CN114171655A - Led芯片组件、led显示装置及led芯片组件的加工方法 - Google Patents

Led芯片组件、led显示装置及led芯片组件的加工方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种LED芯片组件、LED显示装置及LED芯片组件的加工方法，其中，LED芯片组件，包括：基体层；LED发光单元，设置在基体层内，LED发光单元包括LED芯片；透明支撑层，设置在基体层的前侧，并覆盖LED芯片的发光面；第一绝缘层，设置在基体层的后侧，第一绝缘层内设置有与LED芯片的第一电极连接的第一电路以及与LED芯片的第二电极连接的第二电路；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的后侧，第二绝缘层内设置有与第一电路导通连接的第一导电部以及与第二电路导通连接的第二导电部，第一导电部和第二导电部外露于第二绝缘层的后表面。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的电路板上预设线路的线宽线距无法满足与LED芯片的连接要求的问题。

Description

LED芯片组件、LED显示装置及LED芯片组件的加工方法
技术领域
本发明涉及LED显示技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片组件、LED显示装置及LED芯片组件的加工方法。
背景技术
相关技术中的LED灯包括：基板或支架、LED芯片、焊线以及封装胶。先将LED芯片固晶至基板或支架上，通过基板或支架将LED的正负电极引出。
LED芯片体积缩小后，基板或支架的线宽线距无法满足与LED芯片的连接要求，一般通过换成更高精度的基板来满足需要，而高精度基板通常成本昂贵，且目前工艺均先在电路板上预设线路，再用粘结剂将LED芯片与预设线路连接，而预设线路的线宽线距也很难满足小于20μm的LED固晶需要，使得连接效果较差，导致接触不良。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种LED芯片组件、LED显示装置及LED芯片组件的加工方法，以解决相关技术中的电路板上预设线路的线宽线距无法满足与LED芯片的连接要求的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种LED芯片组件，包括：基体层；LED发光单元，设置在基体层内，LED发光单元包括LED芯片，LED芯片的发光面外露于基体层的前表面，LED芯片的第一电极和第二电极外露于基体层的后表面；透明支撑层，设置在基体层的前侧，并覆盖LED芯片的发光面；第一绝缘层，设置在基体层的后侧，第一绝缘层内设置有与LED芯片的第一电极连接的第一电路以及与LED芯片的第二电极连接的第二电路；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的后侧，第二绝缘层内设置有与第一电路导通连接的第一导电部以及与第二电路导通连接的第二导电部，第一导电部和第二导电部外露于第二绝缘层的后表面。
进一步地，LED发光单元为N个，每个LED发光单元的LED芯片为三个，其中N为自然数且N≥1；第一电路、第二电路和第一导电部均为3N个，第二导电部为N个，3N个第一电路的第一端分别与3N个LED芯片的第一电极一一对应地连接，每个第一电路的第二端连接有一个第一导电部，3N个第二电路的第一端分别与3N个LED芯片的第二电极一一对应地连接，对应于同一LED发光单元的三个第二电路的第二端汇合连接并与一个第二导电部连接。
进一步地，第二绝缘层为矩形结构，当N＝1时，三个第一导电部和一个第二导电部分别位于矩形结构的四个角处。
进一步地，LED发光单元为2N个，每个LED发光单元的LED芯片为三个，2N个LED发光单元成对设置，每对LED发光单元中的相邻设置的两个LED芯片的两个第一电极位于两个第二电极之间，其中N为自然数且N≥1；第一电路和第二电路均为6N个，第一导电部为3N个，第二导电部为两个，6N个第一电路的第一端分别与6N个LED芯片的第一电极一一对应地连接，相邻的两个第一电路的第二端汇合连接并与一个第一导电部连接，6N个第二电路的第一端分别与6N个LED芯片的第二电极一一对应地连接，位于同一列的LED发光单元的第二电路的第二端汇合连接并与一个第二导电部连接。
进一步地，透明支撑层为功能膜，功能膜为偏振膜、防炫膜和高透膜中的一种或者多种，其中高透膜的透光率在85％至97％之间。
进一步地，LED芯片组件还包括连接在功能膜和基体层之间的粘接层。
进一步地，第一绝缘层上设置有容纳第一电路的第一缺口以及容纳第二电路的第二缺口；第二绝缘层上设置有容纳第一导电部的第三缺口以及容纳第二导电部的第四缺口。
进一步地，基体层的厚度小于或者等于LED芯片的厚度。
根据本发明的另一方面，提供了一种LED芯片组件的加工方法，用于加工上述的LED芯片组件，加工方法包括以下步骤：获得透明支撑层；将LED发光单元固定在透明支撑层上，并使LED发光单元的LED芯片的发光面朝向透明支撑层；在LED发光单元的四周设置基体层，并使LED芯片的第一电极和第二电极外露于基体层的远离透明支撑层的表面；将第一绝缘层覆盖在基体层远离透明支撑层的表面，并使与第一电极连接的第一电路以及与第二电极连接的第二电路均外露于第一绝缘层的远离基体层的表面；将第二绝缘层覆盖在第一绝缘层远离基体层的表面，并使与第一电极连接的第一导电部以及与第二电路连接的第二导电部均外露于第二绝缘层的远离第一绝缘层的表面。
进一步地，在获得透明支撑层的步骤之后，加工方法还包括以下步骤：在透明支撑层的表面上覆盖粘接层。
进一步地，将LED发光单元固定在透明支撑层上，并使LED发光单元的LED芯片的发光面朝向透明支撑层的步骤包括：将带有LED发光单元的临时基板与透明支撑层叠置在一起，以将LED发光单元固定在透明支撑层朝向临时基板的表面上，去除临时基板。
根据本发明的另一方面，提供了一种LED显示装置，包括一个或者多个LED芯片组件，LED芯片组件为上述的LED芯片组件。
应用本发明的技术方案，LED芯片组件包括：基体层、LED发光单元、透明支撑层、第一绝缘层和第二绝缘层。LED发光单元设置在基体层内。LED发光单元包括LED芯片。LED芯片的发光面外露于基体层的前表面，LED芯片的第一电极和第二电极外露于基体层的后表面。透明支撑层设置在基体层的前侧，并覆盖LED芯片的发光面。透明支撑层能够支撑基体层和LED发光单元，便于连接固定。第一绝缘层设置在基体层的后侧，第一绝缘层内设置有与LED芯片的第一电极连接的第一电路以及与LED芯片的第二电极连接的第二电路。第二绝缘层设置在第一绝缘层的后侧，第二绝缘层内设置有与第一电极导通连接的第一导电部以及与第二电极导通连接的第二导电部，第一导电部和第二导电部外露于第二绝缘层的后表面。这样，将连接在第一导电部和第一电极之间的第一电路以及连接在第二导电部和第二电极之间的第二电路集成在LED芯片组件的内部，并且第一绝缘层能够隔离第一电路和第二电路，防止发生短路，并且第二绝缘层不仅能够隔离第一导电部和第二导电部，还能够隔离第一导电部与第二电路以及第二导电部与第一电路，防止发生短路。这样，将第一导电部、第二导电部、第一电路以及第二电路集成在一个LED芯片组件上，无需采用相关技术中带有预设线路的电路板，能够满足与LED芯片的连接要求，有助于实现更小的LED芯片的封装和贴装要求，使用于更小尺寸的LED芯片和更小的LED灯珠的使用要求。因此，本申请的技术方案能够解决相关技术中的电路板上预设线路的线宽线距无法满足与LED芯片的连接要求的问题。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本发明的LED显示组件的实施例一的纵向剖视示意图；
图2示出了图1的LED显示组件的一个LED发光单元位于透明支撑层上的俯视示意图；
图3示出了图1的LED显示组件的第一绝缘层的俯视示意图；
图4示出了图1的LED显示组件的第二绝缘层的俯视示意图；
图5示出了图4的LED显示组件的第二绝缘层的局部剖视示意图；
图6示出了根据本发明的LED显示组件的实施例二的两个LED发光单元位于透明支撑层上的纵向剖视示意图；
图7示出了图6的LED显示组件的两个LED发光单元位于透明支撑层上的俯视示意图；
图8示出了图6的LED显示组件的第一绝缘层的俯视示意图；
图9示出了图6的LED显示组件的第二绝缘层的俯视示意图；
图10示出了根据本发明的LED显示组件的实施例三的两个LED发光单元位于透明支撑层上的俯视示意图；
图11示出了图10的LED显示组件的第一绝缘层的俯视示意图；
图12示出了图10的LED显示组件的第二绝缘层的俯视示意图；
图13示出了根据本发明的LED显示组件的实施例四的四个LED发光单元位于透明支撑层上的俯视示意图；
图14示出了图13的LED显示组件的第一绝缘层的俯视示意图；
图15示出了图13的LED显示组件的第二绝缘层的俯视示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、基体层；20、LED芯片；21、第一电极；22、第二电极；23、发光面；30、透明支撑层；41、第一绝缘层；42、第二绝缘层；51、第一电路；52、第二电路；61、第一导电部；62、第二导电部；70、粘接层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
如图1至图5所示，实施例一的LED芯片组件包括：基体层10、LED发光单元、透明支撑层30、第一绝缘层41和第二绝缘层42。LED发光单元设置在基体层10内。LED发光单元包括LED芯片20。LED芯片20的发光面23外露于基体层10的前表面，LED芯片20的第一电极21和第二电极22外露于基体层10的后表面。透明支撑层30设置在基体层10的前侧，并覆盖LED芯片20的发光面23。第一绝缘层41设置在基体层10的后侧，第一绝缘层41内设置有与LED芯片20的第一电极21连接的第一电路51以及与LED芯片20的第二电极22连接的第二电路52。第二绝缘层42设置在第一绝缘层41的后侧，第二绝缘层42内设置有与第一电路51导通连接的第一导电部61以及与第二电路52导通连接的第二导电部62，第一导电部61和第二导电部62外露于第二绝缘层42的后表面。
应用实施例一的技术方案，透明支撑层30设置在基体层10的前侧，并覆盖LED芯片20的发光面23。透明支撑层30在加工过程中能够支撑基体层10和LED发光单元，便于连接固定。第一绝缘层41设置在基体层10的后侧，第一绝缘层41内设置有与LED芯片20的第一电极21连接的第一电路51以及与LED芯片20的第二电极22连接的第二电路52。第二绝缘层42设置在第一绝缘层41的后侧，第二绝缘层42内设置有与第一电极21导通连接的第一导电部61以及与第二电极22导通连接的第二导电部62，第一导电部61和第二导电部62外露于第二绝缘层42的后表面。这样，将连接在第一导电部61和第一电极21之间的第一电路51以及连接在第二导电部62和第二电极22之间的第二电路52集成在LED芯片组件的内部，并且第一绝缘层41能够隔离第一电路51和第二电路52，防止发生短路。并且第二绝缘层42不仅能够隔离第一导电部61和第二导电部62，还能够隔离第一导电部61与第二电路52以及第二导电部62与第一电路51，防止发生短路。这样，本实施例的技术方案将第一导电部61、第二导电部62、第一电路51以及第二电路52集成在一个LED芯片组件上，无需采用相关技术中带有预设线路的电路板，能够满足与LED芯片20的连接要求，有助于实现更小的LED芯片20的封装和贴装要求，使用于更小尺寸的LED芯片20和更小的LED灯珠的使用要求。因此，实施例一的技术方案能够解决相关技术中的电路板上预设线路的线宽线距无法满足与LED芯片20的连接要求的问题。需要说明的是，上述的第一电极21的极性与第二电极22的极性相反，第一电极21的极性与第二电极22中的一个为正极，另一个为负极。LED发光单元为像素结构。
实施例一的基体层10为环氧、硅胶、黑色油墨中的一种或多种材质，也可以在环氧和硅胶中添加碳粉，以提高LED芯片组件的对比度。第一绝缘层41和第二绝缘层42均为SiO2或者SiN薄膜。第一电路51和第二电路52导可以是ITO、ZnO、银纳米线、石墨烯等透明导电线路层，也可以是铜、金、镍等金属或合金的线路层。第一电极21、第二电极22、第一导电部61以及第二导电部62均可以是铜、镍、金的合金，表层为金。并且，本实施例的LED发光单元先固定在透明支撑层30上，再通过半导体沉积、光刻等工艺将第一导电部61和第二导电部62从第二绝缘层42中引出，精度更高。
如图1至图5所示，在实施例一中，N＝1，LED发光单元为一个，每个LED发光单元的LED芯片20为3个；第一电路51、第二电路52和第一导电部61均为3个，第二导电部62为3个。3个LED芯片20依次是红光芯片、绿光芯片、蓝光芯片。
具体地，如果第一电极21为正极时，第二电极22为负极时，3个第一电路51的第一端分别与3个LED芯片20的正极一一对应地连接，每个第一电路51的第二端连接有一个第一导电部61，3个第二电路52的第一端分别与3个LED芯片20的负极一一对应地连接，3个第二电路52的第二端汇合连接并与一个第二导电部62连接。3个第二电路52的第二端汇合连接能够形成公共极。这样，第一电路51和第二电路52连接方便，便于布线，多个LED芯片20的排布方式也更加的合理。如果第一电极21为负极时，第二电极22为正极时，3个第一电路51的第一端分别与3个LED芯片20的负极一一对应地连接，每个第一电路51的第二端连接有一个第一导电部61，3个第二电路52的第一端分别与3个LED芯片20的正极一一对应地连接，3个第二电路52的第二端汇合连接并与一个第二导电部62连接。3个第二电路52的第二端汇合连接能够形成公共极。这样，第一电路51和第二电路52连接方便，便于布线，LED芯片20的排布方式也更加的合理。
如图1至图5所示，在实施例一中，为了第二绝缘层42上的三个第一导电部61和一个第二导电部62能够更加合理布置，第二绝缘层42为矩形结构，三个第一导电部61和一个第二导电部62分别位于矩形结构的四个角处。
如图1至图5所示，在实施例一中，透明支撑层30为功能膜，功能膜为偏振膜、防炫膜和高透膜中的一种或者多种，其中高透膜的透光率在85％至97％之间，透光率优选为85％或者89％或者93％或者97％。通过功能膜可实现LED芯片组件的特殊发光效果。当功能膜为偏振膜时，可实现带偏振光的LED芯片组件，将不同偏振方向的LED芯片组件以间隔阵列进行排布，即可实现带3D功能的LED显示屏；当功能膜为防眩膜时，可实现低反射率的LED芯片组件，其中反射率SCI在3％至8％之间，反射率SCI优选为3％或者58％或者8％；当功能薄膜为高透膜时，可实现高透光的LED芯片组件。功能膜的厚度大于或者等于20μm，这样便于设置成单层膜或者复合膜，有利于提高发光效果。
具体地，当功能薄膜为偏振膜时，如采用左偏振膜作为一个LED发光单元的承载薄膜制备成1号LED发光单元，用右偏振薄膜作为另外LED发光单元的承载薄膜制备成2号LED发光单元，当制备LED显示装置时，分别用1号LED发光单元和2号LED发光单元作为相邻行或相邻列的像素，则可实现相邻列和相邻行具有不同偏振方向的LED显示屏，即带有3D效果的LED显示屏。
如图1至图5所示，为了便于将基体层10粘接在功能膜上，LED芯片组件还包括连接在功能膜和基体层10之间的粘接层70。粘接层70优选为透明UV胶、热固胶。
如图1至图5所示，第一绝缘层41上设置有容纳第一电路51的第一缺口以及容纳第二电路52的第二缺口。通过第一缺口使RGB的三颗LED芯片20的正极连接在一起，LED芯片20的其余三个负极分别独立，反之亦然。第二绝缘层42上设置有容纳第一导电部61的第三缺口以及容纳第二导电部62的第四缺口。通过第三缺口使得与第一电路51连接的第一导电部61能够从第三缺口处被引出至第二绝缘层42的后表面，通过第四缺口使得与第二电路52连接的第二导电部62能够从第四缺口处被引出至第二绝缘层42的后表面。
如图1至图5所示，为了便于在基体层10的后表面上布置第一绝缘层41，基体层10的厚度小于或者等于LED芯片20的厚度。
在本申请的LED芯片组件的实施例二中，与LED芯片组件的实施例一的区别在于LED芯片组件的数量。如图1、图6至图9所示，在实施例二中，N＝2，LED发光单元为2个，2个LED发光单元左右布置，每个LED发光单元的LED芯片20为3个。第一电路51、第二电路52和第一导电部61均为6个，第二导电部62为2个。每个LED发光单元的3个LED芯片20依次是红光芯片、绿光芯片、蓝光芯片。其中，2个红光芯片的中心距等于2个LED发光单元的中心间距。左边一个LED发光单元的红光芯片的第一电极21和第二电极22沿图6中的由左至右的方向布置，左边一个LED发光单元的红光芯片的第一电极21和第二电极22也沿图6中的由左至右的方向布置。同理，绿光芯片的第一电极21和第二电极22的布置方式与红光芯片的一样，蓝光芯片的第一电极21和第二电极22的布置方式与红光芯片的一样。
如图1、图6至图9所示，如果第一电极21为正极时，第二电极22为负极时，6个第一电路51的第一端分别与6个LED芯片20的正极一一对应地连接，每个第一电路51的第二端连接有一个第一导电部61，6个第二电路52的第一端分别与6个LED芯片20的负极一一对应地连接，每个LED发光单元的3个第二电路52的第二端汇合连接并与一个第二导电部62连接，每个LED发光单元的3个第二电路52的第二端汇合连接能够形成公共极。如果第一电极21为负极时，第二电极22为正极时，6个第一电路51的第一端分别与6个LED芯片20的负极一一对应地连接，每个第一电路51的第二端连接有一个第一导电部61，6个第二电路52的第一端分别与6个LED芯片20的正极一一对应地连接，每个LED发光单元的3个第二电路52的第二端汇合连接并与一个第二导电部62连接，每个LED发光单元的3个第二电路52的第二端汇合连接能够形成公共极。这样，第一电路51和第二电路52连接方便，便于布线，LED芯片20的排布方式也更加的合理。
在实施例二中，第二绝缘层42为矩形结构，六个第一导电部61和两个第二导电部62分别位于矩形结构的四个角以及中部位置处。
在图中未示出的实施例中，LED发光单元为N个，其中N为自然数且N≥3，每个LED发光单元的LED芯片20为三个。第一电路51、第二电路52和第一导电部61均为3N个。第二导电部62为N个，3N个第一电路51的第一端分别与3N个LED芯片20的第一电极21一一对应地连接，每个第一电路51的第二端连接有一个第一导电部61，3N个第二电路52的第一端分别与3N个LED芯片20的第二电极22一一对应地连接，每个LED发光单元的三个第二电路52的第二端汇合连接并与一个第二导电部62连接，其中，每个LED发光单元的三个第二电路52的第二端汇合连接能够形成公共极。
如图1、图10至图12所示，在本申请的LED芯片组件的实施例三中，与LED芯片组件的实施例二的区别在于两个LED发光单元的LED芯片20的布置方式。在实施例三中，LED发光单元为2个。2个LED芯片组件左右布置。每个LED发光单元的LED芯片20为3个，2个LED发光单元成对设置，相邻设置的两个LED芯片20的两个第一电极21位于两个第二电极22之间。在实施例三中，左边一个LED发光单元的LED芯片组件的第一电极21和第二电极22沿图10中的由右至左的方向布置。右边一个LED发光单元的LED芯片组件的第一电极21和第二电极22沿图10中的由左至右的方向布置。
如图1、图10至图12所示，每个LED发光单元的3个LED芯片20依次是红光芯片、绿光芯片、蓝光芯片，6个LED芯片20包括2个红光芯片、2个绿光芯片、2个蓝光芯片。其中，2个红光芯片的中心距等于2个LED发光单元的中心间距。两个第一电极21位于两个第二电极22之间，其中，两个第二电极22分别是左边一个LED发光单元的红光芯片的第二电极22和右边一个LED发光单元的红光芯片的第二电极22，两个第一电极21分别是左边一个LED发光单元的红光芯片的第一电极21和右边一个LED发光单元的红光芯片的第一电极21。同理，绿光芯片的第一电极21和第二电极22的布置方式与红光芯片的一样，绿光芯片的第一电极21和第二电极22的布置方式与红光芯片的一样。
如图1、图10至图12所示，第一电路51和第二电路52均为6个。如果第一电极21为负极时，第二电极22为正极时，第一导电部61为3个，第二导电部62为2个，6个第一电路51的第一端分别与6个LED芯片20的第一电极21一一对应地连接。相邻的两个第一电路51的第二端汇合连接并与一个第一导电部61连接，6个第二电路52的第一端分别与6个LED芯片20的第二电极22一一对应地连接，每个LED发光单元的3个第二电路52的第二端汇合连接并与一个第二导电部62连接。每个LED发光单元的3个第一电路51的第二端汇合连接能够形成公共极，每个LED发光单元的3个第二电路52的第二端汇合连接能够形成公共极。这样，第一电路51和第二电路52连接方便，便于布线，LED芯片20的排布方式也更加的合理。
在实施例三中，第二绝缘层42为矩形结构，3个第一导电部61和2个第二导电部62位于矩形结构的三个角处以及中间位置。
在本申请的LED芯片组件的实施例四中，与LED芯片组件的实施例三的区别在于LED发光单元的数量。如图1、图13至图15所示，在实施例四中，LED发光单元为4个。2个LED发光单元左右布置形成第一组，再将2个LED发光单元左右布置形成第二组，第二组位于第一组的下方。LED发光单元为4个，每个LED发光单元的LED芯片20为三个，4个LED发光单元成对设置，每对LED发光单元中的相邻设置的两个LED芯片20的两个第一电极21位于两个第二电极22之间。每个LED发光单元的3个LED芯片20依次是红光芯片、绿光芯片、蓝光芯片，6个LED芯片20包括2个红光芯片、2个绿光芯片、2个蓝光芯片。其中，每左右2个红光芯片的中心距等于2个LED发光单元的中心间距。两个第一电极21位于两个第二电极22之间，其中，两个第二电极22分别是左边一个LED发光单元的红光芯片的第二电极22和右边一个LED发光单元的红光芯片的第二电极22，两个第一电极21分别是左边一个LED发光单元的红光芯片的第一电极21和右边一个LED发光单元的红光芯片的第一电极21。同理，绿光芯片的第一电极21和第二电极22的布置方式与红光芯片的一样，绿光芯片的第一电极21和第二电极22的布置方式与红光芯片的一样。
如图1、图13至图15所示，第一电路51和第二电路52均为12个，第一导电部61为6个，第二导电部62为2个，12个第一电路51的第一端分别与12个LED芯片20的第一电极21一一对应地连接，每组内的两个LED发光单元的6个第一电路51的第二端两两汇合连接后并与一个第一导电部61连接，12个第二电路52的第一端分别与12个LED芯片20的第二电极22一一对应地连接，位于同一列的(图13中上下布置)LED发光单元的6个第二电路52(图14中位于左侧的6个第二电路52或者右侧的6个第二电路52)的第二端汇合连接并与一个第二导电部62连接。上述两个第一电路51的第二端汇合连接能够形成公共极，上述6个第二电路52的第二端汇合连接能够形成公共极。这样，第一电路51和第二电路52连接方便，便于布线，LED芯片20的排布方式也更加的合理。
在实施例四中，第二绝缘层42为矩形结构。6个第一导电部61和2个第二导电部62位于矩形结构的四个角和中部位置。
在图中未示出的实施例中，LED发光单元为2N个，其中N≥3。每个LED发光单元的LED芯片20为三个，2N个LED发光单元成对设置，每对LED发光单元中的相邻设置的两个LED芯片20的两个第一电极21位于两个第二电极22之间。第一电路51和第二电路52均为6N个，第一导电部61为3N个，第二导电部62为2个，6N个第一电路51的第一端分别与6N个LED芯片20的第一电极21一一对应地连接，3N个第一电路51中相邻的两个第一电路51的第二端汇合连接并与一个第一导电部61连接，6N个第二电路52的第一端分别与6N个LED芯片20的第二电极22一一对应地连接，位于同一列的LED发光单元的3N个第二电路52的第二端汇合连接并与一个第二导电部62连接。第一电路51的第二端汇合连接能够形成公共极，第二电路52的第二端汇合连接能够形成公共极。
本申请还提供了一种LED显示装置，本实施例的LED显示装置包括一个或者多个LED芯片组件，LED芯片组件为上述的LED芯片组件。由于上述的LED芯片组件能够解决相关技术中的电路板上预设线路的线宽线距无法满足与LED芯片的连接要求的问题，使得包括该LED芯片组件的LED显示装置能够解决同样的技术问题。
本申请还提供了一种LED芯片组件的加工方法，用于加工上述的LED芯片组件。如图1至图5所示，LED芯片组件的加工方法包括以下步骤：
获得透明支撑层30；
将LED发光单元固定在透明支撑层30上，并使LED发光单元的LED芯片20的发光面23朝向透明支撑层30；
在LED发光单元的四周设置基体层10，并使LED芯片20的第一电极21和第二电极22外露于基体层10的远离透明支撑层30的表面；
将第一绝缘层41覆盖在基体层10远离透明支撑层30的表面，并使与第一电极21连接的第一电路51以及与第二电极22连接的第二电路52均外露于第一绝缘层41的远离基体层10的表面；
将第二绝缘层42覆盖在第一绝缘层41远离基体层10的表面，并使与第一电极21连接的第一导电部61以及与第二电路52连接的第二导电部62均外露于第二绝缘层42的远离第一绝缘层41的表面。
这样，将连接在第一导电部61和第一电极21之间的第一电路51以及连接在第二导电部62和第二电极22之间的第二电路52集成在LED芯片组件的内部，并且第一绝缘层41能够隔离第一电路51和第二电路52，防止发生短路，并且第二绝缘层42不仅能够隔离第一导电部61和第二导电部62，还能够隔离第一导电部61与第二电路52以及第二导电部62与第一电路51，防止发生短路。这样，本实施例的技术方案将第一导电部61、第二导电部62、第一电路51以及第二电路52集成在一个LED芯片组件上，无需采用相关技术中带有预设线路的电路板，能够满足与LED芯片20的连接要求，有助于实现更小的LED芯片20的封装和贴装要求，使用于更小尺寸的LED芯片20和更小的LED灯珠的使用要求。因此，本实施例的技术方案能够解决相关技术中的电路板上预设线路的线宽线距无法满足与LED芯片20的连接要求的问题。
如图1至图5所示，在获得透明支撑层30的步骤之后，加工方法还包括以下步骤：在透明支撑层30的表面上覆盖粘接层70。这样，通过粘接层70能够在透明支撑层30上能够粘附LED发光单元。
如图1至图5所示，将LED发光单元固定在透明支撑层30上，并使LED发光单元的LED芯片20的发光面23朝向透明支撑层30的步骤包括：将带有LED发光单元的临时基板与透明支撑层30叠置在一起，以将LED发光单元固定在透明支撑层30朝向临时基板的表面上，去除临时基板。临时基板的设置便于定位LED发光单元，以便LED发光单元能够快速且准确地固定在透明支撑层30朝向临时基板的表面上。
在本实施例中，上述LED芯片组件的加工方法的具体步骤如下：
1.取一较硬的基板，该基板是玻璃、石英石、蓝宝石等热涨缩小的透明材质，在基板的四个角的至少其中三个用激光刻蚀出圆形、方形或其他形状的对位标记；该基板上印制有一层UV解粘胶，该基板作为LED发光单元的后续制程的支撑板；
2.在基板上粘附一层功能膜，并在功能膜上通过印刷、旋涂等方式设置一层粘接层；
3.取一临时基板，在该临时基板上排列有LED发光单元的RGB的LED芯片20，LED芯片20在该临时基板上的位置为第一电极21和第二电极22朝向临时基板，该临时基板上同样设置有对位标记；
4.将该临时基板与透明支撑层30叠置，以对位标记进行位置确认，LED芯片20通过粘结剂与功能膜结合，并进行热固化，热固化温度在120℃～200℃之间，时间在30分钟至2小时之间；
5.采用molding、点胶、喷涂等方式，在LED芯片20上设置一层基体层10，基体层10的厚度小于或等于LED的厚度；
6.采用CVD工艺在隔离胶及LED的上表面沉积一层绝缘膜1，绝缘膜1的厚度以20nm～1μm为宜；
7.采用光刻工艺，在第一绝缘层41上设置有三个第一缺口和三个第二缺口，第一缺口对应LED芯片20的正极，第二缺口对应LED芯片20的负极；
8.在第一绝缘层41上沉积一层金属层，并采用光刻、腐蚀等工艺形成第一电路51和第二电路52；
9.采用CVD工艺在第一绝缘层41的上表面沉积一层第二绝缘层42，第二绝缘层42的厚度在20nm～1μm之间；
10.采用光刻工艺，在第二绝缘层42上设置有三个第三缺口和一个第四缺口，三个第三缺口对应于三个互相独立的第一线路，一个第四缺口对应于汇合连接的第二电路52；
11.在第二绝缘层42上沉积一层金属层，并采用光刻、腐蚀等工艺形成三个第一导电部61和一个第二导电部62；
12.按LED显示组件的预设大小进行切割，并采用UV光从基板的远离第二绝缘层42的一侧进行照射，解除基板与功能膜之间粘性，从而得到分立的LED芯片组件。
在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种LED芯片组件，其特征在于，包括：
基体层(10)；
LED发光单元，设置在所述基体层(10)内，所述LED发光单元包括LED芯片(20)，所述LED芯片(20)的发光面(23)外露于所述基体层(10)的前表面，所述LED芯片(20)的第一电极(21)和第二电极(22)外露于所述基体层(10)的后表面；
透明支撑层(30)，设置在所述基体层(10)的前侧，并覆盖所述LED芯片(20)的发光面(23)；
第一绝缘层(41)，设置在所述基体层(10)的后侧，所述第一绝缘层(41)内设置有与所述LED芯片(20)的第一电极(21)连接的第一电路(51)以及与所述LED芯片(20)的第二电极(22)连接的第二电路(52)；
第二绝缘层(42)，设置在所述第一绝缘层(41)的后侧，所述第二绝缘层(42)内设置有与所述第一电路(51)导通连接的第一导电部(61)以及与所述第二电路(52)导通连接的第二导电部(62)，所述第一导电部(61)和所述第二导电部(62)外露于所述第二绝缘层(42)的后表面。
2.根据权利要求1所述的LED芯片组件，其特征在于，
所述LED发光单元为N个，每个所述LED发光单元的LED芯片(20)为三个，其中N为自然数且N≥1；
所述第一电路(51)、所述第二电路(52)和所述第一导电部(61)均为3N个，所述第二导电部(62)为N个，3N个所述第一电路(51)的第一端分别与3N个所述LED芯片(20)的第一电极(21)一一对应地连接，每个所述第一电路(51)的第二端连接有一个所述第一导电部(61)，3N个所述第二电路(52)的第一端分别与3N个所述LED芯片(20)的第二电极(22)一一对应地连接，对应于同一所述LED发光单元的三个所述第二电路(52)的第二端汇合连接并与一个所述第二导电部(62)连接。
3.根据权利要求1所述的LED芯片组件，其特征在于，所述第二绝缘层(42)为矩形结构，当N＝1时，三个所述第一导电部(61)和一个所述第二导电部(62)分别位于所述矩形结构的四个角处。
4.根据权利要求1所述的LED芯片组件，其特征在于，
所述LED发光单元为2N个，每个所述LED发光单元的LED芯片(20)为三个，2N个所述LED发光单元成对设置，每对所述LED发光单元中的相邻设置的两个LED芯片(20)的两个第一电极(21)位于两个第二电极(22)之间，其中N为自然数且N≥1；
所述第一电路(51)和所述第二电路(52)均为6N个，所述第一导电部(61)为3N个，所述第二导电部(62)为两个，6N个所述第一电路(51)的第一端分别与6N个所述LED芯片(20)的第一电极(21)一一对应地连接，相邻的两个所述第一电路(51)的第二端汇合连接并与一个所述第一导电部(61)连接，6N个所述第二电路(52)的第一端分别与6N个所述LED芯片(20)的第二电极(22)一一对应地连接，位于同一列的所述LED发光单元的所述第二电路(52)的第二端汇合连接并与一个所述第二导电部(62)连接。
5.根据权利要求1所述的LED芯片组件，其特征在于，LED芯片组件所述透明支撑层(30)基体层(10)为功能膜，所述功能膜为偏振膜、防炫膜和高透膜中的一种或者多种，其中，高透膜的透光率在85％至97％之间。
6.根据权利要求5所述的LED芯片组件，其特征在于，所述LED芯片组件还包括连接在所述功能膜和所述基体层(10)之间的粘接层(70)。
7.根据权利要求1所述的LED芯片组件，其特征在于，所述第一绝缘层(41)上设置有容纳所述第一电路(51)的第一缺口以及容纳所述第二电路(52)的第二缺口；所述第二绝缘层(42)上设置有容纳所述第一导电部(61)的第三缺口以及容纳所述第二导电部(62)的第四缺口。
8.根据权利要求1所述的LED芯片组件，其特征在于，所述基体层(10)的厚度小于或者等于所述LED芯片(20)的厚度。
9.一种LED芯片组件的加工方法，其特征在于，用于加工权利要求1至8中任一项所述的LED芯片组件，所述加工方法包括以下步骤：
获得透明支撑层(30)；
将LED发光单元固定在所述透明支撑层(30)上，并使所述LED发光单元的LED芯片(20)的发光面(23)朝向所述透明支撑层(30)；
在所述LED发光单元的四周设置基体层(10)，并使所述LED芯片(20)的第一电极(21)和第二电极(22)外露于所述基体层(10)的远离所述透明支撑层(30)的表面；
将第一绝缘层(41)覆盖在所述基体层(10)远离所述透明支撑层(30)的表面，并使与所述第一电极(21)连接的第一电路(51)以及与所述第二电极(22)连接的第二电路(52)均外露于所述第一绝缘层(41)的远离所述基体层(10)的表面；
将第二绝缘层(42)覆盖在所述第一绝缘层(41)远离所述基体层(10)的表面，并使与所述第一电极(21)连接的第一导电部(61)以及与所述第二电路(52)连接的第二导电部(62)均外露于所述第二绝缘层(42)的远离所述第一绝缘层(41)的表面。
10.根据权利要求9所述的加工方法，其特征在于，在获得透明支撑层(30)的步骤之后，所述加工方法还包括以下步骤：在所述透明支撑层(30)的表面上覆盖粘接层(70)。
11.根据权利要求9所述的加工方法，其特征在于，将LED发光单元固定在所述透明支撑层(30)上，并使所述LED发光单元的LED芯片(20)的发光面(23)朝向所述透明支撑层(30)的步骤包括：将带有所述LED发光单元的临时基板与所述透明支撑层(30)叠置在一起，以将所述LED发光单元固定在所述透明支撑层(30)朝向所述临时基板的表面上，去除所述临时基板。
12.一种LED显示装置，包括一个或者多个LED芯片组件，其特征在于，所述LED芯片组件为权利要求1至8中任一项所述的LED芯片组件。
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