CN107768498B - 发光二极管显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光二极管显示装置及其制作方法。发光二极管显示装置包括基板、至少一第一接垫与至少一第二接垫、至少一间隙物、至少一发光二极管及导电胶层。第一接垫与第二接垫配置于基板上。间隙物位于第一接垫与第二接垫之间，其中间隙物的高度为P。发光二极管配置于基板上且包括第一电极及第二电极。第一电极与第二电极位于同侧且具有高度H。导电胶层配置于基板上且位于基板与发光二极管之间。导电胶层包括多个导电粒子，其中发光二极管的第一电极与第二电极通过多个导电粒子分别与基板的第一接垫以及第二接垫电性连接，且H+3.5≥P≥H+0.48。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体显示装置及其制作方法，且特别是涉及一种发光二极管显示装置及其制作方法。
背景技术
随着可携式显示器产品蓬勃发展，显示器产品对于功能、规格与成本越来越要求，节能、环保的显示器技术是下一代新型显示器开发的重点。发光二极管阵列显示器(LED onarray)采用的发光二极管是无机发光二极管，使其相较于使用有机发光二极管有机发光显示器(AMOLED)具备寿命长与低电流操作的优点。
在发光二极管阵列显示器的处理中，利用导电胶将发光二极管接合在具有P型接垫与N型接垫的玻璃基板上，使得发光二极管电极与基板上接垫有良好的接合且电性相连。然而，传统导电胶内的导电粒子为任意分布，常有导电率不足的问题，因此往往需要大量的导电粒子来提高导电率，故有增加制造成本的问题。此外，在接合发光二极管电极与基板上接垫时，常有因为接合间隙过大而导电不佳、接合间隙过小而过度压缩导电粒子、接合精度不准确(位移量过大)而导致接触面积不足、或者P型接垫与N型接垫连接而造成短路等问题。
发明内容
本发明是提供一种发光二极管显示装置，其发光二极管与基板之间具有较佳的导电性能。
本发明是提供一种发光二极管显示装置的制作方法，用以制作上述的发光二极管显示装置。
本发明的一种发光二极管显示装置，其包括基板、至少一第一接垫与至少一第二接垫、至少一间隙物、至少一发光二极管以及导电胶层。第一接垫与第二接垫配置于基板上。间隙物位于第一接垫与第二接垫之间，其中间隙物的高度为P。发光二极管配置于基板上且包括第一电极以及第二电极。第一电极与第二电极位于同侧且具有高度H。导电胶层配置于基板上且位于基板与发光二极管之间。导电胶层包括多个导电粒子，其中发光二极管的第一电极与第二电极通过导电粒子分别与基板的第一接垫以及第二接垫电性连接，且H+3.5≥P≥H+0.48。
本发明提供一种发光二极管显示装置的制作方法，其包括以下步骤。提供基板。形成至少一第一接垫以及至少一第二接垫于基板上。形成至少一间隙物于基板上，其中间隙物位于第一接垫与第二接垫之间，且间隙物的高度为P。提供导电胶层于基板的上方，其中导电胶层包括多个导电粒子。接合至少一发光二极管于基板上，发光二极管包括第一电极以及第二电极，且第一电极与第二电极位于同侧且具有高度H。发光二极管的第一电极与第二电极通过导电胶层的导电粒子分别与基板的第一接垫以及第二接垫电性连接，且H+3.5≥P≥H+0.48。
本发明还提供一种发光二极管显示装置的制作方法，其包括以下步骤。提供基板。形成多个第一接垫以及多个第二接垫于基板上，其中第一接垫与第二接垫交替排列。形成多个定位结构于基板上，定位结构彼此分离。提供导电胶层于基板的上方，导电胶层包括多个导电粒子。提供晶圆，晶圆包括成长基板以及多个发光二极管。发光二极管位于成长基板上且呈间隔排列，且每一发光二极管包括第一电极与第二电极，而第一电极与第二电极位于同侧且具有高度H。形成多个间隙物于发光二极管上，其中每一间隙物位于每一发光二极管的第一电极与第二电极之间，且每一间隙物的高度为P。接合晶圆于基板上，其中每一发光二极管的第一电极与第二电极通过导电胶层的导电粒子分别与基板的每一第一接垫以及每一第二接垫电性连接，而至少二个发光二极管位于任两个定位结构之间，且H+3.5≥P≥H+0.48。
基于上述，本发明的发光二极管显示装置及其制作方法，其利用间隙物以及间隙物的高度P与发光二极管的电极的高度H关系，即H+3.5≥P≥H+0.48，来控制发光二极管与基板之间接合间隙的大小，可以避免现有因为接合间隙过大而导电不佳或接合间隙过小而过度压缩导电粒子的问题。此外，间隙物的设置亦可用来阻断第一接垫与第二接垫之间导电粒子的相互导通，进而可有效防止电性短路。因此，本发明的发光二极管显示装置及其制作方法，可具有有效控制导电粒子的变形量、接合间隙以及防止短路效果。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1显示为本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的剖面示意图；
图2A至图2C显示为为本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制作方法的剖面示意图；
图3A至图3B显示为本发明另一实施例的一种发光二极管显示装置的制作方法的剖面示意图；
图4显示为图3A的晶圆的仰视示意图；
图5A至图5B分别显示为本发明多个实施例的多种导电胶层的俯视示意图。
附图标号说明；
100a、100b：发光二极管显示装置；
110：基板；
112：第一接垫；
114：第二接垫；
116：上表面；
120a、120b：间隙物；
130a、130b：发光二极管；
132a、132b：第一电极；
134a、134b：第二电极；
140、140a、140b：导电胶层；
142、142a、142b：导电粒子；
144a、144b：图案化导电部；
144a1、144b1：第一图案化导电部；
144a2、144b2：第二图案化导电部；
150a、150b：遮光图案；
160：定位结构；
170：成长基板；
W：晶圆；
H、P、T：高度；
X：宽度；
S：间距。
具体实施方式
图1显示为本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的剖面示意图。请参照图1，在本实施例中，发光二极管显示装置100a包括基板110、至少一第一接垫112(图1中仅示意地显示一个)与至少一第二接垫114(图1中仅示意地显示一个)、至少一间隙物120a(图1中仅示意地显示一个)、至少一发光二极管130a(图1中仅示意地显示一个)以及导电胶层140。第一接垫112与第二接垫114配置于基板110上。间隙物120a位于第一接垫112与第二接垫114之间，其中间隙物120a的高度为P。发光二极管130a配置于基板110上且包括第一电极132a以及第二电极134a。第一电极132a与第二电极134a位于同侧且具有高度H。导电胶层140配置于基板110上且位于基板110与发光二极管130a之间。导电胶层140包括多个导电粒子142，其中发光二极管130a的第一电极132a与第二电极134a通过导电粒子142分别与基板110的第一接垫112以及第二接垫114电性连接，且H+3.5≥P≥H+0.48。
详细来说，本实施例的基板110具有上表面116，其中第一接垫112与第二接垫114内埋于基板110，意即第一接垫112与第二接垫114的表面切齐与基板110的上表面116。当然，于其他未显示的实施例中，第一接垫与第二接垫亦可配置于基板的上表面上，于此并不加以限制。此处，基板110例如是玻璃基板、可挠曲塑胶基板、薄膜晶体管基板、软性电路板、印刷电路板或其他适当的基板。而，第一接垫112与第二接垫114二者中的其中一者为P型接垫，而另一者为N型接垫。
再者，如图1所示，本实施例的间隙物120a是配置于基板110上且位于第一接垫112与第二接垫114之间。另一方面，间隙物120a也会位于发光二极管130a的第一电极132a与第二电极134a之间。此时，导电胶层140的导电粒子142分布于间隙物120a的周围，而发光二极管130a的第一电极132a与第二电极134a可通过导电粒子142分别与基板110的第一接垫112以及第二接垫114电性连接。此处，导电胶层140例如是紫外线光固化型异方性导电膜、液态异方性导电胶、异方性导电胶、异方性导电膜或热固型异方性导电膜，而导电粒子142的直径例如为1.2微米至3.5微米。
更具体来说，请继续参照图1，本实施例的间隙物120a的高度为P，而第一电极132a与第二电极134a的高度H，较佳地，间隙物120a的高度P满足H+3.5≥P≥H+1.2×(1-0.6)，即H+3.5≥P≥H+0.48，则可使得导电粒子142具有最佳的压缩量(例如为20％～60％)。上述间隙物120a的高度P的单位以及第一电极132a与第二电极134a的高度H的单位皆为微米。通过上述的公式来设计间隙物120a的高度P，进而可以控制发光二极管130a接合于基板110上时的接合间隙以及导电粒子142压缩量，因此可以避免现有因为接合间隙过大而导电不佳、接合间隙过小而过度压缩导电粒子等造成导电性能不佳的问题。
此外，本实施例的间隙物120a的宽度为X，而发光二极管130a的第一电极132a与第二电极134a之间的间距为S，较佳地，间隙物120a的宽度X满足S≥X≥S-3.5。上述间隙物120a的宽度X的单位以及第一电极132a与第二电极134a之间的间距S的单位皆为微米。通过上述公式来设计间隙物120a的宽度X，进而可以控制发光二极管130a接合于基板110上时的接合精准度(位移量)，以避免习之因为接合精准度不佳(如位移量过大)而导致接触面积不足，进而造成导电性能不佳的问题。
简言之，本实施例的发光二极管显示装置100a，其利用间隙物120a以及间隙物120a的高度P与发光二极管130a的电极的高度H关系，即H+3.5≥P≥H+0.48，来控制发光二极管130a与基板110之间接合间隙的大小，可以避免现有因为接合间隙过大而导电不佳，或接合间隙过小而过度压缩导电粒子的问题。此外，间隙物120a的设置亦可用来阻断第一接垫112与第二接垫114之间导电胶层140的导电粒子142相互导通，进而可有效防止电性短路。因此，本实施例的发光二极管显示装置100a具有可有效控制导电粒子142的变形量、接合间隙以及防止短路效果。
图2A至图2C显示为本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制作方法的剖面示意图。在处理上，请先参照图2A，依照本实施例的发光二极管显示装置的制作方法，首先，提供基板110。接着，形成至少一第一接垫112(图2A中示意地显示多个)与至少一第二接垫114(图2A中示意地显示多个)于基板110上。此处，第一接垫112与第二接垫114内埋于基板110，且基板110例如是玻璃基板、塑胶基板、薄膜晶体管基板、软性电路板、印刷电路板或其他适当的基板，于此并不加以限制。
接着，请再参照图2A，形成至少一间隙物120a(图2A中示意地显示多个)于基板110上，其中间隙物120a位于第一接垫112与第二接垫114之间，且间隙物120a的高度为P。此处，间隙物120a的材质例如是遮光光阻(Black Matrix)或其它适当的光阻材料。
接着，请再参照图2A，形成多个遮光图案150a于基板110上，其中遮光图案150a与间隙物120a交替排列，且遮光图案150a的高度T大于间隙物120a的高度P。此处，遮光图案150a的材质例如是遮光光阻(Black Matrix)或其它适当的光阻材料。
之后，请参照图2B，提供导电胶层140于基板110的上方，其中导电胶层140包括多个导电粒子142。此处，导电粒子142分散在导电胶层140中，其中导电胶层例如是紫外线光固化型异方性导电膜、液态异方性导电胶、异方性导电胶、异方性导电膜或热固型异方性导电膜。
最后，请参照图2C，接合至少一发光二极管130a(图2A中示意地显示多个)于基板110上，其中每一发光二极管130a包括第一电极132a以及第二电极134a，且第一电极132a与第二电极134a位于同侧且具有高度H。也就是说，本实施例的发光二极管130a具体化为水平式发光二极管，但不限定于水平式发光二极管。当发光二极管130a接合于基板110时，发光二极管130a的第一电极132a与第二电极134a可通过导电胶层140的导电粒子142分别与基板110的第一接垫112以及第二接垫114电性连接。
此时，每一间隙物120a位于每一发光二极管130a的第一电极132a与第二电极134a之间，可有效地阻断第一接垫112与第二接垫114之间导电胶层140的导电粒子142相互导通，进而可有效防止电性短路。而，遮光图案150a与发光二极管130a交替排列，其中遮光图案150a的高度T大于间隙物120a的高度H，且遮光图案150a的高度T也需要大于或等于发光二极管130a的发光层(未显示)至基板110的高度，可有效避免相邻的两个发光二极管130a所发出的光相互影响。此外，间隙物120a的高度为P，而第一电极132a与第二电极134a的高度H，较佳地，间隙物120a的高度P满足H+3.5≥P≥H+0.48，则可使得导电粒子142具有最佳的压缩量(例如为20％～60％)，藉此可以控制发光二极管130a接合于基板110上时的接合间隙以及导电粒子142压缩量。另外，间隙物120a的宽度为X，而发光二极管130a的第一电极132a与第二电极134a之间的间距为S，较佳地，间隙物120a的宽度X满足S≥X≥S-3.5，藉此可以控制发光二极管130a接合于基板110上时的接合精准度(位移量)。至此，已完成发光二极管显示装置的制作。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图3A至图3B显示为本发明另一实施例的一种发光二极管显示装置的制作方法的剖面示意图。图4显示为图3A的晶圆的仰视示意图。为了方便说明起见，图4中省略显示间隙物。本实施例的发光二极管显示装置的制作方法与上述图2A至图2C的发光二极管显示装置的制作方法相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的间隙物120b是形成于发光二极管130b所在的晶圆W上。
详细来说，请先参照图3A，提供基板110。接着，形成多个第一接垫112以及多个第二接垫114于基板110上，其中第一接垫112与第二接垫114交替排列。接着，形成多个定位结构160于基板110上，其中定位结构160彼此分离。此处，定位结构160的材质例如是遮光光阻(Black Matrix)或其它适当的光阻材料。接着，提供导电胶层140于基板110的上方，其中导电胶层140包括导电粒子142。接着，请参考图3A与图4，提供晶圆W，其中晶圆W包括成长基板170以及多个发光二极管130b，且发光二极管130b位于成长基板170上且呈间隔排列。其中，发光二极管130b包括第一电极132b与第二电极134b，而第一电极132b与第二电极134b位于同侧。之后，形成间隙物120b于发光二极管130b上，其中间隙物120b位于发光二极管130b的第一电极132b与第二电极134b之间。为了避免相邻两发光二极管130b所产生的光相互影响，可形成多个遮光图案150b于成长基板170上，其中遮光图案150b与发光二极管130b交替排列。此处，遮光图案150b例如是黑矩阵，但并不以此为限。
最后，请参照图3B，接合晶圆W于基板110上，其中发光二极管130b的第一电极132b与第二电极134b通过导电胶层140的导电粒子142分别与基板110的第一接垫112以及第二接垫114电性连接。至此，已完成发光二极管显示装置100b的制作。
此处，间隙物120b的设置可顺利地阻断第一接垫112与第二接垫114之间因导电胶层140的导电粒子142的相互导通，进而防止短路。而，定位结构160可使得晶圆W上的发光二极管130b精准及有效的控制对位。再者，本实施例的间隙物120b的高度P满足H+3.5≥P≥H+0.48，则可使得导电粒子142具有最佳的压缩量(例如为20％～60％)，藉此可以控制晶圆W上的发光二极管130b接合于基板110上时的接合间隙以及导电粒子142压缩量。此外，间隙物120a的宽度X因满足S≥X≥S-3.5，藉此可以控制晶圆W上的发光二极管130b接合于基板110上时的接合精准度(位移量)。
值得一提的是，本发明并不限制导电胶层140的结构型态，虽然于上述实施例中，导电粒子142是不规则地分布于导电胶层140内。但于其他实施例中，请参照图5A，导电胶层140a可包括多个图案化导电部144a。图案化导电部144a包括对应第一接垫112的第一图案化导电部144a1与对应第二接垫114的第二图案化导电部144a2。此处，第一图案化导电部144a1的面积小于第一接垫112的面积，且第二图案化导电部144a2的面积小于第二接垫114的面积。当然，于其他实施例中，第一图案化导电部144a1的面积亦可大于或等于第一接垫112的面积，且第二图案化导电部144a2的面积亦可大于或等于第二接垫114的面积。导电粒子142a配置于第一图案化导电部144a1与第二图案化导电部144a2内，且每一第一图案化导电部144a1对应一个导电粒子142a，而每一第二图案化导电部144a2对应一个导电粒子142a。此处，导电粒子142a可例如是通过喷涂的方式而形成于第一图案化导电部144a1与第二图案化导电部144a2内。
或者是，请参考图5B，导电胶层140b可包括多个图案化导电部144b。图案化导电部144b包括对应第一接垫112的第一图案化导电部144b1与对应第二接垫114的第二图案化导电部144b2。此处，第一图案化导电部144b1的面积大于第一接垫112的面积，且第二图案化导电部144b2的面积大于第二接垫114的面积。当然，于其他实施例中，第一图案化导电部144b1的面积亦可小于或等于第一接垫112的面积，且第二图案化导电部144b2的面积可小于或等于第二接垫114的面积。导电粒子142b可分散配置于第一图案化导电部144b1与第二图案化导电部144b2内。当然，于其他实施例中，导电粒子142b亦可呈矩阵排列于第一图案化导电部144b1与第二图案化导电部144b2内。
综上所述，基于上述，本发明的发光二极管显示装置及其制作方法，其利用间隙物以及间隙物的高度P与发光二极管的电极的高度H关系，即H+3.5≥P≥H+0.48，来控制发光二极管与基板之间接合间隙的大小，可以避免现有因为接合间隙过大而导电不佳或接合间隙过小而过度压缩导电粒子的问题。此外，间隙物的设置亦可用来阻断第一接垫与第二接垫之间导电粒子的相互导通，进而可有效防止电性短路。因此，本发明的发光二极管显示装置及其制作方法，可具有有效控制导电粒子的变形量、接合间隙以及防止短路效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (21)
1.一种发光二极管显示装置，其特征在于，包括：
基板；
至少一第一接垫与至少一第二接垫，配置于所述基板上；
至少一间隙物，位于所述至少一第一接垫与所述至少一第二接垫之间，其中所述至少一间隙物的高度为P；
至少一发光二极管，配置于所述基板上，且包括第一电极以及第二电极，其中所述第一电极与所述第二电极位于同侧且具有高度H；以及
导电胶层，配置于所述基板上且位于所述基板与所述至少一发光二极管之间，所述导电胶层包括多个导电粒子，其中所述至少一发光二极管的所述第一电极与所述第二电极通过所述多个导电粒子分别与所述基板的所述至少一第一接垫以及所述至少一第二接垫电性连接，且H+3.5≥P≥H+0.48。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述至少一间隙物的宽度为X，而所述至少一发光二极管的所述第一电极与所述第二电极之间的间距为S，则S≥X≥S-3.5。
3.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述基板包括玻璃基板、可挠曲塑胶基板、薄膜晶体管基板、软性电路板或印刷电路板。
4.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述基板具有上表面，所述至少一第一接垫与所述至少一第二接垫配置于所述上表面上或内埋于所述基板。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，还包括：
多个遮光图案，配置于所述基板上，其中所述至少一发光二极管包括多个发光二极管，而所述多个遮光图案与所述多个发光二极管交替排列。
6.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置，其特征在于，还包括：
多个定位结构，配置于所述基板上，且至少二个所述多个发光二极管位于任两个所述多个定位结构之间。
7.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述导电胶层包括异方性导电胶或异方性导电膜。
8.根据权利要求7所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述异方性导电胶为液态异方性导电胶。
9.根据权利要求7所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述异方性导电膜为紫外线光固化型异方性导电膜或热固型异方性导电膜。
10.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述导电胶包括多个图案化导电部，每一所述多个图案化导电部包括对应所述至少一第一接垫的第一图案化导电部与对应所述至少一第二接垫的第二图案化导电部，所述多个导电粒子分散配置于所述第一图案化导电部与所述第二图案化导电部内。
11.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述导电胶包括多个图案化导电部，每一所述多个图案化导电部包括对应所述至少一第一接垫的第一图案化导电部与对应所述至少一第二接垫的第二图案化导电部，所述多个导电粒子配置于所述第一图案化导电部与所述第二图案化导电部内，且所述第一图案化导电部对应一个所述多个导电粒子，而所述第二图案化导电部对应一个所述多个导电粒子，且所述多个导电粒子呈矩阵排列。
12.一种发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板；
形成至少一第一接垫与至少一第二接垫于所述基板上；
形成至少一间隙物于所述基板上，其中所述至少一间隙物位于所述至少一第一接垫与所述至少一第二接垫之间，且所述至少一间隙物的高度为P；
提供导电胶层于所述基板的上方，所述导电胶层包括多个导电粒子；以及
接合至少一发光二极管于所述基板上，所述至少一发光二极管包括第一电极以及第二电极，且所述第一电极与所述第二电极位于同侧且具有高度H，其中所述至少一发光二极管的所述第一电极与所述第二电极通过所述导电胶层的所述多个导电粒子分别与所述基板的所述至少一第一接垫以及所述至少一第二接垫电性连接，且H+3.5≥P≥H+0.48。
13.根据权利要求12所述的发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，所述至少一间隙物的宽度为X，而所述至少一发光二极管的所述第一电极与所述第二电极之间的间距为S，则S≥X≥S-3.5。
14.根据权利要求12所述的发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，还包括：
于提供所述导电胶层于所述基板的上方之前，形成多个遮光图案于所述基板上，其中所述至少一发光二极管包括多个发光二极管，而所述多个遮光图案与所述多个发光二极管交替排列。
15.根据权利要求12所述的发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，所述导电胶包括多个图案化导电部，每一所述多个图案化导电部包括对应所述至少一第一接垫的第一图案化导电部与对应所述至少一第二接垫的第二图案化导电部，所述多个导电粒子分散配置于所述第一图案化导电部与所述第二图案化导电部内。
16.根据权利要求12所述的发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，所述导电胶包括多个图案化导电部，每一所述多个图案化导电部包括对应所述至少一第一接垫的第一图案化导电部与对应所述至少一第二接垫的第二图案化导电部，所述多个导电粒子配置于所述第一图案化导电部与所述第二图案化导电部内，且所述第一图案化导电部对应一个所述多个导电粒子，而所述第二图案化导电部对应一个所述多个导电粒子，且所述多个导电粒子呈矩阵排列。
17.一种发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板；
形成多个第一接垫以及多个第二接垫于所述基板上，其中所述多个第一接垫与所述多个第二接垫交替排列；
形成多个定位结构于所述基板上，所述多个定位结构彼此分离；
提供导电胶层于所述基板的上方，所述导电胶层包括多个导电粒子；
提供晶圆，所述晶圆包括成长基板以及多个发光二极管，所述多个发光二极管位于所述成长基板上且呈间隔排列，且每一所述多个发光二极管包括第一电极与第二电极，而所述第一电极与所述第二电极位于同侧且具有高度H；
形成多个间隙物于所述多个发光二极管上，其中每一所述多个间隙物位于每一所述多个发光二极管的所述第一电极与所述第二电极之间，且每一所述多个间隙物的高度为P；以及
接合所述晶圆于所述基板上，其中每一所述多个发光二极管的所述第一电极与所述第二电极通过所述导电胶层的所述多个导电粒子分别与所述基板的每一所述多个第一接垫以及每一所述多个第二接垫电性连接，而至少二个所述多个发光二极管位于任两个所述多个定位结构之间，且H+3.5≥P≥H+0.48。
18.根据权利要求17所述的发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，每一所述多个间隙物的宽度为X，而每一所述多个发光二极管的所述第一电极与所述第二电极之间的间距为S，则S≥X≥S-3.5。
19.根据权利要求17所述的发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，还包括：
于接合所述晶圆于所述基板上之前，形成多个遮光图案于所述成长基板上，其中所述多个遮光图案与所述多个发光二极管交替排列。
20.根据权利要求17所述的发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，所述导电胶包括多个图案化导电部，每一所述多个图案化导电部包括对应所述至少一第一接垫的第一图案化导电部与对应所述至少一第二接垫的第二图案化导电部，所述多个导电粒子分散配置于所述第一图案化导电部与所述第二图案化导电部内。
21.根据权利要求17所述的发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，所述导电胶包括多个图案化导电部，每一所述多个图案化导电部包括对应所述至少一第一接垫的第一图案化导电部与对应所述至少一第二接垫的第二图案化导电部，所述多个导电粒子配置于所述第一图案化导电部与所述第二图案化导电部内，且所述第一图案化导电部对应一个所述多个导电粒子，而所述第二图案化导电部对应一个所述多个导电粒子，且所述多个导电粒子呈矩阵排列。
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