CN116705639A - 微发光二极管组件及其检测方法、微显示基板 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及微发光二极管组件及其检测方法、微显示基板，微发光二极管组件包括阵列分布的多个微发光二极管，微发光二极管包括基底、第一导电类型半导体层、电子空穴复合层、第二导电类型半导体层，以及第一电极和第二电极，微发光二极管还包括包覆第一导电类型半导体层、电子空穴复合层、第二导电类型半导体层的第一透明绝缘层，第一透明绝缘层设置有两个第一过孔，第一电极通过一个第一过孔与第一导电类型半导体层电连接，第二电极通过另一个第一过孔与第二导电类型半导体层电连接，且第一电极和第二电极位于同一平面；多个微发光二极管的第一电极和第二电极分别相互电连接。本申请可以提高巨量转移的微发光二极管组件的检测效率和良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种微发光二极管组件及其检测方法、微显示基板。
背景技术
微发光二极管包括Micro-LED和Mini-LED，因其具有高亮度、高对比、高色域、高解析度、反应时间快、节能、低功耗等优点，被认为是微显示技术的发展新方向。微发光二极管需要使用巨量转移技术将几百万甚至千万颗芯片转移至驱动背板上，转移量巨大，目前只能通过自动检测仪检测外观不良，电性不良的检测需要一个一个的对微发光二极管进行检测，检测效率低下，影响产品的良率。另外，相关技术中的微发光二极管的P电极和N电极通常不在同一平面内，巨量转移至电路板上时容易出现焊接不良等问题，进一步降低了产品的良率。
发明内容
本申请的目的旨在提供一种微发光二极管组件及其检测方法、微显示基板，其可以提高巨量转移的微发光二极管组件的检测效率和良率，提升产品竞争力。
第一方面，本申请实施例提出了一种微发光二极管组件，包括阵列分布的多个微发光二极管，微发光二极管包括基底以及从基底一侧依次设置的第一导电类型半导体层、电子空穴复合层、第二导电类型半导体层，以及与第一导电类型半导体层电连接的第一电极和与第二导电类型半导体层电连接的第二电极，微发光二极管还包括包覆第一导电类型半导体层、电子空穴复合层、第二导电类型半导体层的第一透明绝缘层，第一透明绝缘层设置有两个第一过孔，第一电极通过一个第一过孔与第一导电类型半导体层电连接，第二电极通过另一个第一过孔与第二导电类型半导体层电连接，且第一电极和第二电极位于同一平面；其中，沿第一方向排布的多个微发光二极管的第一电极相互电连接，沿第一方向排布的多个微发光二极管的第二电极相互电连接，第一方向为行方向或者列方向。
在一种可能的实施方式中，第一导电类型半导体层未被电子空穴复合层覆盖的一侧向外延伸至与第二导电类型半导体层平齐，以使第一电极和第二电极位于同一平面。
在一种可能的实施方式中，第一导电类型半导体层未被电子空穴复合层覆盖的一侧设置有导电金属，导电金属远离第一导电类型半导体层的一侧与第二导电类型半导体层平齐，以使第一电极和第二电极位于同一平面。
在一种可能的实施方式中，微发光二极管还包括覆盖第一电极和第二电极的第二透明绝缘层，以及位于第二透明绝缘层背离基底一侧的第三电极和第四电极，第二透明绝缘层设置有两个第二过孔，第三电极通过一个第二过孔与第一电极电连接，第四电极通过另一个第二过孔与第二电极电连接；其中，沿第二方向排布的多个微发光二极管的第三电极相互电连接，沿第二方向排布的多个微发光二极管的第四电极相互电连接，第二方向与第一方向相互垂直。
在一种可能的实施方式中，第一过孔和第二过孔在基底上的正投影重叠。
在一种可能的实施方式中，第一导电类型和第二导电类型中的任一者为P型，另一者为N型。
在一种可能的实施方式中，微发光二极管为顶发射或者底发射发光二极管，第一电极及第二电极为透明电极。
第二方面，本申请实施例还提出了一种微发光二极管组件的检测方法，包括：将微发光二极管组件的多个第一电极分别通过第二测试端子与第一导线电连接，第一导线沿自身长度的两端分别设置第一测试端子；将微发光二极管组件的多个第二电极分别通过第四测试端子与第二导线电连接，第二导线沿自身长度的两端分别设置第三测试端子；将第一测试端子和第三测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第一异常组件；将第一测试端子和第三测试端子分别断电；将第一异常组件所在的区域沿第一方向延长并切割为第一异常区域，第一异常区域包括未点亮的若干微发光二极管对应的第一电极和第二电极，第一方向为行方向或者列方向；将第一异常区域内的微发光二极管对应的第二测试端子和第四测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第二异常组件；将第二测试端子和第四测试端子分别断电；将第二异常组件的所有微发光二极管逐个切割下来；对切割的所有微发光二极管逐个针刺通电进行检测。
第三方面，本申请实施例还提出了一种微发光二极管组件的检测方法，包括：将微发光二极管组件的多个第一电极分别通过第二测试端子与第一导线电连接，第一导线沿自身长度的两端分别设置第一测试端子；将微发光二极管组件的多个第二电极分别通过第四测试端子与第二导线电连接，第二导线沿自身长度的两端分别设置第三测试端子；将微发光二极管组件的多个第三电极分别通过第五测试端子与第三导线电连接；将微发光二极管组件的多个第四电极分别通过第六测试端子与第四导线电连接；将第一测试端子和第三测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第一异常组件；将第一异常组件沿第一方向延长为第一异常区域，第一异常区域包括未点亮的若干微发光二极管对应的第一电极和第二电极，第一方向为行方向或者列方向；将第一测试端子与第三测试端子断电；将第一异常区域内的微发光二极管对应的第二测试端子和第四测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第二异常组件；将第二异常组件的微发光二极管对应的第五测试端子和第六测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第三异常组件；将第三异常组件所在的区域沿第二方向延长为第二异常区域；将第一异常区域与第二异常区域的重合部分定义为第三异常区域；将第三异常区域内的微发光二极管对应的第二测试端子和第四测试端子通电，或者，将第三异常区域内的微发光二极管对应的第五测试端子和第六测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第四异常区域组件；将第二测试端子、第四测试端子、第五测试端子及第六测试端子分别断电；将第四异常区域内的所有微发光二极管逐个切割下来；对切割的所有微发光二极管逐个针刺通电进行检测。
第四方面，本申请实施例还提出了一种微显示基板，包括：衬底基板，设置有驱动电路；和多个微发光二极管，巨量转移至衬底基板，微发光二极管与驱动电路电连接，其中，每个微发光二极管为采用如前所述的微发光二极管组件的检测方法检测合格的器件。
本申请实施例提供的微发光二极管组件及其检测方法、微显示基板，该微发光二极管组件包括阵列分布的多个微发光二极管，微发光二极管包括基底以及从基底一侧依次向外延伸的第一导电类型半导体层、电子空穴复合层、第二导电类型半导体层，以及与第一导电类型半导体层电连接的第一电极和与第二导电类型半导体层电连接的第二电极；微发光二极管还包括包覆第一导电类型半导体层、电子空穴复合层、第二导电类型半导体层的第一透明绝缘层，第一透明绝缘层设置有两个第一过孔，第一电极通过第一过孔与第一导电类型半导体层电连接，第二电极通过第一过孔与第二导电类型半导体层电连接，且第一电极和第二电极位于同一平面；其中，沿第一方向排布的多个微发光二极管的第一电极相互电连接，沿第一方向排布的多个微发光二极管的第二电极相互电连接，第一方向为行方向或者列方向。由此，通过改变微发光二极管的结构，使其第一电极和第二电极位于同一平面，便于将沿第一方向排布的多个微发光二极管的第一电极相互电连接，以及沿第一方向排布的多个微发光二极管的第二电极相互电连接，通过对与第一电极和第二电极分别电连接的测试端子通电，可以快速筛选出不良的微发光二极管，提高检测效率，有利于提高微显示基板的良率；同时由于第一电极和第二电极位于同一平面，检测合格的微发光二极管可以巨量转移至衬底基板上，进一步提高微显示基板的良率，提升产品竞争力。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
图1示出相关技术中的微发光二极管的剖面结构示意图；
图2示出本申请第一实施例提供的微发光二极管组件的结构示意图；
图3示出图2中的一种微发光二极管的剖面结构示意图；
图4示出图2中的另一种微发光二极管的剖面结构示意图；
图5示出图2中的微发光二极管的俯视图；
图6示出本申请第一实施例提供的微发光二极管组件的检测方法的流程框图；
图7示出本申请第二实施例提供的微发光二极管组件的结构示意图；
图8示出图7中的一种微发光二极管的剖面结构示意图；
图9示出图7中的另一种微发光二极管的剖面结构示意图；
图10示出图8中的微发光二极管的俯视图；
图11示出本申请第二实施例提供的微发光二极管组件的检测方法的流程框图；
图12示出本申请第三实施例提供的微显示基板的结构示意图。
附图标记说明：
1、微发光二极管；10、基底；11、第一导电类型半导体层；12、第二导电类型半导体层；13、电子空穴复合层；14、第一透明绝缘层；151、第一电极；152、第二电极；153、第三电极；154、第四电极；16、导电金属；17、第二透明绝缘层；H1-第一过孔；H2-第二过孔；
100、微发光二极管组件；200、衬底基板；X、第一方向；Y、第二方向；
L1、第一导线；L2、第二导线；L3、第三导线；L4、第四导线；
T1、第一测试端子；T2、第二测试端子；T3、第三测试端子；T4、第四测试端子；T5、第五测试端子；T6、第六测试端子。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
本申请中，微发光二极管指的是微型发光二极管(Micro-LED)或者亚毫米发光二极管(Mini-LED)，Micro-LED是指晶粒尺寸在100微米以下的LED芯片，Mini-LED是指晶粒尺寸在100～300微米左右的LED芯片。Mini-LED或者Micro-LED可以作为自发光的发光元件显示，具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩饱和度、反应速度快、寿命较长、效率较高等优点。
如图1所示，相关技术中的微发光二极管一般包括基底10以及从基底10一侧依次向外延伸的N型半导体层11、电子空穴复合层13、P型半导体层12以及位于N型半导体层11上的N金属电极、位于P型半导体层11上的P金属电极。由于P金属电极和N金属电极不在同一平面内，在巨量检测时，只能用检测设备的精密针头扎到每个微发光二极管的P、N金属电极上进行检测，或者在P、N金属电极上引线，信号通过P、N金属电极传到微发光二极管内，检测效率低，产品良率较低。另外，在将微发光二极管巨量转移至电路板上时，由于P金属电极和N金属电极不在同一平面内，在共晶无法将P金属电极和N金属电极同时焊接在一起，较低的金属电极容易因焊料不足导致焊接不良，进一步降低了产品良率。
为此，本申请各实施例提供一种微发光二极管组件及其检测方法、微显示基板，其可以提高巨量转移的微发光二极管组件的检测效率和良率，提升产品竞争力。
第一实施例
如图2至图5所示，本申请第一实施例提供一种微发光二极管组件，包括阵列分布的多个微发光二极管1，微发光二极管1包括基底10以及从基底10一侧依次设置的第一导电类型半导体层11、电子空穴复合层13、第二导电类型半导体层12，以及与第一导电类型半导体层11电连接的第一电极151和与第二导电类型半导体层12电连接的第二电极152。
微发光二极管1还包括包覆第一导电类型半导体层11、电子空穴复合层13、第二导电类型半导体层12的第一透明绝缘层14，第一透明绝缘层14设置有两个第一过孔H1，第一电极151通过一个第一过孔H1与第一导电类型半导体层11电连接，第二电极152通过另一个第一过孔H1与第二导电类型半导体层12电连接，且第一电极151和第二电极152位于同一平面。
其中，沿第一方向X排布的多个微发光二极管1的第一电极151相互电连接，沿第一方向X排布的多个微发光二极管1的第二电极152相互电连接，第一方向X为行方向或者列方向。
如图2所示，多个微发光二极管1阵列分布，第一方向X为列方向，沿列方向排布的多个微发光二极管1的第一电极151呈直线相互电连接，沿列方向排布的多个微发光二极管1的第二电极152呈直线相互电连接。在外围检测时，可以将测试端子与第一电极151、第二电极152电连接，即可对阵列分布的多个微发光二极管1进行测试，提高检测效率，有利于提升产品良率。
进一步地，每个微发光二极管1包括基底10以及从基底10一侧依次向外延伸的第一导电类型半导体层11、电子空穴复合层13、第二导电类型半导体层12，以及与第一导电类型半导体层11电连接的第一电极151和与第二导电类型半导体层12电连接的第二电极152，以及包覆第一导电类型半导体层11、电子空穴复合层13、第二导电类型半导体层12的第一透明绝缘层14，第一透明绝缘层14设置有两个第一过孔H1，第一电极151通过一个第一过孔H1与第一导电类型半导体层11电连接，第二电极152通过另一个第一过孔H1与第二导电类型半导体层12电连接，且第一电极151和第二电极152位于同一平面。
可选地，第一导电类型半导体层11和第二导电类型半导体层12的材质为氮化镓。进一步可选地，第一导电类型和第二导电类型中的任一者为P型，另一者为N型。为了便于描述，本申请第一实施例以第一导电类型为N型、第二导电类型为P型为例进行说明，相应地，第一电极151为负极(N)、第二电极152为正极(P)。另外，微发光二极管1为顶发射或者底发射发光二极管，第一电极151及第二电极152为透明电极。第一电极151及第二电极152的材质例如可以为氧化铟锡ITO，提高出光效果。
由于每个微发光二极管1的第一电极151和第二电极152位于同一平面，且第一电极151和第二电极152贯穿整颗微发光二极管1，可以确保阵列分布的微发光二极管组件在共晶时第一电极151和第二电极152能够同时焊接，且焊接良好，进一步提升产品良率。
本申请实施例提供的微发光二极管组件，通过改变微发光二极管1的结构，使其第一电极151和第二电极152位于同一平面，便于将沿第一方向X排布的多个微发光二极管1的第一电极151相互电连接，以及沿第一方向X排布的多个微发光二极管1的第二电极152相互电连接，通过对与第一电极151和第二电极152分别电连接的测试端子通电，可以快速筛选出不良的微发光二极管1，提高检测效率，有利于提高微显示基板的良率；同时由于第一电极151和第二电极152位于同一平面，检测合格的微发光二极管1可以巨量转移至衬底基板上，进一步提高微显示基板的良率，提升产品竞争力。
如图3所示，在一个示例中，第一导电类型半导体层11未被电子空穴复合层13覆盖的一侧向外延伸至与第二导电类型半导体层12平齐，以使第一电极151和第二电极152位于同一平面。例如，N型半导体层未被电子空穴复合层13覆盖的一侧向外延伸至与P型半导体层平齐，以使正极P和负极N位于同一平面。这样，在沉积第一导电类型半导体层11时，需要通过掩膜板形成图案化的第一导电类型半导体层11，以使第一导电类型半导体层11呈现凹凸不平的图案。由此，可以确保阵列分布的微发光二极管组件在共晶时正极P和负极N能够同时焊接，且焊接良好，进一步提升产品良率。
如图4所示，在另一个示例中，第一导电类型半导体层11未被电子空穴复合层13覆盖的一侧设置有导电金属16，导电金属16远离第一导电类型半导体层11的一侧与第二导电类型半导体层12平齐，以使第一电极151和第二电极152位于同一平面。例如，N型半导体层未被电子空穴复合层13覆盖的一侧设置有导电金属16，导电金属16远离N型半导体层11的一侧与P型半导体层平齐，以使正极P和负极N位于同一平面。导电金属16例如可以为钼、镍、钛等，这样可以先制作整层第一导电类型半导体层11，再制作导电金属16，简化制作工艺，节省制作成本。由此，可以确保阵列分布的微发光二极管组件在共晶时正极P和负极N能够同时焊接，且焊接良好，进一步提升产品良率。
如图5所示，第一透明绝缘层14设置有两个第一过孔H1，第一电极151通过一个第一过孔H1与第一导电类型半导体层11电连接，第二电极152通过另一个第一过孔H1与第二导电类型半导体层12电连接。第一透明绝缘层14的材质例如可以为SiOx、SiNx等透明膜层，其包覆第一导电类型半导体层11、电子空穴复合层13、第二导电类型半导体层12，不会影响微发光二极管1的透光率。同时，第一电极151和第二电极152被第一透明绝缘层14隔离开，可以避免相邻的微发光二极管1因金属颗粒杂质导通，提高微发光二极管组件的良率。
如图6所示，本申请第一实施例提供一种如前所述的微发光二极管组件的检测方法，包括如下步骤S1～S9。下面结合图2详细描述该微发光二极管组件的检测方法。
步骤S1：将微发光二极管组件的多个第一电极151分别通过第二测试端子T2与第一导线L1电连接，第一导线L1沿自身长度的两端分别设置第一测试端子T1；
步骤S2：将微发光二极管组件的多个第二电极152分别通过第四测试端子T4与第二导线L2电连接，第二导线L2沿自身长度的两端分别设置第三测试端子T3；
步骤S3：将第一测试端子T1和第三测试端子T3通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第一异常组件；
步骤S4：将第一测试端子T1和第三测试端子T3分别断电；
步骤S5：将第一异常组件所在的区域沿第一方向X延长并切割为第一异常区域，第一异常区域包括未点亮的若干微发光二极管对应的第一电极151和第二电极152，第一方向X为行方向或者列方向；其中，识别异常区域的方法可以是，通过机器拍照自动识别亮度异常区域，也可以是人工识别标注异常区域并标识出异常区域上下左右的最远点，作为切割坐标，如图2中的虚线矩形框所示。
步骤S6：将第一异常区域内的微发光二极管对应的第二测试端子T2和第四测试端子T4通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第二异常组件；图2中沿第一方向X延伸的两个虚线箭头之间的多个微发光二极管1即为第二异常组件，第二异常组件中微发光二极管的数量相对较少，缩小了异常检测的范围。
步骤S7：将第二测试端子T2和第四测试端子T4分别断电；
步骤S8：将第二异常组件的所有微发光二极管逐个切割下来；第二异常组件中微发光二极管的数量小于第一异常组件中微发光二极管的数量，进一步缩小了异常检测的范围。
步骤S9：对切割的所有微发光二极管逐个针刺通电进行检测。
由于第二异常组件中微发光二极管的数量较少，通过逐个针刺通电检测即可快速识别出质量异常的微发光二极管。
本实施例提供的检测方法中，通过逐步确定缩小长条形异常区域的面积，逐步缩小显示异常的微发光二极管的数量，然后将该异常区域内的多个微发光二极管1逐个切割后针刺通电进行检测，可以快速筛选出不良产品，提高了检测效率，有利于提升产品良率。
第二实施例
如图7所示，本申请第二实施例提供一种微发光二极管组件，其与第一实施例的微发光二极管组件的结构类似，不同之处在于，微发光二极管1的正极和负极均分为两层设置。
具体来说，微发光二极管1还包括覆盖第一电极151和第二电极152的第二透明绝缘层17，以及位于第二透明绝缘层17背离基底10一侧的第三电极153和第四电极154，第二透明绝缘层17设置有两个第二过孔H2，第三电极153通过一个第二过孔H2与第一电极151电连接，第四电极154通过另一个第二过孔H2与第二电极152电连接。
其中，沿第二方向Y排布的多个微发光二极管1的第三电极153相互电连接，沿第二方向Y排布的多个微发光二极管1的第四电极154相互电连接，第二方向Y与第一方向X相互垂直。
如图7所示，本实施例中，多个微发光二极管1阵列分布，第一方向X为列方向，第二方向Y为行方向，沿列方向排布的多个微发光二极管1的第一电极151和第二电极152分别呈直线相互电连接，形成第一层电极；沿行方向排布的多个微发光二极管1的第三电极153和第四电极154分别呈直线相互电连接，形成第二层电极，两层电极呈井字形分布，第三电极153通过一个第二过孔H2与第一电极151电连接，第四电极154通过另一个第二过孔H2与第二电极152电连接。
由此，在外围检测时，可以将测试端子与第一电极151、第二电极152、第三电极153及第四电极154分别电连接，使得电极信号线沿行方向和列方向交错设计，如果行方向的电极信号线路出现断线，还可以使用列方向的信号线路进行检测，提高检测能力。由于相互垂直的两个方向均可以检测微发光二极管1的电气性能，提高了检测定位精度和检测效率，进一步提升产品良率。
如图8所示，在一个示例中，第一导电类型半导体层11未被电子空穴复合层13覆盖的一侧向外延伸至与第二导电类型半导体层12平齐，以使第一电极151和第二电极152位于同一平面。例如，N型半导体层未被电子空穴复合层13覆盖的一侧向外延伸至与P型半导体层平齐，以使正极P和负极N位于同一平面。这样，在沉积第一导电类型半导体层11时，需要通过掩膜板形成图案化的第一导电类型半导体层11，以使第一导电类型半导体层11呈现凹凸不平的图案。然后再依次沉积形成第二透明绝缘层17、第三电极153和第四电极154。由此，可以确保阵列分布的微发光二极管组件在共晶时正极P和负极N能够同时焊接，且焊接良好，进一步提升产品良率。
如图9所示，在另一个示例中，第一导电类型半导体层11未被电子空穴复合层13覆盖的一侧设置有导电金属16，导电金属16远离第一导电类型半导体层11的一侧与第二导电类型半导体层12平齐，以使第一电极151和第二电极152位于同一平面。例如，N型半导体层未被电子空穴复合层13覆盖的一侧设置有导电金属16，导电金属16远离N型半导体层11的一侧与P型半导体层平齐，以使正极P和负极N位于同一平面。导电金属16例如可以为钼、镍、钛等，这样可以先制作整层第一导电类型半导体层11，再制作导电金属16，简化制作工艺，节省制作成本。然后再依次沉积形成第二透明绝缘层17、第三电极153和第四电极154。由此，可以确保阵列分布的微发光二极管组件在共晶时正极P和负极N能够同时焊接，且焊接良好，进一步提升产品良率。
如图10所示，第一电极151通过一个第一过孔H1与第一导电类型半导体层11电连接，第二电极152通过另一个第一过孔H1与第二导电类型半导体层12电连接；第三电极153通过一个第二过孔H2与第一电极151电连接，第四电极154通过另一个第二过孔H2与第二电极152电连接。可选地，第一过孔H1和第二过孔H2在基底10上的正投影重叠。如此设置，可以减小过孔的占用空间，使微发光二极管1的结构更加紧凑。
如图11所示，本申请第二实施例提供一种如前所述的微发光二极管组件的检测方法，包括如下步骤S1～S9。下面结合图7详细描述该微发光二极管组件的检测方法。
步骤S1：将微发光二极管组件的多个第一电极151分别通过第二测试端子T2与第一导线L1电连接，第一导线L1沿自身长度的两端分别设置第一测试端子T1；
步骤S2：将微发光二极管组件的多个第二电极152分别通过第四测试端子T4与第二导线L2电连接，第二导线L2沿自身长度的两端分别设置第三测试端子T3；
步骤S3：将微发光二极管组件的多个第三电极153分别通过第五测试端子T5与第三导线L3电连接；
步骤S4：将微发光二极管组件的多个第四电极154分别通过第六测试端子T6与第四导线L4电连接；
步骤S5：将第一测试端子T1和第三测试端子T3通电，查找未点亮的若干微发光二极管1之间形成的第一异常组件；
步骤S6：将第一异常组件沿第一方向X延长为第一异常区域，第一异常区域包括未点亮的若干微发光二极管对应的第一电极151和第二电极152，第一方向X为行方向或者列方向；
步骤S7：将第一测试端子T1与第三测试端子T3断电；
步骤S8：将第一异常区域内的微发光二极管对应的第二测试端子T2和第四测试端子T4通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第二异常组件；
步骤S9：将第二异常组件的微发光二极管对应的第五测试端子T5和第六测试端子T6通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第三异常组件；
步骤S10：将第三异常组件所在的区域沿第二方向Y延长为第二异常区域；
步骤S11：将第一异常区域与第二异常区域的重合部分定义为第三异常区域；其中，识别异常区域的方法可以是，通过机器拍照自动识别亮度异常区域，也可以是人工识别标注异常区域并标识出异常区域上下左右的最远点，作为切割坐标，如图7中的矩形虚线框所示，第三异常组件中微发光二极管的数量相对较少，缩小了异常检测的范围。
步骤S12：将第三异常区域内的微发光二极管对应的第二测试端子T2和第四测试端子T4通电，或者，将第三异常区域内的微发光二极管对应的第五测试端子T5和第六测试端子T6通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第四异常区域组件；
步骤S13：将第二测试端子T2、第四测试端子T4、第五测试端子T5及第六测试端子T6分别断电；
步骤S14：将第四异常区域内的所有微发光二极管逐个切割下来；
步骤S15：对切割的所有微发光二极管逐个针刺通电进行检测。
本实施例提供的检测方法中，通过在行方向和列方向分别进行检测，以查找出“十字型”的异常显示区域的重合区域，并将该重合区域内的多个微发光二极管1沿行方向或者列方向继续进行检测，以进一步缩小检测范围，然后将缩小范围内的所有微发光二极管逐个切割下来后针刺通电进行检测。在对重合区域进一步缩小检测范围时，如果行方向或者列方向区域的电极信号线路出现断线也不会影响检测，可以使用列方向或者行方向区域的信号线路检测，提高检测定位精度和检测能力，从而逐步缩小显示异常的微发光二极管的范围，进一步快速筛选出不良产品，提高了检测效率，有利于提升产品良率。
第三实施例
如图12所示，本申请第三实施例提供一种微显示基板，包括衬底基板200和多个微发光二极管1，多个微发光二极管1巨量转移至衬底基板200，微发光二极管1与驱动电路电连接，其中，每个微发光二极管为采用如前所述的微发光二极管组件的检测方法检测合格的器件。
微发光二极管组件经检测合格后，可以切割为多个微发光二极管1，且微发光二极管1的基底10被剥离，然后通过磁吸附、静电吸附等多种方式巨量转移至衬底基板200上，并与衬底基板200焊接连接，以使微发光二极管1与驱动电路电连接。
另外，本申请实施例还提供一种微显示装置，包括背光模组和液晶显示面板，背光模组包括如前所述的直下式微显示基板、光学膜层等，背光模组设置于液晶显示面板的背光侧，用于向液晶显示面板提供光源。
进一步地，显示装置还包括位于液晶显示面板的出光面一侧的上偏光片、位于液晶显示面板的背光面一侧的下偏光片。下偏光片和上偏光片可使液晶显示面板的入射光偏振，以允许仅在一个方向上振动的光透射。
可以理解的是，本申请各实施例提供的微显示基板组成的背光模组可以广泛用于向各种液晶显示面板提供光源，如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示面板、IPS(In-PlaneSwitching，平面转换型)显示面板、VA(VerticalAlignment，垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-Domain Vertical Alignment，多象限垂直配向型)显示面板。
应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。
文中使用的术语“衬底基板”是指在其上添加后续材料层的材料。基板本身可以被图案化。添加到衬底基板顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底基板可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。衬底基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种微发光二极管组件，包括阵列分布的多个微发光二极管，所述微发光二极管包括基底以及从所述基底一侧依次设置的第一导电类型半导体层、电子空穴复合层、第二导电类型半导体层，以及与所述第一导电类型半导体层电连接的第一电极和与所述第二导电类型半导体层电连接的第二电极，其特征在于，
所述微发光二极管还包括包覆所述第一导电类型半导体层、所述电子空穴复合层、所述第二导电类型半导体层的第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层设置有两个第一过孔，所述第一电极通过一个所述第一过孔与所述第一导电类型半导体层电连接，所述第二电极通过另一个所述第一过孔与所述第二导电类型半导体层电连接，且所述第一电极和所述第二电极位于同一平面；
其中，沿第一方向排布的多个所述微发光二极管的所述第一电极相互电连接，沿第一方向排布的多个所述微发光二极管的所述第二电极相互电连接，所述第一方向为行方向或者列方向。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管组件，其特征在于，所述第一导电类型半导体层未被所述电子空穴复合层覆盖的一侧向外延伸至与所述第二导电类型半导体层平齐，以使所述第一电极和所述第二电极位于同一平面。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管组件，其特征在于，所述第一导电类型半导体层未被所述电子空穴复合层覆盖的一侧设置有导电金属，所述导电金属远离第一导电类型半导体层的一侧与所述第二导电类型半导体层平齐，以使所述第一电极和所述第二电极位于同一平面。
4.根据权利要求1至3任一项所述的微发光二极管组件，其特征在于，所述微发光二极管还包括覆盖所述第一电极和所述第二电极的第二透明绝缘层，以及位于所述第二透明绝缘层背离所述基底一侧的第三电极和第四电极，所述第二透明绝缘层设置有两个第二过孔，所述第三电极通过一个所述第二过孔与所述第一电极电连接，所述第四电极通过另一个所述第二过孔与所述第二电极电连接；
其中，沿第二方向排布的多个所述微发光二极管的所述第三电极相互电连接，沿第二方向排布的多个所述微发光二极管的所述第四电极相互电连接，所述第二方向与所述第一方向相互垂直。
5.根据权利要求4所述的微发光二极管组件，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔在所述基底上的正投影重叠。
6.根据权利要求1所述的微发光二极管组件，其特征在于，所述第一导电类型和所述第二导电类型中的任一者为P型，另一者为N型。
7.根据权利要求1所述的微发光二极管组件，其特征在于，所述微发光二极管为顶发射或者底发射发光二极管，所述第一电极及所述第二电极为透明电极。
8.一种如权利要求1至3、6、7任一项所述的微发光二极管组件的检测方法，其特征在于，包括：
将微发光二极管组件的多个第一电极分别通过第二测试端子与第一导线电连接，所述第一导线沿自身长度的两端分别设置第一测试端子；
将微发光二极管组件的多个第二电极分别通过第四测试端子与第二导线电连接，所述第二导线沿自身长度的两端分别设置第三测试端子；
将所述第一测试端子和所述第三测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第一异常组件；
将所述第一测试端子和所述第三测试端子分别断电；
将所述第一异常组件所在的区域沿第一方向延长并切割为第一异常区域，所述第一异常区域包括未点亮的若干微发光二极管对应的所述第一电极和所述第二电极，所述第一方向为行方向或者列方向；
将所述第一异常区域内的微发光二极管对应的所述第二测试端子和所述第四测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第二异常组件；
将所述第二测试端子和所述第四测试端子分别断电；
将所述第二异常组件的所有微发光二极管逐个切割下来；
对切割的所有微发光二极管逐个针刺通电进行检测。
9.一种如权利要求4至7任一项所述的微发光二极管组件的检测方法，其特征在于，包括：
将微发光二极管组件的多个第一电极分别通过第二测试端子与第一导线电连接，所述第一导线沿自身长度的两端分别设置第一测试端子；
将微发光二极管组件的多个第二电极分别通过第四测试端子与第二导线电连接，所述第二导线沿自身长度的两端分别设置第三测试端子；
将微发光二极管组件的多个第三电极分别通过第五测试端子与第三导线电连接；
将微发光二极管组件的多个第四电极分别通过第六测试端子与第四导线电连接；
将所述第一测试端子和所述第三测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第一异常组件；
将所述第一异常组件所在的区域沿第一方向延长为第一异常区域，所述第一异常区域包括未点亮的若干微发光二极管对应的所述第一电极和所述第二电极，所述第一方向为行方向或者列方向；
将所述第一测试端子与所述第三测试端子断电；
将所述第一异常区域内的微发光二极管对应的所述第二测试端子和所述第四测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第二异常组件；
将所述第二异常组件内的微发光二极管对应的所述第五测试端子和所述第六测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第三异常组件；
将所述第三异常组件所在的区域沿第二方向延长为第二异常区域；
将所述第一异常区域与所述第二异常区域的重合部分定义为第三异常区域；
将所述第三异常区域内的微发光二极管对应的所述第二测试端子和所述第四测试端子通电，或者，将所述第三异常区域内的微发光二极管对应的所述第五测试端子和所述第六测试端子通电，查找未点亮的若干微发光二极管之间形成的第四异常区域组件；
将所述第二测试端子、所述第四测试端子、所述第五测试端子及所述第六测试端子分别断电；
将所述第四异常区域内的所有微发光二极管逐个切割下来；
对切割的所有微发光二极管逐个针刺通电进行检测。
10.一种微显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板，设置有驱动电路；和
多个微发光二极管，巨量转移至所述衬底基板，所述微发光二极管与所述驱动电路电连接，其中，每个所述微发光二极管为采用如权利要求8或9所述的微发光二极管组件的检测方法检测合格的器件。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |