KR102341625B1 - 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 베이스 기판 위에는 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점이 설치되며, 상기 제1 전극접점 및 제2 전극접점은 마이크로 발광다이오드의 하부 전극 및 연결 전극에 접촉되며, 상기 연결 전극은 마이크로 발광다이오드의 상부 전극에도 접촉되며, 마이크로 발광다이오드가 전사된 후에 마이크로 발광다이오드의 테스트를 바로 진행하여, 제품 검사 및 제품 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 특히 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
평판 디스플레이 장치는 고해상도, 절전, 얇은 디바이스 부피 및 광범위한 적용범위 등 장점이 있어, 휴대폰, 텔레비전, 개인 휴대 정보 단말기, 디지털 카메라, 노트북, 데스크톱 컴퓨터 등 다양한 소비성 전자제품에 널리 사용되고 있으며, 디스플레이 장치 분야에서의 주류를 이루고 있다.
마이크로 발광다이오드(Micro LED) 디스플레이 장치는 하나의 기판 위에 집적된 고밀도 극소 사이즈의 LED 어레이를 디스플레이 픽셀로 사용하여 이미지 디스플레이를 구현하는 디스플레이 장치이며, 대형 실외 LED 디스플레이 스크린과 마찬가지로, 각 픽셀을 어드레싱하고 개별적으로 구동하여 점등시킬 수 있으며, 픽셀 간격을 밀리미터급에서 미크론급으로 줄인, 실외 LED 디스플레이 스크린의 축소판으로 볼 수 있으며, Micro LED 디스플레이 장치는 유기발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED) 디스플레이 장치와 마찬가지로 자체 발광 디스플레이에 속하지만, OLED 디스플레이 장치에 비해 Micro LED 디스플레이 장치는 소재 안정성이 더 우수하고, 사용수명이 더 길며, 이미지 잔상이 없는 등 장점이 있어, OLED 디스플레이 장치의 최대 경쟁대상으로 간주되고 있다.
마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조 과정에서, 마이크로 발광다이오드는 반드시 먼저 오리지널 기판(예를 들어 사파이어 류 기판) 위에서 분자빔 에피택시의 방법에 의해 성장하여, 디스플레이 패널로 제조되어야 하며, 또한 반드시 마이크로 발광다이오드 디바이스를 오리지널 기판에서 디스플레이 패널의 생성에 사용되는 접수 기판에 전이시켜 디스플레이 어레이로 정렬해야 하며, 구체적으로: 우선 오리지널 기판 위에 마이크로 발광다이오드를 형성하고, 다음으로 레이저 리프트오프(Laser lift-off, LLO) 기술 등 방법으로 마이크로 발광다이오드를 오리지널 기판에서 박리하며, 예를 들어 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 등 소재를 채용하여 제조된 전사 헤드를 사용하여, 마이크로 발광다이오드를 오리지널 기판에서 접수 기판 위에 미리 설치된 위치로 흡착한다.
현재, 마이크로 발광다이오드를 접수 기판에 전사한 다음, 상부 전극을 형성해야만 마이크로 발광다이오드와 접수 기판의 본딩이 정상인지 여부를 판단할 수 있지만, 이때는 제조 공정이 기본적으로 완성되었기 때문에, 이 경우에는 마이크로 발광다이오드와 접수 기판의 본딩이 불량이더라도, 보수가 매우 어려우며, 따라서, 전사 후 마이크로 발광다이오드의 동작 상태를 바로 검사할 수 있고, 제품의 검사 및 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있는, 새로운 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 제품의 검사 및 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있는, 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제품의 검사 및 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있는, 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 구현하기 위해, 본 발명은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 설치되며 어레이 배열되는 복수 개의 서브 픽셀 영역, 각각의 서브 픽셀 영역 내에 설치되며 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점, 및 각각의 서브 픽셀 영역 내의 제1 전극접점 및 제2 전극접점의 위에 설치되는 마이크로 발광다이오드; 를 포함하며,
상기 마이크로 발광다이오드는, 상기 제1 전극접점에 접촉되는 하부 전극, 상기 하부 전극의 상부에 설치되며 상기 하부 전극에 접촉되는 LED 반도체층, 상기 LED 반도체층의 상부에 설치되며 상기 LED 반도체층에 접촉되는 상부 전극, 상기 LED 반도체층을 둘러싸는 절연 보호층, 및 상기 절연 보호층 위에 설치되며 상기 상부 전극 및 제2 전극접점을 연결하는 연결 전극을 포함하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널을 제공한다.
상기 베이스 기판과 제1 전극접점 및 제2 전극접점 사이에 설치되는 TFT층; 을 더 포함하며,
상기 TFT층은, 상기 베이스 기판 위에 설치되는 활성층, 상기 활성층 및 상기 베이스 기판을 커버하는 게이트 절연층, 상기 활성층 상부의 게이트 절연층의 위에 설치되는 게이트, 상기 게이트 및 게이트 절연층을 커버하는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 위에 상기 활성층의 양단과 접촉되게 설치되는 소스 및 드레인, 및 상기 소스, 드레인, 층간 절연층을 커버하는 패시베이션층; 을 포함하며, 상기 제2 전극접점은 상기 소스에 접촉된다.
패시베이션층 위에 설치되며 마이크로 발광다이오드의 둘레에 위치하는 픽셀 정의층, 및 상기 패시베이션층, 제1 전극접점, 제2 전극접점, 마이크로 발광다이오드 및 픽셀 정의층을 커버하는 보호층을 더 포함한다.
본 발명은 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법을 더 제공하며,
오리지널 기판을 제공하며, 상기 오리지널 기판 위에 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드의 중간제품을 형성하는 1단계; 를 포함하며,
각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품은 모두, 상기 오리지널 기판 위에 설치되는 LED 반도체층, 상기 LED 반도체층 및 상기 오리지널 기판을 커버하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층의 위에 설치되고 상기 LED 반도체층에 접촉되는 하부 전극, 및 상기 제1 절연층의 위에 설치되고 오리지널 기판에 접촉되는 연결 전극; 을 포함하며,
이송 기판을 제공하며, 상기 이송 기판의 표면을 각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품의 하부 전극 및 연결 전극에 접착하며, 상기 오리지널 기판을 박리하여, 모든 마이크로 발광다이오드의 중간제품이 이송 기판에 전이되도록 하며, 오리지널 기판에 접촉되는 상기 LED 반도체층의 표면을 노출하는 2단계; 를 포함하며,
상기 노출된 LED 반도체층 및 제1 절연층 위에 제2 절연층, 및 제2 절연층 위에 설치되고 상기 LED 반도체층 및 연결 전극에 접촉되는 상부 전극을 순차적으로 형성하여, 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드를 획득하는 3단계; 를 포함하며,
전사 헤드 및 접수 기판을 제공하며, 상기 접수 기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 설치되며 어레이 배열되는 복수 개의 서브 픽셀 영역, 및 각각의 서브 픽셀 영역 내에 설치되며 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점을 포함하는 4단계; 를 포함하며,
상기 전사 헤드에 의해 이송 기판 위의 마이크로 발광다이오드를 접수 기판 위에 전사하고, 하나의 서브 픽셀 영역은 각각의 마이크로 발광다이오드에 대응되며, 각각의 서브 픽셀 영역 내의 마이크로 발광다이오드의 하부 전극 및 연결 전극은 각각 상기 서브 픽셀 영역 내의 제1 전극접점 및 제2 전극접점에 본딩되는 5단계; 를 포함하며,
상기 제1 전극접점 및 제2 전극접점에 테스트 전압을 제공하여, 접수 기판 위의 각각의 마이크로 발광다이오드가 정상적으로 점등되는지 여부를 테스트하고, 상기 접수 기판 위의 모든 마이크로 발광다이오드가 모두 정상적으로 점등될 경우, 상기 마이크로 발광다이오드, 제1 전극접점, 및 제2 전극접점의 위에 계속하여 보호층을 형성하며; 상기 접수 기판 위에 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드가 있을 경우, 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드를 새로운 마이크로 발광다이오드로 교체하고, 기판 위의 모든 마이크로 발광다이오드가 정상적으로 점등될 때까지 다시 테스트하는 6단계; 를 포함한다.
상기 1단계는 구체적으로,
오리지널 기판을 제공하고, 상기 오리지널 기판 위에 LED 반도체 박막을 형성하며, 상기 LED 반도체 박막 위에 패턴화된 제1 포토레지스트층을 형성하는 11단계;
상기 제1 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 LED 반도체 박막을 식각함으로써, 이격되게 배열되는 복수 개의 LED 반도체층을 형성하는 12단계;
상기 LED 반도체층 및 오리지널 기판 위에 제1 절연층을 커버하고, 상기 제1 절연층 위에 패턴화된 제2 포토레지스트층을 형성하는 13단계;
제2 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제1 절연층을 식각함으로써, 상기 제1 절연층을 관통하며 각각 상기 LED 반도체층의 일부 및 오리지널 기판의 일부를 노출하는 제1 비아 홀 및 제2 비아 홀을 형성하는 14단계;
상기 제1 절연층, LED 반도체층 및 오리지널 기판 위에 제1 금속 박막을 형성하고, 상기 제1 금속 박막 위에 패턴화된 제3 포토레지스트층을 형성하는 15단계;
제3 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제1 금속 박막을 식각함으로써, 제1 비아 홀에 의해 LED 반도체층에 접촉되는 하부 전극 및 제2 비아 홀에 의해 오리지널 기판에 접촉되는 연결 전극을 형성하는 16단계; 를 포함한다.
상기 2단계에서 이송 기판은 표면에 접착층이 설치된 경질 기판이다.
상기 3단계는 구체적으로,
상기 LED 반도체층 및 제1 절연층 위에 제2 절연층을 형성하고, 상기 제2 절연층 위에 패턴화된 제4 포토레지스트층을 형성하는 31단계;
상기 제4 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제2 절연층을 식각함으로써, 상기 제2 절연층을 관통하고 각각 상기 LED 반도체층의 일부 및 연결 전극의 일부를 노출하는 제3 비아 홀 및 제4 비아 홀을 형성하는 32단계;
상기 제2 절연층 위에 전기 전도 박막을 증착하여 패턴화함으로써, 상기 제3 비아 홀 및 제4 비아 홀 각각에 의해 상기 LED 반도체층과 연결 전극에 접촉되는 상부 전극을 형성하는 33단계; 를 포함한다.
상기 4단계에서 제공되는 접수 기판은, TFT층 및 픽셀 정의층; 을 더 포함하며,
상기 TFT층은 상기 베이스 기판과 제1 전극접점 및 제2 전극접점 사이에 설치되며, 상기 베이스 기판 위에 설치되는 활성층, 상기 활성층 및 상기 베이스 기판을 커버하는 게이트 절연층, 상기 활성층 상부의 게이트 절연층의 위에 설치되는 게이트, 상기 게이트 및 게이트 절연층을 커버하는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 위에 설치되며 상기 활성층의 양단에 접촉되는 소스 및 드레인, 및 상기 소스, 드레인, 층간 절연층을 커버하는 패시베이션층; 을 포함하며, 상기 제2 전극접점은 상기 소스에 접촉되고; 상기 픽셀 정의층은 패시베이션층 위에 설치되며 마이크로 발광다이오드의 둘레에 위치한다.
상기 제1 전극접점 및 제2 전극접점 위에는 적어도 2개의 본딩 위치가 미리 설치되어 있으며, 상기 6단계에서 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드를 새로운 마이크로 발광다이오드로 교체할 경우, 교체 후의 마이크로 발광다이오드와 교체 전의 마이크로 발광다이오드는 서로 다른 본딩 위치에 위치한다.
상기 2단계에서 레이저 리프트오프 공정에 의해 오리지널 기판을 박리한다.
본 발명은 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법을 더 제공하며,
오리지널 기판을 제공하며, 상기 오리지널 기판 위에 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드의 중간제품을 형성하는 1단계; 를 포함하며,
각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품은 모두, 상기 오리지널 기판 위에 설치되는 LED 반도체층, 상기 LED 반도체층 및 상기 오리지널 기판을 커버하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층의 위에 설치되고 상기 LED 반도체층에 접촉되는 하부 전극, 및 상기 제1 절연층의 위에 설치되고 오리지널 기판에 접촉되는 연결 전극; 을 포함하며,
이송 기판을 제공하며, 상기 이송 기판의 표면을 각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품의 하부 전극 및 연결 전극에 접착하며, 상기 오리지널 기판을 박리하여, 모든 마이크로 발광다이오드의 중간제품이 이송 기판에 전이되도록 하며, 오리지널 기판에 접촉되는 상기 LED 반도체층의 일측 표면을 노출하는 2단계; 를 포함하며,
상기 노출된 LED 반도체층 및 제1 절연층 위에 제2 절연층, 및 제2 절연층 위에 설치되고 상기 LED 반도체층 및 연결 전극에 접촉되는 상부 전극을 순차적으로 형성하여, 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드를 획득하는 3단계; 를 포함하며,
전사 헤드 및 접수 기판을 제공하며, 상기 접수 기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 설치되는 어레이 배열되는 복수 개의 서브 픽셀 영역, 및 각각의 서브 픽셀 영역 내에 설치되며 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점; 을 포함하는 4단계; 를 포함하며,
상기 전사 헤드에 의해 이송 기판 위의 마이크로 발광다이오드를 접수 기판 위에 전사하고, 하나의 서브 픽셀 영역은 하나의 마이크로 발광다이오드에 대응되며, 각각의 서브 픽셀 영역 내의 마이크로 발광다이오드의 하부 전극 및 연결 전극은 각각 상기 서브 픽셀 영역 내의 제1 전극접점 및 제2 전극접점에 본딩되는 5단계; 를 포함하며,
상기 제1 전극접점 및 제2 전극접점에 테스트 전압을 제공하여, 접수 기판 위의 각각의 마이크로 발광다이오드가 정상적으로 점등되는지 여부를 확인하고, 상기 접수 기판 위의 모든 마이크로 발광다이오드가 모두 정상적으로 점등될 경우, 상기 마이크로 발광다이오드, 제1 전극접점, 및 제2 전극접점의 위에 계속하여 보호층을 형성하며; 상기 접수 기판 위에 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드가 있을 경우, 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드를 새로운 마이크로 발광다이오드로 교체하고, 기판 위의 모든 마이크로 발광다이오드가 정상적으로 점등될 때까지 다시 테스트하는 6단계; 를 포함하며,
상기 1단계는 구체적으로,
오리지널 기판을 제공하고, 상기 오리지널 기판 위에 LED 반도체 박막을 형성하며, 상기 LED 반도체 박막 위에 패턴화된 제1 포토레지스트층을 형성하는 11단계;
상기 제1 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 LED 반도체 박막을 식각함으로써, 이격되게 배열되는 복수 개의 LED 반도체층을 형성하는 12단계;
상기 LED 반도체층 및 오리지널 기판 위에 제1 절연층을 커버하고, 상기 제1 절연층 위에 패턴화된 제2 포토레지스트층을 형성하는 13단계;
제2 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제1 절연층을 식각함으로써, 상기 제1 절연층을 관통하며 각각 상기 LED 반도체층의 일부 및 오리지널 기판의 일부를 노출하는 제1 비아 홀 및 제2 비아 홀을 형성하는 14단계;
상기 제1 절연층, LED 반도체층 및 오리지널 기판 위에 제1 금속 박막을 형성하고, 상기 제1 금속 박막 위에 패턴화된 제3 포토레지스트층을 형성하는 15단계;
제3 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제1 금속 박막을 식각함으로써, 제1 비아 홀에 의해 LED 반도체층에 접촉되는 하부 전극 및 제2 비아 홀에 의해 오리지널 기판에 접촉되는 연결 전극을 형성하는 16단계; 를 포함한다.
상기 2단계에서 이송 기판은 표면에 접착층이 설치된 경질 기판이다.
본 발명은 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널을 제공하며, 상기 디스플레이 패널의 베이스 기판 위에는 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점이 설치되며, 상기 제1 전극접점 및 제2 전극접점은 각각 마이크로 발광다이오드의 하부 전극 및 연결 전극에 접촉되며, 상기 연결 전극은 마이크로 발광다이오드의 상부 전극에도 접촉되며, 마이크로 발광다이오드를 전사한 후에 바로 마이크로 발광다이오드의 검사를 진행할 수 있기 때문에, 제품 검사 및 제품 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다. 본 발명은 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법을 더 제공하며, 마이크로 발광다이오드가 전사된 후에 마이크로 발광다이오드의 검사를 바로 할 수 있기 때문에, 제품 검사 및 제품 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 특징과 기술 내용을 더욱 이해할 수 있게 하기 위해, 이하 본 발명과 관련된 상세한 설명과 도면을 참조하기 바란다. 그러나 도면은 참조 및 설명용으로만 제공된 것이며, 본 발명을 제한하는데 사용되는 것은 아니다.
도면에서,
도 1 내지 도 8은 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법의 1 단계 개략도이다;
도 9는 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법의 2 단계 개략도이다;
도 10 내지 도 12는 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법의 3 단계 개략도이다;
도 13 및 도 14는 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법의 4 단계 및 5 단계 개략도이다;
도 15는 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법의 6 단계 개략도이자 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 구조 개략도이다;
도 16은 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법의 6 단계 평면 개략도이다;
도 17은 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법의 순서도이다.
본 발명이 채용한 기술 수단 및 그 효과를 더 서술하기 위해, 이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 그 도면을 결합하여 상세하게 설명한다.
도 15를 참조하면, 본 발명은 베이스 기판(41), 상기 베이스 기판(41) 위에 설치되며 어레이 배열되는 복수 개의 서브 픽셀 영역(15), 각각의 서브 픽셀 영역(15) 내에 설치되며 이격되게 배열되는 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44), 및 각각의 서브 픽셀 영역(15) 내에 설치되는 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44)의 위에 설치되는 마이크로 발광다이오드(200); 를 포함하며,
상기 마이크로 발광다이오드(200)는, 상기 제1 전극접점(43)에 접촉되는 하부 전극(6), 상기 하부 전극(6)의 상부에 설치되며 상기 하부 전극(6)에 접촉되는 LED 반도체층(2), 상기 LED 반도체층(2)의 상부에 설치되며 상기 LED 반도체층(2)에 접촉되는 상부 전극(13), 상기 LED 반도체층(2)을 둘러싸는 절연 보호층(14), 및 상기 절연 보호층(14) 위에 설치되며 상기 상부 전극(13)과 제2 전극접점(44)을 연결하는 연결 전극(7)을 포함하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널을 제공한다.
구체적으로, 상기 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널은, 상기 베이스 기판(41)과 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44) 사이에 설치되는 TFT층(42); 을 포함하며, 상기 TFT층(42)은, 상기 베이스 기판(41) 위에 설치되는 활성층(421), 상기 활성층(421) 및 상기 베이스 기판(41)을 커버하는 게이트 절연층(422), 상기 활성층(421) 상부의 게이트 절연층(422)의 위에 설치되는 게이트(423), 상기 게이트(423) 및 게이트 절연층(422)을 커버하는 층간 절연층(424), 상기 층간 절연층(424) 위에 상기 활성층(421)의 양단과 접촉되게 설치되는 소스(425) 및 드레인(426), 및 상기 소스(425), 드레인(426), 층간 절연층(424)을 커버하는 패시베이션층(427); 을 포함하며, 상기 제2 전극접점(44)은 상기 소스(425)에 접촉된다.
구체적으로, 상기 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널은, 패시베이션층(427) 위에 설치되며 마이크로 발광다이오드(200)의 둘레에 위치하는 픽셀 정의층(45), 및 상기 패시베이션층(427), 제1 전극접점(43), 제2 전극접점(44), 마이크로 발광다이오드(200) 및 픽셀 정의층(45)을 커버하는 보호층(16)을 더 포함한다.
구체적으로, 상기 보호층(16)은 마이크로 발광다이오드(200)의 광 추출 효과를 향상시키는 기능을 가지며, 상기 보호층(16)은 양호한 열전도 기능을 가진다.
구체적으로, 상기 LED 반도체층(2)은, N+층, P+층, N+층 및 P+층에 접촉되는 다중양자 우물층을 포함한다. 상기 하부 전극(6) 및 연결 전극(7)의 소재는 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt) 및 티타늄(Ti)과 같은 금속 중 1종 또는 2종 이상의 조합일 수 있다. 상기 상부 전극(13)은 투명 전극이고, 소재는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 또는 폴리에틸렌디옥시티 오펜과 폴리스티렌술폰산의 혼합물(PEDOT: PSS)이며, 상기 절연 보호층(14)의 소재는 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 알루미늄 산화물(Al2O3) 등이다.
설명해야 할 것은, 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널은 연결 전극(7)에 의해 상부 전극(13)과 제2 전극접점(44)을 연결함으로써, 마이크로 발광다이오드(200)를 전사하기 전에 상부 전극(13)을 직접 형성할 수 있으며, 마이크로 발광다이오드(200)를 전사한 후에 바로 마이크로 발광다이오드(200)의 점등 테스트를 진행할 수 있으며, 마이크로 발광다이오드(200)가 정상적으로 점등되는 것을 확인 후 보호층(16) 등 기타 구조를 계속하여 제조하기 때문에, 제품 검사 및 제품 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 17을 참조하면, 본 발명은 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법을 더 제공하며,
오리지널 기판(1)을 제공하며, 상기 오리지널 기판(1) 위에 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)을 형성하는 1단계; 를 포함하며,
각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)은 모두, 상기 오리지널 기판(1) 위에 설치되는 LED 반도체층(2), 상기 LED 반도체층(2) 및 상기 오리지널 기판(1)을 커버하는 제1 절연층(3), 상기 제1 절연층(3)의 위에 설치되고 상기 LED 반도체층(2)에 접촉되는 하부 전극(6), 및 상기 제1 절연층(3) 위에 설치되고 오리지널 기판(1)에 접촉되는 연결 전극(7)을 포함한다.
구체적으로, 상기 1단계는 구체적으로,
도 1을 참조하면, 오리지널 기판(1)을 제공하고, 상기 오리지널 기판(1) 위에 LED 반도체 박막(2')을 형성하며, 상기 LED 반도체 박막(2') 위에 패턴화된 제1 포토레지스트층(10)을 형성하는 11단계; 를 포함하며,
도 2를 참조하면, 상기 제1 포토레지스트층(10)으로 차폐하여 상기 LED 반도체 박막(2')을 식각함으로써, 이격되게 배열되는 복수 개의 LED 반도체층(2)을 형성하는 12단계; 를 포함하며,
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 LED 반도체층(2) 및 오리지널 기판(1) 위에 제1 절연층(3)을 커버하고, 상기 제1 절연층(3) 위에 패턴화된 제2 포토레지스트층(20)을 형성하는 13단계; 를 포함하며,
도 5를 참조하면, 제2 포토레지스트층(20)으로 차폐하여 상기 제1 절연층(3)을 식각함으로써, 상기 제1 절연층(3)을 관통하며 각각 상기 LED 반도체층(2)의 일부 및 오리지널 기판(1)의 일부를 노출하는 제1 비아 홀(4) 및 제2 비아 홀(5)을 형성하는 14단계; 를 포함하며,
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 제1 절연층(3), LED 반도체층(2) 및 오리지널 기판(1) 위에 제1 금속 박막(6')을 형성하고, 상기 제1 금속 박막(6') 위에 패턴화된 제3 포토레지스트층(30)을 형성하는 15단계; 를 포함하며,
도 8을 참조하면, 제3 포토레지스트층(30)으로 차폐하여 상기 제1 금속 박막(6')을 식각함으로써, 제1 비아 홀(4)에 의해 LED 반도체층(2)에 접촉되는 하부 전극(6) 및 제2 비아 홀(5)에 의해 오리지널 기판(1)에 접촉되는 연결 전극(7)을 형성하는 16단계; 를 포함한다.
구체적으로, 상기 오리지널 기판(1)은 사파이어 기판(Al2O3), 실리콘 기판(Si), 실리콘 카바이드 기판(SiC), 또는 질화갈륨 기판(GaN) 등이며, 상기 LED 반도체층(2)은, N+층, P+층, N+층 및 P+층에 접촉되는 다중양자 우물층을 포함한다. 상기 하부 전극(6) 및 연결 전극(7)의 소재는 니켈, 몰리브덴, 알루미늄, 금, 백금 및 티타늄과 같은 금속 중 1종 또는 2종 이상의 조합일 수 있다. 상기 제1 절연층(3)의 소재는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 알루미늄 산화물 등이다.
도 9를 참조하면, 이송 기판(8)을 제공하며, 상기 이송 기판(8)의 표면을 각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)의 하부 전극(6) 및 연결 전극(7)에 접착하며, 상기 오리지널 기판(1)을 박리하여, 모든 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)이 이송 기판(8)에 전이되도록 하며, 오리지널 기판(1)에 접촉되는 상기 LED 반도체층(2)의 일측 표면을 노출하는 2단계; 를 포함한다.
구체적으로, 상기 2단계의 이송 기판(8)은 표면에 접착층이 설치되는 경질 기판이며, 상기 경질 기판 표면의 접착층에 의해 상기 하부 전극(6) 및 연결 전극(7)을 접착하여, 상기 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)과 이송 기판(8)이 접착되도록 하며, 이어서 레이저 리프트오프 공정에 의해 오리지널 기판(1)을 제거하여, 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)이 이송 기판(8)에 전이되고, 오리지널 기판(1)에 접촉되는 상기 LED 반도체층(2)의 일측 표면이 노출되도록 한다.
구체적으로, 상기 2단계는 이송 기판(8)과 그 위의 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)을 상하 반전하여, LED 반도체층(2)의 노출된 일측이 상방을 향하도록 하여, 후속 제조 공정의 진행에 편리하도록 한다.
상기 노출된 LED 반도체층(2) 및 제1 절연층(3) 위에 제2 절연층(9), 및 제2 절연층(9) 위에 설치되고 상기 LED 반도체층(2)과 연결 전극(7)에 접촉되는 상부 전극(13)을 순차적으로 형성하여, 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드(200)를 획득하는 3단계; 를 포함한다.
구체적으로, 상기 제1 절연층(3) 및 제2 절연층(9)은 공동으로 LED 반도체층(2)을 둘러싸도록 절연 보호층(14)을 구성한다.
구체적으로, 상기 3단계는 구체적으로, 도 10을 참조하면, 상기 LED 반도체층(2) 및 제1 절연층(3) 위에 제2 절연층(9)을 형성하고, 상기 제2 절연층(9) 위에 패턴화된 제4 포토레지스트층(40)을 형성하는 31단계; 를 포함하며,
도 11을 참조하면, 제4 포토레지스트층(40)으로 차폐하여 상기 제2 절연층(9)을 식각함으로써, 상기 제2 절연층(9)을 관통하고 각각 상기 LED 반도체층(2)의 일부 및 연결 전극(7)의 일부를 노출하는 제3 비아 홀(11) 및 제4 비아 홀(12)을 형성하는 32단계; 를 포함하며,
도 12를 참조하면, 상기 제2 절연층(9) 위에 전기 전도 박막을 증착하여 패턴화함으로써, 상기 제3 비아 홀(11) 및 제4 비아 홀(12) 각각에 의해 상기 LED 반도체층(2)과 연결 전극(7)에 접촉되는 상부 전극(13)을 형성하는 33단계; 를 포함한다.
구체적으로, 상기 제2 절연층(9)의 소재는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 알루미늄 산화물 등이며, 상기 상부 전극(13)은 투명 전극이며, 소재는 ITO, IZO, 또는 PEDOT: PSS이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 전사 헤드(300); 및 베이스 기판(41), 상기 베이스 기판 위에 설치되며 어레이 배열되는 복수 개의 서브 픽셀 영역(15), 및 각각의 서브 픽셀 영역(15) 내에 설치되며 이격되게 배열되는 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44)을 포함하는 접수 기판(400); 을 제공하는 4단계; 를 포함한다.
구체적으로, 상기 4단계에서 제공하는 접수 기판(400)은, TFT층(42) 및 픽셀 정의층(45);을 더 포함하며, 상기 TFT층(42)은, 상기 베이스 기판(41)과 상기 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44) 사이에 설치되며, 상기 베이스 기판(41) 위에 설치되는 활성층(421), 상기 활성층(421) 및 상기 베이스 기판(41)을 커버하는 게이트 절연층(422), 상기 활성층(421) 상부의 게이트 절연층(422) 위에 설치되는 게이트(423), 상기 게이트(423) 및 게이트 절연층(422)을 커버하는 층간 절연층(424), 상기 층간 절연층(424) 위에 설치되며 상기 활성층(421)의 양단에 접촉되는 소스(425) 및 드레인(426), 및 상기 소스(425), 드레인(426), 층간 절연층(424)을 커버하는 패시베이션층(427); 을 포함하며, 상기 제2 전극접점(44)은 상기 소스(425)에 접촉되고; 상기 픽셀 정의층(45)은 패시베이션층(427) 위에 설치되며 마이크로 발광다이오드(200)의 둘레에 위치한다.
도 14를 참조하면, 상기 전사 헤드(300)에 의해 이송 기판(8) 위의 마이크로 발광다이오드(200)를 접수 기판(400) 위에 전사하고, 각각의 서브 픽셀 영역(15)은 각각의 마이크로 발광다이오드(200)에 대응되며, 각각의 서브 픽셀 영역(15) 내의 마이크로 발광다이오드(200)의 하부 전극(6) 및 연결 전극(7)은 각각 상기 서브 픽셀 영역(15) 내의 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44)에 본딩(Bonding)되는 5단계; 를 포함한다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 상기 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44)에 테스트 전압을 제공하여, 접수 기판(400) 위의 각각의 마이크로 발광다이오드(200)가 정상적으로 점등되는지 여부를 테스트하고, 상기 접수 기판(400) 위의 모든 마이크로 발광다이오드(200)가 정상적으로 점등될 경우, 상기 마이크로 발광다이오드(200), 패시베이션층(427), 픽셀 정의층(45), 제1 전극접점(43), 및 제2 전극접점(44)의 위에 계속하여 보호층(16)을 형성하며; 상기 접수 기판(400) 위에 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드(200)가 있을 경우, 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드(200)를 새로운 마이크로 발광다이오드(200)로 교체하고, 상기 접수 기판(400) 위의 모든 마이크로 발광다이오드(200)가 정상적으로 점등될 때까지 다시 테스트하는 6단계; 를 포함한다.
구체적으로, 상기 보호층(16)은 마이크로 발광다이오드(200)의 광 추출 효과를 향상시키는 기능을 가지며, 상기 보호층(16)은 양호한 열전도 기능을 가진다.
나아가, 도 16을 참조하면, 상기 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44) 위에는 적어도 2개의 본딩 위치(500)가 미리 설치되어 있으며, 상기 6단계에서 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드(200)를 새로운 마이크로 발광다이오드(200)로 교체할 경우, 교체 후의 마이크로 발광다이오드(200)와 교체 전의 마이크로 발광다이오드(200)는 서로 다른 본딩 위치(500)에 위치한다.
설명해야 할 것은, 본 발명의 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법은, 우선 오리지널 기판(1) 위에 하부 전극(6), LED 반도체층(2), 및 연결 전극(7)을 포함하는 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)을 제조하고, 이어서 마이크로 발광다이오드의 중간제품(100)을 이송 기판(8)에 전이시키고 상하 반전시키며, 다음으로 계속하여 LED 반도체층(2) 및 연결 전극(7) 모두에 연결되는 상부 전극(13)을 형성하여, 완제품인 마이크로 발광다이오드(200)를 획득하며, 마지막으로 마이크로 발광다이오드(200)를 접수 기판(400)에 전사하여, 하부 전극(6) 및 연결 전극(7)이 각각 제1 전극접점(43) 및 제2 전극접점(44)에 본딩되도록 하며, 따라서 마이크로 발광다이오드(200)를 전사한 다음 그 어떠한 제조 공정도 거칠 필요 없이, 바로 마이크로 발광다이오드(200)의 조명 테스트를 진행할 수 있으며, 마이크로 발광다이오드(200)가 정상적으로 점등되는 것으로 확인된 후에 보호층(16) 등 기타 구조를 계속하여 제조하여, 제품 검사 및 제품 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
상술한 바를 종합하면, 본 발명은 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널을 제공하며, 상기 디스플레이 패널의 베이스 기판 위에는 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점이 설치되며, 상기 제1 전극접점 및 제2 전극접점은 각각 마이크로 발광다이오드의 하부 전극 및 연결 전극에 접촉되며, 상기 연결 전극은 마이크로 발광다이오드의 상부 전극에도 접촉되며, 마이크로 발광다이오드를 전사한 후에 바로 마이크로 발광다이오드의 검사를 진행할 수 있기 때문에, 제품 검사 및 제품 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다. 본 발명은 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법을 더 제공하며, 마이크로 발광다이오드가 전사된 후에 바로 마이크로 발광다이오드의 검사를 진행할 수 있기 때문에, 제품 검사 및 제품 보수의 어려움을 줄이고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 기술분야의 통상의 기술자는, 본 발명의 기술방안과 기술구상에 근거하여, 기타 여러 가지 변경 및 변형을 할 수 있으며, 이러한 모든 변경 및 변형은 모두 본 발명 청구범위의 보호범위에 속해야 한다.

Claims (15)

  1. 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 설치되며 어레이 배열되는 복수 개의 서브 픽셀 영역, 각각의 서브 픽셀 영역 내에 설치되며 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점, 및 각각의 서브 픽셀 영역 내의 상기 제1 전극접점 및 상기 제2 전극접점의 위에 설치되는 마이크로 발광다이오드; 를 포함하며,
    상기 마이크로 발광다이오드는, 상기 제1 전극접점에 접촉되는 하부 전극, 상기 하부 전극의 상부에 설치되며 상기 하부 전극에 접촉되는 LED 반도체층, 상기 LED 반도체층의 상부에 설치되며 상기 LED 반도체층에 접촉되는 상부 전극, 상기 LED 반도체층을 둘러싸는 절연 보호층, 및 상기 절연 보호층 표면 위에 설치되며 상기 상부 전극 및 제2 전극접점을 연결하는 연결 전극을 포함하고, 상기 제1 전극접점은 상기 하부 전극에 직접 연결되고, 상기 연결 전극은 상기 상부 전극에 직접 연결되는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판과 상기 제1 전극접점 및 상기 제2 전극접점 사이에 설치되는 TFT층; 을 더 포함하며,
    상기 TFT층은, 상기 베이스 기판 위에 설치되는 활성층, 상기 활성층 및 상기 베이스 기판을 커버하는 게이트 절연층, 상기 활성층 상부의 상기 게이트 절연층의 위에 설치되는 게이트, 상기 게이트 및 상기 게이트 절연층을 커버하는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 위에 설치되며 상기 활성층의 양단에 접촉되는 소스 및 드레인, 및 상기 소스, 상기 드레인, 상기 층간 절연층을 커버하는 패시베이션층; 을 포함하며, 상기 제2 전극접점은 상기 소스에 접촉되는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 패시베이션층 위에 설치되며 상기 마이크로 발광다이오드의 둘레에 위치하는 픽셀 정의층, 및 상기 패시베이션층, 상기 제1 전극접점, 상기 제2 전극접점, 상기 마이크로 발광다이오드 및 상기 픽셀 정의층을 커버하는 보호층을 더 포함하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널.
  4. 오리지널 기판을 제공하며, 상기 오리지널 기판 위에 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드의 중간제품을 형성하는 1단계; 를 포함하며,
    각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품은 모두, 상기 오리지널 기판 위에 설치되는 LED 반도체층, 상기 LED 반도체층 및 상기 오리지널 기판을 커버하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층의 위에 설치되고 상기 LED 반도체층에 접촉되는 하부 전극, 및 상기 제1 절연층의 위에 설치되고 상기 오리지널 기판에 접촉되는 연결 전극; 을 포함하며,
    이송 기판을 제공하며, 상기 이송 기판의 표면을 각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품의 상기 하부 전극 및 상기 연결 전극에 접착하며, 상기 오리지널 기판을 박리하여, 모든 마이크로 발광다이오드의 중간제품이 상기 이송 기판에 전이되도록 하며, 상기 오리지널 기판에 접촉되는 상기 LED 반도체층의 표면을 노출하는 2단계; 를 포함하며,
    상기 노출된 LED 반도체층 및 상기 제1 절연층 위에 제2 절연층, 및 상기 제2 절연층 위에 설치되고 상기 LED 반도체층 및 상기 연결 전극에 접촉되는 상부 전극을 순차적으로 형성하여, 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드를 획득하는 3단계; 를 포함하며,
    전사 헤드 및 접수 기판을 제공하며, 상기 접수 기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 설치되며 어레이 배열되는 복수 개의 서브 픽셀 영역, 및 각각의 서브 픽셀 영역 내에 설치되며 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점을 포함하는 4단계; 를 포함하며,
    상기 전사 헤드에 의해 상기 이송 기판 위의 상기 마이크로 발광다이오드를 상기 접수 기판 위에 전사하고, 각각의 서브 픽셀 영역은 각각의 마이크로 발광다이오드에 대응되며, 각각의 서브 픽셀 영역 내의 마이크로 발광다이오드의 하부 전극 및 연결 전극은 각각 상기 서브 픽셀 영역 내의 제1 전극접점 및 제2 전극접점에 본딩되는 5단계; 를 포함하며,
    상기 제1 전극접점 및 상기 제2 전극접점에 테스트 전압을 제공하여, 상기 접수 기판 위의 각각의 마이크로 발광다이오드가 정상적으로 점등되는지 여부를 테스트하고, 상기 접수 기판 위의 모든 마이크로 발광다이오드가 모두 정상적으로 점등될 경우, 상기 마이크로 발광다이오드, 상기 제1 전극접점, 및 상기 제2 전극접점의 위에 계속하여 보호층을 형성하며; 상기 접수 기판 위에 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드가 있을 경우, 상기 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드를 새로운 마이크로 발광다이오드로 교체하고, 상기 접수 기판 위의 모든 마이크로 발광다이오드가 정상적으로 점등될 때까지 다시 테스트하는 6단계; 를 포함하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 1단계는 구체적으로,
    오리지널 기판을 제공하고, 상기 오리지널 기판 위에 LED 반도체 박막을 형성하며, 상기 LED 반도체 박막 위에 패턴화된 제1 포토레지스트층을 형성하는 11단계;
    상기 제1 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 LED 반도체 박막을 식각함으로써, 이격되게 배열되는 복수 개의 LED 반도체층을 형성하는 12단계;
    상기 LED 반도체층 및 상기 오리지널 기판 위에 제1 절연층을 커버하고, 상기 제1 절연층 위에 패턴화된 제2 포토레지스트층을 형성하는 13단계;
    상기 제2 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제1 절연층을 식각함으로써, 상기 제1 절연층을 관통하며 각각 상기 LED 반도체층의 일부 및 상기 오리지널 기판의 일부를 노출하는 제1 비아 홀 및 제2 비아 홀을 형성하는 14단계;
    상기 제1 절연층, 상기 LED 반도체층 및 상기 오리지널 기판 위에 제1 금속 박막을 형성하고, 상기 제1 금속 박막 위에 패턴화된 제3 포토레지스트층을 형성하는 15단계;
    상기 제3 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제1 금속 박막을 식각함으로써, 상기 제1 비아 홀에 의해 상기 LED 반도체층에 접촉되는 하부 전극 및 상기 제2 비아 홀에 의해 상기 오리지널 기판에 접촉되는 연결 전극을 형성하는 16단계; 를 포함하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 2단계에서 상기 이송 기판은 표면에 접착층이 설치된 경질 기판인 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 3단계는 구체적으로,
    상기 LED 반도체층 및 상기 제1 절연층 위에 상기 제2 절연층을 형성하고, 상기 제2 절연층 위에 패턴화된 제4 포토레지스트층을 형성하는 31단계;
    상기 제4 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제2 절연층을 식각함으로써, 상기 제2 절연층을 관통하고 각각 상기 LED 반도체층의 일부 및 상기 연결 전극의 일부를 노출하는 제3 비아 홀 및 제4 비아 홀을 형성하는 32단계;
    상기 제2 절연층 위에 전기 전도 박막을 증착하여 패턴화함으로써, 상기 제3 비아 홀 및 상기 제4 비아 홀 각각에 의해 상기 LED 반도체층과 상기 연결 전극에 접촉되는 상부 전극을 형성하는 33단계; 를 포함하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 4단계에서 제공되는 상기 접수 기판은, TFT층 및 픽셀 정의층; 을 더 포함하며,
    상기 TFT층은 상기 베이스 기판과 상기 제1 전극접점 및 상기 제2 전극접점 사이에 설치되며, 상기 베이스 기판 위에 설치되는 활성층, 상기 활성층 및 상기 베이스 기판을 커버하는 게이트 절연층, 상기 활성층 상부의 상기 게이트 절연층의 위에 설치되는 게이트, 상기 게이트 및 상기 게이트 절연층을 커버하는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 위에 설치되며 상기 활성층의 양단에 접촉되는 소스 및 드레인, 및 상기 소스, 상기 드레인, 상기 층간 절연층을 커버하는 패시베이션층; 을 포함하며, 상기 제2 전극접점은 상기 소스에 접촉되며;
    상기 픽셀 정의층은 상기 패시베이션층 위에 설치되며 상기 마이크로 발광다이오드의 둘레에 위치하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제1 전극접점 및 상기 제2 전극접점 위에는 적어도 2개의 본딩 위치가 미리 설치되어 있으며, 상기 6단계에서 상기 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드를 새로운 마이크로 발광다이오드로 교체할 경우, 교체 후의 마이크로 발광다이오드와 교체 전의 마이크로 발광다이오드는 서로 다른 본딩 위치에 위치하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 2단계에서 레이저 리프트오프 공정에 의해 상기 오리지널 기판을 박리하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  11. 오리지널 기판을 제공하며, 상기 오리지널 기판 위에 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드의 중간제품을 형성하는 1단계; 를 포함하며,
    각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품은 모두, 상기 오리지널 기판 위에 설치되는 LED 반도체층, 상기 LED 반도체층 및 상기 오리지널 기판을 커버하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층의 위에 설치되고 상기 LED 반도체층에 접촉되는 하부 전극, 및 상기 제1 절연층의 위에 설치되고 오리지널 기판에 접촉되는 연결 전극; 을 포함하며,
    이송 기판을 제공하며, 상기 이송 기판의 표면을 각각의 마이크로 발광다이오드의 중간제품의 상기 하부 전극 및 상기 연결 전극에 접착하며, 상기 오리지널 기판을 박리하여, 모든 마이크로 발광다이오드의 중간제품이 상기 이송 기판에 전이되도록 하며, 상기 오리지널 기판에 접촉되는 상기 LED 반도체층의 표면을 노출하는 2단계; 를 포함하며,
    상기 노출된 LED 반도체층 및 상기 제1 절연층 위에 제2 절연층, 및 상기 제2 절연층 위에 설치되고 상기 LED 반도체층 및 상기 연결 전극에 접촉되는 상부 전극을 순차적으로 형성하여, 이격되게 배열되는 복수 개의 마이크로 발광다이오드를 획득하는 3단계; 를 포함하며,
    전사 헤드 및 접수 기판을 제공하며, 상기 접수 기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 설치되며 어레이 배열되는 복수 개의 서브 픽셀 영역, 및 각각의 서브 픽셀 영역 내에 설치되며 이격되게 배열되는 제1 전극접점 및 제2 전극접점을 포함하는 4단계; 를 포함하며,
    상기 전사 헤드에 의해 상기 이송 기판 위의 상기 마이크로 발광다이오드를 상기 접수 기판 위에 전사하고, 하나의 서브 픽셀 영역은 하나의 마이크로 발광다이오드에 대응되며, 각각의 서브 픽셀 영역 내의 마이크로 발광다이오드의 하부 전극 및 연결 전극은 각각 상기 서브 픽셀 영역 내의 제1 전극접점 및 제2 전극접점에 본딩되는 5단계; 를 포함하며,
    상기 제1 전극접점 및 상기 제2 전극접점에 테스트 전압을 제공하여, 상기 접수 기판 위의 각각의 마이크로 발광다이오드가 정상적으로 점등되는지 여부를 확인하고, 상기 접수 기판 위의 모든 마이크로 발광다이오드가 모두 정상적으로 점등될 경우, 상기 마이크로 발광다이오드, 상기 제1 전극접점, 및 상기 제2 전극접점의 위에 계속하여 보호층을 형성하며; 상기 접수 기판 위에 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드가 있을 경우, 상기 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드를 새로운 마이크로 발광다이오드로 교체하고, 상기 접수 기판 위의 모든 마이크로 발광다이오드가 정상적으로 점등될 때까지 다시 테스트하는 6단계; 를 포함하며,
    상기 1단계는 구체적으로,
    상기 오리지널 기판을 제공하고, 상기 오리지널 기판 위에 LED 반도체 박막을 형성하며, 상기 LED 반도체 박막 위에 패턴화된 제1 포토레지스트층을 형성하는 11단계;
    상기 제1 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 LED 반도체 박막을 식각함으로써, 이격되게 배열되는 복수 개의 LED 반도체층을 형성하는 12단계;
    상기 LED 반도체층 및 상기 오리지널 기판 위에 상기 제1 절연층을 커버하고, 상기 제1 절연층 위에 패턴화된 제2 포토레지스트층을 형성하는 13단계;
    제2 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제1 절연층을 식각함으로써, 상기 제1 절연층을 관통하며 각각 상기 LED 반도체층의 일부 및 상기 오리지널 기판의 일부를 노출하는 제1 비아 홀 및 제2 비아 홀을 형성하는 14단계;
    상기 제1 절연층, 상기 LED 반도체층 및 상기 오리지널 기판 위에 제1 금속 박막을 형성하고, 상기 제1 금속 박막 위에 패턴화된 제3 포토레지스트층을 형성하는 15단계;
    상기 제3 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제1 금속 박막을 식각함으로써, 상기 제1 비아 홀에 의해 상기 LED 반도체층에 접촉되는 하부 전극 및 상기 제2 비아 홀에 의해 상기 오리지널 기판에 접촉되는 연결 전극을 형성하는 16단계; 를 포함하며,
    상기 2단계에서 상기 이송 기판은 표면에 접착층이 설치된 경질 기판인 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 3단계는 구체적으로,
    상기 LED 반도체층 및 상기 제1 절연층 위에 제2 절연층을 형성하고, 상기 제2 절연층 위에 패턴화된 제4 포토레지스트층을 형성하는 31단계;
    상기 제4 포토레지스트층으로 차폐하여 상기 제2 절연층을 식각함으로써, 상기 제2 절연층을 관통하고 각각 상기 LED 반도체층의 일부 및 상기 연결 전극의 일부를 노출하는 제3 비아 홀 및 제4 비아 홀을 형성하는 32단계;
    상기 제2 절연층 위에 전기 전도 박막을 증착하여 패턴화함으로써, 상기 제3 비아 홀 및 상기 제4 비아 홀 각각에 의해 상기 LED 반도체층과 상기 연결 전극에 접촉되는 상부 전극을 형성하는 33단계; 를 포함하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 4단계에서 제공되는 상기 접수 기판은, TFT층 및 픽셀 정의층; 을 더 포함하며,
    상기 TFT층은 상기 베이스 기판과 상기 제1 전극접점 및 상기 제2 전극접점 사이에 설치되며, 상기 베이스 기판 위에 설치되는 활성층, 상기 활성층 및 상기 베이스 기판을 커버하는 게이트 절연층, 상기 활성층 상부의 상기 게이트 절연층의 위에 설치되는 게이트, 상기 게이트 및 상기 게이트 절연층을 커버하는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 위에 설치되며 상기 활성층의 양단에 접촉되는 소스 및 드레인, 및 상기 소스, 상기 드레인, 상기 층간 절연층을 커버하는 패시베이션층; 을 포함하며, 상기 제2 전극접점은 상기 소스에 접촉되며;
    상기 픽셀 정의층은 상기 패시베이션층 위에 설치되며 상기 마이크로 발광다이오드의 둘레에 위치하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극접점 및 상기 제2 전극접점 위에는 적어도 2개의 본딩 위치가 미리 설치되어 있으며, 상기 6단계에서 정상적으로 점등되지 않는 마이크로 발광다이오드를 새로운 마이크로 발광다이오드로 교체할 경우, 교체 후의 마이크로 발광다이오드와 교체 전의 마이크로 발광다이오드는 서로 다른 본딩 위치에 위치하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 2단계에서 레이저 리프트오프 공정에 의해 상기 오리지널 기판을 박리하는 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널의 제조방법.
KR1020197037966A 2017-05-23 2017-06-20 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법 KR102341625B1 (ko)

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Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN107680960B (zh) * 2017-09-26 2019-07-16 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107633777A (zh) * 2017-10-12 2018-01-26 深圳市创显光电有限公司 一种led显示装置及其制造方法
CN109786307B (zh) * 2017-11-15 2021-02-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型led显示面板的制备方法
US10707266B2 (en) * 2017-11-23 2020-07-07 Century Micro Display Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Micro LED display panel with double-sides display
CN108231968B (zh) * 2017-12-11 2020-02-11 厦门市三安光电科技有限公司 微发光二极管及其转移方法
TWI679762B (zh) * 2018-03-06 2019-12-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN208014703U (zh) 2018-03-29 2018-10-26 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 驱动背板、微发光二极管显示面板及显示器
KR20190114334A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 검사 및 리페어 방법
US11961871B2 (en) 2018-05-18 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for fabricating display device
CN110797369B (zh) * 2018-05-28 2022-08-16 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型发光二极管显示面板
CN110689818B (zh) * 2018-07-06 2021-10-08 群创光电股份有限公司 电子装置及电子装置的修复方法
TWI721308B (zh) * 2018-08-17 2021-03-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置
US11282984B2 (en) * 2018-10-05 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US10796938B2 (en) 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10573544B1 (en) * 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
CN111244246B (zh) * 2018-11-29 2021-08-17 成都辰显光电有限公司 发光微元件及其转移系统、显示装置
CN109616499A (zh) * 2018-12-04 2019-04-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
TWI683465B (zh) 2018-12-11 2020-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置的製造方法
KR102526352B1 (ko) * 2018-12-20 2023-04-28 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 표시패널
CN109801925B (zh) * 2019-01-17 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种微led显示面板及其制备方法
US11156759B2 (en) 2019-01-29 2021-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11302248B2 (en) 2019-01-29 2022-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh U-led, u-led device, display and method for the same
US11610868B2 (en) 2019-01-29 2023-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11271143B2 (en) 2019-01-29 2022-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
KR20200026661A (ko) * 2019-02-20 2020-03-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN109904174B (zh) 2019-02-28 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的电路背板及其制备方法和显示面板
CN109873007B (zh) * 2019-04-02 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有源矩阵微发光二极管显示面板
US11538852B2 (en) 2019-04-23 2022-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
CN114026705A (zh) * 2019-04-23 2022-02-08 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 发光二极管模块、发光二极管显示模块及其制造方法
CN110047866B (zh) * 2019-04-30 2021-04-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及微型led的转移方法
KR20200129340A (ko) 2019-05-08 2020-11-18 삼성전자주식회사 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이의 제조 방법
CN110190068B (zh) 2019-05-21 2020-12-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的制造方法
CN112018143A (zh) * 2019-05-28 2020-12-01 云谷（固安）科技有限公司 微发光二极管显示基板、显示面板及其制作方法、显示装置
CN112054105A (zh) * 2019-06-06 2020-12-08 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示器的制造方法
CN110189628B (zh) * 2019-06-28 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 一种背光模组及显示装置
KR102642331B1 (ko) * 2019-07-03 2024-03-04 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법
KR20210004324A (ko) * 2019-07-04 2021-01-13 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법
CN110349989B (zh) * 2019-07-17 2022-05-03 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管、显示基板和转移方法
CN110459475A (zh) * 2019-07-23 2019-11-15 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种薄膜晶体管及其制造方法
KR102647425B1 (ko) * 2019-07-24 2024-03-14 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 디스플레이 기판 및 그 제조 방법
CN112649711B (zh) * 2019-10-12 2022-04-15 成都辰显光电有限公司 微发光二极管的检测装置及方法
CN110739377B (zh) * 2019-10-28 2023-07-25 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管装置
CN110911436B (zh) * 2019-12-03 2022-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法
CN111128942B (zh) * 2019-12-04 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种微发光二极管显示基板及其制备方法
KR20210078627A (ko) * 2019-12-18 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
CN111081160B (zh) 2019-12-31 2022-01-04 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US11699690B2 (en) * 2020-02-19 2023-07-11 Innolux Corporation Display device and manufacturing method thereof
TWI775209B (zh) * 2020-02-19 2022-08-21 群創光電股份有限公司 顯示裝置
CN111902952A (zh) * 2020-02-24 2020-11-06 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光二极管的巨量转移方法、以及显示背板组件
US20210320234A1 (en) * 2020-04-09 2021-10-14 Raysolve Optoelectronics (Suzhou) Company Limited Light emitting diode structure and method for manufacturing the same
CN111463230A (zh) * 2020-04-13 2020-07-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED阵列基板的修补装置以及micro LED阵列基板的修补方法
CN111211213B (zh) * 2020-04-21 2020-09-04 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种显示背板及其制造方法
US20240038933A1 (en) * 2020-06-15 2024-02-01 Lg Electronics Inc. Semiconductor light-emitting device package and display device comprising same
KR20230025713A (ko) 2020-06-28 2023-02-22 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 장치 및 그 제조 방법
US11915985B2 (en) * 2020-11-11 2024-02-27 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Detection structure and detection method
CN112599552B (zh) * 2020-12-14 2024-02-20 苏州芯聚半导体有限公司 微发光二极管显示面板及制备方法
KR20220115674A (ko) * 2021-02-09 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220128534A (ko) * 2021-03-11 2022-09-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI765631B (zh) * 2021-03-31 2022-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件結構及顯示裝置
CN113078249A (zh) * 2021-03-31 2021-07-06 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件结构及显示装置
WO2022211549A1 (ko) * 2021-03-31 2022-10-06 엘지디스플레이 주식회사 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치
CN113764326B (zh) * 2021-09-09 2024-01-19 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 微发光二极管及其转移装置和转移方法
TWI802059B (zh) * 2021-10-26 2023-05-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置
CN113990996A (zh) * 2021-10-26 2022-01-28 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示设备
WO2023142151A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led structure and micro display panel
WO2023163433A1 (ko) * 2022-02-24 2023-08-31 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈의 리페어 방법
CN116705639A (zh) * 2023-06-27 2023-09-05 惠科股份有限公司 微发光二极管组件及其检测方法、微显示基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016004892A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 ソニー株式会社 半導体素子、パッケージ素子、発光パネル装置、ウェーハ、および半導体素子の製造方法
JP2016512347A (ja) * 2013-03-15 2016-04-25 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイ、及び統合欠陥検出検査を備えた発光ダイオードディスプレイを製造する方法

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194775A (ja) * 1984-10-17 1986-05-13 Oki Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄプリンタの製造方法
JP3760411B2 (ja) * 2003-05-21 2006-03-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション アクティブマトリックスパネルの検査装置、検査方法、およびアクティブマトリックスｏｌｅｄパネルの製造方法
KR100603836B1 (ko) * 2004-11-30 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
US7943953B2 (en) * 2006-01-31 2011-05-17 Kyocera Corporation Light emitting device and light emitting module
WO2008093880A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-07 Sanyo Electric Co., Ltd. 半導体装置及びその製造方法
DE102007011123A1 (de) * 2007-03-07 2008-09-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Modul und Herstellungsverfahren für ein Licht emittierendes Modul
KR101592201B1 (ko) * 2008-11-06 2016-02-05 삼성전자 주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
JP4930548B2 (ja) * 2009-06-08 2012-05-16 サンケン電気株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2011125311A1 (ja) * 2010-04-01 2011-10-13 パナソニック株式会社 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置
JP5652252B2 (ja) * 2011-02-24 2015-01-14 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
US9666764B2 (en) * 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
JP5843859B2 (ja) * 2011-07-01 2016-01-13 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光素子の製造方法
US8952402B2 (en) * 2011-08-26 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods
US9548332B2 (en) * 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
WO2014018844A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Schlumberger Canada Limited Object detection system and methodology
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9178123B2 (en) * 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9159700B2 (en) * 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9105714B2 (en) * 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US8987765B2 (en) * 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US20170271548A1 (en) * 2013-06-26 2017-09-21 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN103390613B (zh) * 2013-08-14 2016-08-10 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 高发光均匀性的密排列led面阵器件及制备方法
TWI534993B (zh) * 2013-09-25 2016-05-21 友達光電股份有限公司 無機發光二極體之畫素結構
TWI467528B (zh) * 2013-10-30 2015-01-01 Au Optronics Corp 發光二極體顯示面板及其製作方法
CN104269427B (zh) * 2014-09-05 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
KR101649657B1 (ko) * 2014-10-07 2016-08-30 엘지전자 주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US9825202B2 (en) * 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10269776B2 (en) * 2014-12-16 2019-04-23 PlayNitride Inc. Light emitting device
KR102422246B1 (ko) * 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102402999B1 (ko) * 2015-08-31 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
GB2541970B (en) * 2015-09-02 2020-08-19 Facebook Tech Llc Display manufacture
US10032757B2 (en) * 2015-09-04 2018-07-24 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Projection display system
US10170455B2 (en) * 2015-09-04 2019-01-01 PlayNitride Inc. Light emitting device with buffer pads
US10304811B2 (en) * 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
US10177127B2 (en) * 2015-09-04 2019-01-08 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
WO2017094461A1 (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 シャープ株式会社 画像形成素子
TWI657563B (zh) * 2015-12-15 2019-04-21 優顯科技股份有限公司 光電裝置及其製造方法
CN106887488B (zh) * 2015-12-15 2019-06-11 群创光电股份有限公司 发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置
KR102442612B1 (ko) * 2016-02-19 2022-09-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 트랜스퍼 방법
KR102651054B1 (ko) * 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
US10153257B2 (en) * 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
TWI588984B (zh) * 2016-03-14 2017-06-21 群創光電股份有限公司 顯示裝置
KR102537440B1 (ko) * 2016-03-18 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10223962B2 (en) * 2016-03-21 2019-03-05 X-Celeprint Limited Display with fused LEDs
KR102536254B1 (ko) * 2016-03-22 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 Led 칩 실장 장치 및 상기 led 칩 실장 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법
US10103069B2 (en) * 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
KR102631260B1 (ko) * 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
US9917235B2 (en) * 2016-04-11 2018-03-13 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
KR102550698B1 (ko) * 2016-04-11 2023-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 조명 장치
KR102559840B1 (ko) * 2016-04-20 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN105826435B (zh) * 2016-04-28 2018-05-01 歌尔股份有限公司 红光微发光二极管的形成方法、制造方法、背板及电子设备
US10490534B2 (en) * 2016-05-20 2019-11-26 Innolux Corporation Display device with LED pixels
US10361179B2 (en) * 2016-05-20 2019-07-23 Innolux Corporation Display device
CN107437551B (zh) * 2016-05-25 2020-03-24 群创光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
US10217678B2 (en) * 2016-06-14 2019-02-26 Innolux Corporation Display device and method of manufacturing the display device
US10121710B2 (en) * 2016-06-14 2018-11-06 Innolux Corporation Methods for manufacturing a display device
KR20180007025A (ko) * 2016-07-11 2018-01-22 삼성디스플레이 주식회사 초소형 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체, 표시장치 및 그 제조방법
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
CN106229326B (zh) * 2016-07-22 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 转印微发光二极管的方法及显示面板的制作方法
TWI611599B (zh) * 2016-10-27 2018-01-11 友達光電股份有限公司 過渡載板裝置、顯示面板以及兩者的製造方法、微型發光件的檢測方法
CN106601657B (zh) * 2016-12-12 2019-12-17 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备
US11225066B2 (en) * 2017-03-29 2022-01-18 Xerox Corporation In-line detection and correction of underperforming light emitting diodes in a curing station of a three dimensional object printer
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN106941108B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
US10586829B2 (en) * 2018-01-23 2020-03-10 Light Share, LLC Full-color monolithic micro-LED pixels

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016512347A (ja) * 2013-03-15 2016-04-25 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイ、及び統合欠陥検出検査を備えた発光ダイオードディスプレイを製造する方法
JP2016004892A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 ソニー株式会社 半導体素子、パッケージ素子、発光パネル装置、ウェーハ、および半導体素子の製造方法

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