TW202025240A - 微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件 - Google Patents
微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202025240A TW202025240A TW107146260A TW107146260A TW202025240A TW 202025240 A TW202025240 A TW 202025240A TW 107146260 A TW107146260 A TW 107146260A TW 107146260 A TW107146260 A TW 107146260A TW 202025240 A TW202025240 A TW 202025240A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- doped layer
- layer
- micro
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種微型發光二極體巨量轉移的方法,包含微型發光二極體製作步驟、連接步驟、移除步驟、螢光粉層形成步驟、及濾光片形成步驟。微型發光二極體製作步驟是形成微型發光二極體於晶圓基板上,各微型發光二極體包含第一電極及第二電極。連接步驟是將包晶圓基板與電路載板連接。電路載板上包含第一電性連接部及第二電性連接部,第一電性連接部分別與微型發光二極體之第一電極連接,第二電性連接部分別與微型發光二極體之第二電極連接。接著,移除晶圓基板、在微型發光二極體的出光面形成螢光粉層、以及貼附複數個濾光片於螢光粉層上。
Description
本申請案涉及顯示領域,特別是一種微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件。
數位顯示螢幕已滲透到生活中的各種領域,現行以液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)最為普及,但使用者的需求上,更期望能夠達到更高亮度、更高彩度的效能。以現行來看,雖然有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)能夠具有高亮度、高彩度等優點,但是OLED有其壽命上的限制。例如,現有應用OLED的顯示器、手機或手錶,都因為OLED本身有機材料的特性,在使用一段時間(例如2000小時後),會產生「烙印」的現象,而縮減了產品的使用年限。
LED同樣可達到高亮度、高彩度的效果,但是首先要滿足發光源的尺寸、以及色塊排列的問題,現行技術上,是將R、G、B的發光二極體都分開製作,再透過轉移,例如,以沾黏等方式裝設到電路板上。但是為了提升解析度,必須伴隨著隨著LED尺寸縮小。在現行的LED轉移的方式,最大的缺點在於排列的精度無法提升。另外,隨著LED尺寸縮小,將LED晶粒從晶圓切割時,亦可能可能會因為切割或是轉移上的問題,而造成LED晶粒的損傷、或是電性特性不佳等問題,而影響了後續產品的良率。
在此,提供一種微型發光二極體巨量轉移的方法。微型發光二極體巨量轉移的方法,包含微型發光二極體製作步驟、連接步驟、移除步驟、螢光粉層形成步驟、以及濾光片形成步驟。微型發光二極體製作步驟是形成複數個微型發光二極體於晶圓基板上,各微型發光二極體包含第一電極及第二電極。連接步驟是將包含微型發光二極體的晶圓基板與電路載板連接。電路載板上包含複數個第一電性連接部及複數個第二電性連接部,第一電性連接部分別與微型發光二極體之第一電極連接,第二電性連接部分別與微型發光二極體之第二電極連接。移除步驟是移除晶圓基板。螢光粉層形成步驟是在微型發光二極體的表面形成螢光粉層。濾光片形成步驟是貼附複數個濾光片於螢光粉層上,各濾光片對應於各微型發光二極體的出光面。
在一些實施例中,微型發光二極體製作步驟包含摻雜半導體層形成步驟、圖案化步驟、絕緣層形成步驟、及電極形成步驟。摻雜半導體層形成步驟是在晶圓基板上依序形成第一型摻雜半導體材料層及第二型摻雜半導體材料層。圖案化步驟是將第一型摻雜半導體材料層及第二型摻雜半導體材料層圖案化形成複數個半導體圖案,各半導體圖案中具有第一摻雜層及第二摻雜層,第二摻雜層的長度小於第一摻雜層的長度。絕緣層形成步驟是形成絕緣層於第一摻雜層及第二摻雜層之上。絕緣層包含第一穿孔及第二穿孔,第一穿孔及第二穿孔分別曝露出第一摻雜層及第二摻雜層的一部分。電極形成步驟是形成第一電極及第二電極於絕緣層上。第一電極的一部分填入第一穿孔中並與第一摻雜層連接,第二電極的一部分填入第二穿孔中並與第二摻雜層連接,第一電極及第二電極藉由絕緣層彼此分隔。
進一步地,在一些實施例中,第一電極更遮蔽第一摻雜層的第一側表面。第二電極更遮蔽第一摻雜層及第二摻雜層的第二側表面,第二側表面相對於第一側表面。
進一步地,在一些實施例中,出光面為第一摻雜層設置於晶圓基板的表面,各微型發光二極體的出光面實質上位於同一平面。
在一些實施例中,電路載板為特用晶片。
在一些實施例中,微型發光二極體巨量轉移的方法更包含晶片連接步驟,晶片連接步驟係將電路載板的接線區與特用晶片連接。
在此,還提供一種發光面板組件。發光面板組件包含電路載板、複數個微型發光二極體、螢光粉層、以及複數個濾光片。電路載板包含複數個第一電性連接部及複數個第二電性連接部。各微型發光二極體包含第一摻雜層、第二摻雜層、第一電極及第二電極。第一摻雜層與第二摻雜層相互堆疊,第一摻雜層的第一表面為出光面,且第一摻雜層的長度大於第二摻雜層的長度。第一電極與第二電極彼此分隔,各第一電極與第一摻雜層的連接面以及第一電性連接部之一連接,各第二電極與第二摻雜層及第二電性連接部之一連接,連接面相對於出光面,且微型發光二極體的出光面實質上位於同一平面。螢光粉層位於微型發光二極體之出光面之上。複數個濾光片設置於螢光粉層上,各濾光片對應於各微型發光二極體的出光面。
在一些實施例中,第一電極與第二電極之間以絕緣層相互隔絕。進一步地,在一些實施例中,第一電極更遮蔽第一摻雜層的第一側表面。第二電極更遮蔽第一摻雜層及第二摻雜層的第二側表面,第一側表面相對於第一側表面。
在一些實施例中,電路載板為特用晶片。
在一些實施例中,發光面板組件更包含特用晶片,特用晶片連接電路載板的接線區。
在一些實施例中,各濾光片的長度大於對應之出光面的長度。
在此,微型發光二極體巨量轉移的方法是藉由直接將晶圓基板上的微型發光二極體,直接對應地連接電路載板的電性連接部,來完成電性連接,再將晶圓基板移除。從而,轉移精度及產品良率能大幅提升、進一步還可以達到製程快速的優點。
圖1為微型發光二極體巨量轉移的方法的流程圖。圖2至圖10為微型發光二極體巨量轉移的方法的剖面示意圖。如圖1所示,微型發光二極體巨量轉移的方法S1包含微型發光二極體製作步驟S10、連接步驟S20、移除步驟S30、螢光粉層形成步驟S40、以及濾光片形成步驟S50。
在一些實施例中,微型發光二極體製作步驟S10包含摻雜半導體層形成步驟S11、圖案化步驟S13、絕緣層形成步驟S15、及電極形成步驟S17。如圖2所示,摻雜半導體層形成步驟S11是在晶圓基板500上依序形成第一型摻雜半導體材料層100及第二型摻雜半導體材料層200。例如,晶圓基板500為藍寶石晶圓基板、第一型摻雜半導體材料層100為n型摻雜半導體、第二型摻雜半導體材料層200為p型半導體層。然而,以上僅為示例,而非限於此。
如圖3所示,圖案化步驟S13是將第一型摻雜半導體材料層100及第二型摻雜半導體材料層200圖案化形成複數個半導體圖案2,各半導體圖案2中具有第一摻雜層10及第二摻雜層20,第二摻雜層20的長度小於第一摻雜層10的長度。也就是,可以透過微影、蝕刻等方式,將第一型摻雜半導體材料層100圖案化為複數個第一摻雜層10、將第二型摻雜半導體材料層200圖案化為複數個第二摻雜層20。在此,各半導體圖案2的第一摻雜層10及第二摻雜層20的連接面17,形成一p-n接面(p-n junction)。
如圖4所示,絕緣層形成步驟S15是形成絕緣層30於第一摻雜層10及第二摻雜層20之上。絕緣層30包含第一穿孔V1及第二穿孔V2,第一穿孔V1及第二穿孔V2分別曝露出第一摻雜層10及第二摻雜層20的一部分。在此,可以利用滾塗的方式形成絕緣材料層,再以微影技術、或是電漿蝕刻的方式開設出第一穿孔V1及第二穿孔V2,而完成絕緣層30的製作。
如圖5所示,電極形成步驟S17是形成第一電極41及第二電極43於絕緣層30上。第一電極41的一部分填入第一穿孔V1中並與第一摻雜層10連接,第二電極43的一部分填入第二穿孔V2中並與第二摻雜層20連接,第一電極41及第二電極43藉由絕緣層30彼此分隔,如此,形成複數個微型發光二極體(micro light-emitting diode,Micro LED)3於晶圓基板500上。然而,以上步驟僅為示例,而不限於此,微型發光二極體製作步驟S10適用於在晶圓製程中製作微型發光二極體3於晶圓基板500的方法。
如圖6及圖7所示,連接步驟S20是將包含微型發光二極體3的晶圓基板500與電路載板150連接。電路載板150上包含複數個第一電性連接部151及複數個第二電性連接部153,第一電性連接部151分別與微型發光二極體3之第一電極41連接,第二電性連接部153分別與微型發光二極體3之第二電極43連接。在此,第一電性連接部151及第二電性連接部153可以為錫球、或是導電柱(bump),第一電性連接部151及第二電性連接部153可具有不同的高度,以利於第一電極41及第二電極43連接。但這僅為示例,而非用以限制。
如圖8所示,移除步驟S30是移除晶圓基板500。使得第一摻雜層10與晶圓基板500交接表面,可以做為微型發光二極體3的出光面11。在此,出光面11與連接面17位於第一摻雜層10相對的兩面,此外,由於第一摻雜層10是形成在平坦的晶圓基板500上,經移除晶圓基板500後,各微型發光二極體3的出光面11實質上位於同一平面,在此,「實質上」是表示巨觀上位於同一平面,但微觀上容許有製程上的公差存在。
如圖9所示,螢光粉層形成步驟S40是在微型發光二極體3的表面形成螢光粉層60。在此,微型發光二極體3可以為白光二極體,也可是藍光二極體,透過螢光粉層60中的複數個螢光粉65,可以使得由出光面11射出的光線,進一步激發螢光粉65,而使得色域更擴大。在此,螢光粉65也可以是量子點。在此僅為示例,而非限於此。
如圖10所示,濾光片形成步驟S50是貼附複數個濾光片70R、70G、70B於螢光粉層60上,各濾光片70R、70G、70B對應於各微型發光二極體3的出光面11。70R、70G、70B是表示紅、綠、藍三原光的濾光片,如此,可以形成畫素的排列。在此,濾光片70R、70G、70B的排列順序僅為示例,而非限於此,依據畫素排列的設計而定。貼附的方式可以利用現有各種方式來將濾光片70R、70G、70B貼附到特定位置。在此,若是微型發光二極體3為白光二極體,特定的位置也可以不貼附濾光片,以提高像素亮度。如此,完成發光面板組件1。此外,濾光片70R、70G、70B的長度大於對應之出光面11的長度,如此,以避免漏光。
在此,電路載板150可以為特用晶片(Application specific integrated circuit,ASIC)。另外,如圖10所示,微型發光二極體3的第一電極41更遮蔽第一摻雜層10的第一側表面131;第二電極43更遮蔽第一摻雜層10及第二摻雜層20的第二側表面133、233,第二側表面133、233相對於第一側表面131。由於第一電極41、第二電極43為金屬材料,可以達到遮光及反射的功效,能將由第一側表面131或第二側表面133、233發出的光線反射,而朝向出光面11發出。
圖11為發光面板組件另一實施例的剖面示意圖。同時參見圖1及圖11,微型發光二極體巨量轉移的方法S1更包含晶片連接步驟S60,晶片連接步驟S60係將電路載板150的接線區155與特用晶片170連接。如此,特用晶片170的尺寸可以做得更小。在此,接線區155與特用晶片170的位置僅為示例,而非限於此。另外,晶片連接步驟S60的順序,亦可以在連接步驟S20之前,並非一定在最後才進行。
綜上所述,微型發光二極體巨量轉移的方法S1是藉由直接將晶圓基板500上的微型發光二極體3直接對應地連接電路載板150的電性連接部151、153完成電性連接,再將晶圓基板500移除。如此,不需透過切割晶粒、黏膠轉移等步驟,而直接以晶圓等級的技術進行,以此達到高精度、高良率、製程快速的優點。
雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾,皆應涵蓋於本發明的範疇內,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1:發光面板組件2:半導體圖案3:微型發光二極體10:第一摻雜層11:出光面131:第一側表面133:第二側表面17:連接面20:第二摻雜層233:第二側表面30:絕緣層41:第一電極43:第二電極60:螢光粉層65:螢光粉70R、70B、70G:濾光片100:第一型摻雜半導體材料層200:第二型摻雜半導體材料層150:電路載板151:第一電性連接部153:第二電性連接部155:接線區170:特用晶片500:晶圓基板V1:第一穿孔V2:第二穿孔S1:微型發光二極體巨量轉移的方法S10:微型發光二極體製作步驟S20:連接步驟S11:摻雜半導體層形成步驟S13:圖案化步驟S15:絕緣層形成步驟S17:電極形成步驟S30:移除步驟S40:螢光粉層形成步驟S50:濾光片形成步驟S60:晶片連接步驟
圖1為微型發光二極體巨量轉移的方法的流程圖。 圖2至圖10為微型發光二極體巨量轉移的方法的剖面示意圖。 圖11為發光面板組件另一實施例的剖面示意圖。
2:半導體圖案
10:第一摻雜層
11:出光面
131:第一側表面
133:第二側表面
17:連接面
20:第二摻雜層
233:第二側表面
30:絕緣層
41:第一電極
43:第二電極
150:電路載板
151:第一電性連接部
153:第二電性連接部
500:晶圓基板
3:微型發光二極體
Claims (12)
- 一種微型發光二極體巨量轉移的方法,包含: 一微型發光二極體製作步驟,形成複數個微型發光二極體於一晶圓基板上,其中各該微型發光二極體包含一第一電極及一第二電極; 一連接步驟,將包含該等微型發光二極體的該晶圓基板與一電路載板連接,該電路載板上包含複數個第一電性連接部及複數個第二電性連接部,該等第一電性連接部分別與該等微型發光二極體之該第一電極連接,該等第二電性連接部分別與該等微型發光二極體之該第二電極連接; 一移除步驟,移除該晶圓基板; 一螢光粉層形成步驟,在該等微型發光二極體的表面形成一螢光粉層;以及 一濾光片形成步驟,貼附複數個濾光片於該螢光粉層上,各該濾光片對應於各該微型發光二極體的一出光面。
- 如請求項1所述之微型發光二極體巨量轉移的方法,其中該微型發光二極體製作步驟包含: 一摻雜半導體層形成步驟,在該晶圓基板上依序形成一第一型摻雜半導體材料層及一第二型摻雜半導體材料層; 一圖案化步驟,將該第一型摻雜半導體材料層及該第二型摻雜半導體材料層圖案化,形成複數個半導體圖案,在各該半導體圖案中具有一第一摻雜層及一第二摻雜層,該第二摻雜層的長度小於該第一摻雜層的長度; 一絕緣層形成步驟,形成一絕緣層於該第一摻雜層及該第二摻雜層之上,該絕緣層包含一第一穿孔及一第二穿孔,該第一穿孔及該第二穿孔分別曝露出該第一摻雜層及該第二摻雜層的一部分;以及 一電極形成步驟,形成該第一電極及該第二電極於該絕緣層上,該第一電極的一部分填入該第一穿孔中並與該第一摻雜層連接,該第二電極的一部分填入該第二穿孔中並與該第二摻雜層連接,該第一電極及該第二電極藉由該絕緣層彼此分隔。
- 如請求項2所述之微型發光二極體巨量轉移的方法,其中該第一電極更遮蔽該第一摻雜層的一第一側表面;該第二電極更遮蔽該第一摻雜層及該第二摻雜層的一第二側表面,該第二側表面相對於該第一側表面。
- 如請求項2所述之微型發光二極體巨量轉移的方法,其中該出光面為該第一摻雜層設置於該晶圓基板的表面,各該微型發光二極體的該出光面實質上位於同一平面。
- 如請求項1所述之微型發光二極體巨量轉移的方法,其中該電路載板為一特用晶片。
- 如請求項1所述之微型發光二極體巨量轉移的方法,更包含一晶片連接步驟,該晶片連接步驟係將該電路載板的一接線區與一特用晶片連接。
- 一種發光面板組件,包含: 一電路載板,包含複數個第一電性連接部及複數個第二電性連接部; 複數個微型發光二極體,各該微型發光二極體包含一第一摻雜層、一第二摻雜層、一第一電極及一第二電極,其中該第一摻雜層與該第二摻雜層相互堆疊,該第一摻雜層的一第一表面為一出光面,且該第一摻雜層的長度大於該第二摻雜層的長度,該第一電極與該第二電極彼此分隔,各該第一電極與該第一摻雜層的一連接面以及該等第一電性連接部之一連接,各該第二電極與該第二摻雜層及該等第二電性連接部之一連接,其中該連接面相對於該出光面,其中該等微型發光二極體的該出光面實質上位於同一平面; 一螢光粉層,位於該等微型發光二極體之該出光面之上;以及 複數個濾光片,設置於該螢光粉層上,各該濾光片對應於各該微型發光二極體的該出光面。
- 如請求項7所述之發光面板組件,其中該第一電極與該第二電極之間以一絕緣層相互隔絕。
- 如請求項8所述之發光面板組件,其中該第一電極更遮蔽該第一摻雜層的一第一側表面;該第二電極更遮蔽該第一摻雜層及該第二摻雜層的一第二側表面,該第一側表面相對於該第一側表面。
- 如請求項7所述之發光面板組件,其中該電路載板為一特用晶片。
- 如請求項7所述之發光面板組件,更包含一特用晶片,該特用晶片連接該電路載板的一接線區。
- 如請求項7所述之發光面板組件,其中各該濾光片的長度大於對應之該出光面的長度。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107146260A TWI682436B (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件 |
US16/460,782 US20200203319A1 (en) | 2018-12-20 | 2019-07-02 | Mass transfer method for micro light emitting diode and light emitting panel module using thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107146260A TWI682436B (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI682436B TWI682436B (zh) | 2020-01-11 |
TW202025240A true TW202025240A (zh) | 2020-07-01 |
Family
ID=69942452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107146260A TWI682436B (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200203319A1 (zh) |
TW (1) | TWI682436B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI756858B (zh) * | 2020-10-06 | 2022-03-01 | 吳伯仁 | 製造微發光二極體顯示器的系統與方法 |
TWI785678B (zh) * | 2021-05-21 | 2022-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置與其製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11790831B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-10-17 | Creeled, Inc. | Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays |
US11727857B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-08-15 | Creeled, Inc. | Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays |
US11776460B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-10-03 | Creeled, Inc. | Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays |
US11694601B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-07-04 | Creeled, Inc. | Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays |
CN111564465A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-21 | 深超光电(深圳)有限公司 | 显示面板的制备方法 |
CN113707040A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 发光模组、显示模组、显示屏及显示器 |
US11695102B2 (en) * | 2020-06-19 | 2023-07-04 | Creeled, Inc. | Active electrical elements with light-emitting diodes |
TWI751672B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-01-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示裝置及其製造方法 |
CN112071795A (zh) * | 2020-09-10 | 2020-12-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | Micro-LED芯片的转移方法 |
WO2022094967A1 (zh) * | 2020-11-06 | 2022-05-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管芯片及其制备方法、显示装置 |
CN112802941A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
CN113345927B (zh) * | 2021-05-31 | 2023-06-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法 |
CN114759130B (zh) * | 2022-06-15 | 2022-09-02 | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 | 一种Micro-LED显示芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9111464B2 (en) * | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
KR102135352B1 (ko) * | 2013-08-20 | 2020-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 표시장치 |
US10229630B2 (en) * | 2014-05-14 | 2019-03-12 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Passive-matrix light-emitting diodes on silicon micro-display |
TWI578574B (zh) * | 2014-07-14 | 2017-04-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光元件結構 |
JP2016134605A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | 株式会社東芝 | 複合樹脂及び電子デバイス |
US10153257B2 (en) * | 2016-03-03 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Micro-printed display |
EP3902006A1 (en) * | 2016-04-01 | 2021-10-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display device |
US10529696B2 (en) * | 2016-04-12 | 2020-01-07 | Cree, Inc. | High density pixelated LED and devices and methods thereof |
WO2017209437A1 (en) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
CN106876406B (zh) * | 2016-12-30 | 2023-08-08 | 上海君万微电子科技有限公司 | 基于iii-v族氮化物半导体的led全彩显示器件结构及制备方法 |
-
2018
- 2018-12-20 TW TW107146260A patent/TWI682436B/zh not_active IP Right Cessation
-
2019
- 2019-07-02 US US16/460,782 patent/US20200203319A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI756858B (zh) * | 2020-10-06 | 2022-03-01 | 吳伯仁 | 製造微發光二極體顯示器的系統與方法 |
TWI785678B (zh) * | 2021-05-21 | 2022-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置與其製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI682436B (zh) | 2020-01-11 |
US20200203319A1 (en) | 2020-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI682436B (zh) | 微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件 | |
TWI673863B (zh) | 微led顯示器及其製造方法 | |
US10304901B1 (en) | Micro light-emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
US9825013B2 (en) | Transfer-bonding method for the light emitting device and light emitting device array | |
WO2018121611A1 (zh) | 基于iii-v族氮化物半导体的led全彩显示器件结构及制备方法 | |
US9306117B2 (en) | Transfer-bonding method for light emitting devices | |
CN107393940B (zh) | Led显示设备及其制造方法 | |
WO2012148234A2 (ko) | 풀컬러 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
TWI689092B (zh) | 具有透光基材之微發光二極體顯示模組及其製造方法 | |
CN108470526A (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
US20110057211A1 (en) | Light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
CN109742200A (zh) | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 | |
CN110634839B (zh) | 微发光二极管显示基板、装置及制备方法 | |
TWI627740B (zh) | 微發光二極體顯示模組及其製造方法 | |
TW202008609A (zh) | 微型發光元件及顯示裝置 | |
US20060033423A1 (en) | Mixed-color light emitting diode apparatus, and method for making same | |
TWI611573B (zh) | 微發光二極體顯示模組的製造方法 | |
CN109390368B (zh) | 微显示器件及其制备方法、显示面板 | |
KR100759896B1 (ko) | 적어도 하나의 발광소자가 장착된 백라이트 모듈 및 그제작 방법 | |
KR100696445B1 (ko) | 발광다이오드 디스플레이소자 및 그 제조 방법 | |
TW202201773A (zh) | 製造微發光二極體顯示器的系統與方法 | |
CN110689814B (zh) | 一种多色化微型led阵列及其制作方法 | |
TWI685987B (zh) | 微晶粒模組轉移方法 | |
CN110010016A (zh) | 显示面板 | |
CN111354841A (zh) | 微型发光二极管巨量转移的方法及其发光面板组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |