TWI785678B - 顯示裝置與其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置包括發光元件、膠體擋牆以及陣列基板。發光元件具有第一接觸件與第二接觸件設置於發光元件的第一表面。膠體擋牆設置於發光元件的第一表面，且具有第一部分介於第一接觸件與第二接觸件之間。陣列基板包括第一接墊和第二接墊設置於陣列基板的第二表面，其中發光元件的第一接觸件與第二接觸件分別連接於第一接墊和第二接墊上。

Description

顯示裝置與其製造方法
本揭示案是有關於一種顯示裝置與其製造方法。
發光二極體(light emitting diode, LED)以其體積小、功率低、使用壽命長、高亮度以及主動發光等優點，而被廣泛應用於照明及顯示等技術領域。微型LED(micro LED)為一種新式的顯示技術，具備更好的對比度、更快的反應速度、和更低的能耗。微型LED是以晶片的形式單獨製造，因此在製作顯示器的過程中，需將微型LED晶片巨量轉移(mass transfer)到另一基板(例如，載板)上。除此之外，微型LED的微小尺寸使製程的困難度提升。
根據本揭示案的一些實施例，一種顯示裝置包括發光元件、膠體擋牆以及陣列基板。發光元件具有第一接觸件與第二接觸件設置於發光元件的第一表面。膠體擋牆設置於發光元件的第一表面，且具有第一部分介於第一接觸件與第二接觸件之間。陣列基板包括第一接墊和第二接墊設置於陣列基板的第二表面，其中發光元件的第一接觸件與第二接觸件分別連接於第一接墊和第二接墊上。
根據本揭示案的一些實施例，一種製造顯示裝置的方法包括提供轉移裝置，其中轉移裝置包括第一基板、設置於第一基板上的圖案化黏著層、以及發光元件，其中發光元件設置於圖案化黏著層上並藉由圖案化黏著層而黏接於第一基板上。方法亦包括使用第一雷射將發光元件自第一基板脫附並轉移至第二基板，同時第一雷射對圖案化黏著層進行圖案化，以使圖案化黏著層形成膠體擋牆在發光元件的第一接觸件和第二接觸件之間。方法亦包括使用第二雷射將發光元件附接至陣列基板上。
本揭示案的實施例提供顯示裝置與其製造方法，藉由形成膠體擋牆在接觸件之間以避免接觸件之間產生預期之外的電性接觸，從而提升製程可靠度。
當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」可為二元件間存在其它元件。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。
本文中使用第一、第二與第三等等之詞彙，是用於描述各種元件、組件、區域、層及/或區塊是可以被理解的。但是這些元件、組件、區域、層及/或區塊不應該被這些詞彙所限制。這些詞彙只限於用來辨別單一元件、組件、區域、層及/或區塊。因此，在下文中的一第一元件、組件、區域、層及/或區塊也可被稱為第二元件、組件、區域、層及/或區塊，而不脫離本揭示案的本意。
本文使用的「約」、「近似」、或「大致上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本揭示案所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本揭示案的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
現行的顯示裝置中，接觸件設置於發光元件上，例如發光二極體(light emitting diode, LED)上，發光元件透過接觸件接合並電性連接至陣列基板。隨著發光元件的尺寸縮小，例如微型發光二極體為尺寸微縮至微米(μm)等級的發光元件，接觸件的間距亦隨之縮短，可能導致接合過程中接觸件之間產生預期外的電性接觸，進而發生短路現象。本揭示案提供一種顯示裝置與其製造方法可避免接觸件彼此接觸以降低短路之可能性，藉此進一步提升製程可靠度。
請同時參照第1圖、第2A圖和第2B圖。第1圖依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100之流程圖，第2A圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100中的其中一個操作階段之截面圖，以及第2B圖為第2A圖的單一發光元件230之俯視圖(省略第一基板210)並以斷線繪示出第一接觸件250A和第二接觸件250B所處的例示性位置。
應注意的是，除非有額外說明，當方法100繪示或描述成一系列的操作或事件時，這些操作或事件的描述順序不應受到限制。例如，部分操作或事件可採取與本揭示案不同的順序、部分操作或事件可同時發生、部分操作或事件可以不須採用、及/或部分操作或事件可重複進行。並且，實際的製程可能須在方法100之前、過程中、或之後進行額外的操作步驟以完整形成顯示裝置。因此，本揭示案可能將簡短地說明其中一些額外的操作步驟。
首先，在步驟102中提供轉移裝置200。轉移裝置200具有第一基板210、設置於第一基板210上的圖案化黏著層220、以及設置於圖案化黏著層220上的發光元件230，發光元件230藉由圖案化黏著層220而黏接於第一基板210上。其中，發光元件230可包括半導體疊層240、數個接觸件250(例如第2A圖所示的二個接觸件250)和保護層260。
為了使黏著層在後續製程中和發光元件230一起轉移至另一基板上，因此在步驟102中採用圖案化黏著層220。透過事先圖案化之操作，減弱圖案化黏著層220對第一基板210的黏附力，減弱的黏附力可有助於圖案化黏著層220離開第一基板210，並且連同發光元件230一起轉移至另一基板上。
在如第2A圖所示之實施例中，轉移裝置200的圖案化黏著層220介於第一基板210和發光元件230之間，以隔開第一基板210和發光元件230，並且使上述兩者彼此不直接接觸。在一些實施例中，圖案化黏著層220物理接觸發光元件230的第一表面S1和設置於第一表面S1上的接觸件250。詳細而言，圖案化黏著層220物理接觸並覆蓋接觸件250的第二表面S2、內側壁W1和外側壁W2，其中內側壁W1介於接觸件250之間，而外側壁W2為相對於內側壁W1。在一些實施例中，圖案化黏著層220亦可物理接觸並覆蓋發光元件230的側壁，例如側壁W3。
在如第2A圖所示的實施例中，圖案化黏著層220可進一步延伸至發光元件230的側壁W4。在一些其他的實施例中，圖案化黏著層220可延伸超過發光元件230的側壁W4(未繪示)。因此，在第2B圖中，圖案化黏著層220可覆蓋住發光元件230。
在一些實施例中，第一基板210可為玻璃基板、矽基板、或者是其他類型的基板。圖案化黏著層220可包括環氧(epoxy)樹脂、矽膠(silicon)樹脂、聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl 2-methylpropenoate), PMMA; 壓克力樹脂)、或其他合適的黏著材料。在一些實施例中，圖案化黏著層220為聚醯亞胺。在一些實施例中，圖案化黏著層220為聚甲基丙烯酸甲酯。
半導體疊層240包括未摻雜半導體層242、N型摻雜半導體層244、發光層246、以及P型摻雜半導體層248。於未摻雜半導體層242之上依序形成N型摻雜半導體層244、發光層246、以及P型摻雜半導體層248，其中發光層246位於P型摻雜半導體層248以及N型摻雜半導體層244之間。
本揭示案的發光元件230以氮化鎵系的發光二極體作為例示性實施例。在氮化鎵系的發光二極體之實施例中，P型摻雜半導體層248可以是P型氮化鎵層(p-GaN)，以及N型摻雜半導體層244可以是N型氮化鎵層(n-GaN)。除此之外，發光層246，亦稱為主動層，的結構可由多層氮化銦鎵(InGaN)和多層氮化鎵(GaN)交錯堆疊而成的多重量子井結構(multiple quantum well, MQW)。未摻雜半導體層242可以是未摻雜的氮化鎵層(u-GaN)。
發光元件230的接觸件250設置於發光元件230的第一表面S1上。接觸件250可包括第一接觸件250A和第二接觸件250B。第一接觸件250A可包括第一電流分散層252A和第一接墊254A。第一電流分散層252A位於第一接墊254A與半導體疊層240的N型摻雜半導體層244之間，且第一接墊254A透過第一電流分散層252A電性連接半導體疊層240。第二接觸件250B可包括第二電流分散層252B和第二接墊254B。第二電流分散層252B位於第二接墊254B與半導體疊層240的P型摻雜半導體層248之間，且第二接墊254B透過第二電流分散層252B電性連接半導體疊層240。
第一電流分散層252A包括透明導電材料，例如銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)、或透明金屬層，本揭示案不限於上述之列舉。第一接墊254A可包括金屬材料，例如是金(Au)、錫(Sn)、錫/銀/銅合金(Sn/Ag/Cu alloy)、或錫合金(Sn alloy)，但本揭示案並不以此為限制。第二電流分散層252B的材料選擇實質上相同於第一電流分散層252A的材料選擇，且第二接墊254B的材料選擇實質上相同於第一接墊254A的材料選擇，因此不再詳述。
發光元件230的保護層260覆蓋半導體疊層240的至少一部分側壁以及半導體疊層240的表面。保護層260可提供電性隔絕、保護或反射光線之作用。保護層260的材料可包括二氧化矽、氮化矽、或二種不同折射率材料之堆疊組合，而本揭示案不以上述列舉為限。
請參照第3A圖和第3B圖，第3A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖，而第3B圖為第3A圖的單一發光元件230之俯視圖(省略第一基板210)並以斷線繪示出第一接觸件250A和第二接觸件250B所處的例示性位置。
第3A圖和第3B圖分別大致上相同於第2A圖和第2B圖，其差異僅在於第3A圖和第3B圖的圖案化黏著層320接觸發光元件230之範圍不同於第2A圖和第2B圖的圖案化黏著層220接觸發光元件230之範圍。
相同於圖案化黏著層220(第2A圖)，在第3A圖所示之實施例中，轉移裝置200的圖案化黏著層320介於第一基板210和發光元件230之間，以隔開第一基板210和發光元件230並使上述兩者彼此不直接接觸。在一些實施例中，圖案化黏著層320物理接觸發光元件230的第一表面S1、和設置於第一表面S1上的接觸件250。詳細而言，圖案化黏著層320物理接觸並覆蓋接觸件250第二表面S2、內側壁W1和外側壁W2。
然而，相較於第2A圖的圖案化黏著層220可進一步延伸至發光元件230的側壁W4，第3A圖的圖案化黏著層320延伸範圍僅介於接觸件250的外側壁W2和發光元件230的側壁W4之間。舉例來說，在第3B圖之俯視圖中，圖案化黏著層320局部覆蓋住發光元件230。應注意的是，雖然圖案化黏著層320局部覆蓋發光元件230，但仍可完全覆蓋住接觸件250。
為求清楚描述，後續的圖示將進行簡化而僅繪示出單一發光元件230。應理解的是，實際操作中第一基板210上可設有多個發光元件230。
請參照第1圖、第4圖、第5A圖和第5B圖。第4圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、第5A圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、以及第5B圖為第5A圖的發光元件230之俯視圖，並以斷線繪示出第一接觸件250A和第二接觸件250B所處的例示性位置。此外，第4圖、第5A圖和第5B圖是採用第2A圖和第2B圖中具有圖案化黏著層220的轉移裝置200作為例示性說明。
在步驟104中，使用第一雷射400將發光元件230自第一基板210脫附並轉移至第二基板410上，同時，第一雷射400對圖案化黏著層220進行圖案化而形成膠體擋牆500在發光元件230的第一接觸件250A和第二接觸件250B之間。
在第4圖中，第一雷射400穿過第一基板210照射於圖案化黏著層220。第一雷射400包括數個照射面積A2在圖案化黏著層220上，其中照射面積A2彼此錯開而互相不重疊。在一些實施例中，第一雷射400的單個照射面積A2小於單個接觸件250的面積A1。
第一雷射400的波長足以對圖案化黏著層220的材料進行圖案化。在一些實施例中，第一雷射400的波長可在約250奈米至約400奈米的範圍之內。在一些實施例中，第一雷射400的波長可在約300奈米至約350奈米的範圍之內。
原先發光元件230藉由圖案化黏著層220而黏接於第一基板210上，由於至少一部分的圖案化黏著層220經第一雷射400照射後而移除，進一步地減弱圖案化黏著層220對第一基板210的黏著力，如此一來，可能導致圖案化黏著層220無法保持黏接於第一基板210上。因此，圖案化黏著層220自第一基板210脫離。詳細而言，發光元件230連同圖案化黏著層220一起自第一基板210脫附並轉移至第二基板410和第二黏著層420上，其中圖案化黏著層220保持物理接觸發光元件230。
除了產生前述的脫附作用之外，同一時間，至少一部分的圖案化黏著層220經由第一雷射400照射後而移除，亦為第一雷射400對圖案化黏著層220進行圖案化而使圖案化黏著層220形成膠體擋牆500。
圖案化黏著層220所移除的部分形成了開口O1，其中開口O1具有面積A3。在一些實施例中，開口O1的面積A3相近於第一雷射400的照射面積A2。在一些實施例中，開口O1的面積A3可小於第一雷射400的照射面積A2。再者，開口O1暴露出第一接觸件250A和第二接觸件250B。在第5A圖與第5B圖所示之實施例中，開口O1位於第一接觸件250A和第二接觸件250B的範圍之內。
除了開口O1之外，膠體擋牆500實質上等同於第2A圖和第2B圖的圖案化黏著層220。膠體擋牆500設置於發光元件230的第一表面S1上。膠體擋牆500包括第一部分502和第二部分504。膠體擋牆500的第一部分502設置在發光元件230的接觸件250之間，例如膠體擋牆500的第一部分502物理接觸第一接觸件250A和第二接觸件250B，如第5A圖所示。在一些實施例中，膠體擋牆500的第一部分502可填滿第一接觸件250A的內側壁W1和第二接觸件250B的內側壁W1之間的橫向空間。膠體擋牆500的第二部分504設置在發光元件230的接觸件250的外側壁W2。
在一些實施例中，膠體擋牆500物理接觸發光元件230的第一表面S1和設置於第一表面S1上的接觸件250。詳細而言，膠體擋牆500物理接觸並部分覆蓋接觸件250的第二表面S2、內側壁W1和外側壁W2。換言之，膠體擋牆500的第三表面S3與發光元件230的第一表面S1的距離L2大於接觸件250的第二表面S2與發光元件230的第一表面S1的距離L1。在一些實施例中，膠體擋牆500的第二部分504可物理接觸並覆蓋發光元件230的側壁，例如側壁W3。
在一些實施例中，第二基板410可為玻璃基板、矽基板、或者是其他類型的基板。第二黏著層420可包括苯並環丁烯(Benzocyclobutene, BCB)、環氧樹脂、矽膠樹脂、聚醯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、或其他合適的黏著材料。在一些實施例中，第二黏著層420包括的材料異於圖案化黏著層220包括的材料。
請參照第1圖、第6圖和第7圖。第6圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖，而第7圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。其中第6圖和第7圖的結構為第5A圖的上下翻轉之後的結果。
在步驟106中，使用第二雷射600將發光元件230附接於陣列基板610，並且移除第二基板410和第二黏著層420，從而形成顯示裝置700。
在第6圖中，將第5A圖的結構上下翻轉後，將發光元件230以膠體擋牆500的第三表面S3一側設置於陣列基板610上。陣列基板610包括數個接墊620，接墊620設置於陣列基板610的第四表面S4上。陣列基板610的接墊620具有第一接墊620A和第二接墊620B，分別對應於發光元件230的第一接觸件250A和第二接觸件250B。
當發光元件230設置於陣列基板610上時，膠體擋牆500的第三表面S3接觸到陣列基板610的接墊620中的至少一個。如第6圖所示之實施例，膠體擋牆500的一部分介於發光元件230的第一接觸件250A與陣列基板610的第一接墊620A之間，或是膠體擋牆500的一部分介於發光元件230的第二接觸件250B與陣列基板610的第二接墊620B之間。
在一些實施例中，膠體擋牆500的第三表面S3與陣列基板610的第四表面S4彼此未接觸。詳細而言，膠體擋牆500的第一部分502之第三表面S3與陣列基板610的第四表面S4之間具有距離L3。
第5A圖中的開口O1仍保留於第6圖中，並且因發光元件230設置於陣列基板610的接墊620上而轉變成一封閉空間O1’。
第二雷射600可穿過第二基板410、第二黏著層420和部分發光元件230。在一些實施例中，接觸件250中的第一接墊254A和第二接墊254B可吸收第二雷射600的能量而提高溫度，使得第一接墊254A和第二接墊254B的一部分形成熔融態材料(未繪出)。由於膠體擋牆500的設置，可使具有流動性的熔融態材料侷限於封閉空間O1’中。
在第7圖所示之實施例中，吸收第二雷射600而使第一接墊254A和第二接墊254B的一部分形成熔融態材料(未繪出)，接下來熔融態材料降溫後固化並分別與陣列基板610的第一接墊620A和第二接墊620B反應而形成介面金屬共化物(intermetallic compound, IMC)710。在一些實施例中，發光元件230透過介面金屬共化物710附接至陣列基板610上。在一些實施例中，介面金屬共化物710可電性連接發光元件230至陣列基板610的接墊620。在一些實施例，介面金屬共化物710填充於封閉空間O1’。膠體擋牆500可使介面金屬共化物710形成在適當的位置並產生合乎預期的電性連接。舉例來說，第一介面金屬共化物710A僅電性連接發光元件230的第一接墊254A至陣列基板610的第一接墊620A。同樣地，第二介面金屬共化物710B僅電性連接發光元件230的第二接墊254B至陣列基板610的第二接墊620B。
介面金屬共化物710可包括發光元件230的第一接墊254A或第二接墊254B的材料，以及陣列基板610的第一接墊620A或第二接墊620B的材料。陣列基板610上的接墊620可包括金屬材料，例如是金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、或其他合適的金屬材料。
在第7圖中，移除第二基板410和第二黏著層420。可透過雷射剝離製程、光化學反應法或光物理反應法來移除第二基板410和第二黏著層420。在一些實施例中，第二黏著層420的材料可對第二雷射600(第6圖)反應而使第二黏著層420對發光元件230的黏附力降低，從而移除第二基板410和第二黏著層420。
在一些實施例中，第二雷射600的波長大於第一雷射400的波長。在一些實施例中，第二雷射600的波長約1000奈米和約2000奈米之間。在一些實施例中，第二雷射600的波長約1000奈米和約1500奈米之間。
請參照第8圖，第8圖為第7圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。第8圖是採用第3A圖和第3B圖中具有圖案化黏著層320的轉移裝置200作為例示性說明。意即第8圖使用圖案化黏著層320進行步驟104和步驟106以形成顯示裝置800，其中圖案化黏著層320形成膠體擋牆810。
第8圖的顯示裝置800實質上等同於第7圖的顯示裝置700，上述兩者的差異僅在於第8圖的膠體擋牆810之覆蓋範圍不同於第7圖的膠體擋牆500之覆蓋範圍。
膠體擋牆810包括第一部分812和第二部分814，其中第一部分812設置在發光元件230的接觸件250之間，例如膠體擋牆810的第一部分812物理接觸第一接觸件250A和第二接觸件250B，如第8圖所示。在一些實施例中，膠體擋牆810的第一部分812可填滿第一接觸件第一接觸件250A的內側壁W1和第二接觸件250B的內側壁W1之間的橫向空間。膠體擋牆810的第二部分814設置在發光元件230的接觸件250的外側壁W2。相較於第7圖的膠體擋牆500的第二部分504延伸至發光元件230的側壁W4，第8圖的膠體擋牆810的第二部分814延伸範圍僅介於接觸件250的外側壁W2和發光元件230的側壁W4之間。
在另一些實施例中，步驟104的第一雷射400(第4圖)可以採取不同的照射方式，例如不同照射位置或照射面積等，而形成不同顯示裝置，下文中將進行說明。
請參照第9圖、第10A圖和第10B圖。第9圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、第10A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、以及第10B圖為第10A圖的發光元件230之俯視圖，並以斷線繪示出第一接觸件250A和第二接觸件250B所處的例示性位置。此外，第9圖、第10A圖和第10B圖是採用第2A圖和第2B圖中具有圖案化黏著層220的轉移裝置200作為例示性說明。
相似於第4圖，第一雷射400穿過第一基板210照射於圖案化黏著層220。第一雷射400包括數個照射面積A2在圖案化黏著層220上，其中照射面積A2錯開而互相不重疊。在一些實施例中，第一雷射400的單個照射面積A2小於單個接觸件250的面積A1。應留意的是，第9圖的照射位置較第4圖的照射位置偏移，使得產生的開口O2位置不同於開口O1的位置。
除了產生前述的脫附作用之外，同一時間，至少一部分的圖案化黏著層220經由第一雷射400照射而移除，藉此，第一雷射400對圖案化黏著層220進行圖案化而使圖案化黏著層220形成膠體擋牆1000。
圖案化黏著層220因第一雷射400而移除的部分形成了開口O2，其中開口O2具有面積A3。在一些實施例中，開口O2的面積A3相近於第一雷射400的照射面積A2。在一些實施例中，開口O2的面積A3可小於第一雷射400的照射面積A2。再者，開口O2暴露出部分的第一接觸件250A和部分的第二接觸件250B。在第10A圖與第10B圖所示之實施例中，開口O2的一部分位於接觸件250的範圍之內，另一部分位於膠體擋牆1000的第一部分1002上。
除了開口O2的位置之外，膠體擋牆1000實質上等同於第5A圖和第5B圖的膠體擋牆500。膠體擋牆1000設置於發光元件230的第一表面S1上。膠體擋牆1000包括第一部分1002和第二部分1004。膠體擋牆1000的第一部分1002設置在發光元件230的接觸件250之間，例如膠體擋牆1000的第一部分1002物理接觸第一接觸件250A和第二接觸件250B，如第10A圖所示。在一些實施例中，膠體擋牆1000的第一部分1002可填滿第一接觸件第一接觸件250A的內側壁W1和第二接觸件250B的內側壁W1之間的橫向空間。膠體擋牆1000的第二部分1004設置在發光元件230的接觸件250的外側壁W2。
在一些實施例中，膠體擋牆1000物理接觸發光元件230的第一表面S1和設置於第一表面S1上的接觸件250。詳細而言，膠體擋牆1000物理接觸並覆蓋接觸件250的第二表面S2、內側壁W1和外側壁W2。換言之，膠體擋牆1000的第一部分1002具有第五表面S5，第五表面S5與發光元件230的第一表面S1之距離L4大於接觸件250的第二表面S2與發光元件230的第一表面S1之距離L1。在一些實施例中，膠體擋牆1000的第二部分1004可物理接觸並覆蓋發光元件230的側壁，例如側壁W3。
請參照第11圖，第11圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。對第10A圖裝置執行前述步驟106，因此在此不再詳述步驟106。執行步驟106之後，形成如第11圖所示顯示裝置1100，以及形成介面金屬共化物1110在封閉空間(未圖示)中，其中封閉空間為第10A圖和第10B圖中的開口O2因發光元件230設置於陣列基板610的接墊620上而轉變成一封閉空間。
第11圖的顯示裝置1100大致上相似於第7圖的顯示裝置700，雖然介面金屬共化物1110所在位置較介面金屬共化物710偏移，但是膠體擋牆1000第五表面S5仍物理接觸接墊620，因此介面金屬共化物1110受到膠體擋牆1000的阻隔保持形成在發光元件230的接觸件250與陣列基板610的接墊620之間。
同樣地，發光元件230透過介面金屬共化物1110附接至陣列基板610上。在一些實施例中，介面金屬共化物1110可電性連接發光元件230至陣列基板610的接墊620。在一些實施例，介面金屬共化物1110填充於封閉空間 (未圖示)。膠體擋牆1000可使介面金屬共化物1110限制在適當的位置，以讓介面金屬共化物1110產生合乎預期的電性連接。舉例來說，第一介面金屬共化物1110A僅電性連接發光元件230的第一接墊254A至陣列基板610的第一接墊620A。同樣地，第二介面金屬共化物1110B僅電性連接發光元件230的第二接墊254B至陣列基板610的第二接墊620B。
在一些實施例中，陣列基板610包括薄膜電晶體(thin film transistor, TFT)基板。
請參照第12圖，第12圖為第11圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。第12圖是採用第3A圖和第3B圖中具有圖案化黏著層320的轉移裝置200作為例示性說明。意即第12圖使用圖案化黏著層320進行步驟104和步驟106以形成顯示裝置1200，其中圖案化黏著層320形成膠體擋牆1210。
第12圖的顯示裝置1200實質上等同於第11圖的顯示裝置1100，上述兩者的差異僅在於第12圖的膠體擋牆1210之覆蓋範圍不同於第11圖的膠體擋牆1000之覆蓋範圍。
膠體擋牆1210包括第一部分1212和第二部分1214，其中第一部分1212設置在發光元件230的接觸件250之間，例如膠體擋牆1210的第一部分1212物理接觸第一接觸件250A和第二接觸件250B，如第12圖所示。在一些實施例中，膠體擋牆1210的第一部分1212可填滿第一接觸件第一接觸件250A的內側壁W1和第二接觸件250B的內側壁W1之間的橫向空間。膠體擋牆1210的第二部分1214設置在發光元件230的接觸件250的外側壁W2。相較於第11圖的膠體擋牆1000的第二部分1004延伸至發光元件230的側壁W4，第12圖的膠體擋牆1210的第二部分1214延伸範圍僅介於接觸件250的外側壁W2和發光元件230的側壁W4之間。
在如第13圖之實施例中，步驟104的第一雷射400(第4圖)可以採取另一種照射方式，例如不同照射位置或照射面積等，而形成不同的顯示裝置，下文中將進行說明。
請參照第13圖、第14A圖和第14B圖。第13圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、第14A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、以及第14B圖為第14A圖的發光元件230之俯視圖，並以斷線繪示出第一接觸件250A和第二接觸件250B所處的例示性位置。此外，第13圖、第14A圖和第14B圖是採用第2A圖和第2B圖中具有圖案化黏著層220的轉移裝置200作為例示性說明。
相似於第4圖，第一雷射400穿過第一基板210照射於圖案化黏著層220。第一雷射400包括數個照射面積A4在圖案化黏著層220上，其中照射面積A4的至少一部分相互重疊。應留意的是，第13圖的照射範圍較第4圖大，第13圖的照射範圍包括接觸件250以及接觸件250之間的圖案化黏著層220。
除了產生前述的脫附作用之外，同一時間，至少一部分的圖案化黏著層220經由第一雷射400照射而移除，藉此，第一雷射400對圖案化黏著層220進行圖案化而使圖案化黏著層220形成膠體擋牆1400。除此之外，藉由調整第一雷射400的操作參數，例如雷射束之間的波相，以移除部分的膠體擋牆1400的第一部分1402。此外，膠體擋牆1400更包括子部1406，設置在接觸件250的內側壁W1與第二表面S2上。子部1406包括第一子部1406A和第二子部1406B分別凸出於第一部分1402。如第14A圖所示之實施例中，膠體擋牆1400的第一部分1402和子部1406共同呈現出凹陷狀。
圖案化黏著層220因第一雷射400而移除的部分形成了開口O3，其中開口O3具有面積A5。在一些實施例中，開口O3的面積A5小於第一雷射400的照射面積A4。再者，開口O3暴露出部分的第一接觸件250A和部分的第二接觸件250B。在第14A圖與第14B圖所示之實施例中，開口O3的位於接觸件250的範圍之內。
膠體擋牆1400設置於發光元件230的第一表面S1上。膠體擋牆1400的第一部分1402設置在發光元件230的接觸件250之間，例如膠體擋牆1400的第一部分1402物理接觸第一接觸件250A和第二接觸件250B，如第14A圖所示。在一些實施例中，膠體擋牆1400的第一部分1402可連接第一接觸件250A的內側壁W1和第二接觸件250B的內側壁W1之間的橫向空間。在一些實施例中，膠體擋牆1400的第一子部1406A鄰接於第一接觸件250A而第二子部1406B鄰接於第二接觸件250B。膠體擋牆1400的第二部分1404設置在發光元件230的接觸件250的外側壁W2。
在一些實施例中，膠體擋牆1400物理接觸發光元件230的第一表面S1和設置於第一表面S1上的接觸件250。詳細而言，膠體擋牆1400物理接觸並覆蓋接觸件250的第二表面S2之一部分、內側壁W1和外側壁W2。換言之，膠體擋牆1400的子部1406具有第六表面S6，第六表面S6與發光元件230的第一表面S1之距離L5大於接觸件250的第二表面S2與發光元件230的第一表面S1之距離L1。在一些實施例中，膠體擋牆1400的第二部分1404可物理接觸並覆蓋發光元件230的側壁，例如側壁W3。
除了開口O3以及膠體擋牆1400的第一部分1402和子部1406呈現凹陷狀之外，膠體擋牆1400大致上相似於第5A圖和第5B圖的膠體擋牆500。
請參照第15圖，第15圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。對第14A圖裝置執行前述步驟106，因此在此不再詳述步驟106。執行步驟106之後，形成如第15圖所示顯示裝置1500，以及形成介面金屬共化物1510在封閉空間(未圖示)中，其中封閉空間為第14A圖和第14B圖中的開口O3因發光元件230設置於陣列基板610的接墊620上而轉變成一封閉空間。
第15圖的顯示裝置1500大致上相似於第7圖的顯示裝置700。雖然膠體擋牆1400的第一部分1402和子部1406呈現凹陷狀，但是膠體擋牆1400的子部1406的第六表面S6仍可物理接觸接墊620，因此介面金屬共化物1510受到膠體擋牆1400的阻隔保持形成在發光元件230的接觸件250與陣列基板610的接墊620之間。
同樣地，發光元件230透過介面金屬共化物1510附接至陣列基板610上。在一些實施例中，介面金屬共化物1510可電性連接發光元件230至陣列基板610的接墊620。在一些實施例，介面金屬共化物1510填充於封閉空間 (未圖示)。膠體擋牆1400可使介面金屬共化物1510限制在適當的位置，以讓介面金屬共化物1510產生合乎預期的電性連接。舉例來說，第一介面金屬共化物1510A僅電性連接發光元件230的第一接墊254A至陣列基板610的第一接墊620A。同樣地，第二介面金屬共化物1510B僅電性連接發光元件230的第二接墊254B至陣列基板610的第二接墊620B。
請參照第16圖，第16圖為第15圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。第16圖是採用第3A圖和第3B圖中具有圖案化黏著層320的轉移裝置200作為例示性說明。意即第16圖使用圖案化黏著層320進行步驟104和步驟106以形成顯示裝置1600，其中圖案化黏著層320形成膠體擋牆1610。
第16圖的顯示裝置1600實質上等同於第15圖的顯示裝置1500，上述兩者的差異僅在於第16圖的膠體擋牆1610之覆蓋範圍不同於第15圖的膠體擋牆1400之覆蓋範圍。
膠體擋牆1610包括第一部分1612和第二部分1614，其中第一部分1612設置在發光元件230的接觸件250之間。此外，膠體擋牆1610更包括子部1616，設置在接觸件250的內側壁W1與第二表面S2上。子部1616包括第一子部1616A和第二子部1616B分別凸出於第一部分1612。
在一些實施例中，膠體擋牆1610的第一部分1612可連接第一接觸件250A的內側壁W1和第二接觸件250B的內側壁W1之間的橫向空間。在一些實施例中，膠體擋牆1610的第一子部1616A鄰接於第一接觸件250A而第二子部1616B鄰接於第二接觸件250B。膠體擋牆1610的第二部分1614設置在發光元件230的接觸件250的外側壁W2。相較於第15圖的膠體擋牆1400的第二部分1404延伸至發光元件230的側壁W4，第16圖的膠體擋牆1610的第二部分1614延伸範圍僅介於接觸件250的外側壁W2和發光元件230的側壁W4之間。
在如第17圖之實施例中，步驟104的第一雷射400(第4圖)可以採取另一種照射方式，例如不同照射位置或照射面積等，而形成不同的顯示裝置，下文中將進行說明。
請參照第17圖、第18A圖和第18B圖。第17圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、第18A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、以及第18B圖為第18A圖的發光元件230之俯視圖，並以斷線繪示出第一接觸件250A和第二接觸件250B所處的例示性位置。此外，第17圖、第18A圖和第18B圖是採用第2A圖和第2B圖中具有圖案化黏著層220的轉移裝置200作為例示性說明。
第17圖的第一雷射400操作實質上與第13圖的第一雷射400操作相同。除此之外，藉由調整第一雷射400的操作參數，例如雷射束之間的波相，更進一步移除膠體擋牆1800的第一部分1802而暴露出發光元件230的第一表面S1。膠體擋牆1800大致上相似於第14A圖和第14B圖的膠體擋牆1400。
圖案化黏著層220因第一雷射400而移除的部分形成了開口O4，其中開口O4具有面積A6。在一些實施例中，開口O4的面積A6小於第一雷射400的照射面積A4。再者，開口O4暴露出部分的第一接觸件250A和部分的第二接觸件250B。在第18A圖與第18B圖所示之實施例中，開口O4的位於接觸件250的範圍之內。
殘留的第一部分1802設置在發光元件230的接觸件250之間，例如膠體擋牆1800的第一部分1802物理接觸第一接觸件250A或第二接觸件250B。在一些實施例中，膠體擋牆1800的第一子部1806A鄰接於第一接觸件250A而第二子部1806B鄰接於第二接觸件250B。膠體擋牆1800的第二部分1804設置在發光元件230的接觸件250的外側壁W2。
在一些實施例中，膠體擋牆1800物理接觸發光元件230的第一表面S1和設置於第一表面S1上的接觸件250。詳細而言，膠體擋牆1800物理接觸並覆蓋接觸件250的第二表面S2之一部分、內側壁W1和外側壁W2。換言之，膠體擋牆1800的子部1806具有第七表面S7，第七表面S7與發光元件230的第一表面S1之距離L6大於接觸件250的第二表面S2與發光元件230的第一表面S1之距離L1。在一些實施例中，膠體擋牆1800的第二部分1804可物理接觸並覆蓋發光元件230的側壁，例如側壁W3。
請參照第19圖，第19圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。對第18A圖裝置執行前述步驟106，因此在此不再詳述步驟106。執行步驟106之後，形成如第19圖所示顯示裝置1900，以及形成介面金屬共化物1910在封閉空間 (未圖示)中，其中封閉空間為第18A圖和第18B圖中的開口O4因發光元件230設置於陣列基板610的接墊620上而轉變成一封閉空間。
第19圖的顯示裝置1900大致上相似於第15圖的顯示裝置1500。雖然膠體擋牆1800的第一部分1802經部分移除，但是膠體擋牆1800的子部1806的第七表面S7仍可物理接觸接墊620，因此介面金屬共化物1910受到膠體擋牆1800的阻隔保持形成在發光元件230的接觸件250與陣列基板610的接墊620之間。
同樣地，發光元件230透過介面金屬共化物1910附接至陣列基板610上。在一些實施例中，介面金屬共化物1910可電性連接發光元件230至陣列基板610的接墊620。在一些實施例，介面金屬共化物1910填充於封閉空間(未圖示)。膠體擋牆1800可使介面金屬共化物1910限制在適當的位置，以讓介面金屬共化物1910產生合乎預期的電性連接。舉例來說，第一介面金屬共化物1910A僅電性連接發光元件230的第一接墊254A至陣列基板610的第一接墊620A。同樣地，第二介面金屬共化物1910B僅電性連接發光元件230的第二接墊254B至陣列基板610的第二接墊620B。
請參照第20圖，第20圖為第19圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。第20圖是採用第3A圖和第3B圖中具有圖案化黏著層320的轉移裝置200作為例示性說明。意即第20圖使用圖案化黏著層320進行步驟104和步驟106以形成顯示裝置2000，其中圖案化黏著層320形成膠體擋牆2010。
第20圖的顯示裝置2000實質上等同於第19圖的顯示裝置1900，上述兩者的差異僅在於第20圖的膠體擋牆2010之覆蓋範圍不同於第19圖的膠體擋牆1800之覆蓋範圍。相較於第19圖的膠體擋牆1800的第二部分1804延伸至發光元件230的側壁W4，第20圖的膠體擋牆2010的第二部分2014延伸範圍僅介於接觸件250的外側壁W2和發光元件230的側壁W4之間。
在如第21圖之實施例中，步驟104的第一雷射400(第4圖)可以採取另一種照射方式，例如不同照射位置或照射面積等，而形成不同的顯示裝置，下文中將進行說明。
請參照第21圖、第22A圖和第22B圖。第21圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、第22A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖、以及第22B圖為第22A圖的發光元件230之俯視圖，並以斷線繪示出第一接觸件250A和第二接觸件250B所處的例示性位置。此外，第21圖、第22A圖和第22B圖是採用第2A圖和第2B圖中具有圖案化黏著層220的轉移裝置200作為例示性說明。
相似於第4圖，第一雷射400穿過第一基板210照射於圖案化黏著層220。第一雷射400包括照射面積A7在圖案化黏著層220上，其中照射面積A7涵蓋第一接觸件250A和第二接觸件250B。
除了產生前述的脫附作用之外，同一時間，至少一部分的圖案化黏著層220經由第一雷射400照射而移除，藉此，第一雷射400對圖案化黏著層220進行圖案化而使圖案化黏著層220形成膠體擋牆2200。除此之外，藉由調整第一雷射400的操作參數，例如雷射強度或是雷射照射時間，使膠體擋牆2200的第八表面S8與接觸件250的第二表面S2共平面。
膠體擋牆2200的第一部分2202設置在發光元件230的接觸件250之間。舉例來說，膠體擋牆2200的第一部分2202物理接觸第一接觸件250A和第二接觸件250B，如第22A圖所示。在一些實施例中，膠體擋牆2200的第一部分2202可連接並填滿第一接觸件250A的內側壁W1和第二接觸件250B的內側壁W1之間的橫向空間。膠體擋牆2200的第二部分2204設置在發光元件230的接觸件250的外側壁W2。
應留意的是，由於膠體擋牆2200的第八表面S8與接觸件250的第二表面S2共平面，因此，膠體擋牆2200物理接觸接觸件250內側壁W1和外側壁W2，但是膠體擋牆2200未覆蓋住接觸件250的第二表面S2。換言之，膠體擋牆2200的第八表面S8與發光元件230的第一表面S1之距離L7大致上等於接觸件250的第二表面S2與發光元件230的第一表面S1之距離L1。在一些實施例中，膠體擋牆2200的第二部分2204可物理接觸並覆蓋發光元件230的側壁，例如側壁W3。
除了共平面的特性使得接觸件250未受膠體擋牆2200覆蓋之外，膠體擋牆2200大致上相似於第5A圖和第5B圖的膠體擋牆500。
請參照第23圖，第23圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。對第22A圖裝置執行前述步驟106，因此在此 不再詳述步驟106。執行步驟106之後，形成如第23圖所示顯示裝置2300，以及形成介面金屬共化物2310在發光元件230的接觸件250與陣列基板610的接墊620之間。
第23圖的顯示裝置2300大致上相似於第7圖的顯示裝置700。膠體擋牆2200未覆蓋接觸件250的第二表面S2，因此膠體擋牆2200未介於發光元件230的接墊254和陣列基板610的接墊620之間。由於膠體擋牆2200的第八表面S8可物理接觸接墊620，所以介面金屬共化物2310受到膠體擋牆2200的阻隔保持形成在發光元件230的接觸件250與陣列基板610的接墊620之間。
在一些實施例中，因吸收雷射的能量(例如，第二雷射600的能量)而提高溫度，使得第一接墊254A和第二接墊254B的一部分形成具有流動性的熔融態材料(未繪出)。由於膠體擋牆2200的設置沒有產生的封閉空間供熔融態材料流入，因此熔融態材料原位降溫後固化並分別與陣列基板610的第一接墊620A和第二接墊620B反應而形成介面金屬共化物2310。
同樣地，發光元件230透過介面金屬共化物2310附接至陣列基板610上。在一些實施例中，介面金屬共化物2310可電性連接發光元件230至陣列基板610的接墊620。膠體擋牆2200可使介面金屬共化物2310限制在適當的位置，以讓介面金屬共化物2310產生合乎預期的 電性連接。舉例來說，第一介面金屬共化物2310A僅電性連接發光元件230的第一接墊254A至陣列基板610的第一接墊620A。同樣地，第二介面金屬共化物2310B僅電性連接發光元件230的第二接墊254B至陣列基板610的第二接墊620B。
請參照第24圖，第24圖為第23圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法100於其中一個操作階段之截面圖。第24圖是採用第3A圖和第3B圖中具有圖案化黏著層320的轉移裝置200作為例示性說明。意即第24圖使用圖案化黏著層320進行步驟104和步驟106以形成顯示裝置2400，其中圖案化黏著層320形成膠體擋牆2410。
第24圖的顯示裝置2400實質上等同於第23圖的顯示裝置2300，上述兩者的差異僅在於第24圖的膠體擋牆2410之覆蓋範圍不同於第23圖的膠體擋牆2200之覆蓋範圍。相較於第23圖的膠體擋牆2200的第二部分2204延伸至發光元件230的側壁W4，第24圖的膠體擋牆2410的第二部分2414延伸範圍僅介於接觸件250的外側壁W2和發光元件230的側壁W4之間。其餘元件和結構相同於實質上等同於第23圖的顯示裝置2300，因此不再詳述。
請參照第25圖，本揭示案進一步提供一種形成圖案化黏著層的方法2500。意即，方法2500為方法100中步驟102的前置步驟。應注意的是，除非有額外說明， 當方法2500繪示或描述成一系列的操作或事件時，這些操作或事件的描述順序不應受到限制。例如，部分操作或事件可採取與本揭示案不同的順序、部分操作或事件可同時發生、部分操作或事件可以不須採用、及/或部分操作或事件可重複進行。並且，實際的製程可能須在方法2500之前、過程中、或之後進行額外的操作步驟以完整形成圖案化黏著層。因此，本揭示案可能將簡短地說明其中一些額外的操作步驟。
請參照第25圖和第26圖。首先，在步驟2502中，形成黏著層220A在第一基板210上。黏著層220A的厚度需足以在後續製程中使黏著層220A接觸到發光元件230的第一表面S1(第27圖)。
請參照第25圖和第27圖。接著，在步驟2504中，設置發光元件230至黏著層220A上。在一些實施例中，設置發光元件230至黏著層220A上的過程中可施加外力在發光元件230上，以確保發光元件230的第一表面S1確實接觸到黏著層220A。在一些實施例中，由於黏著層220A介於發光元件230和第一基板210之間，故發光元件230未與第一基板210直接接觸。
請參照第25圖和第28圖。在步驟2504之後，進行步驟2506。換言之，在設置發光元件230至黏著層220A上之後，對黏著層220A進行圖案化。
請繼續參照第28圖，在步驟2508中，形成轉移裝置200。由於先設置發光元件230在黏著層220A，接 著再進行圖案化操作，所以圖案化操作會受限於發光元件230的遮蔽。因此，按此順序進行所形成的轉移裝置200大致上為第2A圖和第2B圖中具有圖案化黏著層220之轉移裝置200，即圖案化黏著層220可延伸至發光元件230的側壁W4。
在一些實施例中，方法2500可採用另一操作順序。請參照第25圖和第29圖。首先，在步驟2502中，形成黏著層220A在第一基板210上。黏著層220A的厚度需足以在後續製程中使黏著層220A接觸到發光元件230的第一表面S1(第31A圖和第31B圖)。
請參照第25圖和第30圖。接著，在步驟2506中，對黏著層220A進行圖案化以形成圖案化黏著層220。
請參照第25圖和第31A圖。在步驟2506之後，進行步驟2504。換言之，對黏著層220A進行圖案化之後，設置發光元件230至圖案化黏著層220。在一些實施例中，設置發光元件230至圖案化黏著層220上的過程可施加外力在發光元件230上，以確保發光元件230的第一表面S1確實接觸到圖案化黏著層220。在一些實施例中，由於圖案化黏著層220介於發光元件230和第一基板210之間，故發光元件230未與第一基板210直接接觸。
請繼續參照第31A圖，在步驟2508中，形成轉移裝置200。由於先進行圖案化操作再設置發光元件230在圖案化黏著層220，所以圖案化操作不受限於發光元件 230的遮蔽。因此，按此順序進行所形成的轉移裝置200可相似於第2A圖和第2B圖中具有圖案化黏著層220之轉移裝置200，即圖案化黏著層220可延伸至發光元件230的側壁W4。在一些實施例中，圖案化黏著層220可延伸超過發光元件230的側壁W4(未繪示)。此外，按此順序進行所形成的轉移裝置200也可為第31B圖，即相似於第3A圖和第3B圖中具有圖案化黏著層320之轉移裝置200。換言之，圖案化黏著層320延伸範圍僅介於接觸件250的外側壁W2和發光元件230的側壁W4之間。
綜合以上，本揭示案的實施例提供顯示裝置與其製造方法，藉由形成膠體擋牆在接觸件之間以避免接觸件之間產生預期外的電性接觸，從而提升製程可靠度。
以上概略說明了本揭示案數個實施例的特徵，使所屬技術領域內具有通常知識者對於本揭示案可更為容易理解。任何所屬技術領域內具有通常知識者應瞭解到本說明書可輕易作為其他結構或製程的變更或設計基礎，以進行相同於本揭示案實施例的目的及/或獲得相同的優點。任何所屬技術領域內具有通常知識者亦可理解與上述等同的結構並未脫離本揭示案之精神及保護範圍內，且可在不脫離本揭示案之精神及範圍內，可作更動、替代與修改。
100:方法
102:步驟
104:步驟
106:步驟
200:轉移裝置
210:第一基板
220:圖案化黏著層
220A:黏著層
230:發光元件
240:半導體疊層
242:未摻雜半導體層
244:N型摻雜半導體層
246:發光層
248:P型摻雜半導體層
250:接觸件
250A:第一接觸件
250B:第二接觸件
252A:第一電流分散層
254A:第一接墊
252B:第二電流分散層
254B:第二接墊
260:保護層
320:圖案化黏著層
400:第一雷射
410:第二基板
420:第二黏著層
500:膠體擋牆
502:第一部分
504:第二部分
600:第二雷射
610:陣列基板
620:接墊
620A:第一接墊
620B:第二接墊
700:顯示裝置
710:介面金屬共化物
710A:第一介面金屬共化物
710B:第二介面金屬共化物
800:顯示裝置
810:膠體擋牆
812:第一部分
814:第二部分
1000:膠體擋牆
1002:第一部分
1004:第二部分
1100:顯示裝置
1110:介面金屬共化物
1110A:第一介面金屬共化物
1110B:第二介面金屬共化物
1200:顯示裝置
1400:膠體擋牆
1402:第一部分
1404:第二部分
1406:子部
1406A:第一子部
1406B:第二子部
1500:顯示裝置
1510:介面金屬共化物
1510A:第一介面金屬共化物
1510B:第二介面金屬共化物
1600:顯示裝置
1610:膠體擋牆
1612:第一部分
1614:第二部分
1616:子部
1616A:第一子部
1616B:第二子部
1800:膠體擋牆
1802:第一部分
1804:第二部分
1806:子部
1806A:第一子部
1806B:第二子部
1900:顯示裝置
1910:介面金屬共化物
1910A:第一介面金屬共化物
1910B:第二介面金屬共化物
2000:顯示裝置
2010:膠體擋牆
2012:第一部分
2014:第二部分
2016:子部
2016A:第一子部
2016B:第二子部
2200:膠體擋牆
2202:第一部分
2204:第二部分
2300:顯示裝置
2310:介面金屬共化物
2310A:第一介面金屬共化物
2310B:第二介面金屬共化物
2400:顯示裝置
2410:膠體擋牆
2412:第一部分
2414:第二部分
2500:方法
2502:步驟
2504:步驟
2506:步驟
2508:步驟
A1:面積
A2:面積
A3:面積
A4:面積
A5:面積
A6:面積
A7:面積
L1:距離
L2:距離
L3:距離
L4:距離
L5:距離
L6:距離
L7:距離
O1:開口
O1’:空間
O2:開口
O3:開口
O4:開口
W1:側壁
W2:側壁
W3:側壁
W4:側壁
S1:第一表面
S2:第二表面
S3:第三表面
S4:第四表面
S5:第五表面
S6:第六表面
S7:第七表面
S8:第八表面
閱讀以下實施方法時搭配附圖以清楚理解本揭示案的觀點。應注意的是，根據業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製。事實上，為了能清楚地討論，各種特徵的尺寸可能任意地放大或縮小。再者，相同的附圖標記表示相同的元件。 第1圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法之流程圖。 第2A圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第2B圖為依據本揭示案一些實施例繪示第2A圖的發光元件之俯視圖。 第3A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第3B圖為第3A圖的發光元件之俯視圖。 第4圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第5A圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第5B圖為第5A圖的發光元件之俯視圖。 第6圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第7圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第8圖為第7圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第9圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第10A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第10B圖為第10A圖的發光元件之俯視圖。 第11圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第12圖為第11圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第13圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第14A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第14B圖為第14A圖的發光元件之俯視圖。 第15圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第16圖為第15圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第17圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第18A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第18B圖為第18A圖的發光元件之俯視圖。 第19圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第20圖為第19圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第21圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第22A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第22B圖為第22A圖的發光元件之俯視圖。 第23圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第24圖為第23圖的另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法於其中一個操作階段之截面圖。 第25圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法中的轉移裝置之方法流程圖。 第26圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法中的轉移裝置的一製程階段之截面圖。 第27圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法中的轉移裝置的一製程階段之截面圖。 第28圖為依據本揭示案一些實施例繪示製造顯示裝置的方法中的轉移裝置的一製程階段之截面圖。 第29圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法中的轉移裝置的一製程階段之截面圖。 第30圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法中的轉移裝置的一製程階段之截面圖。 第31A圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法中的轉移裝置的一製程階段之截面圖。 第31B圖為依據本揭示案另一些實施例繪示製造顯示裝置的方法中的轉移裝置的一製程階段之截面圖。
100:方法 102:步驟 104:步驟 106:步驟

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包括：一發光元件，包括一第一接觸件與一第二接觸件，設置於該發光元件的一第一表面；一膠體擋牆，設置於該發光元件的該第一表面，且具有一第一部分介於該第一接觸件與該第二接觸件之間；以及一陣列基板，包括一第一接墊和一第二接墊設置於該陣列基板的一第二表面，其中該發光元件的該第一接觸件與該第二接觸件分別連接於該第一接墊和該第二接墊上，其中該第一接墊具有面向該第二接墊的一第一接墊內表面，該第二接墊具有面向該第一接墊的一第二接墊內表面，該膠體擋牆的至少一部份未物理接觸該陣列基板、該第一接墊內表面和該第二接墊內表面。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆物理接觸該第一接墊和該第二接墊中的至少一者。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆的一部分介於該第一接觸件與該第一接墊之間或介於該第二接觸件與該第二接墊之間。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆的該第一部分物理接觸該第一接觸件和該第二接觸件。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆的該第一部分接觸該第一接觸件的內側壁和該第二接觸件的內側壁。
  6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆的該第一部分填滿該第一接觸件的內側壁和該第二接觸件的內側壁之間的一橫向空間。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆的該第一部分與該陣列基板有一間距。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆的材料包括聚醯亞胺或聚甲基丙烯酸甲酯。
  9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆包含一第二部分，設置於該第一接觸件的外側壁或該第二接觸件的外側壁。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆包含一第二部分，設置於該發光元件的側壁上。
  11. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該膠體擋牆更包含一第一子部以及一第二子部分別凸出於該第一部分，其中該第一子部鄰接於該第一接觸件，且該第二子部 鄰接於該第二接觸件。
  12. 一種製造顯示裝置的方法，包括：提供一轉移裝置，其中該轉移裝置包括：一第一基板；一圖案化黏著層，設置於該第一基板上；以及一發光元件，設置於該圖案化黏著層上，該發光元件藉由該圖案化黏著層而黏接於該第一基板上；使用一第一雷射將該發光元件自該第一基板脫附並轉移至一第二基板，同時該第一雷射對該圖案化黏著層進行圖案化，以使該圖案化黏著層形成一膠體擋牆在該發光元件的一第一接觸件和一第二接觸件之間；以及使用一第二雷射將該發光元件附接至一陣列基板上。
  13. 如請求項12所述之製造顯示裝置的方法，其中該轉移裝置的該圖案化黏著層物理接觸該發光元件的一第一表面、一第一接觸件和一第二接觸件，其中該第一接觸件和該第二接觸件設置於該第一表面上。
  14. 如請求項12所述之製造顯示裝置的方法，其中該發光元件與物理接觸該發光元件的該圖案化黏著層一起自該第一基板脫附並轉移至該第二基板上。
  15. 如請求項12所述之製造顯示裝置的方法， 其中該膠體擋牆部分覆蓋該發光元件的該第一接觸件或該第二接觸件。
  16. 如請求項12所述之製造顯示裝置的方法，其中該第一雷射包括多個照射面積在該圖案化黏著層上，該些照射面積彼此錯開。
  17. 如請求項12所述之製造顯示裝置的方法，其中該第一雷射包括多個照射面積在該圖案化黏著層上，該些照射面積的至少一部分重疊。
  18. 如請求項12所述之製造顯示裝置的方法，其中該第一雷射包括一照射面積在該圖案化黏著層上，該照射面積涵蓋該第一接觸件和該第二接觸件。
  19. 如請求項12所述之製造顯示裝置的方法，其中該圖案化黏著層的形成包括：形成一黏著層在該第一基板上；以及設置該發光元件至該黏著層上之後，對該黏著層進行圖案化以形成該圖案化黏著層。
  20. 如請求項12所述之製造顯示裝置的方法，其中該圖案化黏著層的形成包括：形成一黏著層在該第一基板上；以及 對該黏著層進行圖案化以形成該圖案化黏著層之後，設置該發光元件至該黏著層上。
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