CN113421954B - 显示装置与其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置，包括发光元件、胶体挡墙以及阵列基板。发光元件具有第一接触件与第二接触件设置于发光元件的第一表面。胶体挡墙设置于发光元件的第一表面，且具有第一部分介于第一接触件与第二接触件之间。阵列基板包括第一接垫和第二接垫设置于阵列基板的第二表面，其中发光元件的第一接触件与第二接触件分别连接于第一接垫和第二接垫上。

Description

显示装置与其制造方法
技术领域
本揭示案是有关于一种显示装置与其制造方法。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,LED)以其体积小、功率低、使用寿命长、高亮度以及主动发光等优点，而被广泛应用于照明及显示等技术领域。微型LED(micro LED)为一种新式的显示技术，具备更好的对比度、更快的反应速度、和更低的能耗。微型LED是以晶片的形式单独制造，因此在制作显示器的过程中，需将微型LED晶片巨量转移(masstransfer)到另一基板(例如，载板)上。除此之外，微型LED的微小尺寸使制程的困难度提升。
发明内容
根据本揭示案的一些实施例，一种显示装置包括发光元件、胶体挡墙以及阵列基板。发光元件具有第一接触件与第二接触件设置于发光元件的第一表面。胶体挡墙设置于发光元件的第一表面，且具有第一部分介于第一接触件与第二接触件之间。阵列基板包括第一接垫和第二接垫设置于阵列基板的第二表面，其中发光元件的第一接触件与第二接触件分别连接于第一接垫和第二接垫上。
根据本揭示案的一些实施例，一种制造显示装置的方法包括提供转移装置，其中转移装置包括第一基板、设置于第一基板上的图案化黏着层、以及发光元件，其中发光元件设置于图案化黏着层上并藉由图案化黏着层而黏接于第一基板上。方法亦包括使用第一激光将发光元件自第一基板脱附并转移至第二基板，同时第一激光对图案化黏着层进行图案化，以使图案化黏着层形成胶体挡墙在发光元件的第一接触件和第二接触件之间。方法亦包括使用第二激光将发光元件附接至阵列基板上。
本揭示案的实施例提供显示装置与其制造方法，藉由形成胶体挡墙在接触件之间以避免接触件之间产生预期之外的电性接触，从而提升制程可靠度。
附图说明
阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本揭示案的观点。应注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种特征的尺寸可能任意地放大或缩小。再者，相同的附图标记表示相同的元件。
图1为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法的流程图。
图2A为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图2B为依据本揭示案一些实施例绘示图2A的发光元件的俯视图。
图3A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图3B为图3A的发光元件的俯视图。
图4为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图5A为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图5B为图5A的发光元件的俯视图。
图6为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图7为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图8为图7的另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图9为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图10A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图10B为图10A的发光元件的俯视图。
图11为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图12为图11的另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图13为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图14A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图14B为图14A的发光元件的俯视图。
图15为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图16为图15的另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图17为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图18A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图18B为图18A的发光元件的俯视图。
图19为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图20为图19的另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图21为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图22A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图22B为图22A的发光元件的俯视图。
图23为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图24为图23的另一些实施例绘示制造显示装置的方法于其中一个操作阶段的截面图。
图25为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法中的转移装置的方法流程图。
图26为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法中的转移装置的一制程阶段的截面图。
图27为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法中的转移装置的一制程阶段的截面图。
图28为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法中的转移装置的一制程阶段的截面图。
图29为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法中的转移装置的一制程阶段的截面图。
图30为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法中的转移装置的一制程阶段的截面图。
图31A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法中的转移装置的一制程阶段的截面图。
图31B为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法中的转移装置的一制程阶段的截面图。
其中，附图标记：
100:方法
102:步骤
104:步骤
106:步骤
200:转移装置
210:第一基板
220:图案化黏着层
220A:黏着层
230:发光元件
240:半导体叠层
242:未掺杂半导体层
244:N型掺杂半导体层
246:发光层
248:P型掺杂半导体层
250:接触件
250A:第一接触件
250B:第二接触件
252A:第一电流分散层
254A:第一接垫
252B:第二电流分散层
254B:第二接垫
260:保护层
320:图案化黏着层
400:第一激光
410:第二基板
420:第二黏着层
500:胶体挡墙
502:第一部分
504:第二部分
600:第二激光
610:阵列基板
620:接垫
620A:第一接垫
620B:第二接垫
700:显示装置
710:介面金属共化物
710A:第一介面金属共化物
710B:第二介面金属共化物
800:显示装置
810:胶体挡墙
812:第一部分
814:第二部分
1000:胶体挡墙
1002:第一部分
1004:第二部分
1100:显示装置
1110:介面金属共化物
1110A:第一介面金属共化物
1110B:第二介面金属共化物
1200:显示装置
1400:胶体挡墙
1402:第一部分
1404:第二部分
1406:子部
1406A:第一子部
1406B:第二子部
1500:显示装置
1510:介面金属共化物
1510A:第一介面金属共化物
1510B:第二介面金属共化物
1600:显示装置
1610:胶体挡墙
1612:第一部分
1614:第二部分
1616:子部
1616A:第一子部
1616B:第二子部
1800:胶体挡墙
1802:第一部分
1804:第二部分
1806:子部
1806A:第一子部
1806B:第二子部
1900:显示装置
1910:介面金属共化物
1910A:第一介面金属共化物
1910B:第二介面金属共化物
2000:显示装置
2010:胶体挡墙
2012:第一部分
2014:第二部分
2016:子部
2016A:第一子部
2016B:第二子部
2200:胶体挡墙
2202:第一部分
2204:第二部分
2300:显示装置
2310:介面金属共化物
2310A:第一介面金属共化物
2310B:第二介面金属共化物
2400:显示装置
2410:胶体挡墙
2412:第一部分
2414:第二部分
2500:方法
2502:步骤
2504:步骤
2506:步骤
2508:步骤
A1:面积
A2:面积
A3:面积
A4:面积
A5:面积
A6:面积
A7:面积
L1:距离
L2:距离
L3:距离
L4:距离
L5:距离
L6:距离
L7:距离
O1:开口
O1’:封闭空间
O2:开口
O3:开口
O4:开口
W1:侧壁
W2:侧壁
W3:侧壁
W4:侧壁
S1:第一表面
S2:第二表面
S3:第三表面
S4:第四表面
S5:第五表面
S6:第六表面
S7:第七表面
S8:第八表面
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。
此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文中使用第一、第二与第三等等的词汇，是用于描述各种元件、组件、区域、层及/或区块是可以被理解的。但是这些元件、组件、区域、层及/或区块不应该被这些词汇所限制。这些词汇只限于用来辨别单一元件、组件、区域、层及/或区块。因此，在下文中的一第一元件、组件、区域、层及/或区块也可被称为第二元件、组件、区域、层及/或区块，而不脱离本揭示案的本意。
本文使用的“约”、“近似”、或“大致上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本揭示案所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本揭示案的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
现行的显示装置中，接触件设置于发光元件上，例如发光二极管(light emittingdiode,LED)上，发光元件通过接触件接合并电性连接至阵列基板。随着发光元件的尺寸缩小，例如微型发光二极管为尺寸微缩至微米(μm)等级的发光元件，接触件的间距亦随之缩短，可能导致接合过程中接触件之间产生预期外的电性接触，进而发生短路现象。本揭示案提供一种显示装置与其制造方法可避免接触件彼此接触以降低短路的可能性，藉此进一步提升制程可靠度。
请同时参照图1、图2A和图2B。图1依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法100的流程图，图2A为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法100中的其中一个操作阶段的截面图，以及图2B为图2A的单一发光元件230的俯视图(省略第一基板210)并以断线绘示出第一接触件250A和第二接触件250B所处的例示性位置。
应注意的是，除非有额外说明，当方法100绘示或描述成一系列的操作或事件时，这些操作或事件的描述顺序不应受到限制。例如，部分操作或事件可采取与本揭示案不同的顺序、部分操作或事件可同时发生、部分操作或事件可以不须采用、及/或部分操作或事件可重复进行。并且，实际的制程可能须在方法100之前、过程中、或之后进行额外的操作步骤以完整形成显示装置。因此，本揭示案可能将简短地说明其中一些额外的操作步骤。
首先，在步骤102中提供转移装置200。转移装置200具有第一基板210、设置于第一基板210上的图案化黏着层220、以及设置于图案化黏着层220上的发光元件230，发光元件230藉由图案化黏着层220而黏接于第一基板210上。其中，发光元件230可包括半导体叠层240、数个接触件250(例如图2A所示的二个接触件250)和保护层260。
为了使黏着层在后续制程中和发光元件230一起转移至另一基板上，因此在步骤102中采用图案化黏着层220。通过事先图案化的操作，减弱图案化黏着层220对第一基板210的黏附力，减弱的黏附力可有助于图案化黏着层220离开第一基板210，并且连同发光元件230一起转移至另一基板上。
在如图2A所示的实施例中，转移装置200的图案化黏着层220介于第一基板210和发光元件230之间，以隔开第一基板210和发光元件230，并且使上述两者彼此不直接接触。在一些实施例中，图案化黏着层220物理接触发光元件230的第一表面S1和设置于第一表面S1上的接触件250。详细而言，图案化黏着层220物理接触并覆盖接触件250的第二表面S2、内侧壁W1和外侧壁W2，其中内侧壁W1介于接触件250之间，而外侧壁W2为相对于内侧壁W1。在一些实施例中，图案化黏着层220亦可物理接触并覆盖发光元件230的侧壁，例如侧壁W3。
在如图2A所示的实施例中，图案化黏着层220可进一步延伸至发光元件230的侧壁W4。在一些其他的实施例中，图案化黏着层220可延伸超过发光元件230的侧壁W4(未绘示)。因此，在图2B中，图案化黏着层220可覆盖住发光元件230。
在一些实施例中，第一基板210可为玻璃基板、硅基板、或者是其他类型的基板。图案化黏着层220可包括环氧(epoxy)树脂、硅胶(silicon)树脂、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl 2-methylpropenoate),PMMA；压克力树脂)、或其他合适的黏着材料。在一些实施例中，图案化黏着层220为聚酰亚胺。在一些实施例中，图案化黏着层220为聚甲基丙烯酸甲酯。
半导体叠层240包括未掺杂半导体层242、N型掺杂半导体层244、发光层246、以及P型掺杂半导体层248。于未掺杂半导体层242之上依序形成N型掺杂半导体层244、发光层246、以及P型掺杂半导体层248，其中发光层246位于P型掺杂半导体层248以及N型掺杂半导体层244之间。
本揭示案的发光元件230以氮化镓系的发光二极管作为例示性实施例。在氮化镓系的发光二极管的实施例中，P型掺杂半导体层248可以是P型氮化镓层(p-GaN)，以及N型掺杂半导体层244可以是N型氮化镓层(n-GaN)。除此之外，发光层246，亦称为主动层，其结构可由多层氮化铟镓(InGaN)和多层氮化镓(GaN)交错堆叠而成的多重量子井结构(multiplequantum well,MQW)。未掺杂半导体层242可以是未掺杂的氮化镓层(u-GaN)。
发光元件230的接触件250设置于发光元件230的第一表面S1上。接触件250可包括第一接触件250A和第二接触件250B。第一接触件250A可包括第一电流分散层252A和第一接垫254A。第一电流分散层252A位于第一接垫254A与半导体叠层240的N型掺杂半导体层244之间，且第一接垫254A通过第一电流分散层252A电性连接半导体叠层240。第二接触件250B可包括第二电流分散层252B和第二接垫254B。第二电流分散层252B位于第二接垫254B与半导体叠层240的P型掺杂半导体层248之间，且第二接垫254B通过第二电流分散层252B电性连接半导体叠层240。
第一电流分散层252A包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)、或透明金属层，本揭示案不限于上述的列举。第一接垫254A可包括金属材料，例如是金(Au)、锡(Sn)、锡/银/铜合金(Sn/Ag/Cu alloy)、或锡合金(Sn alloy)，但本揭示案并不以此为限制。第二电流分散层252B的材料选择实质上相同于第一电流分散层252A的材料选择，且第二接垫254B的材料选择实质上相同于第一接垫254A的材料选择，因此不再详述。
发光元件230的保护层260覆盖半导体叠层240的至少一部分侧壁以及半导体叠层240的表面。保护层260可提供电性隔绝、保护或反射光线的作用。保护层260的材料可包括二氧化硅、氮化硅、或二种不同折射率材料的堆叠组合，而本揭示案不以上述列举为限。
请参照图3A和图3B，图3A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图，而图3B为图3A的单一发光元件230的俯视图(省略第一基板210)并以断线绘示出第一接触件250A和第二接触件250B所处的例示性位置。
图3A和图3B分别大致上相同于图2A和图2B，其差异仅在于图3A和图3B的图案化黏着层320接触发光元件230的范围不同于图2A和图2B的图案化黏着层220接触发光元件230的范围。
相同于图案化黏着层220(图2A)，在图3A所示的实施例中，转移装置200的图案化黏着层320介于第一基板210和发光元件230之间，以隔开第一基板210和发光元件230并使上述两者彼此不直接接触。在一些实施例中，图案化黏着层320物理接触发光元件230的第一表面S1、和设置于第一表面S1上的接触件250。详细而言，图案化黏着层320物理接触并覆盖接触件250的第二表面S2、内侧壁W1和外侧壁W2。
然而，相较于图2A的图案化黏着层220可进一步延伸至发光元件230的侧壁W4，图3A的图案化黏着层320延伸范围仅介于接触件250的外侧壁W2和发光元件230的侧壁W4之间。举例来说，在图3B的俯视图中，图案化黏着层320局部覆盖住发光元件230。应注意的是，虽然图案化黏着层320局部覆盖发光元件230，但仍可完全覆盖住接触件250。
为求清楚描述，后续的图示将进行简化而仅绘示出单一发光元件230。应理解的是，实际操作中第一基板210上可设有多个发光元件230。
请参照图1、图4、图5A和图5B。图4为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、图5A为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、以及图5B为图5A的发光元件230的俯视图，并以断线绘示出第一接触件250A和第二接触件250B所处的例示性位置。此外，图4、图5A和图5B是采用图2A和图2B中具有图案化黏着层220的转移装置200作为例示性说明。
在步骤104中，使用第一激光400将发光元件230自第一基板210脱附并转移至第二基板410上，同时，第一激光400对图案化黏着层220进行图案化而形成胶体挡墙500在发光元件230的第一接触件250A和第二接触件250B之间。
在图4中，第一激光400穿过第一基板210照射于图案化黏着层220。第一激光400包括数个照射面积A2在图案化黏着层220上，其中照射面积A2彼此错开而互相不重叠。在一些实施例中，第一激光400的单个照射面积A2小于单个接触件250的面积A1。
第一激光400的波长足以对图案化黏着层220的材料进行图案化。在一些实施例中，第一激光400的波长可在约250纳米至约400纳米的范围之内。在一些实施例中，第一激光400的波长可在约300纳米至约350纳米的范围之内。
原先发光元件230藉由图案化黏着层220而黏接于第一基板210上，由于至少一部分的图案化黏着层220经第一激光400照射后而移除，进一步地减弱图案化黏着层220对第一基板210的黏着力，如此一来，可能导致图案化黏着层220无法保持黏接于第一基板210上。因此，图案化黏着层220自第一基板210脱离。详细而言，发光元件230连同图案化黏着层220一起自第一基板210脱附并转移至第二基板410和第二黏着层420上，其中图案化黏着层220保持物理接触发光元件230。
除了产生前述的脱附作用之外，同一时间，至少一部分的图案化黏着层220经由第一激光400照射后而移除，亦为第一激光400对图案化黏着层220进行图案化而使图案化黏着层220形成胶体挡墙500。
图案化黏着层220所移除的部分形成了开口O1，其中开口O1具有面积A3。在一些实施例中，开口O1的面积A3相近于第一激光400的照射面积A2。在一些实施例中，开口O1的面积A3可小于第一激光400的照射面积A2。再者，开口O1暴露出第一接触件250A和第二接触件250B。在图5A与图5B所示的实施例中，开口O1位于于第一接触件250A和第二接触件250B的范围之内。
除了开口O1之外，胶体挡墙500实质上等同于图2A和图2B的图案化黏着层220。胶体挡墙500设置于发光元件230的第一表面S1上。胶体挡墙500包括第一部分502和第二部分504。胶体挡墙500的第一部分502设置在发光元件230的接触件250之间，例如胶体挡墙500的第一部分502物理接触第一接触件250A和第二接触件250B，如图5A所示。在一些实施例中，胶体挡墙500的第一部分502可填满第一接触件250A的内侧壁W1和第二接触件250B的内侧壁W1之间的横向空间。胶体挡墙500的第二部分504设置在发光元件230的接触件250的外侧壁W2。
在一些实施例中，胶体挡墙500物理接触发光元件230的第一表面S1和设置于第一表面S1上的接触件250。详细而言，胶体挡墙500物理接触并部分覆盖接触件250的第二表面S2、内侧壁W1和外侧壁W2。换言之，胶体挡墙500的第三表面S3与发光元件230的第一表面S1的距离L2大于接触件250的第二表面S2与发光元件230的第一表面S1的距离L1。在一些实施例中，胶体挡墙500的第二部分504可物理接触并覆盖发光元件230的侧壁，例如侧壁W3。
在一些实施例中，第二基板410可为玻璃基板、硅基板、或者是其他类型的基板。第二黏着层420可包括苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)、环氧树脂、硅胶树脂、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、或其他合适的黏着材料。在一些实施例中，第二黏着层420包括的材料异于图案化黏着层220包括的材料。
请参照图1、图6和图7。图6为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图，而图7为依据本揭示案一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。其中图6和图7的结构为图5A的上下翻转之后的结果。
在步骤106中，使用第二激光600将发光元件230附接于阵列基板610，并且移除第二基板410和第二黏着层420，从而形成显示装置700。
在图6中，将图5A的结构上下翻转后，将发光元件230以胶体挡墙500的第三表面S3一侧设置于阵列基板610上。阵列基板610包括数个接垫620，接垫620设置于阵列基板610的第四表面S4上。阵列基板610的接垫620具有第一接垫620A和第二接垫620B，分别对应于发光元件230的第一接触件250A和第二接触件250B。
当发光元件230设置于阵列基板610上时，胶体挡墙500的第三表面S3接触到阵列基板610的接垫620中的至少一个。如图6所示的实施例，胶体挡墙500的一部分介于发光元件230的第一接触件250A与阵列基板610的第一接垫620A之间，或是胶体挡墙500的一部分介于发光元件230的第二接触件250B与阵列基板610的第二接垫620B之间。
在一些实施例中，胶体挡墙500的第三表面S3与阵列基板610的第四表面S4彼此未接触。详细而言，胶体挡墙500的第一部分502的第三表面S3与阵列基板610的第四表面S4之间具有距离L3。
图5A中的开口O1仍保留于图6中，并且因发光元件230设置于阵列基板610的接垫620上而转变成一封闭空间O1’。
第二激光600可穿过第二基板410、第二黏着层420和部分发光元件230。在一些实施例中，接触件250中的第一接垫254A和第二接垫254B可吸收第二激光600的能量而提高温度，使得第一接垫254A和第二接垫254B的一部分形成熔融态材料(未绘出)。由于胶体挡墙500的设置，可使具有流动性的熔融态材料局限于封闭空间O1’中。
在图7所示的实施例中，吸收第二激光600而使第一接垫254A和第二接垫254B的一部分形成熔融态材料(未绘出)，接下来熔融态材料降温后固化并分别与阵列基板610的第一接垫620A和第二接垫620B反应而形成介面金属共化物(intermetallic compound,IMC)710。在一些实施例中，发光元件230通过介面金属共化物710附接至阵列基板610上。在一些实施例中，介面金属共化物710可电性连接发光元件230至阵列基板610的接垫620。在一些实施例，介面金属共化物710填充于封闭空间O1’。胶体挡墙500可使介面金属共化物710形成在适当的位置并产生合乎预期的电性连接。举例来说，第一介面金属共化物710A仅电性连接发光元件230的第一接垫254A至阵列基板610的第一接垫620A。同样地，第二介面金属共化物710B仅电性连接发光元件230的第二接垫254B至阵列基板610的第二接垫620B。
介面金属共化物710可包括发光元件230的第一接垫254A或第二接垫254B的材料，以及阵列基板610的第一接垫620A或第二接垫620B的材料。阵列基板610上的接垫620可包括金属材料，例如是金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、或其他合适的金属材料。
在图7中，移除第二基板410和第二黏着层420。可通过激光剥离制程、光化学反应法或光物理反应法来移除第二基板410和第二黏着层420。在一些实施例中，第二黏着层420的材料可对第二激光600(图6)反应而使第二黏着层420对发光元件230的黏附力降低，从而移除第二基板410和第二黏着层420。
在一些实施例中，第二激光600的波长大于第一激光400的波长。在一些实施例中，第二激光600的波长约1000纳米和约2000纳米之间。在一些实施例中，第二激光600的波长约1000纳米和约1500纳米之间。
请参照图8，图8为图7的另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。图8是采用图3A和图3B中具有图案化黏着层320的转移装置200作为例示性说明。意即图8使用图案化黏着层320进行步骤104和步骤106以形成显示装置800，其中图案化黏着层320形成胶体挡墙810。
图8的显示装置800实质上等同于图7的显示装置700，上述两者的差异仅在于图8的胶体挡墙810的覆盖范围不同于图7的胶体挡墙500的覆盖范围。
胶体挡墙810包括第一部分812和第二部分814，其中第一部分812设置在发光元件230的接触件250之间，例如胶体挡墙810的第一部分812物理接触第一接触件250A和第二接触件250B，如图8所示。在一些实施例中，胶体挡墙810的第一部分812可填满第一接触件250A的内侧壁W1和第二接触件250B的内侧壁W1之间的横向空间。胶体挡墙810的第二部分814设置在发光元件230的接触件250的外侧壁W2。相较于图7的胶体挡墙500的第二部分504延伸至发光元件230的侧壁W4，图8的胶体挡墙810的第二部分814延伸范围仅介于接触件250的外侧壁W2和发光元件230的侧壁W4之间。
在另一些实施例中，步骤104的第一激光400(图4)可以采取不同的照射方式，例如不同照射位置或照射面积等，而形成不同显示装置，下文中将进行说明。
请参照图9、图10A和图10B。图9为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、图10A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、以及图10B为图10A的发光元件230的俯视图，并以断线绘示出第一接触件250A和第二接触件250B所处的例示性位置。此外，图9、图10A和图10B是采用图2A和图2B中具有图案化黏着层220的转移装置200作为例示性说明。
相似于图4，第一激光400穿过第一基板210照射于图案化黏着层220。第一激光400包括数个照射面积A2在图案化黏着层220上，其中照射面积A2错开而互相不重叠。在一些实施例中，第一激光400的单个照射面积A2小于单个接触件250的面积A1。应留意的是，图9的照射位置较图4的照射位置偏移，使得产生的开口O2位置不同于开口O1的位置。
除了产生前述的脱附作用之外，同一时间，至少一部分的图案化黏着层220经由第一激光400照射而移除，藉此，第一激光400对图案化黏着层220进行图案化而使图案化黏着层220形成胶体挡墙1000。
图案化黏着层220因第一激光400而移除的部分形成了开口O2，其中开口O2具有面积A3。在一些实施例中，开口O2的面积A3相近于第一激光400的照射面积A2。在一些实施例中，开口O2的面积A3可小于第一激光400的照射面积A2。再者，开口O2暴露出部分的第一接触件250A和部分的第二接触件250B。在图10A与图10B所示的实施例中，开口O2的一部份位于接触件250的范围之内，另一部分位于胶体挡墙1000的第一部分1002上。
除了开口O2的位置之外，胶体挡墙1000实质上等同于图5A和图5B的胶体挡墙500。胶体挡墙1000设置于发光元件230的第一表面S1上。胶体挡墙1000包括第一部分1002和第二部分1004。胶体挡墙1000的第一部分1002设置在发光元件230的接触件250之间，例如胶体挡墙1000的第一部分1002物理接触第一接触件250A和第二接触件250B，如图10A所示。在一些实施例中，胶体挡墙1000的第一部分1002可填满第一接触件250A的内侧壁W1和第二接触件250B的内侧壁W1之间的横向空间。胶体挡墙1000的第二部分1004设置在发光元件230的接触件250的外侧壁W2。
在一些实施例中，胶体挡墙1000物理接触发光元件230的第一表面S1和设置于第一表面S1上的接触件250。详细而言，胶体挡墙1000物理接触并覆盖接触件250的第二表面S2、内侧壁W1和外侧壁W2。换言之，胶体挡墙1000的第一部分1002具有第五表面S5，第五表面S5与发光元件230的第一表面S1的距离L4大于接触件250的第二表面S2与发光元件230的第一表面S1的距离L1。在一些实施例中，胶体挡墙1000的第二部分1004可物理接触并覆盖发光元件230的侧壁，例如侧壁W3。
请参照图11，图11为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。对图10A装置执行前述步骤106，因此在此不再详述步骤106。执行步骤106之后，形成如图11所示显示装置1100，以及形成介面金属共化物1110在封闭空间(未图示)中，其中封闭空间为图10A和图10B中的开口O2因发光元件230设置于阵列基板610的接垫620上而转变成一封闭空间。
图11的显示装置1100大致上相似于图7的显示装置700，虽然介面金属共化物1110所在位置较介面金属共化物710偏移，但是胶体挡墙1000的第五表面S5仍物理接触接垫620，因此介面金属共化物1110受到胶体挡墙1000的阻隔保持形成在发光元件230的接触件250与阵列基板610的接垫620之间。
同样地，发光元件230通过介面金属共化物1110附接至阵列基板610上。在一些实施例中，介面金属共化物1110可电性连接发光元件230至阵列基板610的接垫620。在一些实施例，介面金属共化物1110填充于封闭空间(未图示)。胶体挡墙1000可使介面金属共化物1110限制在适当的位置，以让介面金属共化物1110产生合乎预期的电性连接。举例来说，第一介面金属共化物1110A仅电性连接发光元件230的第一接垫254A至阵列基板610的第一接垫620A。同样地，第二介面金属共化物1110B仅电性连接发光元件230的第二接垫254B至阵列基板610的第二接垫620B。
在一些实施例中，阵列基板610包括薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)基板。
请参照图12，图12为图11的另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。图12是采用图3A和图3B中具有图案化黏着层320的转移装置200作为例示性说明。意即图12使用图案化黏着层320进行步骤104和步骤106以形成显示装置1200，其中图案化黏着层320形成胶体挡墙1210。
图12的显示装置1200实质上等同于图11的显示装置1100，上述两者的差异仅在于图12的胶体挡墙1210的覆盖范围不同于图11的胶体挡墙1000的覆盖范围。
胶体挡墙1210包括第一部分1212和第二部分1214，其中第一部分1212设置在发光元件230的接触件250之间，例如胶体挡墙1210的第一部分1212物理接触第一接触件250A和第二接触件250B，如图12所示。在一些实施例中，胶体挡墙1210的第一部分1212可填满第一接触件250A的内侧壁W1和第二接触件250B的内侧壁W1之间的横向空间。胶体挡墙1210的第二部分1214设置在发光元件230的接触件250的外侧壁W2。相较于图11的胶体挡墙1000的第二部分1004延伸至发光元件230的侧壁W4，图12的胶体挡墙1210的第二部分1214延伸范围仅介于接触件250的外侧壁W2和发光元件230的侧壁W4之间。
在如图13的实施例中，步骤104的第一激光400(图4)可以采取另一种照射方式，例如不同照射位置或照射面积等，而形成不同的显示装置，下文中将进行说明。
请参照图13、图14A和图14B。图13为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、图14A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、以及图14B为图14A的发光元件230的俯视图，并以断线绘示出第一接触件250A和第二接触件250B所处的例示性位置。此外，图13、图14A和图14B是采用图2A和图2B中具有图案化黏着层220的转移装置200作为例示性说明。
相似于图4，第一激光400穿过第一基板210照射于图案化黏着层220。第一激光400包括数个照射面积A4在图案化黏着层220上，其中照射面积A4的至少一部分相互重叠。应留意的是，图13的照射范围较图4大，图13的照射范围包括接触件250以及接触件250之间的图案化黏着层220。
除了产生前述的脱附作用之外，同一时间，至少一部分的图案化黏着层220经由第一激光400照射而移除，藉此，第一激光400对图案化黏着层220进行图案化而使图案化黏着层220形成胶体挡墙1400。除此之外，藉由调整第一激光400的操作参数，例如激光束之间的波相，以移除部分的胶体挡墙1400的第一部分1402。此外，胶体挡墙1400更包括子部1406，设置在接触件250的内侧壁W1与第二表面S2上。子部1406包括第一子部1406A和第二子部1406B分别凸出于第一部分1402。如图14A所示的实施例中，胶体挡墙1400的第一部分1402和子部1406共同呈现出凹陷状。
图案化黏着层220因第一激光400而移除的部分形成了开口O3，其中开口O3具有面积A5。在一些实施例中，开口O3的面积A5小于第一激光400的照射面积A4。再者，开口O3暴露出部分的第一接触件250A和部分的第二接触件250B。在图14A与图14B所示的实施例中，开口O3的位于接触件250的范围之内。
胶体挡墙1400设置于发光元件230的第一表面S1上。胶体挡墙1400的第一部分1402设置在发光元件230的接触件250之间，例如胶体挡墙1400的第一部分1402物理接触第一接触件250A和第二接触件250B，如图14A所示。在一些实施例中，胶体挡墙1400的第一部分1402可连接第一接触件250A的内侧壁W1和第二接触件250B的内侧壁W1之间的横向空间。在一些实施例中，胶体挡墙1400的第一子部1406A邻接于第一接触件250A而第二子部1406B邻接于第二接触件250B。胶体挡墙1400的第二部分1404设置在发光元件230的接触件250的外侧壁W2。
在一些实施例中，胶体挡墙1400物理接触发光元件230的第一表面S1和设置于第一表面S1上的接触件250。详细而言，胶体挡墙1400物理接触并覆盖接触件250的第二表面S2的一部分、内侧壁W1和外侧壁W2。换言之，胶体挡墙1400的子部1406具有第六表面S6，第六表面S6与发光元件230的第一表面S1的距离L5大于接触件250的第二表面S2与发光元件230的第一表面S1的距离L1。在一些实施例中，胶体挡墙1400的第二部分1404可物理接触并覆盖发光元件230的侧壁，例如侧壁W3。
除了开口O3以及胶体挡墙1400的第一部分1402和子部1406呈现凹陷状之外，胶体挡墙1400大致上相似于图5A和图5B的胶体挡墙500。
请参照图15，图15为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。对图14A装置执行前述步骤106，因此在此不再详述步骤106。执行步骤106之后，形成如图15所示显示装置1500，以及形成介面金属共化物1510在封闭空间(未图示)中，其中封闭空间为图14A和图14B中的开口O3因发光元件230设置于阵列基板610的接垫620上而转变成一封闭空间。
图15的显示装置1500大致上相似于图7的显示装置700。虽然胶体挡墙1400的第一部分1402和子部1406呈现凹陷状，但是胶体挡墙1400的子部1406的第六表面S6仍可物理接触接垫620，因此介面金属共化物1510受到胶体挡墙1400的阻隔保持形成在发光元件230的接触件250与阵列基板610的接垫620之间。
同样地，发光元件230通过介面金属共化物1510附接至阵列基板610上。在一些实施例中，介面金属共化物1510可电性连接发光元件230至阵列基板610的接垫620。在一些实施例，介面金属共化物1510填充于封闭空间(未图示)。胶体挡墙1400可使介面金属共化物1510限制在适当的位置，以让介面金属共化物1510产生合乎预期的电性连接。举例来说，第一介面金属共化物1510A仅电性连接发光元件230的第一接垫254A至阵列基板610的第一接垫620A。同样地，第二介面金属共化物1510B仅电性连接发光元件230的第二接垫254B至阵列基板610的第二接垫620B。
请参照图16，图16为图15的另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。图16是采用图3A和图3B中具有图案化黏着层320的转移装置200作为例示性说明。意即图16使用图案化黏着层320进行步骤104和步骤106以形成显示装置1600，其中图案化黏着层320形成胶体挡墙1610。
图16的显示装置1600实质上等同于图15的显示装置1500，上述两者的差异仅在于图16的胶体挡墙1610的覆盖范围不同于图15的胶体挡墙1400的覆盖范围。
胶体挡墙1610包括第一部分1612和第二部分1614，其中第一部分1612设置在发光元件230的接触件250之间。此外，胶体挡墙1610更包括子部1616，设置在接触件250的内侧壁W1与第二表面S2上。子部1616包括第一子部1616A和第二子部1616B分别凸出于第一部分1612。
在一些实施例中，胶体挡墙1610的第一部分1612可连接第一接触件250A的内侧壁W1和第二接触件250B的内侧壁W1之间的横向空间。在一些实施例中，胶体挡墙1610的第一子部1616A邻接于第一接触件250A而第二子部1616B邻接于第二接触件250B。胶体挡墙1610的第二部分1614设置在发光元件230的接触件250的外侧壁W2。相较于图15的胶体挡墙1400的第二部分1404延伸至发光元件230的侧壁W4，图16的胶体挡墙1610的第二部分1614延伸范围仅介于接触件250的外侧壁W2和发光元件230的侧壁W4之间。
在如图17的实施例中，步骤104的第一激光400(图4)可以采取另一种照射方式，例如不同照射位置或照射面积等，而形成不同的显示装置，下文中将进行说明。
请参照图17、图18A和图18B。图17为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、图18A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、以及图18B为图18A的发光元件230的俯视图，并以断线绘示出第一接触件250A和第二接触件250B所处的例示性位置。此外，图17、图18A和图18B是采用图2A和图2B中具有图案化黏着层220的转移装置200作为例示性说明。
图17的第一激光400操作实质上与图13的第一激光400操作相同。除此之外，藉由调整第一激光400的操作参数，例如激光束之间的波相，更进一步移除胶体挡墙1800的第一部分1802而暴露出发光元件230的第一表面S1。胶体挡墙1800大致上相似于图14A和图14B的胶体挡墙1400。
图案化黏着层220因第一激光400而移除的部分形成了开口O4，其中开口O4具有面积A6。在一些实施例中，开口O4的面积A6小于第一激光400的照射面积A4。再者，开口O4暴露出部分的第一接触件250A和部分的第二接触件250B。在图18A与图18B所示的实施例中，开口O4位于接触件250的范围之内。
残留的第一部分1802设置在发光元件230的接触件250之间，例如胶体挡墙1800的第一部分1802物理接触第一接触件250A或第二接触件250B。在一些实施例中，胶体挡墙1800的第一子部1806A邻接于第一接触件250A而第二子部1806B邻接于第二接触件250B。胶体挡墙1800的第二部分1804设置在发光元件230的接触件250的外侧壁W2。
在一些实施例中，胶体挡墙1800物理接触发光元件230的第一表面S1和设置于第一表面S1上的接触件250。详细而言，胶体挡墙1800物理接触并覆盖接触件250的第二表面S2的一部分、内侧壁W1和外侧壁W2。换言之，胶体挡墙1800的子部1806具有第七表面S7，第七表面S7与发光元件230的第一表面S1的距离L6大于接触件250的第二表面S2与发光元件230的第一表面S1的距离L1。在一些实施例中，胶体挡墙1800的第二部分1804可物理接触并覆盖发光元件230的侧壁，例如侧壁W3。
请参照图19，图19为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。对图18A装置执行前述步骤106，因此在此不再详述步骤106。执行步骤106之后，形成如图19所示显示装置1900，以及形成介面金属共化物1910在封闭空间(未图示)中，其中封闭空间为图18A和图18B中的开口O4因发光元件230设置于阵列基板610的接垫620上而转变成一封闭空间。
图19的显示装置1900大致上相似于图15的显示装置1500。虽然胶体挡墙1800的第一部分1802经部分移除，但是胶体挡墙1800的子部1806的第七表面S7仍可物理接触接垫620，因此介面金属共化物1910受到胶体挡墙1800的阻隔保持形成在发光元件230的接触件250与阵列基板610的接垫620之间。
同样地，发光元件230通过介面金属共化物1910附接至阵列基板610上。在一些实施例中，介面金属共化物1910可电性连接发光元件230至阵列基板610的接垫620。在一些实施例，介面金属共化物1910填充于封闭空间(未图示)。胶体挡墙1800可使介面金属共化物1910限制在适当的位置，以让介面金属共化物1910产生合乎预期的电性连接。举例来说，第一介面金属共化物1910A仅电性连接发光元件230的第一接垫254A至阵列基板610的第一接垫620A。同样地，第二介面金属共化物1910B仅电性连接发光元件230的第二接垫254B至阵列基板610的第二接垫620B。
请参照图20，图20为图19的另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。图20是采用图3A和图3B中具有图案化黏着层320的转移装置200作为例示性说明。意即图20使用图案化黏着层320进行步骤104和步骤106以形成显示装置2000，其中图案化黏着层320形成胶体挡墙2010。
图20的显示装置2000实质上等同于图19的显示装置1900，上述两者的差异仅在于图20的胶体挡墙2010的覆盖范围不同于图19的胶体挡墙1800的覆盖范围。相较于图19的胶体挡墙1800的第二部分1804延伸至发光元件230的侧壁W4，图20的胶体挡墙2010的第二部分2014延伸范围仅介于接触件250的外侧壁W2和发光元件230的侧壁W4之间。
在如图21的实施例中，步骤104的第一激光400(图4)可以采取另一种照射方式，例如不同照射位置或照射面积等，而形成不同的显示装置，下文中将进行说明。
请参照图21、图22A和图22B。图21为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、图22A为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图、以及图22B为图22A的发光元件230的俯视图，并以断线绘示出第一接触件250A和第二接触件250B所处的例示性位置。此外，图21、图22A和图22B是采用图2A和图2B中具有图案化黏着层220的转移装置200作为例示性说明。
相似于图4，第一激光400穿过第一基板210照射于图案化黏着层220。第一激光400包括照射面积A7在图案化黏着层220上，其中照射面积A7涵盖第一接触件250A和第二接触件250B。
除了产生前述的脱附作用之外，同一时间，至少一部分的图案化黏着层220经由第一激光400照射而移除，藉此，第一激光400对图案化黏着层220进行图案化而使图案化黏着层220形成胶体挡墙2200。除此之外，藉由调整第一激光400的操作参数，例如激光强度或是激光照射时间，使胶体挡墙2200的第八表面S8与接触件250的第二表面S2共平面。
胶体挡墙2200的第一部分2202设置在发光元件230的接触件250之间。举例来说，胶体挡墙2200的第一部分2202物理接触第一接触件250A和第二接触件250B，如图22A所示。在一些实施例中，胶体挡墙2200的第一部分2202可连接并填满第一接触件250A的内侧壁W1和第二接触件250B的内侧壁W1之间的横向空间。胶体挡墙2200的第二部分2204设置在发光元件230的接触件250的外侧壁W2。
应留意的是，由于胶体挡墙2200的第八表面S8与接触件250的第二表面S2共平面。因此，胶体挡墙2200物理接触接触件250的内侧壁W1和外侧壁W2，但是胶体挡墙2200未覆盖住接触件250的第二表面S2。换言之，胶体挡墙2200的第八表面S8与发光元件230的第一表面S1的距离L7大致上等于接触件250的第二表面S2与发光元件230的第一表面S1的距离L1。在一些实施例中，胶体挡墙2200的第二部分2204可物理接触并覆盖发光元件230的侧壁，例如侧壁W3。
除了共平面的特性使得接触件250未受胶体挡墙2200覆盖之外，胶体挡墙2200大致上相似于图5A和图5B的胶体挡墙500。
请参照图23，图23为依据本揭示案另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。对图22A装置执行前述步骤106，因此在此不再详述步骤106。执行步骤106之后，形成如图23所示显示装置2300，以及形成介面金属共化物2310在发光元件230的接触件250与阵列基板610的接垫620之间。
图23的显示装置2300大致上相似于图7的显示装置700。胶体挡墙2200未覆盖接触件250的第二表面S2，因此胶体挡墙2200未介于发光元件230的接垫254和阵列基板610的接垫620之间。由于胶体挡墙2200的第八表面S8可物理接触接垫620，所以介面金属共化物2310受到胶体挡墙2200的阻隔保持形成在发光元件230的接触件250与阵列基板610的接垫620之间。
在一些实施例中，因吸收激光的能量(例如，第二激光600的能量)而提高温度，使得第一接垫254A和第二接垫254B的一部分形成具有流动性的熔融态材料(未绘出)。由于胶体挡墙2300的设置没有产生的封闭空间供熔融态材料流入，因此熔融态材料原位降温后固化并分别与阵列基板610的第一接垫620A和第二接垫620B反应而形成介面金属共化物2310。
同样地，发光元件230通过介面金属共化物2310附接至阵列基板610上。在一些实施例中，介面金属共化物2310可电性连接发光元件230至阵列基板610的接垫620。胶体挡墙2200可使介面金属共化物2310限制在适当的位置，以让介面金属共化物2310产生合乎预期的电性连接。举例来说，第一介面金属共化物2310A仅电性连接发光元件230的第一接垫254A至阵列基板610的第一接垫620A。同样地，第二介面金属共化物2310B仅电性连接发光元件230的第二接垫254B至阵列基板610的第二接垫620B。
请参照图24，图24为图23的另一些实施例绘示制造显示装置的方法100于其中一个操作阶段的截面图。图24是采用图3A和图3B中具有图案化黏着层320的转移装置200作为例示性说明。意即图24使用图案化黏着层320进行步骤104和步骤106以形成显示装置2400，其中图案化黏着层320形成胶体挡墙2410。
图24的显示装置2400实质上等同于图23的显示装置2300，上述两者的差异仅在于图24的胶体挡墙2410的覆盖范围不同于图23的胶体挡墙2200的覆盖范围。相较于图23的胶体挡墙2200的第二部分2204延伸至发光元件230的侧壁W4，图24的胶体挡墙2410的第二部分2414延伸范围仅介于接触件250的外侧壁W2和发光元件230的侧壁W4之间。其余元件和结构相同于实质上等同于图23的显示装置2300，因此不再详述。
请参照图25，本揭示案进一步提供一种形成图案化黏着层的方法2500。意即，方法2500为方法100中步骤102的前置步骤。应注意的是，除非有额外说明，当方法2500绘示或描述成一系列的操作或事件时，这些操作或事件的描述顺序不应受到限制。例如，部分操作或事件可采取与本揭示案不同的顺序、部分操作或事件可同时发生、部分操作或事件可以不须采用、及/或部分操作或事件可重复进行。并且，实际的制程可能须在方法2500之前、过程中、或之后进行额外的操作步骤以完整形成图案化黏着层。因此，本揭示案可能将简短地说明其中一些额外的操作步骤。
请参照图25和图26。首先，在步骤2502中，形成黏着层220A在第一基板210上。黏着层220A的厚度需足以在后续制程中使黏着层220A接触到发光元件230的第一表面S1(图27)。
请参照图25和图27。接着，在步骤2504中，设置发光元件230至黏着层220A上。在一些实施例中，设置发光元件230至黏着层220A上的过程中可施加外力在发光元件230上，以确保发光元件230的第一表面S1确实接触到黏着层220A。在一些实施例中，由于黏着层220A介于发光元件230和第一基板210之间，故发光元件230未与第一基板210直接接触。
请参照图25和图28。在步骤2504之后，进行步骤2506。换言之，在设置发光元件230至黏着层220A上之后，对黏着层220A进行图案化。
请继续参照图28，在步骤2508中，形成转移装置200。由于先设置发光元件230在黏着层220A，接着再进行图案化操作，所以图案化操作会受限于发光元件230的遮蔽。因此，按此顺序进行所形成的转移装置200大致上为图2A和图2B中具有图案化黏着层220的转移装置200，即图案化黏着层220可延伸至发光元件230的侧壁W4。
在一些实施例中，方法2500可采用另一操作顺序。请参照图25和图29。首先，在步骤2502中，形成黏着层220A在第一基板210上。黏着层220A的厚度需足以在后续制程中使黏着层220A接触到发光元件230的第一表面S1(图31A和图31B)。
请参照图25和图30。接着，在步骤2506中，对黏着层220A进行图案化以形成图案化黏着层220。
请参照图25和图31A。在步骤2506之后，进行步骤2504。换言之，对黏着层220A进行图案化之后，设置发光元件230至图案化黏着层220。在一些实施例中，设置发光元件230至图案化黏着层220上的过程可施加外力在发光元件230上，以确保发光元件230的第一表面S1确实接触到图案化黏着层220。在一些实施例中，由于图案化黏着层220介于发光元件230和第一基板210之间，故发光元件230未与第一基板210直接接触。
请继续参照图31A，在步骤2508中，形成转移装置200。由于先进行图案化操作再设置发光元件230在图案化黏着层220，所以图案化操作不受限于发光元件230的遮蔽。因此，按此顺序进行所形成的转移装置200可相似于图2A和图2B中具有图案化黏着层220的转移装置200，即图案化黏着层220可延伸至发光元件230的侧壁W4。在一些实施例中，图案化黏着层220可延伸超过发光元件230的侧壁W4(未绘示)。此外，按此顺序进行所形成的转移装置200也可为图31B，即相似于图3A和图3B中具有图案化黏着层320的转移装置200。换言之，图案化黏着层320延伸范围仅介于接触件250的外侧壁W2和发光元件230的侧壁W4之间。
综合以上，本揭示案的实施例提供显示装置与其制造方法，藉由形成胶体挡墙在接触件之间以避免接触件之间产生预期外的电性接触，从而提升制程可靠度。
以上概略说明了本揭示案数个实施例的特征，使所属技术领域内具有通常知识者对于本揭示案可更为容易理解。任何所属技术领域内具有通常知识者应了解到本说明书可轻易作为其他结构或制程的变更或设计基础，以进行相同于本揭示案实施例的目的及/或获得相同的优点。任何所属技术领域内具有通常知识者亦可理解与上述等同的结构并未脱离本揭示案的精神及保护范围内，且可在不脱离本揭示案的精神及范围内，可作更动、替代与修改。

Claims (20)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
一发光元件，包括一第一接触件与一第二接触件，设置于该发光元件的一第一表面；
一胶体挡墙，设置于该发光元件的该第一表面，且具有一第一部分介于该第一接触件与该第二接触件之间；以及
一阵列基板，包括一第一接垫和一第二接垫设置于该阵列基板的一第二表面，其中该发光元件的该第一接触件与该第二接触件分别连接于该第一接垫和该第二接垫上，其中该第一接垫具有面向该第二接垫的一第一接垫内侧壁，该第二接垫具有面向该第一接垫的一第二接垫内侧壁，该胶体挡墙的至少一部分未物理接触该阵列基板、第一接垫内侧壁和第二接垫内侧壁。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙物理接触该第一接垫和该第二接垫中的至少一者。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙的一部分介于该第一接触件与该第一接垫之间或介于该第二接触件与该第二接垫之间。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙的该第一部分物理接触该第一接触件和该第二接触件。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙的该第一部分接触该第一接触件的内侧壁和该第二接触件的内侧壁。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙的该第一部分填满该第一接触件的内侧壁和该第二接触件的内侧壁之间的一横向空间。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙的该第一部分与该阵列基板有一间距。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙的材料包括聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙包含一第二部分，设置于该第一接触件的外侧壁或该第二接触件的外侧壁。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙包含一第二部分，设置于该发光元件的侧壁上。
11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该胶体挡墙更包含一第一子部以及一第二子部分别凸出于该第一部分，其中该第一子部邻接于该第一接触件，且该第二子部邻接于该第二接触件。
12.一种制造显示装置的方法，其特征在于，包括：
提供一转移装置，其中该转移装置包括：
一第一基板；
一图案化黏着层，设置于该第一基板上；以及
一发光元件，设置于该图案化黏着层上，该发光元件藉由该图案化黏着层而黏接于该第一基板上；
使用一第一激光将该发光元件自该第一基板脱附并转移至一第二基板，同时该第一激光对该图案化黏着层进行图案化，以使该图案化黏着层形成一胶体挡墙在该发光元件的一第一接触件和一第二接触件之间；以及
使用一第二激光将该发光元件附接至一阵列基板上。
13.如权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，该转移装置的该图案化黏着层物理接触该发光元件的一第一表面、一第一接触件和一第二接触件，其中该第一接触件和该第二接触件设置于该第一表面上。
14.如权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，该发光元件与物理接触该发光元件的该图案化黏着层一起自该第一基板脱附并转移至该第二基板上。
15.如权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，该胶体挡墙部分覆盖该发光元件的该第一接触件或该第二接触件。
16.如权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，该第一激光包括多个照射面积在该图案化黏着层上，该些照射面积彼此错开。
17.如权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，该第一激光包括多个照射面积在该图案化黏着层上，该些照射面积的至少一部分重叠。
18.如权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，该第一激光包括一照射面积在该图案化黏着层上，该照射面积涵盖该第一接触件和该第二接触件。
19.如权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，该图案化黏着层的形成包括：
形成一黏着层在该第一基板上；以及
设置该发光元件至该黏着层上之后，对该黏着层进行图案化以形成该图案化黏着层。
20.如权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，该图案化黏着层的形成包括：
形成一黏着层在该第一基板上；以及
对该黏着层进行图案化以形成该图案化黏着层之后，设置该发光元件至该黏着层上。
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