JP2008091354A - 発光素子及びその製造方法ならびに発光素子を備えたバックライトユニット及びその製造方法 - Google Patents

発光素子及びその製造方法ならびに発光素子を備えたバックライトユニット及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008091354A
JP2008091354A JP2006261567A JP2006261567A JP2008091354A JP 2008091354 A JP2008091354 A JP 2008091354A JP 2006261567 A JP2006261567 A JP 2006261567A JP 2006261567 A JP2006261567 A JP 2006261567A JP 2008091354 A JP2008091354 A JP 2008091354A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
light emitting
light
led chip
mounting surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006261567A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5214128B2 (ja
Inventor
Michifumi Takemoto
理史 竹本
Nobuo Ogata
伸夫 緒方
Haruhisa Takiguchi
治久 瀧口
Kenichi Ukai
健一 鵜飼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2006261567A priority Critical patent/JP5214128B2/ja
Priority to US11/603,885 priority patent/US20070114555A1/en
Publication of JP2008091354A publication Critical patent/JP2008091354A/ja
Priority to US12/415,486 priority patent/US20090194783A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5214128B2 publication Critical patent/JP5214128B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0081—Mechanical or electrical aspects of the light guide and light source in the lighting device peculiar to the adaptation to planar light guides, e.g. concerning packaging
    • G02B6/0083—Details of electrical connections of light sources to drivers, circuit boards, or the like
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0031—Reflecting element, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】光出射面からの出射光強度の向上を図ると共に、放熱性に優れた発光素子を提供する。
【解決手段】基板の実装面上に実装される少なくとも１つのＬＥＤチップ５０１と、ＬＥＤチップ５０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ５０１の周囲全体を取り囲むよう に上記実装面上に設けられ、ＬＥＤチップ５０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板５０２と、上記実装面上における金属反射板５０２で囲まれた領域内に、電極端子としてＬＥＤチップ５０１とそれぞれ接続されるダイボンドエリア・電極共通部５０７とアイランド電極５０８とを備え、上記実装面における金属反射膜５０２で囲まれた領域内に、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部５０７が、アイランド電極５０８の外周を取り囲むように環状に形成された絶縁部を介して広く全面に形成されている。
【選択図】図１７

Description

本発明は、液晶パネルのような薄型の表示体を側面から照射するのに適した発光素子及びその製造方法ならびに発光素子を備えたバックライトユニット及びその製造方法に関するものである。
従来、液晶等の表示パネルを側面から照射するためのバックライト光源として、特許文献１等に示されているような側面発光型の発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」とする。）等の発光素子が用いられている。
発光素子１０１は、図１１に示すように、ダイボンドパターン１０８及び電極端子１０９が形成されたチップ基板１１４と、チップ基板１１４上に実装されたＬＥＤチップ１０３と、ＬＥＤチップ１０３と電極端子１０９を接続するワイヤ１１６と、チップ基板１１４上にＬＥＤチップ１０３の周囲を囲うように配設され、上面及び側壁の一部に開口部を有する反射枠体１２３と、反射枠体１２３の側壁内周面である反射面１２２と、チップ基板１１４上の反射枠体１２３内に形成され、側壁側の開口部を光出射面１１７とする光透過樹脂体１１９と、光透過樹脂体１１９の上面を覆う反射膜１２１を備えている。発光素子１０１は、ＬＥＤチップ１０３から発せられる光が反射枠体１２３の反射面１２２及び反射膜１２１によって反射され、一側面に形成された光出射面１１７から外部に向けて出射されるように構成されている。
また、発光素子内で発生した熱の逃げが悪いと、素子内の部材が熱によるダメージを受け、発光効率の低下や、素子自体の損傷を招き、長期の信頼性が確保できなくなってしまう。そこで、放熱性に優れた発光素子の開発が求められている。
例えば、特許文献２に、放熱性に優れた発光素子用基板が開示されている。
図２６および図２７を参照し、特許文献２の発光素子用基板の構成について説明する。
図２６は、上記発光素子用基板を備えた従来の発光素子１０００の構成を示す断面図である。
図２７は、図２６に示した発光素子用基板の導体パターン１００８と配線層１００９との形状を示す図である。
上記発光素子用基板では、図２６に示すように、導体パターン１００３として、第１の電極１００４および第２の電極１００５が形成されており、ＬＥＤチップ（図示せず）の一方の電極が第１の電極１００４に接続され、他方の電極が第２の電極１００５に接続される。
また、第１の電極１００４、層間接続パターン１００６、保護金属層１００７、および導体パターン１００８が、反射体１００１の下側からＬＥＤチップが搭載される位置の下側まで連続して形成されている。なお、導体パターン１００８は、配線層１００９に形成されている。
そして、第１の電極１００４、層間接続パターン１００６、保護金属層１００７、および導体パターン１００８によって積層された金属積層体の、反射体１００１の発熱を伝熱させる伝熱面積を大きくさせる。すなわち、図２７に示すように、導体パターン１００８の面積を大きくさせている。
これにより、反射体１００１の発熱を、保護金属層１００２および金属積層体を介して、保護金属層１０１２および最下層の金属基板１０１０まで効率よく伝熱することが可能となっている。
特開２００５−２２３０８２号公報（公開日２００５年０８月１８日） 特開２００４−２８２００４号公報（公開日２００４年１０月０７日）
一般に、ＬＥＤチップ１０３からの出射光強度は、図１１中矢印１１８で示す上方向が最大となる。ところが、上述の特許文献１の構成では、ＬＥＤチップ１０３からの光出射方向に反射膜１２１が、ＬＥＤチップ１０３の光出射面に対向するように形成されている。このため、ＬＥＤチップ１０３から出射した光は、反射膜１２１とチップ基板１１４の間で反射を繰り返すこととなり、ＬＥＤチップ１０３から出射した光の多くが、光出射面１１７から外部へ効率よく出射されず、反射膜１２１およびチップ基板１１４に吸収されてしまう。
さらに、上記特許文献１の発光素子１０１の構成では、光出射面１１７が、ＬＥＤチップ１０３からの出射光強度が最大となる上方向（矢印１１８）から９０度ずれた位置に形成されている。このため、ＬＥＤチップ１０３からの出射される光を効率よく、発光素子１０１の光出射面に導き、素子外部へ取り出すことができない。また、光透過樹脂体１１９の材料の樹脂に蛍光体粒子を用いた場合で、蛍光に変換されない光や散乱されない光は、反射膜１２１とチップ基板１１４の間で反射を繰り返すこととなり、その多くが反射膜１２１およびチップ基板１１４に吸収されてしまう。さらに、蛍光体粒子量の変動により散乱度合いが変動するため、光取り出し効率が安定しない。
また、近年、液晶パネルを備えた携帯電話等の電子機器の薄型化に伴い、液晶バックライト用に用いられる側面発光型ＬＥＤの薄型化が求められている。しかしながら、特許文献１に示す従来の構造では、ＬＥＤチップ１０３の上面と反射膜１２１との距離が短くなるほど、上記の光吸収・漏れによる損失が増大する構成であるため、発光素子からの光取り出し効率がさらに低下するという問題があった。
したがって、光取り出し効率の低下を招くことなく薄型化を実現し得る側面発光型ＬＥＤの開発が求められている。
また、特許文献２の発光素子は、図２６および図２７に示すように、ＬＥＤチップが実装される実装面を底面した場合、金属反射体１００１が、素子側面全体を囲むようには形成されていない。このため、ＬＥＤチップから周囲に放出される光が、上記金属反射体１００１が形成されていない側面から素子外部へ漏れてしまう。
また、上記実装面における第１の電極１００４および第２の電極１００５の形成領以外以外の領域には、放熱性が低い樹脂からなる絶縁層１０１１が形成されている。このため、ＬＥＤチップから出射された光のうち、基板側へ向かう光の多くが、樹脂絶縁層１０１１を透過し、裏面側から素子外部へ漏れてしまう。
上記のように漏れた光は、発光素子外部の他の部材に吸収されるので、全体的に多大なエネルギーの損失になってしまう。このため、ＬＥＤチップからの出射された光を効率よく取り出すことができず、光出射面からの出射光強度の低下の問題点を有している。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光漏れを抑制し、光出射面からの出射光強度の向上を図ると共に、放熱性を向上させることにより、長期の信頼性に優れた発光素子、その製造方法ならびに該発光素子を備えたバックライトユニットを提供することにある。
本発明に係る発光素子は、上記の課題を解決するために、基板の実装面上に実装される少なくとも１つのＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように上記実装面上に設けられ、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップとそれぞれ電気的に接続される第１金属部と第２金属部とを備え、上記領域内に、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための絶縁部が、上記第２金属部を取り囲むように形成されており、上記領域内における該絶縁部の外側に実装面金属反射膜としての第１金属膜が上記金属反射板と接触するように形成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板が、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップから周囲に放出される光を、上記金属反射板で反射させ上記光出射面へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための絶縁部が、上記第２金属部を取り囲むように形成されている。このため、上記領域内における、絶縁部の形成領域の外側に実装面金属反射膜を形成することができる。これにより、上記ＬＥＤチップから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって反射光出射方向に設けられた光出射面側へより効率的に導くことができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内で、上記第１金属部が、実装面金属反射膜としての機能有し、上記絶縁部を介して上記第２金属部の外周を取り囲むように形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１金属層が、実装面金属反射膜としての機能有し、上記第２金属層の外周に形成された絶縁部を介して、上記第２金属層の外周を取り囲むように形成されている。このため、上記第２金属層との絶縁を確保しつつ、上記基板の実装面における、上記絶縁部の形成領域の外側の全面に実装面金属反射膜としての上記第１金属層を形成することができる。このように、実装面金属反射膜としての上記第１金属層を実装面上の広範囲に形成することができるため、ＬＥＤから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記第１金属部によってより効率的に光出射面側へと導くことができる。このため、基板に吸収される光の量をさらに低減することができ、光出射面からの出射光強度のさらなる向上を図ることができる。
本発明に係る他の発光素子は、上記課題を解決するために、基板の実装面上に実装される少なくとも１つのＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように上記実装面上に設けられ、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップとそれぞれ接続される第１金属部と第２金属部と、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域に、上記金属反射板と接触するように形成された実装面金属反射膜とを備え、上記金属反射板が、上記第１金属部と第２金属部の何れからも電気的に絶縁されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板が、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップから周囲に放出される光を、上記金属反射板で反射させ上記光出射面へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、上記金属反射板は、上記第１金属部と第２金属部の何れからも絶縁されている。このため、本発明の発光素子を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体に実装する際に、上記金属反射板が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、上記筐体に金属反射板を接触させた状態で実装することができる。これにより、上記金属反射膜で発生した熱を、効率よく素子外部へ逃がすことができる。この結果、長期の信頼性が高い発光素子を実現することができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記第１金属部を、上記実装面における上記第１金属部を上記金属反射板で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第１絶縁部と、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第２絶縁部とが、それぞれ、該第１金属部と第２金属部とを取り囲むように形成されており、上記実装面金属反射膜が、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域における、上記第１絶縁部と上記第２絶縁部の外側の領域全体に形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１金属部および第２金属部の各外周が、それぞれ第１絶縁部および第２絶縁部で取り囲まれているため、上記第１および第２金属部を、それぞれ上記金属反射板で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第１および第２絶縁部の面積をより小さく形成することができる。これにより、上記領域における上記第１絶縁部と上記第２絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜を広く形成することができ、上記ＬＥＤチップから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって反射光出射方向に設けられた光出射面側へより効率的に導くことができる。これにより、基板に吸収される光、および基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量をさらに低減することができ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、さらに、上記実装面上に実装される第２ＬＥＤチップを備え、上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として該ＬＥＤチップに接続される第１金属部が、上記第２ＬＥＤチップに駆動電流を供給する一方の電源端子としての機能を有し、さらに、該第２ＬＥＤチップに駆動電流を供給する他方の電源端子としての第３金属部を備え、前記金属反射板が、上記第１ないし第３金属部の何れからも電気的に絶縁されている構成とすることが望ましい。
上記の構成によれば、１つの発光素子内に１回路系統で、２つのＬＥＤチップが搭載されている。このため、素子の構成を大型化することなく、２倍の光出射強度を得ることできる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内に、第３金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第３絶縁部が上記第３金属部を取り囲むように形成されており、上記第１ないし第３絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜が形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１金属部ないし第３金属部の各外周が、それぞれ第１ないし第３絶縁部で取り囲まれているため、上記第１ないし第３金属部をそれぞれ上記金属反射板で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第１ないし第３絶縁部の面積をより小さく形成することができる。このため、上記領域における上記第１ないし第３絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜を広く形成することができ、上記ＬＥＤチップから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面側へより効率的に導くことができる。これにより、基板に吸収される光、および基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量をさらに低減することができ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記金属反射板の外周面の少なくとも一部を含む素子外周面上に、該金属反射板で発生した熱を外部に逃がすための放熱シートが形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記金属反射板の外周面の少なくとも一部を含む素子外周面上に、上記金属反射板で発生した熱を外部に逃がすための放熱シートが形成されているため、当該金属反射板で発生した熱を、該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記放熱シートとして、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本発明の金属反射板は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、上記金属反射板で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。
本発明に係るバックライトユニットは、光源部に配された本発明の発光素子を備え、該発光素子における上記金属反射板の外周面の少なくとも一部を含む素子外周面上が、放熱シートで覆われていることを特徴が望ましい。
上記のバックライトユニットの構成において、上記発光素子が、上記基板の裏面に、上記金属反射板およびそれに接触する実装面金属反射膜と電気的に接続されるアース電極（第３裏面電極）を備えていることが望ましい。
上記の構成によれば、前述の放熱シートからだけではなく、ＬＥＤチップ設置面（実装面金属反射膜）と熱的にも接続される第３裏面電極からも放熱が期待できる。さらに、実装後において、金属反射板およびそれに接触する実装面金属膜の電位も第３裏面電極と実装側のアース端子とを接続することにより、フローティング電位となることを防止することができ、サージなどによる動作不良や故障を防止することができる。
本発明の他の発光素子は、上記の課題を解決するために、基板の実装面に実装される少なくとも１つのＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、上記ＬＥＤチップを封止するように設けられ、上記光出射方向の上端部が、上記光出射面として開口された透光性封止体とを備え、上記透光性封止体は、その側面の一部が開口面をなし、当該開口面をなす領域以外の側面全体を覆うように、上記金属反射板が設けられており、上記開口面が、上記光出射面の形成方向と略垂直な方向に形成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、ＬＥＤチップの光出射方向に光出射面が形成されている。このため、特許文献１の構成のように、光出射方向に反射板が形成されており、出射方向に９０°ずれた位置に光出射面が形成されている構成に比べ、ロスなくＬＥＤチップから出射した光を光出射面から取り出すことができる。
さらに、上記ＬＥＤチップを封止するよう形成された透光性封止体の側面には、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板が形成されており、該金属反射板が形成されていない側面領域は、上記光出射面の形成方向と略垂直な方向に開口されている。このため、例えば、バックライトユニットの反射シートを、上記開口部を覆うように配置し、発光素子の金属反射板が形成されていない側面の開口面における金属反射板としての機能を兼ねさせることができる。
したがって、上記の構成の発光素子を、バックライトユニットに用いれば、バックライトユニットの反射シートと、発光素子の金属反射板とで、ＬＥＤチップを充填するように形成された透光性封止体の側面全体を覆うように上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板を形成することができる。このため、光取り出し効率の低下を招くことなくバックライトユニットの薄型化を実現することができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、当該ＬＥＤチップとそれぞれ接続される第１金属部と第２金属部とを備え、上記領域内に、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための絶縁部が、上記第２金属部を取り囲むように形成されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内に、実装面金属反射膜としての上記第１金属部が、上記絶縁部を介して上記第２金属部の外周を取り囲むように形成されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記絶縁部は、環状に形成されており、上記第２金属部が、該絶縁部によって、上記金属反射板から電気的に絶縁されており、該第２金属部が、上記金属反射板と同種の金属からなるアイランドに形成されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記開口面に接して反射シートが配されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記開口面に反射シートが接着されていることを特徴とする基礎請求項Ｎに記載の発光素子。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記金属反射板が、上記実装面金属反射膜と一体的に形成されてなることが望ましい。
上記の構成によれば、上記金属反射板が、上記実装面金属反射膜と一体的に形成されている。このため、上記実装面金属反射膜を、上記実装面上の広範囲に形成することができる。このように、素子全体における金属形成領域を広くすることで、放熱性に優れた発光素子を実現することができる。また、上記ＬＥＤチップの発光時の熱を、上記実装面金属反射膜が一体成形されている基板の表面側に伝導し、さらに裏面側へ効果的に放熱させることができる。これにより、熱による劣化を抑制することができ、長期の信頼性に優れた発光素子を実現することができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記金属反射板は、前記基板近傍において上記ＬＥＤチップに対して接近する裾引き形状を有することが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、少なくとも第２裏面電極が、上記絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うように形成されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、少なくとも第２裏面電極が、上記絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、第２金属部に接続されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記基板における、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ上記第１金属部と上記第２金属部とに接続される第１裏面電極と第２裏面電極とが形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記基板の裏面に、外部接続電極端子としてそれぞれ、第１金属部および第２金属部と接続される第１裏面電極と第２裏面電極とが形成されている。このように、発光素子の外部接続電極端子を基板裏面側に設けることで、基板内を通過し裏面側から外部へ逃げる光の量を低減することができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記第１裏面電極および第２裏面電極が、それぞれ上記第１絶縁部および第２絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１裏面電極と第２裏面電極とが、それぞれ上記第１絶縁部および第２絶縁部の形成領域を覆うように形成されている。このため、ＬＥＤチップから出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、上記第１絶縁部および第２絶縁部を介して該基板を通過して裏面側から素子外部へ逃げることを防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記第１裏面電極および第２裏面電極は、それぞれ、上記第１絶縁部の形成領域と積層方向に対応する領域全体と上記第２絶縁部の形成領域と積層方向に対応する領域全体とを覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、上記第１金属部と第２金属部とにそれぞれ接続されている構成とすることが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１絶縁部および第２絶縁部が、第１裏面電極および第２裏面電極よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている各導電部で覆われている。このため、より効果的に当該第１・第２絶縁部を通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度のさらなる向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記導電部が、上記基板の側面よりも内側に配置されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記金属反射板の外周側面部が、発光素子の長手方向において発光素子外周より内側に形成されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記導電部のうち、上記金属反射板と絶縁されている導電部が、上記基板の側面よりも内側に配置されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記第１金属部、第２金属部および金属反射板が、銅、銀、金またはニッケルからなることが望ましい。
上記の構成によれば、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることで、ＬＥＤチップから出射される光を効率よく光出射面へ導くことができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、上記第１金属部、第２金属部、および上記ＬＥＤチップが塔載される実装面金属反射膜にそれぞれ接続される第１ないし第３裏面電極が形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記基板の裏面に、外部接続電極端子としてそれぞれ、第１金属部ないし第３金属部と接続される第１ないし第３裏面電極が形成されている。このように、発光素子の外部接続電極端子を基板裏面側に設けることで、基板内を通過し裏面側から外部へ逃げる光の量を低減することができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記第１ないし第３裏面電極が、それぞれ上記第１ないし第３絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１ないし第３裏面電極が、それぞれ上記第１ないし第３絶縁部の形成領域を覆うように形成されている。このため、ＬＥＤチップから出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、該基板を通過して裏面側から素子外部へ逃げることを防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記第１ないし第３裏面電極は、それぞれ、上記第１ないし第３絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、上記第１ないし第３金属部に接続されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１ないし第３裏面電極が、上記第１ないし第３絶縁部の形成領域と積層方向に対応する各領域全体が、第１ないし第３裏面電極の各形成位置よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている各導電部で覆われている。このため、より効果的に当該第１ないし第３絶縁部を通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度のさらなる向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記第１ないし第３金属部が、銅、銀、金またはニッケルからなることが望ましい。
上記の構成によれば、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることで、ＬＥＤチップから出射される光を効率よく光出射面へ導くことができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記光出射面として、上記実装面と上記金属反射板で囲まれた領域における上記ＬＥＤチップからの光の出射方向の上端部が開口されており、透光性封止体が上記領域を充填するように形成されており、上記領域における、上記光出射面と底面となる実装面との間に、面方向の断面の最大幅が上記光出射面の面方向の最大幅よりも大きくなる領域を有するように、上記領域の上端部の開口が絞られていることが望ましい。
発光素子に搭載されるＬＥＤとしては、一般に、青色光を出射する青色ＬＥＤを用いているため、上記金属反射板の表面は、反射率を向上させるために、青色光に対して反射率の高い銀メッキを施している。ところが、銀メッキは、反応性が高く劣化・腐食し易いため、銀メッキを保護し、剥離、劣化を防止する必要がある。そこで、本発明は、上記透光性封止体を充填し、該銀メッキに密着するように構成している。
このため、上記透光性封止体の封止樹脂としては、一般に、エポキシ等と比べ接着性の弱いシリコーン等が用いられる。そこで、上記の構成のように、透光性封止体の開口面である光出射面となる開口を絞ることにより、上記透光性封止体の上記金属反射板の内周面に対する密着性を向上させることができ、上記透光性封止体の剥離を抑制することができる。これにより、上記金属反射板の内周面を、上記樹脂封止体により、安定した状態で保護することができる。
本発明に係る発光素子は、上記金属反射板における、上記透光性封止体と接触する内周面に凹凸が形成されていることが望ましい。
上記の構成によれば、上記金属反射板と、該透光性封止体との接触面積が大きくなる。このため、上記の構成と同様に、上記透光性封止体の上記金属反射板の内周面に対する密着性を向上させることができ、上記透光性封止体の剥離を抑制することができる。これにより、上記金属反射板の内周面を、上記樹脂封止体により、安定した状態で保護することができる。
本発明に係る発光素子は、上記の構成において、上記透光性封止体が、散乱粒子を含むことが望ましい。
本発明の他のバックライトユニットは、基板の実装面に実装される少なくとも１つのＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、上記ＬＥＤチップを封止するように設けられ、上記光出射方向の上端部が、上記光出射面として開口された透光性封止体とを備え、上記透光性封止体は、その側面の一部が開口面をなし、当該開口面をなす領域以外の側面全体を覆うように、上記金属反射板が設けられており、上記開口面が、上記光出射面の形成方向と略垂直な方向に形成されている発光素子と、上記光出射面の近傍に配され、該光出射面から出射された光を散乱させる導光板と、上記導光板に接するように配され、該導光板により散乱された光を、所望の領域へ照射するための反射シートとを備え、上記反射シートは、上記透光性封止体の側面の一部をなす上記開口部全体を覆うように配されており、上記反射シートが、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射面へと導く金属反射板としての機能を兼ねることを特徴としている。
上記の構成によれば、バックライトユニットの反射シートを、上記開口部を覆うように配置し、発光素子の金属反射板が形成されていない側面の開口面における金属反射板としての機能を兼ねている。このため、バックライトユニットの反射シートと、発光素子の金属反射板とで、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板を、ＬＥＤチップを充填するように形成された透光性封止体の側面全体を覆うように構成することができる。このため、光取り出し効率の低下を招くことなくバックライトユニットの薄型化を実現することができる。
本発明のバックライトユニットは、上記の課題を解決するために、上記発光素子と、上記光出射面の近傍に配された導波板とを備えていることを特徴としている。
上記の構成によれば、光漏れが改善され光の出射効率が高く、放熱性にも優れた発光素子を備えることで、光の利用効率が高く、長期の信頼性に優れたバックライトユニットを実現することができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板の実装面上に少なくとも１つのＬＥＤチップを実装する工程と、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記ＬＥＤチップの光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板を、該光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように上記実装面上に形成する工程と、上記実装面と上記金属反射板とで囲まれた領域内に、透光性封止体を上記ＬＥＤチップを封止ように充填する工程と、上記金属反射板で囲まれた領域を、上記透光性封止体の分断面が、上記光出射面の形成方向と略垂直な方向に形成された開口面となるように分断する工程とを含むことを特徴としている。
本発明に係る他の発光素子の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板の実装面上に少なくとも１つのＬＥＤチップを実装する工程と、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記ＬＥＤチップの光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板を、該光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように上記実装面上に形成する工程と、上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップとそれぞれ電気的に接続される第１金属部および第２金属部を形成する工程と、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域に、上記金属反射膜と接触するように実装面金属反射膜を形成する工程とを含み、前記金属反射板が、上記第１金属部と第２金属部の何れからも電気的に絶縁されているように形成することを特徴としている。
上記の構成によれば、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板を、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように形成している。このため、上記の製造方法により製造された発光素子は、ＬＥＤチップから周囲に放出される光を、上記金属反射板で反射させ上記光出射面へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、上記金属反射板は、上記第１金属部と第２金属部の何れからも絶縁されている。このため、本発明の発光素子を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体に実装する際に、上記金属反射板が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、上記筐体に金属反射板を接触させた状態で実装することができる。これにより、上記金属反射膜で発生した熱を、効率よく素子外部へ逃がすことができる。この結果、長期の信頼性が高い発光素子を実現することができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記実装面における上記第１金属部を上記金属反射板で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第１絶縁部と、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第２絶縁部とを、それぞれ、該第１金属部と第２金属部とを取り囲むように形成する工程とを含み、上記実装面金属反射膜を、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域における、上記第１絶縁部と上記第２絶縁部の外側の領域全体に形成することが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１金属部および第２金属部の各外周を、それぞれ第１絶縁部および第２絶縁部で取り囲むように形成しているため、上記第１および第２金属部を、それぞれ上記金属反射板で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第１および第２絶縁部の面積をより小さく形成することができる。
また、上記第１および第２絶縁部と上記金属反射板との間には、それぞれ上記実装面金属反射膜が介在している。このため、上記金属反射板の形成工程において、位置ズレが生じた場合であっても、上記各絶縁部の形状、面積が影響を受けることがなく、絶縁部からの光漏れ量がばらつくことはない。さらに、金属反射板と第１電極、第２電極との絶縁をとるための離間距離をプロセス上のアライメント誤差を気にすることなく、最短にでき、第１および第２絶縁部の領域を最小に設計できる。このため、上記第１および第２絶縁部からの光の漏れをより効果的に防止することができ、上記金属反射板から基板側に向かう光を、上記実装面金属反射膜によってより効率的に光出射面側へ反射させることができる。この結果、光利用効率および放熱性の更なる向上を図ることができる。
このため、上記の方法により製造された発光素子は、上記領域における上記第１絶縁部と上記第２絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜を広く形成することができ、上記ＬＥＤチップから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって反射光出射方向に設けられた光出射面側へより効率的に導くことができる。これにより、基板に吸収される光、および基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量をさらに低減することができ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、さらに、上記実装面上に第２ＬＥＤチップを形成する工程と、上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として該ＬＥＤチップに接続される第１金属部が、上記第２ＬＥＤチップに駆動電流を供給する一方の電源端子としての機能するように形成し、さらに、該第２ＬＥＤチップに駆動電流を供給する他方の電源端子としての第３金属部を形成する工程とを含み、前記金属反射板が、上記第１ないし第３金属部の何れからも電気的に絶縁されていることが望ましい。
上記の構成によれば、素子内に１回路系統で、２つのＬＥＤチップを搭載している。このため、上記の製造方法により製造された発光素子は、大型化を招くことなく、２倍の光強度を得ることできる。また、上記実装面上の上記金属反射板で囲まれた領域内における上記第１絶縁部ないし第３絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜が形成されている。このため、ＬＥＤチップから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって光出射面側へ反射させることができる。これにより、基板に吸収される光の量を低減することができ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内に、第３金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第３絶縁部を上記第３金属部を取り囲むように形成する工程と、上記第１ないし第３絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜を形成する工程とを含むことが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１金属部ないし第３金属部の各外周が、それぞれ第１ないし第３絶縁部で取り囲まれているため、上記第１ないし第３金属部をそれぞれ上記金属反射板で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第１ないし第３絶縁部の面積をより小さく形成することができる。
また、上記第１ないし第３絶縁部と上記金属反射板との間には、それぞれ上記実装面金属反射膜が介在している。このため、上記金属反射板の形成工程において、位置ズレが生じた場合であっても、上記各絶縁部の形状、面積が影響を受けることがなく、絶縁部からの光漏れ量がばらつくことはない。さらに、金属反射板と第１電極ないし第３電極との絶縁をとるための離間距離をプロセス上のアライメント誤差を気にすることなく、最短にでき、第１ないし第３絶縁部の領域を最小に設計できる。このため、上記第１ないし第３絶縁部からの光の漏れをより効果的に防止することができ、上記金属反射板から基板側に向かう光を、上記実装面金属反射膜によってより効率的に光出射面側へ反射させることができる。この結果、光利用効率および放熱性の更なる向上を図ることができる。
このため、上記の方法により製造された発光素子は、上記領域における上記第１ないし第３絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜を広く形成することができ、上記ＬＥＤチップから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面側へより効率的に導くことができる。これにより、基板に吸収される光、および基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量をさらに低減することができ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係るバックライトユニットの製造方法は、上記の構成において、上記金属反射板の外周面の少なくとも一部を含む素子外周面上に、該金属反射板で発生した熱を外部に逃がすための放熱シートを形成する工程を含むことが望ましい。
上記の構成によれば、上記金属反射板の外周面の少なくとも一部を含む素子外周面上に、上記金属反射板で発生した熱を外部に逃がすための放熱シートを形成している。このため、上記の方法により製造された発光素子は、当該金属反射板で発生した熱を、該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。
本発明に係るバックライトユニットの製造方法は、上記の構成において、上記放熱シートとして、導電性材料を用いることが望ましい。
上述の通り、本発明の金属反射板は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、上記の方法により製造された発光素子は、短絡等の問題を生じることなく、上記金属反射板で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。
上記導電性材料として、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。
また、上記放熱シートが、上記光源部で接地されていることが望ましい。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記金属反射板を、上記実装面金属反射膜と一体的に形成することが望ましい。
上記の構成によれば、接着剤を要することなく、メッキなどの方法によって、上記金属反射板を、上記実装面金属反射膜と一体的に成形することができる。このため、ＬＥＤチップの発光時の熱は、従来のように熱伝導性の低い樹脂等に溜まることなく、金属反射板が一体成形されている基板の表面に形成された実装面金属反射膜に伝導され、さらに基板の裏面側に効果的に放熱させることができる。これにより、熱による劣化が抑えられ、長期の信頼性に優れた発光素子を製造することができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記基板における、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ上記第１金属部と上記第２金属部とに接続される第１裏面電極と第２裏面電極とを形成することが望ましい。
上記の構成によれば、上記基板の裏面に、外部接続電極端子としてそれぞれ、第１金属部および第２金属部と接続される第１裏面電極と第２裏面電極とが形成している。このため、上記の方法により製造された発光素子は、発光素子の外部接続電極端子を基板裏面側に設けることで、基板内を通過し裏面側から外部へ逃げる光の量を低減することができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記第１裏面電極および第２裏面電極を、それぞれ上記第１絶縁部および第２絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成することが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１裏面電極と第２裏面電極とを、それぞれ上記第１絶縁部および第２絶縁部の形成領域を覆うように形成されている。このため、上記の方法により製造された発光素子は、ＬＥＤチップから出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、上記第１絶縁部および第２絶縁部を介して該基板を通過して裏面側から素子外部へ逃げることを防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記第１裏面電極および第２裏面電極を、それぞれ、上記第１絶縁部および第２絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、上記第１金属部と第２金属部とに接続されるように形成することが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１絶縁部および第２絶縁部を、第１裏面電極および第２裏面電極よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている各導電部で覆うように形成している。このため、上記の方法により製造された発光素子は、より効果的に当該第１・第２絶縁部を通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度のさらなる向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記第１金属部、第２金属部および金属反射板として、銅、銀、金またはニッケルを用いることが望ましい。
上記の構成によれば、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることで、ＬＥＤチップから出射される光を効率よく光出射面へ導くことができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記基板における、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子としてそれぞれ、上記第１ないし第３金属部に接続される第１ないし第３裏面電極を形成する工程を含むことが望ましい。
上記の構成によれば、上記基板の裏面に、外部接続電極端子としてそれぞれ、第１金属部ないし第３金属部と接続される第１ないし第３裏面電極を形成している。このため、上記の方法により製造された発光素子は、発光素子の外部接続電極端子を基板裏面側に設けることで、基板内を通過し裏面側から外部へ逃げる光の量を低減することができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記第１ないし第３裏面電極を、それぞれ上記第１ないし第３絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成することが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１ないし第３裏面電極を、それぞれ上記第１ないし第３絶縁部の形成領域を覆うように形成している。このため、ＬＥＤチップから出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、該基板を通過して裏面側から素子外部へ逃げることを防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記第１ないし第３裏面電極を、それぞれ、上記第１ないし第３絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、上記第１ないし第３金属部に接続されるように形成することが望ましい。
上記の構成によれば、上記第１ないし第３裏面電極を、上記第１ないし第３絶縁部の形成領域と積層方向に対応する各領域全体が、第１ないし第３裏面電極の各形成位置よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている各導電部で覆うように形成している。このため、より効果的に当該第１ないし第３絶縁部を通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度のさらなる向上を図ることができる。
本発明に係る発光素子の製造方法は、上記の構成において、上記第１ないし第３金属部として、銅、銀、金またはニッケルを用いることが望ましい。
上記の構成によれば、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いている。このため、上記の方法により製造された発光素子は、上記ＬＥＤチップから出射される光を効率よく光出射面へ導くことができる。
本発明の発光素子は、ＬＥＤチップからの光を出射方向へと導く反射板を金属で形成することにより、光が透過する反射板の厚さを従来の樹脂による反射板より薄くでき、光の出射方向と垂直となる短辺方向のパッケージの厚みを薄くできる。
また、基板の実装面に設けられた絶縁部を通じて漏れる光を、絶縁部形状や基板の裏面側の裏面電極で覆うことにより、発光輝度低下や輝度／色むらのばらつきを低減でき、ＬＥＤチップからの光を出射方向へと導く反射板を基板およびＬＥＤチップの実装面と一体化して金属で形成することにより、放熱性が良く高温下でも使用できる信頼性の高い発光素子も提供できる。
さらに、このような金属からなる反射板をもつ発光素子をバックライトの光源とすることにより、信頼性が高く、薄型で、発光効率がよく、低消費電力のバックライト装置を提供できる。
本発明は、上記の効果以外に、実施の態様によっては以下の効果も有している。
第１実施形態及び第２実施形態の発光素子は、一般にＬＥＤチップの光出射強度が最大となる場合が多いＬＥＤチップの上方向に発光素子の光出射面を配しているため、反射面や壁面での光吸収等の影響が減少し、光取り出し効率が高くなる。特に、本発明の発光素子の一実施形態においては、反射板の断面形状が、基板側においてＬＥＤチップに近づく裾引き形状を有することにより、光線が光出射面側に反射され、光取り出し効率が高い。
また、第２実施形態のバックライトユニットは、側壁開口面から発する光を、反射シートを用いることによって有効利用することができ、光利用効率に優れたバックライトユニットが得られる。
また、ＬＥＤチップの発光時に発生する熱は、従来のＬＥＤにおいては前記反射枠体である樹脂剤もしくは前記反射枠体上にメッキ処理された極薄い金属膜を伝って、ガラスエポキシやＢＴレジン(Bismaleimide Triazine Resin)等で形成されたチップ基板に放熱されるため、放熱性が悪く、長期の信頼性に劣っていたのに対し、第１実施形態の発光素子では、ＬＥＤチップが実装されている積層基板の表面層が、アイランド電極の周りに配置された微小なエリアの絶縁リング以外の全面において金属反射板と同種の金属で形成されており、金属反射板との一体成形部は接着剤を用いずにメッキなどの方法によって一体成形されているため、ＬＥＤチップの発光時の熱は、従来のように熱伝導性の低い樹脂等に溜まることなく、金属反射板が一体成形されている積層基板の表面層に伝導し、積層基板の裏面側に効果的に放熱されるため、熱による劣化が抑えられ、長期の信頼性が優れている。
（第１実施形態）
以下、添付図面に基づいて本発明に係る発光ダイオードチップの実施形態を詳細に説明する。図１は本発明の第１実施形態における発光素子１の斜視図、図２は発光素子１の長辺方向断面図（ａ−ａ断面）、図３は発光素子１の短辺方向断面図（ｂ−ｂ断面）、図４は発光素子１の短辺方向断面図（ｃ−ｃ断面）である。
図１から図４に示すように、積層基板４の表面層５上部（実装面）のダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）８にＬＥＤチップ３が実装されている。ＬＥＤチップ３は、上面（ダイボンドされた面に対向する面）にアノード電極とカソード電極からなる電極端子（図示せず）を備えたＧａＮ系半導体材料等からなる半導体チップであり、青色光を発する。カソード電極は表面層５上部のダイボンドエリア・電極共通部８とワイヤボンドによって接続され、アノード電極は積層基板４の表面層５に形成されたアイランド電極（第２金属部）９にワイヤボンドによって接続されている。なお、ＬＥＤチップ３として上面及び下面にアノード電極及びカソード電極（逆でもよい）をそれぞれ配したものを用いても良い。
金属反射板２はＬＥＤチップ１の上方向１８を遮らないように、ＬＥＤチップ１の一側面に配置されており、他の側面には、透光性封止体１９の側面である側壁開口面１２を有する構造になっている。また金属反射板２は、断面図である図４に示すように、光出射面１７に垂直な断面の形状が、ＬＥＤチップ３を実装した積層基板４に近づくにつれてＬＥＤチップ３側に接近する裾引き形状２Ａを有する構造になっている。
また、エポキシやシリコーン等の樹脂よりなる透光性封止体１９がＬＥＤチップ３を覆い、封止している。また透光性封止体１９の光出射面１７は、積層基板４の表面とほぼ平行であることが望ましく、透光性封止体１９は側壁開口面１２で切断されている構造になっている。
透光性封止体１９に散乱粒子を含有させてもよく、その場合、ＬＥＤチップから発した光の放射方向が略等方的になるため、金属反射板２に反射されることにより、光出射面１７より均一な光を発することが可能となる。散乱粒子としては、数μｍから数十μｍ径の白色粒子、例えば酸化チタンなどを用いることができる。
また、透光性封止体１９には蛍光体を含有させてもよく、その場合、例えばＬＥＤチップから発した青色の光を蛍光体によって黄色に変換することにより、ＬＥＤチップから発した青色光と蛍光体から発した黄色光の合成によって白色光を得ることが可能である。蛍光体粒子は、上記の散乱粒子としての働きも有している。
（第１実施形態の第１の製造工程）
図５は本発明の第１実施形態における発光素子１の第１の製造工程フローチャートである。図５に示すように、金属箔（ここでは銅箔）を土台に用い、この金属箔の全面に同一の金属（ここでは銅）をメッキ処理により形成する。その後に、フォトプロセスを用いてマスク材を塗布し、このマスク材を設計寸法に合うように感光、現像を行ってマスクパターンを形成する。マスクパターンに覆われていない金属部分について、金属用エッチャントを用いてエッチング処理を行うことにより、金属メッキ及び金属箔のパターニングを行う。その後に、このマスク材を剥離する。
さらに、前記エッチング処理でエッチングされた厚みと同じ厚みの絶縁基板を、前記金属箔のパターニング面に貼りあわせ、プレスを行う。エッチングでパターニングされた金属面の表面が露出するまで貼りあわせた面を研磨処理する。この後は前記メッキ処理からの繰り返し処理を行うことにより、絶縁基板と金属膜とが存在する多層基板が完成する。
図５に示したフローチャートでは、表面層６と裏面層７の２層を前述のフローで処理している。
なお、金属箔や、メッキ処理により形成する金属は、熱伝導率に優れた銅、金、ニッケルや青色光に対して反射率の高い銀等が望ましい。また、多層基板の裏面層７は、前記多層基板の中間層の下部に接着される構造であり、発光素子１や液晶パネルバックライトを実装した後の電極として一般的に用いられるためのものであるため、詳細説明は省く。
次に、裏面層７を接着後に金属箔のパターニングされていない面を、前述のフォトプロセスを用いエッチングを行う。このエッチングはアルカリ溶液等の薬液を用いたいわゆるウエットエッチングのため、エッチングは等方的に進み、エッチング深さが深くなるほどエッチングされる面積が狭くなるため、光取り出し効率を上げるのに適した裾引き形状を形成することができる。なお、本発明では土台の金属箔を金属反射板として用いるため、エッチング深さは金属箔を貫通し、前記多層基板の表面層５に達するまでエッチング処理を行う必要がある。そして、金属反射板の反射率を向上させるため、ＬＥＤチップから発する光（この場合青色光）に対して反射率の高い銀などのメッキを行う。このようにして、複数の発光素子が一体化された発光素子群が形成される。
図６は、前記プロセスを行った後の発光素子群のうち、２個の発光素子が未分離の状態の斜視図である。金属箔はエッチングにより金属反射板２となり、金属反射板２がエッチング除去された中抜け底面部１５において、積層基板４の表面層５が露出し、その部分が図１に示すダイボンドエリア・電極共通部８に対応している。積層基板４の表面層５に形成されているアイランド電極９は、それを囲む絶縁リング１０によりダイボンドエリア・電極共通部８と絶縁されている。ダイボンドエリア・電極共通部８と金属反射板２は同種の金属で一体型に成型されているため、アイランド電極９は少なくとも金属反射板２と接触する構成にはならないように設計配置されている。
図７（ａ）および図７（ｂ）は前記発光素子群にＬＥＤチップ３を実装した状態の斜視図である。図７（ａ）では、ＬＥＤチップの長辺方向を中抜け底面部１５の長辺方向に沿って配置し、絶縁リング１０、アイランド電極９は中抜け底面部１５での中心に対し線対称に配置している。また図７（ｂ）では、図７（ａ）同様にＬＥＤチップを配置しており、絶縁リング１０、アイランド電極９は中抜け底面部１５での中心に対し面対称に配置している。
ＬＥＤチップ３を配置した後に、ＬＥＤチップ３を封止するよう、エポキシやシリコーン等の樹脂を金属反射板２の内部に注入し、固化して透光性封止体１９を成型する。なお透光性封止体１９には必要に応じて蛍光体を含有させる。
透光性封止体１９を成型後、複数のＬＥＤチップ３を分離して、個別の発光素子を得るように、切断線２１に沿ってダイシングすることにより、側面に金属反射板２及び側壁開口面１２を有する発光素子１が得られる。
上記製造方法を用いることにより、金属反射板と積層基板を一体化できるため、放熱特性が良くなる。更に、アイランド電極を微細に形成でき、図４に示した発光素子の幅Ｗが薄型化できるため、本発光素子を用いた液晶パネルバックライトの薄型化が可能である。
（第１実施形態の第２の製造工程）
金属反射板の裾形状の制御性をさらに向上させるため、以下の製造方法を用いることができる。図８に、第１実施形態の第２の製造工程フローを示す。金属箔にあらかじめ反射板エッチング部に合せてプレス加工を行うことにより凹形状を形成した後、メッキ、フォトプロセス・エッチング・マスク剥離、絶縁基板貼り合せ、研磨処理、積層完了、裏面層貼り合せ・メッキ・パターニング・マスク剥離、金属反射板エッチングの各工程を行い、反射率を向上させるための銀メッキ仕上げを行う。ただしメッキ工程以降は第１実施形態の第１の製造方法と同一である。本製造工程においてはウエットエッチングの前にあらかじめ凹形状を形成しているため、ウエットエッチング量を少なくすることができ、金属反射板の断面形状の制御性を向上することができ、金属反射板の断面形状の裾野を狭くすることができる。これにより、図４に示す断面の幅Ｗがさらに薄型化できるため、発光素子、液晶パネルバックライトのさらなる薄型化が可能である。
（第２実施形態）
図９は本発明の第２実施形態における液晶パネルバックライト２０の斜視図である。図９に示す発光素子１は第１実施形態における発光素子１と同じ構成である。図９に示すように反射シート１６に発光素子１の側壁開口面１２が透光性接着剤によって接着されている。反射シート１６に接して導光板３０があり、発光素子１を発し導光板３０に入射した光は適度に散乱して、液晶パネル３１を背面から照明する。なお、反射シート１６は一般的に液晶パネルのような薄型の表示体を側面から照射する側面発光型ＬＥＤと同時に使用され、導光板３０と共に液晶パネルバックライトユニットの一部である。本発明では、反射シートが本来有する液晶パネル全体に光を届ける機能だけでなく、発光素子１の金属反射板が形成されていない側壁開口面１２における反射壁としての機能をも有している。そのため発光素子１から発し、側壁開口面１２より出射する光を有効に用いることができる。
図１０は本発明の第２実施形態における反射シート１６が接着された状態の液晶パネルバックライト２０の短辺方向断面図（ｃ−ｃ断面）である。図１０に示すように発光素子３の光出射面１７はＬＥＤチップ３の上方向１８にあり、また反射シート１６の面に垂直に形成されている。そのため、ＬＥＤチップ３から上方向１８に出射する光は直接発光素子１の光出射面１７に向かう。また、ＬＥＤチップ３から金属反射板２に向かう光線２４Ａ、２４Ｂは、金属反射板２に反射されることにより、光出射面１７から出射する。ここで、金属反射板２の断面形状は積層基板４側においてＬＥＤチップ３に向けて近づく裾引き形状を有しているため、ＬＥＤチップ３を発した光は上方向に向きを変えられ、光出射面１７に向うようになっている。このため、ＬＥＤチップ３から発せられる光を効率よく光出射面１７に集光させることができる。
ＬＥＤチップ３から側壁開口面１２に向かう光線２５Ａ、２５Ｂは、反射シート１６に反射され、光２５Ｂについては金属反射板２にも反射されて、光出射面１７から出射する。透光性封止体１９内の散乱光についても、金属反射板２又は反射シート１６の働きにより、その大部分が光出射面１７より出射する。
このように、金属反射板２と反射シート１６により、発光素子１の幅Ｗが薄くても、良好な光出射効率が得られる。
（その他の実施可能形態）
光出射面１７及び側壁開口面１２には、反射防止コーティングを行ってもよい。これらの面を粗面としてもよい。
図７（ａ）及び（ｂ）で、２個のＬＥＤチップが形成された発光素子群を分割して２個の発光素子を製造したが、それぞれの発光素子に複数のＬＥＤチップが実装されていてもよい。例えば１個の発光素子に２個の青色ＬＥＤチップが１組として実装されていてもよく、１個の発光素子に青色、緑色、赤色のＬＥＤチップが１組として実装されていてもよい。
図７（ａ）及び（ｂ）で、発光素子群を２分割した例を示しているが、４分割して２つの開口面を有する発光素子を４個作製してもよい。
図７（ａ）及び（ｂ）で、２分割した発光素子群のそれぞれに１個のＬＥＤチップを配置しているが、片方のみにＬＥＤチップを配置し、もう片方はＬＥＤチップを配置せず捨ててもよい。
透光性封止体１９において、蛍光体を均一に分散させていてもよく、例えば積層基板４に近い側に偏らせて分散させてもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
〔第３実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１２ないし図１６を参照し以下に説明する。
図１２は、本実施の形態の発光素子５００の一構成例を示す斜視図である。
図１３は、発光素子５００の詳細な構成を示す断面図である。
図１４は、金属反射板５０２と、積層基板５０６を構成する各層とのエッチングパターン例を示している。図１４中、（ａ）は第１層５２１を示し、（ｂ）は第２層５２２を示し、（ｃ）は第３層５２３を示し、（ｄ）は第４層５２４を示し、（ｅ）は第５層５２５を示し、（ｆ）は第６層５２６を示し、（ｇ）は第７層５２７を示し、（ｈ）は第８層５２８を示している。
本実施の形態に係る発光素子５００は、図１２に示すように、積層基板５０６に実装されたＬＥＤチップ５０１と、該ＬＥＤチップ５０１の光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップ５０１の周囲全体を取り囲むように上記実装面上に設けられ、上記ＬＥＤチップ５０１からの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板５０２とを備え、上記実装面上における金属反射板５０２で囲まれた領域を充填するように透光性封止体５１０が形成されている。
発光素子５００は、携帯電話などの表示画面に設けられた液晶パネルの側面に光出射面が対向するように実装するように構成している。すなわち、発光素子５００は、液晶パネルを側面から照射するバックライトとして用いるように構成している。
ＬＥＤチップ５０１は、ＧａＮ系半導体材料等からなる半導体チップであり、発光面５０１ａから青色光を発する。ＬＥＤチップ５０１は、発光面５０１ａが上側になるように、後述するダイボンドエリア・電極共通部（第１電極部、実装面金属反射膜）５０７にダイボンドによって実装されている。そして、ＬＥＤチップ５０１は、発光面５０１ａに、アノード電極とカソード電極とからなる電極端子（図示せず）が備えている。
積層基板５０６は、実装面側から表面層５０３、中間層５０４、裏面層５０５が積層された構成を有している。積層基板５０６は、図１３に示すように、２層構造の表面層５０３、３層構造の中間層５０４、２層構造の裏面層からなり計８つの層からなる積層構造を有している。上記構成の積層基板５０６は、金属反射板５０２に積層され、金属反射板５０２と一体的に形成している。
ここで、図１３および図１４を参照し、積層基板５０６の詳細な構成について説明する。
まず、表面層５０３の構成について説明する。
表面層５０３は、実装面側から第２層５２２と第３層５２３とが積層された２層積層構造を有している。
なお、第２層５２２すなわち積層基板５０６の表面を、ＬＥＤチップ５０１が実装される実装面とする。
第２層５２２（実装面）には、ＬＥＤチップ５０１に駆動電流を供給する電極端子として、ＬＥＤチップ５０１とそれぞれ接続されるダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）５０７とアイランド電極(第２金属部)５０８とが形成されている。また、アイランド電極５０８を、ダイボンドエリア・電極共通部５０７から電気的に絶縁するための絶縁部５０９が、アイランド電極５０８の外周を囲むように形成されている。
ダイボンドエリア・電極共通部５０７は、ＬＥＤチップ５０１のカソード電極とワイヤボンド（ワイヤ５１１）によって接続されている。ダイボンドエリア・電極共通部５０７と金属反射板５０２とは、同種の金属（本実施の形態では、銅）からなり一体的に形成されている。
なお、ダイボンドエリア・電極共通部５０７および金属反射板５０２の材料としては、銅に限定されるものではなく、他の金属を用いる構成であってもよいが、反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが望ましい。
すなわち、本実施の形態では、接着剤を要することなく、メッキなどの方法によって、金属反射板５０２を、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部５０７と一体的に成形することができる。このため、ＬＥＤチップ５０１の発光時の熱は、従来のように熱伝導性の低い樹脂等に溜まることなく、金属反射板５０２が一体成形されている基板の表面に形成されたダイボンドエリア・電極共通部５０７に伝導され、さらに基板の裏面側に効果的に放熱させることができる。また、このように、金属反射板５０２とダイボンドエリア・電極共通部５０７とを一体的に形成することで、素子全体における金属の占める割合が大きくなるため、放熱性のみならず、光漏れ防止についても改善された構成となっている。
なお、ダイボンドエリア・電極共通部５０７は、後に詳細に説明するように、発光素子５００をダイシングする際、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保して形成されている。
一方、他方の電極端子としてのアイランド電極５０８は、銅からなり、ワイヤボンド（ワイヤ５１１）によってＬＥＤチップ５０１のアノード電極と接続されている。また、実装面としての第２層５２２における金属反射板５０２で囲まれた領域内に、アイランド電極５０８が、その外周が絶縁部５０９で囲まれた、アイランドに形成されている。
また、アイランド電極５０８の形状は、本実施形態に示したもの以外に、三角、四角、矩形状など特に限定されることはないが、電界集中を避けることができるよう角部に丸みを持った形状がより好ましい。さらに、アイランド電極５０８上には、ＬＥＤチップの駆動条件を調整する素子、回路を設置しても構わない。例えば、ツェナーダイオードなどＬＥＤチップに通電する電流を制限する保護回路素子を設置してもよい。なお、これらのことは、本実施形態以外の実施形態でも同様に適用される。
本実施の形態では、上述の通り、ＬＥＤチップ５０１のカソード電極がダイボンドエリア・電極共通部５０７と接続され、アノード電極がアイランド電極５０８と接続される構成となっている。しかしながら、本実施の形態はこれに限らす、ＬＥＤチップ５０１のアノード電極がダイボンドエリア・電極共通部５０７と接続され、カソード電極がアイランド電極５０８と接続される構成としてもよい。
なお、ダイボンドエリア・電極共通部５０７とアイランド電極５０８とは電位が異なっており、設計に応じて、ＬＥＤチップ５０１のアノード電極とカソード電極とのどちらかが一方ずつに接続される。
絶縁部５０９は、樹脂からなり、アイランド電極５０８をダイボンドエリア・電極共通部５０７から電気的に絶縁するように形成されている。本実施の形態においては、図１３に示すように、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａに垂直な方向から見たとき、絶縁部５０９とダイボンドエリア・電極共通部５０７との界面は、直線となっている。但し、実装面における金属反射板５０２で囲まれた領域内において、アイランド電極５０８を囲む絶縁部５０９はできる限り狭く形成し、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部５０７が占める割合を多くする方が、光の利用効率の面で好ましい。
よって、まとめると、第２層５２２では、金属反射板５０２と一体化するように積層化され、アイランド電極５０８とは絶縁部５０９を挟んで形成されているダイボンドエリア・電極共通部５０７と、絶縁部５０９に囲まれて形成されているアイランド電極５０８とが形成されている。
第３層５２３は、第２層５２２と後述する第４層５２４との間を電気的に接続するために設けられており、第２層５２２に絶縁部５０９を形成する際に、絶縁部５０９の接着度を高める機能も有している。
絶縁部５０９が形成されておらず、ダイボンドエリア・電極共通部５０７およびアイランド電極５０８が形成されたパターニング面では、ダイボンドエリア・電極共通部５０７およびアイランド電極５０８の外縁のみにエッチングされた厚み（段差）がある状態である。この場合、絶縁部５０９を形成するために上記厚みと同じ厚みの絶縁材を、パターニング面に貼り合わせプレスしても、接着面が平面であるので剥がれるおそれがある。
そこで、第２層５２２のエッチングされた外縁よりも内側に、エッチングされた外縁を有する導電部５３１および導電部５３２を備える第３層５２３を追加することによって、絶縁部５０９材との接触面積を増やし、絶縁部５０９の接着性を向上させている。
なお、アノードとカソードとの分離を確実にするためには、アイランド電極５０８の形成領域の直下の導電部５３２は、アイランド電極５０８よりも小さくする形成する必要がある。
次に、中間層５０４の構成について説明する。
中間層５０４は、実装面側から第４層５２４、第５層５２５、第６層５２６が積層された３層積層構造を有している。中間層５０４は、第３層５２３と、後述する第５層５２５および第６層５２６に形成された貫通孔５１５および貫通孔５１６に形成される各電極部とを電気的に接続するものである。
第４層５２４は、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と電気的に接続される導電部５３３と、アイランド電極５０８と電気的に接続される導電部５３４とが接触しないように形成されている。導電部５３３は、第３層５２３における導電部５３１の形成領域全体を覆うように形成されている。同様に、導電部５３４は、第３層５２３における導電部５３２の形成領域全体を覆うように形成されている。ここで、導電部５３３および導電部５３４は、発光素子５００をダイシングする際に、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保するように形成している。
第５層５２５は、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と電気的に接続される導電部５３５と、アイランド電極５０８と電気的に接続される導電部５３６とが接触しないように形成されている。
第６層５２６は、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と電気的に接続される導電部５３７と、アイランド電極５０８と電気的に接続される導電部５３８とが、接触しないように形成されている。
導電部５３７および導電部５３８は、後述する貫通孔５１５および貫通孔５１６に銅めっき５１７を施す際に、貫通孔５１５および貫通孔５１６の隙間から銅が漏れないようにするために、貫通孔５１５および貫通孔５１６の面方向の幅よりも大きい幅で、貫通孔５１５および貫通孔５１６を覆うように形成している。
次に、裏面層５０５について説明する。
裏面層５０５は、実装面側から第７層５２７と第８層５２８とが積層された２層積層構造を有している。第７層５２７および第８層５２８は、ガラエポ基板等の張り合わせ基材からなり、粘着テープ５１４ａを用いて積層されている。
第７層５２７および第８層５２８の２層構造の裏面層５０５には、貫通孔５１５および貫通孔５１６が形成されている。貫通孔５１５および貫通孔５１６は、それぞれ、ダイボンドエリア・電極共通部５０７に接続されたカソード電極、アイランド電極５０８に接続されたアノード電極に対して、配線を行う部分である。貫通孔５１５および貫通孔５１６は、それぞれダイボンドエリア・電極共通部５０７、アイランド電極５０８の下層側に設けられている。
貫通孔５１５および貫通孔５１６は、アノードとカソードとの熱容量を同じにするために実装面の中心ｃ１から等距離（ｄ１＝ｄ２）になるように配置され、ドリル加工により形成される。
これは、裏面電極（後述する裏面電極５１８および裏面電極５１９）と外部電極とを接続するために、はんだ付けを行う際、裏面電極においてアノード側とカソード側とで面積が異なり、熱容量に差が生じると、はんだの溶け具合に偏りが生じてしまい、はんだ付け不良が発生してしまうことに起因する。
さらに、アノード電極とカソード電極との積層基板５０６裏面での離間部分は、実装面の中心ｃ１に対して、アノード電極とカソード電極とが等距離（ｄ３＝ｄ４）になるように配置されている。但し、上記貫通孔５１５および貫通孔５１６の径は、ダイシングのマージンを確保し、めっき不良を起こさないように、設計に応じて決めればよい。
以上のように、第７層５２７と第８層５２８とが積層されてなる裏面層５０５は、粘着テープ５１４ｂを介して第６層５２６にプレスにより貼り付けられる。ここで、貫通孔５１５および貫通孔５１６は、第６層５２６の導電部５３７および導電部５３８によって覆われるように形成される。
この状態で、貫通孔５１５および貫通孔５１６には、それぞれの内周面に銅めっき５１７を施している。さらに、第６層５２６の導電部５３７および導電部５３８は、貫通孔５１５および貫通孔５１６を覆うように貼り付けられているので、貫通孔５１５および貫通孔５１６の内側に露出した第６層５２６の導電部５３７および導電部５３８にも銅メッキが施されている。
また、第８層５２８の下面にも銅めっき５１７が形成される。そして、貫通孔５１５と貫通孔５１６との間の銅めっき５１７がエッチングされる。これにより、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と電気的に接続される裏面電極５１８、およびアイランド電極５０８と電気的に接続される裏面電極５１９が形成される。裏面電極５１８および裏面電極５１９には、後述する金属反射板５０２の内周側の表面５０２ａに銀めっき５１２を施す際に、銀めっき５１２が形成されている。
金属反射板５０２は、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａから出射された光を反射し、光出射面５１３へと導くように構成されている。また、金属反射板５０２は、銅からなり、ＬＥＤチップ５０１およびアイランド電極５０８を囲むように、基板の実装面に、積層基板５０６と一体的に形成されている。詳細には、金属反射板５０２は、内周側はダイボンドエリア・電極共通部５０７が一部露出するように、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と一体的に形成されている。
図１３に示すように、金属反射板５０２は、側面の内側表面５０２ａが、積層方向に弓形の断面を有するように形成されている。
なお、金属反射板５０２の内周側の形状は、略直方体の金属反射板をエッチングすることによって形成される。または、金属箔をプレス加工することにより凹形状を形成し、凹形状をエッチングすることによって金属反射板５０２の内周側の形状を形成してもよい。これにより、すでに形成された凹形状にエッチングするので、より容易に金属反射板５０２の内周側の形状を形成することが可能となる。
金属反射板５０２の外周側の側面は、ウェットエッチング形成されるため、積層基板５０６に垂直な断面の形状が、なだらかな曲線状に形成されている。詳細には、上端から下端に向かって、ＬＥＤチップ５０１から遠ざかるようななだらかな曲線状に形成されている。
透光性封止体５１０は、積層基板５０６と金属反射板５０２とで囲まれる内部空間を封止するように形成している。また、透光性封止体５１０は、樹脂からなり、本実施の形態では、シリコーンが用いられている。ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａから発せられた光は、透光性封止体５１０の光出射方向に設けられた光出射面５１３から出射される。
金属反射板５０２の上面、および内周側の表面５０２ａには、銀メッキ５１２が施されている。銀は青色光の反射率が非常に高いため、このように、銀メッキ５１２を施すことで、ＬＥＤチップ５０１から出射された光を効率よく反射し、光出射面５１３へと導くことができる。
なお、透光性封止体５１０は、ＬＥＤチップ５０１、ワイヤ５１１、および銀メッキ５１２を保護する機能を有している。
上述の通り、金属反射板５０２には、上述の通り、ＬＥＤチップ５０１からの発光を効率よく反射させるために、青色光の反射率が高い銀メッキ５１２を施している。しかし、銀は反応性が高いため、腐食性のガスなどによって、変色、劣化しやすい。そこで、悪条件においても、銀が反応したり剥がれ落ちたりすることを防止するために、透光性封止体５１０によって保護している。
本実施の形態では、上述の通り、上記実装面と金属反射板５０２で囲まれた領域におけるＬＥＤチップ５０１からの光の出射方向の上端部が光出射面５１３として開口されており、透光性封止体５１０が上記領域を充填するように形成されている。さらに、上記領域における、光出射面５１３（上端開口部）と底面となる実装面との間の中段部に、面方向の断面の最大幅が光出射面５１３の面方向の最大幅よりも大きくなる領域を有し、該中段部から光出射面５１３に向かって開口が絞られている。
また、銀メッキ５１２が施された金属反射板５０２の内周面５０２ａおよびダイボンドエリア・電極共通部５０７およびアイランド電極５０８の銀メッキ５１２が施された領域における透光性封止体５１０と接触する内周面は、凹凸に荒らされている。
凹凸形状としては、シャープな山と谷とが連続した形状が好ましい。表面を荒らす方法は、一般的に従来から用いられている様々な方法を用いればよく、例えば、金属反射板５０２をエッチングして形成する工程や、同工程後、金属反射板５０２と第２層５２２との間に設けられているニッケル層（図示しない）を実装面で除去するエッチング工程の際、エッチャントやエッチング条件を通常の場合と変更し、金属反射板５０２の表面が荒れるようにすることで形成することができる。
銀メッキ５１２は、上記のように、反応性が高く劣化・腐食し易いため、銀メッキ５１２を保護し、剥離、劣化を防止する必要がある。そこで、本実施の形態では、上記の構成により、透光性封止体５１０を銀メッキ５１２に密着させ、樹脂封止体５１０の保護膜としての機能を向上させている。
また、透光性封止体５１０には、蛍光体が含有されている。これにより、ＬＥＤチップ５０１から発した青色光が、透光性封止体５１０内で、黄色光に変換される。それゆえ、ＬＥＤチップ５０１から発した青色光と蛍光体から発した黄色光との合成によって、光出射面５１３から白色光を出射することが可能となっている。
なお、ＬＥＤチップ５０１から発した青色光から白色光を得る場合、上記のように黄色蛍光体を用いる方法や、緑色蛍光体と赤色蛍光体とを用いる方法などがある。上記を組み合わせると、光が混合されて白色光を得ることが可能である。
次に、上記構成を有する発光素子５００において、ＬＥＤチップ５０１からの発光が進む方向について説明する。
まず、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａから発せられる光は、光出射面５１３から光のロス無しで効率よく出射されることが望まれる。上述したように、基本的に、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａからの出射光強度が最大となる方向は、発光面５０１ａに垂直な上方向である。そこで、透光性封止体５１０の光出射面５１３は、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａに対向するように設けられているので、光出射面５１３の配置は最も好適である。
しかしながら、詳細には、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａから発せられる光は、発光面５０１ａから放射状に発せられている。しかも、光は、透光性封止体５１０を透過している途中で、蛍光体によって波長が変換されると共に、変換した光は散乱されて発せられる。それゆえ、光は、１８０度のうちいずれかの方向に進むことになる。
金属反射板５０２は、分断されることなく全周を囲む形状を有しているので、金属反射板５０２の方向へ進んだ光は、金属反射板５０２からは外部に漏れることなく、金属反射板５０２の表面５０２ａにおいて反射する。そして、上記光は、一回または複数回、反射を繰り返すことによって、透光性封止体５１０の光出射面５１３から出射される。
なお、蛍光体は底に沈む性質があるので、透光性封止体５１０の内部では、基板側に蛍光体が沈む傾向がある。しかしながら、本実施の形態の発光素子５００では、金属反射板５０２によって光が反射されて、基板方向に進めることが可能である。それゆえ、蛍光体を有効活用することも可能となる。
一方、ＬＥＤチップ５０１から発せられる全ての光が光出射面５１３に到達するとは限らず、積層基板５０６の方向に進む光も生じている。ここで、この場合の光の経路について、詳細に説明する。
積層基板５０６が樹脂によって構成されていると、樹脂は光透過性を有しているため、光を透過させてしまう。この対策として、積層基板のいずれかの層において金属を形成し、透過されて積層方向（つまりは、発光面５０１ａ側と反対側の積層方向）から漏れる光を抑制することも考えられる。
しかしながら、製造工程において、発光素子５００は最終的にダイシングにより分離されている。このダイシングにより形成された端面は、各層の端部が露出している状態である。それゆえ、層内を進んだ光が上記端面から出射される。
すなわち、発光素子５００のパッケージを略直方体とするとき、重心の位置をＬＥＤチップ５０１、ある１面を光出射面５１３とする。この場合、光出射面５１３と９０度をなす４つの面から光が漏れることになる。
本実施の形態では、光漏れを抑制するために、実装面における金属反射板５０２で囲まれた領域内に、ダイボンドエリア・電極共通部５０７、およびアイランド電極５０８を絶縁部で囲まれるように形成し、ダイボンドエリア・電極共通部５０７を該絶縁部５０７の外側の領域に広く形成している。
発光素子から漏れた光は、迷光となり、発光素子が液晶パネルのバックライトなどの光源として組み込まれたとき、液晶パネルの表示に対して不要光となる。また、不要光を光源部で取除いた場合でも、光損失が発生することとなる。それゆえ、ＬＥＤチップからの出射光を効率的に用いることができない。
また、迷光は発光素子の外部の他の部材に吸収されるので、全体的に多大なエネルギーの損失になってしまい、同様に、ＬＥＤチップからの発光を有効的に使用できなくなってしまう。
金属は、光を反射させる。それゆえ、光が積層基板５０６側の方向に進んできても、金属反射板５０２で囲まれた実装面での、金属が形成される領域が広くなっているので、積層基板５０６を透過させずに、再度反射させて、光出射面５１３の方向に進む光を増加させることが可能となる。また、積層基板５０６の内部に透過されてゆく光を、より抑制することが可能となる。
本実施の形態に係る発光素子５００は、ＬＥＤチップ５０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板５０２が、ＬＥＤチップ５０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ５０１の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップ５０１から周囲に放出される光を、金属反射板５０２で反射させ光出射面５１３へ効率良く導くことができる。これにより、発光素子５００の側面側からの光漏れを抑制し、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、実装面上の金属反射板５０２で囲まれた領域内には、アイランド電極５０８をダイボンドエリア・電極共通部５０７から絶縁するための絶縁部５０９の形成領域外に、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部５０７が形成されている。このため、上ＬＥＤチップ５０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、ダイボンドエリア・電極共通部５０７によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３側へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から外部へもれる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、本実施の形態の発光素子５００では、ＬＥＤチップ５０１が発光することによって、ＬＥＤチップ５０１に熱が生じる。しかしながら、ＬＥＤチップ５０１は、広く形成されたダイボンドエリア・電極共通部５０７に実装され、かつ、ダイボンドエリア・電極共通部５０７は金属反射板５０２と一体成形されている。このため、本実施の形態にかかる発光素子５００は、放熱性にも優れ、熱により素子を構成する各部材または素子そのものが損傷するといった問題の発生を低減することができる。
また、上記発光素子５００の透光性封止体５１０に用いられるシリコーンは、接着性が弱いため、平面に貼り付けただけでは剥がれるおそれがある。
しかしながら、本実施の形態の発光素子５００では、上述の通り、金属反射板５０２が、光出射面５１３としての光出射方向上端の開口部が、該開口部と実装面側の底面部との間の中段部よりも狭く絞られている。このため、透光性封止体５１０を、発光素子５００から剥がれ落ちることを防止している。
さらに、金属反射板５０２における、銀メッキ５１２が施された透光性封止体５１０と接触する内周面に凹凸が形成されている。このように、透光性封止体５１０と金属反射板５０２との接触面積を大きくしているため、透光性封止体５１０と金属反射板５０２との密着度が高まり、透光性封止体５１０が剥がれ落ちるといった問題を抑制している。
また、図１３に示すように、少なくとも裏面電極５１９は、アイランド電極５０８を囲むように形成された絶縁部５０９の形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うように形成されていることが望ましい。これにより、ＬＥＤチップ５０１から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、絶縁部５０９を介して基板を通過して裏面側から素子外部へ逃げることを防止することができる。これにより、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
これにより、積層基板５０６を透過してきた光を反射して、外部まで透過することを防止する。それゆえ、光の漏れを抑制することが可能となる。
アイランド電極５０８は、第４層５２４に形成された導電部５３４を介して裏面電極５１９と接続されている。ここで、導電部５２４が、絶縁部５０９の形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成されていることが望ましい。
このように、絶縁部５０９を、裏面電極５１９よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている導電部５３４で覆うように形成することで、より効果的に絶縁部５０９を通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。
また、導電部５３４は、金属反射板５０２の内周側における、アイランド電極５０８を囲むように形成された絶縁部５０９をカバーするようなサイズで、絶縁部５０９をカバーするように配置することが好ましい。これにより、積層基板５０６を透過してきた光を反射して、裏面層５０５まで透過することを防止する。それゆえ、光の漏れをより抑制することが可能となる。
また、積層基板５０６の第８層５２８には、四隅に切り欠き５３９が設けられている。そして、この切り欠き５３９にも、銅めっき５１７が形成されている。
上記の構成の場合、最終的に発光素子５００をダイシングする際、切り欠き５３９に形成された銅めっき部分にもダイシングすることになる。それゆえ、切断された側面の銅めっき部分にバリが発生する。このため、バリから生じた金属ヒゲが、金属反射板５０２に接触してしまい、短絡が発生してしまうことがある。
そこで、金属反射板５０２の外周面の最も大きい外縁を、切り欠き５３９の形成位置よりも内側に配置させることにより、上記のような短絡の発生を防止することができる。
具体的には、上記金属ヒゲが、最大で裏面層５０５の厚さと等しい長さとなるため、金属反射板５０２の外周面の大きい外縁と切り欠き５３９の距離をＡ、金属反射板５０２と裏面層５０５との間の厚さ（第２層５２２から第７層５２７までの厚さ）をＢ、裏面層５０５の厚さをＣとした時、
Ａ＞Ｃ-Ｂ
となるように設計することが望ましい。
また、金属反射板５０２の開口部、および外周側の側面形状は、エッチングしやすい形状や設計に応じて決定すればよい。図１５では、他の外周側の形状を有する金属反射板５４１を示している。図１６では、他の外周側の形状を有する金属反射板５４２、および開口部５４３を示している。
さらに、光源の小型化の要望からできるだけ発光素子の外形サイズは、小さくすることが望ましい。一方、光源の発光面積を確保するため、金属反射板５０２の開口部は、素子の小型化を実現しつつ、できる限り大きく設計することが望ましい。
〔第４実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１７ないし図２５および図３４ないし図３７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
本実施の形態の発光素子６００は、第３実施形態の発光素子５００が奏する効果に加えて、さらに光漏れ防止効果に優れ、また、積層基板６０６の積層数が削減された構成となっている。以下では、これらの効果を奏する構成および作用に重点をおいて説明する。
前記実施形態の発光素子５００では、絶縁部５０９は、ダイボンドエリア・電極共通部６０７との界面が、光出射面に垂直な方向から見たとき、直線となっていた。
本実施の形態では、図１７、図１８および図３４に示すように、実装面における金属反射板５０２で囲まれた領域内において、アイランド電極６０８をダイボンドエリア・電極共通部６０７と電気的に絶縁する絶縁部６０９を、アイランド電極６０８の外周を取り囲むように環状に形成しているため、より小さい面積でアイランド電極６０８をダイボンドエリア・電極共通部５０７から絶縁させることができる。
また、アイランド電極６０８をダイボンドエリア・電極共通部６０７から電気的に絶縁するための絶縁部６０９を囲むようにダイボンドエリア・電極共通部６０７が形成されているため、絶縁部６０９と金属反射板５０２との間にはダイボンドエリア・電極共通部６０７が介在している。このため、金属反射板５０２の形成工程において、位置ズレが生じた場合であっても、絶縁部６０９の形状、面積が影響を受けることがなく、絶縁部６０９からの光漏れ量がばらつくことはない。さらに、金属反射板５０２とダイボンドエリア・電極共通部５０７、第２アイランド電極５０８との絶縁をとるための離間距離をプロセス上のアライメント誤差を気にすることなく、最短にでき、絶縁部６０９の領域を最小に設計できる。このため、絶縁部６０９からの光の漏れをより効果的に防止することができ、金属反射板５０２から基板側に向かう光を、実装面金属反射膜によってより効率的に光出射面５１３側へ反射させることができる。この結果、光利用効率および放熱性の更なる向上を図ることができる。
すなわち、実装面上における金属反射板５０２で囲まれた領域内で、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部６０７を、絶縁部６０９を介してアイランド電極６０８を取り囲むように広く全面に形成することができるため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から外部へ漏れる光の量を、実施形態３の構成よりもさらに低減することができる。
図１７は、本実施の形態の発光素子６００の一構成例を示す斜視図である。
本実施の形態に係る発光素子６００は、図１７に示すように、ＬＥＤチップ５０１、金属反射板５０２、積層基板６０６（表面層６０３、中間層６０４、および裏面層６０５）、および透光性封止体５１０を備えている。
表面層６０３には、ダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）６０７、アイランド電極（第２金属部）６０８、および絶縁リング（絶縁部）６０９が形成されている。
上述の通り、絶縁リング６０９は、アイランド電極６０８の外周を取り囲むように環状（ドーナツ型）に形成されている。このため、実装面における金属反射板５０２で囲まれた領域内に、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）６０７を、絶縁リング６０９を介してアイランド電極６０８の外周を取り囲むように広く全面に形成したとしても、当該領域の他の部位からアイランド電極６０８を絶縁させることができるため、ＬＥＤチップ５０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３の側へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から素子外部へ逃げる光の量を低減することができ、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、本実施の形態に係る発光素子６００は、放熱性の低い樹脂形成領域を削減し、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部５０７を広く形成することで、放熱性の向上の効果も得ることができる。さらに、本実施の形態４と同様に、ダイボンドエリア・電極共通部６０７が、金属反射板５０２と一体的に形成されているため、金属反射板５０２で発生した熱を効率よく外部へ逃がすことができる。
また、本実施の形態の発光素子６００の積層基板６０６は、前記実施の形態の発光素子５００の積層基板５０６よりも積層数が少ない構成としている。これについて、図１８および図１９を参照しながら、説明する。なお、積層基板６０６と、金属反射板５０２に積層基板６０６が積層されて一体型に形成されるので、金属反射板５０２を第１層６２１として、以下に説明する。
図１８は、発光素子６００の詳細な構成を示す断面図である。
図１８を、絶縁部６０９がリング形状となるように修正し、また、裏面電極５１９が、該絶縁部６０９形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うように変更していますのでご確認下さい。
図１９は、金属反射板５０２と、積層基板６０６の各層とのエッチングパターン例を示している。図１９中、（ａ）は第１層６２１を示し、（ｂ）は第２層６２２を示し、（ｃ）は第３層６２３を示し、（ｄ）は第４層６２４を示し、（ｅ）は第５層６２５を示し、（ｆ）は第６層６２６を示している。
表面層６０３は、実装面側から、第２層６２２と第３層６２３とが積層された２層構造を有している。
第２層６２２（実装面）には、ＬＥＤチップ５０１に駆動電流を供給する電極端子として、ＬＥＤチップ５０１とそれぞれ接続されるダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）６０７とアイランド電極(第２金属部)６０８とが形成されている。また、アイランド電極６０８を、ダイボンドエリア・電極共通部６０７から電気的に絶縁するための絶縁部６０９が、アイランド電極６０８の外周を取り囲むように環状に形成されている。
第３実施形態と異なり、本実施の形態の実装面には、ダイボンドエリア・電極共通部６０７が、絶縁部６０９を介してアイランド電極６０８の外周を取り囲むように形成されている。すなわち、実装面に形成された金属反射膜６０２と絶縁部６０９との間にも、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部６０７が形成されている。
なお、ダイボンドエリア・電極共通部６０７、アイランド電極６０８、および絶縁リング６０９は、上述した形状以外は、前記実施の形態のダイボンドエリア・電極共通部５０７、アイランド電極５０８、および絶縁部５０９と同様の構成を有している。
第３層６２３は、第２層６２２と後述する第４層６２４とを電気的に接続するために設けられた層であり、第２層６２２に絶縁部を形成する際に、絶縁部の接着度を高める機能も有している。
また、第３層６２３には、実装面に形成された各電極と、裏面電極とを電気的に接続するための導電部６３１および導電部６３２が形成されている。導電部６３１および導電部６３２は、実施の形態の導電部５３１および導電部５３２と基本的に同様の構成を有している。導電部６３１および導電部６３２の形成領域は、ダイボンドエリア・電極共通部６０７およびアイランド電極６０８の形状等に応じて適宜選択される。
次に、中間層６０４について説明する。
本実施の形態における中間層６０４は、第４層６２４のみからなる点において、第３実施形態の３層積層構造を有する中間層５０４を備えた積層基板５０６と異なっている。
第４層６２４は、第３層６２３と、後述する第５層６２５と第６層６２６とに形成された貫通孔５１５および貫通孔５１６に形成される裏面電極５１８および裏面電極５１９とを電気的に接続するために設けられている。
また、第４層６２４は、ダイボンドエリア・電極共通部６０７と電気的に接続されている導電部６３３と、アイランド電極６０８と電気的に接続されている導電部６３４とが、接触しないように形成されている。
導電部６３３は、貫通孔５１５を銅メッキする際に、銅が漏れないようにするために、貫通孔５１５全体を覆うように形成されている。すなわち、導電部６３３は、貫通孔５１５を蓋する役割を有している。なお、発光素子６００をダイシングする際に、バリが発生する可能性があるが、導電部６３３は金属反射板５０２と同電位であるため、バリの接触による短絡の問題は生じない。
導電部６３４は、第３層６２３における導電部６３２の形成領域全体を覆い、かつ、貫通孔５１６よりも面方向に小さい幅に形成されている。導電部６３４は、発光素子６００をダイシングする際に、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保して形成されている。
次に裏面層６０５について説明する。
裏面層６０５は、実装面側から第５層６２５と第６層６２６とが積層された２層積層構造を有している。第５層６２５および第６層６２６の構成は、第３実施形態の第７層５２７および第８層５２８とそれぞれ同様の構成を有している。
第５層６２５と第６層６２６と積層された裏面層６０５は、粘着テープを介して第４層６２４上にプレスにより貼り付けられる。ここで、貫通孔５１５が、第４層６２４の導電部６３３によって覆われるように形成される。
一方、貫通孔５１６は、第４層６２４の導電部６３４を内部に納め、第３層６２３で覆われるように形成される。このように、第４層６２４の導電部６３４の面方向の幅を、貫通孔５１６の面方向の幅よりも小さくすることによって、貫通孔５１６を第３層６２３で塞ぐことができる。積層一体化された第５層６２５および第６層６２６は、第４層６２４に対して、幾何学的には、単に導電部６３３でのみで面接触することになり、加圧すれば、導電部６３３の段差部分を支点に傾いて隙間が生じると考えられるが、導電部６３３および粘着テープの厚みを適宜調整することにより、積層一体化された第５層６２５および第６層６２６が傾くことなく平坦に第４層６２４に接着でき、これにより、後述する銅メッキ５１７の形成工程において、銅の漏れを防止することができる。
この状態で、貫通孔５１５および貫通孔５１６は、それぞれの内周面に銅メッキ５１７が形成される。そして、第４層６２４の導電部６３３は、貫通孔５１５を覆うように形成されているので、銅メッキ５１７は第４層６２４の導電部６３３にも形成される。また、第３層６２３および第４層６２４の導電部６３４は、貫通孔５１６を覆うように形成されているので、銅メッキ５１７は、第３層６２３および第４層６２４の導電部６３４にも形成される。これにより、発光素子６００の外部接続電極端子としての裏面電極５１８および裏面電極５１９が形成されている。
積層基板６０６は、上記のように、第４層６２４の導電部６３４を貫通孔５１６よりも小さし、導電部６３３および粘着テープの厚みを適宜調整することにより、積層数の削減を実現している。本実施の形態に係る発光素子６００は、これにより、小型化および製造コストの削減を図ることができる。
実施形態３と同様に、金属反射板５０２の開口部、および外周側の側面形状は、エッチングしやすい形状、設計に応じて決定すればよい。例えば、図２０は、他の外周側の形状を有する金属反射板６４１を示しており、図２１は、さらに他の外周側の形状を有する金属反射板６４２および開口部６４３を示している。
また、発光素子６００は、外部接続電極端子として、裏面電極５１８および裏面電極５１９を、光出射面と反対側の裏面側に形成している。しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。
すなわち、図２２および図２３に示すように、外部接合電極７１１および外部接合電極７１２が、金属反射板５０２と一体成形することによって形成される。これにより、領域Ｐおよび領域Ｑを半田接合面として用いることが可能になるので、半田のぬれ性を向上させることができる。
ところが、外部接合電極７１１および外部接合電極７１２を形成することによって、発光素子のパッケージサイズが大きくなっている。これに対して、発光素子のパッケージサイズを小さくした構成を図２４および図２５に示す。
図２４および図２５に示す構成では、金属反射板５０２と外部接合電極７１１とを一体化した一体型外部接合電極７５１を備えることによって、発光素子のパッケージを小型化している。
なお、ＬＥＤチップ５０１を１つ備えた構成について説明したが、本実施形態は、これに限らず、図３５に示す発光素子６００ａ、図３６に示す発光素子６００ｂ、図３７に示す発光素子６００ｃのように、ＬＥＤチップを２つ以上備えた構成にも適応することができる。
図３４ないし図３７の構成では、アイランド電極６０８の電位と、金属反射板５０２で囲まれたダイボンドエリア・電極共通部６０７を含む他の領域の電位とが異なる構成となる。
このように、１つの発光素子内に複数のＬＥＤチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、ＬＥＤチップの搭載数は、４つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、ＬＥＤチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。
〔第５実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図２８、図２９および図３８ないし図４２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
本実施の形態に係る発光素子７００は、前述の第３実施形態の発光素子５００の積層基板５０６と同様の積層基板を備えている。
図２８に示すように、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップ７０１とそれぞれ接続される何れの電極もアイランド電極となっている。すなわち、ＬＥＤチップ７０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板７０２が、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する何れの電極からも電気的に絶縁されている点で前述の第３実施形態と異なっている。
本実施の形態では、第１アイランド電極（第１金属部）７０７に、ＬＥＤチップ５０１のカソード電極が接続され、第２アイランド電極（第２金属部）７０８にアノード電極が接続される。
第１アイランド電極７０７は、その外周を取り囲むように環状に形成された第１絶縁部７０９ａによって、実装面における金属反射板７０２で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
第２アイランド電極７０８は、第３実施形態のアイランド電極５０８と同様にその外周を取り囲むように環状に形成された第２絶縁部７０９ｂによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
さらに、上記領域内における第１絶縁部７０９ａと第２絶縁部７０９ｂの外側の領域全体に実装面金属反射膜７２０が形成されている。
発光素子７００は、前述の実施形態３および４と同様に、ＬＥＤチップ７０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板７０２が、ＬＥＤチップ７０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ７０１の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップ７０１から周囲に放出される光を、金属反射板７０２で反射させ光出射面５１３へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、第１絶縁部７０９ａと金属反射板７０２と間および第２絶縁部７０９ｂと金属反射板７０２との間には実装面金属反射膜７２０が介在している。このため、金属反射板７０２の形成工程において、位置ズレが生じた場合であっても、実装面金属反射膜７２０によってズレを吸収することができるため、上記位置ズレによって第１絶縁部７０９ａ、第２絶縁部７０９ｂの形状、面積が影響を受けることがなく、上記基板実装面上に形成される第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの各面積を小さくしても、第１アイランド電極７０７および第２アイランド電極７０８の絶縁状態を確保することができる。したがって、上記の構成によれば、上記実装面上に形成される第１絶縁部７０９ａ、第２絶縁部７０９ｂの各面積をより小さくすることができ、これらの絶縁部を介してアイランド電極７０７および第２アイランド電極７０８を取り囲む実装面金属反射膜７２０をより広い面積に形成することができる。このため、第２絶縁部７０９ｂからの光の漏れをより効果的に防止することができ、金属反射板７０２から基板側に向かう光を、上記実装面金属反射膜によってより効率的に光出射面５１３側へ反射させることができる。この結果、光利用効率および放熱性の更なる向上を図ることができる。
さらに、本実施の形態に係る金属反射板７０２は、上述の通り、第１アイランド電極７０７と第２アイランド電極７０８の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図２９に示すように、本発光素子７００を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体４００に実装する際に、金属反射板７０２が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体４００に金属反射板７０２を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板７０２で発生した熱を、効率よく発光素子７００の外部へ逃がすことができる。
さらに、本実施の形態に係る発光素子７００は、図２９に示すように、金属反射板７０２の外周面の少なくとも一部と、積層基板５０６の底面を含む素子外周面上に、金属反射板７０２で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート７４０が形成されている。
これにより、金属反射板７０２で発生した熱を、放熱シート７４０を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。
放熱シート７４０としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板７０２は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板７０２で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。
さらに、実装面上の第１絶縁部７０９ａと第２絶縁部７０９ｂの外側の領域に、実装面金属反射膜７２０が形成されている。このため、ＬＥＤチップ７０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜７２０によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から発光素子７００の外部へ漏れる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
発光素子７００は、積層基板５０６における実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ第１アイランド電極７０７と第２アイランド電極７０８とに接続される裏面電極（第１裏面電極）７１８と裏面電極（第２裏面電極）７１９とが形成されている。
このように、実装基板５０６の裏面側に、発光素子７００の外部接続電極端子としての裏面電極７１８・７１９を設けることで、実装基板５０６内を通過し裏面側から発光素子７００の外部へ漏れる光の量を低減することができる。
しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。
また、図２８に示すように、裏面電極７１８および裏面電極７１９は、それぞれ第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されている。
このため、ＬＥＤチップ７０１から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂを介して積層基板５０６を通過して裏面側から発光素子の外部へ漏れることを効果的に防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、第３実施形態と同様に、裏面電極７１８および裏面電極７１９が、それぞれ第４層５２４に形成された導電部７３４および導電部７３３を介して第１アイランド電極７０７および第２アイランド電極と電気的に接続されている。ここで、本実施の形態では、導電部７３４および導電部７３３が、それぞれ、第１絶縁部７０９ａの形成領域と積層方向に対応する領域全体と第２絶縁部７０９ｂの形成領域と積層方向に対応する領域全体とを覆うよう形成されている。
このように、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂを、裏面電極７１８および裏面電極７１９よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている各導電部７３４・７３３で覆うように形成することで、より効果的に当該第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂを通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。
また、発光素子７００は、前述の実施形態および後述する第６・第７実施形態と同様に、光出射面５１３として、実装面と金属反射板７０２で囲まれた領域におけるＬＥＤチップ７０１からの光の出射方向の上端部が開口されている。さらに、透光性封止体５１０が上記領域を充填するように形成されており、上記領域における、光出射面５１３と底面となる実装面との間に、面方向の断面の最大幅が光出射面５１３の面方向の最大幅よりも大きくなる領域を有するように、上記領域の上端部の開口が絞られている。
透光性封止体５１０の封止樹脂としては、エポキシ等と比べ接着性の弱いシリコーン等が用いられる。そこで、上記のように、光出射面５１３となる開口を絞るように金属反射板７０２を形成することにより、透光性封止体５１０の金属反射板７０２の内周面に対する密着性を向上させることができ、透光性封止体５１０の剥離を抑制することができる。これにより、銀メッキされた金属反射板７０２の内周面を、樹脂封止体５１０により、安定した状態で保護することができる。
また、図２８に示すように、少なくとも金属反射板７０２における透光性封止体５１０と接触する内周面に、凹凸を形成し、透光性封止体５１０との接触面積を大きくすることが望ましい。これにより、透光性封止体５１０の金属反射板７０２の内周面に対する密着性を向上させることができ、透光性封止体５１０の剥離を抑制することができる。この結果、銀メッキが施された金属反射板７０２の内周面を、樹脂封止体５１０により、安定した状態で保護することができる。
本実施の形態にかかる発光素子７００を構成する、第１アイランド電極７０７、第２アイランド電極７０８、金属反射板７０２および実装面金属反射膜７２０の材料としては、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが、ＬＥＤチップ７０１から出射される光を効率よく光出射面５１３へ導くことができるため望ましい。
また、アイランド電極６０８を１つ備えた構成について説明したが、本実施形態は、これに限らず、図３８に示す発光素子６００ｄ、図３９に示す発光素子６００ｅのように、アイランド電極も複数備えた構成としてもよい。
図３８の構成において２つのＬＥＤチップ５０１を直列接続する場合、図３９の構成において２つのＬＥＤチップを並列接続したＬＥＤチップ群を直列に接続する場合、図４０に示すように、２つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とするように、異なる裏面電極とそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。一方、図３８の構成において２つのチップを直列に接続する場合で、図３９に示すような４つのＬＥＤチップ５０１を並列に接続する場合は、図４１または図４２に示すように、２つのアイランド電極は同じ電位となる。この場合、２つのアイランド電極は、共に、一方の裏面電極に電気的に接続するように積層基板中の各層の導電部を配置して形成されている（図示しない）。
なお、図４０ないし４２中の、＋、−は、アイランド電極、ダイボンドエリア・電極共通部上でのアノード（＋）、カソード（−）の取り方を示し、Ｆは、どこへも電位を落とさず、フローティング電位にしたことを示す。この表記は、以下実施例でも同様である。
〔第６実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図３０、図３１、図３３、図４０および図４３ないし図４５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
本実施の形態に係る発光素子８００は、前述の第４実施形態の発光素子６００の積層基板６０６と同様の積層基板を備えている。
本実施の形態に係る発光素子８００は、図３０および図３１に示すように、前述の第５実施形態の発光素子７００と同様に、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップ７０１とそれぞれ接続される何れの電極もアイランド電極となっている。また、ＬＥＤチップ７０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板８０２が、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する何れの電極からも電気的に絶縁されている点で前述の第４実施形態と異なっている。
本実施の形態では、第１アイランド電極（第１金属部）８０７に、ＬＥＤチップ７０１のカソード電極が接続され、第２アイランド電極（第２金属部）８０８にアノード電極が接続される構成となっている。
第１アイランド電極８０７は、その外周を取り囲むように環状に形成された第１絶縁部７０９ａによって、実装面における金属反射板８０２で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている構成となっている。
第２アイランド電極８０８は、第４実施形態のアイランド電極６０８と同様にその外周を取り囲むように環状に形成された第２絶縁部８０９ｂによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
さらに、上記領域内における第１絶縁部８０９ａと第２絶縁部８０９ｂの外側の領域全体に実装面金属反射膜８２０が形成されている。
発光素子８００は、前述の実施形態３ないし５と同様に、ＬＥＤチップ７０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板８０２が、ＬＥＤチップ７０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ７０１の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップ７０１から周囲に放出される光を、金属反射板８０２で反射させ光出射面５１３へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、図３０に示すように、本実施の形態の発光素子８００は、金属反射板８０２が、実装面金属反射膜８２０と一体的に形成されている。
このため、実装面金属反射膜８２０を、実装面上の広範囲に形成することができる。このように、素子全体における金属形成領域を大きくすることで、放熱性に優れた発光素子を実現することができる。また、ＬＥＤチップ７０１の発光時の熱を、実装面金属反射膜８２０が一体成形されている積層基板６０６の表面側に伝導し、さらに裏面側へ効果的に放熱させることができる。これにより、熱による劣化を抑制することができ、長期の信頼性に優れた発光素子を実現することができる。
また、本実施の形態では、金属反射板８０２が、上述の通り、第１アイランド電極８０７と第２アイランド電極８０８の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図２９に示すように、本発光素子８００を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体４００に実装する際に、金属反射板８０２が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体４００に金属反射板８０２を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板８０２で発生した熱を、効率よく発光素子８００の外部へ逃がすことができる。
本実施の形態に係る発光素子８００は、実施の形態５の発光素子７００と同様に、金属反射板８０２の外周面の少なくとも一部と、積層基板６０６の底面を含む素子外周面上に、金属反射板８０２で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート７４０が形成されている。
これにより、金属反射板８０２で発生した熱を、放熱シート７４０を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。
放熱シート７４０としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板８０２は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板８０２で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。
また、この導電性の放熱シートを上記筐体上で裏面電極とは絶縁がとれるように接地することで、金属反射板および金属反射板と電気的、熱的に接続されたLEDチップが塔載された実装面金属反射膜の電位が浮遊することがなく、ＬＥＤチップに不要なサージが入り、発光素子の故障や誤動作が起こるのを防ぐことができる。
さらに、本実施の形態では、前述の第５実施形態と異なり、実装面上の第１絶縁部８０９ａと第２絶縁部８０９ｂが、環状に形成されているため、より小さい面積で各電極を他の部位から絶縁させることができる。
したがって、実装面金属反射膜８２０を、図３０および図３１に示すように、実装面における金属反射板８０２で囲まれた領域内に、これらの絶縁部８０９ａ・８０９ｂを介して、第１アイランド電極８０７および第２アイランド電極８０８を取り囲むように広く全体に形成することができる。このため、ＬＥＤチップ７０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜８２０によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３へ導くことができる。これにより、積層基板６０６に吸収される光および積層基板６０７を通過し、裏面側から発光素子８００の外部へ漏れる光の量をより効果的に低減することができ、第５実施形態の構成に比べ、光出射面からの出射光強度をより向上させることができる。
発光素子８００は、積層基板６０６における実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ第１アイランド電極８０７と第２アイランド電極８０８とに接続される裏面電極（第１裏面電極）８１８と裏面電極（第２裏面電極）８１９とが形成された構成となっている。
このように、実装基板６０６の裏面側に、発光素子８００の外部接続電極端子としての裏面電極８１８・８１９を設けることで、実装基板６０６内を通過し裏面側から発光素子８００の外部へ漏れる光の量を低減することができる。
しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。
また、図３０に示すように、裏面電極８１８および裏面電極８１９は、それぞれ第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂの各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されている。
このため、前述の実施形態に係る各発光素子と同様に、ＬＥＤチップ７０１から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂを介して積層基板６０６を通過して裏面側から発光素子８００の外部へ漏れることを効果的に防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
本実施の形態にかかる発光素子を構成する、第１アイランド電極８０７、第２アイランド電極８０８、金属反射板８０２および実装面金属反射膜８２０の材料としては、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが、ＬＥＤチップ７０１から出射される光を効率よく光出射面５１３へ導くことができるため望ましい。
なお、ＬＥＤチップ７０１を１つ備えた構成について説明したが、本実施形態は、これに限らず、図４３に示す発光素子８００ａ、図４４に示す発光素子８００ｂ、図４５に示す発光素子８００ｃのように、ＬＥＤチップを２つ以上備えた構成にも適応することができる。
また、図４３および図４４のように、２つのＬＥＤチップを、並列/直列接続した場合、図４５のように、２つのＬＥＤチップを並列接続したＬＥＤチップ群を直列に接続する場合、図４０に示すように、２つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とする。
このように、１つの発光素子内に複数のＬＥＤチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、ＬＥＤチップの搭載数は、４つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、ＬＥＤチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。
〔第７実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図３２および図４６ないし図４８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
前述の各実施形態では、単一のＬＥＤチップが実装された発光素子について説明したが、本発明の発光素子はこれに限らず、複数のＬＥＤチップが搭載された構成としてもよい。
そこで、前述の第６実施形態の構成において、ＬＥＤチップを複数備えた構成を図２３を参照し以下に説明する。
図３２に示すように、本実施の形態に係る発光素子９００は、ＬＥＤチップ７０１に加え、ＬＥＤチップ(第２ＬＥＤチップ)９０１を備えている。
発光素子８００と同様に、第１アイランド電極（第１金属部）８０７に、ＬＥＤチップ７０１のカソード電極が接続され、第２アイランド電極（第２金属部）８０８にアノード電極が接続される構成となっている。
本実施の形態では、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する電極端子としての第２アイランド電極８０８が、ＬＥＤチップ９０１に駆動電流を供給する電源端子としての機能も備えている。すなわち、第２アイランド電極８０８は、ＬＥＤチップ９０１のアノード電極にも接続されている。さらに、発光素子９００は、ＬＥＤチップ９０１のカソード電極と接続され、積層基板中で導電部を通じて第１アイランド電極と電気的に接続された電源端子としての第３アイランド電極９０８を備えており、金属反射板８０２が、第１ないし第３アイランド電極の何れからも電気的に絶縁されている構成となっている。
第１アイランド電極８０７は、前述の実施形態６の発光素子８００と同様に、その外周を取り囲むように環状に形成された第１絶縁部８０９ａによって、実装面における金属反射板８０２で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている構成となっている。また、第２アイランド電極８０８は、第４および第６実施形態のアイランド電極６０８・８０８と同様に、その外周を取り囲むように環状に形成された第２絶縁部８０９ｂによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
さらに、本実施の形態では、第３アイランド電極（第３電極部）９０８も、その外周を取り囲むように環状に形成された第３絶縁部９０９ｃによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
すなわち、本実施の形態の発光素子９００には、１回路系統で、２つのＬＥＤチップ（ＬＥＤチップ７０１・９０１が実装されている。このため、素子の構成を大型化することなく、２倍の光出射強度を得ることできる。
また、本実施の形態では、前述の実施形態６と同様に、実装面上の第１ないし第３絶縁部が環状に形成されている。このため、より小さい面積で各電極を他の部位から絶縁させることができる。
したがって、実装面金属反射膜９２０を、図３２に示すように、実装面における金属反射板８０２で囲まれた領域内に、これらの第１ないし第３絶縁部を介して、第１ないし第３アイランド電極８０７ないし８０９をそれぞれ取り囲むように広く全体に形成することができる。このため、ＬＥＤチップ７０１および９０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜９２０によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３へ導くことができる。このため、積層基板６０６に吸収される光および積層基板６０７を通過し、裏面側から発光素子９００の外部へ漏れる光の量をより効果的に低減することができる。
発光素子９００は、前述の実施形態３ないし８と同様に、ＬＥＤチップ７０１・９０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板８０２が、ＬＥＤチップ７０１・９０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ７０１およびＬＥＤチップ９０１の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップ７０１・９０１から周囲に放出される光を、金属反射板８０２で反射させ光出射面５１３へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
また、図３２に示すように、本実施の形態の発光素子９００は、金属反射板８０２が、実装面金属反射膜９２０と一体的に形成されている。
このため、実装面金属反射膜９２０を、実装面上の広範囲に形成することができる。このように、素子全体における金属形成領域を大きくすることで、放熱性に優れた発光素子を実現することができる。また、ＬＥＤチップ７０１・９０１の発光時の熱を、実装面金属反射膜９２０が一体成形されている積層基板６０６の表面側に伝導し、さらに裏面側へ効果的に放熱させることができる。これにより、熱による劣化を抑制することができ、長期の信頼性に優れた発光素子を実現することができる。
また、本実施の形態に係る金属反射板８０２は、上述の通り、第１アイランド電極８０７、第２アイランド電極８０８および第３アイランド電極９０８の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図２９に示すように、本発光素子９００を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体４００に実装する際に、金属反射板８０２が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体４００に金属反射板８０２を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板８０２で発生した熱を、効率よく発光素子９００の外部へ逃がすことができる。
本実施の形態に係る発光素子９００は、実施の形態５および６の発光素子７００・８００と同様に、金属反射板８０２の外周面の少なくとも一部と、積層基板６０６の底面を含む素子外周面上に、金属反射板８０２で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート７４０が形成されている。
これにより、金属反射板８０２で発生した熱を、放熱シート７４０を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。この結果、長期の信頼性が高い発光素子９００を実現することができる。
放熱シート７４０としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板８０２は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板８０２で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。
また、この導電性の放熱シートを上記筐体上で裏面電極とは絶縁がとれるように接地することで、金属反射板および金属反射板と電気的、熱的に接続されたLEDチップが塔載された実装面金属反射膜の電位が浮遊することがなく、ＬＥＤチップに不要なサージが入り、発光素子の故障や誤動作が起こるのを防ぐことができる。
なお、ＬＥＤチップ８０１を２つ備えた構成について説明したが、本実施形態は、これに限らず、図４６に示す発光素子９００ｂのように、ＬＥＤチップを４つ備えた構成にも適応することができる。
図３２の構成において２つのＬＥＤチップ８０１を直列接続する場合、図４６の構成において２つのＬＥＤチップを並列接続したＬＥＤチップ群を直列に接続する場合、図４７に示すように、２つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とするように、異なる裏面電極とそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。一方、図３２の構成において２つのＬＥＤチップ８０１を並列接続した場合、図４６の構成において、４つのＬＥＤチップ８０１を並列接続した場合は、図４８に示すように、２つのアイランド電極が同じ電位となる。この場合、２つのアイランド電極は、共に、一方の裏面電極に電気的に接続するように積層基板中の各層の導電部を配置して形成されている（図示しない）。
このように、１つの発光素子内に複数のＬＥＤチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、ＬＥＤチップの搭載数は、４つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、ＬＥＤチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。
なお、ＬＥＤチップが塔載されている実装面金属反射膜８２０は、上記の携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体４００に実装する際に、導電性の放熱シートを通じて接地することで浮遊化することもなく、サージなどにより生じる発光素子の動作不良や故障を防ぐことができることを説明したが、このような手法を取らず、例えば、図３２の積層基板の構成を、図３３に示すように、ＬＥＤチップ５０１が塔載された実装面金属反射膜を外部電源のアノード、カソードと接続される第１、第２裏面電極とは絶縁された別の第３裏面電極に電気的、熱的に接続されるように積層基板の各層の導電部の配置をし、第３裏面電極をアノード、カソードとは絶縁された外部の接地端子と接続することでも、対策を講じることができる。さらに、この例では、第３裏面電極を通じてＬＥＤチップ５０１の放熱特性がさらに改善できる。
このことは、前実施形態に示した図３１、図４３ないし４６の実施例に対しても同様に適用できる。
以上のように、上述の各実施の形態で説明した本発明の発光素子は、光漏れが改善され光の出射効率が高く、放熱性にも優れているため、光出射面の近傍に配された導波板を備えたバックライトユニットに好適に用いることができる。
すなわち、本発明の表示素子を備えることとで、光の利用効率が高く、長期の信頼性に優れたバックライトユニットを実現することができる。
本発明に係る発光素子は、以上のように、基板の実装面に形成される第１金属部と、上記第１金属部と絶縁され、上記実装面に形成される第２金属部と、発光面が上記実装面側と逆向きになるように上記第１金属部に実装され、かつ、一方の電極が上記第１金属部に接続され、他方の電極が上記第２金属部に接続されるＬＥＤチップと、上記実装面を囲むように、上記実装面側に形成された金属反射板と、上記ＬＥＤチップを封止するように、上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填し、上記ＬＥＤチップの発光面に対向する光出射面を有する透光性封止体とを備える発光素子であって、上記第１金属部は、上記金属反射板と一体化するように形成され、上記第２金属部は、上記金属反射板に囲まれた領域内に形成された絶縁部が上記第２金属部を囲むように形成されることによって、島型形状に形成された構成としてもよい。
ここで、ＬＥＤチップの発光面から発せられる光は、光出射面から光のロス無しで効率よく出射させることが望ましい。しかしながら、ＬＥＤチップでは、ＬＥＤチップの発光面から放射状に光が発せられる。
そこで、上記の構成によれば、ＬＥＤチップの発光面から放射状に発せられた光のうち、透光性封止体の光出射面方向に発せられた光は、光出射面から問題なく出射される。
一方、金属反射板の方向に発せられた光は、実装面が金属反射板で完全に囲まれているので、金属反射板の表面で反射されることにより、分散されず、光出射面の方向へ放出することが可能となる。
しかしながら、ＬＥＤチップから発せられる全ての光が光出射面に到達するとは限らず、基板の方向に進む光も生じている。このため、基板が樹脂によって構成されていると、樹脂は光透過性を有しているため、光を透過させてしまう。なお、光出射面以外からも光が漏れてしまうことは、光度の低下の原因となる。
そこで、上記の構成によれば、第１金属部は、金属反射板と一体化すると共に、金属反射板で囲まれる基板の実装面において、第１金属部と第２金属部との絶縁を確保しながら、第２金属部および絶縁部が形成されていない領域の全面に渡って広く形成されることにより、第１金属部の形成領域を増加させることが可能となる。
金属は光を反射させる。それゆえ、光が基板側の方向に進んできても、金属反射板で囲まれた実装面での、金属が形成される領域が広くなっているので、基板を透過させずに、反射させて、光出射面の方向に進む光を増加することが可能となる。
よって、本発明の発光素子は、光の漏れを抑制することが可能となり、光出射面からの光度を向上することが可能となる。また、ＬＥＤチップは、金属反射板と一体化された第１金属部に形成されているので、放熱性も良い。
また、本発明に係る発光素子は、上記絶縁部が、上記金属反射板に囲まれた領域内において、上記第１金属部の内側の領域に環状に形成されることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
上記の構成によれば、絶縁部が、金属反射板に囲まれた領域内において、第１金属部の内側の領域に環状に形成されることにより、第１金属部は、第２金属部および絶縁部が形成されている以外の金属反射板の内周側の実装面に、金属反射板の内周面の全周に接するように全面に渡って形成される。それゆえ、絶縁領域はより少なくなっているので、光の漏れをより抑制することが可能となる。また、第１金属部は、金属反射板の内周面の全周に接するように形成されることにより伝熱領域が広がるので、さらに放熱性を向上することが可能となる。
また、本発明は、上記金属反射板が、上記光出射面側の開口部が、該開口部と上記実装面側の底面部との間の中段部よりも狭く形成されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
上記の構成によれば、金属反射板は、光出射面側の開口部が、該開口部と実装面側の底面部との間の中段部よりも狭く形成されていることにより、金属反射板の内周側に充填されている透光性封止体が発光素子から剥がれ落ちることを防止することが可能となる。
また、本発明は、上記金属反射板が、内周面に、凹凸形状が形成されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
上記の構成によれば、金属反射板が、内周面に凹凸形状が形成されていることにより、金属反射板の内周側に充填されている透光性封止体と金属反射板との接触面積が増加する。それゆえ、透光性封止体と金属反射板との接着度を高めることが可能となる。
また、本発明は、上記基板には、実装面と反対側の裏面に、第１金属部と接続される裏面電極と第２金属部と接続される裏面電極とが形成されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
上記の構成によれば、基板には、実装面と反対側の裏面に、第１金属部と接続される裏面電極と第２金属部と接続される裏面電極とが形成されていることにより、２つの裏面電極を外部部材に接合することが可能となる。すなわり、第１金属部および第２金属部を導電させることが可能となる。
また、本発明は、少なくとも上記第２金属部と接続される裏面電極は、上記絶縁部が形成されている領域を覆うように形成されることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
上記の構成によれば、少なくとも第２金属部と接続される裏面電極は、絶縁部が形成されている領域を覆うように形成されることにより、基板を透過してきた光を反射して、外部まで透過することを防止することが可能となる。すなわち、基板からの光の漏れを抑制することが可能となる。
また、本発明は、上記第１金属部に接続される裏面電極および上記第２金属部に接続される裏面電極が、それぞれ少なくとも１つ以上の導電部を介して、上記第１金属部および上記第２金属部に接続され、上記導電部のうち少なくとも１つは、上記絶縁部が形成されている領域を覆うように形成されることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
上記の構成によれば、基板に備えられる導電部のうち少なくとも１つは、絶縁部が形成されている領域を覆うように形成されることにより、基板を透過してきた光を反射して、外部まで透過することを防止することが可能となる。すなわち、基板からの光の漏れを抑制することが可能となる。
また、本発明は、上記導電部が、上記基板の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
上記の構成によれば、導電部が、基板の側面よりも内側に配置されていることにより、製造工程の最後に個々の発光素子の周囲をダイシングにて分割し、個々の発光素子として形成する際、バリの発生を防止することが可能となる。
また、本発明は、上記導電部のうち、上記金属反射板と絶縁されている導電部が、上記基板の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
上記の構成によれば、導電部のうち、金属反射板と絶縁されている導電部は、基板の側面よりも内側に配置されていることにより、製造工程の最後に個々の発光素子の周囲をダイシングにて分割し、個々の発光素子として形成する際、バリの発生を防止することが可能となる。
また、導電部のうち、金属反射板と絶縁されていない導電部は、基板の側面まで形成されることにより、導電部を広く形成して、基板を透過してきた光をより多く反射することが可能となる。
また、本発明に係る発光素子の製造方法は、基板の実装面に形成される第１金属部と、上記第１金属部と絶縁され、上記実装面に形成される第２金属部と、発光面が上記実装面側と逆向きになるように上記第１金属部に実装され、かつ、一方の電極が上記第１金属部に電気的に接続され、他方の電極が上記第２金属部に電気的に接続されるＬＥＤチップと、上記実装面を囲むように、上記実装面側に形成された金属反射板と、上記ＬＥＤチップを封止するように、上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填し、上記ＬＥＤチップの発光面に対向する光出射面を有する透光性封止体とを備える発光素子の製造方法であって、上記金属反射板と一体化するように上記第１金属部を形成する工程と、上記金属反射板に囲まれた領域内の上記第１金属部に、中空状に絶縁部を形成することによって、上記絶縁部に囲まれた上記第２金属部を形成する工程と、上記金属反射板の上記光出射面側の開口部を、該開口部と上記実装面側の底面部との間の中段部よりも狭くなるように、エッチングによって製造する工程とを含む構成としてもよい。
上記の構成によれば、金属反射板の内周側の基板の実装面において、第１金属部、第２金属部、および絶縁部を形成することにより、金属反射板は分断されることなく、ＬＥＤチップを囲むことが可能となる。また、金属反射板の光出射面側の開口部を、該開口部と実装面側の底面部との間の中段部よりも狭くなるように、エッチングによって形成することにより、金属反射板の内周側に充填されている透光性封止体が発光素子から剥がれ落ちることを防止することが可能となる。
本発明の他の発光素子は、基板上に実装されたＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップを封止するように設けられ、複数の側面及び前記ＬＥＤチップの発光面に対向する光出射面を有する透光性封止体と、前記基板に接し、前記透光性封止体の側面に設けられた反射板とを備え、前記側面の少なくとも一面が開口面である構成としてもよい。
また、本発明は、前記反射板が、前記基板近傍においてＬＥＤチップに対して接近する裾引き形状を有する事を特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明は、前記反射板が金属からなることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明は、前記金属、あるいは、前記第１金属部、前記第２金属部、および前記金属反射板が、銅、銀、金又はニッケルからなることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明は、前記基板の表面に、前記反射板と同種の金属が形成されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明は、前記基板の表面に形成された金属と前記反射板が一体成形されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明は、前記反射板と接続されていない部分に絶縁リングが形成され、前記絶縁リング内に前記金属反射板と同種の金属によるアイランド形状を有することを特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明は、前記開口面に接して反射シートが配されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明は、前記開口面に反射シートが接着されていることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明は、前記透光性封止体に、散乱粒子が分散していることを特徴とする発光素子であることが好ましい。
また、本発明のバックライトユニットは、前記開口面を有する発光素子と、光出射面近傍に配された導波板とを備えている構成としてもよい。
また、本発明に係る発光素子の製造方法は、基板に接して、反射板を設ける工程と、前記基板上の反射板に囲まれた領域に１個もしくは複数のＬＥＤチップを実装する工程と、前記ＬＥＤチップを封止するように、前記反射板に囲まれた領域に透光性封止体を形成する工程と、前記反射板に囲まれた領域を分離し、それによって前記透光性封止体の側面である開口面を形成する工程とを含む構成としてもよい。
また、本発明は、前記開口面を形成する工程がダイシング工程であることを特徴とする発光素子の製造方法であることが好ましい。
また、本発明は、前記反射板が、前記基板に近い部分において前記ＬＥＤチップに接近する裾引き形状になる断面形状を有するように金属板をエッチングすることによって製造することを特徴とする発光素子の製造方法であることが好ましい。
また、本発明は、前記反射板又は前記金属反射板が、金属箔をプレス加工することにより凹形状を形成し、前記凹形状をエッチングすることによって製造することを特徴とする発光素子の製造方法であることが好ましい。
また、本発明は、前記エッチングが、ウエットエッチングであることを特徴とする発光素子の製造方法であることが好ましい。
また、本発明は、薄型化が図れ、ＬＥＤチップからの出射光を効率良く出射させることができる発光素子を提供することを課題としている。
上記の課題を解決するために、本発明の発光素子は、基板上に実装されたＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップを封止するように設けられ、複数の側面及び前記ＬＥＤチップに対向する光出射面を有する透光性封止体と、前記基板に接し、前記透光性封止体の一側面に設けられた反射板を備え、前記側面の少なくとも一面を開口面とした構成としている。
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
第１実施形態の発光素子の斜視図である。 第１実施形態の発光素子の断面図である。 第１実施形態の発光素子の断面図である。 第１実施形態の発光素子の断面図である。 第１実施形態の発光素子の第１の製造工程フローである。 第１実施形態の発光素子の製造途中における斜視図である。 第１実施形態の発光素子の製造途中における斜視図である。 第１実施形態の発光素子の製造途中における斜視図である。 第１実施形態の発光素子の第２の製造工程フローである。 第２実施形態の発光素子を用いたバックライトの斜視図である。 第２実施形態のバックライトの断面図である。 従来の側面発光型ＬＥＤの斜視図である。 第３実施形態の発光素子の斜視図である。 第３実施形態の発光素子の断面図である。 （ａ）〜（ｈ）は、第３実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。 第３実施形態の発光素子の斜視図である。 第３実施形態の発光素子の斜視図である。 第４実施形態の発光素子の斜視図である。 第４実施形態の発光素子の断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第４実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。 第４実施形態の発光素子の斜視図である。 第４実施形態の発光素子の斜視図である。 第４実施形態の発光素子の斜視図である。 第４実施形態の発光素子の断面図である。 第４実施形態の発光素子の斜視図である。 第４実施形態の発光素子の断面図である。 従来の発光素子の断面図である。 図２６に示した発光素子のＩ−Ｉ矢視平面図である。 第５実施形態の発光素子の断面図である。 第５実施形態の発光素子を、電子機器の筐体に実装した状態を示す模式図である。 第６実施形態の発光素子の断面図である。 第６実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第７実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第７実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。 第４実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第４実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第４実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第４実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第５実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第５実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第５および第６実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。 第５実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。 第５実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。 第６実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第６実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第６実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第７実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。 第７実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。 第７実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。
符号の説明
１ 発光素子
２ 金属反射板
２Ａ 裾引き形状
３ ＬＥＤチップ
４ 積層基板
５ 表面層
６ 中間層
７ 裏面層
８ ダイボンドエリア・電極共通部
９ アイランド電極
１０ 絶縁リング
１１ ワイヤ
１２ 側壁開口面
１３ 配線接続部
１４ 電極端子
１５ 中抜け底面部
１６ 反射シート
１７ 光出射面
１８ 上方向
１９ 透光性封止体
２０ 液晶パネルバックライト
２１ 切断線
２４Ａ、２４Ｂ、２５Ａ、２５Ｂ 光線
３０ 導光板
３１ 液晶パネル
５００ 発光素子
５０１ ＬＥＤチップ
５０１ａ 発光面
５０２ 金属反射板
５０２ａ 表面
５０６ 積層基板
５０７ ダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部・実装面金属反射膜）
５０８ アイランド電極(第２金属部)
５０９ 絶縁部
５１０ 透光性封止体
５１３ 光出射面
５１５，５１６ 貫通孔
５１８，５１９ 裏面電極（第１・第２裏面電極）
６００ 発光素子
６０６ 積層基板
６０７ ダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部・実装面金属反射膜）
６０８ アイランド電極(第２金属部)
６０９ 絶縁リング（絶縁部）
６３１〜６３４ 導電部
７１１，７１２ 外部接合電極
７５１ 一体型外部接合電極
７００ 発光素子
７０１ ＬＥＤチップ
７０２ 金属反射板
７０７ 第１アイランド電極（第１金属部）
７０８ 第２アイランド電極（第２金属部）
７０９ａ 第１絶縁部
７０９ｂ 第２絶縁部
７２０ 実装面金属反射膜
７３３, ７３４ 導電部
７４０ 放熱シート
８００ 発光素子
８０２ 金属反射板
８０７ 第１アイランド電極（第１金属部）
８０８ 第２アイランド電極（第２金属部）
８０９ａ 第１絶縁部
８０９ｂ 第２絶縁部
９００ 発光素子
９０１ ＬＥＤチップ（第２ＬＥＤチップ）
９０８ 第３金属部
９０９ｃ 第３絶縁部
９２０ 実装面金属反射膜

Claims (56)

  1. 基板の実装面上に実装される少なくとも１つのＬＥＤチップと、
    上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように上記実装面上に設けられ、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、
    上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップとそれぞれ電気的に接続される第１金属部と第２金属部とを備え、
    上記領域内に、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための絶縁部が、上記第２金属部を取り囲むように形成されており、上記領域内における該絶縁部の外側に実装面金属反射膜としての第１金属膜が上記金属反射板と接触するように形成されていることを特徴とする発光素子。
  2. 上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内で、上記第１金属部が、実装面金属反射膜としての機能有し、上記絶縁部を介して上記第２金属部の外周を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  3. 基板の実装面上に実装される少なくとも１つのＬＥＤチップと、
    上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むよう に上記実装面上に設けられ、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、
    上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップとそれぞれ電気的に接続される第１金属部と第２金属部と、
    上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域に、上記金属反射板と接触するように形成された実装面金属反射膜とを備え、
    上記金属反射板は、上記第１金属部と第２金属部の何れからも電気的に絶縁されていることを特徴とする発光素子。
  4. 上記第１金属部を上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第１絶縁部と、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第２絶縁部とが、それぞれ、該第１金属部と第２金属部とを取り囲むように形成されており、
    上記実装面金属反射膜が、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域における、上記第１絶縁部と上記第２絶縁部の外側の領域全体に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
  5. さらに、上記実装面上に実装される第２ＬＥＤチップを備え、
    上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として該ＬＥＤチップに接続される第１金属部が、上記第２ＬＥＤチップに駆動電流を供給する一方の電源端子としての機能を有し、さらに、該第２ＬＥＤチップに駆動電流を供給する他方の電源端子としての第３金属部を備え、
    前記金属反射板が、上記第１ないし第３金属部の何れからも電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
  6. 上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内に、第３金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第３絶縁部が上記第３金属部を取り囲むように形成されており、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域における、上記第１ないし第３絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
  7. 光源部に配された請求項３ないし６の何れかに記載の発光素子を備え、
    上記発光素子における上記金属反射板の外周面の少なくとも一部を含む素子外周面上が、放熱シートで覆われていることを特徴とするバックライトユニット。
  8. 上記放熱シートが、導電性材料からなることを特徴とする請求項７に記載のバックライトユニット。
  9. 上記放熱シートが、上記光源部で接地されていることを特徴とする請求項８に記載のバックライトユニット。
  10. 上記導電性材料が、グラファイト系材料であることを特徴とする請求項８に記載のバックライトユニット。
  11. 基板の実装面に実装される少なくとも１つのＬＥＤチップと、
    上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、
    上記ＬＥＤチップを封止するように設けられ、上記光出射方向の上端部が、上記光出射面として開口された透光性封止体とを備え、
    上記透光性封止体は、その側面の一部が開口面をなし、当該開口面をなす領域以外の側面全体を覆うように、上記金属反射板が設けられており、
    上記開口面が、上記光出射面の形成方向と略垂直な方向に形成されていることを特徴とする発光素子。
  12. 上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、当該ＬＥＤチップとそれぞれ電気的に接続される第１金属部と第２金属部とを備え、
    上記領域内に、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための絶縁部が、上記第２金属部を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
  13. 上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内に、実装面金属反射膜としての上記第１金属部が、上記絶縁部を介して上記第２金属部の外周を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
  14. 上記絶縁部は、環状に形成されており、上記第２金属部が、該絶縁部によって、上記金属反射板から電気的に絶縁されており、該第２金属部が、上記金属反射板と同種の金属からなるアイランドに形成されていることを特徴とする請求項１３記載の発光素子。
  15. 上記開口面に接して反射シートが配されていることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
  16. 上記開口面に反射シートが接着されていることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
  17. 上記金属反射板が、上記実装面金属反射膜と同種の金属から形成されていることを特徴とする請求項２、４、６または１３に記載の発光素子。
  18. 上記金属反射板が、上記実装面金属反射膜と一体的に形成されてなることを特徴とする請求項１７に記載の発光素子。
  19. 上記金属反射板は、前記基板近傍において上記ＬＥＤチップに対して接近する裾引き形状を有することを特徴とする請求項１、３、５または１１に記載の発光素子。
  20. 上記基板における、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ上記第１金属部と上記第２金属部とに接続される第１裏面電極と第２裏面電極とが形成されていることを特徴とする請求項２または１２に記載の発光素子。
  21. 少なくとも第２裏面電極が、上記絶縁部の形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うように形成されていることを特徴とする請求項２０に記載の発光素子。
  22. 少なくとも第２裏面電極が、上記絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、第２金属部に接続されていることを特徴とする請求項２１に記載の発光素子。
  23. 上記基板における、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ上記第１金属部と上記第２金属部とに接続される第１裏面電極と第２裏面電極とが形成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
  24. 上記第１裏面電極および第２裏面電極は、それぞれ、上記第１絶縁部および第２絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成されていることを特徴とする請求項２３に記載の発光素子。
  25. 上記第１裏面電極および第２裏面電極は、それぞれ、上記第１絶縁部および第２絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、上記第１金属部と第２金属部とに接続されていることを特徴とする請求項２４に記載の発光素子。
  26. 上記導電部が、上記基板の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする請求項２３に記載の発光素子。
  27. 上記導電部のうち、上記金属反射板と絶縁されている導電部が、上記基板の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする請求項２４に記載の発光素子。
  28. 上記金属反射板の外周側面部が、発光素子の長手方向において発光素子外周より内側に形成されていることを特徴とする請求項２４に記載の発光素子。
  29. 上記第１金属部、第２金属部および金属反射板が、銅、銀、金またはニッケルからなることを特徴とする請求項１、３、５または１２の何れかに記載の発光素子。
  30. 上記基板における、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、上記第１金属部、第２金属部、および上記ＬＥＤチップが塔載される実装面金属反射膜にそれぞれ接続される第１ないし第３裏面電極が形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の発光素子。
  31. 上記第１ないし第３裏面電極が、それぞれ上記第１ないし第３絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されていることを特徴とする請求項３０に記載の発光素子。
  32. 上記第１ないし第３裏面電極は、それぞれ、上記第１ないし第３絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、上記第１ないし第３金属部に接続されていることを特徴とする請求項３０または３１に記載の発光素子。
  33. 上記第１ないし第３金属部が、銅、銀、金またはニッケルからなることを特徴とする請求項５、６、２０ないし３１の何れかに記載の発光素子。
  34. 上記光出射面として、上記実装面と上記金属反射板で囲まれた領域における上記ＬＥＤチップからの光の出射方向の上端部が開口されており、
    透光性封止体が上記領域を充填するように形成されており、
    上記領域における、上記光出射面と底面となる実装面との間の中段に、面方向の断面の最大幅が上記光出射面の面方向の最大幅よりも大きくなる領域を有し、該中段から、上記上端部の開口へ絞られていることを特徴とする請求項１、３、４または１１の何れかに記載の発光素子。
  35. 上記金属反射板における、上記透光性封止体と接触する内周面に凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１０または３４に記載の発光素子。
  36. 上記透光性封止体が、散乱粒子を含むことを特徴とする請求項１１、３４または３５に記載の発光素子。
  37. 請求項１ないし３６の何れかに記載の発光素子と、上記光出射面の近傍に配された導波板とを備えていることを特徴とするバックライトユニット。
  38. 請求項１１に記載の発光素子と、
    上記光出射面の近傍に配され、該光出射面から出射された光を散乱させる導光板と、
    上記導光板に接するように配され、該導光板により散乱された光を、所望の領域へ照射するための反射シートとを備え、
    上記反射シートは、上記透光性封止体の側面の一部をなす上記開口部全体を覆うように配されており、
    上記反射シートが、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射面へと導く金属反射板としての機能を兼ねることを特徴とするバックライトユニット。
  39. 基板の実装面上に少なくとも１つのＬＥＤチップを実装する工程と、
    上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記ＬＥＤチップの光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板を、該光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように上記実装面上に形成する工程と、
    上記実装面と上記金属反射板とで囲まれた領域内に、透光性封止体を上記ＬＥＤチップを封止ように充填する工程と、
    上記金属反射板で囲まれた領域を、上記透光性封止体の分断面が、上記光出射面の形成方向と略垂直な方向に形成された開口面となるように分断する工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
  40. 基板の実装面上に少なくとも１つのＬＥＤチップを実装する工程と、
    上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記ＬＥＤチップの光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板を、該光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように上記実装面上に形成する工程と、
    上記実装面上における上記金属反射板で囲まれた領域内に、上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップとそれぞれ電気的に接続される第１金属部および第２金属部を形成する工程と、
    上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域に、上記金属反射膜と接触するように実装面金属反射膜を形成する工程とを含み、
    前記金属反射板が、上記第１金属部と第２金属部の何れからも電気的に絶縁されているように形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
  41. 上記実装面における上記第１金属部を上記金属反射板で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第１絶縁部と、上記第２金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第２絶縁部とを、それぞれ、該第１金属部と第２金属部とを取り囲むように形成する工程を含み、
    上記実装面金属反射膜を、上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域における、上記第１絶縁部と上記第２絶縁部の外側の領域全体に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項４０に記載の発光素子の製造方法。
  42. さらに、上記実装面上に第２ＬＥＤチップを形成する工程と、
    上記ＬＥＤチップに駆動電流を供給する電極端子として該ＬＥＤチップに電気的に接続される第１金属部が、上記第２ＬＥＤチップに駆動電流を供給する一方の電源端子としての機能するように形成し、さらに、該第２ＬＥＤチップに駆動電流を供給する他方の電源端子としての第３金属部を形成する工程とを含み、
    前記金属反射板が、上記第１ないし第３金属部の何れからも電気的に絶縁されているように形成することを特徴とする請求項４０に記載の発光素子の製造方法。
  43. 上記実装面における上記金属反射板で囲まれた領域内に、第３金属部を当該領域内の他の部位と電気的に絶縁するための第３絶縁部を上記第３金属部を取り囲むように形成する工程と、
    上記第１ないし第３絶縁部の外側の領域全体に実装面金属反射膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項４２に記載の発光素子の製造方法。
  44. 請求項４０または４１に記載の発光素子の製造方法に、
    上記金属反射板の外周面の少なくとも一部を含む素子外周面上に、該金属反射板で発生した熱を外部に逃がすための放熱シートを形成する工程を加えることによりバックライトユニットを製造するバックライトユニットの製造方法。
  45. 上記放熱シートとして、導電性材料を用いることを特徴とする請求項４４に記載のバックライトユニットの製造方法。
  46. 上記導電性材料として、グラファイト系材料を用いることを特徴とする請求項４５に記載のバックライトユニットの製造方法。
  47. 上記金属反射板を、上記実装面金属反射膜と一体的に形成することを特徴とする請求項４１または４３に記載の発光素子の製造方法。
  48. 上記基板における、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ上記第１金属部と上記第２金属部とに接続される第１裏面電極と第２裏面電極とを形成する工程を含むことを特徴とする請求項４０または４１に記載の発光素子の製造方法。
  49. 上記第１裏面電極および第２裏面電極を、それぞれ上記第１絶縁部および第２絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成することを特徴とする請求項３１に記載の発光素子の製造方法。
  50. 上記第１裏面電極および第２裏面電極を、それぞれ、上記第１絶縁部および第２絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、上記第１金属部と第２金属部とに接続されるように形成することを特徴とする請求項４８または４９に記載の発光素子の製造方法。
  51. 上記第１金属部、第２金属部および金属反射板として、銅、銀、金またはニッケルを用いることを特徴とする請求項４０ないし５０の何れかに記載の発光素子の製造方法。
  52. 上記基板における、上記実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子としてそれぞれ、上記第１ないし第３金属部に接続される第１ないし第３裏面電極を形成することを特徴とする請求項４２または４３に記載の発光素子の製造方法。
  53. 上記第１ないし第３裏面電極を、それぞれ上記第１ないし第３絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成することを特徴とする請求項５２に記載の発光素子の製造方法。
  54. 上記第１ないし第３裏面電極を、それぞれ、上記第１ないし第３絶縁部の各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うよう形成された少なくとも１つの導電部を介して、上記第１ないし第３金属部に接続されるように形成することを特徴とする請求項５２または５３に記載の発光素子の製造方法。
  55. 上記第１ないし第３金属部として、銅、銀、金またはニッケルを用いることを特徴とする請求項４２、４３、５２ないし５４の何れかに記載の発光素子の製造方法。
  56. 請求項３０に記載の発光素子を備え、
    上記発光素子を、該発光素子の第３裏面電極を、光源部のアース電極と接続するように、上記光源部に実装してなることを特徴とするバックライトユニット。

JP2006261567A 2005-11-22 2006-09-26 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット Expired - Fee Related JP5214128B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006261567A JP5214128B2 (ja) 2005-11-22 2006-09-26 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット
US11/603,885 US20070114555A1 (en) 2005-11-22 2006-11-22 Light emitting element, production method thereof, backlight unit having the light emitting element, and production method thereof
US12/415,486 US20090194783A1 (en) 2005-11-22 2009-03-31 Light emitting element, production method thereof, backlight unit having the light emitting element, and production method thereof

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005337801 2005-11-22
JP2005337801 2005-11-22
JP2006243327 2006-09-07
JP2006243327 2006-09-07
JP2006261567A JP5214128B2 (ja) 2005-11-22 2006-09-26 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008091354A true JP2008091354A (ja) 2008-04-17
JP5214128B2 JP5214128B2 (ja) 2013-06-19

Family

ID=38052625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006261567A Expired - Fee Related JP5214128B2 (ja) 2005-11-22 2006-09-26 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20070114555A1 (ja)
JP (1) JP5214128B2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008277607A (ja) * 2007-05-01 2008-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置、線状発光装置、面状発光装置、液晶表示装置および電子機器
JP2010021420A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Denka Agsp Kk 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法
JP2010050367A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Panasonic Corp 発光装置
JP2010272262A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Minebea Co Ltd 面状照明装置
JP2011171508A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Toppan Printing Co Ltd Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム、ｌｅｄパッケージ及びｌｅｄ発光素子用リードフレームの製造方法
WO2011125289A1 (ja) * 2010-04-01 2011-10-13 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
WO2011125290A1 (ja) * 2010-04-02 2011-10-13 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
JP2011238902A (ja) * 2010-04-16 2011-11-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US8164109B2 (en) 2009-04-02 2012-04-24 Panasonic Corporation Nitride semiconductor element and method for producing the same
JP2012129542A (ja) * 2010-03-11 2012-07-05 Panasonic Corp 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法
US8299490B2 (en) 2009-04-03 2012-10-30 Panasonic Corporation Nitride-based semiconductor device having electrode on m-plane
JP2013008904A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2013041865A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2013141021A (ja) * 2011-04-20 2013-07-18 Panasonic Corp 発光装置
JP2016510177A (ja) * 2013-03-12 2016-04-04 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス部品
JP2017143305A (ja) * 2017-05-10 2017-08-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4981342B2 (ja) * 2006-04-04 2012-07-18 日立協和エンジニアリング株式会社 サブマウントおよびその製造方法
CN101122703B (zh) * 2006-08-11 2010-12-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光学板及采用该光学板的背光模组
CN101126822B (zh) * 2006-08-18 2010-09-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光学板及采用该光学板的背光模组
JP2008135709A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Sharp Corp 発光装置、画像表示装置、およびその製造方法
KR100901618B1 (ko) 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
JP2008288285A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Sharp Corp 積層基板の切断方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、発光装置及びバックライト装置
JP2008288394A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Sharp Corp 金属反射壁の製造方法
US20090026470A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Novalite Optronics Corp. Super thin side-view light-emitting diode (led) package and fabrication method thereof
JP2009032746A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及び発光ユニット
KR101283282B1 (ko) 2007-07-25 2013-07-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US20090059573A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 James Bears Solid-state lighting device
DE102008021014A1 (de) * 2008-04-25 2009-10-29 Alcan Technology & Management Ag Vorrichtung mit einer Mehrschichtplatte sowie Licht emittierenden Dioden
US10021742B2 (en) 2014-09-28 2018-07-10 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
JP2010067902A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 発光装置
US20100109041A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Chun-Chiang Yin High efficiency led structure
KR101020993B1 (ko) * 2009-03-10 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR100999756B1 (ko) * 2009-03-13 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101660721B1 (ko) 2009-06-15 2016-09-29 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 디스플레이장치
US20110198609A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-Emitting Devices with Through-Substrate Via Connections
TWI517452B (zh) * 2011-03-02 2016-01-11 建準電機工業股份有限公司 發光晶體之多晶封裝結構
USD669043S1 (en) * 2011-05-16 2012-10-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
EP2745320B1 (en) * 2011-08-16 2017-02-22 Koninklijke Philips N.V. Led mixing chamber with reflective walls formed in slots
TWM433640U (en) * 2012-04-12 2012-07-11 Lextar Electronics Corp Package structure of semiconductor light emitting device
JP5920145B2 (ja) * 2012-09-27 2016-05-18 豊田合成株式会社 線状光源及び面状光源
CN103280518A (zh) * 2013-06-17 2013-09-04 天津金玛光电有限公司 直立悬空式led
CN115095808A (zh) 2014-09-28 2022-09-23 嘉兴山蒲照明电器有限公司 一种led直管灯
US9689536B2 (en) 2015-03-10 2017-06-27 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
US10514134B2 (en) 2014-12-05 2019-12-24 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US10047932B2 (en) * 2015-04-02 2018-08-14 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube light with LED leadframes
CN109817793B (zh) 2016-08-31 2022-01-04 开发晶照明（厦门）有限公司 Led模块
JP6964421B2 (ja) * 2017-03-23 2021-11-10 ローム株式会社 半導体発光装置
CN107086265A (zh) * 2017-06-02 2017-08-22 厦门立达信绿色照明集团有限公司 发光二极管模组跟灯具装置
FI128166B (en) * 2017-12-14 2019-11-29 Netmens Solutions Oy Improved heat removal in LED lamp
USD919582S1 (en) * 2018-04-13 2021-05-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD892068S1 (en) * 2018-04-13 2020-08-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD889422S1 (en) * 2018-04-13 2020-07-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD889421S1 (en) * 2018-04-13 2020-07-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD892067S1 (en) * 2018-04-13 2020-08-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD881143S1 (en) * 2018-10-12 2020-04-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD881142S1 (en) * 2018-10-12 2020-04-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD894853S1 (en) * 2018-10-12 2020-09-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
CN112331638B (zh) * 2020-09-28 2023-06-06 惠州市聚飞光电有限公司 发光二极管及背光模组

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282955A (ja) * 2001-07-19 2003-10-03 Rohm Co Ltd 反射ケース付半導体発光装置
JP2004172462A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2004327863A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Graphic Techno Japan Co Ltd 放熱機能を有する反射板を備えた半導体発光装置
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
JP2005209763A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2005216962A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
DE102004034166B4 (de) * 2003-07-17 2015-08-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
JP4357311B2 (ja) * 2004-02-04 2009-11-04 シチズン電子株式会社 発光ダイオードチップ
US20070126020A1 (en) * 2005-12-03 2007-06-07 Cheng Lin High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof
FR2894282A1 (fr) * 2005-12-05 2007-06-08 Snecma Sa Distributeur de turbine de turbomachine ameliore
JP2008187030A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Stanley Electric Co Ltd 発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282955A (ja) * 2001-07-19 2003-10-03 Rohm Co Ltd 反射ケース付半導体発光装置
JP2004172462A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2004327863A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Graphic Techno Japan Co Ltd 放熱機能を有する反射板を備えた半導体発光装置
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
JP2005209763A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2005216962A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008277607A (ja) * 2007-05-01 2008-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置、線状発光装置、面状発光装置、液晶表示装置および電子機器
JP2010021420A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Denka Agsp Kk 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法
JP2010050367A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Panasonic Corp 発光装置
US8164109B2 (en) 2009-04-02 2012-04-24 Panasonic Corporation Nitride semiconductor element and method for producing the same
US8441108B2 (en) 2009-04-02 2013-05-14 Panasonic Corporation Nitride semiconductor element having electrode on m-plane and method for producing the same
US8318594B2 (en) 2009-04-03 2012-11-27 Panasonic Corporation Method for fabricating nitride-based semiconductor device having electrode on m-plane
US8299490B2 (en) 2009-04-03 2012-10-30 Panasonic Corporation Nitride-based semiconductor device having electrode on m-plane
JP2010272262A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Minebea Co Ltd 面状照明装置
JP2011171508A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Toppan Printing Co Ltd Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム、ｌｅｄパッケージ及びｌｅｄ発光素子用リードフレームの製造方法
US9261246B2 (en) 2010-03-11 2016-02-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method of manufacturing light-emitting module
JP2012129542A (ja) * 2010-03-11 2012-07-05 Panasonic Corp 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法
WO2011125289A1 (ja) * 2010-04-01 2011-10-13 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
JP4909448B2 (ja) * 2010-04-01 2012-04-04 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
WO2011125290A1 (ja) * 2010-04-02 2011-10-13 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
CN102598320A (zh) * 2010-04-02 2012-07-18 松下电器产业株式会社 氮化物类半导体元件及其制造方法
US8933543B2 (en) 2010-04-02 2015-01-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor element having m-plane angled semiconductor region and electrode including Mg and Ag
JP2011238902A (ja) * 2010-04-16 2011-11-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013141021A (ja) * 2011-04-20 2013-07-18 Panasonic Corp 発光装置
US9299743B2 (en) 2011-04-20 2016-03-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus, backlight unit, liquid crystal display apparatus, and illumination apparatus
US9601669B2 (en) 2011-04-20 2017-03-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus, backlight unit, liquid crystal display apparatus, and illumination apparatus
USRE47780E1 (en) 2011-04-20 2019-12-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus, backlight unit, liquid crystal display apparatus, and illumination apparatus
JP2013008904A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2013041865A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2016510177A (ja) * 2013-03-12 2016-04-04 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス部品
JP2017143305A (ja) * 2017-05-10 2017-08-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070114555A1 (en) 2007-05-24
JP5214128B2 (ja) 2013-06-19
US20090194783A1 (en) 2009-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5214128B2 (ja) 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット
JP5350658B2 (ja) 発光素子
JP5869080B2 (ja) 発光素子
KR101114719B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP3976063B2 (ja) 発光装置
US20080237621A1 (en) Light emitting device and method of producing the same
JP2012033855A (ja) Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法
JP4753431B2 (ja) 発光ダイオード
JP4910220B1 (ja) Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法
KR20120014390A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2009027166A (ja) 化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造及びその作成方法
CN100485989C (zh) 发光元件及其制造方法和具备发光元件的背光灯单元及其制造方法
JP5347681B2 (ja) 発光装置
JP5286122B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR101163901B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2006100753A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
JP4010340B2 (ja) 発光装置
US10461226B2 (en) Semiconductor light emitting device packages
KR101125437B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101154671B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2006261301A (ja) 光通信モジュールおよびその製造方法
KR100852100B1 (ko) 초박형 표면실장 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2020188094A (ja) 半導体発光装置
JP2013232656A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2012209389A (ja) 発光素子搭載用配線基板、発光装置、および発光素子搭載用配線基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080806

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120124

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120821

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121116

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20121126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5214128

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees