WO2017150257A1 - 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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light emitting
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慶司 本庄
秀次 波木
靖幸 樋口
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デクセリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device including a plurality of light emitting elements, a manufacturing method thereof, and a light emitting device and a manufacturing method thereof.
  • a micro LED (Light Emitting Diode) display in which minute light emitting elements are arranged on a substrate has been proposed.
  • the micro LED display can eliminate the backlight required for general liquid crystal displays, so that the display itself can be made thinner, and further wide color gamut, high definition, and power saving can be realized. Is possible.
  • Patent Document 1 describes that red, blue, and green light-emitting elements are picked up and transported, the red, blue, and green light-emitting elements are aligned and mounted, and the light-emitting element and the substrate are metal-bonded. .
  • Non-Patent Document 1 a light emitting element is formed on a wafer, P poles or N poles adjacent to each other in a lattice shape are electrically connected by a gold wire, and red, blue, and green are respectively formed thereon. It describes that a resin containing a quantum dot phosphor is applied.
  • Non-Patent Document 1 requires a large number of wire bonds, so that the throughput is poor and the wire bond to the minimum electrode is also low, so the yield is not good. Furthermore, since an electrode and a wire exist on the light emitting surface, the light extraction efficiency is lowered, and it is difficult to increase the luminance.
  • the present invention solves the above-described problems, and provides a display device that achieves high brightness and high definition, a manufacturing method thereof, a light emitting device, and a manufacturing method thereof.
  • the present inventor has been able to collectively mount a plurality of light emitting elements in an arrangement formed on a wafer by using an anisotropic conductive adhesive, thereby achieving high brightness and high definition. It was found that it is possible.
  • the display device is arranged in units of subpixels constituting one pixel, and has a plurality of light emitting elements having at least one electrode of the first conductivity type electrode or the second conductivity type electrode on the first surface, A substrate having an electrode corresponding to an electrode on a first surface of the plurality of light emitting elements; an anisotropic conductive film for anisotropically connecting the electrode on the first surface of the plurality of light emitting elements and the electrode on the substrate; And a wavelength conversion member that converts the wavelength of light from the light emitting element in units of subpixels.
  • a plurality of light emitting elements having at least one electrode of the first conductivity type electrode or the second conductivity type electrode on the first surface are arranged in units of subpixels constituting one pixel. And bonding the wafer having a substrate having an electrode corresponding to the electrode on the first surface of the plurality of light emitting elements with an anisotropic conductive adhesive, and the electrodes on the first surface of the plurality of light emitting elements; A connecting step of anisotropically connecting the electrodes of the substrate; and a member arranging step of arranging a wavelength conversion member that converts the wavelength of light from the light emitting element in units of subpixels.
  • the light emitting device is arranged in an array formed on a wafer, and has a plurality of light emitting elements having at least one of a first conductivity type electrode or a second conductivity type electrode on a first surface, and the plurality of the light emission devices.
  • a substrate having an electrode corresponding to the electrode on the first surface of the light emitting element, and an anisotropic conductive film for anisotropically connecting the electrode on the first surface of the plurality of light emitting elements and the electrode on the substrate. .
  • the method for manufacturing a light emitting device includes a wafer on which a plurality of light emitting elements each having at least one of a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode are arranged on a first surface; A substrate having an electrode corresponding to the electrode on the first surface of the element is pressure-bonded via an anisotropic conductive adhesive, and the electrodes on the first surface of the plurality of light emitting elements and the electrodes on the substrate are anisotropically bonded. Conductive connection.
  • a plurality of light emitting elements can be mounted together in an arrangement in which the light emitting elements are formed on the wafer, realizing high brightness and high definition. can do.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a mounting example of one light emitting element.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing a light-emitting element on the wafer, and
  • FIG. 3B is a cross-sectional view schematically showing a connection process between the light-emitting element and the substrate.
  • 4A and 4B are cross-sectional views schematically showing a member arranging process in the first embodiment, FIG. 4A shows a process of removing a wafer, and FIG. 4B shows a phosphor layer. The process to form is shown.
  • FIG. 4A shows a process of removing a wafer
  • FIG. 4B shows a phosphor layer. The process to form is shown.
  • FIG. 4A shows a process of removing a wafer
  • FIG. 4B shows a phosphor layer. The process to form is shown.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the second embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the third embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the third embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the fourth embodiment, FIG. 10A shows a step of forming a phosphor layer, and FIG. 10B shows a color filter. The process of arrange
  • positioning is shown.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the fifth embodiment, FIG. 12 (A) shows a step of forming a phosphor layer, and FIG. 12 (B) shows a color filter. The process of arrange
  • positioning is shown.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the sixth embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the seventh embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the eighth embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view schematically showing a member arrangement process in the eighth embodiment.
  • the display device includes a plurality of light-emitting elements that are arranged in units of sub-pixels constituting one pixel and have at least one of a first conductivity type electrode or a second conductivity type electrode on a first surface; A substrate having an electrode corresponding to an electrode on the first surface of the plurality of light emitting elements, an anisotropic conductive film for anisotropically connecting the electrodes on the first surface of the plurality of light emitting elements and the electrodes on the substrate, and a subpixel A wavelength conversion member that converts the wavelength of light from the light emitting element in units.
  • the light emitting element has a horizontal structure in which, for example, a p-side first conductivity type electrode and an n-side second conductivity type electrode are arranged on the same side, for example, a p-side first conductivity type electrode and an n-type, for example, It may be a vertical structure in which the second conductivity type electrode on the side is arranged to face each other with an epitaxial layer interposed therebetween.
  • the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode are anisotropically conductively connected to the electrode of the substrate.
  • either the first conductivity type electrode or the second conductivity type electrode is used. Only one of the electrodes may be anisotropically conductively connected to the substrate electrode.
  • a pattern in which the n-side electrode of the adjacent light emitting element is connected is, for example, matrix wiring
  • the data line or address line is preferably formed and the pattern is covered with an insulating film.
  • the light emitting element has a vertical structure
  • only one of the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode is anisotropically conductively connected to the substrate electrode, and the other electrode is used as a transparent electrode, for example, matrix wiring It is preferable to form the data line or address line pattern.
  • one subpixel is composed of three pixels of R (red), G (green), and B (blue)
  • one pixel is composed of four pixels of RGBW (white) and RGBY (yellow).
  • one pixel may be configured by two of RG and GB.
  • adjacent light emitting elements are covered with a black matrix (BM).
  • a plurality of light emitting elements each having at least one of the first conductivity type electrode or the second conductivity type electrode on the first surface constitute one pixel.
  • a substrate having an electrode corresponding to the electrode on the first surface of the plurality of light emitting elements are pressure-bonded via an anisotropic conductive adhesive, and the electrodes on the first surface of the plurality of light emitting elements are A connection step of anisotropically connecting the electrodes of the substrate, and a member arrangement step of arranging a wavelength conversion member that converts the wavelength of light from the light emitting element in units of subpixels.
  • a plurality of light emitting elements can be collectively mounted in an arrangement in which the light emitting elements are formed in units of subpixels on the wafer. Refinement can be realized. Further, since the light emitting elements on the wafer are collectively mounted, the mounting time is shortened, and the throughput and the yield can be greatly improved.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the display device according to the first embodiment.
  • the wavelength conversion member is formed by arranging phosphor layers that convert red light, green light, or blue light on a plurality of light emitting elements in units of subpixels. is there.
  • the display device 11 is arranged in units of subpixels constituting one pixel, and has light emitting elements 21, 22, and 23 having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side, a first conductivity type electrode, A substrate 30 having electrodes corresponding to the second conductivity type electrodes, an anisotropic conductive film 40 for anisotropically connecting the light emitting elements 21, 22, 23 and the substrate 30, and the light emitting elements 21, 22, 23 And phosphor layers 51, 52, and 53, which are arranged in sub-pixel units and convert red light, green light, and blue light, respectively.
  • the light emitting elements 21, 22, and 23 are so-called flip-chip type LEDs (Light Emitting Diodes) having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side.
  • the light emitting elements 21, 22, and 23 preferably emit ultraviolet light to blue light, and their peak wavelengths are preferably in the range of 200 nm to 500 nm.
  • the size of the light-emitting elements 21, 22, and 23 can be appropriately set according to the size of the display panel, and the long side of the rectangle is 0.5 mm or less, preferably 0.1 mm or less, more preferably 0.01 mm. It is as follows.
  • the screen size is 57.6 mm ⁇ 32.4 mm.
  • the light emitting elements 21, 22, and 23 are arranged on the substrate 30 in correspondence with, for example, each of the three sub-pixels of RGB constituting one pixel, and constitute an LED array.
  • the RGB sub-pixel arrangement method include stripe arrangement, mosaic arrangement, and delta arrangement.
  • the stripe arrangement is an arrangement of RGB in the form of vertical stripes, and high definition can be achieved.
  • the mosaic arrangement the same RGB colors are arranged obliquely, and a natural image can be obtained from the stripe arrangement.
  • the delta arrangement RGB are arranged in a triangle, and each dot is shifted by a half pitch for each field, so that a natural image display can be obtained.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a mounting example of one light emitting element.
  • the light emitting element 21 includes a first conductivity type cladding layer 211 made of, for example, n-GaN, an active layer 212 made of, for example, an In x Al y Ga 1-xy N layer, and a second conductivity type made of, for example, p-GaN.
  • a first conductivity type electrode 211a formed on a part of the first conductivity type cladding layer 211 by the passivation layer 214 and a second conductivity type electrode 213a formed on a part of the second conductivity type cladding layer 213 are provided. Prepare. When a voltage is applied between the first conductivity type electrode 211a and the second conductivity type electrode 213a, carriers are concentrated on the active layer 212 and recombination causes light emission.
  • the substrate 30 includes a first conductivity type circuit pattern 32 and a second conductivity type circuit pattern 33 on a base material 31, and corresponds to the first conductivity type electrode 211 a and the second conductivity type electrode 213 a of the light emitting element 21. Each has an electrode at a position.
  • the substrate 30 forms circuit patterns such as data lines and address lines of matrix wiring, for example, so that the light emitting elements corresponding to the respective subpixels can be turned on / off.
  • the substrate 30 is preferably a translucent substrate.
  • the base material 31 is preferably a transparent base material such as glass or PET (polyethylene terephthalate), and the first conductivity type circuit pattern 32 and the second conductivity type circuit pattern.
  • 33 and its electrodes are transparent conductive films such as ITO (Indium-Tin-Oxide), IZO (Indium-Zinc-Oxide), ZnO (Zinc-Oxide), and IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide). Is preferred. Since the substrate 30 is a light-transmitting substrate, the substrate 30 side can be used as a display surface (light emitting surface).
  • the anisotropic conductive film 40 is obtained by curing an anisotropic conductive adhesive described later, and conductive particles 41 between the terminals (electrodes 211 a and 213 a) of the light emitting element 21 and the terminals (electrodes) of the substrate 30. Is captured, whereby the light emitting element 21 and the substrate 30 are anisotropically conductively connected.
  • the conductive particles 41 metal particles such as resin core metal-coated conductive particles and solder particles can be used, and two or more kinds of metal particles can be used.
  • the average particle diameter of the conductive particles 41 can be appropriately set according to the electrode size of the light emitting elements 21, 22, and 23, and is preferably 5 ⁇ m or less from the viewpoint of high definition.
  • the phosphor layers 51, 52, and 53 convert light from the light emitting elements 21, 22, and 23 into red light, green light, and blue light, respectively.
  • the phosphors of the phosphor layers 51, 52, and 53 it is preferable to use nitrides or oxynitrides having high heat resistance.
  • the quantum dot which emits the light of the color according to the particle size of a quantum dot in response to ultraviolet light or blue light as fluorescent substance.
  • the light emitting elements 21, 22, and 23 are blue light, they may be transmitted without providing a phosphor layer that converts blue light.
  • an R phosphor layer that contains a phosphor that converts blue light into red light, and a G phosphor layer that contains a phosphor that converts blue light into green light; are arranged.
  • a phosphor that converts blue light into red light for example, (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8 : Eu, (Ca, Sr) AlSiN 3 : Eu, CaSiN 2 : Eu, or the like can be used.
  • Examples of phosphors that convert blue light into green light include ZnS: Cu, Al, SrGa 2 S 4 : Eu, (Ba, Sr) 2 SiO 4 : Eu, SrAl 2 O 4 : Eu, (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu or the like can be used.
  • the light emitting elements 21, 22, and 23 when they are near ultraviolet light, they contain an R phosphor layer containing a phosphor that converts near ultraviolet light into red light, and a phosphor that converts near ultraviolet light into green light.
  • a G phosphor layer and a B phosphor layer containing a phosphor that converts near-ultraviolet light into blue light are arranged.
  • CaAlSiN 3 : Eu can be used as a phosphor that converts near-ultraviolet light into red light.
  • ⁇ -SiAlON: Eu can be used as the phosphor that converts near-ultraviolet light into green light.
  • Examples of phosphors that convert near-ultraviolet light into blue light include (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ba) 3 MgSi 2. O 8 : Eu or the like can be used.
  • a phosphor layer that removes a wafer and converts it into red light, green light, or blue light is formed on a plurality of light emitting elements in units of subpixels. To arrange.
  • the manufacturing method of the display device 11 includes a wafer 20 in which a plurality of light emitting elements having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side are arranged in units of subpixels constituting one pixel, and the first conductivity. Connecting the plurality of light emitting elements and the substrate to each other by anisotropic conductive bonding by pressing the substrate electrode having the corresponding electrode corresponding to the mold electrode and the second conductivity type electrode through an anisotropic conductive adhesive, and And a member arranging step of arranging a phosphor layer to be converted into red light, green light, or blue light on a plurality of light emitting elements in units of subpixels.
  • symbol is attached
  • FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing a light-emitting element on the wafer
  • FIG. 3B is a cross-sectional view schematically showing a connection process between the light-emitting element and the substrate.
  • the light emitting elements 21, 22, and 23 are formed on the wafer 20 in an RGB subpixel array.
  • the wafer 20 is preferably a growth substrate such as a sapphire substrate, SiC substrate, GaN substrate, or Si substrate.
  • an anisotropic conductive adhesive is applied or pasted on the substrate 30, and the first conductive type electrode and the second conductive type electrode of the light emitting elements 21, 22, and 23 are aligned with the anisotropic conductive adhesive side.
  • the thermocompression bonding conditions are preferably a temperature of 150 ° C. to 260 ° C., a time of 10 seconds to 300 seconds, and a pressure of 10 MPa to 60 MPa.
  • the anisotropic conductive film 40 is formed by curing the anisotropic conductive adhesive.
  • a wafer on which a plurality of light emitting elements are formed may be mounted by alignment a plurality of times to make anisotropic conductive connection. Thereby, a large display device can be manufactured.
  • the anisotropic conductive adhesive is obtained by dispersing conductive particles 41 in a binder (adhesive component), and the shape thereof is a paste, a film, or the like, and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the average particle diameter of the conductive particles can be appropriately set according to the electrode size of the light emitting element, and is preferably 5 ⁇ m or less from the viewpoint of high definition.
  • the conductive particles it is preferable to use metal-coated resin particles and solder particles in combination.
  • the metal-coated resin particles are made of epoxy resin, phenol resin, acrylic resin, acrylonitrile / styrene (AS) resin, benzoguanamine resin, divinylbenzene resin, styrene resin, etc. Coated metal-coated resin particles. Since the metal-coated resin particles are easily crushed and easily deformed during compression, the contact area with the wiring pattern can be increased, and variations in the height of the wiring pattern can be absorbed.
  • the solder particles are, for example, Sn—Pb, Pb—Sn—Sb, Sn—Sb, Sn—Pb—Bi, Bi—Sn, Sn—Cu, as defined in JIS Z 3282-1999. It can be appropriately selected from the group, Sn—Pb—Cu system, Sn—In system, Sn—Ag system, Sn—Pb—Ag system, Pb—Ag system, etc. according to the electrode material, connection conditions, and the like. Further, the shape of the solder particles can be appropriately selected from granular, flake shaped, and the like.
  • the solder particles preferably have an average particle size smaller than that of the conductive particles, and the average particle size of the solder particles is preferably 20% or more and less than 100% of the average particle size of the conductive particles. If the solder particles are too small relative to the conductive particles, the solder particles are not captured between the terminals facing each other at the time of pressure bonding, and metal bonding is not performed, so that excellent heat dissipation characteristics and electrical characteristics cannot be obtained. On the other hand, if the solder particles are too large with respect to the conductive particles, for example, a shoulder touch due to the solder particles occurs at the edge portion of the LED chip, a leak occurs, and the product yield deteriorates.
  • an adhesive composition such as a thermosetting type, an ultraviolet curing type, and a combined heat / ultraviolet type known in conventional anisotropic conductive adhesives and anisotropic conductive films.
  • epoxy adhesives, acrylic adhesives, and the like can be used.
  • epoxy curing systems mainly composed of hydrogenated epoxy compounds, alicyclic epoxy compounds, heterocyclic epoxy compounds, etc.
  • An adhesive can be preferably used.
  • a hydrogenated epoxy compound such as a hydrogenated bisphenol A type epoxy resin that is excellent in light transmittance and fast curability.
  • trade name “YX8000” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation may be mentioned.
  • examples of the curing agent include an aluminum chelate curing agent, an acid anhydride, an imidazole compound, and dicyan.
  • an aluminum chelate curing agent that hardly changes the color of the cured product can be preferably used.
  • examples of the aluminum chelate-based curing agent described in JP2009-197206A include, for example, an aluminum chelating agent and a silanol compound formed on a porous resin obtained by interfacial polymerization of a polyfunctional isocyanate compound and radical polymerization of divinylbenzene. Is held.
  • FIG. 4A and 4B are cross-sectional views schematically showing the member placement step in the first embodiment, FIG. 4A shows the step of removing the wafer, and FIG. 4B shows the phosphor layer. The process to form is shown.
  • the wafer 20 is lifted off and the wafer 20 is removed.
  • a laser lift-off device is preferably used for lift-off of the wafer 20.
  • the pulsed high-density UV laser light passes through the wafer 20 and reaches the GaN layer, and GaN is decomposed into Ga and N 2 (nitrogen) over a depth of about 20 nm.
  • the wafer 20 can be peeled without damaging the structure.
  • a translucent resin containing a phosphor to be converted into red light, green light, or blue light is formed on the plurality of light emitting elements 21, 22, 23, that is, the first conductivity type.
  • the phosphor layers 51, 52, and 53 are formed by coating on the cladding layer 211.
  • the translucent resin an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be used.
  • an inkjet method or the like can be used for application of the light-transmitting resin including a phosphor.
  • light loss due to the wafer 20 can be improved by collectively mounting the light emitting elements on the wafer 20 and removing the wafer 20. Further, by forming the phosphor layers 51, 52, and 53 on the light emitting elements 21, 22, and 23 arranged in units of subpixels, a display device can be easily obtained.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the second embodiment.
  • the display device 12 according to the second embodiment has a wafer 20 on the opposite side of the direction in which the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode of the plurality of light emitting elements are formed, and the wavelength conversion member is A phosphor layer to be converted into red light, green light, or blue light is arranged on the wafer 20 in units of subpixels.
  • the display device 12 includes the wafer 20 and the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode on the opposite side of the wafer 20, and the light emitting elements 21 and 22 arranged in units of subpixels constituting one pixel. , 23, a substrate 31 having electrodes respectively corresponding to the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, and an anisotropic conductive film 40 for anisotropically conductively connecting the light emitting elements 21, 22, 23 and the substrate 30. And phosphor layers 51, 52, and 53 that are arranged on the wafer 20 in units of sub-pixels and convert red light, green light, and blue light, respectively.
  • symbol is attached
  • the phosphor layer to be converted into red light, green light, or blue light is arranged on the wafer in sub-pixel units in the member arranging step.
  • the manufacturing method of the display device 12 includes a wafer 20 in which a plurality of light emitting elements each having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side are arranged in units of subpixels constituting one pixel, and the first conductivity. Connecting the plurality of light emitting elements and the substrate to each other by anisotropic conductive bonding by pressing the substrate electrode having the corresponding electrode corresponding to the mold electrode and the second conductivity type electrode through an anisotropic conductive adhesive, and And a member disposing step of arranging phosphor layers to be converted into red light, green light, or blue light on the wafer 20 in units of subpixels.
  • symbol is attached
  • the connection process is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted here.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the second embodiment.
  • a translucent resin containing a phosphor to be converted into red light, green light, or blue light is applied on the wafer 20 to form phosphor layers 51, 52, 53.
  • the translucent resin an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be used.
  • an inkjet method or the like can be used for application of the light-transmitting resin including a phosphor.
  • the process of removing the wafer 20 can be omitted.
  • a display apparatus can be simply obtained only by forming the phosphor layers 51, 52, and 53 on the wafer 20 in units of subpixels after the connecting step.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the third embodiment.
  • the substrate 30 is a light-transmitting substrate, and the wavelength conversion member converts a phosphor layer that converts red light, green light, or blue light into a subpixel on the substrate 30. They are arranged in units.
  • the display device 13 includes the wafer 20 and the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode on the opposite side of the wafer 20, and the light emitting elements 21 and 22 arranged in units of subpixels constituting one pixel. , 23, and electrodes 30 corresponding to the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, respectively, and anisotropic conductive connection between the substrate 30, which is a translucent substrate, and the light emitting elements 21, 22, 23 and the substrate 30 An anisotropic conductive film 40 to be formed, and phosphor layers 51, 52, and 53 that are arranged on the substrate 30 in units of sub-pixels and convert red light, green light, and blue light, respectively.
  • symbol is attached
  • a high-luminance color screen can be obtained because there is no wire bond metal wiring or the like on the display side.
  • the substrate is a light-transmitting substrate, and the phosphor layer to be converted into red light, green light, or blue light is formed on the light-transmitting substrate in the member arranging step. They are arranged in units of subpixels.
  • the manufacturing method of the display device 13 includes a wafer 20 in which a plurality of light emitting elements each having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side are arranged in units of subpixels constituting one pixel, and the first conductivity.
  • a plurality of light-emitting elements and the substrate are anisotropically bonded to each other through an anisotropic conductive adhesive.
  • symbol is attached
  • the connection process is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted here.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the third embodiment.
  • a light-transmitting resin containing a phosphor to be converted into red light, green light, or blue light is applied on the substrate 30 to form phosphor layers 51, 52, and 53.
  • the translucent resin an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be used.
  • an inkjet method or the like can be used for application of the light-transmitting resin including a phosphor.
  • the process of removing the wafer can be omitted.
  • a display apparatus can be simply obtained only by forming the phosphor layers 51, 52, and 53 on the substrate 30 in units of subpixels after the connecting step.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the fourth embodiment.
  • the display device 14 according to the fourth embodiment includes a wafer 20 on the opposite side of the direction in which the plurality of light emitting elements are formed with the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, and converts the wavelength.
  • a member is disposed on the wafer 20, and a phosphor layer 60 that converts light from the light emitting elements 21, 22, and 23 into white light; and white light from the phosphor layer 60 is converted into red light in sub-pixel units.
  • a color filter 70 that converts the light into green light or blue light.
  • the display device 14 includes the wafer 20 and the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode on the opposite side of the wafer 20, and the light emitting elements 21 and 22 arranged in units of subpixels constituting one pixel. , 23, a substrate 30 having electrodes corresponding to the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, respectively, and an anisotropic conductive film 40 for anisotropically conductively connecting the light emitting elements 21, 22, 23 and the substrate 30.
  • the phosphor layer 60 is formed on the wafer 20 and converts the light from the light emitting elements 21, 22, and 23 into white light, and the white light from the phosphor layer 60 is converted into red light and green in subpixel units. And a color filter 70 that converts light into blue light.
  • symbol is attached
  • the phosphor layer 60 mixes the light emitted from the light emitting elements 21, 22, and 23 and the light emitted from the phosphor layer 60 to obtain white light.
  • the phosphors of the phosphor layer 60 include Y 3 Al 5 O 12 : Ce (YAG-based), CaGa 2 S 4 : Eu, SrSiO 4 : Eu, and the like. Can be used.
  • the light emitting elements 21, 22, and 23 are near-ultraviolet LEDs
  • two types of phosphors that convert near-ultraviolet light into yellow light and blue light can be used.
  • a phosphor that converts near-ultraviolet light into yellow light for example, Ca- ⁇ -SiAlON: Eu can be used.
  • Examples of phosphors that convert near-ultraviolet light into blue light include (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ba) 3 MgSi 2. O 8 : Eu or the like can be used.
  • the color filter 70 has colored layers 71, 72, and 73 that transmit red, green, and blue light on the base material, corresponding to the light emitting elements 21, 22, and 23 arranged in units of subpixels.
  • a transparent substrate such as glass or PET can be used.
  • a pigment system, a dye system, or the like can be used. Further, it is preferable to dispose a black matrix (BM) on the substrate to prevent color mixing.
  • BM black matrix
  • the wafer 20 may be lifted off, and the phosphor layer 60 may be provided on the light emitting elements 21, 22, 23 so that light from the light emitting elements 21, 22, 23 is efficiently emitted to the phosphor layer 60. .
  • a phosphor layer that converts light from the light emitting element into white light is formed on the wafer, and the white light is sublimated on the phosphor layer.
  • a color filter that converts red light, green light, or blue light in units of pixels is arranged.
  • the manufacturing method of the display device 14 includes a wafer 20 in which a plurality of light emitting elements having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side are arranged in units of subpixels constituting one pixel, and the first conductivity. Connecting the plurality of light emitting elements and the substrate to each other by anisotropic conductive bonding by pressing the substrate electrode having the corresponding electrode corresponding to the mold electrode and the second conductivity type electrode through an anisotropic conductive adhesive, and The phosphor layer 60 that converts light from the light emitting element into white light is formed on the wafer 20, and the white light is converted into red light, green light, or blue light in units of subpixels on the phosphor layer 60.
  • a member arranging step of arranging the filter 70 A member arranging step of arranging the filter 70.
  • symbol is attached
  • the connection process is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted here.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the fourth embodiment, FIG. 10A shows a step of forming a phosphor layer, and FIG. 10B shows a color filter. The process of arrange
  • a translucent resin containing a phosphor that converts light from the light emitting element into white light is applied on the wafer 20 to form a phosphor layer 60.
  • a translucent resin an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be used.
  • a spin coating method, an ink jet method, or the like can be used for application of the light-transmitting resin including a phosphor.
  • a color filter 70 is pasted on the phosphor layer 60.
  • the colored layers 71, 72, and 73 are arranged corresponding to the light emitting elements 21, 22, and 23 arranged in units of subpixels.
  • the step of removing the wafer 20 can be omitted.
  • a display apparatus can be obtained simply by forming the phosphor layer 60 on the wafer 20 and attaching the color filter 70 after the connecting step. The wafer 20 is lifted off, a phosphor sheet for converting white light and a color filter are attached to the light emitting elements 21, 22, and 23, and the phosphor layer 60 is provided on the light emitting elements 21, 22, and 23. May be.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the fifth embodiment.
  • the substrate 30 is a light-transmitting substrate
  • the wavelength conversion member is disposed on the substrate 30, and the light from the light emitting elements 21, 22, and 23 is converted into white light.
  • a color filter 70 that converts white light from the phosphor layer 60 into red light, green light, or blue light in units of subpixels.
  • the display device 15 includes the wafer 20 and the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode on the opposite side of the wafer 20, and the light emitting elements 21 and 22 arranged in units of subpixels constituting one pixel. , 23, and electrodes 30 corresponding to the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, respectively, and anisotropic conductive connection between the substrate 30, which is a translucent substrate, and the light emitting elements 21, 22, 23 and the substrate 30 An anisotropic conductive film 40 to be formed, a phosphor layer 60 that is formed on the substrate 30 and converts light from the light emitting elements 21, 22, and 23 into white light, and white light from the phosphor layer 60 is sub- And a color filter 70 that converts red light, green light, or blue light in pixel units.
  • symbol is attached
  • a high-luminance color screen can be obtained because there is no wire bond metal wiring or the like on the display side.
  • the substrate is a light-transmitting substrate, and a phosphor layer that converts light from the light-emitting element into white light is formed on the light-transmitting substrate in the member arranging step.
  • a color filter for converting white light into red light, green light, or blue light in units of subpixels is disposed on the phosphor layer.
  • the manufacturing method of the display device 15 includes a wafer 20 in which a plurality of light emitting elements having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side are arranged in units of subpixels constituting one pixel, and the first conductivity.
  • a plurality of light-emitting elements and the substrate are anisotropically bonded to each other through an anisotropic conductive adhesive.
  • symbol is attached
  • the connection process is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted here.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the fifth embodiment
  • FIG. 12 (A) shows a step of forming a phosphor layer
  • FIG. 12 (B) shows a color filter. The process of arrange
  • a light-transmitting resin containing a phosphor that converts light from the light emitting element into white light is applied on the substrate 30 to form the phosphor layer 60.
  • a translucent resin an epoxy resin, a silicone resin, or the like can be used.
  • a spin coating method, an ink jet method, or the like can be used for application of the light-transmitting resin including a phosphor.
  • a color filter 70 is pasted on the phosphor layer 60.
  • the colored layers 71, 72, and 73 are arranged corresponding to the light emitting elements 21, 22, and 23 arranged in units of subpixels.
  • the process of removing the wafer 20 can be omitted.
  • a display apparatus can be obtained simply by forming the phosphor layer 60 on the substrate 30 and attaching the color filter 70 after the connecting step.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the sixth embodiment.
  • the display device 16 according to the sixth embodiment includes a phosphor sheet in which a wavelength conversion member is formed by arranging phosphor layers that are converted into red light, green light, or blue light in units of subpixels.
  • a body sheet is arranged on a plurality of light emitting elements.
  • the display device 16 is arranged in units of subpixels constituting one pixel, and has light emitting elements 21, 22, and 23 having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side, a first conductivity type electrode, A substrate 31 having electrodes respectively corresponding to the second conductivity type electrodes, an anisotropic conductive film 40 for anisotropically connecting the light emitting elements 21, 22, 23 and the substrate 30, and the light emitting elements 21, 22, 23 And a phosphor sheet 80 in which phosphor layers 81, 82, 83 that are converted into red light, green light, or blue light are arranged in units of subpixels.
  • symbol is attached
  • the phosphor sheet 80 has phosphor layers 81, 82, and 83 that are converted into red light, green light, or blue light on the base material, corresponding to the light emitting elements 21, 22, and 23 arranged in subpixel units.
  • a transparent substrate such as glass or PET can be used.
  • the phosphor layers 81, 82, 83 the phosphors of the phosphor layers 51, 52, 53 described in the first embodiment can be used.
  • the phosphor is formed by arranging the phosphor layers to be converted into red light, green light, or blue light in units of sub-pixels in the member arranging step.
  • a sheet is disposed on a plurality of light emitting elements.
  • the manufacturing method of the display device 16 includes a wafer 20 in which a plurality of light emitting elements each having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side are arranged in units of subpixels constituting one pixel, and the first conductivity type.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the sixth embodiment.
  • the member arranging step first, the wafer 20 is lifted off and the wafer 20 is removed.
  • a laser lift-off device for lift-off of the wafer 20, it is preferable to use a laser lift-off device as in the first embodiment.
  • a phosphor sheet 80 in which phosphor layers 81, 82, 83 to be converted into red light, green light, or blue light are arranged in units of subpixels is formed into a plurality of light emitting elements 21. , 22, 23, that is, affixed on the first conductivity type cladding layer 211.
  • the colored layers 81, 82, and 83 are arranged corresponding to the light emitting elements 21, 22, and 23 that are arranged in units of subpixels.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the seventh embodiment.
  • the display device 17 according to the seventh embodiment includes a wafer 20 on a side opposite to the direction in which the plurality of light emitting elements are formed with the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, and a wavelength conversion member. Is provided on the wafer 20 and has a phosphor sheet in which phosphor layers that are converted into red light, green light, or blue light are arranged in units of sub-pixels.
  • the display device 17 includes the wafer 20 and the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode on the opposite side of the wafer 20, and the light emitting elements 21 and 22 arranged in units of subpixels constituting one pixel. , 23, a substrate 30 having electrodes corresponding to the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, respectively, and an anisotropic conductive film 40 for anisotropically conductively connecting the light emitting elements 21, 22, 23 and the substrate 30. And a phosphor sheet 80 that is arranged on the wafer 20 and is formed by arranging phosphor layers 81, 82, 83 that are converted into red light, green light, or blue light in units of subpixels.
  • symbol is attached
  • a phosphor sheet formed by arranging phosphor layers to be converted into red light, green light, or blue light in units of subpixels is formed on a wafer. It is to be placed on top.
  • the manufacturing method of the display device 17 includes a wafer 20 in which a plurality of light-emitting elements each having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side are arranged in units of subpixels constituting one pixel, and the first conductivity. Connecting the plurality of light emitting elements and the substrate to each other by anisotropic conductive bonding by pressing the substrate electrode having the corresponding electrode corresponding to the mold electrode and the second conductivity type electrode through an anisotropic conductive adhesive, and A member disposing step of disposing on the wafer 20 a phosphor sheet 80 in which phosphor layers to be converted into red light, green light, or blue light are arrayed in units of subpixels.
  • symbol is attached
  • the connection process is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted here.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the seventh embodiment.
  • a phosphor sheet 80 formed by arranging phosphor layers 81, 82, 83 to be converted into red light, green light, or blue light in units of subpixels is formed on the wafer 20.
  • the phosphor sheet 80 is affixed, the phosphor layers 81, 82, and 83 are disposed in correspondence with the light emitting elements 21, 22, and 23 that are disposed in units of subpixels.
  • the process of removing the wafer 20 can be omitted.
  • a display apparatus can be simply obtained only by sticking the fluorescent substance sheet 80 on the light emitting elements 21, 22, and 23 after a connection process.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to the eighth embodiment.
  • the substrate 30 is a light-transmitting substrate, and the wavelength conversion member is disposed on the substrate 30 to convert the light into red light, green light, or blue light. It has a phosphor sheet formed by arranging body layers in units of subpixels.
  • the display device 18 includes the wafer 20 and the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode on the opposite side of the wafer 20, and the light emitting elements 21 and 22 arranged in units of subpixels constituting one pixel. , 23, and electrodes 30 corresponding to the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, respectively, and anisotropic conductive connection between the substrate 30, which is a translucent substrate, and the light emitting elements 21, 22, 23 and the substrate 30 An anisotropic conductive film 40 to be formed, and a phosphor sheet 80 that is arranged on the substrate 30 and is formed by arranging phosphor layers 81, 82, and 83 to be converted into red light, green light, or blue light in units of subpixels. Is provided.
  • symbol is attached
  • a high-luminance color screen can be obtained because there is no wire bond metal wiring or the like on the display side.
  • the substrate is a light-transmitting substrate, and the phosphor layers that are converted into red light, green light, or blue light are arranged in sub-pixel units in the member arranging step.
  • the phosphor sheet is arranged on a substrate.
  • the manufacturing method of the display device 18 includes a wafer 20 in which a plurality of light emitting elements having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode on one side are arranged in units of subpixels constituting one pixel, and the first conductivity.
  • a plurality of light-emitting elements and the substrate are anisotropically bonded to each other through an anisotropic conductive adhesive.
  • a member that arranges on the substrate 30 a phosphor sheet 80 in which phosphor layers 81, 82, and 83 that are converted into red light, green light, or blue light are arranged in units of subpixels.
  • symbol is attached
  • the connection process is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted here.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view schematically showing a member arranging step in the eighth embodiment.
  • a phosphor sheet 80 formed by arranging phosphor layers 81, 82, 83 to be converted into red light, green light, or blue light in units of subpixels is formed on the substrate 30.
  • the phosphor sheet 80 is affixed, the phosphor layers 81, 82, and 83 are disposed in correspondence with the light emitting elements 21, 22, and 23 that are disposed in units of subpixels.
  • the process of removing the wafer 20 can be omitted.
  • a display apparatus can be simply obtained only by sticking the fluorescent substance sheet 80 on the board
  • the light emitting device is arranged in an array formed on a wafer, and has a plurality of light emitting elements having at least one of a first conductivity type electrode or a second conductivity type electrode on a first surface, A substrate having an electrode corresponding to the electrode on the first surface of the light emitting element, and an anisotropic conductive film for anisotropically conductively connecting the electrodes on the first surface of the plurality of light emitting elements and the electrodes on the substrate.
  • the light-emitting device is an LED array in which a plurality of light-emitting elements are arranged in the above-described embodiment. According to such a light-emitting device, high-definition surface light emission can be realized because of high definition.
  • the method for manufacturing a light emitting device includes a wafer in which a plurality of light emitting elements having at least one of a first conductivity type electrode or a second conductivity type electrode are arranged on a first surface, and a plurality of light emission elements
  • a substrate having an electrode corresponding to the electrode on the first surface is pressure-bonded via an anisotropic conductive adhesive, and the electrodes on the first surface of the plurality of light emitting elements and the electrodes on the substrate are anisotropically conductively connected. Is.
  • the method for manufacturing a light emitting device uses a wafer in which a plurality of light emitting elements having at least one of the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode are arranged on the first surface in the above-described embodiment. It is a connection process. According to such a method for manufacturing a light emitting device, a high-luminance LED array can be easily obtained simply by using an anisotropic conductive adhesive.

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Abstract

高輝度化及び高精細化を実現する表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法を提供する。１画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子（２１）、（２２）、（２３）と、複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板（３０）と、複数の発光素子の第１面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜（４０）と、サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材とを備える。

Description

表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法
　本発明は、複数の発光素子を備える表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法に関する。本出願は、日本国において２０１６年３月２日に出願された日本特許出願番号特願２０１６－０４０５２９を基礎として優先権を主張するものであり、この出願は参照されることにより、本出願に援用される。
　微小な発光素子を基板上に配列してなるマイクロＬＥＤ（Light Emitting Diode）ディスプレイが提案されている。マイクロＬＥＤディスプレイは、一般的な液晶ディスプレイに必要とされるバックライトが省略可能となるためディスプレイ自体の薄型化が図れるほか、さらなる広色域化、高精細化、及び省電力化を実現することが可能となる。
　特許文献１には、赤、青、緑の発光素子をそれぞれピックアップして運搬し、赤、青、緑の発光素子をアライメント実装し、発光素子と基板とを金属接合させることが記載されている。
　また、非特許文献１には、ウエハ上に発光素子を形成し、格子状に隣り合ったＰ極又はＮ極同士を金ワイヤーで電気的に接続し、その上にそれぞれ赤、青、緑の量子ドット蛍光体を含む樹脂を塗布することが記載されている。
特表２０１５－５００５６２号公報
Resonant-enhanced full-color emission of quantum-dot-based micro LED display technology, Optics Express, Vol.23, Issue 25, pp.32504-32515 (2015).
　特許文献１に記載の方法では、実装に時間が掛かるため、スループットが非常に悪く、また、アライメントずれにより歩留まりも良くない。また、発光素子をピックアップしてアライメントするため、発光素子の間隔が大きくなり、高精細化が困難である。
　また、非特許文献１に記載の方法では、多数のワイヤーボンドが必要となるため、スループットが悪く、また、極小電極へのワイヤーボンドとなるため、歩留まりも良くない。さらに、発光面上に電極及びワイヤーが存在するため、光取り出し効率が低下し、高輝度化が困難である。
　本発明は、前述した課題を解決するものであり、高輝度化及び高精細化を実現する表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法を提供する。
　本発明者は、鋭意検討を行った結果、異方性導電接着剤を用いることにより、ウエハ上に形成された配置にて複数の発光素子を一括実装することができ、高輝度化及び高精細化が可能であることを見出した。
　すなわち、本発明に係る表示装置は、１画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板と、前記複数の発光素子の第１面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜と、前記サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材とを備える。
　また、本発明に係る表示装置の製造方法は、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハと、前記複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、前記複数の発光素子の第１面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる接続工程と、前記サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材を配置する部材配置工程とを有する。
　また、本発明に係る発光装置は、ウエハに形成された配列で配置され、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板と、前記複数の発光素子の第１面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜とを備える。
　また、本発明に係る発光装置の製造方法は、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハと、前記複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、前記複数の発光素子の第１面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる。
　本発明によれば、異方性導電接着剤を用いることにより、発光素子がウエハ上に形成された配置にて複数の発光素子を一括実装することができ、高輝度化及び高精細化を実現することができる。
図１は、第１の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。 図２は、１つの発光素子の実装例を模式的に示す断面図である。 図３（Ａ）は、ウエハ上の発光素子を模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、発光素子と基板との接続工程を模式的に示す断面図である。 図４は、第１の実施の形態に部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図４（Ａ）は、ウエハを除去する工程を示し、図４（Ｂ）は、蛍光体層を形成する工程を示す。 図５は、第２の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。 図６は、第２の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。 図７は、第３の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。 図８は、第３の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。 図９は、第４の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。 図１０は、第４の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図１０（Ａ）は、蛍光体層を形成する工程を示し、図１０（Ｂ）は、カラーフィルタを配置する工程を示す。 図１１は、第５の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。 図１２は、第５の実施の形態に部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図１２（Ａ）は、蛍光体層を形成する工程を示し、図１２（Ｂ）は、カラーフィルタを配置する工程を示す。 図１３は、第６の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。 図１４は、第６の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。 図１５は、第７の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。 図１６は、第７の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。 図１７は、第８の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。 図１８は、第８の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。本実施の形態に係る表示装置は、１画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板と、複数の発光素子の第１面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜と、サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材とを備える。
　発光素子は、例えばｐ側の第１導電型電極と例えばｎ側の第２導電型電極とが同一側に配置された水平構造であっても、例えばｐ側の第１導電型電極と例えばｎ側の第２導電型電極とがエピタキシャル層を介して相互に対向して配置された垂直構造であってもよい。
　発光素子が水平構造である場合、第１導電型電極及び第２導電型電極の両電極を基板の電極と異方性導電接続させても、第１導電型電極又は第２導電型電極のいずれか一方の電極のみを基板の電極と異方性導電接続させてもよい。第１導電型電極又は第２導電型電極のいずれか一方の電極のみを基板の電極と異方性導電接続させる場合、例えば隣接する発光素子のｎ側の電極を接続したパターンを、例えばマトリクス配線のデータ線又はアドレス線として形成し、そのパターンを絶縁膜で被覆したものであることが好ましい。
　発光素子が垂直構造である場合、第１導電型電極又は第２導電型電極のいずれか一方の電極のみを基板の電極と異方性導電接続させ、他方の電極を透明電極として、例えばマトリクス配線のデータ線又はアドレス線のパターンとして形成することが好ましい。
　サブピクセル（副画素）は、例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３個で１画素を構成しても、ＲＧＢＷ（白）、ＲＧＢＹ（黄）の４個で１画素を構成しても、ＲＧ、ＧＢの２個で１画素を構成してもよい。また、隣接するサブピクセルによる混色を防ぐため、隣接する発光素子間がブラックマトリクス（ＢＭ）で被覆されていることが好ましい。
　また、本実施の形態に係る表示装置の製造方法は、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハと、複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子の第１面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる接続工程と、サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材を配置する部材配置工程とを有する。
　本実施の形態では、異方性導電接着剤を用いることにより、発光素子がウエハ上にサブピクセル単位で形成された配置にて複数の発光素子を一括実装することができ、高輝度化及び高精細化を実現することができる。また、ウエハ上の発光素子を一括実装するため、実装時間が短縮され、スループット及び歩留りを大幅に改善することができる。
　以下、実施の形態として、サブピクセルとしてＲＧＢの３色を１画素とし、水平構造の発光素子を用いた例を挙げて説明する。
　＜１．第１の実施の形態＞
　［第１の実施の形態に係る表示装置］
　図１は、第１の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第１の実施の形態に係る表示装置１１は、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
　すなわち、表示装置１１は、１画素を構成するサブピクセル単位で配置され、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する発光素子２１、２２、２３と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板３０と、発光素子２１、２２、２３と基板３０とを異方性導電接続させる異方性導電膜４０と、発光素子２１、２２、２３上にサブピクセル単位で配列され、赤色光、緑色光、青色光にそれぞれ変換する蛍光体層５１、５２、５３とを備える。
　発光素子２１、２２、２３は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する所謂フリップチップ型のＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。発光素子２１、２２、２３は、紫外光～青色光を発光することが好ましく、そのピーク波長は２００ｎｍ～５００ｎｍの範囲であることが好ましい。発光素子２１、２２、２３の大きさは、表示パネルの大きさに合わせて適宜設定することができ、矩形の長辺が０．５ｍｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以下、より好ましくは０．０１ｍｍ以下である。例えば、０．００５ｍｍ×０．００５ｍｍのサイズのＬＥＤを設計し、１画素を９個のＬＥＤで設計した場合において、３８４０画素×２１６０画素を設計した場合、画面サイズは５７．６ｍｍ×３２．４ｍｍであり、３インチ以上のウエハを用いることにより、表示装置を実現することができる。
　発光素子２１、２２、２３は、例えば、１画素を構成するＲＧＢの３色の各サブピクセルに対応して基板３０上に配列され、ＬＥＤアレイを構成する。ＲＧＢのサブピクセルの配列方法としては、ストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列などが挙げられる。ストライプ配列は、ＲＧＢを縦ストライプ状に配列したものであり、高精細化を図ることができる。また、モザイク配列は、ＲＧＢの同一色を斜めに配置したものであり、ストライプ配列より自然な画像を得ることができる。また、デルタ配列は、ＲＧＢを三角形に配列し、各ドットがフィールド毎に半ピッチずれたものであり、自然な画像表示を得ることができる。
　図２は、１つの発光素子の実装例を模式的に示す断面図である。発光素子２１は、例えばｎ－ＧａＮからなる第１導電型クラッド層２１１と、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ層からなる活性層２１２と、例えばｐ－ＧａＮからなる第２導電型クラッド層２１３とを備え、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。また、パッシベーション層２１４により第１導電型クラッド層２１１の一部に形成された第１導電型電極２１１ａと、第２導電型クラッド層２１３の一部に形成された第２導電型電極２１３ａとを備える。第１導電型電極２１１ａと第２導電型電極２１３ａとの間に電圧が印加されると、活性層２１２にキャリアが集中し、再結合することにより発光が生じる。
　基板３０は、基材３１上に第１導電型用回路パターン３２と、第２導電型用回路パターン３３とを備え、発光素子２１の第１導電型電極２１１ａ及び第２導電型電極２１３ａに対応する位置にそれぞれ電極を有する。また、基板３０は、例えばマトリクス配線のデータ線、アドレス線などの回路パターンを形成し、各サブピクセルに対応する発光素子をオンオフ可能とする。
　基板３０は、透光基板であることが好ましい。基材３０が透光基板である場合、基材３１は、ガラス、ＰＥＴ（polyethylene terephthalate）などの透明基材であることが好ましく、第１導電型用回路パターン３２、第２導電型用回路パターン３３、及びその電極は、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＺｎＯ（Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）などの透明導電膜であることが好ましい。基板３０が透光基板であることにより、基板３０側を表示面（発光面）とすることが可能となる。
　異方性導電膜４０は、後述する異方性導電接着剤が硬化したものであり、発光素子２１の端子（電極２１１ａ、２１３ａ）と基板３０の端子（電極）との間に導電性粒子４１が捕捉されることにより、発光素子２１と基板３０とが異方性導電接続される。導電性粒子４１としては、樹脂コア金属被覆導電性粒子、ハンダ粒子などの金属粒子を用いることができ、また、２種以上の金属粒子を用いることができる。また、導電性粒子４１の平均粒径は、発光素子２１、２２、２３の電極サイズに合わせて適宜設定することができ、高精細化の観点から、５μｍ以下であることが好ましい。
　蛍光体層５１、５２、５３は、発光素子２１、２２、２３からの光をそれぞれ赤色光、緑色光、青色光に変換する。蛍光体層５１、５２、５３の蛍光体としては、耐熱性の高い窒化物系、酸窒化物系を用いることが好ましい。また、蛍光体として、紫外光や青色光に反応して、量子ドットの粒径に応じた色の光を発する量子ドットを用いることが好ましい。なお、発光素子２１、２２、２３が青色光の場合、青色光に変換する蛍光体層を配さず、透過させればよい。
　発光素子２１、２２、２３が青色ＬＥＤの場合、青色光を赤色光に変換する蛍光体を含有するＲ蛍光体層と、青色光を緑色光に変換する蛍光体を含有するＧ蛍光体層とが配列される。青色光を赤色光に変換する蛍光体としては、例えば（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどを用いることができる。青色光を緑色光に変換する蛍光体としては、例えばＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、（Ｓｉ，Ａｌ）６（Ｏ，Ｎ）８：Ｅｕなどを用いることができる。
　また、発光素子２１、２２、２３が近紫外光の場合、近紫外光を赤色光に変換する蛍光体を含有するＲ蛍光体層と、近紫外光を緑色光に変換する蛍光体を含有するＧ蛍光体層と、近紫外光を青色光に変換する蛍光体を含有するＢ蛍光体層とが配列される。近紫外光を赤色光に変換する蛍光体としては、例えばＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕなどを用いることができる。近紫外光を緑色光に変換する蛍光体としては、例えばβ－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕなどを用いることができる。近紫外光を青色光に変換する蛍光体としては、例えば（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕなどを用いることができる。
　このような表示装置１１によれば、発光素子２１、２２、２３からの光が効率よく蛍光体層に放出されるため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
　［第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法］
　第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列するものである。
　すなわち、表示装置１１の製造方法は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ２０と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板３０とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列する部材配置工程とを有する。なお、表示装置１１と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
　図３（Ａ）は、ウエハ上の発光素子を模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、発光素子と基板との接続工程を模式的に示す断面図である。図３（Ａ）に示すように、発光素子２１、２２、２３は、ウエハ２０上にＲＧＢサブピクセルの配列で形成されている。ウエハ２０は、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、Ｓｉ基板などの成長基板であることが好ましい。
　次に、基板３０上に異方性導電接着剤を塗布又は貼付し、発光素子２１、２２、２３の第１導電型電極と第２導電型電極とを異方性導電接着剤側にしてアライメント搭載し、ウエハ２０上から押圧する。例えば、異方性導電接着剤が熱硬化性である場合、熱圧着条件としては、例えば、温度１５０℃～２６０℃、時間１０秒～３００秒、圧力１０ＭＰａ～６０ＭＰａであることが好ましい。異方性導電接着剤が硬化することにより、異方性導電膜４０が形成される。
　また、複数の発光素子が形成されたウエハを複数回アライメント搭載して異方性導電接続させてもよい。これにより、大型の表示装置を製造することができる。
　異方性導電接着剤は、導電性粒子４１がバインダー（接着剤成分）中に分散されたものであり、その形状は、ペースト、フィルムなどであり、目的に応じて適宜選択することができる。
　導電性粒子の平均粒径は、発光素子の電極サイズに合わせて適宜設定することができ、高精細化の観点から、５μｍ以下であることが好ましい。導電性粒子としては、金属被覆樹脂粒子とはんだ粒子とを併用することが好ましい。
　金属被覆樹脂粒子は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の樹脂粒子の表面をＡｕ、Ｎｉ、Ｚｎ等の金属で被覆した金属被覆樹脂粒子である。金属被覆樹脂粒子は、圧縮時に潰れやすく、変形し易いため、配線パターンとの接触面積を大きくでき、また、配線パターンの高さのバラツキを吸収することができる。
　また、はんだ粒子は、例えばＪＩＳ Ｚ ３２８２－１９９９に規定されている、Ｓｎ－Ｐｂ系、Ｐｂ－Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｂｉ系、Ｂｉ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系、Ｐｂ－Ａｇ系などから、電極材料、接続条件などに応じて適宜選択することができる。また、はんだ粒子の形状は、粒状、燐片状などから適宜選択することができる。また、はんだ粒子は、導電性粒子よりも平均粒径が小さいことが好ましく、はんだ粒子の平均粒径は、導電性粒子の平均粒径の２０％以上１００％未満であることが好ましい。はんだ粒子が導電性粒子に対して小さすぎると、圧着時にはんだ粒子が対向する端子間に捕捉されず、金属結合しないため、優れた放熱特性及び電気特性を得ることができない。一方、はんだ粒子が導電性粒子に対して大きすぎると、例えばＬＥＤチップのエッジ部分ではんだ粒子によるショルダータッチが発生してリークが発生し、製品の歩留りが悪くなる。
　接着成分としては、従来の異方性導電接着剤や異方性導電フィルムにおいて知られている熱硬化型、紫外線硬化型、熱・紫外線併用型などの接着剤組成物を用いることができる。接着剤組成物としては、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤などを用いることができ、中でも、水素添加エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、複素環系エポキシ化合物などを主成分としたエポキシ硬化系接着剤を好ましく用いることができる。これらの中でも、光透過性、速硬化性に優れる水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などの水素添加エポキシ化合物を用いることが好ましい。水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の具体例として、三菱化学社製の商品名「ＹＸ８０００」を挙げることができる。
　また、硬化剤としては、アルミキレート系硬化剤、酸無水物、イミダゾール化合物、ジシアンなどを挙げることができる。これらの中でも、硬化物を変色させ難いアルミキレート系硬化剤を好ましく使用できる。アルミキレート系硬化剤としては、特開２００９－１９７２０６号公報に記載された、例えば多官能イソシアネート化合物を界面重合させると同時にジビニルベンゼンをラジカル重合させて得た多孔性樹脂にアルミニウムキレート剤及びシラノール化合物が保持されているものが挙げられる。
　図４は、第１の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図４（Ａ）は、ウエハを除去する工程を示し、図４（Ｂ）は、蛍光体層を形成する工程を示す。
　図４（Ａ）に示すように、部材配置工程では、先ず、ウエハ２０をリフトオフさせ、ウエハ２０を除去する。ウエハ２０のリフトオフには、レーザリフトオフ装置を用いることが好ましい。レーザリフトオフ装置を用いることにより、パルス発振される高密度ＵＶレーザ光がウエハ２０を透過してＧａＮ層に到達し、約２０ｎｍの深さにわたってＧａＮがＧａとＮ２（窒素）に分解され、ＬＥＤ構造にダメージを与えることなく、ウエハ２０を剥離することができる。
　次に、図４（Ｂ）に示すように、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂を複数の発光素子２１、２２、２３上、すなわち第１導電型クラッド層２１１上に塗布し、蛍光体層５１、５２、５３を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、インクジェット法などを用いることができる。
　このような表示装置１１の製造方法によれば、ウエハ２０上の発光素子を一括実装し、ウエハ２０を除去することにより、ウエハ２０による光の損失を改善することができる。また、サブピクセル単位で配列された発光素子２１、２２、２３上に蛍光体層５１、５２、５３を形成することにより、簡便に表示装置を得ることができる。
　＜２．第２の実施の形態＞
　［第２の実施の形態に係る表示装置］
　図５は、第２の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第２の実施の形態に係る表示装置１２は、複数の発光素子の第１導電型電極と第２導電型電極とが形成された方向の反対側にウエハ２０を有し、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をウエハ２０上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
　すなわち、表示装置１２は、ウエハ２０と、ウエハ２０の反対側に第１導電型電極と第２導電型電極とを有し、１画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板３１と、発光素子２１、２２、２３と基板３０とを異方性導電接続させる異方性導電膜４０と、ウエハ２０上にサブピクセル単位で配列され、赤色光、緑色光、青色光にそれぞれ変換する蛍光体層５１、５２、５３とを備える。なお、第１の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
　このような表示装置１２によれば、ウエハ２０による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
　［第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法］
　第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をウエハ上にサブピクセル単位で配列するものである。
　すなわち、表示装置１２の製造方法は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ２０と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板３０とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をウエハ２０上にサブピクセル単位で配列する部材配置工程とを有する。なお、表示装置１２と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図６は、第２の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。図６に示すように、部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂をウエハ２０上に塗布し、蛍光体層５１、５２、５３を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、インクジェット法などを用いることができる。
　このような表示装置１２の製造方法によれば、ウエハ２０を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、ウエハ２０上にサブピクセル単位で蛍光体層５１、５２、５３を形成するだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
　＜３．第３の実施の形態＞
　［第３の実施の形態に係る表示装置］
　図７は、第３の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第３の実施の形態に係る表示装置１３は、基板３０が、透光基板であり、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を基板３０上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
　すなわち、表示装置１３は、ウエハ２０と、ウエハ２０の反対側に第１導電型電極と第２導電型電極とを有し、１画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する電極を有し、透光基板である基板３０と、発光素子２１、２２、２３と基板３０とを異方性導電接続させる異方性導電膜４０と、基板３０上にサブピクセル単位で配列され、赤色光、緑色光、青色光にそれぞれ変換する蛍光体層５１、５２、５３とを備える。なお、第１の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
　このような表示装置１３によれば、接続部による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
　［第３の実施の形態に係る表示装置の製造方法］
　第３の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を透光基板上にサブピクセル単位で配列するものである。
　すなわち、表示装置１３の製造方法は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ２０と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有し、透光基板である基板３０とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を基板３０上にサブピクセル単位で配列する部材配置工程とを有する。なお、表示装置１３と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図８は、第３の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。図８に示すように、部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂を基板３０上に塗布し、蛍光体層５１、５２、５３を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、インクジェット法などを用いることができる。
　このような表示装置１３の製造方法によれば、ウエハを除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、基板３０上にサブピクセル単位で蛍光体層５１、５２、５３を形成するだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
　＜４．第４の実施の形態＞
　［第４の実施の形態に係る表示装置］
　図９は、第４の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第４の実施の形態に係る表示装置１４は、複数の発光素子が、第１導電型電極と前記第２導電型電極とが形成された方向の反対側に、ウエハ２０を有し、波長変換部材が、ウエハ２０上に配置されてなり、発光素子２１、２２、２３からの光を白色光に変換させる蛍光体層６０と、蛍光体層６０からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ７０とを有するものである
　すなわち、表示装置１４は、ウエハ２０と、ウエハ２０の反対側に第１導電型電極と第２導電型電極とを有し、１画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板３０と、発光素子２１、２２、２３と基板３０とを異方性導電接続させる異方性導電膜４０と、ウエハ２０上に形成されてなり、発光素子２１、２２、２３からの光を白色光に変換させる蛍光体層６０と、蛍光体層６０からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ７０とを備える。なお、第１の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
　蛍光体層６０は、発光素子２１、２２、２３から出射される光と、蛍光体層６０から出射される光を混色して白色光を得る。例えば、発光素子２１、２２、２３が青色ＬＥＤの場合、蛍光体層６０の蛍光体としては、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ系）、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕなどを用いることができる。
　また、例えば、発光素子２１、２２、２３が近紫外ＬＥＤの場合、近紫外光を黄色光及び青色光に変換する２種類の蛍光体を用いることができる。近紫外光を黄色光に変換する蛍光体として、例えばＣａ－α－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕなどを用いることができる。近紫外光を青色光に変換する蛍光体としては、例えば（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕなどを用いることができる。
　カラーフィルタ７０は、サブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３に対応させて、基材上に赤色、緑色、青色の光を透過させる着色層７１、７２、７３を有する。基材としては、ガラス、ＰＥＴなどの透明基材を用いることができる。着色層７１、７２、７３としては、顔料系、染色料系などを用いることができる。また、基材上にブラックマトリックス（ＢＭ）を基板上に配置し、混色を防ぐことが好ましい。
　このような表示装置１４によれば、ウエハ２０による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。なお、ウエハ２０をリフトオフし、発光素子２１、２２、２３上に蛍光体層６０を設け、発光素子２１、２２、２３からの光が効率よく蛍光体層６０に放出されるようにしてもよい。
　［第４の実施の形態に係る表示装置の製造方法］
　第４の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層をウエハ上に形成し、蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置するものである。
　すなわち、表示装置１４の製造方法は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ２０と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板３０とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層６０をウエハ２０上に形成し、蛍光体層６０上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ７０を配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置１４と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１０は、第４の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図１０（Ａ）は、蛍光体層を形成する工程を示し、図１０（Ｂ）は、カラーフィルタを配置する工程を示す。
　図１０（Ａ）に示すように、部材配置工程では、先ず、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂をウエハ２０上に塗布し、蛍光体層６０を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、スピンコート法、インクジェット法などを用いることができる。
　次に、図１０（Ｂ）に示すように、蛍光体層６０上にカラーフィルタ７０を貼り付ける。カラーフィルタ７０を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３に対応させて着色層７１、７２、７３を配置する。
　このような表示装置１４の製造方法によれば、ウエハ２０を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、ウエハ２０上に蛍光体層６０を形成し、カラーフィルタ７０を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。なお、ウエハ２０をリフトオフし、発光素子２１、２２、２３上に白色光に変換する蛍光体シートとカラーフィルタとを貼り付け、発光素子２１、２２、２３上に蛍光体層６０を設けるようにしてもよい。
　＜５．第５の実施の形態＞
　［第５の実施の形態に係る表示装置］
　図１１は、第５の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第５の実施の形態に係る表示装置１５は、基板３０が、透光基板であり、波長変換部材が、基板３０上に配置されてなり、発光素子２１、２２、２３からの光を白色光に変換させる蛍光体層６０と、蛍光体層６０からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ７０とを有するものである
　すなわち、表示装置１５は、ウエハ２０と、ウエハ２０の反対側に第１導電型電極と第２導電型電極とを有し、１画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する電極を有し、透光基板である基板３０と、発光素子２１、２２、２３と基板３０とを異方性導電接続させる異方性導電膜４０と、基板３０上に形成されてなり、発光素子２１、２２、２３からの光を白色光に変換させる蛍光体層６０と、蛍光体層６０からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ７０とを備える。なお、第４の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
　このような表示装置１５によれば、接続部による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
　［第５の実施の形態に係る表示装置の製造方法］
　第５の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層を透光基板上に形成し、蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置するものである。
　すなわち、表示装置１５の製造方法は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ２０と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有し、透光基板である基板３０とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層６０を基板３０上に形成し、蛍光体層６０上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ７０を配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置１５と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１２は、第５の実施の形態に部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図１２（Ａ）は、蛍光体層を形成する工程を示し、図１２（Ｂ）は、カラーフィルタを配置する工程を示す。
　図１２（Ａ）に示すように、部材配置工程では、先ず、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂を基板３０上に塗布し、蛍光体層６０を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、スピンコート法、インクジェット法などを用いることができる。
　次に、図１２（Ｂ）に示すように、蛍光体層６０上にカラーフィルタ７０を貼り付ける。カラーフィルタ７０を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３に対応させて着色層７１、７２、７３を配置する。
　このような表示装置１５の製造方法によれば、ウエハ２０を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、基板３０上に蛍光体層６０を形成し、カラーフィルタ７０を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
　＜６．第６の実施の形態＞
　［第６の実施の形態に係る表示装置］
　図１３は、第６の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第６の実施の形態に係る表示装置１６は、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有し、蛍光体シートが、複数の発光素子上に配置されてなるものである。
　すなわち、表示装置１６は、１画素を構成するサブピクセル単位で配置され、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する発光素子２１、２２、２３と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板３１と、発光素子２１、２２、２３と基板３０とを異方性導電接続させる異方性導電膜４０と、発光素子２１、２２、２３上に配置され、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層８１、８２、８３をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート８０とを備える。なお、第１の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
　蛍光体シート８０は、サブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３に対応させて、基材上に赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層８１、８２、８３を有する。基材としては、ガラス、ＰＥＴなどの透明基材を用いることができる。蛍光体層８１、８２、８３としては、第１の実施の形態で説明した蛍光体層５１、５２、５３の蛍光体を用いることができる。
　このような表示装置１６によれば、発光素子２１、２２、２３からの光が効率よく蛍光体層に放出されるため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
　［第６の実施の形態に係る表示装置の製造方法］
　第６の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、複数の発光素子上に配置するものである。
　すなわち、表示装置１６の製造方法は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ２０と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板３０とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、複数の発光素子上に配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置１６と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１４は、第６の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。部材配置工程では、先ず、ウエハ２０をリフトオフさせ、ウエハ２０を除去する。ウエハ２０のリフトオフには、第１の実施の形態と同様に、レーザリフトオフ装置を用いることが好ましい。
　次に、図１４に示すように、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層８１、８２、８３をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート８０を、複数の発光素子２１、２２、２３上、すなわち第１導電型クラッド層２１１上に貼り付ける。蛍光体シート８０を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３に対応させて着色層８１、８２、８３を配置する。
　このような表示装置１６の製造方法によれば、接続工程後、ウエハ２０をリフトオフし、発光素子２１、２２、２３上に蛍光体シート８０を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
　＜７．第７の実施の形態＞
　［第７の実施の形態に係る表示装置］
　図１５は、第７の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第７の実施の形態に係る表示装置１７は、複数の発光素子が、第１導電型電極と第２導電型電極とが形成された方向の反対側に、ウエハ２０を有し、波長変換部材が、ウエハ２０上に配置されてなり、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有するものである。
　すなわち、表示装置１７は、ウエハ２０と、ウエハ２０の反対側に第１導電型電極と第２導電型電極とを有し、１画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板３０と、発光素子２１、２２、２３と基板３０とを異方性導電接続させる異方性導電膜４０と、ウエハ２０上に配置され、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層８１、８２、８３をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート８０とを備える。なお、第６の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
　このような表示装置１７によれば、ウエハ２０による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
　［第７の実施の形態に係る表示装置の製造方法］
　第７の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、ウエハ上に配置するものである。
　すなわち、表示装置１７の製造方法は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ２０と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板３０とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート８０を、ウエハ２０上に配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置１７と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１６は、第７の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。図１６に示すように、部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層８１、８２、８３をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート８０を、ウエハ２０上に貼り付ける。蛍光体シート８０を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３に対応させて蛍光層８１、８２、８３を配置する。
　このような表示装置１７の製造方法によれば、ウエハ２０を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、発光素子２１、２２、２３上に蛍光体シート８０を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
　＜８．第８の実施の形態＞
　［第８の実施の形態に係る表示装置］
　図１７は、第８の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第８の実施の形態に係る表示装置１８は、基板３０が、透光基板であり、波長変換部材が、基板３０上に配置されてなり、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有するものである。
　すなわち、表示装置１８は、ウエハ２０と、ウエハ２０の反対側に第１導電型電極と第２導電型電極とを有し、１画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する電極を有し、透光基板である基板３０と、発光素子２１、２２、２３と基板３０とを異方性導電接続させる異方性導電膜４０と、基板３０上に配置され、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層８１、８２、８３をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート８０とを備える。なお、第６の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
　このような表示装置１８によれば、接続部による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
　［第８の実施の形態に係る表示装置の製造方法］
　第８の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、基板上に配置するものである。
　すなわち、表示装置１８の製造方法は、片面に第１導電型電極と第２導電型電極とを有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ２０と、第１導電型電極と第２導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有し、透光基板である基板３０とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層８１、８２、８３をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート８０を、基板３０上に配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置１８と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１８は、第８の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。図１８に示すように、部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層８１、８２、８３をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート８０を、基板３０上に貼り付ける。蛍光体シート８０を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子２１、２２、２３に対応させて蛍光層８１、８２、８３を配置する。
　このような表示装置１８の製造方法によれば、ウエハ２０を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、基板３０上に蛍光体シート８０を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
　＜９．第９の実施の形態＞
　［発光装置］
　本実施の形態に係る発光装置は、ウエハに形成された配列で配置され、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板と、複数の発光素子の第１面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜とを備える。
　すなわち、発光装置は、前述の実施の形態において、複数の発光素子が配列されたＬＥＤアレイである。このような発光装置によれば、高精細であるため、高輝度な面発光を実現することができる。
　［発光装置の製造方法］
　本実施の形態に係る発光装置の製造方法は、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハと、複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子の第１面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させるものである。
　すなわち、発光装置の製造方法は、前述の実施の形態において、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハを用いた接続工程である。このような発光装置の製造方法によれば、異方性導電接着剤を用いるだけで、高輝度なＬＥＤアレイを簡便に得ることができる。
　１１　表示装置、２１，２２，２３　発光素子、３０　基板、３１　基材、３２　第１導電型用回路パターン、３３　第２導電型用回路パターン、４０　異方性導電膜、　４１　導電性粒子、５１，５２，５３　蛍光体層、６０　黄色蛍光体層、７０　カラーフィルタ、７１，７２，７３　着色層、８０　蛍光体層付シート、８１，８２，８３　蛍光体層、２１１　第１導電型クラッド層、２１１ａ　第１導電型電極、２１２　活性層、２１３　第２導電型クラッド層、２１３ａ　第２導電型電極、２１４　パッシベーション層

Claims (19)

  1. 　１画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板と、
    　前記複数の発光素子の第１面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜と、
    　前記サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材と
    　を備える表示装置。
  2. 　前記複数の発光素子が、前記第１面の方向の反対側にウエハを有し、
    　前記波長変換部材が、前記ウエハ上に配置されてなる請求項１記載の表示装置。
  3. 　前記基板が、透光基板であり、
    　前記波長変換部材が、前記透光基板上に配置されてなる請求項１記載の表示装置。
  4. 　前記波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を前記複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列してなる請求項１記載の表示装置。
  5. 　前記波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる請求項２又は３記載の表示装置。
  6. 　前記波長変換部材が、前記発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層と、前記蛍光体層からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタとを有する請求項２又は３記載の表示装置。
  7. 　前記波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有し、
    　前記蛍光体シートが、前記複数の発光素子上に配置されてなる請求項１記載の表示装置。
  8. 　前記波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有する請求項２又は３記載の表示装置。
  9. 　第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が１画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハと、前記複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、前記複数の発光素子の第１面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる接続工程と、
    　前記サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材を配置する部材配置工程と
    　を有する表示装置の製造方法。
  10. 　前記部材配置工程では、前記ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を前記複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列する請求項９記載の表示装置の製造方法。
  11. 　前記部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を前記ウエハ上にサブピクセル単位で配列する請求項９記載の表示装置の製造方法。
  12. 　前記基板が、透光基板であり、
    　前記部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を前記透光基板上にサブピクセル単位で配列する請求項９記載の表示装置の製造方法。
  13. 　前記部材配置工程では、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層を前記ウエハ上に形成し、前記蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置する請求項９記載の表示装置の製造方法。
  14. 　前記基板が、透光基板であり、
    　前記部材配置工程では、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層を前記透光基板上に形成し、前記蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置する請求項９記載の表示装置の製造方法。
  15. 　前記部材配置工程では、前記ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、前記複数の発光素子上に配置する請求項９記載の表示装置の製造方法。
  16. 　前記部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、前記ウエハ上に配置する請求項９記載の表示装置の製造方法。
  17. 　前記基板が、透光基板であり、
    　前記部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、前記透光基板上に配置する請求項９記載の表示装置の製造方法。
  18. 　ウエハに形成された配列で配置され、第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板と、
    　前記複数の発光素子の第１面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜と
    　を備える発光装置。
  19. 　第１面に第１導電型電極又は第２導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハと、前記複数の発光素子の第１面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、前記複数の発光素子の第１面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる発光装置の製造方法。
     
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019129305A (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 鼎展電子股▲分▼有限公司 可撓性マイクロ発光ダイオード表示モジュール
CN110112123A (zh) * 2018-02-01 2019-08-09 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
TWI671581B (zh) * 2018-02-27 2019-09-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體顯示裝置及圖元安裝方法
JP2020057749A (ja) * 2018-09-26 2020-04-09 ナイトライド・セミコンダクター株式会社 Ｕｖ−ｌｅｄ及びディスプレイ
EP3644379A1 (en) * 2018-10-24 2020-04-29 Nitride Semiconductors Co., Ltd. Uv-led and display
WO2020100694A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 株式会社ブイ・テクノロジー 表示装置の製造方法及び製造装置
WO2020204356A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and method of manufacturing the same
WO2021193182A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および自発光型ディスプレイ
WO2021193183A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および自発光型ディスプレイ
US11139342B2 (en) 2018-09-26 2021-10-05 Nitride Semiconductors Co., Ltd. UV-LED and display
WO2024057754A1 (ja) * 2022-09-13 2024-03-21 デクセリアルズ株式会社 マスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11756937B2 (en) * 2017-02-13 2023-09-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
TWI755470B (zh) * 2018-01-16 2022-02-21 優顯科技股份有限公司 導電薄膜、光電半導體裝置及其製造方法
JP6916525B2 (ja) * 2018-02-06 2021-08-11 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄディスプレイの製造方法
WO2019160199A1 (ko) * 2018-02-13 2019-08-22 주식회사 루멘스 다층 연성 회로 기판을 갖는 마이크로 엘이디 모듈
KR102555243B1 (ko) * 2018-04-27 2023-07-14 주식회사 루멘스 다층 연성 회로 기판을 갖는 마이크로 엘이디 모듈
TWI665797B (zh) * 2018-02-14 2019-07-11 同泰電子科技股份有限公司 微發光二極體模組及其製法
EP3766105A4 (en) * 2018-03-14 2023-08-02 Boe Technology Group Co., Ltd. METHOD FOR TRANSFERRING A PLURALITY OF LIGHT EMITTING MICRO-DIODES TO A TARGET SUBSTRATE, MATRIX SUBSTRATE AND ASSOCIATED DISPLAY APPARATUS
KR20210009326A (ko) * 2018-05-17 2021-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US11552228B2 (en) * 2018-08-17 2023-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
CN110875345A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Led显示器件及其制造方法、led显示面板
US11908850B2 (en) 2018-09-05 2024-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing display device
KR102658460B1 (ko) * 2018-11-09 2024-04-18 삼성전자주식회사 마이크로 led 소자의 실장 구조
TWI720418B (zh) * 2019-01-31 2021-03-01 致伸科技股份有限公司 半導體發光單元及其封裝方法
CN109935677B (zh) * 2019-04-01 2021-01-15 南京航空航天大学 一种白光led用荧光膜结构及制备方法
KR102164171B1 (ko) * 2019-04-26 2020-10-13 (주)엘프스 미니 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 페이스트, 이를 포함하는 미니 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법
KR102350347B1 (ko) * 2019-04-26 2022-01-12 ㈜ 엘프스 마이크로 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 페이스트, 이를 포함하는 마이크로 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법
KR20200137059A (ko) * 2019-05-28 2020-12-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
TWI732621B (zh) * 2019-08-27 2021-07-01 明陽半導體股份有限公司 具有驅動機制的發光二極體裝置
TW202114268A (zh) * 2019-09-20 2021-04-01 進化光學有限公司 背接觸式全彩ｌｅｄ顯示面板及其製造方法
TW202119652A (zh) * 2019-10-31 2021-05-16 隆達電子股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
US11990559B2 (en) 2019-11-12 2024-05-21 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method of manufacturing micro-light emitting diode-based display and micro-light emitting diode-based display
JP2021089423A (ja) 2019-11-12 2021-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
US11610877B2 (en) 2019-11-21 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
FR3104815B1 (fr) * 2019-12-17 2023-08-25 Thales Sa Dispositif d'affichage couleur comportant une mosaique de paves de micro-diodes electroluminescentes
JP7470535B2 (ja) 2020-03-10 2024-04-18 デクセリアルズ株式会社 マイクロｌｅｄチップを有するリペア用部品、及びその製造方法、リペア方法、並びに発光装置の製造方法
CN113707648A (zh) * 2020-05-06 2021-11-26 北京芯海视界三维科技有限公司 显示模组及显示面板
KR20210140886A (ko) * 2020-05-14 2021-11-23 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법
CN113851502A (zh) * 2020-06-10 2021-12-28 华为机器有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
FR3118291B1 (fr) * 2020-12-17 2023-04-14 Aledia Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial
FR3118292A1 (fr) * 2020-12-17 2022-06-24 Aledia Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial
US20220246673A1 (en) * 2021-02-02 2022-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and manufacturing method thereof
US11631715B2 (en) 2021-03-11 2023-04-18 Lumileds Llc Monolithic multi-color matrix emitter with patterned phosphor layer
KR20230127298A (ko) 2021-03-26 2023-08-31 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 필러 배열 필름
US20240162405A1 (en) 2021-03-26 2024-05-16 Dexerials Corporation Method for manufacturing display device
KR20230109182A (ko) 2021-03-26 2023-07-19 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 필러 배열 필름
TWI792424B (zh) * 2021-07-16 2023-02-11 國立中正大學 微型顯示面板結構
JP2024049076A (ja) * 2022-09-28 2024-04-09 デクセリアルズ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに接続フィルム及び接続フィルムの製造方法
WO2024085024A1 (ja) * 2022-10-21 2024-04-25 信越化学工業株式会社 リフト方法及び受け取り基板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11320962A (ja) * 1998-05-19 1999-11-24 Canon Inc Ｌｅｄ露光ヘッド
JP2003243715A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Hitachi Ltd 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
JP2005039129A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Sony Corp 光源装置およびその製造方法、面発光装置、ならびに画像情報読取装置
JP2008262993A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 表示装置
JP2015056654A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 菱生精密工業股▲分▼有限公司 半導体装置及びその製造方法
US20150255505A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-10 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3491595B2 (ja) * 2000-02-25 2004-01-26 ソニーケミカル株式会社 異方導電性接着フィルム
JP5526782B2 (ja) * 2007-11-29 2014-06-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US8888438B2 (en) * 2008-10-08 2014-11-18 Glenn L. Beane Moment of inertia system for producing energy through the action of wind
JP5916334B2 (ja) * 2011-10-07 2016-05-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
KR101452768B1 (ko) * 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP6119335B2 (ja) * 2013-03-18 2017-04-26 日亜化学工業株式会社 発光素子保持構造体
KR101476686B1 (ko) * 2013-04-01 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI594661B (zh) * 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
JP6519311B2 (ja) * 2014-06-27 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11320962A (ja) * 1998-05-19 1999-11-24 Canon Inc Ｌｅｄ露光ヘッド
JP2003243715A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Hitachi Ltd 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
JP2005039129A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Sony Corp 光源装置およびその製造方法、面発光装置、ならびに画像情報読取装置
JP2008262993A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 表示装置
JP2015056654A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 菱生精密工業股▲分▼有限公司 半導体装置及びその製造方法
US20150255505A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-10 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110085617A (zh) * 2018-01-26 2019-08-02 鼎展电子股份有限公司 可挠性微发光二极管显示模块
JP2019129305A (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 鼎展電子股▲分▼有限公司 可撓性マイクロ発光ダイオード表示モジュール
CN110112123A (zh) * 2018-02-01 2019-08-09 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
TWI671581B (zh) * 2018-02-27 2019-09-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體顯示裝置及圖元安裝方法
US11139342B2 (en) 2018-09-26 2021-10-05 Nitride Semiconductors Co., Ltd. UV-LED and display
JP2020057749A (ja) * 2018-09-26 2020-04-09 ナイトライド・セミコンダクター株式会社 Ｕｖ−ｌｅｄ及びディスプレイ
EP3644379A1 (en) * 2018-10-24 2020-04-29 Nitride Semiconductors Co., Ltd. Uv-led and display
WO2020100694A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 株式会社ブイ・テクノロジー 表示装置の製造方法及び製造装置
US11063026B2 (en) 2019-03-29 2021-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and method of manufacturing the same
WO2020204356A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and method of manufacturing the same
WO2021193182A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および自発光型ディスプレイ
WO2021193183A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 デンカ株式会社 蛍光体粒子、複合体、発光装置および自発光型ディスプレイ
CN115397947A (zh) * 2020-03-24 2022-11-25 电化株式会社 荧光体粒子、复合体、发光装置和自发光型显示器
WO2024057754A1 (ja) * 2022-09-13 2024-03-21 デクセリアルズ株式会社 マスク及びマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法及び表示装置

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