JP2010050367A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光素子に大電流を流すことで発生する熱を、効率よく放熱することで輝度向上を図ることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁性であるサファイア基板に化合物半導体が積層され、化合物半導体にボンディング電極が形成された発光素子6と、発光素子6の絶縁性基板がダイボンドされた搭載面側伝熱パターン10と、発光素子6のボンディング電極とワイヤボンディングされたボンディングパッド13と、ボンディングパッド13が第2のスルーホール導体15を介して接続された接続電極16とが形成された基板2と、搭載面側伝熱パターン10と第1の金属層20を介在させて接着され、発光素子6を囲うように開口部3aが形成された放熱体3とを備えた。
【選択図】図1

Description

本発明は、基板に発光素子が搭載されると共に、発光素子からの熱を放熱する放熱体を備えた発光装置に関するものである。
発光装置は、発光素子に大電流を流して高輝度化を図ったものが知られている。発光素子に大電流を流すと輝度が向上するものの発熱も相当なものとなり、発光素子が過熱されることで性能低下を招く恐れがある。この発熱に対する対策を施した発光装置が特許文献1に記載されている。
この特許文献1に記載された半導体発光装置は、LED素子と、プリント基板と、熱伝導性の高い金属ブロックにより形成されたリフレクターとを有し、このリフレクターは反射面を形成するLED素子実装凹部と脚部とが形成され、この脚部を実装基板に固着することで熱の放出性能を向上させたものである。
特開2005−229003号公報
特許文献1に記載の半導体発光装置は、プリント基板に形成された金属電極上に、金属ブロックで形成されたリフレクターを接着剤で接着しているので、接着剤として絶縁性のものを使用しているものと想定される。絶縁性の接着剤は一般的に伝熱性が低いので、LED素子からの熱が金属電極を介してリフレクターへと伝熱する経路の阻害要因となる。
従って、リフレクターが放熱効果の高い放熱体で形成されていても放熱効果が最大限に発揮されているとはいえない。
そこで本発明は、発光素子に大電流を流すことで発生する熱を、効率よく放熱することで輝度向上を図ることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
本発明の発光装置は、発光素子がダイボンドされた第1の金属パターンが形成された基板と、前記発光素子を囲う開口部が形成された放熱体と、前記放熱体および前記第1の金属パターンとの間に介在して、前記放熱体および前記第1の金属パターンを接着する金属層とを備えたことを特徴とする。
本発明の発光装置は、発光素子がダイボンドされた第1の金属パターンに伝導した熱は熱伝導率の高い金属層に伝導し、そして熱放射率の高い放熱体へ伝熱して放熱することができるので、発光素子に大電流を流すことで発生する熱を、効率よく放熱することで輝度向上及び性能低下防止を図ることが可能である。
本願の第1の発明は、発光素子がダイボンドされた第1の金属パターンが形成された基板と、発光素子を囲う開口部が形成された放熱体と、放熱体および第1の金属パターンとの間に介在して、放熱体および第1の金属パターンを接着する金属層とを備えたことを特徴としたものである。
基板には、発光素子がダイボンドされる第1の金属パターンが形成されている。そして、この基板には、発光素子を囲う開口部が形成された放熱体が設けられている。この放熱体は、第1の金属パターンと金属層を介在させて接着されている。従って、発光素子がダイボンドされた第1の金属パターンに伝導した熱は、熱伝導率の高い金属層に伝導し、熱放射率の高い放熱体へ伝熱して放熱するので、発光素子からの熱は、伝熱する経路が阻害されることなく放熱させることができる。
本願の第2の発明は、発光素子とワイヤボンディングされた第2の金属パターンが設けられ、放熱体の開口部は、第2の金属パターン全体を露出するように形成されていることを特徴としたものである。
放熱体の開口部が、発光素子とワイヤボンディングされた第2の金属パターン全体を露出するように形成されているので、放熱体が第1の金属パターンと導体である金属層を介在させて接続されていても、放熱体と第2の金属パターンとは非導通状態である。つまり放熱体と、発光素子の電極同士が短絡しない状態で設けることができる。
本願の第3の発明は、発光素子は、絶縁性基板に化合物半導体が積層されたものであり、発光素子に設けられたn電極およびp電極は、2つの第2の金属パターンに、それぞれ接続されていることを特徴としたものである。
発光素子を絶縁性基板に化合物半導体を積層したものとすることで、発光素子のn電極とp電極とへの電源は、2つの第2の金属パターンを介して供給されるので、ダイボンドされた第1の金属パターンとは非導通状態である。従って、放熱体と発光素子とは、非導通状態なので、実装基板に実装したときに周囲の部品と短絡してしまい発光素子が発光しなくなってしまう事態を回避することができる。
本願の第4の発明は、放熱体上に、発光素子からの光を開口部の反射面で反射して主光出射方向へ出射する反射体が金属層を介在させて設けられていることを特徴としたものである。
放熱体上に更に反射体を設けても、放熱体と反射体とを、金属層を介在させているので、伝熱の度合いを低下させることなく接続することができる。
本願の第5の発明は、金属層は、半田、金、銀、銅のいずれか、またはこれらの金属を1種類以上含む合金で形成されていることを特徴としたものである。
金属層を半田、金、銀、銅のいずれか、またはこれらの金属を1種類以上含む合金で形成することで、熱伝導を低下させることなく、第1の金属パターンと放熱体、または放熱体と反射体とを接着することができる。
(実施の形態)
本発明の実施の形態に係る発光装置を図1から図5に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る発光装置を説明する平面図である。図2は、本発明の実施の形態に係る発光装置を説明する底面図である。図3は、本発明の実施の形態に係る発光装置の断面図であり、(A)は図1におけるA−A線断面矢視図、(B)は図1におけるB−B線断面矢視図である。図4は、基板を説明する平面図である。図5は、本実施の形態に係る発光装置に用いられる発光素子を説明する図である。
図1から図3に示すように本発明の実施の形態に係る発光装置1は、平面視して正方形状に形成されている。発光装置1は、基板2と、放熱体3と、樹脂封止部4と、反射体5と、発光素子6とを備えている。
基板2は、大きさが約4mm角で、厚みが0.4mmのガラスエポキシ樹脂で形成され、発光素子6を搭載する搭載面S1と、この発光装置1を実装基板に実装するときの実装面S2とに金属パターンが形成されている。この金属パターンについて図2および図4に基づいて詳細に説明する。
図2および図4に示すように、基板2の搭載面S1には、4つの円形状の穴部Hを除いてほぼ全面に銅箔で形成された第1の金属パターンである搭載面側伝熱パターン10が形成されている。搭載面側伝熱パターン10には、発光素子6を搭載する際の位置合わせのための矩形状に切り欠いた位置合わせ部10aが、発光素子6が搭載される位置の周囲に4つ形成されている。搭載面側伝熱パターン10は、第1のスルーホール導体11により実装面S2に形成された実装面側伝熱パターン12と接続されている。第1のスルーホール導体11は、隣接する穴部Hの間に3つずつ設けられている。また、実装面側伝熱パターン12は、略十字状に形成され銅箔の金属パターンである。実装面側伝熱パターン12には、略十字状に形成されたうちの一つの端部を切り欠くことで極性表示12aが形成されている。
搭載面側伝熱パターン10の穴部Hには、略リング状の隙間を開けて第2の金属パターンであるボンディングパッド13が4つ形成されている。つまり、搭載面側伝熱パターン10とボンディングパッド13とは非導通状態に形成されている。発光素子6は、この4つ形成されたボンディングパッド13のうちの2つを使用して、n電極およびp電極とワイヤ14で接続される。
ボンディングパッド13は、第2のスルーホール導体15により実装面S2に銅箔で形成された接続電極16と接続されている。接続電極16は、発光素子6が搭載された位置から基板2の角部に向かうように放射状に形成されている。接続電極16は、正方形状に形成された基板2の各4つの角部に形成されているが、ワイヤ14により発光素子6と導通するその内の2つを使って実装基板と導通する。
この接続電極16と実装面側伝熱パターン12との隙間は、短絡防止のために形成されたレジスト膜17により覆われている。つまり接続電極16と実装面側伝熱パターン12とは非導通状態である。
放熱体3は、銅製で平面視して正方形状に形成され、中心部に円形状の開口部3aを有した導体である。放熱体3の開口部3aの周壁面は、外側に向かって徐々に広がるように形成されている。この放熱体3は、基板2に形成された搭載面側伝熱パターン10と第1の金属層20により接着されている。
放熱体3の開口部3aには、発光素子6を封止する樹脂が充填され硬化することで形成された樹脂封止部4が形成されている。この樹脂封止部4は、発光素子6を封止すると共に、発光素子6からの光を波長変換して補色となる色を発光する蛍光体を樹脂に含有して発光素子6の光と蛍光体の光とを混色する機能を備えている。例えば本実施の形態に係る発光装置1が白色発光であり、発光素子6が青色であれば、蛍光体としては青色と混色して白く見えるように黄色に波長変換するものを使用している。
そして放熱体3上には、アルミ製の反射体5が設けられている。この反射体5は、開口部5aが放熱体3の開口部3aより更に広がるように開口部5aが形成されることで、開口部5aの周壁面が反射面となる。反射体5と放熱体3とは、第2の金属層21により接着されている。
第1の金属層20と第2の金属層21とは、半田、金、銀、銅のいずれか、またはこれらの金属を1種類以上含む合金で形成されているのが望ましい。本実施の形態では、半田ペーストを塗布して硬化させて第1の金属層20と第2の金属層21を形成している。
図5に示すように、発光素子6は、青色発光素子であり、絶縁性基板の一つであるサファイア基板6aに化合物半導体層であるn層6b、発光層6c、およびp層6dが積層されている。そしてn層6bにはn電極6eが、p層6dにはp電極6fがそれぞれボンディング電極として設けられ、ワイヤ14によってボンディングパッド13と接続されている(図1参照)。この発光素子6は、銀ペーストなどの導電性接着剤を介在させて搭載面側伝熱パターン10の中央部に搭載されている。
以上のように構成される本発明の実施の形態に係る発光装置1の伝熱の状態を図1から図3に基づいて説明する。
基板2の実装面S2側に形成された接続電極16に電圧が印加されると、接続電極16から第2のスルーホール導体15、ボンディングパッド13、そしてワイヤ14を介して発光素子6に電流が流れ、発光素子6が発光する。
発光素子6が発光することで発生する熱は、搭載面側伝熱パターン10の発光素子6がダイボンドされた位置から徐々に周囲に向かって伝導する。発光素子6は、サファイア基板6aが搭載面側伝熱パターン10と直接接触しているので、発光素子6が発生する熱の大部分は搭載面側伝熱パターン10へ伝導させることができる。
搭載面側伝熱パターン10全面に徐々に広がる熱は、第1の金属層20を介して放熱体3へ伝導する。放熱体3では、高い放熱率を有した銅で形成されているので、熱を放熱体3の側方へ放熱する。
発光素子6のサファイア基板6aは絶縁性であり、搭載面側伝熱パターン10は発光素子6とワイヤ14で接続されるボンディングパッド13と非導通状態に形成されているので、放熱体3を、開口部3aを除いて基板2の全面に、導電性である第1の金属層20を介在させて設けていても、放熱体3と発光素子6とは非導通状態である。従って、放熱体3と搭載面側伝熱パターン10が形成された基板2とを、第1の金属層20で接着することで、放熱体3と発光素子6とを短絡させることなく、搭載面側伝熱パターン10の熱を効率よく放熱体3へ伝導させることができる。
更に放熱体3には第2の金属層21を介して反射体5が設けられているので、放熱体3からの熱は反射体5へ効率よく伝導し、反射体5から放熱する。
また、搭載面側伝熱パターン10に伝導した熱は、第1のスルーホール導体11を介して実装面側伝熱パターン12へ伝導する。そして実装面側伝熱パターン12へ伝導した熱は実装基板へ伝導して放熱することで、より放熱効果を高めることができる。
このように、発光素子6に大電流を流し発光輝度を向上させても、発光素子6からの熱を放熱する放熱体3が第1の金属層20を介して基板2に接続しているので、効率よく伝熱させることができ、放熱体3により放熱させることができる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、反射体5は、発光装置の配光特性と発熱量とに問題がなければ省略することができる。また放熱体3を熱伝導率および放熱率の高い銅としたが、銅と比較して熱伝導率および放熱率に大きな差がなければ他の放熱体とすることもできる。
また、発光素子6を絶縁性基板であるサファイア基板6aに化合物半導体を積層したものとしたが、導電性基板としてもよい。その場合には実装面側伝熱パターンを発光装置のカソード電極とすることで実装基板と発光素子とを容易に導通させることができる。
本発明は、発光素子に大電流を流すことで発生する熱を、効率よく放熱することで輝度向上を図ることが可能なので、基板に発光素子が搭載されると共に、発光素子からの熱を放熱する放熱体を備えた発光装置に好適である。
本発明の実施の形態に係る発光装置を説明する平面図 本発明の実施の形態に係る発光装置を説明する底面図 本発明の実施の形態に係る発光装置の断面図、(A)は図1におけるA−A線断面矢視図、(B)は図1におけるB−B線断面矢視図 基板を説明する平面図 本実施の形態に係る発光装置に用いられる発光素子を説明する図
符号の説明
1 発光装置
2 基板
3 放熱体
3a 開口部
4 樹脂封止部
5 反射体
5a 開口部
6 発光素子
6a サファイア基板
6b n層
6c 発光層
6d p層
6e n電極
6f p電極
10 搭載面側伝熱パターン
10a 位置合わせ部
11 第1のスルーホール導体
12 実装面側伝熱パターン
12a 極性表示
13 ボンディングパッド
14 ワイヤ
15 第2のスルーホール導体
16 接続電極
17 レジスト膜
20 第1の金属層
21 第2の金属層
H 穴部
S1 搭載面
S2 実装面

Claims (5)

  1. 発光素子がダイボンドされた第1の金属パターンが形成された基板と、
    前記発光素子を囲う開口部が形成された放熱体と、
    前記放熱体および前記第1の金属パターンとの間に介在して、前記放熱体および前記第1の金属パターンを接着する金属層と
    を備えたことを特徴とする発光装置。
  2. 前記発光素子とワイヤボンディングされた第2の金属パターンが設けられ、
    前記放熱体の開口部は、前記第2の金属パターン全体を露出するように形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記発光素子は、絶縁性基板に化合物半導体が積層されたものであり、
    前記発光素子に設けられたn電極およびp電極は、2つの第2の金属パターンに、それぞれ接続されていることを特徴とする請求項2記載の発光装置。
  4. 前記放熱体上に、前記発光素子からの光を開口部の反射面で反射して主光出射方向へ出射する反射体が金属層を介在させて設けられていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  5. 前記金属層は、半田、金、銀、銅のいずれか、またはこれらの金属を1種類以上含む合金で形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の発光装置。
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