TWI722857B - 發光裝置 - Google Patents

發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI722857B
TWI722857B TW109111454A TW109111454A TWI722857B TW I722857 B TWI722857 B TW I722857B TW 109111454 A TW109111454 A TW 109111454A TW 109111454 A TW109111454 A TW 109111454A TW I722857 B TWI722857 B TW I722857B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
circuit pattern
pattern layer
light
emitting device
glass substrate
Prior art date
Application number
TW109111454A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202139419A (zh
Inventor
陳俊榮
陳煜東
Original Assignee
恆顥科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 恆顥科技股份有限公司 filed Critical 恆顥科技股份有限公司
Priority to TW109111454A priority Critical patent/TWI722857B/zh
Priority to CN202010411352.1A priority patent/CN113497079A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI722857B publication Critical patent/TWI722857B/zh
Publication of TW202139419A publication Critical patent/TW202139419A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種發光裝置包括玻璃基板、第一電路圖案層、第一圖案化絕緣層、第二電路圖案層以及多個發光元件。玻璃基板具有上表面。第一電路圖案層設置於上表面上。第一圖案化絕緣層設置於上表面上。第一圖案化絕緣層部分地覆蓋第一電路圖案層上。第二電路圖案層設置於上表面上。第二電路圖案層的部分重疊第一電路圖案層。發光元件電性連接第一電路圖案層及第二電路圖案層。第二電路圖案層重疊第一電路圖案層的部分夾設有第一圖案化絕緣層的部分。第一電路圖案層具有第一電壓。第二電路圖案層具有第二電壓。第一電壓與第二電壓不同。

Description

發光裝置
本發明是有關於一種發光裝置,且特別是有關於一種適用於玻璃基板的發光裝置。
隨著發光二極體(light-emitting diode,LED)晶粒的發光效率的提升及生產技術的進步,LED晶粒已逐漸成為照明及顯示領域的主流。舉例來說,次毫米發光二極體顯示裝置(Mini LED Display)與微型發光二極體顯示裝置(Micro LED Display)逐漸吸引各科技大廠的投資目光。次毫米或微型發光二極體顯示裝置具有高色彩飽和度、應答速度快及高對比,且具有低耗能及材料使用壽命長的優勢。
不過,目前進行晶粒轉置的印刷電路板(printed circuit board,PCB)的平整度不高,除了難滿足大面積轉移的需求,更無法製作精細的電路圖案。此外,以高密度設置的LED晶粒在作動時會產生大量的熱能。因此,亟需散熱佳且能製作高精細線路的電路基板。
本發明提供一種發光裝置,其具有精細的電路圖案以及優良的散熱效果。
本發明的發光裝置,包括玻璃基板、第一電路圖案層、第一圖案化絕緣層、第二電路圖案層以及多個發光元件。玻璃基板具有上表面。第一電路圖案層設置於玻璃基板的上表面上。第一圖案化絕緣層設置於上表面上,且第一圖案化絕緣層部分地覆蓋第一電路圖案層上。第二電路圖案層設置於上表面上,且第二電路圖案層的部分重疊第一電路圖案層。發光元件分別電性連接第一電路圖案層及第二電路圖案層。第二電路圖案層重疊第一電路圖案層的部分夾設有第一圖案化絕緣層的部分。第一電路圖案層具有第一電壓。第二電路圖案層具有第二電壓。第一電壓與第二電壓不同。
在本發明的一實施例中,上述的第一電路圖案層包括第一主體部以及連接第一主體部的多個第一電極部。第二電路圖案層包括多條電路線。這些電路線的至少一者包括第二主體部以及連接第二主體部的第二電極部。
在本發明的一實施例中,上述的第一主體部與第二主體部在不同水平高度上部分重疊。第一主體部沿著第一方向延伸。第二主體部沿著第二方向延伸。第一方向垂直於第二方向。
在本發明的一實施例中,上述的第一圖案化絕緣層包括多個第一開口。這些地一開口分別重疊並暴露第一電極部。
在本發明的一實施例中,上述的第二電路圖案層不重疊這些第一開口。
在本發明的一實施例中,上述的發光裝置更包括第二圖案化絕緣層設置於第二電路圖案層上。第二圖案化絕緣層包括多個第二開口。這些第二開口的其中一者重疊並暴露第二電極部。
在本發明的一實施例中,上述的第二圖案化絕緣層更包括多個第三開口。這些第三開口對應重疊這些第一開口。
在本發明的一實施例中,上述的第一電路圖案層包括至少一第一電極部。第二電路圖案層包括多個第二電極部以及連接這些第二電極部的多個橋接部。第一電極部與第二電極部共平面。第一電極部的延伸方向沿著第一方向延伸。這些第二電極部的連接方向沿著第二方向延伸。第一方向垂直於第二方向。
在本發明的一實施例中,上述的這些橋接部的任一者電性連接這些第二電極部的相鄰任兩者。橋接部對應地重疊第一圖案化絕緣層的部分以對應地橫跨這些第一電極部的任一者。
在本發明的一實施例中,上述的玻璃基板包括選自納鈣矽酸鹽玻璃基板、鋁矽酸鹽玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鉛矽酸鹽玻璃基板及藍寶石基板的群組中的一者。
基於上述,由於本發明一實施例的發光裝置具有表面平整度高的玻璃基板,因此可在玻璃基板上,以黃光微影蝕刻製程製作出高精細度的第一電路圖案層及第二電路圖案層。藉此,能進一步提升線路佈局的密度,使發光裝置可滿足高解析度或高亮度的需求。此外,發光裝置的玻璃基板還能將發光元件作動時產生的熱能進行有效且優良的散熱。藉此,發光裝置的效能更可進一步的提升。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
下文列舉一些實施例並配合所附圖式來進行詳細地說明,但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。此外,圖式僅以說明為目的,並未依照原尺寸作圖。為了方便理解,下述說明中相同的元件將以相同之符號標示來說明。
圖1A是本發明一實施例一種發光裝置的局部上視示意圖。圖1B是圖1A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖1A及圖1B為了圖式清楚及方便說明,而省略繪示了部分膜層或元件。請參考圖1A及圖1B,本實施例的發光裝置10包括玻璃基板100、第一電路圖案120設置於玻璃基板100上、第一圖案化絕緣層140設置於玻璃基板100上、第二電路案層160設置於玻璃基板100上以及多個發光元件200分別電性連接第一電路圖案層120及第二電路圖案層160。在本實施例中,第一電路圖案層120與第二電路圖案層160分別具有第一電壓及第二電壓,且第一電壓與第二電壓不同。在上述的設置下,本實施例的發光裝置10可以在玻璃基板100上以精細線路的製作工藝設置第一電路圖案120及第二電路圖案160。此外,玻璃基板100還能將發光元件200作動時產生的熱能進行有效且優良的散熱。在一些實施例中,發光裝置10例如應用為LED光源的背光模組(backlight module,BLM),例如:作為液晶顯示面板的背光模組。在另一些實施例中,發光裝置10例如應用為LED顯示面板(LED display panel),例如:作為戶外大型顯示面板,或室內外皆適用的高亮度的標示用顯示面板。然而,本發明不以此為限。
請參考圖1A及圖1B,發光裝置10包括玻璃基板100。玻璃基板100具有上表面101。在本實施例中,玻璃基板100包括選自鈉鈣矽酸鹽玻璃基板、鋁矽酸鹽玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鉛矽酸鹽玻璃基板及藍寶石基板的群組中的一者,但不以此為限。舉例來說,鈉鈣矽酸鹽玻璃又稱為鈉鈣玻璃。鈉鈣玻璃的基本成分為二氧化矽並含有特定比例的氧化鈉及氧化鈣的材料。鈉鈣矽酸鹽玻璃是生產歷史最悠久的玻璃系統,也是當今產量最高且用途最廣的一種玻璃,其具有成本上的優勢。
在本實施例中,第一電路圖案層120設置於玻璃基板100的上表面101上。第一電路圖案層120包括第一主體部122及連接第一主體部122的多個第一電極部124。在本實施例中,第一電極部124與第一主體部122例如是一體成形的方式設置,使第一電極部124實質上為第一主體部122的一部分。如圖1A所示,第一主體部122沿著第一方向D1(例如:圖1A的左側往右側方向)延伸。
第一電路圖案層120的材質例如是導電性材料,包括金屬材料。所述金屬材料可例如是鈦、銅、鎳、鈀、金、銀或鋁,但本發明不以此為限。在其他實施例中,第一電路圖案層120的材質也可以是上述金屬的合金。
由於第一電路圖案層120設置於玻璃基板100的平整表面上,因此可以透過黃光微影蝕刻製程製作出高精細度的第一電路圖案層120。舉例來說,第一電路圖案層120例如是高精細度的訊號線,其線寬為30微米至800微米,但不以此為限。
在本實施例中,第一圖案化絕緣層140設置於玻璃基板100的上表面101上。第一圖案化絕緣層140至少部分地覆蓋第一電路圖案層120上。如圖1A及圖1B所示,第一圖案化絕緣層140包括多個第一開口142。第一開口142重疊並暴露第一電路圖案層120的第一電極部124。從另一角度來說,第一開口142重疊並暴露的第一電路圖案層120的部分可被定義為第一電極部124。
第一圖案化絕緣層140的材質例如為無機絕緣材料、有機絕緣材料或其組合。舉例而言,無機絕緣材料可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合;有機絕緣材料可以是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料,但本發明不以此為限。
在本實施例中,第二電路圖案層160設置於玻璃基板100的上表面101上。舉例來說,第二電路圖案層160設置於第一圖案化絕緣層140上,且第二電路圖案層160的部分重疊第一電路圖案層120。如圖1B所示,在第二電路圖案層160重疊第一電路圖案層120的部分,第一圖案化絕緣層140的部分夾設於第一電路圖案120與第二電路圖案160之間。在本實施例中,第二電路圖案的材質例如是導電性材料,包括金屬材料。所述金屬材料可例如是鈦、銅、鎳、鈀、金、銀或鋁,但本發明不以此為限。在其他實施例中,第二電路圖案層160的材質也可以是上述金屬的合金。
詳細來說,本實施例的第二電路圖案層160包括多條電路線,例如第一電路線161、第二電路線162及第三電路線163。第一電路線161、第二電路線162及第三電路線163彼此平行地設置,且分別與第一電路圖案層120的第一主體部122垂直交錯。
更詳細來說,以第一電路線161為例,第一電路線161包括第二主體部1612以及連接第二主體部1612的第二電極部1614。在本實施例中,第二電極部1614與第二主體部1612例如是一體成形的方式設置,使第二電極部1614實質上為第二主體部1612的一部分。如圖1A所示,第二主體部1612沿著第二方向D2(例如:圖1A的上側往下側方向)延伸。在本實施例中,第一方向D1垂直於第二方向D2。如此一來,第一主體部122與第二主體部1612在不同的水平高度上交錯並部分重疊,但不以此為限。
此外,第一電路線161的第二主體部1612還不重疊第一開口142。也就是說,在設置第二電路圖案層160時,會避開第一圖案化絕緣層140的第一開口142,使第二電路圖案層160不重疊第一開口142。如此一來,可以在後續的製程中將第一電路圖案層120的訊號引出。
在本實施例中,第二電路圖案層160的第二電路線162包括第二主體部1622及連接第二主體部1622的第二電極部1624。第二電路圖案層160的第三電路線163包括第二主體部1632及連接第二主體部1632的第二電極部1634。第二電路線162及第三電路線163的設置方式與結構類似第一電路線161,故不再贅述。
由於第二電路圖案層160設置於玻璃基板100及第一圖案化絕緣層140的平整表面上,因此可以透過黃光微影蝕刻製程製作出高精細度的第二電路圖案層160。舉例來說,第二電路圖案層160例如是高精細度的訊號線,其線寬為30微米至800微米,但不以此為限。
在本實施例中,發光裝置10還包括第二圖案化絕緣層180。第二圖案化絕緣層180設置於第二電路圖案層160上。如圖1A及圖1B所示,第二圖案化絕緣層180包括多個第二開口182。第二開口182的其中一者重疊並暴露第二電路圖案層160的第一電路線161之第二電極部1614。從另一角度來說,第二開口182重疊並暴露的第一電路線161的部分可被定義為第二電極部1614。
在本實施例中,其他的第二開口182可分別重疊並暴露第二電路線162之第二電極部1624及第三電路線163之第二電極部1634。第二開口182可應用為接觸窗(contact window),以將第二電路圖案層160的訊號引出。
在本實施例中,第二圖案化絕緣層180還包括多的第三開口184。這些第三開口184對應重疊多個第一開口142。在本實施例中,第一開口142與第三開口184可以對齊重疊而使形成的接觸窗具有連續的側壁,但本發明不以此為限。實際上,第一開口142與第三開口184僅須彼此對應地重疊設置,而能形成暴露第一電路圖案層120的接觸窗,即能達成本發明引出第一電路圖案層120的訊號的效果。
第二圖案化絕緣層180的材質例如為無機絕緣材料、有機絕緣材料或其組合。舉例而言,無機絕緣材料可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合;有機絕緣材料可以是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料,但本發明不以此為限。
在一些實施例中,第二圖案化絕緣層180的材質還可以包括反射型絕緣材料,例如:混合有二氧化鈦粒子的透明油墨、透明壓克力系光阻或透明矽系光阻。在另一些實施例中,第二圖案化絕緣層180的材質還可以包括吸收型絕緣材料,例如:混合有碳粒子的墨水、壓克力系光阻或矽系光阻。藉此,發光裝置10在應用為背光模組時可具有良好的光取出效率,或在應用為顯示面板時可具有良好的顯示對比。
在本實施例中,多個導電結構可以設置於第一電路圖案120上或第二電路圖案160上以作為接墊(contact pad)。舉例來說,第一導電結構191可以設置於第一開口142與第三開口184中所形成的接觸窗中並接觸第一電極部124。第二導電結構192可以設置於第二開口182所形成的接觸窗中並接觸第二電極部1614、第二電極部1624及/或第二電極部1634。藉此,第一導電結構191與第二導電結構192可以分別電性連接至第一電路圖案層120及第二電路圖案層160。
第一導電結構191與第二導電結構192的材料例如是導電材料,包括錫膏、 銅膏或銀 ,但不以此為限。
在本實施例中,第一電路圖案層120具有的第一電壓可以大於第二電路圖案層160具有的第二電壓。也就是說,第一導電結構191例如是陽極(anode),而第二導電結構192例如是陰極(cathode),而使電流由第一電路圖案層120經過發光元件200流向第二電路圖案層160,但本發明不以此為限。
在本實施例中,多個發光元件200設置於第二圖案化絕緣層180上。發光元件200例如是次毫米發光二極體(Mini LED)或微型發光二極體(micro LED)。如圖1A及圖1B所示,發光元件200包括第一發光元件210、第二發光元件220及第三發光元件230。以第一發光元件210為例說明,第一發光元件210包括第一接點211及第二接點212。第一接點211電性連接第一導電結構191。第二接點212電性連接第二導電結構192。在上述的設置下,第一發光元件210可以電性連接第一電路圖案層120及第二電路圖案層160的第一電路線161。
在本實施例中,第二發光元件220可透過第一接點221電性連接第一電路圖案層120,並透過第二接點222電性連接第二電路圖案層160的第二電路線162。第三發光元件230可透過第一接點231電性連接第一電路圖案層120,並透過第二接點232電性連接第二電路圖案層160的第三電路線163。在上述的設置下,發光元件200可藉由在不同水平高度設置多層線路的方式,而在單位面積上容納更多及更複雜的線路佈局。如此一來,可以提升發光裝置10的線路的佈局密度,使發光裝置10具有小體積及高解析度的優良品質。
值得注意的是,雙面線路層的印刷電路板的表面平整度不佳,因此無法製作高精細度的電路圖案。本實施例的發光裝置10具有玻璃基板100,其表面平整度高,因此可在玻璃基板100的上表面101上,以黃光微影蝕刻製程製作出高精細度的第一電路圖案層120。接著在玻璃基板100上的平整的第一圖案化絕緣層140上,以黃光微影蝕刻製程製作出高精細度的第二電路圖案層160。在上述的設置下,第一圖案化絕緣層140與第二電路圖案層160可達到線寬小於100微米的高精細度需求,而能進一步提升線路佈局的密度,使發光裝置10可應用於高解析度(例如4K或8K的顯示技術)的顯示裝置,或具有高亮度需求的背光模組。
此外,發光裝置10的玻璃基板100還能將發光元件200作動時產生的熱能進行有效且優良的散熱。藉此,發光裝置10的效能更可進一步的提升。
在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,關於省略了相同技術內容的部分說明可參考前述實施例,下述實施例中不再重複贅述。
圖2是本發明另一實施例的發光裝置的局部上視示意圖。圖2為了圖式清楚及方便說明,而省略繪示了部分膜層或元件。請參考圖1A及圖2,本實施例的發光裝置10A與圖1A的發光裝置10相似,主要的差異在於:多個發光單元200的設置位置及相對應的第一電路圖案層120A與第二電路圖案層160A的圖案。具體來說,在本實施例中,第一電路圖案120A的第一主體部122A沿著第一方向D1延伸,且多個第一電極部124A由第一主體部122A往第二方向D2延伸,或先往第二方向D2延伸再平行第一主體部122A設置以形成分支。這些第一電極部124A部分地重疊第一開口142及第三開口184所形成的接觸窗,並被接觸窗所暴露。
第二電路圖案160A包括第一電路線161A、第二電路線162A及第三電路線163A。第一電路線161A的第二主體部1612A平行於第二電路線162A的第二主體部1622A及第三電路線163A的第二主體部1632A。第二主體部1612A、第二主體部1622A與第二主體部1632A沿著第二方向D2延伸。第二電極部1614A由第二主體部1612A往第一方向D1延伸。第二電極部1634A由第二主體部1632A往第一方向D1延伸。第二電極部1614A及第二電極部1634A分別重疊不同的兩個第二開口182,且被上述的兩個第二開口182所暴露。在本實施例中,第一發光元件210電性連接第一電極部124A及第二電極部1614A。第三發光元件230電性連接第一電極部124A及第二電極部1634A。
如圖2所示,在第二方向D2上,由於第二電路線162A的第二主體部1622A與第二電極部1624A之間設置有第一電路線161A,因此第二電極部1624A無法直接地連接至第二主體部1622A。本實施例的第二電路線162A透過與第一電路圖案層120A同層設置的第二電極部1624A以橫跨第一電路線161A。
具體來說,第二電極部1624A與第一電路圖案層120A共平面的設置。如此一來,第二電極部1624A的一端可在重疊第二主體部1622A的位置上,透過通孔V1以彼此電性連接。第二電極部1624A的另一端重疊第二開口182並被第二開口182所暴露。在上述的設置下,第二電路線162A可以通過設置第一電路圖案層120A時同時設置的第二電極部1624A,橫跨第一電路線161A而達成將後續設置的第二發光元件220連接至第二主體部1622A的技術效果。如此一來,本實施例可以不額外設置線路層而完成線路佈局,進而能簡化製程。
在本實施例中,第二發光元件220電性連接第一電極部124A及第二電極部1624A。在上述的設置下,本實施例的發光裝置10A透過在不同水平高度設置多層線路的方式,除了在單位面積上容納更多及更複雜的線路佈局外,更增加了線路佈局裕度。此外,發光裝置10A還可獲致與上述實施例相同的效果。
圖3是本發明又一實施例的發光裝置的剖面示意圖。請參考圖1B及圖3,本實施例的發光裝置10B與圖1B的發光裝置10相似,主要的差異在於:本實施例的發光裝置10B例如為具有四層線路層的結構,但線路層的數量不以此為限。具體來說,發光裝置10B包括玻璃基板100、第一電路圖案層120B、第一圖案化絕緣層140B、第二電路圖案層160B、第二圖案化絕緣層180B、第三電路圖案層130B、第三圖案化絕緣層320B、第四電路圖案層150B以及第四圖案化絕緣層340B。第三電路圖案層130B以及第四電路圖案層150B的材料與第一電路圖案層120B、第二電路圖案層160B的材料相似,故不再贅述。第三圖案化絕緣層320B以及第四圖案化絕緣層340B的材料與第一圖案化絕緣層140B、第二圖案化絕緣層180B的材料相似,故不再贅述。
在本實施例中,部分的第一電路圖案層120B還可以暴露於第一圖案化絕緣層140B外。此外,部分的第二電路圖案層160B也可以暴露於第二圖案化絕緣層180B外。如此一來,第一電路圖案層120B與第二電路圖案層160B可應用為訊號的接點,但不以此為限。
在本實施例中,第三電路圖案層130B設置於第二圖案化絕緣層180B上,且第三電路圖案層130B不重疊第二開口182B。第三電路圖案層130B還可設置於第一開口142B與第三開口184B中,以電性連接至第一電路圖案層120B。
第三圖案化絕緣層320B設置於第三電路圖案層130B上,且具有多個第四開口322B重疊並暴露第三電路圖案層130B。此外,第三圖案化絕緣層320B還包括多個第五開口324B。第五開口324B對應重疊第二開口182B。
第四電路圖案層150B設置於第三圖案化絕緣層320B上,且第四電路圖案層150B不重疊第四開口322B。第四電路圖案層150B還可設置於第二開口182B與第五開口324B中,以電性連接至第二電路圖案層160B。
第四圖案化絕緣層340B設置於第四電路圖案層150B上,且具有多個第六開口342B重疊並暴露第四電路圖案層150B。此外,第四圖案化絕緣層340B還包括多個第七開口344B。第七開口344B對應重疊第四開口322B。
在上述的設置下,第一導電結構191可以設置於第四開口322B與第七開口344B中並接觸第三電路圖案層130B,以電性連接第一電路圖案層120B。第二導電結構192可以設置於第六開口342B中並接觸第四電路圖案層150B,以電性連接第二電路圖案層160B。藉此,發光元件200(包括第一發光元件210、第二發光元件220及第三發光元件230)可設置於第一導電結構191及第二導電結構192上,並藉由不同水平高度的多層線路層的方式,容納更多及更複雜的線路佈局。如此一來,可以提升發光裝置10B的線路的佈局密度,使發光裝置10B具有小體積及高解析度的優良品質。此外,發光裝置10B還可獲致與上述實施例相同的效果。
圖4A是本發明再一實施例的發光裝置的局部上視示意圖。圖4A為了圖式清楚及方便說明,而省略繪示了部分膜層或元件。圖4B是圖4A的剖面線B-B’的剖面示意圖。圖4C是圖4A的剖面線C-C’的剖面示意圖。請參考圖4A及圖1A,本實施例的發光裝置10C與圖1A的發光裝置10相似,主要的差異在於:第一電路圖案層120C與第二電路圖案層160C的至少部分共平面。
舉例來說,發光裝置10C的第一電路圖案層120C包括多個第一電極部121C設置於玻璃基板100上。這些第一電極部121C的延伸方向例如是沿著第一方向D3延伸(例如:圖4A的上側往下側方向)。如圖4A所示,多個第一電極部121C平行地沿著第二方向D4排列成多個直行M、M+1、M+2、M+3。在本實施例中,第一方向D3垂直於第二方向D4。
第二電路圖案層160C包括多個第二電極部(例如第二電極部161C、162C)設置於玻璃基板100上。這些第二電極部161C、162C的排列方向例如是沿著第二方向D4延伸(例如:圖4A的左側往右側方向),以形成一橫列N。多個第二電極部的橫列N、N+1、N+2、N+3可以沿著第一方向D3排列。
第二電路圖案層160C還包括多個橋接部163C。橋接部163C設置於相鄰的兩個第二電極部161C、162C之間,以將相鄰兩個第二電極部161C、162C彼此電性連接。由於相鄰的兩個第二電極部161C、162C之間設置有一個第一電極部121C,因此可透過第二電路圖案層160C的橋接部163C來橫跨第一電極部121C,使第二電極部161C、162C的連接方向可以沿著第二方向D4延伸。
請同時參考圖4A及圖4B。具體來說,由於第一電極部121C與第二電極部161C、162C共平面,且相鄰的兩個第二電極部161C、162C設置有第一電極部121C。因此,將第一圖案化絕緣層140C設置於第一電極部121C的部分上。舉例來說,在橫列N、N+1、N+2、N+3上,第一圖案/化絕緣層140C重疊第一電極部121C的部分。橋接部163C對應地重疊第一圖案化絕緣層140C以對應地橫跨的一電極部121C。藉此,橋接部163C可電性連接相鄰的兩個第二電極部161C、162C,而能將訊號在橫列N、N+1、N+2、N+3上的多個第二電極部依序傳遞。在上述的設置下,第一電路圖案層120C與第二電路圖案層160C可以在相同高度的平面上達成交錯排列。
請參考圖4A及圖4C,多個發光元件200還可以陣列方式設置於第一電路圖案層120C及第二電路圖案層160C上。發光元件200的第一接點201可以透過第一導電結構191以電性連接至第一電極部121C(第一電路圖案層120C)。第二接點202可以透過第二導電結構192以電性連接至第二電極部162C(第二電路圖案層160C)。在本實施例中,第一電路圖案層120C具有的第一電壓可以大於第二電路圖案層160C具有的第二電壓。也就是說,第一導電結構191例如是陽極(anode),而第二導電結構192例如是陰極(cathode),但本發明不以此為限。藉此,第一電路圖案層120C與第二電路圖案層160C能夠以陣列的方式驅動多個發光元件200,而使發光裝置10C能應用於背光模組或顯示面板的領域中。
在上述的設置下,發光裝置10C可以在同一水平高度上,設置第一電路圖案層120C與第二電路圖案層160C,且第二電路圖案層160C的第二電極部161C、162C可以透過橋接部163C達成橫跨第一電路圖案層120C的技術手段。如此一來,發光裝置10C除了可以不額外設置線路層而完成線路佈局,進而能簡化製程,還可以具有薄型化的優勢。此外,發光裝置10C還可獲致與上述實施例相同的效果。
綜上所述,本發明一實施例的發光裝置,由於具有表面平整度高的玻璃基板,因此可在玻璃基板上,以黃光微影蝕刻製程製作出高精細度的第一電路圖案層及第二電路圖案層。在上述的設置下,第一圖案化絕緣層與第二電路圖案層可達到精細線寬的高精細度需求,而能進一步提升線路佈局的密度,使發光裝置可滿足高解析度或高亮度的需求。此外,發光裝置的玻璃基板還能將發光元件作動時產生的熱能進行有效且優良的散熱。藉此,發光裝置的效能更可進一步的提升。另外,發光裝置還能在單位面積上容納更多及更複雜的線路佈局。如此一來,可以提升發光裝置的線路的佈局密度,使發光裝置具有小體積及高解析度的優良品質。此外,發光裝置還能在不額外設置線路層而完成線路佈局,進而能簡化製程,更具有薄型化的優勢。
10、10A、10B、10C:發光裝置 100:玻璃基板 101:上表面 120、120A、120B、120C:第一電路圖案層 121C、124、124A:第一電極部 122、122A:第一主體部 126A:連接線路 130B:第三電路圖案層 140、140B、140C:第一圖案化絕緣層 142、142B:第一開口 150B:第四電路圖案層 160、160A、160B、160C:第二電路圖案層 161、161A:第一電路線 1614、1614A、1624、1624A、1634、1634A、161C、162C:第二電極部 1612、1612A、1622、1622A、1632、1632A:第二主體部 162、162A:第二電路線 163、163A:第三電路線 163C:橋接部 180、180B:第二圖案化絕緣層 182、182B:第二開口 184、184B:第三開口 191:第一導電結構 192:第二導電結構 200:發光元件 210:第一發光元件 201、211、221、231:第一接點 202、212、222、232:第二接點 220:第二發光元件 230:第三發光元件 320B:第三圖案化絕緣層 322B:第四開口 324B:第五開口 340B:第四圖案化絕緣層 342B:第六開口 344B:第七開口 A-A’、B-B’、C-C’:剖面線 D1、D3:第一方向 D2、D4:第二方向 M、M+1、M+2、M+3:直行 N、N+1、N+2、N+3:橫列 V1:通孔
圖1A是本發明一實施例一種發光裝置的局部上視示意圖。 圖1B是圖1A的剖面線A-A’的剖面示意圖。 圖2是本發明另一實施例的發光裝置的局部上視示意圖。 圖3是本發明又一實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖4A是本發明再一實施例的發光裝置的局部上視示意圖。 圖4B是圖4A的剖面線B-B’的剖面示意圖。 圖4C是圖4A的剖面線C-C’的剖面示意圖。
10:發光裝置
100:玻璃基板
101:上表面
120:第一電路圖案層
122:第一主體部
124:第一電極部
140:第一圖案化絕緣層
142:第一開口
160:第二電路圖案層
161:第一電路線
1614、1624、1634:第二電極部
1612、1622、1632:第二主體部
162:第二電路線
163:第三電路線
180:第二圖案化絕緣層
182:第二開口
184:第三開口
191:第一導電結構
192:第二導電結構
200:發光元件
210:第一發光元件
211、221、231:第一接點
212、222、232:第二接點
220:第二發光元件
230:第三發光元件
A-A’:剖面線

Claims (7)

  1. 一種發光裝置,包括:一玻璃基板,具有一上表面;一第一電路圖案層設置於該玻璃基板的該上表面上,其中該第一電路圖案層包括一第一主體部以及連接該第一主體部的多個第一電極部;一第一圖案化絕緣層設置於該上表面上,且該第一圖案化絕緣層部分地覆蓋該第一電路圖案層上,其中該第一圖案化絕緣層包括多個第一開口,且該些第一開口分別重疊並暴露該些第一電極部;一第二電路圖案層設置於該上表面上,且該第二電路圖案層的部分重疊該第一電路圖案層,其中該第二電路圖案層包括多條電路線,該些電路線的至少一者包括一第二主體部以及連接該第二主體部的一第二電極部;一第二圖案化絕緣層設置於該第二電路圖案層上,其中該第二圖案化絕緣層包括多個第二開口,且該些第二開口的其中一者重疊並暴露該第二電極部;以及多個發光元件分別電性連接該第一電路圖案層及該第二電路圖案層,其中該第二電路圖案層重疊該第一電路圖案層的部分夾設有該第一圖案化絕緣層的部分;其中該第一電路圖案層具有一第一電壓,該第二電路圖案層 具有一第二電壓,且該第一電壓與該第二電壓不同。
  2. 如請求項1所述的發光裝置,其中該第一主體部與該第二主體部在不同水平高度上部分重疊,且該第一主體部沿著一第一方向延伸,該第二主體部沿著一第二方向延伸,其中該第一方向垂直於該第二方向。
  3. 如請求項1所述的發光裝置,其中該第二電路圖案層不重疊該些第一開口。
  4. 如請求項1所述的發光裝置,其中該第二圖案化絕緣層更包括多個第三開口,且該些第三開口對應重疊該些第一開口。
  5. 一種發光裝置,包括:一玻璃基板,具有一上表面;一第一電路圖案層,設置於該玻璃基板的該上表面上;一第一圖案化絕緣層,設置於該上表面上,且該第一圖案化絕緣層部分地覆蓋該第一電路圖案層上;一第二電路圖案層,設置於該上表面上,且該第二電路圖案層的部分重疊該第一電路圖案層;以及多個發光元件,分別電性連接該第一電路圖案層及該第二電路圖案層,其中該第二電路圖案層重疊該第一電路圖案層的部分夾設有該第一圖案化絕緣層的部分;其中該第一電路圖案層具有一第一電壓,該第二電路圖案層具有一第二電壓,且該第一電壓與該第二電壓不同; 其中該第一電路圖案層包括至少一第一電極部,該第二電路圖案層包括多個第二電極部以及連接該些第二電極部的多個橋接部,其中該至少一第一電極部與該些第二電極部共平面,該至少一第一電極部的延伸方向沿著一第一方向延伸,且該些第二電極部的連接方向沿著一第二方向延伸,其中該第一方向垂直於該第二方向。
  6. 如請求項5所述的發光裝置,其中該些橋接部的任一者電性連接該些第二電極部的相鄰任兩者,且該橋接部對應地重疊該第一圖案化絕緣層的部分以對應地橫跨該些第一電極部的任一者。
  7. 如請求項1或5所述的發光裝置,其中該玻璃基板包括選自鈉鈣矽酸鹽玻璃基板、鋁矽酸鹽玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鉛矽酸鹽玻璃基板及藍寶石基板的群組中的一者。
TW109111454A 2020-04-06 2020-04-06 發光裝置 TWI722857B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109111454A TWI722857B (zh) 2020-04-06 2020-04-06 發光裝置
CN202010411352.1A CN113497079A (zh) 2020-04-06 2020-05-15 发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109111454A TWI722857B (zh) 2020-04-06 2020-04-06 發光裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI722857B true TWI722857B (zh) 2021-03-21
TW202139419A TW202139419A (zh) 2021-10-16

Family

ID=76036142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109111454A TWI722857B (zh) 2020-04-06 2020-04-06 發光裝置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN113497079A (zh)
TW (1) TWI722857B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201616699A (zh) * 2014-10-30 2016-05-01 新世紀光電股份有限公司 驅動覆晶發光晶片之電路板及包含其之發光模組
TW201907555A (zh) * 2017-07-05 2019-02-16 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示面板
TW201946295A (zh) * 2013-06-27 2019-12-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件
TW202013764A (zh) * 2013-07-17 2020-04-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體結構

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103487973B (zh) * 2012-06-12 2016-01-20 介面光电股份有限公司 偏光片的触控感应元件制作方法与该方法制作的偏光装置
US10103069B2 (en) * 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
CN108417682B (zh) * 2018-03-22 2020-03-20 厦门市三安光电科技有限公司 一种微型发光元件及其制作方法
TWI656466B (zh) * 2018-03-26 2019-04-11 財團法人工業技術研究院 觸控顯示面板
TWI691104B (zh) * 2018-07-18 2020-04-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
CN109979981B (zh) * 2019-03-29 2021-05-14 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201946295A (zh) * 2013-06-27 2019-12-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件
TW202013764A (zh) * 2013-07-17 2020-04-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體結構
TW201616699A (zh) * 2014-10-30 2016-05-01 新世紀光電股份有限公司 驅動覆晶發光晶片之電路板及包含其之發光模組
TW201907555A (zh) * 2017-07-05 2019-02-16 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示面板

Also Published As

Publication number Publication date
TW202139419A (zh) 2021-10-16
CN113497079A (zh) 2021-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI668856B (zh) 發光二極體面板
TWI467528B (zh) 發光二極體顯示面板及其製作方法
TWI661585B (zh) 發光二極體封裝
CN213718310U (zh) 电路板、灯板、背光模组及显示装置
CN112291923A (zh) 电路板、灯板、背光模组及显示装置
WO2021087726A1 (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112310140B (zh) Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法
TWI830424B (zh) 電子裝置
TWI722857B (zh) 發光裝置
CN112768590A (zh) 一种显示面板的制备方法及显示面板
WO2022007074A1 (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
WO2023005610A1 (zh) 驱动基板及其制备方法、发光装置
CN113990884A (zh) 驱动基板及其制备方法和显示装置
CN115704975A (zh) 用于发光二极管组件的电路板、包括该电路板的背光单元和包括该背光单元的图像显示设备
WO2022266795A1 (zh) 驱动背板及其制作方法、显示装置
CN115704976A (zh) 用于发光二极管组件的电路板、包括该电路板的背光单元和包括该背光单元的图像显示设备
CN114023770A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、发光装置
CN113314509A (zh) 发光装置
WO2024036636A1 (zh) 基板和电子装置
US11835816B2 (en) Circuit board for light-emitting diode assembly, backlight unit including the same and image display device including the same
WO2024000661A1 (zh) 显示面板及其制作方法、电子终端
US20220271064A1 (en) Driving Backplane, Preparation Method for Same, and Display Device
CN112785931B (zh) 显示装置
TWI856334B (zh) 電子裝置
CN112242413B (zh) 灯板及显示装置