CN113078249A - 微型发光元件结构及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及微型发光元件结构及显示装置。微型发光元件结构包含一基板、一连接层、一微型发光元件及一覆盖层。连接层连接基板。微型发光元件可移除地连接连接层，且包含一半导体外延结构与二电极，其中半导体外延结构具有一外表面，电极设置于半导体外延结构的外表面的一第一表面，或分别设置于半导体外延结构的外表面的第一表面以及远离半导体外延结构的第一表面的一第二表面。覆盖层设置于半导体外延结构的外表面。因此，可增加制造良率与减少工艺成本。

Description

微型发光元件结构及显示装置

技术领域

本公开内容涉及一种微型发光元件结构及显示装置，且特别是一种可增加制造良率且改善工艺的微型发光元件结构及显示装置。

背景技术

现有技术中，微型发光元件设置于基板上时，在微型发光元件之间的连接层(如胶层)未进行移除前便先溅镀覆盖层(如氧化硅，SiO₂)于微型发光元件的上表面，再移除微型发光元件之间的连接层。然而，上述的方式受限于微型发光元件之间的间距与连接层的性质，且微型发光元件之间的连接层易有残留的问题。

因此，发展出一种不受限于微型发光元件之间的间距与连接层性质的微型发光元件结构及显示装置遂成为产业上重要且急欲解决的问题。

发明内容

本公开内容提供一种微型发光元件结构及显示装置，通过覆盖层可增加制造良率并可减少工艺成本，且不受限于微型发光元件之间的间距。

依据本公开内容一实施方式提供一种微型发光元件结构，包含一基板、一连接层、一微型发光元件及一覆盖层。连接层连接基板。微型发光元件可移除地连接连接层，且包含一半导体外延结构与二电极，其中半导体外延结构具有一外表面，电极设置于半导体外延结构的外表面的的一第一表面，或分别设置于半导体外延结构的外表面的的第一表面以及远离半导体外延结构的第一表面的一第二表面。覆盖层设置于半导体外延结构的外表面。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量可大于连接层的杨氏模量。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量与连接层的杨氏模量的差异值可大于等于连接层的杨氏模量的15倍。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可进一步设置于连接层的一外表面。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可配置于半导体外延结构的第二表面，覆盖层于第二表面的投影面积为A1，第二表面的表面积为A2，其可满足下列条件：0.8A2≤A1≤A2。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可配置于半导体外延结构的第二表面，且覆盖层配置的距离可大于等于0.5μm，且小于等于1μm。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中每一电极中至少一者可连接于覆盖层。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，可还包含一隔离层，其中隔离层设置于第一表面，且隔离层的杨氏模量可大于连接层的杨氏模量。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可接触隔离层。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层与隔离层之间具有一角度，角度可小于等于90度。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量可小于等于隔离层的杨氏模量。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的厚度可小于等于隔离层的厚度。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可进一步配置于隔离层上，配置的距离可小于等于10μm。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中隔离层可进一步配置于半导体外延结构的外表面的一部分侧面。

依据本公开内容一实施方式提供一种显示装置，包含一线路基板、多个微型发光元件、一覆盖层及一隔离层。线路基板包含一接垫层。微型发光元件通过接垫层电性连接线路基板，且每一微型发光元件包含一半导体外延结构与二电极，其中半导体外延结构具有一外表面，电极设置于半导体外延结构上，且电性连接接垫层。覆盖层设置于半导体外延结构的外表面。隔离层设置于半导体外延结构的外表面，且覆盖层接触隔离层。

依据前段所述实施方式的显示装置，其中覆盖层可设置于隔离层的一外表面，且接触于每一电极。

附图说明

图1示出依照本发明一实施方式中微型发光元件结构的示意图；

图2示出依照图1实施方式中微型发光元件结构的转移示意图；

图3示出依照图2实施方式中微型发光元件结构的断裂示意图；

图4示出依照图1实施方式中微型发光元件结构转移后的示意图；

图5示出依照图1实施方式中微型发光元件结构转移后的另一示意图；

图6示出依照本发明另一实施方式中微型发光元件结构的示意图；

图7示出依照本发明一实施方式中基板、连接层、半导体外延结构及覆盖层的组合示意图；

图8示出依照图7实施方式中微型发光元件结构的电极设置示意图；

图9示出依照图7实施方式中微型发光元件结构的转移示意图；

图10示出依照图7实施方式中微型发光元件结构转移后的示意图；

图11示出依照图7实施方式中微型发光元件结构另一转移后的示意图；

图12示出依照本发明另一实施方式中基板、连接层、半导体外延结构及覆盖层的组合示意图；

图13示出依照图12实施方式中半导体外延结构与覆盖层的转移示意图；

图14示出依照图12实施方式中微型发光元件结构的转移后与电极设置示意图；

图15示出依照图12实施方式中微型发光元件结构的另一转移后与电极设置示意图；

图16示出依照本发明一实施方式中显示装置的示意图；

图17示出依照本发明另一实施方式中显示装置的示意图；以及

图18示出依照图17实施方式中显示装置的另一示意图。

附图标记说明：

100、200、300、400：微型发光元件结构

111、211、311、411：基板

112、312、412：转移基板

121、221、321、421：连接层

122、322、422：转移材料

130、230、330、430、520、620：微型发光元件

131a、331a、521a、621a：第一电极

131b、331b、521b、621b：第二电极

132、232、332、432、522、622：半导体外延结构

133、523：第一半导体层

134、524、624：发光层

135、525：第二半导体层

136、236、336、435、526、626：第一表面

137、337、436、527、627：第二表面

138、238、338、438、528、628：侧面

140、240、340、440、530、630：覆盖层

150、250、540、640：隔离层

360：绝缘层

431：电极

500、600：显示装置

510、610：线路基板

511、611：接垫层

θ1：角度

θ2：内缩角度

B：断裂线

P：断裂起始点

A1：覆盖层于第二表面的投影面积

A2：第二表面的表面积

D：覆盖层配置的距离

d：内缩距离

具体实施方式

请配合参照图1，其示出依照本发明一实施方式中微型发光元件结构100的示意图。由图1可知，微型发光元件结构100包含一基板111、一连接层121、一微型发光元件130及一覆盖层140。

连接层121连接基板111，其中基板111可做为临时基板(即无线路的基板，供巨量转移时临时承载微型发光元件的基板)，且基板111的材质可为蓝宝石(sapphire)或玻璃等平整度佳的无线路的基板，但并不以此为限。

微型发光元件130可移除地连接连接层121，且包含一半导体外延结构132与二电极，其中半导体外延结构132具有一外表面，且包含一第一半导体层133、一发光层134及一第二半导体层135。进一步来说，发光层134设置于第一半导体层133与第二半导体层135之间，且电极设置于半导体外延结构132的外表面的一第一表面136，其中电极包含电性相反的第一电极131a和第二电极131b，分别与第二半导体层135及第一半导体层133电性连接。

覆盖层140设置于半导体外延结构132的外表面与连接层121的一外表面。详细来说，覆盖层140设置于半导体外延结构132的一第二表面137与侧面138，其中第二表面137为半导体外延结构132的第一表面136的相对表面。具体而言，图1实施方式中，微型发光元件130是一覆晶式微型发光元件(Flip-chip Micro LED)。

通过上述微型发光元件结构100的配置，微型发光元件结构100在制造过程中进行转移作业时，可通过连接层121的配置使微型发光元件130暂时固定于基板111上，后续微型发光元件130与基板111可顺利的分离，而转移至一转移基板112(如图2所示)进行后续加工，且通过覆盖层140的设置，于转移过程中可有效地保护微型发光元件结构100，以提升制造良率。

再者，覆盖层140的杨氏模量大于连接层121的杨氏模量，其中覆盖层140的杨氏模量与连接层121的杨氏模量的差异值大于等于连接层121的杨氏模量的15倍。当覆盖层140的杨氏模量与连接层121的杨氏模量的差异值小于15倍时，可能使覆盖层140或连接层121残留于微型发光元件130上。并且，通过杨氏模量的差异，有助于微型发光元件130脱离连接层121。

微型发光元件结构100还包含一隔离层150，其中隔离层150设置于第一表面136，且覆盖层140接触隔离层150的侧面。通过隔离层150仅设置于第一表面136，不会占据侧面空间，可于工艺过程中具有较高的空间利用率。

覆盖层140的材质与隔离层150的材质可为相同或不同，其中覆盖层140的杨氏模量小于等于隔离层150的杨氏模量，覆盖层140的厚度小于等于隔离层150的厚度，且覆盖层140的硬度小于等于隔离层150的硬度。通过覆盖层140的杨氏模量小于等于隔离层150的杨氏模量，有助于提升转移的效率，并可避免覆盖层140残留于微型发光元件130上。优选的是，当覆盖层140的硬度、厚度、杨氏模量上述三者至少之一小于隔离层150的硬度、厚度、杨氏模量时，可有更佳的转移效率。值得一提的是，隔离层150与覆盖层140皆可为无机材料，如二氧化硅、氮化铝等绝缘材料，而连接层121可为有机材料，后续较易与微型发光元件130分离。

再者，覆盖层140与隔离层150之间具有一角度θ1，其中角度θ1可小于等于90度。因此，当微型发光元件结构100转移时较不易有连接层121残留的问题。优选的是，当角度θ1小于等于50度时，受转移装置(图未示出)施压进行转移时可具有更佳的转移脱离点。进一步来说，覆盖层140与隔离层150形成如阶梯形、凸形或倒梯形的剖面，但并不以此为限。

请配合参照图2与图3，其中图2示出依照图1实施方式中微型发光元件结构100的转移示意图，图3示出依照图2实施方式中微型发光元件结构100的断裂示意图。由图2与图3可知，当微型发光元件结构100进行转移时，首先将转移基板112设置于微型发光元件130与覆盖层140上，其中一转移材料122与设置于半导体外延结构132的第二表面137的覆盖层140接触，且转移材料122设置于转移基板112与覆盖层140之间，借此连接转移基板112与微型发光元件结构100的微型发光元件130。接着，通过转移基板112加压于微型发光元件结构100上，使连接层121受挤压而变形，且连接层121便会沿着断裂线B进行断裂，其中连接层121可由断裂起始点P开始断裂，但并不以此为限。必须说明的是，转移基板112的材质可与基板111的材质相同，可于转移中避免加压加温时的差异造成微型发光元件130转移偏移，且转移材料122的材质可与连接层121的材质相同，可利于后续再次转移至其他基板的步骤，但并不以此为限。

进一步来说，覆盖层140的杨氏模量与隔离层150的杨氏模量皆大于连接层121与转移材料122的杨氏模量。通过杨氏模量的差异，连接层121不易残留于隔离层150的表面。

请参照图4，其示出依照图1实施方式中微型发光元件结构100转移后的示意图。由图4可知，当微型发光元件结构100转移后，连接层121脱离隔离层150的一表面与电极(即第一电极131a和第二电极131b)的一表面，而半导体外延结构132的第一表面136的边缘可能会产生覆盖层140的残边(图未示出)，故转移之后可通过冲洗去除覆盖层140的残边而得到如图4实施方式所示的微型发光元件结构100。因此，避免覆盖层140的残边影响后续的封装作业。再者，图4实施方式中，覆盖层140仅设置于隔离层150的侧面，且隔离层150进一步配置于半导体外延结构132的外表面的一部分侧面138。

请参照图5，其示出依照图1实施方式中微型发光元件结构100转移后的另一示意图。由图5可知，覆盖层140可进一步配置于隔离层150上，且隔离层150进一步配置于半导体外延结构132的外表面的部分侧面138，其中覆盖层140配置的距离D小于等于10μm。详细来说，覆盖层140配置的距离D约3μm至4μm，其中覆盖层140覆盖于隔离层150的一部分，且隔离层150与覆盖层140皆覆盖于发光层134的侧面。因此，发光层134可完整受到隔离层150与覆盖层140的双重保护。具体来说，若配置的距离D大于10μm，即过于靠近微型发光元件130的中心，连接层121于转移过程中不易沿着断裂线B(如图3所示)产生断裂，且连接层121易残留于隔离层150的表面。

详细来说，当覆盖层140与隔离层150设置于微型发光元件130的出光面时用以导光；当覆盖层140与隔离层150设置于半导体外延结构132的侧面138时用以绝缘与保护。

请参照图6，其示出依照本发明另一实施方式中微型发光元件结构200的示意图。由图6可知，微型发光元件结构200包含一基板211、一连接层221、一微型发光元件230、一覆盖层240及一隔离层250。

微型发光元件230可移除地连接连接层221，且覆盖层240设置于半导体外延结构232的一外表面与连接层221的一外表面。隔离层250设置于第一表面236与半导体外延结构232的侧面238，且设置于半导体外延结构232的侧面238的隔离层250与设置于半导体外延结构232的侧面238的覆盖层240完全重叠。具体而言，覆盖层240于最外层，而隔离层250设置于覆盖层240与半导体外延结构232之间。因此，半导体外延结构232的侧面238可完整受到隔离层250与覆盖层240的双重保护。

另外，图6实施方式与图1实施方式其余的元件的结构及配置关系皆相同，在此将不另赘述。

请参照图7与图8，其中图7示出依照本发明一实施方式中基板311、连接层321、半导体外延结构332及覆盖层340的组合示意图，图8示出依照图7实施方式中微型发光元件结构300的电极设置示意图。由图7与图8可知，微型发光元件结构300包含一基板311、一连接层321、一微型发光元件330及一覆盖层340。

微型发光元件330可移除地连接连接层321，且覆盖层340设置于半导体外延结构332的一外表面与连接层321的一外表面。详细来说，覆盖层340设置于半导体外延结构332的一第一表面336与侧面338。因此，于转移过程中可有效地保护微型发光元件结构300。进一步来说，可先设置覆盖层340于半导体外延结构332的外表面与连接层321的外表面后，接着将覆盖层340移除一部分形成开孔后，设置一绝缘层360于开孔内壁，再将电极(即第一电极331a和第二电极331b)设置于半导体外延结构332，但并不以此为限。

请参照图9，其示出依照图7实施方式中微型发光元件结构300的转移示意图。由图9可知，当微型发光元件结构300进行转移时，首先将一转移基板312设置于微型发光元件330上，其中一转移材料322与设置于半导体外延结构332的第一表面336的覆盖层340接触，且转移材料322设置于转移基板312与覆盖层340之间，借此连接转移基板312与微型发光元件结构300的微型发光元件330。接着，通过转移基板312加压于微型发光元件结构300上，使覆盖层340和连接层321受挤压而变形且断裂。

进一步来说，覆盖层340的杨氏模量与半导体外延结构332的杨氏模量皆大于连接层321的杨氏模量，其中半导体外延结构332的杨氏模量大于等于连接层321与转移材料322的杨氏模量的15倍，但并不以此为限。通过杨氏模量的差异，有助于微型发光元件330脱离连接层321，且不易残留连接层321于半导体外延结构332的一第二表面337，其中第二表面337为远离半导体外延结构332的第一表面336。再者，连接层321与转移材料322可用以缓冲以保护微型发光元件330。特别说明的是，连接层321于基板311上的投影面积小于第二表面337于基板311上的投影面积，使得连接层321内缩于半导体外延结构332下，让后续覆盖层340也内缩于半导体外延结构332下，其中覆盖层340内缩于半导体外延结构332下的内缩距离为d，覆盖层340于半导体外延结构332与连接层321的连接处具有一内缩角度θ2，且内缩角度θ2可小于等于90度。因此，经由内缩角度θ2可让后续更易受挤压而变形且断裂。

请参照图10至图11，其中图10示出依照图7实施方式中微型发光元件结构300转移后的示意图，图11示出依照图7实施方式中微型发光元件结构300另一转移后的示意图。由图10与图11可知，覆盖层340与转移材料322接触，且连接层321转移后移除。

图11实施方式中，通过内缩的设置方式，覆盖层340可进一步配置于半导体外延结构332的第二表面337。再者，覆盖层340于第二表面337的投影面积为A1，第二表面337的表面积为A2，其可满足下列条件：0.8A2≤A1≤A2。因此，可增加微型发光元件330的出光面积，且可提升导光的作用。

详细来说，当覆盖层340设置于微型发光元件330的出光面时用以导光。再者，覆盖层340于转移前可以不内缩，使覆盖层340仅设置于半导体外延结构332的侧面338，而覆盖层340可用以绝缘、反射及保护。

值得一提的是，图7至图11实施方式的微型发光元件结构300转移后可再进行转移，并可视实际情况而决定转移次数。再者，不需要进行黄光工艺即可得到与半导体外延结构332面积相同大小用以绝缘侧面的覆盖层340(原本隔离层的功能)，且一般进行黄光工艺得到的隔离层易因工艺裕度(window)产生类似屋檐的结构，而上述结构并不利于芯片转移工艺。因此，图7至图11实施方式除了可减少工艺成本之外，且可得到有利于芯片转移工艺的微型发光元件结构300。

另外，图7实施方式与图1实施方式其余的元件的结构及配置关系皆相同，在此将不另赘述。

请参照图12至图15，其中图12示出依照本发明另一实施方式中基板411、连接层421、半导体外延结构432及覆盖层440的组合示意图，图13示出依照图12实施方式中半导体外延结构432与覆盖层440的转移示意图，图14示出依照图12实施方式中微型发光元件结构400的转移后与电极431设置示意图，图15示出依照图12实施方式中微型发光元件结构400的另一转移后与电极431设置示意图。由图12至图15可知，微型发光元件结构400包含一基板411、一连接层421、一微型发光元件430及一覆盖层440。

微型发光元件430可移除地连接连接层421，且包含电极431与一半导体外延结构432。覆盖层440设置于半导体外延结构432的一外表面与连接层421的一外表面。详细来说，覆盖层440设置于半导体外延结构432的一第一表面435与侧面438。因此，于转移过程中可有效地保护微型发光元件结构400。进一步来说，可先进行转移之后，再将电极431设置于半导体外延结构432的第一表面435以及远离半导体外延结构432的第一表面435的一第二表面436，其中设置于第一表面435的电极431是将覆盖层440移除一部分形成开孔后进行设置，可在转移前或是再进行一次转移后设置，但并不以此为限。具体而言，图12实施方式中，微型发光元件430可以是一垂直式微型发光元件(Vertical Micro LED)，其中电极431与另外一相反电性的电极(图未示出)分别配置于半导体外延结构432的二相对表面(即第二表面436与第一表面435)。

详细来说，当微型发光元件结构400进行转移时，首先将一转移基板412设置于半导体外延结构432上，其中一转移材料422与设置于半导体外延结构432的第一表面435的覆盖层440接触，且转移材料422设置于转移基板412与覆盖层440之间，借此连接转移基板412与微型发光元件结构400的微型发光元件430。接着，通过转移基板412加压于微型发光元件结构400上，使连接层421受挤压而变形且断裂。

进一步来说，覆盖层440的杨氏模量与半导体外延结构432的杨氏模量皆大于连接层421的杨氏模量。

由图15可知，覆盖层440可进一步配置于半导体外延结构432的第二表面436，且覆盖层440配置的距离D大于等于0.5μm，且小于等于1μm。电极431中至少一者连接于覆盖层440。图15实施方式中，设置于第二表面436的电极431连接于覆盖层440。具体而言，通过控制覆盖层440配置于半导体外延结构432的第二表面436可用以控制电极431配置的面积。因此，可提供足够面积注入电子，同时可避免电极431过于配置于半导体外延结构432的侧面438，而产生侧面漏电的情况。

另外，图12实施方式与图1实施方式其余的元件的结构及配置关系皆相同，在此将不另赘述。

请参考图16，其示出依照本发明一实施方式中显示装置500的示意图。由图16可知，显示装置500包含一线路基板510、多个微型发光元件520、一覆盖层530及一隔离层540。

线路基板510包含接垫层511，且微型发光元件520通过接垫层511电性连接线路基板510，其中微型发光元件520的数量可为至少三，且微型发光元件520以不同颜色的发光源至少分成红色微型发光元件、绿色微型发光元件及蓝色微型发光元件，但并不以此为限。

每一微型发光元件包含二电极与一半导体外延结构522，其中半导体外延结构522具有一外表面，且包含一第一半导体层523、一发光层524及一第二半导体层525。进一步来说，发光层524设置于第一半导体层523与第二半导体层525之间，电极设置于半导体外延结构522上，且电极电性连接接垫层511，其中电极包含电性相反的第一电极521a和第二电极521b，分别与第二半导体层525及第一半导体层523电性连接。

覆盖层530设置于半导体外延结构522的外表面，隔离层540设置于半导体外延结构522的外表面，且覆盖层530接触隔离层540。具体来说，隔离层540设置于半导体外延结构522的外表面的一第一表面526，且覆盖层530设置于半导体外延结构522的一第二表面527与侧面528，其中第二表面527为远离半导体外延结构522的第一表面526。

详细来说，当覆盖层530与隔离层540设置于微型发光元件520的出光面时用以导光；当覆盖层530与隔离层540设置于半导体外延结构522的侧面528时用以绝缘与保护。

请参照图17与图18，其中图17示出依照本发明另一实施方式中显示装置600的示意图，图18示出依照图17实施方式中显示装置600的另一示意图。由图17与图18可知，显示装置600包含一线路基板610、多个微型发光元件620、一覆盖层630及一隔离层640，其中线路基板610包含一接垫层611，且微型发光元件620通过接垫层611电性连接线路基板610。覆盖层630设置于半导体外延结构622的一外表面，隔离层640设置于半导体外延结构622的外表面，且覆盖层630接触隔离层640，其中覆盖层630设置于隔离层640的外表面，且接触于每一电极(即第一电极621a与第二电极621b)的至少部分侧面。具体来说，隔离层640设置于半导体外延结构622的外表面的一第一表面626，且覆盖层630设置于半导体外延结构622的一第二表面627与侧面628，其中第二表面627为远离半导体外延结构622的第一表面626。进一步来说，隔离层640与覆盖层630皆覆盖于发光层624的侧面。因此，发光层624可完整受到隔离层640与覆盖层630的双重保护。

特别说明的是，图18实施方式中，覆盖层630可进一步完整配置于每一电极(即第一电极621a与第二电极621b)的外侧面，可使电极在与接垫层611连结时有更佳的保护力和支撑力，不会因受高压高温的影响。

另外，图17和图18实施方式与图16实施方式其余的元件的结构及配置关系皆相同，在此将不另赘述。

综上所述，通过本发明的微型发光元件结构与显示装置，除了可减少工艺成本之外，同时可提升导光效率，并有助于微型发光元件结构与显示装置的微型化。

虽然本发明已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (16)

1.一种微型发光元件结构，其特征在于，包含：

一基板；

一连接层，连接该基板；

一微型发光元件，可移除地连接该连接层，且包含：

一半导体外延结构，具有一外表面；及

二电极，设置于该半导体外延结构的该外表面的一第一表面，或分别设置于该半导体外延结构的该外表面的该第一表面以及远离该半导体外延结构的该第一表面的一第二表面；以及

一覆盖层，设置于该半导体外延结构的该外表面。

2.如权利要求1所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层的杨氏模量大于该连接层的杨氏模量。

3.如权利要求2所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层的杨氏模量与该连接层的杨氏模量的差异值大于等于该连接层的杨氏模量的15倍。

4.如权利要求1所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层进一步设置于该连接层的一外表面。

5.如权利要求1所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层配置于该半导体外延结构的该第二表面，该覆盖层于该第二表面的投影面积为A1，该第二表面的表面积为A2，其满足下列条件：

0.8A2≤A1≤A2。

6.如权利要求5所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层配置于该半导体外延结构的该第二表面，且该覆盖层配置的距离大于等于0.5μm，且小于等于1μm。

7.如权利要求6所述的微型发光元件结构，其特征在于，每一该些电极中至少一者连接于该覆盖层。

8.如权利要求1所述的微型发光元件结构，其特征在于，还包含：

一隔离层，设置于该第一表面，且该隔离层的杨氏模量大于该连接层的杨氏模量。

9.如权利要求8所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层接触该隔离层。

10.如权利要求9所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层与该隔离层之间具有一角度，该角度小于等于90度。

11.如权利要求8所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层的杨氏模量小于等于该隔离层的杨氏模量。

12.如权利要求8所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层的厚度小于等于该隔离层的厚度。

13.如权利要求8所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层进一步配置于该隔离层上，配置的距离小于等于10μm。

14.如权利要求8所述的微型发光元件结构，其特征在于，该隔离层进一步配置于该半导体外延结构的该外表面的一部分侧面。

15.一种显示装置，其特征在于，包含：

一线路基板，其包含一接垫层；

多个微型发光元件，通过该接垫层电性连接该线路基板，且每一该些微型发光元件包含：

一半导体外延结构，具有一外表面；及

二电极，设置于该半导体外延结构上，且电性连接该接垫层；

一覆盖层，设置于该半导体外延结构的该外表面；以及

一隔离层，设置于该半导体外延结构的该外表面，且该覆盖层接触该隔离层。

16.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于，该覆盖层设置于该隔离层的一外表面，且接触于每一该些电极。

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