JP7474770B2 - 発光ダイオードパッケージアセンブリ - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 298
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyparaphenylene benzobisoxazole Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Description
前記LEDチップの間の隙間に充填されて前記LEDチップの側面を覆うと共に、前記LEDチップの第1の電極と第2の電極と前記第1の表面の少なくとも一部を露出させる第1の有色層である第1のパッケージ層と、
前記第1のパッケージ層に形成され、前記LEDチップの第1の表面を覆い、且つ、前記第1のパッケージ層の透過率より大である所定の透過率を有する光透過層である第2のパッケージ層と、前記LEDチップの第2の表面に形成されると共に、反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、を有し、且つ、前記第1の表面が前記LEDチップの電極セットに接続する配線層と、前記配線層をカバーするように前記パッケージ層の表面を覆う絶縁層と、を備える。
Claims (28)
- 互いに間を開けて第1の方向に沿って複数の列を構成し、そして各列が該第1の方向に直交する第2の方向に沿って並べられるように配置され、いずれも反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、前記第2の表面に形成された第1の電極と第2の電極とからなる電極セットとをそれぞれ有し、前記第1の電極及び第2の電極は前記第2の方向に沿って並べられ、且つ、前記第1の表面を光射出面とする複数のLEDチップと、
前記LEDチップの間の隙間に充填されて前記LEDチップの側壁を覆うと共に、前記LEDチップの第1の電極と第2の電極を露出させる光吸収層であり、且つ、透過率が低いもしくは光が透過できない材料からなるパッケージ層と、
前記LEDチップの第2の表面に形成されると共に、反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、を有し、且つ、前記第1の表面が前記LEDチップの電極セットに接続する配線層と、
前記配線層をカバーするように前記パッケージ層の表面を覆い、且つ、1層または多層構造を有し、且つ、全体的に透明材料からなる絶縁層と、を備える発光ダイオードパッケージアセンブリであって、
隣り合う2つの列の前記LEDチップの前記第1の電極と前記第2の電極は配置された位置が反対であることを特徴とする発光ダイオードパッケージアセンブリ。 - 前記絶縁層の透過率が50%以上あることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層の透過率が前記パッケージ層の透過率より大きいことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層にマイクロメートルレベルの粒子が含まれていないことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層は硬化した感光性材料によりなるものであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層の少なくとも1層の硬度は前記配線層の硬度より高いことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層の硬度はD60以上であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記配線層は複数層の電気伝導回路を有し、前記絶縁層により該複数層の電気伝導回路を互いに絶縁することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記複数層の電気伝導回路における少なくとも1層の厚さは50μm以下であることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記パッケージ層の透過率は30%以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記LEDチップの第1の表面を覆うように前記パッケージ層に形成されて、厚さが20μm以下である光透過層を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記光透過層の透過率は40%~80%であることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記光透過層の透過率は70%以上であることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記複数のLEDチップによりm×nマトリックス配置の複数の発光ユニットを構成し、前記mとnはいずれも1より大である整数であり、各前記発光ユニットはいずれも第1のLEDチップと第2のLEDチップと第3のLEDチップとを有し、そして各発光ユニットの間の間隔は1mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記パッケージアセンブリ全体の厚さは100~500μmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 互いに間を開けて第1の方向に沿って複数の列を構成し、そして各列が該第1の方向に直交する第2の方向に沿って並べられるように配置され、いずれも反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、前記第2の表面に形成された第1の電極と第2の電極とからなる電極セットとをそれぞれ有し、前記第1の電極及び第2の電極は前記第2の方向に沿って並べられ、且つ、前記第1の表面を光射出面とする複数のLEDチップと、
前記LEDチップの間の隙間に充填されて前記LEDチップの側面を覆うと共に、前記LEDチップの第1の電極と第2の電極と前記第1の表面の少なくとも一部を露出させる有色層であり、且つ、透過率が低いもしくは光が透過できない材料からなる第1のパッケージ層と、
前記第1のパッケージ層に形成され、前記LEDチップの第1の表面を覆い、且つ、前記第1のパッケージ層の透過率より大である所定の透過率を有する光透過層である第2のパッケージ層と、
前記LEDチップの第2の表面に形成されると共に、反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、を有し、且つ、前記第1の表面が前記LEDチップの電極セットに接続する配線層と、
前記配線層をカバーするように前記パッケージ層の表面を覆う全体的に透明材料からなる絶縁層と、を備える発光ダイオードパッケージアセンブリであって、
隣り合う2つの列の前記LEDチップの前記第1の電極と前記第2の電極は配置された位置が反対であることを特徴とする発光ダイオードパッケージアセンブリ。 - 前記第1のパッケージ層の透過率は50%以下であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記第1のパッケージ層の透過率は0~30%であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記第1のパッケージ層に光吸収粒子が含まれていることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記第2のパッケージ層の厚さは5~20μmであることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記第2のパッケージ層は散乱層であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層は1層または多層構造を有し、そのうち少なくとも1層の硬度は前記配線層の硬度より高いことを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 各前記LEDチップの光射出面の間の高低差は10μm以下であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層は1層または多層構造を有し、そのうち少なくとも1層は硬化した感光性材料によりなったものであることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記配線層は複数層の電気伝導回路を有し、前記絶縁層により該複数層の電気伝導回路を互いに絶縁することを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記複数のLEDチップによりm×nマトリックス配置の複数の発光ユニットを構成し、前記mとnはいずれも1より大である整数であり、各前記発光ユニットはいずれも第1のLEDチップと第2のLEDチップと第3のLEDチップとを有し、そして各発光ユニットの間の間隔は1mm以下であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記配線層は複数層の電気伝導回路を有し、その層数は4層以下であることを特徴とする請求項26に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記パッケージアセンブリ全体の厚さは100~500μmの範囲内であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921553484.7 | 2019-09-18 | ||
CN201921553483.2 | 2019-09-18 | ||
CN201921553484.7U CN210607242U (zh) | 2019-09-18 | 2019-09-18 | 发光二极管封装组件 |
CN201921553483.2U CN210403724U (zh) | 2019-09-18 | 2019-09-18 | 发光二极管封装组件 |
PCT/CN2020/098503 WO2021051925A1 (zh) | 2019-09-18 | 2020-06-28 | 发光二极管封装组件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022536434A JP2022536434A (ja) | 2022-08-17 |
JP7474770B2 true JP7474770B2 (ja) | 2024-04-25 |
Family
ID=74883945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021540097A Active JP7474770B2 (ja) | 2019-09-18 | 2020-06-28 | 発光ダイオードパッケージアセンブリ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220199590A1 (ja) |
EP (1) | EP4033529A4 (ja) |
JP (1) | JP7474770B2 (ja) |
KR (1) | KR102644916B1 (ja) |
WO (1) | WO2021051925A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2020-06-28 EP EP20864616.6A patent/EP4033529A4/en active Pending
- 2020-06-28 WO PCT/CN2020/098503 patent/WO2021051925A1/zh unknown
- 2020-06-28 JP JP2021540097A patent/JP7474770B2/ja active Active
- 2020-06-28 KR KR1020217021488A patent/KR102644916B1/ko active IP Right Grant
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- 2022-03-10 US US17/654,317 patent/US20220199590A1/en active Pending
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CN108417682A (zh) | 2018-03-22 | 2018-08-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种微型发光元件及其制作方法 |
JP2021508937A (ja) | 2018-03-22 | 2021-03-11 | 廈門市三安光電科技有限公司Xiamen San’An Optoelectronics Technology Co., Ltd. | マイクロ発光デバイス及びその作製方法 |
CN109952641A (zh) | 2019-01-15 | 2019-06-28 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光二极管封装器件及发光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102644916B1 (ko) | 2024-03-06 |
JP2022536434A (ja) | 2022-08-17 |
EP4033529A4 (en) | 2023-10-25 |
KR20210101281A (ko) | 2021-08-18 |
US20220199590A1 (en) | 2022-06-23 |
WO2021051925A1 (zh) | 2021-03-25 |
EP4033529A1 (en) | 2022-07-27 |
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