806B TWI720806B TW109103233A TW109103233A TWI720806B TW I720806 B TWI720806 B TW I720806B TW 109103233 A TW109103233 A TW 109103233A TW 109103233 A TW109103233 A TW 109103233A TW I720806 B TWI720806 B TW I720806B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pad
- emitting diode
- light
- retaining wall
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種發光二極體顯示器，具有多個子畫素區。各子畫素區包括基板、第一電極與第二電極、發光二極體以及至少一擋牆。基板具有主動元件。第一電極與第二電極分別配置於基板上。第一電極電性連接至主動元件，且第一電極與第二電極之間的水平距離為W1。發光二極體配置於基板上，包括半導體疊層、第一接墊以及第二接墊。第一接墊接觸第一電極，第二接墊接觸第二電極，且半導體疊層的最大厚度為H1。擋牆配置於基板上且位於第一接墊與第二接墊之間，以避免第一接墊與第二接墊接觸。擋牆的高度為H2且寬度為W2。H2≦1/2H1，且W2≦W1。
Description
本發明是有關於一種發光二極體顯示器，且特別是有關於一種發光二極體顯示器，其具有位於第一接墊與第二接墊之間的擋牆。
隨著科技的進步，許多光電元件的體積逐漸往小型化發展，因而也會面臨有許多的問題。目前，在發光二極體顯示器的領域中，將覆晶式(flip chip)的發光二極體接合至基板的製程，通常是利用在高溫、高壓的環境下，使發光二極體上的兩接墊熔融並分別接合至基板上的電極。然而，在將小型化的發光二極體(例如：微型發光二極體)接合至基板的過程中，常會因為微型發光二極體上的相鄰兩接墊的距離過近以及毛細現象的原因，導致熔融的兩接墊連接在一起，進而使得接合至基板上的微型發光二極體發生短路。
本發明提供一種發光二極體顯示器，可避免發光二極體
上的兩接墊於接合至基板時連接在一起，具有較佳的可靠度。
本發明的發光二極體顯示器，具有多個子畫素區。各子畫素區包括基板、第一電極與第二電極、發光二極體以及至少一擋牆。基板具有主動元件。第一電極與第二電極分別配置於基板上。第一電極電性連接至主動元件，且第一電極與第二電極之間的水平距離為W1。發光二極體配置於基板上，包括半導體疊層、第一接墊以及第二接墊。第一接墊與第二接墊分別配置於半導體疊層上。第一接墊接觸第一電極，第二接墊接觸第二電極，且半導體疊層的最大厚度為H1。擋牆配置於基板上且位於第一接墊與第二接墊之間，以避免第一接墊與第二接墊接觸。擋牆的高度為H2且寬度為W2。H2≦1/2H1，且W2≦W1。
在本發明的一實施例中，上述的擋牆位於第一電極與第二電極之間。擋牆於基板上的正投影、第一電極於基板上的正投影以及第二電極於基板上的正投影不重疊。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體顯示器更包括：至少一隔板。隔板配置於發光二極體的至少一側邊，並位於相鄰的子畫素區之間。隔板具有反射性質。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體顯示器於俯視時，擋牆的形狀包括實心長條形、空心長方形、空心三角形、ㄑ字形、ㄈ字形以及日字形。
在本發明的一實施例中，當擋牆的形狀為實心長條形時，擋牆的長度大於發光二極體的短邊的長度。
在本發明的一實施例中，當擋牆的形狀為實心長條形、ㄑ字形以及ㄈ字形時，擋牆的兩端點皆位於發光二極體外。
在本發明的一實施例中，當擋牆的形狀為空心長方形或空心三角形時，擋牆圍繞第一接墊或第二接墊
在本發明的一實施例中，當擋牆的形狀為ㄑ字形或ㄈ字形時，擋牆部分圍繞第一接墊或第二接墊。
在本發明的一實施例中，當擋牆的形狀為日字形時，擋牆包括第一空心區以及第二空心區。第一接墊位於第一空心區，且第二接墊位於第二空心區。
在本發明的一實施例中，上述的至少一擋牆為多個擋牆，且發光二極體顯示器於俯視時，各擋牆的形狀包括實心長條形、空心長方形、空心三角形、ㄑ字形以及ㄈ字形。
基於上述，在本發明的實施例的發光二極體顯示器中，藉由將擋牆配置於基板上，並使擋牆配置於第一接墊與第二接墊之間，以避免發光二極體上的第一接墊與第二接墊於接合至基板上時連接在一起而造成短路。如此一來，使得本發明的實施例的發光二極體顯示器具有較佳的可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、10a、10b:發光二極體顯示器
100:子畫素區
110:基板
110a:上表面
111:基底
112:主動元件
113:介電層
120:第一電極
121:第二電極
130:發光二極體
131、131c:半導體疊層
131a:第一表面
131b:第二表面
131d:第三表面
132、132a、132b、132c、132d、132e、132f、132g、132h:第一接墊
133、133a、133b、133c、133d、133e、133f、133g、133h:第二接墊
134:短邊
140、140a、140b、140c1、140c2、140d1、140d2、140e、140f、140g、140h1、140h2、140i1、140i2、140j:擋牆
141、141j:頂表面
142、142j:底表面
143、143a、143b、143c1、143c2、143d1、143d2、144、144a、144b、144c1、144c2、144d1、144d2:端點
145e、145f、145g1、145g2、145h1、145h2:空心區
150:隔板
H1:最大厚度
H2、H3:高度
L1、L2:長度
W1:水平距離
W2:寬度
圖1A繪示為本發明一實施例的發光二極體顯示器的俯視示意圖。
圖1B繪示為圖1A的發光二極體顯示器沿剖面線I-I’的剖面示意圖。
圖2A繪示為本發明另一實施例的發光二極體顯示器的俯視示意圖。
圖2B繪示為圖2A的發光二極體顯示器沿剖面線Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意圖。
圖3A至圖3D繪示為本發明多個實施例的發光二極體顯示器的俯視示意圖。
圖4A至圖4E繪示為本發明多個實施例的發光二極體顯示器的俯視示意圖。
圖5繪示為本發明另一實施例的發光二極體顯示器的剖面示意圖。
在下文中將參照附圖更全面地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例性實施例。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。
應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。
應當理解，儘管術語”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的”第一元件”、”部件”、”區域”、”層”或”部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式”一”、”一個”和”該”旨在包括複數形式，包括”至少一個”。”或”表示”及/或”。如本文所使用的，術語”及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語”包括”及/或”包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相
對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件的「下」側的元件將被定向在其它元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或(and/or)公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出
區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A繪示為本發明一實施例的發光二極體顯示器的俯視示意圖。圖1B繪示為圖1A的發光二極體顯示器沿剖面線I-I’的剖面示意圖。為了方便說明，圖1A省略繪示了基板110。
請同時參照圖1A與圖1B，本實施例的發光二極體顯示器10具有多個子畫素區100。各子畫素區100包括基板110、第一電極120與第二電極121、發光二極體130以及至少一擋牆140。基板110至少包括基底111、主動元件112以及介電層113。主動元件112配置於基底111上，介電層113配置於基底111上，且介電層113覆蓋主動元件112以及基底111。在本實施例中，基底111的材料可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：晶圓、陶瓷、或其他可適用的材料)、或是其他可適用的材料。在本實施例中，介電層113可以是單層或多層。介電層113的材料可為有機材料或無機材料，例如：氧化矽或氮化矽，但不以此為限。在本實施例中，主動元件112的類型包括頂閘極薄膜電晶體、底閘極薄膜電晶體、雙閘極薄膜電晶體或其他可適用的薄膜電晶體。
第一電極120與第二電極121分別配置於基板110的上表面110a上。第一電極120與第二電極121皆位於基板110的上
表面110a。第一電極120電性連接至主動元件112，且第一電極120與第二電極121之間的水平距離為W1。在本實施例中，第一電極120與第二電極121中的至少一者可以是單層或多層。第一電極120與第二電極121可為金屬反射層，以使發光二極體130的出光方向朝上。第一電極120與第二電極121可為透明導電層。第一電極120與第二電極121的材料可為銀、金、銅、錫、或其他適合的導電材料。
發光二極體130配置於基板110的上表面110a上。發光二極體130包括半導體疊層131、第一接墊132以及第二接墊133。半導體疊層131具有面向基板110的第一表面131a以及與第一表面131a相對的第二表面131b。半導體疊層131包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層(未繪示)。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層與第二型半導體層分別具有不同的電性。在本實施例中，發光二極體130可為微型發光二極體，且發光二極體130的長寬尺寸例如是小於1毫米。此外，在本實施例中，發光二極體130可具體化為覆晶式(flip chip)微型發光二極體，但不以此為限。
在本實施例中，第一接墊132與第二接墊133分別配置於半導體疊層131的第一表面131a上。第一接墊132直接接觸第一電極120並與第一電極120電性連接，第二接墊133直接接觸第二電極121並與第二電極121電性連接。半導體疊層131的最大厚度為H1。半導體疊層131的最大厚度H1可以是半導體疊層
131的第一表面131a與第二表面131b之間的垂直距離。在本實施例中，第一接墊132與第二接墊133中的至少一者可以是單層或多層。第一接墊132與第二接墊133可為透明導電層。第一接墊132與第二接墊133的材料可為銀、金、銅、錫、或其他適合的導電材料。
擋牆140配置於基板110的上表面110a上。擋牆140位於第一接墊132與第二接墊133之間，以避免第一接墊132與第二接墊133接觸。擋牆140也可位於第一電極120與第二電極121之間。在一些實施例中，擋牆140於基板110上的正投影、第一電極120於基板110上的正投影以及第二電極121於基板110上的正投影彼此不重疊。在本實施例中，擋牆140可以是單層或多層。擋牆140的材料可為有機材料或無機材料，例如：氧化矽或氮化矽，但不以此為限。
在本實施例中，擋牆140具有彼此相對的頂表面141與底表面142。擋牆140的頂表面141可與半導體疊層131的第一表面131a共平面，也就是說，擋牆140的頂表面141可直接接觸發光二極體130的半導體疊層131。擋牆140的底表面142直接接觸基板110。此外，在本實施例中，擋牆140的高度為H2且擋牆140的寬度為W2。擋牆140的高度H2可以是擋牆140的頂表面141與底表面142之間的垂直距離。在本實施例中，擋牆140的高度H2≦1/2半導體疊層131的最大厚度H1，且擋牆140的寬度為W2≦第一電極120與第二電極121之間的水平距離W1，即H2≦1/2H1
且W2≦W1。
請再參照圖1A，在本實施例中，發光二極體顯示器10於俯視時，擋牆140的形狀可具體化為實心長條形，且擋牆140的長度L1大於發光二極體130的短邊134的長度L2。在本實施例中，藉由將擋牆140設置於第一接墊132與第二接墊133之間，以隔離第一接墊132與第二接墊133，進而可避免相鄰的第一接墊132與第二接墊133於接合至基板110上的第一電極120與第二電極121時(即第一接墊132與第二接墊133熔融時)，因為距離過近以及毛細現象的原因而連接在一起。
在本實施例中，擋牆140位於第一電極120與第二電極121之間，擋牆140平行於發光二極體130的短邊134，且擋牆140的兩端點143、144以平行於短邊134的方向延伸至發光二極體130外。也就是說，擋牆140的兩端點143、144皆位於發光二極體130外，且擋牆140的兩端點143、144於基板110上的正投影不重疊於發光二極體130於基板110上的正投影。藉此，可確保熔融的第一接墊132與第二接墊133不會流過擋牆140的兩端點143、144而互相連接在一起，以避免造成短路。
在本實施例中，雖然圖1A所示的擋牆140只有一個、擋牆140的形狀為實心長條形、且擋牆140以平行於發光二極體130的短邊134的方向配置，但本發明並不對擋牆的數量、擋牆的形狀以及擋牆的配置方向加以限制，只要能使擋牆140位於第一接墊132與第二接墊133之間，並確保熔融的第一接墊132與第二
接墊133不會流過擋牆140而互相連接在一起，以避免造成短路即可。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2A繪示為本發明另一實施例的發光二極體顯示器的俯視示意圖。圖2B繪示為圖2A的發光二極體顯示器沿剖面線Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意圖。請同時參照圖1A、1B以及圖2A、2B，本實施例的發光二極體顯示器10a與圖1A、1B中的發光二極體顯示器10相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的發光二極體顯示器10a更包括至少一隔板150。隔板150配置於發光二極體130的至少一側邊，並位於相鄰的子畫素區100之間，用以避免相鄰的子畫素區100之間有光干擾的情形。在本實施例中，隔板150具有反射性質或吸收性值。此外，如圖2A所示，隔板150還可圍繞在發光二極體130的四周，以反射或吸收發光二極體130所散射的光。
圖3A至圖3D繪示為本發明多個實施例的發光二極體顯示器的俯視示意圖。圖4A至圖4E繪示為本發明多個實施例的發光二極體顯示器的俯視示意圖。為了方便說明，圖3A至圖3D、圖4A至圖4E皆省略繪示基板110、第一電極120以及第二電極
121。
請參照圖3A，於俯視時，第一接墊132a與第二接墊133a分別配置於發光二極體130的其中一斜對角。此時，擋牆140a的形狀可具體化為實心長條形，擋牆140a沿者另一斜對角的方向配置，擋牆140a位於第一接墊132a與第二接墊133a之間，且擋牆140a的兩端點143a、144a皆位於發光二極體130外。
請參照圖3B，於俯視時，2個擋牆140b的形狀可具體化為實心長條形，2個擋牆140b皆以平行於發光二極體130的短邊134的方向配置，2個擋牆140b皆位於第一接墊132b與第二接墊133b之間且2個擋牆140b的兩端點143b、144b皆位於發光二極體130外。
請參照圖3C，於俯視時，2個擋牆140c1、140c2的形狀可具體化為ㄑ字形。2個擋牆140c1、140c2皆位於第一接墊132c與第二接墊133c之間。擋牆140c1部分圍繞第一接墊132c，且擋牆140c2部分圍繞第二接墊133c。擋牆140c1的兩端點143c1、144c1皆位於發光二極體130外，且擋牆140c2的兩端點143c2、144c2皆位於發光二極體130外。
請參照圖3D，於俯視時，2個擋牆140d1、140d2的形狀可具體化為ㄈ字形。2個擋牆140d1、140d2皆位於第一接墊132d與第二接墊133d之間。擋牆140d1部分圍繞第一接墊132d，且擋牆140d2部分圍繞第二接墊133d。擋牆140d1的兩端點143d1、144d1皆位於發光二極體130外，且擋牆140d2的兩端點143d2、
144d2皆位於發光二極體130外。
請參照圖4A，於俯視時，擋牆140e的形狀可具體化為空心長方形。擋牆140e位於第一接墊132e與第二接墊133e之間。第一接墊132e位於擋牆140e的空心區145e內，且第二接墊133e位於擋牆140e外。也就是說，擋牆140e圍繞在第一接墊132e的四周，以完全圍繞第一接墊132e。
請參照圖4B，於俯視時，擋牆140f的形狀可具體化為空心三角形。擋牆140f位於第一接墊132f與第二接墊133f之間。第一接墊132f位於擋牆140f內的空心區145f，且第二接墊133f位於擋牆140f外。也就是說，擋牆140f圍繞在第一接墊132f的四周，以完全圍繞第一接墊132f。
請參照圖4C，於俯視時，擋牆140g的形狀可具體化為日字形，且擋牆140g包括第一空心區145g1以及第二空心區145g2。擋牆140g位於第一接墊132g與第二接墊133g之間。第一接墊132g位於擋牆140g的第一空心區145g1內，第二接墊133g位於擋牆140g的第二空心區145g2內。也就是說，擋牆140g可分別圍繞第一接墊132g與第二接墊133g。
請參照圖4D，於俯視時，2個擋牆140h1、140h2的形狀可具體化為空心長方形。2個擋牆140h1、140h2皆位於第一接墊132h與第二接墊133h之間。第一接墊132h位於擋牆140h1的空心區145h1內，第二接墊133h位於擋牆140h2的空心區145h2內。也就是說，擋牆140h1圍繞在第一接墊132h的四周，以完全圍繞
第一接墊132h。擋牆140h2圍繞在第二接墊133h的四周，以完全圍繞第二接墊133h。
請參照圖4E，與圖4D相似，惟二者主要差異之處在於：圖4E中的2個擋牆140i1、140i2可延伸至發光二極體130外。也就是說，2個擋牆140i1、140i2於基板110上的正投影不完全重疊於發光二極體130於基板110上的正投影。
圖5繪示為本發明另一實施例的發光二極體顯示器的剖面示意圖。請同時參照圖1B與圖5，本實施例的發光二極體顯示器10b與圖1B中的發光二極體顯示器10相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的發光二極體顯示器10b的半導體疊層131c還具有第三表面131d，且第一接墊132配置於半導體疊層131c的第三表面131d。在本實施例中，擋牆140j的頂表面141j接觸半導體疊層131c的第三表面131d，且擋牆140j的高度H3≦1/2半導體疊層131c的最大厚度H1。其中，半導體疊層131c的最大厚度H1可以是半導體疊層131c的第一表面131a與第二表面131b之間的垂直距離。
要說明的是，在上述所有的實施例中，依據各個實施例的擋牆的施作難易度，由容易至困難排序如下：圖1A的擋牆140=圖3A的擋牆140a>圖3B的擋牆140b=圖3C的擋牆140c1、140c2=圖3D的擋牆140d1、140d2>圖4A的擋牆140e=圖4B的擋牆140f>圖4C的擋牆140g=圖4D的擋牆140h1、140h2=圖4E的擋牆140i1、140i2。
綜上所述，在本發明的實施例的發光二極體顯示器中，藉由將擋牆配置於基板上，並使擋牆配置於第一接墊與第二接墊之間，以避免發光二極體上的第一接墊與第二接墊於接合至基板上時連接在一起而造成短路。如此一來，使得本發明的實施例的發光二極體顯示器具有較佳的可靠度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:發光二極體顯示器
110:基板
110a:上表面
111:基底
112:主動元件
113:介電層
120:第一電極
121:第二電極
130:發光二極體
131:半導體疊層
131a:第一表面
131b:第二表面
132:第一接墊
133:第二接墊
140:擋牆
141:頂表面
142:底表面
H1:最大厚度
H2:高度
W1:水平距離
W2:寬度
Claims (10)
- 一種發光二極體顯示器，具有多個子畫素區，且各該些子畫素區包括： 一基板，具有一主動元件； 一第一電極與一第二電極，分別配置於該基板上，其中該第一電極電性連接至該主動元件，且該第一電極與該第二電極之間的水平距離為W1； 一發光二極體，配置於該基板上，包括一半導體疊層、一第一接墊以及一第二接墊，其中該第一接墊與該第二接墊分別配置於該半導體疊層上，該第一接墊接觸該第一電極，該第二接墊接觸該第二電極，且該半導體疊層的最大厚度為H1；以及 至少一擋牆，配置於該基板上且位於該第一接墊與該第二接墊之間，以避免該第一接墊與該第二接墊接觸，其中該至少一擋牆的高度為H2且寬度為W2， 其中H2≦1/2H1，且W2≦W1。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該至少一擋牆位於該第一電極與該第二電極之間，且該至少一擋牆於該基板上的正投影、該第一電極於該基板上的正投影以及該第二電極於該基板上的正投影不重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，更包括： 至少一隔板，配置於該發光二極體的至少一側邊，並位於相鄰的該些子畫素區之間，其中該至少一隔板具有反射性質。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該發光二極體顯示器於俯視時，該至少一擋牆的形狀包括實心長條形、空心長方形、空心三角形、ㄑ字形、ㄈ字形以及日字形。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體顯示器，其中當該至少一擋牆的形狀為實心長條形時，該至少一擋牆的長度大於該發光二極體的短邊的長度。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體顯示器，其中當該至少一擋牆的形狀為實心長條形、ㄑ字形或ㄈ字形時，該至少一擋牆的兩端點皆位於該發光二極體外。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體顯示器，其中當該至少一擋牆的形狀為空心長方形或空心三角形時，該至少一擋牆圍繞該第一接墊或該第二接墊。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體顯示器，其中當該至少一擋牆的形狀為ㄑ字形或ㄈ字形時，該至少一擋牆部分圍繞該第一接墊或該第二接墊。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體顯示器，其中當該至少一擋牆的形狀為日字形時，該至少一擋牆包括一第一空心區以及一第二空心區，其中該第一接墊位於該第一空心區，且該第二接墊位於該第二空心區。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該至少一擋牆為多個擋牆，且該發光二極體顯示器於俯視時，各該些擋牆的形狀包括實心長條形、空心長方形、空心三角形、ㄑ字形以及ㄈ字形。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109103233A TWI720806B (zh) | 2020-02-03 | 2020-02-03 | 發光二極體顯示器 |
| US16/924,229 US11362244B2 (en) | 2020-02-03 | 2020-07-09 | Light-emitting diode display |
| CN202011018079.2A CN112259531B (zh) | 2020-02-03 | 2020-09-24 | 发光二极管显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109103233A TWI720806B (zh) | 2020-02-03 | 2020-02-03 | 發光二極體顯示器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI720806B true TWI720806B (zh) | 2021-03-01 |
| TW202131512A TW202131512A (zh) | 2021-08-16 |
Family
ID=74232779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109103233A TWI720806B (zh) | 2020-02-03 | 2020-02-03 | 發光二極體顯示器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11362244B2 (zh) |
| CN (1) | CN112259531B (zh) |
| TW (1) | TWI720806B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113140661B (zh) * | 2021-04-30 | 2023-01-06 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN113421954B (zh) * | 2021-05-21 | 2023-06-09 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置与其制造方法 |
| WO2023206079A1 (zh) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光芯片、发光基板、显示装置和发光基板的制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201203620A (en) * | 2010-06-01 | 2012-01-16 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device package |
| WO2018074866A2 (ko) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| US20190097105A1 (en) * | 2017-09-28 | 2019-03-28 | Leedarson Lighting Co., Ltd. | Light emitting diode element apparatus and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3965935B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び投射型表示装置 |
| TWI242818B (en) * | 2004-12-10 | 2005-11-01 | Advanced Semiconductor Eng | Process of mounting a passive component |
| CN100552963C (zh) | 2007-03-28 | 2009-10-21 | 精材科技股份有限公司 | 集成电路封装体及其制作方法 |
| CN102375577A (zh) * | 2010-08-09 | 2012-03-14 | 东莞万士达液晶显示器有限公司 | 触控显示面板及其制造方法 |
| CN102842666B (zh) * | 2011-06-22 | 2015-03-18 | 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 | Led覆晶结构及其制造方法 |
| JP2015129705A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP2017135301A (ja) | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 東芝ライテック株式会社 | Ｌｅｄモジュールおよび照明装置 |
| CN107768498B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-07-30 | 群创光电股份有限公司 | 发光二极管显示装置及其制作方法 |
| KR102407337B1 (ko) | 2017-09-12 | 2022-06-10 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 |
| KR20190044449A (ko) | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
| KR102455087B1 (ko) | 2017-12-11 | 2022-10-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
| KR102471686B1 (ko) | 2017-12-26 | 2022-11-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
| KR102453886B1 (ko) | 2018-01-12 | 2022-10-11 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
| EP3547368B1 (en) * | 2018-03-29 | 2021-01-13 | InnoLux Corporation | Electronic device |
| CN208460789U (zh) | 2018-06-29 | 2019-02-01 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种微间距显示模块 |
| TWI685945B (zh) * | 2018-12-04 | 2020-02-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型半導體元件結構 |
| CN109920815B (zh) | 2019-03-20 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电路基板及其制作方法和微发光二极管显示基板 |
-
2020
- 2020-02-03 TW TW109103233A patent/TWI720806B/zh active
- 2020-07-09 US US16/924,229 patent/US11362244B2/en active Active
- 2020-09-24 CN CN202011018079.2A patent/CN112259531B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201203620A (en) * | 2010-06-01 | 2012-01-16 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device package |
| WO2018074866A2 (ko) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| US20190097105A1 (en) * | 2017-09-28 | 2019-03-28 | Leedarson Lighting Co., Ltd. | Light emitting diode element apparatus and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112259531A (zh) | 2021-01-22 |
| TW202131512A (zh) | 2021-08-16 |
| US20210242377A1 (en) | 2021-08-05 |
| US11362244B2 (en) | 2022-06-14 |
| CN112259531B (zh) | 2023-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI720806B (zh) | 發光二極體顯示器 | |
| JP6284659B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ構造 | |
| TWI666492B (zh) | 主動元件基板 | |
| US9318675B2 (en) | Light emitting device and lighting system having the same | |
| CN110491872B (zh) | 半导体裸片组合件、封装和系统以及操作方法 | |
| TWI735241B (zh) | 可撓式顯示面板 | |
| CN103682036A (zh) | 发光装置 | |
| US8860047B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| TWI485883B (zh) | 發光裝置 | |
| TW202125848A (zh) | 微型發光元件顯示裝置 | |
| TW201036208A (en) | Light emitting device | |
| US10090449B2 (en) | Light emitting device | |
| US9607960B1 (en) | Bonding structure and flexible device | |
| US10591788B2 (en) | Array substrate and liquid crystal display panel | |
| KR101831249B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 조명 장치 | |
| CN203836646U (zh) | 发光装置 | |
| US20210367103A1 (en) | Micro light emitting diode | |
| KR100744700B1 (ko) | 반도체장치 | |
| KR20130022643A (ko) | 발광 소자 | |
| TW202114249A (zh) | 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及顯示元件 | |
| TWI760014B (zh) | 顯示面板 | |
| US20230026864A1 (en) | Electronic device | |
| US20230223498A1 (en) | Micro light emitting diode | |
| KR101977831B1 (ko) | 발광 소자 및 조명 시스템 | |
| TWI757181B (zh) | 顯示面板及其製造方法 |