JP2016510177A - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents

Abstract

本発明は、オプトエレクトロニクス部品であって、キャリア基板（１４０，２４０，２４５）と、キャリア基板（１４０，２４０，２４５）の上に個々に配置されているオプトエレクトロニクス半導体チップ（１２０，２２０）と、オプトエレクトロニクス部品の表側面（１１１，２１１）の構成要素である、光放射を放出する放出面（１３１，２３１）と、オプトエレクトロニクス部品の表側面（１１１，２１１）において放出面（１３１，２３１）に隣接する反射層（１５０，２５０）と、を有するオプトエレクトロニクス部品、に関する。一実施形態においては、放出面（１３１）は、放出面（１３１）がオプトエレクトロニクス部品の表側面（１１１）の縁部の一部を形成するように、配置されている。さらなる実施形態においては、放出面（２３１）は、表側面（２１１）とは反対側のオプトエレクトロニクス部品の裏側面（２１２）と少なくとも同じ大きさである断面幅を有する。さらに、本発明は、複数のオプトエレクトロニクス部品を有する照明装置に関する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、オプトエレクトロニクス部品であって、キャリア基板と、キャリア基板上に配置されている１個のオプトエレクトロニクス半導体チップと、オプトエレクトロニクス部品の表側面の一部である、光放射を放出する放出面と、オプトエレクトロニクス部品の表側面において放出面に隣接する反射層と、を備えているオプトエレクトロニクス部品、に関する。

さらに、本発明は、複数のオプトエレクトロニクス部品を備えている照明装置に関する。

オプトエレクトロニクス部品は、光放射を生成するオプトエレクトロニクス半導体チップと、生成された光放射を部分的または完全に変換するルミネセンス材料とを備えていることができる。１つの公知の構造においては、変換材料を含む平板状である変換要素が、半導体チップ上に直接配置されている。半導体チップは、特に、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）である。変換要素は、表側放出面を提供し、この面を通じて光放射を放出させることができる。

さまざまな照明用途（例えば自動車のヘッドライト）においては、高光束を達成できるように、複数のＬＥＤチップを整列させる。慣例的に、均一な光パターンを得るため、ＬＥＤチップの間隔、したがって発光放出面の間隔は小さいことが望ましい。照明装置の数多くの変形形態を提供するのにコストがかかることを避ける目的で、ＬＥＤ光源は、同時に柔軟に使用可能であるべきである。

小さい間隔は、共通のキャリア基板上に複数のＬＥＤチップが配置されている部品を利用することで実施することができる。複数のチップ／変換要素の間の領域と、これらの周囲の領域には、一般に、封止体の形における反射層が設けられる。このようにすることで達成可能な効果として、光放射が変換要素の表側発光面を通じてのみ放出される。しかしながら、この方法では柔軟性が犠牲になる。

個々のＬＥＤチップそれぞれが自身のキャリア基板上に配置されている小さい部品を使用することによって、高い柔軟性が可能である。この場合および従来においては、放出面においてのみ光放射を放出させる目的で、ＬＥＤチップおよびその上に配置されている変換要素と、したがって変換要素の表側放出面が、反射性の封止体によって囲まれている。複数のこのようなシングルチップ部品を、比較的大きいキャリア上または回路基板上に配置することができる。

欠点として、従来のシングルチップ部品を使用するときには、複数のチップを有する上述した構造とは異なり、それぞれの発光面を、互いに比較的広い間隔でしか配置することができない。この原因は、例えば光学安定性を達成する目的で部品の縁部領域が反射性の封止体を備えるように構成されていることと、個々の部品を取り付けてはんだ付けするために必要な間隔である。言い換えれば、高い柔軟性を達成するためには、発光放出面の間隔が犠牲になる。

本発明の目的は、オプトエレクトロニクス部品を改良するための解決策を提供することである。

この目的は、独立請求項の特徴によって達成される。本発明の他の有利な実施形態は、従属請求項に記載されている。

本発明の一態様によると、オプトエレクトロニクス部品を提供する。本オプトエレクトロニクス部品は、キャリア基板と、キャリア基板上に配置されている１個のオプトエレクトロニクス半導体チップと、オプトエレクトロニクス部品の表側面の一部である、光放射を放出する放出面と、オプトエレクトロニクス部品の表側面において放出面に隣接する反射層と、を備えている。放出面は、放出面がオプトエレクトロニクス部品の表側面の縁部の一部を形成するように、配置されている。

上述したオプトエレクトロニクス部品は、シングルチップ部品の形であり、キャリア基板上に１個のオプトエレクトロニクス半導体チップのみが配置されている。このようにすることで、複数のこのようなオプトエレクトロニクス部品から照明装置を形成するうえでの高い柔軟性を提供することができる。複数のオプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス部品の隣り合う表側放出面の互いの間の間隔が小さいかまたは最小限であるように、互いに隣り合うように配置することができる。

この利点は、上述した、放出面を縁部に配置する構造（edge-side structure）によって可能となり、この構造によると、オプトエレクトロニクス部品の表側放出面がオプトエレクトロニクス部品の表側面の縁部の一部を形成している。この構造は１つまたは複数の領域において実施することができ、したがって放出面は表側面の少なくとも１つの縁部領域に配置される。表側放出面が反射層によって完全に囲まれている従来の部品と比較すると、放出面を縁部に配置する構造によって反射性材料のための空間を節約することができ、したがって、放出面を互いにより近くに配置することが可能である。複数のオプトエレクトロニクス部品を配置または整列させる場合、２つの放出面の間の間隔を、特に、少なくとも節約される長さだけ小さくすることができる。

本オプトエレクトロニクス部品の動作時、光放射は、実質的に放出面を通じて放出させることができる。しかしながら、表側面からの放出に加えて、放出面が表側面の縁部の一部を形成している領域においては、光放射の横方向への放出が起こりうる。横方向の光の放出に起因する効率の損失は、適切な構造（例えば隣のオプトエレクトロニクス部品の反射性の使用）によって回避または制限することができる。それ以外の領域においては、放射を反射するために使用される反射層、すなわち反射層のうち表側面に存在する領域を、放出面に隣接させることができ、したがってこのような領域においては光放射の横方向の放出を抑制することができる。放出面に隣接する、反射層の表側面領域は、放出面に加えて、オプトエレクトロニクス部品の表側面のさらなる部分を形成することができる。

以下では、放出面が縁部に沿って配置されているオプトエレクトロニクス部品のさらなる可能な実施形態について説明する。オプトエレクトロニクス半導体チップは、特に、発光ダイオードチップとすることができる。例えば、薄膜チップの形の構造（すなわち実質的に表側面を通じて放出する半導体チップ）を想定することができる。

本オプトエレクトロニクス部品の表側面は、平面、または平坦面とすることができる。

別の実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、半導体チップ上に配置されている、放射を変換する変換要素、を備えている。変換要素は、光放射を放出させる目的で設けられている表側放出面を備えている。本オプトエレクトロニクス部品の動作時、半導体チップは、一次光放射を生成することができる。変換要素は、一次放射の少なくとも一部分を二次放射（conversion radiation）に変換することができる。このようにすることで、変換要素によってこれらの放射成分から混合放射を生成して放出させることが可能である。さらには、変換要素が半導体チップの一次放射の実質的に全体を二次放射に変換し、それを放出させることも可能である。

変換要素は、平板状に構成することができる。表面変換（チップレベルの変換）が可能となるように、変換要素は、オプトエレクトロニクス半導体チップの表側面（すなわち光出口面）に配置することができる。変換要素は、透明接着剤を利用して半導体チップ上に固定することができる。

別の実施形態においては、放出面を縁部に沿って配置する構造は、変換要素が、オプトエレクトロニクス部品の、表側面から反対側の裏側面まで延在している少なくとも１つの側壁に配置されており、したがって、変換要素の端面領域（edge section）がオプトエレクトロニクス部品の関連する側壁の一部を形成していることによって、達成される。この構造においては、矩形の断面形状を有する従来の変換要素を使用することができる。光放射の放出は、実質的に変換要素の表側放出面を通じて起こる。上述した横方向の光の放出は、側壁に存在しておりしたがって露出している（少なくとも１つの）端面領域を通じて起こる。本オプトエレクトロニクス部品は、例えば、変換要素が、１つ、２つ、または３つの露出した端面領域を備えているように、構成することができる。変換要素の残りの縁部面、すなわち変換要素の１つまたは複数のさらなる端面領域は、反射層によって囲むことができ、したがって、これらの覆われた位置においては、放出される光放射を反射して再び変換要素内に戻すことができる。

変換要素、または変換要素によって形成される放出面は、半導体チップまたはその光出口面と実質的に同じ横方向寸法を有する、またはより大きい横方向寸法を有することができる。変換要素を半導体チップ上に配置することのみならず、半導体チップをオプトエレクトロニクス部品の少なくとも１つの側壁の領域に配置することが可能である。このようにすることで、半導体チップの端面領域も、関連する側壁の一部を形成することができる。半導体チップの残りの部分すなわち縁部は、反射層によって囲むことができる。

半導体チップの光出口面に配置されている変換要素は、放射の変換を生じさせるのに適する変換材料を含むことができる。変換要素は、セラミック変換要素とすることが可能である。これに代えて、別の変換要素を使用することができる。一例は、ガラス材料、ポリマー材料、またはシリコーンからなり、埋め込まれたルミネセンス粒子（luminescent particle）の形で変換材料が存在している変換要素である。

本オプトエレクトロニクス部品は、白色光源とすることができる。これを目的として、半導体チップを、青色から紫外線のスペクトル領域における一次放射を生成するように構成することができ、変換要素（またはその変換材料）を、黄色のスペクトル領域における二次放射を生成するように構成することができる。これらの光放射を重ね合わせることによって、白色の光放射を生成することができる。さらに、変換要素が、複数の異なる放射成分から構成される二次放射を生成するための複数の異なる変換材料を含むことも可能である。一例として、黄色から緑色のスペクトル領域における１つの放射成分と、赤色のスペクトル領域における別の放射成分とを、同様に青色から紫色の一次放射と重ね合わせることで、白色の光放射を生成することができる。さらには、白色の光放射以外に、別の色の光放射（例えば黄色の光放射）を生成するように、本オプトエレクトロニクス部品を構成することもできる。

放射を反射するために使用される反射層は、反射性粒子によって満たされた封止材料を含むことができる。反射層は、キャリア基板上に配置することができ、半導体チップおよび変換要素の一部分を囲むことができる。

本オプトエレクトロニクス部品のキャリア基板は、適切な接続部または接触構造部を有するように構成することができ、セラミックキャリア基板とすることができる。半導体チップとは反対側のキャリア基板の面は、オプトエレクトロニクス部品の裏側面を形成することができる。キャリア基板は、裏側面に電気接続部を有することができ、この電気接続部によって、照明装置のキャリア上にオプトエレクトロニクス部品を実装することができる。例えばＳＭＴ実装（表面実装技術）法を想定することができる。この場合、従来の取付け公差を考慮して、キャリア上に複数のオプトエレクトロニクス部品を互いに隣り合うように配置することができる。個々のオプトエレクトロニクス部品において放出面を縁部に沿って配置する結果として、放出面を互いに比較的近くに配置することができる。

別の実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、表側面から反対側の裏側面まで延在している複数の側壁、を備えていることができる。この場合、放出面は、少なくとも１つの側壁に配置されている。放出面を２つ以上の側壁に配置することにより、このように構成された複数のオプトエレクトロニクス部品を整列させる場合に、放出面を互いに近くに配置することを支援することができる。

本オプトエレクトロニクス部品の、表側面から裏側面まで延在している複数の側壁は、例えば、平面状とすることができる。

本オプトエレクトロニクス部品は、例えば直方体とすることができ、平面視において矩形を有することができる。したがって、表側面と裏側面の間には４つの隣接する側壁が存在しうる。これら４つの側壁は、それぞれ互いに直角に隣接することができる。２つ以上の側壁に放出面を配置する構造として、例えば、２つの側壁に放出面を配置することができる。これら２つの側壁は、例えば、オプトエレクトロニクス部品の対向する側に存在する側壁とすることができる。しかしながら、これら２つの側壁を、互いに隣接する側壁とすることも可能である。別の可能な構造においては、オプトエレクトロニクス部品の３つの側壁に放出面を配置することができる。

半導体チップは、平面視において矩形を有することができる。同様に、変換要素も、平面視において矩形、または実質的に矩形を有することができる。変換要素は、縁部または角部に凹部を有することができる。光出口面に表側面コンタクトを有する半導体チップの１つの可能な構造においては、表側面コンタクトとの接触を凹部によって可能にすることができる。

さらには、照明装置であって、キャリアと、複数のオプトエレクトロニクス部品のグループとを備えた照明装置、を提供する。オプトエレクトロニクス部品は、縁部に沿って配置された放出面を有するように、上述したように、または上述した実施形態のうちの１つに従って、構成されている。グループのオプトエレクトロニクス部品は、キャリア上に互いに隣り合うように列の形で配置されている。個々のオプトエレクトロニクス部品において縁部に沿って放出面が存在するため、放出面を互いに近くに配置する、または互いに最小限の距離に配置することができる。このようにすることで、本照明装置の光パターンの特徴として、非発光領域に起因する干渉（interference）を最小限とすることができる。

本照明装置においては、オプトエレクトロニクス部品は、それぞれ同じ向きにあってもよい。本照明装置は、例えば、自動車のヘッドライトや、自動車のヘッドライトの一部を構成することができる。オプトエレクトロニクス部品が上に配置されているキャリアは、例えば回路基板とすることができる。

本照明装置においては、グループのオプトエレクトロニクス部品は、それぞれ、縁部に沿って配置されている変換要素を備えていることができる。変換要素の露出した端面領域における横方向の光放出に起因する効率の損失は、以下の構造を利用して回避または制限することができる。

別の実施形態においては、グループのオプトエレクトロニクス部品の変換要素の端面領域は、グループの隣のオプトエレクトロニクス部品の反射層と対向している。このようにして達成することのできる効果として、変換要素の端面領域を通じて横方向に放出される光放射の少なくとも一部分が、反対側に位置する反射層において反射され、したがって再び端面領域に達して変換要素に入射することができる。光放射を反射して戻す結果として、効率の損失が回避または制限される。さらには、散乱光の発生と、（オプションとして互いに個別にも動作する）隣り合うオプトエレクトロニクス部品の間のクロストークの発生を抑制することが可能である。この構造は、グループの隣り合うオプトエレクトロニクス部品の、互いに向かい合うすべての側壁の領域に設けることができる。

別の実施形態においては、グループの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品の変換要素の端面領域が、互いに対向している。このようにすることで達成可能な効果として、変換要素の端面領域によって横方向に放出される光放射の少なくとも一部分が、それぞれ隣の変換要素の対向する端面領域に達し、その変換要素に入射することができる。このようにすることで、同様に効率の損失を回避または制限することができる。この構造も、グループの隣り合うオプトエレクトロニクス部品の、互いに向かい合うすべての側壁の領域に設けることができる。

別の実施形態においては、本照明装置は、それぞれキャリア上に互いに隣り合うように列の形で配置されているオプトエレクトロニクス部品の２つのグループ、を備えている。この場合、２つのグループの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品の変換要素の端面領域は、互いに対向している。このようにすることで、変換要素の端面領域において横方向に放出される光放射の少なくとも一部分が、それぞれ隣の変換要素の対向する端面領域に達し、その変換要素に入射することが可能である。このようにすることで、効率の損失を回避または制限することができる。この構造は、２つの異なるグループの隣り合うオプトエレクトロニクス部品の、互いに向かい合うすべての側壁の領域に設けることができる。

別の実施形態においては、本照明装置は、反射層を有する反射要素を備えており、この反射要素は、その反射層がオプトエレクトロニクス部品の変換要素の端面領域に対向するように、キャリア上に配置されている。このようにすることで達成可能な効果として、変換要素の端面領域を通じて横方向に放出される光放射の少なくとも一部分が、対向する位置にある反射層において反射され、したがって再び端面領域に達し、変換要素に入射することができる。反射要素は、例えば、オプトエレクトロニクス部品の列の最後の領域に配置することができる。反射要素は、オプトエレクトロニクス部品に類似して、上に反射層のみが配置されたキャリア基板を備えていることができる（ダミー部品）。

別の実施形態においては、本照明装置は、オプトエレクトロニクス部品の間の少なくとも中間領域においてキャリア上に配置されている追加の反射層、を備えている。この追加の反射層は、個々のオプトエレクトロニクス部品の反射層の材料（すなわち反射性粒子によって満たされた封止材料）と同じ材料、または類似する材料を含んでいることができる。追加の反射層は、オプトエレクトロニクス部品の表側面まで延在していることができ、オプトエレクトロニクス部品の間のみならず、オプトエレクトロニクス部品を囲む領域にも存在させることができ、この追加の反射層によって、個々のオプトエレクトロニクス部品の変換要素の端面領域（追加の反射層がなければ露出している）を覆うことができる。このようにすることで、これらの位置において放出される光放射を反射して再び変換要素内に戻すことができ、したがって、変換要素の表側放出面を通じてのみ光放出が起こるようにすることができる。

追加の反射層は、例えば、２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品それぞれの変換要素の対向する端面領域を分離する目的で使用することができる。このようにすることで、隣り合うオプトエレクトロニクス部品の間のクロストークを回避することが可能である。追加の反射層を有する本照明装置の構造は、照明装置のキャリア上にオプトエレクトロニクス部品を実装した後に、オプトエレクトロニクス部品の間の中間領域とオプトエレクトロニクス部品を囲む領域とに、粒子によって満たされた封止材料を満たして反射層を形成することによって、実施することができる。追加の反射層の使用は、例えば、変換要素が２つまたは３つの露出した端面領域を有するオプトエレクトロニクス部品を備えた照明装置の場合に想定することができる。

本発明の一態様によると、さらなるオプトエレクトロニクス部品を提供する。本オプトエレクトロニクス部品は、キャリア基板と、キャリア基板上に配置されている１個のオプトエレクトロニクス半導体チップと、オプトエレクトロニクス部品の表側面の一部である、光放射を放出する放出面と、オプトエレクトロニクス部品の表側面において放出面に隣接する反射層と、を備えている。放出面は、オプトエレクトロニクス部品の、表側面とは反対側の裏側面の断面幅と少なくとも同じ大きさの断面幅（cross-sectional width）を有する。

上述したオプトエレクトロニクス部品は、シングルチップ部品の形であり、キャリア基板上に１個のオプトエレクトロニクス半導体チップのみが配置されている。このようにすることで、複数のこのようなオプトエレクトロニクス部品から照明装置を形成するうえでの高い柔軟性を提供することができる。本オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス部品の隣り合う表側放出面の互いの間隔が小さいかまたは最小限であるように、互いに隣り合うように配置することができる。

この利点も、上述した構造によって可能となり、この構造によると、オプトエレクトロニクス部品の断面における変換要素の放出面の幅が、オプトエレクトロニクス部品の裏側面の幅と少なくとも同じ大きさである。このようにすることで、複数のオプトエレクトロニクス部品を配置または整列させたときにおける２つの放出面の間の間隔を、対応するオプトエレクトロニクス部品の裏側面の間の間隔と同じ大きさとする、またはそれより小さくすることができる。

従来のシングルチップ部品においては、表側面において放出面が反射層によって囲まれている影響として、通常では、放出面の断面幅が裏側面の断面幅と比較して小さい。したがって、従来の部品を整列させたとき、放出面の間の間隔が裏側面の間の間隔より大きい。したがって、従来とは異なる提案する幅構造によって、放出面の間に存在する間隔を小さくする、または最小化することが可能になる。

放出面の幅が裏側面の幅と少なくとも同じである断面は、オプトエレクトロニクス部品の横方向の広がり（すなわち横手方向の広がり）によって決まる方向に存在する。複数のオプトエレクトロニクス部品を備えた照明装置は、複数のオプトエレクトロニクス部品がこの延在方向に沿って同じ向きで互いに隣り合うように配置されていることによって、放出面の間の最小限の間隔を有することができる。

以下では、有利な幅構造を有するオプトエレクトロニクス部品のさらなる可能な実施形態について説明する。オプトエレクトロニクス半導体チップは、特に、発光ダイオードチップとすることができる。例えば、薄膜チップの形における構造（すなわち実質的に表側面を通じて放出する半導体チップ）を想定することができる。

本オプトエレクトロニクス部品の表側面は、平面または平坦面とすることができる。

別の実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、半導体チップ上に配置されている、放射を変換する変換要素、を備えている。変換要素は、光放射を放出させる目的で設けられている表側放出面を備えている。本オプトエレクトロニクス部品の動作時、半導体チップは、一次光放射を生成することができる。変換要素は、一次放射の少なくとも一部分を二次放射に変換することができる。このようにすることで、変換要素によってこれらの放射成分から混合放射を生成して放出させることが可能である。さらには、変換要素が半導体チップの一次放射の実質的に全体を二次放射に変換し、それを放出させることも可能である。

変換要素は、平板状に構成することができる。表面変換が可能となるように、変換要素は、オプトエレクトロニクス半導体チップの表側面（すなわち光出口面）に配置することができる。変換要素は、透明接着剤を利用して半導体チップ上に固定することができる。変換要素、または変換要素によって提供される放出面は、オプションとして、半導体チップまたはその光出口面と実質的に同じ横方向寸法を有する、またはそれより大きい横方向寸法を有することができる。

変換要素は、放射の変換を生じさせるのに適する変換材料を含むことができる。変換要素は、セラミック変換要素とすることが可能である。これに代えて、別の変換要素を使用することができる。一例は、ガラス材料、ポリマー材料、またはシリコーンからなり、埋め込まれたルミネセンス粒子の形で変換材料が存在している変換要素である。

本オプトエレクトロニクス部品は、白色光源とすることができる。これを目的として、半導体チップを、青色から紫外線のスペクトル領域における一次放射を生成するように構成することができ、変換要素（またはその変換材料）を、黄色のスペクトル領域における二次放射を生成するように構成することができる。これらの光放射を重ね合わせることによって、白色の光放射を生成することができる。さらに、変換要素が、複数の異なる放射成分から構成される二次放射を生成するための複数の異なる変換材料を含むことも可能である。一例として、黄色から緑色のスペクトル領域における１つの放射成分と、赤色のスペクトル領域における別の放射成分とを、同様に青色から紫色の一次放射と重ね合わせることで、白色の光放射を生成することができる。さらには、別の色の光放射（例えば黄色の光放射）を生成するように、本オプトエレクトロニクス部品を構成することもできる。

放射を反射するために使用される反射層は、反射性粒子によって満たされた封止材料を含むことができる。反射層は、キャリア基板上に配置することができ、半導体チップおよび変換要素の一部分を囲むことができる。

半導体チップまたはその縁部を、反射層によって完全に囲むことができる。同様に、半導体チップ上に配置されている変換要素を、縁部における反射層によって完全に囲むことができる。このようにすることで、オプトエレクトロニクス部品の表側面の一部を形成する、変換要素の放出面のみを、露出させることができる。このようにすることで達成可能な効果として、本オプトエレクトロニクス部品の動作時、変換要素の放出面を通じてのみ光放射が放出される。しかしながら、表側面からの放射の放出に加えて横方向に（少量の）光放射が放出されうる実施形態を想定することもできる。

本オプトエレクトロニクス部品のキャリア基板は、適切な接続部または接触構造部を有するように構成することができ、セラミックキャリア基板とすることができる。半導体チップとは反対側のキャリア基板の面は、オプトエレクトロニクス部品の裏側面を形成することができる。キャリア基板は、裏側面に電気接続部を有することができ、この電気接続部を使用して、照明装置のキャリア上にオプトエレクトロニクス部品を実装することができる。例えばＳＭＴ実装法を想定することができる。この場合、従来の取付け公差を考慮して、キャリア上に複数のオプトエレクトロニクス部品を互いに隣り合うように配置することができる。放出面の断面幅が個々のオプトエレクトロニクス部品の裏側面の断面幅と少なくとも同じであることによって、放出面を互いに比較的近くに配置することができる。

本オプトエレクトロニクス部品は、平面視において矩形を有することができる。さらに、本オプトエレクトロニクス部品は、互いに垂直に延びる２つの横延在方向を有することができる。２つの延在方向の一方において、放出面の幅を、オプトエレクトロニクス部品の裏側面の幅と少なくとも同じにすることができる。

半導体チップは、平面視において矩形を有することができる。同様に、変換要素も、平面視において矩形、または実質的に矩形を有することができる。変換要素は、縁部または角部に凹部を有することができる。光出口面に表側面コンタクトを有する半導体チップの１つの可能な構造においては、表側面コンタクトとの接触を凹部によって可能にすることができる。

別の実施形態においては、変換要素は、少なくとも一部分が放出面の方向に広がっていく断面形状を有する。この構造は、オプトエレクトロニクス部品の上述した幅構造が存在するオプトエレクトロニクス部品の断面に存在する。このようにすることで、このような構造を有する複数のオプトエレクトロニクス部品を、表側放出面の間の小さい間隔で、互いに隣り合うように配置することができる。変換要素は、例えば、断面において、簡単に作製可能な、側面が放出面に対して斜めに延在する台形形状、を有することができる。さらに、本オプトエレクトロニクス部品は、広がっていく、または台形状の変換要素の表側放出面が、２つの対向する側においてオプトエレクトロニクス部品の縁部に達するように、構成することができる。

放出面の間の比較的小さい間隔は、特に、少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有する変換要素が、オプトエレクトロニクス部品の表側面の領域において横方向に突き出す（または張り出す）構造において、可能である。このようにすることで、縁部面において変換要素の一部が露出しうる。したがって、この構造においては、横方向への光放射の放出が生じうる。

光が横方向に放出されるときには、オプションとして、横方向に放出される光放射の少なくとも一部分を、隣のオプトエレクトロニクス部品の対向する変換要素に入射させることによって、または、横方向に放出される光放射の少なくとも一部分を反射して戻すことのできる対向する反射層を利用することによって、効率の損失を回避する、または少なくとも制限することができる。反射して戻すことのできる反射層は、隣のオプトエレクトロニクス部品の一部とする、または隣の反射要素の一部とすることができる。

別の実施形態においては、キャリア基板は、オプトエレクトロニクス部品の表側面の方向に少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有する。この構造は、オプトエレクトロニクス部品の上述した幅構造が存在するオプトエレクトロニクス部品の断面に存在する。キャリア基板は、例えば、断面において、簡単に作製可能な、側面がオプトエレクトロニクス部品の表側面および裏側面に対して斜めに延在する台形形状、を有することができる。このようにすることで、このような構造を有する複数のオプトエレクトロニクス部品を、表側放出面の間の小さい間隔で、互いに隣り合うように配置することができる。逆に、オプトエレクトロニクス部品の裏側面または裏側面付近の部分領域の互いの間の間隔を、比較的離すことができる。

別の実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、表側面の方向に少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有する。この構造は、オプトエレクトロニクス部品の上述した幅構造が存在するオプトエレクトロニクス部品の断面に存在する。例えば、オプトエレクトロニクス部品全体が、断面において、簡単に作製可能な、側壁が表側面および裏側面に対して斜めに延在する台形形状、を有することが可能である。この構造においても、表側放出面の間の小さい間隔で、複数のオプトエレクトロニクス部品を配置または整列させることができる。逆に、オプトエレクトロニクス部品の別の部分領域（特に、裏側面付近の部分領域）の互いの間の間隔を、比較的離すことができる。

広がっていく断面形状を有する、上述した変換要素の構造、キャリア基板の構造、オプトエレクトロニクス部品の構造のうちの少なくとも１つに関連して、変換要素、キャリア基板、オプトエレクトロニクス部品のうちの少なくとも１つの、１つまたは複数の部分領域のみに、広がっていく断面幅が存在し、１つまたは複数の別の部分領域は一定の断面幅を有することを想定することができる。台形形状（すなわち斜めに延在する輪郭および側面）に加えて、別の形状（例えば湾曲した輪郭）も可能である。さらには、断面において異なる程度に広がっていく複数の部分領域（すなわち異なる傾斜度で延在する側面領域や側壁領域）が存在することを想定することができる。

さらには、照明装置であって、キャリアと、複数のオプトエレクトロニクス部品のグループとを備えた照明装置、を提供する。オプトエレクトロニクス部品は、幅構造に関して上述したように構成されている、または、上述した実施形態のうちの１つに従って構成されている。グループのオプトエレクトロニクス部品は、キャリア上に互いに隣り合うように列の形で配置されている。この場合、（列の延在方向に関して、）列のオプトエレクトロニクス部品それぞれにおいて、放出面の断面幅は、裏側面の断面幅と少なくとも同じ大きさである。言い換えれば、グループのオプトエレクトロニクス部品は、（延在方向に沿って）同じ向きにある。結果として、放出面を、互いに小さい間隔または最小限の間隔で配置することができる。このようにすることで、本照明装置の光パターンの特徴として、非発光領域に起因する干渉を最小限とすることができる。

本照明装置は、例えば、自動車のヘッドライトや、自動車のヘッドライトの一部を構成することができる。オプトエレクトロニクス部品が上に配置されているキャリアは、例えば回路基板とすることができる。

本照明装置において、放出面を通じてのみならずさらに横方向にも光の放出が起こるオプトエレクトロニクス部品が使用される場合、効率の損失は、上に提示した方法に従って低減することができる。例えば、オプトエレクトロニクス部品の変換要素によって横方向に放出される光放射の少なくとも一部分を、隣のオプトエレクトロニクス部品の変換要素に入射させることができる。さらには、横方向に放出される光放射の少なくとも一部分を、反対側に位置する反射層において反射して戻すことも可能である。反射層は、照明装置においてキャリア上に設けることのできる隣接する反射要素によって構成することができる。さらに、本照明装置は、オプトエレクトロニクス部品の間の少なくとも中間領域において、キャリア上に配置されている追加の反射層を備えていることができる。

上述したオプトエレクトロニクス部品およびその可能な実施形態に関連して、オプションとして、このようなオプトエレクトロニクス部品を、上述した幅構造とは無関係に実施する可能性について説明する。この点において構成されたオプトエレクトロニクス部品は、キャリア基板と、キャリア基板上に配置されている１個のオプトエレクトロニクス半導体チップと、オプトエレクトロニクス部品の表側面の一部である、光放射を放出する放出面と、オプトエレクトロニクス部品の表側面において放出面に隣接する反射層と、を備えていることができる。さらには、オプトエレクトロニクス部品が、少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有する、もしくは、キャリア基板が、少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有する、もしくは、オプトエレクトロニクス部品が、半導体チップ上に配置されている変換要素であって、放出面を提供し、少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有する、変換要素、を有する、のうちの少なくとも１つであるようにすることができる。このような構造においては、幅構造（放出面の断面幅が裏側面の断面幅と少なくとも同じ大きさである）を実施しても実施しなくてもよい。このようなオプトエレクトロニクス部品には、上に挙げたいくつかの実施形態を同じように適用することができる。特に、断面に存在する上述した台形形状を設けることができる。複数のオプトエレクトロニクス部品がこのような構造を有する場合、放出面を互いに小さい間隔で配置することを可能にすることができる。この場合にも、関連付けられる照明装置は、キャリアと、複数のこのようなオプトエレクトロニクス部品のグループとを備えていることができ、グループのオプトエレクトロニクス部品は、キャリア上に列の形で互いに隣り合うように配置される。この場合、少なくとも一部分が広がっていく断面形状は、列の延在方向に存在する。

上に説明した、または従属請求項に記載されている、本発明の有利な構造形態および修正形態は、（例えば固有の依存関係が存在する場合や両立し得ない代替形態の場合を除いて）個別に適用する、または互いの任意の組合せにおいて適用することができる。

以下では、例示的な実施形態について概略的な図面を参照しながらさらに詳しく説明する。本発明の上述した特性、特徴、および利点と、これらを達成する方法は、以下の説明からさらに明確になり、完全に理解することができるであろう。

オプトエレクトロニクス部品の概略的な側断面図および概略的な斜視図を示しており、このオプトエレクトロニクス部品は、その側壁の領域に配置されている変換要素を備えている。 オプトエレクトロニクス部品の概略的な側断面図および概略的な斜視図を示しており、このオプトエレクトロニクス部品は、その側壁の領域に配置されている変換要素を備えている。 照明装置の概略的な側断面図および概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は図１および図２に示した構造を有する。 照明装置の概略的な側断面図および概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は図１および図２に示した構造を有する。 さらなる照明装置の概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は、図１および図２に類似する構造を有し、別の側壁の領域に配置された変換要素を有する。 さらなる照明装置の概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の２つの列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は、２つの側壁の領域に配置された変換要素を備えている。 さらなる照明装置の概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の２つの列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は、３つの側壁の領域に配置された変換要素を備えている。 さらなる照明装置の概略的な側断面図および概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は、台形状の断面形状を有するキャリア基板を備えている。 さらなる照明装置の概略的な側断面図および概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は、台形状の断面形状を有するキャリア基板を備えている。 さらなる照明装置の概略的な側断面図および概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は、台形状の断面形状を有する変換要素を備えている。 さらなる照明装置の概略的な側断面図および概略的な平面図を示しており、この照明装置は、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の列を備えており、オプトエレクトロニクス部品は、台形状の断面形状を有する変換要素を備えている。 互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品を有するさらなる照明装置の概略的な側断面図を示しており、オプトエレクトロニクス部品は、表側面において横方向に突き出している台形状の断面形状を有する変換要素を有する。 互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品を有するさらなる照明装置の概略的な側断面図を示しており、オプトエレクトロニクス部品は、台形状の断面形状を有する。

以下では、シングルチップオプトエレクトロニクス部品（シングルエミッターとも称する）の実施形態と、複数のこのようなオプトエレクトロニクス部品を有する照明装置の実施形態とについて、概略図を参照しながら説明する。本オプトエレクトロニクス部品は、１個のオプトエレクトロニクス半導体チップと、キャリア基板と、変換要素と、反射層とを備えている。シングルチップ部品を使用することによって、特に、異なる数のオプトエレクトロニクス部品を有する、照明装置の複数の異なる実施形態を、柔軟に実施することが可能となる。本シングルチップ部品は、表側面の平面状の発光面または放出面を互いに比較的近くに配置することができるように構成されている。このようにすることで、向上した均質性を有する光パターンを提供することが可能である。

図示および説明されているオプトエレクトロニクス部品は、半導体技術およびオプトエレクトロニクス部品の製造において公知の工程を利用して製造することができ、これらのオプトエレクトロニクス部品は従来の材料を含むことができ、したがって、公知の工程や従来の材料については一部のみについて説明する。さらに、本オプトエレクトロニクス部品は、図示および説明されている構造に加えて、さらなる部分や構造、層を備えていることができる。なお、図面は本質的に概略的であり、場合によっては正しい縮尺では描かれていないことに留意されたい。したがって、図面に示されている部分および構造は、理解しやすいように、誇張して大きく描かれている、または縮小した大きさで描かれていることがある。

以下では、互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品の放出面１３１の間隔を小さくすることのできる着想について、図１〜図７に基づいて説明する。この着想は、１つまたは複数の領域において、放出面１３１が、オプトエレクトロニクス部品の平坦な表側面の縁部の一部を形成するように、表側放出面１３１を配置することに基づく。これを目的として、本オプトエレクトロニクス部品は、放出面１３１を提供する変換要素１３０がオプトエレクトロニクス部品の少なくとも１つの側壁の領域に配置されるように、構成されている。

図１および図２は、このように構成されているオプトエレクトロニクス部品１０１の実施形態を、側断面図および斜視図で示している。図１の断面図は、図２における切断線Ａ−Ａによって示されている断面を表している。

オプトエレクトロニクス部品１０１は、直方体の形状に構成されており、平面視において、異なる長さの辺（すなわち、２本の平行な第１の長辺と、２本の平行な第２の短辺）（図４を参照）を持つ矩形を有する。オプトエレクトロニクス部品１０１は、互いに反対側に位置する２つの端面１１１，１１２（以下では表側面１１１および裏側面１１２と称する）と、縁部に存在する４つの側壁１１４，１１５，１１６，１１７とを有する。表側面１１１と裏側面１１２との間に延在する側壁１１４，１１５，１１６，１１７は、それぞれ互いに直角に隣接している。この場合、側壁１１４，１１６が、上述した第１の辺（すなわち長辺）を構成し、側壁１１５，１１７が、第２の辺（すなわち短辺）を構成している。側壁１１４，１１５，１１６，１１７は、平面状とすることができる。

オプトエレクトロニクス部品１０１は、図１に示したように、基部として使用されるキャリア基板１４０と、キャリア基板１４０の上に配置されており、放射を生成するための１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０の上に配置されており、放射を変換する（すなわち表面変換の）ための平板状の変換要素１３０と、キャリア基板１４０の上に配置されている反射層１５０と、を備えている。放射を反射するために使用される反射層１５０は、半導体チップ１２０および変換要素１３０に隣接している。半導体チップ１２０および変換要素１３０は、側壁１１４の領域における部分領域を除き、特に、縁部において、すなわち周囲を反射層によって横方向に囲まれている。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１２０は、特に、発光ダイオードチップ（すなわちＬＥＤチップ）とすることができる。例えば、薄膜チップの形における構造を想定することができる。これを目的として、半導体チップ１２０は、動作時に電気エネルギが供給されると、一次光放射を生成するように構成されている。一次放射は、実質的に半導体チップ１２０の表側面（半導体チップ１２０の光出口面とも称する）を通じて放出させることができる。変換要素１３０は、半導体チップ１２０のこの面に直接配置されている。半導体チップ１２０またはその光出口面は、平面視において矩形を有する。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１２０に電気エネルギを供給する目的で、半導体チップ１２０は、２つの電気コンタクトを備えるように構成されている。ここに説明されている例示的な実施形態においては、半導体チップ１２０は、光出口面の領域における表側面コンタクトと、光出口面とは反対側の、半導体チップ１２０の裏側面における裏側面コンタクトとを有する（図示していない）。

半導体チップ１２０を担持するために使用されるキャリア基板１４０は、半導体チップ１２０および反射層１５０が上に配置されている表側面に、半導体チップ１２０の裏側面コンタクトに適合する相手方コンタクト（図示していない）を備えている。半導体チップ１２０の裏側面コンタクトとキャリア基板１４０の相手方コンタクトは、はんだによって互いに電気的に接続することができる（図示していない）。このようにすることで、同時に、半導体チップ１２０をキャリア基板１４０の上に機械的に固定することができる。半導体チップ１２０の表側面コンタクト（半導体チップ１２０の縁部または角部に配置されている）に対しては、キャリア基板１４０は、その表側面に配置されているさらなる相手方コンタクト（図示していない）を備えている。この相手方コンタクトと半導体チップ１２０の表側面コンタクトとの間の電気的接続は、ボンディングワイヤ１８９によって確立される（図４を参照）。ボンディングワイヤ１８９は、反射層１５０に埋め込まれている。

直方体として構成されているキャリア基板１４０は、例えば、セラミックキャリア基板とすることができる。キャリア基板１４０の表側面とは反対側の裏側面は、オプトエレクトロニクス部品１０１の裏側面１１２を形成している。この面１１２においてキャリア基板１４０は、図１に示したように、オプトエレクトロニクス部品１０１およびしたがって半導体チップ１２０に電気エネルギを供給することができるように、２つの電気接続部１４７を有する。例えばはんだ面の形で設けられる接続部１４７は、例えば、帯状形状を有することができ、オプトエレクトロニクス部品１０１の長辺１１４，１１６に平行に延在していることができる。接続部１４７は、キャリア基板１４０の中を垂直方向に延在する適切な接続構造によって、キャリア基板１４０の表側面に存在する相手方コンタクトに電気的に接続されている（図示していない）。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１２０の光出口面に配置されている平板状の変換要素１３０は、例えば、透明接着剤（例：シリコーン接着剤）を利用して、半導体チップ１２０の上に固定することができる（図示していない）。変換要素１３０は、動作時に半導体チップ１２０によって生成される一次放射の少なくとも一部分を、より低いエネルギの二次放射に変換するように構成されている。一次放射は、半導体チップ１２０の光出口面において放出され、したがって、変換要素１３０に入射することができる。

変換要素１３０は、放射を変換するため、一次放射を吸収することで励起されて二次放射を再放出することのできる適切な変換材料を含む。このようにすることで、一次放射および二次放射を含む混合放射を生成することが可能であり、混合放射を変換要素１３０によって放出させることができる。さらには、変換要素１３０が、半導体チップ１２０の一次放射の実質的にすべてを二次放射に変換し、それを放出することも可能である。変換要素１３０は、例えば、セラミック変換要素１３０とすることができる。

変換要素１３０は、半導体チップ１２０またはその光出口面と同じかまたは実質的に同じ横方向寸法を有することができ、半導体チップ１２０の光出口面の上に、同一の形状および大きさで（congruently）配置されている。変換要素１３０は、より大きい横方向寸法を有することもできる。変換要素１３０は、半導体チップ１２０と同様に、平面視において実質的に矩形を有する。半導体チップ１２０の表側面コンタクトの方向に見たとき、変換要素１３０は、図２に示したように、角部の領域に表側面コンタクトに合わせて凹部１３９を有するように構成されている。このようにすることで、表側面コンタクトを露出させ、ボンディングワイヤ１８９によって接触することができる（図４を参照）。図１に示した断面においては、変換要素１３０は矩形を有する。この断面に垂直な（側面１１４，１１６に平行な）断面においても、変換要素１３０は同様に矩形を有する（図示していない）。

オプトエレクトロニクス部品１０１は、例えば、白色光源とすることができる。このことは、青色から紫外線のスペクトル領域における一次放射を生成するように半導体チップ１２０を構成し、黄色のスペクトル領域における二次放射を生成するように変換要素１３０を構成することによって、達成することができる。青色から紫色の光放射と黄色の光放射を重ね合わせて白色の光放射を形成することができる（加法混色）。しかしながら、別の構造も可能である。例えば、変換要素１３０によって生成される二次放射が複数の異なるスペクトル領域の複数の放射成分を含むことができるように、変換要素１３０が複数の異なる変換材料を含むことができる。青色から紫色の一次放射の場合、例えば、黄色から緑色のスペクトル領域における第１の放射成分と、赤色のスペクトル領域における第２の放射成分とを放出するように、変換要素１３０を構成することができる。これらの放射成分と、青色から紫色の一次放射とを重ね合わせることにより、同様に白色の光放射が生成される。これに代えて、白色の光放射の代わりに別の色の光放射（例えば黄色の光放射）を放出するように、オプトエレクトロニクス部品１０１を構成することもできる。

オプトエレクトロニクス部品１０１の動作時、その光放射は変換要素１３０を通じて放出される。光放射の放出は、平板状の変換要素１３０の広い表側面１３１（以下では発光面または放出面１３１と称する）を実質的に通じて起こる。放出面１３１は、オプトエレクトロニクス部品１０１の表側面１１１に位置しており、表側面１１１の一部である。

キャリア基板１４０の上に配置されており、半導体チップ１２０および変換要素１３０の一部を囲んでいる、または埋め込んでいる反射層１５０は、例えばチタン酸化物からなる反射性粒子が中に含まれているマトリックス材料または封止材料（例えばシリコーン）からなる。反射層１５０は、オプトエレクトロニクス部品１０１の表側面１１１まで延在しており、したがって、反射層１５０の表側面領域は、放出面１３１に加え、表側面１１１のさらなる（残りの）部分を形成している。反射層１５０の（放出面１３１に隣接する）表側面領域は、実質的にＵ字形状である（図２および図４を参照）。オプトエレクトロニクス部品１０１においては、反射層１５０の存在により、光放射の放出が実質的に変換要素１３０の放出面１３１を通じて起こる。

オプトエレクトロニクス部品１０１においては、変換要素１３０は側壁１１４の領域に配置されている。この非対称的な配置によって、表側放出面１３１もオプトエレクトロニクス部品１０１の縁部に位置しており、したがって、表側面１１１の縁部の一部を形成している。このように縁部に沿って配置する効果として、変換要素１３０の（放出面１３０に垂直に延在する）端面領域１３４が、関連する側壁１１４の一部を形成する（図１を参照）。放出面１３１を通じて表側面から放射が放出されることに加えて、露出した端面領域１３４を通じて横方向にも光放射が放出されうる。これとは異なり、変換要素１３０の残りの縁部領域（すなわちさらなる端面領域）は、反射層１５０によって囲まれており、したがってこれらの位置において放出される光放射を反射して変換要素１３０内に戻すことができる。

変換要素１３０が同一の形状および大きさで上に配置されている半導体チップ１２０も、非対称的に配置されており、側壁１１４の領域に位置しているため、半導体チップ１２０の端面領域が側壁１１４の一部を形成することができる。半導体チップ１２０の残りの部分（すなわち端面領域）は、反射層１５０によって囲まれている。

１つの製造方法においては、複数のオプトエレクトロニクス部品１０１を一緒に（すなわち並行して）製造することができる。この場合、複数の半導体チップ１２０と、それらの上の変換要素１３０とが上に配置される連続的なキャリア基板１４０を、複数のオプトエレクトロニクス部品１０１に対して設けることができる。チップ１２０の表側面コンタクトと、連続的なキャリア基板１４０の相手方コンタクトとにボンディングワイヤ１８９を接続した後、複数の半導体チップ１２０／変換要素１３０の間の領域とこれらの周囲の領域とを、粒子によって満たされた封止材料によって満たして反射層１５０を形成することができる。この製造方法の最後に、分離工程を行って個別のオプトエレクトロニクス部品１０１を作製することができる。

変換要素１３０が縁部に沿って（すなわち非対称的に）配置されているオプトエレクトロニクス部品１０１の構造においては、複数のこのようなオプトエレクトロニクス部品１０１を有する照明装置を、隣り合う変換要素１３０およびしたがって隣り合う表側放出面１３１が互いの間の小さい間隔を有するように、実施することが可能である。オプトエレクトロニクス部品１０１は、照明装置のキャリアによって決まる間隔格子（spacing grid）（すなわち実装格子）に従って、キャリア上に配置することができる。

反射層を有する従来のシングルチップ部品においては、本オプトエレクトロニクス部品１０１とは異なり、変換要素およびしたがってその表側放出面が、反射層によって完全に囲まれている。複数の部品を配置したとき、これによって放出面の間の間隔が比較的大きくなる。これと比較すると、本オプトエレクトロニクス部品１０１の、放出面を縁部に配置する構造では、反射性材料と、それによって形成されるハウジング壁のための空間を節約することが可能である。これにより、複数のオプトエレクトロニクス部品１０１を整列させたとき、少なくとも節約される長さだけ変換要素１３０の間隔を小さくすることが可能になる。したがって、変換要素１３０を、それぞれの隣の変換要素１３０のより近くに配置することができる。間隔が小さいことによって、複数の変換要素１３０の放出面１３１によって形成される発光面を、より均一なものにすることができる。

本オプトエレクトロニクス部品１０１においては、従来の部品とは異なり、側壁１１４に存在する、変換要素１３０の露出した端面領域１３４を通じて光放射の横方向の放出が起こるが、以下にさらに詳しく説明するように、照明装置の適切な構造によって、関連付けられる損失を抑制することができる。

この点について説明する目的で、図３および図４は、照明装置１９１の実施形態を側断面図および平面図で示している。照明装置１９１は、互いに隣り合うように配置されている複数のオプトエレクトロニクス部品１０１のグループを備えている。図３は、図４に示した４つのオプトエレクトロニクス部品１０１のうちの２つを示している。照明装置１９１は、互いに隣り合うように配置された、異なる数の（特に、より多数の）オプトエレクトロニクス部品１０１を有することが可能である。照明装置１９１は、例えば、自動車のヘッドライトの一部とすることができる。

照明装置１９１は、オプトエレクトロニクス部品１０１に加えて、比較的大きなキャリア１７０を備えている。グループのオプトエレクトロニクス部品１０１は、キャリア１７０の上に、互いに隣り合うように直線状に（すなわち列の形で）配置されている。このような構造を、１次元（１Ｄ）配置と称することもできる。図３および図４において、列の配置方向または延在方向１９９は、両方向矢印によって示してある。

キャリア１７０は、例えば、回路基板とすることができる。キャリア１７０は、オプトエレクトロニクス部品１０１に電気エネルギを供給する目的で、オプトエレクトロニクス部品１０１の裏側面の電気接続部１４７に適合する電気接続部１７７を備えている。これらの接続部１４７，１７７は、はんだ１７９によって互いに接続することができる。この構造は、図３において左側のオプトエレクトロニクス部品１０１のみにおいて示してある。オプトエレクトロニクス部品１０１は、例えば、ＳＭＴ実装（表面実装技術）法（リフローはんだ工程を使用する）によって、キャリア１７０の上に配置することができる。オプトエレクトロニクス部品１０１に対して設けられる、キャリア１７０の接続部１７７は、所定の間隔格子で配置することができ、これによりキャリア上のオプトエレクトロニクス部品１０１の間隔があらかじめ決まる。

キャリア１７０の上に配置されているオプトエレクトロニクス部品１０１それぞれは、横方向において同じ向きにあり、側壁（すなわち短側面）１１５，１１７が延在方向１９９に沿うような向きにある。このようにすることで、個々のオプトエレクトロニクス部品１０１の変換要素１３０およびしたがって表側放出面１３１の互いの間の間隔を小さくすることができる。それぞれの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品１０１において、側壁（すなわち長側面）１１４，１１６は、互いに向かい合っている。側壁１１４，１１６が互いに対向していることによって、一方のオプトエレクトロニクス部品１０１の変換要素１３０の端面領域１３４が、隣のオプトエレクトロニクス部品１０１の反射層１５０に対向している。このようにすることで達成可能な効果として、変換要素１３０の端面領域１３４を通じて横方向に放出される光放射の少なくとも一部分が、対向する位置にある反射層１５０において反射され、再び端面領域１３４に到達し、変換要素１３０の中に入射することができる。この構造によって、照明装置１９１の動作時における効率の損失を回避する、または少なくとも制限することができる。

列の端部に（図４において左側に）存在するオプトエレクトロニクス部品１０１には、相手方の反射体としてのオプトエレクトロニクス部品１０１が割り当てられない。このオプトエレクトロニクス部品１０１において横方向に放出される光放射による損失は、無視することを想定することができる。これに代えて、列の端部に配置されているオプトエレクトロニクス部品１０１に対しては、光放射を反射によって戻すようにすることもできる。これを目的として、図４に示したように、キャリア１７０の上、オプトエレクトロニクス部品１０１の隣に反射要素１８０を追加的に配置することができる。反射要素１８０は、オプトエレクトロニクス部品１０１に類似して、上に反射層１５０のみが配置されているキャリア基板１４０を備えていることができる（ダミー部品）。このようにすることで、列の端部に存在するオプトエレクトロニクス部品１０１の変換要素１３０の端面領域１３４と、反射要素１８０の反射層１５０とを対向させることができ、結果として、この位置においても、横方向に放出される光放射の少なくとも一部分を反射して端面領域１３４に戻すことができる。反射要素１８０も、ＳＭＴ実装の範囲内でキャリア１７０の上に配置することができる。

以下では、オプトエレクトロニクス部品１０１および照明装置１９１の修正形態である、オプトエレクトロニクス部品および関連付けられる照明装置のさらなる実施形態について、図５〜図７を参照しながら説明する。これらの実施形態においても、本オプトエレクトロニクス部品は、キャリア基板１４０と、キャリア基板１４０の上に配置されている半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０の上に配置されている変換要素１３０と、キャリア基板１４０の上、半導体チップ１２０および変換要素１３０の隣の配置されている反射層１５０と、を備えている。同じ部分および同じ効果を有する部分については、以下では詳しい説明を繰り返さない。対応する特徴、製造法、得られる利点などに関する詳細については、上の説明を参照されたい。さらには、以下の実施形態の１つに関連して説明されている詳細は、他の実施形態にも適用することができることに留意されたい。

図５は、キャリア１７０の上に互いに隣り合うように列の形で配置されている複数のオプトエレクトロニクス部品１０２を有する照明装置１９２の平面図を示している。この照明装置１９２またはそのオプトエレクトロニクス部品１０２は、上述した照明装置１９１またはそのオプトエレクトロニクス部品１０１に実質的に同じである。しかしながら、オプトエレクトロニクス部品１０１とは異なり、オプトエレクトロニクス部品１０２においては、変換要素１３０およびその下に位置する半導体チップ１２０が、側壁１１４の領域ではなく、側壁１１４とは反対側の側壁１１６の領域に配置されている。したがって、非対称的に配置された変換要素１３０は、露出した端面領域１３６を側壁１１６に有し、端面領域１３６は側壁１１６の一部を形成している。さらに、変換要素１３０の凹部１３９は、オプトエレクトロニクス部品１０１の場合におけるように側壁１１４には隣接していない。

この照明装置１９２においては、オプトエレクトロニクス部品１０２は、照明装置１９１と同様に、横方向において同じ向きにあり、側壁（すなわち短側面）１１５，１１７が延在方向１９９に沿うような向きにあり、したがって、変換要素１３０の表側放出面１３１の間の間隔を小さくすることができる。２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品１０２の側壁１１４，１１６は、互いに向かい合っている。したがって、これらの位置においては、変換要素１３０の端面領域１３６それぞれが、反射層１５０に対向している。このようにすることで、端面領域１３６において横方向に放出される光放射の少なくとも一部分を反射して再び端面領域１３６に戻し、したがって変換要素１３０内に入射させることができる。列の端部に（図５において右側に）位置するオプトエレクトロニクス部品１０２に関しては、光放射を反射によって端面領域１３６に戻すことは、反射層１５０を有するオプションの反射要素１８０をこの位置に配置することによって、可能にすることができる。

さらに、オプトエレクトロニクス部品１０１，１０２とは異なり、変換要素１３０が１つの側壁の領域のみならず複数の側壁の領域に配置されるように、オプトエレクトロニクス部品を構成することもできる。この構造は、例えば、オプトエレクトロニクス部品が２つの列に配置される場合において、変換要素１３０およびしたがって放出面１３１の間の間隔を小さくすることができるようにする目的で、使用することができる。

図６は、説明のため、さらなる照明装置１９３の平面図を示しており、この照明装置１９３は、キャリア１７０の上に互いに隣り合うように列の形でそれぞれ配置されている複数のオプトエレクトロニクス部品１０３の２つのグループを備えている。このような構造を、２次元配置（２Ｄ配置）と称することもできる。各列は、図６に示したように、４つのオプトエレクトロニクス部品１０３を備えている、あるいは、異なる数の（またはより多数の）オプトエレクトロニクス部品１０３を備えていることができる。

オプトエレクトロニクス部品１０３においては、オプトエレクトロニクス部品１０１とは異なり、変換要素１３０およびその下に位置する半導体チップ１２０が、互いに隣接する２つの側壁１１５，１１６の領域に配置されている。したがって、非対称的に配置された変換要素１３０は、側壁１１５における露出した端面領域１３５と、側壁１１６における露出した端面領域１３６の両方を有する。２つの端面領域１３５，１３６は、互いに直角に隣接しており、それぞれ、側壁１１５，１１６の一部を形成している。この構造においては、放出面１３１に隣接する、反射層１５０の表側面領域は、Ｌ字形状を有する。さらに、放出面１３１は、２つの側壁１１５，１１６の領域において表側面１１１の縁部の一部を形成している。

照明装置１９３の２つの列それぞれにおいて、関連付けられるオプトエレクトロニクス部品１０３は、横方向において同じ向きにあり、側壁１１５，１１７が列の延在方向に沿うような向きにある。このようにすることで、表側放出面１３１の互いの間の間隔を小さくすることができる。各列において隣り合うオプトエレクトロニクス部品１０３の側壁１１４，１１６は、互いに向かい合っている。この構造の効果として、列のそれぞれの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品１０３において、変換要素１３０の端面領域１３６と反射層１５０とが対向する。このようにすることで、端面領域１３６それぞれにおいて横方向に放出される光放射の少なくとも一部分を反射して、端面領域１３６に戻すことができる。２つの列の端部に存在するオプトエレクトロニクス部品１０３に関しては、図６に示したように、反射層１５０を有するオプションの反射要素１８０をこれらの位置に配置することによって、光放射を反射によって端面領域１３６に戻すことを可能にすることができる。

さらに、照明装置１９３においては、２つの異なる列のオプトエレクトロニクス部品１０３の変換要素１３０およびしたがって放出面１３１も、互いに小さい間隔で配置されている。これを目的として、オプトエレクトロニクス部品１０３の２つの列は、互いに平行な向きにある、または互いに逆平行（antiparallel）な向きにある。この場合、異なる列の間で隣り合うオプトエレクトロニクス部品１０３の側壁１１５と、変換要素１３０の端面領域１３５とが、互いに対向している。このようにすることで達成可能な効果として、変換要素１３０の端面領域１３５を通じて横方向に放出される光放射の少なくとも一部分が、隣の変換要素１３０の対向する端面領域１３５に到達して、変換要素１３０に入射することができる。このようにすることで、同様に効率の損失を回避する、または少なくとも制限することが可能である。

図７は、さらなる照明装置１９４の平面図を示しており、この照明装置１９４は、キャリア１７０の上に互いに隣り合うように列の形でそれぞれ配置されている複数のオプトエレクトロニクス部品１０４の２つのグループを備えている。各列は、図７に示したように、４つのオプトエレクトロニクス部品１０４を備えている、あるいは、異なる数の（またはより多数の）オプトエレクトロニクス部品１０４を備えていることができる。

オプトエレクトロニクス部品１０４においては、オプトエレクトロニクス部品１０１とは異なり、変換要素１３０およびその下に位置する半導体チップ１２０が、互いに隣接する３つの側壁１１４，１１５，１１６の領域に配置されている。したがって、変換要素１３０は、３つの側壁１１４，１１５，１１６それぞれにおける露出した端面領域１３４，１３５，１３６を有する。３つの端面領域１３４，１３５，１３６は、それぞれ互いに直角に隣接しており、それぞれ、側壁１１４，１１５，１１６のうちの１つの一部を形成している。この場合、３つの側壁１１４，１１５，１１６の領域において表側放出面１３１は、表側面１１１の縁部の一部を形成している。オプトエレクトロニクス部品１０４においては、反射層１５０は、変換要素１３０（および半導体チップ１２０）から側壁１１７まで延在する領域にのみ存在している。この位置においてのみ、反射層はその表側面領域によって表側面１１１の一部を形成している。

２つの列それぞれにおいて、関連付けられるオプトエレクトロニクス部品１０４は、横方向において同じ向きにあり、列の延在方向に沿って側壁１１５，１１７が一直線になるようにされており、したがって、放出面１３１の互いの間の間隔が小さい。各列において隣り合うオプトエレクトロニクス部品１０４の側壁１１４，１１６は、互いに向かい合っている。この効果として、各列において、隣り合うオプトエレクトロニクス部品１０４の変換要素１３０の端面領域１３４，１３６が、それぞれ互いに対向している。このようにすることで、変換要素１３０の端面領域１３４または１３６を通じて横方向に放出される光放射の少なくとも一部分が、隣の変換要素１３０の対向する端面領域１３６または１３４に到達して、関連する変換要素１３０に入射することを可能にすることができる。このようにすることで、効率の損失を回避する、または制限することができる。

これに加えて、２つの異なる列のオプトエレクトロニクス部品１０４の変換要素１３０およびしたがって放出面１３１も、互いに小さい間隔で配置されている。これを目的として、オプトエレクトロニクス部品１０４の２つの列は、互いに平行に、または逆平行に整列している。さらには、異なる列の隣り合うオプトエレクトロニクス部品１０４の側壁１１５と、変換要素１３０の端面領域１３５とが、それぞれ互いに対向している。このようにすることで、変換要素１３０の端面領域１３５を通じて横方向に放出される光放射の少なくとも一部分が、隣の変換要素１３０の対向する端面領域１３５に到達して、その変換要素１３０に入射することを可能にすることができる。

さらに、２つの列の端部に存在するオプトエレクトロニクス部品１０４において光放射を反射によって戻すことを可能にする目的で、反射要素１８０を有するように照明装置１９４を形成することができる。図７に示したように、２つの列の端部それぞれに、１つの反射要素１８０を配置することができ、反射要素１８０の反射層１５０は、２つの異なる列の２つの変換要素１３０の端面領域１１４，１１６に対向しており、したがって、光放射を反射して端面領域１３４，１３６に戻すことができる。

図７に示した照明装置１９４は、比較的コンパクトな光源とすることができる。この場合、オプトエレクトロニクス部品１０４の、光を放出する変換要素１３０は、オプトエレクトロニクス部品１０４の反射層１５０と、反射要素１８０の反射層１５０によって、横方向外側に光が放出されないように囲まれている。

図５〜図７を参照しながら説明した実施形態以外に、さらなる実施形態を想定することができる。例えば、変換要素１３０およびその下に位置する半導体チップ１２０が、１つまたは複数の別の側壁に配置されているオプトエレクトロニクス部品を実施することができる。１つの可能な例は、オプトエレクトロニクス部品１０１とは異なり、変換要素１３０が２つの対向する側壁１１４，１１６に配置されているオプトエレクトロニクス部品である。この構造においては、変換要素１３０は、オプトエレクトロニクス部品１０４に類似して、側壁１１４における露出した端面領域１３４と、側壁１１６における露出した端面領域１３６の両方を有し、したがって表側放出面１３１は、これらの対向する位置において表側面１１１の縁部の一部を形成する。このようなオプトエレクトロニクス部品においては、２つの個別の領域、すなわち、オプトエレクトロニクス部品１０４におけるように変換要素１３０（および半導体チップ１２０）から側壁１１７まで延在する１つの領域と、変換要素１３０（および半導体チップ１２０）から側壁１１５まで延在するさらなる領域とに、反射層１５０を存在させることができる。これら２つの領域においては、反射層１５０の表側面領域それぞれが、表側面１１１の対応する一部を形成することができる。反射層１５０の表側面領域の間に存在する、変換要素１３０の放出面１３１が、表側面１１１の残りの部分を形成する。列の形で互いに隣り合うように配置されている複数のこのようなオプトエレクトロニクス部品を有する照明装置を、実施することができる。この場合、これらのオプトエレクトロニクス部品は、照明装置１９４と同様に、横方向において同じ向きにあり、さらには、隣り合うオプトエレクトロニクス部品の側壁１１４，１１６、およびしたがって変換要素１３０の露出した端面領域１３４，１３６が、互いに対向するように、これらのオプトエレクトロニクス部品を配置することができる。２つの列の端部それぞれにおいて、反射要素１８０を使用することができる。

図７の照明装置１９４に特に関連して、１つの可能な変形形態においては、オプトエレクトロニクス部品１０４の間と、オプトエレクトロニクス部品１０４の周囲とに、反射層１５０を追加的に形成する。追加の反射層１５０は、個々のオプトエレクトロニクス部品１０４の反射層１５０と同じ材料（すなわち反射性粒子によって満たされた封止材料）、または類似する材料を含むことができる。この構造においては、反射要素１８０を省くことができる。

この変形形態を説明する目的で、図７には、キャリア１７０の上に追加の反射層１５０を形成することができる領域１５１を破線によって示してある。この追加の反射層１５０（オプトエレクトロニクス部品１０４の表側面１１１まで延在していることができる）によって達成することが可能な効果として、オプトエレクトロニクス部品１０４によって生成される光放射が、変換要素１３０の表側放出面１３１を通じてのみ放出される。変換要素１３０の端面領域１３４，１３５，１３６から放出される光放射を、追加の反射層１５０によって反射して再び変換要素１３０の中に戻すことができ、したがって、横方向の光放出が起こらない。

このような構造は、キャリア１７０の上に複数のオプトエレクトロニクス部品１０４を実装した後、これらオプトエレクトロニクス部品１０４の間の中間領域と、オプトエレクトロニクス部品１０４の周囲の領域とを、粒子によって満たされた封止材料によって満たして反射層１５０を形成することによって、実施することができる。これを目的として、例えば、複数のオプトエレクトロニクス部品１０４を囲む枠、または充填領域１５１を、キャリア１７０の上に配置することができ、またはキャリア１７０にこのような枠を設けることができる。横方向の光放出を回避する目的で、オプトエレクトロニクス部品の間とオプトエレクトロニクス部品の周囲とに追加の反射層１５０を形成する構造は、上述した他の照明装置（例えば図６の照明装置１９３）においても考慮することができる。

以下では、互いに隣り合うように配置されている複数のオプトエレクトロニクス部品の放出面２３１の間の間隔を小さくすることのできるさらなる着想について、図８〜図１３に基づいて説明する。オプトエレクトロニクス部品は、上述したオプトエレクトロニクス部品に類似する構造を有する。この場合、オプトエレクトロニクス部品の断面において、平面状の表側面に形成されている放出面２３１の幅が、オプトエレクトロニクス部品の（表側面とは反対側の）裏側面の幅よりも大きい、または少なくとも同じ大きさであるように、オプトエレクトロニクス部品を構成する。このようにすることで、同様に、放出面２３１の間の間隔の低減または最小化を達成することが可能である。

図８および図９は、このような幅構造を有する複数のオプトエレクトロニクス部品２０１を備えた照明装置２９１の実施形態を、側断面図および平面図で示している。図８の断面図は、図９において切断線Ｂ−Ｂによって示した断面を表している。以下では、最初にオプトエレクトロニクス部品２０１の構造について、さらに詳しく説明する。以下の説明は、照明装置２９１に設けられているすべてのオプトエレクトロニクス部品２０１に関連する。オプトエレクトロニクス部品２０１は、オプトエレクトロニクス部品１０１に類似する構成要素を備えており、したがって、同じ部分または同じ効果を有する部分について上述した詳細を、オプトエレクトロニクス部品２０１にも適用することができる。

オプトエレクトロニクス部品２０１は、図９の平面図に示したように、異なる長さの辺（すなわち、２本の互いに対向する第１のより長い辺２１４，２１６と、２本の互いに対向する第２のより短い辺２１５，２１７）を持つ矩形を有する。これらの辺は、以下の説明では、長辺２１４，２１６および短辺２１５，２１７とも称する。さらに、オプトエレクトロニクス部品２０１は、図８に示したように、２つの対向する端面２１１，２１２（以下では表側面２１１および裏側面２１２と称する）を備えており、表側面２１１と裏側面２１２の間には、側壁として使用されている別の側面２１４，２１５，２１６，２１７が延在している。

矩形のため、上から見たときにオプトエレクトロニクス部品２０１には、２つの互いに垂直に延びる横方向の延在方向を想定することができる。この場合、一方の延在方向は短辺２１５，２１７によって定義され、この延在方向に垂直であるさらなる延在方向は、長辺２１４，２１６によって定義される。以下では、短辺２１５，２１７に沿った横方向延在方向を横手延在方向とも称し、長辺２１４，２１６に沿った延在方向を長手延在方向とも称する。したがって、図８に示した断面は、オプトエレクトロニクス部品２０１の横手延在方向（transverse extent direction）に関連する。

オプトエレクトロニクス部品２０１は、基部として機能するキャリア基板２４０と、キャリア基板２４０の上に配置されており、放射を生成するための１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ２２０と、半導体チップ２２０の上に配置されており、放射を変換する（すなわち表面変換の）ための平板状の変換要素２３０と、キャリア基板２４０の上に配置されている反射層２５０と、を有する。放射を反射するために使用される反射層２５０は、半導体チップ２２０および変換要素２３０に隣接している。半導体チップ２２０および変換要素２３０は、特に、縁部において完全に（すなわち周囲全体にわたり）反射層２５０によって囲まれている。

オプトエレクトロニクス半導体チップ２２０は、特に、発光ダイオードチップ（すなわちＬＥＤチップ）とすることができる。ＬＥＤチップは、例えば、薄膜チップの形とすることができる。半導体チップ２２０は、電気エネルギが供給されたときに一次光放射を生成するように構成されている。一次放射は、実質的に半導体チップ２２０の光出口面（上に変換要素２３０が直接配置されている）を通じて放出させることができる。半導体チップ２２０およびその光出口面は、平面視において矩形を有する。

オプトエレクトロニクス半導体チップ２２０に電気エネルギを供給する目的で、半導体チップ２２０は、２つの電気コンタクトを有するように構成されている。この実施形態の場合、半導体チップ２２０は、光出口面の領域における表側面コンタクトと、反対側の裏側面における裏側面コンタクトとを有する（図示していない）。

キャリア基板２４０は、半導体チップ２２０および反射層２５０が上に配置されている表側面に、半導体チップ２２０の裏側面コンタクトに適合する相手方コンタクトを有する。これら２つのコンタクトは、はんだによって互いに接続することができ、したがって、半導体チップ２２０はキャリア基板２４０に電気的かつ機械的に結合されている（図示していない）。半導体チップ２２０の表側面コンタクト（半導体チップ２２０の縁部または角部に配置されている）に対しては、キャリア基板２４０は、その表側面にさらなる相手方コンタクト（図示していない）を有する。これら２つのコンタクトは、反射層２５０に埋め込まれているボンディングワイヤ２８９によって電気的に接続されている（図９を参照）。

平面視において矩形であるキャリア基板２４０は、例えば、セラミックキャリア基板とすることができる。キャリア基板２４０の表側面とは反対側の裏側面は、オプトエレクトロニクス部品２０１の裏側面２１２を形成している。キャリア基板２４０は、この面２１２に２つの電気接続部２４７を有する（図８には左側のオプトエレクトロニクス部品２０１にのみ示してある）。例えばはんだ面の形における接続部２４７は、例えば、帯状形状を有することができ、オプトエレクトロニクス部品２０１の長辺２１４，２１６に平行に延在していることができる。接続部２４７は、キャリア基板２４０の表側面に存在する相手方コンタクトに電気的に接続されている。

平板状の変換要素２３０は、例えば、透明接着剤（例：シリコーン接着剤）を利用して、半導体チップ２２０の光出口面に固定することができる（図示していない）。変換要素２３０は、動作時に半導体チップ２２０によって生成される一次放射の少なくとも一部分を、より低いエネルギの二次放射に変換するように構成されている。これを目的として、変換要素２３０は、一次放射を吸収することで励起されて二次放射を再放出することのできる適切な変換材料を含む。このようにすることで、一次放射と二次放射からなる混合放射を生成することが可能であり、この混合放射を変換要素２３０によって放出させることができる。さらには、変換要素２３０が、一次放射の実質的にすべてを二次放射に変換し、それを放出することも可能である。変換要素２３０は、例えば、セラミック変換要素２３０とすることができる。

変換要素２３０は、半導体チップ２２０またはその光出口面と同じかまたは実質的に同じ横方向寸法を有することができ、光出口面の上に同一の形状および大きさで配置されている。変換要素２３０は、より大きい横方向寸法を有することもできる。変換要素２３０は、半導体チップ２２０と同様に、平面視において実質的に矩形を有する。表側面コンタクトにボンディングワイヤ２８９によって接触することができるようにする目的で、変換要素２３０は、１つの角部に、半導体チップ２２０の表側面コンタクトに合わせた凹部２３９を有する（図９を参照）。図８に示した断面においては、変換要素２３０は矩形を有する。この断面に垂直に延在する断面においても、変換要素１３０は同様に矩形を有する（図示していない）。

オプトエレクトロニクス部品２０１は、例えば、白色光源とすることができる。これを目的として、半導体チップ２２０を、青色から紫外線のスペクトル領域における一次放射を生成するように構成することができ、変換要素２３０を、黄色のスペクトル領域における二次放射を生成するように構成することができる。これに代えて、複数の放射成分（青色から紫色の一次放射の場合、例えば、黄色から緑色の放射成分と、赤色の放射成分）を含む二次放射を生成する目的で、変換要素２３０が複数の異なる変換材料を有することができる。さらには、白色以外の光放射（例えば黄色の光放射）を放出するように、オプトエレクトロニクス部品２０１を構成することもできる。

オプトエレクトロニクス部品２０１の動作時、その光放射は変換要素２３０を通じて放出される。光の放出は、変換要素２３０の広い表側面２３１（オプトエレクトロニクス部品２０１の表側面２１１に位置している）を通じて起こる。この面は、以下では発光面または放出面２３１と称する。放出面２３１は、オプトエレクトロニクス部品２０１の表側面２１１の一部を形成している。

反射層２５０（オプトエレクトロニクス部品２０１において放射を反射するために使用されており、半導体チップ２２０および変換要素２３０の一部を埋め込んでいる）は、例えばチタン酸化物の反射性粒子が中に含まれている封止材料（例えばシリコーン）からなる。反射層２５０は、オプトエレクトロニクス部品２０１の表側面２１１まで延在しており、放出面２３１に隣接しており放出面２３１を完全に（すなわち枠状に）囲んでいるその表側面領域によって、表側面２１１のさらなる（残りの）部分を形成している。変換要素２３０およびその下に位置する半導体チップ２２０は、縁部において反射層２５０によって完全に囲まれている。この構造においては、変換要素２３０の表側放出面２３１のみが覆われていない。結果として、オプトエレクトロニクス部品２０１の動作時、放出面２３１を通じてのみ光放射を放出させることができる。変換要素２３０の縁部を通じて横方向に放出される光放射は、反射層２５０を利用して反射して再び変換要素２３０の中に戻すことができる。

オプトエレクトロニクス部品２０１は、変換要素２３０の放出面２３１の断面幅２６３が、オプトエレクトロニクス部品２０１の裏側面２１２の断面幅２６２より大きいように構成されている。この幅構造は、オプトエレクトロニクス部品２０１の横手延在方向に関連する、図８に示した断面に存在する。上述したように、横手延在方向は、オプトエレクトロニクス部品２０１の短辺２１５，２１７に沿った向きにある。

オプトエレクトロニクス部品２０１において、上述した幅構造は、図８に示したように、キャリア基板２４０の断面形状が、裏側面２１２から表側面２１１の方向に広がっていくことによって実施されている。この場合、キャリア基板２４０は台形形状を有し、側壁がオプトエレクトロニクス部品２０１の表側面２１１および裏側面２１２に対して斜めに延在している。この構造は、オプトエレクトロニクス部品２０１の横手延在方向に存在している。これとは異なり、長辺２１４，２１６に沿ったオプトエレクトロニクス部品２０１の長手延在方向（longitudinal extent direction）に関しては、キャリア基板２４０は矩形の断面形状を有することができる（図示していない）。

キャリア基板２４０の断面形状が、横手延在方向において台形状である効果として、オプトエレクトロニクス部品２０１において、表側面２１１と裏側面２１２との間に延在する長側面２１４，２１６が、平面状の側壁の形状ではなく、それぞれ互いに対して斜めに延在する２つの壁領域から構成されている（すなわち、キャリア基板２４０によって形成されており、表側面２１１および裏側面２１２に対して斜めに延在している領域と、反射層２５０によって形成されており、表側面２１１および裏側面２１２に対して垂直に延在している領域）。これとは異なり、短側面２１５，２１７は、表側面２１１と裏側面２１２の間に垂直に延在する平面状の側壁として存在させることができる。したがって、オプトエレクトロニクス部品２０１は、表側面２１１とキャリア基板２４０との間の領域においてのみ、直方体形状を有する。

１つの製造方法においては、複数のオプトエレクトロニクス部品２０１を一緒に（または並行して）製造することができる。この場合、複数の半導体チップ２２０と、それらの上の変換要素２３０とが上に配置される連続的なキャリア基板２４０を、複数のオプトエレクトロニクス部品２０１に対して設けることができる。チップ２２０の表側面コンタクトと、連続的なキャリア基板２４０の相手方コンタクトとにボンディングワイヤ２８９を接続した後、複数の半導体チップ２２０／変換要素２３０の間の領域と、これらの周囲の領域とを、粒子によって満たされた封止材料によって満たして反射層２５０を形成することができる。この製造方法の最後に、分離工程を行って個別のオプトエレクトロニクス部品２０１を作製することができる。この分離工程（切断またはソーイングを含むことができる）の範囲内で、キャリア基板２４０の広がっていく断面形状または傾斜した断面形状を作製することができる。

オプトエレクトロニクス部品２０１のこの構造においては、互いに隣り合う複数のこのようなオプトエレクトロニクス部品２０１を、隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０１の表側放出面２３１が互いの間の小さい間隔を有するように、配置することが可能である。この点について、図８および図９に示した照明装置２９１（互いに隣り合うように配置された複数のオプトエレクトロニクス部品２０１のグループを備えている）を参照しながら説明する。図８は、図９に示した４つのオプトエレクトロニクス部品２０１のうちの２つを示している。照明装置２９１は、異なる数の（特に、より多数の）オプトエレクトロニクス部品２０１を有することが可能である。照明装置２９１は、例えば、自動車のヘッドライトの一部とすることができる。

照明装置２９１は、比較的大きなキャリア２７０を備えており、キャリア２７０の上に、複数のオプトエレクトロニクス部品２０１が互いに隣り合うように列の形で配置されている（１Ｄ配置）。列の配置方向または延在方向２９９は、図８および図９において両方向矢印によって示してある。キャリア２７０は、回路基板とすることができ、オプトエレクトロニクス部品２０１の裏側面の電気接続部２４７に適合する電気接続部２７７を備えている。これらの接続部２４７，２７７は、図８において左側のオプトエレクトロニクス部品２０１において示したように、はんだ２７９によって互いに接続することができる。オプトエレクトロニクス部品２０１は、例えばＳＭＴ実装法（リフローはんだ工程が行われる）を利用して、キャリア２７０の上に固定することができる。オプトエレクトロニクス部品２０１に対して設けられる、キャリア２７０の接続部２７７は、所定の間隔格子で配置することができ、これによりキャリア２７０の上のオプトエレクトロニクス部品２０１の間隔が確立される。

照明装置２９１において、オプトエレクトロニクス部品２０１それぞれは、横方向において同じ向きにあり、オプトエレクトロニクス部品２０１の横手延在方向に沿って互いに隣り合うように配置されている。この場合、それぞれの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品の長側面２１４，２１６が、互いに対向している。この配置構造においては、オプトエレクトロニクス部品２０１の横手延在方向が、列の延在方向２９９と一致する、すなわち列の延在方向２９９を定義する。このように整列させることにより、個々のオプトエレクトロニクス部品２０１の変換要素２３０およびしたがって放出面２３１は、互いの間の小さい間隔を有する。

従来のシングルチップ部品においては、横手延在方向において、放出面の断面幅が裏側面の断面幅より小さいことがある。したがって、このようなオプトエレクトロニクス部品を整列させると、放出面の間の間隔が、裏側面の間の間隔よりも大きい。

逆に、これとは異なり、横手延在方向において放出面２３１が裏側面２１２よりも幅が広いようにオプトエレクトロニクス部品２０１を構成する効果として、照明装置２９１において、２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０１の間の放出面２３１の間隔が、オプトエレクトロニクス部品２０１の裏側面２１２の間の間隔よりも小さい。結果として、照明装置２９１においては、隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０１の放出面２３１の互いの間の間隔が比較的小さく、したがって、これらの放出面２３１から、より均一な発光面を形成することができる。

キャリア基板２４０が台形形状であるため、裏側面２１２自体のみならず、裏側面２１２に隣接するキャリア基板２４０の部分領域も、比較的大きい間隔を有することができる。したがって、オプションとして、従来の部品用に設けられるキャリアの場合よりも小さい間隔格子で接続部２７７が存在するキャリア２７０を使用することが可能である。台形構造では、たとえ製造に起因して凹凸面が存在するときでも、隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０１がキャリア基板２４０の下方の領域において接触することを回避することが可能である。このようにすることで、放出面２３１を互いに小さい間隔で配置することを支援することができる。さらには、オプトエレクトロニクス部品２０１のキャリア基板２４０の製造公差を、変換要素２３０の製造公差よりも大きくとることができる。

１つの可能な変形形態においては、オプションとして、表側放出面２３１の断面幅２６３と裏側面２１２の断面幅２６２とが一致するように、オプトエレクトロニクス部品２０１またはそのキャリア基板２４０を構成することができる。

以下では、オプトエレクトロニクス部品のさらなる実施形態および照明装置のさらなる実施形態について、図１０〜図１３を参照しながら説明する。本オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス部品２０１と同様に、断面において表側放出面２３１が裏側面２１２と少なくとも同じ幅であるように構成されている。本オプトエレクトロニクス部品は、前と同様に、キャリア基板２４０，２４５と、キャリア基板２４０，２４５の上に配置されている半導体チップ２２０と、半導体チップ２２０の上に配置されている変換要素２３０，２３５，２３６と、キャリア基板２４０，２４５の上に半導体チップ２２０および変換要素２３０，２３５，２３６に加えて配置されている反射層２５０と、を備えている。関連付けられる照明装置においては、照明装置２９１におけるように、複数のオプトエレクトロニクス部品が、それらの横手延在方向において互いに隣り合うように配置されている。なお、同じタイプまたは互いに一致する部分および特徴、製造法、得られる利点などに関連するすでに説明した詳細については、上の説明を参照されたい。特に、以下に説明するオプトエレクトロニクス部品のキャリア基板２４５および変換要素２３５，２３６は、オプトエレクトロニクス部品２０１のキャリア基板２４０および変換要素２３０と比較して、単に形状が異なるのみである。さらには、以下の実施形態のうちの１つに関連して説明されている詳細は、他の実施形態にも適用することができることに留意されたい。

図１０および図１１は、さらなる照明装置２９２を、側断面図および平面図で示している。照明装置２９２は、キャリア２７０の上に互いに隣り合うように列の形で配置されている複数のオプトエレクトロニクス部品２０２を備えている。照明装置２９２は、図１１に示した４つのオプトエレクトロニクス部品２０２の代わりに、異なる数の（特に、より多数の）オプトエレクトロニクス部品２０２を有することできる。以下では、最初にオプトエレクトロニクス部品２０２の構造について説明する。

オプトエレクトロニクス部品２０２は、オプトエレクトロニクス部品２０１とは異なり、直方体の形状に構成されている。オプトエレクトロニクス部品２０２も、２つの対向する長側面２１４，２１６と、２つの対向する短側面２１５，２１７を有する。オプトエレクトロニクス部品２０１とは異なり、長側面２１４，２１６は、短側面２１５，２１７と同様に、オプトエレクトロニクス部品２０２の表側面２１１と裏側面２１２との間に垂直に延在する平面状の側壁として存在する。オプトエレクトロニクス部品２０２はキャリア基板２４５を有し、キャリア基板２４５は、裏側面接続部２４７を備えており、キャリア基板２４０とは異なり直方体の形状に構成されている。したがって、キャリア基板２４５は、図１０に示した断面において矩形を有し、この断面は、この実施形態においても短辺２１５，２１７によって定義されるオプトエレクトロニクス部品２０２の横手延在方向に存在する。

オプトエレクトロニクス部品２０２は、半導体チップ２２０の上に配置された、表面変換のための平板状の変換要素２３５を備えている。変換要素２３５は、図１０に示したように、変換要素２３５の裏側面から表側放出面２３１の方向に広がっていく断面形状を有する。この場合、変換要素２３５は、台形形状を有し、その縁部面は、変換要素２３５の表側面および裏側面に対してと、したがってオプトエレクトロニクス部品２０２の表側面２１１および裏側面２１２に対して、斜めに延在している。この傾斜構造は、オプトエレクトロニクス部品２０２の横手延在方向に存在する。これとは異なり、長辺２１４，２１６に沿ったオプトエレクトロニクス部品２０２の長手延在方向に関しては、変換要素２３５は、矩形の断面形状を有することができる（図示していない）。さらに、変換要素２３５は、上から見たとき、実質的に矩形形状を有し、半導体チップ２２０の表側面コンタクトに合わせた凹部２３９を有する（図１１を参照）。

変換要素２３５は、放出面２３１とは反対側の自身の裏側面を介して、半導体チップ２２０の光出口面の上に配置されている、すなわち接着接合されている。変換要素２３５の裏側面は、矩形の半導体チップ２２０またはその光出口面と実質的に同じ横方向寸法、またはそれより大きい横方向寸法を有することができる。この場合、変換要素２３５は、その裏側面を介して、半導体チップ２２０の光出口面の上に同一の形状および大きさで配置することができる。

台形状の変換要素２３５を有するオプトエレクトロニクス部品２０２は、変換要素２３５の表側放出面２３１が、オプトエレクトロニクス部品２０２の横手延在方向における両側において、２つの平面状の長側面２１４，２１６まで達し、したがってこれらの位置において表側面２１１の縁部の一部を形成するように、さらに構成されている。このようにすることで、図１０に示したように、変換要素２３５の放出面２３１の断面幅２６３が、オプトエレクトロニクス部品２０２の裏側面２１２の断面幅２６２に一致する。

前と同様にキャリア基板２４５の上に配置されており、半導体チップ２２０を囲んでいる、オプトエレクトロニクス部品２０２に設けられている反射層２５０は、この構造においても、変換要素２３５まで達し、縁部面において変換要素２３５を囲んでいることができる。この実施形態の場合、変換要素２３５の放出面２３１が２つの側面２１４，２１６に隣接しているため、オプトエレクトロニクス部品２０１とは異なり、放出面２３１は、反射層２５０の一体的な枠状の表側面領域によって完全には囲まれていない。オプトエレクトロニクス部品２０２においては、表側面２１１は、反射層２５０の２つの個別の表側面領域と、これらの間に配置されている放出面２３１とによって形成されている（図１１を参照）。

しかしながら、変換要素２３５においては、依然として放出面２３１のみが露出しており、変換要素２３５の放出面２３１と裏側面との間に存在する側面、すなわち変換要素２３５の対応する縁部面は、反射層２５０によって囲まれている。したがって、オプトエレクトロニクス部品２０２の動作時、変換要素２３５の放出面２３１を通じてのみ光放射を放出させることが可能である。しかしながら、変換要素２３５が台形形状であり、結果として反射層２５０の断面幅が表側面２１１の方向に減少していくため、長側面２１４，２１６の領域において横方向へのわずかな光放出が起こることもある。

照明装置２９２においても、照明装置２９１と同様に、使用されるオプトエレクトロニクス部品２０２は、横方向において同じ向きにあり、それらの横手延在方向に沿って互いに隣り合うように配置されている。この場合、それぞれの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０２の長側面２１４，２１６は、互いに向かい合っている。したがって、この場合も、オプトエレクトロニクス部品２０２の横手延在方向は、列の延在方向２９９に一致する。オプトエレクトロニクス部品２０２においては放出面２３１の断面幅２６３と裏側面２１２の断面幅２６２とが一致しているため、放出面２３１の間の間隔と、裏側面２１２の間の間隔とが等しい。したがって、従来の部品を整列させる場合と比較して、隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０２の表側放出面２３１の互いの間の間隔を小さくすることができる。

図１２は、照明装置２９３の側断面図を示しており、この照明装置２９３は、キャリア２７０の上に互いに隣り合うように列の形で配置されている複数のオプトエレクトロニクス部品２０３を有する。照明装置２９３のオプトエレクトロニクス部品２０３は、上述したオプトエレクトロニクス部品２０２の修正形態である。オプトエレクトロニクス部品２０３それぞれは、半導体チップ２２０の上に配置されている平板状の変換要素２３６を有し、変換要素２３６は、変換要素２３５と同様に断面において台形状に構成されており、変換要素２３６の裏側面から表側放出面２３１の方向に広がっていく断面形状を有する。この構造は、オプトエレクトロニクス部品２０３の横手延在方向に存在する。長手延在方向に関しては、変換要素２３６は、矩形の断面形状を有することができる（図示していない）。

変換要素２３６においては、その裏側面は、矩形の半導体チップ２２０すなわちその矩形の光出口面と同じ寸法を有する、またはそれより大きい寸法を有することができ、変換要素２３６の裏側面は、半導体チップ２２０の光出口面の上に同一の形状および大きさで配置することができる。平面視において、変換要素２３６は、実質的に矩形形状を有し、半導体チップ２２０の表側面コンタクトに合わせた凹部（図示していない）を有することができる。

オプトエレクトロニクス部品２０３は、オプトエレクトロニクス部品２０２と異なる点として、表側面２１１の領域において、台形状の変換要素２３６が横方向に突き出している（すなわち張り出している）。このようにすることで、オプトエレクトロニクス部品２０３の横手延在方向に関して、変換要素２３６の放出面２３１の断面幅２６３が、直方体のキャリア基板２４５およびしたがってオプトエレクトロニクス部品２０３の裏側面２１２の断面幅２６２よりも大きい。この理由で、上から見たとき、オプトエレクトロニクス部品２０３は、オプトエレクトロニクス部品２０２において存在する（図１１に示した）矩形の表側面２１１を有するのではなく、変換要素２３６が長側面２１４，２１６において横方向に張り出しているため、十字形状（cross-shaped geometry）の表側面２１１を有する。この実施形態においても、表側面２１１は、変換要素２３６まで達する反射層２５０の２つの個別の表側面領域と、これらの間に配置されている放出面２３１とによって形成されている（図示していない）。

オプトエレクトロニクス部品２０３に設けられている張り出し形状のさらなる効果として、図１２に示した断面における反射層２５０が、表側放出面２３１まで達していない。したがって、この領域において斜めに延在している変換要素２３６の縁部面は、一部のみが反射層２５０によって囲まれており、一部は露出している。この影響として、オプトエレクトロニクス部品２０３の動作時、変換要素２３６は、放出面２３１を通じてのみならず、露出した縁部面を通じても光放射が放出されうる。

照明装置２９３は、他の点においては、照明装置２９２と同様に構成されている。この場合も、オプトエレクトロニクス部品２０３は、列の延在方向２９９に一致するそれぞれの横手延在方向に沿って、互いに隣り合うように配置されている。張り出し構造、すなわち断面において放出面２３１が裏側面２１２と比較してより幅広いことの効果として、照明装置２９２と比較して、隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０３の放出面２３１の間の間隔をさらに小さくして、照明装置２９３を構成することができる。

照明装置２９３（さらには照明装置２９２）においては、光放射の横方向の放出が起こりうる。それぞれの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０２の間、および２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０３の間で、変換要素２３５，２３６によって横方向に放出される光放射の一部分を、オプションとして、隣の変換要素２３５，２３６に入射させることができる。列の端部それぞれにおいて起こる横方向の光放出に関しては、これに関連付けられる損失を無視することを想定することができる。これに代えて、図１〜図７を参照しながら上に提示した着想と同様に、列の端部に存在するオプトエレクトロニクス部品２０２，２０３のために、光放射を反射によって戻すようにすることが可能である。これを目的として、横方向に放出される光放射の少なくとも一部分を反射して戻す目的で、キャリア基板および反射層２５０を備えた反射要素を、該当するオプトエレクトロニクス部品２０２，２０３の隣に配置することができる（図示していない）。さらには、オプトエレクトロニクス部品２０２，２０３の間の少なくとも中間領域に、追加の反射層を配置することも可能である。

図１３は、照明装置２９４の側断面図を示しており、照明装置２９４は、キャリア２７０の上に互いに隣り合うように列の形で配置されている複数のオプトエレクトロニクス部品２０４を有する。照明装置２９４のオプトエレクトロニクス部品２０４は、図８および図９を参照しながら説明したオプトエレクトロニクス部品２０１の変形形態である。オプトエレクトロニクス部品２０４それぞれにおいて、台形状のキャリア基板２４０が設けられているのみならず、オプトエレクトロニクス部品２０４全体が、断面において裏側面２１２から表側面２１１の方向に広がっていく断面形状を有する。この場合、各オプトエレクトロニクス部品２０４は台形形状を有し、側壁（すなわち長側面）２１４，２１６が、断面において表側面２１１および裏側面２１２に対して斜めに延在している。この構造は、オプトエレクトロニクス部品２０４の横手延在方向に存在する。長手延在方向に関しては、オプトエレクトロニクス部品２０４は矩形の断面形状を有することができ、したがって、表側面２１１および裏側面２１２に対して垂直に延在する短側面２１５，２１７を有する（図示していない）。断面において台形状であるこの構造は、複数のオプトエレクトロニクス部品２０４の共通の製造時に行われる分離工程の範囲内で形成することができる。

オプトエレクトロニクス部品２０４は、平面視においては、オプトエレクトロニクス部品２０１と同じとすることができ、したがって、図９に示した図を、オプトエレクトロニクス部品２０４（およびしたがって照明装置２９４）にも適用することができる。この場合、変換要素２３０の表側放出面２３１は、反射層２５０の表側面領域によって完全に囲まれている。さらに、変換要素２３０の縁部も、反射層２５０によって完全に囲まれており、したがって、表側放出面２３１のみが露出している。したがって、オプトエレクトロニクス部品２０４の動作時、放出面２３１を通じてのみ光放射を放出させることができる。

オプトエレクトロニクス部品２０４においては、その横手延在方向に関して、前と同様に、変換要素２３０の放出面２３１の断面幅２６３が、オプトエレクトロニクス部品２０４の裏側面２１２の断面幅２６２よりも大きい。したがって、複数のオプトエレクトロニクス部品２０４から形成される照明装置２９４においては、隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０４の放出面２３１の互いの間の間隔を小さくすることができる。図１３に示したように、照明装置２９４においても、オプトエレクトロニクス部品２０４は、横方向において同じ向きにあり、それらの横手延在方向に沿って互いに隣り合うように配置されている。この場合にも、オプトエレクトロニクス部品２０４の横手延在方向は列の延在方向２９９に一致しており、それぞれの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０４の長側面２１４，２１６が互いに対向している。

互いに隣り合うように配置されているオプトエレクトロニクス部品２０４においては、裏側面２１２自体のみならず、台形状のオプトエレクトロニクス部品２０４のさらなる部分領域についても、互いに間の間隔を比較的離すことができる。したがって、この実施形態においても、放出面２３１を小さい間隔で配置することを支援する目的で、従来のキャリアと比較して、接続部２７７の間隔格子がより小さいキャリア２７０を使用することが可能である。特に、この構造においては、製造に起因する凹凸面が存在するときに、隣り合うオプトエレクトロニクス部品２０４が接触することを回避することが可能である。

さらに、台形状のオプトエレクトロニクス部品を、異なる断面形状を有するように構成することもできる。例えば、図１３における断面形状に似ているが、図１３とは異なり、キャリア基板２４０の表側面が半導体チップ２２０の裏側面よりも幅広く、したがって、反射層２５０の一部が、半導体チップ２２０の裏側面に対して横方向に存在する断面形状を形成することができる。さらなる変形形態においては、半導体チップ２２０も、断面において、その裏側面を起点とする（部分的に）傾斜した断面形状を有する。

図８〜図１３を参照しながら説明した実施形態に加えて、さらなる実施形態を想定することができる。例えば、台形形状の代わりに、広がっていく別の断面形状、例えば湾曲した（例：凹状輪郭の）断面形状を、キャリア基板、変換要素、およびオプトエレクトロニクス部品に形成することができる。さらには、断面においてそれぞれ異なる態様で広がっていく複数の部分領域を設ける、あるいは、１つまたは複数の広がっていく部分領域以外に一定の断面幅を有する１つまたは複数の別の部分領域も存在するように、一部分のみを広がっていく形状とすることも可能である。さらには、例えば、広がっていくキャリア基板、または広がっていく断面形状のオプトエレクトロニクス部品と、広がっていく変換要素とが存在するように、複数の異なる変形形態を組み合わせることも考えられる。

さらには、図８〜図１３を参照しながら説明した着想に基づき、同様の方法で、オプトエレクトロニクス部品の２つの列（すなわち２Ｄ配置）を実施することもできる。この場合、オプトエレクトロニクス部品の２つの列は、互いに平行に、または互いに逆平行に配置することができ、したがって、異なる列の隣り合うオプトエレクトロニクス部品の側面（すなわち短側面）が互いに対向する。この場合、異なる列のオプトエレクトロニクス部品の放出面を互いに小さい間隔で配置することを支援する目的で、オプションとして、キャリア基板、変換要素、オプトエレクトロニクス部品のうちの少なくとも１つにおいて、互いに向かい合う側面の領域に、表側面および裏側面に対して垂直に延在するのではなく、これとは異なる例えば斜めに延在する側面を設けることが考えられる。

さらには、少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有するキャリア基板、もしくは、少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有する変換要素、またはその両方を備えており、かつオプションとして、上述した幅構造（放出面の断面幅が裏側面の断面幅と少なくとも同じ大きさである）とは無関係に、少なくとも一部分が広がっていく断面形状を有するオプトエレクトロニクス部品を実施することができることに留意されたい。このようなオプトエレクトロニクス部品においても、幅構造は別として、上に提示した特徴を同様に達成することができる。

図面を参照しながら説明した実施形態は、本発明の好ましい実施形態または例示的な実施形態である。説明および図示した実施形態以外に、さらなる変形形態または特徴の組み合わせを備えたさらなる実施形態を提案することができる。例えば、異なる形状、幾何学的配置、および構造を有するオプトエレクトロニクス部品を形成することができ、また、上に指定した材料の代わりに別の材料を使用することができる。さらに、異なる色の光放射を放出するように、オプトエレクトロニクス部品を形成することができる、あるいは、上に記載したスペクトル領域を別のスペクトル領域に置き換えることができる。

変換要素１３０，２３０，２３５，２３６に関して、セラミック変換要素以外の形における変換要素を使用することが可能である。１つの可能な代替形態は、放射を変換するためのルミネセンス粒子が埋め込まれたガラス材料、ポリマー材料、またはシリコーンからなる構造である。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１２０，２２０に関連する変形形態も想定することができる。例えば、２つの裏側面コンタクトを有するのみである半導体チップ１２０，２２０を使用することが可能である。キャリア基板１４０，２４０，２４５は、これらの裏側面コンタクトに適合する相手方コンタクトを自身の表側面に備えていることができる。裏側面コンタクトと相手方コンタクトとの間の接続は、はんだによって確立することができる。この構造においては、上述したボンディングワイヤ１８９，２８９による接続を省くことができる。したがって、変換要素１３０，２３０，２３５，２３６とは異なり、凹部１３９，２３９を有さない変換要素を使用することが可能である。

同様に、２つの表側面コンタクトを有するのみである半導体チップ１２０，２２０を使用することが可能である。この構造においては、表側面コンタクトを、表側面コンタクトに適合する、キャリア基板１４０，２４０，２４５の相手方コンタクトに、２本のボンディングワイヤを利用して接続することができる。この場合、変換要素１３０，２３０，２３５，２３６とは異なり、表側面コンタクトに接触できるようにする目的で２つの凹部を有する変換要素を使用することが可能である。

さらには、薄膜チップではないオプトエレクトロニクス半導体チップを使用してオプトエレクトロニクス部品１０１，１０２，１０３，１０４，２０１，２０２，２０３，２０４を構成することも可能であることに留意されたい。例えば、ボリュームエミッタ（volume emitter）またはフリップチップを使用してオプトエレクトロニクス部品を構成することを想定することができる。例えばオプトエレクトロニクス部品１０１，１０２，１０３，１０４の場合のように、このような半導体チップがオプトエレクトロニクス部品の縁部に配置されている場合、またはこのような半導体チップがオプトエレクトロニクス部品の１つまたは複数の側壁の一部を形成している場合、半導体チップの露出した端面領域における横方向の光放出に起因する効率の損失は、上記の方法に従って同様に抑制または低減することができる。例えば、隣のオプトエレクトロニクス部品または隣の反射要素の反射層において光を反射して戻したり、隣のオプトエレクトロニクス部品に光放射を入射させることが可能である。さらには、オプトエレクトロニクス部品の間と、オプションとしてオプトエレクトロニクス部品を囲む領域に設けることのできる、追加の反射層によって、光放射を反射によって戻すことも可能である。

さらには、図示および説明したオプトエレクトロニクス部品１０１，１０２，１０３，１０４，２０１，２０２，２０３，２０４と、これらの可能な変形形態が、さらなる構成要素を有することも可能である。例えば、キャリア基板１４０，２４０，２４５の上に配置されており、かつ半導体チップ１２０，２２０に逆並列に接続されている追加の保護ダイオードを、オプトエレクトロニクス部品が備えていることができる。保護ダイオードは、半導体チップ１２０，２２０と側面（すなわち短側面１１７，２１７）との間の領域に配置し、反射層１５０，２５０によって囲むことができる。

さらには、図面に示した実施形態とは異なり、平面視においてそれぞれ等しい長さの辺（すなわち側壁）が存在するように、平面視において正方形形状を有するようにオプトエレクトロニクス部品を構成することができる。

ここまで本発明について、好ましい実施形態または例示的な実施形態を利用して図示および詳細に説明してきたが、本発明は、開示した例に制約されることはなく、当業者には、本発明の保護範囲から逸脱することなく、説明した例から別の変形形態を導くことができるであろう。

関連出願
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１３２０４２９１．４号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。

１０１，１０２ オプトエレクトロニクス部品
１０３，１０４ オプトエレクトロニクス部品
１１１ 表側面
１１２ 裏側面
１１４，１１５ 側壁
１１６，１１７ 側壁
１２０ 半導体チップ
１３０ 変換要素
１３１ 放出面
１３４，１３５ 端面領域
１３６ 端面領域
１３９ 凹部
１４０ キャリア基板
１４７ 接続部
１５０ 反射層
１５１ 領域
１７０ キャリア
１７７ 接続部
１７９ はんだ
１８０ 反射要素
１８９ ボンディングワイヤ
１９１，１９２ 照明装置
１９３，１９４ 照明装置
１９９ 延在方向
２０１，２０２ オプトエレクトロニクス部品
２０３，２０４ オプトエレクトロニクス部品
２１１ 表側面
２１２ 裏側面
２１４，２１５ 側面
２１６，２１７ 側面
２２０ 半導体チップ
２３０ 変換要素
２３１ 放出面
２３５，２３６ 変換要素
２３９ 凹部
２４０，２４５ キャリア基板
２４７ 接続部
２５０ 反射層
２６２，２６３ 裏側面の断面幅
２７０ キャリア
２７７ 接続部
２７９ はんだ
２８９ ボンディングワイヤ
２９１，２９２ 照明装置
２９３，２９４ 照明装置
２９９ 延在方向
Ａ−Ａ 切断線
Ｂ−Ｂ 切断線

Claims (16)

1. オプトエレクトロニクス部品であって、
   キャリア基板（１４０）と、
   前記キャリア基板（１４０）の上に配置されている１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１２０）と、
   前記オプトエレクトロニクス部品の表側面（１１１）の一部である、光放射を放出する放出面（１３１）と、
   前記オプトエレクトロニクス部品の前記表側面（１１１）において前記放出面（１３１）に隣接する反射層（１５０）と、
   を備えており、
   前記放出面（１３１）が前記オプトエレクトロニクス部品の前記表側面（１１１）の縁部の一部を形成するように、前記放出面（１３１）が配置されている、
   オプトエレクトロニクス部品。
2. 前記半導体チップ（１２０）の上に配置されている、放射を変換する変換要素（１３０）、
   を備えており、
   前記変換要素（１３０）が、前記光放射を放出する前記放出面（１３１）を備えている、
   請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
3. 前記変換要素（１３０）が、前記オプトエレクトロニクス部品の、前記表側面（１１１）から反対側の裏側面（１１２）まで延在している少なくとも１つの側壁（１１４，１１５，１１６）、に配置されており、したがって、前記変換要素（１３０）の端面領域（１３４，１３５，１３６）が、前記オプトエレクトロニクス部品の前記側壁（１１４，１１５，１１６）の一部を形成している、
   請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
4. 前記表側面（１１１）から反対側の裏側面（１１２）まで延在している複数の側壁（１１４，１１５，１１６，１１７）、
   を備えており、
   前記放出面（１３１）が、少なくとも１つの側壁（１１４，１１５，１１６）に配置されており、前記複数の側壁（１１４，１１５，１１６，１１７）が、特に平面状である、
   請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
5. 照明装置であって、
   キャリア（１７０）と、
   請求項１から請求項４のいずれかに記載の複数のオプトエレクトロニクス部品のグループと、
   を備えており、
   前記グループの前記オプトエレクトロニクス部品が、前記キャリア（１７０）の上に互いに隣り合うように列の形で配置されている、
   照明装置。
6. 前記グループのオプトエレクトロニクス部品の変換要素（１３０）の端面領域（１３４，１３６）が、前記グループの隣のオプトエレクトロニクス部品の反射層（１５０）と対向している、
   請求項５に記載の照明装置。
7. 前記グループの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品の変換要素（１３０）の端面領域（１３４，１３６）が、互いに対向している、
   請求項５または請求項６に記載の照明装置。
8. それぞれ前記キャリア（１７０）の上に互いに隣り合うように列の形で配置されているオプトエレクトロニクス部品の２つのグループ、
   を備えており、
   前記２つのグループの２つの隣り合うオプトエレクトロニクス部品の変換要素（１３０）の端面領域（１３５）が、互いに対向している、
   請求項５から請求項７のいずれかに記載の照明装置。
9. 反射層（１５０）を有する反射要素（１８０）、をさらに備えており、前記反射要素（１８０）の前記反射層（１５０）がオプトエレクトロニクス部品の変換要素（１３０）の端面領域に対向するように、前記反射要素（１８０）が前記キャリア（１７０）の上に配置されている、
   請求項５から請求項８のいずれかに記載の照明装置。
10. 前記オプトエレクトロニクス部品の間の少なくとも中間領域において前記キャリア（１７０）の上に配置されている追加の反射層（１５０，１５１）、を備えている、
    請求項５から請求項９のいずれかに記載の照明装置。
11. オプトエレクトロニクス部品であって、
    キャリア基板（２４０，２４５）と、
    前記キャリア基板（２４０，２４５）の上に配置されている１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２２０）と、
    前記オプトエレクトロニクス部品の表側面（２１１）の一部である、光放射を放出する放出面（２３１）と、
    前記オプトエレクトロニクス部品の前記表側面（２１１）において前記放出面（２３１）に隣接する反射層（２５０）と、
    を備えており、
    前記放出面（２３１）が、前記オプトエレクトロニクス部品の、前記表側面（２１１）とは反対側の裏側面（２１２）の断面幅と少なくとも同じ大きさの断面幅、を有する、
    オプトエレクトロニクス部品。
12. 前記半導体チップ（２２０）の上に配置されている、放射を変換する変換要素（２３０，２３５，２３６）、
    を備えており、
    前記変換要素（２３０，２３５，２３６）が、前記光放射を放出させる前記放出面（２３１）を備えており、
    前記変換要素が、特に、平板状に構成されており、表面変換が可能となるように、前記オプトエレクトロニクス半導体チップの光出口面に配置されている、
    請求項１１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
13. 前記変換要素（２３５，２３６）が、少なくとも一部分が前記放出面（２３１）の方向に広がっていく断面形状、を有する、
    請求項１２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
14. 前記キャリア基板（２４０）が、前記オプトエレクトロニクス部品の前記表側面（２１１）の方向に少なくとも一部分が広がっていく断面形状、を有する、
    請求項１１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
15. 前記オプトエレクトロニクス部品の前記表側面（２１１）の方向に少なくとも一部分が広がっていく断面形状、を有する、
    請求項１１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
16. 照明装置であって、
    キャリア（２７０）と、
    請求項１１から請求項１５のいずれかに記載の複数のオプトエレクトロニクス部品のグループと、
    を備えており、
    前記グループの前記オプトエレクトロニクス部品が、前記キャリア（２７０）の上に互いに隣り合うように列の形で配置されており、
    前記列の延在方向（２９９）に関して、前記グループの前記オプトエレクトロニクス部品それぞれにおいて、前記放出面（２３１）の前記断面幅（２６３）が、前記裏側面（２１２）の前記断面幅（２６２）と少なくとも同じ大きさである、
    照明装置。

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