CN114447174B - 一种发光芯片外延片、检测系统及检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种发光芯片外延片、检测系统及检测方法，涉及显示技术领域，该发光芯片外延片可以在巨量转移前对发光芯片实现较为精确、快速的批量检测。该发光芯片外延片包括：衬底以及设置在所述衬底上的阵列排布的多个区块，所述区块包括设置在所述衬底上的多个电极层，所述电极层包括相互绝缘的第一电极和第二电极；各所述区块内的所有所述第一电极电连接、且所有所述第二电极相互绝缘；相邻所述区块间的所述第一电极相互绝缘。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光芯片外延片、检测系统及检测方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)和次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，简称Mini LED)是近年来LED(Light EmittingDiode，发光二极管)技术发展的主力，Micro/Mini LED发光芯片可广泛应用到液晶显示器背光源、Micro/Mini RGB显示屏、小间距显示屏等领域。
但是，Micro/Mini LED发光芯片的尺寸非常小。由于工艺精度不足、外延层厚度下降以及静电损伤程度加大等原因，导致Micro/Mini LED发光芯片的良率出现大幅下降。那么，在将Micro/Mini LED发光芯片巨量转移到显示器件中时，会造成显示器件的良率降低。
因此，亟需在巨量转移前就对Micro/Mini LED发光芯片进行检测、筛选，以去除不良的Micro/Mini LED发光芯片，从而避免由于将不良的Micro/Mini LED发光芯片巨量转移到显示器件中时，影响显示器件的良率。
发明内容
本发明的实施例提供一种发光芯片外延片、检测系统及检测方法，该发光芯片外延片可以在巨量转移前对发光芯片实现较为精确、快速的批量检测。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种发光芯片外延片、检测系统及检测方法，该发光芯片外延片包括：衬底以及设置在所述衬底上的阵列排布的多个区块，所述区块包括设置在所述衬底上的多个电极层，所述电极层包括相互绝缘的第一电极和第二电极；
各所述区块内的所有所述第一电极电连接、且所有所述第二电极相互绝缘；相邻所述区块间的所述第一电极相互绝缘。
可选的，所述区块还包括导电层，所述导电层与所有所述第一电极电连接、且与所有所述第二电极相互绝缘。
可选的，所述区块还包括阵列排布的多个发光层，所述导电层、所述第一电极和所述第二电极均设置在所述发光层远离所述衬底的一侧；
所述导电层的形状包括网格状。
可选的，所述发光层包括依次层叠设置在所述衬底之上的电子注入层和空穴注入层；
所述第一电极设置在所述电子注入层远离所述衬底的一侧；所述第二电极设置在所述空穴注入层远离所述衬底的一侧；
所述第一电极和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向的高度不同。
可选的，相邻所述发光层之间具有空隙，所述导电层覆盖至少部分所述空隙。
可选的，所述导电层的材料包括导电光刻胶或导电流体。
可选的，在所述导电层的材料包括导电光刻胶的情况下，所述导电光刻胶包括负性光刻胶和石墨烯、或者负性光刻胶和银粉。
相邻所述区块之间的间距大于相邻所述发光层之间的间距。
另一方面，提供了一种检测系统，包括：多个检测装置和上述发光芯片外延片；
所述检测装置包括第一探针部和第二探针部，所述第一探针部与所述发光芯片外延片的各区块中的所有第二电极电连接；所述第二探针部与所述发光芯片外延片的各区块中的所有第一电极电连接。
可选的，所述第一探针部包括依次层叠设置的透明导电接触层、透镜和探测器；
所述透明导电接触层与所有所述第二电极电连接、且被配置为：在通电状态下与所述第二探针部共同向所述发光芯片外延片的各所述区块中的所有所述第一电极和所述第二电极通电；
所述透镜被配置为：汇聚发光层发出的光线，并射向所述探测器；
所述探测器被配置为：接收所述光线，并检测所述发光层是否正常发光。
可选的，所述第一电极和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向的高度不同；
所述透明导电接触层整层设置。
可选的，所述第一电极和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向的高度相同；
所述透明导电接触层包括多个分立的透明导电接触块，所述透明导电接触块与所有所述第二电极电连接。
可选的，相邻所述区块之间的间距大于相邻所述发光层之间的间距。
又一方面，提供了一种上述检测系统的检测方法，所述检测方法包括：
将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触；
向所述第一探针部和所述第二探针部通电；
检测发光层是否正常发光。
可选的，发光芯片外延片包括导电层，所述导电层的材料包括导电光刻胶；
所述将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触包括：
将所述第一探针部与所有第二电极接触、且将所述第二探针部与所述导电光刻胶接触。
可选的，发光芯片外延片包括导电层，所述导电层的材料包括导电流体；第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度不同；
所述将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触包括：
将所述第一探针部与所有第二电极接触、且将所述第二探针部与所述导电流体接触。
可选的，第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度相同；第一探针部包括依次层叠设置的透明导电接触层、透镜和探测器；所述透明导电接触层包括多个分立的透明导电接触块；
所述将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触包括：
将所述透明导电接触块与所有所述第二电极电连接、且将第二探针部与第一电极接触。
本发明的实施例提供了一种发光芯片外延片，该发光芯片外延片包括：衬底以及设置在发光芯片外延片衬底上的阵列排布的多个区块，发光芯片外延片区块包括设置在发光芯片外延片衬底上的多个电极层，发光芯片外延片电极层包括相互绝缘的第一电极和第二电极；各发光芯片外延片区块内的所有发光芯片外延片第一电极电连接、且所有发光芯片外延片第二电极相互绝缘；相邻发光芯片外延片区块间的发光芯片外延片第一电极相互绝缘。从而在巨量转移前需要对发光芯片外延片进行检测时，由于同一区块内互连的第一电极增大了检测电极的面积，使得测试探针可以精确地扎到第一电极上；同时可以整体对同一区块内的发光芯片进行检测，从而实现快速批量的检测。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特列举本申请的具体实施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种发光芯片外延片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种发光芯片外延片中各区块包括曝光、显影后的导电层的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种发光芯片外延片中各区块包括未曝光、显影前的导电层的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种发光芯片外延片中各区块置于容器中的结构示意图；
图5为图4所示的容器中设置有液位探测器的结构示意图；
图6为图5所示的容器中倒入导电流体后的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种光电液位传感器的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种检测系统的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种检测系统的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种检测系统的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的再一种检测系统的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本发明实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
在本发明的实施例中，“多个”的含义是两个或两个以上。
随着显示技术的提高，人们对基于Micro/Mini LED的4K、8K等高性能的TV(Television，电视机)、MNT(Monitor，显示器)、NB(NoteBook Computer，笔记本电脑)和全彩户外显示屏等产品的需求越来越多。与LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)相比，Micro/Mini LED显示具有亮度高、电压需求低、使用年限长、色彩还原度高、抗外界干扰强等优点。
Micro/Mini LED芯片作为Micro/Mini LED产品的核心发光器件，对其性能的要求越来越严苛。Micro/Mini LED芯片的尺寸非常小，由于制作工艺过程中存在的设备精度不足、外延层厚度下降以及芯片抗静电能力下降等等的限制，Micro/Mini LED芯片的良率会有一定程度的下降。若将这些Micro/Mini LED芯片直接应用于Micro/Mini LED产品，就会导致Micro/Mini LED产品的良率下降，此时再去检测、筛选Micro/Mini LED芯片变得难以实现。因此，需要在将Micro/Mini LED芯片巨量转移到Micro/Mini LED产品之前，就对Micro/Mini LED芯片进行检测、筛选，在选择出符合要求的Micro/Mini LED芯片后，再将符合要求的Micro/Mini LED芯片巨量转移到Micro/Mini LED产品中。
相关技术中常采用针刺式电学检测方法在巨量转移前对Micro/Mini LED芯片进行检测，但该检测方法存在以下两方面的缺点：一方面，由于Micro/Mini LED芯片的尺寸非常小，使得Micro/Mini LED芯片的电极尺寸更小，导致针刺式电学检测中的测试探针难以精确地扎到Micro/Mini LED芯片的电极上；另一方面，针刺式电学检测方法的速度太慢，难以实现快速、批量的检测。这两方面的原因共同导致了针刺式电学检测方法在巨量转移前对Micro/Mini LED芯片的检测难以完成，从而严重限制了Micro/Mini LED产品的良率。
基于上述，本发明实施例提供了一种发光芯片外延片。参考图1所示，该发光芯片外延片A包括：衬底1以及设置在衬底1上的阵列排布的多个区块2。
参考图2所示，区块2包括设置在衬底1上的多个电极层20，电极层20包括相互绝缘的第一电极201和第二电极202；各区块2内的所有第一电极201电连接、且所有第二电极202相互绝缘；相邻区块2间的第一电极201相互绝缘。
上述发光芯片外延片是指：在衬底上制作的具有多个独立发光芯片的基板。在对发光芯片外延片上的发光芯片进行检测、筛选后，将符合要求的发光芯片巨量转移到发光基板上进行应用。这里对于发光芯片的类型不做具体限定。示例的，发光芯片可以包括Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微发光二极管)芯片；或者，发光芯片还可以包括Mini LED(Mini Light Emitting Diode，次毫米发光二极管)芯片。
这里对于上述衬底的材料不做具体限定。示例的，该衬底的材料可以包括蓝宝石、硅或者碳化硅中的任一种。
上述发光芯片外延片包括设置在衬底上的阵列排布的多个区块。在衬底上制作多个独立的发光芯片时，外延片在外延的过程中受温度均匀性、外延层与衬底的面内应力问题等因素的影响，可能产生翘曲。这种外延片的翘曲主要表现在外延片边缘的实际高度与外延片内部的实际高度存在差异，从而使得设置在外延片边缘的发光芯片的实际高度与设置在外延片内部的发光芯片的实际高度不一致。进而在对发光芯片进行检测时，位于同一高度的测试探针与不同高度的发光芯片的接触情况不同，例如位于同一高度的测试探针可以与高度较高的发光芯片接触，却无法与高度较低的发光芯片接触，导致影响检测精度。为了尽可能避免这种情况，降低衬底翘曲对发光芯片检测过程中造成的干扰，在发光芯片外延片的衬底上设置阵列排布的多个区块，各区块具有特定的面积，各区块包含一定数量的发光芯片。例如发光芯片外延片边缘的一定面积为一个区块，发光芯片外延片中心的一定面积为一个区块。将这些区块互相之间隔开，留出一定的间距，从而可以单独对各区块内的发光芯片进行测试。
这里对于上述各区块的面积、各区块内包含的发光芯片的数量不做具体限定。其中，发光芯片的数量与发光芯片的尺寸以及发光芯片之间的间距有关，发光芯片的尺寸以及发光芯片之间的间距越大，发光芯片的数量越少。相邻区块之间的间距需要大于相邻发光芯片之间的间距，从而方便对发光芯片进行检测。示例的，在单个发光芯片的尺寸范围小于50um的情况下，相邻区块之间的间距包括30um-200um，优选为50um-100um。此时，各区块内包含的发光芯片的数量包括100×100个-400×400个。图2以各区块包括两个发光芯片为例进行绘示。参考图2所示，发光芯片包括依次层叠设置在衬底1上的发光层22和电极层20。
上述电极层包括相互绝缘的第一电极和第二电极。这里对于上述电极层的材料不做具体限定，示例的，该电极层的材料可以包括金属等。这里对于第一电极和第二电极的极性均不做具体限定，只需要第一电极和第二电极的极性相反即可。示例的，在第一电极为n型电极的情况下，第二电极为p型电极，此时第一电极设置在电子注入层远离衬底的一侧，第二电极设置在空穴注入层远离衬底的一侧；或者，在第一电极为p型电极的情况下，第二电极为n型电极，此时第一电极设置在空穴注入层远离衬底的一侧，第二电极设置在电子注入层远离衬底的一侧。
本发明实施例提供的发光芯片外延片中，各区块内的所有第一电极电连接、且所有第二电极相互绝缘，相邻区块间的第一电极相互绝缘，从而实现了同一区块内的第一电极互连、不同区块间的第一电极绝缘。这样在巨量转移前需要对发光芯片外延片进行检测时，由于同一区块内互连的第一电极增大了检测电极的面积，使得测试探针可以精确地扎到第一电极上；同时可以整体对同一区块内的发光芯片进行检测，从而实现快速批量的检测。
可选的，参考图2所示，区块2还包括导电层21，导电层21与所有第一电极201电连接、且与所有第二电极202相互绝缘。
这里对于上述导电层的材料、形状、位置等均不做具体限定，该导电层只要能够与所有第一电极电连接即可。示例的，该导电层的材料可以包括导电光刻胶或者导电流体。示例的，该导电层可以呈网格状结构设置在第一电极四周；当然，该导电层还可以如图2所示设置在相邻发光层22之间、并覆盖相邻发光层22之间的空隙，但需要避免与第二电极接触。
本发明实施例提供的发光芯片外延片是通过导电层实现同一区块内的第一电极互连的，从而在巨量转移前需要对发光芯片外延片进行检测时，测试探针扎到导电层上即扎到各区块内所有待测发光芯片的第一电极上，从而可以实现精确检测。
可选的，参考图2所示，区块2还包括阵列排布的多个发光层22，导电层21、第一电极201和第二电极202设置在发光层22远离衬底1的一侧；导电层21的形状包括网格状。从而可以通过网格状的导电层实现同一区块内的第一电极互连，且简单易操作。
这里对于上述发光层的结构、数量等均不做具体限定，图2以区块2包括阵列排布的两个发光层22为例进行绘示。示例的，各发光层可以包括依次层叠设置在衬底上的电子注入层、发光层和空穴注入层；或者，各发光层可以包括依次层叠设置在衬底上的空穴注入层、发光层和电子注入层。图2以各发光层22包括依次层叠设置在衬底1上的电子注入层221、发光层222和空穴注入层223为例进行绘示。
这里对于同一区块内相邻发光层之间的间距不做具体限定。示例的，在单个发光芯片的尺寸范围小于50um的情况下，相邻发光层之间的间距包括5um-100um，优选为10um-30um。
上述各发光层和导电层构成一个发光芯片，图2以一个区块包括两个发光芯片为例进行绘示。参考图2所示，一个发光芯片包括依次层叠设置在衬底1上的发光层22、绝缘层23、电极层20和导电层21。其中，发光芯片的制作工艺过程包括台面刻蚀(例如形成如图2所示的第一电极和第二电极沿垂直于衬底方向的高度差)、相邻发光芯片之间区域的深刻蚀和切割(例如形成图2所示的相邻发光芯片之间的空隙)、绝缘层的蒸镀(例如形成图2所示的绝缘层23)和电极的蒸镀(例如形成图2所示的第一电极201和第二电极202)等等。
可选的，参考图2所示，发光层22包括依次层叠设置在衬底1之上的电子注入层221和空穴注入层223；第一电极201设置在电子注入层221远离衬底1的一侧；第二电极202设置在空穴注入层223远离衬底1的一侧；第一电极201和第二电极202沿垂直于衬底1的方向的高度不同。这样由发光层与第一电极和第二电极形成的发光芯片可以适用于正装结构和倒装结构，且在工艺过程中不需要对第一电极和第二电极进行特殊的处理使其高度相同，从而能够简化制作工艺。
上述发光层是发光芯片的发光区，可对载流子起约束作用。这里对于该发光层的材料不做具体限定。示例的，发光层的材料可以包括多量子阱。
上述电子注入层可用于提供电子，可作为发光层的N区。这里对于该电子注入层的材料不做具体限定。示例的，电子注入层的材料可以包括氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)或者氧化锌(ZnO)中的任一种。
上述空穴注入层可用于提供空穴，可作为发光层的P区。这里对于该空穴注入层的材料不做具体限定。示例的，空穴注入层的材料可以包括氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)或者氧化锌(ZnO)中的任一种。
参考图2所示，第一电极201可以与电子注入层221连接，从而作为发光芯片的N电极。第二电极202可以与空穴注入层223连接，从而作为发光芯片的P电极。
第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度不同。这里对于第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度的高低不做具体限定。示例的，可以是第一电极沿垂直于衬底的方向的高度高于第二电极沿垂直于衬底的方向的高度；或者，还可以是第一电极沿垂直于衬底的方向的高度低于第二电极沿垂直于衬底的方向的高度。图2以第一电极201沿垂直于衬底1的方向的高度低于第二电极202沿垂直于衬底1的方向的高度为例进行绘示。
需要说明的是，上述发光层还可以包括其它膜层，例如：发光层包括设置在发光层远离所述电子注入层一侧的电子阻挡层，可用于阻挡电子泄露到发光层的P区，提高发光复合区中电子和空穴的复合率。
可选的，为了通过导电层将相邻发光层之间的第一电极电连接，参考图2所示，相邻发光层22之间具有空隙，导电层21覆盖至少部分空隙。
这里对于上述空隙不做具体限定。示例的，在单个发光芯片的尺寸范围小于50um的情况下，相邻发光层之间的空隙包括5um-100um，优选为10um-30um。
上述导电层覆盖至少部分空隙是指：导电层可以覆盖部分空隙；或者，导电层还可以覆盖全部空隙。图2以导电层21覆盖全部空隙为例进行绘示，此时可以充分保证相邻发光层之间的第一电极电连接。
可选的，导电层的材料包括导电光刻胶或导电流体。
这里对于上述导电光刻胶的材料不做具体限定。示例的，该导电光刻胶的材料可以包括正性导电光刻胶与导电物质进行混合的混合物、或者负性导电光刻胶与导电物质进行混合的混合物。这里的导电物质可以包括石墨烯、银粉等等。
这里对于上述导电光刻胶的制作工艺不做具体限定。示例的，该导电光刻胶的制作工艺可以包括旋涂、曝光、显影等工艺。具体的，首先通过旋涂的方法将导电光刻胶整体旋涂在衬底的表面，旋涂导电光刻胶后的发光芯片如图3所示，此时再对其进行曝光、显影等工艺，去除部分光刻胶，保留部分光刻胶，例如可以去除如图2所示的与第二电极202电连接的导电光刻胶，保留其它的导电光刻胶，只要保证各区块内的导电光刻胶将所有第一电极电连接、且使得所有第二电极相互绝缘即可。
这里对于上述导电流体的材料不做具体限定。示例的，该导电流体的材料可以包括电解质溶液(例如氯化钠溶液)、银浆、酸碱溶液、导电油墨等等。
这里对于上述导电流体的制作工艺不做具体限定。示例的，可以将各区块中未设置导电层的结构放置并固定于一个容器R(该容器R用于盛后续倒入的导电流体)中，如图4所示。接着在容器R内壁上的特定位置放置一个液位传感器C，如图5所示，该液位传感器C可以用于控制如图6所示的容器R内导电流体的液位高度L。之后，向容器R中注入导电流体，该导电流体的液位高度L需要至少部分覆盖第一电极201、且不与第二电极202接触即可。图6以导电流体的液位高度L覆盖全部第一电极201为例进行绘示，此时导电流体可以充分保证将第一电极进行电连接。
在导电层的材料为导电流体的情况下，与导电层的材料为导电光刻胶相比，具有的优点是：工艺过程简单易操作，同时非常节约成本。导电层的材料为导电光刻胶时，需要使用光刻曝光机、显影等设备，而导电层的材料为导电流体时，仅需要将导电流体注入容器中即可；同时导电光刻胶的成本远高于导电流体。
在导电层的材料为导电流体的情况下，与导电层的材料为导电光刻胶相比，具有的缺点是：一方面，由于液位的高度是一致的，此时若出现发光芯片基板上的发光芯片高度略微有不同，很可能存在部分发光芯片无法被点亮的风险；另一方面，即使采用光电液位传感器这种精度比较高的传感器，导电流体的高度仍无法如导电光刻胶那样精确控制，可能存在些许误差，从而存在第一电极和第二电极都被导电流体浸入，无法实现测试的风险。
这里对于上述传感器的类型不做具体限定。示例的，该传感器可以包括光电液位传感器。光电液位传感器是一种新型接触式点液位测控装置，其利用光在两种不同介质界面发生反射折射的原理，对流体液位状态进行精确的检测和控制。参考图6所示，在上述液位传感器C为光电液位传感器的情况下，光电液位传感器的探测目标高度为衬底的厚度与第一电极沿垂直于衬底的膜层的厚度之和，再加上0.5um-1um左右。上述光电液位传感器的结构示意图如图7所示。参考图7所示，该光电液位传感器包括容器壁30以及设置在容器壁30上的发射器31和接收器32。该光电液位传感器的工作原理如下：发射器31发出入射光束311，在入射光束311未接触到导电流体的情况下，入射光束311反射后形成的返回光束312被接收器32接收；在导电流体的液位高度达到目标高度L1的情况下，入射光束311接触到导电流体，入射光束311反射后形成的返回光束312无法被接收器32接收，从而准确判定导电流体的液位高度。
可选的，为了制作导电性更好的导电层、且便于制作，在导电层的材料包括导电光刻胶的情况下，导电光刻胶包括负性光刻胶和石墨烯、或者负性光刻胶和银粉。
可选的，相邻区块之间的间距大于相邻发光层之间的间距。
上述各发光层和导电层构成一个发光芯片，因此上述相邻发光层之间的间距即为相邻发光芯片之间的间距，也即相邻区块之间的间距大于相邻发光芯片之间的间距，从而方便对发光芯片进行检测。
这里对于上述相邻区块之间的间距不做具体限定。示例的，在单个发光芯片的尺寸范围小于50um的情况下，相邻区块之间的间距包括30um-200um，优选为50um-100um。此时，各区块内包含的发光芯片的数量包括100×100个-400×400个。
这里对于上述相邻发光芯片之间的间距不做具体限定。示例的，在单个发光芯片的尺寸范围小于50um的情况下，相邻发光芯片之间的间距包括5um-100um，优选为10um-30um。
本发明实施例还提供了一种检测系统，参考图8、图9和图10所示，包括：多个检测装置B和上述发光芯片外延片A。
参考图8、图9和图10所示，检测装置B包括第一探针部4和第二探针部5，第一探针部4与发光芯片外延片A的各区块中的所有第二电极202电连接；第二探针部5与发光芯片外延片A的各区块中的所有第一电极201电连接。
上述检测装置是指：可以对发光芯片外延片上的发光芯片进行检测的装置。这里对于上述检测装置的具体结构不做限定，示例的，图8、图9和图10的检测装置包括第一探针部4和第二探针部5，其中，第一探针部4包括透明导电接触层41(用做透明测试探头)、透镜42和探测器43为例进行绘示。
这里对上述检测装置的数量不做具体限定，检测装置的数量与发光芯片外延片上的区块相对应，即每一区块对应一个检测装置，从而通过一个检测装置实现对各区块的整体检测。
这里对于上述第一探针部的结构不做具体限定。示例的，第一探针部可以包括如图8、图9和图10所示的透明导电接触层41、透镜42和探测器43。
这里对于上述第二探针部的结构不做具体限定。示例的，第二探针部可以包括如图8、图9和图10所示的探针。
这里对于上述第一探针部和第二探针部的极性不做具体限定，只需要第一探针部和第二探针部的极性相反即可。示例的，在第一探针部具有正性的情况下，第二探针部具有负性；或者，在第一探针部具有负性的情况下，第二探针部具有正性。图8、图9和图10以第一探针部4中的透明导电接触层41为正性、第二探针部5为负性探针为例进行绘示。
这里对于上述检测装置对发光芯片外延片进行检测的具体过程不做限定。示例的，在导电层的材料为导电光刻胶的情况下，先将显影后的发光芯片外延片放置于检测台上，再将检测装置中的第二探针部置于任一处的导电光刻胶中，并使得第一探针部与所有第二电极均接触，参考图8和图10所示，第一探针部4中的透明导电接触层41与区块内的所有第二电极202均接触。之后对第一探针部和第二探针部通电(只需要保证第一探针部和第二探针部通入正、负相反的电压即可)，即可对区块内的所有发光层同时进行检测。
需要注意的是，在导电层的材料为导电光刻胶的情况下，测试完成后需要去除导电光刻胶的残留，之后可以继续进行后续的巨量转移工艺等。
示例的，在导电层的材料为导电流体的情况下，先将检测装置置于容器中，再将检测装置中的第二探针部浸入导电流体中，同时将第一探针部与所有第二电极均接触，参考图9所示，第一探针部4中的透明导电接触层41与区块内的所有第二电极202均接触。之后对第一探针部和第二探针部通电(只需要保证第一探针部和第二探针部通入正、负相反的电压即可)，即可对区块内的所有发光层同时进行检测。
需要注意的是，在导电层的材料为导电流体的情况下，测试完成后需要将区块内的所有发光芯片取出来进行清洗，去除导电流体的残留，之后可以继续进行后续的巨量转移工艺等。
本发明实施例提供的检测系统中，第一探针部与发光芯片外延片的各区块中的所有第二电极电连接，第二探针部与发光芯片外延片的各区块中的所有第一电极电连接，从而在巨量转移前需要对发光芯片外延片进行检测时，当对第一探针部和第二探针部通电，就可以形成回路，从而实现精确、快速的批量检测。
可选的，为了便于设置检测结构，参考图8、图9和图10所示，第一探针部4包括依次层叠设置的透明导电接触层41、透镜42和探测器43。
透明导电接触层41与所有第二电极202电连接、且被配置为：在通电状态下与第二探针部5共同向发光芯片外延片A的各区块2中的所有发光层通电；
透镜被配置为：汇聚发光层发出的光线，并射向探测器；
探测器被配置为：接收光线，并检测发光层是否正常发光。
上述透明导电接触层用作透明测试探头。这里对于上述透明导电接触层的材料、结构等均不做具体限定。示例的，该透明导电接触层的材料可以包括透明材料，例如ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)、碳纳米管、石墨烯、AZO(掺杂铝的氧化锌透明导电玻璃)、银纳米线等等。示例的，该透明导电接触层可以整层设置，如图8和图9所示；或者，该透明导电接触层可以包括多个透明导电接触块，相邻导电接触块之间设置有绝缘块，如图10所示；或者，该透明导电接触层可以包括多个透明导电接触块，相邻导电接触块之间不设置任何结构，具体以实际应用为准。
这里对于向透明导电接触层与第二探针部通电的正负不做具体限定，只需要保证向透明导电接触层与第二探针部通入相反的电压即可。示例的，在向透明导电接触层通入正电压的情况下，向第二探针部通入负电压；或者，在向透明导电接触层通入负电压的情况下，向第二探针部通入正电压，具体以实际应用为准。
这里对于上述透镜的结构不做具体限定。示例的，该透镜可以包括凹透镜或者凸透镜，只要可以将经过导电接触层的光线汇聚即可。
这里对于上述探测器的结构、探测方式等均不做具体限定。示例的，该探测器可以包括探测结构、高速摄像机和处理器；或者，该探测器还可以包括探测结构、CCD(ChargeCoupled Device，电感耦合器件)和处理器等等。示例的，在探测器包括探测结构、CCD和处理器的情况下，可以由探测结构接收透镜汇聚的光线并输出光谱数据，同时利用CCD扫描并采集发光图像，并传输至处理器。处理器采用图形识别法对发光图像进行具体分析，检测发光芯片的良率、以及不良的发光芯片的具体位置，并记录下不良的发光芯片在衬底上的具体坐标，以方便后续巨量转移过程中对不良的发光芯片进行筛选。
可选的，参考图8和图9所示，第一电极201和第二电极202沿垂直于衬底1的方向的高度不同；透明导电接触层整层设置。这样不需要对第一电极和第二电极进行特殊处理使二者高度相同，同时透明导电接触层整层设置也简单易实现，从而大幅降低了制作工序。
这里对于上述第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度的高低不做具体限定。示例的，可以是第一电极沿垂直于衬底的方向的高度高于第二电极沿垂直于衬底的方向的高度；或者，还可以是第一电极沿垂直于衬底的方向的高度低于第二电极沿垂直于衬底的方向的高度。图8和图9均以第一电极201沿垂直于衬底1的方向的高度低于第二电极202沿垂直于衬底1的方向的高度为例进行绘示。
可选的，参考图10所示，第一电极201和第二电极202沿垂直于衬底1的方向的高度相同；透明导电接触层41包括多个分立的透明导电接触块411，透明导电接触块411与所有第二电极202电连接。将图8和图9所示的第一电极和第二电极进行特殊处理使二者的高度相同，有利于在将发光芯片巨量转移到发光基板上的后续膜层的制作。
这里对于上述透明导电接触层的具体结构不做限定。示例的，透明导电接触层可以包括多个分立的透明导电接触块，相邻导电接触块之间不设置其它结构；或者，透明导电接触层还可以包括多个分立的透明导电接触块，相邻导电接触块之间设置有绝缘块。图10以透明导电接触层41包括多个分立的透明导电接触块411，相邻导电接触块411之间设置有绝缘块412为例进行绘示。此时可以在检测装置中增设图形识别结构，通过图形识别结构对探测结构接收到的图像进行分析，先识别出第一电极和第二电极；再将第二电极移动到导电接触层的位置处，将第一电极移动到绝缘块的位置，然后进行测试。
这里对于上述绝缘块的材料不做具体限定。示例的，该绝缘块的材料可以包括透明的不导电介质，例如透明的二氧化硅、透明的氮化硅或者透明的氮化铝等等。
这里对于上述透明导电接触块的结构不做具体限定。示例的，该透明导电接触块可以包括网格状的透明导电层。
需要说明的是，在第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度相同的情况下，当设置如图8和图9所示的整层设置的透明导电接触层时，就会使得透明导电接触层与第一电极和第二电极同时接触，从而妨碍测试，但同时又不想对如图8和图9所示的整层设置的透明导电接触层结构进行改变。因此，在第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度相同的情况下，还可以在图8和图9所示的整层设置的透明导电接触层与第一电极和第二电极之间增设膜层，如图11所示。参考图11所示，在透明导电接触层41与第一电极201和第二电极202之间设置有透明导电接触块411和绝缘块412。此时同样可以在检测装置中增设图形识别结构，通过图形识别结构对探测结构接收到的图像进行分析，先识别出第一电极和第二电极；再将第二电极移动到导电接触层的位置处，将第一电极移动到绝缘块的位置，然后进行测试，该测试方法如前所述，这里不再赘述。
本发明实施例又提供了一种发光基板，包括去除上述发光芯片外延片中的导电层后的基板。
如果上述发光芯片外延片中的导电层不被去除，就将检测后性能优良的发光芯片转移到发光基板上，发光芯片会由于电连接而无法实现各自独立的点亮。因此，需要对上述发光芯片外延片进行检测，去除不良的发光芯片后，再将性能优良的发光芯片中的导电层去除，然后将去除了导电层的发光芯片巨量转移到发光基板上。
这里对于上述去除导电层不做具体限定，至少需要将如图2所示的各区块中相邻发光层之间的导电层去除，以使得巨量转移到发光基板后的发光层之间互相独立。当然，为了充分避免发光层之间电连接，优选去除所有的导电层。
这里对于去除上述导电层的材料不做具体限定。示例的，去除上述导电层的材料可以包括去膜剂，例如四甲基氢氧化铵(TMAH)等。
本发明实施例提供的发光基板中去除了导电层，使得发光层之间不再电连接，从而可以分别独立点亮各个发光层，从而更好的应用。
本发明实施例另提供了一种上述检测系统的检测方法。
该检测方法包括：
S1、将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触。
这里对于上述第一探针部的结构不做具体限定。示例的，第一探针部可以包括如图8、图9和图10所示的透明导电接触层41、透镜42和探测器43。
这里对于上述第二探针部的结构不做具体限定。示例的，第二探针部可以包括如图8、图9和图10所示的探针。
这里对于上述第一探针部和第二探针部的极性不做具体限定，只需要第一探针部和第二探针部的极性相反即可。示例的，在第一探针部具有正性的情况下，第二探针部具有负性；或者，在第一探针部具有负性的情况下，第二探针部具有正性。图8、图9和图10以第一探针部4中的透明导电接触层41为正性、第二探针部5为负性探针为例进行绘示。
这里对于上述第一电极和第二电极的材料均不做具体限定，示例的，该第一电极和第二电极的材料可以均包括金属等。
这里对于第一电极和第二电极的极性不做具体限定，只需要第一电极和第二电极的极性相反即可。示例的，在第一电极为n型电极的情况下，第二电极为p型电极；或者，在第一电极为p型电极的情况下，第二电极为n型电极。
S2、向第一探针部和第二探针部通电。
这里对于向第一探针部与第二探针部通电的正负不做具体限定，只需要保证向第一探针部与第二探针部通入相反的电压即可。示例的，在向第一探针部通入正电压的情况下，向第二探针部通入负电压；或者，在向第一探针部通入负电压的情况下，向第二探针部通入正电压，具体以实际应用为准。
S3、检测发光芯片是否正常发光。
这里对于检测发光芯片是否正常发光的装置不做具体限定。示例的，可以采用探测器检测发光芯片是否正常发光，该探测器可以包括探测结构、高速摄像机和处理器；或者，该探测器还可以包括探测结构、CCD和处理器等等。
具体的，在探测器包括探测结构、CCD和处理器的情况下，可以由探测结构接收透镜汇聚的光线并输出光谱数据，同时利用CCD扫描并采集发光图像，并传输至处理器。处理器采用图形识别法对发光图像进行具体分析，检测发光芯片的良率、以及不良的发光芯片的具体位置，并记录下不良的发光芯片在衬底上的具体坐标，以方便后续巨量转移过程中对不良的发光芯片进行筛选。
通过执行上述步骤S1、S2和S3，可以在巨量转移前需要对发光芯片外延片进行检测时，由于同一区块内互连的第一电极增大了检测电极的面积，使得测试探针可以精确地扎到第一电极上；同时可以整体对同一区块内的发光芯片进行检测，从而实现快速批量的检测。
可选的，参考图8所示，发光芯片外延片包括导电层21，导电层21的材料包括导电光刻胶。
上述步骤S1、将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触包括：
S11、将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与导电光刻胶接触。
结合图3和图8，首先通过旋涂的方法将导电光刻胶整体旋涂在发光芯片外延片A的衬底1的表面，旋涂导电光刻胶后的发光芯片如图3所示，再进行曝光、显影等工艺，去除部分光刻胶，保留部分光刻胶，形成如图8所示的导电层21，此时导电层21与所有第一电极201均电连接、且与所有第二电极201绝缘。
此时使用检测装置对发光芯片外延片进行检测时，参考图8所示，将第一探针部4与所有第二电极202接触、且将第二探针部5与导电光刻胶接触，可以整体对同一区块内的发光芯片进行检测，从而实现快速批量的检测。
可选的，参考图9所示，发光芯片外延片包括导电层，导电层的材料包括导电流体；第一电极201和第二电极202沿垂直于衬底1的方向的高度不同。
上述步骤S1、将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触包括：
S12、将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与导电流体接触。
结合图6和图9，将各区块中未设置导电层的结构放置并固定于一个侧壁设置有液位传感器C的容器R中，其中，参考图6所示，将各区块中未设置导电层的结构中，第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度不同，从而可以实现向容器R中注入导电流体后，导电流体的液位高度L至少部分覆盖第一电极201、且不与第二电极202接触，即导电流体可以充分保证将第一电极进行电连接、且使得第二电极相互绝缘。
此时使用检测装置对发光芯片外延片进行检测时，参考图9所示，将第一探针部4与所有第二电极202接触、且将第二探针部202与导电流体接触，可以整体对同一区块内的发光芯片进行检测，从而实现快速批量的检测。
可选的，参考图10所示，第一电极201和第二电极202沿垂直于衬底1的方向的高度相同；第一探针部4包括依次层叠设置的透明导电接触层41、透镜42和探测器43；透明导电接触层41包括多个分立的透明导电接触块411。
上述步骤S1、将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触包括：
S13、将透明导电接触块与所有第二电极电连接、且将第二探针部与第一电极接触。
图10以导电层21的材料包括导电光刻胶为例进行绘示，以说明当对第一电极和第二电极进行特殊处理使二者高度相同时，如何对发光芯片外延片进行检测。
在第一电极和第二电极沿垂直于衬底的方向的高度相同的情况下，若仍如设置如图8和图9中所示的透明导电接触层41，透明导电接触41就会与图10中的第一电极201和第二电极202均接触，导致使用同一探头无法进行检测。本发明实施例将图8和图9中的透明导电接触层41设置成包括多个分立的透明导电接触块411。
此时使用检测装置对发光芯片外延片进行检测时，参考图10所示，将透明导电接触块411与所有第二电极202电连接、且将第二探针部5与第一电极201接触，从而可以使得第一电极和第二电极分别接触探头不同位置。
需要说明的是，图11的检测原理和方法与图10相同，这里不再赘述。
本发明实施例中关于检测系统的结构说明可以参考上述实施例，这里不再赘述。
本文中所称的“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本申请的至少一个实施例中。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (13)
1.一种发光芯片外延片，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底上的阵列排布的多个区块，所述区块包括设置在所述衬底上的多个电极层，所述电极层包括相互绝缘的第一电极和第二电极；
各所述区块内的所有所述第一电极电连接、且所有所述第二电极相互绝缘，所述第一电极和所述第二电极远离所述衬底一侧的表面位于不同水平线上；相邻所述区块间的所述第一电极相互绝缘；所述区块还包括导电层，所述导电层的材料为导电流体；所述导电层与所有所述第一电极电连接；所述导电流体的液位高度至少部分覆盖所述第一电极、且不与所述第二电极接触，所述导电流体的液位高度不超过所述第二电极远离所述衬底一侧的表面；
其中，所述第二电极与检测装置的第一探针部电连接，所述第一电极与所述检测装置的第二探针部电连接。
2.根据权利要求1所述的发光芯片外延片，其特征在于，所述导电层与所有所述第二电极相互绝缘。
3.根据权利要求2所述的发光芯片外延片，其特征在于，所述区块还包括阵列排布的多个发光层，所述导电层、所述第一电极和所述第二电极均设置在所述发光层远离所述衬底的一侧；
所述导电层的形状包括网格状。
4.根据权利要求3所述的发光芯片外延片，其特征在于，所述发光层包括依次层叠设置在所述衬底之上的电子注入层和空穴注入层；
所述第一电极设置在所述电子注入层远离所述衬底的一侧；所述第二电极设置在所述空穴注入层远离所述衬底的一侧；
所述第一电极和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向的高度不同。
5.根据权利要求3所述的发光芯片外延片，其特征在于，相邻所述发光层之间具有空隙，所述导电层覆盖至少部分所述空隙。
6.根据权利要求3所述的发光芯片外延片，其特征在于，相邻所述区块之间的间距大于相邻所述发光层之间的间距。
7.一种检测系统，其特征在于，包括多个检测装置和权利要求1-6任一项所述的发光芯片外延片；
所述检测装置包括第一探针部和第二探针部，所述第一探针部与所述发光芯片外延片的各区块中的所有第二电极电连接；所述第二探针部与所述发光芯片外延片的各区块中的所有第一电极电连接；所述第一电极和所述第二电极远离衬底一侧的表面位于不同水平线上；所述区块还包括导电层，所述导电层的材料为导电流体；所述导电层与所有所述第一电极电连接；所述导电流体的液位高度至少部分覆盖所述第一电极、且不与所述第二电极接触，所述导电流体的液位高度不超过所述第二电极远离所述衬底一侧的表面。
8.根据权利要求7所述的检测系统，其特征在于，所述第一探针部包括依次层叠设置的透明导电接触层、透镜和探测器；
所述透明导电接触层与所有所述第二电极电连接、且被配置为：在通电状态下与所述第二探针部共同向所述发光芯片外延片的各所述区块中的所有所述第一电极和所述第二电极通电；
所述透镜被配置为：汇聚发光层发出的光线，并射向所述探测器；
所述探测器被配置为：接收所述光线，并检测所述发光层是否正常发光。
9.根据权利要求8所述的检测系统，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向的高度不同；
所述透明导电接触层整层设置。
10.根据权利要求8所述的检测系统，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向的高度相同；
所述透明导电接触层包括多个分立的透明导电接触块，所述透明导电接触块与所有所述第二电极电连接。
11.一种如权利要求7-10任一项所述的检测系统的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触；
向所述第一探针部和所述第二探针部通电；
检测发光层是否正常发光；所述第一电极和所述第二电极远离衬底一侧的表面位于不同水平线上；发光芯片外延片包括导电层，所述导电层的材料为导电流体；所述导电层与所有所述第一电极电连接；所述导电流体的液位高度至少部分覆盖所述第一电极、且不与所述第二电极接触，所述导电流体的液位高度不超过所述第二电极远离所述衬底一侧的表面。
12.根据权利要求11所述的检测方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向的高度不同；
所述将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触包括：
将所述第一探针部与所有所述第二电极接触、且将所述第二探针部与所述导电流体接触。
13.根据权利要求11所述的检测方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向的高度相同；所述第一探针部包括依次层叠设置的透明导电接触层、透镜和探测器；所述透明导电接触层包括多个分立的透明导电接触块；
所述将第一探针部与所有第二电极接触、且将第二探针部与第一电极接触包括：
将所述透明导电接触块与所有所述第二电极电连接、且将所述第二探针部与所述第一电极接触。
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